KR20230164011A - 안테나 필름 - Google Patents

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KR20230164011A
KR20230164011A KR1020237029854A KR20237029854A KR20230164011A KR 20230164011 A KR20230164011 A KR 20230164011A KR 1020237029854 A KR1020237029854 A KR 1020237029854A KR 20237029854 A KR20237029854 A KR 20237029854A KR 20230164011 A KR20230164011 A KR 20230164011A
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KR
South Korea
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dielectric constant
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antenna film
base material
layer
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KR1020237029854A
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나오키 나가오카
토모히로 타케야스
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닛토덴코 가부시키가이샤
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    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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Abstract

안테나 필름은 두께 방향에 직교하는 면 방향에 있어서, X 방향과, 상기 X 방향에 직교하는 Y 방향을 갖는다. 안테나 필름은 지지층과, 금속층을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 지지층은 N개의 기재를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. i번째의 기재에 있어서, 안테나 필름의 X 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율 εiX, 및, 안테나 필름의 Y 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율 εiY가 소정의 관계를 만족한다. 또한, 각 기재의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재의 Y 방향의 유전율의 총합과 차의 절대값이 소정의 관계를 만족한다.

Description

안테나 필름
본 발명은 안테나 필름에 관한 것이다.
근년, 전자파를 사용한 기기의 증가에 의해, 안테나의 수요가 높아지고 있다.
이러한 안테나로서, 예를 들면, 기재(폴리에틸렌 테레프탈레이트)와, 기재 상에 형성된 안테나부를 구비하는 안테나 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조.). 또한, 이 안테나 장치는 마이크로파에 대응한다.
일본 특허공개 2010-109806호 공보
한편, 5G 통신의 발전에 따라, 전자파로서, 1GHz 이상 20GHz 미만의 주파수에 대신해서, 준밀리파 영역(20GHz 이상 30GHz 미만), 및, 밀리파 영역(30GHz 이상 300GHz 이하)의 주파수를 활용하는 것이 요구되고 있다.
한편, 그러나, 특허문헌 1의 안테나 장치에서 사용하는 기재 등의 기재 중에는, 면 방향의 다른 방향끼리의 유전율이 다른 이방성 기재가 있다.
기재에 따라서는, 1GHz 이상 20GHz 미만의 주파수에 있어서는, 안테나가 발신하는 전자파의 파장에 대해서, 기재의 유전율 이방성이 끼치는 영향은 작은 한편, 준밀리파 영역 및 밀리파 영역에 있어서는, 안테나가 발신하는 전자파의 파장에 대해서, 기재의 유전율 이방성이 끼치는 영향이 커질 경우가 있다.
그러면, 준밀리파 영역 및 밀리파 영역에 있어서 사용하는 안테나에 있어서는, 기재에 따라서는 안테나가 발신하는 전자파의 파장이 소망한 설계로부터 어긋남이 생기고, 안테나가 목표로 하는 파장의 전자파를 발신할 수 없어진다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 소정의 주파수 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있는 안테나 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명 [1]은 두께 방향에 직교하는 면 방향에 있어서, X 방향과, 상기 X 방향에 직교하는 Y 방향을 갖는 안테나 필름으로서, 지지층과, 금속층을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비하고, 상기 지지층은 N개의 기재를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비하고, 하기 식(1)∼하기 식(4)을 만족하는 안테나 필름이다.
N≥2 (1)
εiX≠εiY (2)
|εiX-εiY|<2 (3)
식(2)∼식(4)에 있어서, εiX는 i번째의 기재에 있어서의, 안테나 필름의 X 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율을 나타내고, εiY는 i번째의 기재에 있어서의, 안테나 필름의 Y 방향의 상기 소정의 주파수에 있어서의 유전율을 나타낸다.
본 발명 [2]는 N이 짝수이며, n을 자연수로 했을 경우에, ε(2n-1)X가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n-1)Y가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)X가 2n번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)Y가 2n번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖거나, 또는, ε(2n-1)X가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n-1)Y가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)X가, 2n번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)Y가 2n번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, ε(2n-1)X와, ε(2n)X와, ε(2n)Y와, ε(2n-1)Y가 하기 식(5)을 만족하는, 상기 [1]에 기재된 안테나 필름을 포함하고 있다.
|(ε(2n-1)X+ε(2n)X)-(ε(2n)Y+ε(2n-1)Y)|<0.2 (5)
본 발명 [3]은 상기 지지층이 두께 방향 한쪽측에 경화 수지층을 구비하는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 안테나 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [4]는 상기 지지층과 상기 금속층의 사이에, 밀착층을 구비하는, 상기 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재된 안테나 필름을 포함하고 있다.
본 발명의 안테나 필름에 있어서의 지지층은 N개의 기재를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. i번째의 기재에 있어서, 안테나 필름의 X 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율 εiX, 및, 안테나 필름의 Y 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율 εiY가 소정의 관계를 만족하고, 또한, 각 기재의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재의 Y 방향의 유전율의 총합과 차의 절대값이 소정의 관계를 만족한다. 이것에 의해, 소정의 주파수 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 안테나 필름의 제 1 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 2는 안테나 필름의 제조 방법의 일실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 2A는 지지층을 준비하는 제 1 공정을 나타낸다. 도 2B는 지지층의 두께 방향 한쪽 면에, 금속층을 배치하는 제 2 공정을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 안테나 필름의 제 2 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 안테나 필름의 제 2 실시형태에 있어서, N이 2일 경우의 안테나 필름을 나타내는 개략도이다.
도 5는 그라운드 도체층을 구비하는 안테나 필름을 나타내는 개략도이다.
도 6은 지지층이 경화 수지층을 구비하는 안테나 필름을 나타내는 개략도이다.
도 7은 밀착층을 구비하는 안테나 필름을 나타내는 개략도이다.
도 8은 각 실시예 및 각 비교예의 리턴 로스 평가의 결과를 나타낸다.
<안테나 필름>
도 1을 참조해서, 본 발명의 안테나 필름의 제 1 실시형태를 설명한다.
도 1에 있어서, 지면 상하 방향은 상하 방향(두께 방향)으로서, 지면 상측이 상측(두께 방향 한쪽측), 지면 하측이 하측(두께 방향 다른 쪽측)이다. 또한, 도 1에 있어서, 지면 좌우 방향 및 깊이 방향은 상하 방향에 직교하는 면 방향이다. 구체적으로는, 도 1에 있어서, 지면 깊이 방향은 X 방향(두께 방향과 직교하는 방향, 면 방향 X 방향)이며, 지면 바로 앞측이 X 방향 한쪽측, 지면 안쪽측이 X 방향 다른 쪽측이다. 도 1에 있어서, 지면 좌우 방향은, Y 방향(두께 방향 및 X 방향과 직교하는 방향, 면 방향 Y 방향)이며, 지면 좌측이 Y 방향 한쪽측, 지면 우측이 Y 방향 다른 쪽측이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
안테나 필름(1)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 소정의 두께를 갖는 필름 형상(시트 형상을 포함한다)을 갖는다. 안테나 필름(1)은 두께 방향과 직교하는 면 방향으로 연장된다. 안테나 필름(1)은 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다.
안테나 필름(1)은 지지층(2)과, 금속층(3)을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 구체적으로는, 안테나 필름(1)은 지지층(2)과, 지지층(2)의 상면(두께 방향 한쪽 면)에 배치되는 금속층(3)을 구비한다.
안테나 필름(1)의 두께는 예를 들면, 25㎛ 이상, 바람직하게는, 100㎛ 이상, 또한, 예를 들면, 1000㎛ 이하, 바람직하게는, 200㎛ 이하이다.
<지지층>
지지층(2)은 안테나 필름(1)의 기계 강도를 확보하기 위한 층이다.
지지층(2)은 필름 형상을 갖는다. 지지층(2)은 금속층(3)의 하면에 접촉하도록, 금속층(3)의 하면 전면에 배치되어 있다.
지지층(2)은 N개의 기재(S)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다.
N은 하기 식(1)으로 나타내어진다.
N≥2 (1)
즉, 지지층(2)은 2개 이상의 기재(S)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 도 1에서는, 지지층(2)은 제 1 기재(S1)로부터 제 N 기재(SN)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다.
기재(S)는 필름 형상을 갖는다. 기재(S)는 바람직하게는, 가요성을 갖는다.
기재(S)는 두께 방향에 직교하는 면 방향에 있어서, X' 방향과, X' 방향에 직교하는 Y' 방향을 갖는다.
또한, 각 기재(S)의 면 방향에 있어서, 임의의 측정축을 0°로 설정하고, 예를 들면, 45°, 90°, 135° 방향의 4축 방향에서, 각각 유전율을 측정하고, 유전율이 가장 큰 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향이라고 정의할 수 있다. 한편, 유전율이 가장 작은 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향이라고 정의할 수도 있다.
또한, 각 기재(S)가 1축 연신일 경우에는, 연신 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향이라고 정의할 수도 있다. 한편, 연신하지 않은 방향이 X' 방향이며, X' 방향 직교하는 방향이 Y' 방향이라고 정의할 수도 있다.
각 기재(S)의 X' 방향은 안테나 필름(1)의 X 방향 및 Y 방향 중 어느 한쪽과 대응하고, 다른 쪽과 직교한다. 한편, 각 기재(S)의 Y' 방향은 안테나 필름(1)의 X 방향 및 Y 방향 중 어느 다른 쪽과 대응하고, 한쪽과 직교한다.
기재(S)의 재료로서는, 예를 들면, 올레핀 수지, 폴리에스테르 수지, (메타) 아크릴 수지(아크릴 수지 및/ 또는 메타크릴 수지), 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 및, 폴리스티렌 수지를 예로 들 수 있다. 올레핀 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 및, 시클로올레핀 폴리머를 예로 들 수 있다. 폴리에스테르 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 및, 폴리에틸렌 나프탈레이트를 예로 들 수 있다. (메타) 아크릴 수지로서는, 예를 들면, 폴리메타크릴레이트를 예로 들 수 있다. 기재(S)의 재료로서는, 바람직하게는, 폴리에스테르 수지, 보다 바람직하게는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 예로 들 수 있다.
기재(S)는 바람직하게는, 투명성을 갖는다. 구체적으로는, 기재(S)의 전광선 투과율(JIS K 7375-2008)은 예를 들면, 60% 이상, 바람직하게는, 80% 이상, 보다 바람직하게는, 85% 이상이다.
기재(S)의 두께는 예를 들면, 10㎛ 이상, 바람직하게는, 30㎛ 이상, 또한, 예를 들면, 150㎛ 이하, 바람직하게는, 100㎛ 이하이다.
그리고, 기재(S)는 소정의 주파수에 있어서의 유전율에 있어서, 이방성을 갖는 이방성 기재이다. 소정의 주파수로서는, 예를 들면, 1GHz 이상 20GHz 미만의 주파수, 준밀리파 영역(20GHz 이상 30GHz 미만), 및, 밀리파 영역(30GHz 이상 300GHz 이하)인 주파수를 예로 들 수 있다. 이하의 설명에서는, 소정의 주파수가 준밀리파 영역(20GHz 이상 30GHz 미만)인 주파수, 구체적으로는, 소정의 주파수가 28GHz일 경우에 대해서, 상술한다.
이러한 경우에는, 기재(S)는 주파수 28GHz에 있어서의 유전율에 있어서, 이방성을 갖는 이방성 기재이다. 자세하게는, 각 기재(S)에 있어서, X' 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율과, Y' 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율이 상이하다. 또한, 상기한 바와 같이, 각 기재(S)의 X' 방향 및 Y' 방향과 안테나 필름의 X 방향 및 안테나 필름(1)의 Y 방향은 대응 또는 직교하는 관계에 있다. 그 때문에, 각 기재(S)는 안테나 필름의 X 방향의 유전율 및 안테나 필름(1)의 Y 방향의 유전율에 대해서도, 이방성을 갖는다. 자세하게는, 각 기재(S)에 있어서, 안테나 필름(1)의 X 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율과, 안테나 필름(1)의 Y 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율이 상이하다. 이러한 관계(이방성)는 하기 식(2)으로 나타내어진다.
εiX≠εiY (2)
식(2)에 있어서, εiX는 i번째의 기재에 있어서의, X 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율을 나타낸다. εiY는 i번째의 기재에 있어서의, Y 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율을 나타낸다. 또한, 이하의 설명에서는, 특별히 언급하지 않는 한, 유전율은 주파수 28GHz에 있어서의 유전율이다.
상기된 유전율은 기재(S)에 대한 연신의 정도에 의해, 변화된다. 즉, 기재(S)에 있어서, X' 방향으로의 연신의 정도와, Y' 방향으로의 연신의 정도가 다르기 때문에, 기재(S)에 이방성이 생긴다. 예를 들면, 제 1 기재(S1)에 있어서, X' 방향으로만 연신했을 경우(1축 연신)에는, X' 방향의 유전율은 Y' 방향의 유전율보다 커진다.
유전율 ε1X는 예를 들면, 2.5 이상, 바람직하게는, 3.0 이상, 또한, 예를 들면, 4.0 이하, 바람직하게는, 3.5 이하이다.
유전율 ε1Y는 유전율 ε1X보다 크고(또는 작고), 예를 들면, 2.5 이상, 바람직하게는, 3.0 이상, 또한, 예를 들면, 4.0 이하, 바람직하게는, 3.5 이하이다.
유전율 ε1X 및 유전율 ε1Y는 예를 들면, 패브릿 패럿 공진기(키콤 가부시키가이샤제)에 의해 측정할 수 있다. 또한, 후술하는 실시예에서 상술하는 바와 같이, 유전율 ε1X 및 유전율 ε1Y는, 다쏘·시스템즈사의 CST Studio Suite를 사용해서, 시뮬레이션할 수도 있다.
그리고, 이 안테나 필름(1)에서는, 유전율 ε1X 및 유전율 ε1Y가 소정의 관계를 가짐으로써, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있다.
제 1로, 각 기재(S)의 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y의 차가 소정의 관계를 갖는다. 구체적으로는, 안테나 필름(1)에서는, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화하기 위해서, 각 기재(S)의 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y의 차를 작게 한다. 보다 구체적으로는, 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y의 차의 절대값은 2 미만이다. 바꾸어 말하면, 유전율 εiX 및 유전율 εiY는 하기 식(3)을 만족한다.
|εiX-εiY|<2 (3)
유전율 εiX 및 유전율 εiY가 상기 식(3)을 만족하면, 각 기재(S)의 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y의 차를 작게 할 수 있다. 그렇게 하면, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있다. 그 결과, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
또한, 유전율 εiX 및 유전율 εiY는 바람직하게는, 하기 식(4), 보다 바람직하게는, 하기 식(5)을 만족한다.
|εiX-εiY|<1 (4)
|εiX-εiY|<0.6 (5)
유전율 εiX 및 유전율 εiY가 상기 식(4) 또는 상기 식(5)을 만족하면, 각 기재(S)의 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y의 차를 보다 한층 작게 할 수 있다. 그렇게 하면, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 보다 한층 완화할 수 있다. 그 결과, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
그리고, 상기 식(3)∼상기 식(5)을 만족시키기 위해서는, 예를 들면, 기재(S)의 X' 방향 및 Y' 방향의 연신의 정도를 조정한다.
제 2로, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합과 차가, 소정의 관계를 갖는다. 자세하게는, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합과 차에 의해, 복수의 기재(S) 전체로서의 X 방향의 유전율과, 복수의 기재(S) 전체로서의 Y 방향의 유전율의 차를 어림잡을 수 있다.
즉, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합과 차가 작으면, 복수의 기재(S) 전체로서의 X 방향의 유전율과, 복수의 기재(S) 전체로서의 Y 방향의 유전율의 차가 작아진다.
안테나 필름(1)에서는, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화하기 위해서, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합과 차를 작게 해서, 복수의 기재(S) 전체로서의 X 방향의 유전율과, 복수의 기재(S) 전체로서의 Y 방향의 유전율의 차를 작게 한다.
구체적으로는, 유전율 εiX 및 유전율 εiY는 하기 식(6)을 만족한다.
상기 식(6)에 있어서, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합의 차의 절대값이 0.2 미만이다.
각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합이 상기 식(6)을 만족하면, 복수의 기재(S) 전체로서의 X 방향의 유전율과, 복수의 기재(S) 전체로서의 Y 방향의 유전율의 차를 작게 할 수 있다. 그렇게 하면, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있다. 그 결과, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
또한, 유전율 εiX 및 유전율 εiY는 바람직하게는, 하기 식(7), 보다 바람직하게는, 하기 식(8)을 만족한다.
각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합이 상기 식(7) 또는 상기 식(8)을 만족하면, 복수의 기재(S) 전체로서의 X 방향의 유전율과, 복수의 기재(S) 전체로서의 Y 방향의 유전율의 차를 보다 한층 작게 할 수 있다. 그렇게 하면, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 보다 한층 완화할 수 있다. 그 결과, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
그리고, 상기 식(6)∼상기 식(8)을 만족시키기 위한 방법으로서, 예를 들면, N이 짝수일 경우에는, 홀수번째의 기재(S)의 X' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하는 한편, 짝수번째의 기재(S)의 Y' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하도록, 각 기재(S)를 배치한다.
이상에 의해, 이 안테나 필름(1)에서는, 제 1로, 각 기재(S)에 있어서, 유전율 ε1X와 유전율 ε1Y와의 차를 작게 하고, 제 2로, 각 기재(S)의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재(S)의 Y 방향의 유전율의 총합의 차를 작게 한다.
이것에 의해, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있다. 그 결과, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
<금속층>
금속층(3)은 외부로부터 조사된 전파를 전류로 변환하고, 또는, 급전된 전류를 외부로 방사하는 전파로 변환하는 도체층이다.
금속층(3)의 재료로서는, 예를 들면, 구리, 금, 알루미늄, 니켈, 크롬, 이것들의 합금, 이것들의 산화물을 예로 들 수 있다.
또한, 금속층(3)의 재료로서, 예를 들면, 인듐 주석 복합 산화물(ITO), 도전성 고분자, 및, 카본 나노튜브도 예로 들 수 있다.
금속층(3)의 재료로서는, 바람직하게는, 구리를 예로 들 수 있다.
금속층(3)의 두께는 예를 들면, 0.05㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상, 또한, 예를 들면, 20㎛ 이하, 바람직하게는, 10㎛ 이하이다.
<안테나 필름의 제조 방법>
도 2를 참조해서, 안테나 필름(1)의 제조 방법의 일실시형태를 설명한다.
안테나 필름(1)의 제조 방법은 지지층(2)을 준비하는 제 1 공정과, 지지층(2)의 두께 방향 한쪽 면에, 금속층(3)을 배치하는 제 2 공정을 구비한다.
<제 1 공정>
제 1 공정에서는, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)을 준비한다.
지지층(2)을 준비하기 위해서는, 각 기재(S)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 배치한다. 구체적으로는, 제 1 기재(S1)로부터 순서대로, 제 N 기재(SN)까지 배치한다. 구체적으로는, N이 짝수일 경우에는, 홀수번째의 기재(S)의 X' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하는 한편, 짝수번째의 기재(S)의 Y' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하도록, 각 기재(S)를 배치한다.
또한, 각 기재(S)끼리는 공지의 접착제로 접착할 수도 있다.
이것에 의해, 지지층(2)을 준비한다.
<제 2 공정>
제 2 공정에서는, 도 2B에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)의 두께 방향 한쪽 면에, 금속층(3)을 배치한다.
지지층(2)의 두께 방향 한쪽 면에, 금속층(3)을 배치하는 방법으로서는, 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 및, 도금법을 예로 들 수 있다.
이것에 의해, 지지층(2)의 두께 방향 한쪽 면에, 금속층(3)을 배치해서, 안테나 필름(1)을 제조한다.
<제 2 실시형태(N이 짝수인 안테나 필름)>
제 2 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 같은 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 첨부하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 2 실시형태는 특기하는 이외, 제 1 실시형태와 같은 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태, 제 2 실시형태 및 이것들의 변형예를 적절히 조합시킬 수 있다.
제 2 실시형태에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 안테나 필름(1)은 지지층(2)과, 금속층(3)을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 지지층(2)은 짝수의 일례로서, 6개의 기재(S)를 구비한다. 자세하게는, 지지층(2)은 제 1 기재(S1)와, 제 2 기재(S2)와, 제 3 기재(S3)와, 제 4 기재(S4)와, 제 5 기재(S5)와, 제 6 기재(S6)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다.
그리고, 각 기재(S)에 있어서, 홀수번째의 기재의 유전율과, 짝수번째의 기재의 유전율이 소정의 관계를 갖는다. 즉, n을 자연수로 했을 경우, 2n-1(홀수)번째의 기재(S2n-1)의 유전율과, 2n(짝수)번째의 기재(S2n)의 유전율이 소정의 관계를 갖는다.
바꾸어 말하면, 제 1 기재(S1)와 제 2 기재(S2)가 소정의 관계를 갖고, 또한, 제 3 기재(S3)와 제 4 기재(S4)가 소정의 관계를 갖고, 또한, 제 5 기재(S5)와 제 6 기재(S6)가 소정의 관계를 갖는다.
소정의 관계로서, 구체적으로는, ε(2n-1)X가 기재(S2n-1)에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n-1)Y가 기재(S2n-1)에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)X가, 기재(S2n)에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)Y가 기재(S2n)에 있어서의 최대 유전율을 갖는 제 1의 관계, 또는, ε(2n-1)X가 기재(S2n-1)에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한, ε(2n-1)Y가 기재(S2n-1)에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)X가 기재(S2n)에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한, ε(2n)Y가 기재(S2n)에 있어서의 최소 유전율을 갖는 제 2의 관계를 예로 들 수 있다.
제 1의 관계에 있어서, 2n-1번째의 기재(S2n-1)에서는, X 방향의 유전율이 최대가 되고, Y 방향의 유전율이 최소가 된다. 한편, 2n번째의 기재(S2n)에서는, X 방향의 유전율이 최소가 되고, Y 방향의 유전율이 최대가 된다.
제 1의 관계는 예를 들면, 각 기재(S)에 있어서, 유전율이 가장 큰 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향일 경우에 있어서, 2n-1(홀수)번째의 기재(S)의 X' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하는 한편, 2n(짝수)번째의 기재(S)의 Y' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하도록, 각 기재(S)를 배치함으로써, 성립한다.
한편, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)의 조합에 있어서의 X 방향의 유전율 및 Y 방향의 유전율의 차는, 제 1 기재(S1)의 X 방향의 유전율과, 제 2 기재(S2)의 X 방향의 유전율의 합(X 방향의 합)과, 제 1 기재(S1)의 Y 방향의 유전율과, 제 2 기재(S2)의 Y 방향의 유전율의 합(Y 방향의 합)의 차로 어림잡을 수 있다.
그리고, X 방향의 합은 제 1 기재(S1)의 최대 유전율과, 제 2 기재(S2)의 최소 유전율과 합이며, 또한, Y 방향의 합은 제 1 기재(S1)의 최소 유전율과, 제 2 기재(S2)의 최대 유전율과 합이다.
즉, X 방향의 합은 하나의 최대 유전율과, 다른 최소 유전율과 합이며, Y 방향의 합은 다른 최대 유전율과, 하나의 최소 유전율의 합이다. 그렇게 하면, X 방향의 합과 Y 방향의 합의 차를 작게 할 수 있다. 이것에 의해, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)의 조합에 있어서, X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 할 수 있다.
구체적으로는, ε(2n-1)X와, ε(2n)X와, ε(2n)Y와, ε(2n-1)Y가 하기 식(9)을 만족한다.
|(ε(2n-1)X+ε(2n)X)-(ε(2n)Y+ε(2n-1)Y)|<0.2 (9)
또한, 제 3 기재(S3)와 제 4 기재(S4)의 조합, 및, 제 5 기재(S5)와 제 6 기재(S6)의 조합에 있어서도, 같은 관계가 성립된다.
이것에 의해, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
또한, 제 2의 관계에 있어서, 2n-1번째의 기재(S2n-1)에서는, X 방향의 유전율이 최소가 되고, Y 방향의 유전율이 최대가 된다. 한편, 2n번째의 기재(S2n)에서는, X 방향의 유전율이 최대가 되고, Y 방향의 유전율이 최소가 된다.
제 2의 관계는 예를 들면, 각 기재(S)에 있어서, 유전율이 가장 큰 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향일 경우에 있어서, 2n-1(홀수)번째의 기재(S)의 X' 방향이 안테나 필름(1)의 Y 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 X 방향과 직교하는 한편, 2n(짝수)번째의 기재(S)의 Y' 방향이 안테나 필름(1)의 Y 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 X 방향과 직교하도록, 각 기재(S)를 배치함으로써, 성립한다.
한편, 상기한 바와 같이, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)의 조합에 있어서의 X 방향의 유전율 및 Y 방향의 유전율의 차는, 제 1 기재(S1)의 X 방향의 유전율과, 제 2 기재(S2)의 X 방향의 유전율의 합(X 방향의 합)과, 제 1 기재(S1)의 Y 방향의 유전율과, 제 2 기재(S2)의 Y 방향의 유전율의 합(Y 방향의 합)의 차로 어림잡을 수 있다.
그리고, X 방향의 합은 제 1 기재(S1)의 최소 유전율과, 제 2 기재(S2)의 최대 유전율과 합이며, 또한, Y 방향의 합은, 제 1 기재(S1)의 최대 유전율과, 제 2 기재(S2)의 최소 유전율과 합이다.
즉, X 방향의 합은 하나의 최소 유전율과, 다른 최대 유전율과 합이며, Y 방향의 합은 다른 최소 유전율과, 하나의 최대 유전율의 합이다. 그렇게 하면, X 방향의 합과 Y 방향의 합의 차를 작게 할 수 있다. 이것에 의해, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)의 조합에 있어서, X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 할 수 있다.
구체적으로는, ε(2n-1)X와, ε(2n)X와, ε(2n)Y와, ε(2n-1)Y가 상기 식(9)을 만족한다.
또한, 제 3 기재(S3)와 제 4 기재(S4)의 조합, 및, 제 5 기재(S5)와 제 6 기재(S6)의 조합에 있어서도, 같은 관계가 성립된다.
이것에 의해, 안테나 필름(1)은 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
이상에 의해, 제 2 실시형태에서는, 2n-1번째의 기재(S)의 유전율과, 2n번째의 기재(S)의 유전율이 소정의 관계를 가짐으로써, 2n-1번째의 기재(S) 및 2n번째의 기재(S)의 조합에 있어서, X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 할 수 있다. 그 결과, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있다.
특히, 제 2 실시형태에 있어서, N이 2일 경우에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 안테나 필름(1)은 지지층(2)과, 금속층(3)을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 지지층(2)은 제 1 기재(S1)와, 제 2 기재(S2)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 즉, 지지층(2)은 2개의 기재(S)를 구비한다.
이러한 경우에는, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)를 동일 기재(S)로부터 잘라내고, 예를 들면, 제 1 기재(S1)의 X' 방향과 제 2 기재(S2)의 X' 방향이 서로 직교하도록, 제 1 기재(S1) 및 제 2 기재(S2)를 배치한다. 이것에 의해, 상기 제 1의 관계 또는 상기 제 2의 관계를 만족하고, 또한, 상기 식(9)을 만족한다.
<작용 효과>
본 발명의 안테나 필름에 있어서의 지지층(2)은 N개의 기재(S)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 그리고, i번째의 기재에 있어서, 안테나 필름의 X 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율 εiX, 및, 안테나 필름의 Y 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율 εiY가 상기 식(2)을 만족하고, 또한, 각 기재의 X 방향의 유전율의 총합과, 각 기재의 Y 방향의 유전율의 총합과 차의 절대값이 상기 식(6)을 만족한다. 이것에 의해, 준밀리파 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
그리고, 안테나 필름(1)의 사용 시에는, 필요에 의해, 금속층(3)을 공지의 방법에 의해, 패턴화한다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)의 두께 방향 다른 쪽 면에, 그라운드 도체층(10)을 배치한다. 이러한 경우에는, 안테나 필름(1)은 그라운드 도체층(10)과, 지지층(2)과, 금속층(3)을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다. 그라운드 도체층(10)은 예를 들면, 구리로 형성되어 있다.
<변형예>
변형예에 있어서, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 같은 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 첨부하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 변형예는 특기하는 이외, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 같은 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태, 제 2 실시형태 및 이것들의 변형예를 적절히 조합시킬 수 있다.
제 2 실시형태에서는, 2n-1번째의 기재(S2n-1)및 2n번째의 기재(S2)의 조합에 있어서, X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 하고, 그 결과, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화한다. 한편, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수 있으면, X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 하는 기재(S)의 조합은 한정되지 않는다.
예를 들면, 지지층(2)이 제 1 기재(S1), 제 2 기재(S2)···제 t 기재(St), 제 (t+1) 기재(St+1)···제 N 기재(SN)를 구비할 경우에 있어서, 제 1 기재(S1), 제 2 기재(S2)···제 t 기재(St)의 조합에 있어서, 기재(S)의 X' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하는 한편, 제 (t+1) 기재(St+1)···제 N 기재(SN)의 조합에 있어서, 기재(S)의 Y' 방향이 안테나 필름(1)의 X 방향에 대응하고, 또한, 안테나 필름(1)의 Y 방향과 직교하도록, 각 기재(S)를 배치함으로써, 안테나 필름(1)의 X 방향 및 Y 방향의 유전율의 차를 작게 할 수 있다.
그 결과, 복수의 기재(S) 전체로서, 이방성을 완화할 수도 있다.
또한, 상기한 설명에서는, 각 기재(S)의 면 방향에 있어서, 임의의 측정축을 0°로 설정하고, 예를 들면, 45°, 90°, 135°방향의 4축 방향에서, 각각 유전율을 측정하고, 각 기재(S)의 X' 방향 및 Y' 방향을 정의했다. 한편, 유전율을 측정하는 방향(축)은 특별히 한정되지 않고, 목적 및 용도에 따라서, 360°를 임의의 수로 분할한 축에 있어서, 유전율을 측정하고, 각 기재(S)의 X' 방향 및 Y' 방향을 정의할 수도 있다.
또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)은 두께 방향 한쪽측에 경화 수지층(4)을 구비할 수도 있다.
경화 수지층(4)은 필름 형상을 갖는다. 경화 수지층(4)은 제 N 기재(SN)의 상면 전면에, 제 N 기재(SN)의 상면에 접촉하도록, 배치되어 있다.
경화 수지층(4)으로서는, 예를 들면, 하드 코트층을 예로 들 수 있다.
이러한 경우에는, 지지층(2)은 복수의 기재(S)와, 하드 코트층을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다.
하드 코트층은 안테나 필름(1)에 찰상을 생기기 어렵게 하기 위한 찰상 보호층이다.
하드 코트층의 재료는 예를 들면, 하드 코트 조성물이다. 하드 코트 조성물로서는, 예를 들면, 일본 특허공개 2016-179686호 공보에 기재된 혼합물 등을 예로 들 수 있다.
혼합물은 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지 등의 수지(바인더 수지)를 함유한다.
하드 코트층의 두께는 예를 들면, 0.1㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면, 10㎛ 이하, 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)과 금속층(3)의 사이에, 밀착층(5)을 구비할 수도 있다. 이러한 경우에는, 안테나 필름(1)은 지지층(2)과, 밀착층(5)과, 금속층(3)을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비한다.
밀착층(5)은 필름 형상을 갖는다. 밀착층(5)은 지지층(2)의 상면 전면에, 지지층(2)의 상면에 접촉하도록, 배치되어 있다.
밀착층(5)은 지지층(2)과, 금속층(3)의 사이의 밀착력을 확보하기 위한 층이다.
밀착층(5)의 재료로서는, 예를 들면, 금속을 예로 들 수 있다. 금속으로서는, 예를 들면, 인듐, 실리콘, 니켈, 크롬, 알루미늄, 주석, 금, 은, 백금, 아연, 티타늄, 텅스텐, 지르코늄, 및, 팔라듐을 예로 들 수 있다. 또한, 밀착층(5)의 재료로서는, 상기 금속의 2종류 이상의 합금, 및, 상기 금속의 산화물도 예로 들 수 있다.
밀착층(5)의 두께는 지지층(2)과, 금속층(3)의 사이의 밀착력의 확보의 관점에서, 예를 들면, 1nm 이상, 또한, 예를 들면, 10nm 이하이다.
또한, 안테나 필름(1)은 경화 수지층(4) 및 밀착층(5)의 양쪽을 구비할 수도 있다.
또한, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 있어서, 지지층(2)은 N개의 기재(S)를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 적층되어 있지만, 각 기재(S)의 사이에 다른 층을 개재시킬 수도 있다.
다른 층으로서는, 유전체, 예를 들면, 상기한 경화 수지층(4), 등방성 기재,및, 점착제층을 예로 들 수 있다.
등방성 기재는 안테나 필름(1)의 X 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율과, 안테나 필름(1)의 Y 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율이 동일한 기재이다. 또한, 등방성 기재는 예를 들면, 상기한 기재(S)(이방성 기재)와 같은 재료로 형성된다.
상기한 설명에서는, 소정의 주파수가 준밀리파 영역(20GHz 이상 30GHz 미만)인 주파수, 구체적으로는, 소정의 주파수가 28GHz일 경우에 대해서, 상술했지만, 소정의 주파수는 이것에 한정되지 않는다. 소정의 주파수는 예를 들면, 1GHz 이상 20GH 미만의 주파수, 또는, 밀리파 영역(30GHz 이상 300GHz 이하)의 주파수여도 좋다. 이것에 의해, 상기의 주파수 영역에 있어서, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다.
바람직하게는, 5G 통신에 대응하는 관점에서, 소정의 주파수는 준밀리파 영역의 주파수 또는 밀리파 영역의 주파수이다.
(실시예)
이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율(함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는 상기의 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있다, 그것들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한값(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한값(「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치)으로 대체할 수 있다. 또한, 이하의 기재에 있어서 특별히 언급이 없는 한, 「부」 및 「%」는 질량 기준이다.
1. 안테나 필름의 제조
실시예 1∼실시예 4, 및, 비교예 2
<제 1 공정>
제 1 기재 및 제 2 기재로서, 두께 50㎛의 PET 필름(이방성 기재)을 준비했다.
제 1 기재 및 제 2 기재에 있어서, 임의의 측정축을 0°로 설정하고, 45°, 90°, 135°방향의 4축 방향에서 각각 유전율을 측정하고, 유전율이 가장 큰 방향이 X' 방향이며, X' 방향에 직교하는 방향이 Y' 방향이라고 정의했다.
그리고, 제 1 기재(S1)의 X' 방향과 제 2 기재의 X' 방향이 서로 직교하도록, 또한, 안테나 필름의 X 방향과, 제 1 기재의 X' 방향 및 제 2 기재의 Y' 방향이 대응하도록, 제 1 기재의 두께 방향 한쪽 면에, 제 2 기재를 배치해서, 지지층을 준비했다. 또한, 제 1 기재와 제 2 기재는 공지의 접착제로 접착했다. 또한, 제 1 기재 및 제 2 기재의 유전율을 표 1에 나타낸다.
<제 2 공정>
스퍼터링법에 의해, 지지층의 두께 방향 한쪽 면에, 구리로 이루어지는 금속층을 배치(형성)했다. 그 다음에, 금속층을 소정의 형상(패치 치수 3.07mm×3.07mm)으로 패턴화했다. 또한, 지지층의 두께 방향 다른 쪽측에, 구리로 이루어지는 그라운드 도체층을 배치했다.
이것에 의해, 그라운드 도체층과, 지지층(제 1 기재 및 제 2 기재)과, 금속층을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비하는 안테나 필름을 얻었다.
비교예 1 및 참고예 1
실시예 1과 같은 순서로, 안테나 필름을 얻었다. 단, 제 1 기재의 두께 방향 한쪽 면에, 제 2 기재를 배치하지 않았다. 즉, 비교예 2 및 참고예 1에 있어서, 지지층은 제 1 기재로 이루어진다. 또한, 제 1 기재의 유전율을 표 1에 나타낸다.
또한, 참고예 1에서는, 제 1 기재로서, 안테나 필름의 X 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율과, 안테나 필름의 Y 방향의 주파수 28GHz에 있어서의 유전율이 동일한 기재이며, 두께 100㎛의 PET 필름(등방성 기재)을 사용했다.
또한, 비교예 1 및 참고예 1에서는, 안테나 필름의 X 방향과, 제 1 기재의 X' 방향이 대응하도록 배치했다.
2. 리턴 로스 평가
각 실시예, 각 비교예 및 참고예의 안테나 필름에 대해서, 다쏘·시스템즈사의 CST Studio Suite를 사용해서, 전기 특성의 시뮬레이션을 실시했다.
구체적으로는, 중심 주파수가 28GHz가 되도록 설계한 패치 안테나에 급전선을 통해서 급전했을 경우의 리턴 로스 측정을 실시했을 경우의, 중심 주파수를 시뮬레이션했다. 그 결과를 표 1 및 도 8에 나타낸다.
3. 고찰
하기 식(10) 및 하기 식(11)을 만족하는 실시예 1∼실시예 4는 중심 주파수를 28GHz±0.3으로 설정할 수 있었다. 특히, 실시예 1∼실시예 3은 중심 주파수를 28GHz로 설정할 수 있었다. 즉, 참고예 1의 등방성 기재와 같은 성능을 나타냈다고 알 수 있다. 이것으로부터, 하기 식(10) 및 하기 식(11)을 만족하면, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 있다고 알 수 있다.
|εiX-εiY|<2 (9)
한편, 상기 식(11)을 만족하지 않는 비교예 1은 중심 주파수가 28.7GHz였다. 또한, 상기 식(10)을 만족하지 않는 비교예 2는 중심 주파수가 29.3GHz였다. 이것으로부터, 상기 식(10) 및 상기 식(11) 중 어느 하나를 만족하지 않으면, 리턴 로스의 피크 시프트를 억제할 수 없다고 알 수 있다.
또한, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 상기 기술 분야의 당업자에 의해 명확한 본 발명의 변형예는 후기 청구범위에 포함되는 것이다.
본 발명의 안테나 필름은 예를 들면, 안테나 장치에 적합하게 사용할 수 있다.
1 안테나 필름
2 지지층
3 금속층
4 경화 수지층
5 밀착층
S 기재

Claims (4)

  1. 두께 방향에 직교하는 면 방향에 있어서, X 방향과, 상기 X 방향에 직교하는 Y 방향을 갖는 안테나 필름으로서,
    지지층과, 금속층을 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비하고,
    상기 지지층은 N개의 기재를 두께 방향 한쪽측을 향해서 순서대로 구비하고,
    하기 식(1)∼하기 식(4)을 만족하는 안테나 필름.
    N≥2 (1)
    εiX≠εiY (2)
    |εiX-εiY|<2 (3)

    식(2)∼식(4)에 있어서, εiX는 i번째의 기재에 있어서의, 안테나 필름의 X 방향의 소정의 주파수에 있어서의 유전율을 나타내고, εiY는 i번째의 기재에 있어서의, 안테나 필름의 Y 방향의 상기 소정의 주파수에 있어서의 유전율을 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    N이 짝수이며, n을 자연수로 했을 경우에,
    ε(2n-1)X가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n-1)Y가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n)X가 2n번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n)Y가 2n번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖거나, 또는,
    ε(2n-1)X가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n-1)Y가 2n-1번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n)X가 2n번째의 기재에 있어서의 최대 유전율을 갖고, 또한,
    ε(2n)Y가 2n번째의 기재에 있어서의 최소 유전율을 갖고,
    ε(2n-1)X와 ε(2n)X와, ε(2n)Y와, ε(2n-1)Y가 하기 식(5)을 만족하는 안테나 필름.
    |(ε(2n-1)X+ε(2n)X)- (ε(2n)Y+ε(2n-1)Y)|<0.2 (5)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지층이 두께 방향 한쪽측에 경화 수지층을 구비하는 안테나 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지층과 상기 금속층의 사이에, 밀착층을 구비하는 안테나 필름.
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