KR20240076717A - Plasma Processing System and Transport Method Thereof - Google Patents

Abstract

프로세스 챔버의 기판 처리 공정과 세정 공정 시기를 조절하여 플라즈마 처리 시스템의 반송 택트 손실을 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법이 개시된다. 이는 복수의 프로세스 챔버 중 세정 공정이 요구되는 프로세스 챔버를 나머지 기판 처리 공정이 진행되고 있는 프로세스 챔버와 세정 조건을 비교하여 세정 공정 여부를 판단함으로써 반송 로봇의 대기시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 반송 로봇의 대기시간을 감소시키는 누적 시간이 증가될수록 플라즈마 처리 시스템의 반송 택트 시간을 감소시킬 수 있기 때문에 기판 처리에 대한 생산성을 향상시킬 수 있다.A plasma processing system and a conveyance method thereof that can minimize the conveyance tact loss of the plasma processing system by controlling the timing of the substrate processing process and the cleaning process in the process chamber are disclosed. This can reduce the waiting time of the transfer robot by comparing the cleaning conditions of the process chamber requiring the cleaning process among the plurality of process chambers with the process chamber in which the remaining substrate processing process is in progress to determine whether the cleaning process is necessary. Additionally, as the cumulative time for reducing the waiting time of the transfer robot increases, the transfer tact time of the plasma processing system can be reduced, thereby improving productivity in substrate processing.

Description

플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법{Plasma Processing System and Transport Method Thereof}Plasma Processing System and Transport Method Thereof}

본 발명은 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 택트 손실을 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing system and a conveyance method thereof, and more specifically, to a plasma processing system and a conveyance method capable of minimizing conveyance tact loss.

일반적으로 반도체 장치의 제조 분야 등에서는 처리 가스를 플라즈마화하여, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 피처리 기판을 소정의 처리, 예를 들면 에칭 처리나 성막 처리 등을 실시하는 플라즈마 처리 시스템이 알려져 있다.Generally, in the semiconductor device manufacturing field, a plasma processing system is known that converts a processing gas into plasma and performs a predetermined treatment on a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer or glass substrate, such as an etching treatment or a film forming process.

이러한 플라즈마 처리 시스템은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정이 수행될수록 공정이 수행되는 프로세스 챔버 내부에 화학 반응에 의한 증착물 또는 불순물 등에 의해 오염물이 증착된다. 이러한 오염물에 의해 플라즈마의 균일도가 낮아져 공정 불량이 초래되거나, 기판 상에 불순물이 낙하되어 기판의 불량을 초래하게 된다. 따라서, 플라즈마 처리 시스템은 프로세스 챔버 내부에 기판이 제거된 상태에서 주기적으로 플라즈마를 이용하여 세정하는 세정 공정을 수행한다.In such a plasma processing system, as a substrate processing process using plasma is performed, contaminants are deposited through chemical reaction deposits or impurities inside the process chamber where the process is performed. These contaminants lower the uniformity of the plasma, resulting in process defects, or impurities fall on the substrate, causing substrate defects. Accordingly, the plasma processing system periodically performs a cleaning process using plasma while the substrate inside the process chamber is removed.

세정 공정을 위해, 종래의 디스플레이용 플라즈마 처리 시스템은 기판 처리 공정이 수행될 때 마다 카운트를 수행하고, 기판 처리 공정이 진행된 횟수가 파라메터에 설정된 세정 카운트(Cleaning Count)에 도달될 경우, 즉시 세정 공정을 진행하게 된다. 이때, 피처리 기판을 이동시키는 반송 로봇은 세정 공정이 진행될 동안 대기하게 된다. 허나, 모든 프로세스 챔버의 기판 처리 공정 카운트가 순차적으로 증가한다면 택트 손실(Tact Loss)은 발생하지 않겠지만 알람 발생, 장비 PM 등으로 인하여 프로세스 챔버들의 기판 처리 공정 카운트가 순차적이지 않다면 공정 시간이 길수록 반송 로봇의 대기시간이 길어지게 되어 결국, 택트 손실이 발생하게 되는 문제가 있다.For the cleaning process, the conventional display plasma processing system counts each time the substrate processing process is performed, and when the number of times the substrate processing process has been performed reaches the cleaning count set in the parameter, the cleaning process is immediately performed. will proceed. At this time, the transfer robot that moves the substrate to be processed stands by while the cleaning process proceeds. However, if the substrate processing process counts of all process chambers increase sequentially, tact loss will not occur, but if the substrate processing process counts of the process chambers are not sequential due to alarm generation, equipment PM, etc., the longer the process time, the more likely it is to be returned. There is a problem in that the waiting time of the robot becomes longer, ultimately resulting in tact loss.

한국특허공개 10-2021-0049075Korean Patent Publication 10-2021-0049075

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 프로세스 챔버의 기판 처리 공정과 세정 공정 시기를 조절하여 플라즈마 처리 시스템의 반송 택트 손실을 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법을 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a plasma processing system and a conveyance method that can minimize the conveyance tact loss of the plasma processing system by controlling the substrate processing process and cleaning process timing of the process chamber.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 플라즈마 처리 시스템은 반송 로봇을 이용하여 기판을 이동시키는 기판 반송부, 상기 기판 반송부의 일측에 배치되고, 상기 기판 반송부로 상기 기판을 공급하는 기판 공급부, 상기 기판 반송부의 타측에 배치되어 상기 기판 반송부로부터 상기 기판을 공급받고, 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정 또는 세정 공정이 이루어지는 복수의 프로세스 챔버를 포함하는 기판 처리부 및 상기 기판 반송부, 상기 기판 공급부 및 상기 기판 처리부로 상기 기판이 순차적으로 이동되도록 제어하되, 상기 복수의 프로세스 챔버에서 수행되는 기판 처리 공정 또는 세정 공정 진행에 따라 상기 기판의 이동 순서를 결정하는 제어부를 포함한다.In order to solve the above-mentioned problems, the plasma processing system of the present invention includes a substrate transport unit that moves the substrate using a transfer robot, a substrate supply unit disposed on one side of the substrate transport unit and supplies the substrate to the substrate transport unit, and the substrate. A substrate processing unit disposed on the other side of the transfer unit and including a plurality of process chambers that receive the substrate from the substrate transfer unit and perform a substrate processing or cleaning process using plasma, the substrate transfer unit, the substrate supply unit, and the substrate. A processing unit controls the substrate to be moved sequentially, and includes a control unit that determines the movement order of the substrate according to the progress of the substrate processing or cleaning process performed in the plurality of process chambers.

상기 반송 로봇은, 상기 기판을 이동시키는 상부 암(arm) 및 상기 상부 암 하부에 배치되어 상기 기판을 이동시키는 하부 암을 포함할 수 있다.The transfer robot may include an upper arm that moves the substrate and a lower arm that is disposed below the upper arm and moves the substrate.

상기 제어부는 각각의 상기 프로세스 챔버에서 상기 기판 처리 공정이 수행되는 횟수를 카운트하여 공정 카운트를 증가시키고, 상기 공정 카운트가 미리 설정된 세정 카운트 이상이 되는 상기 프로세스 챔버 중 세정 조건을 만족하는 상기 프로세스 챔버에 대해 세정 공정이 수행되도록 할 수 있다.The control unit increases the process count by counting the number of times the substrate processing process is performed in each process chamber, and selects the process chamber that satisfies the cleaning condition among the process chambers in which the process count is greater than or equal to a preset cleaning count. A cleaning process can be performed on the

상기 세정 조건은, 상기 프로세스 챔버 중 세정 공정 대상이 되는 상기 프로세스 챔버를 제외하고, 상기 기판 처리 공정이 수행되는 나머지 상기 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간이 상기 반송 로봇의 테크 타임 이상이 되는 조건일 수 있다.The cleaning condition may be a condition in which the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is performed, excluding the process chamber subject to the cleaning process among the process chambers, is equal to or greater than the tech time of the transfer robot. .

상기 반송 로봇의 테크 타임은 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 상기 기판이 안착되기 까지의 소요 시간일 수 있다.The tech time of the transfer robot may be the time required for the new substrate to be placed on an empty arm of the upper arm or the lower arm.

상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 공정을 진행하고, 상기 공정 카운트는 0으로 리셋될 수 있다.If the process chamber subject to the cleaning process satisfies the cleaning conditions, the process chamber subject to the cleaning process may proceed with the cleaning process, and the process count may be reset to 0.

상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 조건을 만족할 때까지 추가로 상기 기판 처리 공정이 진행될 수 있다.If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning conditions, the substrate processing process may be additionally performed until the process chamber subject to the cleaning process satisfies the cleaning conditions.

상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 나머지 프로세스 챔버의 상기 공정 카운트는 모두 상기 세정 카운트로 변경되고, 상기 변경된 세정 카운트부터 카운트가 시작될 수 있다.If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning conditions, all process counts of the remaining process chambers are changed to the cleaning count, and counting may start from the changed cleaning count.

상기 세정 조건은 상기 복수의 프로세스 챔버 및 상기 기판 공급부에 상기 기판이 모두 공급되고, 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 어느 하나의 암에 상기 기판이 안착된 상태일 경우 적용될 수 있다.The cleaning conditions may be applied when the substrate is supplied to both the plurality of process chambers and the substrate supply unit and the substrate is seated on either the upper arm or the lower arm.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법은 기판 공급부로 공급된 기판을 제어부를 통해 기판 반송부의 반송 로봇을 이용하여 기판 처리부의 복수의 프로세스 챔버로 이송하고, 이송된 상기 기판을 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행하는 단계, 상기 기판 처리 공정이 수행된 횟수인 공정 카운트와 미리 정해진 세정 카운트를 비교하는 단계, 상기 복수의 프로세스 챔버 중 상기 공정 카운트가 상기 세정 카운트 이상이 되는 프로세스 챔버를 대상으로, 상기 제어부에서 설정된 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계 및 상기 세정 조건을 만족하는 상기 프로세스 챔버에 대해 상기 세정 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problem, the transport method of the plasma processing system of the present invention transfers the substrate supplied from the substrate supply unit to a plurality of process chambers of the substrate processing unit using the transfer robot of the substrate transfer unit through the control unit, and transfers the transferred substrate to the plurality of process chambers of the substrate processing unit. performing a substrate processing process using plasma, comparing a process count, which is the number of times the substrate processing process has been performed, with a predetermined cleaning count, where the process count among the plurality of process chambers is greater than or equal to the cleaning count. It may include determining whether a process chamber satisfies cleaning conditions set by the control unit and performing the cleaning process on the process chamber that satisfies the cleaning conditions.

상기 반송 로봇은, 상기 기판을 이동시키는 상부 암(arm) 및 The transport robot includes an upper arm that moves the substrate, and

상기 상부 암 하부에 배치되어 상기 기판을 이동시키는 하부 암을 포함하고, 상기 반송 로봇은 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 상기 기판이 안착되기 까지의 소요 시간인 테크 타임(Tack time)을 가질 수 있다.It includes a lower arm disposed below the upper arm to move the substrate, and the transfer robot has a tech time, which is the time required for the new substrate to be placed on an empty arm of the upper arm or the lower arm. (Tack time)

상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는, 상기 프로세스 챔버 중 세정 공정 대상이 되는 상기 프로세스 챔버를 제외하고, 상기 기판 처리 공정이 수행되는 나머지 상기 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간과 상기 반송 로봇의 테크 타임을 비교하는 단계를 포함할 수 있다.The step of determining whether the cleaning condition is satisfied includes, excluding the process chamber subject to the cleaning process among the process chambers, the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is performed and the technology of the transfer robot. A step of comparing times may be included.

상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 조건을 만족할 때까지 추가로 상기 기판 처리 공정이 진행되는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of determining whether the cleaning condition is satisfied may include, if the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning condition, the process chamber subject to the cleaning process is additionally used to clean the substrate until the cleaning condition is satisfied. It may further include steps in which the treatment process proceeds.

상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 나머지 프로세스 챔버의 상기 공정 카운트는 모두 상기 세정 카운트로 변경되고, 상기 변경된 세정 카운트부터 카운트가 시작되는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of determining whether the cleaning condition is satisfied is that, if the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning condition, all of the process counts of the remaining process chambers are changed to the cleaning count, and the changed cleaning count is It may further include a step where the count starts from .

상술한 본 발명에 따르면, 복수의 프로세스 챔버 중 세정 공정이 요구되는 프로세스 챔버를 나머지 기판 처리 공정이 진행되고 있는 프로세스 챔버와 세정 조건을 비교하여 세정 공정 여부를 판단함으로써 반송 로봇의 대기시간을 감소시킬 수 있다.According to the present invention described above, the waiting time of the transfer robot can be reduced by comparing the cleaning conditions of the process chamber requiring the cleaning process among the plurality of process chambers with the process chamber in which the remaining substrate processing process is in progress to determine whether the cleaning process is performed. You can.

또한, 반송 로봇의 대기시간을 감소시키는 누적 시간이 증가될수록 플라즈마 처리 시스템의 반송 택트 시간을 감소시킬 수 있기 때문에 기판 처리에 대한 생산성을 향상시킬 수 있다.Additionally, as the cumulative time for reducing the waiting time of the transfer robot increases, the transfer tact time of the plasma processing system can be reduced, thereby improving productivity in substrate processing.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 플라즈마 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 플라즈마 처리 시스템의 세정 공정 프로세스를 나타낸 순서도이다.
도 3은 도 2에 도시된, 세정 공정 프로세스에 따른 피처리 기판의 이동 순서를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 플라즈마 처리 시스템의 세정 공정 프로세스를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 플라즈마 처리 시스템에 따른 기판의 이동 순서를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 기판의 이동 순서에 따른 공정 카운트 변화를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 처리 시스템과 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 순서를 비교한 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 공정 순서에 따른 본 발명의 플라즈마 처리 시스템과 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 시간을 비교한 도면이다.1 is a diagram showing a plasma processing system of the present invention.
Figure 2 is a flowchart showing a cleaning process of a conventional plasma processing system.
FIG. 3 is a diagram showing the movement order of the substrate to be processed according to the cleaning process shown in FIG. 2.
Figure 4 is a diagram showing a cleaning process of the plasma processing system of the present invention.
Figure 5 is a diagram showing the movement order of a substrate according to the plasma processing system of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing process count changes according to the movement order of the substrate shown in FIG. 5.
Figure 7 is a diagram comparing the substrate processing sequence of the plasma processing system of the present invention and the conventional plasma processing system.
FIG. 8 is a diagram comparing the substrate processing time of the plasma processing system of the present invention and the conventional plasma processing system according to the process sequence shown in FIG. 7.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components will be assigned the same drawing numbers and redundant description thereof will be omitted. Do this.

도 1은 본 발명의 플라즈마 처리 시스템을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a plasma processing system of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 시스템은 기판 공급부(100), 기판 반송부(200), 기판 처리부(300) 및 제어부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the plasma processing system according to the present invention includes a substrate supply unit 100, a substrate transport unit 200, a substrate processing unit 300, and a control unit 400.

기판 공급부(100)는 기판 반송부(200)의 일측에 배치될 수 있다. 또한, 기판 공급부(100)는 진공 또는 대기 상태를 갖고, 진공 상태에서 기판 반송부(200)로 기판을 공급한다. 기판 공급부(100)는 대기 상태에서 외부에 배치된 이송 로봇(2)에 의해 기판(1)을 공급받을 수 있다. 이때, 이송 로봇(2)에 의해 기판 공급부(100)로 이송되는 기판(1)은 기판 처리를 위한 미처리 공정 기판일 수 있다. 일예로, 기판 공급부(100)는 이송 로봇(2)을 통해 기판(1)이 기판 공급부(100)로 로딩되는 경우 대기 상태를 가질 수 있고, 기판 공급부(100)에서 기판 반송부(200)로 공급되거나, 기판 반송부(200)에서 기판 공급부(100)로 공급되는 경우 기판 공급부(100)는 진공 상태를 가질 수 있다.The substrate supply unit 100 may be disposed on one side of the substrate transport unit 200 . Additionally, the substrate supply unit 100 has a vacuum or atmospheric state and supplies substrates to the substrate transfer unit 200 in a vacuum state. The substrate supply unit 100 may receive the substrate 1 by the transfer robot 2 disposed externally in a standby state. At this time, the substrate 1 transferred to the substrate supply unit 100 by the transfer robot 2 may be an unprocessed substrate for substrate processing. For example, the substrate supply unit 100 may be in a standby state when the substrate 1 is loaded into the substrate supply unit 100 through the transfer robot 2, and transfer from the substrate supply unit 100 to the substrate transfer unit 200. When supplied or supplied from the substrate transport unit 200 to the substrate supply unit 100, the substrate supply unit 100 may be in a vacuum state.

또한, 기판 공급부(100)는 제1 로드락 챔버(110) 및 제2 로드락 챔버(120)를 포함할 수 있다.Additionally, the substrate supply unit 100 may include a first load lock chamber 110 and a second load lock chamber 120.

일예로, 제1 로드락 챔버(110)와 제2 로드락 챔버(120)는 상하로 적층된 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 로드락 챔버(110)는 어퍼 로드락(Upper Loadlock) 챔버일 수 있고, 제2 로드락 챔버(120)는 로우어 로드락(Lower Loadlock) 챔버일 수 있다. 대기 상태의 이송 로봇(2)은 제1 로드락 챔버(110) 또는 제2 로드락 챔버(120) 중 비어있는 챔버에 기판(1)을 공급하거나, 제1 로드락 챔버(110) 또는 제2 로드락 챔버(120) 중 공정 처리가 완료된 기판(1)을 외부로 배출할 수 있다.For example, the first load lock chamber 110 and the second load lock chamber 120 may have a vertically stacked structure. That is, the first loadlock chamber 110 may be an upper loadlock chamber, and the second loadlock chamber 120 may be a lower loadlock chamber. The transfer robot 2 in a standby state supplies the substrate 1 to an empty chamber of the first load lock chamber 110 or the second load lock chamber 120, or the first load lock chamber 110 or the second load lock chamber 120. The substrate 1 that has completed processing in the load lock chamber 120 may be discharged to the outside.

기판 반송부(200)는 진공 상태를 가지며, 기판 공급부(100)로부터 기판 처리를 위한 기판(1)을 공급받을 수 있다. 기판 반송부(200) 내에는 기판 공급부(100)로부터 기판 반송부(200)로 기판(1)을 이송하거나, 이송된 기판(1)을 기판 처리부(300)로 공급하기 위한 반송 로봇(210)이 배치될 수 있다.The substrate transport unit 200 is in a vacuum state and can receive a substrate 1 for substrate processing from the substrate supply unit 100 . Within the substrate transfer unit 200, there is a transfer robot 210 for transferring the substrate 1 from the substrate supply unit 100 to the substrate transfer unit 200 or supplying the transferred substrate 1 to the substrate processing unit 300. This can be placed.

일예로, 반송 로봇(210)은 두 개의 암(arm)을 포함할 수 있다. 예컨대, 두 개의 암은 상부 암(Upper arm)(211) 및 하부 암(Lower arm)(212)일 수 있다. 기판 반송부(200)는 상부 암(211) 또는 하부 암(212)을 통해 기판 공급부(100)로부터 기판(1)을 공급받고, 공급된 기판(1)을 기판 처리부(300)로 공급할 수 있다. 일예로, 두 개의 암 중 비어있는 암을 통해 기판 공급부(100)로부터 기판(1)을 공급받을 수 있고, 기판(1)이 공급된 암은 복수의 프로세스 챔버 중 비어있는 프로세스 챔버에 기판(1)을 공급할 수 있다. 프로세스 챔버에서 기판 처리 공정이 완료되면, 두 개의 암 중 비어있는 암을 통해 기판(1)을 배출하여, 기판 공급부(100)로 이송할 수 있다. 공정이 완료된 기판(1)이 기판 공급부(100) 외부로 배출되면, 기판(1)이 순차적으로 기판 공급부(100)로 공급될 수 있다.For example, the transfer robot 210 may include two arms. For example, the two arms may be an upper arm (211) and a lower arm (212). The substrate transport unit 200 may receive the substrate 1 from the substrate supply unit 100 through the upper arm 211 or the lower arm 212, and supply the supplied substrate 1 to the substrate processing unit 300. . For example, the substrate 1 may be supplied from the substrate supply unit 100 through an empty arm of the two arms, and the arm supplied with the substrate 1 may supply the substrate 1 to an empty process chamber among the plurality of process chambers. ) can be supplied. When the substrate processing process is completed in the process chamber, the substrate 1 can be discharged through the empty arm of the two arms and transferred to the substrate supply unit 100. When the substrate 1 whose process has been completed is discharged outside the substrate supply unit 100, the substrates 1 may be sequentially supplied to the substrate supply unit 100.

반송 로봇(210)은 상기와 같은 순환으로 비어있는 암을 이용하여 기판 처리 공정이 진행될 새로운 기판(1)을 공급받을 수 있다. 여기서, 상부 암(211) 또는 하부 암(212) 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 기판(1)이 안착되기 까지의 소요 시간을 테크 타임(Tack time)이라 명명할 수 있다. 이러한 테크 타임은 플라즈마 처리 시스템의 전체 생산 시간을 판단하기 위한 기준 시간으로 활용될 수 있다.The transfer robot 210 can receive a new substrate 1 on which a substrate processing process will be performed using the empty arm in the above-described circulation. Here, the time required for the new substrate 1 to be placed on an empty arm of the upper arm 211 or the lower arm 212 may be referred to as tack time. This tech time can be used as a reference time to determine the overall production time of the plasma processing system.

기판 처리부(300)는 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행될 수 있다. 또한, 기판 처리부(300)는 기판(1)을 처리하기 위해 복수의 프로세스 챔버(310)를 포함할 수 있다. 즉, 복수의 프로세스 챔버(310)는 기판 반송부(200)의 일측에 각각 배치될 수 있다. 일예로, 기판 반송부(200)는 다각형 형태를 가질 수 있고, 다각형 형태의 일측에 각각 기판 공급부(100) 및 복수의 프로세스 챔버(310)가 각각 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 프로세스 챔버(310)가 도시되었으나, 3개 이상의 프로세스 챔버(310)가 배치될 수 있고, 복수의 프로세스 챔버(310)를 이용하여 2개 이상의 상이한 기판 처리 공정이 수행될 수 있다.The substrate processing unit 300 may perform a substrate processing process using plasma. Additionally, the substrate processing unit 300 may include a plurality of process chambers 310 to process the substrate 1 . That is, the plurality of process chambers 310 may each be disposed on one side of the substrate transport unit 200 . For example, the substrate transport unit 200 may have a polygonal shape, and a substrate supply unit 100 and a plurality of process chambers 310 may be disposed on one side of the polygonal shape. Although three process chambers 310 are shown in this embodiment, three or more process chambers 310 may be disposed, and two or more different substrate processing processes may be performed using a plurality of process chambers 310. there is.

또한, 기판 공급부(100)와 기판 반송부(200) 사이 및 기판 반송부(200)와 기판 처리부(300) 사이에는 게이트(101)가 배치되어, 게이트(101)의 오픈(open) 또는 클로즈(close)를 통해 챔버들 간을 서로 연통시키거나 또는 차단시킬 수 있다.In addition, a gate 101 is disposed between the substrate supply unit 100 and the substrate transfer unit 200 and between the substrate transfer unit 200 and the substrate processing unit 300, so that the gate 101 is open or closed ( close) can allow the chambers to communicate with each other or be blocked.

프로세스 챔버(310) 내부에서는 플라즈마를 이용하여 에칭 처리나 성막 처리 등을 실시하는 기판 처리 공정이 이루어질 수 있다. 일예로, 프로세스 챔버(310)는 플라즈마화 하는 방법에 따라 통상적으로 용량성 플라즈마(CCP: capacitive coupled plasma) 타입과, 유도성 플라즈마(inductive coupled plasma) 타입으로 나눌 수 있다. 즉, 프로세스 챔버(310)는 용량성 플라즈마 또는 유도성 플라즈마를 이용하여 박막을 식각하는 식각장치 또는 박막을 증착하는 증착장치일 수 있다.Inside the process chamber 310, a substrate processing process such as etching or film forming may be performed using plasma. For example, the process chamber 310 can be generally divided into a capacitive coupled plasma (CCP) type and an inductive coupled plasma type depending on the plasma conversion method. That is, the process chamber 310 may be an etching device that etches a thin film using capacitive plasma or inductive plasma, or a deposition device that deposits a thin film.

또한, 프로세스 챔버(310) 내부에서는 프로세스 챔버(310) 내부를 클리닝하기 위한 세정 공정이 수행될 수 있다. 세정 공정은 기판(1)이 미투입된 상태에서 플라즈마만을 이용하여 챔버 내부를 세정하는 공정일 수 있다. 이러한 프로세스 챔버(310)의 세정 공정은 기판(1)의 프로세스 처리 수량에 따라 결정될 수 있다. 일예로, 프로세스 챔버(310)는 미리 설정된 기판 처리 수량이 완료되면 세정 공정이 수행될 수 있다. 세정 공정이 완료된 프로세스 챔버(310)는 다시 기판 처리를 위한 기판 처리 공정이 수행될 수 있다.Additionally, a cleaning process may be performed inside the process chamber 310 to clean the inside of the process chamber 310. The cleaning process may be a process of cleaning the inside of the chamber using only plasma while the substrate 1 is not inserted. The cleaning process of the process chamber 310 may be determined depending on the number of substrates 1 processed. For example, a cleaning process may be performed on the process chamber 310 when a preset number of substrates to be processed is completed. In the process chamber 310 where the cleaning process has been completed, a substrate processing process for substrate processing may be performed again.

제어부(400)는 기판(1)이 기판 공급부(100), 기판 반송부(200) 및 기판 처리부(300)로 순차적으로 이동되도록 제어할 수 있다.The control unit 400 may control the substrate 1 to be sequentially moved to the substrate supply unit 100, the substrate transport unit 200, and the substrate processing unit 300.

일예로, 제어부(400)는 기판 공급부(100)로 공급된 기판(1)을 기판 반송부(200)의 반송 로봇(210)을 제어하여 복수의 프로세스 챔버(310)에 각각 공급할 수 있다. 예컨데, 하나의 기판(1)에 다수의 공정이 수행되는 경우, 반송 로봇(210)은 기판(1)을 해당 공정이 수행되는 프로세스 챔버(310)로 순차적으로 공급할 수 있다. 프로세스 챔버(310)에서 공정이 완료된 기판(1)은 반송 로봇(210)을 통해 기판 반송부(200)로 배출될 수 있고, 기판 반송부(200)로 배출된 기판(1)은 다시 반송 로봇(210)을 통해 기판 공급부(100)로 이동시켜 공정이 완료된 기판(1)을 플라즈마 처리 시스템 외부로 배출시킬 수 있다.For example, the control unit 400 may supply the substrate 1 supplied to the substrate supply unit 100 to each of the plurality of process chambers 310 by controlling the transfer robot 210 of the substrate transfer unit 200. For example, when multiple processes are performed on one substrate 1, the transfer robot 210 may sequentially supply the substrates 1 to the process chamber 310 where the corresponding processes are performed. The substrate 1 whose process has been completed in the process chamber 310 may be discharged to the substrate transfer unit 200 through the transfer robot 210, and the substrate 1 discharged to the substrate transfer unit 200 may be returned to the transfer robot. The substrate 1 that has completed the process can be discharged outside the plasma processing system by moving it to the substrate supply unit 100 through 210 .

이때, 기판(1)은 제어부(400)에 의해 반송 택트 손실(Task loss)이 최소화되도록 이동될 수 있다. 일예로, 제어부(400)는 기판 공급부(100)와 기판 처리부(300)에 기판(1)이 모두 채워지도록 반송 로봇(210)을 제어할 수 있고, 반송 로봇(210)의 상부 암(211) 또는 하부 암(212) 중 어느 하나는 기판(1)이 안착된 안착 상태를 가지고, 나머지 하나는 기판(1)이 비워진 미안착 상태를 가지도록 할 수 있다. 즉, 반송 로봇(210)은 복수의 프로세스 챔버(310)에 기판(1)이 항상 채워지도록 미안착 상태를 갖는 반송 로봇(210)을 이용하여 기판 처리 공정이 완료된 기판(1)을 반출하는 동시에 안착 상태를 갖는 반송 로봇(210)을 이용하여 기판(1)을 바로 공급할 수 있다. 따라서, 미안착 상태를 갖는 반송 로봇(210)은 기판 처리 공정을 반출하여 안착 상태가 되고, 안착 상태를 갖는 반송 로봇(210)은 기판 처리 공정이 완료된 프로세스 챔버(310)에 미처리된 기판(1)을 공급함으로써 미안착 상태가 될 수 있다. 즉, 상부 암(211) 및 하부 암(212)은 서로 안착 상태와 미안착 상태가 반복되도록 동작될 수 있다. At this time, the substrate 1 may be moved by the control unit 400 to minimize transport tact loss (task loss). For example, the control unit 400 may control the transfer robot 210 so that the substrate supply unit 100 and the substrate processing unit 300 are all filled with the substrates 1, and the upper arm 211 of the transfer robot 210 Alternatively, one of the lower arms 212 may be in a seated state in which the substrate 1 is seated, and the other may be in a non-seated state in which the substrate 1 is empty. That is, the transfer robot 210 carries out the substrate 1 on which the substrate processing process has been completed by using the transfer robot 210 in an unloaded state so that the plurality of process chambers 310 are always filled with the substrate 1. The substrate 1 can be immediately supplied using the transfer robot 210 in a seated state. Therefore, the transfer robot 210 in the unseated state carries out the substrate processing process and enters the seated state, and the transfer robot 210 in the seated state places the unprocessed substrate 1 in the process chamber 310 in which the substrate processing process has been completed. ) can result in a non-arrival state. That is, the upper arm 211 and the lower arm 212 may be operated so that the seated state and the non-seated state are repeated.

또한, 제어부(400)는 복수의 프로세스 챔버(310)에서 세정 공정이 진행되도록 제어할 수 있다. 예컨데, 제어부(400)는 각각의 프로세스 챔버(310)에서 기판 처리 공정이 수행되는 공정 횟수를 카운트하고, 미리 설정된 세정 카운트 이상이 되는 프로세스 챔버(310)를 대상으로 세정 공정이 진행되도록 제어할 수 있다. 일예로, 제어부(400)에 의해 세정 카운트가 6회로 설정되면, 각각의 프로세스 챔버(310)는 기판 처리 공정이 6회 이상이 수행된 이후에 기판(1)이 미반입된 상태에서 플라즈마를 이용하여 세정 공정을 수행할 수 있다.Additionally, the controller 400 may control the cleaning process to proceed in the plurality of process chambers 310 . For example, the control unit 400 may count the number of times the substrate processing process is performed in each process chamber 310 and control the cleaning process to proceed for the process chambers 310 whose cleaning count is greater than a preset count. there is. For example, if the cleaning count is set to 6 by the control unit 400, each process chamber 310 uses plasma in a state in which the substrate 1 is not loaded after the substrate processing process has been performed 6 or more times. Thus, the cleaning process can be performed.

도 2는 종래의 플라즈마 처리 시스템의 세정 공정 프로세스를 나타낸 순서도이다.Figure 2 is a flowchart showing a cleaning process of a conventional plasma processing system.

도 3은 도 2에 도시된, 세정 공정 프로세스에 따른 피처리 기판의 이동 순서를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing the movement order of the substrate to be processed according to the cleaning process shown in FIG. 2.

우선, 도 2를 참조하면, 종래의 플라즈마 처리 시스템의 세정 공정을 위한 프로세스는 기판 처리 공정이 완료된 프로세스 챔버부터 순차적으로 기판 처리 공정 횟수인 공정 카운트를 증가시킨다. 즉, 기판 처리 공정이 완료된 프로세스 챔버는 기판을 기판 반송부로 배출시키고, 제어부는 해당 프로세스 챔버에 대해 현재 공정 카운트를 증가시킨다. 이때, 제어부는 현재 증가된 공정 카운트와 미리 설정된 세정 카운트를 비교할 수 있다.First, referring to FIG. 2, the process for the cleaning process of the conventional plasma processing system sequentially increases the process count, which is the number of substrate processing processes, starting from the process chamber in which the substrate processing process has been completed. That is, the process chamber in which the substrate processing process has been completed discharges the substrate to the substrate transfer unit, and the control unit increases the current process count for the process chamber. At this time, the control unit may compare the currently increased process count with the preset cleaning count.

만약, 공정 카운트가 세정 카운트보다 작으면, 제어부는 기판을 해당 프로세스 챔버에 공급하고, 기판 처리 공정이 수행되도록 한다. 이러한 기판 처리 공정은 공정 카운트가 세정 카운트와 같아질 때까지 반복적으로 수행될 수 있다. 또한, 기판 처리 공정을 완료한 프로세스 챔버에 대해, 공정 카운트가 세정 카운트와 비교하여 크거나 같으면, 기판을 공급하지 않고 세정 공정을 바로 수행한다. 이때, 세정 공정이 수행되는 프로세스 챔버는 공정 카운트를 0으로 리셋시킨다. 즉, 종래의 세정 공정 프로세스는 공정 카운트가 세정 카운트와 동일해지면, 해당 프로세스 챔버는 다른 기판 처리 공정이 수행되는 다른 프로세스 챔버와는 무관하게 바로 세정 공정이 수행된다. 따라서, 반송 로봇은 프로세스 챔버에서 세정 공정 또는 기판 처리 공정이 완료될 때까지 모두 기판이 안착된 안착 상태를 갖기 때문에 테크 로스(tack loss)가 발생될 수 있다.If the process count is less than the cleaning count, the control unit supplies the substrate to the corresponding process chamber and causes the substrate processing process to be performed. This substrate processing process can be performed repeatedly until the process count equals the cleaning count. Additionally, for a process chamber that has completed a substrate processing process, if the process count is greater than or equal to the cleaning count, the cleaning process is immediately performed without supplying the substrate. At this time, the process chamber where the cleaning process is performed resets the process count to 0. That is, in the conventional cleaning process, when the process count becomes equal to the cleaning count, the cleaning process is immediately performed in the corresponding process chamber regardless of other process chambers in which other substrate processing processes are performed. Therefore, tack loss may occur because the transfer robot is in a seated state in which the substrate is seated until the cleaning process or substrate processing process is completed in the process chamber.

일예로, 도 3에서와 같이, 3개의 프로세스 챔버(11,12,13)를 이용하여 기판 처리 공정이 수행될 경우, 테크 로스를 줄이기 위해 기판 공급부에 기판을 모두 투입시키고, 3개의 프로세스 챔버(11,12,13)에서는 기판 처리 공정이 순차적으로 수행될 수 있다. 이때, 상부 암(21) 및 하부 암(22)은 기판 처리 공정이 완료된 프로세스 챔버에 기판을 교환하기 위해, 하나의 암에만 기판이 안착된 안착 상태를 갖고, 나머지 암은 기판이 미안착된 미안착 상태를 갖도록 한다.For example, as shown in FIG. 3, when a substrate processing process is performed using three process chambers 11, 12, and 13, all substrates are input into the substrate supply unit to reduce tech loss, and the three process chambers ( 11, 12, 13), the substrate processing process can be performed sequentially. At this time, the upper arm 21 and the lower arm 22 are in a seated state in which the substrate is seated in only one arm in order to exchange the substrate in the process chamber where the substrate processing process has been completed, and the remaining arms are in a seated state in which the substrate is not seated. Make sure it is in a settled state.

만약, 도 3(a)에서와 같이, 기판 처리 공정이 완료된 제1 프로세스 챔버(11)의 공정 카운트가 세정 카운트와 동일하면, 도 3(b)에서와 같이, 미안착 상태의 암(22)은 기판 처리 공정이 완료된 기판을 반출시키고, 제1 프로세스 챔버(11)는 기판이 없는 상태에서 세정 공정이 수행된다. 허나, 도 3(c)에서와 같이, 제2 프로세스 챔버(12) 또는 제3 프로세스 챔버(13)에서 기판 처리 공정이 완료되더라도, 상부 암(21) 또는 하부 암(22)이 모두 기판이 안착된 안착 상태를 갖기 때문에 기판을 반출하지 못하고, 제1 프로세스 챔버(11)의 세정 공정이 완료될 때까지 대기할 수밖에 없게 된다. 즉, 반송 로봇의 대기시간 만큼의 테크 로스가 발생된다.If, as shown in FIG. 3(a), the process count of the first process chamber 11 in which the substrate processing process is completed is equal to the cleaning count, as shown in FIG. 3(b), the arm 22 in the unattached state The substrate on which the substrate treatment process has been completed is taken out, and a cleaning process is performed in the first process chamber 11 without a substrate. However, as shown in FIG. 3(c), even if the substrate processing process is completed in the second process chamber 12 or the third process chamber 13, the substrate is not seated in either the upper arm 21 or the lower arm 22. Because the substrate is in a settled state, the substrate cannot be unloaded and has no choice but to wait until the cleaning process of the first process chamber 11 is completed. In other words, a tech loss equal to the waiting time of the transfer robot occurs.

이러한, 세정 공정에 의한 테크 로스를 개선하기 위해, 본 발명의 플라즈마 처리 시스템은 제어부(400)를 통해 공정 카운트가 미리 설정된 세정 카운트 이상이 되는 프로세스 챔버를 대상으로 특정의 세정 조건을 이용하여 기판 이동 순서가 결정되도록 할 수 있다.In order to improve the tech loss caused by the cleaning process, the plasma processing system of the present invention moves the substrate using specific cleaning conditions to a process chamber where the process count is greater than the preset cleaning count through the control unit 400. The order can be determined.

도 4는 본 발명의 플라즈마 처리 시스템의 세정 공정 프로세스를 나타낸 도면이다.Figure 4 is a diagram showing a cleaning process of the plasma processing system of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 시스템은 프로세스 챔버(310) 중 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버를 대상으로, 제어부(400)에서 설정한 세정 조건과 비교하여 세정 공정 수행 여부를 판단한다. 즉, 공정 카운트가 세정 카운트 이상이 되는 프로세스 챔버 중 세정 조건을 만족한 프로세스 챔버부터 세정 공정이 수행될 수 있다.Referring to FIG. 4, the plasma processing system according to the present invention compares the process chamber that is the subject of the cleaning process among the process chambers 310 with the cleaning conditions set by the control unit 400 to determine whether to perform the cleaning process. . That is, the cleaning process may be performed from the process chambers that satisfy the cleaning conditions among the process chambers whose process count is greater than or equal to the cleaning count.

여기서, 세정 조건은 프로세스 챔버(310) 중 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버 외에, 기판 처리 공정이 수행되는 나머지 프로세스 챔버를 대상으로 하고, 나머지 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간이 모두 반송 로봇의 테크 타임 이상이 되는 조건일 수 있다. 즉, 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버의 공정 카운트가 세정 카운트 이상의 값을 갖더라도, 기판 처리 공정이 수행중인 나머지 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간을 고려하여 세정 공정 여부가 결정될 수 있다.Here, the cleaning conditions target the remaining process chambers in which the substrate processing process is performed in addition to the process chamber subject to the cleaning process among the process chambers 310, and the remaining process time in the remaining process chambers is all equal to or greater than the tech time of the transfer robot. This may be a condition. That is, even if the process count of the process chamber subject to the cleaning process has a value greater than or equal to the cleaning count, whether to perform the cleaning process may be determined by considering the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is being performed.

일예로, 제어부(400)는 기판 처리 공정이 수행중인 나머지 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간을 반송 로봇(210)의 테크 타임과 비교할 수 있다. 여기서, 테크 타임은 상부 암(211) 또는 하부 암(212) 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 상기 기판(1)이 안착되기 까지의 소요 시간일 수 있다.For example, the control unit 400 may compare the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is being performed with the tech time of the transfer robot 210 . Here, the tech time may be the time required for the new substrate 1 to be seated on an empty arm of the upper arm 211 or the lower arm 212.

따라서, 프로세스 챔버(310) 중 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 세정 카운트에 도달하면, 제어부(400)는 나머지 기판 처리 공정이 수행되는 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간을 테크 타임과 비교하고, 나머지 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간이 테크 타임보다 모두 크거나 같다고 판단하면 해당 프로세스 챔버는 세정 공정을 수행하도록 한다. 이때, 테크 타임의 마진을 고려하여, 테크 타임에 마진 시간을 가산한 시간이 적용될 수도 있다. 일예로, 실시예에 따라 테크 타임의 5% 내지 10%에 해당하는 시간이 테크 타임에 가산되어 적용될 수 있다.Accordingly, when the process chamber subject to the cleaning process among the process chambers 310 reaches the cleaning count, the control unit 400 compares the remaining process time of the process chamber in which the remaining substrate processing process is performed with the tech time, and If it is determined that the remaining process time is greater than or equal to the tech time, the process chamber is allowed to perform a cleaning process. At this time, considering the margin of the tech time, a time obtained by adding the margin time to the tech time may be applied. For example, depending on the embodiment, time corresponding to 5% to 10% of the tech time may be added to the tech time and applied.

이러한 본 발명의 세정 공정 프로세스를 이용하면, 세정 공정이 진행되는 프로세스 챔버의 세정 공정이 완료될 때까지 나머지 프로세스 챔버의 기판 처리 공정은 미완료 상태를 갖기 때문에 반송 로봇(210)의 대기시간을 감소시킬 수 있다.Using this cleaning process of the present invention, the waiting time of the transfer robot 210 can be reduced because the substrate processing process in the remaining process chambers remains unfinished until the cleaning process of the process chamber in which the cleaning process is performed is completed. You can.

일예로, 도 4의 도면에서와 같이, 플라즈마 처리 시스템이 3개의 프로세스 챔버(PC1,PC2,PC3)를 가질 때, 기판 처리 공정이 완료된 제1 프로세스 챔버(PC1)의 공정 카운트가 세정 카운트 이상이 되면, 제어부(400)는 세정 조건을 이용하여 세정 여부를 판단한다. 즉, 제2 프로세스 챔버(PC2)와 제3 프로세스 챔버(PC3)의 공정 잔여 시간이 모두 테크 타임보다 크거나 같으면, 제1 프로세스 챔버(PC1)는 세정 공정이 진행된다. 이때, 제1 프로세스 챔버(PC1)의 공정 카운트는 0으로 리셋된다.For example, as shown in FIG. 4, when the plasma processing system has three process chambers (PC1, PC2, and PC3), the process count of the first process chamber (PC1) in which the substrate processing process is completed is greater than or equal to the cleaning count. If so, the control unit 400 determines whether or not to clean using the cleaning conditions. That is, if the remaining process times of the second process chamber PC2 and the third process chamber PC3 are both greater than or equal to the tech time, the cleaning process is performed on the first process chamber PC1. At this time, the process count of the first process chamber PC1 is reset to 0.

반면, 제2 프로세스 챔버(PC2)와 제3 프로세스 챔버(PC3) 중 공정 잔여 시간이 어느 하나라도 테크 타임보다 작으면, 세정 공정은 진행되지 않고, 다시 기판 처리 공정이 수행된다. 이때, 제1 프로세스 챔버(PC1)의 공정 카운트는 0으로 리셋되지 않고, 세정 카운트와 동일한 횟수 즉, 공정 카운터의 최대값으로 입력되며, 나머지 제2 프로세스 챔버(PC2)와 제3 프로세스 챔버(PC3)의 공정 카운트 역시 제1 프로세스 챔버(PC1)와 동일한 카운트로 변경된다. 즉, 3개의 프로세스 챔버(PC1,PC2,PC3)는 모두 세정 카운트와 동일한 횟수로 변경되기 때문에 이후 3개의 프로세스 챔버(PC1,PC2,PC3)는 모두 세정 공정 대상이 될 수 있다.On the other hand, if the remaining process time in any one of the second process chamber (PC2) and the third process chamber (PC3) is less than the tech time, the cleaning process does not proceed and the substrate processing process is performed again. At this time, the process count of the first process chamber (PC1) is not reset to 0, but is input the same number of times as the cleaning count, that is, the maximum value of the process counter, and the remaining second process chamber (PC2) and third process chamber (PC3) )'s process count is also changed to the same count as that of the first process chamber (PC1). That is, since all three process chambers (PC1, PC2, and PC3) are changed the same number of times as the cleaning count, all three process chambers (PC1, PC2, and PC3) can be subject to the cleaning process thereafter.

일예로, 만약 나머지 프로세스 챔버(PC2,PC3)가 세정 카운트로 변경되지 않는다면, 세정 카운트 대상이 되는 제1 프로세스 챔버(PC1)는 나머지 두 개의 프로세스 챔버(PC2,PC3)가 세정 조건을 만족할 때까지 지속적으로 기판 처리 공정이 진행될 수 있다. 즉, 이러한 지속적인 기판 처리 공정에 의해 해당 프로세스 챔버(PC1)는 오염이 심각하게 발생될 수 있다. 따라서, 3개의 프로세스 챔버(PC1,PC2,PC3)를 모두 세정 카운트로 맞춰줌으로써 모든 프로세스 챔버(PC1,PC2,PC3)의 세정 공정 시기를 최대한 단축시킬 수 있다.For example, if the remaining process chambers (PC2, PC3) do not change to the cleaning count, the first process chamber (PC1) that is subject to the cleaning count continues until the remaining two process chambers (PC2, PC3) satisfy the cleaning conditions. The substrate processing process may proceed continuously. That is, the process chamber PC1 may be seriously contaminated due to this continuous substrate processing process. Therefore, by setting all three process chambers (PC1, PC2, and PC3) to the cleaning count, the cleaning process time for all process chambers (PC1, PC2, and PC3) can be shortened as much as possible.

이러한, 본 발명에 따른 세정 공정을 위한 프로세스는 도 5 및 도 6을 이용하여 상세히 설명한다.This process for the cleaning process according to the present invention will be described in detail using FIGS. 5 and 6.

도 5는 본 발명의 플라즈마 처리 시스템에 따른 기판의 이동 순서를 나타낸 도면이다.Figure 5 is a diagram showing the movement order of a substrate according to the plasma processing system of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 기판의 이동 순서에 따른 공정 카운트 변화를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing process count changes according to the movement order of the substrate shown in FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 3개의 프로세스 챔버(301,302,303)에 있어서, 제1 프로세스 챔버(301)부터 제3 프로세스 챔버(303)까지 기판 처리 공정이 순차적으로 진행되고, 각각의 프로세스 챔버는 기판 처리 공정이 완료되면 공정 카운트를 1회씩 증가시킬 수 있다. 이때, 세정 카운트는 6회라고 가정하고, 공정 카운트가 6회가 되는 프로세스 챔버부터 세정 조건을 이용하여 세정 공정 여부를 판단한다.5 and 6, in the three process chambers 301, 302, and 303, a substrate processing process is sequentially performed from the first process chamber 301 to the third process chamber 303, and each process chamber processes a substrate. When the treatment process is completed, the process count can be increased by one. At this time, it is assumed that the cleaning count is 6, and the cleaning process is determined using the cleaning conditions starting from the process chamber where the process count is 6.

우선, 테크 로스를 감소시키기 위해, 기판 공급부(100)의 제1 로드락 챔버(110) 및 제2 로드락 챔버(120)는 지속적으로 기판(1)이 채워지고, 3개의 프로세스 챔버(310,320,330) 역시 기판(1)이 공급되어 기판 처리 공정이 수행된다. 또한, 기판 반송부(200)의 상부 암(211)은 새로운 기판(1)이 안착된 안착 상태를 갖고, 하부 암(212)은 기판(1)이 미안착된 미안착 상태를 갖는다.First, in order to reduce tech loss, the first load lock chamber 110 and the second load lock chamber 120 of the substrate supply unit 100 are continuously filled with substrates 1, and three process chambers 310, 320, and 330 Again, the substrate 1 is supplied and a substrate processing process is performed. In addition, the upper arm 211 of the substrate transport unit 200 has a seated state in which the new substrate 1 is seated, and the lower arm 212 has a non-seated state in which the substrate 1 is not seated.

도 5(a)를 참조하면, 제1 프로세스 챔버(301)의 기판 처리 공정이 완료되면, 제어부(400)는 세정 조건을 이용하여 제1 프로세스 챔버(301)의 세정 공정 여부를 판단한다. 즉, 제2 프로세스 챔버(302)와 제3 프로세스 챔버(303)의 공정 잔여 시간이 설정된 테크 타임보다 작으면, 세정 공정은 진행되지 않고, 도 5(b)에서와 같이 제1 프로세스 챔버(301)의 1번째 기판은 하부 암(212)에 의해 기판 반송부(200)로 반출되고, 상부 암(211)에 의해 제1 프로세스 챔버(301)로 4번째 기판이 공급되어 기판 처리 공정이 수행된다. 이때, 도 6에서와 같이 제1 프로세스 챔버(301)은 공정 카운트가 6회로 변경되고, 나머지 프로세스 챔버도 모두 동일한 6회의 공정 카운트로 변경된다. 즉, 제2 프로세스 챔버(302) 및 제3 프로세스 챔버(303)도 세정 공정 대상이 된다.Referring to FIG. 5(a), when the substrate processing process of the first process chamber 301 is completed, the control unit 400 determines whether the first process chamber 301 will be cleaned using the cleaning conditions. That is, if the remaining process times of the second process chamber 302 and the third process chamber 303 are less than the set tech time, the cleaning process does not proceed, and the first process chamber 301 as shown in FIG. 5(b) ) The first substrate is transported to the substrate transport unit 200 by the lower arm 212, and the fourth substrate is supplied to the first process chamber 301 by the upper arm 211 to perform a substrate processing process. . At this time, as shown in FIG. 6, the process count of the first process chamber 301 is changed to 6, and the process count of all other process chambers is changed to the same 6. That is, the second process chamber 302 and the third process chamber 303 are also subject to the cleaning process.

도 5(c)를 참조하면, 미안착 상태를 갖는 상부 암(211)은 기판 공급부(100)에서 5번째 기판(1)을 안착시켜 안착 상태를 갖고, 하부 암(212)은 1번째 기판(1)을 기판 공급부(100)로 배출시켜 미안착 상태를 갖는다.Referring to FIG. 5(c), the upper arm 211 in an unseated state is in a seated state by seating the 5th substrate 1 from the substrate supply unit 100, and the lower arm 212 is in a seated state with the 1st substrate ( 1) is discharged to the substrate supply unit 100 and is in an unattached state.

이때, 제2 프로세스 챔버(302)의 기판 처리 공정이 완료되면, 제어부(400)는 세정 조건을 이용하여 제2 프로세스 챔버(302)의 세정 공정 여부를 판단한다. 제1 프로세스 챔버(301)과 제3 프로세스 챔버(303)의 공정 잔여 시간이 설정된 테크 타임보다 작으면, 세정 공정은 진행되지 않고, 도 5(d)에서와 같이 제2 프로세스 챔버(302)의 2번째 기판은 하부 암(212)을 통해 기판 반송부(200)로 반출되고, 상부 암(211)을 통해 제2 프로세스 챔버(302)로 5번째 기판이 공급되어 기판 처리 공정이 수행된다. 이때, 도 6에서와 같이 제2 프로세스 챔버(302)는 이미 6회의 공정 카운트가 설정됐기 때문에 공정 카운트는 7회로 변경된다.At this time, when the substrate processing process of the second process chamber 302 is completed, the control unit 400 determines whether the second process chamber 302 will be cleaned using the cleaning conditions. If the remaining process times of the first process chamber 301 and the third process chamber 303 are less than the set tech time, the cleaning process does not proceed, and the cleaning process of the second process chamber 302 as shown in FIG. 5(d) The second substrate is transported to the substrate transfer unit 200 through the lower arm 212, and the fifth substrate is supplied to the second process chamber 302 through the upper arm 211 to perform a substrate processing process. At this time, as shown in FIG. 6, since the second process chamber 302 has already set a process count of 6 times, the process count is changed to 7 times.

도 5(e)를 참조하면, 미안착 상태를 갖는 상부 암(211)은 기판 공급부(100)에서 6번째 기판(1)을 안착시켜 안착 상태를 갖고, 하부 암(212)은 2번째 기판(1)을 기판 공급부(100)로 배출시켜 미안착 상태를 갖는다.Referring to FIG. 5(e), the upper arm 211 in an unseated state is in a seated state by seating the 6th substrate 1 from the substrate supply unit 100, and the lower arm 212 is in a seated state with the 2nd substrate ( 1) is discharged to the substrate supply unit 100 and is in an unattached state.

이때, 제3 프로세스 챔버(303)의 기판 처리 공정이 완료되면, 제어부(400)는 세정 조건을 이용하여 제3 프로세스 챔버(303)의 세정 공정 여부를 판단한다. 제1 프로세스 챔버(301)과 제2 프로세스 챔버(302)의 공정 잔여 시간이 설정된 테크 타임보다 크거나 같으면, 도 5(f)에서와 같이 제3 프로세스 챔버(303)의 3번째 기판은 하부 암(212)에 의해 기판 반송부(200)로 반출되고, 제3 프로세스 챔버(303)은 세정 공정이 진행된다. 이때, 도 6에서와 같이 제3 프로세스 챔버(303)은 세정 공정을 수행하기 때문에 공정 카운트는 0으로 리셋된다.At this time, when the substrate processing process of the third process chamber 303 is completed, the control unit 400 determines whether the third process chamber 303 will be cleaned using the cleaning conditions. If the remaining process times of the first process chamber 301 and the second process chamber 302 are greater than or equal to the set tech time, the third substrate of the third process chamber 303 is moved to the lower arm as shown in FIG. 5(f). The substrate is transported to the substrate transfer unit 200 at 212, and a cleaning process is performed in the third process chamber 303. At this time, since the third process chamber 303 performs a cleaning process as shown in FIG. 6, the process count is reset to 0.

도 5(g) 및 도 5(h)를 참조하면, 제3 프로세스 챔버(303)에서 세정 공정이 완료되면, 제3 프로세스 챔버(303)은 상부 암(211)을 통해 6번째 기판이 공급되어 기판 처리 공정이 수행된다. 또한, 미안착 상태를 갖는 상부 암(211)을 이용하여 7번째 기판이 반입되고, 공정이 완료된 3번째 기판은 하부 암(212)을 통해 기판 공급부(100)로 반출된다.Referring to FIGS. 5(g) and 5(h), when the cleaning process is completed in the third process chamber 303, the sixth substrate is supplied to the third process chamber 303 through the upper arm 211. A substrate processing process is performed. Additionally, the 7th substrate is loaded using the upper arm 211 in an unseated state, and the 3rd substrate for which the process has been completed is delivered to the substrate supply unit 100 through the lower arm 212.

즉, 도 5(f),(g),(h)에서와 같이, 제3 프로세스 챔버(303)에서 세정 공정이 진행되는 동안 상부 암(211) 및 하부 암(212)은 모두 기판(1)이 안착된 안착 상태를 가지나, 제3 프로세스 챔버(303)의 세정 공정이 완료되기 전까지 제1 프로세스 챔버(301) 및 제2 프로세스 챔버(302)는 기판 처리 공정이 진행중이기 때문에 반송 로봇(210)이 프로세스 챔버에서 기판(1)을 반송하기 위한 대기시간을 요구하지 않는다. 따라서, 반송 로봇(210)의 대기시간을 감소시킬 수 있기 때문에 플라즈마 반송 시스템의 전체 반송 택트 타임을 감소시킬 수 있다.That is, as shown in FIGS. 5(f), (g), and (h), while the cleaning process is in progress in the third process chamber 303, both the upper arm 211 and the lower arm 212 are connected to the substrate 1. However, since the substrate processing process is in progress in the first process chamber 301 and the second process chamber 302 until the cleaning process of the third process chamber 303 is completed, the transfer robot 210 No waiting time is required for transporting the substrate 1 from this process chamber. Therefore, since the waiting time of the transfer robot 210 can be reduced, the overall transfer tact time of the plasma transfer system can be reduced.

이후, 제1 프로세스 챔버(301) 및 제2 프로세스 챔버(302)도 도 6에서와 같이 상술한 과정을 통해 순차적으로 세정 공정이 진행될 수 있다.Thereafter, the first process chamber 301 and the second process chamber 302 may be sequentially cleaned through the above-described process as shown in FIG. 6 .

도 7은 본 발명의 플라즈마 처리 시스템과 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 순서를 비교한 도면이다.Figure 7 is a diagram comparing the substrate processing sequence of the plasma processing system of the present invention and the conventional plasma processing system.

여기서, 도 7은 3개의 프로세스 챔버를 이용했을 경우, 기판 처리 순서를 비교한 것으로, 7(a)는 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 순서를 나타내고, 도 7(b)는 본 발명의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 순서를 나타낸다.Here, FIG. 7 compares the substrate processing sequence when three process chambers are used. 7(a) shows the substrate processing sequence of the conventional plasma processing system, and FIG. 7(b) shows the plasma processing of the present invention. Indicates the substrate processing sequence of the system.

도 7을 참조하면, 도 7(a)에서와 같이, 종래의 기판 처리 순서를 이용하여 기판을 처리했을 경우, 제1 프로세스 챔버(PC1)에서 세정 공정이 진행되는 동안, 제2 프로세스 챔버(PC2)와 제3 프로세스 챔버(PC3)에서 반송 로봇의 대기시간에 따른 로스가 발생되어 10매의 기판 처리가 수행되는 반면, 도 7(b)의 본 발명에 따른 기판 처리 순서를 이용하여 기판을 처리하면, 반송 로봇의 대기시간에 따른 로스가 발생되지 않기 때문에 12매의 기판이 처리되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 동일한 기판 처리 시간동안 본 발명의 플라즈마 처리 시스템이 종래의 플라즈마 처리 시스템에 비해 2매의 기판을 더 처리하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7, when the substrate is processed using the conventional substrate processing sequence as shown in FIG. 7(a), while the cleaning process is in progress in the first process chamber (PC1), the second process chamber (PC2) ) and in the third process chamber (PC3), loss occurred due to the waiting time of the transfer robot and processing of 10 substrates was performed, while the substrates were processed using the substrate processing sequence according to the present invention in FIG. 7(b) Then, it can be confirmed that 12 boards are processed because there is no loss due to the waiting time of the transfer robot. That is, it can be confirmed that the plasma processing system of the present invention processes two more substrates than the conventional plasma processing system during the same substrate processing time.

도 8은 도 7에 도시된 공정 순서에 따른 본 발명의 플라즈마 처리 시스템과 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 시간을 비교한 도면이다.FIG. 8 is a diagram comparing the substrate processing time of the plasma processing system of the present invention and the conventional plasma processing system according to the process sequence shown in FIG. 7.

여기서, 도 8은 3개의 프로세스 챔버에 대해 52매의 기판을 처리했을 때, 본 발명의 플라즈마 처리 시스템과 종래의 플라즈마 처리 시스템의 기판 처리 시간을 나타낸다.Here, FIG. 8 shows the substrate processing time of the plasma processing system of the present invention and the conventional plasma processing system when 52 substrates are processed in three process chambers.

도 8을 참조하면, 종래의 플라즈마 처리 시스템을 이용하여 52매의 기판을 처리할 경우, 1시간 51분 30초의 처리 시간을 갖는 반면, 본 발명에 다른 플라즈마 처리 시스템을 이용하여 52매의 기판을 처리할 경우, 1시간 48분 25초의 처리 시간을 갖는다. 즉, 본 발명의 플라즈마 처리 시스템이 종래의 플라즈마 처리 시스템에 비해 3분 5초의 기판 처리 시간이 절감되는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8, when processing 52 substrates using a conventional plasma processing system, the processing time is 1 hour, 51 minutes and 30 seconds, whereas when processing 52 substrates using a plasma processing system according to the present invention, the processing time is 1 hour, 51 minutes and 30 seconds. When processed, the processing time is 1 hour 48 minutes 25 seconds. That is, it can be confirmed that the plasma processing system of the present invention reduces the substrate processing time by 3 minutes and 5 seconds compared to the conventional plasma processing system.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법은 복수의 프로세스 챔버 중 세정 공정이 요구되는 프로세스 챔버를 나머지 기판 처리 공정이 진행되고 있는 프로세스 챔버와 세정 조건을 비교하여 세정 공정 여부를 판단함으로써 반송 로봇(210)의 대기시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 반송 로봇(210)의 대기시간을 감소시키는 누적 시간이 증가될수록 플라즈마 처리 시스템의 반송 택트 시간을 감소시킬 수 있기 때문에 기판 처리에 대한 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, the plasma processing system and its transport method according to the present invention compare the cleaning conditions of the process chamber requiring a cleaning process among a plurality of process chambers with the process chamber in which the remaining substrate processing process is in progress to determine whether the cleaning process is performed. By making the decision, the waiting time of the transfer robot 210 can be reduced. In addition, as the cumulative time for reducing the waiting time of the transfer robot 210 increases, the transfer tact time of the plasma processing system can be reduced, thereby improving productivity in substrate processing.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.Meanwhile, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely provided as specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that in addition to the embodiments disclosed herein, other modifications based on the technical idea of the present invention can be implemented.

100 : 기판 공급부 110 : 제1 로드락 챔버
120 : 제2 로드락 챔버 200 : 기판 반송부
210 : 반송 로봇 211 : 상부 암
212 : 하부 암 300 : 기판 처리부
310 : 제1 프로세스 챔버 320 : 제2 프로세스 챔버
330 : 제3 프로세스 챔버 400 : 제어부100: substrate supply unit 110: first load lock chamber
120: second load lock chamber 200: substrate transport unit
210: transfer robot 211: upper arm
212: lower arm 300: substrate processing unit
310: first process chamber 320: second process chamber
330: Third process chamber 400: Control unit

Claims (14)

반송 로봇을 이용하여 기판을 이동시키는 기판 반송부;
상기 기판 반송부의 일측에 배치되고, 상기 기판 반송부로 상기 기판을 공급하는 기판 공급부;
상기 기판 반송부의 타측에 배치되어 상기 기판 반송부로부터 상기 기판을 공급받고, 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정 또는 세정 공정이 이루어지는 복수의 프로세스 챔버를 포함하는 기판 처리부; 및
상기 기판 반송부, 상기 기판 공급부 및 상기 기판 처리부로 상기 기판이 순차적으로 이동되도록 제어하되, 상기 복수의 프로세스 챔버에서 수행되는 기판 처리 공정 또는 세정 공정 진행에 따라 상기 기판의 이동 순서를 결정하는 제어부를 포함하는 플라즈마 처리 시스템.A substrate transfer unit that moves the substrate using a transfer robot;
a substrate supply unit disposed on one side of the substrate transfer unit and supplying the substrate to the substrate transfer unit;
a substrate processing unit disposed on the other side of the substrate transport unit and including a plurality of process chambers that receive the substrate from the substrate transport unit and perform a substrate processing or cleaning process using plasma; and
A control unit that controls the substrate to be sequentially moved to the substrate transport unit, the substrate supply unit, and the substrate processing unit, and determines the order of movement of the substrate according to the progress of the substrate processing or cleaning process performed in the plurality of process chambers. A plasma processing system including: 제1항에 있어서, 상기 반송 로봇은,
상기 기판을 이동시키는 상부 암(arm); 및
상기 상부 암 하부에 배치되어 상기 기판을 이동시키는 하부 암을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.The method of claim 1, wherein the transport robot:
an upper arm that moves the substrate; and
A plasma processing system including a lower arm disposed below the upper arm to move the substrate. 제2항에 있어서,
상기 제어부는 각각의 상기 프로세스 챔버에서 상기 기판 처리 공정이 수행되는 횟수를 카운트하여 공정 카운트를 증가시키고, 상기 공정 카운트가 미리 설정된 세정 카운트 이상이 되는 상기 프로세스 챔버 중 세정 조건을 만족하는 상기 프로세스 챔버에 대해 세정 공정이 수행되도록 하는 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 2,
The control unit increases the process count by counting the number of times the substrate processing process is performed in each process chamber, and selects the process chamber that satisfies the cleaning condition among the process chambers in which the process count is greater than or equal to a preset cleaning count. A plasma treatment system that allows a cleaning process to be performed. 제3항에 있어서, 상기 세정 조건은,
상기 프로세스 챔버 중 세정 공정 대상이 되는 상기 프로세스 챔버를 제외하고, 상기 기판 처리 공정이 수행되는 나머지 상기 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간이 상기 반송 로봇의 테크 타임 이상이 되는 조건인 것인 플라즈마 처리 시스템.The method of claim 3, wherein the cleaning conditions are:
A plasma processing system wherein, excluding the process chamber subject to a cleaning process among the process chambers, the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is performed is equal to or greater than the tech time of the transport robot. 제4항에 있어서,
상기 반송 로봇의 테크 타임은 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 상기 기판이 안착되기 까지의 소요 시간인 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 4,
The tech time of the transfer robot is the time required for the new substrate to be placed on an empty arm of the upper arm or the lower arm. 제4항에 있어서,
상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 공정을 진행하고, 상기 공정 카운트는 0으로 리셋되는 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 4,
When the process chamber subject to the cleaning process satisfies the cleaning conditions, the process chamber subject to the cleaning process proceeds with the cleaning process, and the process count is reset to 0. 제4항에 있어서,
상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 조건을 만족할 때까지 추가로 상기 기판 처리 공정이 진행되는 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 4,
If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning conditions, the substrate processing process is further performed until the process chamber subject to the cleaning process satisfies the cleaning conditions. 제4항에 있어서,
상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 나머지 프로세스 챔버의 상기 공정 카운트는 모두 상기 세정 카운트로 변경되고, 상기 변경된 세정 카운트부터 카운트가 시작되는 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 4,
If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning conditions, the process count of all remaining process chambers is changed to the cleaning count, and counting starts from the changed cleaning count. 제4항에 있어서,
상기 세정 조건은 상기 복수의 프로세스 챔버 및 상기 기판 공급부에 상기 기판이 모두 공급되고, 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 어느 하나의 암에 상기 기판이 안착된 상태일 경우 적용되는 것인 플라즈마 처리 시스템.According to paragraph 4,
The cleaning conditions are applied when the substrate is supplied to both the plurality of process chambers and the substrate supply unit and the substrate is seated on either the upper arm or the lower arm. 기판 공급부로 공급된 기판을 제어부를 통해 기판 반송부의 반송 로봇을 이용하여 기판 처리부의 복수의 프로세스 챔버로 이송하고, 이송된 상기 기판을 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행하는 단계;
상기 기판 처리 공정이 수행된 횟수인 공정 카운트와 미리 정해진 세정 카운트를 비교하는 단계;
상기 복수의 프로세스 챔버 중 상기 공정 카운트가 상기 세정 카운트 이상이 되는 프로세스 챔버를 대상으로, 상기 제어부에서 설정된 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계; 및
상기 세정 조건을 만족하는 상기 프로세스 챔버에 대해 상기 세정 공정을 수행하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법.Transferring the substrate supplied to the substrate supply unit to a plurality of process chambers of the substrate processing unit using a transfer robot of the substrate transfer unit through the control unit, and performing a substrate processing process on the transferred substrate using plasma;
Comparing a process count, which is the number of times the substrate processing process has been performed, with a predetermined cleaning count;
determining whether a process chamber whose process count is greater than or equal to the cleaning count among the plurality of process chambers satisfies a cleaning condition set by the control unit; and
A method of transporting a plasma processing system comprising performing the cleaning process on the process chamber that satisfies the cleaning conditions. 제10항에 있어서,
상기 반송 로봇은,
상기 기판을 이동시키는 상부 암(arm); 및
상기 상부 암 하부에 배치되어 상기 기판을 이동시키는 하부 암을 포함하고,
상기 반송 로봇은 상기 상부 암 또는 상기 하부 암 중 비어있는 어느 하나의 암에 새로운 상기 기판이 안착되기 까지의 소요 시간인 테크 타임(Tack time)을 갖는 것인 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법.According to clause 10,
The transfer robot is,
an upper arm that moves the substrate; and
It includes a lower arm disposed below the upper arm to move the substrate,
The transfer robot has a tack time, which is the time required for the new substrate to be placed on an empty arm of the upper arm or the lower arm. 제11항에 있어서, 상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는,
상기 프로세스 챔버 중 세정 공정 대상이 되는 상기 프로세스 챔버를 제외하고, 상기 기판 처리 공정이 수행되는 나머지 상기 프로세스 챔버의 공정 잔여 시간과 상기 반송 로봇의 테크 타임을 비교하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법.The method of claim 11, wherein the step of determining whether the cleaning conditions are satisfied is:
Transfer of a plasma processing system comprising the step of comparing the remaining process time of the remaining process chambers in which the substrate processing process is performed, excluding the process chamber subject to the cleaning process among the process chambers, with the tech time of the transfer robot. method. 제12항에 있어서, 상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는,
상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버는 상기 세정 조건을 만족할 때까지 추가로 상기 기판 처리 공정이 진행되는 단계를 더 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법.The method of claim 12, wherein the step of determining whether the cleaning conditions are satisfied is:
If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning conditions, the plasma processing system further includes performing the substrate processing process until the process chamber subject to the cleaning process satisfies the cleaning conditions. return method. 제12항에 있어서, 상기 세정 조건을 만족하는지 여부를 판단하는 단계는,
상기 세정 공정 대상이 되는 프로세스 챔버가 상기 세정 조건을 만족하지 못하면, 나머지 프로세스 챔버의 상기 공정 카운트는 모두 상기 세정 카운트로 변경되고, 상기 변경된 세정 카운트부터 카운트가 시작되는 단계를 더 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 반송 방법.The method of claim 12, wherein the step of determining whether the cleaning conditions are satisfied is:
If the process chamber subject to the cleaning process does not satisfy the cleaning condition, the process count of all remaining process chambers is changed to the cleaning count, and counting starts from the changed cleaning count. return method.