KR850000800Y1 - Apparatus for continuously depositing a layer of solid metrial on the surface of a substrate to a high temperature - Google Patents

Apparatus for continuously depositing a layer of solid metrial on the surface of a substrate to a high temperature Download PDF

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KR850000800Y1
KR850000800Y1 KR2019850000781U KR850000781U KR850000800Y1 KR 850000800 Y1 KR850000800 Y1 KR 850000800Y1 KR 2019850000781 U KR2019850000781 U KR 2019850000781U KR 850000781 U KR850000781 U KR 850000781U KR 850000800 Y1 KR850000800 Y1 KR 850000800Y1
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칼브스코프 레인하드
봄버거 오토
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소시에타 이탈리아나 베트로-에스아이부이-에스. 피이. 에이.
프란코 그린게리
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

고온으로 가열된 썹스트레이트 표면에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 장치A device that continuously deposits a layer of solid material on the surface of a jewel straight heated to a high temperature

제1도는 일반적인 계통도임.1 is a general schematic.

제1a도와 제1b도는 제1도를 변형한 것임.1a and 1b are variations of FIG.

제2도는 제1도의 부분품을 확대한 수직단면도임.FIG. 2 is a vertical sectional view in which parts of FIG. 1 are enlarged.

본 고안은 고온으로 가열된 썹스트레이트 표면에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 장치에 관한 것이다. 비교적 전기저항이 적고 기계적 힘이크며 썹스트레이트(substrate)와 비슷한 투명도를 갖는 반도체(예를들면 산화주석) 층으로 썹스트레이트(예를들면 유리판)를 코팅하기 위한 여러공정과 장치는 이미 제안된 것이다.The present invention is directed to a device for continuously depositing a layer of solid material on a hot heated surface. Several processes and devices have already been proposed for coating brow straighteners (eg glass plates) with a layer of semiconductor (eg tin oxide) which has relatively low electrical resistance, high mechanical forces and similar transparency to the brow straighteners. .

이와 같은 여러가지 공정중에서, 영국지정 화학진공증착 또는 C.V.D. 등에서 H. Koch가 Elektrische Untersuchungen an Zinndioxydschten (산화 제1구리층에 관한 전기적인 조사) (Phys, stat. 1963, Vol. 3. 1059페이지 이후를 참조)라고 표제를 붙인 연구등을 근거로한, 담체가스(여기서는 공기)내에 희석된 형태로 공급하고, 200-400℃ 정도로 예열된 유리판 표면과 서로 접촉해서 운반되는 H2O와 SnCl4을 반응시킴으로서 유리판에 SnO2얇은층을 용착시키는 공정 및 장치가 알려져있는 바, 이 두개의 가스상 반응물질은 두개의 동축분사도관(중앙도관은 SnO2의 가스상 희석제를 운반하고, 다른 외부도관은 H2O가스상 희석제를 운반함)을 구비한 노즐에 의해 유리에 가해진다.During these various processes, H. Koch, Elektrische Untersuchungen an Zinndioxydschten (electrical investigation of cuprous oxide layers) (see Phys, stat. 1963, Vol. H 2 O and S n Cl 4 , which are supplied in a diluted form in a carrier gas (air here) and are brought into contact with the surface of the glass plate preheated to 200-400 ° C. Processes and apparatus are known for depositing a thin layer of S n O 2 on a glass plate by reacting these two gaseous reactants with two coaxial jets (the central conduit carries a gaseous diluent of S n O 2 , The conduit is applied to the glass by a nozzle with H 2 O gas phase diluent).

이층의 전기저항성을 감소시키기 위해서, 썹스트레이트(이 경우에 유리판)에 용착된 SnO2층을 안티몬으로 도우핑(doping) 할 수 있는데, 독일특허 출원번호 2,123,274에서는 특히, 상기한 것과 매우 유사한 장치와 공정이 제안되었다. 본 목적으로, 각각의 성분을 수용하는 3개의 동축분사도관을 구비한 노즐에 의해 썹스트레이트 위에 SnCl4및 H2O과 접촉되도록 담체가스(이 경우에는 질소)에 희석한 SbCl4를 첨가이용했다. 화합반응은 썹스트레이트 근처에서 그리고 노즐의 3개 분사도관으로 부터 일정거리에서 이루어졌다.In order to reduce the electrical resistivity of the bilayer, the S n O 2 layer deposited on the brow straight (in this case, the glass plate) can be doped with antimony, especially in German patent application No. 2,123,274, very similar to the above. Apparatus and processes have been proposed. For this purpose, S b Cl 4 diluted in a carrier gas (in this case nitrogen) to be brought into contact with S n Cl 4 and H 2 O on the browsstraast by means of a nozzle with three coaxial spray conduits containing the respective components. Was added and used. The compound reaction took place near the brow straight and at a distance from the three spray conduits of the nozzle.

상기 인용한 두가지 경우에 관련된 공정 및 장치는 코팅이 노즐 및 작은판의 비레적인 세로이동에 의해 이루어지는 비교적 적은 크기의 도우핑되거나 도우핑되지 않은 SnO2층판으로 코팅하는 데에만 이용된다. 그러므로, 얻어진 용착물은 투명도가좋지 않은 산화제 2주석 스트립형태를 하고있다. 사실상, 이 형태의 노즐로 부터 나오는 반응혼합물은 균일하지 않으므로 얻어진 용착물은 노즐과 썹스트레이트에 의한 상대운동의 축에 의하여 평행으로 펼쳐있는 줄무늬형태로 두께 및 성분이 서로 다르다.The cited process and apparatus according to the two cases is only used for coating is coated with a nozzle and S n O 2 layer board that is a relatively small size, doping, or dough being made by a ping inversely related of vertical movement of the small plates. Therefore, the resultant deposit is in the form of a strip of tin oxide oxidant with poor transparency. In fact, the reaction mixture from this type of nozzle is not uniform, so the resulting deposits differ in thickness and composition in the form of stripes that run parallel to the axis of relative movement by the nozzle and brow straight.

비록 상기한 공정 및 장치는 비교적 크기가 작은코팅 썹스트 레이트에 관계되는 곳에 적용할 수 있지만 큰썹스트레이트를 코팅하거나, 대규모공업에서는 실제적으로 무용하다는 것이판명되었다. 예를들면 소위 "부동(float)" 공정에 의해서 얻어진 것과 같이 수미터의 넓이를 가질지도 모르는 유리의 끊임없는 띠무늬가 생기는 경우가 있다.Although the process and apparatus described above can be applied where relatively small coating brow straights are concerned, it has been found to coat large brow straights or to be practically useless in large industries. For example, there is a constant banding of glass, which may have a range of several meters, as obtained by the so-called "float" process.

이러한 것을 상기 인용한공정 및 장치등에 적용하고자하면 유리스트립전체에 그 형태의 노즐을 복합해서 단계적으로 배치할 필요가 있으며, 관련된 설비가 복잡하게되고 제한된 숫자의 노즐을 이용하며, 스트립 전체표면을 코팅하기 위해서 매우 빠른 변환속도로 스트립 운동축에 횡으로 움직여야만 한다. 이 용액들중 어떠한 것도 낮은 전기전도도, 투명도 및 고급품을 생성할 수 없다는 것이 분명하다. 예를들면, 만약 후자가 건물의 창이나 문 혹은 모든차량의 창으로 이용되는 유리이라면 상기 성질이 매우 바람직하다는 것을 쉽게 알 수 있다.In order to apply this to the above-mentioned process and apparatus, it is necessary to arrange the nozzles of the type in the entire glass strip in stages, and the related equipment is complicated, and a limited number of nozzles are used, and the entire surface of the strip is coated. To do this, it must move transversely to the strip axis of motion at a very fast conversion speed. It is clear that none of these solutions can produce low electrical conductivity, transparency and high quality. For example, if the latter is a glass used as a window or door of a building or as a window of all vehicles, it is easy to see that this property is very desirable.

보통 유리판은 가공시에 열처리 및 기계적 처리를 저해하지 않은 SnO2층의 첨가를 필요로하고 있다. 특히 도우핑되거나 안된 SnCl4로 코팅된 유리막이 SnO2층에 손상을 입히지 않고 한면이나 다른면에 작용케함으로써 다이아몬드로 절단할 필요가 있다.Usually, glass plates require the addition of an S n O 2 layer that does not inhibit the heat treatment and mechanical treatment during processing. In particular, it is necessary to cut into diamond by letting a glass film coated with doped or undoped S n Cl 4 act on one or the other side without damaging the S n O 2 layer.

유사하게, 코팅에 긁힘 혹은 기계적 손상을 입히지 않고 잘라서 얻은 유리막을 템퍼링(tempering) 조작에 도입시킬 설비를 갖출필요가 있다. 마지막으로, 판 전체에 걸쳐 가능한한 빛 반사를 균일로하고 전기전도도가 낮고 기계적성질과 투명도가 좋은 차의 앞뒤창을 제조하며, 특히 이판이 용이하게 휘어질 수 있게 하는 것이 바람직하다.Similarly, it is necessary to have provisions for introducing a glass film obtained by cutting into a tempering operation without scratching or mechanically damaging the coating. Finally, it is desirable to make the front and rear windows of the car as uniform as possible throughout the plate, with low electrical conductivity, good mechanical properties and transparency, and especially to allow the back plate to bend easily.

이러한 모든 필요성은 상기한 형태의 장치나 방법을 사용하여서는 성취될 수 없었다. 다시말하면, 상기한 것들은 매우 적은 유리표면만 개별적으로 처리하도록 되어있다.All these needs could not be achieved using the apparatus or method of the type described above. In other words, the above are intended to treat only very few glass surfaces individually.

상기 인용한 성질의 관심사는 미국특허 제3,850,679호 및 3,886,649호와 영국특허 제1,507,996호의 주요문제인 장치나 방법에 의해 기술된 방법 및 장치를 교체시키기 위한 것이다. 상기한 특허에서는, 반응가스가 유리판 전면에 분배되도록 하는 장치를 이용하고 있으며, 이 가스들은 상기 첫번째, 두번째 특허(미국)에서처럼 두개의 연속적인 막의 형태를 판 전체면에 걸쳐 동시에 유리판 표면에 가해지고, 세번째 특허(영국)에서는 판의 프리셋트(preset) 길이에 의거하여 가스유체형태로 유리에 가해진다.The concern of the above cited nature is to replace the method and apparatus described by the apparatus or method, which is a major problem of US Pat. Nos. 3,850,679 and 3,886,649 and UK Pat. No. 1,507,996. In the above patents, a device is used to distribute the reaction gas to the front of the glass plate, which is applied simultaneously to the surface of the glass plate over the entire surface of the plate in the form of two consecutive films as in the first and second patents (US). In the third patent (UK), glass is applied in the form of a gas fluid based on the preset length of the plate.

그러나, 이 장치의 분배기오리피스 근처로 SnCl4및 H2O 가스상 혼합물이 도달되면, 이 오리피스를 조절하는 장치벽과 코팅(400℃ 정도)되는 유리가 똑같이 비교적 고온이라는 것을 감안할 때, 이 성분들의 미반응 및 격렬한 반응을 불러일으키므로 이 장치들은 도우핑되거나 안된 SnO2층을 용착시키며 C.V.D 공정에 적용시키기에 적합치 않을 수 있다. 이 때문에, 한편으로는 분배기장치의 배기 오리피스를 다소 막히게하고, 또 한편으로는 전기적, 기계적 혹은 물리적 성질을 크게 변하게하는 불순물과 함께 균일하지 아니한 SnO2용착유리를 형성시키는 결과를 초래한다.However, when the S n Cl 4 and H 2 O gaseous mixture arrives near the distributor orifice of the device, the component wall controlling this orifice and the glass to be coated (around 400 ° C.) are equally relatively hot Since provokes of the unreacted and the reaction was vigorous devices sikimyeo deposit the dough S n O 2 layer ping or untested may not be suitable for applying to the CVD process. This results in the formation of non-uniform S n O 2 deposited glass with impurities which, on the one hand, somewhat obstruct the exhaust orifice of the distributor device and, on the other hand, greatly alter the electrical, mechanical or physical properties.

본 고안의 목적은 고온까지 가열되는 썹스트레이트 표면에 가스내에서 희석된 반응물이나 적어도 두 가스상 반응물의 반응으로부터 생성되는 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a device for continuously depositing a layer of solid material resulting from the reaction of a reactant diluted in gas or at least two gaseous reactants on a surface of a browsstraast heated to a high temperature.

즉, 담체가스에 희석된 반응물이나 첫번째 가스상 반응물의 공급원 및, 담체가스에 희석된 반응물이나 두번째 가스상 반응물의 공급원이 구비되어 있으며, 3개의 분사도관으로 형성된 노즐이 구성되어 있고, 3개의 분사도관 각각에는 직선형 슬로트의 분사구가 있고, 각 슬로트의 종단을 구획하는 직선형 슬로트의 측벽이 모든 분사도관에 대한 1개의 공통 선쪽으로 향하고 있고 이들 분사 도관들중의 첫번째 분사도관은 이 분사도관 분사구의 첫번째 측벽단을 매체로 두번째 상기 분사도관의 한 분사구 측벽단과 접하고 이 분사도관 분사구의 두번째 측벽단을 매체로, 세번째 분사도관의 한 분사구 측벽단과 접하고 있으며, 두번재와 세번째 분사도관의 상기 두번째 측벽단으로부터 각각 상기 분사도관들의 각면에 대해 편향면들이 소정길이에 걸쳐 뻗어있고, 상기 편향면들이 서로 동일 평면상에 구성되어 노즐분사도관 분사구의 상기 측벽단을 형성하므로써 노즐에의해 운동학적으로 일치하고 있으며 첫번째 반응물의 공급원이 노즐의 첫번째 분사도관을 매체로 첫번째 분배기에 연결되고 두번째 반응물의 공급원이 노즐의 두번째와 세번째 분사도관을 매체로 두번째 분배기에 연결되고 있으며, 상기 가상공통선에 거의 수직인 방향으로 썹스트레이트와 노즐을 상대운동시키는 수단이 설치되어 있고, 상기 상대운동과정에서 상기 분사구와 상기 편향면을 포함하는 평면을 썹스트레이트 표면으로부터 분리되도록 거리를 일정하게 유지시켜주는 수단이 설치되어있고, 노즐의 분사도관과 상기 가상선 사이의 거리에 거의 같게끔 동거리를 유지시켜주는 수단이 설치되어 있으며, 상기 편향면과 썹스트레이트 표면과의 공간에서 발산하는 반응가스를 제거하는 장치가(적어도 1개)이공간극단의 상기 노즐의 분사구보부터 가장멀리 이격설치되어 있음을 특징으로하고 있다.That is, a source of the reactant or first gaseous reactant diluted in the carrier gas and a source of the reactant or the second gaseous reactant diluted in the carrier gas are provided, and the nozzles formed of three injection conduits are composed of three injection conduits, respectively. Has a slot of straight slots, the sidewalls of the straight slots defining the ends of each slot are directed towards one common line for all jet conduits and the first of these jet conduits is the The first sidewall end is in contact with the first sidewall end of the second injection conduit with the medium and the second sidewall end of this injection conduit is in contact with the injection sidewall end of the third injection conduit with the medium, the second sidewall end of the second and third injection conduits Deflecting surfaces extend over a predetermined length with respect to each side of the injection conduits from Wherein the deflection surfaces are coplanar with one another to form the side wall end of the nozzle injection conduit nozzle so that they are kinematically matched by the nozzle and the source of the first reactant connects the nozzle's first injection conduit to the first distributor through the medium. And a source of the second reactant is connected to the second distributor using the second and third injection conduits of the nozzle as a medium, and means are provided for relative movement of the brow straight and the nozzle in a direction substantially perpendicular to the virtual common line. Means are provided for maintaining a constant distance so that the plane including the injection port and the deflection surface is separated from the brow straight surface, and the same distance is approximately equal to the distance between the jet conduit of the nozzle and the imaginary line. Means for retaining are installed, the deflection surface and the vest And it is characterized in that the device for removing the site of the reaction gas emanating from the space between the surface (at least one) is the furthest away from the injection installation canter of the nozzle of the space extreme.

다음에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 장치는 모든 종류의 광학적 및 전기적인 성질과 기계적인 성질과 관련하여 높은 품질의 균일성이 우수한 SnO2층을 지닌 판유리나 막의 코팅을 매우 빠른속도로 실시할 수 있게 한다.As can be seen below, the device performs very fast coating of a sheet glass or film with an S n O 2 layer with excellent quality uniformity in relation to all kinds of optical and electrical and mechanical properties. To do it.

이하, 본 고안의 첨부도면을 참조하여 설명코져한다. 도면에 나타낸 장치는 소위 C.V.D. 방법에 의해서 썹스트레이트(이 경우에는 고온까지 가열된 유리 V판)에 SnO2층을 용착시키게 고안된 것으로 그 반응식은 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the subject innovation will be described. The device shown in the figure is designed to deposit an S n O 2 layer on a brow straight (in this case, a glass V plate heated to high temperature) by a so-called CVD method.

SnCl4+2H2O→SnO2+4HCl↑S n Cl 4 + 2H 2 O → S n O 2 + 4HCl ↑

이러한 목적 때문에, 장치는 판 V가 F 방향으로 움직였다 정지했다하는 로울러(1)의 트레인을 구성하고 있으며, 로울러는 전기모터(보이지 않음)에 의해서 시계반대방향으로 회전하며, 물론 운반될 유리판 넓이와 양립할 수 있는 길이를 갖고있다. 로울러(1)의 회전속도를 조절하여 판 V을 대체하면 필요에 따라 분당 수미터의 선상속도(1-10)로 영향을 받는다. 로울러(1)의 트레인 위에 설치된 장치는 노즐을 갖고 있는 바, 제2도의 기본 구조적인 측면도가 앞으로 참고로 하게된다.For this purpose, the device constitutes a train of rollers 1, in which the plate V moves and stops in the F direction, which is rotated counterclockwise by an electric motor (not shown) and, of course, the width of the glass plate to be transported. It has a length that is compatible with. Replacing the plate V by adjusting the rotational speed of the roller (1) is affected by the linear speed (1-10) of several meters per minute as necessary. The device installed on the train of the roller 1 has a nozzle, the basic structural side view of FIG. 2 being referred to in the future.

이 노즐은 사실상 3개의 분사도관(3, 4와 5)으로 구성되어 있으며, 유리판 V의 넓이에 상응하는 길이에 걸쳐 이미 설명한 로울러에 평행으로 펼쳐있다. 이와 같이, 상기 분사도관은 수미터 길이가 될 수 있다. 도면에 나타낸 것처럼 분사도관(3-5)은 각각의 분사도관(3,4 및 5)과 연결되어 있는 각각의 다른도관(11, 12 및 13) 사이의 한계를 정하고, 두쌍의 (9a와 9b), (10a와 10b)에 고착된 확대단면(6a와 6b, 7a와 7b, 8a와 8b)의 어셉블리에 의해서 형성된다.This nozzle consists essentially of three spray conduits (3, 4 and 5) and extends parallel to the previously described roller over a length corresponding to the width of the glass plate V. As such, the spray conduit may be several meters long. As shown in the figure, the spray conduits 3-5 define a limit between each of the other conduits 11, 12, and 13 connected to the respective spray conduits 3, 4, and 5, and the two pairs of 9a and 9b. ) And the enlarged cross sections 6a and 6b, 7a and 7b, and 8a and 8b fixed to 10a and 10b.

분사도관(3-5)의 측면벽(3a와 3b, 4a와 4b, 5a와 5b)은 3-6mm 정도의 (6a와 6b) 내면에 포함되어 있으며 평면으로부터 일정거리에 있는 공통선 ℓ로 향해져있다. 단면(6a, 7a, 7b와 6b)의 전체길이에 걸쳐있는 3개의 장방형 슬로트형태인 분사도관(3,4 및 5)의 배출구멍의 넓이는 1/10 혹은 2/10mm 이다.The side walls (3a and 3b, 4a and 4b, 5a and 5b) of the spray conduit (3-5) are contained on the inner surface of (6a and 6b) of about 3-6 mm and are directed toward the common line l at a distance from the plane. Lost The area of the discharge hole of the injection conduits 3, 4 and 5 in the form of three rectangular slots covering the entire length of the cross sections 6a, 7a, 7b and 6b is 1/10 or 2/10 mm.

단면(6a와 6b)의 낮은 면의 넓이는 분사도관(3-5)의 전체 넓이보다 10-20 배로 되어야좋다. 그러나, 단면(6a와 6b)의 낮은 면은 화학적으로 불활성인 금속이나 그러한 금속의 합금산화물 층으로 덮는게 좋다. 예로서, 금속은 금이나 백금일 수 있고, 산화물은 SnO2, SiO2혹은 Al2O3중에서 선택할 수 있다.The area of the lower face of the cross sections 6a and 6b should be 10-20 times the total width of the spray conduit 3-5. However, the lower face of the cross sections 6a and 6b may be covered with a chemically inert metal or an alloy oxide layer of such metal. By way of example, the metal may be gold or platinum and the oxide may be selected from S n O 2 , SiO 2 or Al 2 O 3 .

사실상, 강철이나 놋쇠같은 보통금속과 합금은 수소 존재하에서 기계적, 물리적, 광학적인 성질이 좋은 SnO2를 용착시키기 위하여 바람직한 반응을 조절할 수 없게하는 촉매작용을 갖는다. 수소가 존재하는 이유에 대해서는 다음에 설명하겠다.In fact, steel or brass normal metals and alloys, such as has a catalytic action to prevent the desired reaction can be adjusted so as to weld the mechanical, physical and optical properties of a good S n O 2 under the presence of hydrogen. The reason for the existence of hydrogen will be explained later.

노즐(2)을 구성하는 단면 어셈블리는 분사도관(3,4 및 5)과 측면으로 고정되어 있는 도관(11, 12, 13)을 형성하고 스트림이 잘 압박되도록 고정되어 있는 덮개판에 의해서 덮여있다. 단면(10a 와 10b) 전체에 걸쳐 상단에 형성된 채널(14a 와 14b)은 최적온도에서 노즐(2)을 통하여 기름과 같은 유체를 순환시켜 준다.The cross-sectional assembly constituting the nozzle 2 is covered by a spray plate 3, 4 and 5 and a cover plate which is fixed to the side to form a conduit 11, 12, 13 fixed to the side and the stream is pressed well. . Channels 14a and 14b formed at the upper end throughout the sections 10a and 10b circulate fluid such as oil through the nozzle 2 at the optimum temperature.

다른판(15)은 전면적에 걸쳐 노즐(2)의 상부면을 덮고 있으므로 도관(11, 12 및 13) 사이의 연결을 방해한다.The other plate 15 covers the top surface of the nozzle 2 over the entire area and thus obstructs the connection between the conduits 11, 12 and 13.

분사도관(3-5)뿐만아니라, 도관(11-13)을 한정하는 벽의 표면질과 일반적인 형상 그리고 도관의 횡단면은, 노즐길이의 cm 당 3-6ℓ/h 정도의 가스흐름속도에 따라서 노즐출구에서 흐름이 "라미나르"(laminar) 형태를 이룬다.In addition to the injection conduits 3-5, the surface quality and general shape of the walls defining the conduits 11-13, and the cross section of the conduits, depend on the gas flow rate of about 3-6 l / h per cm of nozzle length. At the outlet, the flow forms a "laminar".

노즐(2)의 양측에 설치된 장치는 직각사각형의 두개의 흡인채널(16과 17)로 구성되어 있으며, 그의 하단면은 상기한 단면(6a와 6b)의 하단면과 동일 평면상에 있다. 이 채널들은 각각 채널(16)에 대한 세로슬릿(16a와 16b), 채널(17)에 대해(17a와 17b)의 슬릿을 갖고 있으며 도관(18)에 의해서 래싱 링(Roshing rings)으로 가득찬 스크러빙(Scrubbing) 탑(20) 바닥으로 연결된 흡입펌프(19) 입구로 연결되어 있다.The apparatus provided on both sides of the nozzle 2 is composed of two rectangular suction channels 16 and 17, the bottom face of which is coplanar with the bottom faces of the end faces 6a and 6b described above. These channels each have longitudinal slits 16a and 16b for channel 16 and slit for channel 17 (17a and 17b) and are scrubbed with lashing rings filled by conduit 18. (Scrubbing) It is connected to the inlet of the suction pump (19) connected to the bottom of the tower (20).

부언하면, 설치된 장치는 온도를 조절하는 두개의 버블탱크(21과 22)(첫번째의 것은 액체염화제 2주석. SnCl4다른탱크는 물), 60/40율로 질소 및 수소혼합물을 공급하는 유량조절밸브(23a와 24a)를 갖는 두개의 유량계(23과 24), 유량계를 상기한 버블탱크로 연결하는 파이프(27과 28) 및 이들에 고정된 두개의 밸브(25와 26)로 구성되어있다. 두개의 도관(29 및 30)은 버블탱크(21와 22)의 출구를 도관(13)과, 노즐(2)의 도관(11과 12)에 연결시킨다. 다시말하면, 도관(29)은 노즐의 분사도관(5)에, 도관(30)은 분사도관(3과 4)에 연결되는 것이다.In other words, the installed apparatus is equipped with two bubble tanks 21 and 22 to control the temperature (the first is 2 tin liquid chloride, S n Cl 4 the other tank is water), which supplies nitrogen and hydrogen mixtures at 60/40 rate. It consists of two flowmeters 23 and 24 having flow control valves 23a and 24a, pipes 27 and 28 connecting the flowmeter to the bubble tank described above, and two valves 25 and 26 fixed thereto. have. Two conduits 29 and 30 connect the outlets of the bubble tanks 21 and 22 to the conduit 13 and to the conduits 11 and 12 of the nozzle 2. In other words, the conduit 29 is connected to the injection conduit 5 of the nozzle, and the conduit 30 is connected to the injection conduits 3 and 4.

도관(29와 30)은 E1을 통과하고, 적절한 방법으로 약 110℃의 일정온도에서, 기름같은 가열액체를 함유하고, 혼합선으로 그린 윤곽에 의해서 단계적으로 첨가된다.Conduits 29 and 30 pass through E 1 and, at a constant temperature of about 110 ° C., contain a heating fluid, such as oil, and are added stepwise by a contour drawn by a mixed line.

앞서 설명한 장치는 투명도가 좋고 비교적 전기 전도도가 낮고 내산성 및 기계적인 힘이 좋고 500mm정도의 두께를 갖는 산화제 2주석층으로 유리판을 코팅할 수 있게한다.The device described above allows the glass plate to be coated with a layer of oxidant di-tin having good transparency, relatively low electrical conductivity, good acid resistance and mechanical strength, and a thickness of about 500 mm.

분사도관(3,4 및 5)의 구멍이 각각 0.1-0.1 및 0.2mm의 넓이를 갖는 20cm 짜리 긴 노즐로 고정된 이 형태의 실험장치는 약 600℃로 가열되는 넓이 20cm, 두께 4mm 짜리 유리판을 처리하고, 2m/min속도로 F방향(도면 1과 2)으로 움직이게한다. 노즐하단면과 유리표면 사이는 6mm 이다. 사용된 탱크(21과 22)는 액체 SnCl4에 대해 200ml, H2O에 대해 300ml 용적을 갖는다. 이 탱크들은 탱크(21)에서는 60ℓ/h Na2O/H2, 탱크(22)에서는 120ℓ/h의 유속이 되도록 가열 되는데, 유속은 밸브(23a와 24a)의 조작에 의해 조절되며, 희석된 반응제의 유속은 염화제 2주석 SnCl4에서 2mol/h, H2O에서 1mol/h이다.The experimental apparatus of this type, in which the holes in the spray conduits 3, 4 and 5 were fixed by 20 cm long nozzles having a width of 0.1-0.1 and 0.2 mm, respectively, was provided with a 20 cm wide, 4 mm thick glass plate heated to about 600 ° C. Process them and move them in the F direction (Figs. 1 and 2) at a speed of 2 m / min. It is 6mm between the nozzle bottom surface and the glass surface. The tanks 21 and 22 used have a volume of 200 ml for liquid S n Cl 4 and 300 ml for H 2 O. These tanks are heated to a flow rate of 60 l / h Na 2 O / H 2 in the tank 21 and 120 l / h in the tank 22, which is controlled by the operation of the valves 23a and 24a, The flow rate of the reactant is 2 mol / h for ditin chloride S n Cl 4 and 1 mol / h for H 2 O.

노즐의 온도는 채널(14a와 14b)에 기름을 순환시킴으로써 약 110℃로 유지된다. 노즐(2)의 분사도관(3,4,5)은 공통선 ℓ로 수렴되며, 이 마우스피스(mouth piece)로부터 나오는 가스상유체 및 분사도관(5)로부터의 SnCl4유체와 분사도관(3과 4)로부터 수증기(라미나르형태임)는 선 "ℓ"이 접근함에 따라 점점 더가까이 서로 접근함으로서 상호 접촉하게 된다.The temperature of the nozzle is maintained at about 110 ° C. by circulating oil in the channels 14a and 14b. Injection conduit (3, 4, 5) of the nozzle (2) is converging to a common line ℓ, the mouthpiece gaseous S n Cl 4 and the injection fluid conduit from the fluid and the injection duct (5) coming from the (mouth piece) ( From 3 and 4) the water vapor (in the form of laminars) comes into contact with each other by approaching each other more and more as the line "L" approaches.

물론, 이 가스상 유체가 혼합된 흐름은 이 세개의 유체가 서로 혼합됨으로서 라미나르 형태가 되지 않는다. 그런, 그러한 현상이 약 600℃까지 가열되는 유리 V의 표면에 접근하자마자 발생하는데 화합반응식Of course, the stream in which the gaseous fluid is mixed does not become laminar by mixing the three fluids together. Such a phenomenon occurs as soon as the surface of the glass V is heated to about 600 ° C.

SnCl4+2H2O→SnO2+4HCl↑S n Cl 4 + 2H 2 O → S n O 2 + 4HCl ↑

이 유리에서 일어난다. 이 지점에서 특별한 조치를 하지 않는다면, 이 반응으로 인해 산화제 2주석, SnO2와 노즐(2)의 분사도관(3-5)의 출구에서 SnO2·nH2O가 급격히 다량 생성되고, 바람직한 투명 반도체층 형태가 아니라 백색 침전형태로 되며, 동일한 산화물이 용착되고 분사도관의 일부 혹은 전체를 막히게하는 위험이 있나를 주지해야 할 필요가 있다.This happens in the glass. Unless special measures at this point, due to the oxidant react stannic, S n at the outlet O of the injection conduit (3-5) of S n O 2, and the nozzle (2) 2 · nH 2 O is significantly large amount of generated It is important to note that there is a risk of depositing the same oxide and clogging part or all of the spray conduit, rather than in the form of a preferred transparent semiconductor layer.

상기 설명한 장치에 있어서, 담체가스와 혼합된 SnCl4와 H2형태의 수증기 스트림에 환원제를 첨가함으로서 이러한 위험은 제거된다. 수소는 사실상 SnCl4나 H2O와 반응하지 않으며 마치 촉매처럼 작용하므로 불활성 담체가스로 사용될 수 있다. SnCl4와 H2O 의 화합반응은 노즐(2)의 중앙부 뿐만 아니라,분사도관(3, 4, 5)의 중심 부근에서도 일어난다. 사실상, 이 반응은 노즐의 측면에 위치한 채널(16 및 17)에 의해 오른쪽, 왼쪽의 단부에서 감압을 일으키는 방식으로 펌프(19)가 작동할 때 유리판 V과 노즐의 단면(6a 및 6b) 하부사이에 형성된 공간에서 일어난다.In the apparatus described above, this risk is eliminated by the addition of a reducing agent to the steam stream of the form S n Cl 4 and H 2 mixed with the carrier gas. Hydrogen does not actually react with S n Cl 4 or H 2 O and acts like a catalyst and can be used as an inert carrier gas. The compounding reaction of S n Cl 4 and H 2 O occurs not only in the center portion of the nozzle 2 but also near the center of the spray conduits 3, 4 and 5. In fact, this reaction is between the glass plate V and the bottom of the cross sections 6a and 6b of the nozzle when the pump 19 is operated in such a way as to depressurize at the right and left ends by channels 16 and 17 located on the side of the nozzle. Takes place in the formed space.

이 때문에 이 공간의 중앙부로부터 상기한 채널(16과 17)로 움직이는 가스스트림이 형성된다. 이 가스스트림은 담체가스에 분산된 SnCl4와 H2O, 반응하지 않은 이미 형성된 HCl 증기 및 이미 반응된 반응물로부터 유리된 다량의 담체가스 모두를 함유하고 있다. 따라서, SnCl4와 H2O와의 반응은 분사도관이 수렴되는 공통선 "ℓ"의 양쪽으로 일정길이에 걸쳐 반응가스 잔류물과 계속 진행된다.This forms a gas stream that moves from the center of this space into the channels 16 and 17 described above. This gas stream contains both S n Cl 4 and H 2 O dispersed in the carrier gas, previously formed HCl vapor that has not reacted and a large amount of carrier gas liberated from the reacted reactants. Thus, the reaction between S n Cl 4 and H 2 O continues with the reactant gas residue over a certain length on both sides of the common line “L” where the injection conduits converge.

채널(16과 17)에서의 흡인력은 노즐(2)로부터 나오는 반응가스가 유리에 SnO2를 용착시키는데 절대적으로 필요한 시간 이상으로 이 공간에 체류하지 않도록하며, 용착은 SnO2분말의 축적형태가 아니라, 투명층 형태로 나타난다. 물론, 노즐로부터 나오는 반응가스는 유리표면에 도달하는 시간이 짧으므로, 흡인이 강하게 일어나지 않아야 한다. 그러므로 흡인의 강도는 층의 성장률과 양에 관련하여 매우 중요하다. 이 흡인방법에 의한 노즐과 유리판사이의 반응에 있어서 반응공간은 주위대기와 절연되어야하며, 한편으로는 화학반응의 일으킬 수 있는 부가적인 수분이 있는 공간으로 확산되는 것을 방지할 수 있고, 다른 한편으로는 독성증기 예를들면, 염소나 수소가 주위로 흘러들어 가지 않게해야하며, 주위의 대기는 채널(16과 17)과 유리판과 노즐(2)을 통하여 구멍(16a와 16b, 17a 와 17b)으로 이동되어야 하는 곳이어야한다.The suction force in the channels 16 and 17 ensures that the reaction gas from the nozzle 2 does not stay in this space for more than the time absolutely necessary to deposit S n O 2 on the glass, and the deposition of the S n O 2 powder It appears in the form of a transparent layer, not an accumulation form. Of course, the reaction gas coming out of the nozzle has a short time to reach the glass surface, so that suction should not occur strongly. Therefore, the strength of the suction is very important with regard to the growth rate and amount of the layer. In the reaction between the nozzle and the glass plate by this suction method, the reaction space must be insulated from the surrounding atmosphere, on the one hand, it can prevent the diffusion into the additional moisture space where chemical reactions can occur, and on the other hand, The toxic vapors, for example, must not allow chlorine or hydrogen to flow into the surroundings, and the surrounding atmosphere passes through the channels 16 and 17 and through the glass plates and nozzles 2 to the holes 16a and 16b, 17a and 17b. It must be where it should be moved.

펌프(19)에서 나온 가스상 생성물은 스크러빙 탑(20)으로 이동되며 그곳에서 휘발성 잔류산은 여과되거나 물에의해서 비말동반되며 그결과, 산용액은 스크럽된 가스로부터 분리되어 도관(20a)를 통하여 배출된다.The gaseous product from the pump 19 is transferred to the scrubbing tower 20 where volatile residual acid is filtered or entrained by water, whereupon the acid solution is separated from the scrubbed gas and discharged through the conduit 20a. .

상기한 조작조건에서 반응률은 약 70%이다. 유리는 샘플과 전도도 Ra=200Ω에 따라, 90-95%의 투명도, 500nm의 두께로 유리전체표면에 SnO2층으로 코팅되었다. 더우기, 이렇게해서 얻어진 SnO2층은 용착된 유리의 경도보다도 더 단단하다는 것을 알아냈다. 동시에 그것은 저항성이 크고 큰 기계강도, 예를들면 충격이나 산에 대한 저항성이 크다.Under the above operating conditions, the reaction rate is about 70%. The glass samples with a conductivity R = 200Ω, depending on, were coated with S n O 2 layer on the glass surface by the thickness of the transparency, 500nm of 90-95%. Furthermore, it was found that the S n O 2 layer thus obtained was harder than the hardness of the deposited glass. At the same time it is large in resistance and high in mechanical strength, for example impact and acid resistance.

특히, 이 유리는 SnO2코팅에 어떤손상을 일으키지 않고 600-700℃로 가열된 후에, 반경 15cm 곡률로 휘는 조작이 가능하며, 또한 종래의 유리에 적용하는 보통조건하에서 템퍼하는 것이 가능했다. 마지막으로, 그 조건하에서 이미 설명한 방법에 의해서, SnO2-층으로 코팅된 유리판의 코팅을 갈라지게하지 않고 양면의 다이아몬드로 자를 수 있었다.Specifically, this glass was possible after being heated to 600-700 ℃ without causing any damage to S n O 2 coating, and can be operated by radial deflection 15cm curvature, and to tempering under the conditions usually applied to conventional glass . Finally, by the method described previously under that condition, S n O 2 - not be separated the coating of the coated glass plate with a layer could be cut by a double-sided diamond.

이와 동일한 장치와, 판 V의 이동속도에 표시된 것과다른 작동조건을 사용하므로서 이 속도를 약 10m/min로 상승시켰는데, 그결과, 두께 약 10nm을 갖는 전도도 R=1.5Ω 가시방사선에 대한 투명도 약 100% 및 2m/min의 속도로 유리판을 운동시킴으로서 얻은 층의 것들에 상당하는 기계적인 성질은 갖는 SnO2층을 얻었다. 또한, 전술한 장치는 C.V.D. 방법에 의해서, 유리판에 TiO2층을 용착시키는데 이용할 수 있다. 본 목적으로 사염화티타늄 TiCl4으로 염화제 2주석 SnCl4을 버블탱크(21)에 대치시키기전에 충분하다. 또한, 단순히 질소에 의해서 생성된 담체가스를 이용할 수 있을 것이다. 노즐(2)의 출구에서 발생되는 반응은 다음과 같다.Using this same device and operating conditions other than those shown in plate V's moving speed, the speed was raised to about 10 m / min, resulting in a conductivity R = 1.5 투명 transparency with visible radiation of about 10 nm. An S n O 2 layer was obtained having mechanical properties that corresponded to those of the layer obtained by moving the glass plate at a rate of about 100% and 2 m / min. In addition, the apparatus described above can be used to deposit a TiO 2 layer on a glass plate by a CVD method. For this purpose, the titanium tetrachloride TiCl 4 is sufficient before replacing the tin tin S n Cl 4 with the bubble tank 21. In addition, it is possible to simply use a carrier gas generated by nitrogen. The reaction occurring at the outlet of the nozzle 2 is as follows.

TiCl4+2H2O+→TiO2+4HCl↑TiCl 4 + 2H 2 O + → TiO 2 + 4HCl ↑

600℃까지 가열된 두께 4mm, 넓이 20cm의 유리판을 노즐로부터 6mm 거리에서, 노즐 2의 앞에서 2m/min 속도로 세로로 이동시킨다. 밸브(23a와 24a)를 조작함으로서, 담체가스의 유속을 유량계(23)에서는 60ℓ/h, 유량계(24)에서는 120ℓ/h로 조절하였다. 부언하면, 탱크(21과 22)를 가열하면 반응제의 유속을 TiCl4은 0.2m/h, H2O는 0.01m/h으로 하였다. 그결과, 가시광에 대한 투명도가 약 75%이고 동일한 가시광에 대한 반사율 즉, 용착물을 지지하는 유리보다 큰 50% 정도인 0.01mm 두께의 TiO2층을 얻었다. 기계적인 힘은 이미 설명된 방법으로 얻어진 SnO2층의 힘과 비유할만하다. SnCl4와 수증기 사이의 격렬한 화합반응을 약하게 하기 위해서 H2를 직접가하는 것은 불가능하다. 본 발명의 공정을 개량된 방법으로 실시하면 질소에 의해서 생성된 담체가스를 이용하고 메탄올 CH3OH로부터 환원하는 데 필요한 수소를 적절히 생성시키는 것이 가능하다. 제1a도는 이미 설명한 제1도를 개량한 것이다.A glass plate 4 mm thick and 20 cm wide heated up to 600 ° C. was moved longitudinally at a speed of 2 m / min in front of nozzle 2 at a distance of 6 mm from the nozzle. By operating the valves 23a and 24a, the flow rate of the carrier gas was adjusted to 60 l / h in the flowmeter 23 and 120 l / h in the flowmeter 24. In other words, when the tanks 21 and 22 were heated, the flow rate of the reactant was 0.2 m / h for TiCl 4 and 0.01 m / h for H 2 O. As a result, a TiO 2 layer having a thickness of 0.01 mm, which is about 75% transparent to visible light and reflectance for the same visible light, that is, 50% larger than the glass supporting the deposit, was obtained. The mechanical force is comparable to that of the S n O 2 layer obtained by the method already described. It is not possible to add H 2 directly to dampen the intense compounding reaction between S n Cl 4 and water vapor. Implementing the process of the present invention in an improved manner makes it possible to use the carrier gas produced by nitrogen and to produce the hydrogen necessary for reduction from methanol CH 3 OH appropriately. FIG. 1A is an improvement of FIG. 1 described above.

도시된 바와 같이, 새로운 장치는 메탄올을 함유하는 부가 배블탱크(31), 유량조절밸브(32a)와 함게 붙어있는 유량계(32), 유량계(32)를 탱크(31)로 연결하는 파이프(34)에 위치한 밸브(33), 탱크출구를 노즐(2)의 도관(11 및 12) 및 노즐(2)의 외부 분사도관(3과 4)로 연결시켜주는 도관(35)를 포함하고 있다. 도관(29, 30 및 35)를 포함하고 있는 E2는 일점쇄선으로 표시되어있으며, 이 E2는 기름과 같은 가열액체를 함유하고 있어 약 110℃의 온도로 일정하게 유지시켜 준다. SnCl4가 발생하면 메탄올은 다음식과 같이 반응한다.As shown, the new device comprises an additional baffle tank 31 containing methanol, a flow meter 32 attached with the flow control valve 32a, and a pipe 34 connecting the flow meter 32 to the tank 31. And a conduit (35) which connects the valve outlet, the tank outlet to the conduits (11 and 12) of the nozzle (2) and the external injection conduits (3 and 4) of the nozzle (2). E 2 which contains the conduits (29, 30, and 35) is shown by a chain line, this gives E 2 was kept constant at a temperature of about 110 ℃ it contains a heating liquid such as oil. When S n Cl 4 occurs, methanol reacts as follows.

SnCl4+2CH3OH→SnO2+2HCl+2H3Cl↑S n Cl 4 + 2CH 3 OH → S n O 2 + 2HCl + 2H 3 Cl ↑

더우기 분사도관 출구에서 비교적 고온이 발생하는 것을 고려해 볼 때, 메탄올은 다음 반응으로 분해할 수 있다.Furthermore, considering that relatively high temperatures occur at the outlet of the injection conduit, methanol can be decomposed into the following reaction.

CH3OH→2H2+COCH 3 OH → 2H 2 + CO

이것은 또한 다음 반응과 같이 H2O와 반응을 일으킬 수 있다.It can also react with H 2 O as follows.

CH3OH+H2O→3H+CO2 CH 3 OH + H 2 O → 3H + CO 2

이 두 경우에 이미 상술한 기본반응을 조절하는데 필요한 수소를 적절히 생성시키게된다.In these two cases, the hydrogen needed to control the basic reactions described above is properly generated.

SnCl4+2H4O→SnO2+4HCl↑S n Cl 4 + 2H 4 O → S n O 2 + 4HCl ↑

상기 메탄올의 3반응중에서 어느 것이 우수한가를 실험으로 결정할 수 없다는 것은 주지할만하다. 그럼에도 불구하고 다음에 나타낸 작동조건에서 SnO2를 용착하키는 공정으로 메탄올을 도입하면 수소가 담체로서 질소에 혼합되는 경우와 같이 이공정을 효과적으로 조절할 수 있다(제1도).It is noteworthy that it is not possible to experimentally determine which of the three reactions of methanol is superior. Nevertheless, the hydrogen can be the introduction of methanol to S n O 2 by welding hockey process in the operating conditions shown in the following control as a carrier effective for this process, such as when mixed with nitrogen (FIG. 1).

이러한 수행방식에 의해 요구된 요소들을 부가하여 개량하고 이미 기술한 파일롯트 설비를 사용하므로서 3개의 탱크(21, 22 및 31)의 각각을 통하여 약 60ℓ/h로 질소를 통과시켜서, 투명한 SnO2층으로 덮힌 20cm 넓이의 유리판을 얻었는데, 모든 유속은 유량계(23, 24와 32)가 설치된 밸브(23a, 24a 와 32a)을 조작함으로서 조절된다.The addition of the elements required by this practice and the passage of nitrogen at about 60 l / h through each of the three tanks 21, 22 and 31, using the pilot plant described above, resulted in a transparent S n O A 20 cm wide glass plate was obtained covered with two layers, all flow rates being controlled by operating valves 23a, 24a and 32a provided with flow meters 23, 24 and 32.

이 탱크들은 상응하는 반응물의 유속이 각각 1m/h SnCl4, 1m/h H2O, 0.5m/h CH3OH로 되도록 소정온도까지 가열된다. 오일순환에 의해서 유지되는 노즐의 온도는 110℃인 반면, 유리판은 약 600℃까지 예열된다. 유리는 2m/min 속도로 F방향으로 향하고, 노즐을 구성하고 있는 단면(6a와 6b)의 하단면으로부터 6mm를 유지한다. 얻어진 SnO2- 코팅은 두께, 질 및 기계적, 전기적, 물리적 성질에 있어 도면 1을 참고로해서 예증한 보조설비로 얻어진 코팅과 같음을 발견했다.These tanks are heated to a predetermined temperature such that the flow rates of the corresponding reactants are 1 m / h S n Cl 4 , 1 m / h H 2 O, 0.5 m / h CH 3 OH, respectively. The temperature of the nozzle maintained by the oil circulation is 110 ° C, while the glass plate is preheated to about 600 ° C. The glass faces the F direction at a speed of 2 m / min and maintains 6 mm from the lower end faces of the end faces 6a and 6b constituting the nozzle. The obtained S n O 2 -coating was found to be the same as the coating obtained with the auxiliary equipment illustrated in reference to Figure 1 in thickness, quality and mechanical, electrical and physical properties.

제1b도에서의 여러가지 설비는 주석원자를 안티몬으로 대신함으로서, 안티몬을 도우핑한 SnO2층을 제조하는데 특히 알맞다. 이러한 도우핑은 다음반응에 의거하여 얻어질 수 있다.The number of plants in Figure 1b is particularly suitable for the production of doping S n O 2 layers a, antimony replaces the tin atom by the antimony. Such doping can be obtained based on the following reaction.

2SbCl5+5H2O→2Sb2O5+HCl↑2SbCl 5 + 5H 2 O → 2Sb 2 O 5 + HCl ↑

이것은 안티몬 이온을 결정구조인 SnO2로 도입할 수 있다. 염화안티몬이 염화 제2주석과는 반응하지 않고 물과는 반응하기 때문에, 제1b도에 의한 설비는 SbCl4가 노즐(2)의 출구에서 물과 접촉케하는 동시에, 염화 제2주석 SnCl4와 혼합되는 방법으로 구체화한 것이다. 이와 같이 상기 반응은 SnCl4및 수증기 혼합과 동시에 발생한다.This can introduce antimony ions to S n O 2 in the crystal structure. Since antimony chloride does not react with tin chloride, but with water, the facility according to FIG. 1b allows SbCl 4 to contact water at the outlet of the nozzle 2 and simultaneously with tin tin SnCl 4 . It is embodied by the method of mixing. As such, the reaction occurs simultaneously with the mixing of SnCl 4 and water vapor.

새로운 설비에서는 버블탱크(36)를 추가한바, 액체 염화안티몬 SbCl5조절밸브(37a)와 같이 유량계(37)과 노즐(2)의 도관(13)을 통하여 노즐의 중앙분사도관(5)로 가게되는 도관(29)로 이탱크의 출구를 연결하는 도관(40)을 포함한다는 것이 제1도와 다르며, 또한 파이프(39)에는 벨브(38)가 있다.In the new installation, a bubble tank 36 has been added, such as a liquid antimony chloride SbCl 5 control valve 37a, to the central injection conduit 5 of the nozzle through the flow meter 37 and the conduit 13 of the nozzle 2 It differs from FIG. 1 in that it comprises a conduit 40 which connects the outlet of this tank to a conduit 29 which is a conduit 29. There is also a valve 38 in the pipe 39.

도관(29, 30 과 40)은 일점쇄선을 통과하며 기름과 같은 가열액체를 함유하므로 소정방법에의해, 약 110℃의 일정은 도로 유지된다. 이러한 형태의 파일롯트 설비에는 제1도에서 처럼 장착된 동일형태의 노즐이 고정되어 있어 500mm 두께의 안티몬을 도우프한 SnO2의 용착물로 4mm 두께, 20cm 넓이의 유리판을 코팅할 수 있다. 작동조건은 다음과 같다.The conduits 29, 30 and 40 pass through a dashed line and contain a heating liquid, such as oil, so that, by a predetermined method, a constant of about 110 ° C. is maintained. Pilot plant of this type is fixed the same type of nozzle is mounted, as shown in FIG. 1 it is possible to coat a glass plate of 4mm thick, 20cm wide in the complex for the S n O 2 a program to help the antimony of 500mm thickness . The operating conditions are as follows.

유리는 약 600℃까지 가열되고, 2m/min 속도로 노즐로부터 6mm 간격으로 이동된다. 사용되는 담체가스는 질소 60%, 수소 40% 혼합물이고 이 가스의 유속은 밸브(23a와 24a와 33a)를 조작함으로서 다음 값으로 조절된다. 즉, 액체 SnCl5를 함유하는 탱크(21)에서 60ℓ/h, H2O를 함유하는 탱크(22)에서 60ℓ/h, 액체 SbCl5를 함유하는 탱크(36)에서 20m/h이다. 더우기, 탱크들은 각각 2m/h의 SnCl4, 2m/h 의 H2O와 0.1m/h의 SbCl5반응유속을 얻을 수 있도록 가열된다.The glass is heated to about 600 ° C. and moved 6 mm apart from the nozzle at a speed of 2 m / min. The carrier gas used is a mixture of 60% nitrogen and 40% hydrogen, and the flow rate of this gas is adjusted to the following values by operating the valves 23a, 24a and 33a. That is, 60 l / h in the tank 21 containing liquid SnCl 5 , 60 l / h in the tank 22 containing H 2 O and 20 m / h in the tank 36 containing liquid SbCl 5 . Furthermore, the tanks are heated to obtain a reaction rate of SnCl 4 at 2 m / h, H 2 O at 2 m / h and SbCl 5 at 0.1 m / h, respectively.

60%의 투명도와 70Ω 정도의 저항 R을 갖는 도우프된 SnO2층을 얻게된다. 기계적강도, 충격저항, 인열저항, 내산성과(코팅된 유리를 템퍼링하는 것과 같은 열처리에 대한) 안정성과 같은 성질들은 상기한 방법대로 용착된 도우핑되지 않은 SnO2층의 성질과 같다. 그것의 반사력은 층이 용착된 유리와 특히 같다.A doped S n O 2 layer with 60% transparency and a resistance R wh on the order of 70 kW is obtained. As mechanical strength, impact resistance, tear resistance, and acid resistance properties such as (for the heat treatment such as tempering of the coated glass) are the stability properties of the S n O 2 is not ping a welding method as the one dough layer. Its reflectivity is especially the same as the glass on which the layer is deposited.

이와 똑 같은 설비와 약 10m/min로 증가된 판 V의 속도를 사용하여, 상기한 조건과 다른 작동조건(두께 약 10nm, R=500Ω, 가시광선에서의 80% 투명도 및 2m/min의 속도)으로 움직이는 유리판을 덮는 안티몬을 도우프한 SnC2용착물로 제조된 것과 똑 같은 기계적 성질을 갖는 것을 제조할 수 있다. 제1b도에 도시된 설비에서는 환원제로서 담체가 가스로 도입되는 수소 즉, 질소를 이용할지라도, 제1a도에서 처럼 메탄올 로부터 환원제가 얻어지는 똑 같은 설비도 생각할 수 있다.Using the same equipment and the speed of plate V increased to about 10 m / min, operating conditions different from those described above (thickness about 10 nm, R wh = 500 Hz, 80% transparency in visible light and a speed of 2 m / min) It can be prepared having the same mechanical properties as those made of S n C 2 deposits doped with antimony, which covers the glass plate moving with). In the installation shown in Fig. 1b, even if hydrogen, ie, nitrogen, in which the carrier is introduced into the gas as the reducing agent, is used, the same facility in which the reducing agent is obtained from methanol as in Fig. 1a can be considered.

이와 같이, SnCl4와 물을 각각 함유하는 탱크(21과 22) 말고도, CH3OH와 SbCl5를 각각 함유하는 탱크(31과 36)으로 구성되어 있기 때문에, 새로운 설비는 제1a도와 제1b도에서 설비를 혼합한 것이 된다. 이 탱크들은 제1도, 제1a도와 제1b도의 어셈블리에서와 같은 방법으로 노즐(2)에 연결된다. 이러한 가정에서, 상기 탱크에는 20ℓ/h로 받아들이는 SbCl5에 대한 탱크를 제외하고, 60ℓ/h의 유속으로 질소가 공급된다. 탱크의 가열온로는 노즐(2)에 대한 다음반응물 공급속도를 얻는 정도이다.As described above, the tanks 31 and 36 each contain CH 3 OH and SbCl 5 in addition to the tanks 21 and 22 containing SnCl 4 and water, respectively. Will be a mixture of equipment. These tanks are connected to the nozzle 2 in the same way as in the assembly of FIGS. 1, 1a and 1b. In this assumption, the tank is supplied with nitrogen at a flow rate of 60 l / h, except for the tank for SbCl 5 , which is taken in at 20 l / h. The heating furnace of the tank is such as to obtain the next reactant feed rate to the nozzle 2.

SnCl4에 대해 1m/h, H2O에 대해 1m/h, CH3OH에 대해 2m/h와 SbCl5에 대해 0.1m/h.1 m / h for SnCl 4 , 1 m / h for H 2 O, 2 m / h for CH 3 OH and 0.1 m / h for SbCl 5 .

유리위에 용착된 SnO2-층의 저항, 반사력 및 투명도는 불소-도우핑하면 더욱 좋아진다. 이러한 효과때문에 제1도와 관련해서 도시한 설비는 가스상 HF을 함유하는 실린더(41)와 이 실린더를 도관(30)으로 연결하는 도관(42)에 의해서 사용되며 증대된다. 약 600℃까지 가열된 4mm 두께의 유리는 2m/min 속도와 6mm의 거리에서 노즐앞으로 통과함으로서 불소로 도우프 된 900mm 두께의 SnO2층으로 코팅된다. 담체가스(N260%, 수소 40% 혼합물)의 유속은 SbCl4와 수증기에 대해서 60ℓ/h이다. HF의 유속은 0.1ℓ/min 이다. 불소를 도우프한 SnO2코팅은 특히 고성능을 나타내었다.The resistance, reflectivity and transparency of the S n O 2 -layer deposited on the glass is better with fluorine-doped. Because of this effect, the installation shown in connection with FIG. 1 is used and augmented by a cylinder 41 containing gaseous HF and a conduit 42 connecting the cylinder to the conduit 30. The 4 mm thick glass, heated to about 600 ° C., is coated with a 900 mm thick S n O 2 layer doped with fluorine by passing through the nozzle at a speed of 2 m / min and a distance of 6 mm. The flow rate of the carrier gas (N 2 60%, hydrogen 40% mixture) is 60 L / h for SbCl 4 and water vapor. The flow rate of HF is 0.1 l / min. S n O 2 coated with a help program fluorine exhibited a particularly high performance.

사실상 이것의 저항은 R=20Ω이고, 가시광선에서의 반사력은 종전의 유리보다크며, 적외선 반사력은 약 75% 정도이다. 이것의 기계적인 힘의 특성은 이미 강조하였다. 불소를 도우프한 SnO2로 코팅된 유리는, 예를들면, 자동차의 옆유리창과 같은 자동차 옆유리에 하는 처리와 똑 같은 템퍼링 열처리를 할 수 있다. 도우프된 SnO2코팅의 성질을 변화시키지 않고, 곡선반경 15cm 정도로(약 650℃)에서 구부릴 수 있다. 더우기, 상술한 방법으로 코팅된 유리판은 코팅에 손상을 입히지 않고 종래의 방법(절삭, 분쇄 등등) 대로 처리할 수 있다. 불소로 도우프된 SnO2층은 종래의 유리보다 사실상 더 단단하며 긁히지도 않으며 내산성과 충격저항도 특히 높다는 것을 발견했다.In fact, its resistance is R W = 20 kW, reflectance in visible light is greater than that of conventional glass, and infrared reflectance is about 75%. Its mechanical strength is already highlighted. The coating fluorine to help profile the S n O 2 glass is, for example, can be treated with the same heat treatment for tempering the glass next to the car, such as the side windows of the car. It can be bent at about 15 cm radius (about 650 ° C.) without changing the properties of the doped S n O 2 coating. Moreover, the glass plate coated by the above-described method can be treated according to conventional methods (cutting, grinding, etc.) without damaging the coating. The dough profile S n O 2 layer with fluorine discovered that virtually no hard and not even to scratch and acid resistance, particularly impact resistance higher than that of conventional glass.

불소나(상술한 조건에서 유리판에 용착된) 안티몬으로 도우프한 SnO2층은 전기적인 접촉을 형성하기 위해서 은이나 600℃에서 용착된 은 페인트로 코팅할 수 있다. 이러한 은 코팅은 SnO2층표면에 매우 잘 접착된다.The S n O 2 layer doped with fluorine or antimony (deposited on the glass plate under the above conditions) may be coated with silver or silver paint deposited at 600 ° C. to form electrical contact. This silver coating adheres very well to the S n O 2 layer surface.

이와 같은 설비 (제1b도)와 판 V의 속도에 관련하여, 상기 설명한 작동조건하에서 이 속도는 약 10m/min 까지 증가되고, 약 10nm 두께, R=200Ω의 평균전도도, 가시광선에서의 약 100%의 투명도, 적외선반사력 25%, 2m/min 속도로 유리판의 이동에 의하여 불소로 도우프된 용착으로 얻어진 것과 동등한 기계적 성질을 얻었다.With respect to the speed of such a plant (Figure 1b) and plate V, under the operating conditions described above, this speed is increased to about 10 m / min, with an average conductivity of about 10 nm thick, R = 200 Hz, and about visible light. Mechanical properties equivalent to those obtained by fluorine-doped welding were obtained by the movement of the glass plate at a transparency of 100%, an infrared reflectance of 25%, and a speed of 2 m / min.

가스상 HF를 함유하는 실린더(41)와 실린더를 도관(30)으로 연결하는 도관(42)에 의해서 증대되는 제1도에 도시한 설비가 담체가스(질소) 내에 도입된 수소를 환원제로 사용할지라도, 제1a도에서 설명할 설비를 구체화 시키는 형태의 경우와 마찬가지로, 메탄올로부터 환원제가 얻어지는 불소-도우핑를 얻을 수 있게하는 설비를 고안할 수 있다는 것이 분명하다.Although the equipment shown in FIG. 1, which is increased by the cylinder 41 containing gaseous HF and the conduit 42 connecting the cylinder to the conduit 30, uses hydrogen introduced into the carrier gas (nitrogen) as the reducing agent, As in the case of the embodiment in which the equipment to be described in FIG. 1a is specified, it is clear that the equipment can be devised to obtain fluorine-doping in which a reducing agent is obtained from methanol.

이러한 새로운 설비는 제1도 및 제1a도의 혼합이다. 즉, 도관(42)에 의하여 도관(30)으로 연결된 HF-실린더(41)를 포함해서 도면설비로서 나타냈는데, 이 모든 것은 제1도의 설비에 관련하여 이미 설명하였고 이 도면에서 실선으로 나타낸 요소들이다.This new facility is a mixture of Figures 1 and 1a. That is, it is shown as a drawing facility including an HF-cylinder 41 connected to a conduit 30 by a conduit 42, all of which are already described in connection with the facility of FIG. .

이러한 가정하에서, 탱크(21, 22 및 31)로 유속 60ℓ/h인 질소, 0.1ℓ/h인 HF를 공급한다. 이것들은 노즐(2)로 운반되는 반응물질의 흐름속도가 SnCl4에 대해서 1mol/h, H2O에 대해서 1mol/h와 CH3OH에 대해서 2mol/h이 되는 온도까지 가열된다.Under this assumption, the tanks 21, 22 and 31 are supplied with nitrogen at a flow rate of 60 l / h and HF at 0.1 l / h. These are heated to a temperature such that the flow rate of the reactant conveyed to the nozzle 2 is 1 mol / h for SnCl 4 , 1 mol / h for H 2 O and 2 mol / h for CH 3 OH.

상기한 조건에서, 약 600℃까지 가열되는 4mm 두께의 유리는 이미 설명한 방법으로 온도는 약 110℃ 속도는 2m/min, 노즐로부터의 거리는 약 6mm에서 유지되는 노즐(2) 앞으로 통과함으로서 불소를 도우프한 SnO2를 600nm 층으로 코팅할 수 있다.Under the above conditions, the 4 mm thick glass heated to about 600 ° C. helps fluorine by passing in front of the nozzle 2 whose temperature is maintained at about 110 ° C. at a speed of 2 m / min and a distance from the nozzle at about 6 mm, as previously described. The sharp S n O 2 can be coated with a 600 nm layer.

이와 같이 얻어진 SnO2용착물은 약 R=40Ω의 저항값을 갖는다. 물리적, 광학적 혹은 기계적 성질은 수소를 직접 가함으로서 얻어지는 불소를 도우프한 SnO2비해 크게 달라졌다( 실린더(41)에 의해서 증대된 제1도에 의한 설비).The S n O 2 complexes for, thus obtained, has a resistance of about R Wh = 40Ω. Physical, optical or mechanical properties (equipment according to a first degree by increasing the cylinder 41) the fluorine taken as imposing a hydrogen directly to help profile the S n O 2 vary greatly were compared.

도우프하지 않은 SnO2층으로 도우프되거나, 혹은 안티몬이나 불소로 도우프한 모든크기의 유리판을 사용할 수 있다. 도우프되지 않은 SnO2층을 안티몬이나 불소로 도우프된 층의 저항과 비교할 때, 비교적 저항이 높을지라도 그러한 층으로 피복된 유리판은 가시광선에 대한 투명도가 좋고 비교적 적외선 반사율 이 좋은 점으로보아 주택에 대한 창문케이스나 창문을 만드는데 사용할 수 있다.Help program to S n O or program dough into two layers that is, or to help with antimony or fluorine-profile can be used a glass plate of any size. Compared to S n O 2 that help not print layer and the resistance of the dough print a layer of antimony or fluorine, a relatively resistance is even higher with the glass plate coated with such a layer has good transparency to visible light a good relatively infrared reflectance that It can be used to make window cases or windows for houses.

이러한 유리판은 이판을 통과하는 써멀선레이(thermal sunrays)를 실질적으로 감소시키는 충분한 무열용량을 갖고 있다. 안티몬을 도우프한 SnO2로 코팅된 유리나, 불소를 도우프한 SnO2로 코팅된 유리인 관계로 무열용량이 크다. 더우기, 그러한 층의 저항은 안티몬을 도우프한 SnO2경우에 낯고, 불소를 도우프한 SnO2경우에 낯기 때문에, 차의 뒷창처럼 가열창으로서 도우프한 SnO2로 코팅된 유리를 이용할 수 있다. 매우 습도가 높은 대기중에 비치할 때, 안티몬이나 불소로 도우프되거나 도우프되지 않은 SnO2코팅의 유리판은 수 많은 작은 방우로 덮여진것이 아니라 안개형태의 일정한 층으로 덮혀져 있기 때문에 가시도를 확대시키는데 영향을 미치지 못한다.Such glass plates have sufficient heat capacity to substantially reduce thermal sunrays through the backplate. Heat resistance is large because it is a glass coated with S n O 2 doped with antimony or a glass coated with S n O 2 doped with fluorine. Furthermore, the resistance of such a layer is to help profile coated with a S n O 2, because natgo if dough print a S n O 2 antimony, natgi fluoride to assist program if the S n O 2, a heating box as dwitchang Primary Glass can be used. When the beach during a very humid atmosphere, a glass plate of S n O 2 coated with non-program to help program or dough with antimony or fluorine is because not covered jingeot with many small rainproof is covered with a constant layer of mist visibility It does not affect the magnification.

이 성질은 보통차량의 창 특히, 버스나 구개차의 뒷창 및 앞창을 만들기 위한 유리판에 매우 장점이 있다. 상기한 대로 도우프된 것이든 안된 것이든 지간에 SnO2층으로 코팅되는 유리판이 이 노즐과 떨어져 있는 간격과 노즐의 3개의 분사도관의 측면벽의 수렴선에 상응하는 노즐로부터 일정거리에 항상놓이게 되는 설비를 구체화하는 점을 보건대, 사실상 이러한 송풍파이프로 부터 나오는 반응혼합물의 혼합을 증진시키고 비교적 강렬한 국부적인 난류를 일으키고, 유리에 충격을 주는 효과를 위해서 약간 이 거리를 줄일 수 있을 것이다.This property is very advantageous for the windows of ordinary vehicles, especially for the rear and front windows of buses and palates. Whether or not doped or not, as described above, the glass plate coated with the S n O 2 layer is spaced apart from this nozzle and at a distance from the nozzle corresponding to the convergence line of the side walls of the three spray conduits of the nozzle. Given the fact that there is always a facility to be placed, this distance can be reduced slightly in order to enhance the mixing of the reaction mixture from these blowing pipes, to produce relatively intense local turbulence, and to impact the glass.

Claims (1)

담체가스에 희석된 가스상의수증기 및 할로겐화 화합물의 공급공기가 유입되는 도관으로 연결된 3개의 분사도관이 있는 노즐(2)과, 공급가스가 유출되는 노즐의 출구로 계속해서 썹스트 레이트를 운반하는 수단(1)과, 썹스트레이트 표면과 노즐의 출구 공간에서 발생한 반응가스를 제거할 수 있는 적어도 하나의 수단(16 또는 17)으로 구성되어 있고, 할로겐화 화합물의 가수분해에 의해 금속산화물의 피복층을 600℃로 가열된 썹스트레이트 표면에 연속적으로 용착시키는 장치에 있어서, 상기 노즐(2)의 분사도관(3, 4, 5)을 세로로 구획하고 있는 측면벽이 한개의 공동선(ℓ)으로 향하게 수렴되어 있으며 각 분사도관(3 4, 5)의 출구가 평행하게 썹스트레이트 표면과 일정한 거리로 떨어져서 편향면을 형성하고 있고 각 분사도관(3, 4, 5)에 장방형의 슬로트가 구비되어 있어 썹스트레이트 표면상에 동시에 공급가스가 유출되어 전기적 및 광학적 특성이 우수한 금속산화물의 피복층을 용착시킬 수 있게 구성되어 있음을 특징으로 하는 썹스트레이트표면상에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 장치.Nozzle 2 having three injection conduits connected by a conduit into which gaseous vapor diluted in a carrier gas and a supply air of a halogenated compound is introduced, and means for continuously conveying the gistrate to the outlet of the nozzle through which the supply gas flows out. (1) and at least one means (16 or 17) capable of removing the reaction gas generated in the brow straight surface and the exit space of the nozzle, and the coating layer of the metal oxide is 600 DEG C by hydrolysis of the halogenated compound. In the apparatus for continuous welding on the surface of the jewel straight heated by the heat treatment, the side walls partitioning the injection conduits 3, 4, and 5 of the nozzle 2 vertically converge toward one cavity line (l). The outlets of the respective injection conduits (3 4, 5) are spaced parallel to the brow straight surface to form a deflection surface, and a rectangular slot is provided in each of the injection conduits (3, 4, 5). In order to continuously deposit a layer of solid material on the surface of the brow straight, characterized in that the supply gas flows out simultaneously on the surface of the brow straight surface to deposit a coating layer of a metal oxide having excellent electrical and optical properties. Device.
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