KR880004526A - 전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법 - Google Patents

전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법 Download PDF

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KR880004526A
KR880004526A KR870010151A KR870010151A KR880004526A KR 880004526 A KR880004526 A KR 880004526A KR 870010151 A KR870010151 A KR 870010151A KR 870010151 A KR870010151 A KR 870010151A KR 880004526 A KR880004526 A KR 880004526A
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KR
South Korea
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electron tube
semiconductor
semiconductor cathode
produced
metal
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KR870010151A
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Inventor
반 에스돈크 요하네스
스토펠스 야코부스
야코부스 마리아 페테르스 페트루스
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/92—Means forming part of the tube for the purpose of providing electrical connection to it
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법에 의해 성취된 접촉(contact)으로 제공된 반도체 캐소드의 도식적 평면도.
제2도는 제1도의 선 Ⅱ-Ⅱ상에서 취해진 단면의 다이아그램.
제3도는 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 전자관의 다이아그램.

Claims (10)

  1. 제조방법, 특히 적어도 부분이 표면 대역을 둘러싼 반도체 영역내의 제1도전형의 표면 대역을 가진 반도체 캐소드 접촉 방법에 있어서, 상기표면 대역은 탄탈, 티타늄 및 바나듐의 그룹으로부터의 적어도 한 제1금속층과, 금, 은 및 구리의 그룹으로 부터의 한 제2금속층으로 이루어진 접촉부로 제공되며, 상기 접촉부는 열처리로 성취되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
  2. 제1항에 있어서, 제2재질층은 반도체 표면상에 직접 제공되어, 제1도전형의 표면 대역폭의 0.25배인 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 제1금속은 탄탈이며, 제2금속은 은인 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
  4. 제1항에 있어서, 열 처리는 열 압축이나 레이저 용접으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
  5. 제1항에 있어서, 반도체 재질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드 접촉방법.
  6. 전술한 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐소드.
  7. 제1 내지 5항중의 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조된 반도체 캐소드는 전자관내에 제공되어, 전자관을 시일링한 후에 800℃ 및 950℃ 사이의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 반도체 캐소드의 표면은 전자 작업 기능을 감소시키는 재질로 피복되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 세슘의 단원자층은 전자 작업 기능을 감소시키는 재질로서 제공되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
  10. 제7 내지 9항중의 어느 한 항에서 청구된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자관 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870010151A 1986-09-15 1987-09-14 전자관 제조 및 반도체 캐소드 접촉 방법 KR880004526A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602330 1986-09-15
NL8602330A NL8602330A (nl) 1986-09-15 1986-09-15 Werkwijze voor het contacteren van halfgeleiderkathoden, alsmede voor het vervaardigen van een electronenbuis voorzien van een dergelijke kathode.

Publications (1)

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KR880004526A true KR880004526A (ko) 1988-06-04

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ID=19848551

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US (1) US4806818A (ko)
EP (1) EP0261720B1 (ko)
JP (1) JPS6378430A (ko)
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DE (1) DE3764753D1 (ko)
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400200C2 (de) * 1993-01-05 1997-09-04 Toshiba Kawasaki Kk Halbleitervorrichtung mit verbesserter Verdrahtungsstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2856135B2 (ja) * 1996-01-30 1999-02-10 日本電気株式会社 電界放出冷陰極素子の固定構造及び固定方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3667007A (en) * 1970-02-25 1972-05-30 Rca Corp Semiconductor electron emitter
US4286373A (en) * 1980-01-08 1981-09-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of making negative electron affinity photocathode
GB2162681B (en) * 1984-06-08 1988-06-22 Philips Nv Devices involving electron emission and methods of forming a layer of material reducing the electron work function
NL8500596A (nl) * 1985-03-04 1986-10-01 Philips Nv Inrichting voorzien van een halfgeleiderkathode.

Also Published As

Publication number Publication date
DE3764753D1 (de) 1990-10-11
JPS6378430A (ja) 1988-04-08
EP0261720B1 (en) 1990-09-05
CA1320991C (en) 1993-08-03
NL8602330A (nl) 1988-04-05
EP0261720A1 (en) 1988-03-30
US4806818A (en) 1989-02-21

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