KR20230149897A - Unit for supplying liquid and apparatus for treating a substrate - Google Patents

Abstract

본 발명은, 내부에 처리 공간을 제공하는 컵과 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐과 그리고 상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 처리액을 저장하는 탱크를 포함하고, 상기 탱크는, 내부에 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과 상기 하우징에 결합되어 저장된 상기 처리액을 순환시키는 순환 라인 그리고 상기 탱크 내부의 분위기를 외부로 배기하는 배기 라인을 포함하며, 상기 순환 라인은, 상기 처리액을 가열하는 히터; 그리고, 상기 하우징의 내부까지 연장되고, 상기 하우징 내부로 가열된 상기 처리액을 분사하는 분사관을 포함하고, 상기 분사관은, 길이 방향을 따라 측면에 복수의 홀이 형성되는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 물의 증발에 의해 처리액의 농도를 조정하는 탱크 구조에서 처리액의 농도 조절에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.The present invention includes a cup that provides a processing space therein, a support unit that supports a substrate in the processing space and rotates the substrate, a nozzle that supplies a processing liquid to the substrate, and a liquid supply that supplies the processing liquid to the nozzle. A unit including a liquid supply unit, wherein the liquid supply unit includes a tank for storing the processing liquid, the tank having a housing having a space therein for storing the processing liquid, and a circulation coupled to the housing to circulate the stored processing liquid. line and an exhaust line for exhausting the atmosphere inside the tank to the outside, wherein the circulation line includes a heater for heating the treatment liquid; and a spray pipe that extends to the inside of the housing and sprays the heated processing liquid into the housing, wherein the spray pipe has a plurality of holes formed on a side surface along the longitudinal direction. The purpose is to
According to the present invention as described above, there is an effect of shortening the time required to adjust the concentration of the treatment liquid in a tank structure in which the concentration of the treatment liquid is adjusted by evaporation of water.

Description

액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{UNIT FOR SUPPLYING LIQUID AND APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}Liquid supply unit and substrate processing device having the same {UNIT FOR SUPPLYING LIQUID AND APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a liquid supply unit for supplying a processing liquid to a substrate.

반도체 공정은 기판 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 세정하는 공정을 포함한다. 이들 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 기판을 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 회전시킨 상태에서 기판 상에 처리액을 공급하고, 이후 웨이퍼를 건조함으로써 이루어진다The semiconductor process includes a process of cleaning thin films, foreign substances, particles, etc. on a substrate. These processes are performed by placing the substrate on a spin head with the pattern side facing up or down, supplying a processing liquid onto the substrate while rotating the spin head, and then drying the wafer.

최근에는 처리액으로 인산 수용액과 같은 고온의 액이 사용된다. 예컨대, 인산 수용액은 인산과 물을 포함한다. 액 공급 유닛은 공급 탱크, 액 공급 라인, 그리고 노즐을 가진다. 공급 탱크는 인산 수용액의 온도 및 인산의 농도가 공정 조건에 맞도록 조절된다. 예컨대, 기판에 공급되는 인산 수용액의 온도는 약 150℃ 내지 180℃이고, 인산 수용액에서 인산의 농도는 약 85% 내지 95% 일 수 있다. 농도 및 온도가 조절된 인산 수용액은 액 공급 라인을 통해서 공급 탱크로부터 노즐로 공급된다.Recently, high temperature liquids such as phosphoric acid aqueous solution are used as treatment liquids. For example, an aqueous phosphoric acid solution contains phosphoric acid and water. The liquid supply unit has a supply tank, a liquid supply line, and a nozzle. The supply tank is adjusted so that the temperature and concentration of phosphoric acid aqueous solution suit the process conditions. For example, the temperature of the aqueous phosphoric acid solution supplied to the substrate may be about 150°C to 180°C, and the concentration of phosphoric acid in the aqueous phosphoric acid solution may be about 85% to 95%. The phosphoric acid aqueous solution whose concentration and temperature are controlled is supplied from the supply tank to the nozzle through a liquid supply line.

도 1은 공급 탱크의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 공급 탱크(900)는 하우징(920) 및 순환 라인(940)을 가진다. 또한, 하우징(920)에는 외부로부터 하우징(920)으로 액이 공급되는 액 유입 라인(960), 하우징(920) 내 폐액을 배출하는 폐액 배출 라인(950), 액이 배출되는 액 유출 라인(980), 그리고 하우징(920) 내에서 증발한 수증기를 배기하는 벤트 라인(970)이 연결된다.1 is a diagram schematically showing an example of a supply tank. Referring to Figure 1, supply tank 900 has a housing 920 and a circulation line 940. In addition, the housing 920 includes a liquid inlet line 960 through which liquid is supplied to the housing 920 from the outside, a waste liquid discharge line 950 through which the waste liquid within the housing 920 is discharged, and a liquid outflow line 980 through which the liquid is discharged. ), and a vent line 970 that exhausts water vapor evaporated within the housing 920 is connected.

순환 라인(940)에는 펌프(942) 및 히터(944)가 설치된다. 하우징(920) 내의 인산 수용액은 순환 라인(940)을 따라 유동하면서 히터(944)에 의해 가열된다. 인산 수용액의 온도는 히터(944)의 가열에 의해 설정 온도로 조절된다. 또한, 인산 수용액에서 인산의 농도는 히터(944)의 가열에 의해 물이 증발됨으로써 조절된다.A pump 942 and a heater 944 are installed in the circulation line 940. The phosphoric acid aqueous solution in the housing 920 flows along the circulation line 940 and is heated by the heater 944. The temperature of the phosphoric acid aqueous solution is adjusted to the set temperature by heating the heater 944. Additionally, the concentration of phosphoric acid in the phosphoric acid aqueous solution is adjusted by evaporating water by heating by the heater 944.

인산 수용액에서 물의 증발은 주로 하우징(920) 내에서 이루어진다. 하우징(920) 내에 저장된 인산 수용액은 물의 끊는점보다 높은 온도로 가열된 상태이므로 인산 수용액의 수면에서 물이 증발되고, 물의 증발에 의해 하우징(920) 내 압력이 올라가면 벤트 라인(970)을 통해서 수증기가 배출된다.Evaporation of water from the phosphoric acid aqueous solution occurs mainly within the housing 920. Since the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 920 is heated to a temperature higher than the boiling point of water, water evaporates from the surface of the phosphoric acid aqueous solution, and when the pressure within the housing 920 increases due to the evaporation of water, water vapor is released through the vent line 970. is discharged.

그러나 상술한 바와 같이 물의 증발이 인산 수용액의 수면에서만 이루어지므로 인산 수용액에서 인산의 농도가 설정 농도로 조절되기까지 많은 시간이 소요된다.However, as described above, since water evaporation occurs only on the surface of the phosphoric acid aqueous solution, it takes a long time to adjust the concentration of phosphoric acid in the phosphoric acid aqueous solution to the set concentration.

본 발명은 물의 증발에 의해 처리액의 농도를 조정하는 탱크 구조에서, 처리액의 농도 조절에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can shorten the time required to adjust the concentration of the processing liquid in a tank structure in which the concentration of the processing liquid is adjusted by evaporation of water.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 컵과 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐과 그리고 상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 처리액을 저장하는 탱크를 포함하고, 상기 탱크는, 내부에 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과 상기 하우징에 결합되어 상기 하우징 내부의 상기 처리액을 순환시키는 순환 라인 그리고 상기 탱크 내부의 분위기를 외부로 배기하는 배기 라인을 포함하며, 상기 순환 라인은, 처리액을 가열하는 히터 그리고, 상기 하우징의 내부까지 연장되고, 상기 하우징 내부로 가열된 상기 처리액을 분사하는 분사관을 포함하고, 상기 분사관은, 길이 방향을 따라 측면에 복수의 홀이 형성될 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a cup providing a processing space therein, a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate, a nozzle supplying a processing liquid to the substrate, and the nozzle. It includes a liquid supply unit that supplies the processing liquid, wherein the liquid supply unit includes a tank that stores the processing liquid, and the tank is coupled to the housing and a housing having a space therein for storing the processing liquid. It includes a circulation line for circulating the processing liquid inside the housing and an exhaust line for exhausting the atmosphere inside the tank to the outside, wherein the circulation line includes a heater for heating the processing liquid and extends to the inside of the housing, It may include a spray pipe that sprays the heated treatment liquid into the housing, and a plurality of holes may be formed on a side of the spray pipe along a longitudinal direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사관의 하단은, 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the injection pipe may be positioned higher than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사관의 하단은, 일부가 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the injection pipe may be partially positioned lower than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 복수의 홀들 중 일부는 상기 분사관에서 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치의 영역에 형성될 수 있다.According to one embodiment, some of the plurality of holes may be formed in an area of the spray pipe that is higher than the water surface of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 복수의 홀들 중 다른 일부는 상상기 분사관에서 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮은 위치의 영역에 형성될 수 있다.According to one embodiment, another part of the plurality of holes may be formed in an area of the upper jet pipe that is lower than the water surface of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액은, 약액과 물을 포함하고, 상기 히터는 물의 끊는점보다 높은 온도로 상기 처리액을 가열할 수 있다.According to one embodiment, the treatment liquid includes a chemical liquid and water, and the heater may heat the treatment liquid to a temperature higher than the boiling point of water.

일 실시 예에 의하면, 상기 하우징 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하고, 상기 가스 공급 라인은, 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치로 가스를 공급하도록 제공될 수 있다.According to one embodiment, the housing may further include a gas supply line supplying gas inside the housing, and the gas supply line may be provided to supply gas to a position higher than the water level of the processing liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 라인은, 복수의 가스 공급 홀을 포함하고, 상기 복수의 가스 공급 홀들 중 일부는, 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면 보다 낮은 위치에 제공되고, 다른 일부는 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치에 제공될 수 있다.According to one embodiment, the gas supply line includes a plurality of gas supply holes, some of the plurality of gas supply holes are provided at a position lower than the water surface of the processing liquid stored in the housing, and other parts are provided at a lower level than the water surface of the processing liquid stored in the housing. It may be provided at a position higher than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스의 온도는, 상온보다 높은 온도로 가열된 상태로 공급될 수 있다.According to one embodiment, the gas may be supplied heated to a temperature higher than room temperature.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스의 온도는, 가열된 상기 처리액의 온도와 같거나 더 높은 온도로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the temperature of the gas may be the same as or higher than the temperature of the heated processing liquid.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액은 인산 수용액일 수 있다.According to one embodiment, the treatment liquid may be an aqueous phosphoric acid solution.

또한, 본 발명은 액 공급 유닛을 포함한다. 액 공급 유닛은, 내부에 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과 상기 하우징에 결합되어 상기 하우징 내 처리액을 순환시키는 순환 라인 그리고, 상기 하우징 내부의 분위기를 외부로 배기하는 배기 라인을 포함하며, 상기 처리액은 약액과 물을 포함하고, 상기 순환 라인은, 상기 물의 끊는점보다 높은 온도로 처리액을 가열하는 히터 그리고, 상기 하우징의 내부까지 연장되고, 상기 하우징 내부로 가열된 상기 처리액을 분사하는 분사관을 포함하고, 상기 분사관은, 길이 방향을 따라 측면에 복수의 홀이 형성될 수 있다.Additionally, the present invention includes a liquid supply unit. The liquid supply unit includes a housing having a space inside to store the processing liquid, a circulation line coupled to the housing to circulate the processing liquid in the housing, and an exhaust line for exhausting the atmosphere inside the housing to the outside, The treatment liquid includes a chemical solution and water, and the circulation line includes a heater that heats the treatment liquid to a temperature higher than the boiling point of the water, and extends to the inside of the housing to supply the treatment liquid heated into the housing. It includes an injection pipe for spraying, and the injection pipe may have a plurality of holes formed on its side along the longitudinal direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사관의 하단은, 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the injection pipe may be positioned higher than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사관의 하단은, 일부가 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the lower end of the injection pipe may be partially positioned lower than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 하우징 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하고, 상기 가스 공급 라인은, 상기 하우징 내부의 상기 처리액의 수면보다 높은 위치로 가스를 공급하도록 제공될 수 있다.According to one embodiment, the device may further include a gas supply line supplying gas inside the housing, and the gas supply line may be provided to supply gas to a position higher than the water surface of the processing liquid inside the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 라인은, 복수의 가스 공급 홀을 포함하고, 상기 복수의 가스 공급 홀 중 일부는, 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면 보다 낮은 위치에 제공되고, 다른 일부는 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치에 제공될 수 있다.According to one embodiment, the gas supply line includes a plurality of gas supply holes, some of the plurality of gas supply holes are provided at a position lower than the water surface of the processing liquid stored in the housing, and other parts are provided at a lower level than the water surface of the processing liquid stored in the housing. It may be provided at a position higher than the water level of the treatment liquid stored in the housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스의 온도는, 가열된 상기 처리액과 같거나 더 높게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the temperature of the gas may be equal to or higher than that of the heated processing liquid.

본 발명의 일실시예에 의하면, 물의 증발에 의해 처리액의 농도를 조정하는 탱크 구조에서 처리액의 농도 조절에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the time required to adjust the concentration of the treatment liquid can be shortened in a tank structure in which the concentration of the treatment liquid is adjusted by evaporation of water.

또한, 가열된 처리액을 하우징 내에 분사함으로써 분사되는 처리액에 함유된 수분이 증발되는 시간을 단축할 수 있다.Additionally, by spraying the heated treatment liquid into the housing, the time for moisture contained in the sprayed treatment liquid to evaporate can be shortened.

또한, 분사관이 저장된 처리액의 수면보다 낮게 제공되어 가열된 처리액을 저장된 처리액에 공급함으로써 저장된 처리액의 온도가 상승하는 시간을 단축할 수 있다.In addition, the injection pipe is provided lower than the water surface of the stored treatment liquid, so that the heated treatment liquid is supplied to the stored treatment liquid, thereby shortening the time for the temperature of the stored treatment liquid to rise.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 일반적인 액 공급 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 히터의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 액 공급 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 4의 액 공급 유닛의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 액 공급 유닛의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 4의 가스 공급 유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 4의 하우징에서 인산 수용액과 가스의 흐름 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11과 도 12는 각각 액 공급 유닛과 액 처리 챔버의 결합 상태를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 13은 도 2의 액 처리 챔버의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 1 is a diagram schematically showing the structure of a general liquid supply unit.
Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 2.
Figure 4 is a diagram schematically showing a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the heater of FIG. 4.
FIG. 6 is a diagram schematically showing another embodiment of the liquid supply unit of FIG. 4.
FIG. 7 is a diagram schematically showing another embodiment of the liquid supply unit of FIG. 4.
FIG. 8 is a diagram schematically showing another embodiment of the liquid supply unit of FIG. 4.
FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the gas supply unit of FIG. 4.
FIG. 10 is a diagram schematically showing the flow paths of the phosphoric acid aqueous solution and gas in the housing of FIG. 4.
Figures 11 and 12 are diagrams schematically showing the combined state of the liquid supply unit and the liquid processing chamber, respectively.
FIG. 13 is a diagram schematically showing another embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 2.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is said to be “connected” or “connected” to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to that other component, but that other components may also exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "immediately between" or "neighboring" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the present application, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. .

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus includes an index module 10, a processing module 20, and a controller 30. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. And the direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is called the third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is stored to the processing module 20, and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80. Store it as The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). The container 80 is placed in the load port 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 is provided in the second direction 94 along the length of the index frame 14, and the index robot 120 can be moved on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 그리고 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200) 및 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The processing chamber 400 supplies liquid to the substrate W to perform a liquid treatment process on the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 복수 개 제공되며, 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may have its longitudinal direction oriented in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. A plurality of liquid processing chambers 400 are provided and may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be arranged along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 각각 배치된다. 반송 챔버(300)의 양측 각각에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to one example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, respectively. The liquid processing chambers 400 on each side of the transfer chamber 300 may be provided in an A You can.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 whose longitudinal direction is provided in the first direction 92 is provided within the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be able to move on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has open front and rear faces. The front side faces the index module 10, and the back side faces the transfer chamber 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 3은 도 2의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 노즐 유닛(460), 승강 유닛(480), 액 공급 유닛(1000), 그리고 제어기를 가진다.FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a nozzle unit 460, a lifting unit 480, a liquid supply unit 1000, and a controller. has

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 노즐 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. Cup 420, support unit 440, and nozzle unit 460 are disposed within housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 노즐 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed within the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The nozzle unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported on the support unit 440. Liquids are provided in multiple types and can be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, and 426. The recovery containers 422, 424, and 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process progresses, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each recovery container 422, 424, and 426. According to one example, the cup 420 has a first recovery container 422, a second recovery container 424, and a third recovery container 426. The first recovery container 422 is arranged to surround the support unit 440, the second recovery container 424 is arranged to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a, which flows liquid into the second recovery tank 424, is located above the first inlet 422a, which flows liquid into the first recovery tank 422, and the third recovery tank 426 The third inlet 426a, which introduces liquid, may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is provided in a generally circular shape and may have a larger diameter than the substrate (W). A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear side of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end of the support plate ( 442). A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not separate from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

노즐 유닛(460)은 제1노즐(462)과 제2노즐(464)을 가진다. 제1노즐(462)은 처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 처리액은 상온보다 높은 온도의 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 처리액은 인산 수용액일 수 있다. 인산 수용액은 인산과 물의 혼합액일 수 있다. 선택적으로 인산 수용액은 다른 물질을 더 함유할 수 있다. 예컨대, 다른 물질은 실리콘일 수 있다. 제2노즐(464)은 물을 기판(W) 상으로 공급한다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water)일 수 있다.The nozzle unit 460 has a first nozzle 462 and a second nozzle 464. The first nozzle 462 supplies the processing liquid onto the substrate (W). The treatment liquid may be a liquid with a temperature higher than room temperature. According to one example, the treatment liquid may be an aqueous phosphoric acid solution. The aqueous phosphoric acid solution may be a mixture of phosphoric acid and water. Optionally, the aqueous phosphoric acid solution may further contain other substances. For example, the other material may be silicone. The second nozzle 464 supplies water onto the substrate (W). The water can be pure water or deionized water.

제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 서로 상이한 아암(461)에 각각 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.The first nozzle 462 and the second nozzle 464 are each supported on different arms 461, and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 and the second nozzle 464 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

선택적으로 액 공급 유닛은 제1노즐(462)과 제2노즐(464) 이외에 하나 또는 복수의 노즐을 더 구비할 수 있다. 추가되는 노즐은 다른 종류의 처리액을 기판으로 공급할 수 있다. 예컨대, 다른 종류의 처리액은 기판 상에서 이물을 제거하기 위한 산 용액 또는 염기 용액일 수 있다. 또한, 다른 종류의 처리액은 표면장력이 물보다 낮은 알코올일 수 있다. 예컨대, 알코올은 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol)일 수 있다.Optionally, the liquid supply unit may further include one or more nozzles in addition to the first nozzle 462 and the second nozzle 464. Additional nozzles can supply different types of processing liquids to the substrate. For example, another type of treatment solution may be an acid solution or a base solution for removing foreign substances on the substrate. Additionally, another type of treatment liquid may be alcohol, which has a lower surface tension than water. For example, the alcohol may be isopropyl alcohol.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate (W) changes as the cup 420 moves up and down. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for recovering the processing liquid are changed depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so the liquids can be separated and recovered. Unlike what was described above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 can move the support unit 440 in the vertical direction.

액 공급 유닛(1000)은 처리액을 제1노즐(462)로 공급한다. 아래에서는 처리액이 인산 수용액인 경우를 예로 들어 설명한다.The liquid supply unit 1000 supplies the processing liquid to the first nozzle 462. Below, the case where the treatment liquid is an aqueous phosphoric acid solution will be explained as an example.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 액 공급 유닛(1000)은 탱크(1200)를 가진다. 탱크(1200) 처리액을 저장한다. 탱크(1200)는 하우징(1220) 및 순환 라인(1240)을 가진다.Figure 4 is a diagram schematically showing an example of a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the liquid supply unit 1000 has a tank 1200. Tank 1200 stores the treatment liquid. Tank 1200 has a housing 1220 and a circulation line 1240.

하우징(1220)은 직육면체 또는 원통 형상으로 제공된다. 하우징(1220)은 내부에 인산 수용액이 저장되는 공간을 가진다. 하우징(1220)에는 유입 라인(1420) 및 유출 라인(1440)이 연결된다. 유입 라인(1420) 및 유출 라인(1440)에는 각각 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인산 수용액은 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입된다. 인산 수용액은 기판 처리에 사용되는 설정 온도보다 낮은 온도로 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입될 수 있다. 또한, 인산 수용액은 기판 처리에 사용되는 인산의 설정 농도보다 낮은 농도로 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 유입될 수 있다. 선택적으로 인산 수용액은 설정 온도 및 설정 농도로 조절된 상태로 유입 라인(1420)을 통해서 하우징(1220) 내로 유입되고, 온도 및 농도가 조절된 처리액은 유출 라인(1440)을 통해서 하우징(1220)으로부터 외부로 공급된다. 상술한 예에서는 유출 라인(1400)이 하우징에 연결된 것으로 설명하였으나, 순환 라인(1240)에 연결될 수 있다.The housing 1220 is provided in a rectangular parallelepiped or cylindrical shape. The housing 1220 has a space inside where an aqueous phosphoric acid solution is stored. An inlet line 1420 and an outlet line 1440 are connected to the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the inlet line 1420 and the outlet line 1440, respectively. The phosphoric acid aqueous solution flows into the housing 1220 through the inlet line 1420. The phosphoric acid aqueous solution may be introduced into the housing 1220 through the inlet line 1420 at a temperature lower than the set temperature used for substrate processing. Additionally, the phosphoric acid aqueous solution may be introduced into the housing 1220 through the inflow line 1420 at a concentration lower than the set concentration of phosphoric acid used for substrate processing. Optionally, the phosphoric acid aqueous solution is adjusted to a set temperature and concentration and flows into the housing 1220 through the inlet line 1420, and the treatment solution whose temperature and concentration is adjusted is supplied to the housing 1220 through the outflow line 1440. supplied externally from In the above example, the outflow line 1400 is described as being connected to the housing, but it may be connected to the circulation line 1240.

하우징(1220)에는 폐액 라인(1460)이 연결된다. 폐액 라인(1460)에는 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인산 수용액을 일정 횟수 또는 일정 기간 재사용한 후 인산 수용액을 폐기할 때, 하우징(1220) 내의 인산 수용액은 폐액 라인(1460)을 통해 하우징(1220) 외부로 배출된다.A waste liquid line 1460 is connected to the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the waste liquid line 1460. When discarding the aqueous phosphoric acid solution after reusing it a certain number of times or for a certain period of time, the aqueous phosphoric acid solution in the housing 1220 is discharged to the outside of the housing 1220 through the waste line 1460.

하우징(1220)에는 인산 보충 라인(1482)과 물 보충 라인(1484)이 연결될 수 있다. 인산 보충 라인(1482) 및 물 보충 라인(1484)에는 각각 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인산 보충 라인(1482)은 하우징(1220) 내로 유입된 인산 수용액에 인산을 보충하고, 물 보충 라인(1484)은 하우징(1220) 내로 유입된 인산 수용액에 물을 보충할 수 있다. 인산 및 물의 보충은 하우징(1220) 내에 제공된 수위 측정 센서(1222)에 의해 측정된 인산 수용액의 수위에 기초하여 이루어질 수 있다. 선택적으로 인산 수용액을 일정 횟수 또는 일정 기간 재사용하고 인산 수용액을 하우징(1220)으로부터 배출한 후, 인산 및 물의 보충이 이루어질 수 있다. 인산 수용액에 실리콘이 함유된 경우, 실리콘 보충 라인(532)이 추가로 연결될 수 있다.A phosphoric acid replenishment line 1482 and a water replenishment line 1484 may be connected to the housing 1220. A valve (not shown) is installed in the phosphoric acid replenishment line 1482 and the water replenishment line 1484, respectively. The phosphoric acid replenishment line 1482 can replenish the phosphoric acid aqueous solution introduced into the housing 1220 with phosphoric acid, and the water replenishment line 1484 can replenish the phosphoric acid aqueous solution introduced into the housing 1220 with water. Replenishment of phosphoric acid and water may be made based on the level of the phosphoric acid aqueous solution measured by the level measurement sensor 1222 provided in the housing 1220. Optionally, after reusing the phosphoric acid aqueous solution a certain number of times or for a certain period of time and discharging the phosphoric acid aqueous solution from the housing 1220, phosphoric acid and water can be replenished. If the phosphoric acid aqueous solution contains silicon, a silicon replenishment line 532 may be additionally connected.

하우징(1220)에는 배기 라인(1490)이 연결된다. 배기 라인(1490)은 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액으로부터 증발된 수증기를 하우징(1220) 외부로 배기한다. 배기 라인(1490)은 하우징(1220)의 상면에 결합된다. 배기 라인(1490)은 다른 라인들에 비해 작은 직경으로 제공된다. 하우징(1220) 내부가 소정 압력 이상이 되는 경우, 하우징(1220) 내 가스는 배기 라인(1490)을 통해 배출될 수 있다.An exhaust line 1490 is connected to the housing 1220. The exhaust line 1490 exhausts water vapor evaporated from the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220 to the outside of the housing 1220. The exhaust line 1490 is coupled to the upper surface of the housing 1220. The exhaust line 1490 is provided with a smaller diameter than other lines. When the pressure inside the housing 1220 exceeds a predetermined pressure, gas within the housing 1220 may be discharged through the exhaust line 1490.

상술한 예에서는 폐액 라인(1460)과 유출 라인(1440)이 각각 하우징(1220)에 연결되는 것으로 도시하였다. 그러나 이와 달리 폐액 라인(1460)과 유출 라인(1440)은 순환 라인(1240)에 연결될 수 있다.In the above example, the waste liquid line 1460 and the outflow line 1440 are shown as being connected to the housing 1220, respectively. However, unlike this, the waste liquid line 1460 and the outflow line 1440 may be connected to the circulation line 1240.

하우징(1220)에는 순환 라인(1240)이 연결된다. 일 예에 의하면, 순환 라인(1240)의 일단은 입구(1240a)로 기능하며, 하우징(1220)의 저면에 결합된다. 순환 라인(1240)의 타단은 출구(1240b)로 기능하며, 하우징(1220) 내 인산 수용액 내에 침지된다. 선택적으로 순환 라인(1240)의 타단은 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높게 위치될 수 있다.A circulation line 1240 is connected to the housing 1220. According to one example, one end of the circulation line 1240 functions as an inlet 1240a and is coupled to the bottom of the housing 1220. The other end of the circulation line 1240 functions as an outlet 1240b and is immersed in the phosphoric acid aqueous solution in the housing 1220. Optionally, the other end of the circulation line 1240 may be positioned higher than the water surface 1224 of the aqueous phosphoric acid solution stored in the housing 1220.

순환 라인(1240)에는 펌프 유닛(1500) 및 히터 유닛(1600)이 장착된다. 펌프 유닛(1500)은 하우징(1220) 내의 인산 수용액이 순환 라인(1240) 내를 흐르도록 하는 유동압을 제공한다. 히터 유닛(1600)은 순환 라인(1240) 내를 흐르는 인산 수용액을 가열한다. 일 예에 의하면, 히터 유닛(1600)은 인산 수용액이 설정 온도로 가열되도록 제어된다. 설정 온도는 약 150℃ 내지 180℃ 일 수 있다. 순환 라인(1240)에는 입구 밸브(V1)와 출구 밸브(V2)가 설치될 수 있다.A pump unit 1500 and a heater unit 1600 are mounted on the circulation line 1240. The pump unit 1500 provides fluid pressure to cause the aqueous phosphoric acid solution in the housing 1220 to flow in the circulation line 1240. The heater unit 1600 heats the phosphoric acid aqueous solution flowing in the circulation line 1240. According to one example, the heater unit 1600 is controlled to heat the phosphoric acid aqueous solution to a set temperature. The set temperature may be about 150°C to 180°C. An inlet valve (V1) and an outlet valve (V2) may be installed in the circulation line 1240.

도 5는 히터 유닛(1600)의 일 예를 보여준다. 도 5를 참조하면, 히터 유닛(1600)은 바디(1620) 및 히터(1640)를 가진다. 히터(1640)는 바디(1620) 내부에 위치된다. 바디(1620)에는 제1포트(1622)와 제2포트(1624)가 제공된다. 인산 수용액은 제1포트(1622)를 통해 히터 유닛(1600)의 내부로 유입되고, 제2포트(1624)를 통해 히터 유닛(1600)으로부터 외부로 유출된다. 바디(1620)의 내부에는 인산 수용액이 흐르는 유로(1660)가 형성된다. 유로(1660)는 제1포트(1622) 및 제2포트(1624)와 연결된다. 일 예에 의하면, 유로(1660)는 유입로(1662), 유출로(1664), 그리고 연결로(1666)로 이루어질 수 있다. 유입로(1662)의 일단에 제1포트(1622)가 위치되고, 유출로(1664)의 일단에 제2포트(1624)와 위치된다. 연결로(1666)는 유입로(1662)와 유출로(1664)를 연결한다. 유입로(1662)와 유출로(1664)는 서로 대향되게 제공될 수 있다. 유입로(1662)와 유출로(1664)는 서로 평행하고 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다. 히터(1640)는 유입로(1662), 유출로(1664), 그리고 연결로(1666)로 둘러싸여진 공간에 위치될 수 있다. 히터 유닛(1600)의 구조는 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다.Figure 5 shows an example of the heater unit 1600. Referring to FIG. 5, the heater unit 1600 has a body 1620 and a heater 1640. Heater 1640 is located inside the body 1620. The body 1620 is provided with a first port 1622 and a second port 1624. The phosphoric acid aqueous solution flows into the heater unit 1600 through the first port 1622 and flows out of the heater unit 1600 through the second port 1624. A flow path 1660 through which an aqueous phosphoric acid solution flows is formed inside the body 1620. The flow path 1660 is connected to the first port 1622 and the second port 1624. According to one example, the flow path 1660 may be composed of an inflow path 1662, an outlet path 1664, and a connection path 1666. A first port 1622 is located at one end of the inflow passage 1662, and a second port 1624 is located at one end of the outlet passage 1664. The connection path 1666 connects the inflow path 1662 and the outlet path 1664. The inflow path 1662 and the outlet path 1664 may be provided opposite to each other. The inlet 1662 and the outlet 1664 may be located parallel to each other and spaced apart from each other by a certain distance. The heater 1640 may be located in a space surrounded by the inflow path 1662, the outlet path 1664, and the connection path 1666. The structure of the heater unit 1600 is not limited to this and may be changed in various ways.

도 6은 도 4의 순환 라인의 일 실시예를 보여주는 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing one embodiment of the circulation line of FIG. 4.

도 6을 참조하면, 순환 라인(1240) 중 하우징(1220)의 내측으로 돌출된 부분을 분사관(1700)이라 한다. 분사관(1700)은 하우징(1220)의 내부에 가열된 인산 수용액을 분사한다. 분사관(1700)의 하단은 하우징(1220)에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치에 제공될 수 있다. 분사관(1700)은 분사되는 인산 수용액이 하우징(1220)의 내부에 비산되도록 길이 방향을 따라 측면에 복수의 분사홀(1720)들이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the portion of the circulation line 1240 that protrudes inside the housing 1220 is called the injection pipe 1700. The spray pipe 1700 sprays a heated aqueous phosphoric acid solution into the interior of the housing 1220. The lower end of the injection pipe 1700 may be provided at a higher position than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220. The injection pipe 1700 may have a plurality of injection holes 1720 formed on the side along the length of the injection pipe 1700 so that the sprayed phosphoric acid aqueous solution scatters inside the housing 1220.

이와 달리 도 7에 도시된 바와 같이, 분사관(1700)은 하단 일부가 하우징(1220)에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 낮은 위치에 제공될 수 있다. 이때, 복수의 분사홀(1720)들 중 일부는 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치에 형성되고, 다른 일부는 인산 수용액의 수면(1224)보다 낮은 위치에 형성될 수 있다.In contrast, as shown in FIG. 7, the lower part of the injection pipe 1700 may be provided in a position lower than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220. At this time, some of the plurality of injection holes 1720 may be formed at a position higher than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution, and other parts may be formed at a position lower than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution.

도 8은 도 4의 가스 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing one embodiment of the gas supply unit of FIG. 4.

도 8을 참조하면, 하우징(1220)에는 가스 공급 라인(1800)이 연결된다. 가스 공급 인(1800)에서는 하우징(1220)의 내부로 가스가 분사된다. 가스 공급 라인(1800)에는 가스 밸브(V3)가 장착된다. 가스는 하우징(1220) 내에서 인산 수용액 내에 함유된 물의 증발을 촉진시킨다. 가스는 저습도 가스로 제공될 수 있다. 가스는 질소(N2), 공기(air) 중 하나일 수 있다. 선택적으로 가스는 다른 기체를 더 함유할 수 있다. 공급되는 가스의 온도는 물이 증발될 수 있는 온도보다 높은 온도로 제공될 수 있다. 다른 예로, 순환 라인(1240)에서 가열된 인산 수용액의 온도와 같거나 더 높은 온도로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(1800)의 토출단은 하우징(1220) 내부에 위치될 수 있다. 가스 공급 라인(1800)은 길이 방향으로 복수의 가스 공급 홀(1820)이 형성될 수 있다. 가스 공급 라인의 토출단은 수면보다 높게 위치될 수 있다.Referring to FIG. 8, a gas supply line 1800 is connected to the housing 1220. In the gas supply unit 1800, gas is injected into the interior of the housing 1220. A gas valve (V3) is mounted on the gas supply line 1800. The gas promotes evaporation of water contained in the phosphoric acid aqueous solution within the housing 1220. The gas may be provided as a low humidity gas. The gas may be either nitrogen (N2) or air. Optionally the gas may further contain other gases. The temperature of the supplied gas may be higher than the temperature at which water can evaporate. As another example, it may be provided at a temperature equal to or higher than the temperature of the aqueous phosphoric acid solution heated in the circulation line 1240. The discharge end of the gas supply line 1800 may be located inside the housing 1220. The gas supply line 1800 may have a plurality of gas supply holes 1820 formed in the longitudinal direction. The discharge end of the gas supply line may be located higher than the water surface.

또 다른 예로, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 가스 공급 홀(1820)들 중 일부는 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치에 제공되고 다른 일부는 인산 수용액의 수면(1224)보다 낮은 위치에 제공될 수 있다.As another example, as shown in FIG. 9, some of the plurality of gas supply holes 1820 are provided at a position higher than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution, and other parts are provided at a position lower than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution. can be provided.

또한, 도시되지 않았으나 하우징(1220)에는 인산 수용액에서 인산의 농도를 측정하는 농도계 및 인산 수용액의 온도를 측정하는 온도계가 설치될 수 있다.In addition, although not shown, a densitometer for measuring the concentration of phosphoric acid in an aqueous phosphoric acid solution and a thermometer for measuring the temperature of the aqueous phosphoric acid solution may be installed in the housing 1220.

농도계 및 온도계는 하우징(1220) 또는 순환 라인(1240)에 설치될 수 있다.The densitometer and thermometer may be installed in the housing 1220 or the circulation line 1240.

액 공급 유닛(1000)에 설치된 밸브들(V1, V2, V3)은 제어기(1900)에 의해 제어된다.The valves V1, V2, and V3 installed in the liquid supply unit 1000 are controlled by the controller 1900.

도 10은 도 4의 하우징에서 인산 수용액과 가스의 흐름 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 10에서 실선으로 표시된 화살표는 인산 수용액의 흐름 경로를 보여주고, 점선으로 표시된 화살표는 가스의 흐름 경로를 보여준다.FIG. 10 is a diagram schematically showing the flow paths of the phosphoric acid aqueous solution and gas in the housing of FIG. 4. In FIG. 10, the solid arrow shows the flow path of the phosphoric acid aqueous solution, and the dotted arrow shows the gas flow path.

초기에 유입 라인(1420)을 통해 하우징(1220) 내로 인산 수용액이 공급된다. 초기에 공급되는 인산 수용액은 공정에 사용되는 공정 온도보다 낮은 온도일 수 있다. 일 예로 인산 수용액의 공정 온도는 약 150℃ 내지 180℃이고, 초기에 하우징(1220) 내로 공급되는 인산 수용액은 상온일 수 있다. 또한, 인산 수용액에서 인산의 공정 농도는 약 85% ~ 95%이고, 초기에 하우징(1220)에 공급되는 인산 수용액에서 인산의 농도는 약 70% ~ 80%일 수 있다.Initially, an aqueous phosphoric acid solution is supplied into the housing 1220 through the inlet line 1420. The initially supplied phosphoric acid aqueous solution may be at a lower temperature than the process temperature used in the process. For example, the processing temperature of the phosphoric acid aqueous solution is about 150°C to 180°C, and the phosphoric acid aqueous solution initially supplied into the housing 1220 may be at room temperature. Additionally, the process concentration of phosphoric acid in the aqueous phosphoric acid solution may be about 85% to 95%, and the concentration of phosphoric acid in the aqueous phosphoric acid solution initially supplied to the housing 1220 may be about 70% to 80%.

하우징(1220) 내로 공급된 인산 수용액은 순환 라인(1240)을 통해 순환되면서 히터 유닛(1600)에 의해 공정 온도로 가열된다. 그리고 가스 공급 라인(1800)에 설치된 가스 밸브(V3)가 개방되면서 하우징(1220)의 내부로 가스가 유입된다. 순환 라인(1240)에서 가열된 인산 수용액은 복수의 분사홀(1720)들을 통해 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치에서 비산된다.The phosphoric acid aqueous solution supplied into the housing 1220 is circulated through the circulation line 1240 and heated to the process temperature by the heater unit 1600. Then, the gas valve V3 installed in the gas supply line 1800 is opened and gas flows into the housing 1220. The aqueous phosphoric acid solution heated in the circulation line 1240 is sprayed at a higher position than the water surface 1224 of the aqueous phosphoric acid solution stored in the housing 1220 through the plurality of spray holes 1720.

하우징(1220) 내에서 인산 수용액은 물의 끓는점보다 높으므로, 인산 수용액에서 물이 증발되고, 물이 증발됨에 따라 인산 수용액 내 인산의 농도가 높아진다.Since the aqueous phosphoric acid solution in the housing 1220 is higher than the boiling point of water, water evaporates from the aqueous phosphoric acid solution, and as the water evaporates, the concentration of phosphoric acid in the aqueous phosphoric acid solution increases.

물의 증발로 인해 하우징(1220) 내의 압력이 증가하면, 하우징(1220) 내 상부 영역의 수증기 및 가스는 벤트 라인(1400)을 통해 배출된다. 탱크(1200)에서 인산 수용액의 온도 및 농도가 조절되면, 인산 수용액은 유출 라인(1440)을 통해 기판으로 공급된다. 하우징(1220) 내에서 인산 수용액의 수면(1224)이 설정치보다 낮은 경우 인산 보충 라인(1482)과 물 보충 라인(1484)을 통해서 인산 또는 물이 보충될 수 있다.When the pressure in the housing 1220 increases due to evaporation of water, water vapor and gas in the upper region of the housing 1220 are discharged through the vent line 1400. When the temperature and concentration of the phosphoric acid aqueous solution are adjusted in the tank 1200, the phosphoric acid aqueous solution is supplied to the substrate through the outflow line 1440. If the water level 1224 of the phosphoric acid aqueous solution within the housing 1220 is lower than the set value, phosphoric acid or water can be replenished through the phosphoric acid replenishment line 1482 and the water replenishment line 1484.

도 11과 도 12는 각각 액 공급 유닛과 액 처리 챔버의 결합 상태를 개략적으로 보여주는 도면들이다.FIGS. 11 and 12 are diagrams schematically showing the combined state of a liquid supply unit and a liquid processing chamber, respectively.

도 11에 도시된 바와 같이, 탱크(1200)의 하우징(1220)에 연결된 유입라인(1420)은 액 처리 챔버(400)에 직접 결합될 수 있다. 이 경우 액 처리 챔버(400)에서 기판 처리에 사용된 처리액은 탱크(1200)의 하우징(1220)에 직접 회수된다. 또한, 유출 라인(1440)은 액 처리 챔버(400)의 노즐에 직접 결합될 수 있다. 이 경우, 탱크(1200)에서 온도 및 농도가 조절된 인산 수용액은 유출 라인(1440)을 통해 노즐로 인산 수용액이 공급될 수 있다.As shown in FIG. 11, the inflow line 1420 connected to the housing 1220 of the tank 1200 may be directly coupled to the liquid processing chamber 400. In this case, the processing liquid used to process the substrate in the liquid processing chamber 400 is directly recovered into the housing 1220 of the tank 1200. Additionally, the outlet line 1440 may be directly coupled to the nozzle of the liquid processing chamber 400. In this case, the phosphoric acid aqueous solution whose temperature and concentration are controlled in the tank 1200 may be supplied to the nozzle through the outflow line 1440.

또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 액 처리 챔버(400)에서 기판 처리에 사용된 처리액은 회수 탱크(5001)로 직접 회수되고, 이후에 회수 탱크(5001)로부터 탱크(1200)로 유입 라인(1420)을 통해서 처리액이 유입될 수 있다. 또한, 탱크(1200)에서 온도 및 농도가 조절된 인산 수용액은 유출 라인(1440)을 통해 버퍼 탱크(5002)로 공급되고, 이후에 버퍼 탱크(5002)로부터 노즐로 인산 수용액이 공급될 수 있다. 회수 탱크(5001)와 버퍼 탱크(5002) 중 어느 하나, 또는 회수 탱크(5001)와 버퍼 탱크(5002)는 탱크(1200)와 동일 또는 유사한 구조로 제공될 수 있다. 농도가 조절된 인산 수용액은 액 처리 챔버(400)의 노즐로 직접 공급된다.In addition, as shown in FIG. 12, the processing liquid used for substrate processing in the liquid processing chamber 400 is directly recovered to the recovery tank 5001, and is then transferred through an inflow line from the recovery tank 5001 to the tank 1200. Processing liquid may flow in through (1420). Additionally, the phosphoric acid aqueous solution whose temperature and concentration are adjusted in the tank 1200 may be supplied to the buffer tank 5002 through the outflow line 1440, and then the phosphoric acid aqueous solution may be supplied from the buffer tank 5002 to the nozzle. Either of the recovery tank 5001 and the buffer tank 5002, or the recovery tank 5001 and the buffer tank 5002 may be provided with the same or similar structure as the tank 1200. The phosphoric acid aqueous solution whose concentration is adjusted is directly supplied to the nozzle of the liquid treatment chamber 400.

상술한 예에서는 탱크(1200)에 저장된 처리액이 인산 수용액인 것으로 예를 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리, 탱크(1200)에 저장된 처리액은 물을 포함하고 물의 증발에 의해 농도를 조절하는 다른 종류의 처리액일 수 있다.In the above example, it is explained that the treatment liquid stored in the tank 1200 is an aqueous phosphoric acid solution. However, unlike this, the treatment liquid stored in the tank 1200 may be another type of treatment liquid that contains water and whose concentration is adjusted by evaporation of water.

상술한 예에서는 액 처리 챔버(400)가 낱장의 기판(W)을 액 처리하는 매엽식인 것으로 설명하였으나, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수개의 기판(W)들을 동시에 액 처리할 수 있는 배치식 액 처리 챔버(500)로 제공될 수 있다.In the above-mentioned example, the liquid processing chamber 400 was described as a single wafer type for liquid processing a single substrate W. However, as shown in FIG. 13, it is a batch type capable of liquid processing a plurality of substrates W simultaneously. It may be provided as a liquid processing chamber 500.

이상에서 설명한 바에 따르면, 도 6에 도시된 바와 같이, 인산 수용액이 하우징(1220) 내에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 곳에서 비산되어 물의 대기 접촉면이 증가하여 물이 증발되는 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.According to the above description, as shown in FIG. 6, the phosphoric acid aqueous solution is scattered higher than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220, thereby increasing the air contact surface of the water and shortening the time for water to evaporate. There is a possible effect.

또한, 가스 공급 라인(1800)으로부터 습도가 낮은 기체가 지속적으로 유입됨으로 써 하우징(1220) 내부의 인산 수용액에서 인산의 농도 조절에 소요되는 시간이 단축되는 효과가 있다.In addition, the continuous flow of low-humidity gas from the gas supply line 1800 has the effect of shortening the time required to adjust the concentration of phosphoric acid in the phosphoric acid aqueous solution inside the housing 1220.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 분사홀(1720)들이 하우징(1220)에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치뿐만 아니라 수면(1224)보다 낮은 위치에도 형성되어 순환 라인(1240)에서 가열된 인산 수용액이 저장된 인산 수용액에 분사되어 인산 수용액의 유동이 활발해지므로 인산 수용액 온도 상승속도가 빨라져 물의 기화현상을 가속화할 수 있는 효과가 있다. In addition, as shown in FIG. 7, a plurality of injection holes 1720 are formed not only at a position higher than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220 but also at a position lower than the water surface 1224 to circulate the circulation line 1240. ), the heated aqueous phosphoric acid solution is sprayed onto the stored aqueous phosphoric acid solution, thereby making the flow of the aqueous phosphoric acid solution more active, which has the effect of accelerating the temperature rise of the aqueous phosphoric acid solution and accelerating the vaporization phenomenon of water.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 가스 공급 홀(1820)들이 하우징(1220)에 저장된 인산 수용액의 수면(1224)보다 높은 위치뿐만 아니라 수면(1224)보다 낮은 위치에도 형성되어 수면(1224) 위에서 비산되는 인산 수용액의 수분을 효과적으로 제거하는 동시에, 수면(1224) 아래에서 인산 수용액을 버블링할 수 있어 저장된 인산 수용액의 기액 계면의 면적을 증가시켜 인산 수용액을 효율적으로 증발시킬 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9, gas supply holes 1820 are formed not only at a position higher than the water surface 1224 of the phosphoric acid aqueous solution stored in the housing 1220 but also at a position lower than the water surface 1224, so that gas supply holes 1820 are formed above the water surface 1224. In addition to effectively removing moisture from the scattering aqueous phosphoric acid solution, the aqueous phosphoric acid solution can be bubbled under the water surface 1224, thereby increasing the area of the gas-liquid interface of the stored aqueous phosphoric acid solution, thereby efficiently evaporating the aqueous phosphoric acid solution.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above-described content shows and explains preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

400 : 액 처리 챔버
500 : 액 처리 챔버
1000 : 액 공급 유닛
1220 : 하우징
1240 : 순환 라인
1700 : 분사관
1720 : 분사홀
1800 : 가스 공급 라인
1820 : 가스 공급 홀400: Liquid processing chamber
500: Liquid processing chamber
1000: Liquid supply unit
1220: housing
1240: circulation line
1700: injection pipe
1720: Spray hole
1800: Gas supply line
1820: Gas Supply Hall

Claims (17)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 컵과;
상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과;
상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐과; 그리고
상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 저장하는 탱크를 포함하고,
상기 탱크는,
내부에 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과;
상기 하우징에 결합되어 저장된 상기 처리액을 순환시키는 순환 라인; 그리고
상기 탱크 내부의 분위기를 외부로 배기하는 배기 라인을 포함하며,
상기 순환 라인은,
상기 처리액을 가열하는 히터; 그리고,
상기 하우징의 내부까지 연장되고, 상기 하우징 내부로 가열된 상기 처리액을 분사하는 분사관을 포함하고,
상기 분사관은,
길이 방향을 따라 측면에 복수의 홀이 형성된 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a cup providing a processing space therein;
a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate;
a nozzle supplying a processing liquid to the substrate; and
Includes a liquid supply unit that supplies the processing liquid to the nozzle,
The liquid supply unit,
Includes a tank for storing the treatment liquid,
The tank is,
a housing having a space inside to store a treatment liquid;
a circulation line coupled to the housing and circulating the stored treatment liquid; and
It includes an exhaust line that exhausts the atmosphere inside the tank to the outside,
The circulation line is,
a heater that heats the treatment liquid; and,
It extends to the inside of the housing and includes a spray pipe that sprays the heated treatment liquid into the inside of the housing,
The injection pipe is,
A substrate processing device in which a plurality of holes are formed on the side along the longitudinal direction. 제 1항에 있어서,
상기 분사관의 하단은,
상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.According to clause 1,
The bottom of the injection pipe is,
A substrate processing device positioned higher than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제 1항에 있어서,
상기 분사관의 하단은,
일부가 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮게 위치되는 기판 처리 장치.According to clause 1,
The bottom of the injection pipe is,
A substrate processing device, a portion of which is positioned lower than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제3항에 있어서,
상기 복수의 홀들 중 일부는,
상기 분사관에서 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치의 영역에 형성되는 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
Some of the plurality of holes are,
A substrate processing device formed in an area of the injection pipe higher than the water surface of the processing liquid stored in the housing. 제4항에 있어서,
상기 복수의 홀들 중 다른 일부는,
상기 분사관에서 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮은 위치의 영역에 형성되는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
Some of the plurality of holes are,
A substrate processing device formed in an area of the injection pipe lower than the water surface of the processing liquid stored in the housing. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 처리액은,
약액과 물을 포함하고, 상기 히터는 물의 끊는점보다 높은 온도로 상기 처리액을 가열하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
The treatment solution is,
A substrate processing device comprising a chemical solution and water, wherein the heater heats the processing solution to a temperature higher than the boiling point of water. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 하우징 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하고,
상기 가스 공급 라인은,
상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치로 가스를 공급하도록 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
Further comprising a gas supply line supplying gas into the housing,
The gas supply line is,
A substrate processing device provided to supply gas to a position higher than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제 7항에 있어서,
상기 가스 공급 라인은,
복수의 가스 공급 홀을 포함하고,
상기 복수의 가스 공급 홀들 중 일부는,
상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면 보다 낮은 위치에 제공되고,
다른 일부는 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치에 제공되는 기판 처리 장치.According to clause 7,
The gas supply line is,
Includes a plurality of gas supply holes,
Some of the plurality of gas supply holes are,
Provided at a position lower than the water surface of the treatment liquid stored in the housing,
Another part is a substrate processing device provided at a position higher than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제 7항에 있어서,
상기 가스의 온도는,
상온보다 높은 온도로 가열된 상태로 공급되는 기판 처리 장치.According to clause 7,
The temperature of the gas is,
A substrate processing device that is supplied heated to a temperature higher than room temperature. 제 7항에 있어서,
상기 가스의 온도는,
가열된 상기 처리액의 온도와 같거나 더 높은 온도로 제공되는 기판 처리 장치.According to clause 7,
The temperature of the gas is,
A substrate processing device provided at a temperature equal to or higher than the temperature of the heated processing liquid. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 처리액은 인산 수용액인 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing device wherein the processing liquid is an aqueous phosphoric acid solution. 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛에 있어서,
내부에 처리액이 저장되는 공간을 가지는 하우징과;
상기 하우징에 결합되어 상기 하우징 내부의 처리액을 순환시키는 순환 라인; 그리고,
상기 하우징 내부의 분위기를 외부로 배기하는 배기 라인을 포함하며,
상기 처리액은 약액과 물을 포함하고,
상기 순환 라인은,
상기 물의 끊는점보다 높은 온도로 처리액을 가열하는 히터; 그리고,
상기 하우징의 내부까지 연장되고, 상기 하우징 내부로 가열된 상기 처리액을 분사하는 분사관을 포함하고,
상기 분사관은,
길이 방향을 따라 측면에 복수의 홀이 형성된 액 공급 유닛.In a liquid supply unit that supplies a processing liquid to a substrate,
a housing having a space inside to store a treatment liquid;
a circulation line coupled to the housing to circulate the treatment liquid inside the housing; and,
It includes an exhaust line that exhausts the atmosphere inside the housing to the outside,
The treatment solution includes a chemical solution and water,
The circulation line is,
a heater that heats the treatment liquid to a temperature higher than the boiling point of water; and,
It extends to the inside of the housing and includes a spray pipe that sprays the heated treatment liquid into the inside of the housing,
The injection pipe is,
A liquid supply unit with a plurality of holes formed on the side along the longitudinal direction. 제 12항에 있어서,
상기 분사관의 하단은,
상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높게 위치되는 액 공급 유닛.According to clause 12,
The bottom of the injection pipe is,
A liquid supply unit positioned higher than the water level of the treatment liquid stored in the housing. 제 12항에 있어서,
상기 분사관의 하단은,
일부가 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 낮게 위치되는 액 공급 유닛.According to clause 12,
The bottom of the injection pipe is,
A liquid supply unit, a portion of which is positioned lower than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하고,
상기 가스 공급 라인은,
상기 하우징 내부의 상기 처리액의 수면보다 높은 위치로 가스를 공급하도록 제공되는 액 공급 유닛.According to any one of claims 12 to 14,
Further comprising a gas supply line supplying gas into the housing,
The gas supply line is,
A liquid supply unit provided to supply gas to a position higher than the water surface of the processing liquid inside the housing. 제 15항에 있어서,
상기 가스 공급 라인은,
복수의 가스 공급 홀을 포함하고,
상기 복수의 가스 공급 홀 중 일부는,
상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면 보다 낮은 위치에 제공되고,
다른 일부는 상기 하우징에 저장된 상기 처리액의 수면보다 높은 위치에 제공되는 액 공급 유닛.According to clause 15,
The gas supply line is,
Includes a plurality of gas supply holes,
Some of the plurality of gas supply holes are,
Provided at a position lower than the water surface of the treatment liquid stored in the housing,
Another part is a liquid supply unit provided at a position higher than the water level of the processing liquid stored in the housing. 제 15항에 있어서,
상기 가스의 온도는,
가열된 상기 처리액과 같거나 더 높게 제공되는 액 공급 유닛.According to clause 15,
The temperature of the gas is,
A liquid supply unit provided at a level equal to or higher than the heated treatment liquid.

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