KR20240069447A - Apparatus for processing plasma - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 상기 장치는, 플라즈마 프로세싱 챔버; 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배치되는 하우징 커버(housing cover); 상기 하우징 커버의 상부 중앙에 위치하는 구동 모터; 상기 하우징 커버의 하부 중앙에 배치되는 중앙 축; 상기 중앙 축과 수평되는 위치에, 상기 중앙 축으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 축과 제2 축; 상기 중앙 축과 상기 제1 축을 연결하는 제1 로테이션 샤프트; 상기 중앙 축과 상기 제2 축을 연결하는 제2 로테이션 샤프트; 상기 하우징 커버보다 낮은 수준의 레벨에서 상기 하우징 커버와 평행하게위치하며, 상기 제1 축 및 상기 제2 축과 수직으로 연결되는 무빙 플레이트; 상기 무빙 플레이트보다 낮은 수준의 레벨에서, 상기 무빙 플레이트와 중첩되지 않는 외측 방향으로 상기 무빙 플레이트의 중심으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 자석 지지 부재와 제2 자석 지지 부재; 상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제1 자석 지지 부재를 연결하는 제1 지지체; 및 상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제2 자석 지지 부재를 연결하는 제2 지지체; 를 포함하고, 상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재에 각각 부착된 제1 마그넷과 제2 마그넷에 의해 자기장의 방향 및 밀도가 제어되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치에 해당한다.The present invention provides a plasma processing device. The device includes a plasma processing chamber; a housing cover disposed within the plasma processing chamber; a drive motor located at the upper center of the housing cover; a central axis disposed at the lower center of the housing cover; a first axis and a second axis positioned horizontally with the central axis and spaced equally apart from the central axis; a first rotation shaft connecting the central axis and the first axis; a second rotation shaft connecting the central axis and the second axis; a moving plate positioned parallel to the housing cover at a level lower than the housing cover and connected perpendicularly to the first axis and the second axis; At a level lower than the moving plate, a first magnet support member and a second magnet support member are positioned at equal intervals from the center of the moving plate in an outward direction that does not overlap the moving plate; a first support body supporting the housing cover and connecting the housing cover and the first magnet support member; and a second support member supporting the housing cover and connecting the housing cover and the second magnet support member. It corresponds to a plasma processing device, wherein the direction and density of the magnetic field are controlled by a first magnet and a second magnet attached to the first magnet support member and the second magnet support member, respectively.

Description

플라즈마 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING PLASMA}Plasma processing device {APPARATUS FOR PROCESSING PLASMA}

본 발명의 기술적 사상은 플라즈마를 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명의 기술적 사상은 기판을 처리하기 위한 프로세싱 시스템의 플라즈마 속성을 제어하기 위한 장치에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to a device for processing plasma. More specifically, the technical idea of the present invention relates to an apparatus for controlling plasma properties of a processing system for processing a substrate.

패터닝 구조체를 달성하는 것 또는 기판으로부터 제거되거나 기판 상에 퇴적되는 물질의 양을 제어하는 것을 달성하기 위해 반도체 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 중의 플라즈마 균일성 제어가 중요하다. 프로세스 퍼포먼스의 일 양태는 기판에 걸쳐 플라즈마 처리의 균일성을 결정할 수 있는 기판에 걸친 플라즈마 밀도에 관련될 수 있다. 몇가지 예에서, 기판의 엣지에서 또는 근방의 플라즈마 밀도는 기판의 내부 영역에서보다 더 높은 레이트(rate)로 변화될 수 있다, 기판에 인접할 수 있는 포커스 링 또는 챔버 월(chamber wall)의 영향으로 인해 플라즈마 밀도가 변화될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 챔버 안의 내부 부분과 외부 부분 사이의 포텐셜 차이로 인해, 주변 컴포넌트(예컨대, 챔버 월, 포커스 링)로 플라즈마 이온이 견인되거나(attracted) 손실될(lost) 수 있다. 따라서, 기판의 엣지에서의 플라즈마 밀도의 변경을 최소화하기 위해 포텐셜 차이를 제어하거나 변화시킬 수 있는 시스템 및 방법이 요구될 수 있다.Plasma uniformity control during plasma processing for processing semiconductor substrates is important to achieve patterning structures or to control the amount of material removed from or deposited on the substrate. One aspect of process performance can be related to plasma density across the substrate, which can determine the uniformity of plasma treatment across the substrate. In some examples, the plasma density at or near the edge of the substrate may vary at a higher rate than in interior regions of the substrate, due to the influence of a focus ring or chamber wall that may be adjacent to the substrate. This may cause the plasma density to change. For example, potential differences between the inner and outer portions within the plasma chamber can cause plasma ions to be attracted or lost to surrounding components (eg, chamber walls, focus ring). Accordingly, there may be a need for a system and method that can control or vary the potential difference to minimize changes in plasma density at the edge of the substrate.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 마그넷을 이용하여 영구자석의 거리를 조정하고, 그 결과 자기장의 밀도를 변화시켜 플라즈마의 밀도를 위치적으로 제어하는 것이다.The problem to be solved by the technical idea of the present invention is to control the density of plasma by adjusting the distance of the permanent magnet using a magnet and, as a result, changing the density of the magnetic field to positionally control the density of the plasma.

또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.In addition, the problems to be solved by the technical idea of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은, 플라즈마 프로세싱 챔버; 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배치되는 하우징 커버(housing cover); 상기 하우징 커버의 상부 중앙에 위치하는 구동 모터; 상기 하우징 커버의 하부 중앙에 배치되는 중앙 축; 상기 중앙 축과 수평되는 위치에, 상기 중앙 축으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 축과 제2 축; 상기 중앙 축과 상기 제1 축을 연결하는 제1 로테이션 샤프트; 상기 중앙 축과 상기 제2 축을 연결하는 제2 로테이션 샤프트; 상기 하우징 커버보다 낮은 수준의 레벨에서 상기 하우징 커버와 평행하게위치하며, 상기 제1 축 및 상기 제2 축과 수직으로 연결되는 무빙 플레이트; 상기 무빙 플레이트보다 낮은 수준의 레벨에서, 상기 무빙 플레이트와 중첩되지 않는 외측 방향으로 상기 무빙 플레이트의 중심으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 자석 지지 부재와 제2 자석 지지 부재; 상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제1 자석 지지 부재를 연결하는 제1 지지체; 및 상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제2 자석 지지 부재를 연결하는 제2 지지체; 를 포함하고, 상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재에 각각 부착된 제1 마그넷과 제2 마그넷에 의해 자기장의 방향 및 밀도가 제어되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치를 제공한다.In order to solve the above-described problems, the technical idea of the present invention is to include: a plasma processing chamber; a housing cover disposed within the plasma processing chamber; a drive motor located at the upper center of the housing cover; a central axis disposed at the lower center of the housing cover; a first axis and a second axis positioned horizontally with the central axis and spaced equally apart from the central axis; a first rotation shaft connecting the central axis and the first axis; a second rotation shaft connecting the central axis and the second axis; a moving plate positioned parallel to the housing cover at a level lower than the housing cover and connected perpendicularly to the first axis and the second axis; At a level lower than the moving plate, a first magnet support member and a second magnet support member are positioned at equal intervals from the center of the moving plate in an outward direction that does not overlap the moving plate; a first support body supporting the housing cover and connecting the housing cover and the first magnet support member; and a second support member supporting the housing cover and connecting the housing cover and the second magnet support member. It provides a plasma processing device, wherein the direction and density of the magnetic field are controlled by a first magnet and a second magnet attached to the first magnet support member and the second magnet support member, respectively.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 자석 지지 부재와 상기 제2 자석 지지 부재는 거울 대칭적으로 구동하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, a plasma processing device is provided, wherein the first magnetic support member and the second magnetic support member are driven mirror symmetrically.

일 실시예에 따르면, 상기 무빙 플레이트는, 상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재에 의해 연직 방향으로 상하 이동하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the moving plate moves up and down in the vertical direction by the first magnet support member and the second magnet support member.

일 실시예에 따르면, 상기 하우징 커버는, 하부에 차폐 소재가 장착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the housing cover provides a plasma processing device, wherein a shielding material is mounted on the lower portion.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재는, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the first magnet support member and the second magnet support member provide a plasma processing device, wherein the first magnet and the second magnet rotate clockwise or counterclockwise. do.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 자석 지지 부재는 상기 제1 지지체와 컨트롤 노브로 연결되어 있고, 상기 제2 자석 지지 부재는 상기 제2 지지체와 또 다른 컨트롤 노브로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the first magnetic support member is connected to the first support body and a control knob, and the second magnetic support member is connected to the second support body and another control knob. A processing device is provided.

일 실시예에 따르면, 상기 무빙 플레이트는, 상기 무빙 플레이트 내부에 공기의 출입이 가능하도록 하는 그루브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the moving plate provides a plasma processing device characterized in that it is provided with a groove that allows air to enter and exit the inside of the moving plate.

일 실시예에 따르면, 상기 중앙 축은, 내부에 센서 모듈을 구비하고 있고, 상기 센서 모듈은, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내부의 온도를 감지하여, 상기 그루브에 공기 주입 공정을 진행할 것인지 판단하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, the central axis has a sensor module therein, and the sensor module detects the temperature inside the plasma processing chamber and determines whether to proceed with an air injection process into the groove. , provides a plasma processing device.

일 실시예에 따르면, 상기 무빙 플레이트는, 영구자석 또는 전자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.According to one embodiment, a plasma processing device is provided wherein the moving plate is made of a permanent magnet or an electromagnet.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은, 하우징 커버; 상기 하우징 커버 상의 구동 모터; 상기 하우징 커버보다 낮은 수준의 레벨에서 제1 마그넷 및 제2 마그넷에 의해 움직이는 무빙 플레이트; 상기 제1 마그넷과 연결되는 제1 자석 지지 부재; 및 상기 제2 마그넷과 연결되는 제2 자석 지지 부재; 를 포함하고, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷이 회전함에 따라 변화된 자속 형태에 의해 자기장의 밀도가 조절되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치를 제공한다.In order to solve the above-described problem, the technical idea of the present invention is to include: a housing cover; a drive motor on the housing cover; a moving plate moved by a first magnet and a second magnet at a level lower than the housing cover; a first magnet support member connected to the first magnet; and a second magnet support member connected to the second magnet. It provides a plasma processing device, wherein the density of the magnetic field is adjusted by the shape of the magnetic flux that changes as the first magnet and the second magnet rotate.

본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치는, 무빙 플레이트 하부에 위치한 마그넷을 이용하여 영구자석의 거리를 조정하고, 그 결과 자기장의 밀도를 변화시켜 플라즈마의 밀도를 위치적으로 제어할 수 있다.The plasma processing device according to the technical idea of the present invention can control the density of plasma by adjusting the distance of the permanent magnet using a magnet located below the moving plate and changing the density of the magnetic field as a result.

또한, 본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치는, 챔버 내부가 과도하게 가열되어 영구자석이 손상을 입는 상황이 발생하는 것을 최소화하기 위해, 챔버의 모터 내부에 온도를 감지하는 센서 모듈과 무빙 플레이트에 공기가 주입될 수 있는 그루브를 추가적으로 구성하여 챔버의 수명 개선 효과를 가져올 수 있다.In addition, the plasma processing device according to the technical idea of the present invention includes a sensor module that detects temperature inside the motor of the chamber and a moving plate to minimize situations in which the interior of the chamber is excessively heated and the permanent magnet is damaged. By additionally forming a groove through which air can be injected, the lifespan of the chamber can be improved.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은, 본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치의 사시도를 개략적으로 나타낸 그림이다.
도 2는, 도 1에서 예시한 실시예의 개략적인 실시 형태를 나타내기 위해 상기 도 1의 플라즈마 처리 장치 내부를 그린 그림에 해당한다.
도 3a 및 도 3b는, 무빙 플레이트가 연직 방향으로 상하 이동하는 원리를 나타내기 위한 그림이다.
도 4a, 도 4b, 및 도 4c는 마그넷이 움직임에 따라 무빙 플레이트 하부의 자력선 분포가 변화하는 것을 도시한 그림이다.
도 5a 및 도 5b는 자석 지지 부재와 마그넷이 회전하는 모습을 보여주기 위한 그림이다.
도 6는 도 5a 및 도 5b의 자석 지지 부재의 회전에 의한 무빙 플레이트의 높낮이 변화를 나타내는 그림이다.
도 7은 그루브를 통해 공기가 내부에 주입되는 과정을 나타내는 무빙 플레이트의 단면도이다.Figure 1 is a diagram schematically showing a perspective view of a plasma processing device according to the technical idea of the present invention.
FIG. 2 corresponds to a drawing of the inside of the plasma processing apparatus of FIG. 1 to illustrate a schematic embodiment of the embodiment illustrated in FIG. 1 .
FIGS. 3A and 3B are illustrations showing the principle of moving the moving plate up and down in the vertical direction.
FIGS. 4A, 4B, and 4C are illustrations showing changes in the distribution of magnetic force lines at the bottom of the moving plate as the magnet moves.
Figures 5a and 5b are illustrations showing the rotation of the magnet support member and the magnet.
FIG. 6 is a diagram showing the change in height of the moving plate due to rotation of the magnetic support member of FIGS. 5A and 5B.
Figure 7 is a cross-sectional view of the moving plate showing the process of air being injected into the interior through the groove.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are only provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as generally accepted by the general art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted as having the same meaning as they have in the related art and/or text of the present application, and should not be conceptualized or interpreted in an overly formal manner even if expressions are not clearly defined herein. won't

먼저, 플라즈마에 대해 간단하게 설명하면, 플라즈마란 이온, 전자, 및 다양한 중성종들로 이루어진 부분적으로 이온화된 가스를 말하며, RF(Radio Frequency) 전기장을 저전압에서 가스에 인가함으로써 발생된다. 플라즈마에 외부로부터 정자장(static magnetic field)을 인가하면 이를 상쇄시키기 위하여 플라즈마 속의 하전된 입자들, 예컨대 전자 및 이온들이 회전운동을 하게 되는데, 이때의 회전반경을 라모(Lamor) 반경이라 한다. 이는 플라즈마가 반자성체(diamagnetic material)이기 때문에 생기는 현상이며, 라모 반경을 수학식으로 표현하면 하기 식(1)과 같다.First, to briefly explain plasma, plasma refers to a partially ionized gas composed of ions, electrons, and various neutral species, and is generated by applying an RF (Radio Frequency) electric field to the gas at a low voltage. When a static magnetic field is applied to the plasma from the outside, charged particles in the plasma, such as electrons and ions, rotate in order to cancel this out. The radius of rotation at this time is called the Lamor radius. This is a phenomenon that occurs because plasma is a diamagnetic material, and the Larmor radius can be expressed mathematically as equation (1) below.

............식(1) ............Equation (1)

여기서, r은 라모 반경을 나타내고, m은 충전된 입자의 직경을, V_h는 자장과 수직방향의 충전된 입자의 속도를, 그리고 B는 자기장의 세기를 나타낸다.Here, r represents the Larmor radius, m represents the diameter of the charged particle, V _h represents the velocity of the charged particle in the direction perpendicular to the magnetic field, and B represents the strength of the magnetic field.

플라즈마를 발생하는 시스템의 크기, 예컨대 반응 챔버의 반경이나 전극 간의 간격에 비해 상기 라모 반경이 작을 경우 충전된 입자는 인가된 자기장을 따라 한정되는데, 전자의 경우는 이온보다 가벼우므로 시스템의 크기보다 훨씬 작은 라모 반경을 갖게 되어 자기장의 영향을 받는다.If the Larmor radius is small compared to the size of the system generating the plasma, for example, the radius of the reaction chamber or the gap between electrodes, the charged particles are limited along the applied magnetic field. In the case of electrons, they are lighter than ions, so they are much larger than the size of the system. It has a small Larmor radius and is affected by magnetic fields.

플라즈마에 정자장을 인가하는 가장 대표적인 방법은 전자석 코일(electromagnetic coil)에 직류(DC) 전원을 인가하여 전류와 수직 방향의 자기장을 발생시키는 방법이다. 이 때 발생되는 자기장은 암페어의 회로법칙 또는 비오-사바르의 법칙을 참조하면 전류의 크기 및 전류원으로부터의 거리의 함수가 된다.The most representative method of applying a static field to plasma is to apply direct current (DC) power to an electromagnetic coil to generate a magnetic field perpendicular to the current. The magnetic field generated at this time becomes a function of the magnitude of the current and the distance from the current source, referring to Ampere's circuit law or Biot-Savart's law.

이와 같이 자기장은 플라즈마 파라미터를 제어하는 가장 중요한 물리 요소 중의 하나이다. 특히, 자기 증대 반응성 이온 식각(Magnetically enhanced reactive ion etching; MERIE) 장치에 있어서, 자기장은 공정 압력을 감소시키고 이온화 정도를 증가시키며 이온 에너지를 감소시키는 등 플라즈마의 특성을 개선시킨다. 또한, 자기장은 헬리콘파 플라즈마 및 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance; ECR) 플라즈마를 발생시키는 필수적인 요소 중의 하나이다.As such, the magnetic field is one of the most important physical factors that control plasma parameters. In particular, in a magnetically enhanced reactive ion etching (MERIE) device, the magnetic field improves the characteristics of the plasma by reducing process pressure, increasing the degree of ionization, and reducing ion energy. Additionally, the magnetic field is one of the essential elements for generating helicon wave plasma and electron cyclotron resonance (ECR) plasma.

이 때, 자기장의 세기가 약한 경우, 유도 결합에 의한 플라즈마 형성이 강하게 되어 플라즈마의 가장자리의 밀도가 높아지게 된다. 반면에, 자기장의 세기가 강한 경우에는, 헬리콘파에 의한 플라즈마 형성이 강하게 된다. 따라서, 자기장의 강도를 조절하여 유도 결합 플라즈마 또는 헬리콘 플라즈마 중의 어느 하나를 강조함으로써 플라즈마 밀도의 공간적인 분포를 조절할 수 있다.At this time, when the strength of the magnetic field is weak, the formation of plasma by inductive coupling becomes stronger and the density of the edges of the plasma increases. On the other hand, when the strength of the magnetic field is strong, plasma formation by helicon waves becomes strong. Therefore, the spatial distribution of plasma density can be controlled by adjusting the strength of the magnetic field to emphasize either the inductively coupled plasma or the helicon plasma.

플라즈마 처리 장치는, 가스 전달 시스템을 통해 전달되는 가스를 이온화하기 위해 전자기 에너지를 방출할 수 있는 하나 이상의 플라즈마 소스를 포함할 수 있다. 기판에 걸친 플라즈마 밀도는 플라즈마 소스, 챔버 월, 기판, 및/또는 기판에 인접한 다른 컴포넌트들 사이에서의 포텐셜 차이에 의해 영향을 받을 수 있다. 충전 입자(charged particle)가 기판에 도달하는 것을 차단하는 포텐셜 소스(예컨대, 챔버 월)로 충전 입자가 견인되게 될 수 있다. 챔버 월로의 충전 입자의 손실(loss)은 기판 프로세싱 비균일성을 유도할 수 있는 플라즈마 밀도 비균일성을 초래할 수 있다.A plasma processing device may include one or more plasma sources capable of emitting electromagnetic energy to ionize gas delivered through a gas delivery system. The plasma density across the substrate can be affected by potential differences between the plasma source, chamber wall, substrate, and/or other components adjacent to the substrate. Charged particles may be pulled to a potential source (eg, chamber wall) that blocks the charged particles from reaching the substrate. Loss of charge particles to the chamber walls can result in plasma density non-uniformities that can lead to substrate processing non-uniformities.

충전 입자(예컨대, 이온) 손실을 최소화하는 한가지 방법은 기판의 엣지에서의 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있는 방식으로 기판의 엣지에 가까운 경계 포텐셜을 변경하는 것이 될 수 있다.One way to minimize charge particle (e.g., ion) loss could be to change the boundary potential near the edge of the substrate in a way that can increase the plasma density at the edge of the substrate.

플라즈마 처리 장치에 걸친 플라즈마 밀도는 기판의 플라즈마 처리의 균일성에 영향을 줄 수 있다. 플라즈마 밀도는 플라즈마 처리 장치 내의 볼륨 내에서의 이온 분자 밀도가 될 수 있다. 기판에 걸쳐 플라즈마 밀도가 변화될 때 플라즈마 프로세싱 균일성이 영향을 받을 수 있고, 기판의 중심에서의 더 높은 플라즈마 밀도가 기판의 엣지에서 에치 레이트(etch rate)보다 더 높은 에치 레이트를 초래할 수 있다. 일반적으로, 이 프로세스 비균일성은 챔버 월에 대한 이온 손실의 결과가 될 수 있다.Plasma density across a plasma processing device can affect the uniformity of plasma treatment of a substrate. The plasma density can be the density of ion molecules within a volume within the plasma processing device. Plasma processing uniformity can be affected when plasma density varies across the substrate, with higher plasma density at the center of the substrate resulting in a higher etch rate than the etch rate at the edges of the substrate. Typically, this process non-uniformity can be the result of ion loss to the chamber walls.

비균일성을 해결하기 위한 한 가지 방법은, 기판에 걸친 플라즈마 밀도 균일성을 균등하게 유지하기 위해 자기장의 밀도를 제어하는 것이 될 수 있다. 이에, 이하에서 자기장의 밀도를 제어하는 구동 시스템을 갖춘 플라즈마 처리 장치의 실시예들에 대해 서술한다.One way to address the non-uniformity could be to control the density of the magnetic field to maintain uniform plasma density uniformity across the substrate. Accordingly, hereinafter, embodiments of a plasma processing device equipped with a driving system that controls the density of the magnetic field will be described.

도 1 및 도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치(1)의 개략적인 실시 형태를 나타내는 예시이다. 상기 도 1을 참조하면, 플라즈마 프로세싱 챔버(10)는, 상부에 하우징 커버(100)와, 하우징 커버(100) 하부에 부착된 차폐 소재층(170), 하우징 커버(100)의 상부 중앙에 위치하는 구동 모터(110), 하우징 커버(100)의 하부 중앙에 배치되는 중앙 축(120), 중앙 축(120)과 수평되는 위치에 중앙 축(120)으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 축(121) 및 제2 축(122), 중앙 축(120)과 제1 축(121)을 연결하는 제1 로테이션 샤프트(131), 중앙 축(120)과 제2 축(122)을 연결하는 제2 로테이션 샤프트(132), 하우징 커버(100)보다 낮은 수준의 레벨에서 하우징 커버(100)와 평행하게 위치하며, 제1 축(121) 및 제2 축(122)과 수직으로 연결되는 무빙 플레이트(140), 무빙 플레이트(140)보다 낮은 수준의 레벨에서 무빙 플레이트(140)와 중첩되지 않는 외측 방향으로 무빙 플레이트(140)의 중심으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 'ㄱ' 형태의 제1 자석 지지 부재(151)와, 상기 제1 자석 지지 부재(151)의 거울 대칭 형태로 존재하는 제2 자석 지지 부재(152), 하우징 커버(100)를 지지하며 하우징 커버(100)와 제1 자석 지지 부재(151)를 연결하는 제1 지지체(161), 하우징 커버(100)를 지지하며 하우징 커버(100)와 제2 자석 지지 부재(152)를 연결하는 제2 지지체(162)를 포함한다. B_z는 자기장의 수직 컴포넌트를 의미한다. B_h는 자기장의 수평 컴포넌트를 의미한다.1 and 2 are examples showing a schematic embodiment of a plasma processing device 1 according to the technical idea of the present invention. Referring to FIG. 1, the plasma processing chamber 10 has a housing cover 100 at the top, a shielding material layer 170 attached to the lower part of the housing cover 100, and is located in the upper center of the housing cover 100. a driving motor 110, a central axis 120 disposed at the lower center of the housing cover 100, and a first axis located at a horizontal position with the central axis 120 and spaced apart from the central axis 120 at equal intervals. (121) and the second axis 122, a first rotation shaft 131 connecting the central axis 120 and the first axis 121, and a first rotation shaft connecting the central axis 120 and the second axis 122. 2 Rotation shaft 132, located parallel to the housing cover 100 at a level lower than the housing cover 100, and a moving plate ( 140), a first magnet support in the shape of 'L' positioned at equal intervals from the center of the moving plate 140 in an outward direction that does not overlap the moving plate 140 at a level lower than the moving plate 140 A member 151, a second magnet support member 152 that exists in a mirror symmetrical form of the first magnet support member 151, supports the housing cover 100, and includes the housing cover 100 and the first magnet support member. It includes a first support body 161 connecting the 151, a second support body 162 supporting the housing cover 100 and connecting the housing cover 100 and the second magnet support member 152. B _z refers to the vertical component of the magnetic field. B _h refers to the horizontal component of the magnetic field.

본 발명의 기술적 사상에 의한 상기 플라즈마 처리 장치(1)는, 제1 자석 지지 부재(151) 및 제2 자석 지지 부재(152)에 각각 부착된 제1 마그넷(180a)과 제2 마그넷(180b)을 움직여 무빙 플레이트(140)의 높낮이를 조절하며 자기장의 밀도를 변화시켜 플라즈마의 밀도를 위치적으로 제어할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 자기장의 수직 컴포넌트(B_z)와 수평 컴포넌트(B_h)의 크기 및 방향을 모두 조절할 수 있다.The plasma processing device 1 according to the technical idea of the present invention includes a first magnet 180a and a second magnet 180b attached to the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152, respectively. By moving to adjust the height of the moving plate 140 and changing the density of the magnetic field, the density of the plasma can be controlled positionally. According to the technical idea of the present invention, both the size and direction of the vertical component (B _z ) and the horizontal component (B _h ) of the magnetic field can be adjusted.

하우징 커버(100)는 플라즈마 프로세싱 챔버(10) 내부에서 가장 위에 존재하는 플레이트로, 메탈 소재를 그 재료로 사용할 수 있다.The housing cover 100 is a plate located at the top inside the plasma processing chamber 10, and can be made of metal.

하우징 커버(100)의 밑면에는 차폐 소재층(170)이 부착된다. 하우징 커버(100) 상부 중앙에 배치되며 자석 지지 부재(151, 152)에 구동력을 제공하는 구동 모터(110)는 코일로 움직이는 전자석과 유사한 기능을 한다. 따라서 하우징 커버(100) 밑면에 차폐 소재층(170)을 장착하지 않으면 상기 구동 모터(110)에 과부하가 걸릴 수 있기 때문에, 차폐 소재층(170)을 하우징 커버(100) 하부에 부착하여 과부하 현상을 방지할 수 있다. 이 때 차폐 소재층(170)은 여러 겹 부착할 수 있다. 차폐 소재층(170)의 소재로는 퍼멀로이(permalloy)가 사용될 수 있다. 차폐 소재층(170)의 재료로는 니켈의 함량을 80% 내지 90%까지 상승시킨 슈퍼멀로이(supermalloy)가 사용될 수 있다.A shielding material layer 170 is attached to the bottom of the housing cover 100. The drive motor 110, which is disposed at the upper center of the housing cover 100 and provides driving force to the magnet support members 151 and 152, functions similarly to an electromagnet moving in a coil. Therefore, if the shielding material layer 170 is not mounted on the bottom of the housing cover 100, the drive motor 110 may be overloaded, so the shielding material layer 170 is attached to the bottom of the housing cover 100 to prevent the overload phenomenon. can be prevented. At this time, the shielding material layer 170 can be attached in multiple layers. Permalloy may be used as a material for the shielding material layer 170. Supermalloy with the nickel content increased to 80% to 90% may be used as a material for the shielding material layer 170.

무빙 플레이트(140)의 재료로는 영구자석을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 전자석을 사용할 수도 있다. 무빙 플레이트(140)에 전자석을 사용하더라도 영구자석을 사용하는 것과 같은 방식으로 자기장을 제어할 수 있다.A permanent magnet can be used as a material for the moving plate 140, but it is not limited to this and an electromagnet can also be used. Even if an electromagnet is used in the moving plate 140, the magnetic field can be controlled in the same way as using a permanent magnet.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 무빙 플레이트(140)가 제1 자석 지지 부재(151) 및 제2 자석 지지 부재(152)에 의해 연직 방향으로 상하 이동하는 원리를 이해할 수 있다. 상기 과정에서 제1 자석 지지 부재(151)와 제2 자석 지지 부재(152)는 동시에 움직이며, 서로 거울 대칭적으로 구동할 수 있다. 제1 자석 지지 부재(151)는 시계 방향으로, 제2 자석 지지 부재(152)는 반시계 방향으로 회전하면 무빙 플레이트(140)는 하우징 커버(100) 방향으로 연직 이동할 수 있으며, 이는 도 3a를 참조하여 이해될 수 있다. 반대로, 제1 자석 지지 부재(151)는 반시계 방향으로, 제2 자석 지지 부재(152)는 시계 방향으로 회전하면 무빙 플레이트(140)는 하우징 커버(100)와 반대 방향으로 연직 이동할 수 있으며, 이는 도 3b를 참조하여 이해될 수 있다. 상기의 과정을 통해 무빙 플레이트의 높낮이를 조절할 수 있다.Referring to FIGS. 3A and 3B, it is possible to understand the principle by which the moving plate 140 moves up and down in the vertical direction by the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152. In the above process, the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 move simultaneously and can be driven mirror symmetrically to each other. When the first magnetic support member 151 rotates clockwise and the second magnetic support member 152 rotates counterclockwise, the moving plate 140 can move vertically in the direction of the housing cover 100, which is shown in Figure 3a. It can be understood by reference. Conversely, when the first magnetic support member 151 rotates counterclockwise and the second magnetic support member 152 rotates clockwise, the moving plate 140 can move vertically in the direction opposite to the housing cover 100, This can be understood with reference to FIG. 3B. Through the above process, the height of the moving plate can be adjusted.

제1 자석 지지 부재(151)와 제2 자석 지지 부재(152)가 회전함에 따라 제1 마그넷(180a) 및 제2 마그넷(180b)의 방향 또한 바뀌며, 그 결과 무빙 플레이트(140) 하부의 자력선 분포 역시 변화될 수 있다. 이는 도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하여 이해될 수 있다.As the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 rotate, the directions of the first magnet (180a) and the second magnet (180b) also change, resulting in the distribution of magnetic force lines at the bottom of the moving plate 140. It can also change. This can be understood with reference to FIGS. 4A, 4B, and 4C.

도 4a는 제1 자석 지지 부재(151) 및 제2 자석 지지 부재(152)가 회전하지 않아 제1 마그넷(180a)과 제2 마그넷(180b)이 일렬로 정렬된 상태의 자력선을 도시한 그림이다. 도 4b는 제1 자석 지지 부재(151)와 제2 자석 지지 부재(152)가 각각 시계 방향, 반시계 방향으로 회전하여 도 3a와 같은 형태로 변화했을 때 제1 마그넷(180a)과 제2 마그넷(180b)에 의한 자력선 분포를 도시한 그림이다. 도 4c는 제1 자석 지지 부재(151)와 제2 자석 지지 부재(152)가 각각 반시계 방향, 시계 방향으로 회전하여 도 3b와 같은 형태로 변화했을 때 제1 마그넷(180a)과 제2 마그넷(180b)에 의한 자력선 분포를 도시한 그림이다. 본 발명의 기술적 사상에 의한 틸팅(tilting) 구동 시스템에 의하면, 제1 자석 지지 부재(151) 및 제2 자석 지지 부재(152)의 회전이 무빙 플레이트(140) 하부의 자기장 변화를 일으켜 플라즈마 프로세싱 챔버(10) 내부의 자기장의 방향 및 밀도를 제어할 수 있다.Figure 4a is a diagram showing magnetic force lines in a state in which the first magnet 180a and the second magnet 180b are aligned because the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 do not rotate. . Figure 4b shows the first magnet 180a and the second magnet when the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 are rotated clockwise and counterclockwise, respectively, and change into the shape shown in Figure 3a. This is a picture showing the distribution of magnetic force lines by (180b). Figure 4c shows the first magnet 180a and the second magnet when the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 are rotated counterclockwise and clockwise, respectively, and change into the shape shown in Figure 3b. This is a picture showing the distribution of magnetic force lines by (180b). According to the tilting drive system according to the technical idea of the present invention, the rotation of the first magnet support member 151 and the second magnet support member 152 causes a change in the magnetic field at the bottom of the moving plate 140, thereby forming the plasma processing chamber. (10) The direction and density of the internal magnetic field can be controlled.

도 5a는 제1 자석 지지 부재(151)와 제1 마그넷(180a)이 회전되는 과정을 도시하기 위해 도 2의 일부를 자세히 확대하여 도시한 그림에 해당한다. 도 5a 및 도 5b를 도 1과 함께 참조하면, 자석 지지 부재(151, 152)와 무빙 플레이트(140)에는 각각 컨트롤 노브(190a, 190b, 190c, 190d)가 존재한다. 일부 컨트롤 노브(190a, 190b)는, 자석 지지 부재(151, 152)와 지지체(161, 162)를 각각 연결할 수 있다. 다른 일부 컨트롤 노브(190c, 190d)는 무빙 플레이트(140)와 자석 지지 부재(151, 152)를 연결할 수 있다.FIG. 5A corresponds to a detailed enlarged view of a portion of FIG. 2 to illustrate the process in which the first magnet support member 151 and the first magnet 180a are rotated. Referring to FIGS. 5A and 5B together with FIG. 1 , control knobs 190a, 190b, 190c, and 190d are present on the magnetic support members 151 and 152 and the moving plate 140, respectively. Some control knobs 190a and 190b may connect the magnetic support members 151 and 152 and the supports 161 and 162, respectively. Some other control knobs 190c and 190d may connect the moving plate 140 and the magnetic support members 151 and 152.

상기에서 설명한 바와 같이, 제1 자석 지지 부재(151)가 회전하면, 도 5a의 형태에서 도 5b의 형태로 제1 자석 지지 부재(151) 및 제1 마그넷(180a)의 정렬이 변화할 수 있다.As described above, when the first magnet support member 151 rotates, the alignment of the first magnet support member 151 and the first magnet 180a may change from the form of FIG. 5A to the form of FIG. 5B. .

도 6은 도 5a 및 도 5b의 제1 자석 지지 부재(151)의 회전에 의한 무빙 플레이트(140)의 높낮이 변화를 나타내는 그림이다. 도 6을 참조하면, 도 5b에서 제1 자석 지지 부재(151)가 큰 각도로 회전할수록 무빙 플레이트(140)의 높이도 도 5a의 상태에서 상하로 크게 변화하는 것을 알 수 있다.FIG. 6 is a diagram showing a change in height of the moving plate 140 due to rotation of the first magnetic support member 151 of FIGS. 5A and 5B. Referring to FIG. 6, it can be seen that as the first magnet support member 151 rotates at a greater angle in FIG. 5b, the height of the moving plate 140 also changes significantly up and down in the state of FIG. 5a.

본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치(1)의 무빙 플레이트(140)는, 내부에 공기의 출입이 가능하도록 하는 그루브(200)를 구비할 수 있다. 이는 도 7을 참조하여 이해될 수 있다. 도 7은 그루브(200)를 통해 공기가 내부에 주입되는 과정을 나타내기 위해 무빙 플레이트(140)를 간략하게 그린 단면도에 해당한다. 본 발명의 기술적 사상에 의한 플라즈마 처리 장치(1)는, 중앙 축(120) 내부에 센서 모듈(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 센서 모듈은, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(10) 내부의 온도를 감지할 수 있다.The moving plate 140 of the plasma processing device 1 according to the technical idea of the present invention may be provided with a groove 200 that allows air to enter and exit the interior. This can be understood with reference to FIG. 7 . FIG. 7 corresponds to a simplified cross-sectional view of the moving plate 140 to show the process of air being injected into the groove 200. The plasma processing device 1 according to the technical idea of the present invention may be provided with a sensor module (not shown) inside the central axis 120. The sensor module can detect the temperature inside the plasma processing chamber 10.

일반적으로, 영구자석 및 전자석은 100℃ 이상의 고온 환경에서 자화가 풀어질 수 있다. 따라서 영구자석 또는 전자석을 이용한 설비는 내부 온도가 임계 온도 이상으로 가열되지 않도록 냉각하는 시스템이 요구될 수 있다.In general, permanent magnets and electromagnets can be demagnetized in a high temperature environment of 100°C or higher. Therefore, equipment using permanent magnets or electromagnets may require a cooling system to prevent the internal temperature from heating above the critical temperature.

상기 센서 모듈은, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(10) 내부의 온도가 80℃ 내지 100℃의 범위까지 가열될 경우 공기 주입(air blowing) 공정이 상기 그루브(200)를 통해 진행되도록 명령할 수 있다. 이 때 주입되는 냉각 공기의 온도는 대략 20℃에 해당될 수 있다. 그루브(200)를 통해 공기가 주입되면, 대류 등에 의해 플라즈마 프로세싱 챔버(10) 내부가 냉각될 수 있다. 이를 통해 영구자석 또는 전자석의 자력의 세기가 유지될 수 있다.The sensor module may command an air blowing process to proceed through the groove 200 when the temperature inside the plasma processing chamber 10 is heated to a range of 80°C to 100°C. At this time, the temperature of the injected cooling air may be approximately 20°C. When air is injected through the groove 200, the inside of the plasma processing chamber 10 may be cooled by convection or the like. Through this, the strength of the magnetic force of the permanent magnet or electromagnet can be maintained.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시 예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are provided to aid understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and that various modifications possible therefrom also fall within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention merely illustrate optimal embodiments of the present invention. The scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the patent claims, and the scope of technical protection of the present invention is not limited to the literal description of the claims themselves, but is substantially a scope of equal technical value. It must be understood that this extends to the invention of .

1: 플라즈마 처리 장치
10: 플라즈마 프로세싱 챔버
100: 하우징 커버(housing cover)
110: 구동 모터
120: 중앙 축
121: 제1 축
122: 제2 축
131: 제1 로테이션 샤프트
132: 제2 로테이션 샤프트
140: 무빙 플레이트
151: 제1 자석 지지 부재
152: 제2 자석 지지 부재
161: 제1 지지체
162: 제2 지지체
170: 차폐 소재층
180a: 제1 마그넷
180b: 제2 마그넷
190a, 190b, 190c, 190d: 컨트롤 노브(control knob)
200: 그루브(groove)1: Plasma processing device
10: Plasma processing chamber
100: housing cover
110: drive motor
120: central axis
121: 1st axis
122: 2nd axis
131: first rotation shaft
132: second rotation shaft
140: moving plate
151: first magnetic support member
152: Second magnetic support member
161: first support
162: second support
170: Shielding material layer
180a: first magnet
180b: second magnet
190a, 190b, 190c, 190d: control knob
200: groove

Claims (10)

플라즈마 프로세싱 챔버;
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배치되는 하우징 커버(housing cover);
상기 하우징 커버의 상부 중앙에 위치하는 구동 모터;
상기 하우징 커버의 하부 중앙에 배치되는 중앙 축;
상기 중앙 축과 수평되는 위치에, 상기 중앙 축으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 축과 제2 축;
상기 중앙 축과 상기 제1 축을 연결하는 제1 로테이션 샤프트;
상기 중앙 축과 상기 제2 축을 연결하는 제2 로테이션 샤프트;
상기 하우징 커버보다 낮은 수준의 레벨에서 상기 하우징 커버와 평행하게위치하며, 상기 제1 축 및 상기 제2 축과 수직으로 연결되는 무빙 플레이트;
상기 무빙 플레이트보다 낮은 수준의 레벨에서, 상기 무빙 플레이트와 중첩되지 않는 외측 방향으로 상기 무빙 플레이트의 중심으로부터 같은 간격으로 이격되어 위치하는 제1 자석 지지 부재와 제2 자석 지지 부재;
상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제1 자석 지지 부재를 연결하는 제1 지지체; 및
상기 하우징 커버를 지지하고, 상기 하우징 커버와 상기 제2 자석 지지 부재를 연결하는 제2 지지체; 를 포함하고,
상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재에 각각 부착된 제1 마그넷과 제2 마그넷에 의해 자기장의 방향 및 밀도가 제어되는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.plasma processing chamber;
a housing cover disposed within the plasma processing chamber;
a drive motor located at the upper center of the housing cover;
a central axis disposed at the lower center of the housing cover;
a first axis and a second axis positioned horizontally with the central axis and spaced equally apart from the central axis;
a first rotation shaft connecting the central axis and the first axis;
a second rotation shaft connecting the central axis and the second axis;
a moving plate positioned parallel to the housing cover at a level lower than the housing cover and connected perpendicularly to the first axis and the second axis;
At a level lower than the moving plate, a first magnet support member and a second magnet support member are positioned at equal intervals from the center of the moving plate in an outward direction that does not overlap the moving plate;
a first support body supporting the housing cover and connecting the housing cover and the first magnet support member; and
a second support body supporting the housing cover and connecting the housing cover and the second magnet support member; Including,
Characterized in that the direction and density of the magnetic field are controlled by a first magnet and a second magnet attached to the first magnet support member and the second magnet support member, respectively.
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 제1 자석 지지 부재와 상기 제2 자석 지지 부재는 거울 대칭적으로 구동하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
Characterized in that the first magnetic support member and the second magnetic support member are driven mirror symmetrically,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 무빙 플레이트는,
상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재에 의해 연직 방향으로 상하 이동하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The moving plate is,
Characterized in moving up and down in the vertical direction by the first magnet support member and the second magnet support member,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 하우징 커버는, 하부에 차폐 소재가 장착되는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The housing cover is characterized in that a shielding material is mounted on the lower part,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 제1 자석 지지 부재 및 상기 제2 자석 지지 부재는,
상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The first magnet support member and the second magnet support member,
Characterized in that it rotates clockwise or counterclockwise by the first magnet and the second magnet,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 제1 자석 지지 부재는 상기 제1 지지체와 컨트롤 노브(control knob)로 연결되어 있고,
상기 제2 자석 지지 부재는 상기 제2 지지체와 또 다른 컨트롤 노브(control knob)로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The first magnetic support member is connected to the first support body with a control knob,
The second magnetic support member is connected to the second support body with another control knob,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 무빙 플레이트는,
상기 무빙 플레이트 내부에 공기의 출입이 가능하도록 하는 그루브(groove)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The moving plate is,
Characterized in that the moving plate is provided with a groove that allows air to enter and exit,
Plasma processing device. 제7항에서,
상기 중앙 축은,
내부에 센서 모듈을 구비하고 있고,
상기 센서 모듈은,
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내부의 온도를 감지하여,
상기 그루브에 공기 주입(air blowing) 공정을 진행할 것인지 판단하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 7:
The central axis is,
It has a sensor module inside,
The sensor module is,
By detecting the temperature inside the plasma processing chamber,
Characterized in determining whether to proceed with an air blowing process in the groove,
Plasma processing device. 제1항에서,
상기 무빙 플레이트는, 영구자석 또는 전자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.In paragraph 1:
The moving plate is characterized in that it is made of a permanent magnet or an electromagnet,
Plasma processing device. 하우징 커버;
상기 하우징 커버 상의 구동 모터;
상기 하우징 커버보다 낮은 수준의 레벨에서 제1 마그넷 및 제2 마그넷에 의해 움직이는 무빙 플레이트;
상기 제1 마그넷과 연결되는 제1 자석 지지 부재; 및
상기 제2 마그넷과 연결되는 제2 자석 지지 부재; 를 포함하고,
상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷이 회전함에 따라 변화된 자속 형태에 의해 자기장의 밀도가 조절되는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 처리 장치.housing cover;
a drive motor on the housing cover;
a moving plate moved by a first magnet and a second magnet at a level lower than the housing cover;
a first magnet support member connected to the first magnet; and
a second magnet support member connected to the second magnet; Including,
Characterized in that the density of the magnetic field is adjusted by the changed magnetic flux shape as the first magnet and the second magnet rotate,
Plasma processing device.