KR880004526A - 전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법 - Google Patents
전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법에 의해 성취된 접촉(contact)으로 제공된 반도체 캐소드의 도식적 평면도.
제2도는 제1도의 선 Ⅱ-Ⅱ상에서 취해진 단면의 다이아그램.
제3도는 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 전자관의 다이아그램.
Claims (10)
- 제조방법, 특히 적어도 부분이 표면 대역을 둘러싼 반도체 영역내의 제1도전형의 표면 대역을 가진 반도체 캐소드 접촉 방법에 있어서, 상기표면 대역은 탄탈, 티타늄 및 바나듐의 그룹으로부터의 적어도 한 제1금속층과, 금, 은 및 구리의 그룹으로 부터의 한 제2금속층으로 이루어진 접촉부로 제공되며, 상기 접촉부는 열처리로 성취되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
- 제1항에 있어서, 제2재질층은 반도체 표면상에 직접 제공되어, 제1도전형의 표면 대역폭의 0.25배인 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
- 제1 또는 2항에 있어서, 제1금속은 탄탈이며, 제2금속은 은인 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
- 제1항에 있어서, 열 처리는 열 압축이나 레이저 용접으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
- 제1항에 있어서, 반도체 재질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
- 전술한 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드.
- 제1 내지 5항중의 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조된 반도체 캐소드는 전자관내에 제공되어, 전자관을 시일링한 후에 800℃ 및 950℃ 사이의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 반도체 캐소드의 표면은 전자 작업 기능을 감소시키는 재질로 피복되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 세슘의 단원자층은 전자 작업 기능을 감소시키는 재질로서 제공되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
- 제7 내지 9항중의 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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