KR20230149548A - Substrate processing apparatus and method of processing substrate - Google Patents

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KR20230149548A KR1020220048891A KR20220048891A KR20230149548A KR 20230149548 A KR20230149548 A KR 20230149548A KR 1020220048891 A KR1020220048891 A KR 1020220048891A KR 20220048891 A KR20220048891 A KR 20220048891A KR 20230149548 A KR20230149548 A KR 20230149548A
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process chamber
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손효수
송병호
전호진
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 반응 공간을 포함하고, 그 일측에 기판의 입출입을 위한 게이트부가 형성된, 공정 챔버와, 상기 반응 공간 내에 구비되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 안착면을 포함하는 기판 지지부와, 상기 반응 공간으로 공정 가스를 분사하기 위해서 상기 기판 지지부에 대향되게 설치되는 가스 분사부와, 상기 게이트를 개폐하기 위한 게이트 밸브와, 상기 기판 안착면에 상기 기판이 안착된 상태에서 상기 게이트 밸브를 개방하거나 또는 닫을 때, 상기 기판 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 상기 기판 안착면이 상기 게이트부보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes a process chamber including a reaction space therein and a gate portion formed on one side of the reaction space for entry and exit of a substrate, and a substrate placement provided in the reaction space and supporting the substrate. A substrate support portion including a surface, a gas injection portion installed opposite the substrate support portion to inject process gas into the reaction space, a gate valve for opening and closing the gate, and the substrate being seated on the substrate seating surface. In order to reduce particles falling onto the substrate when opening or closing the gate valve in the closed state, it includes a control unit that controls the height of the substrate support unit so that the substrate seating surface is located at a standby position higher than the gate unit. do.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and method of processing substrate}Substrate processing apparatus and method of processing substrate}

본 발명은 반도체 제조에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing, and more specifically to a substrate processing device and a substrate processing method.

반도체 소자의 제조를 위해서, 기판 처리 장치가 기판 상에 박막 형성을 위해서 이용된다. 하지만, 기판 처리 장치에서 기판 처리 시 기판 상에 파티클들(particles)이 낙하될 수 있고, 이러한 파티클들은 반도체 소자의 불량을 초래할 수 있다. For the manufacture of semiconductor devices, a substrate processing device is used to form a thin film on a substrate. However, when processing a substrate in a substrate processing apparatus, particles may fall on the substrate, and these particles may cause defects in semiconductor devices.

최근, 기판 처리 후 기판 상에 파티클들이 다수 발생하고 있고, 이러한 파티클들은 기판 처리 장치에서 기판의 인입 또는 인출을 위한 게이트부에 몰려 있는 것이 발견되었다. 이에 따라서, 게이트부 주변에 생성되는 기판 상의 파티클을 줄일 필요가 있다.Recently, it has been discovered that a large number of particles are being generated on a substrate after substrate processing, and that these particles are concentrated in a gate portion for entering or exiting a substrate in a substrate processing device. Accordingly, there is a need to reduce particles on the substrate generated around the gate portion.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 상의 파티클 발생을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve the above-described problems and aims to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can reduce the generation of particles on a substrate. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 반응 공간을 포함하고, 그 일측에 기판의 입출입을 위한 게이트부가 형성된, 공정 챔버와, 상기 반응 공간 내에 구비되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 안착면을 포함하는 기판 지지부와, 상기 반응 공간으로 공정 가스를 분사하기 위해서 상기 기판 지지부에 대향되게 설치되는 가스 분사부와, 상기 게이트부를 개폐하기 위한 게이트 밸브와, 상기 기판 안착면에 상기 기판이 안착된 상태에서 상기 게이트 밸브를 개방하거나 또는 닫을 때, 상기 기판 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 상기 기판 안착면이 상기 게이트부보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention for solving the above problem includes a process chamber including a reaction space therein and a gate portion formed on one side of the process chamber for entry and exit of a substrate, and a process chamber provided in the reaction space and processing the substrate. a substrate support portion including a substrate seating surface for supporting a substrate support portion, a gas injection portion installed opposite the substrate support portion to inject process gas into the reaction space, a gate valve for opening and closing the gate portion, and the substrate seating portion. In order to reduce particles falling onto the substrate when opening or closing the gate valve with the substrate seated on the surface, the height of the substrate support portion is such that the substrate seating surface is located at a standby position higher than the gate portion. It includes a control unit that controls.

상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 제어부는 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 및 상기 공정 챔버로부터 기판을 인출하기 위해서 상기 게이트 밸브를 열 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, when the control unit closes the gate valve after introducing the substrate into the process chamber and when opening the gate valve to withdraw the substrate from the process chamber, the substrate seating surface is positioned at the standby position. The height of the substrate support can be controlled to ensure proper positioning.

상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 제어부는 상기 게이트 밸브가 개방된 후 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 시 상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되고 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 상기 홈 위치보다 높은 상기 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the control unit positions the substrate seating surface at a home position within the height of the gate portion when the substrate is introduced into the process chamber after the gate valve is opened, and operates the gate valve after the substrate is introduced. The height of the substrate support can be controlled so that it is positioned in the standby position, which is higher than the home position when closed.

상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판의 인출을 위해서 상기 게이트 밸브를 개방할 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되고 상기 기판의 인출 시 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치보다 낮은 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, when the control unit opens the gate valve to withdraw the substrate from the process chamber, the substrate seating surface is positioned at the standby position, and when the substrate is withdrawn, the substrate seating surface is positioned in the standby position. The height of the substrate support part may be controlled so that it is located at a home position within the height of the gate part, which is lower than the position.

상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 대기 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 2 갭은 상기 홈 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 1 갭보다 작을 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the second gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the standby position may be smaller than the first gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the home position. .

상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 대기 위치는 상기 기판을 처리하기 위한 공정 위치보다 낮고, 상기 공정 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 3 갭은 상기 대기 위치에서 상기 제 2 갭보다 작을 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the standby position is lower than a process position for processing the substrate, and the third gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the process position is the second gap at the standby position. It can be smaller than

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 관점에 따른 기판 처리 방법은, 내부에 반응 공간을 포함하고, 그 일측에 기판의 입출입을 위한 게이트부가 형성된 공정 챔버와, 상기 반응 공간 내에 구비되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 안착면을 포함하는 기판 지지부와, 상기 반응 공간으로 공정 가스를 분사하기 위해서 상기 기판 지지부에 대향되게 설치되는 가스 분사부와, 상기 게이트를 개폐하기 위한 게이트 밸브를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 안착면에 상기 기판이 안착된 상태에서 상기 게이트 밸브를 개방하거나 또는 닫을 때, 상기 기판 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 상기 기판 안착면이 상기 게이트부보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to another aspect of the present invention for solving the above problem includes a process chamber including a reaction space therein and a gate portion formed on one side for entry and exit of the substrate, and a process chamber provided in the reaction space and storing the substrate. A substrate processing apparatus including a substrate support portion including a substrate seating surface for support, a gas injection portion installed opposite the substrate support portion to inject process gas into the reaction space, and a gate valve for opening and closing the gate. A substrate processing method using a method in which the substrate seating surface is higher than the gate portion to reduce particles falling onto the substrate when opening or closing the gate valve while the substrate is seated on the substrate seating surface. and controlling the height of the substrate support so that it is positioned in a standby position.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계는, 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 수행할 수 있다.According to the substrate processing method, the step of controlling the height of the substrate support may be performed so that the substrate seating surface is positioned at the standby position when the gate valve is closed after the substrate is introduced into the process chamber.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 게이트 밸브가 개방된 상태에서 상기 공정 챔버 내로 상기 기판을 인입하는 단계를 포함하고, 상기 기판을 인입하는 단계는, 상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치된 상태에서, 상기 기판 지지부 상에 기판을 안착시키는 단계와, 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계와, 상기 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함할 수 있다.According to the substrate processing method, it includes the step of introducing the substrate into the process chamber in a state in which the gate valve is open, and the step of introducing the substrate includes the step of introducing the substrate into the groove position within the height of the gate portion. In the positioned state, it may include seating a substrate on the substrate support, controlling the height of the substrate support, and closing the gate valve.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 기판을 인입하는 단계 후, 상기 기판을 처리하는 단계를 포함할 수 있다.According to the substrate processing method, the step of processing the substrate may be included after the step of introducing the substrate.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 기판을 처리하는 단계 전에, 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치보다 높은 공정 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부를 상승시키는 단계를 포함할 수 있다.According to the substrate processing method, before processing the substrate, the method may include raising the substrate support so that the substrate seating surface is positioned at a process position higher than the standby position.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계는, 상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 인출하기 위해서 상기 게이트 밸브를 열 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 수행할 수 있다.According to the substrate processing method, the step of controlling the height of the substrate support may be performed so that the substrate seating surface is positioned at the standby position when the gate valve is opened to withdraw the substrate from the process chamber.

상기 기판 처리 방법에 따르면, 상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하고, 상기 인출하는 단계는, 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계와, 상기 게이트 밸브를 개방하는 단계와, 상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부를 하강시키는 단계와, 상기 기판 안착면 상의 상기 기판을 상기 게이트부를 통해서 상기 공정 챔버 외부로 이동시키는 단계와, 상기 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함할 수 있다.According to the substrate processing method, it includes the step of withdrawing the substrate from the process chamber, wherein the removing step includes controlling the height of the substrate support, opening the gate valve, and seating the substrate. lowering the substrate support unit so that the surface is positioned at a home position within the height of the gate unit, moving the substrate on the substrate seating surface out of the process chamber through the gate unit, and closing the gate valve. It can be included.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 기판 상의 파티클 발생을 줄일 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the substrate processing apparatus and substrate processing method according to an embodiment of the present invention as described above, the generation of particles on the substrate can be reduced. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 개략적인 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 개략도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도들이다.
도 8a는 비교예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서 기판 상의 파티클 발생을 보여주는 그래프이고, 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서 기판 상의 파티클 발생을 보여주는 그래프이다.1 to 3 are schematic cross-sectional views showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 to 7 are flowcharts showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8A is a graph showing particle generation on a substrate in a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a comparative example, and FIG. 8B is a graph showing particle generation on a substrate in a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 보여주는 개략적인 단면도들이다.1 to 3 are schematic cross-sectional views showing a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 가스 분사부(120), 기판 지지부(130) 및 제어부(190)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the substrate processing apparatus 100 may include a process chamber 110, a gas injection unit 120, a substrate support unit 130, and a control unit 190.

공정 챔버(110)는 내부에 기판(S)을 처리하기 위한 반응 공간(112)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(110)는 기밀을 유지하도록 구성되며, 반응 공간(112) 내 공정 가스를 배출하고 반응 공간(112) 내 진공도를 조절하도록 배기 배관(114)을 통해서 진공 펌프(미도시)에 연결될 수 있다. 공정 챔버(110)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 예컨대 반응 공간(112)을 한정하는 측벽부와 측벽부 상단에 위치하는 덮개부, 예컨대 탑리드(top lead)를 포함할 수 있다.The process chamber 110 may include a reaction space 112 therein for processing the substrate S. For example, the process chamber 110 is configured to maintain airtightness, and a vacuum pump (not shown) exhausts the process gas in the reaction space 112 and controls the degree of vacuum in the reaction space 112 through the exhaust pipe 114. ) can be connected to. The process chamber 110 may be provided in various shapes, and may include, for example, a side wall defining the reaction space 112 and a cover located on top of the side wall, for example, a top lead.

나아가, 공정 챔버(110)에는 그 일측에 기판(S)의 입출입을 위한 게이트부(114)가 형성될 수 있다. 이 게이트부(114)를 통해서 기판(S)이 공정 챔버(110) 내로 인입되거나 또는 공정 챔버(110)로부터 인출될 수 있다. 따라서, 게이트부(114)는 기판(S)이 이동되는 통로를 제공할 수 있다.Furthermore, a gate portion 114 for entry and exit of the substrate S may be formed on one side of the process chamber 110. The substrate S may be introduced into or taken out of the process chamber 110 through the gate portion 114 . Accordingly, the gate portion 114 may provide a passage through which the substrate S is moved.

부가적으로, 게이트 밸브(116)가 게이트부(114)를 개폐하기 위해서 제공될 수 있다. 예를 들어, 게이트 밸브(116)는 기판(S)의 인입 및 인출 시에는 개방되고, 기판(S)에 대한 처리 시에는 공정 챔버(110)의 밀봉을 위해서 닫혀 있을 수 있다. 게이트 밸브(116)는 수직 모션 또는 L 모션 등 다양한 방식으로 구동될 수 있다.Additionally, a gate valve 116 may be provided to open and close the gate portion 114. For example, the gate valve 116 may be open when the substrate S is introduced and withdrawn, and may be closed to seal the process chamber 110 when the substrate S is processed. The gate valve 116 may be driven in various ways, such as vertical motion or L motion.

가스 분사부(120)는 공정 챔버(110)의 외부로부터 공급된 공정 가스를 반응 공간(112)으로 공급하도록 공정 챔버(110)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 가스 분사부(120)는 반응 공간(112)으로 공정 가스를 분사하기 위해서 기판 지지부(130)에 대향되도록 설치될 수 있다. 나아가, 가스 분사부(120)는 기판 지지부(130) 상에 안착된 기판(S)에 공정 가스를 분사하도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치될 수 있다. The gas injection unit 120 may be coupled to the process chamber 110 to supply the process gas supplied from outside the process chamber 110 to the reaction space 112. For example, the gas injection unit 120 may be installed to face the substrate support 130 to inject process gas into the reaction space 112. Furthermore, the gas injection unit 120 may be installed at the upper part of the process chamber 110 to spray process gas on the substrate S seated on the substrate supporter 130.

일부 실시예들에서, 가스 분사부(120)는 샤워 헤드(shower head) 형태, 노즐(nozzle) 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 가스 분사부(120)가 샤워 헤드 형태인 경우, 가스 분사부(120)는 공정 챔버(110)의 상부를 부분적으로 덮는 형태로 공정 챔버(110)에 결합될 수도 있다. 예를 들어, 가스 분사부(120)는 공정 챔버(110)의 덮개부 또는 탑리드에 결합될 수 있다.In some embodiments, the gas injection unit 120 may have various shapes, such as a shower head shape or a nozzle shape. When the gas injection unit 120 is in the form of a shower head, the gas injection unit 120 may be coupled to the process chamber 110 in a form that partially covers the upper part of the process chamber 110. For example, the gas injection unit 120 may be coupled to the cover or top lid of the process chamber 110.

예를 들어, 가스 분사부(120)는 공정 가스가 인입되는 유입구(122)와, 공정 가스를 반응 공간(112) 내로 분사하기 위한 분사 플레이트(124)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 가스 분사부(120)는 유입구(122)를 통과한 공정 가스를 분산시키기 위한 블록커 플레이트(blocker plate)를 더 포함할 수도 있다.For example, the gas injection unit 120 may include an inlet 122 through which the process gas is introduced, and an injection plate 124 for spraying the process gas into the reaction space 112. Optionally, the gas injection unit 120 may further include a blocker plate for dispersing the process gas that has passed through the inlet 122.

기판 지지부(130)는 반응 공간(112) 내에서 기판(S)을 지지하도록 공정 챔버(110)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(130)는 가스 분사부(120)에 대향되게 공정 챔버(110)의 하부에 설치될 수 있다. 선택적으로, 기판 지지부(130)는 그 내부에 기판(S)을 가열하기 위한 히터(182)를 포함할 수 있다. 나아가, 히터(182)는 히터 전원부(미도시)로부터 전력을 인가받을 수 있다.The substrate support 130 may be coupled to the process chamber 110 to support the substrate S within the reaction space 112. For example, the substrate support unit 130 may be installed in the lower part of the process chamber 110 opposite to the gas injection unit 120. Optionally, the substrate support 130 may include a heater 182 therein for heating the substrate S. Furthermore, the heater 182 may receive power from a heater power supply unit (not shown).

기판 지지부(130)의 상판 형상은 대체로 기판(S)의 모양에 대응되나 이에 한정되지 않고 기판(S)을 안정적으로 안착시킬 수 있도록 기판(S)보다 크게 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(130)는 반응 공간(112) 내에 구비되고 기판(S)을 안착하기 위한 기판 안착면(132)을 포함할 수 있다.The shape of the upper plate of the substrate supporter 130 generally corresponds to the shape of the substrate S, but is not limited to this and may be provided in a variety of shapes larger than the substrate S so as to stably seat the substrate S. For example, the substrate support 130 may be provided in the reaction space 112 and include a substrate seating surface 132 for seating the substrate S.

기판 지지부(130)의 하부에는 샤프트(135)가 연결될 수 있다. 샤프트(15)는 승하강이 가능하도록 구동부(미도시)에 연결될 수 있으며, 이 경우 기밀 유지를 위하여 벨로우즈관(미도시)이 연결될 수도 있다. 나아가, 기판 지지부(130)는 그 위에 기판(S)을 안치하도록 구성되기 때문에, 기판 안착부, 기판 홀더, 서셉터 등으로 불릴 수도 있다. A shaft 135 may be connected to the lower part of the substrate supporter 130. The shaft 15 may be connected to a driving unit (not shown) to enable raising and lowering, and in this case, a bellows pipe (not shown) may be connected to maintain airtightness. Furthermore, since the substrate support portion 130 is configured to place the substrate S thereon, it may also be called a substrate seating portion, a substrate holder, a susceptor, etc.

일부 실시예에서, 플라즈마 전원부(미도시)가 공정 챔버(110) 내부의 반응 공간(12)에 플라즈마 분위기를 형성하기 위한 전력을 공급하도록 가스 분사부(120)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 전원부는 고주파(high frequency, HF) 전원 및/또는 저주파(low frequency, LF) 전원을 포함할 수 있다.In some embodiments, a plasma power source (not shown) may be connected to the gas injection unit 120 to supply power for forming a plasma atmosphere in the reaction space 12 inside the process chamber 110. For example, the plasma power source may include a high frequency (HF) power source and/or a low frequency (LF) power source.

제어부(190)는 기판 지지부(130)의 높이를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(190)는 기판 지지부(130)의 높이를 제어하기 위해서, 샤프트(135)에 연결된 구동부를 제어할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어부(190)는 기판 지지부(130) 외에 기판 처리 장치(100)를 전체적으로 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(190)는 게이트부(114)를 개폐시키기 위해서 게이트 밸브(116)를 제어할 수도 있다. 또한, 제어부(190)는 기판(S) 상에 공정 가스를 분사하기 위해서 가스 분사부(120)를 제어할 수 있다. 따라서, 제어부(190)는 기판 지지부(130)의 구동부를 제어하기 위한 구동 제어 유닛으로 기능하거나 또는 기판 처리 장치(100)를 전체적으로 제어하는 중앙 처리 유닛으로 기능할 수도 있다.The control unit 190 may control the height of the substrate support unit 130. For example, the control unit 190 may control a driving unit connected to the shaft 135 to control the height of the substrate support unit 130. In some embodiments, the control unit 190 may control the entire substrate processing apparatus 100 in addition to the substrate support unit 130. For example, the control unit 190 may control the gate valve 116 to open and close the gate unit 114. Additionally, the control unit 190 may control the gas injection unit 120 to spray the process gas on the substrate S. Accordingly, the control unit 190 may function as a driving control unit for controlling the driving unit of the substrate support unit 130 or as a central processing unit for overall control of the substrate processing apparatus 100.

본 발명자는 기판(S) 상의 파티클들이 공정 챔버(110) 내에서 상대적으로 온도가 낮은 게이트부(114) 근처에 몰려 있다는 점에서 게이트 밸브(116)의 개폐 시 이러한 파티클들이 낙하될 수 있다는 점에 주목하였다. 이에 따라, 본 발명의 실시예들에서, 기판(S) 상의 파티클들을 줄이기 위하여, 게이트 밸브(116)의 구동 시 기판 지지부(130)의 높이를 제어하였다.The present inventor believes that, given that the particles on the substrate S are concentrated near the gate portion 114, which has a relatively low temperature within the process chamber 110, these particles may fall when the gate valve 116 is opened and closed. I paid attention. Accordingly, in embodiments of the present invention, in order to reduce particles on the substrate S, the height of the substrate support 130 was controlled when the gate valve 116 was driven.

보다 구체적으로 보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 안착면(132)이 홈 위치에 위치된 상태에서 기판(S)이 게이트부(114)를 통해서 이동될 수 있다. 예를 들어, 홈 위치에서 기판 안착면(132)은 게이트부(114) 높이 내에 배치되고, 기판(S)은 개구부(114)를 통해서 인입되어 기판 안착면(132) 상에 안착되거나 또는 기판 안착면(132)으로부터 개구부(114)를 통해서 인출될 수 있다. 기판(S)은 이송 장치, 예컨대 이송 로봇에 의해서 이동될 수 있다. 이 경우, 가스 분사부(120) 및 기판 지지부(130)는 제 1 갭(G1)만큼 이격될 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 1, the substrate S may be moved through the gate portion 114 while the substrate seating surface 132 is positioned at the home position. For example, in the home position, the substrate seating surface 132 is disposed within the height of the gate portion 114, and the substrate S is introduced through the opening 114 and is seated on the substrate seating surface 132. It can be drawn out from the face 132 through the opening 114. The substrate S may be moved by a transfer device, such as a transfer robot. In this case, the gas injection unit 120 and the substrate support unit 130 may be spaced apart by the first gap G1.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(130) 상에 기판(S)이 안착되어 있는 경우, 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치 상태에서 게이트 밸브(116)가 개방되거나 또는 닫힐 수 있다. 이 경우, 가스 분사부(120) 및 기판 지지부(130)는 제 2 갭(G2)만큼 이격될 수 있다. 기판 안착면(132)이 대기 위치에 있을 때 기판 지지부(130)의 높이가 홈 위치에 있을 때 보다 높으므로, 제 2 갭(G2)은 제 1 갭(G1)보다 작을 수 있다. In addition, as shown in FIG. 2, when the substrate S is seated on the substrate support 130, the gate valve 116 is in a standby position where the substrate seating surface 132 is higher than the gate portion 114. can be open or closed. In this case, the gas injection unit 120 and the substrate support unit 130 may be spaced apart by the second gap G2. Since the height of the substrate supporter 130 when the substrate seating surface 132 is in the standby position is higher than when it is in the home position, the second gap G2 may be smaller than the first gap G1.

이와 같이, 기판(S)이 공정 챔버(110) 내에 있는 상태에서 게이트 밸브(116)가 구동될 때, 기판 안착면(132)을 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에 위치시킴으로써, 게이트 밸브(116) 구동 시 게이트부(114) 인근의 파티클들이 기판(S) 상에 낙하하는 것을 크게 줄일 수 있다.In this way, when the gate valve 116 is driven while the substrate S is in the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is positioned at a standby position higher than the gate portion 114, so that the gate valve ( 116) It is possible to greatly reduce particles near the gate unit 114 from falling on the substrate S during driving.

한편, 일부 실시예들에서, 기판(S)이 공정 챔버(110) 내에 없는 상태에서 게이트 밸브(116)가 구동될 때, 공정 챔버(110) 내 파티클들의 비산을 줄이기 위해서 기판 안착면(132)을 대기 위치에 위치시킬 수도 있다. 다만, 기판(S)이 공정 챔버(110) 내에 없다는 점에서, 기판 안착면(132)을 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치시킨 상태에서 게이트 밸브(116)가 구동될 수도 있다.Meanwhile, in some embodiments, when the gate valve 116 is driven without the substrate S in the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is used to reduce scattering of particles in the process chamber 110. can also be placed in a standby position. However, given that the substrate S is not in the process chamber 110, the gate valve 116 may be driven with the substrate seating surface 132 positioned at the home position as shown in FIG. 1.

일부 실시예들에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110) 내에서 기판(S) 처리 시, 기판 안착면(132)은 대기 위치보다 높은 공정 위치에 위치될 수 있다. 이 경우, 가스 분사부(120) 및 기판 지지부(130)는 제 3 갭(G3)만큼 이격될 수 있다. 기판 안착면(132)이 공정 위치에 있을 때 기판 지지부(130)의 높이가 대기 위치에 있을 때 보다 높으므로, 제 3 갭(G2)은 제 2 갭(G1)보다 작을 수 있다.In some embodiments, as shown in FIG. 3 , when processing the substrate S within the process chamber 110, the substrate seating surface 132 may be positioned at a process position higher than the standby position. In this case, the gas injection unit 120 and the substrate support unit 130 may be spaced apart by the third gap G3. Since the height of the substrate supporter 130 when the substrate seating surface 132 is in the process position is higher than when it is in the standby position, the third gap G2 may be smaller than the second gap G1.

한편, 일부 실시예들에서, 대기 위치와 공정 위치는 게이트부(114)보다 높은 위치라는 점에서 서로 구분되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 대기 위치는 게이트부(114)보다는 높은 위치로서, 공정 위치와 동일하거나 또는 그 보다 낮을 수도 있다. 다만, 공정 위치가 높아 제 3 갭(G3)이 작은 경우, 가스 분사부(120)로부터 분사되는 가스에 의한 영향을 줄이기 위해서 대기 위치는 공정 위치보다 낮은 위치일 수 있다. Meanwhile, in some embodiments, the standby position and the process position may not be distinguished from each other in that they are positions higher than the gate unit 114. For example, the standby position is a position higher than the gate unit 114 and may be the same as or lower than the process position. However, when the process position is high and the third gap G3 is small, the standby position may be lower than the process position in order to reduce the influence of the gas sprayed from the gas injection unit 120.

이하에서는 제어부(190)를 통한 기판 지지부(130)의 높이 제어에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, height control of the substrate support unit 130 through the control unit 190 will be described in more detail.

제어부(190)는 기판 지지부(130)의 기판 안착면(132)에 기판(S)이 안착된 상태에서 게이트 밸브(116)를 개방하거나 또는 닫을 때, 기판(S) 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어할 수 있다.The control unit 190 reduces particles from falling onto the substrate S when opening or closing the gate valve 116 while the substrate S is seated on the substrate seating surface 132 of the substrate support unit 130. To this end, the height of the substrate support can be controlled so that the substrate seating surface 132 is located at a standby position higher than the gate portion 114.

일부 실시예들에서, 제어부(190)는 게이트 밸브(116)가 개방된 후 공정 챔버(110) 내로 기판(S)의 인입 후 게이트 밸브(116)를 닫을 때 및 공정 챔버(110)로부터 기판(S)을 인출하기 위해서 게이트 밸브(116)를 열 때 기판 안착면(132)이 도 1에 도시된 바와 같이 대기 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)의 높이를 제어할 수 있다. In some embodiments, the control unit 190 is configured to close the gate valve 116 after the gate valve 116 is opened and after the substrate S is introduced into the process chamber 110 and to remove the substrate from the process chamber 110. When opening the gate valve 116 to withdraw S), the height of the substrate support 130 can be controlled so that the substrate seating surface 132 is positioned in the standby position as shown in FIG. 1.

예를 들어, 제어부(190)는 공정 챔버(110) 내로 기판(S)의 인입 시 기판 안착면(132)이 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치되고 기판(S)의 인입 후 게이트 밸브(116)를 닫을 때 도 2에 도시된 바와 같이 홈 위치보다 높은 대기 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)의 높이를 제어할 수 있다. 다른 예로, 제어부(190)는 공정 챔버(110)로부터 기판(S)의 인출을 위해서 게이트 밸브(116)를 개방할 때 기판 안착면(132)이 도 2에 도시된 바와 같이 대기 위치에 위치되고, 기판(S)의 인출 시 기판 안착면(132)이 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)의 높이를 제어할 수 있다.For example, the control unit 190 determines that when the substrate S is introduced into the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is positioned at the home position as shown in FIG. 1 and the gate valve is operated after the substrate S is introduced. When closing 116, the height of the substrate support 130 can be controlled so that it is positioned at a standby position higher than the home position as shown in FIG. 2. As another example, when the control unit 190 opens the gate valve 116 to withdraw the substrate S from the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is positioned in the standby position as shown in FIG. 2. , the height of the substrate support 130 can be controlled so that the substrate seating surface 132 is positioned at the home position as shown in FIG. 1 when the substrate S is pulled out.

일부 실시예에서 기판 처리 장치(100)는 기판(S) 상에 박막을 증착하기 위한 박막증착장치, 예를 들어, 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 장치, 플라즈마 강화 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 장치, 또는 원자층증착(atomic layer deposition, ALD) 장치로 이용될 수 있다.In some embodiments, the substrate processing apparatus 100 may be a thin film deposition device for depositing a thin film on the substrate S, for example, a chemical vapor deposition (CVD) device or a plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) device. It can be used as a chemical vapor deposition (PECVD) device or an atomic layer deposition (ALD) device.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 보여주는 개략도이다.Figure 4 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(200)는 도 1 내지 도 3 기판 처리 장치(100)를 포함하는 시스템으로 이해될 수 있다. 기판 처리 장치(200)는 적어도 하나의 로드락 챔버(220), 트랜스퍼 챔버(250), 및 적어도 하나의 공정 챔버(210)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the substrate processing apparatus 200 may be understood as a system including the substrate processing apparatus 100 of FIGS. 1 to 3 . The substrate processing apparatus 200 may include at least one load lock chamber 220, a transfer chamber 250, and at least one process chamber 210.

보다 구체적으로 보면, 복수의 공정 챔버들(110)이 트랜스퍼 챔버(250)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버들(210) 각각은 실질적으로 도 1 내지 도 3의 공정 챔버(110)와 동일하거나 유사할 수 있다. 아울러, 공정 챔버(110)에는 도 1 내지 도 3의 기판 처리 장치(100)와 같이, 가스 분사부(120), 기판 지지부(130), 게이트 밸브(116) 등이 설치될 수 있다. 따라서, 공정 챔버들(210) 각각은 도 1의 기판 처리 장치(100)에 대응할 수 있다. 이러한 의미에서, 기판 처리 장치(200)는 도 1 내지 도 3의 기판 처리 장치(100)가 확장된 시스템으로 이해될 수 있고, 클러스터 시스템으로 지칭될 수도 있다.More specifically, a plurality of process chambers 110 may be connected to the transfer chamber 250 . For example, each of the process chambers 210 may be substantially the same as or similar to the process chamber 110 of FIGS. 1 to 3 . In addition, a gas injection unit 120, a substrate support unit 130, a gate valve 116, etc. may be installed in the process chamber 110, like the substrate processing apparatus 100 of FIGS. 1 to 3. Accordingly, each of the process chambers 210 may correspond to the substrate processing apparatus 100 of FIG. 1 . In this sense, the substrate processing apparatus 200 may be understood as an expanded system of the substrate processing apparatus 100 of FIGS. 1 to 3, and may also be referred to as a cluster system.

로드락 챔버들(220)은 대기압 환경의 외부와 진공 환경의 트랜스퍼 챔버(250) 사이에 설치될 수 있다. 로드락 챔버들(220)은 대기압 환경에서는 외부와 연통되어 외부로부터 기판(S)을 반입하도록 허용하고, 진공 환경에서는 트랜스퍼 챔버(250)와 연통되어 트랜스퍼 챔버(250)와 기판(S)이 스왑되는 것을 허용할 수 있다.The load lock chambers 220 may be installed between the outside of the atmospheric pressure environment and the transfer chamber 250 of the vacuum environment. The load lock chambers 220 are in communication with the outside in an atmospheric pressure environment and allow the substrate (S) to be brought in from the outside, and in a vacuum environment, they are in communication with the transfer chamber 250 so that the transfer chamber 250 and the substrate (S) can be swapped. It can be allowed to happen.

로드락 챔버들(220)의 외부에는 대기압 환경 하에서 기판(S)을 핸들링하기 위한 설비 프런트 엔드 모듈(EFEM, 230)이 설치될 수 있다. 이 설비 프런트 엔드 모듈(230)에는 기판(S)을 이송하는 대기 로봇(232)이 설치될 수 있다. 설비 프런트 엔드 모듈(230)은 로드락 챔버들(220)과 기판 이송 용기(FOUP, 240)들 사이에 배치되어, 대기 로봇(232)을 이용하여 둘 상에서 기판(S)을 이송할 수 있다. 일부 실시예에서, 기판 처리 장치(200)에서 설비 프런트 엔드 모듈(230)이 생략되고, 공장 내 설비를 이용하는 등의 다른 방식으로 로드락 챔버들(220)로 기판(S)이 로딩될 수도 있다. An equipment front end module (EFEM, 230) for handling the substrate S under an atmospheric pressure environment may be installed outside the load lock chambers 220. A standby robot 232 that transfers the substrate (S) may be installed in this facility front-end module 230. The equipment front end module 230 is disposed between the load lock chambers 220 and the substrate transfer containers FOUP 240, and can transfer the substrate S on both using the waiting robot 232. In some embodiments, the facility front end module 230 may be omitted from the substrate processing apparatus 200, and the substrate S may be loaded into the load lock chambers 220 in another manner, such as using an in-factory facility. .

트랜스퍼 챔버(250)는 공정 챔버들(210)과 로드락 챔버들(220) 사이에서 배치될 수 있다. 예를 들어, 트랜스퍼 챔버(250)는 다각 형상을 가질 수 있고, 공정 챔버들(210)과 로드락 챔버들(220)은 다각 형상의 각 면에 배치될 수도 있다. 트랜스퍼 챔버(25)에는 기판(S)의 이송을 위한 이송 로봇(252)이 설치될 수 있다. The transfer chamber 250 may be disposed between the process chambers 210 and the load lock chambers 220. For example, the transfer chamber 250 may have a polygonal shape, and the process chambers 210 and load lock chambers 220 may be disposed on each side of the polygonal shape. A transfer robot 252 for transferring the substrate S may be installed in the transfer chamber 25.

이러한 이송 로봇(252)은 공정 챔버들(210) 사이에서 기판(S)을 이송하거나 또는 공정 챔버들(210)과 로드락 챔버들(220) 사이에서 기판(S)을 이송하는 데 이용될 수 있다. 나아가, 게이트부(114)는 공정 챔버들(210)과 트랜스퍼 챔버(250) 사이의 연결 통로가 되고, 게이트 밸브(116)는 공정 챔버들(210)과 트랜스퍼 챔버(250) 사이의 연결을 개폐하도록 구동될 수 있다. This transfer robot 252 can be used to transfer the substrate S between the process chambers 210 or to transfer the substrate S between the process chambers 210 and the load lock chambers 220. there is. Furthermore, the gate portion 114 serves as a connection passage between the process chambers 210 and the transfer chamber 250, and the gate valve 116 opens and closes the connection between the process chambers 210 and the transfer chamber 250. It can be driven to do so.

기판 처리 장치(200)에서 공정 챔버들(210)과 로드락 챔버들(220)의 수는 적절하게 선택될 수 있고 이 실시예의 범위를 제한하지 않는 것으로 해석될 수 있다. The number of process chambers 210 and load lock chambers 220 in the substrate processing apparatus 200 may be appropriately selected and may not be interpreted as limiting the scope of this embodiment.

일부 실시예에서, 기판 처리 장치(200)에서 도 1 내지 도 3의 제어부(190)는 공정 챔버들(210)에 각각 설치되거나 또는 공정 챔버들(210)에 통합되게 하나로 설치될 수도 있다.In some embodiments, in the substrate processing apparatus 200, the control units 190 of FIGS. 1 to 3 may be installed in each of the process chambers 210 or may be integrated into the process chambers 210 as one unit.

이하에서는 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법을 보다 구체적으로 설명한다. 이러한 기판 처리 방법은 도 4의 기판 처리 장치(200)에도 그대로 적용될 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 will be described in more detail. This substrate processing method can also be applied to the substrate processing apparatus 200 of FIG. 4.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도들이다.5 to 7 are flowcharts showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판 지지부(130)의 기판 안착면(132)에 기판(S)이 안착된 상태에서 게이트 밸브(116)를 개방하거나 또는 닫을 때, 기판(S) 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계(S16, S31)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 5 to 7, the substrate processing method according to the present invention is performed when opening or closing the gate valve 116 while the substrate S is seated on the substrate seating surface 132 of the substrate support 130. In order to reduce particles falling onto the substrate (S), it may include steps (S16, S31) of controlling the height of the substrate support portion so that the substrate seating surface 132 is located at a standby position higher than the gate portion 114. You can.

보다 구체적으로 보면, 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 인입하는 단계(S10), 기판(S)을 처리하는 단계(S20) 및 기판(S)을 인출하는 단계(S30)의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 한편, 여러 장의 기판들(S)이 순차로 처리 되는 경우, 위 단계들(S10, S20, S30)이 반복될 수도 있다. 따라서, 단편적으로 보면, 기판(S)을 인출하는 단계(S30) 후에 다시 기판(S)을 인입하는 단계(S10)가 이어지거나, 또는 기판(S)을 인입하는 단계(S10) 전에 기판(S)을 인출하는 단계(S30)가 수행되는 것으로 이해될 수도 있다.More specifically, as shown in FIG. 5, the substrate processing method according to some embodiments includes a step of introducing a substrate S (S10), a step of processing the substrate S (S20), and a step of processing the substrate S. ) may include at least part of the step (S30) of withdrawing. Meanwhile, when multiple sheets of substrates S are processed sequentially, the above steps S10, S20, and S30 may be repeated. Therefore, looking at it fragmentarily, the step (S30) of withdrawing the substrate (S) is followed by the step (S10) of inserting the substrate (S) again, or the step (S10) of inserting the substrate (S) is performed before the step (S10) of inserting the substrate (S). ) may be understood as being performed (S30).

따라서, 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 기판(S)을 인입하는 단계(S10)를 포함하거나, 기판(S)을 처리하는 단계(S20)를 포함하거나 또는 기판(S)을 인출하는 단계(S30)를 포함하는 것으로 해석되거나 또는 이 중 두 단계 이상을 포함하는 것으로 이해될 수도 있다.Accordingly, the substrate processing method according to some embodiments includes the step of introducing the substrate (S10), the step of processing the substrate (S20), or the step of withdrawing the substrate (S) It may be interpreted as including (S30) or may be understood as including two or more of these steps.

도 6에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 인입하는 단계(S10)는 게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S12), 기판 지지부(130) 상에 기판(S)을 안착시키는 단계(S14), 기판 지지부(130)의 높이를 제어하는 단계(S16) 및 게이트 밸브(116)를 닫는 단계(S18)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(S)을 인입하는 단계(S10)는 게이트 밸브(116)가 개방된 상태에서 수행될 수 있고, 이 경우 기판(S)을 인입하는 단계(S10)에서 게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S12)는 생략될 수도 있다.As shown in FIG. 6, the step of introducing the substrate S (S10) includes the step of opening the gate valve 116 (S12) and the step of seating the substrate S on the substrate supporter 130 (S14). ), controlling the height of the substrate support 130 (S16), and closing the gate valve 116 (S18). In some embodiments, the step (S10) of introducing the substrate (S) may be performed with the gate valve 116 open. In this case, in the step (S10) of introducing the substrate (S), the gate valve (116) The step (S12) of opening ) may be omitted.

보다 구체적으로 보면, 기판(S)의 인입을 위해서 게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S12)에서, 기판 안착면(132)은 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치되거나 또는 도 2에 도시된 바와 같이 대기 위치에 위치될 수 있다. 이 개방 단계(S12)에서 기판 안착면(132) 상에는 기판(S)이 안착되지 않았기 때문에 기판 안착면(132)은 홈 위치 또는 대기 위치에 있을 수 있다. More specifically, in the step S12 of opening the gate valve 116 for the introduction of the substrate S, the substrate seating surface 132 is located at the home position as shown in FIG. 1 or as shown in FIG. 2. It may be placed in a standby position as shown. In this opening step (S12), since the substrate S is not seated on the substrate seating surface 132, the substrate seating surface 132 may be in the home position or the standby position.

나아가, 기판(S)을 안착시키는 단계(S14)에서 기판(S)은 공정 챔버(110)의 외부로부터 게이트부(114)를 통해서 기판 지지부(130) 상으로 이동되고 기판 안착면(132) 상에 안착될 수 있다. 예를 들어, 이 안착 단계(S14)에서 기판 안착면(132)은 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치될 수 있다. 따라서, 기판 지지부(130)의 이동을 줄이기 위해서, 개방 단계(S12) 및 안착 단계(S14)에서 기판 안착면(132)은 홈 위치에 있을 수 있다. 다른 예로, 이 안착 단계(S14) 전에 기판 안착면(132)이 홈 위치에 위치되지 않은 경우, 이 안착 단계(S14)는 기판(S)의 이동 전에 기판 안착면(132)을 홈 위치로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.Furthermore, in the step S14 of seating the substrate S, the substrate S is moved from the outside of the process chamber 110 through the gate portion 114 onto the substrate supporter 130 and placed on the substrate seating surface 132. can be settled in. For example, in this seating step (S14), the substrate seating surface 132 may be positioned at the home position as shown in FIG. 1. Therefore, in order to reduce movement of the substrate supporter 130, the substrate seating surface 132 may be at the home position in the opening step S12 and the seating step S14. As another example, if the substrate seating surface 132 is not positioned at the home position before this seating step (S14), this seating step (S14) moves the substrate seating surface 132 to the home position before moving the substrate (S). It may include the step of asking.

또한, 기판 지지부(130)의 높이를 제어하는 단계(S16)는 공정 챔버(110) 내로 기판(S)의 인입 후 게이트 밸브(116)를 닫을 때 기판 안착면(132)이 도 2에 도시된 바와 같이 대기 위치에 위치되도록 수행할 수 있다. 예를 들어, 제어부(190)는 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)를 상승시킬 수 있다.In addition, in the step S16 of controlling the height of the substrate support 130, when the gate valve 116 is closed after the substrate S is introduced into the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is shown in FIG. 2. As shown, it can be performed to be located in a waiting position. For example, the control unit 190 may raise the substrate support unit 130 so that the substrate seating surface 132 is positioned at a standby position higher than the gate unit 114 .

또한, 게이트 밸브(116)를 닫는 단계(S18)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판 안착면(132) 대기 위치에 위치된 상태에서 게이트 밸브(116)를 상승시켜서 수행할 수 있다. 따라서, 이 단계(S18)에서 기판(S)이 안착된 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에서, 게이트 밸브(116)가 닫히기 때문에, 게이트부(114) 인근으로부터 기판(S) 상에 파티클들이 낙하하는 것을 크게 줄일 수 있다.Additionally, the step S18 of closing the gate valve 116 may be performed by raising the gate valve 116 while the substrate seating surface 132 is positioned in the standby position, as shown in FIG. 2 . Therefore, in this step (S18), at the standby position where the substrate seating surface 132 on which the substrate S is seated is higher than the gate portion 114, the gate valve 116 is closed, so that the substrate is released from the vicinity of the gate portion 114. (S) The falling of particles on the surface can be greatly reduced.

일부 실시예들에서, 기판(S)을 인입하는 단계(S10) 전에 기판(S)의 인출이 이루어져 게이트 밸브(116)가 개방되어 있을 수도 있다. 이 경우, 기판(S)을 인입하는 단계(S10)에서 게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S12)가 생략될 수도 있다.In some embodiments, the gate valve 116 may be opened by withdrawing the substrate S before the step S10 of introducing the substrate S. In this case, the step (S12) of opening the gate valve 116 in the step (S10) of introducing the substrate (S) may be omitted.

또한, 일부 실시예들에서, 기판(S)을 인입하는 단계(S10)에서 가스 분사부(120)를 통해서 공정 챔버(110) 내에 커튼 가스가 분사될 수 있다. 예를 들어, 커튼 가스는 아르곤(Ar), 질소(N2) 등과 같은 비활성 가스가 이용될 수 있다. 이러한 커튼 가스는 기판(S) 인입 단계(S10)에서 공정 챔버(110) 내 기류를 제어하는 데 이용될 수 있다.Additionally, in some embodiments, curtain gas may be injected into the process chamber 110 through the gas injection unit 120 in the step S10 of introducing the substrate S. For example, an inert gas such as argon (Ar), nitrogen (N2), etc. may be used as the curtain gas. This curtain gas can be used to control airflow within the process chamber 110 in the substrate (S) introduction step (S10).

도 7에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 인출하는 단계(S30)는 기판 지지부(130)의 높이를 제어하는 단계(S31), 게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S33), 기판 지지부(130)를 하강시키는 단계(S35), 기판(S)을 공정 챔버(110) 외부로 이동시키는 단계(S37) 및 게이브 밸브(116)를 닫는 단계(S39)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, the step of withdrawing the substrate S (S30) includes the step of controlling the height of the substrate support 130 (S31), the step of opening the gate valve 116 (S33), and the step of controlling the height of the substrate support 130 (S33). It may include lowering the 130 (S35), moving the substrate S out of the process chamber 110 (S37), and closing the gate valve 116 (S39).

보다 구체적으로 보면, 기판 지지부(130)의 높이를 제어하는 단계(S31)는 공정 챔버(110)로부터 기판(S)을 인출하기 위해서 게이트 밸브(116)를 열 때 기판 안착면(132)이 대기 위치에 위치되도록 수행할 수 있다. 이 높이 제어 단계(S31)는 전술한 높이 제어 단계(S16)를 참조할 수 있다. More specifically, in the step S31 of controlling the height of the substrate support 130, when the gate valve 116 is opened to withdraw the substrate S from the process chamber 110, the substrate seating surface 132 is left in standby mode. It can be done so that it is located in a certain location. This height control step (S31) may refer to the height control step (S16) described above.

게이트 밸브(116)를 개방하는 단계(S33)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판 안착면(132)이 대기 위치에 위치된 상태에서 수행될 수 있다. 따라서, 이 단계(S33)에서 기판(S)이 안착된 기판 안착면(132)이 게이트부(114)보다 높은 대기 위치에서, 게이트 밸브(116)가 개방되기 때문에, 게이트부(114) 인근으로부터 기판(S) 상에 파티클들이 낙하하는 것을 크게 줄일 수 있다.The step S33 of opening the gate valve 116 may be performed with the substrate seating surface 132 positioned in the standby position, as shown in FIG. 2 . Therefore, in this step (S33), the gate valve 116 is opened at a standby position where the substrate seating surface 132 on which the substrate S is seated is higher than the gate portion 114, so that the gate valve 116 is opened from the vicinity of the gate portion 114. The falling of particles on the substrate (S) can be greatly reduced.

또한, 기판 지지부(130)를 하강시키는 단계(S35)에서, 기판 안착면(132)이 도 1에 도시된 바와 같이 홈 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)가 하강될 수 있다. 이어서, 기판(S)을 공정 챔버(110) 외부로 이동시키는 단계(S37)에서 기판 안착면(132) 상의 기판(S)이 게이트부(114)를 통해서 공정 챔버(110) 외부로 이동될 수 있다. Additionally, in step S35 of lowering the substrate supporter 130, the substrate supporter 130 may be lowered so that the substrate seating surface 132 is positioned at the home position as shown in FIG. 1. Subsequently, in the step S37 of moving the substrate S out of the process chamber 110, the substrate S on the substrate seating surface 132 may be moved out of the process chamber 110 through the gate portion 114. there is.

게이트 밸브(116)를 닫는 단계(S39)에서, 기판 안착면(132) 상에는 기판(S)이 없기 때문에 기판 안착면(132)은 홈 위치 또는 대기 위치에 있을 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(130)의 이동을 줄이기 위해서, 기판 안착면(132)은 하강 단계(S35)와 동일하게 홈 위치에 위치될 수 있다.In the step S39 of closing the gate valve 116, since there is no substrate S on the substrate seating surface 132, the substrate seating surface 132 may be in the home position or the standby position. For example, in order to reduce movement of the substrate supporter 130, the substrate seating surface 132 may be positioned at the home position in the same manner as in the lowering step (S35).

일부 실시예들에서, 기판(S)을 인출하는 단계(S30) 후에 기판(S)을 인입하는 단계(S10)가 이어질 수 있고, 이 경우 기판(S)을 인출하는 단계(S30)에서 게이트 밸브(116)를 닫는 단계(S39)가 생략될 수도 있다. 따라서 게이트 밸브(116)가 개방된 상태에서 기판(S)을 인입하는 단계(S10)가 이어질 수도 있다.In some embodiments, the step S30 of withdrawing the substrate S may be followed by the step S10 of inserting the substrate S. In this case, the step S30 of withdrawing the substrate S may be performed using the gate valve. The step S39 of closing 116 may be omitted. Therefore, the step (S10) of introducing the substrate S may be continued while the gate valve 116 is open.

또한, 일부 실시예들에서, 기판(S)을 인출하는 단계(S30)에서 가스 분사부(120)를 통해서 공정 챔버(110) 내에 커튼 가스가 분사될 수 있다. 이러한 커튼 가스는 기판(S) 인출 단계(S30)에서 공정 챔버(110) 내 기류를 제어하는 데 이용될 수 있다.Additionally, in some embodiments, curtain gas may be injected into the process chamber 110 through the gas injection unit 120 in the step S30 of withdrawing the substrate S. This curtain gas can be used to control airflow within the process chamber 110 in the substrate (S) withdrawal step (S30).

한편, 기판(S)을 처리하는 단계(S20)에서, 가스 분사부(120)를 통해서 공정 가스를 분사하여 기판(S)을 처리할 수 있다. 예를 들어, 기판(S) 상에 박막이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the step S20 of processing the substrate S, the substrate S may be treated by spraying process gas through the gas injection unit 120. For example, a thin film may be formed on the substrate S.

일부 실시예들에서, 기판(S)을 처리하는 단계(S20)에서, 기판 안착면(132)은 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 위치에 위치될 수 있다. 이 경우, 기판(S)을 인입하는 단계(S10) 후 기판(S)을 처리하는 단계(S20) 전에, 기판 안착면(132)이 대기 위치보다 높은 공정 위치에 위치되도록 기판 지지부(130)를 상승시키는 단계가 수행될 수도 있다.In some embodiments, in step S20 of processing the substrate S, the substrate seating surface 132 may be positioned at a process position, as shown in FIG. 3 . In this case, after the step (S10) of introducing the substrate (S) and before the step (S20) of processing the substrate (S), the substrate support part 130 is installed so that the substrate seating surface 132 is located at a process position higher than the standby position. An escalation step may also be performed.

도 8a는 비교예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서 기판 상의 파티클 발생을 보여주는 그래프이고, 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서 기판 상의 파티클 발생을 보여주는 그래프이다.FIG. 8A is a graph showing particle generation on a substrate in a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a comparative example, and FIG. 8B is a graph showing particle generation on a substrate in a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. .

비교예에서는, 기판(S)의 인입 및 인출 시 기판 안착면(132)이 홈 위치에 위치되어 있고, 실시에에서는 기판(S)의 높이를 제어하는 단계들(S16, S31)에서 기판 안착면(132)은 대기 위치에 위치되어 있다.In the comparative example, the substrate seating surface 132 is located at the home position when the substrate S is pulled in and out, and in the embodiment, the substrate seating surface 132 is positioned at the home position in the steps S16 and S31 of controlling the height of the substrate S. (132) is located in the standby position.

도 8a를 참조하면, 비교예에서는 기판(S) 상에 게이트부(114) 인근 위치, 예컨대 기판(S)의 탑부 부근에 몰링성 파티클들이 다수 발견된 것을 알 수 있다. 이는 게이트 밸브(116)가 개폐될 때, 기판(S)의 탑부 부근에 공정 챔버(110) 내 게이트부(114) 인근의 파티클들이 기판(S) 상으로 낙하하였기 때문으로 이해된다.Referring to FIG. 8A, in the comparative example, it can be seen that a large number of malleable particles were found near the gate portion 114 on the substrate S, for example, near the top of the substrate S. This is understood to be because when the gate valve 116 is opened and closed, particles near the gate portion 114 in the process chamber 110 near the top of the substrate S fall onto the substrate S.

도 8b를 참조하면, 실시예에서는 기판(S) 상에 몰림성 파티클들이 거의 없는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따라서, 기판(S)의 높이를 제어하는 단계들(S16, S31)을 부가함으로써, 기판(S) 상에 파티클들이 낙하하는 것을 방지하거나 크게 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 8B, it can be seen that in the embodiment, there are almost no flocking particles on the substrate S. Therefore, according to embodiments of the present invention, by adding steps (S16, S31) for controlling the height of the substrate (S), it is possible to prevent or significantly reduce particles from falling on the substrate (S). Able to know.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

100: 기판 처리 장치
110: 공정 챔버
114: 게이트부
116: 게이트 밸브
120: 가스 분사부
130: 기판 지지부
190: 제어부100: substrate processing device
110: Process chamber
114: Gate part
116: gate valve
120: gas injection unit
130: substrate support
190: Control unit

Claims (13)

내부에 반응 공간을 포함하고, 그 일측에 기판의 입출입을 위한 게이트부가 형성된, 공정 챔버;
상기 반응 공간 내에 구비되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 안착면을 포함하는 기판 지지부;
상기 반응 공간으로 공정 가스를 분사하기 위해서 상기 기판 지지부에 대향되게 설치되는 가스 분사부;
상기 게이트부를 개폐하기 위한 게이트 밸브; 및
상기 기판 안착면에 상기 기판이 안착된 상태에서 상기 게이트 밸브를 개방하거나 또는 닫을 때, 상기 기판 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 상기 기판 안착면이 상기 게이트보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 제어부를 포함하는,
기판 처리 장치.a process chamber including a reaction space therein and a gate portion formed on one side thereof for entry and exit of a substrate;
a substrate supporter provided in the reaction space and including a substrate seating surface for supporting the substrate;
a gas injection unit installed opposite the substrate supporter to spray a process gas into the reaction space;
A gate valve for opening and closing the gate portion; and
In order to reduce particles falling onto the substrate when opening or closing the gate valve with the substrate seated on the substrate seating surface, the substrate support portion is positioned so that the substrate seating surface is positioned at a standby position higher than the gate. Including a control unit that controls the height of
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 및 상기 공정 챔버로부터 기판을 인출하기 위해서 상기 게이트 밸브를 열 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit heightens the substrate support so that the substrate seating surface is positioned at the standby position when closing the gate valve after introducing the substrate into the process chamber and when opening the gate valve to withdraw the substrate from the process chamber. Controlling a substrate processing device. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 게이트 밸브가 개방된 후 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 시 상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되고 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 상기 홈 위치보다 높은 상기 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는,
기판 처리 장치.According to claim 2,
The control unit determines that when the substrate is introduced into the process chamber after the gate valve is opened, the substrate seating surface is positioned at a home position within the height of the gate portion, and when the gate valve is closed after the substrate is introduced, the substrate seating surface is located at a level higher than the home position. Controlling the height of the substrate support so that it is located in the waiting position,
Substrate processing equipment. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판의 인출을 위해서 상기 게이트 밸브를 개방할 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되고, 상기 기판의 인출 시 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치보다 낮은 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는,
기판 처리 장치.According to claim 2,
When the control unit opens the gate valve to withdraw the substrate from the process chamber, the substrate seating surface is positioned at the standby position, and the gate unit has the substrate seating surface lower than the standby position when the substrate is withdrawn. Controlling the height of the substrate support so that it is located at a home position within the height,
Substrate processing equipment. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 대기 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 2 갭은 상기 홈 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 1 갭보다 작은, 기판 처리 장치.
('것을 특징으로 하는' 문구는 젭슨 타입에서 전제부와 특징부를 구분하기 위해서 사용하는 문구인데, 가급적 컴비네이션 타입으로 작성하려고 하고 이 문구를 사용하지 않으려 합니다)According to claim 3 or 4,
The substrate processing apparatus, wherein the second gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the standby position is smaller than the first gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the home position.
(The phrase 'characterized by' is a phrase used in the Jepson type to distinguish between the preamble and the characteristic part. I try to write it as a combination type as much as possible and try not to use this phrase) 제 1 항에 있어서,
상기 대기 위치는 상기 기판을 처리하기 위한 공정 위치보다 낮고,
상기 공정 위치에서의 상기 가스 분사부와 상기 기판 안착면 사이의 제 3 갭은 상기 대기 위치에서의 상기 제 2 갭보다 작은, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The standby position is lower than the process position for processing the substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the third gap between the gas injection unit and the substrate seating surface at the process position is smaller than the second gap at the standby position. 내부에 반응 공간을 포함하고, 그 일측에 기판의 입출입을 위한 게이트부가 형성된 공정 챔버와, 상기 반응 공간 내에 구비되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 안착면을 포함하는 기판 지지부와, 상기 반응 공간으로 공정 가스를 분사하기 위해서 상기 기판 지지부에 대향되게 설치되는 가스 분사부와, 상기 게이트부를 개폐하기 위한 게이트 밸브를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 안착면에 상기 기판이 안착된 상태에서 상기 게이트 밸브를 개방하거나 또는 닫을 때, 상기 기판 상으로 파티클이 떨어지는 것을 줄이기 위해서, 상기 기판 안착면이 상기 게이트보다 높은 대기 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.A process chamber including a reaction space inside and a gate formed on one side of the reaction space for entry and exit of the substrate, a substrate supporter provided in the reaction space and including a substrate seating surface for supporting the substrate, and a process chamber using the reaction space. A substrate processing method using a substrate processing device including a gas injection unit installed opposite to the substrate support unit to inject gas, and a gate valve for opening and closing the gate unit,
In order to reduce particles falling onto the substrate when opening or closing the gate valve with the substrate seated on the substrate seating surface, the substrate support portion is positioned so that the substrate seating surface is positioned at a standby position higher than the gate. Including controlling the height of
Substrate processing method. 제 7 항에 있어서,
상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계는, 상기 공정 챔버 내로 상기 기판의 인입 후 상기 게이트 밸브를 닫을 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 수행하는,
기판 처리 방법.According to claim 7,
The step of controlling the height of the substrate support is performed so that the substrate seating surface is positioned at the standby position when the gate valve is closed after introduction of the substrate into the process chamber.
Substrate processing method. 제 8 항에 있어서,
상기 게이트 밸브가 개방된 상태에서 상기 공정 챔버 내로 상기 기판을 인입하는 단계를 포함하고,
상기 기판을 인입하는 단계는,
상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치된 상태에서, 상기 기판 지지부 상에 기판을 안착시키는 단계;
상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계; 및
상기 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.
(게이트 밸브 개방전에 기판 지지부가 홈 위치에 이미 있는 경우도 포함하도록 홈 위치에 위치시키는 단계는 별도로 분리하지 않았습니다. 상세한 설명에는 기재해 두게ㅆ습니다)According to claim 8,
Introducing the substrate into the process chamber with the gate valve open,
The step of introducing the substrate is,
seating the substrate on the substrate supporter with the substrate seating surface positioned at a home position within the height of the gate portion;
controlling the height of the substrate support portion; and
Including closing the gate valve,
Substrate processing method.
(The step of positioning the board support in the home position before opening the gate valve was not separated, including cases where the board support is already in the home position. It will be described in the detailed description.) 제 9 항에 있어서,
상기 기판을 인입하는 단계 후, 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.According to clause 9,
After introducing the substrate, comprising processing the substrate,
Substrate processing method. 제 10 항에 있어서,
상기 기판을 처리하는 단계 전에, 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치보다 높은 공정 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부를 상승시키는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.According to claim 10,
Before processing the substrate, raising the substrate support so that the substrate seating surface is positioned at a process position higher than the standby position,
Substrate processing method. 제 7 항에 있어서,
상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계는, 상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 인출하기 위해서 상기 게이트 밸브를 열 때 상기 기판 안착면이 상기 대기 위치에 위치되도록 수행하는,
기판 처리 방법.According to claim 7,
The step of controlling the height of the substrate support is performed so that the substrate seating surface is positioned at the standby position when opening the gate valve to withdraw the substrate from the process chamber.
Substrate processing method. 제 12 항에 있어서,
상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하고,
상기 인출하는 단계는,
상기 기판 지지부의 높이를 제어하는 단계;
상기 게이트 밸브를 개방하는 단계;
상기 기판 안착면이 상기 게이트부 높이 내의 홈 위치에 위치되도록 상기 기판 지지부를 하강시키는 단계;
상기 기판 안착면 상의 상기 기판을 상기 게이트부를 통해서 상기 공정 챔버 외부로 이동시키는 단계; 및
상기 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.
According to claim 12,
Removing the substrate from the process chamber,
The withdrawal step is,
controlling the height of the substrate support portion;
opening the gate valve;
lowering the substrate support unit so that the substrate seating surface is positioned at a home position within the height of the gate unit;
moving the substrate on the substrate seating surface out of the process chamber through the gate unit; and
Including closing the gate valve,
Substrate processing method.
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