KR20230163919A

KR20230163919A - 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템

Info

Publication number: KR20230163919A
Application number: KR1020227027354A
Authority: KR
Inventors: 웨이 웨이; 센린 호우; 지안핑 왕; 지통 구오
Original assignee: 청두 컨비니언트파워 세미컨덕터 씨오., 엘티디.
Priority date: 2021-04-12
Filing date: 2021-04-25
Publication date: 2023-12-01
Also published as: CN112803563A; US20230369915A1; WO2022217643A1; CN112803563B

Abstract

본 발명은 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템을 제공한다. 저전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect, 공통 접지 포트 VSS, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic, NMOS MN1 및 PMOS MP1, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel, 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr, 정류기 논리 제어 모듈 boost_logic, 정류기 SR 및 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo을 포함한다. 본 발명의 저-전압 스타트업 회로는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템에 사용되며, 저-전압 상태(1.4V) 하의 vrect 전압에서 MCU를 정상적으로 시작되게 할 수 있다.

Description

저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2021년 4월 12일에 출원된 "저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템"이라는 명칭의 중국 출원 번호 2021103872990의 우선권을 주장한다. 본 개시는 상기 출원의 모든 내용을 참조한다.

기술분야

본 발명은 무선 충전의 기술 분야, 특히 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템에 관한 것이다.

무선 충전 전력의 지속적인 개선으로 부하 전류가 계속 증가하지만, 전류의 증가는 코일의 전력 손실을 두 배로 증가시켜 무선 충전 전력의 개선을 제한한다. 코일의 전력 손실은 코일의 임피던스와 밀접한 관련이 있다. 따라서, 코일 임피던스를 감소시킴으로써 전력 손실을 줄일 수 있으며, 코일의 전력 손실은 인덕턴스에 비례한다. 따라서, 코일 인덕턴스를 줄임으로써 코일의 임피던스가 감소될 수 있으므로 전류 역량과 전력을 향상시킬 수 있지만, 코일 인덕턴스의 감소는 커플링 전압과 충전 영역을 감소시킬 것이다. 커플링이 불량할 때, 칩의 정상적인 스타트업 전압이 만족될 수 없다.

본 발명은 코일 인덕턴스의 감소로 인해 수신기의 커플링 전압이 더 낮아지면 칩의 정상적인 스타트업 전압을 만족할 수 없는 문제를 해결하기 위한 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로 및 무선 충전 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명은 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 제공하며, 저-전압 스타트업 회로는 무선 충전 시스템의 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 전압-더블러 정류 모드에 진입하도록 정류기 SR을 제어하는 데 사용된다; 저-전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect, 공통 접지 포트 VSS, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic, NMOS MN1 및 PMOS MP1, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel, 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr, 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic, 정류기 SR 및 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo을 포함한다:

Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel은 제1 입력 포트와 제2 입력 포트를 갖는다; 제1 입력 포트는 MOS MP1의 드레인 및 소스를 통해 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고 MP1의 게이트는 R2를 통해 공통 접지 포트 VSS에 연결되며 다른 쪽의 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic을 통해 전압 입력 포트 Vrect에 연결된다; 제2 입력 포트는 MOS MN1의 드레인 및 소스를 통해 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고, MOS MN1의 게이트는 전압 입력 포트 Vrect와 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결된다;

Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 출력 포트는 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic의 전원 공급 포트에 각각 연결된다; 파워-온 리셋 모듈 por의 신호 출력 포트는 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic을 통해 정류기 SR의 신호 입력 포트에 연결된다; 정류기 SR의 신호 출력 포트는 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo를 통해 MCU에 연결된다.

또한, 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect와 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결된 정류기 회로를 더 포함한다.

또한, 정류기 회로는 저항 R1, 커패시터 C1 및 제너 다이오드 zd를 포함한다; 전압 입력 포트 Vrect는 저항 R1 및 제너 다이오드 zd를 통해 공통 접지 포트 VSS에 연결되고, 커패시터 C1은 제너 다이오드 zd와 병렬이다.

또한, 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로는 저항 R2를 더 포함하고, 저항 R2는 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic과 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결된다.

또한, 본 발명은 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로의 방법을 더 제공하며, 상기 방법은

S1. Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트와 제2 입력 포트에서 각각 입력 전압을 생성하고:

(1) PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 전압 입력 포트에서의 Vrect의 전압을 4V와 비교하는 데 사용되고:

Vrect<4V일 때, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 MP1의 게이트를 VSS가 되도록 제어하고, MP1이 턴 온 되면, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 Vrect이고;

Vrect>4V일 때, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 MP1의 게이트를 Vrect가 되도록 제어하고, MP1이 턴 오프 되면, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 0이고;

(2) 전압 입력 포트 Vrect는 MOS MN1의 게이트에서 vprereg라는 전압을 생성하고, MOS MN1의 순방향 전압 강하는 vth이므로, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제2 입력 포트에서의 입력 신호 vreglocal은 vprereg-vth이고;

S2. Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel은 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic의 입력 소스 vmax로서 vreg5 및 vreglocal 중에서 최대 전압을 선택하고;

S3. 파워-온 리셋 모듈 por은 vmax가 1.3V보다 큰지 여부를 결정하고, vmax>1.3V일 때, 제어 신호 en_bg가 저-전압 밴드-갭 기준 회로인 lv_bgr에 출력되고, bg_ok가 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈인 boost_logic에 출력되고;

S4. 제어 신호 bg_ok가 출력된 후, 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic은 정류기 SR에 전압 더블 제어 신호 en_sr_boost_mode를 출력하여 정류기 SR이 전압-더블러 정류 모드에서 작동하도록 하고 Vrect의 전압을 두 배로 만들고;

S5. 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo는 현재 Vrect가 2.7V보다 큰지 여부를 결정하고, 그렇다면, MCU에 스타트업 신호 MCU_enable를 출력하여 MCU를 스타트업 하고 정상적으로 작동하게 하는 것을 포함한다.

본 발명은 또한 무선 충전 시스템을 실현하고, 무선 충전 시스템은 송신기 및 수신기를 포함한다; 수신기에는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로가 제공된다; 저-전압 스타트업 회로는 무선 충전 시스템의 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 정류기 SR가 전압-더블러 정류 모드로 진입하도록 제어하는 데 사용된다.

요약하면, 위의 기술적 해결방안이 사용된 후, 본 발명의 이점은 다음과 같다:

본 발명의 저-전압 스타트업 회로는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템에 사용되며, 정류기 SR이 저전압 상태(1.4V) 하에서 전압-더블러 정류 모드로 작동하도록 제어하여, 무선 충전 시스템의 수신기에서 MCU의 스타트업 전압을 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예들에서 기술적인 해결방안을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예들의 도면은 아래에서 간략하게 소개될 것이다. 아래에 설명된 도면은 본 발명의 일부 실시예를 나타낸 것을 뿐, 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다. 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 창의적인 작업 없이도 그 도면을 기초로 다른 도면을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로의 개략도이다.

본 발명의 실시예의 기술적 해결방안은 본 발명의 목적, 기술적 해결방안 및 이점에 대한 명확한 이해를 위하여 이들 실시예의 도면과 결합하여 다음과 같이 명확하고 완전하게 설명될 것이다. 분명히, 설명된 실시예는 본 발명의 모든 실시예가 아니라 일부일 뿐이다. 일반적으로, 본 명세서의 도면에 설명되고 도시된 본 발명의 실시예의 구성요소는 다양한 구성으로 배열 및 설계될 수 있다.

따라서, 도면에 제공된 본 발명의 실시예에 대한 상세한 설명은 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니며, 실시예는 본 발명의 특정 실시예 일 뿐이다. 본 발명의 실시예에 기초하여, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 창의적인 작업 없이 획득한 다른 실시예도 본 발명의 보호 범위에 속한다.

실시예

도 1에 도시된 바와 같이, 실시예는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로를 제공하며, 저-전압 스타트업 회로는 무선 충전 시스템의 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 전압-더블러 정류 모드에 진입하도록 정류기 SR을 제어하는 데 사용된다; 저-전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect, 공통 접지 포트 VSS, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic, NMOS MN1 및 PMOS MP1, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel, 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr, 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic, 정류기 SR 및 정류기 출력 저전압(under_voltage) 보호 제어 모듈 vrect_uvlo을 포함한다:

일부 실시예에서, 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect와 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결된 정류기 회로를 더 포함한다. 구체적으로, 정류기 회로는 저항 R1, 커패시터 C1 및 제너 다이오드 zd를 포함한다; 전압 입력 포트 Vrect는 저항 R1 및 제너 다이오드 zd를 통해 공통 접지 포트 VSS에 연결되고, 커패시터 C1은 제너 다이오드 zd와 병렬이다.

이 원리는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로의 방법을 통해 자세히 설명된다. 이 방법은 다음 단계들을 포함한다:

S1. Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트와 제2 입력 포트에서 각각 입력 전압을 생성한다:

(1) PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 전압 입력 포트에서의 Vrect의 전압을 4V와 비교하는 데 사용된다:

Vrect<4V일 때, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 MP1의 게이트를 VSS가 되도록 제어하고, MP1이 턴 온 되면, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 도 1의 경로1과 같이 Vrect이다;

Vrect>4V일 때, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 MP1의 게이트를 Vrect가 되도록 제어하고, MP1이 턴 오프 되면, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 0이다;

(2) 전압 입력 포트 Vrect는 MOS MN1의 게이트에서 vprereg라는 전압을 생성하고, MOS MN1의 순방향 전압 강하는 vth이므로, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 제2 입력 포트에서의 입력 신호 vreglocal은, 도 2의 경로2와 같이 vprereg-vth이다. 일반적으로, vth는 약 1V, 즉, vreglocal은 Vrect가 적어도 1V에 도달할 때만 전압을 가질 것이다;

S2. Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel은 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic의 입력 소스 vmax로서 vreg5 및 vreglocal 중에서 최대 전압을 선택한다;

S3. 파워-온 리셋 모듈 por은 vmax가 1.3V보다 큰지 여부를 결정한다. vmax>1.3V일 때, 제어 신호 en_bg가 저-전압 밴드-갭 기준 회로인 lv_bgr에 출력되고, bg_ok가 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈인 boost_logic에 출력된다;

S4. 제어 신호 bg_ok가 출력된 후, 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic은 정류기 SR에 전압 더블 제어 신호 en_sr_boost_mode를 출력하여 정류기 SR이 전압-더블러 정류 모드에서 작동하도록 하고 Vrect의 전압을 두 배로 만든다;

S5. 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo는 현재 Vrect가 2.7V보다 큰지 여부를 결정한다. 그렇다면, MCU에 스타트업 신호 MCU_enable를 출력하여 MCU를 스타트업 하고 정상적으로 작동하게 한다.

위의 내용에서 알 수 있듯이, 본 발명의 저-전압 스타트업 회로는 칩이 논리 신호를 보내 더 낮은 Vrect 전압(1.4V)의 조건 하에서 전압-더블러 모드로 진입하게 하고, MN1 전도 임계값 제한을 깨도록 할 수 있으므로, vrect 전압이 1.4V에 도달하면 정류기가 전압-더블러 정류 모드에서 작동하도록 제어하고, Vrect 전압을 두 배로 만들고, 무선 충전 시스템의 수신기에서 MCU가 작동하도록 하여, 결과적으로 저-인덕턴스 무선 충전 시스템의 스타트업을 완료할 수 있다.

저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 상기 저-전압 스타트업 회로에 기초하여, 본 실시예는 무선 충전 시스템을 추가로 실현하고, 무선 충전 시스템은 송신기 및 수신기를 포함하고; 수신기에는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로가 제공되고; 저-전압 스타트업 회로는 무선 충전 시스템의 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 정류기 SR이 전압-더블러 정류 모드로 진입하도록 제어하는 데 사용된다.

본 발명의 바람직한 실시예만이 위에서 설명되었지만, 본 발명에 제한되지는 않는다. 당업자에게 있어서, 본 발명은 다양한 변경 및 변화를 취할 수 있다. 본 발명의 정신과 규칙 내에서 이루어진 모든 수정, 등가 교체 및 개선은 본 발명의 보호 범위에 포함되어야 한다.

Claims

저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로로서, 상기 저-전압 스타트업 회로는 상기 무선 충전 시스템의 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 전압-더블러 정류 모드에 진입하도록 정류기 SR을 제어하는 데 사용되고; 상기 저-전압 스타트업 회로는 전압 입력 포트 Vrect, 공통 접지 포트 VSS, PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic, NMOS MN1 및 PMOS MP1, Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel, 파워-온 리셋 모듈 por, 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr, 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic, 상기 정류기 SR 및 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo을 포함하고:
상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel은 제1 입력 포트와 제2 입력 포트를 갖고; 상기 제1 입력 포트는 상기 MOS MP1의 드레인 및 소스를 통해 상기 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고 상기 MP1의 게이트는 R2를 통해 상기 공통 접지 포트 VSS에 연결되며 다른 쪽의 상기 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic을 통해 상기 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고; 상기 제2 입력 포트는 상기 MOS MN1의 드레인 및 소스를 통해 상기 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고, 상기 MOS MN1의 게이트는 상기 전압 입력 포트 Vrect와 상기 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결되고;
상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 출력 포트는 상기 파워-온 리셋 모듈 por, 상기 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 상기 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic의 전원 공급 포트에 각각 연결되고; 상기 파워-온 리셋 모듈 por의 신호 출력 포트는 상기 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 상기 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic을 통해 상기 정류기 SR의 신호 입력 포트에 연결되고; 상기 정류기 SR의 신호 출력 포트는 상기 전압 입력 포트 Vrect에 연결되고 상기 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo를 통해 MCU에 연결되는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로.
청구항 1에 있어서, 상기 전압 입력 포트 Vrect와 상기 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결된 정류기 회로를 더 포함하는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로.
청구항 2에 있어서, 상기 정류기 회로는 저항 R1, 커패시터 C1 및 제너 다이오드 zd를 포함하고; 상기 전압 입력 포트 Vrect는 상기 저항 R1 및 상기 제너 다이오드 zd를 통해 상기 공통 접지 포트 VSS에 연결되고, 상기 커패시터 C1은 상기 제너 다이오드 zd와 병렬인 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로.
청구항 3에 있어서, 저항 R2를 더 포함하고, 상기 저항 R2는 상기 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic과 상기 공통 접지 포트 VSS 사이에 연결되는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 따른 상기 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로의 방법으로서:
S1. 상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 상기 제1 입력 포트와 상기 제2 입력 포트에서 각각 입력 전압을 생성하고:
(1) 상기 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 상기 전압 입력 포트에서의 Vrect의 전압을 4V와 비교하는 데 사용되고:
Vrect<4V일 때, 상기 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 상기 MP1의 게이트를 VSS가 되도록 제어하고, 상기 MP1이 턴 온 되면, 상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 상기 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 Vrect이고;
Vrect>4V일 때, 상기 PMOS 드라이버 신호 제어 모듈 pgate_ctrl_logic은 상기 MP1의 게이트를 Vrect가 되도록 제어하고, 상기 MP1이 턴 오프 되면, 상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 상기 제1 입력 포트에서의 입력 신호는 0이고;
(2) 상기 전압 입력 포트 Vrect는 상기 MOS MN1의 게이트에서 vprereg라는 전압을 생성하고, 상기 MOS MN1의 순방향 전압 강하는 vth이므로, 상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel의 상기 제2 입력 포트에서의 입력 신호 vreglocal은 vprereg-vth이고;
S2. 상기 Vmax 전원 공급 선택 제어 모듈 vmax_sel은 상기 파워-온 리셋 모듈 por, 상기 저-전압 밴드-갭 기준 회로 lv_bgr 및 상기 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic의 입력 소스 vmax로서 vreg5 및 vreglocal 중에서 최대 전압을 선택하고;
S3. 상기 파워-온 리셋 모듈 por은 vmax가 1.3V보다 큰지 여부를 결정하고, vmax>1.3V일 때, 제어 신호 en_bg가 상기 저-전압 밴드-갭 기준 회로인 lv_bgr에 출력되고, bg_ok가 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈인 boost_logic에 출력되고;
S4. 상기 제어 신호 bg_ok가 출력된 후, 상기 정류기 전압-더블러 논리 제어 모듈 boost_logic은 상기 정류기 SR에 전압 더블 제어 신호 en_sr_boost_mode를 출력하여 상기 정류기 SR이 상기 전압-더블러 정류 모드에서 작동하도록 하고 상기 Vrect의 전압을 두 배로 만들고;
S5. 상기 정류기 출력 저전압 보호 제어 모듈 vrect_uvlo는 현재 Vrect가 2.7V보다 큰지 여부를 결정하고, 그렇다면, 상기 MCU에 스타트업 신호 MCU_enable를 출력하여 상기 MCU를 스타트업 하고 정상적으로 작동하게 하는 것을 포함하는 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 저-전압 스타트업 회로의 방법.
무선 충전 시스템으로서,
상기 무선 충전 시스템은 송신기 및 수신기를 포함하고; 상기 수신기에는 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 따른 상기 저-인덕턴스 무선 충전 시스템을 위한 상기 저-전압 스타트업 회로가 제공되고; 상기 저-전압 스타트업 회로는 상기 무선 충전 시스템의 상기 수신기가 저-전압 상태에 있을 때 상기 정류기 SR를 상기 전압-더블러 정류 모드로 제어하는 데 사용되는 시스템.