KR20240021588A - A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same - Google Patents
A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240021588A KR20240021588A KR1020220100101A KR20220100101A KR20240021588A KR 20240021588 A KR20240021588 A KR 20240021588A KR 1020220100101 A KR1020220100101 A KR 1020220100101A KR 20220100101 A KR20220100101 A KR 20220100101A KR 20240021588 A KR20240021588 A KR 20240021588A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- emitting devices
- magnet
- assembly
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Polyethylene Naphthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
실시예는 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치 및 이를 이용한 자가 조립장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치는 유체가 담긴 수조와, 상기 수조의 일측 영역에 배치되는 분배 기판과, 상기 분배 기판의 하측에 배치되는 롤러 마그넷부와, 상기 수조의 타측 영역에 배치되는 트레이 파트와, 상기 분배 기판 상측에 배치되는 마그네틱 이송부 및 상기 분배 기판의 하측 또는 상측에 배치되는 카메라부를 포함한다.The embodiment relates to a uniform cluster supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same.
An apparatus for supplying uniform clusters of semiconductor light emitting devices for display pixels according to an embodiment includes a water tank containing a fluid, a distribution substrate disposed in one area of the water tank, a roller magnet portion disposed below the distribution substrate, and the water tank. It includes a tray part disposed on the other side, a magnetic transfer portion disposed on an upper side of the distribution substrate, and a camera portion disposed below or above the distribution substrate.
Description
실시예는 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치 및 이를 이용한 자가 조립장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a uniform cluster supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same.
대면적 디스플레이는 액정디스플레이(LCD), OLED 디스플레이, 그리고 마이크로-LED 디스플레이(Micro-LED display) 등이 있다.Large-area displays include liquid crystal displays (LCDs), OLED displays, and Micro-LED displays.
마이크로-LED 디스플레이는 100㎛ 이하의 직경 또는 단면적을 가지는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하는 디스플레이이다.A micro-LED display is a display that uses micro-LED, a semiconductor light emitting device with a diameter or cross-sectional area of 100㎛ or less, as a display element.
마이크로-LED 디스플레이는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하기 때문에 명암비, 응답속도, 색 재현율, 시야각, 밝기, 해상도, 수명, 발광효율이나 휘도 등 많은 특성에서 우수한 성능을 가지고 있다.Because micro-LED displays use micro-LED, a semiconductor light-emitting device, as a display device, they have excellent performance in many characteristics such as contrast ratio, response speed, color gamut, viewing angle, brightness, resolution, lifespan, luminous efficiency, and luminance.
특히 마이크로-LED 디스플레이는 화면을 모듈 방식으로 분리, 결합할 수 있어 크기나 해상도 조절이 자유로운 장점 및 플렉서블 디스플레이 구현이 가능한 장점이 있다.In particular, the micro-LED display has the advantage of being able to freely adjust the size and resolution and implement a flexible display because the screen can be separated and combined in a modular manner.
그런데 대형 마이크로-LED 디스플레이는 수백만 개 이상의 마이크로-LED가 필요로 하기 때문에 마이크로-LED를 디스플레이 패널에 신속하고 정확하게 전사하기 어려운 기술적 문제가 있다.However, because large micro-LED displays require more than millions of micro-LEDs, there is a technical problem that makes it difficult to quickly and accurately transfer micro-LEDs to the display panel.
최근 개발되고 있는 전사기술에는 픽앤-플레이스 공법(pick and place process), 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off method) 또는 자가조립 방식(self-assembly method) 등이 있다.Transfer technologies that have been recently developed include the pick and place process, laser lift-off method, or self-assembly method.
이 중에서, 자가조립 방식은 유체 내에서 반도체 발광소자가 조립위치를 스스로 찾아가는 방식으로서 대화면의 디스플레이 장치의 구현에 유리한 방식이다.Among these, the self-assembly method is a method in which the semiconductor light-emitting device finds its assembly position within the fluid on its own, and is an advantageous method for implementing a large-screen display device.
최근에 미국등록특허 제9,825,202 등에서 자가조립에 적합한 마이크로-LED 구조를 제시한 바 있으나, 아직 마이크로-LED의 자가조립을 통하여 디스플레이를 제조하는 기술에 대한 연구가 미비한 실정이다.Recently, a micro-LED structure suitable for self-assembly has been proposed in US Patent No. 9,825,202, etc., but research on technology for manufacturing displays through self-assembly of micro-LEDs is still insufficient.
특히 종래기술에서 대형 디스플레이에 수백만 개 이상의 반도체 발광소자를 신속하게 전사하는 경우 전사 속도(transfer speed)는 향상시킬 수 있으나 전사 불량률(transfer error rate)이 높아질 수 있어 전사 수율(transfer yield)이 낮아지는 기술적 문제가 있다.In particular, in the case of rapidly transferring millions of semiconductor light emitting devices to a large display in the prior art, the transfer speed can be improved, but the transfer error rate can increase, which lowers the transfer yield. There is a technical problem.
내부 기술에서는 자석의 자력과 유전영동(dielectrophoresis, DEP)을 이용한 자가조립 공정이 연구되고 있다.In internal technology, self-assembly processes using the magnetic force of magnets and dielectrophoresis (DEP) are being studied.
내부 기술의 자가조립 공정은 조립 기판 표면처리단계, 조립 기판 로딩 단계, 반도체 발광소자 칩의 공급단계, 조립 및 칩 회수단계, 검사, 건조 및 기판 분리단계 순으로 진행되고 있다.The internal technology self-assembly process is carried out in the following order: assembled substrate surface treatment stage, assembled substrate loading stage, semiconductor light emitting device chip supply stage, assembly and chip recovery stage, inspection, drying and substrate separation stage.
상기 조립 기판 로딩단계는 조립 기판을 기판 척에 로딩하는 단계이며, 기판 척에 로딩된 조립 기판은 조립 챔버의 조립 위치로 이송된다. 이후, 자기장 형성부가 수직 및 수평 이동을 통해 조립 기판에 근접한다.The assembled substrate loading step is a step of loading the assembled substrate into the substrate chuck, and the assembled substrate loaded on the substrate chuck is transferred to the assembly position in the assembly chamber. Thereafter, the magnetic field forming unit moves vertically and horizontally to approach the assembled substrate.
이 상태에서, 반도체 발광소자 칩 공급단계가 진행된다. 구체적으로, 조립 기판의 조립면에 반도체 발광소자를 분산시키는 단계가 진행된다. 자기장 형성부가 조립 기판에 충분히 근접한 상태에서 반도체 발광소자를 조립 면 근처에 분산시키는 경우, 상기 자기장 형성부에 의해 반도체 발광소자들이 조립면에 달라붙게 된다. In this state, the semiconductor light emitting device chip supply step proceeds. Specifically, a step of dispersing semiconductor light emitting elements on the assembly surface of the assembly substrate is performed. When the semiconductor light emitting devices are dispersed near the assembly surface while the magnetic field forming portion is sufficiently close to the assembly substrate, the semiconductor light emitting devices are adhered to the assembly surface by the magnetic field forming portion.
예를 들어, 다량의 회전 자석봉에 의해 자성 재료가 포함된 반도체 발광소자 칩 군집을 이동시켜가며 반도체 발광소자 칩이 이후 공정에서 조립 기판의 조립 포켓속으로 순차적으로 조립될 수 있다.For example, the semiconductor light emitting device chips can be sequentially assembled into the assembly pockets of the assembly substrate in a later process by moving a group of semiconductor light emitting device chips containing magnetic materials by a large number of rotating magnetic rods.
예들 들어, DEP force를 이용하여 자가조립이 수행되고, 반도체 발광소자를 회수하는 단계가 진행된다. 마지막으로, 자가조립이 완료된 후, 조립 기판을 검사, 건조하고 기판을 기판 척으로부터 분리할 수 있다. For example, self-assembly is performed using DEP force, and the step of recovering the semiconductor light-emitting device proceeds. Finally, after self-assembly is completed, the assembled board can be inspected, dried, and the board can be separated from the board chuck.
한편, 조립 기판의 조립 홀에 균일하게 반도체 발광소자 칩들이 공급되는 것은 조립 정확도 및 조립 속도에 현저한 영향을 주고 있다.Meanwhile, the uniform supply of semiconductor light emitting device chips to the assembly holes of the assembly board has a significant impact on assembly accuracy and assembly speed.
이에 따라 내부기술에서는 조립 챔버 내에 칩 트레이를 배치하고 칩 트레이에 반도체 발광소자 칩들을 공급한 후에 칩 트레이를 이용하여 조립 기판에 균일하게 반도체 발광소자를 제공하여 조립 효율을 향상시키고 있다.Accordingly, internal technology places a chip tray in an assembly chamber, supplies semiconductor light-emitting device chips to the chip tray, and then uses the chip tray to uniformly provide semiconductor light-emitting devices to the assembly substrate to improve assembly efficiency.
그런데 내부기술에 의하면 칩 트레이에 반도체 발광소자를 균일하게 배치시키는 것에 어려움에 직면하고 있다.However, according to internal technology, difficulties are being faced in uniformly disposing semiconductor light emitting devices on the chip tray.
내부기술에서는 소정의 자석 피펫 어레이를 이용하여 반도체 발광소자 칩들을 칩 트레이로 이동시키는 방법을 적용하고 있으나 다량으로 공급된 반도체 발광소자들을 각 자석 피펫이 균일하게 반도체 발광소자 군집을 자력으로 흡착하지 못하는 실정이며, 이에 따라 칩 트레이에 공급되는 반도체 발광소자 칩들도 균일하게 공급이 어려운 사정이다.The internal technology uses a method of moving semiconductor light-emitting device chips to a chip tray using a predetermined magnetic pipette array, but each magnetic pipette is unable to magnetically attract the semiconductor light-emitting device clusters uniformly for the semiconductor light-emitting devices supplied in large quantities. The current situation is such that it is difficult to uniformly supply semiconductor light emitting device chips supplied to chip trays.
또한 내부 기술에는 칩 트레이에 칩을 공급할 때, 소정의 화소영역에 대응되도록 균일하게 이격된 위치에 반도체 발광소자를 공급하지 못하고 라인형태 정도로 공급하는 실정이며, 이에 따라 이후 진행되는 자력과 DEP force를 이용한 자가조립에서 조립 기판의 조립 홀에 균일하게 반도체 발광소자 칩이 공급되지 못해 조립 효율이나 조립 속도가 저하되는 문제가 있다.In addition, in the internal technology, when supplying chips to a chip tray, the semiconductor light emitting devices are not supplied at evenly spaced positions to correspond to the predetermined pixel area, but are supplied in the form of a line. As a result, the magnetic force and DEP force that proceed thereafter are not supplied. In self-assembly, there is a problem that the semiconductor light emitting device chips are not uniformly supplied to the assembly holes of the assembly board, which reduces assembly efficiency and assembly speed.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 자가 조립에 있어서, 자가조립 챔버의 칩 트레이에 균일한 단위의 반도체 발광소자 군집을 공급하고자 함이다.One of the technical tasks of the embodiment is to supply a uniform unit of semiconductor light-emitting device clusters to the chip tray of the self-assembly chamber in self-assembly of semiconductor light-emitting devices for display pixels.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 명세서를 전체를 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this item and include those that can be understood through the entire specification.
실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치는 유체(1020)가 담긴 수조(1010); 상기 수조(1010)의 일측 영역에 배치되는 분배 기판(1130); 상기 분배 기판(1130)의 하측에 배치되는 롤러 마그넷부(1100); 상기 수조의 타측 영역에 배치되는 트레이 파트(1500); 상기 분배 기판(1130) 상측에 배치되는 마그네틱 이송부(1210); 및 상기 분배 기판(1130)의 하측 또는 상측에 배치되는 카메라부(1310);를 포함한다.An apparatus for supplying uniform clusters of semiconductor light emitting devices for display pixels according to an embodiment includes a
상기 마그네틱 이송부(1210)는 제1 회전 자석부(1212)와 상기 제1 회전 자석부(1212)를 수용하는 수용 홈을 포함하는 제1 수용바디(1211)를 포함한다.The
상기 마그네틱 이송부(1210)는 수평 이동 및 회전운동할 수 있다.The
상기 롤러 마그넷부(1100)는 복수의 롤러 마그넷부를 포함하고, 상기 롤러 마그넷부는 복수의 롤러 자석(1121, 1122, 1123, 1124)을 포함한다.The
상기 롤러 마그넷부(1100)에서 외측에 배치되는 롤러 자석(1121, 1124)의 사이즈는 내측에 배치되는 롤러 자석(1122, 1123)의 사이즈 보다 클 수 있다.The size of the
상기 롤러 마그넷부(1110A)는 중심부(111C)에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 상기 제1 라운드 자석(1111)과 마주보도록 배치된 제1 라운드 바디(1111B)를 포함한다.The
상기 롤러 마그넷부(1110B)는 중심부(111C)에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 상기 제1 라운드 자석(1111)에 마주보도록 배치된 제2 라운드 자석부(1112)을 포함한다. The
실시예에 따른 반도체 발광소자의 디스플레이 장치의 자가 조립장치는 상기 어느 하나의 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치를 포함할 수 있다.A self-assembly device for a display device of a semiconductor light-emitting device according to an embodiment may include a device for supplying uniform clusters of semiconductor light-emitting devices for one of the display pixels.
실시예에 의하면, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 자가 조립에 있어서, 자가조립 챔버의 칩 트레이에 균일한 단위의 반도체 발광소자 군집을 공급할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to an embodiment, in the self-assembly of semiconductor light-emitting devices for display pixels, there is a technical effect of supplying a uniform unit of semiconductor light-emitting device clusters to a chip tray of a self-assembly chamber.
예를 들어, 실시예는 다량의 조립될 반도체 발광소자 칩들을 동일한 양의 군집으로 분배하는 시스템 구현이 가능하다.For example, the embodiment can implement a system that distributes a large amount of semiconductor light emitting device chips to be assembled into equal amounts of clusters.
예를 들어, 실시예는 다량의 칩들을 분배하는 단계, 칩들을 포획하고 측정하는 단계, 칩 군집을 이동하는 단계, 칩 군집을 트레이로 이동하는 단계를 포함하며 칩 군집 균일도 문제를 개선시킬 수 있는 효과가 있다.For example, the embodiment includes distributing a large amount of chips, capturing and measuring the chips, moving the chip cluster, and moving the chip cluster to a tray, which can improve the chip cluster uniformity problem. It works.
예를 들어, 실시예에 의하면, 다량의 칩들을 동일한 양의 칩들로 분배한 후 자가 조립 기판의 특정 위치에 공급하기 위한 트레이 파트에 일정하게 이격된 배열로 발광소자의 균일 군집을 균일하게 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.For example, according to an embodiment, after distributing a large amount of chips into an equal amount of chips, a uniform cluster of light emitting devices can be uniformly supplied in a uniformly spaced arrangement to a tray part for supply to a specific location of a self-assembled substrate. There are special technical effects.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 발명의 설명으로부터 파악되는 것을 포함한다.The technical effects of the embodiments are not limited to those described in this section, but include those understood from the description of the invention.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치가 배치된 주택의 거실에 대한 예시도.
도 2는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
도 3은 도 2의 화소의 일 예를 보여주는 회로도.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치에서 제1 패널영역의 확대도.
도 5는 도 4의 A2 영역의 B1-B2 선을 따른 단면도.
도 6은 실시예에 따른 발광소자가 자가조립 방식에 의해 기판에 조립되는 예시도.
도 7은 도 6의 A3 영역의 부분 확대도.
도 8a는 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 상태도.
도 8b는 도 8a에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제2 상태도.
도 8c는 도 8a에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 마그네틱 이송부(1210)의 제1 상세도.
도 8d는 도 8b에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 마그네틱 이송부(1210)의 제2 상세도.
도 9a는 도 8a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 상태 평면도.
도 9b는 도 9a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에 관한 제1 상태 다음의 제2 상태 평면도.
도 9c는 도 9b에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에 관한 제2 상태 다음의 제3 상태 평면도.
도 10a는 도 9b에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 영역( M1)에 관한 확대도.
도 10b는 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 영역( M1) 중 제2 영역( M2)에 관한 확대도.
도 10c는 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 영역( M1)에 대한 상세도.
도 11은 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 롤러 마그넷부(1100)의 상세도.
도 12a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)의 예시도.
도 12b는 도 12a에 도시된 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)의 상세도.
도 13a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)의 예시도.
도 13b는 도 13a에 도시된 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)의 상세도.
도 14a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)의 예시도.
도 14b는 도 14a에 도시된 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)의 상세도.
도 15a는 제2 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2002)의 제1 상태도.
도 15b는 도 15a에 도시된 제2 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2002)의 제2 상태도.1 is an exemplary diagram of a living room of a house where a display device according to an embodiment is placed.
Figure 2 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the pixel of FIG. 2.
FIG. 4 is an enlarged view of the first panel area in the display device of FIG. 1.
Figure 5 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 in area A2 of Figure 4.
Figure 6 is an example of a light emitting device according to an embodiment being assembled on a substrate by a self-assembly method.
Figure 7 is a partial enlarged view of area A3 in Figure 6.
Figure 8a is a first state diagram of a uniform
FIG. 8B is a second state diagram of the uniform
FIG. 8C is a first detailed view of the first
FIG. 8D is a second detailed view of the first
FIG. 9A is a first state plan view of the uniform
FIG. 9B is a plan view of a second state following the first state of the uniform
FIG. 9C is a plan view of a third state following the second state of the uniform
FIG. 10A is an enlarged view of the first area M1 in the uniform
FIG. 10B is an enlarged view of the second region M2 of the first region M1 of the uniform
FIG. 10C is a detailed view of the first region M1 of the uniform
FIG. 11 is a detailed view of the
FIG. 12A is an exemplary diagram of the roller magnet portion 1100A according to the first embodiment in the uniform
FIG. 12B is a detailed view of the roller magnet portion 1100A according to the first embodiment shown in FIG. 12A.
FIG. 13A is an exemplary diagram of a roller magnet portion 1100B according to a second embodiment in the uniform
FIG. 13B is a detailed view of the roller magnet portion 1100B according to the second embodiment shown in FIG. 13A.
FIG. 14A is an exemplary diagram of a roller magnet portion 1100C according to a third embodiment in the uniform
FIG. 14B is a detailed view of the roller magnet portion 1100C according to the third embodiment shown in FIG. 14A.
Figure 15a is a first state diagram of a uniform
FIG. 15B is a second state diagram of the uniform
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 '모듈' 및 '부'는 명세서 작성의 용이함이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.Hereinafter, embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the attached drawings. The suffixes 'module' and 'part' for components used in the following description are given or used interchangeably in consideration of ease of specification preparation, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, the attached drawings are intended to facilitate easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings. Additionally, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being 'on' another component, this includes either directly on the other element or there may be other intermediate elements in between. do.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 디지털 TV, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트(Slate) PC, 태블릿(Tablet) PC, 울트라 북(Ultra-Book), 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에도 적용될 수 있다.Display devices described in this specification include digital TVs, mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, and slates. ) may include PCs, tablet PCs, ultra-books, desktop computers, etc. However, the configuration according to the embodiment described in this specification can be applied to a device capable of displaying even if it is a new product type that is developed in the future.
이하 실시예에 따른 발광소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment and a display device including the same will be described.
이하 실시예에 따른 반도체 발광소자 디스플레이 장치의 조립 기판구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, an assembly substrate structure of a semiconductor light emitting device display device according to an embodiment and a display device including the same will be described.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 배치된 주택의 거실을 도시한다.FIG. 1 shows a living room of a house where a
실시예의 디스플레이 장치(100)는 세탁기(101), 로봇 청소기(102), 공기 청정기(103) 등의 각종 전자 제품의 상태를 표시할 수 있고, 각 전자 제품들과 IOT 기반으로 통신할 수 있으며 사용자의 설정 데이터에 기초하여 각 전자 제품들을 제어할 수도 있다.The
실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 포함할 수 있다. 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나 말릴 수 있다.The
플렉서블 디스플레이에서 시각정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(unit pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현될 수 있다. 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다. 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 실시예에서 발광소자는 Micro-LED나 Nano-LED일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In a flexible display, visual information can be implemented by independently controlling the light emission of unit pixels arranged in a matrix form. A unit pixel refers to the minimum unit for implementing one color. A unit pixel of a flexible display can be implemented by a light emitting device. In the embodiment, the light emitting device may be Micro-LED or Nano-LED, but is not limited thereto.
다음으로 도 2는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이고, 도 3은 도 2의 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다.Next, FIG. 2 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the pixel of FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 디스플레이 장치는 디스플레이 패널(10), 구동 회로(20), 스캔 구동부(30) 및 전원 공급 회로(50)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , a display device according to an embodiment may include a
실시예의 디스플레이 장치(100)는 액티브 매트릭스(AM, Active Matrix)방식 또는 패시브 매트릭스(PM, Passive Matrix) 방식으로 발광소자를 구동할 수 있다.The
구동 회로(20)는 데이터 구동부(21)와 타이밍 제어부(22)를 포함할 수 있다.The driving
디스플레이 패널(10)은 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변에 배치된 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 화소(PX)들이 형성되어 영상을 디스플레이하는 영역이다. 디스플레이 패널(10)은 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 정수), 데이터 라인들(D1~Dm)과 교차되는 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 정수), 고전위 전압이 공급되는 고전위 전압 라인, 저전위 전압이 공급되는 저전위 전압 라인 및 데이터 라인들(D1~Dm)과 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속된 화소(PX)들을 포함할 수 있다.The
화소(PX)들 각각은 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 제1 파장의 제1 컬러 광을 발광하고, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 파장의 제2 컬러 광을 발광하며, 제3 서브 화소(PX3)는 제3 파장의 제3 컬러 광을 발광할 수 있다. 제1 컬러 광은 적색 광, 제2 컬러 광은 녹색 광, 제3 컬러 광은 청색 광일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 2에서는 화소(PX)들 각각이 3 개의 서브 화소들을 포함하는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 화소(PX)들 각각은 4 개 이상의 서브 화소들을 포함할 수 있다. Each of the pixels PX may include a first sub-pixel PX1, a second sub-pixel PX2, and a third sub-pixel PX3. The first sub-pixel (PX1) emits the first color light of the first wavelength, the second sub-pixel (PX2) emits the second color light of the second wavelength, and the third sub-pixel (PX3) emits the third color light. It is possible to emit light of a third color of wavelength. The first color light may be red light, the second color light may be green light, and the third color light may be blue light, but are not limited thereto. Additionally, in FIG. 2, it is illustrated that each of the pixels PX includes three sub-pixels, but the present invention is not limited thereto. That is, each pixel PX may include four or more sub-pixels.
제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 적어도 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 적어도 하나 및 고전위 전압 라인에 접속될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 도 3과 같이 발광소자(LD)들과 발광소자(LD)들에 전류를 공급하기 위한 복수의 트랜지스터들과 적어도 하나의 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. Each of the first sub-pixel (PX1), the second sub-pixel (PX2), and the third sub-pixel (PX3) includes at least one of the data lines (D1 to Dm), at least one of the scan lines (S1 to Sn), and It can be connected to the above voltage line. As shown in FIG. 3 , the first sub-pixel PX1 may include light-emitting devices LD, a plurality of transistors for supplying current to the light-emitting devices LD, and at least one capacitor Cst.
도면에 도시되지 않았지만, 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 단지 하나의 발광소자(LD)와 적어도 하나의 커패시터(Cst)를 포함할 수도 있다. Although not shown in the drawing, each of the first sub-pixel (PX1), the second sub-pixel (PX2), and the third sub-pixel (PX3) may include only one light emitting element (LD) and at least one capacitor (Cst). It may be possible.
발광소자(LD)들 각각은 제1 전극, 복수의 도전형 반도체층 및 제2 전극을 포함하는 반도체 발광 다이오드일 수 있다. 여기서, 제1 전극은 애노드 전극, 제2 전극은 캐소드 전극일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Each of the light emitting elements LD may be a semiconductor light emitting diode including a first electrode, a plurality of conductive semiconductor layers, and a second electrode. Here, the first electrode may be an anode electrode and the second electrode may be a cathode electrode, but this is not limited.
도 3을 참조하면 복수의 트랜지스터들은 발광소자(LD)들에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터 전압을 공급하는 스캔 트랜지스터(ST)를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)는 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극에 접속되는 게이트 전극, 고전위 전압이 인가되는 고전위 전압 라인에 접속되는 소스 전극 및 발광소자(LD)들의 제1 전극들에 접속되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 스캔 라인(Sk, k는 1≤k≤n을 만족하는 정수)에 접속되는 게이트 전극, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되는 소스 전극 및 데이터 라인(Dj, j는 1≤j≤m을 만족하는 정수)에 접속되는 드레인 전극을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the plurality of transistors may include a driving transistor (DT) that supplies current to the light emitting elements (LD) and a scan transistor (ST) that supplies a data voltage to the gate electrode of the driving transistor (DT). . The driving transistor DT has a gate electrode connected to the source electrode of the scan transistor ST, a source electrode connected to a high potential voltage line to which a high potential voltage is applied, and a drain connected to the first electrodes of the light emitting elements LD. It may include electrodes. The scan transistor (ST) has a gate electrode connected to the scan line (Sk, k is an integer satisfying 1≤k≤n), a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor (DT), and a data line (Dj, j). It may include a drain electrode connected to an integer satisfying 1≤j≤m.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차이값을 충전할 수 있다.The capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The storage capacitor Cst can charge the difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT.
구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)는 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)가 P 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)는 N 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)들 각각의 소스 전극과 드레인 전극의 위치는 변경될 수 있다.The driving transistor (DT) and the scan transistor (ST) may be formed of a thin film transistor. In addition, in FIG. 3, the driving transistor (DT) and the scan transistor (ST) are mainly described as being formed of a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but the present invention is not limited thereto. The driving transistor (DT) and scan transistor (ST) may be formed of an N-type MOSFET. In this case, the positions of the source and drain electrodes of the driving transistor (DT) and the scan transistor (ST) may be changed.
또한, 도 3에서는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각이 하나의 구동 트랜지스터(DT), 하나의 스캔 트랜지스터(ST) 및 하나의 커패시터(Cst)를 갖는 2T1C (2 Transistor - 1 capacitor)를 포함하는 것을 예시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 복수의 스캔 트랜지스터(ST)들과 복수의 커패시터(Cst)들을 포함할 수 있다.In addition, in FIG. 3, each of the first sub-pixel (PX1), the second sub-pixel (PX2), and the third sub-pixel (PX3) includes one driving transistor (DT), one scan transistor (ST), and one capacitor ( Although it is exemplified to include 2T1C (2 Transistor - 1 capacitor) with Cst), the present invention is not limited thereto. Each of the first sub-pixel (PX1), the second sub-pixel (PX2), and the third sub-pixel (PX3) may include a plurality of scan transistors (ST) and a plurality of capacitors (Cst).
다시 도 2를 참조하면, 구동 회로(20)는 디스플레이 패널(10)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 출력한다. 이를 위해, 구동 회로(20)는 데이터 구동부(21)와 타이밍 제어부(22)를 포함할 수 있다.Referring again to FIG. 2, the driving
데이터 구동부(21)는 타이밍 제어부(22)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 소스 제어 신호(DCS)를 입력 받는다. 데이터 구동부(21)는 소스 제어 신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 디스플레이 패널(10)의 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급한다.The
타이밍 제어부(22)는 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 입력 받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal) 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다. 호스트 시스템은 스마트폰 또는 태블릿 PC의 어플리케이션 프로세서, 모니터, TV의 시스템 온 칩 등일 수 있다.The
스캔 구동부(30)는 타이밍 제어부(22)로부터 스캔 제어 신호(SCS)를 입력 받는다. 스캔 구동부(30)는 스캔 제어 신호(SCS)에 따라 스캔 신호들을 생성하여 디스플레이 패널(10)의 스캔 라인들(S1~Sn)에 공급한다. 스캔 구동부(30)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 디스플레이 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에 형성될 수 있다. 또는, 스캔 구동부(30)는 집적 회로로 형성될 수 있으며, 이 경우 디스플레이 패널(10)의 다른 일 측에 부착되는 게이트 연성 필름 상에 장착될 수 있다.The
전원 공급 회로(50)는 메인 전원으로부터 디스플레이 패널(10)의 발광소자(LD)들을 구동하기 위한 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS)을 생성하여 디스플레이 패널(10)의 고전위 전압 라인과 저전위 전압 라인에 공급할 수 있다. 또한, 전원 공급 회로(50)는 메인 전원으로부터 구동 회로(20)와 스캔 구동부(30)를 구동하기 위한 구동 전압들을 생성하여 공급할 수 있다.The
다음으로 도 4는 도 1의 디스플레이 장치에서 제1 패널영역(A1)의 확대도이다.Next, Figure 4 is an enlarged view of the first panel area A1 in the display device of Figure 1.
도 4에 의하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 제1 패널영역(A1)과 같은 복수의 패널영역들이 타일링에 의해 기구적, 전기적 연결되어 제조될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the
제1 패널영역(A1)은 단위 화소(도 2의 PX) 별로 배치된 복수의 발광소자(150)를 포함할 수 있다.The first panel area A1 may include a plurality of light emitting
예컨대, 단위 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 예컨대, 복수의 적색 발광소자(150R)가 제1 서브 화소(PX1)에 배치되고, 복수의 녹색 발광소자(150G)가 제2 서브 화소(PX2)에 배치되며, 복수의 청색 발광소자(150B)가 제3 서브 화소(PX3)에 배치될 수 있다. 단위 화소(PX)는 발광소자가 배치되지 않는 제4 서브 화소를 더 포함할 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 한편, 발광소자(150)는 반도체 발광소자일 수 있다. For example, the unit pixel PX may include a first sub-pixel PX1, a second sub-pixel PX2, and a third sub-pixel PX3. For example, a plurality of red light-emitting
다음으로 도 5는 도 4의 A2 영역의 B1-B2 선을 따른 단면도이다.Next, Figure 5 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 in area A2 of Figure 4.
도 5를 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 기판(200a), 이격 배치된 배선(201a, 202a), 제1 절연층(211a), 제2 절연층(211b), 제3 절연층(206) 및 복수의 발광소자(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the
배선은 서로 이격된 제1 배선(201a) 및 제2 배선(202a)을 포함할 수 있다. 제1 배선(201a) 및 제2 배선(202a)은 패널에서 발광소자(150)에 전원을 인가하기 위한 패널 배선을 기능을 할 수 있으며, 발광소자(150)의 자가 조립의 경우 조립을 위한 유전영동 힘을 생성하기 위한 조립 전극 기능을 수행할 수도 있다. The wiring may include a
배선(201a, 202a)은 투명 전극(ITO)으로 형성되거나, 전기 전도성이 우수한 금속물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 배선(201a, 202a)은 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The
상기 제1 배선(201a) 및 제2 배선(202a) 사이에 제1 절연층(211a)이 배치될 수 있고, 상기 제1 배선(201a) 및 제2 배선(202a) 상에 제2 절연층(211b)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(211a)과 상기 제2 절연층(211b)은 산화막, 질화막 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.A first insulating
발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색 발광소자(150R), 녹색 발광소자(150G) 및 청색 발광소자(150B0를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 적색 형광체와 녹색 형광체 등을 구비하여 각각 적색과 녹색을 구현할 수도 있다.The light-emitting
기판(200a)은 유리나 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있다. 또한 기판(200a)은 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등의 유연성 있는 재질을 포함할 수 있다. 또한, 기판(200)은 투명한 재질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 기판(200a)은 패널에서의 지지 기판으로 기능할 수 있으며, 발광소자의 자가 조립시 조립용 기판으로 기능할 수도 있다.The
제3 절연층(206)은 폴리이미드, PEN, PET 등과 같이 절연성과 유연성 있는 재질을 포함할 수 있으며, 기판(200a)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수도 있다.The third
제3 절연층(206)은 접착성과 전도성을 가지는 전도성 접착층일 수 있고, 전도성 접착층은 연성이 있어서 디스플레이 장치의 플렉서블 기능을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(206)은 이방성 전도성 필름(ACF, anisotropy conductive film)이거나 이방성 전도매질, 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등의 전도성 접착층일 수 있다. 전도성 접착층은 두께에 대해 수직방향으로는 전기적으로 전도성이나, 두께에 대해 수평방향으로는 전기적으로 절연성을 가지는 레이어일 수 있다.The third
제1, 제2 배선(201a, 202a) 간의 간격은 발광소자(150)의 폭 및 조립 홀(203H)의 폭보다 작게 형성되어, 전기장을 이용한 발광소자(150)의 조립 위치를 보다 정밀하게 고정할 수 있다.The gap between the first and
제1, 제2 배선(201a, 202a) 상에는 제3 절연층(206)이 형성되어, 제1, 제2 배선(201a, 202a)을 유체(1200)로부터 보호하고, 제1, 제2 배선(201a, 202a)에 흐르는 전류의 누출을 방지할 수 있다. 제3 절연층(206)은 실리카, 알루미나 등의 무기물 절연체 또는 유기물 절연체가 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A third insulating
또한 제3 절연층(206)은 폴리이미드, PEN, PET 등과 같이 절연성과 유연성 있는 재질을 포함할 수 있으며, 기판(200)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수도 있다.Additionally, the third insulating
제3 절연층(206)은 격벽을 가지고, 이 격벽에 의해 조립 홀(203H)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(206)은 발광소자(150)가 삽입되기 위한 조립 홀(203H)을 포함할 수 있다(도 6 참조). 따라서, 자가 조립시, 발광소자(150)가 제3 절연층(206)의 조립 홀(203H)에 용이하게 삽입될 수 있다. 조립 홀(203H)은 삽입 홀, 고정 홀, 정렬 홀 등으로 불릴 수 있다. The third
조립 홀(203H)은 대응하는 위치에 조립될 발광소자(150)의 형상에 대응하는 형상 및 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 조립 홀(203H)에 다른 발광소자가 조립되거나 복수의 발광소자들이 조립되는 것을 방지할 수 있다.The assembly hole 203H may have a shape and size corresponding to the shape of the
다음으로 도 6은 실시예에 따른 발광소자가 자가조립 방식에 의해 기판에 조립되는 예를 나타내는 도면이며, 도 7은 도 6의 A3 영역의 부분 확대도이다. 도 7은 설명 편의를 위해 A3 영역을 180도 회전시킨 상태의 도면이다.Next, FIG. 6 is a diagram showing an example in which a light emitting device according to an embodiment is assembled on a substrate by a self-assembly method, and FIG. 7 is a partial enlarged view of area A3 of FIG. 6. Figure 7 is a diagram with area A3 rotated by 180 degrees for convenience of explanation.
도 6 및 도 7을 기초로 실시예에 따른 반도체 발광소자를 전자기장을 이용한 자가조립 방식에 의해 디스플레이 패널에 조립되는 예를 설명하기로 한다.Based on FIGS. 6 and 7 , an example in which a semiconductor light emitting device according to an embodiment is assembled into a display panel by a self-assembly method using an electromagnetic field will be described.
이후 설명되는 조립 기판(200)은 발광소자의 조립 후에 디스플레이 장치에서 패널 기판(200a)의 기능도 할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The assembled
도 6을 참조하면, 반도체 발광소자(150)는 유체(1200)가 채워진 챔버(1300)에 투입될 수 있으며, 자력이 있는 조립 장치(700)로부터 발생하는 자기장에 의해 반도체 발광소자(150)는 조립 기판(200)으로 이동할 수 있다. 이때 조립 기판(200)의 조립 홀(203H)에 인접한 발광소자(150)는 조립 전극들의 전기장에 의한 DEP force에 의해 조립 홀(230)에 조립될 수 있다. 상기 유체(1200)는 초순수 등의 물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 챔버는 수조, 컨테이너, 용기 등으로 불릴 수 있다.Referring to FIG. 6, the semiconductor
반도체 발광소자(150)가 챔버(1300)에 투입된 후, 조립 기판(200)이 챔버(1300) 상에 배치될 수 있다. 실시 예에 따라, 조립 기판(200)은 챔버(1300) 내로 투입될 수도 있다.After the semiconductor
내부기술에서는 조립 챔버 내에 칩 트레이(500)를 배치하고 칩 트레이에 반도체 발광소자 칩들(150G)을 공급한 후에 칩 트레이(500)를 이용하여 조립 기판에 균일하게 반도체 발광소자를 제공하여 조립 효율을 향상시키고 있다.In the internal technology, a
다음으로 도 7을 참조하면 반도체 발광소자(150)는 도시된 바와 같이 수직형 반도체 발광소자로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 수평형 발광소자가 채용될 수 있다.Next, referring to FIG. 7, the semiconductor
반도체 발광소자(150)는 자성체를 갖는 자성층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 자성층은 니켈(Ni) 등 자성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 유체 내로 투입된 반도체 발광소자(150)는 자성층을 포함하므로, 조립 장치(700)로부터 발생하는 자기장에 의해 조립 기판(200)로 이동할 수 있다. 상기 자성층은 발광소자의 상측 또는 하측 또는 양측에 모두 배치될 수 있다.The semiconductor
상기 반도체 발광소자(150)는 상면 및 측면을 둘러싸는 패시베이션층(156)을 포함할 수 있다. 패시베이션층(156)은 실리카, 알루미나 등의 무기물 절연체를 PECVD, LPCVD, 스퍼터링 증착법 등을 통해 형성될 수 있다. 또한 패시베이션층(156)은 포토레지스트, 고분자 물질과 같은 유기물을 스핀 코팅하는 방법을 통해 형성될 수 있다.The semiconductor
상기 반도체 발광소자(150)는 제1 도전형 반도체층(152a), 제2 도전형 반도체층(152c) 및 그 사이에 배치되는 활성층(152b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(152a)은 n형 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(152c)은 p형 반도체층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor
상기 제1 도전형 반도체층(152a)에는 제1 전극층(154a)이 배치될 수 있고, 제2 도전형 반도체층(152c)에 제2 전극층(154b)이 배치될 수 있다. 이를 위해서는 제1 도전형 반도체층(152a) 또는 제2 도전형 반도체층(152c)의 일부 영역이 외부로 노출될 수 있다. 이에 따라 반도체 발광소자(150)가 조립 기판(200)에 조립된 후에 디스플레이 장치의 제조 공정에서, 패시베이션층(156) 중 일부 영역이 식각될 수 있다. A
조립 기판(200)은 조립될 반도체 발광소자(150) 각각에 대응하는 한 쌍의 제1 조립 전극(201) 및 제2 조립 전극(202)을 포함할 수 있다. 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 Cu, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며 이에 한정되는 않는다. The
또한 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며 이에 한정되지 않는다.In addition, the first assembled
상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 교류 전압이 인가됨에 따라 전기장을 방출함으로써, 조립 홀(203H)로 투입된 반도체 발광소자(150)를 유전영동 힘에 의해 고정시킬 수 있다. 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202) 간의 간격은 반도체 발광소자(150)의 폭 및 조립 홀(203H)의 폭보다 작을 수 있으며, 전기장을 이용한 반도체 발광소자(150)의 조립 위치를 보다 정밀하게 고정할 수 있다. The first assembled
제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202) 상에는 절연층(212)이 형성되어, 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)을 유체(1200)로부터 보호하고, 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)에 흐르는 전류의 누출을 방지할 수 있다. 예컨대 상기 절연층(212)은 실리카, 알루미나 등의 무기물 절연체 또는 유기물 절연체가 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 절연층(212)은, 반도체 발광소자(150)의 조립 시 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)의 손상을 방지하기 위한 최소 두께를 가질 수 있고, 반도체 발광소자(150)가 안정적으로 조립되기 위한 최대 두께를 가질 수 있다.An insulating
절연층(212)의 상부에는 격벽(207)이 형성될 수 있다. 격벽(207)의 일부 영역은 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)의 상부에 위치하고, 나머지 영역은 조립 기판(200)의 상부에 위치할 수 있다.A
한편, 조립 기판(200)의 제조 시 절연층(212) 상부 전체에 형성된 격벽 중 일부가 제거됨으로써, 반도체 발광소자(150)들 각각이 조립 기판(200)에 결합 및 조립되는 조립 홀(203H)이 형성될 수 있다. Meanwhile, when manufacturing the
조립 기판(200)에는 반도체 발광소자(150)들이 결합되는 조립 홀(203H)이 형성되고, 조립 홀(203H)이 형성된 면은 유체(1200)와 접촉할 수 있다. 조립 홀(203H)은 반도체 발광소자(150)의 정확한 조립 위치를 가이드할 수 있다. An assembly hole 203H in which the semiconductor
한편, 조립 홀(203H)은 대응하는 위치에 조립될 반도체 발광소자(150)의 형상에 대응하는 형상 및 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 조립 홀(203H)에 다른 반도체 발광소자가 조립되거나 복수의 반도체 발광소자들이 조립되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the assembly hole 203H may have a shape and size corresponding to the shape of the semiconductor
다시 6을 참조하면, 조립 기판(200)이 챔버에 배치된 후에 자기장을 가하는 조립 장치(700)가 조립 기판(200)을 따라 이동할 수 있다. 상기 조립 장치(700)는 영구 자석이거나 전자석일 수 있다.Referring again to 6, after the assembled
조립 장치(700)는 자기장이 미치는 영역을 유체(1200) 내로 최대화하기 위해, 조립 기판(200)과 접촉한 상태로 이동할 수 있다. 실시예에 따라서는, 조립 장치(700)가 복수의 자성체를 포함하거나, 조립 기판(200)과 대응하는 크기의 자성체를 포함할 수도 있다. 이 경우, 조립 장치(700)의 이동 거리는 소정 범위 이내로 제한될 수도 있다.The
조립 장치(700)에 의해 발생하는 자기장에 의해 챔버(1300) 내의 반도체 발광소자(150)는 조립 장치(700) 및 조립 기판(200)을 향해 이동할 수 있다.The semiconductor
도 7을 참조하면, 반도체 발광소자(150)는 조립 장치(700)를 향해 이동 중 조립 기판의 조립 전극의 전기장에 의해 형성되는 유전영동 힘(DEP force)에 의해 조립 홀(203H)로 진입하여 고정될 수 있다.Referring to FIG. 7, while moving toward the
구체적으로 제1, 제2 조립 배선(201, 202)은 교류 전원에 의해 전기장을 형성하고, 이 전기장에 의해 유전영동 힘이 조립 배선(201, 202) 사이에 형성될 수 있다. 이 유전영동 힘에 의해 조립 기판(200) 상의 조립 홀(203H)에 반도체 발광소자(150)를 고정시킬 수 있다.Specifically, the first and
이때 조립 기판(200)의 조립 홀(203H) 상에 조립된 발광소자(150)와 조립 전극 사이에 소정의 솔더층(미도시)이 형성되어 발광소자(150)의 결합력을 향상시킬 수 있다.At this time, a predetermined solder layer (not shown) is formed between the light emitting
또한 조립 후 조립 기판(200)의 조립 홀(203H)에 몰딩층(미도시)이 형성될 수 있다. 몰딩층은 투명 레진이거나 또는 반사물질, 산란물질이 포함된 레진일 수 있다.Additionally, after assembly, a molding layer (not shown) may be formed in the assembly hole 203H of the
상술한 전자기장을 이용한 자가조립 방식에 의해, 반도체 발광소자들 각각이 기판에 조립되는 데 소요되는 시간을 급격히 단축시킬 수 있으므로, 대면적 고화소 디스플레이를 보다 신속하고 경제적으로 구현할 수 있다.By using the above-described self-assembly method using an electromagnetic field, the time required to assemble each semiconductor light-emitting device on a substrate can be drastically shortened, making it possible to implement a large-area, high-pixel display more quickly and economically.
한편, 도 6을 참조하면, 내부기술에서는 조립 기판(200)의 조립 홀(203H)에 균일하게 반도체 발광소자(150)를 공급하기 위해 조립 챔버(610) 내에 칩 트레이(500)를 배치하고 있다. 칩 트레이(500)에 반도체 발광소자 칩들(150G)이 공급된 후에 칩 트레이(500)를 이용하여 조립 기판(200)에 반도체 발광소자(150)를 제공하여 조립 효율을 향상시키고 있다.Meanwhile, referring to FIG. 6, in internal technology, a
그런데 내부기술에 의하면 칩 트레이(500)에 반도체 발광소자(150)를 균일하게 배치시키는 것에 어려움에 직면하고 있다.However, according to internal technology, it is difficult to uniformly arrange the semiconductor
내부기술에서는 소정의 자석 피펫 어레이(미도시)를 이용하여 반도체 발광소자 칩들(150G)을 칩 트레이(500)로 이동시키는 방법을 적용하고 있으나, 다량으로 공급된 반도체 발광소자들(150G)을 각 자석 피펫에서 균일한 단위로 반도체 발광소자 칩들을 흡착하지 못하는 실정이다. The internal technology uses a method of moving the semiconductor light emitting device chips (150G) to the
이에 따라 내부기술에서는 칩 트레이(500)에 공급되는 반도체 발광소자 칩들(150G)이 균일한 단위로 공급하지 못하는 실정이다.Accordingly, in internal technology, the semiconductor light emitting
또한 내부 기술에는 칩 트레이(500)에 칩을 공급할 때, 소정의 화소영역에 대응되도록 균일하게 이격된 위치에 반도체 발광소자 칩들(150G)를 공급하지 못하고 라인형태 정로도 공급하는 실정이다. 이에 따라 이후 진행되는 자력과 DEP force를 이용한 자가 조립에서 조립 기판(200)의 조립 홀(203H)에 균일하게 반도체 발광소자 칩들(150G)이 공급되지 못해 조립 효율이나 조립 속도가 저하되는 문제에 직면하고 있다.In addition, in the internal technology, when supplying chips to the
특히 칩 트레이(500)를 이용하여 조립 기판(200)에 로딩된 반도체 발광소자 칩들(150G)은 회전 자석인 조립 장치(700)에 의해 DEP가 발생되는 조립 기판(200)의 조립 홀(203H)에 조립되고 있다.In particular, the semiconductor light emitting
그런데, 1개의 회전 자석에 로딩된 반도체 발광소자 칩의 양이 많은 경우 다량의 칩에 의해 잔존되는 칩이 발생할 수 있어 LED 디스플레이 패널 공정 중 전기 신호 인가를 위한 배선 공정에서 문제가 발생할 수 있다.However, if the amount of semiconductor light emitting device chips loaded on one rotating magnet is large, residual chips may occur due to the large amount of chips, which may cause problems in the wiring process for applying electric signals during the LED display panel process.
반면, 필요한 양보다 적은 소량의 반도체 발광소자 칩들이 로딩된 경우 조립 기판(200) 내 조립 홀(203H)에 반도체 발광소자가 조립될 확률이 낮거나 미 조립되는 조립 홀(203H)이 발생하여 조립 불량율이 증가되는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, when a small amount of semiconductor light emitting device chips are loaded that are less than the required amount, the probability of the semiconductor light emitting device being assembled in the assembly hole 203H within the
이하 위 기술적 과제를 해결하기 위한 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치 및 이를 이용한 자가 조립장치에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a uniform cluster supply device for semiconductor light-emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same according to an embodiment will be described to solve the above technical problems.
도 8a는 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 상태도로서, 발광소자의 균일 군집(FG2)이 형성되는 단계를 나타내는 상태도이다.FIG. 8A is a first state diagram of the
도 8b는 도 8a에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제2 상태도이며, 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 칩 트레이 파트(1500)로 이송되는 단계를 나타내는 상태도이다.FIG. 8B is a second state diagram of the uniform
도 8c는 도 8a에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 마그네틱 이송부(1210)의 제1 상세도이며, 제1 마그네틱 이송부(1210)에 발광소자의 균일 군집(FG2)이 장착된 상태도이다.FIG. 8C is a first detailed view of the first
도 8d는 도 8b에 도시된 제1 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 마그네틱 이송부(1210)의 제2 상세도이며, 제1 마그네틱 이송부(1210)으로부터 발광소자의 균일 군집(FG2)이 이탈되는 상태도이다.FIG. 8D is a second detailed view of the first
도 9a는 도 8a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 상태 평면도이다.FIG. 9A is a first state plan view of the uniform
도 9b는 도 9a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에 관한 제1 상태 다음의 제2 상태 평면도이다.FIG. 9B is a plan view of a second state following the first state of the uniform
도 9c는 도 9b에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에 관한 제2 상태 다음의 제3 상태 평면도이다.FIG. 9C is a plan view of a third state following the second state of the uniform
(이하 “제1 실시예”는 “실시예”로 약칭하기로 한다)(Hereinafter, “First Example” will be abbreviated as “Example”)
우선, 도 8a를 참조하면, 실시예에 따른 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)는, 유체(1020)가 담긴 수조(1010), 칩 피딩 영역(1012), 분배 기판(1130), 롤러 마그넷부(1100), 트레이 파트(1500), 마그네틱 이송부(1210), 카메라부(1310) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 8A, the uniform
예를 들어, 실시예에 따른 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)는, 유체(1020)가 담긴 수조(1010), 상기 수조(1010)의 일측 영역에 배치되는 분배 기판(1130)과, 상기 분배 기판(1130) 상에 위치하는 칩 피딩 영역(1012)과, 상기 분배 기판(1130)의 하측에 배치되는 롤러 마그넷부(1100)와, 상기 수조의 타측 영역에 배치되는 트레이 파트(1500)와, 상기 분배 기판(1130) 상측에 배치되는 마그네틱 이송부(1210)와, 상기 분배 기판(1130)의 하측 또는 상측에 배치되는 카메라부(1310) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the
도 8a에는 칩 트레이 파트(1500)에 이미 이송된 제1 균일 군집(FG1)이 도시되어 있으며, 상기 분배 기판(1130) 상에 롤러 마그넷부(1100)에 의해 형성된 발광소자의 균일 군집(FG2)이 함께 도시되어 있다.FIG. 8A shows a first uniform cluster (FG1) already transferred to the
상기 트레이 파트(1500)는 트레이 바디(1510)와 트레이 기판(1520)을 포함할 수 있다.The
예를 들어, 상기 트레이 파트(1500)는 트레이 바디(1510)와 상기 트레이 바디(1510) 상에 배치되며 상기 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 안착되는 트레이 기판(1520)을 포함할 수 있다.For example, the
실시예에 따른 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에 의하면, 다량의 조립될 반도체 발광소자 칩들(G1)을 분배하여 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)을 형성하는 단계와, 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)을 포획하고 측정하는 단계와, 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)을 칩 트레이 파트(1500)로 이동하는 단계를 포함할 수 있다.According to the
도 8a 및 도 9a를 참조하면, 실시예에서 반도체 발광소자 칩들(G1)을 분배하는 단계는, 칩 피딩 영역(1012)에 다량의 반도체 발광소자 칩들(G1)을 투입하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 8A and 9A , in the embodiment, the step of distributing the semiconductor light emitting device chips G1 may include inserting a large amount of the semiconductor light emitting device chips G1 into the
상기 칩 피딩 영역(1012)은 실시예에 따른 시스템의 시작부로 상부는 뚫려 있고 하부는 유체(1020)로 채워져 있을 수 있다. The
상기 분배 기판(1130)은 투명한 글라스 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. The
도 9a를 참조하면, 롤러 마그넷부(1100)는 복수로 구비될 수 있다. 예를 들어, 롤러 마그넷부(1100)는 제1 내지 제6 롤러 마그넷부(1110, 1120, 1130, 1140, 1150, 1160)를 포함할 수 있으며, 각각의 롤러 마그넷부(1100)는 단일 또는 복수의 롤러 자석를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9A, a plurality of
다시 도 8a를 참조하면, 피딩된 반도체 발광소자 칩들(G1)은 유체 밑 하부 투명한 분배 기판(1130) 밑에서 회전하는 롤러 마그넷부(1100)에 의해 분배되면서, 반도체 발광소자 칩들(G1)이 제1 마그네틱 이송부(1210)에 의해 포획되는 단계로 이동될 수 있다.Referring again to FIG. 8A, the fed semiconductor light emitting device chips G1 are distributed by the
예를 들어, 도 8c를 참조하면, 제1 마그네틱 이송부(1210)는 제1 회전 자석부(1212)와 상기 제1 회전 자석부(1212)를 수용하는 수용 홈(미도시)을 포함하는 제1 수용바디(1211)를 포함할 수 있다.For example, referring to FIG. 8C, the first
상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 회전할 수 있다. 예를 들어, 소정의 회진 구동장치에 의해 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 소정의 영역에서 공전할 수 있다. 또한 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 자전할 수 있다. 또한 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 소정의 영역에서 공전하면서 자전할 수 있다.The first
상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 회전구동 외에 상하로 이동할 수 있다 또한 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 전후 좌우로 수평 이동할 수 있다.The first
상기 제1 회전 자석부(1212)가 결합된 상태에서 상기 제1 수용 바디(1211)가 공전, 자전, 상하 이동, 전후좌우 이동함에 의해 상기 제1 회전 자석부(1212)도 공전, 자전, 상하 이동, 전후좌우 수평 이동이 가능할 수 있다.When the first
다시 도 8a 및 도 9b를 참조하면 반도체 발광소자 칩들(G1)을 포획하는 단계는, 제1 마그네틱 이송부(1210) 근처 하부에 모여 있는 칩들을 포획하기 시작하고, 카메라부(1310) 및 검사 시스템(미도시)에 의해 칩 군집의 크기를 검사하고 일정 크기가 되면, 제1 마그네틱 이송부(1210)는 도 8b 및 도 9c와 같이 회전하며 발광소자의 균일 군집(FG2)을 장착한 상태로 트레이 파트(1500)로 이동할 수 있으며, 상기 트레이 기판(1520)에 발광소자의 균일 군집(FG2)을 안착시킬 수 있다.Referring again to FIGS. 8A and 9B, the step of capturing the semiconductor light emitting device chips G1 begins with capturing the chips gathered at the bottom near the first
도 8d를 참조하면, 제1 마그네틱 이송부(1210)에서 제1 수용바디(1211)는 고정된 상태에서 제1 회전 자석부(1212)가 상측으로 이동됨에 따라 발광소자의 균일 군집(FG2)에 가해지는 자력이 약해지고, 이에 따라 중력에 의해 발광소자의 균일 군집(FG2)이 트레이 기판(1520)에 안착될 수 있다.Referring to FIG. 8D, in the first
실시예에 의하면, 상기 단계들로 구성된 시스템을 이용하여 다량의 칩들을 동일한 양의 칩들로 분배한 후 자가 조립 기판의 특정 위치에 공급하기 위한 트레이 파트(1500)에 일정하게 이격된 배열로 발광소자의 균일 군집(FG2)을 균일하게 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, after distributing a large amount of chips into the same amount of chips using the system consisting of the above steps, light emitting elements are arranged at regular intervals on the
이하 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 기술적 특징을 좀 더 상술하기로 한다.Hereinafter, technical features of the uniform
도 10a는 도 9b에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 영역( M1)에 관한 확대도이다.FIG. 10A is an enlarged view of the first area M1 in the uniform
도 10b는 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 영역( M1) 중 제2 영역( M2)에 관한 확대도이다.FIG. 10B is an enlarged view of the second area M2 of the first area M1 of the uniform
도 10c는 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 영역( M1)에 대한 상세도이다.FIG. 10C is a detailed view of the first region M1 of the uniform
도 11은 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 롤러 마그넷부(1100)의 상세도이다.FIG. 11 is a detailed view of the
도 10a 및 도 11을 참조하면, 롤러 마그넷부(1100)는 복수로 구비될 수 있다. 예를 들어, 롤러 마그넷부(1100)는 제1 내지 제6 롤러 마그넷부(1110, 1120, 1130, 1140, 1150, 1160)를 포함할 수 있으며, 각각의 롤러 마그넷부(1100)는 단일 또는 복수의 롤러 자석를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 10A and 11 , a plurality of
예를 들어, 제1 롤러 마그넷부(1110)는 제1-1 내지 제1-3 롤러 자석(1111, 1112, 1113)을 포함할 수 있다.For example, the first
또한 예를 들어, 제2 롤러 마그넷부(1120)는 제2-1 내지 제1-4 롤러 자석(1121, 1122, 1123, 1124)을 포함할 수 있다.Also, for example, the second
또한 나머지 제3 내지 제6 롤러 마그넷부(1130, 1140, 1150, 1160)들도 단일 또는 복수의 롤러 자석을 포함할 수 있다.Additionally, the remaining third to sixth
한편, 상기 제2 롤러 마그넷부(1120)는 제2-1 내지 제1-4 롤러 자석(1121, 1122, 1123, 1124)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the second
예를 들어, 상기 제2 롤러 마그넷부(1120)는 내측에 배치되는 제2-2 및 제2-3 롤러 자석(1122, 1123)와 외측에 배치되는 제2-1 및 제2-4 롤러 자석(1121, 1124)를 포함할 수 있다.For example, the second
이때 상기 외측에 배치되는 제2-1 및 제2-4 롤러 자석(1121, 1124)의 사이즈는 내측에 배치되는 제2-2 및 제2-3 롤러 자석(1122, 1123)의 사이즈 보다 클 수 있으며, 이에 따라 더 큰 자력을 발생시킬 수 있다.At this time, the size of the 2-1st and 2-
도 10c를 참조하면, 발광소자의 제1 군집(G1)이 피딩 된 후 롤러 마그넷부(1100)에 의해 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산되고, 이후 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 형성될 수 있다.Referring to Figure 10c, after the first group (G1) of the light emitting devices is fed, it is evenly distributed into the second group (G2) of the light emitting devices by the
실시예에 의하면 제2 롤러 마그넷부(1120) 중에서 외측에 배치되는 제2-1 및 제2-4 롤러 자석(1121, 1124)의 사이즈는 내측에 배치되는 제2-2 및 제2-3 롤러 자석(1122, 1123)의 사이즈 보다 클 수 있으며, 이에 따라 더 큰 자력을 발생시킬 수 있다.According to the embodiment, the size of the 2-1 and 2-4
이에 따라 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)이 중앙에 머물지 않고 좀 더 넓게 고르게 분포할 수 있도록 외측의 자력을 증대시켜 줌으로써 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 보다 효과적으로 형성될 수 있는 기술적 효과가 있다.Accordingly, by increasing the outer magnetic force so that the first group (G1) of the fed light-emitting devices can be distributed more widely and evenly rather than remaining in the center, a uniform group (FG2) of uniform semiconductor light-emitting devices can be formed more effectively. There is a technical effect.
실시예에서 제3 롤러 마그넷부(1130) 또는 제4 롤러 마그넷부(1140)의 외측에 배치되는 롤러 자석부의 사이즈가 내측에 배치되는 롤러 자석부에 비해 사이즈가 클 수 있다.In an embodiment, the size of the roller magnet portion disposed on the outside of the third
다음으로 도 10b는 도 10a에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)의 제1 영역(M1) 중 제2 영역(M2)에 관한 확대도이다.Next, FIG. 10B is an enlarged view of the second area (M2) of the first area (M1) of the uniform
앞서 기술한 바와 같이 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 공전 및/또는 자전을 통한 회전할 수 있으며, 이러 회전을 통해 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 보다 효과적으로 형성될 수 있다.As described above, the first
예를 들어, 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 제6 롤러 마그넷부(1160) 상에서 공전할 수 있다. 또한 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 자전할 수 있다. For example, the first
상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 만들어 지기 전에는 공전할 수 있으며, 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 만들어진 후에는 자전할 수 있다.The first
다음으로 도 12a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)의 예시도이다.Next, FIG. 12A is an exemplary diagram of the roller magnet portion 1100A according to the first embodiment in the uniform
도 12b는 도 12a에 도시된 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)의 상세도이다.FIG. 12B is a detailed view of the roller magnet portion 1100A according to the first embodiment shown in FIG. 12A.
예를 들어, 도 12a를 참조하면 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)는 제1-1 내지 제6-1 롤러 마그넷부(1110A, 1120A, 1130A, 1140A, 1150A, 1160A)를 포함할 수 있다.For example, referring to FIG. 12A, the roller magnet portion 1100A according to the first embodiment may include 1-1 to 6-1
실시예에 의하면, 제1 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100A)의 회전에 의해 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)이 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산되고, 이후 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, the first group (G1) of the light-emitting devices fed by the rotation of the roller magnet portion (1100A) according to the first embodiment is evenly distributed to the second group (G2) of the light-emitting devices, and then uniformly distributed. A uniform cluster (FG2) of semiconductor light emitting devices may be formed.
도 12b를 참조하면, 제1-1 롤러 마그넷부(1110A)는 중심부(111C)에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 상기 제1 라운드 자석(1111)과 마주보도록 배치된 제1 라운드 바디(1111B)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12b, the 1-1
상기 제1 라운드 자석(1111)은 제1-1 라운드 자석부(1111N)와 제1-2 라운드 자석부(1111S)를 포함할 수 있다.The
상기 제1-1 라운드 자석부(1111N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제1-2 라운드 자석부(1111S)는 S형 자석일 수 있다.The 1-1
상기 제1 라운드 바디(1111B)는 금속재질 또는 비금속재질일 수 있다. 상기 제1 라운드 바디(1111B)는 상기 제1-1 라운드 자석부(1111N)의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다.The first
도 12a를 참조하면, 제2-1 롤러 마그넷부(1120A)도 중심부(111C)에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 제1 라운드 바디(1111B)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12A, the 2-1
한편, 실시예에서 제1-1 롤러 마그넷부(1110A)와 제2-1 롤러 마그넷부(1120A)에서 제1 라운드 자석(1111)이 서로 엇갈리게 배치됨으로써 자력을 고르게 분산시킴으로써 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)을 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산시킬 있으며, 또한 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 효율적으로 형성될 수 있는 기술적 효과가 있다.Meanwhile, in the embodiment, the
다음으로 도 13a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)의 예시도이며, 도 13b는 도 13a에 도시된 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)의 상세도이다.Next, FIG. 13A is an exemplary diagram of the roller magnet portion 1100B according to the second embodiment in the uniform
도 13a를 참조하면 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)는 제1-2 내지 제6-2 롤러 마그넷부(1110B, 1120B, 1130B, 1140B, 1150B, 1160B)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13A, the roller magnet unit 1100B according to the second embodiment may include 1-2 to 6-2
실시예에 의하면, 제2 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100B)의 회전에 의해 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)이 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산되고, 이후 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, the first group (G1) of the light-emitting devices fed by the rotation of the roller magnet portion (1100B) according to the second embodiment is evenly distributed into the second group (G2) of the light-emitting devices, and then uniformly distributed. A uniform cluster (FG2) of semiconductor light emitting devices may be formed.
도 13b를 참조하면, 제1-2 롤러 마그넷부(1110B)는 중심부(111C)에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 상기 제1 라운드 자석(1111)에 마주보도록 배치된 제2 라운드 자석부(1112)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13B, the 1-2
상기 제1 라운드 자석(1111)과 상기 제2 라운드 자석부(1112)의 단면은 각각 반원 형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The cross-sections of the
상기 제1 라운드 자석(1111)과 제2 라운드 자석부(1112)은 상호 분리된 자석 상태일 수 있다.The
상기 제1 라운드 자석(1111)은 제1-1 라운드 자석부(1111N)와 제1-2 라운드 자석부(1111S)를 포함할 수 있다. 상기 제1-1 라운드 자석부(1111N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제1-2 라운드 자석부(1111S)는 S형 자석일 수 있다.The
또한 상기 제2 라운드 자석부(1112)은 제2-1 라운드 자석부(1112N)와 제2-2 라운드 자석부(1112S)를 포함할 수 있다. 상기 제2-1 라운드 자석부(1112N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제2-2 라운드 자석부(1112S)는 S형 자석일 수 있다.Additionally, the second
상기 제1-1 라운드 자석부(1111N)은 상기 제2-2 라운드 자석부(1112S)와 마주 보도록 배치될 수 있으며, 상기 제1-2 라운드 자석부(1111S)은 상기 제2-1 라운드 자석부(1112N)과 마주 보도록 배치될 수 있으며, 이를 통해 마그넷 플럭스 양을 극대화하면서 분산 효과를 강화시켜셔 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)을 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산시킬 있으며, 또한 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 효율적으로 형성될 수 있는 기술적 효과가 있다.The 1-1 round magnet portion (1111N) may be arranged to face the 2-2 round magnet portion (1112S), and the 1-2 round magnet portion (1111S) may be disposed to face the 2-1 round magnet portion (1111S). It can be arranged to face the
다음으로 도 14a는 도 11에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2000)에서 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)의 예시도이다.Next, FIG. 14A is an exemplary diagram of a roller magnet portion 1100C according to a third embodiment in the uniform
도 14b는 도 14a에 도시된 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)의 상세도이다.FIG. 14B is a detailed view of the roller magnet portion 1100C according to the third embodiment shown in FIG. 14A.
도 14a를 참조하면 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)는 제1-3 내지 제6-3 롤러 마그넷부(1110C, 1120C, 1130C, 1140C, 1150C, 1160C)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14A, the roller magnet unit 1100C according to the third embodiment may include 1-3 to 6-3
실시예에 의하면, 제3 실시예에 따른 롤러 마그넷부(1100C)의 회전에 의해 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)이 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산되고, 이후 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, the first group (G1) of the light-emitting devices fed by the rotation of the roller magnet portion (1100C) according to the third embodiment is evenly distributed to the second group (G2) of the light-emitting devices, and then A uniform cluster (FG2) of semiconductor light emitting devices may be formed.
도 14b를 참조하면, 제1-3 롤러 마그넷부(1110C)는 중심부에 장착된 제1 라운드 자석(1111)과 제2 라운드 자석부(1112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 라운드 자석(1111)과 제2 라운드 자석부(1112)은 상호 분리된 상태일 수 있다.Referring to FIG. 14B, the 1-3
상기 제1 라운드 자석(1111)은 제1-1 라운드 자석부(1111N)와 제1-2 라운드 자석부(1111S)를 포함할 수 있다. 상기 제1-1 라운드 자석부(1111N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제1-2 라운드 자석부(1111S)는 S형 자석일 수 있다.The
또한 상기 제2 라운드 자석부(1112)은 제2-1 라운드 자석부(1112N)와 제2-2 라운드 자석부(1112S)를 포함할 수 있다. 상기 제2-1 라운드 자석부(1112N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제2-2 라운드 자석부(1112S)는 S형 자석일 수 있다.Additionally, the second
이때 도 14b를 참조하면, 제2-3 롤러 마그넷부(1120C)는 중심부에 장착된 제3 라운드 자석(1211)과 제4 라운드 자석(1212)을 포함할 수 있다. 상기 제3 라운드 자석(1211)과 제4 라운드 자석(1212)은 상호 분리된 상태일 수 있다.At this time, referring to FIG. 14B, the 2-3
상기 제3 라운드 자석(1211)은 제3-1 라운드 자석부(1211N)와 제3-2 라운드 자석부(1211S)를 포함할 수 있다. 상기 제3-1 라운드 자석부(1211N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제3-2 라운드 자석부(1211S)는 S형 착좌된 자석일 수 있다.The
상기 제3 라운드 자석(1211)은 제3-1 라운드 자석부(1211N)와 제3-2 라운드 자석부(1211S)를 포함할 수 있다. 상기 제3-1 라운드 자석부(1211N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제3-2 라운드 자석부(1211S)는 S형 착좌된 자석일 수 있다.The
상기 제4 라운드 자석(1212)은 제4-1 라운드 자석부(1212N)와 제4-2 라운드 자석부(1212S)를 포함할 수 있다. 상기 제4-1 라운드 자석부(1212N)는 N형 자석일 수 있고, 상기 제4-2 라운드 자석부(1212S)는 S형 자석일 수 있다.The
도 14b를 참조하면, 제1-3 롤러 마그넷부(1110C)와 제2-3 롤러 마그넷부(1120C)에서의 자석의 극성배열이 엇갈리게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 14B, the polarity arrangement of the magnets in the 1-3
예를 들어, 상기 제1 라운드 자석(1111)에서 N형 자석인 제1-1 라운드 자석부(1111N)가 외측에 배치될 수 있으며, 반면에서 상기 제3 라운드 자석(1211)에서 N형 자석인 제3-1 라운드 자석부(1211N)가 내측에 배치될 수 있다. For example, in the
실시예에 의하면 제1-3 롤러 마그넷부(1110C)와 제2-3 롤러 마그넷부(1120C)에서의 자석의 극성배열이 엇갈리게 배치함으로써 마그넷 플럭스 양을 극대화하면서 분산 효과를 강화시켜셔 피딩된 발광소자의 제1 군집(G1)을 발광소자의 제2 군집(G2)으로 고르게 분산시킬 있으며, 또한 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 효율적으로 형성될 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, the polarity arrangement of the magnets in the 1-3 roller magnet portion (1110C) and the 2-3 roller magnet portion (1120C) is arranged to be staggered, thereby maximizing the amount of magnet flux and strengthening the dispersion effect to emit light. There is a technical effect in that the first group (G1) of devices can be evenly distributed into the second group (G2) of light-emitting devices, and a uniform group (FG2) of uniform semiconductor light-emitting devices can be efficiently formed.
다음으로 도 15a는 제2 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2002)의 제1 상태도이며, 도 15b는 도 15a에 도시된 제2 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2002)의 제2 상태도이다.Next, FIG. 15A is a first state diagram of a uniform
제2 실시예는 앞서 기술한 제1 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The second embodiment can adopt the technical features of the first embodiment described above, and the main features of the second embodiment will be described below.
도 15a를 참조하면, 제2 실시예에 따른 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치(2002)는 반도체 발광소자 칩들(G1)을 포획하는 단계는, 분배 기판(1130) 상측에 배치되는 제2 마그네틱 이송부(1220)와 분배 기판(1130) 하측에 배치되는 제3 마그네틱 이송부(1230)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15A, the step of capturing the semiconductor light emitting device chips G1 in the uniform
예를 들어, 제2 실시예에 의하면 분배 기판(1130) 상측에 위치하는 제2 감시 카메라(1320)를 통해 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)이 측정되면 제2 마그네틱 이송부(1220)를 통해 수평으로 제3 마그네틱 이송부(1230) 위치까지 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)을 회전하면서 수평 이동할 수 있다.For example, according to the second embodiment, when the uniform cluster (FG2) of the semiconductor light emitting devices is measured through the
이후 제3 마그네틱 이송부(1230)가 회전하면서 반도체 발광소자의 균일 군집(FG2)을 자력으로 유지시킬 수 있다. Thereafter, the third
상기 제2 마그네틱 이송부(1220)와 상기 제3 마그네틱 이송부(1230)는 앞서 기술한 제1 마그네틱 이송부(1210)의 구성과 같은 구성을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second
다음으로 도 15b와 같이, 제1 마그네틱 이송부(1210)가 상기 제2 마그네틱 이송부(1220) 상에 배치되고, 상기 제1 마그네틱 이송부(1210)는 도 15b와 같이 회전하며 발광소자의 균일 군집(FG2)을 장착한 상태로 트레이 파트(1500)로 이동할 수 있으며, 상기 트레이 기판(1520)에 발광소자의 균일 군집(FG2)을 안착시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 15B, the first
제2 실시예에 의하면 제1 내지 제3 마그네틱 이송부(1210, 1220, 1230)를 이용하여 반도체 발광소자의 균일 군집을 정밀하게 이동시킴으로써 트레이 파트(1500)에 발광소자의 균일 군집(FG2)을 균일하게 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.According to the second embodiment, the uniform cluster of semiconductor light emitting devices (FG2) is uniformly distributed on the
실시예에서 제1 마그네틱 이송부(1210)에서 트레이 기판(1520)에 발광소자의 균일 군집(FG2)들이 놓여 질때 초음파 발생을 통해 효율적인 안착이 가능할 수 있다.In an embodiment, when uniform groups (FG2) of light emitting devices are placed on the
실시예에 의하면, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 자가 조립에 있어서, 자가조립 챔버의 칩 트레이에 균일한 단위의 반도체 발광소자 군집을 공급할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to an embodiment, in the self-assembly of semiconductor light-emitting devices for display pixels, there is a technical effect of supplying a uniform unit of semiconductor light-emitting device clusters to a chip tray of a self-assembly chamber.
예를 들어, 실시예는 다량의 조립될 반도체 발광소자 칩들을 동일한 양의 군집으로 분배하는 시스템 구현이 가능하다.For example, the embodiment can implement a system that distributes a large amount of semiconductor light emitting device chips to be assembled into equal amounts of clusters.
예를 들어, 실시예는 다량의 칩들을 분배하는 단계, 칩들을 포획하고 측정하는 단계, 칩 군집을 이동하는 단계, 칩 군집을 트레이로 이동하는 단계를 포함하며 칩 군집 균일도 문제를 개선시킬 수 있는 효과가 있다.For example, the embodiment includes distributing a large amount of chips, capturing and measuring the chips, moving the chip cluster, and moving the chip cluster to a tray, which can improve the chip cluster uniformity problem. It works.
예를 들어, 실시예에 의하면, 롤러 마그넷부를 이용하여 다량의 칩들을 동일한 양의 칩들로 분배한 후 마그넷 이송부에 의해 자가 조립 기판의 특정 위치에 공급하기 위한 트레이 파트에 일정하게 이격된 배열로 발광소자의 균일 군집을 균일하게 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.For example, according to an embodiment, after distributing a large amount of chips into equal amounts of chips using a roller magnet unit, light is emitted in a uniformly spaced arrangement on a tray part for supplying to a specific location of a self-assembly substrate by a magnet transfer unit. There is a special technical effect that can uniformly supply a uniform population of elements.
또한 실시예에 의하면 롤러 마그넷부 중 내측에 배치되는 롤러 자석들 보다 외측에 배치되는 롤러 자석의 사이즈 보다 크게 형성하여 큰 자력을 발생시킬 수 있다. 이에 따라 피딩된 발광소자의 제1 군집이 중앙에 머물지 않고 좀 더 넓게 고르게 분포할 수 있도록 외측의 자력을 증대시켜 줌으로써 균일한 반도체 발광소자의 균일 군집이 보다 효과적으로 형성될 수 있는 기술적 효과가 있다.Additionally, according to an embodiment, a larger magnetic force can be generated by forming the roller magnets disposed on the outside of the roller magnet portion to be larger in size than the roller magnets disposed on the inside. Accordingly, there is a technical effect in that a uniform cluster of uniform semiconductor light emitting elements can be formed more effectively by increasing the outer magnetic force so that the first cluster of fed light emitting elements can be distributed more widely and evenly rather than remaining in the center.
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as restrictive in any respect and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.
Claims (7)
상기 수조의 일측 영역에 배치되는 분배 기판;
상기 분배 기판의 하측에 배치되는 롤러 마그넷부;
상기 수조의 타측 영역에 배치되는 트레이 파트;
상기 분배 기판 상측에 배치되는 마그네틱 이송부; 및
상기 분배 기판의 하측 또는 상측에 배치되는 카메라부;를 포함하는
디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.a tank containing a fluid;
a distribution board disposed on one side of the water tank;
a roller magnet portion disposed below the distribution board;
a tray part disposed on the other side of the water tank;
a magnetic transfer unit disposed above the distribution substrate; and
A camera unit disposed on the lower or upper side of the distribution board; including
Uniform cluster supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels.
상기 마그네틱 이송부는
제1 회전 자석부와 상기 제1 회전 자석부를 수용하는 수용 홈을 포함하는 제1 수용바디를 포함하는, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.According to paragraph 1,
The magnetic transfer unit
A uniform cluster supply device of semiconductor light emitting devices for display pixels, comprising a first rotating magnet portion and a first receiving body including a receiving groove for accommodating the first rotating magnet portion.
상기 마그네틱 이송부는
수평 이동 및 회전운동하는 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.According to paragraph 1,
The magnetic transfer unit
A uniform cluster supply device for semiconductor light-emitting devices for display pixels that move horizontally and rotate.
상기 롤러 마그넷부는 복수의 롤러 마그넷부를 포함하고,
상기 롤러 마그넷부는 복수의 롤러 자석을 포함하며,
외측에 배치되는 롤러 자석의 사이즈는 내측에 배치되는 롤러 자석 사이즈 보다 큰, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.According to paragraph 1,
The roller magnet portion includes a plurality of roller magnet portions,
The roller magnet unit includes a plurality of roller magnets,
A device for supplying uniform clusters of semiconductor light emitting elements for display pixels in which the size of the roller magnets placed on the outside is larger than the size of the roller magnets placed on the inside.
상기 롤러 마그넷부는
중심부에 장착된 제1 라운드 자석과 상기 제1 라운드 자석과 마주보도록 배치된 제1 라운드 바디를 포함하는, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.According to paragraph 1,
The roller magnet part
A uniform cluster supply device of semiconductor light emitting devices for display pixels, comprising a first round magnet mounted at the center and a first round body disposed to face the first round magnet.
상기 롤러 마그넷부는
중심부에 장착된 제1 라운드 자석과 상기 제1 라운드 자석에 마주보도록 배치된 제2 라운드 자석부을 포함하는, 디스플레이 화소용 반도체 발광소자의 균일 군집 공급장치.According to paragraph 1,
The roller magnet part
A uniform cluster supply device of semiconductor light emitting devices for display pixels, comprising a first round magnet mounted at the center and a second round magnet portion disposed to face the first round magnet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220100101A KR20240021588A (en) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220100101A KR20240021588A (en) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240021588A true KR20240021588A (en) | 2024-02-19 |
Family
ID=90055759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220100101A KR20240021588A (en) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240021588A (en) |
-
2022
- 2022-08-10 KR KR1020220100101A patent/KR20240021588A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20190075869A (en) | Display device using micro led and manufacturing method thereof | |
| CN105051804A (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
| EP3731275A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same | |
| CN114946024A (en) | Apparatus and method for manufacturing display using light emitting element | |
| EP4322216A1 (en) | Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same | |
| US20230126933A1 (en) | Display device including semiconductor light emitting device | |
| CN113675126B (en) | Intelligent integrated assembling and transferring device for semiconductor light-emitting device | |
| KR20240021588A (en) | A uniform group supply device for semiconductor light emitting devices for display pixels and a self-assembly device using the same | |
| EP4354501A1 (en) | Magnet unit of semiconductor light emitting device for display pixel and self-assembly device using the same | |
| US20230215982A1 (en) | Display device including semiconductor light emitting device | |
| US20230060259A1 (en) | Assembly substrate structure of semiconductor light emitting device and display device including the same | |
| US20230299064A1 (en) | Assembly substrate structure of semiconductor light emitting device display device and display device including the same | |
| US20240038824A1 (en) | Assembly substrate structure of a display device including a semiconductor light emitting device and a display device including the same | |
| EP4174944A1 (en) | Display device including a semiconductor light emitting device | |
| US20230187580A1 (en) | Assembly substrate structure of a display device having a semiconductor light emitting device and a display device including the same | |
| US20230070225A1 (en) | Semiconductor light emitting device for a display panel and display device including same | |
| US20230061915A1 (en) | Semiconductor light emitting device for a display panel, a substrate structure for a display panel, and a display device including the same | |
| KR20230163764A (en) | An Intelligent integrated apparatus for assembling and transferring of semiconductor light emitting device | |
| US20230130868A1 (en) | Display device including semiconductor light emitting device | |
| KR102668393B1 (en) | Semiconductor light emitting device package for display pixel and Display device including the same | |
| US20240120218A1 (en) | Electrode structure of roller unit for transferring semiconductor light-emitting element and intelligent integrated assembling and transferring device comprising same | |
| EP4376085A1 (en) | Display device | |
| KR20240035858A (en) | Display device including semiconductor light emitting device | |
| KR20230095862A (en) | A Substrate structure for transferring semiconductor light emitting devices for pixels and Display device including the same | |
| KR20230086626A (en) | A Substrate structure for transferring semiconductor light emitting devices for pixels and Display device including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |