KR20230149533A - Substrate processing module and substrate processing apparatus including same - Google Patents

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KR20230149533A
KR20230149533A KR1020220048847A KR20220048847A KR20230149533A KR 20230149533 A KR20230149533 A KR 20230149533A KR 1020220048847 A KR1020220048847 A KR 1020220048847A KR 20220048847 A KR20220048847 A KR 20220048847A KR 20230149533 A KR20230149533 A KR 20230149533A
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박민정
최병두
최기훈
허필균
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 내부 공간을 갖는 하우징; 상기 내부 공간에 제공되고, 기판에 대해 액 처리를 수행하는 액 처리 유닛; 및 상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판을 초임계 유체를 이용하여 처리하는 초임계 처리 유닛을 포함하는 기판 처리 모듈이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a housing having an internal space; a liquid processing unit provided in the interior space and performing liquid processing on the substrate; And a substrate processing module provided in the internal space and including a supercritical processing unit that processes the substrate using a supercritical fluid.

Figure P1020220048847
Figure P1020220048847

Description

기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING MODULE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}Substrate processing module and substrate processing device including same {SUBSTRATE PROCESSING MODULE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}

본 발명은 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing module and a substrate processing device including the same.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위한 공정으로, 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 진행된다. 도포 공정에는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하고, 노광 공정에는 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며, 현상 공정에는 기판 상에 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상 처리한다. 이 후, 기판은 현상 공정에서 사용된 현상액을 기판에서 제거한 후, 기판을 건조 시킨다.To manufacture a semiconductor device or liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among these, the photographic process is a process for forming a desired circuit pattern on a substrate, and involves a coating process, an exposure process, and a developing process sequentially. In the application process, a photoresist such as photoresist is applied to the substrate. In the exposure process, a circuit pattern is exposed on the substrate on which the photoresist film is formed. In the development process, the exposed area on the substrate is selectively developed. After this, the developer used in the development process is removed from the substrate, and then the substrate is dried.

현상 공정은 일반적으로 현상액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 건조 단계, 그리고 베이킹 공정을 포함한다. 종래의 현상 처리 장치는 기판으로 현상액을 공급하기 위한 현상 유닛(액 처리 유닛)과 현상액이 도포된 기판을 세정하기 위한 초임계 처리 유닛, 기판을 열처리하기 위한 열처리 유닛이 각각 별도 모듈로 운영되고 각 유닛 간 기판의 이동(반입, 반출, 이송)은 모두 각 유닛에 인접하게 배치되는 메인 로봇에 의하여 수행된다. 이와 같은 구조에서는 각 처리 유닛 간의 환경 차이 또는 반송 공간과의 환경 차이 등에 의하여 기판(W)에 대한 환경 조건(예: 차압, 온습도 등)이 일정하게 유지되지 못할 가능성이 있다. 기판에 대하여 발생하는 환경 차이는 기판의 품질에 영향을 미칠 수 있고, 각 처리 유닛의 환경을 동일하게 유지하기 위해서는 많은 시간이 소요될 수 있다.The development process generally includes a developer supply step, a rinse solution supply step, a drying step, and a baking step. Conventional development processing equipment includes a developing unit (liquid processing unit) for supplying developer to the substrate, a supercritical processing unit for cleaning the substrate on which the developer is applied, and a heat treatment unit for heat treating the substrate, each of which is operated as a separate module. Movement of substrates between units (loading, unloading, transfer) is all performed by the main robot placed adjacent to each unit. In such a structure, there is a possibility that environmental conditions (e.g., differential pressure, temperature and humidity, etc.) for the substrate W may not be maintained constant due to environmental differences between each processing unit or environmental differences with the transfer space. Differences in the environment that occur on a substrate can affect the quality of the substrate, and it can take a lot of time to keep the environment of each processing unit the same.

본 발명은 기판 처리 과정에서 기판에 대하여 발생하는 환경 변화를 감소시킬 수 있는 기판 처리 모듈 및 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide a substrate processing module and a substrate processing device that can reduce environmental changes that occur to a substrate during the substrate processing process.

또한, 본 발명은 택트 타임 단축 면에서 보다 유리한 기판 처리 모듈 및 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Additionally, the present invention seeks to provide a substrate processing module and a substrate processing device that are more advantageous in reducing tact time.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 내부 공간을 갖는 하우징; 상기 내부 공간에 제공되고, 기판에 대해 액 처리를 수행하는 액 처리 모듈; 및 상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판을 초임계 유체를 이용하여 처리하는 초임계 처리 유닛을 포함하는 기판 처리 모듈이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a housing having an internal space; a liquid processing module provided in the internal space and performing liquid processing on the substrate; And a substrate processing module provided in the internal space and including a supercritical processing unit that processes the substrate using a supercritical fluid.

일 실시예에서, 상기 액처리 유닛과 상기 초임계 처리 유닛은 상기 하우징 내부에 일렬로 배치될 수 있다.In one embodiment, the liquid processing unit and the supercritical processing unit may be arranged in a row inside the housing.

일 실시예에서, 상기 내부 공간에서 상기 액처리 유닛과 상기 초임계 처리 유닛으로 상기 기판을 반송하기 위한 반송 수단을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a transport means for transporting the substrate from the internal space to the liquid processing unit and the supercritical processing unit may be further included.

일 실시예에서, 상기 내부 공간으로 소정 유량의 온도와 습도가 조정된 기체를 공급함으로써 상기 내부 공간에 기류를 형성하는 기류 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the device may further include an airflow supply unit that forms an airflow in the inner space by supplying gas with adjusted temperature and humidity at a predetermined flow rate to the inner space.

일 실시예에서, 상기 액처리 유닛은 상기 기판에 대하여 현상액을 공급할 수 있다.In one embodiment, the liquid processing unit may supply a developer solution to the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드 포트와 상기 용기로부터 상기 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스부; 및 상기 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 공정 처리부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 상기 공정 처리부는, 상기 인덱스부로부터 전달받은 기판을 반송하는 반송 모듈; 상기 반송 챔버의 측부에 배치되고 상기 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 모듈; 및 상기 기판에 대한 열처리를 수행하는 열처리 모듈을 포함하며, 상기 기판 처리 모듈은, 내부 공간을 갖는 하우징; 상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판에 대하여 현상액을 공급하여 상기 기판을 현상 처리하는 현상 유닛; 및 상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판을 초임계 유체를 이용하여 처리하는 초임계 처리 유닛을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, an index unit including a load port on which a container containing a substrate is placed and an index robot that transports the substrate from the container; and a process processing unit that performs a processing process on the substrate. The process processing unit includes a transfer module that transfers the substrate received from the index unit; a substrate processing module disposed on a side of the transfer chamber and performing a processing process on the substrate; and a heat treatment module that performs heat treatment on the substrate, wherein the substrate processing module includes: a housing having an internal space; a developing unit provided in the internal space and developing the substrate by supplying a developing solution to the substrate; and a supercritical processing unit provided in the internal space and processing the substrate using a supercritical fluid.

일 실시예에서, 상기 액처리 유닛과 상기 초임계 처리 유닛은, 상기 반송 모듈이 배치된 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다.In one embodiment, the liquid processing unit and the supercritical processing unit may be arranged in a row along the direction in which the transfer module is arranged.

일 실시예에서, 상기 기판 처리 모듈은, 상기 하우징의 내부 공간에 제공되고, 상기 반송 모듈로부터 상기 기판을 전달 받아 상기 현상 유닛과 상기 초임계 처리 유닛으로 상기 기판을 전달하는 반송 수단을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the substrate processing module may further include a transfer means provided in the inner space of the housing, receiving the substrate from the transfer module and transferring the substrate to the developing unit and the supercritical processing unit. You can.

일 실시예에서, 상기 열처리 모듈은, 상기 기판을 냉각 처리하는 냉각 유닛과, 상기 기판을 가열 처리하는 가열 유닛을 포함할 수 있다.In one embodiment, the heat treatment module may include a cooling unit for cooling the substrate and a heating unit for heat processing the substrate.

본 발명에 의하면, 초임계 처리 유닛과 열처리 모듈을 하나의 모듈로 구성함으로써 기판 처리 과정에서 발생할 수 있는 환경 변화를 감소시킴으로써 설비의 공정 능력을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by configuring the supercritical processing unit and the heat treatment module into one module, the process capability of the facility can be improved by reducing environmental changes that may occur during the substrate processing process.

또한, 메인 로봇의 일부 동작이 생략됨에 따라 시간당 처리할 수 있는 기판의 수가 증가됨으로써 설비의 생산량을 증가시킬 수 있다.Additionally, as some operations of the main robot are omitted, the number of substrates that can be processed per hour increases, thereby increasing the production capacity of the facility.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 모듈을 도시한다.
도 4는 도 2 및 도 3의 액 처리 유닛을 도시한다.
도 5는 도 2 및 도 3의 초임계 처리 유닛을 도시한다.
도 6은 도 1의 열처리 모듈을 도시한다.
도 7 및 도 8은 도 6의 다른 실시예를 도시한다.1 shows a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figures 2 and 3 illustrate the substrate processing module of Figure 1;
Figure 4 shows the liquid processing unit of Figures 2 and 3;
Figure 5 shows the supercritical processing unit of Figures 2 and 3;
Figure 6 shows the heat treatment module of Figure 1;
Figures 7 and 8 show another embodiment of Figure 6.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. The invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts that are not relevant to the description are omitted, and identical or similar components are assigned the same reference numerals throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.Additionally, in various embodiments, components having the same configuration will be described using the same symbols only in the representative embodiment, and in other embodiments, only components that are different from the representative embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or combined)" with another part, this means not only "directly connected (or combined)" but also "indirectly connected (or combined)" with another member in between. Also includes “combined” ones. Additionally, when a part "includes" a certain component, this means that it may further include other components, rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.

한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.Meanwhile, in drawings, the size, shape, and thickness of lines of components may be somewhat exaggerated for ease of understanding.

이하, 설명의 편의를 위하여 복수 개로 구성될 수 있는 모든 구성 요소들이 하나로 구성된 것을 예로 설명하기로 한다.Hereinafter, for convenience of explanation, it will be explained as an example that all components that can be composed of a plurality are composed of one.

본 발명은 반도체 공정 설비 내에서 기판에 대한 처리 공정을 순차적으로 수행하는 복수의 처리 유닛을 하나의 모듈로 구성함으로써 기판 이송 효율을 증가시키고 기판 이송 과정에서 발생하는 환경 변화를 감소시킬 수 있는 방안에 대한 것이다.The present invention provides a method to increase substrate transfer efficiency and reduce environmental changes occurring during the substrate transfer process by configuring a plurality of processing units that sequentially perform substrate processing processes within a semiconductor processing facility into one module. It is about.

반도체 공정 설비에는 각각의 반도체 공정을 수행하기 위한 다양한 공정 장치가 구비되며, 다수의 장치가 공정 유닛으로 구성될 수 있다. 이러한 각각의 공정 장치 또는 다수의 공정 장치를 포함하는 공정 유닛 간 기판을 반송하기 위해 반송 모듈이 마련될 수 있으며, 본 발명에서는 복수의 공정 유닛을 하나의 모듈로 구성하고 각 모듈이 반송 모듈을 보조할 수 있는 반송 수단을 갖도록 구성하여 기판 반송 효율을 높임과 동시에 기판 이송 과정에서의 환경 차이를 감소시킬 수 있는 방안을 제시하고자 한다.Semiconductor processing facilities are equipped with various processing devices to perform each semiconductor process, and multiple devices may be configured as process units. A transfer module may be provided to transfer the substrate between each process device or a process unit including a plurality of process devices. In the present invention, a plurality of process units are configured as one module, and each module assists the transfer module. We would like to propose a method that can increase substrate transport efficiency and reduce environmental differences in the substrate transport process by configuring it to have a transport means that can handle the substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 가진다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 인덱스 프레임(14)을 가진다. 로드 포트(12), 인덱스 프레임(14), 그리고 공정 처리부(20)는 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(12), 인덱스 프레임(14), 그리고 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 하며, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(6)이라 칭한다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing equipment 1 has an index unit 10 and a process processing unit 20. The index unit 10 has a load port 12 and an index frame 14. The load port 12, the index frame 14, and the process processing unit 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 12, the index frame 14, and the process processing unit 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and is a direction perpendicular to the first direction 2 when viewed from the top. is called the second direction (4), and the direction perpendicular to the plane including the first direction (2) and the second direction (4) is called the third direction (6).

로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(13)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 공정 처리부(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(13)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(13)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 13 containing the substrate W is seated in the load port 12. A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged in a row along the second direction 4. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process processing unit 20. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 13 to accommodate the substrates W arranged horizontally with respect to the ground. A Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used as the carrier 13.

인덱스 프레임(14)은 로드 포트(12)에 안착된 캐리어(13)와 버퍼 유닛(22) 간에 기판(W)을 반송한다. 인덱스 프레임(14)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(4)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(4)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스, 몸체, 그리고 인덱스암을 가질 수 있다. 베이스는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체는 베이스에 결합되고, 몸체는 베이스상에서 제3방향(6)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체는 베이스 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암은 몸체에 결합되고, 몸체에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 인덱스암들은 제3방향(6)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다. 인덱스암들 중 일부는 공정 처리부(20)에서 캐리어(13)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(13)에서 공정 처리부(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The index frame 14 transports the substrate W between the carrier 13 mounted on the load port 12 and the buffer unit 22. The index frame 14 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 4. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 4 along the index rail 142. The index robot 144 may have a base, a body, and an index arm. The base is installed to be movable along the index rail 142. The body may be coupled to the base, and the body may be provided to be movable along the third direction (6) on the base. Additionally, the body may be provided to be rotatable on the base. The index arm is coupled to the body and may be provided to move forward and backward with respect to the body. A plurality of index arms may be provided and each may be individually driven. The index arms may be arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction 6. Some of the index arms are used when transferring the substrate W from the process processing unit 20 to the carrier 13, and other parts of the index arms are used when transferring the substrate W from the carrier 13 to the processing unit 20. can be used This can prevent particles generated from the substrate W before processing from attaching to the substrate W after processing during the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

공정 처리부(20)는 버퍼 유닛(22), 반송 모듈(24), 기판 처리 모듈(100), 열처리 모듈(500)을 포함할 수 있다. 반송 모듈(24)은 그 길이 방향이 제1방향(2)과 평행하게 제공될 수 있다. 기판 처리 모듈(100)과 열처리 모듈(500)은 반송 모듈(24)의 측부에 배치될 수 있다.The process processing unit 20 may include a buffer unit 22, a transfer module 24, a substrate processing module 100, and a heat treatment module 500. The transfer module 24 may be provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 2. The substrate processing module 100 and the heat treatment module 500 may be disposed on the side of the transfer module 24 .

일 예로, 반송 모듈(24)의 일측에는 기판 처리 모듈들(100)이 배치되고 그 반대측에는 열처리 모듈들(500)이 배치될 수 있다. 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500)은 반송 모듈(24)을 기준으로 서로 반대측에 제공될 수 있다. 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500) 중 일부는 반송 모듈(24)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500) 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 반송 모듈(24)의 양측에는 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(2)을 따라 일렬로 제공된 처리 모듈의 수이고, B는 제3방향(6)을 따라 일렬로 제공된 처리 모듈의 수이다. 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500)의 개수는 기판 처리 장치(1)의 풋프린트나 공정 효율 등을 고려하여 증가하거나 감소할 수도 있다.For example, substrate processing modules 100 may be placed on one side of the transfer module 24 and heat treatment modules 500 may be placed on the opposite side. The substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 may be provided on opposite sides of the transfer module 24 . Some of the substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 may be arranged along the longitudinal direction of the transfer module 24 . Additionally, some of the substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 may be arranged to be stacked on top of each other. That is, substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 may be arranged in an A x B arrangement on both sides of the transfer module 24. Here, A is the number of processing modules provided in a row along the first direction (2), and B is the number of processing modules provided in a row along the third direction (6). The number of substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 may increase or decrease in consideration of the footprint or process efficiency of the substrate processing apparatus 1.

반송 모듈(24)을 기준으로 하는 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500)의 배치는 상술한 바와 반대일 수 있다. 또는, 기판 처리 모듈들(100)과 열처리 모듈들(500)이 반송 모듈(24)의 양측에 각각 배치되고 반송 모듈(24)의 일측 및 타측에서 기판 처리 모듈들(100) 및 열처리 모듈들(500)은 반송 모듈(24)을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 기판 처리 모듈들(100)이 열처리 모듈들(500)보다 버퍼 유닛(22)에 더 가깝도록 배치될 수 있다. 또는, 열처리 모듈들(500)이 기판 처리 모듈(100)들보다 버퍼 유닛(22)에 더 가깝도록 배치될 수 있다. 또한, 기판 처리 모듈(100) 및 열처리 모듈(500)은 반송 모듈(24)의 일측 또는 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The arrangement of the substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 based on the transfer module 24 may be opposite to that described above. Alternatively, the substrate processing modules 100 and heat treatment modules 500 are respectively disposed on both sides of the transfer module 24, and the substrate processing modules 100 and heat treatment modules ( 500) may be provided to be symmetrical with respect to the transfer module 24. The substrate processing modules 100 may be arranged to be closer to the buffer unit 22 than the heat treatment modules 500 . Alternatively, the heat treatment modules 500 may be disposed closer to the buffer unit 22 than the substrate processing modules 100 . Additionally, the substrate processing module 100 and the heat treatment module 500 may be provided as a single layer on one or both sides of the transfer module 24.

버퍼 유닛(22)은 인덱스 프레임(14)과 반송 모듈(24) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(22)은 반송 모듈(24)와 인덱스 프레임(14) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공할 수 있다. 버퍼 유닛(22)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(6)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(22)은 인덱스 프레임(14)과 마주보는 면 및 반송 모듈(24)와 마주보는 면이 개방될 수 있다.The buffer unit 22 may be disposed between the index frame 14 and the transport module 24. The buffer unit 22 may provide a space for the substrate W to stay before it is transferred between the transfer module 24 and the index frame 14. A slot (not shown) in which the substrate W is placed may be provided inside the buffer unit 22. A plurality of slots (not shown) may be provided to be spaced apart from each other along the third direction 6. The buffer unit 22 may have an open side facing the index frame 14 and a side facing the transfer module 24.

반송 모듈(24)은 버퍼 유닛(22)과 기판 처리 모듈(100) 간에, 기판 처리 모듈들(26) 간에 그리고 기판 처리 모듈(100)과 열처리 모듈(500) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 모듈(24)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(2)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(2)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스, 몸체, 그리고 메인암을 가질 수 있다. 베이스는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체는 베이스에 결합되고, 베이스 상에서 제3방향(6)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체는 베이스 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 메인암은 몸체에 결합되고, 이는 몸체에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 메인암은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 메인암들은 제3방향(6)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다.The transport module 24 transports the substrate W between the buffer unit 22 and the substrate processing module 100, between the substrate processing modules 26, and between the substrate processing module 100 and the heat treatment module 500. The transfer module 24 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 2. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 2 on the guide rail 242. The main robot 244 may have a base, a body, and a main arm. The base is installed to be movable along the guide rail 242. The body may be coupled to the base and provided to be movable along the third direction (6) on the base. Additionally, the body may be provided to be rotatable on the base. The main arm is coupled to the body, and may be provided to move forward and backward relative to the body. A plurality of main arms may be provided and each may be individually driven. The main arms may be arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction (6).

도 3 및 도 4는 도 1의 기판 처리 모듈(100)을 도시한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 모듈(100)을 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 모듈(100)을 도시한 측단면도이다.Figures 3 and 4 illustrate the substrate processing module 100 of Figure 1. FIG. 3 is a plan view showing the substrate processing module 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a side cross-sectional view showing the substrate processing module 100 according to an embodiment of the present invention.

기판 처리 모듈(100)은 기판(W)에 대해 액 처리 공정을 수행하는 액 처리 유닛(300)과 기판(W)에 대해 초임계 유체를 이용한 처리를 수행하는 초임계 처리 유닛(400)을 포함할 수 있다. 그 중 액 처리 유닛(300)은 기판(W)에 대한 액 처리 공정을 수행할 수 있다. 액 처리 유닛(300)은 수행하는 액 처리의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 모듈(100)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 모듈(100) 내에 제공된 구성들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 모듈(100) 내에 제공된 구성 및 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The substrate processing module 100 includes a liquid processing unit 300 that performs a liquid processing process on the substrate W and a supercritical processing unit 400 that performs processing using a supercritical fluid on the substrate W. can do. Among them, the liquid processing unit 300 can perform a liquid processing process on the substrate W. The liquid processing unit 300 may have different structures depending on the type of liquid processing it performs. Optionally, the substrate processing modules 100 are divided into a plurality of groups, so that the configurations provided in the substrate processing modules 100 belonging to the same group are the same, and the configurations and structures provided in the substrate processing modules 100 belonging to different groups may be provided differently from each other.

본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 현상 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 현상 공정에 한정되지 않으며, 도포, 세정, 식각 등 다양하게 적용 가능할 수도 있다.In this embodiment, the liquid treatment process for the substrate is described as a development process. This liquid treatment process is not limited to the development process and may be applicable to various applications such as coating, cleaning, and etching.

도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 모듈(100)을 도시한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 모듈(100)을 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 모듈(100)을 도시한 측단면도이다.Figures 2 and 3 illustrate the substrate processing module 100 of Figure 1. FIG. 2 is a plan view showing the substrate processing module 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the substrate processing module 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 모듈(100)은 하우징(110), 액 처리 유닛(300) 및 초임계 처리 유닛(400)을 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the substrate processing module 100 includes a housing 110, a liquid processing unit 300, and a supercritical processing unit 400.

하우징(110)은 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400)이 배치되는 내부 공간을 제공한다. 예를 들어, 하우징(110)은 직육면체 형성으로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 반송 모듈(24)과 마주보는 면에 형성된 출입구(111)를 포함할 수 있다. 출입구(111)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.The housing 110 provides an internal space where the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400 are disposed. For example, the housing 110 may be provided in a rectangular parallelepiped shape. The housing 110 may include an entrance 111 formed on a side facing the transfer module 24. The entrance 111 provides a passage through which the substrate W moves.

본 명세서에서는, 하우징(110)이 액 처리 유닛(300)과 인접한 영역에 형성된 하나의 출입구(111)를 갖는 예를 도시하였지만, 출입구(111)의 위치는 이에 한정되지 않으며 하우징(110)은 복수 개의 출입구를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하우징(110)의 반송 모듈(24)과 마주보는 면에서 초임계 처리 유닛(400)과 인접한 영역에 출입구가 하나 더 형성될 수 있고, 기판(W)은 액 처리 유닛(300)과 인접한 출입구를 통해 하우징(110) 내부로 반입되고, 초임계 처리 유닛(400)과 인접한 출입구를 통해 하우징(110) 외부로 반출될 수 있다.In this specification, an example is shown in which the housing 110 has one entrance 111 formed in an area adjacent to the liquid processing unit 300, but the location of the entrance 111 is not limited to this and the housing 110 may have multiple entrances 111. It may also include a dog entrance. For example, one more entrance may be formed in an area adjacent to the supercritical processing unit 400 on the side facing the transfer module 24 of the housing 110, and the substrate W may be connected to the liquid processing unit 300. It may be brought into the housing 110 through an entrance adjacent to the supercritical processing unit 400 and taken out of the housing 110 through an entrance adjacent to the supercritical processing unit 400.

하우징(110) 내에서, 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400)은 제1방향(2)을 따라 순서대로 일렬 배치될 수 있다.Within the housing 110, the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400 may be arranged in order along the first direction 2.

기판 처리 모듈(100)은 기판 처리 모듈(100) 내에서 기판(W)을 반송하기 위한 반송 수단(600)을 더 포함할 수 있다. 반송 수단(600)은 반송 모듈(24)로부터 기판(W)을 전달받아 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400)으로 기판(W)을 전달할 수 있다. 반송 수단(600)은 반송 레일(612)과, 반송 레일(612)을 따라 기판(W)을 반송하는 반송 부재(614)를 포함할 수 있다.The substrate processing module 100 may further include a transport means 600 for transporting the substrate W within the substrate processing module 100 . The transfer means 600 may receive the substrate W from the transfer module 24 and transfer the substrate W to the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400. The transport means 600 may include a transport rail 612 and a transport member 614 that transports the substrate W along the transport rail 612.

반송 레일(612)은 그 길이 방향이 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400)이 배치된 방향(제1방향(2))과 나란하게 제공될 수 있다. 반송 부재(614)는 베이스, 몸체, 그리고 핸드를 가질 수 있다. 베이스는 반송 레일(612)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체는 베이스에 결합되고, 베이스 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 핸드는 몸체에 결합되고, 기판(W)을 지지하며, 몸체에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The conveying rail 612 may be provided in a longitudinal direction parallel to the direction in which the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400 are disposed (first direction 2). The transfer member 614 may have a base, a body, and a hand. The base is installed to be movable along the conveyance rail 612. The body may be coupled to the base and provided to be rotatable on the base. The hand is coupled to the body, supports the substrate W, and may be provided to be capable of moving forward and backward relative to the body.

반송 수단(600)은 기판 처리 모듈(100) 내에서 공정 순서에 따라 기판(W)을 이송하고, 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400) 각각의 내부로 기판(W)을 반입하고 반출할 수 있다.The transport means 600 transports the substrate W according to the process sequence within the substrate processing module 100, and carries the substrate W into each of the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400. and can be taken out.

예를 들어, 반송 부재(614)는 메인 로봇(244)으로부터 기판(W)을 전달받아 액 처리 유닛(300) 내부로 기판(W)을 반입하고, 액 처리 유닛(300)에 의하여 액 처리가 완료된 기판(W)을 액 처리 유닛(300)으로부터 반출한 후 초임계 처리 유닛(400)으로 반송할 수 있다. 초임계 처리가 완료된 기판(W)은 반송 부재(614)에 의하여 초임계 처리 유닛(400)으로부터 반출된 후 메인 로봇(244)으로 전달될 수 있다. 각 처리 유닛에 의한 기판의 처리 공정이 수행되는 동안, 반송 부재(614)는 각 처리 유닛의 외부에서 대기하고, 각 처리 유닛으로 기판(W)을 반입 또는 반출하기 위하여 반송 부재(614)의 핸드가 몸체에 대해 전진 및 후진 이동할 수 있다.For example, the transfer member 614 receives the substrate W from the main robot 244, carries the substrate W into the liquid processing unit 300, and performs liquid processing by the liquid processing unit 300. The completed substrate W may be taken out of the liquid processing unit 300 and then returned to the supercritical processing unit 400 . The substrate W on which supercritical processing has been completed may be transported from the supercritical processing unit 400 by the transfer member 614 and then transferred to the main robot 244. While the processing process of the substrate by each processing unit is performed, the transfer member 614 waits outside each processing unit, and the hand of the transfer member 614 is used to load or unload the substrate W into or out of each processing unit. It can move forward and backward with respect to the body.

반송 수단(600)에 의하여 메인 로봇(244)의 일부 동작이 대체됨으로써 동일 시간 동안 메인 로봇(244)이 반송할 수 있는 기판(W)의 수가 증가되고, 기판 처리 장치(1)에 의하여 처리될 수 있는 기판(W)의 수가 증가하므로 설비의 시간당 생산량이 증가할 수 있다. 또한, 각 처리 유닛 간 기판(W)을 반송하는데 소요되는 택트 타임(Tact time)이 감소될 수 있다. 또한, 기판(W)에 대한 연속 공정(현상-세정/건조)이 수행되는 동안, 반송 수단(600)에 의하여 기판(W)이 반송 모듈(24)을 거치지 않고 일정 온도와 일정 습도의 환경이 유지되는 하우징(110) 내부에서 이송됨으로써 기판에 대한 환경 변화가 최소화되므로 환경 차이에 의한 기판(W)의 품질 저하가 방지되고 설비의 공정 능력이 향상될 수 있다.By replacing some of the operations of the main robot 244 by the transfer means 600, the number of substrates W that can be transferred by the main robot 244 during the same time increases, and the number of substrates W to be processed by the substrate processing device 1 is increased. As the number of substrates (W) that can be processed increases, the production volume per hour of the facility can increase. Additionally, the tact time required to transport the substrate W between each processing unit can be reduced. In addition, while the continuous process (development-cleaning/drying) for the substrate W is performed, the substrate W is maintained in an environment of constant temperature and constant humidity by the transfer means 600 without passing through the transfer module 24. By being transported inside the maintained housing 110, environmental changes to the substrate are minimized, thereby preventing quality deterioration of the substrate W due to environmental differences and improving the process capability of the facility.

한편, 기판 처리 모듈(100)은 별도의 반송 수단(600)을 포함하지 않고, 기판 처리 모듈(100) 내에서의 기판(W) 반송은 메인 로봇(242)에 의하여 수행될 수도 있다. 이때, 하우징(110)에는 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400) 각각의 위치에 대응하는 위치에 모두 출입구가 형성될 수 있다. 또는, 하우징(110)에 형성된 출입구가 액 처리 유닛(300)부터 초임계 처리 유닛(400)까지의 구간을 커버할 수 있는 길이로 형성될 수 있다.Meanwhile, the substrate processing module 100 does not include a separate transport means 600, and the transport of the substrate W within the substrate processing module 100 may be performed by the main robot 242. At this time, entrances and exits may be formed in the housing 110 at positions corresponding to each of the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400. Alternatively, the entrance formed in the housing 110 may be formed with a length that can cover the section from the liquid processing unit 300 to the supercritical processing unit 400.

기판 처리 모듈(100)은 하우징(110) 내부에 기류를 형성하는 기류 공급 유닛(120)을 더 포함할 수 있다.The substrate processing module 100 may further include an airflow supply unit 120 that forms an airflow inside the housing 110.

예를 들어, 기류 공급 유닛(120)은 필터와 팬이 하나의 유닛으로 모듈화된 팬 필터 유닛(FFU, Fan Filter Unit)일 수 있다. 기류 공급 유닛(120)은 하우징(110) 상부에 제공되고, 하우징(110)의 내부 공간으로 공기를 공급하여 다운 플로우를 형성할 수 있다. 기류 공급 유닛(120)에 의하여 내부 공간으로 공급되는 공기는 온도와 습도가 조절된 청정 공기(CDA, Clean Dry Air)일 수 있다. 상세히 도시되지는 않았지만, 하우징(110)의 하부에는 하우징(110) 내부의 기류를 배기하기 위한 배기구가 형성될 수 있다. 기류 공급 유닛(120)에 의하여 내부 공간으로 공급되는 공기는 질소 등의 비활성 가스를 포함할 수 있다. 한편, 기류 공급 유닛(120)은 하우징(110)의 일 측부에 제공되고, 수평 방향의 기류를 형성하도록 구성될 수도 있다. 이때, 배기구는 기류 공급 유닛(120)이 제공된 측부에 대응하는 측부에 형성될 수 있다.For example, the airflow supply unit 120 may be a fan filter unit (FFU) in which a filter and a fan are modularized into one unit. The airflow supply unit 120 is provided at the top of the housing 110 and can supply air to the internal space of the housing 110 to form a down flow. The air supplied to the internal space by the airflow supply unit 120 may be clean dry air (CDA) whose temperature and humidity are controlled. Although not shown in detail, an exhaust port may be formed in the lower part of the housing 110 to exhaust airflow inside the housing 110. The air supplied to the internal space by the airflow supply unit 120 may contain an inert gas such as nitrogen. Meanwhile, the airflow supply unit 120 may be provided on one side of the housing 110 and may be configured to form a horizontal airflow. At this time, the exhaust port may be formed on the side corresponding to the side on which the airflow supply unit 120 is provided.

기류 공급 유닛(120)에 의하여 기판 처리 모듈(100) 내부에 일정 온도와 일정 습도의 환경이 형성되어 유지될 수 있다.An environment of constant temperature and constant humidity can be created and maintained inside the substrate processing module 100 by the airflow supply unit 120 .

도 4는 도 2 및 도 3의 액 처리 유닛(300)을 도시한 단면도이다. 도 4를 참조하면, 액 처리 유닛(300)은 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 그리고 액 토출 유닛(380)을 포함한다. 액 처리 유닛(300)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정을 수행할 수 있다. 액 처리 유닛(300)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거할 수 있다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거될 수 있다. 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing the liquid processing unit 300 of FIGS. 2 and 3 . Referring to FIG. 4 , the liquid processing unit 300 includes a processing container 320, a support unit 340, a lifting unit 360, and a liquid discharging unit 380. The liquid processing unit 300 may perform a development process to remove a portion of the photo resist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the substrate W. The liquid processing unit 300 may remove the light-irradiated area of the photoresist on the substrate W. At this time, the light-irradiated area of the protective film may also be removed. Depending on the type of photoresist used, only the areas of the photoresist and the protective film that are not exposed to light may be removed.

처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 지지 유닛(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a, 326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b, 326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing container 320 provides a processing space within which a substrate is processed. The processing container 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing container 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326. Each recovery container 322 and 326 recovers different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The internal recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340, and the external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 326. The inner space 322a of the internal recovery container 322 and the internal recovery container 322 function as a first inlet through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322. The space 326a between the internal recovery container 322 and the external recovery container 326 functions as a second inlet through which the treatment liquid flows into the external recovery container 326. According to one example, each inlet (322a, 326a) may be located at a different height. Recovery lines 322b and 326b are connected below the bottom of each recovery container 322 and 326. The treatment liquid flowing into each recovery tank 322 and 326 can be reused by being provided to an external treatment liquid recovery system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b.

지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 일 예로, 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시키는 스핀 척으로 제공될 수 있다. 지지 유닛(340)은 지지 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지 몸체(342)는 대체로 원형으로 제공되는 상부면 및 하부면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상부면 및 하부면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다.The support unit 340 supports the substrate W in the processing space. As an example, the support unit 340 may be provided as a spin chuck that supports and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 has a support body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a rotational drive member. The support body 342 has an upper surface and a lower surface that are generally circular. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The upper and lower surfaces are positioned so that their central axes coincide with each other.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the support body 342 and protrude upward from the support body 342. The support pins 344 are arranged to have an overall annular ring shape by combining them with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a certain distance from the upper surface of the support body 342.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지 몸체(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척 핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the support body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the support body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its original position when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the outer and inner positions along the radial direction of the support body 342. The outer position is a position further away from the center of the support body 342 compared to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded into the support unit 340, the chuck pin 346 is positioned at an outer position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the sides of the chuck pin 346 and the substrate W contact each other, and the outer position is a position where the chuck pin 346 and the substrate W are spaced apart from each other.

회전 구동 부재(348, 349)는 지지 몸체(342)를 회전시킨다. 지지 몸체(342)는 회전 구동 부재(348, 349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348, 349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(6)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지 몸체(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지 몸체(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지 몸체(342)는 지지축(348)과 함께 회전 가능하다.Rotational drive members 348 and 349 rotate the support body 342. The support body 342 is rotatable about its own central axis by the rotation drive members 348 and 349. The rotational drive members 348 and 349 include a support shaft 348 and a drive unit 349. The support shaft 348 has a cylindrical shape facing the third direction 6. The upper end of the support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom of the support body 342. According to one example, the support shaft 348 may be fixedly coupled to the bottom center of the support body 342. The driving unit 349 provides driving force so that the support shaft 348 rotates. The support shaft 348 is rotated by the driving unit 349, and the support body 342 is rotatable together with the support shaft 348.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지 유닛(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the processing vessel 320 straight up and down. As the processing vessel 320 moves up and down, the relative height of the processing vessel 320 with respect to the support unit 340 changes. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and a moving shaft 364 that moves in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. When the substrate W is placed on the support unit 340 or lifted from the support unit 340, the processing vessel 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the top of the processing vessel 320. Additionally, as the process progresses, the height of the processing container 320 is adjusted so that the processing liquid can flow into the preset recovery container 360 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W. Optionally, the lifting unit 360 may move the supporting unit 340 in the vertical direction.

액 토출 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 액 토출 유닛(380)은 복수 개로 제공될 수 있으며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 일 예로, 기판(W)에 현상액을 공급하기 위한 현상액 토출 유닛과 세정액을 공급하기 위한 세정액 토출 유닛을 포함할 수 있다. 액 토출 유닛(380)은 이동 부재(381) 및 노즐(390)을 포함한다.The liquid discharge unit 380 supplies processing liquid onto the substrate W. A plurality of liquid discharge units 380 may be provided, and each may supply different types of treatment liquids. As an example, it may include a developer discharge unit for supplying a developer solution to the substrate W and a cleaning solution discharge unit for supplying a cleaning solution. The liquid discharge unit 380 includes a moving member 381 and a nozzle 390.

이동 부재(381)는 노즐(390)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(390)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(390)이 제1 공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(390)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.The moving member 381 moves the nozzle 390 to the process position and the standby position. Here, the process position is defined as a position where the nozzle 390 faces the substrate W supported on the substrate support unit 340, and the standby position is defined as a position where the nozzle 390 is outside the process position. According to one example, the process location includes a pre-processing location and a post-processing location. The pre-treatment position is a position where the nozzle 390 supplies the processing liquid to the first supply position, and the post-treatment position is a position where the nozzle 390 supplies the processing liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including an end of the substrate. Optionally, the second supply location may be an area adjacent to an end of the substrate.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(3)을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(390)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.The moving member 381 includes a support shaft 386, an arm 382, and an actuator 388. The support shaft 386 is located on one side of the processing vessel 320. The support shaft 386 has a rod shape with its longitudinal direction facing the third direction 3. The support shaft 386 is provided to be rotatable by the driver 388. The support shaft 386 is provided to enable lifting and lowering movement. Arm 382 is coupled to the upper end of support shaft 386. Arm 382 extends vertically from support axis 386. A nozzle 390 is fixedly coupled to the end of the arm 382. As the support shaft 386 rotates, the nozzle 390 can swing along with the arm 382. The nozzle 390 can be swing moved to the process position and the standby position. Optionally, the arm 382 may be provided to enable forward and backward movement along its longitudinal direction. When viewed from the top, the path along which the nozzle 390 moves may coincide with the central axis of the substrate W at the process location.

도 5는 도 2 및 도 3의 초임계 처리 유닛(400)의 일 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.Figure 5 schematically shows one embodiment of the supercritical processing unit 400 of Figures 2 and 3.

일 실시예에 의하면, 초임계 처리 유닛(400)은 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 현상액을 제거할 수 있다. 초임계 처리 유닛(400)은 바디(410), 지지 부재(430), 유체 공급 부재(440), 배기 부재(450)을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the supercritical processing unit 400 may remove the developer on the substrate W using a supercritical fluid. The supercritical processing unit 400 may include a body 410, a support member 430, a fluid supply member 440, and an exhaust member 450.

바디(410)는 초임계 처리 공정(예: 세정 및 건조)이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 바디(410)는 제1 바디(412)와 제2 바디(414)를 가지며, 제1 바디(412)와 제2 바디(414)는 서로 조합되어 처리 공간을 제공할 수 있다. 일 예로, 제1 바디(412)와 제2 바디(414)는 대향하는 위치에 배치되고, 제1 바디(412)와 제2 바디(412) 중 적어도 하나는 별도의 바디 구동 부재(미도시)에 의해 승하강될 수 있다. 제1 바디(412)와 제2 바디(414)가 서로 이격되면 처리 공간이 개방되고, 이때 기판(W)이 반입 또는 반출될 수 있다. 공정 진행 시에는 제1 바디(412)와 제2 바디(414)가 서로 접근하는 위치로 이동하여 완전히 밀착됨으로써 처리 공간을 외부로부터 밀폐될 수 있다.The body 410 may provide a processing space where supercritical processing processes (eg, cleaning and drying) are performed. The body 410 has a first body 412 and a second body 414, and the first body 412 and the second body 414 can be combined with each other to provide a processing space. For example, the first body 412 and the second body 414 are disposed in opposite positions, and at least one of the first body 412 and the second body 412 is a separate body driving member (not shown). It can be raised and lowered by . When the first body 412 and the second body 414 are spaced apart from each other, the processing space is opened, and at this time, the substrate W can be brought in or out. During the process, the first body 412 and the second body 414 move to a position approaching each other and come into complete contact with each other, thereby sealing the processing space from the outside.

한편, 바디(410)는 제1 바디(412)와 제2 바디(414) 중 하나의 위치가 고정되고, 위치가 고정되지 않은 나머지 하나가 챔버 구동 부재(미도시)에 의하여 이동하는 형태로 제공될 수도 있다.Meanwhile, the body 410 is provided in such a way that the position of one of the first body 412 and the second body 414 is fixed, and the other one whose position is not fixed is moved by a chamber driving member (not shown). It could be.

초임계 처리 유닛(400)은 가열 부재(420)를 포함할 수 있다. 가열 부재(420)는 바디(410)의 벽 내부에 매설되어 설치될 수 있다. 가열 부재(420)는 바디(410)의 내부 공간으로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 바디(410) 내부를 가열할 수 있다. 이러한 가열 부재(420)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다.The supercritical processing unit 400 may include a heating member 420. The heating member 420 may be installed buried inside the wall of the body 410. The heating member 420 may heat the inside of the body 410 so that the fluid supplied to the internal space of the body 410 remains in a supercritical state. For example, this heating member 420 may be provided as a heater that generates heat by receiving power from the outside.

지지 부재(430)는 바디(410)의 처리 공간 내에 배치되어 기판(W)을 지지한다. 바디(410)의 처리 공간으로 반입된 기판(W)은 지지 부재(430) 상에 놓이고, 일 예로서 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지될 수 있다.The support member 430 is disposed within the processing space of the body 410 and supports the substrate W. The substrate W brought into the processing space of the body 410 is placed on the support member 430. As an example, the substrate W may be supported with the pattern surface facing upward.

유체 공급 부재(440)는 바디(410)의 처리 공간으로 유체를 공급할 수 있다. 유체는 초임계 상태로 처리 공간으로 공급될 수 있다. 또는, 유체는 가스 상태로 처리 공간으로 공급되고 처리 공간 내에서 초임계 상태로 상변화될 수 있다. 일 예로, 공급되는 유체는 이산화탄소일 수 있다.The fluid supply member 440 may supply fluid to the processing space of the body 410. The fluid may be supplied to the processing space in a supercritical state. Alternatively, the fluid may be supplied to the processing space in a gaseous state and phase changed to a supercritical state within the processing space. As an example, the supplied fluid may be carbon dioxide.

유체 공급 부재(440)는 공급 라인(442)을 통해 유체 공급원(441)과 연결될 수 있다. 공급 라인(442) 상에는 바디(410) 내부로 공급되는 건조 유체의 유량을 조절하기 위한 밸브(443)가 설치될 수 있다. 유체 공급 부재(440)은 바디(410)의 상부벽에 제공되어 지지 부재(430)에 의하여 지지되는 기판(W)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 유체 공급 부재(440)는 기판(W)의 중앙 영역으로 초임계 유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 유체 공급 부재(440)는 지지 부재(430)에 의해 지지되는 기판(W)의 중앙으로부터 연직 상방에 위치할 수 있다. 이에 따라 기판(W)으로 분사되는 초임계 유체가 기판(W)의 중앙 영역에 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(W)의 전체 영역에 균일하게 제공될 수 있다. 한편, 유체 공급 부재(440)는 바디(410)의 하부벽에 더 제공될 수도 있다.The fluid supply member 440 may be connected to the fluid source 441 through a supply line 442. A valve 443 may be installed on the supply line 442 to adjust the flow rate of the drying fluid supplied into the body 410. The fluid supply member 440 is provided on the upper wall of the body 410 and can supply supercritical fluid to the substrate W supported by the support member 430. The fluid supply member 440 may spray supercritical fluid to the central area of the substrate W. For example, the fluid supply member 440 may be positioned vertically above the center of the substrate W supported by the support member 430. Accordingly, the supercritical fluid injected into the substrate W may reach the central area of the substrate W and spread to the edge area, thereby being uniformly provided to the entire area of the substrate W. Meanwhile, the fluid supply member 440 may be further provided on the lower wall of the body 410.

배기 부재(450)는 바디(410)로부터 초임계 유체를 배기할 수 있다. 배기 부재(450)는 바디(410)의 하부벽에 형성될 수 있다. 배기 부재(450)는 바디(410)의 처리 공간으로부터 사용된 초임계 유체를 배기하기 위한 배기 라인(452)을 포함할 수 있다. 상세히 도시하지는 않았지만, 배기 라인(452) 상에는 바디(410)로부터 배기되는 초임계 유체의 유량을 조절하기 위한 밸브가 설치될 수 있다. 배기 라인(452)을 통해 배기되는 초임계 유체는 대기 중으로 방출되거나 사용된 초임계 유체를 재생하는 초임계 유체 재생 시스템(미도시)으로 제공될 수 있다.The exhaust member 450 may exhaust the supercritical fluid from the body 410. The exhaust member 450 may be formed on the lower wall of the body 410. The exhaust member 450 may include an exhaust line 452 for exhausting the used supercritical fluid from the processing space of the body 410. Although not shown in detail, a valve for controlling the flow rate of the supercritical fluid discharged from the body 410 may be installed on the exhaust line 452. The supercritical fluid exhausted through the exhaust line 452 may be discharged into the atmosphere or provided to a supercritical fluid regeneration system (not shown) that regenerates the used supercritical fluid.

도 6은 도 1에 도시된 열처리 모듈(500)을 도시한 측단면도이다.FIG. 6 is a side cross-sectional view showing the heat treatment module 500 shown in FIG. 1.

열처리 모듈(500)은 기판 처리 모듈(100)에 의한 처리가 완료된 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 열처리 모듈(500)은 현상 공정이 수행된 후의 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 베이크 공정 이후에 가열된 기판을 냉각하는 냉각 공정을 수행할 수 있다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 도 6을 참조하면, 열처리 모듈(500)은 하우징(510), 냉각 유닛(520), 가열 유닛(530)을 포함한다.The heat treatment module 500 may perform a heat treatment process on the substrate W on which processing by the substrate processing module 100 has been completed. For example, the heat treatment module 500 may perform a hard bake process to heat the substrate W after the development process has been performed and a cooling process to cool the heated substrate after the bake process. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. Referring to FIG. 6 , the heat treatment module 500 includes a housing 510, a cooling unit 520, and a heating unit 530.

하우징(510)은 열처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 반송 모듈(24)을 마주보는 면에 형성된 출입구(511)를 포함할 수 있다. 출입구(511)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.The housing 510 may provide a processing space where a heat treatment process is performed. For example, the housing 510 may be provided in a rectangular parallelepiped shape. The housing 510 may include an entrance 511 formed on a side facing the transfer module 24. The entrance 511 provides a passage through which the substrate W moves.

냉각 유닛(520)은 기판(W)이 안착되는 냉각 플레이트(521)를 포함할 수 있다. 냉각 플레이트(521)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트에는 냉각 부재가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트 내부에 형성되고, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공될 수 있다.The cooling unit 520 may include a cooling plate 521 on which the substrate W is mounted. The cooling plate 521 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate may be provided with a cooling member. According to one example, the cooling member may be formed inside the cooling plate and may serve as a flow path through which cooling fluid flows. The cooling plate may be made of metal with good thermal conductivity.

가열 유닛(530)은 가열 플레이트(531), 커버(532), 리프트 핀(533) 그리고 구동기(538)를 가질 수 있다. 가열 유닛(530)은 기판(W)을 설정 온도로 가열할 수 있다. 가열 플레이트(531)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 가열 플레이트(531)는 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 가열 플레이트(531) 내부에는 기판(W)을 가열하기 위한 가열 부재가 제공될 수 있다. 일 예로 가열 부재는 히팅 코일로 제공될 수 있다. 또는, 가열 플레이트(531)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(531)에는 제3방향(6)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(533)들이 제공될 수 있다.The heating unit 530 may have a heating plate 531, a cover 532, a lift pin 533, and an actuator 538. The heating unit 530 may heat the substrate W to a set temperature. The heating plate 531 may have a generally circular shape when viewed from the top. For example, the heating plate 531 may have a larger diameter than the substrate W. A heating member for heating the substrate W may be provided inside the heating plate 531. For example, the heating member may be provided as a heating coil. Alternatively, heating patterns may be provided on the heating plate 531. The heating plate 531 may be provided with lift pins 533 that can be driven up and down along the third direction 6.

커버(532)는 가열 플레이트(531)의 상부에 위치한다. 커버(532)는 내부 공간을 갖고 하부가 개방된 원통형의 형상으로 제공될 수 있다. 커버(532)는 내부에 가열 공간을 제공하고, 커버(532)는 가열 플레이트(531)의 상부에 위치되며 구동기(538)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 커버(532)가 가열 플레이트(531)에 접촉되면, 커버(532)와 가열 플레이트(531)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공될 수 있다.The cover 532 is located on top of the heating plate 531. The cover 532 may be provided in a cylindrical shape with an internal space and an open bottom. The cover 532 provides a heating space inside, and the cover 532 is located on the top of the heating plate 531 and can be moved in the up and down direction by the driver 538. When the cover 532 contacts the heating plate 531, the space surrounded by the cover 532 and the heating plate 531 may be provided as a heating space for heating the substrate W.

리프트 핀(533)은 별도의 핀 구동부에 의하여 상하로 이동될 수 있다. 리프트 핀(533)은 기판(W)을 가열 플레이트(531) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(533)은 기판(W)을 가열 플레이트(531)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(533)은 3개가 제공될 수 있다.The lift pin 533 can be moved up and down by a separate pin driving unit. The lift pin 533 may seat the substrate W on the heating plate 531. The lift pin 533 may lift the substrate W to a position spaced a certain distance away from the heating plate 531 . According to one example, three lift pins 533 may be provided.

구동기(538)는 커버(532)와 고정 결합되고, 기판(W)이 가열 플레이트(531)로 이송 또는 반송되는 경우 커버(532)를 상하로 승하강시킬 수 있다. 일 예로 구동기(538)는 실린더로 제공될 수 있다.The driver 538 is fixedly coupled to the cover 532 and can raise and lower the cover 532 when the substrate W is transferred or returned to the heating plate 531. As an example, the actuator 538 may be provided as a cylinder.

상세히 도시하지는 않았지만, 도 6의 열처리 모듈(500)은 냉각 유닛(520)과 가열 유닛(530) 간에 기판(W)을 반송하기 위한 반송 플레이트를 더 포함할 수 있다. 반송 플레이트(미도시)는 대체로 원판 형상으로 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가질 수 있다.Although not shown in detail, the heat treatment module 500 of FIG. 6 may further include a transfer plate for transferring the substrate W between the cooling unit 520 and the heating unit 530. The transfer plate (not shown) is generally provided in a disk shape and may have a diameter corresponding to the substrate (W).

선택적으로, 열처리 모듈(500)들 중 일부는 냉각 플레이트만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트만을 구비할 수도 있다.Alternatively, some of the heat treatment modules 500 may have only cooling plates, and others may have only heating plates.

도 7 및 도 8은 열처리 모듈(500)의 또다른 예를 도시한 도면이다. 도 7은 열처리 모듈(500)의 또다른 예를 도시한 측단면도이고, 도 8은 열처리 모듈(500)의 또다른 예를 도시한 평면도이다.7 and 8 are diagrams showing another example of the heat treatment module 500. FIG. 7 is a side cross-sectional view showing another example of the heat treatment module 500, and FIG. 8 is a plan view showing another example of the heat treatment module 500.

도 7 및 도 8을 참조하면, 냉각 유닛(520)은 냉각 플레이트(521)를 이동시키는 반송부(540)를 더 포함할 수 있다. 반송부(540)는 하우징(510) 내에서 냉각 플레이트(521)를 반송할 수 있다. 냉각 플레이트(521)는 반송부(540)에 의해 대기 위치와 쿨링 위치로 이동될 수 있다. 대기 위치는 출입구(511)와 인접한 위치일 수 있고, 쿨링 위치는 가열 유닛(530)에 인접한 위치일 수 있다. 반송부(540)는 열처리 모듈(500) 내부에서 냉각 유닛(520)과 가열 유닛(530) 간에 기판(W)을 반송하기 위해 제공되는 반송 플레이트를 대체할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , the cooling unit 520 may further include a transfer unit 540 that moves the cooling plate 521 . The transport unit 540 can transport the cooling plate 521 within the housing 510. The cooling plate 521 can be moved to the standby position and the cooling position by the transfer unit 540. The waiting location may be a location adjacent to the entrance 511, and the cooling location may be a location adjacent to the heating unit 530. The transfer unit 540 may replace the transfer plate provided to transfer the substrate W between the cooling unit 520 and the heating unit 530 inside the heat treatment module 500.

냉각 플레이트(521) 상에는 기판(W)이 놓인다. 냉각 플레이트(521)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 냉각 플레이트(521)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(521)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공될 수 있다. 지지부(522)에 의하여 반송부(540)와 결합되는 냉각 플레이트(521)에는 가이드 홀(525)이 형성되어 있다. 가이드 홀(525)은 냉각 플레이트(521)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(525)은 냉각 플레이트(521)가 가열 플레이트(531) 상부로 이동 시 리프트 핀(553)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다. 냉각 플레이트(521) 내에는 냉매(냉각수)가 흐르는 유로(523)가 제공될 수 있다.The substrate W is placed on the cooling plate 521. The cooling plate 521 may be provided in a circular shape. For example, the cooling plate 521 may be provided in the same size as the substrate W. The cooling plate 521 may be made of a metal material with good thermal conductivity. A guide hole 525 is formed in the cooling plate 521 coupled to the transfer unit 540 by the support unit 522. The guide hole 525 is provided extending from the outer surface of the cooling plate 521 inward. The guide hole 525 prevents the cooling plate 521 from interfering with or colliding with the lift pin 553 when it moves to the top of the heating plate 531. A flow path 523 through which refrigerant (coolant) flows may be provided within the cooling plate 521.

이를 제외한 구성들은 도 6에 도시된 열처리 모듈(500)과 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.Since the configurations other than this are the same as those of the heat treatment module 500 shown in FIG. 6, their description will be omitted.

한편, 본 명세서에서는 열처리 모듈(500) 내부에서 냉각 유닛(520)과 가열 유닛(530)이 가이드 레일(242)의 길이 방향(제1방향(2))과 나란하게 배열된 예를 설명했지만, 냉각 유닛(520)과 가열 유닛(530)의 배치는 제1방향(2)에 수직한 제2방향(4)을 따라 배치될 수도 있다. 예를 들어, 냉각 유닛(520)이 가열 유닛(530)보다 반송 모듈(24)에 가깝게 위치할 수 있다.Meanwhile, in this specification, an example has been described where the cooling unit 520 and the heating unit 530 are arranged in parallel with the longitudinal direction (first direction (2)) of the guide rail 242 inside the heat treatment module 500. The cooling unit 520 and the heating unit 530 may be arranged along the second direction 4 perpendicular to the first direction 2. For example, the cooling unit 520 may be located closer to the transfer module 24 than the heating unit 530.

이상에서 설명한 바와 같이, 기판을 현상 처리하기 위한 액 처리 유닛(300)과 초임계 처리 유닛(400)을 하나의 내부 공간에 배치하고 하나의 모듈로 구성함으로써, 기판에 대해 발생할 수 있는 환경 변화를 감소시킬 수 있다. 또한, 메인 로봇(244)의 동작 시간을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 기판 이송에 따른 처리 시간이 단축됨으로써 생산량이 증대될 수 있고, 설비의 공정 능력이 향상될 수 있다.As described above, the liquid processing unit 300 and the supercritical processing unit 400 for developing the substrate are placed in one internal space and configured as one module to prevent environmental changes that may occur with the substrate. can be reduced. Additionally, the operation time of the main robot 244 can be reduced. Accordingly, the processing time due to substrate transfer can be shortened, thereby increasing production volume and improving the processing capacity of the equipment.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

100: 기판 처리 모듈
110: 하우징
111: 출입구
120: 기류 공급 유닛
300: 액 처리 유닛
400: 초임계 처리 유닛
500: 열처리 모듈
600: 반송 수단
612: 반송 레일
614: 반송 부재100: substrate processing module
110: housing
111: Entrance
120: Airflow supply unit
300: Liquid processing unit
400: Supercritical processing unit
500: Heat treatment module
600: conveyance means
612: Conveyance rail
614: Conveyance member

Claims (9)

내부 공간을 갖는 하우징;
상기 내부 공간에 제공되고, 기판에 대해 액 처리를 수행하는 액 처리 유닛; 및
상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판을 초임계 유체를 이용하여 처리하는 초임계 처리 유닛을 포함하는 기판 처리 모듈.
a housing having an interior space;
a liquid processing unit provided in the interior space and performing liquid processing on the substrate; and
A substrate processing module provided in the internal space and including a supercritical processing unit that processes the substrate using a supercritical fluid.
 제1항에 있어서,
상기 액 처리 유닛과 초임계 처리 유닛은 상기 하우징의 내부 공간에서 일렬로 배치되는 기판 처리 모듈.
According to paragraph 1,
A substrate processing module in which the liquid processing unit and the supercritical processing unit are arranged in a row in an internal space of the housing.
 제2항에 있어서,
상기 내부 공간에서 상기 기판을 반송하기 위한 반송 수단을 더 포함하는 기판 처리 모듈.
According to paragraph 2,
A substrate processing module further comprising transport means for transporting the substrate in the internal space.
 제1항에 있어서,
상기 내부 공간으로 소정 유량의 온도와 습도가 조정된 기체를 공급함으로써 상기 내부 공간에 기류를 형성하는 기류 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 모듈.
According to paragraph 1,
The substrate processing module further includes an airflow supply unit that forms an airflow in the internal space by supplying a gas with adjusted temperature and humidity at a predetermined flow rate to the internal space.
 제1항에 있어서,
상기 액 처리 유닛은
상기 기판에 대하여 현상액을 공급하는 기판 처리 모듈.
According to paragraph 1,
The liquid processing unit is
A substrate processing module that supplies a developer to the substrate.
 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드 포트와 상기 용기로부터 상기 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스부; 및
상기 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 공정 처리부를 포함하고,
상기 공정 처리부는,
상기 인덱스부로부터 전달받은 기판을 반송하는 반송 모듈;
상기 반송 모듈의 측부에 배치되고 상기 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 모듈; 및
상기 기판에 대한 열처리를 수행하는 열처리 모듈을 포함하며,
상기 기판 처리 모듈은,
내부 공간을 갖는 하우징;
상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판에 대하여 현상액을 공급하여 상기 기판을 현상 처리하는 현상 유닛;
상기 내부 공간에 제공되고, 상기 기판을 초임계 유체를 이용하여 처리하는 초임계 처리 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
An index unit including a load port on which a container containing a substrate is placed and an index robot that transports the substrate from the container; and
It includes a process processing unit that performs a processing process on the substrate,
The process processing department,
a transport module that transports the substrate received from the index unit;
a substrate processing module disposed on a side of the transfer module and performing a processing process on the substrate; and
It includes a heat treatment module that performs heat treatment on the substrate,
The substrate processing module,
a housing having an interior space;
a developing unit provided in the internal space and developing the substrate by supplying a developing solution to the substrate;
A substrate processing device comprising a supercritical processing unit provided in the internal space and processing the substrate using a supercritical fluid.
 제6항에 있어서,
상기 액 처리 유닛과 상기 초임계 처리 유닛은,
상기 반송 모듈이 배치된 방향을 따라 일렬로 배치되는 기판 처리 장치.
According to clause 6,
The liquid processing unit and the supercritical processing unit,
A substrate processing device arranged in a row along the direction in which the transfer modules are arranged.
 제7항에 있어서,
상기 기판 처리 모듈은,
상기 하우징의 내부 공간에 제공되고,
상기 반송 모듈로부터 상기 기판을 전달 받아 상기 액 처리 유닛과 상기 초임계 처리 유닛으로 상기 기판을 전달하는 반송 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치.
In clause 7,
The substrate processing module,
Provided in the internal space of the housing,
A substrate processing apparatus further comprising a transfer means for receiving the substrate from the transfer module and transferring the substrate to the liquid processing unit and the supercritical processing unit.
 제6항에 있어서,
상기 열처리 모듈은,
상기 기판을 냉각 처리하는 냉각 유닛과,
상기 기판을 가열 처리하는 가열 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 6,
The heat treatment module is,
a cooling unit that cools the substrate;
A substrate processing device comprising a heating unit for heat processing the substrate.
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