KR20240040386A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판 맵에 따라 기판 지지부의 온도 분포를 조절하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 공정을 위한 공정 처리 공간을 제공하는 공정 챔버, 및 상기 공정 챔버에 구비되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부의 다른 부분에 비하여 상기 기판에 개별적인 열 전달 특성을 제공하는 온도 조절부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing device, and to a substrate processing device that adjusts the temperature distribution of a substrate support portion according to a substrate map.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber that provides a process space for processing a substrate, and a substrate support portion provided in the process chamber and supporting the substrate, wherein the substrate support portion supports the substrate. and a temperature control section that provides individual heat transfer characteristics to the substrate compared to other parts of the support.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}Substrate processing device {Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 맵에 따라 기판 지지부의 온도 분포를 조절하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that adjusts the temperature distribution of a substrate support portion according to a substrate map.

기판에 박막을 증착시키기 위하여 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition) 또는 원자층 박막 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition) 등이 이용될 수 있다. 화학 기상 증착법 또는 원자층 박막 증착법에 의한 경우 원료 기체가 기판의 표면에서 화학 반응을 일으켜 박막이 형성될 수 있다. 특히, 원자층 박막 증착법에 의한 경우 기판의 표면에 부착된 원료 기체의 한 층이 박막을 형성하기 때문에 원자의 직경과 유사한 두께의 박막의 형성이 가능하다.To deposit a thin film on a substrate, chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) may be used. In the case of chemical vapor deposition or atomic layer thin film deposition, the raw material gas may cause a chemical reaction on the surface of the substrate to form a thin film. In particular, in the case of atomic layer thin film deposition, a layer of raw material attached to the surface of the substrate forms a thin film, making it possible to form a thin film with a thickness similar to the diameter of an atom.

박막은 기판의 전체 표면에 걸쳐 균일한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 다양한 공정 환경에 따라 박막의 두께가 불균일하게 형성될 수 있다. 박막의 두께가 불균일하게 형성되는 경우 불량률이 증가할 수 있다.The thin film is preferably formed to a uniform thickness over the entire surface of the substrate. However, the thickness of the thin film may be formed non-uniformly depending on various processing environments. If the thickness of the thin film is formed unevenly, the defect rate may increase.

따라서, 공정 환경에 무관하게 균일한 두께로 기판에 박막을 증착할 수 있도록 하는 발명의 등장이 요구된다.Therefore, there is a need for an invention that allows deposition of a thin film on a substrate with a uniform thickness regardless of the process environment.

일본 등록특허공보 제4156714호 (2008.07.18)Japanese Patent Registration No. 4156714 (2008.07.18)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 맵에 따라 기판 지지부의 온도 분포를 조절하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing device that adjusts the temperature distribution of the substrate support portion according to the substrate map.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 공정을 위한 공정 처리 공간을 제공하는 공정 챔버, 및 상기 공정 챔버에 구비되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부의 다른 부분에 비하여 상기 기판에 개별적인 열 전달 특성을 제공하는 온도 조절부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber that provides a process space for processing a substrate, and a substrate support portion provided in the process chamber and supporting the substrate, wherein the substrate support portion supports the substrate. and a temperature control section that provides individual heat transfer characteristics to the substrate compared to other parts of the support.

상기 온도 조절부는 상기 기판 지지부의 내부에 형성되어 열 매체의 수용 공간을 제공하는 매체 수용 공간을 포함한다.The temperature control unit includes a medium accommodating space formed inside the substrate support unit to provide an accommodating space for a thermal medium.

상기 기판 지지부는, 내부에 히터를 구비하여 상기 기판에 열을 제공하는 가열 플레이트, 및 상기 가열 플레이트를 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고, 상기 매체 수용 공간은 상기 가열 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 중 적어도 하나에 구비된다.The substrate support unit includes a heating plate that has a heater therein to provide heat to the substrate, and a base plate that supports the heating plate, and the medium receiving space is located at least one of the heating plate and the base plate. It is provided.

상기 매체 수용 공간은 상기 기판 지지부의 중심축을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 형성된다.The medium receiving space is formed in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis of the substrate support part.

상기 매체 수용 공간은 복수 개가 구비되고, 상기 복수의 매체 수용 공간에 서로 다른 열 매체가 주입 가능하다.A plurality of the medium accommodation spaces are provided, and different heat media can be injected into the plurality of medium accommodation spaces.

상기 온도 조절부는 상기 기판에 직접 접촉되어 상기 기판으로 열을 전달하는 열 전도체를 포함한다.The temperature control unit includes a heat conductor that is in direct contact with the substrate and transfers heat to the substrate.

상기 기판이 밀착되는 상기 열 전도체의 일측면은 상기 기판이 안착되는 상기 기판 지지부의 안착면과 동일 평면상에 형성된다.One side of the heat conductor on which the substrate is in close contact is formed on the same plane as the seating surface of the substrate support portion on which the substrate is mounted.

상기 기판 지지부는, 내부에 히터를 구비하여 상기 기판에 열을 제공하는 가열 플레이트, 및 상기 가열 플레이트를 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고, 상기 열 전도체는 상기 가열 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 중 적어도 하나에 구비된다.The substrate support unit includes a heating plate that has a heater therein to provide heat to the substrate, and a base plate that supports the heating plate, and the heat conductor is provided in at least one of the heating plate and the base plate. do.

상기 열 전도체는 상기 기판 지지부의 다른 부분과는 상이한 열 전도율을 갖는 재질로 구성된다.The heat conductor is made of a material having a different thermal conductivity from other parts of the substrate support.

상기 열 전도체는 상기 기판 지지부의 중심축을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 구비된다.The heat conductor is provided in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis of the substrate support part.

상기 열 전도체는 복수 개가 구비되고, 상기 복수의 열 전도체는 개별적인 열 전도 특성을 제공한다.A plurality of heat conductors are provided, and the plurality of heat conductors provide individual heat conduction properties.

상기 열 전도체는 상기 기판 지지부에 착탈 가능하다.The heat conductor is removable from the substrate support part.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면 기판 맵에 따라 기판 지지부의 온도 분포를 조절하기 때문에 공정 환경에 무관하게 균일한 두께로 기판에 박막을 증착할 수 있도록 하는 장점이 있다.According to the substrate processing device according to the embodiment of the present invention as described above, the temperature distribution of the substrate support portion is adjusted according to the substrate map, so it has the advantage of being able to deposit a thin film on the substrate with a uniform thickness regardless of the process environment. .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 기판 지지부가 공정 지점으로 이동한 것을 나타낸 도면이다.
도 3은 링형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 5는 판형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 7은 방사형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 8은 중심축에서 가장자리로 진행할수록 두께가 감소되는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 9는 중심축에서 가장자리로 진행할수록 두께가 증가하는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 10은 일측에서 타측으로 진행할수록 두께가 변화하는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 11은 매체 수용 공간에 열 매체가 주입되는 것을 나타낸 도면이다.
도 12는 복수의 매체 수용 공간을 포함하는 기판 지지부의 평단면도이다.
도 13은 링형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 측단면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 15는 판형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 16은 판형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 평단면도이다.
도 17은 열 전도체가 기판 지지부에서 착탈되는 것을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram showing the substrate support moved to the process point.
Figure 3 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a ring-shaped medium receiving space is formed.
FIG. 4 is a plan cross-sectional view of the substrate support shown in FIG. 3.
Figure 5 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a plate-shaped medium receiving space is formed.
FIG. 6 is a plan cross-sectional view of the substrate support shown in FIG. 5.
Figure 7 is a plan cross-sectional view of a substrate support portion in which a radial medium receiving space is formed.
Figure 8 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a media receiving space is formed whose thickness decreases as it progresses from the central axis to the edge.
Figure 9 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a media receiving space is formed whose thickness increases as it progresses from the central axis to the edge.
Figure 10 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a medium receiving space whose thickness changes as it progresses from one side to the other is formed.
Figure 11 is a diagram showing a heat medium being injected into a medium receiving space.
Figure 12 is a plan cross-sectional view of a substrate support portion including a plurality of media receiving spaces.
Figure 13 is a cross-sectional side view of a substrate support provided with a ring-shaped heat conductor.
FIG. 14 is a plan cross-sectional view of the substrate support shown in FIG. 13.
Figure 15 is a plan cross-sectional view of a substrate support provided with a plate-shaped heat conductor.
Figure 16 is a plan cross-sectional view of a substrate support provided with a plate-shaped heat conductor.
Figure 17 is a diagram to explain how the heat conductor is attached and detached from the substrate support part.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are merely intended to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 기판 지지부가 공정 지점으로 이동한 것을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate support unit moved to a process point.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 커버(200), 기판 지지부(300), 승강부(400), 샤워헤드(500) 및 메인 제어부(600)를 포함하여 구성된다.Referring to Figures 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100, a cover 200, a substrate support part 300, an elevation part 400, and a shower head 500. ) and a main control unit 600.

공정 챔버(100)는 기판(W)의 공정을 위한 공정 처리 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 배기 덕트(110), 배출구(120) 및 배출물 이송홀(130)을 포함할 수 있다. 배기 덕트(110)는 공정 챔버(100)로 유입된 공정 가스 또는 부산물 등의 배출물을 외부로 배출시키기 위한 경로를 제공할 수 있다. 예를 들어, 배기 덕트(110)는 공정 챔버(100)의 내측 가장자리를 따라 링의 형태로 배치될 수 있다.The process chamber 100 provides a processing space for processing the substrate W. The process chamber 100 may include an exhaust duct 110, an outlet 120, and a discharge transfer hole 130. The exhaust duct 110 may provide a path for discharging emissions such as process gas or by-products introduced into the process chamber 100 to the outside. For example, the exhaust duct 110 may be arranged in the shape of a ring along the inner edge of the process chamber 100.

배출구(120)는 공정 챔버(100)의 바닥에 형성될 수 있다. 배출물 이송홀(130)은 배기 덕트(110)와 배출구(120)를 연결하여, 배기 덕트(110)에서 배출구(120)로 이동하는 배출물의 이송 경로를 제공할 수 있다. 공정 챔버(100)의 내부에서 배기 덕트(110)로 전달된 배출물은 배출물 이송홀(130)을 통해 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다.The outlet 120 may be formed at the bottom of the process chamber 100. The discharge transfer hole 130 may connect the exhaust duct 110 and the discharge port 120 to provide a transfer path for discharge moving from the exhaust duct 110 to the discharge port 120. Emissions delivered from the inside of the process chamber 100 to the exhaust duct 110 may be discharged to the outside of the process chamber 100 through the emission transfer hole 130.

공정 챔버(100)의 일측에는 기판(W)의 출입을 위한 기판 출입구(140)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 기판 출입구(140)를 통해 공정 챔버(100)의 내부로 반입되거나 공정 챔버(100)의 외부로 반출될 수 있다.A substrate entrance 140 may be formed on one side of the process chamber 100 to allow entry and exit of the substrate W. The substrate W may be brought into the inside of the process chamber 100 or taken out of the process chamber 100 through the substrate entrance 140 .

기판 출입구(140)에는 셔터(150)가 구비될 수 있다. 셔터(150)는 기판 출입구(140)를 개방하거나 폐쇄할 수 있다. 셔터(150)가 기판 출입구(140)를 개방한 경우 기판 출입구(140)를 통해 기판(W)이 반입되거나 반출될 수 있다. 기판(W)에 대한 공정이 진행되는 경우에는 셔터(150)가 기판 출입구(140)를 폐쇄하여 공정 챔버(100)의 내부를 외부에 대하여 차단할 수 있다.A shutter 150 may be provided at the substrate entrance 140. The shutter 150 may open or close the substrate entrance 140. When the shutter 150 opens the substrate entrance 140, the substrate W may be brought in or out through the substrate entrance 140. When a process for the substrate W is in progress, the shutter 150 may close the substrate entrance 140 to block the inside of the process chamber 100 from the outside.

커버(200)는 공정 챔버(100)의 상부 개구를 밀폐시키는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 커버(200)는 공정 챔버(100)의 상부에 배치될 수 있다. 커버(200)는 후술하는 샤워헤드(500)의 분사 몸체(510)에 적층되어 배치될 수 있다. 커버(200)가 공정 챔버(100)의 상부 개구를 밀폐시킴에 따라 공정 챔버(100)의 상부 개구를 통한 공정 가스의 유출 및 외부 물질의 유입이 방지될 수 있다.The cover 200 serves to seal the upper opening of the process chamber 100. To this end, the cover 200 may be placed on the upper part of the process chamber 100. The cover 200 may be stacked and disposed on the spray body 510 of the showerhead 500, which will be described later. As the cover 200 seals the upper opening of the process chamber 100, the outflow of process gas and the inflow of external substances through the upper opening of the process chamber 100 can be prevented.

커버(200)는 커버 플레이트(210), 공정 가스 유입부(220) 및 공정 가스 유입관(230)을 포함할 수 있다. 커버 플레이트(210)는 플레이트의 형태로 제공되어 공정 챔버(100)의 상부 개구를 밀폐시킬 수 있다. 공정 가스 유입부(220) 및 공정 가스 유입관(230)은 공정 가스의 이송 경로를 제공할 수 있다.The cover 200 may include a cover plate 210, a process gas inlet 220, and a process gas inlet pipe 230. The cover plate 210 is provided in the form of a plate and can seal the upper opening of the process chamber 100. The process gas inlet 220 and the process gas inlet pipe 230 may provide a transfer path for the process gas.

공정 가스 유입부(220)는 커버 플레이트(210)에 결합되고, 공정 가스 유입관(230)은 공정 가스 유입부(220)에 결합될 수 있다. 공정 가스 유입관(230)은 직접 또는 간접적으로 공정 가스 탱크(미도시)에 연결될 수 있다. 공정 가스 탱크에 수용된 공정 가스는 공정 가스 유입관(230)을 통해 이송되고, 이송된 공정 가스는 공정 가스 유입부(220)를 통해 샤워헤드(500)로 전달될 수 있다.The process gas inlet 220 may be coupled to the cover plate 210, and the process gas inlet pipe 230 may be coupled to the process gas inlet 220. The process gas inlet pipe 230 may be directly or indirectly connected to a process gas tank (not shown). The process gas contained in the process gas tank may be transferred through the process gas inlet 230, and the transferred process gas may be delivered to the showerhead 500 through the process gas inlet 220.

기판 지지부(300)는 공정 챔버(100)에 구비되고, 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(300)는 기판(W)이 안착 가능한 안착면을 구비할 수 있다. 기판 지지부(300)의 안착면에 안착된 기판(W)에 대하여 공정이 수행될 수 있다.The substrate supporter 300 is provided in the process chamber 100 and may support the substrate W. The substrate supporter 300 may have a seating surface on which the substrate W can be seated. A process may be performed on the substrate W seated on the seating surface of the substrate supporter 300.

기판 지지부(300)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 이를 위하여. 기판 지지부(300)의 내부에는 히터(미도시)가 구비될 수 있다. 히터에서 발산된 열은 기판 지지부(300)의 몸체를 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다.The substrate support 300 may heat the substrate W. For this purpose. A heater (not shown) may be provided inside the substrate support unit 300. Heat emitted from the heater may be transferred to the substrate W through the body of the substrate support 300.

기판 지지부(300)는 접지된 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 샤워헤드(500)에 RF 전력이 공급되는 경우 샤워헤드(500)와 기판 지지부(300)의 사이에 전계가 형성될 수 있다.The substrate support 300 may include a grounded electrode (not shown). As will be described later, when RF power is supplied to the showerhead 500, an electric field may be formed between the showerhead 500 and the substrate supporter 300.

기판 지지부(300)에는 지지 핀(310)이 구비될 수 있다. 지지 핀(310)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 구체적으로, 지지 핀(310)은 기판 지지부(300)의 안착면에서 일정 거리만큼 기판(W)이 이격되도록 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support part 300 may be provided with a support pin 310. The support pin 310 may support the substrate (W). Specifically, the support pin 310 may support the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the seating surface of the substrate support 300 by a certain distance.

본 발명에서 기판 지지부(300)는 공정 챔버(100)의 내부에서 상하 방향으로 이동할 수 있다. 승강부(400)는 구동력을 발생시켜 기판 지지부(300)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 도 1은 기판 지지부(300)가 공정 챔버(100)의 바닥면에 안착된 것을 도시하고 있고, 도 2는 기판 지지부(300)가 공정 챔버(100)의 내부에서 상부 지점으로 이동한 것을 도시하고 있다.In the present invention, the substrate support 300 can move in the vertical direction within the process chamber 100. The lifting unit 400 may generate driving force to move the substrate support unit 300 in the vertical direction. FIG. 1 shows the substrate support 300 seated on the bottom surface of the process chamber 100, and FIG. 2 shows the substrate support 300 moved to an upper point inside the process chamber 100. there is.

기판(W)이 공정 챔버(100)의 내부로 반입되거나 외부로 반출되는 경우 기판 지지부(300)는 도 1에 도시된 바와 같이 공정 챔버(100)의 바닥면에 안착될 수 있다. 기판(W)에 대한 공정이 수행되는 경우 기판 지지부(300)는 도 2에 도시된 바와 같이 공정 챔버(100)의 내부에서 상부 지점으로 이동할 수 있다. 이하, 기판(W)에 대한 공정이 수행되는 기판 지지부(300)의 위치를 공정 지점이라 한다.When the substrate W is brought into or taken out of the process chamber 100, the substrate support 300 may be seated on the bottom surface of the process chamber 100, as shown in FIG. 1. When a process is performed on the substrate W, the substrate support 300 may move to an upper point within the process chamber 100 as shown in FIG. 2 . Hereinafter, the location of the substrate support 300 where a process for the substrate W is performed is referred to as a process point.

기판(W)에 대한 공정이 수행되는 경우 기판(W)은 기판 지지부(300)의 안착면에 안착되는 것이 바람직하다. 기판(W)이 기판 지지부(300)의 안착면에 안착됨에 따라 기판(W)의 움직임이 방지된 상태에서 기판(W)에 대한 공정이 수행될 수 있다.When a process is performed on the substrate W, the substrate W is preferably seated on the seating surface of the substrate support 300. As the substrate W is seated on the seating surface of the substrate support 300, a process on the substrate W may be performed while the movement of the substrate W is prevented.

한편, 기판(W)이 공정 챔버(100)의 내부로 반입되거나 외부로 반출되는 경우 기판(W)은 기판 지지부(300)의 안착면에서 이격되는 것이 바람직하다. 기판(W)을 운반하는 이송 로봇(미도시)의 핸드(미도시)는 기판(W)의 하측면을 지지하여 기판(W)을 운반할 수 있다. 이송 로봇의 핸드가 기판(W)의 하측면으로 접근할 수 있도록 하기 위하여 기판(W)이 기판 지지부(300)의 안착면에서 일정 거리만큼 이격되어야 하는 것이다.Meanwhile, when the substrate W is brought into or taken out of the process chamber 100, the substrate W is preferably spaced apart from the seating surface of the substrate support 300. A hand (not shown) of a transfer robot (not shown) carrying the substrate (W) may transport the substrate (W) by supporting the lower side of the substrate (W). In order for the hand of the transfer robot to access the lower side of the substrate W, the substrate W must be spaced a certain distance away from the seating surface of the substrate support 300.

지지 핀(310)은 기판(W)을 지지하여 기판(W)이 기판 지지부(300)의 안착면에서 이격되도록 할 수 있다. 지지 핀(310)은 핀 헤드(311) 및 핀 몸체(312)를 포함할 수 있다. 핀 헤드(311)는 기판(W)의 하측면에 직접적으로 접촉할 수 있다. 핀 몸체(312)는 핀 헤드(311)에서 하측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 핀 몸체(312)는 일직선의 막대의 형상으로 제공될 수 있다. 핀 몸체(312)는 기판 지지부(300)를 관통할 수 있다. 이를 위하여, 기판 지지부(300)에는 관통홀이 형성될 수 있다.The support pin 310 may support the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the seating surface of the substrate support 300. The support pin 310 may include a pin head 311 and a pin body 312. The pin head 311 may directly contact the lower side of the substrate W. The pin body 312 may extend downward from the pin head 311. The pin body 312 may be provided in the shape of a straight bar. The pin body 312 may penetrate the substrate support 300. For this purpose, a through hole may be formed in the substrate support part 300.

핀 몸체(312)는 관통홀을 따라 자유롭게 이동할 수 있다. 기판 지지부(300)가 공정 챔버(100)의 바닥면에 안착된 경우 핀 몸체(312)의 하측 말단이 공정 챔버(100)의 바닥면에 접촉됨으로써 핀 헤드(311)가 기판 지지부(300)의 안착면에서 이격될 수 있다. 이러한 경우 핀 헤드(311)에 의해 지지된 기판(W)은 기판 지지부(300)의 안착면에서 이격될 수 있게 된다. 한편, 기판 지지부(300)가 상승하는 경우 핀 몸체(312)가 관통홀을 따라 이동하면서 기판 지지부(300)에 대하여 지지 핀(310)이 하강할 수 있다. 지지 핀(310)의 하강은 핀 헤드(311)가 기판 지지부(300)의 헤드 수용홈(320)에 삽입될 때까지 수행될 수 있다. 핀 헤드(311)가 헤드 수용홈(320)에 삽입된 경우 핀 헤드(311)에 의한 기판(W)의 지지는 해제되고, 기판(W)은 기판 지지부(300)의 안착면에 지지될 수 있다.The pin body 312 can move freely along the through hole. When the substrate support 300 is seated on the bottom of the process chamber 100, the lower end of the pin body 312 contacts the bottom of the process chamber 100, so that the pin head 311 is attached to the bottom of the substrate support 300. It may be spaced apart from the seating surface. In this case, the substrate W supported by the pin head 311 can be spaced apart from the seating surface of the substrate support 300. Meanwhile, when the substrate supporter 300 rises, the pin body 312 moves along the through hole and the support pin 310 may descend with respect to the substrate supporter 300. The lowering of the support pin 310 may be performed until the pin head 311 is inserted into the head receiving groove 320 of the substrate support part 300. When the pin head 311 is inserted into the head receiving groove 320, the support of the substrate W by the pin head 311 is released, and the substrate W can be supported on the seating surface of the substrate support 300. there is.

핀 헤드(311)의 직경은 핀 몸체(312)의 직경에 비하여 크게 형성될 수 있다. 헤드 수용홈(320)의 직경은 관통홀의 직경에 비하여 크게 형성되고, 핀 헤드(311)의 직경은 관통홀의 직경에 비하여 크게 형성될 수 있다. 핀 헤드(311)가 헤드 수용홈(320)에 삽입된 상태에서 기판 지지부(300)가 상승하는 경우 지지 핀(310)도 기판 지지부(300)와 함께 상승할 수 있다. 기판 지지부(300)가 상승하여 공정 지점에 위치한 경우 기판(W)은 기판 지지부(300)의 안착면에 안착된 상태를 유지할 수 있다.The diameter of the pin head 311 may be larger than the diameter of the pin body 312. The diameter of the head receiving groove 320 may be larger than the diameter of the through hole, and the diameter of the pin head 311 may be larger than the diameter of the through hole. When the substrate support 300 rises while the pin head 311 is inserted into the head receiving groove 320, the support pin 310 may also rise together with the substrate support 300. When the substrate support 300 is raised and positioned at the process point, the substrate W may remain seated on the seating surface of the substrate support 300.

샤워헤드(500)는 기판(W)에 대한 공정을 위한 공정 가스를 기판(W)으로 분사하는 역할을 수행한다. 샤워헤드(500)는 공정 가스 유입부(220)로부터 공정 가스를 제공받을 수 있다. 샤워헤드(500)는 공정 챔버(100)의 상부에 배치될 수 있다. 샤워헤드(500)에서 분사된 공정 가스는 하측 방향으로 분사되어 기판(W)에 도달하게 된다.The showerhead 500 serves to spray process gas for processing the substrate W onto the substrate W. The showerhead 500 may receive process gas from the process gas inlet 220. The showerhead 500 may be placed at the top of the process chamber 100. The process gas sprayed from the showerhead 500 is sprayed downward and reaches the substrate W.

본 발명에서 공정 가스는 소스 가스 및 반응 가스를 포함할 수 있다. 소스 가스 및 반응 가스는 순차적으로 분사될 수 있다. 소스 가스 및 반응 가스는 샤워헤드(500)에서 분사된 이후에 서로 충돌하여 반응할 수 있다. 그리고, 반응 가스에 의하여 활성화된 소스 가스가 기판(W)에 접촉하여 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 활성화된 소스 가스가 기판(W)에 박막으로 증착될 수 있다.In the present invention, the process gas may include a source gas and a reaction gas. The source gas and reaction gas may be injected sequentially. After the source gas and the reaction gas are sprayed from the showerhead 500, they may collide with each other and react. Then, the source gas activated by the reaction gas may contact the substrate W to perform processing on the substrate W. For example, the activated source gas may be deposited as a thin film on the substrate W.

샤워헤드(500)는 분사 몸체(510), 분사부(520) 및 가이드 링(530)을 포함할 수 있다. 분사 몸체(510)는 공정 가스를 유입 받을 수 있다. 이를 위하여, 분사 몸체(510)는 공정 가스 유입부(220)에 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 분사 몸체(510)는 RF 전력을 공급받을 수 있다. 예를 들어, 분사 몸체(510)의 천장면에는 RF 전력을 공급받는 전극 플레이트(미도시)가 구비될 수 있다. 전술한 바와 같이, 기판 지지부(300)는 접지된 전극을 포함할 수 있다. 전극 플레이트로 RF 전력이 공급되는 경우 전극 플레이트와 기판 지지부(300)의 전극의 사이에 전계가 형성될 수 있다. RF 전력의 공급으로 형성된 전계에 의해 공정 챔버(100)로 유입된 공정 가스가 플라즈마 상태의 입자로 변환되고, 플라즈마 입자가 상호간에 반응하거나 기판(W)의 표면과 반응하여 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행될 수 있다.The showerhead 500 may include a spray body 510, a spray unit 520, and a guide ring 530. The injection body 510 may receive process gas. To this end, the injection body 510 may be disposed adjacent to the process gas inlet 220. Additionally, the spray body 510 may be supplied with RF power. For example, an electrode plate (not shown) that receives RF power may be provided on the ceiling of the spray body 510. As described above, the substrate support 300 may include a grounded electrode. When RF power is supplied to the electrode plate, an electric field may be formed between the electrode plate and the electrode of the substrate support unit 300. The process gas flowing into the process chamber 100 is converted into particles in a plasma state by the electric field formed by the supply of RF power, and the plasma particles react with each other or with the surface of the substrate W to form particles on the substrate W. Processing may be performed.

분사부(520)는 분사 몸체(510)의 일측에 배치되어 분사 몸체(510)로 유입된 공정 가스를 분사하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 분사부(520)는 공정 가스를 분사하는 분사홀(521)을 구비할 수 있다. 분사홀(521)은 기판(W)의 일측면에 대응하는 형상으로 분사부(520)에 복수 개가 형성될 수 있다.The injection unit 520 is disposed on one side of the injection body 510 and serves to spray the process gas introduced into the injection body 510. To this end, the injection unit 520 may be provided with a spray hole 521 through which process gas is sprayed. A plurality of injection holes 521 may be formed in the injection unit 520 in a shape corresponding to one side of the substrate W.

분사 몸체(510)와 분사부(520)의 사이에는 확산 공간(S)이 형성될 수 있다. 분사 몸체(510)를 통해 유입된 공정 가스는 확산 공간(S)에서 확산된 이후에 복수의 분사홀(521)을 통해 분사될 수 있다.A diffusion space (S) may be formed between the injection body 510 and the injection unit 520. The process gas introduced through the injection body 510 may be diffused in the diffusion space S and then injected through a plurality of injection holes 521.

가이드 링(530)은 분사 몸체(510) 및 분사부(520)의 가장자리를 링의 형태로 감쌀 수 있다. 본 발명에서 분사 몸체(510)와 분사부(520)는 결합될 수 있다. 가이드 링(530)은 분사 몸체(510)와 분사부(520)의 결합 부분을 감쌀 수 있다. 가이드 링(530)은 분사 몸체(510)와 분사부(520)의 결합 부분을 통하여 공정 가스가 유출되는 것을 방지할 수 있다.The guide ring 530 may surround the edges of the injection body 510 and the injection unit 520 in the form of a ring. In the present invention, the injection body 510 and the injection unit 520 may be combined. The guide ring 530 may surround the joined portion of the injection body 510 and the injection unit 520. The guide ring 530 can prevent process gas from leaking through a joint portion of the injection body 510 and the injection unit 520.

또한, 가이드 링(530)은 기판(W)에 대한 공정이 완료된 배출물을 배기 덕트(110)로 가이드하는 역할을 수행한다. 공정 챔버(100)에는 챔버 링(160)이 구비될 수 있다. 챔버 링(160)은 공정 챔버(100)의 내부에서 링의 형태로 배치될 수 있다. 챔버 링(160)은 공정 지점에 위치한 기판 지지부(300)의 가장자리를 감쌀 수 있다. 가이드 링(530)과 챔버 링(160)의 사이에 배출물의 이송을 위한 공간(이하, 이송 공간이라 한다)이 형성될 수 있다. 기판(W)에 대한 공정이 완료된 공정 가스 및 반응 가스 등의 배출물은 이송 공간을 통해 배기 덕트(110)로 이동할 수 있다. 배기 덕트(110)의 크기가 이송 공간의 크기보다 상대적으로 크기 때문에 배기 덕트(110)의 압력이 이송 공간의 압력에 비하여 작게 형성될 수 있다. 이로 인해, 배기 덕트(110)의 배출물이 이송 공간으로 역류하는 것이 방지될 수 있다.In addition, the guide ring 530 serves to guide the discharged material after the process for the substrate W has been completed to the exhaust duct 110. The process chamber 100 may be provided with a chamber ring 160. The chamber ring 160 may be disposed in the shape of a ring inside the process chamber 100. The chamber ring 160 may surround the edge of the substrate support 300 located at the process point. A space (hereinafter referred to as a transfer space) for transporting discharged substances may be formed between the guide ring 530 and the chamber ring 160. Emissions such as process gas and reaction gas upon completion of the process for the substrate W may move to the exhaust duct 110 through the transfer space. Since the size of the exhaust duct 110 is relatively larger than the size of the transfer space, the pressure of the exhaust duct 110 may be made smaller than the pressure of the transfer space. Because of this, the discharge from the exhaust duct 110 can be prevented from flowing back into the transfer space.

기판 지지부(300)에는 에지 링(330)이 형성될 수 있다. 에지 링(330)은 기판 지지부(300)의 가장자리를 따라 링의 형태로 배치될 수 있다. 에지 링(330)은 공정 가스가 공정 챔버(100)의 하부 공간으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 기판 지지부(300)가 공정 지점에 위치한 경우 에지 링(330)은 챔버 링(160)과 일정 간격으로 이격될 수 있다. 에지 링(330)과 챔버 링(160)이 일정 간격으로 이격된 상태에서 공정 챔버(100)의 하부 공간으로 퍼지 가스가 공급되고, 공급된 퍼지 가스는 에지 링(330)과 챔버 링(160)이 이격된 틈을 통해 공정 챔버(100)의 상부 공간으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(100)의 상부 공간에 공급된 공정 가스가 하부 공간으로 이동하는 것이 차단되고, 공정 가스는 배기 덕트(110) 및 배출물 이송홀(130)을 통해 배출구(120)로 이동할 수 있다. 여기서, 상부 공간은 공정 가스가 유입되어 기판(W)에 대한 공정이 수행되는 공간을 나타내고, 하부 공간은 상부 공간을 제외한 공간을 나타낸 것일 수 있다. 상부 공간과 하부 공간 간의 가스 이동이 차단됨에 따라 상부 공간으로 유입된 공정 가스의 밀도가 유지되고, 공정 가스가 기판(W)과 반응하는 반응 효율이 향상될 수 있다.An edge ring 330 may be formed on the substrate support 300. The edge ring 330 may be disposed in the shape of a ring along the edge of the substrate support 300. The edge ring 330 may prevent process gas from moving into the lower space of the process chamber 100 . When the substrate support 300 is located at a process point, the edge ring 330 may be spaced apart from the chamber ring 160 at a certain distance. With the edge ring 330 and the chamber ring 160 spaced apart from each other at regular intervals, a purge gas is supplied to the lower space of the process chamber 100, and the supplied purge gas is supplied to the edge ring 330 and the chamber ring 160. It may be provided to the upper space of the process chamber 100 through this spaced gap. Accordingly, the process gas supplied to the upper space of the process chamber 100 is blocked from moving to the lower space, and the process gas can move to the outlet 120 through the exhaust duct 110 and the discharge transfer hole 130. there is. Here, the upper space may represent a space where process gas is introduced and a process on the substrate W is performed, and the lower space may represent a space excluding the upper space. As the gas movement between the upper space and the lower space is blocked, the density of the process gas flowing into the upper space is maintained, and the reaction efficiency of the process gas reacting with the substrate W can be improved.

메인 제어부(600)는 기판 처리 장치(10)에 대한 전반적인 제어를 수행할 수 있다. 예를 들어, 메인 제어부(600)는 셔터(150)를 동작시켜 기판 출입구(140)를 개폐하거나, 승강부(400)를 제어하여 기판 지지부(300)를 이동시킬 수 있다. 또한, 메인 제어부(600)는 샤워헤드(500)를 통하여 소스 가스 또는 반응 가스가 분사되는 것을 제어하거나 샤워헤드(500)의 전극 플레이트에 RF 전력이 공급되는 것을 제어할 수도 있다.The main control unit 600 may perform overall control of the substrate processing apparatus 10. For example, the main control unit 600 may operate the shutter 150 to open and close the substrate entrance 140 or control the elevating unit 400 to move the substrate support unit 300. Additionally, the main control unit 600 may control the injection of source gas or reaction gas through the showerhead 500 or control the supply of RF power to the electrode plate of the showerhead 500.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 박막을 증착할 수 있다. 구체적으로, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 플라즈마 원자층 박막 증착법(PEALD; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)을 이용하여 기판(W)에 박막을 증착할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention can deposit a thin film on the substrate W. Specifically, the substrate processing device 10 deposits a thin film on the substrate W using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). You can.

박막은 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 균일한 두께로 증착되는 것이 바람직하다. 한편, 설계상의 오차 또는 제조상의 오차 등에 의해 기판(W)에 증착된 박막의 두께가 균일하지 않게 형성될 수 있다. 예를 들어, 분사부(520)는 복수의 분사홀(521)을 포함하는데, 분사홀(521) 간의 간격, 직경 및 분사 방향 등에 의해 기판(W)의 일부 영역에 공정 가스가 집중되어 박막의 두께가 두껍게 형성될 수 있다.The thin film is preferably deposited to a uniform thickness over the entire area of the substrate W. Meanwhile, the thickness of the thin film deposited on the substrate W may be formed unevenly due to errors in design or manufacturing. For example, the spray unit 520 includes a plurality of spray holes 521, and the process gas is concentrated in some areas of the substrate W due to the spacing, diameter, and spray direction between the spray holes 521, thereby forming the thin film. It can be formed to be thick.

기판(W)에 증착된 박막의 두께 분포는 기판 맵의 형태로 제공될 수 있다. 기판 맵은 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 증착된 박막의 두께 분포를 포함한 데이터로서 테스트 기판에 대한 공정을 통하여 확보될 수 있다.The thickness distribution of the thin film deposited on the substrate W may be provided in the form of a substrate map. The substrate map is data including the thickness distribution of the thin film deposited over the entire area of the substrate W, and can be obtained through a process on a test substrate.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 기판 맵이 참조되어 설치된 기판 지지부(300)를 이용하여 기판(W)에 대한 공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 기판 지지부(300)는 기판 지지부(300)의 다른 부분에 비하여 기판(W)에 개별적인 열 전달 특성을 제공하는 온도 조절부를 포함할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 온도 조절부는 매체 수용 공간(710, 720, 730)(도 3 내지 도 7 참조) 또는 열 전도체(910, 920, 930)(도 13 내지 도 16 참조)의 형태로 제공될 수 있다. 온도 조절부가 구비된 기판 지지부(300)가 이용되어 기판(W)에 대한 공정이 수행되기 때문에 기판(W)에 증착되는 박막의 두께가 균일하게 형성될 수 있다.The substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention can perform a process on the substrate W using the substrate support 300 installed with reference to the substrate map. Specifically, the substrate support 300 may include a temperature control unit that provides individual heat transfer characteristics to the substrate W compared to other parts of the substrate support 300. As described later, the temperature control unit may be provided in the form of a medium receiving space (710, 720, 730) (see FIGS. 3 to 7) or a heat conductor (910, 920, 930) (see FIGS. 13 to 16). there is. Since the process on the substrate W is performed using the substrate support 300 equipped with a temperature control unit, the thickness of the thin film deposited on the substrate W can be formed uniformly.

이하, 도 3 내지 도 16을 통하여 온도 조절부가 구비된 기판 지지부(300)에 대하여 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the substrate support unit 300 provided with a temperature control unit will be described in detail through FIGS. 3 to 16.

도 3은 링형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 기판 지지부의 평단면도이고, 도 5는 판형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 기판 지지부의 평단면도이며, 도 7은 방사형 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 평단면도이다.FIG. 3 is a side cross-sectional view of the substrate support portion with a ring-shaped medium receiving space formed thereon, FIG. 4 is a plan cross-sectional view of the substrate support portion shown in FIG. 3, FIG. 5 is a side cross-sectional view of the substrate support portion with a plate-shaped medium receiving space formed thereon, and FIG. Figure 5 is a plan cross-sectional view of the substrate support part shown in Figure 5, and Figure 7 is a plan cross-sectional view of the substrate support part in which a radial medium receiving space is formed.

도 3 내지 도 7을 참조하면, 온도 조절부는 기판 지지부(300)의 내부에 형성되어 열 매체의 수용 공간을 제공하는 매체 수용 공간(710, 720, 730)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 3 to 7 , the temperature control unit may include medium accommodating spaces 710, 720, and 730 formed inside the substrate supporter 300 to provide accommodating space for a thermal medium.

본 발명에서 기판 지지부(300)는 가열 플레이트(301), 베이스 플레이트(302) 및 지지 기둥(303)을 포함하여 구성된다. 가열 플레이트(301)는 내부(미도시)에 히터를 구비하여 기판(W)에 열을 제공할 수 있다. 히터에서 발생된 열에 의해 가열 플레이트(301)가 가열되고, 가열 플레이트(301)에 안착된 기판(W)이 가열될 수 있다.In the present invention, the substrate support unit 300 includes a heating plate 301, a base plate 302, and a support pillar 303. The heating plate 301 may have a heater inside (not shown) to provide heat to the substrate W. The heating plate 301 may be heated by the heat generated by the heater, and the substrate W seated on the heating plate 301 may be heated.

베이스 플레이트(302)는 가열 플레이트(301)를 지지할 수 있다. 베이스 플레이트(302)에서 하측 방향으로 지지 기둥(303)이 연장 형성될 수 있다. 지지 기둥(303)은 승강부(400)로부터 구동력을 전달받을 수 있다. 승강부(400)의 구동력이 지지 구동으로 전달되고, 베이스 플레이트(302) 및 가열 플레이트(301)가 상하 방향으로 이동할 수 있게 된다.The base plate 302 may support the heating plate 301. A support pillar 303 may be formed to extend downward from the base plate 302. The support pillar 303 may receive driving force from the lifting unit 400. The driving force of the lifting unit 400 is transmitted to the support drive, and the base plate 302 and the heating plate 301 can move in the vertical direction.

매체 수용 공간(710~730)은 가열 플레이트(301) 및 베이스 플레이트(302) 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. 도 3 내지 도 7은 가열 플레이트(301)에 매체 수용 공간(710~730)이 형성된 것을 도시하고 있으나, 본 발명의 몇몇 실시예에 따르면 베이스 플레이트(302)에 매체 수용 공간(710~730)이 형성되거나 가열 플레이트(301) 및 베이스 플레이트(302) 모두에 매체 수용 공간(710~730)이 형성될 수도 있다.The medium receiving space 710 to 730 may be provided in at least one of the heating plate 301 and the base plate 302. 3 to 7 show that medium accommodation spaces 710 to 730 are formed in the heating plate 301. However, according to some embodiments of the present invention, medium accommodation spaces 710 to 730 are formed in the base plate 302. Alternatively, the medium receiving spaces 710 to 730 may be formed in both the heating plate 301 and the base plate 302.

매체 수용 공간(710~730)은 열 매체를 수용할 수 있다. 열 매체는 기판 맵이 참조되어 설정된 온도로 가열되어 매체 수용 공간(710~730)에 주입될 수 있다. 예를 들어, 열 매체는 매체 수용 공간(710~730)을 제외한 기판 지지부(300)의 다른 부분(이하, 기판 지지 몸체라 한다)에 비하여 높은 온도로 가열되거나 낮은 온도로 가열되어 매체 수용 공간(710~730)에 주입될 수 있다. 기판 지지 몸체와 매체 수용 공간(710~730)이 서로 다른 온도로 기판(W)에 열을 전달함에 따라 매체 수용 공간(710~730)의 형태에 대응하는 온도 분포가 기판(W)의 표면에 형성될 수 있다. 이로 인해, 매체 수용 공간(710~730)에 인접한 기판(W)의 부분은 다른 부분에 비하여 다른 증착 특성을 나타내고, 해당 부분은 다른 부분에 대하여 박막의 증착 정도가 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 특정 부분에 형성되는 박막의 두께가 다른 부분에 비하여 얇게 형성되는 기판 맵의 분석 결과가 출력될 수 있다. 이러한 경우 해당 부분에 형성되는 박막이 두껍게 형성되도록 하는 온도로 열 매체가 가열되어 매체 수용 공간(710~730)에 주입될 수 있다.The medium accommodation space (710 to 730) can accommodate a thermal medium. The thermal medium may be heated to a temperature set with reference to the substrate map and injected into the medium receiving spaces 710 to 730. For example, the thermal medium is heated to a higher temperature or to a lower temperature compared to other parts of the substrate support portion 300 (hereinafter referred to as the substrate support body) excluding the medium receiving space 710 to 730, thereby heating the medium receiving space (710 to 730). It can be injected at 710~730). As the substrate support body and the medium receiving space (710 to 730) transfer heat to the substrate (W) at different temperatures, a temperature distribution corresponding to the shape of the medium receiving space (710 to 730) is formed on the surface of the substrate (W). can be formed. For this reason, the portion of the substrate W adjacent to the medium receiving space 710 to 730 may exhibit different deposition characteristics compared to other portions, and the degree of thin film deposition may be formed differently in that portion compared to other portions. For example, an analysis result of a substrate map in which a thin film formed in a specific part of the substrate W is thinner than other parts may be output. In this case, the heat medium may be heated to a temperature that allows the thin film formed in the corresponding portion to be thickened and injected into the medium receiving spaces 710 to 730.

매체 수용 공간(710~730)은 기판 지지부(300)의 중심축(Ax)을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 형성될 수 있다. 도 3 및 도 4는 링형 매체 수용 공간(710)이 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있고, 도 5 및 도 6은 판형 매체 수용 공간(720)이 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있으며, 도 7은 방사형 매체 수용 공간(730)이 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있다.The medium receiving spaces 710 to 730 may be formed in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis (Ax) of the substrate supporter 300. FIGS. 3 and 4 show a substrate support 300 with a ring-shaped medium receiving space 710, and FIGS. 5 and 6 show a substrate support 300 with a plate-shaped media receiving space 720. 7 shows a substrate support 300 provided with a radial medium receiving space 730.

사용자는 기판 맵을 참조하여 적절한 매체 수용 공간(710~730)이 구비된 기판 지지부(300)를 기판 처리 장치(10)에 설치할 수 있다. 또는, 매체 수용 공간(710~730)이 가열 플레이트(301)에 형성된 경우 사용자는 적절한 매체 수용 공간(710~730)이 구비된 가열 플레이트(301)를 베이스 플레이트(302)에 결합할 수 있다.A user can refer to the substrate map and install the substrate supporter 300 with appropriate media receiving spaces 710 to 730 in the substrate processing apparatus 10. Alternatively, when the media receiving spaces 710 to 730 are formed in the heating plate 301, the user can couple the heating plate 301 with the appropriate media receiving spaces 710 to 730 to the base plate 302.

기판(W)의 표면 중 원주 방향으로 상이한 두께의 박막이 형성되는 기판 맵이 제공되는 경우 사용자는 링형 매체 수용 공간(710)이 형성된 기판 지지부(300)를 이용할 수 있다. 기판(W)의 표면 중 일정 영역에서 상이한 두께의 박막이 형성되는 기판 맵이 제공되는 경우 사용자는 판형 매체 수용 공간(720)이 형성된 기판 지지부(300)를 이용할 수 있다. 기판(W)의 특정 지점에서 방사상으로 상이한 두께의 박막이 형성되는 기판 맵이 제공되는 경우 사용자는 방사형 매체 수용 공간(730)이 형성된 기판 지지부(300)를 이용할 수 있다. 적절한 매체 수용 공간(710~730)이 형성된 기판 지지부(300)가 이용됨에 따라 기판(W)에 증착되는 박막의 두께가 균일하게 형성될 수 있다.When a substrate map in which thin films of different thicknesses are formed in the circumferential direction of the surface of the substrate W is provided, the user can use the substrate support 300 in which the ring-shaped medium receiving space 710 is formed. When a substrate map in which thin films of different thicknesses are formed in certain areas of the surface of the substrate W is provided, the user can use the substrate support 300 in which the plate-shaped medium receiving space 720 is formed. When a substrate map in which thin films of different thicknesses are formed radially at specific points on the substrate W is provided, the user can use the substrate support 300 in which the radial medium receiving space 730 is formed. As the substrate support 300 with appropriate media receiving spaces 710 to 730 is used, the thickness of the thin film deposited on the substrate W can be formed uniformly.

도 8은 중심축에서 가장자리로 진행할수록 두께가 감소되는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이고, 도 9는 중심축에서 가장자리로 진행할수록 두께가 증가하는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이며, 도 10은 일측에서 타측으로 진행할수록 두께가 변화하는 매체 수용 공간이 형성된 기판 지지부의 측단면도이다.FIG. 8 is a side cross-sectional view of a substrate support portion having a media receiving space whose thickness decreases as it progresses from the central axis to the edge, and FIG. 9 is a side cross-sectional view of a substrate support portion having a media receiving space whose thickness increases as it progresses from the central axis to the edge. 10 is a side cross-sectional view of a substrate support portion in which a media receiving space whose thickness changes as it progresses from one side to the other is formed.

도 8을 참조하면, 매체 수용 공간(740)은 기판 지지부(300)의 중심축(Ax)에서 가장자리로 진행할수록 두께가 감소될 수 있다. 이러한 경우 기판 지지부(300)의 중심에서 가장자리로 진행할수록 매체 수용 공간(740)의 영향이 감소되는 온도 분포 특성이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the thickness of the medium accommodation space 740 may decrease as it progresses from the central axis (Ax) of the substrate supporter 300 to the edge. In this case, temperature distribution characteristics in which the influence of the medium receiving space 740 is reduced as it progresses from the center of the substrate supporter 300 to the edge can be provided.

도 9를 참조하면, 매체 수용 공간(750)은 기판 지지부(300)의 중심축(Ax)에서 가장자리로 진행할수록 두께가 증가될 수 있다. 이러한 경우 기판 지지부(300)의 중심에서 가장자리로 진행할수록 매체 수용 공간(750)의 영향이 증가되는 온도 분포 특성이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the thickness of the medium accommodation space 750 may increase as it progresses from the central axis (Ax) of the substrate supporter 300 to the edge. In this case, temperature distribution characteristics in which the influence of the medium receiving space 750 increases as it progresses from the center of the substrate supporter 300 to the edge can be provided.

도 10을 참조하면, 매체 수용 공간(760)은 기판 지지부(300)의 일측에서 타측로 진행할수록 두께가 증가되거나 감소될 수 있다. 이러한 경우 기판 지지부(300)의 일측에서 타측으로 진행할수록 매체 수용 공간(760)의 영향이 증가되거나 감소되는 온도 분포 특성이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 10 , the thickness of the medium accommodation space 760 may increase or decrease as it progresses from one side of the substrate supporter 300 to the other side. In this case, temperature distribution characteristics may be provided in which the influence of the medium receiving space 760 increases or decreases as it progresses from one side of the substrate supporter 300 to the other side.

도 10에 도시된 매체 수용 공간(760)이 형성된 기판 지지부(300)는 기판 맵이 참조되어 배치될 수 있다. 즉, 중심축(Ax)을 기준으로 기판 지지부(300)를 적절한 각도만큼 회전시켜 배치하는 경우 기판(W)의 일측에서 타측으로 진행할수록 박막의 증착률이 증가되거나 감소되는 효과가 제공될 수 있다.The substrate support 300 in which the medium receiving space 760 shown in FIG. 10 is formed can be placed with reference to the substrate map. That is, when the substrate support 300 is rotated and arranged at an appropriate angle based on the central axis Ax, the effect of increasing or decreasing the deposition rate of the thin film as it progresses from one side of the substrate W to the other side can be provided. .

도 11은 매체 수용 공간에 열 매체가 주입되는 것을 나타낸 도면이고, 도 12는 복수의 매체 수용 공간을 포함하는 기판 지지부의 평단면도이다.FIG. 11 is a diagram showing a thermal medium being injected into a medium accommodation space, and FIG. 12 is a plan cross-sectional view of a substrate support unit including a plurality of medium accommodation spaces.

도 11을 참조하면, 기판 지지부(300)에는 열 매체 탱크(810)가 열 매체 이송관(820)을 통하여 연결될 수 있다.Referring to FIG. 11 , a heat medium tank 810 may be connected to the substrate support unit 300 through a heat medium transfer pipe 820 .

열 매체 탱크(810)에는 열 매체(HTM)가 수용될 수 있다. 열 매체 이송관(820)에는 가열부(830) 및 밸브(840)가 구비될 수 있다. 가열부(830)는 열 매체 이송관(820)을 통과하는 열 매체(HTM)를 가열할 수 있다. 밸브(840)는 열 매체 이송관(820)을 개방하거나 폐쇄할 수 있다. 밸브(840)가 열 매체 이송관(820)을 개방하는 경우 매체 수용 공간(710~730)으로 열 매체(HTM)가 주입되고, 밸브(840)가 열 매체 이송관(820)을 폐쇄하는 경우 열 매체 이송관(820)을 통한 열 매체(HTM)의 이송이 중단될 수 있다.The thermal medium tank 810 may contain a thermal medium (HTM). The heat medium transfer pipe 820 may be provided with a heating unit 830 and a valve 840. The heating unit 830 may heat the heat medium (HTM) passing through the heat medium transfer pipe 820. The valve 840 may open or close the heat medium transfer pipe 820. When the valve 840 opens the heat medium transfer pipe 820, the heat medium (HTM) is injected into the medium receiving space 710 to 730, and when the valve 840 closes the heat medium transfer pipe 820. Transport of the thermal medium (HTM) through the thermal medium transfer pipe 820 may be stopped.

가열부(830)는 공정 구간별로 서로 다른 온도로 열 매체(HTM)를 가열할 수 있다. 적절한 온도로 가열된 열 매체(HTM)가 매체 수용 공간(710~730)에 주입됨에 따라 기판(W)에 증착되는 박막의 균일도가 향상될 수 있다.The heating unit 830 may heat the thermal medium (HTM) at different temperatures for each process section. As the thermal medium (HTM) heated to an appropriate temperature is injected into the medium receiving space (710 to 730), the uniformity of the thin film deposited on the substrate (W) can be improved.

도 12를 참조하면, 기판 지지부(300)에는 복수의 매체 수용 공간(770)이 구비될 수 있다.Referring to FIG. 12, the substrate supporter 300 may be provided with a plurality of media receiving spaces 770.

복수의 매체 수용 공간(770)은 서로 격리될 수 있다. 복수의 매체 수용 공간(770)에는 서로 다른 열 매체(HTM)가 주입될 수 있다. 예를 들어, 각 매체 수용 공간(770)으로 주입되는 열 매체(HTM)의 종류가 개별적으로 결정되거나 각 매체 수용 공간(770)으로 주입되는 열 매체(HTM)의 온도가 개별적으로 결정될 수 있다.The plurality of media receiving spaces 770 may be isolated from each other. Different thermal media (HTM) may be injected into the plurality of medium accommodation spaces 770. For example, the type of heat medium (HTM) injected into each medium accommodation space 770 may be individually determined, or the temperature of the heat medium (HTM) injected into each medium accommodation space 770 may be individually determined.

기판 맵이 참조되어 복수의 매체 수용 공간(770)으로 주입되는 열 매체(HTM)의 종류 또는 온도가 결정됨에 따라 기판(W)에 증착되는 박막의 균일도가 향상될 수 있다.As the type or temperature of the thermal medium (HTM) injected into the plurality of medium receiving spaces 770 is determined with reference to the substrate map, the uniformity of the thin film deposited on the substrate W can be improved.

도 13은 링형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 측단면도이고, 도 14는 도 13에 도시된 기판 지지부의 평단면도이고, 도 15는 판형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 평단면도이며, 도 16은 판형 열 전도체가 구비된 기판 지지부의 평단면도이다.FIG. 13 is a side cross-sectional view of the substrate support provided with a ring-shaped heat conductor, FIG. 14 is a plan cross-sectional view of the substrate support shown in FIG. 13, FIG. 15 is a plan cross-sectional view of the substrate support provided with a plate-shaped heat conductor, and FIG. 16 is a plan cross-sectional view of the substrate support provided with a plate-shaped heat conductor. This is a plan cross-sectional view of the substrate support provided with a plate-shaped heat conductor.

도 13 내지 도 16을 참조하면, 온도 조절부는 기판(W)에 직접 접촉되어 기판(W)으로 열을 전달하는 열 전도체(910, 920, 930)를 포함할 수 있다.13 to 16, the temperature control unit may include heat conductors 910, 920, and 930 that are in direct contact with the substrate W and transfer heat to the substrate W.

기판 지지부(300)는 기판(W)이 지지되는 안착면을 포함할 수 있다. 기판(W)이 밀착되는 열 전도체(910~930)의 일측면은 기판 지지부(300)의 안착면과 동일 평면상에 형성될 수 있다. 이에, 기판(W)이 기판 지지부(300)에 안정적으로 안착되고, 기판 지지 몸체 및 열 전도체(910~930)에 접촉되어 열을 전달받을 수 있게 된다.The substrate support 300 may include a seating surface on which the substrate W is supported. One side of the heat conductor 910 to 930 to which the substrate W is in close contact may be formed on the same plane as the seating surface of the substrate support 300. Accordingly, the substrate W is stably seated on the substrate supporter 300 and can receive heat by contacting the substrate support body and the heat conductors 910 to 930.

열 전도체(910~930)는 가열 플레이트(301) 및 베이스 플레이트(302) 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. 도 13 내지 도 16은 가열 플레이트(301)에 열 전도체(910~930)가 구비된 것을 도시하고 있으나, 본 발명의 몇몇 실시예에 따르면 베이스 플레이트(302)에 열 전도체(910~930)가 구비되거나 가열 플레이트(301) 및 베이스 플레이트(302) 모두에 열 전도체(910~930)가 구비될 수도 있다.Heat conductors 910 to 930 may be provided on at least one of the heating plate 301 and the base plate 302. 13 to 16 show that the heating plate 301 is provided with heat conductors 910 to 930. However, according to some embodiments of the present invention, the base plate 302 is provided with heat conductors 910 to 930. Alternatively, heat conductors 910 to 930 may be provided on both the heating plate 301 and the base plate 302.

전술한 바와 같이, 가열 플레이트(301)에는 히터가 구비될 수 있다. 히터의 열은 가열 플레이트(301)를 통하여 열 전도체(910~930)로 전달되거나 직접 열 전도체(910~930)로 전달될 수 있다. 열 전도체(910~930)는 기판 지지부(300)의 다른 부분 즉, 기판 지지 몸체와는 상이한 열 전도율을 갖는 재질로 구성될 수 있다. 기판 지지 몸체와 열 전도체(910~930)의 열 전도율이 상이함에 따라 기판 지지 몸체와 열 전도체(910~930)에 접촉된 기판(W)으로 전달되는 열의 특성이 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 몸체에 접촉한 기판(W)의 부분에 비하여 열 전도체(910~930)에 접촉된 기판(W)의 부분이 높은 열을 전달받거나 낮은 열을 전달받을 수 있는 것이다.As described above, the heating plate 301 may be equipped with a heater. Heat from the heater may be transferred to the heat conductors 910 to 930 through the heating plate 301 or directly to the heat conductors 910 to 930. The heat conductors 910 to 930 may be made of a material having a different thermal conductivity from other parts of the substrate support 300, that is, the substrate support body. As the thermal conductivity of the substrate support body and the heat conductors 910 to 930 are different, the characteristics of heat transferred to the substrate W in contact with the substrate support body and the heat conductors 910 to 930 may be formed differently. For example, the portion of the substrate W in contact with the heat conductors 910 to 930 may receive high or low heat compared to the portion of the substrate W in contact with the substrate support body.

열 전도체(910~930)는 기판 지지부(300)의 중심축(Ax)을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 구비될 수 있다. 도 13 및 도 14는 링형 열 전도체(910)가 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있고, 도 15는 판형 열 전도체(920)가 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있으며, 도 16은 방사형 열 전도체(930)가 구비된 기판 지지부(300)를 도시하고 있다.The heat conductors 910 to 930 may be provided in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis (Ax) of the substrate support part 300. 13 and 14 show a substrate support 300 provided with a ring-shaped heat conductor 910, FIG. 15 shows a substrate support 300 provided with a plate-shaped heat conductor 920, and FIG. 16 shows It shows a substrate support 300 equipped with a radial heat conductor 930.

사용자는 기판 맵을 참조하여 적절한 열 전도체(910~930)가 구비된 기판 지지부(300)를 기판 처리 장치(10)에 설치할 수 있다. 또는, 열 전도체(910~930)가 가열 플레이트(301)에 구비된 경우 사용자는 적절한 열 전도체(910~930)가 구비된 가열 플레이트(301)를 베이스 플레이트(302)에 결합할 수 있다.A user may install the substrate support 300 equipped with appropriate heat conductors 910 to 930 in the substrate processing apparatus 10 by referring to the substrate map. Alternatively, if heat conductors 910 to 930 are provided in the heating plate 301, the user may couple the heating plate 301 equipped with appropriate heat conductors 910 to 930 to the base plate 302.

도 17은 열 전도체가 기판 지지부에서 착탈되는 것을 설명하기 위한 도면이다.Figure 17 is a diagram to explain how the heat conductor is attached and detached from the substrate support part.

도 17을 참조하면, 열 전도체(910~930)는 기판 지지부(300)에서 착탈될 수 있다. 사용자는 적절한 열 전도체(910~930)를 결정하여 기판 지지부(300)에 부착할 수 있다.Referring to FIG. 17, the heat conductors 910 to 930 may be detached from the substrate support 300. The user may determine appropriate heat conductors 910 to 930 and attach them to the substrate support 300.

열 전도체(910~930)의 종류는 기판 맵이 참조되어 결정될 수 있다. 예를 들어, 열 전도체(910~930)는 기판 지지 몸체에 비하여 높은 온도로 기판(W)에 열을 전달하거나 낮은 온도로 열을 전달하는 것으로 결정될 수 있다. 기판 지지 몸체와 열 전도체(910~930)가 서로 다른 온도로 기판(W)에 열을 전달함에 따라 열 전도체(910~930)의 형태에 대응하는 온도 분포가 기판(W)의 표면에 형성될 수 있다. 이로 인해, 열 전도체(910~930)에 인접한 기판(W)의 부분은 다른 부분에 비하여 다른 증착 특성을 나타내고, 해당 부분은 다른 부분에 대하여 박막의 증착 정도가 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 특정 부분에 형성되는 박막의 두께가 다른 부분에 비하여 얇게 형성되는 기판 맵의 분석 결과가 출력될 수 있다. 이러한 경우 해당 부분에 형성되는 박막이 두껍게 형성되도록 하는 열 전도율을 갖는 열 전도체(910~930)가 기판 지지부(300)에 부착될 수 있다.The type of heat conductor 910 to 930 can be determined by referring to the substrate map. For example, the heat conductors 910 to 930 may be determined to transfer heat to the substrate W at a higher temperature or to transfer heat at a lower temperature than the substrate support body. As the substrate support body and the heat conductors 910 to 930 transfer heat to the substrate W at different temperatures, a temperature distribution corresponding to the shape of the heat conductors 910 to 930 will be formed on the surface of the substrate W. You can. Because of this, the portion of the substrate W adjacent to the heat conductors 910 to 930 exhibits different deposition characteristics compared to other portions, and the degree of thin film deposition in that portion may be different from that of other portions. For example, an analysis result of a substrate map in which a thin film formed in a specific part of the substrate W is thinner than other parts may be output. In this case, heat conductors 910 to 930 having a thermal conductivity that allows the thin film formed in the corresponding portion to be thick may be attached to the substrate support portion 300.

도시되어 있지는 않으나, 개별적인 열 전도 특성을 제공하는 복수의 열 전도체(910~930)가 기판 지지부(300)에 구비될 수도 있다. 사용자는 기판 맵을 참조하여 복수의 열 전도체(910~930)를 결정할 수 있으며, 각 열 전도체(910~930)는 개별적인 열 전도 특성으로 기판(W)에 열을 전달할 수 있다. 예를 들어, 일부의 열 전도체(910~930)는 기판 지지 몸체에 비하여 높은 열을 기판(W)에 전달하고, 다른 일부의 열 전도체(910~930)는 기판 지지 몸체에 비하여 낮은 열을 기판(W)에 전달하며, 또 다른 일부의 열 전도체(910~930)는 기판 지지 몸체와 유사한 열을 기판(W)에 전달할 수 있다.Although not shown, a plurality of heat conductors 910 to 930 that provide individual heat conduction characteristics may be provided in the substrate support part 300. The user can determine a plurality of heat conductors 910 to 930 by referring to the substrate map, and each heat conductor 910 to 930 can transfer heat to the substrate W with individual heat conduction characteristics. For example, some of the heat conductors 910 to 930 transfer higher heat to the substrate W compared to the substrate support body, and other heat conductors 910 to 930 transmit lower heat to the substrate than the substrate support body. (W), and another portion of the heat conductors (910 to 930) may transmit heat similar to that of the substrate support body to the substrate (W).

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the attached drawings, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

10: 기판 처리 장치 100: 공정 챔버
200: 커버 300: 기판 지지부
400: 승강부 500: 샤워헤드
600: 메인 제어부 710, 720, 730: 매체 수용 공간
810: 열 매체 탱크 820: 열 매체 이송관
830: 가열부 840: 밸브
910, 920, 930: 열 전도체10: substrate processing device 100: process chamber
200: Cover 300: Substrate support
400: Elevating unit 500: Shower head
600: main control unit 710, 720, 730: media receiving space
810: heat medium tank 820: heat medium transfer pipe
830: heating unit 840: valve
910, 920, 930: heat conductor

Claims (12)

기판의 공정을 위한 공정 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 및
상기 공정 챔버에 구비되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하되,
상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부의 다른 부분에 비하여 상기 기판에 개별적인 열 전달 특성을 제공하는 온도 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber that provides a processing space for processing a substrate; and
Includes a substrate supporter provided in the process chamber and supporting the substrate,
The substrate processing apparatus wherein the substrate support includes a temperature control unit that provides individual heat transfer characteristics to the substrate compared to other portions of the substrate support. 제1 항에 있어서,
상기 온도 조절부는 상기 기판 지지부의 내부에 형성되어 열 매체의 수용 공간을 제공하는 매체 수용 공간을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The temperature control unit is formed inside the substrate support unit and includes a medium accommodating space that provides a accommodating space for a heat medium. 제2 항에 있어서,
상기 기판 지지부는,
내부에 히터를 구비하여 상기 기판에 열을 제공하는 가열 플레이트; 및
상기 가열 플레이트를 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고,
상기 매체 수용 공간은 상기 가열 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 중 적어도 하나에 구비되는 기판 처리 장치.According to clause 2,
The substrate support part,
a heating plate having a heater therein to provide heat to the substrate; and
It includes a base plate supporting the heating plate,
The substrate processing apparatus wherein the medium receiving space is provided in at least one of the heating plate and the base plate. 제2 항에 있어서,
상기 매체 수용 공간은 상기 기판 지지부의 중심축을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 형성되는 기판 처리 장치.According to clause 2,
The substrate processing apparatus wherein the medium receiving space is formed in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis of the substrate support part. 제2 항에 있어서,
상기 매체 수용 공간은 복수 개가 구비되고, 상기 복수의 매체 수용 공간에 서로 다른 열 매체가 주입 가능한 기판 처리 장치.According to clause 2,
A substrate processing apparatus comprising a plurality of medium accommodation spaces, and capable of injecting different heat media into the plurality of medium accommodation spaces. 제1 항에 있어서,
상기 온도 조절부는 상기 기판에 직접 접촉되어 상기 기판으로 열을 전달하는 열 전도체를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The temperature control unit is a substrate processing device including a heat conductor that directly contacts the substrate and transfers heat to the substrate. 제6 항에 있어서,
상기 기판이 밀착되는 상기 열 전도체의 일측면은 상기 기판이 안착되는 상기 기판 지지부의 안착면과 동일 평면상에 형성되는 기판 처리 장치.According to clause 6,
A substrate processing apparatus wherein one side of the heat conductor on which the substrate is in close contact is formed on the same plane as a seating surface of the substrate support portion on which the substrate is mounted. 제6 항에 있어서,
상기 기판 지지부는,
내부에 히터를 구비하여 상기 기판에 열을 제공하는 가열 플레이트; 및
상기 가열 플레이트를 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고,
상기 열 전도체는 상기 가열 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 중 적어도 하나에 구비되는 기판 처리 장치.According to clause 6,
The substrate support part,
a heating plate having a heater therein to provide heat to the substrate; and
It includes a base plate supporting the heating plate,
The heat conductor is provided in at least one of the heating plate and the base plate. 제6 항에 있어서,
상기 열 전도체는 상기 기판 지지부의 다른 부분과는 상이한 열 전도율을 갖는 재질로 구성되는 기판 처리 장치.According to clause 6,
The substrate processing apparatus wherein the heat conductor is made of a material having a different thermal conductivity from other parts of the substrate support. 제6 항에 있어서,
상기 열 전도체는 상기 기판 지지부의 중심축을 기준으로 링형, 판형 또는 방사형으로 구비되는 기판 처리 장치.According to clause 6,
The heat conductor is a substrate processing device in which the heat conductor is provided in a ring shape, plate shape, or radial shape with respect to the central axis of the substrate support part. 제6 항에 있어서,
상기 열 전도체는 복수 개가 구비되고, 상기 복수의 열 전도체는 개별적인 열 전도 특성을 제공하는 기판 처리 장치.According to clause 6,
A substrate processing apparatus comprising a plurality of heat conductors, wherein the plurality of heat conductors provide individual heat conduction characteristics. 제6 항에 있어서,
상기 열 전도체는 상기 기판 지지부에 착탈 가능한 기판 처리 장치.According to clause 6,
A substrate processing device wherein the heat conductor is detachable from the substrate support unit.

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