KR20240077730A - Brush for cleaning a wafer and method of cleaning a wafer usign the brush - Google Patents

Brush for cleaning a wafer and method of cleaning a wafer usign the brush Download PDF

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KR20240077730A
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cleaning
cleaning liquid
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이경태
김호영
박범영
배기호
윤보언
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼 세정용 브러시는 제 1 브러시, 적어도 하나의 제 1 세정액 노즐, 제 2 브러시 및 적어도 하나의 제 2 세정액 노즐을 포함할 수 있다. 상기 제 1 브러시는 웨이퍼의 제 1 영역을 세정할 수 있다. 상기 제 1 세정액 노즐은 상기 제 1 영역으로 세정액을 제공할 수 있다. 상기 제 2 브러시는 상기 웨이퍼의 제 2 영역을 세정할 수 있다. 상기 제 2 세정액 노즐은 상기 제 2 영역으로 상기 세정액을 제공할 수 있다. 따라서, 세정액 노즐들이 웨이퍼의 각 영역들별로 구비되므로, 충분한 양의 세정액이 웨이퍼의 각 영역들로 제공될 수가 있게 되어, 웨이퍼 세정 효율이 크게 향상될 수 있다.The brush for wafer cleaning may include a first brush, at least one first cleaning liquid nozzle, a second brush, and at least one second cleaning liquid nozzle. The first brush may clean a first area of the wafer. The first cleaning liquid nozzle may provide cleaning liquid to the first area. The second brush may clean a second area of the wafer. The second cleaning liquid nozzle may provide the cleaning liquid to the second area. Accordingly, since cleaning liquid nozzles are provided for each area of the wafer, a sufficient amount of cleaning liquid can be provided to each area of the wafer, and wafer cleaning efficiency can be greatly improved.

Description

웨이퍼 세정용 브러시 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법{BRUSH FOR CLEANING A WAFER AND METHOD OF CLEANING A WAFER USIGN THE BRUSH}Wafer cleaning brush and wafer cleaning method using the same {BRUSH FOR CLEANING A WAFER AND METHOD OF CLEANING A WAFER USIGN THE BRUSH}

본 발명은 웨이퍼 세정용 브러시 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정 이후 웨이퍼에 묻은 파티클들을 제거하는 브러시 및 이러한 브러시를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning brush and a wafer cleaning method using the same. More specifically, the present invention relates to a brush for removing particles stuck on a wafer after a chemical mechanical polishing process and a method for cleaning a wafer using such a brush.

일반적으로, 웨이퍼에 대해서 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 공정을 수행한 이후, 웨이퍼에 묻은 파티클들을 제거하기 위한 세정 공정이 수행될 수 있다. 세정 공정은 주로 브러시 및 세정액을 이용해서 수행될 수 있다. 브러시는 회전하는 브러싱 돌기들을 회전 중인 웨이퍼에 물리적으로 접촉시켜서, 웨이퍼로부터 파티클을 제거할 수 있다.Generally, after performing a chemical mechanical polishing (CMP) process on a wafer, a cleaning process may be performed to remove particles on the wafer. The cleaning process can primarily be performed using a brush and cleaning liquid. The brush may remove particles from the wafer by physically contacting the rotating brushing protrusions with the rotating wafer.

관련 기술들에 따르면, 브러시는 한쪽 방향으로만 회전하는 단일형일 수 있다. 이러한 단일 브러시를 이용해서 웨이퍼를 세정하게 되면, 웨이퍼의 영역들 별로 서로 다른 세정 효율이 나타날 수 있다. 또한, 웨이퍼 표면의 파티클이 한쪽으로만 회전되는 브러시에 의해서 브러시의 회전 방향과 반대되는 방향으로 이동됨으로써, 웨이퍼의 다른 영역이 오염될 수도 있다. 특히, 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐이 하나밖에 없어서, 충분한 양의 세정액이 웨이퍼의 영역들로 균일하게 제공될 수도 없다. 결과적으로, 웨이퍼의 세정 효율이 낮아지는 문제점이 있다.According to related technologies, the brush may be of a single type rotating in only one direction. When a wafer is cleaned using such a single brush, different cleaning efficiencies may occur for each area of the wafer. Additionally, particles on the wafer surface may be moved in a direction opposite to the rotation direction of the brush due to a brush that rotates only in one direction, thereby contaminating other areas of the wafer. In particular, since there is only one nozzle that sprays the cleaning liquid onto the wafer, a sufficient amount of the cleaning liquid cannot be uniformly provided to areas of the wafer. As a result, there is a problem that the cleaning efficiency of the wafer is lowered.

본 발명은 웨이퍼를 영역별로 세정하여 세정 효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정용 브러시를 제공한다.The present invention provides a wafer cleaning brush that can improve cleaning efficiency by cleaning the wafer by area.

또한, 본 발명은 상기된 브러시를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법도 제공한다.Additionally, the present invention also provides a method for cleaning a wafer using the brush described above.

본 발명의 일 견지에 따른 웨이퍼 세정용 브러시는 제 1 브러시, 적어도 하나의 제 1 세정액 노즐, 제 2 브러시 및 적어도 하나의 제 2 세정액 노즐을 포함할 수 있다. 상기 제 1 브러시는 웨이퍼의 제 1 영역을 세정할 수 있다. 상기 제 1 세정액 노즐은 상기 제 1 영역으로 세정액을 제공할 수 있다. 상기 제 2 브러시는 상기 웨이퍼의 제 2 영역을 세정할 수 있다. 상기 제 2 세정액 노즐은 상기 제 2 영역으로 상기 세정액을 제공할 수 있다.A brush for wafer cleaning according to one aspect of the present invention may include a first brush, at least one first cleaning liquid nozzle, a second brush, and at least one second cleaning liquid nozzle. The first brush may clean a first area of the wafer. The first cleaning liquid nozzle may provide cleaning liquid to the first area. The second brush may clean a second area of the wafer. The second cleaning liquid nozzle may provide the cleaning liquid to the second area.

본 발명의 다른 견지에 따른 웨이퍼 세정 방법에 따르면, 웨이퍼의 제 1 영역으로 세정액을 제공할 수 있다. 상기 제 1 영역을 제 1 브러시를 이용해서 세정할 수 있다. 상기 웨이퍼의 제 2 영역으로 상기 세정액을 제공할 수 있다. 상기 제 2 영역을 제 2 브러시를 이용해서 세정할 수 있다.According to a wafer cleaning method according to another aspect of the present invention, a cleaning liquid may be provided to a first area of the wafer. The first area can be cleaned using a first brush. The cleaning solution may be provided to the second area of the wafer. The second area can be cleaned using a second brush.

본 발명에 따르면, 제 1 브러시가 웨이퍼의 제 1 영역을 세정하고, 제 2 브러시가 웨이퍼의 제 2 영역을 세정하므로, 웨이퍼의 세정 효율이 향상될 수 있다. 특히, 제 1 브러시와 제 2 브러시는 서로 다른 방향들로 회전되어, 웨이퍼가 파티클에 의해서 재오염되는 것도 방지할 수 있다. 특히, 세정액 노즐이 웨이퍼의 각 영역들별로 구비되므로, 충분한 양의 세정액이 웨이퍼의 각 영역들로 제공될 수가 있게 되어, 웨이퍼 세정 효율이 크게 향상될 수 있다.According to the present invention, the first brush cleans the first area of the wafer and the second brush cleans the second area of the wafer, so the cleaning efficiency of the wafer can be improved. In particular, the first brush and the second brush are rotated in different directions, thereby preventing the wafer from being re-contaminated by particles. In particular, since cleaning liquid nozzles are provided for each area of the wafer, a sufficient amount of cleaning liquid can be provided to each area of the wafer, and wafer cleaning efficiency can be greatly improved.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정용 브러시를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 브러시가 웨이퍼에 적용된 것을 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정용 브러시를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 브러시를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.1 is a perspective view showing a brush for wafer cleaning according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the brush shown in FIG. 1 applied to a wafer.
Figure 3 is a plan view showing a brush for wafer cleaning according to embodiments of the present invention.
FIG. 4 is a flowchart sequentially showing a method of cleaning a wafer using the brush shown in FIG. 2.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정용 브러시를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 브러시가 웨이퍼에 적용된 것을 나타낸 평면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a brush for cleaning a wafer according to embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the brush shown in FIG. 1 applied to a wafer.

본 실시예의 브러시(brush)는 웨이퍼(wafer)(W)에 물리적으로 접촉하여, 웨이퍼(W)에 묻은 파티클(particle)들을 제거할 수 있다. 예를 들어서, 웨이퍼(W)에 대해서 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 공정을 수행하면, 파티클들이 웨이퍼(W)에 묻을 수 있다. 브러시는 웨이퍼(W)에 회전 접촉하여, 파티클들을 웨이퍼(W)로부터 제거할 수 있다. 그러나, 본 실시예의 브러시가 CMP 공정 이후의 웨이퍼(W)를 세정하는 용도로 국한되지 않고, 다른 반도체 공정들 이후의 웨이퍼(W)를 세정하는 용도로 사용될 수도 있다.The brush of this embodiment can physically contact the wafer (W) and remove particles on the wafer (W). For example, when a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed on the wafer W, particles may be deposited on the wafer W. The brush may be in rotational contact with the wafer W to remove particles from the wafer W. However, the brush of this embodiment is not limited to cleaning the wafer W after a CMP process, and can also be used to clean the wafer W after other semiconductor processes.

예시적인 실시예들에 있어서, 브러시는 롤러(roller)들에 의해 수직축(V)을 중심으로 도면들에 도시된 화살표 방향(D3)으로 회전되는 웨이퍼(W)의 위와 아래에 배치될 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다. In exemplary embodiments, the brush may be disposed above and below the wafer W rotated by rollers in the arrow direction D3 shown in the drawings about the vertical axis V. It may not be limited to this.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 브러시는 제 1 브러시(110), 제 2 브러시(210), 제 1 엑튜에이터(actuator)(120), 제 2 엑튜에이터(220), 제 1 세정액 노즐(nozzle)(130) 및 제 2 세정액 노즐(230)을 포함할 수 있다.1 and 2, the brush of this embodiment includes a first brush 110, a second brush 210, a first actuator 120, a second actuator 220, and a first cleaning liquid. It may include a nozzle 130 and a second cleaning liquid nozzle 230.

본 실시예에서, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 기존의 하나의 브러시의 중간부를 절단하여 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다. 예를 들어서, 제 1 브러시(110)의 크기는 제 2 브러시(210)의 크기보다 크거나 작을 수도 있다.In this embodiment, the first brush 110 and the second brush 210 may be formed by cutting the middle part of one existing brush. Accordingly, the first brush 110 and the second brush 210 may have substantially the same size, but may not be limited thereto. For example, the size of the first brush 110 may be larger or smaller than the size of the second brush 210.

제 1 브러시(110)는 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)을 세정할 수 있다. 제 2 브러시(210)는 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)을 세정할 수 있다. 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)은 웨이퍼(W)의 지름선(L)을 기준으로 구분될 수 있다. 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)을 구분하는 웨이퍼(W)의 지름선(L)은 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)의 축 방향과 실질적으로 직교할 수 있다. 이에 따라, 제 1 영역(R1)은 지름선(L)을 기준으로 웨이퍼(W)의 좌측 반원 영역이고, 제 2 영역(R2)은 지름선(L)을 기준으로 웨이퍼(W)의 우측 반원 영역일 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The first brush 110 may clean the first region R1 of the wafer W. The second brush 210 may clean the second region R2 of the wafer W. The first region (R1) and the second region (R2) may be divided based on the diameter line (L) of the wafer (W). The diameter line L of the wafer W dividing the first region R1 and the second region R2 may be substantially perpendicular to the axial direction of the first brush 110 and the second brush 210. . Accordingly, the first area R1 is a semicircular area on the left side of the wafer W based on the diameter line L, and the second area R2 is a semicircular area on the right side of the wafer W based on the diameter line L. It may be a region, but may not be limited to this.

전술한 바와 같이, 제 1 브러시(110)는 지름선(L)과 실질적으로 직교하는 축 방향을 가질 수 있다. 제 2 브러시(210)도 지름선(L)과 실질적으로 직교하는 축 방향을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 동축 방향에 위치할 수 있다. 즉, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 동일한 축 방향을 가질 수 있다. 도면들에서, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)의 축 방향은 수평축(H)에 해당할 수 있다.As described above, the first brush 110 may have an axial direction substantially perpendicular to the diameter line L. The second brush 210 may also have an axial direction substantially perpendicular to the diameter line L. In this embodiment, the first brush 110 and the second brush 210 may be positioned in the coaxial direction. That is, the first brush 110 and the second brush 210 may have the same axial direction. In the drawings, the axial direction of the first brush 110 and the second brush 210 may correspond to the horizontal axis (H).

본 실시예에서, 제 1 브러시(110)는 제 1 방향(D1)으로 회전할 수 있다. 반면에, 제 2 브러시(210)는 제 1 방향(D1)의 반대인 제 2 방향(D2)으로 회전할 수 있다. 즉, 제 1 브러시(110)는 제 1 방향(D1)으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)과 접촉할 수 있다. 반면에, 제 2 브러시(210)는 제 2 방향(D2)으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)과 접촉할 수 있다. 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)가 동일한 속도로 회전한다면, 제 1 브러시(110)에 의한 제 1 영역(R1)의 세정 효율은 제 2 브러시(210)에 의한 제 2 영역(R2)의 세정 효율과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 모든 영역들을 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)를 이용해서 균일하게 세정할 수가 있다. 특히, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)가 반대 방향들로 회전하는 것에 의해서, 파티클이 기존 하나의 브러시의 회전 방향과 반대되는 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다. 즉, 파티클의 이동에 의한 웨이퍼(W)의 다른 영역의 오염을 방지할 수 있다.In this embodiment, the first brush 110 may rotate in the first direction D1. On the other hand, the second brush 210 may rotate in the second direction D2, which is opposite to the first direction D1. That is, the first brush 110 may contact the first region R1 of the wafer W while rotating in the first direction D1. On the other hand, the second brush 210 may contact the second region R2 of the wafer W while rotating in the second direction D2. If the first brush 110 and the second brush 210 rotate at the same speed, the cleaning efficiency of the first area R1 by the first brush 110 is equal to the cleaning efficiency of the second area R1 by the second brush 210. It may be substantially the same as the cleaning efficiency of R2). Accordingly, all areas of the wafer W can be cleaned uniformly using the first brush 110 and the second brush 210. In particular, by rotating the first brush 110 and the second brush 210 in opposite directions, particles can be prevented from moving in a direction opposite to the rotation direction of one existing brush. That is, contamination of other areas of the wafer W due to movement of particles can be prevented.

제 1 브러시(110)는 제 1 코어(core), 제 1 브러싱 롤러(brushing roller)(112) 및 복수개의 제 1 브러싱 돌기(brushing nodule)(114)들을 포함할 수 있다. The first brush 110 may include a first core, a first brushing roller 112, and a plurality of first brushing nodules 114.

제 1 코어는 대략 긴 길이를 갖는 원통 형상을 가질 수 있다. 제 1 코어는 수평 방향을 따라 배치될 수 있다. 따라서, 제 1 코어는 웨이퍼(W)의 지름선(L)과 실질적으로 직교하는 축 방향을 가질 수 있다. 제 1 코어는 제 1 측면 및 제 1 측면의 반대인 제 2 측면을 가질 수 있다.The first core may have a cylindrical shape with an approximately long length. The first core may be arranged along a horizontal direction. Accordingly, the first core may have an axial direction substantially perpendicular to the diameter line L of the wafer W. The first core may have a first side and a second side opposite the first side.

제 1 코어는 유입 통로(inlet passage) 및 복수개의 유출 통로(outlet passage)들을 포함할 수 있다. 유입 통로는 제 1 코어의 내부에 코어의 축 방향을 따라 형성될 수 있다. 즉, 유입 통로는 제 1 코어의 제 1 측면으로부터 제 2 측면까지 형성될 수 있다. 따라서, 유입 통로의 양측 단부들은 제 1 코어의 제 1 측면 및 제 2 측면을 통해 노출될 수 있다. 세정액이 유입 통로를 통해서 제 1 코어의 내부로 유입될 수 있다. The first core may include an inlet passage and a plurality of outlet passages. The inflow passage may be formed inside the first core along the axial direction of the core. That is, the inflow passage may be formed from the first side to the second side of the first core. Accordingly, both ends of the inlet passage may be exposed through the first and second sides of the first core. The cleaning liquid may flow into the interior of the first core through the inflow passage.

유출 통로들은 유입 통로로부터 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 유출 통로들은 제 1 코어의 반지름 방향을 따라 형성될 수 있다. 즉, 유출 통로들은 유입 통로와 직교하는 방향을 따라 형성될 수 있다. 유입 통로 내의 세정액은 유출 통로들을 통해서 제 1 코어의 반지름 방향을 따라 유출될 수 있다.The outlet passages may extend from the inlet passageway. In this embodiment, the outlet passages may be formed along the radial direction of the first core. That is, the outflow passages may be formed along a direction perpendicular to the inflow passage. The cleaning liquid in the inlet passage may flow out along the radial direction of the first core through the outflow passages.

제 1 브러싱 롤러(112)는 제 1 코어의 외주면에 배치될 수 있다. 제 1 브러싱 롤러(112)는 대략 원통 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제 1 브러싱 롤러(112)도 제 1 코어의 축 방향과 대응하는 축 방향을 가질 수 있다. 제 1 브러싱 롤러(112)의 내부에 제 1 코어가 배치되므로, 제 1 브러싱 롤러(112)는 제 1 코어를 수용하는 긴 수용공을 가질 수 있다. 따라서, 수용공은 제 1 브러싱 롤러(112)의 축 방향을 따라 연장될 수 있다. 유출 통로들을 통해 유출된 세정액은 제 1 브러싱 롤러(112)로 제공되므로, 제 1 브러싱 롤러(112)는 세정액으로 충분히 적셔질 수 있다. 본 실시예에서, 제 1 브러싱 롤러(112)는 대략 원기둥 형상을 가질 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다. 또한, 제 1 브러싱 롤러(112)는 폴리비닐 알콜(polyvinyl alcohol : PVA)과 같은 연성 재질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The first brushing roller 112 may be disposed on the outer peripheral surface of the first core. The first brushing roller 112 may have a substantially cylindrical shape. Accordingly, the first brushing roller 112 may also have an axial direction corresponding to the axial direction of the first core. Since the first core is disposed inside the first brushing roller 112, the first brushing roller 112 may have a long receiving hole for accommodating the first core. Accordingly, the receiving hole may extend along the axial direction of the first brushing roller 112. Since the cleaning liquid flowing out through the outflow passages is provided to the first brushing roller 112, the first brushing roller 112 can be sufficiently wetted with the cleaning liquid. In this embodiment, the first brushing roller 112 may have a substantially cylindrical shape, but may not be limited thereto. Additionally, the first brushing roller 112 may include a soft material such as polyvinyl alcohol (PVA), but may not be limited thereto.

제 1 엑튜에이터(120)는 제 1 브러시(110)를 축 방향을 중심으로 제 1 방향(D1)으로 회전시킬 수 있다. 구체적으로, 제 1 엑튜에이터(120)는 제 1 브러싱 롤러(112)에 축 방향을 따라 연결되어, 제 1 브러싱 롤러(112)를 축 방향을 중심으로 제 1 방향(D1)으로 회전시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 엑튜에이터(120)는 제 1 브러싱 롤러(112)를 제 2 방향(D2)으로 회전시킬 수도 있다. 본 실시예에서, 제 1 엑튜에이터(120)는 모터를 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The first actuator 120 may rotate the first brush 110 in the first direction D1 about the axial direction. Specifically, the first actuator 120 is connected to the first brushing roller 112 along the axial direction and may rotate the first brushing roller 112 in the first direction D1 about the axial direction. . As another example, the first actuator 120 may rotate the first brushing roller 112 in the second direction D2. In this embodiment, the first actuator 120 may include a motor, but may not be limited thereto.

제 1 세정액 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)으로 세정액을 제공할 수 있다. 또한, 제 1 세정액 노즐(130)은 제 1 브러시(110)로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액은 화학 용액(chemical solution), 탈이온수(deionized water : DI water) 등을 포함할 수 있다. 탈이온수는 제 1 브러시(110)의 축 방향을 따라 제 1 브러시(110) 내로 도입될 수 있다. 화학 용액은 매니폴드(manifold)를 통해서 제 1 브러시(110) 내로 도입될 수 있다. 제 1 브러시(110)는 제 1 브러시(110)의 축 방향을 따라 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)과 물리적으로 접촉하여, 세정액을 이용해서 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)에 묻은 파티클들을 제거할 수 있다.The first cleaning liquid nozzle 130 may provide cleaning liquid to the first region (R1) of the wafer (W). Additionally, the first cleaning liquid nozzle 130 may supply cleaning liquid to the first brush 110. The cleaning liquid may include a chemical solution, deionized water (DI water), etc. Deionized water may be introduced into the first brush 110 along the axial direction of the first brush 110. The chemical solution may be introduced into the first brush 110 through a manifold. The first brush 110 physically contacts the first region R1 of the wafer W while rotating along the axial direction of the first brush 110, and cleans the first region R1 of the wafer W using a cleaning liquid. Particles stuck in R1) can be removed.

제 2 브러시(210)는 제 2 코어, 제 2 브러싱 롤러(212) 및 복수개의 제 2 브러싱 돌기(214)들을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제 2 브러시(210)의 크기 및 형상은 제 1 브러시(110)의 크기 및 형상과 실질적으로 동일하므로, 제 2 브러시(210)의 제 2 코어, 제 2 브러싱 롤러(212) 및 제 2 브러싱 돌기(214)들 각각의 크기 및 형상은 제 1 브러시(110)의 제 1 코어, 제 1 브러싱 롤러(112) 및 제 1 브러싱 돌기(114)들 각각의 크기 및 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제 2 브러시(210)의 제 2 코어, 제 2 브러싱 롤러(212) 및 제 2 브러싱 돌기(214)들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.The second brush 210 may include a second core, a second brushing roller 212, and a plurality of second brushing protrusions 214. As described above, the size and shape of the second brush 210 are substantially the same as those of the first brush 110, so the second core of the second brush 210 and the second brushing roller 212 And the size and shape of each of the second brushing protrusions 214 are substantially the same as the size and shape of each of the first core, the first brushing roller 112, and the first brushing protrusions 114 of the first brush 110. may be the same. Accordingly, repeated description of the second core of the second brush 210, the second brushing roller 212, and the second brushing protrusions 214 can be omitted.

제 2 엑튜에이터(220)는 제 2 브러시(210)를 축 방향을 중심으로 제 2 방향(D2)으로 회전시킬 수 있다. 구체적으로, 제 2 엑튜에이터(220)는 제 2 브러싱 롤러(212)에 축 방향을 따라 연결되어, 제 2 브러싱 롤러(212)를 축 방향을 중심으로 제 2 방향(D2)으로 회전시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 제 2 엑튜에이터(220)는 제 2 브러싱 롤러(212)를 제 1 방향(D1)으로 회전시킬 수도 있다. 본 실시예에서, 제 2 엑튜에이터(220)는 모터를 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The second actuator 220 may rotate the second brush 210 in the second direction D2 about the axial direction. Specifically, the second actuator 220 is connected to the second brushing roller 212 along the axial direction and can rotate the second brushing roller 212 in the second direction D2 about the axial direction. . As another example, the second actuator 220 may rotate the second brushing roller 212 in the first direction D1. In this embodiment, the second actuator 220 may include a motor, but may not be limited thereto.

제 2 세정액 노즐(230)은 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)으로 세정액을 제공할 수 있다. 또한, 제 2 세정액 노즐(230)은 제 2 브러시(210)로 세정액을 공급할 수 있다. 제 2 브러시(210)는 제 2 브러시(210)의 축 방향을 따라 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)과 물리적으로 접촉하여, 세정액을 이용해서 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)에 묻은 파티클들을 제거할 수 있다.The second cleaning liquid nozzle 230 may provide cleaning liquid to the second region R2 of the wafer W. Additionally, the second cleaning liquid nozzle 230 may supply cleaning liquid to the second brush 210 . The second brush 210 physically contacts the second region R2 of the wafer W while rotating along the axial direction of the second brush 210, and cleans the second region R2 of the wafer W using a cleaning liquid. Particles on R2) can be removed.

이와 같이, 제 1 세정액 노즐(130)이 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)으로 세정액을 공급하고, 제 2 세정액 노즐(230)이 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)으로 세정액을 공급하므로, 충분한 양의 세정액이 웨이퍼(W)의 전체 영역들로 제공될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전체 영역들에 대한 세정 효율이 향상될 수 있다.In this way, the first cleaning liquid nozzle 130 supplies the cleaning liquid to the first area (R1) of the wafer (W), and the second cleaning liquid nozzle 230 supplies the cleaning liquid to the second area (R2) of the wafer (W). By supplying, a sufficient amount of cleaning liquid can be provided to all areas of the wafer W. Accordingly, cleaning efficiency for all areas of the wafer W can be improved.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정용 브러시를 나타낸 평면도이다.Figure 3 is a plan view showing a brush for wafer cleaning according to embodiments of the present invention.

본 실시예의 브러시는 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)의 배치를 제외하고는 도 2에 도시된 브러시와 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.The brush of this embodiment may include substantially the same components as the brush shown in FIG. 2 except for the arrangement of the first brush 110 and the second brush 210. Accordingly, the same components are indicated by the same reference numerals, and repeated descriptions of the same components can be omitted.

도 3을 참조하면, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 동일한 축 방향을 갖지 않을 수 있다. 대신에, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 평행한 2개의 축 방향들을 가져서, 서로 엇갈리게 배열될 수 있다. 즉, 제 1 브러시(110)의 축 방향과 제 2 브러시(210)의 축 방향은 서로 다르지만, 서로 평행할 수 있다. Referring to FIG. 3, the first brush 110 and the second brush 210 may not have the same axial direction. Instead, the first brush 110 and the second brush 210 have two parallel axial directions, so that they can be arranged to stagger each other. That is, the axial direction of the first brush 110 and the axial direction of the second brush 210 are different from each other, but may be parallel to each other.

이에 따라, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 평행한 축 방향들을 따라 중첩되지 않을 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다. 예를 들어서, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 평행한 축 방향들을 따라 부분적으로 중첩될 수도 있다.Accordingly, the first brush 110 and the second brush 210 may not overlap along parallel axial directions, but may not be limited to this. For example, the first brush 110 and the second brush 210 may partially overlap along parallel axial directions.

도 4는 도 2에 도시된 브러시를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart sequentially showing a method of cleaning a wafer using the brush shown in FIG. 2.

도 2 및 도 4를 참조하면, 단계 ST300에서, 제 1 세정액 노즐(130)이 세정액을 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)으로 제공할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4 , in step ST300, the first cleaning liquid nozzle 130 may provide the cleaning liquid to the first region (R1) of the wafer (W).

단계 ST310에서, 제 1 브러시(110)가 제 1 방향(D1)으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)과 접촉할 수 있다. 제 1 브러시(110)와 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1) 사이의 마찰 접촉에 의해서 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)에 묻은 파티클이 제거될 수 있다.In step ST310, the first brush 110 may contact the first region R1 of the wafer W while rotating in the first direction D1. Particles on the first region R1 of the wafer W may be removed by frictional contact between the first brush 110 and the first region R1 of the wafer W.

단계 ST320에서, 제 2 세정액 노즐(230)이 세정액을 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)으로 제공할 수 있다. In step ST320, the second cleaning liquid nozzle 230 may provide the cleaning liquid to the second region R2 of the wafer W.

본 실시예에서, 세정액을 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)으로 제공하는 것은 세정액을 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)으로 제공하는 것과 실질적으로 동시에 수행될 수 있다.In this embodiment, providing the cleaning liquid to the second region (R2) of the wafer (W) may be performed substantially simultaneously with providing the cleaning liquid to the first region (R1) of the wafer (W).

단계 ST33에서, 제 2 브러시(210)가 제 2 방향(D2)으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)과 접촉할 수 있다. 제 2 브러시(210)와 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2) 사이의 마찰 접촉에 의해서 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)에 묻은 파티클이 제거될 수 있다.In step ST33, the second brush 210 may contact the second region R2 of the wafer W while rotating in the second direction D2. Particles on the second region R2 of the wafer W may be removed by frictional contact between the second brush 210 and the second region R2 of the wafer W.

본 실시예에서, 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)을 제 2 브러시(210)를 이용해서 세정하는 것은 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)을 제 1 브러시(110)를 이용해서 세정하는 것과 실질적으로 동시에 수행될 수 있다.In this embodiment, cleaning the second region R2 of the wafer W using the second brush 210 involves cleaning the first region R1 of the wafer W using the first brush 110. It can be performed substantially simultaneously with cleaning.

부가적으로, 웨이퍼의 제 1 영역(R1)에 대한 제 1 브러시(110)를 이용한 세정 공정과 웨이퍼의 제 2 영역(R2)에 대한 제 2 브러시(210)를 이용한 세정 공정은 서로 다를 수도 있다. 예를 들어서, 제 1 브러시(110)의 회전 속도는 제 2 브러시(210)의 회전 속도와 상이할 수 있다. 또한, 제 1 세정액 노즐(130)로부터 제공되는 세정액의 토출 속도, 공급량 등은 제 2 세정액 노즐(230)로부터 제공되는 세정액의 토출 속도, 공급량 등과 상이할 수 있다. 이러한 세정 공정의 차이는 웨이퍼의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2) 내의 파티클들에 의해 결정될 수 있다.Additionally, the cleaning process using the first brush 110 for the first region R1 of the wafer and the cleaning process using the second brush 210 for the second region R2 of the wafer may be different from each other. . For example, the rotation speed of the first brush 110 may be different from the rotation speed of the second brush 210. Additionally, the discharge speed and supply amount of the cleaning liquid provided from the first cleaning liquid nozzle 130 may be different from the discharge speed and supply amount of the cleaning liquid provided from the second cleaning liquid nozzle 230. This difference in cleaning process may be determined by particles in the first region (R1) and the second region (R2) of the wafer.

본 실시예들에 따르면, 제 1 브러시(110)가 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)을 세정하고, 제 2 브러시(210)가 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)을 세정하므로, 웨이퍼(W)의 세정 효율이 향상될 수 있다. 특히, 제 1 브러시(110)와 제 2 브러시(210)는 서로 다른 방향들로 회전되어, 웨이퍼(W)가 파티클에 의해서 재오염되는 것도 방지할 수 있다. 특히, 세정액 노즐이 웨이퍼(W)의 각 영역들별로 구비되므로, 충분한 양의 세정액이 웨이퍼(W)의 각 영역들로 제공될 수가 있게 되어, 웨이퍼(W) 세정 효율이 크게 향상될 수 있다.According to the present embodiments, the first brush 110 cleans the first region R1 of the wafer W, and the second brush 210 cleans the second region R2 of the wafer W. , the cleaning efficiency of the wafer (W) can be improved. In particular, the first brush 110 and the second brush 210 are rotated in different directions, thereby preventing the wafer W from being re-contaminated by particles. In particular, since the cleaning liquid nozzle is provided for each area of the wafer (W), a sufficient amount of cleaning liquid can be provided to each area of the wafer (W), and the cleaning efficiency of the wafer (W) can be greatly improved.

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to embodiments, those skilled in the art can make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that it is possible.

110 ; 제 1 브러시 112 ; 제 1 브러싱 롤러
114 ; 제 1 브러싱 돌기 120 ; 제 1 엑튜에이터
130 ; 제 1 세정액 노즐 210 ; 제 2 브러시
212 ; 제 1 브러싱 롤러 214 ; 제 2 브러싱 돌기
220 ; 제 2 엑튜에이터 230 ; 제 2 세정액 노즐110 ; first brush 112 ; 1st brushing roller
114 ; First brushing protrusion 120; first actuator
130 ; First cleaning liquid nozzle 210; 2nd brush
212 ; first brushing roller 214; 2nd brushing projection
220 ; second actuator 230; Second cleaning liquid nozzle

Claims (10)

웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)을 세정하는 제 1 브러시(110);
상기 제 1 영역(R1)으로 세정액을 제공하는 적어도 하나의 제 1 세정액 노즐(130);
상기 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)을 세정하는 제 2 브러시(210); 및
상기 제 2 영역(R2)으로 상기 세정액을 제공하는 적어도 하나의 제 2 세정액 노즐(230)을 포함하는 웨이퍼 세정용 브러시.A first brush 110 for cleaning the first region R1 of the wafer W;
at least one first cleaning liquid nozzle (130) providing cleaning liquid to the first region (R1);
a second brush 210 for cleaning the second region R2 of the wafer W; and
A wafer cleaning brush including at least one second cleaning liquid nozzle (230) that supplies the cleaning liquid to the second region (R2). 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 브러시(110)는 제 1 방향(D1)으로 회전하고, 상기 제 2 브러시(210)는 상기 제 1 방향(D1)의 반대인 제 2 방향(D2)으로 회전하는 웨이퍼 세정용 브러시.The method of claim 1, wherein the first brush 110 rotates in a first direction (D1), and the second brush 210 rotates in a second direction (D2) opposite to the first direction (D1). A brush for wafer cleaning. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 브러시(110)와 상기 제 2 브러시(210)는 동축 상에 배치된 웨이퍼 세정용 브러시.The wafer cleaning brush according to claim 2, wherein the first brush (110) and the second brush (210) are arranged on the same axis. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 브러시(110)와 상기 제 2 브러시(210)는 평행한 축들 상에 배치된 웨이퍼 세정용 브러시.The wafer cleaning brush according to claim 2, wherein the first brush (110) and the second brush (210) are disposed on parallel axes. 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 브러시(110)를 상기 제 1 방향(D1)으로 회전시키는 제 1 엑튜에이터(120); 및
상기 제 2 브러시(210)를 상기 제 2 방향(D2)으로 회전시키는 제 2 엑튜에이터(220)를 더 포함하는 웨이퍼 세정용 브러시.According to claim 2,
a first actuator 120 that rotates the first brush 110 in the first direction D1; and
A wafer cleaning brush further comprising a second actuator 220 that rotates the second brush 210 in the second direction D2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역(R1)과 상기 제 2 영역(R2)은 상기 웨이퍼(W)의 지름선(L)을 기준으로 구분된 웨이퍼 세정용 브러시.The wafer cleaning brush according to claim 1, wherein the first area (R1) and the second area (R2) are divided based on the diameter line (L) of the wafer (W). 제 6 항에 있어서, 상기 지름선(L)은 상기 제 1 브러시(110)와 상기 제 2 브러시(210)의 축 방향과 직교하는 웨이퍼 세정용 브러시.The wafer cleaning brush according to claim 6, wherein the diameter line (L) is perpendicular to the axial direction of the first brush (110) and the second brush (210). 웨이퍼(W)의 제 1 영역(R1)으로 세정액을 제공하고;
상기 제 1 영역(R1)을 제 1 브러시(110)를 이용해서 세정하고;
상기 웨이퍼(W)의 제 2 영역(R2)으로 상기 세정액을 제공하고; 그리고
상기 제 2 영역(R2)을 제 2 브러시(210)를 이용해서 세정하는 것을 포함하는 웨이퍼 세정 방법.providing a cleaning liquid to the first region (R1) of the wafer (W);
Cleaning the first region (R1) using the first brush (110);
providing the cleaning liquid to a second region (R2) of the wafer (W); and
A wafer cleaning method comprising cleaning the second region (R2) using a second brush (210). 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 영역(R1)을 상기 제 1 브러시(110)를 이용해서 세정하는 것은 상기 제 1 브러시(110)를 제 1 방향(D1)으로 회전시키는 것을 포함하고,
상기 제 2 영역(R2)을 상기 제 2 브러시(210)를 이용해서 세정하는 것은 상기 제 2 브러시(210)를 상기 제 1 방향(D1)과 반대인 제 2 방향(D2)으로 회전시키는 것을 포함하는 웨이퍼 세정 방법.According to claim 8,
Cleaning the first area R1 using the first brush 110 includes rotating the first brush 110 in a first direction D1,
Cleaning the second area R2 using the second brush 210 includes rotating the second brush 210 in a second direction D2 opposite to the first direction D1. Wafer cleaning method. 제 8 항에 있어서,
상기 세정액을 상기 제 1 영역(R1)과 상기 제 2 영역(R2)으로 제공하는 것은 동시에 수행되고,
상기 제 1 영역(R1)을 세정하는 것과 상기 제 2 영역(R2)을 세정하는 것은 동시에 수행되는 웨이퍼 세정 방법.According to claim 8,
Providing the cleaning liquid to the first region (R1) and the second region (R2) is performed simultaneously,
A wafer cleaning method in which cleaning the first region (R1) and cleaning the second region (R2) are performed simultaneously.
KR1020220159944A 2022-11-25 Brush for cleaning a wafer and method of cleaning a wafer usign the brush KR20240077730A (en)

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