KR20230158515A - Tools to modify support surfaces - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 328
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 205
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 25
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 7
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 41
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 31
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 디바이스들 및 방법들이 개시된다. 일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더, 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체, 및 구형 주 몸체를 갖는 세정 툴을 포함하는 디바이스가 개시된다. 또한, 디바이스는 세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고, 정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하며, 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 프로세서를 포함한다.Devices and methods for modifying substrate support elements of a substrate holder are disclosed. According to some embodiments, there is provided a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder, a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder, and a spherical main body. A device including a cleaning tool having a is disclosed. Additionally, the device aligns a preset position of the cleaning tool with a preset region of interest of the substrate holder, manipulates movement of the support structure such that the alignment creates contact between the preset region of interest and the preset position, and aligns the preset region of interest with the preset region of interest. It includes a processor that initiates a cleaning operation.
Description
본 출원은 2021년 3월 24일에 출원된 미국 가특허 출원 제 63/165,327호의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.This application claims priority from U.S. Provisional Patent Application No. 63/165,327, filed March 24, 2021, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
본 발명은 홀더를 수정하는 툴, 툴을 사용하여 홀더를 수정하는 방법, 및 툴을 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a tool for modifying a holder, a method for modifying a holder using the tool, and a lithographic apparatus including the tool.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행하게 또는 역평행하게(anti parallel) 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern to a substrate, typically a target portion of the substrate. Lithographic devices may be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In such cases, a patterning device, alternatively called a mask or reticle, may be used to create the circuit pattern to be formed on the individual layers of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg, comprising a portion of a die, one or several dies) on a substrate (eg, a silicon wafer). Transfer of the pattern is typically performed through imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate. Typically, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are sequentially patterned. Conventional lithographic devices scan the pattern in a given direction (the “scanning” direction) via a so-called stepper, and a radiation beam, in which each target portion is irradiated by exposing the entire pattern onto the target portion at once. It includes a so-called scanner in which each target portion is illuminated by synchronously scanning the substrate parallel or anti-parallel to this direction. Additionally, the pattern may be transferred from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern on the substrate.
계속 작아지는 피처(feature)들을 갖는 디바이스들, 예를 들어 집적 회로들을 제조하고자 하는 지속적인 욕구가 존재한다. 집적 회로들 및 다른 마이크로스케일 디바이스들은 흔히 광학 리소그래피를 사용하여 제조되지만, 임프린트 리소그래피, e-빔 리소그래피, 및 나노스케일 자가-조립과 같은 다른 제조 기술들이 알려져 있다.There is a continuing desire to manufacture devices, such as integrated circuits, with ever-smaller features. Integrated circuits and other microscale devices are often manufactured using optical lithography, but other manufacturing techniques such as imprint lithography, e-beam lithography, and nanoscale self-assembly are known.
제조 동안, 디바이스가 조사된다. 방사선조사 과정(irradiation process)이 가능한 한 정확할 것을 보장하는 것이 중요하다. 방사선조사 과정을 가능한 한 정확하게 만들기 위한 문제들 중 하나는 조사될 디바이스가 올바른 위치에 있을 것을 보장하는 것이다. 디바이스의 위치를 제어하기 위해, 기판 홀더가 사용될 수 있다. 일반적으로, 기판은 기판이 조사되고 있는 동안에 기판 홀더에 의해 지지될 것이다. 기판이 기판 홀더 상에 위치되는 경우, 기판과 기판 홀더 사이의 마찰은 기판이 기판 홀더의 표면에 걸쳐 평탄해지지 못하게 할 수 있다. 이 문제를 해결하기 위해, 기판 홀더에는 기판과 기판 홀더 사이의 접촉 면적을 최소화하는 지지 요소들이 제공될 수 있다. 기판 홀더의 표면 상의 지지 요소들은 달리 버얼(burl) 또는 돌출부라고 칭해질 수 있다. 지지 요소들은 일반적으로 규칙적으로 이격되고(예를 들어, 균일한 어레이), 균일한 높이를 가지며, 기판이 위치될 수 있는 매우 평탄한 전체 지지 표면을 정의한다. 지지 요소들은 기판 홀더와 기판 사이의 접촉 면적을 감소시켜, 마찰을 감소시키고, 기판으로 하여금 기판 홀더 상에서 더 평탄한 상태로 움직이게 한다.During manufacturing, the device is irradiated. It is important to ensure that the irradiation process is as accurate as possible. One of the challenges in making the irradiation process as accurate as possible is ensuring that the device to be irradiated is in the correct position. To control the position of the device, a substrate holder can be used. Typically, the substrate will be supported by a substrate holder while the substrate is being irradiated. When a substrate is placed on a substrate holder, friction between the substrate and the substrate holder can prevent the substrate from flattening across the surface of the substrate holder. To solve this problem, the substrate holder can be provided with support elements that minimize the contact area between the substrate and the substrate holder. Support elements on the surface of the substrate holder may otherwise be referred to as burls or protrusions. The support elements are generally regularly spaced (eg, a uniform array), have a uniform height, and define a very flat overall support surface on which the substrate can be positioned. The support elements reduce the contact area between the substrate holder and the substrate, reducing friction and allowing the substrate to move more flatly on the substrate holder.
지지 요소들은 일반적으로 기판 홀더의 표면으로부터 실질적으로 수직으로 연장된다. 작동 시, 기판의 후면은 투영 빔의 전파 방향에 실질적으로 수직인 상태로, 기판 홀더의 주 몸체 표면으로부터 짧은 거리에서, 지지 요소들 상에 지지된다. 따라서, 기판 홀더의 주 몸체 표면보다는, 지지 요소들의 최상부(즉, 지지 표면들)가 기판에 대한 효과적인 지지 표면을 정의한다.The support elements generally extend substantially perpendicularly from the surface of the substrate holder. In operation, the back side of the substrate is supported on the support elements at a short distance from the main body surface of the substrate holder, substantially perpendicular to the direction of propagation of the projection beam. Accordingly, the tops of the support elements (i.e., the support surfaces), rather than the main body surface of the substrate holder, define the effective support surface for the substrate.
알려진 툴들 및 방법들은 개선된 평탄도를 갖는 지지 요소들을 제공하기 위해 여전히 개선될 수 있다. 상이한 방식으로 바람직한 평탄도를 달성하기 위해 추가적인 또는 대안적인 방법들 및 툴들이 바람직할 수 있다. 또한, 지지 요소들과 기판 사이에 약간의 마찰을 제공하기 위해 지지 요소들에 원하는 레벨의 거칠기도 제공하면서 이러한 평탄도를 달성하는 것이 유리하다.Known tools and methods can still be improved to provide support elements with improved flatness. Additional or alternative methods and tools may be desirable to achieve the desired flatness in different ways. Additionally, it is advantageous to achieve this flatness while also providing a desired level of roughness to the support elements to provide some friction between the support elements and the substrate.
리소그래피 장치에서 사용하기 위한 개선된 높이 조정 툴, 또는 적어도 이에 대한 대안을 제공하는 것이 소유 비용, 제품 비용 및/또는 오버레이의 품질을 위해 바람직하다. 또한, 이러한 개선된 또는 대안적인 높이 조정 툴의 사용 방법 및 이러한 개선된 또는 대안적인 높이 조정 툴을 포함하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이 바람직하다.Providing an improved height adjustment tool for use in a lithographic apparatus, or at least an alternative thereto, is desirable for cost of ownership, product cost, and/or quality of overlays. It would also be desirable to provide a method of using such an improved or alternative height adjustment tool and a lithographic apparatus incorporating such an improved or alternative height adjustment tool.
일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 디바이스가 설명되며, 디바이스는 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더를 포함한다. 또한, 디바이스는 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체를 포함한다. 또한, 디바이스는 구형 주 몸체를 갖는 세정 툴; 및 세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고, 정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하며, 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 프로세서를 포함한다.According to some embodiments, a device for modifying substrate support elements of a substrate holder is described, the device comprising a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder. The device also includes a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder. Additionally, the device includes a cleaning tool having a spherical main body; and aligning a preset region of interest of the substrate holder with a preset position of the cleaning tool, manipulating movement of the support structure such that the alignment creates contact between the preset area of interest and the preset position, and performing a cleaning operation of the preset area of interest. It includes a processor that initiates.
일부 실시예들에 따르면, 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소 및/또는 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함한다. 일부 실시예들에 따르면, 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 생성되는 접촉은 지지 표면과 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함한다. 일부 실시예들에 따르면, 디바이스는 지지 표면의 물리적 파라미터들을 측정하는 검출기를 포함한다. 물리적 파라미터들은 지지 표면의 거칠기 정도를 포함할 수 있다. 또한, 물리적 파라미터들은 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함할 수 있으며, 높이 편차 측정은 기판 홀더의 사전설정된 표면 평탄도 정도로부터의 검출된 높이 편차이다. 일부 실시예들에 따르면, 프로세서는 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 지지 요소의 높이를 수정하도록 세정 작업을 제어한다.According to some embodiments, the predefined region of interest includes one or more support elements and/or one support element having a support surface. According to some embodiments, the contact created between the predetermined area of interest and the predetermined location includes contact between the support surface and the predetermined location of the cleaning tool. According to some embodiments, the device includes a detector that measures physical parameters of the support surface. Physical parameters may include the degree of roughness of the support surface. Additionally, the physical parameters may include a height deviation measurement of one or more support elements of the substrate holder, where the height deviation measurement is a detected height deviation from a predetermined degree of surface flatness of the substrate holder. According to some embodiments, the processor controls the cleaning operation to modify the height of the support element in response to a detected height deviation of the support element.
일부 실시예들에 따르면, 프로세서는 또한 사전설정된 위치와 사전설정된 관심 구역을 정렬하기 위해 지지 구조체를 낮추고 기울이도록 정렬을 제어한다. 일부 실시예들에 따르면, 프로세서는 세정 툴의 볼록성(convexity) 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 지지 요소의 위치 사이의 계산된 상관관계에 기초하여 정렬의 성능을 더 제어한다. 일부 실시예들에 따르면, 프로세서는 계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 위치를 더 선택하고, 수평 축을 중심으로 지지 구조체를 회전시키도록 정렬 작업을 더 제어할 수 있다.According to some embodiments, the processor also controls alignment to lower and tilt the support structure to align the preset location and the preset area of interest. According to some embodiments, the processor further controls the performance of the alignment based on a calculated correlation between the convexity measurement of the cleaning tool and the position of the support element intended for height or roughness modification. According to some embodiments, the processor may further control the alignment operation to select a preset position based on the calculated correlation and rotate the support structure about a horizontal axis.
일부 실시예들에 따르면, 세정 툴은 석영(SiO2)으로 만들어질 수 있고, 석영은 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 코팅될 수 있다.According to some embodiments, the cleaning tool may be made of quartz (SiO2), and the quartz may be coated with either chromium nitride (CrN), chromium oxide (CrOx), or tantalum boride.
일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하는 방법이 개시되며, 상기 방법은 1 이상의 프로세서에 의해 수행되고, 세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하는 단계 -기판 홀더는 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖고, 세정 툴은 구형 주 몸체를 가짐- , 정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하는 단계 -지지 구조체는 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지함- , 및 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 단계를 포함한다.According to some embodiments, a method of modifying substrate support elements of a substrate holder is disclosed, the method being performed by one or more processors, the method comprising aligning a predetermined position of a cleaning tool with a predetermined area of interest of the substrate holder. - the substrate holder has a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder, and the cleaning tool has a spherical main body - moving the support structure to create contact between a predetermined location and a region of interest where the alignment is predetermined. manipulating - the support structure holds the substrate holder in a transverse manner from the second side of the substrate holder - and initiating a cleaning operation of the predetermined area of interest.
일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 재료 제거 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치가 개시될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 디바이스는 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더를 포함한다. 또한, 디바이스는 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체, 및 구형 주 몸체를 갖는 세정 툴을 포함할 수 있다. 또한, 디바이스는 세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고, 정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하며, 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 프로세서를 포함할 수 있다.According to some embodiments, a lithographic apparatus may be disclosed that includes a material removal device for modifying substrate support elements of a substrate holder. According to some embodiments, the device includes a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder. Additionally, the device may include a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder, and a cleaning tool having a spherical main body. Additionally, the device aligns a preset position of the cleaning tool with a preset region of interest of the substrate holder, manipulates movement of the support structure such that the alignment creates contact between the preset region of interest and the preset position, and aligns the preset region of interest with the preset region of interest. It may include a processor that initiates a cleaning operation.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.With reference to the accompanying drawings, the structure and operation of various embodiments of the present invention, as well as other features and advantages of the present invention, are described in detail below. Note that the present invention is not limited to the specific embodiments described herein. In this specification, these embodiments are presented for illustrative purposes only. Additional embodiments will be apparent to those skilled in the art based on the teachings contained herein.
이제 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2a 내지 도 2c는 일부 실시예들에 따른 툴 시스템의 개략적인 도면;
도 3a 내지 도 3c는 일부 실시예들에 따른 정렬 작업을 도시하는 도면;
도 4a 및 도 4b는 기판 홀더를 수정하기 위해 사용되는 도 2a 내지 도 2c의 툴의 단면도;
도 5a 및 도 5b는 일부 실시예들에 따른 세정 작업을 예시하는 도면; 및
도 6은 일부 실시예들에 따른 세정 방법을 예시하는 도면이다.
도면들은 본 발명의 일부 실시예들에 포함되는 소정 특징들의 표시를 제공한다. 하지만, 도면들은 비례척이 아니다. 소정 특징들의 크기 및 크기 범위의 예시들이 아래의 기재내용에서 설명된다.Embodiments of the invention will now be described by way of example only, with reference to the attached schematic drawings:
1 shows a lithographic apparatus;
2A-2C are schematic diagrams of tool systems according to some embodiments;
3A-3C illustrate alignment operations according to some embodiments;
Figures 4A and 4B are cross-sectional views of the tool of Figures 2A-2C used to modify the substrate holder;
5A and 5B are diagrams illustrating a cleaning operation according to some embodiments; and
6 is a diagram illustrating a cleaning method according to some embodiments.
The drawings provide an indication of certain features included in some embodiments of the invention. However, the drawings are not to scale. Examples of sizes and size ranges of certain features are described in the description below.
패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 동안 오버레이 오차들을 피하기 위해, 기판 최상부 표면은 평탄한 것이 바람직하다. 기판 지지체의 지지 표면들의 불균일(unevenness)이 기판의 고르지 않은 최상부 표면을 초래할 수 있다. 그러므로, 기판 지지체에서의 불균일을 피하는 것이 바람직하다.To avoid overlay errors while projecting the patterned radiation beam onto the substrate, the substrate top surface is preferably flat. Unevenness of the support surfaces of the substrate support can result in an uneven top surface of the substrate. Therefore, it is desirable to avoid non-uniformity in the substrate support.
지지 표면들의 불균일은 지지 요소들 자체를 구성하는 재료의 높이들 사이의 불일치에 의해 야기될 수 있다. 이는 통상적으로 새로운 기판 홀더가 제조된 경우에 그러하다. 마모 및 오염도 불균일을 초래할 수 있다. 알려진 실시예에서, 기판 지지체는 지지 요소들을 갖는 기판 홀더가 지지되는 기판 테이블(WT)[달리 척(chuck)이라고도 함]을 포함한다. 대안적인 실시예에서, 기판 테이블(WT) 및 기판 홀더는 단일 유닛으로 통합될 수 있다. 불균일은 지지 요소들의 높이들, 또는 기판 홀더의 후면 또는 기판 테이블(WT)에서의 높이들 간의 차이의 결과일 수 있다. 그러므로, 이 요소들은 신중하게 같은 높이로 만들어진다. 그럼에도 불구하고, 기판 테이블(WT) 및 기판 홀더(및 여하한의 다른 요소들)가 조립 또는 설치될 때 불균일이 발생할 수도 있다는 것이 밝혀졌다. 유사한 문제들이 반사 패터닝 디바이스 또는 투과 패터닝 디바이스와 같이 빔 경로를 가로질러 잘 정의된 평면에 지지되어야 하는 다른 물품들을 위한 지지 테이블 또는 홀더에서 발생할 수 있다.Non-uniformity of the support surfaces can be caused by a mismatch between the heights of the materials that make up the support elements themselves. This is typically the case when a new substrate holder is manufactured. Wear and contamination can also cause unevenness. In a known embodiment, the substrate support comprises a substrate table WT (alternatively referred to as a chuck) on which a substrate holder with support elements is supported. In an alternative embodiment, the substrate table WT and substrate holder may be integrated into a single unit. The non-uniformity may be a result of differences between the heights of the support elements, or the heights at the back of the substrate holder or at the substrate table WT. Therefore, these elements are carefully made to the same height. Nonetheless, it has been discovered that non-uniformities may occur when the substrate table WT and substrate holder (and any other elements) are assembled or installed. Similar problems may arise in support tables or holders for other items that must be supported in a well-defined plane across the beam path, such as reflective patterning devices or transmissive patterning devices.
본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 US 2005/0061995 Al은, 물품의 표면 평탄도에 영향을 미치는 지지 요소들의 높이 편차들을 검출하는 검출기, 지지 테이블이 장치에서 작동가능할 때 개별 지지 요소들의 지지 요소 재료의 높이를 독립적으로 수정하도록 배치되는 높이 조정 디바이스, 및 검출기와 높이 조정 디바이스 사이에 커플링되고 물품의 표면 평탄도에 영향을 미치는 지지 요소들의 검출된 높이 편차들에 대응하여 지지 요소들의 높이를 조정하도록 높이 조정 디바이스를 제어하도록 배치되는 제어기(또는 제어 프로세서)를 포함하는 리소그래피 투영 장치를 제공한다. 제어기는 중앙 처리 장치(CPU), 디지털 신호 프로세서(DSP), 또는 처리를 수행할 수 있는 회로를 포함하는 디바이스일 수 있음을 알 수 있다. 제어기는 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 및 제어기 또는 판독가능한 매체에서 실행될 컴퓨터 판독가능한 코드의 조합을 구현할 수 있다. 제어기 및/또는 컴퓨터 판독가능한 매체는 네트워크 결합된 컴퓨터 시스템을 통해 분산되어, 컴퓨터 판독가능한 코드가 분산된 방식으로 저장 및 실행되도록 할 수 있다.US 2005/0061995 Al, incorporated herein by reference in its entirety, discloses a detector for detecting deviations in the height of support elements affecting the surface flatness of an article, the support element material of the individual support elements when the support table is operable in the device. a height adjustment device arranged to independently modify the height of the support elements, and coupled between the detector and the height adjustment device and adjusting the height of the support elements in response to detected height deviations of the support elements that affect the surface flatness of the article. A lithographic projection apparatus is provided including a controller (or control processor) arranged to control a height adjustment device so as to provide a lithographic projection apparatus. It will be appreciated that the controller may be a central processing unit (CPU), a digital signal processor (DSP), or a device containing circuitry capable of performing processing. A controller may implement a combination of hardware, software, firmware, and computer-readable code to be executed on the controller or on a readable medium. The controller and/or computer-readable medium may be distributed over a network coupled computer system to allow computer-readable code to be stored and executed in a distributed manner.
지지 테이블이 리소그래피 투영 장치에서 작동가능한 위치에 있을 때, 적어도 개별 지지 요소들의 최상부가 통합적으로 이루어지는 재료의 높이를 변경하기 위해, 현장(in situ) 높이 조정 디바이스가 사용될 수 있다. "작동가능"은 지지 홀더가 정상 사용 시보다 지지 테이블 조립체에 더 지장을 주는 움직임 없이 작동가능한 위치로부터 장치에서 패턴 투영 위치로 이동될 수 있음을 의미한다. "통합적으로 이루어지는"은 지지 홀더를 제조하는 데 사용되는 재료 또는 지지 요소들 상의 코팅 또는 다른 재료 층들을 언급하지만, 오염과 같은 우발적인 이물질은 언급하지 않는다. 리소그래피 장치 내의 이러한 작동가능한 위치에서 조립된 지지 홀더 내의 지지 요소들의 높이를 조정함으로써, 신뢰할 수 있는 국부적 및 전역적 높이 조정이 실현될 수 있다.When the support table is in an operable position in the lithographic projection apparatus, an in situ height adjustment device can be used to change the height of the material of which at least the top of the individual support elements is integrally formed. “Operable” means that the support holder can be moved from the operable position to the pattern projection position in the device without movement being more disruptive to the support table assembly than in normal use. “Integrally consisting of” refers to the materials used to manufacture the support holder or coatings or other material layers on the support elements, but does not refer to incidental foreign matter such as contamination. By adjusting the height of the support elements in the assembled support holder in these operable positions within the lithographic apparatus, reliable local and global height adjustment can be realized.
검출기는 지지 요소들 중 어느 것이 높이 편차를 갖는지를 결정할 수 있고, 제어 유닛은 예를 들어 초과 높이를 갖는 선택된 지지 요소들의 재료의 일부를 제거하지만, 초과 높이를 갖지 않는 다른 지지 요소들 또는 임계치 이하의 초과 높이에서는 제거하지 않도록 높이 조정 디바이스를 제어할 수 있다. 이러한 검출기 및 높이 편차 조정 툴들은 본 명세서의 도 1에서 더 설명된다.The detector can determine which of the support elements has a height deviation and the control unit can, for example, remove part of the material of selected support elements with an excess height, but other support elements without an excess height or below a threshold. The height adjustment device can be controlled not to remove at excess height. These detectors and height deviation adjustment tools are further described in Figure 1 herein.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여하한의 다른 적절한 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결되는 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 포함한다. 기판 지지체는 기판 홀더가 지지되는 기판 테이블(WT)(달리 척이라고도 함)을 포함할 수 있다. 기판 홀더는 기판(W)을 지지하도록 구성될 수 있다. 상기 장치는 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 더 포함한다.Figure 1 schematically shows a
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.The illumination system may include various types of optical components, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, or other types of optical components, or any combination thereof, to direct, shape, or control radiation. there is.
패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스(MA)의 방위(orientation), 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.The patterning device support supports the patterning device (MA) in a way that depends on the orientation of the patterning device (MA), the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as, for example, whether the patterning device (MA) is maintained in a vacuum environment. MA) is maintained. The patterning device support may utilize mechanical, vacuum, electrostatic, or other clamping techniques to hold the patterning device. The patterning device support can be, for example, a frame or table that can be fixed or movable as needed. The patterning device support can ensure that the patterning device (MA) is in a desired position, for example with respect to the projection system (PS). Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 지칭할 수 있다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판(W)의 타겟부 내의 원하는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.As used herein, the term “patterning device” may refer to any device that can be used to impart a beam of radiation with a pattern in its cross-section to create a pattern in a target portion of a substrate. The pattern imparted to the radiation beam B is within the target portion of the substrate W, for example if the pattern comprises phase-shifting features or so-called assist features. Please note that it may not exactly correspond to the desired pattern. Typically, the pattern imparted to the radiation beam B will correspond to a specific functional layer within the device to be created in the target portion, such as an integrated circuit.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상 시프트형 및 감쇠 위상 시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향들로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.The patterning device (MA) may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices (MA) include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in the field of lithography and include mask types such as binary, alternating phase shift and attenuated phase shift, and various hybrid mask types. One example of a programmable mirror array employs a matrix configuration of small mirrors, each of which can be individually tilted to reflect an incoming radiation beam in different directions. Tilted mirrors impart a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄하는 것으로 해석될 수 있다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.As used herein, the term "projection system" refers to refractive, reflective, catadioptric, It may be interpreted to encompass any type of projection system, including magnetic, electromagnetic and electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered synonymous with the more general term “projection system.”
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다. As shown herein, the device is configured as a transmissive type (e.g., employing a transmissive mask). Alternatively, the device may be of a reflective type (e.g., employing a programmable mirror array of the type previously mentioned, or employing a reflective mask).
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지지체"(및/또는 2 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")를 갖는 타입으로 이루어질 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가적인 기판 테이블 또는 지지체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 또는 지지체에서는 준비작업 단계들이 수행될 수 있다.The lithographic apparatus may be of the type having two (dual stage) or more substrate tables or “substrate supports” (and/or two or more mask tables or “mask supports”). In these “multiple stage” machines, additional substrate tables or supports may be used in parallel, or preparatory steps may be performed on one or more tables or supports while one or more other tables or supports are being used for exposure.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판(W)의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 타입으로 이루어질 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)와 투영 시스템(PS) 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야 함을 의미하는 것이 아니라, 오히려 단지 액체가 노광 시 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 놓인다는 것을 의미한다.Additionally, the lithographic apparatus may be of a type in which at least a part of the substrate W can be covered with a liquid with a relatively high refractive index, for example water, in order to fill the space between the projection system PS and the substrate W. Additionally, the immersion liquid may also be applied to other spaces within the lithographic apparatus, for example between the patterning device (eg mask) (MA) and the projection system (PS). Immersion techniques can be used to increase the numerical aperture of a projection system. The term “immersion” as used herein does not mean that a structure, such as a substrate, must be submerged in a liquid, but rather simply means that the liquid is placed between the projection system (PS) and the substrate (W) during exposure. it means.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔(B)을 수용한다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 소스 및 리소그래피 장치는 분리된 개체들일 수 있다. 이러한 경우, 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 수은 램프인 경우, 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam B from the radiation source SO. For example, if the source is an excimer laser, the source and lithographic apparatus may be separate entities. In this case, the source is not considered to form part of the lithographic apparatus and the radiation beam B is directed, for example, with the aid of a beam delivery system BD comprising suitable directing mirrors and/or beam expanders. , passes from the source (SO) to the illuminator (IL). In other cases, the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example if the source is a mercury lamp. The source SO and the illuminator IL may, if necessary together with the beam delivery system BD, be referred to as a radiation system.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성되는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-s 및 내측-s라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.The illuminator IL may include an adjuster AD configured to adjust the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, at least the outer and/or inner radial dimensions of the intensity distribution within the pupil plane of the illuminator (commonly referred to as outer-s and inner-s, respectively) can be adjusted. Additionally, the illuminator (IL) may include various other components, such as an integrator (IN) and a condenser (CO). Illuminators can be used to condition a radiation beam to have a desired uniformity and intensity distribution in its cross-section.
방사선 빔(B)은 마스크 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커싱한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있고, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있고, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결될 수 있거나, 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.The radiation beam B is incident on a patterning device (eg mask) (MA) held on a mask support structure (eg mask table) MT and is patterned by the patterning device. Having crossed the patterning device (e.g. mask) MA, the radiation beam B passes through the projection system PS, which focuses the beam onto the target portion C of the substrate W . With the help of a second positioning device PW and a position sensor IF (e.g. an interferometric device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT is positioned, for example, in the path of the radiation beam B. It can be moved precisely to position different target portions (C). Similarly, the first positioning device (PM) and another position sensor (not clearly shown in FIG. 1) may detect radiation, for example after mechanical retrieval from a mask library or during scanning. It can be used to accurately position a patterning device (e.g., mask) MA relative to the path of beam B. In general, movement of the patterning device support (e.g., mask table) MT involves the use of long-stroke modules (coarse positioning) and short-stroke modules (fine positioning). This can be realized with the help of which it forms part of a first positioning device (PM). Similarly, movement of the substrate table WT or “substrate support” can be realized using long-stroke modules and short-stroke modules, which form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (in contrast to a scanner), the patterning device support (eg mask table) MT may be connected to a short-stroke actuator only or may be fixed. Patterning device (eg, mask) MA and substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. Although the illustrated substrate alignment marks occupy dedicated target portions, they may also be located within the spaces between target portions (these are known as scribe-lane alignment marks). Similarly, in situations where more than one die is provided on a patterning device (e.g., mask) (MA), patterning device alignment marks may be located between the dies.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:The depicted device can be used in at least one of the following modes:
1. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여되는 전체 패턴이 한 번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프팅된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.1. In step mode, the patterning device support (e.g., mask table) (MT) or “mask support” and the substrate table (WT) or “substrate support” remain essentially stationary, while the radiation beam ( The entire pattern imparted to B) is projected onto the target portion C at once (i.e., single static exposure). The substrate table WT or “substrate support” is then shifted in the X and/or Y directions so that different target portions C can be exposed. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C that is imaged in a single static exposure.
2. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.2. In scan mode, the patterning device support (e.g., mask table) (MT) or “mask support”, and the substrate table (WT) or “substrate support” are used to determine the pattern imparted to the radiation beam (B) to the target portion. (C) Scanned synchronously during projection onto the image (i.e., single dynamic exposure). The speed and orientation of the substrate table (WT) or “substrate support” relative to the patterning device support (e.g., mask table) (MT) or “mask support” determines the zoom and image inversion characteristics of the projection system (PS). It can be decided by . In scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width (in the non-scanning direction) of the target section in a single dynamic exposure, while the length of the scanning operation determines the height (in the scanning direction) of the target section.
3. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.3. In another mode, a patterning device support (e.g., a mask table) (MT) or “mask support” is maintained in an essentially stationary state by maintaining a programmable patterning device, and the pattern imparted to the radiation beam is The substrate table WT or “substrate support” is moved or scanned while being projected onto the target portion C. In this mode, a pulsed radiation source is typically employed and a programmable patterning device is required after each movement of the substrate table (WT) or “substrate support” or between successive radiation pulses during the scan. It is updated accordingly. This mode of operation can be easily applied to maskless lithography using programmable patterning devices, such as programmable mirror arrays of the type mentioned above.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.Additionally, combinations and/or variations of the above-described modes of use, or completely different modes of use, may be employed.
도 1에 나타낸 바와 같이, 리소그래피 장치는 리소그래피 장치의 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소로부터 재료를 제거하도록 구성되는 현장 재료 제거 디바이스(MRD)를 포함할 수 있다. 이 MRD는 기판 홀더 상에 지지되는 기판(W)에 대한 더 고른 지지를 얻기 위해 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소로부터 재료를 제거하도록 구성된다. MRD는 실질적으로 고정된 위치에 놓일 수 있고, 1 이상의 지지 요소의 재료를 제거하기 위해 1 이상의 지지 요소와 접촉하게 되는 재료 제거 툴(MRT)을 포함한다. 일부 예시들에 따르면, MRT는 실질적으로 고정된 위치에 놓일 수 있고, 1 이상의 지지 요소로부터 재료를 제거하기 위해 1 이상의 지지 요소가 MRT에 대해 모션에 따라(예컨대, 원형 모션으로) 이동될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, MRT는 지지 요소들에 대해 이동가능하여, MRT가 지지 요소들에 대해 모션에 따라(예컨대, 원형 모션으로) 이동되도록 할 수 있다. 본 발명에 따른 재료 제거 작업의 실시형태들은 아래의 도 2 내지 도 6과 관련하여 더 설명된다.As shown in Figure 1, the lithographic apparatus may include an in-situ material removal device (MRD) configured to remove material from one or more support elements of a substrate holder of the lithographic apparatus. This MRD is configured to remove material from one or more support elements of the substrate holder to obtain more even support for the substrate W supported on the substrate holder. The MRD can be placed in a substantially fixed position and includes a material removal tool (MRT) brought into contact with one or more support elements to remove material of the one or more support elements. According to some examples, the MRT may be placed in a substantially fixed position, and one or more support elements may be moved in motion relative to the MRT (e.g., in a circular motion) to remove material from the one or more support elements. . According to some examples, the MRT may be movable relative to the support elements, allowing the MRT to move in motion (eg, in a circular motion) relative to the support elements. Embodiments of material removal operations according to the invention are further described with reference to Figures 2-6 below.
리소그래피 장치는 기판 홀더 상에 지지되는 기판(W)의 표면 평탄도에 영향을 미치는 지지 요소들의 높이 편차들을 검출하도록 구성되는 검출기(HDD)를 더 포함할 수 있다. 검출기(HDD)는, 예를 들어 기판 홀더 상에 지지되는 기판(W)의 상부 표면을 측정하도록 구성되는 레벨 센서일 수 있다. 이러한 레벨 센서는, 예를 들어 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 미국 특허 제 5,191,200호에 개시되어 있다. 검출기(HDD)는 표면에서의 어떤 오차들이 기판 자체에 의해 야기되는지 및 어떤 오차들이 기판 지지체, 즉 지지 요소들에 의해 야기되는지를 결정하기 위해 다수 기판들의 최상부 표면을 측정하는 데 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 검출기(HDD)는 예를 들어 광 검출기 및/또는 정렬 마크들을 갖는 레티클, 광 소스, 및 WS TIS 센서(들)를 포함하는 1 이상의 구성요소의 조합일 수 있다.The lithographic apparatus may further comprise a detector (HDD) configured to detect height deviations of the support elements that affect the surface flatness of the substrate (W) supported on the substrate holder. The detector HDD may be, for example, a level sensor configured to measure the upper surface of the substrate W supported on a substrate holder. Such a level sensor is disclosed, for example, in US Pat. No. 5,191,200, which is incorporated herein by reference in its entirety. A detector (HDD) can be used to measure the top surface of multiple substrates to determine which errors in the surface are caused by the substrate itself and which errors are caused by the substrate support, i.e., support elements. According to some embodiments, the detector (HDD) may be a combination of one or more components including, for example, a light detector and/or a reticle with alignment marks, a light source, and WS TIS sensor(s).
검출기(HDD)는 검출기(HDD)와 MRD 사이에 커플링되는 제어기(MRC)에 연결될 수 있다. 제어기는 기판의 표면 평탄도에 영향을 미치는 돌출부들(4)의 검출된 높이 편차들에 대응하는 지지 요소들의 높이를 조정하도록 MRD를 제어하도록 구성될 수 있다. 제어기(MRC)는 기판 홀더의 지지 요소들의 재료를 제거함으로써 평탄한 표면을 생성하도록 적응된 별도 제어기일 수 있거나, 또는 리소그래피 장치에서 다수 제어 작업들을 수행하도록 구성된 제어기에 통합될 수 있다.The detector (HDD) may be connected to a controller (MRC) that is coupled between the detector (HDD) and the MRD. The controller may be configured to control the MRD to adjust the height of the support elements corresponding to detected height deviations of the
MRD의 일반적인 작업에 대한 더 상세한 내용은, 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 US 2005/0061995 Al에 개시되어 있다.Further details on the general operation of MRD are disclosed in US 2005/0061995 Al, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
일부 실시예들에 따르면, 1 이상의 지지 요소로부터의 재료 제거는 재료 제거 툴(MRT)과 1 이상의 지지 요소 사이의 상대 이동에 의해 수행될 수 있다. 이 상대 이동은 재료 제거 툴(MRT)에 대해 1 이상의 지지 요소를 옮기고, 및/또는 1 이상의 지지 요소에 대해 재료 제거 툴(MRT)을 옮김으로써 수행될 수 있다. 재료 제거 툴(MRT)은 지지 요소들의 재료 제거를 향상시키기 위해 회전될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이, 재료 제거 툴(MRT)은 한 번에 특정 지지 요소를 타겟팅하기 위해 수직으로 이동되고 축을 중심으로 회전될 수 있다.According to some embodiments, material removal from one or more support elements may be performed by relative movement between a material removal tool (MRT) and the one or more support elements. This relative movement may be performed by moving one or more support elements relative to the material removal tool (MRT) and/or moving the material removal tool (MRT) relative to one or more support elements. The material removal tool (MRT) can be rotated to enhance material removal of the support elements. According to some examples, as described further herein, a material removal tool (MRT) may be moved vertically and rotated about an axis to target a specific support element at a time.
도 2a 내지 도 2c는 기판 홀더(예컨대, 클램프)의 지지 요소(예컨대, 버얼)들의 평탄도를 개선하기 위해 기판 홀더를 수정하는 데 사용될 수 있는 MRT 시스템(200)을 설명한다. MRT 시스템(200)은 앞서 설명된 바와 같은 재료 제거 툴(MRT)에 대응할 수 있다. MRT 시스템(200)은 달리 높이 조정 툴이라고 칭해질 수 있다. MRT 시스템(200)은 개별적으로 각각의 지지 요소에 도달하기에 가장 적합하도록 상이한 형상들로 제조될 수 있는 구성요소들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, MRT 시스템(200)은 구형 표면을 갖도록 제조되는 세정 툴을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이, 세정 툴의 구형 표면은 시스템이 한 번에 기판 홀더의 하나의 지지 요소와 접촉할 수 있게 한다. 이는 더 특정한 타겟팅 및 맞춤화된 세정 작업들을 가능하게 한다.2A-2C illustrate an
일 실시예에 따르면, 기판 홀더를 수정하는 툴을 포함하는 MRT 시스템(200)이 제공된다. 상기 툴은 더 구체적으로 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위해 사용될 수 있다. 지지 요소들은 달리 버얼이라고 칭해질 수 있다. MRT 시스템(200)의 일 예시가 도 2a 내지 도 2c에 도시되어 있다. 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같이, MRT 시스템(200)은 지지 요소들(206)을 갖는 기판 홀더(204)를 포함할 수 있다. 기판 홀더(204)는 지지 요소(202)에 의해 고정될 수 있고, 그 이동이 제어될 수 있다. 도 2a 내지 도 2c에 설명된 실시예는 기판 홀더(204)를 지지하는 지지 요소(202)를 예시하지만, 지지 요소(202)는 MRT 시스템(200) 내의 상이한 구성요소들을 지지하도록 구성될 수 있음을 이해할 수 있다. 이러한 일 실시예에서, 지지 요소(202)는 세정 툴(208)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이는 세정 툴과 기판 홀더 사이의 상대 이동이 (도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같은) 기판 홀더의 이동 대신에 툴의 이동에 의해 구동되는 상황에 있을 수 있다. According to one embodiment, an
지지 요소(202)는 X-축 방향(측방향 이동), Y-축(길이방향 이동), 및 Z-축(축을 중심으로 한 회전)에서 기판 홀더(204)의 이동을 제어할 수 있다. 이러한 방식으로, 지지 요소(202)는 세정 작업을 위한 준비 시 세정 툴(208)의 표면이 특정 지지 요소(206)와 정렬되는 위치로 기판 홀더(204)를 이동시킬 수 있다. 이는 본 명세서에서 더 논의되는 바와 같이, 이동, 기울임 및 낮춤 작업들을 포함할 수 있다.The
일부 실시예들에 따르면, 도 2b 및 도 2c는 상이한 지지 요소 위치들(상이한 버얼들)에서 기판 홀더(204)와 접촉하는 세정 툴(208)의 표면을 나타낸다. 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 세정 툴(208)의 표면은 볼록한 표면일 수 있으며, 여기서 기판 홀더는 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이 툴(1)의 볼록한 표면의 소정 지점들과 접촉하기 위해 (도 2b에 나타낸 바와 같이) 낮춰지고, 및/또는 (도 2c에 나타낸 바와 같이) 상이한 각도들로 회전될 수 있다.2B and 2C show the surface of the
도 2a 내지 도 2c는 지지 요소들(206)을 갖는 기판 홀더(204)의 일 예시를 나타내며, 여기서 세정 툴(208)이 기판 홀더(204)의 지지 요소들(206)을 수정하는 데 사용될 수 있다. 다시 말해서, 세정 툴(208)은 지지 요소들(206)로부터 재료를 제거하기 위해 사용될 수 있다. 이는 적어도 하나의 지지 요소(206a)의 전체 높이를 변경하고, 및/또는 적어도 하나의 지지 요소(206a)의 거칠기를 변경할 수 있다. 지지 요소들(206)은 지지 표면들을 가질 수 있다. 지지 표면들은 기판(W)의 밑면에 접촉하는 데 사용될 수 있다. 이상적으로는, 지지 표면들은 앞서 설명된 바와 같이 기판(W)이 지지될 수 있는 평탄한 평면을 제공한다. 이는 기판(W)이 조사될 때 비교적 평탄할 수 있게 하여, 오차들을 감소시킨다.2A-2C show an example of a
본 명세서에 설명된 바와 같이, 세정 툴(208)은 MRD 및/또는 재료 제거 툴(MRT)의 일부일 수 있다. 세정 툴(208)은 베이스(210)에 의해 고정될 수 있으며, 여기서 세정 툴(208)은 정비/세정을 위해 제거가능할 수 있고, 베이스(210) 내의 피팅 위치(fitted position)에 배치될 수 있다.As described herein,
기판 홀더(204)는 기판(W) 상의 이미지의 투영 동안 기판(W)을 지지하도록 구성되는 기판 지지체의 일부일 수 있다. 기판 홀더(204)는 기판 테이블(WT) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더(204)는 진공 시스템(도시되지 않음)을 사용하여 기판 테이블(WT) 상에 유지될 수 있다. 유사하게, 세정 작업들 동안, 기판 홀더(204)는 진공 시스템(도시되지 않음)을 사용하여 지지 요소(202) 상에 유지될 수 있다.
다수 지지 요소들(206)의 구성은 그 위에 지지되는 기판(W)을 위한 개선된 지지를 얻도록 디자인된다. 기판 홀더(204)의 일부가 도 2a 내지 도 2c에 단면으로 도시되어 있으며, 일부 지지 요소들(206)은 단면의 평면에 놓여 있고, 일부 지지 요소들(206)은 이 평면 뒤에 놓여 있다.The configuration of the
설명된 바와 같이, 기판 홀더(204)는 여러 가지 이유로 기판(W)에 대해 평탄한 지지 표면을 제공하지 않을 수 있다. 기판 홀더(204)는 지지 요소들(206)이 다양한 기판들과의 상호작용으로 인해 마모되기 때문에 시간이 지남에 따라 저하될 수 있다. 지지 요소들(206)의 마모는 기판 홀더(204)에 걸친 지지 요소들의 높이 변동을 초래한다.As explained,
기판(W)과 기판 홀더(204) 사이의 마찰은 기판 홀더(204) 상에 위치될 때 기판(W)의 형상에 기여한다. 이 마찰은 마모로 인한 지지 요소들(206)의 평활화 및 오염으로 인해 시간이 지남에 따라 변화한다. 이는 기판 홀더(204)의 수명에 걸쳐 지지 요소들(206)의 거칠기 및 높이의 변동을 초래할 수 있다. 현재의 보정 방법들(정렬, APC, 베이스라이너)은 패터닝된 기판들의 감소된 수율을 유도할 수 있는 오버레이 오차에 대한 영향을 항상 제한할 수는 없다. 마찰은 지지 요소들(208)이 마모됨에 따라 변화할 수 있고, 이는 기판(W)과 기판 홀더(204) 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.Friction between substrate W and
일부 실시예들에 따르면, 더 큰 접촉 면적이 더 많은 반데르발스 힘을 생성하며, 이는 기판 홀더(204) 상의 기판(W)의 "스티킹(sticking)"을 야기한다. 지지 요소들(206)의 지지 표면들에 더 낮은 거칠기 정도를 제공하는 것이 전체 접촉 면적을 감소시키고, 이러한 스티킹을 감소시키거나 방지하는 데 도움이 될 수 있다.According to some embodiments, a larger contact area creates more van der Waals forces, which results in “sticking” of the substrate W on the
일반적으로, 기판(W)의 밑면과 접촉하는 데 사용되는 지지 요소들(206)의 지지 표면들은 원하는 레벨의 거칠기를 갖는다. 지지 표면들의 거칠기가 너무 낮은 경우, 이는 기판 홀더가 증가된 마찰을 갖게 하고, 이는 스티킹 및 오버레이 오차들을 초래할 수 있다. 그러므로, 지지 요소들의 지지 표면의 거칠기를 증가시킴으로써 마찰을 감소시키는 것이 유리하다. 따라서, 거칠기를 원하는 레벨에서 유지하는 것이 바람직하다.Typically, the support surfaces of the
지지 표면들의 거칠기는 일반적으로 나노미터 스케일이다. 다시 말해서, 지지 요소들(208)의 지지 표면들은 일반적으로 수 나노미터 또는 수십 나노미터 급의 구조들을 갖는다. 예를 들어, 기판 테이블(WT)은 적어도 12 nm의 접촉 거칠기를 가질 수 있다. 접촉 거칠기를 특성화하기 위해 원자력 현미경(AFM)이 사용될 수 있다.The roughness of the support surfaces is generally on the nanometer scale. In other words, the support surfaces of the
추가적으로 또는 대안적으로, 백색 광 간섭계가 거칠기를 측정하는 데 사용될 수 있다. 백색 광 측정들은 원자력 현미경(AFM) 측정들과 대략 일치할 수 있다. 접촉 거칠기가 약 12 nm보다 낮은 경우, 반데르발스 결합이 일반적으로 접촉 압력을 증가시키고, 마찰을 효과적으로 증가시킬 수 있다.Additionally or alternatively, white light interferometry can be used to measure roughness. White light measurements can roughly match atomic force microscopy (AFM) measurements. When the contact roughness is lower than about 12 nm, van der Waals bonding generally increases the contact pressure and can effectively increase friction.
일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더(204) 상에 위치될 때, 기판(W)은 지지 요소들(206)의 지지 표면들 각각의 피크 구조들 위에 놓일 것이다. 나타내지는 않았지만, 이 시나리오들에서, 기판 홀더(204)는 지지 요소들(206)이 기판(W)을 수용하고 지지하기 위해 위쪽을 향하도록 위치될 수 있다는 것을 이해한다. 따라서, 전체 기판 홀더(204)의 평탄도는 다른 지지 표면들보다 높은 피크들을 가질 수 있는 지지 표면들의 거칠기의 피크들을 감소시킴으로써 개선될 수 있다.According to some embodiments, when positioned on the
지지 표면들의 거칠기는 접촉 패드가 지지 요소와 접촉하는 곳을 확인하도록 접촉 패드들을 주시함으로써 결정될 수 있다. 하나의 지지 요소(예를 들어, 206a)에 대해 지지 표면과 접촉하는 접촉 패드의 표면적의 양이 해당 지지 요소(206)의 거칠기를 나타낼 수 있다.The roughness of the support surfaces can be determined by looking at the contact pads to see where they contact the support element. For one support element (e.g., 206a), the amount of surface area of the contact pad in contact with the support surface may be indicative of the roughness of that
일부 실시예들에 따르면, 기판 홀더(204)는 세정 툴(208)을 사용하여 재료를 제거하도록 수정된다. 이는 달리 연마라고 칭해질 수 있다. 세정 툴(208)의 재료 및 거칠기는 기판 홀더(204) 상의 기판(W)의 결과적인 거칠기 및 스티킹이 원하는 레벨로 유지되도록 선택(또는 형성)될 수 있다. 세정 툴(208)은 정기적으로, 아마도 매일 사용될 수 있으며, 이것이 시스템 드리프트를 감소시키거나 피할 수 있다. 이상적으로는, 세정 툴(208)의 거칠기는 평탄도, 지지 표면들의 원하는 거칠기, 및 개선된 반데르발스 힘을 가능하게 할 것이다.According to some embodiments,
일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208)은 지지 요소들(206)과 접촉할 수 있고, 지지 요소들(206)에 대해 이동되는 상대 위치를 가질 수 있다. 본 명세서에 나타낸 일부 실시예들에 따르면, 상대 이동은 예를 들어 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같이, 세정 툴(208)에 대한 기판 홀더(204)의 위치를 조작함으로써 생성될 수 있다. 리소그래피 장치 설정에 따라, 일부 구성들은 대신에 기판 홀더(204)에 대한 세정 툴(208)의 위치를 조작함으로써 생성되는 상대 이동에 의존할 수 있음을 알 수 있다. 일 실시예에 따르면, 세정 툴(208)은 지지 표면들과 기판(W) 사이의 마찰에 영향을 미치는 지지 표면들의 거칠기를 변경하기 위해 지지 요소들(206)의 지지 표면들을 스크래칭(scratch)하는 데 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 세정 툴(208)은 지지 표면들에 의해 제공되는 전체 지지 평면을 평탄화하기 위해 지지 표면들 중 적어도 하나를 마모시키는 데 사용될 수 있다. 세정 툴(208)은 기판 테이블(WT)을 더 평탄하게 만드는 한편, 원하는 레벨의 거칠기를 달성하는 데 사용될 수 있다. (바람직한 레벨일 수 있는) 거칠기에 영향을 주지 않고 평탄도를 개선하는 방식으로 세정 툴(208)을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 대안적으로, (바람직한 레벨일 수 있는) 평탄도에 영향을 주지 않고 거칠기를 개선하는 방식으로 툴(208)을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 지지 표면들을 수정하는 것은 일반적으로 지지 표면들의 평탄도 및/또는 거칠기를 변경하는 것을 지칭할 수 있다.According to some embodiments, the
다수 툴들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 일반적으로 제 1 툴이 거칠기에 너무 많은 영향을 주지 않고 기판 홀더(204)의 평탄도를 개선하는 데 사용될 수 있고, 제 2 툴이 전체 평탄도에 너무 많은 영향을 주지 않고 바람직한 거칠기를 생성하는 데 사용될 수 있다(또는 그 역도 마찬가지임). 예를 들어, 제 1 툴 및 제 2 툴은 기판 테이블(WT)의 평탄도 및/또는 거칠기에 영향을 미치는 데 더 적합한 상이한 구성들(즉, 상이한 형태들로 배치되는 돌출부들)을 가질 수 있다.Multiple tools can be used. For example, generally a first tool can be used to improve the flatness of the
세정 툴(208)의 디자인은 세정 툴(208)이 기판 홀더(204)[예를 들어, 테이블(WT)]의 거칠기 및 평탄도에 영향을 미치는 방식을 변경할 수 있다. 따라서, 예를 들어 세정 툴(208)의 구성 및 볼록성은 툴이 세정 작업에 미치는 영향을 변경할 수 있다. 세정 툴의 볼록한 표면의 원하는 반경은 기판 홀더의 평탄도, 지지 요소들(206) 사이의 거리, 볼록한 표면과 지지 요소들 사이의 원하는 접촉 면적, 및 지지체(202)의 각도 이동 범위에 의존한다. 표면의 반경을 증가(즉, 곡률을 감소)시키는 것이 더 큰 접촉 면적을 유도할 것이다.The design of the
일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208)은 균일한 외표면을 가질 수 있다. 대안적으로, 세정 툴(208)은 기판 홀더(204)와 접촉할 때 상이한 영향 결과들을 생성하기 위해 표면 주위에 상이한 레벨들의 거칠기를 갖는 상이한 패치들을 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 패치들은 높은 특수 빈도로(예를 들어, 지지 요소당 대략 수 개의 홈들로) 세정 툴에서 높은 거칠기 정도를 가질 수 있다. 이는 표면 재처리(resurfacing) 작업으로부터 생성되는 잔해를 수집하는 기능을 제공한다.According to some embodiments,
기판 지지 요소들(206)의 마모 및 수정 동안, 잔해가 생성될 수 있다. 잔해는 일반적으로 여하한의 오염 물질을 지칭하며, 특히 기판 지지 요소들(206) 및 세정 툴(208) 자체로부터 제거된 여하한의 재료를 지칭한다. 잔해는 기판 홀더(204)의 거칠기 및 전체 평탄도에 영향을 미칠 수 있다.During wear and modification of the
일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208) 내의 상이한 위치들과 지지 요소들(206) 사이의 접촉은 세정 툴(208)의 성능을 저하시킬 수 있는 한 특정 위치에서의 잔해의 축적을 감소시키는 데 도움이 될 수 있다. 추가적으로, 세정 툴(208)은 세정 툴(208) 내부에 잔해를 위한 저장 공간을 생성하는 사전설정된 위치들에 돌출부들을 가질 수 있다(예를 들어, 다수 돌출부들 사이의 갭들에 잔해가 쌓이게 함). 따라서, 기판 지지 요소들(206)의 지지 표면들 위에 잔해가 남을 가능성이 적다. 이는 지지 표면들 상의 오염을 감소시키거나 방지한다.According to some embodiments, contact between the
세정 툴(208)의 볼록성은 여러 이점들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더(204)와 접촉하는 세정 툴(208)의 표면적이 기판 홀더(204)의 전체 평탄도에서 더 작은 공간 주파수들을 평균하도록 제어될 수 있다.The convexity of the
추가적으로, 볼록성은 사용 시 세정 툴(208)의 더 작은 영역들이 기판 홀더(204)와 접촉함을 의미한다. 이는 지지 표면들에 원하는 레벨의 거칠기를 제공하도록 스크래칭이 일어나게 하며, 이는 "스티킹" 문제들을 개선한다. 또한, 더 작은 접촉 면적들이 한 번에 하나의 지지 요소를 타겟팅하여 세정 작업들을 수행하는 기능을 제공한다. 이는 더 타겟팅된 세정 작업을 제공하여, 세정 프로세스를 신속히 처리할 수 있다. 타겟팅된 세정 작업들은 아래 도 3 내지 도 6을 참조하여 더 논의된다.Additionally, convexity means that a smaller area of the
세정 툴(208)은 다양한 재료들로 만들어질 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208)의 경도는 지지 요소들(206)의 지지 표면들의 경도와 동일하거나 더 높은 경도를 갖는다. 유리하게는, 세정 툴(208)의 경도가 지지 요소들(206)보다 더 단단한 경우, 세정 툴(208)과 지지 요소들(206)의 지지 표면들 사이의 상호작용이 세정 툴(208)보다는 기판 홀더(204)를 마모시킬 것이다. 유리하게는, 세정 툴(208)의 경도가 지지 표면들의 경도와 유사한 경우, 이는 세정 툴(208)과 지지 표면 사이의 상호작용으로 인해 지지 표면들의 높은 거칠기를 초래할 수 있다.
바람직하게는, 세정 툴(208)은 비교적 단단하고 튼튼한 재료로 만들어진다. 세정 툴(208)은 석영(SiO2)을 포함할 수 있고, 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 더 코팅될 수 있다. 세정 툴(208)은 단일 재료 조각으로 형성될 수 있다. 따라서, 세정 툴(208)은 이 재료들 중 하나로 형성될 수 있다. 대안적으로, 세정 툴(208)은 이 재료들 중 적어도 하나를 포함하는 재료들의 조합으로 형성될 수 있다. 특히, 선택된 재료는 탄소 강화 탄화규소, 탄화규소, 산화알루미늄 및/또는 다이아몬드 유사 탄소 중 적어도 하나일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 세정 툴(208)은 이 재료들 중 적어도 하나로 형성되는 층 또는 코팅을 가질 수 있다.Preferably, the
세정 툴(208)의 후면(8)은 세정 툴(208)이 베이스(210) 내에서 더 쉽게 및/또는 확실하게 제 자리에 유지되도록 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 세정 툴(208)은 베이스(210) 내의 툴 지지체(도시되지 않음)에 연결되거나 연결가능할 수 있으며, 또는 구성에 따라 지지 요소(202)에 연결가능할 수 있다. 앞서 명시된 바와 같이, 지지 요소(202)에 의해 구동되는 상대 이동은 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같이 기판 홀더(204)의 이동을 조작함으로써 제공될 수 있으며, 또는 대안적으로 세정 툴(208)의 이동을 조작함으로써 제공될 수 있다. 세정 툴(208)의 후면(8)은 지지체(210)와 피팅되도록 적어도 하나의 인덴트(indent)를 포함할 수 있다.The rear 8 of the
사용 동안, 세정 툴(208)이 기판 홀더(204)에 대해 실질적으로 평탄하게 유지되는 것이 바람직할 수 있다. 다시 말해서, 세정 툴(208)의 주 몸체/베이스를 기판 홀더(204)의 표면에 실질적으로 평행하게 유지하는 것이 바람직할 수 있다. 하지만, 세정 툴(208)의 방위의 변동이 고르지 않은 지지 표면들이 더 효율적으로 마모되거나 평탄해지게 할 수 있다. 또한, 세정 툴 지지체(202)가 방위의 변동을 허용하는 방식으로 연결될 수 있다.During use, it may be desirable for the
세정 툴(208)은 다수 툴들을 포함하는 더 큰 시스템의 일부일 수 있다. 다수 툴들은 세정되어야 하는 표면 영역들 및 다른 파라미터들에 기초하여 동일하거나 상이한 볼록성들을 가질 수 있다. 세정 툴(208)은 전체 기판 홀더(204)에 걸쳐 세정하는 데 사용될 수 있다. 다시 말해서, 세정 툴(208)은 각각의 지지 요소(206)와 적어도 한 번 접촉하는 데 사용될 수 있다.
앞서 설명된 세정 툴(208)을 사용하는 방법이 제공될 수 있다. 더 구체적으로, 상기 방법은 기판 홀더(204)의 기판 지지 요소들(206)을 수정하기 위한 것일 수 있다. 기판 지지 요소들(206)은 기판(W)을 지지하기 위한 지지 표면들을 포함할 수 있다. 상기 방법은 앞서 설명된 바와 같이 세정 툴(208)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 기판 홀더(204)의 지지 표면들 중 적어도 일부를 세정 툴(208)의 말단 볼록부(distal convex portion)와 접촉시키는 단계 및 세정 툴(208)을 사용하여 지지 표면들을 수정하는 단계를 더 포함할 수 있다.A method using the
기판 홀더(204)는 세정 툴(208)이 접촉하는 기판 지지 요소들(206)의 최상부로부터 재료를 제거하기 위해 세정 툴(208)을 따라 이동될 수 있다. 대안적으로, 세정 툴(208)이 기판 홀더(204)에 대해 이동될 수 있는 한편, 예를 들어 기판 홀더(204)는 정지 상태로 유지된다. 예를 들어, MRD가 기판 지지 요소들(206)에 걸쳐 세정 툴(208)을 이동시키는 한편, 기판 홀더(204)는 이동되지 않도록 구성될 수 있으며, 그 역도 가능하다. 대안적으로, 기판 홀더(204) 및 세정 툴(208)은 동시에 이동될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208) 또는 기판 홀더(204)가 이동되는지 여부에 관계없이, 원하는 세정 결과들을 달성하기 위해 어느 정도의 상대 움직임이 요구된다.The
연마재 효과를 얻기 위해 사용되는 세정 툴(208)과 기판 지지 요소들(206) 사이의 z-방향의 압력은 기판 홀더(204) 또는 세정 툴(208)(또는 더 구체적으로 MRD) 또는 둘 모두에 의해 가해질 수 있다. 바람직하게는, [대안예에서 기판 홀더(204) 또는 세정 툴(208)을 지지하는] 지지체(202)는 정확하게 제어될 수 있는데, 그 이유는 세정 툴(208)에 의해 부여된 힘이 너무 큰 경우, 이것이 기판 홀더(204)의 평탄도에 부정적인 영향을 미칠 수 있기 때문이다.The pressure in the z-direction between the
세정 툴(208)은 다양한 방식으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 세정 툴(208)은 전체 기판 홀더(204)를 수정하는 데, 즉 전체 기판 홀더(204)를 한 번에 처리하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 세정 툴(208)은 국부적인 영역, 즉 전체 기판 홀더(204)의 일부분을 수정하는 데 사용될 수 있다. 세정 툴(208)의 볼록한 형상 속성들은 국부적인 영역들의 전략적 세정을 가능하게 한다. 일부 예시들에서, 국부적인 영역들은 1 이상의 지지 요소(206)를 포함한다. 일부 예시들에서, 국부적인 영역은 하나의 지지 요소(206)를 포함할 수 있다. 세정 툴(208)을 사용하는 빈도는 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더(208)의 특정 부분의 국부적 세정은 하루에 여러 번, 예를 들어 매일 4 내지 5 회 수행될 수 있다. 기판 홀더(204) 전체의 더 큰 세정은 덜 자주, 예를 들어 매일 또는 매주 수행될 수 있다. 수정의 빈도 및 타입은, 예를 들어 기판(W) 및/또는 기판 홀더(204)의 평탄도를 나타내는 측정들에 기초하여 결정될 수 있다. 기판 홀더(204)의 평탄도는 기판(W)이 위치되는 지지 요소들(206)(및 각자의 지지 표면들)의 평탄도인 것으로 간주된다.
앞서 설명된 바와 같은 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치가 제공될 수 있다. 세정 시스템(200)을 통합하는 리소그래피 장치는 세정 툴(208)을 사용하여 기판 홀더(202)의 기판 지지 요소들(206)을 수정하도록 구성될 수 있다. 리소그래피 장치는 기판을 지지하도록 구성되는 복수의 지지 요소들(206)을 갖는 기판 홀더(204)를 포함할 수 있다.A lithographic apparatus may be provided that includes a
세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 도 1과 관련하여 앞서 설명된 리소그래피 장치의 일부 또는 전부일 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 메트롤로지 디바이스 및/또는 검사 디바이스(e-빔)의 적어도 일부일 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 도 1에 설명된 리소그래피 장치와 함께 사용될 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 더 일반적으로 기판 홀더의 기판 지지 요소들(206)을 수정하도록 구성되는 장치로 지칭될 수 있다.The lithographic apparatus that includes the
세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 기판 홀더 상에 지지되는 기판의 표면 평탄도에 영향을 미치는 지지 요소들 중 1 이상의 높이 편차를 검출하도록 구성되는 검출기를 더 포함할 수 있다. 검출기는 앞서 설명된 검출기(HDD)에 대응할 수 있다. 세정 툴(208)은 지지 요소들의 검출된 높이 편차에 대응하여 1 이상의 지지 요소의 높이를 수정하도록 구성될 수 있다.The lithographic apparatus including the
도 2b 및 도 2c는 일부 실시예들에 따른 낮춤 작업 및 회전 작업을 각각 예시한다. 이 작업들은 나머지 도면들과 관련하여 이후에 본 명세서에서 더 설명된다.2B and 2C illustrate a lowering operation and a rotation operation, respectively, according to some embodiments. These operations are further described later herein in relation to the remaining figures.
도 3a 내지 도 3c는 일부 실시예들에 따른 낮춤 및 회전 작업들(300)을 나타낸다. 예를 들어, 도 3a는 세정 시스템(200)의 낮춰진 부분을 도시한다. 구체적으로, 낮춰진 부분은 지지 구조체(302), 기판 홀더(304), 및 기판 지지 요소들(306)을 포함할 수 있다. 요소들(302, 304, 306 및 308)은 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 더 상세히 설명되며, 도 3a 내지 도 3c의 묘사는 세정 툴(308)과 요소들(302, 304, 및 306)의 조합[구체적으로, 기판 홀더(304)] 사이의 이동 및 정렬을 나타낸다는 것을 알 수 있다.3A-3C illustrate lowering and
일부 실시예들에 따르면, 도 3a는 기판 홀더(304)의 사전설정된 관심 구역[예를 들어, 구역(314)]을 세정 툴(308)의 사전설정된 위치[예를 들어, 위치(312)]와 정렬하는 작업을 예시한다. 이러한 정렬은 본 명세서의 아래에서 더 설명되는 바와 같이 지지 요소들의 높이 편차를 검출하도록 구성될 수 있는 검출기에 의해 수행되는 1 이상의 측정에 기초하여 수행될 수 있다. 검출 판독 시, 검출기는 제어기에 판독 신호를 전송하여 지지 요소들의 측정된 파라미터들을 제공하도록 구성될 수 있다. 일 예시에서, 측정된 파라미터들은 지지 요소들의 높이 편차를 포함할 수 있다. 높이 편차는, 기판을 수용하기 위해 기판 홀더(304)에 대한 평탄한 표면을 생성하는 것으로 간주되는 기판 홀더(304)의 모든 지지 요소들의 평균 높이로부터의 편차로서 이해될 수 있다. 다시 말해서, 편차는 이 평균을 넘어서는 지지 요소의 길이로서 이해될 수 있으며, 이는 기판 홀더가 평탄한 표면을 제공할 수 없게 한다. 또한, 검출기는 지지 요소들(306)의 지지 표면들의 거칠기 레벨들을 검출할 수 있다. 이는 추가적인 세정이 요구될/필요할 수 있는지를, 및/또는 잔해 제거를 제어기가 결정할 수 있게 한다.According to some embodiments, FIG. 3A shows a predetermined region of interest (e.g., region 314) of substrate holder 304 at a predetermined location of cleaning tool 308 (e.g., position 312). This example illustrates the task of sorting. This alignment may be performed based on one or more measurements performed by a detector that may be configured to detect height deviations of the support elements, as described further herein. Upon detection readout, the detector may be configured to transmit a readout signal to the controller to provide measured parameters of the support elements. In one example, the measured parameters may include height variations of the support elements. Height deviation may be understood as the deviation from the average height of all support elements of the substrate holder 304 assumed to create a flat surface for the substrate holder 304 to receive the substrate. In other words, the deviation can be understood as the length of the support element beyond this average, which makes the substrate holder unable to provide a flat surface. Additionally, the detector may detect roughness levels of the support surfaces of the support elements 306. This allows the controller to determine if additional cleaning is/may be required and/or debris removal.
도 3b 및 도 3c는 세정 툴(308)과 지지 요소(302), 기판 홀더(304) 및 지지 요소들(306)의 조합 사이의 상대 이동을 나타낸다. 일부 실시예들에 따르면, 지지 요소들(306) 중에서 제 2 지지 요소의 검출 시, 제어기는 새로운 관심 구역(314)을 새로운 위치(316)와 정렬할 수 있다. 관심 구역(314)은 1 이상의 지지 요소에 대응할 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 세정 툴(308)이 요소들(302, 304, 및 306)의 조합과 정렬하는 방식은 세정 툴(308)의 볼록성 및 관심 구역(314)의 크기에 의존할 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 세정 툴(308)의 볼록성은 세정 툴(308) 전반에 걸쳐 균일할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 제거 작업을 위한 후보일 수 있는 또 다른 지지 요소의 검출 시, 제어기는 (1 이상의 지지 요소에 대응하는) 새로운 관심 구역(314)을 사전설정된 위치(318)와 정렬할 수 있다. 정렬 작업은 지지 요소(302)의 측방향 이동, 길이방향 이동, 기울임 이동 및 회전 이동을 포함하는 X, Y, 및 Z 방향을 따른 일련의 이동들을 포함할 수 있음을 이해할 수 있다.3B and 3C illustrate the relative movement between the
도 4는 예시적인 세정 작업의 단면도를 나타낸다. 예를 들어, 일부 실시예들에 따르면, 지지 요소(404)와 세정 툴(408) 사이의 초기 정렬에 의존하는 세정 작업은 1 이상의 지지 요소(406)를 세정 툴에 더 가깝게 만드는 방향으로 지지 요소(404)를 기울임으로써 시작할 수 있다. 제 2 단계에서, 지지 요소(402)는 1 이상의 지지 요소 사이의 접촉 레벨을 확립하기에 충분한 거리만큼 낮춰질 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 접촉 레벨 및 접촉 압력은 수행되어야 하는 세정 타입에 기초하여 제어기에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 표면 재처리 작업들은 지지 요소(402)에 의해 세정 툴(408)에 가해지는 더 높은 레벨의 압력을 필요로 할 수 있다.Figure 4 shows a cross-sectional view of an exemplary cleaning operation. For example, according to some embodiments, a cleaning operation that relies on initial alignment between the
도 5a 및 도 5b는 예시적인 실시예들에 따른 세정 작업을 나타낸다. 도 5a는 치수들(520 및 530) 내의 복수의 지지 요소들(506)을 갖는 기판 홀더의 평면도를 나타낸다. 도 5b는 기판 홀더의 확대도를 나타낸다. 도 5b는 일부 실시예들에 따른 예시적인 타겟팅된 세정 작업을 나타낸다. 일 예시에서, 타겟팅된 세정은 바람직하지 않은 물리적 파라미터들(예를 들어, 높이 편차 측정 등)을 갖는 것으로 결정되는 몇몇 타겟팅된 지지 요소들(506)의 세정 작업일 수 있다. 또 다른 예시에서, 세정 작업은 개별 지지 요소를 기준으로 타겟팅된 세정 작업을 수행하는 일련의 래스터 스캔 모션(raster scan motion)들로 전체 기판 홀더에 대해 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 세정 작업은 사전설정된 기간 동안 사전설정된 반경 내에서 MRT 시스템(200)에 의해 수행되는 원형 모션을 포함할 수 있다. 예를 들어, 사전설정된 기간은 지지 표면의 거칠기 및/또는 측정된 높이 편차와 같은 인자들에 의존할 수 있다. 다시 말해서, 사전설정된 기간은 지지 요소[예를 들어, 지지 요소(206a)]를 원하는 높이, 평탄도, 및/또는 거칠기 레벨로 표면 재처리/세정하는 데 필요한 시간에 의존할 수 있다.5A and 5B illustrate cleaning operations according to example embodiments. Figure 5A shows a top view of a substrate holder with a plurality of
일부 실시예들에 따르면, 지지 요소(506)의 각각의 타겟팅된 세정 작업은 사전설정된 지지 요소(506)를 타겟팅하는 방식으로 지지 요소가 기울어지고, 이동되며, 정렬되는 작업을 포함할 수 있다. 다음으로, 세정 툴의 표면과 지지 요소 사이의 접촉 시, 지지 요소는 작은 직경의 원으로 이동되어 사전설정된 지지 요소의 세정 작업을 수행할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 세정 작업은 스크러빙 작업을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 작은 직경은 1 mm 직경일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 지지 요소는 다음 원하는 지지 요소와 접촉하기 위해 세정 툴을 가로질러 이동될 수 있다. 이러한 이동은, 도 5b에 나타낸 바와 같이 지지 요소의 위치 및 수행되는 스캔의 타입(예를 들어, 래스터 스캔 패턴)에 기초하는 오른쪽, 왼쪽, 위 또는 아래로의 이동일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 더 편리한 세정 작업을 위해, 지지 요소들 사이에서의 이동(예를 들어, 하나의 지지 요소의 세정에서 다음으로의 전이)은 기판 홀더(202)의 기울임 작업에 의해 달성될 수 있다.According to some embodiments, each targeted cleaning operation of the
도 6은 일부 실시예들에 따른 기판 홀더(204)의 기판 지지 요소들(206)을 수정하는 예시적인 방법(600)을 나타낸다. 방법(600)은 단계 602에 예시된 바와 같이, 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역[예를 들어, 구역(314)]을 세정 툴의 사전설정된 위치[예를 들어, 위치(312)]와 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 방법(600)은 단계 604에 예시된 바와 같이, 정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체(예를 들어, 302)의 이동을 조작하는 단계를 포함할 수 있다. 추가적으로, 방법(600)은 단계 606에 예시된 바와 같이, 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 단계를 더 포함할 수 있다.FIG. 6 illustrates an
방법(600)은 관련되는 측정들 및 구조적 구성요소들에 기초하여 추가적인 수정 단계들을 포함할 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에 따르면, 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 사전설정된 관심 구역은 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함한다. 일 예시에서, 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 생성된 접촉은 지지 표면과 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함한다.It can be appreciated that
일부 실시예들에 따르면, 방법(600)은 검출기로 지지 표면과 연계된 물리적 파라미터들을 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 예시에서, 물리적 파라미터들은 지지 표면의 거칠기 정도를 포함한다. 더욱이, 물리적 파라미터들은 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함할 수 있으며, 높이 편차 측정은 기판 홀더의 사전설정된 정도의 표면 평탄도로부터의 검출된 높이 편차이다. 또한, 방법(600)의 세정 작업은 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 지지 요소의 높이를 수정하는 단계를 포함할 수 있다.According to some embodiments,
일부 실시예들에 따르면, 방법(600)의 정렬 작업은 사전설정된 관심 구역을 사전설정된 위치와 정렬하기 위해 지지 구조체의 낮춤 작업 및 기울임 작업을 더 포함할 수 있다. 또한, 방법(600)은 세정 툴의 볼록성 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 지지 요소의 위치 사이의 상관관계를 계산하는 단계, 및 계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 위치와 사전설정된 관심 구역을 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 이러한 상관관계 측정은 제어기가 의도된 지지 요소의 위치를 고려하여 수정을 위해 의도된 지지 요소와 접촉하는 데 세정 툴의 어느 부분이 가장 적합한지를 결정가능하게 할 수 있다.According to some embodiments, the alignment operation of
일부 실시예들에 따르면, 방법(600)은 계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 위치를 선택하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 여기서 정렬은 수직 축(예를 들어, Y 축)을 중심으로 한 지지 구조체의 회전 작업을 포함한다. 방법(600) 내에서, 사용되는 세정 툴은 실리콘-침투된 탄화규소, 탄화규소, 산화알루미늄, 또는 다이아몬드 유사 탄소를 포함하는 재료로 구성될 수 있다.According to some embodiments,
이상, 세정 시스템의 사용은 기판 지지체에 대한 더 고른 지지를 제공하기 위한 기판 홀더(204)의 1 이상의 기판 지지 요소(206)의 재료 제거에 대해 설명된다. 또한, 패터닝 디바이스 지지체와 같은 다른 물품 지지 시스템들에도 유사한 세정 시스템이 사용될 수 있다. 따라서, 세정 툴(208)은 더 일반적으로 지지 표면들과 접촉하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치가 일 실시예에 제공된다. 이 실시예에서, 리소그래피 장치는 물품 홀더의 지지 요소들을 수정하도록 구성된다.Above, use of the cleaning system is described for removing material from one or more
세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 도 1과 관련하여 앞서 설명된 리소그래피 장치의 일부 또는 전부일 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 메트롤로지 디바이스 및/또는 검사 디바이스(e-빔)의 적어도 일부일 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 도 1에 설명된 리소그래피 장치와 함께 사용될 수 있다. 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 더 일반적으로 물품 홀더의 지지 요소들을 수정하도록 구성되는 장치로 지칭될 수 있다.The lithographic apparatus that includes the
일부 실시예들에 따르면, 세정 툴(208)을 포함하는 리소그래피 장치는 물품 홀더 상에 지지되는 물품의 표면 평탄도에 영향을 미치는 지지 요소들 중 1 이상의 높이 편차를 검출하는 검출기를 더 포함할 수 있다. 검출기는 앞서 설명된 검출기(HDD)에 대응할 수 있다. 검출기는 검출기(HDD)와 유사할 수 있지만, 기판보다는 물품의 표면 평탄도를 검출하는 데 사용될 수 있다. 세정 툴(208)은 지지 요소들의 검출된 높이 편차에 대응하여 1 이상의 지지 요소의 높이를 수정하도록 구성될 수 있다.According to some embodiments, the lithographic apparatus including the
물품을 수정하기 위해 이 실시예에서 사용되는 툴은, 구체적으로 기판 홀더(204)를 수정하는 데 사용되는 세정 툴(208)에 대해 앞서 설명된 변형예들 중 어느 하나 또는 전부를 가질 수 있다.The tools used in this embodiment to modify the article may have any or all of the variations described above for the
리소그래피 장치에서의 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 툴(208)의 제공은 기존 시스템들에 비해 많은 이점들을 제공한다. 첫 번째 이점은, 기판 홀더가 세정 툴(208)을 사용함으로써 리소그래피 장치에서 평탄화될 수 있기 때문에, 기판 테이블/홀더(또는 다른 지지 표면들)가 더 작은 평탄도로 및 이에 따라 더 낮은 비용으로 리소그래피 장치에 설치될 수 있다는 것이다. 또한, 마모로 인한 비평탄이 보정될 수 있기 때문에, 기판 홀더의 마모가 더 이상 크게 중요하지 않다. 결과로서, 웨이퍼 테이블/기판 홀더(204) 재료에 대한 덜 엄격한 제한들이 사용될 수 있다. 더욱이, 세정 툴(208)을 사용함으로써, 지지 표면들의 평탄도는 시간이 지남에 따라 개선될 수 있으며, 이와 함께 리소그래피 장치의 오버레이 성능도 개선될 수 있다.Provision of a
본 실시예들은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:The present embodiments can be further explained using the following items:
1. 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 디바이스로서,1. A device for modifying substrate support elements of a substrate holder, comprising:
기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더;a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder;
기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체;a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder;
구형 주 몸체를 갖는 세정 툴; 및A cleaning tool having a spherical main body; and
프로세서를 포함하며, 이는Contains a processor, which
세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고, Aligning the preset position of the cleaning tool with the preset area of interest of the substrate holder;
정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하고, manipulating the movement of the support structure to create contact between a region of interest where the alignment is preset and a preset location;
사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하도록 구성되는 디바이스. A device configured to initiate a cleaning operation of a predetermined area of interest.
2. 1 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소를 포함하는 디바이스.2. The device of
3. 1 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역은 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함하는 디바이스.3. The device of
4. 3 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 생성된 접촉은 지지 표면과 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함하는 디바이스.4. The device of
5. 4 항에 있어서, 검출기를 더 포함하고, 검출기는 지지 표면의 물리적 파라미터들을 측정하도록 구성되는 디바이스.5. The device of
6. 5 항에 있어서, 물리적 파라미터들은 지지 표면의 거칠기 정도를 포함하는 디바이스.6. The device of clause 5, wherein the physical parameters include a degree of roughness of the support surface.
7. 5 항에 있어서, 물리적 파라미터들은 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함하고, 높이 편차 측정은 기판 홀더의 사전설정된 표면 평탄도 정도로부터의 검출된 높이 편차인 디바이스.7. The device of clause 5, wherein the physical parameters include a height deviation measurement of one or more support elements of the substrate holder, wherein the height deviation measurement is a detected height deviation from a predetermined degree of surface flatness of the substrate holder.
8. 7 항에 있어서, 프로세서는 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 지지 요소의 높이를 수정하도록 세정 작업을 제어하도록 더 구성되는 디바이스.8. The device of
9. 1 항에 있어서, 프로세서는 사전설정된 관심 구역을 사전설정된 위치와 정렬하기 위해 지지 구조체를 낮추고 기울이도록 정렬을 제어하도록 더 구성되는 디바이스.9. The device of
10. 9 항에 있어서, 프로세서는 세정 툴의 볼록성 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 지지 요소의 위치 사이의 계산된 상관관계에 기초하여 정렬의 성능을 제어하도록 더 구성되는 디바이스.10. The device of clause 9, wherein the processor is further configured to control performance of the alignment based on a calculated correlation between the convexity measurement of the cleaning tool and the position of the support element intended for height or roughness modification.
11. 10 항에 있어서, 프로세서는 계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 위치를 선택하도록 더 구성되는 디바이스.11. The device of clause 10, wherein the processor is further configured to select a preset location based on the calculated correlation.
12. 9 항에 있어서, 프로세서는 수평 축을 중심으로 지지 구조체를 회전시키도록 정렬 작업을 제어하도록 더 구성되는 디바이스.12. The device of clause 9, wherein the processor is further configured to control the alignment operation to rotate the support structure about a horizontal axis.
13. 1 항에 있어서, 세정 툴은 석영(SiO2)으로 구성되고, 석영은 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 코팅되는 디바이스.13. The device of
14. 기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하는 방법으로서,14. A method of modifying substrate support elements of a substrate holder, comprising:
세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하는 단계 -기판 홀더는 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖고, 세정 툴은 구형 주 몸체를 가짐- ;aligning a preset position of the cleaning tool with a preset area of interest of the substrate holder, the substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder, the cleaning tool having a spherical main body;
정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하는 단계 -지지 구조체는 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지함- ; 및manipulating movement of the support structure to create contact between the region of interest where the alignment is predetermined and the predetermined location, the support structure holding the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder; and
사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 단계를 포함하는 프로세서에 의해 수행되는 방법.A method performed by a processor comprising initiating a cleaning operation of a predetermined area of interest.
15. 14 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소를 포함하는 방법.15. The method of clause 14, wherein the predetermined region of interest includes one or more support elements.
16. 14 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역은 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함하는 방법.16. The method of clause 14, wherein the predefined region of interest comprises one support element having a support surface.
17. 16 항에 있어서, 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 생성된 접촉은 지지 표면과 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함하는 방법.17. The method of clause 16, wherein the contact created between the preset area of interest and the preset location comprises contact between the support surface and the preset location of the cleaning tool.
18. 17 항에 있어서, 검출기로 지지 표면과 연계된 물리적 파라미터들을 측정하는 단계를 더 포함하는 방법.18. The method of clause 17, further comprising measuring physical parameters associated with the support surface with a detector.
19. 18 항에 있어서, 물리적 파라미터들은 지지 표면의 거칠기 정도를 포함하는 방법.19. The method of clause 18, wherein the physical parameters include a degree of roughness of the support surface.
20. 18 항에 있어서, 물리적 파라미터들은 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함하고, 높이 편차 측정은 기판 홀더의 사전설정된 표면 평탄도 정도로부터의 검출된 높이 편차인 방법.20. The method of clause 18, wherein the physical parameters include a height deviation measurement of one or more support elements of the substrate holder, wherein the height deviation measurement is a detected height deviation from a predetermined degree of surface flatness of the substrate holder.
21. 20 항에 있어서, 세정 작업은 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 지지 요소의 높이를 수정하는 단계를 더 포함하는 방법.21. The method of
22. 14 항에 있어서, 정렬하는 단계는 사전설정된 관심 구역을 사전설정된 위치와 정렬하기 위해 지지 구조체의 낮춤 작업 및 기울임 작업을 더 포함하는 방법.22. The method of clause 14, wherein the aligning step further comprises lowering and tilting the support structure to align the preset area of interest with the preset position.
23. 22 항에 있어서,23. In paragraph 22,
세정 툴의 볼록성 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 지지 요소의 위치 사이의 상관관계를 계산하는 단계; 및calculating a correlation between the convexity measurement of the cleaning tool and the position of the support element intended for height or roughness modification; and
계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 관심 구역을 사전설정된 위치와 정렬하는 단계를 더 포함하는 방법.The method further comprising aligning the preset region of interest with the preset location based on the calculated correlation.
24. 23 항에 있어서, 계산된 상관관계에 기초하여 사전설정된 위치를 선택하는 단계를 더 포함하는 방법.24. The method of clause 23, further comprising selecting a preset location based on the calculated correlation.
25. 22 항에 있어서, 정렬하는 단계는 수평 축을 중심으로 한 지지 구조체의 회전 작업을 더 포함하는 방법.25. The method of clause 22, wherein aligning further comprises rotating the support structure about a horizontal axis.
26. 14 항에 있어서, 세정 툴은 석영(SiO2)으로 구성되고, 석영은 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 코팅되는 방법.26. The method of clause 14, wherein the cleaning tool is comprised of quartz (SiO2), and the quartz is coated with any of chromium nitride (CrN), chromium oxide (CrOx), or tantalum boride.
27. 리소그래피 장치로서,27. A lithographic apparatus, comprising:
기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 재료 제거 디바이스를 포함하고, 상기 디바이스는:A material removal device for modifying substrate support elements of a substrate holder, the device comprising:
기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더;a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder;
기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체;a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder;
구형 주 몸체를 갖는 세정 툴; 및A cleaning tool having a spherical main body; and
프로세서를 포함하며, 이는Contains a processor, which
세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고, Aligning the preset position of the cleaning tool with the preset area of interest of the substrate holder;
정렬이 사전설정된 관심 구역과 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하고, manipulating the movement of the support structure to create contact between a region of interest where the alignment is preset and a preset location;
사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하도록 구성되는 리소그래피 장치. A lithographic apparatus configured to initiate a cleaning operation of a predetermined area of interest.
본 명세서에서는 IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.Although reference is made herein to specific uses of lithographic apparatuses in IC fabrication, lithographic apparatuses described herein may be used in integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetics, etc. It should be understood that there may be other applications, such as manufacturing heads, etc. Those skilled in the art will appreciate that, with respect to these alternative applications, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target section", respectively. You will understand. The substrates referred to herein may be processed before or after exposure, for example in a track (a tool that typically applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), a metrology tool, and/or an inspection tool. Where applicable, the teachings herein may be applied to these and other substrate processing tools. Additionally, since a substrate may be processed more than once, for example to create a multilayer IC, the term substrate as used herein may also refer to a substrate containing layers that have already been processed multiple times.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않음을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있고, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 이동되어 그 안에 패턴을 남긴다.Although specific uses of embodiments of the present invention have been mentioned above in relation to optical lithography, it is understood that the present invention can be used in other applications, such as imprint lithography, and is not limited to optical lithography if permitted by the present disclosure. You will understand. In imprint lithography, the topography within the patterning device defines the pattern created on the substrate. The topography of the patterning device can be pressed into a layer of resist supplied to a substrate, and the resist is cured by applying electromagnetic radiation, heat, pressure, or a combination thereof. The patterning device is moved away from the resist after it has cured, leaving a pattern therein.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.As used herein, the terms “radiation” and “beam” refer to particle beams such as ion beams or electron beams (e.g., having a wavelength of 365, 248, 193, 157 or 126 nm, or thereabouts). ) encompasses all forms of electromagnetic radiation, including ultraviolet (UV) radiation and extreme ultraviolet (EUV) radiation (e.g., with a wavelength within the range of 5 to 20 nm).
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.The term “lens” as permitted by this specification may refer to any one or combination of various types of optical components, including refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, and electrostatic optical components.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 바와 같이 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.Although specific embodiments of the invention have been described above, it will be understood that the invention may be practiced otherwise than as described. The above description is for illustrative purposes only and is not intended to be limiting. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set forth below.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 바와 같이 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.The above description is for illustrative purposes only and is not intended to be limiting. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set forth below.
Claims (15)
상기 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더;
상기 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 상기 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체;
구형 주 몸체(spherical main body)를 갖는 세정 툴; 및
프로세서
를 포함하며, 상기 프로세서는
상기 세정 툴의 사전설정된 위치와 상기 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고,
정렬이 상기 사전설정된 관심 구역과 상기 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 상기 지지 구조체의 이동을 조작하고,
상기 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하도록 구성되는,
디바이스.A device for modifying substrate support elements of a substrate holder, comprising:
a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder;
a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder;
A cleaning tool having a spherical main body; and
processor
Includes, and the processor
aligning a preset position of the cleaning tool with a preset area of interest of the substrate holder;
manipulating movement of the support structure such that alignment creates contact between the predetermined region of interest and the predetermined location;
configured to initiate a cleaning operation of the preset area of interest,
device.
상기 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소를 포함하는,
디바이스.According to claim 1,
The preset region of interest includes one or more support elements,
device.
상기 사전설정된 관심 구역은 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함하고;
상기 사전설정된 관심 구역과 상기 사전설정된 위치 사이에 생성된 접촉은 상기 지지 표면과 상기 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함하며;
상기 디바이스는 검출기를 더 포함하고, 상기 검출기는 상기 지지 표면의 물리적 파라미터들을 측정하도록 구성되며;
상기 물리적 파라미터들은 상기 지지 표면의 거칠기 정도를 포함하고;
상기 물리적 파라미터들은 상기 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함하고, 상기 높이 편차 측정은 상기 기판 홀더의 사전설정된 표면 평탄도 정도로부터의 검출된 높이 편차인,
디바이스.According to claim 1,
The predetermined region of interest includes one support element having a support surface;
The contact created between the preset area of interest and the preset position includes contact between the support surface and the preset position of the cleaning tool;
The device further includes a detector, the detector configured to measure physical parameters of the support surface;
The physical parameters include the degree of roughness of the support surface;
The physical parameters include a height deviation measurement of one or more support elements of the substrate holder, wherein the height deviation measurement is a detected height deviation from a predetermined degree of surface flatness of the substrate holder,
device.
상기 프로세서는 상기 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 상기 지지 요소의 높이를 수정하도록 상기 세정 작업을 제어하도록 더 구성되는,
디바이스.According to claim 3,
wherein the processor is further configured to control the cleaning operation to modify the height of the support element in response to the detected height deviation of the support element.
device.
상기 프로세서는 상기 사전설정된 관심 구역을 상기 사전설정된 위치와 정렬하기 위해 상기 지지 구조체를 낮추고 기울이도록 상기 정렬을 제어하도록 더 구성되는,
디바이스.According to claim 1,
wherein the processor is further configured to control the alignment to lower and tilt the support structure to align the preset area of interest with the preset position,
device.
상기 프로세서는:
상기 세정 툴의 볼록성(convexity) 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 상기 지지 요소의 위치 사이의 계산된 상관관계에 기초하여 상기 정렬의 성능을 제어하도록; 및
상기 계산된 상관관계에 기초하여 상기 사전설정된 위치를 선택하도록 더 구성되는,
디바이스.According to claim 5,
The processor:
to control the performance of the alignment based on a calculated correlation between a convexity measurement of the cleaning tool and a position of the support element intended for height or roughness correction; and
further configured to select the preset location based on the calculated correlation,
device.
상기 프로세서는 수평 축을 중심으로 상기 지지 구조체를 회전시키도록 정렬 작업을 제어하도록 더 구성되는,
디바이스.According to claim 5,
wherein the processor is further configured to control an alignment operation to rotate the support structure about a horizontal axis.
device.
상기 세정 툴은 석영(SiO2)으로 구성되고, 상기 석영은 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 코팅되는,
디바이스.According to claim 1,
The cleaning tool is made of quartz (SiO2), and the quartz is coated with any one of chromium nitride (CrN), chromium oxide (CrOx), or tantalum boride,
device.
세정 툴의 사전설정된 위치와 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하는 단계 -상기 기판 홀더는 상기 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖고, 상기 세정 툴은 구형 주 몸체를 가짐- ;
정렬이 상기 사전설정된 관심 구역과 상기 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 지지 구조체의 이동을 조작하는 단계 -상기 지지 구조체는 상기 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 상기 기판 홀더를 유지함- ; 및
상기 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하는 단계
를 포함하는 프로세서에 의해 수행되는, 방법.A method of modifying substrate support elements of a substrate holder, comprising:
Aligning a preset position of a cleaning tool with a preset area of interest of a substrate holder, the substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder, the cleaning tool having a spherical main body. ;
manipulating movement of a support structure such that alignment creates contact between the predetermined region of interest and the predetermined location, the support structure holding the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder; and
Initiating a cleaning operation of the preset area of interest
A method performed by a processor comprising:
상기 사전설정된 관심 구역은 1 이상의 지지 요소를 포함하는, 방법.According to clause 9,
The method of claim 1, wherein the predetermined region of interest includes one or more support elements.
상기 사전설정된 관심 구역은 지지 표면을 갖는 하나의 지지 요소를 포함하고;
상기 사전설정된 관심 구역과 상기 사전설정된 위치 사이에 생성된 접촉은 상기 지지 표면과 상기 세정 툴의 사전설정된 위치 사이의 접촉을 포함하며;
상기 방법은 검출기로 상기 지지 표면과 연계된 물리적 파라미터들을 측정하는 단계를 더 포함하고;
상기 물리적 파라미터들은 상기 지지 표면의 거칠기 정도를 포함하며;
상기 물리적 파라미터들은 상기 기판 홀더의 1 이상의 지지 요소의 높이 편차 측정을 포함하고, 상기 높이 편차 측정은 상기 기판 홀더의 사전설정된 표면 평탄도 정도로부터의 검출된 높이 편차인, 방법.According to clause 9,
The predetermined region of interest includes one support element having a support surface;
The contact created between the preset area of interest and the preset position includes contact between the support surface and the preset position of the cleaning tool;
The method further includes measuring physical parameters associated with the support surface with a detector;
The physical parameters include the degree of roughness of the support surface;
The method of claim 1, wherein the physical parameters include a height deviation measurement of one or more support elements of the substrate holder, wherein the height deviation measurement is a detected height deviation from a predetermined degree of surface flatness of the substrate holder.
상기 세정 작업은 상기 지지 요소의 검출된 높이 편차에 대응하여 상기 지지 요소의 높이를 수정하는 단계를 더 포함하는, 방법.According to claim 11,
The method of claim 1 , wherein the cleaning operation further comprises modifying the height of the support element in response to a detected height deviation of the support element.
상기 정렬하는 단계는 상기 사전설정된 관심 구역을 상기 사전설정된 위치와 정렬하기 위해 상기 지지 구조체의 낮춤 작업 및 기울임 작업을 더 포함하며, 상기 방법은:
상기 세정 툴의 볼록성 측정과 높이 또는 거칠기 수정을 위해 의도된 상기 지지 요소의 위치 사이의 상관관계를 계산하는 단계;
계산된 상관관계에 기초하여 상기 사전설정된 관심 구역을 상기 사전설정된 위치와 정렬하는 단계; 및
상기 계산된 상관관계에 기초하여 상기 사전설정된 위치를 선택하는 단계를 더 포함하고, 상기 정렬하는 단계는 수평 축을 중심으로 한 상기 지지 구조체의 회전 작업을 더 포함하는, 방법.According to clause 9,
The aligning step further includes lowering and tilting the support structure to align the preset area of interest with the preset position, the method comprising:
calculating a correlation between a convexity measurement of the cleaning tool and a position of the support element intended for height or roughness modification;
aligning the preset region of interest with the preset location based on the calculated correlation; and
The method further comprising selecting the predetermined position based on the calculated correlation, wherein the step of aligning further comprises rotating the support structure about a horizontal axis.
상기 세정 툴은 석영(SiO2)으로 구성되고, 상기 석영은 질화크롬(CrN), 크롬 산화물(CrOx), 또는 탄탈럼 붕화물 중 어느 하나로 코팅되는, 방법. According to clause 9,
The method of claim 1, wherein the cleaning tool is comprised of quartz (SiO2), and the quartz is coated with either chromium nitride (CrN), chromium oxide (CrOx), or tantalum boride.
기판 홀더의 기판 지지 요소들을 수정하기 위한 재료 제거 디바이스를 포함하고, 상기 디바이스는:
상기 기판 홀더의 제 1 측으로부터 돌출된 복수의 지지 요소들을 갖는 기판 홀더;
상기 기판 홀더의 제 2 측으로부터 가로놓이는 방식으로 상기 기판 홀더를 유지하도록 구성되는 지지 구조체;
구형 주 몸체를 갖는 세정 툴; 및
프로세서
를 포함하며, 상기 프로세서는
상기 세정 툴의 사전설정된 위치와 상기 기판 홀더의 사전설정된 관심 구역을 정렬하고,
정렬이 상기 사전설정된 관심 구역과 상기 사전설정된 위치 사이에 접촉을 생성하도록 상기 지지 구조체의 이동을 조작하고,
상기 사전설정된 관심 구역의 세정 작업을 개시하도록 구성되는,
리소그래피 장치.A lithographic apparatus, comprising:
A material removal device for modifying substrate support elements of a substrate holder, the device comprising:
a substrate holder having a plurality of support elements protruding from a first side of the substrate holder;
a support structure configured to hold the substrate holder in a transverse manner from a second side of the substrate holder;
A cleaning tool having a spherical main body; and
processor
Includes, and the processor
aligning a preset position of the cleaning tool with a preset area of interest of the substrate holder;
manipulating movement of the support structure such that alignment creates contact between the predetermined region of interest and the predetermined location;
configured to initiate a cleaning operation of the preset area of interest,
Lithography device.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163165327P | 2021-03-24 | 2021-03-24 | |
| US63/165,327 | 2021-03-24 | ||
| PCT/EP2022/057339 WO2022200267A1 (en) | 2021-03-24 | 2022-03-21 | Tool for modifying a support surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230158515A true KR20230158515A (en) | 2023-11-20 |
Family
ID=81325171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237032991A KR20230158515A (en) | 2021-03-24 | 2022-03-21 | Tools to modify support surfaces |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024511313A (en) |
| KR (1) | KR20230158515A (en) |
| CN (1) | CN117063127A (en) |
| WO (1) | WO2022200267A1 (en) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9100410A (en) | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | IMAGE DEVICE EQUIPPED WITH A FOCUS ERROR AND / OR TILT DETECTION DEVICE. |
| EP1507172A1 (en) | 2003-08-12 | 2005-02-16 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and apparatus adjustment method |
| JP6085152B2 (en) * | 2012-11-22 | 2017-02-22 | 日本特殊陶業株式会社 | Vacuum chuck |
| CN112534354A (en) * | 2018-07-27 | 2021-03-19 | Asml荷兰有限公司 | Tool for modifying a support surface |
| CN113260923A (en) * | 2018-12-28 | 2021-08-13 | Asml控股股份有限公司 | Apparatus and method for cleaning a support structure in a lithographic system |
-
2022
- 2022-03-21 JP JP2023554300A patent/JP2024511313A/en active Pending
- 2022-03-21 KR KR1020237032991A patent/KR20230158515A/en unknown
- 2022-03-21 CN CN202280023485.9A patent/CN117063127A/en active Pending
- 2022-03-21 WO PCT/EP2022/057339 patent/WO2022200267A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022200267A1 (en) | 2022-09-29 |
| CN117063127A (en) | 2023-11-14 |
| JP2024511313A (en) | 2024-03-13 |
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