KR20230149310A - 계측 시스템의 작동, 리소그래피 장치, 및 그 방법 - Google Patents
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Abstract
방법은 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계, 상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계, 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계, 진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계, 및 상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하는 단계를 포함한다.
Description
관련 출원들에 대한 상호 - 참조
본 출원은 2021년 3월 2일에 출원된 미국 가특허출원 번호 제 63/155,592의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 발명은 패터닝 디바이스, 예를 들어 레티클을 작동시키는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치가 집적회로의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스테퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 동작 중에, 상이한 처리 단계들은 상이한 층들이 기판 상에 순차적으로 형성되도록 요구할 수 있다. 층들의 시퀀싱은 통상적으로, 각각의 패턴 전사 프로세스에 대하여 각각의 층의 소망되는 패턴에 따라서 상이한 레티클들을 교환함으로써 달성된다. 통상적인 리소그래피 시스템은 레티클 상의 패턴 및 레티클로부터 웨이퍼로 전사된 패턴에 관하여 나노미터 미만의 공차 내에서 동작한다. 레티클 상에 오염물 입자가 있으면 전사된 패턴에 오차가 도입될 수 있다. 그러므로, 패턴을 나노미터 미만의 정확도를 가지고 웨이퍼 상으로 정확하게 전사할 수 있는, 오염물이 없는 레티클을 유지시하는 것이 바람직하다.
기판을 노광하기 이전에 리소그래피 장치의 패터닝 디바이스를 위한 개선된 검사 기법을 제공할 필요성이 존재한다.
일부 실시형태들에서, 방법은 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계; 상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계; 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계; 프로세서를 사용해서, 진행하지 않는다는 결정에 응답하여 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계; 및 상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하는 단계를 포함한다.
일부 실시형태들에서, 리소그래피 장치는 조명 시스템, 투영 시스템, 및 계측 시스템을 포함한다. 조명 시스템은은 패터닝 디바이스의 패턴을 조명하도록 구성된다. 투영 시스템은 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성된다. 계측 시스템은 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하고, 상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하며, 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하고, 진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하며, 상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하도록 구성된다.
일부 실시형태에서는, 하나 이상의 프로세서들에 의하여 실행되면 상기 하나 이상의 프로세서가 동작들을 수행하도록 하는 명령을 저장하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체가 제공된다. 이러한 동작은, 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하는 것, 상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 것, 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 것, 진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 것, 및 상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 특징 및 다양한 실시형태의 구조 및 동작은 첨부 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명이 본 명세서에서 설명되는 특정 실시형태로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 이러한 실시형태는 본 명세서에서 예시를 위해 제공될 뿐이다. 본 명세서에 포함된 교시에 기초하는 추가적인 실시형태들이 당업자에게 명백해질 것이다.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명을 도시하며, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 함께 본 발명의 이론을 설명하고 당업자가 본 명세서에 기술된 실시형태를 생산하고 사용하도록 하는데 더욱 기여한다.
도 1a는 일부 실시형태에 따르는 반사식 리소그래피 장치의 개략도를 도시한다.
도 1b는 일부 실시형태에 따르는 투과식 리소그래피 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 일부 실시형태에 따르는 반사식 리소그래피 장치의 더 상세한 개략도를 도시한다.
도 3은 일부 실시형태에 따르는 리소그래피 셀의 개략도를 도시한다.
도 4a는 일부 실시형태에 따라서 레지스트의 일부 안에 결함있는 레티클에 의해 생기는 문제점을 예시하는 개략도이다.
도 4b는 일부 실시형태에 따라서 투과 이미지 센서에 의해 수행되는 레티클의 측정을 예시하는 개략도이다.
도 5는 일부 실시형태에 따른, 노광 이전의 레티클 로드 평가를 예시하는 블록도이다.
도 6은 일부 실시형태에 따른, 본 명세서에서 설명되는 기능을 포함하는 방법을 수행하기 위한 방법 단계를 도시한다.
본 발명의 특징들은 도면과 함께 아래에서 진술되는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로부터 더욱 명백해질 것인데, 도면에서 유사한 참조 기호는 전체적으로 대응하는 요소들을 식별한다. 도면에서, 유사한 부재 번호는 동일하고 기능적으로 유사하며, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 일반적으로 표시한다. 추가적으로, 레퍼런스 번호의 가장 왼쪽의 숫자(들)는 일반적으로 해당 레퍼런스 번호가 등장하는 도면을 식별한다. 달리 표시되지 않는 한, 본 명세서 전체에서 제공된 도면은 척도에 맞는 도면이라고 해석되어서는 안 된다.
도 1a는 일부 실시형태에 따르는 반사식 리소그래피 장치의 개략도를 도시한다.
도 1b는 일부 실시형태에 따르는 투과식 리소그래피 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 일부 실시형태에 따르는 반사식 리소그래피 장치의 더 상세한 개략도를 도시한다.
도 3은 일부 실시형태에 따르는 리소그래피 셀의 개략도를 도시한다.
도 4a는 일부 실시형태에 따라서 레지스트의 일부 안에 결함있는 레티클에 의해 생기는 문제점을 예시하는 개략도이다.
도 4b는 일부 실시형태에 따라서 투과 이미지 센서에 의해 수행되는 레티클의 측정을 예시하는 개략도이다.
도 5는 일부 실시형태에 따른, 노광 이전의 레티클 로드 평가를 예시하는 블록도이다.
도 6은 일부 실시형태에 따른, 본 명세서에서 설명되는 기능을 포함하는 방법을 수행하기 위한 방법 단계를 도시한다.
본 발명의 특징들은 도면과 함께 아래에서 진술되는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로부터 더욱 명백해질 것인데, 도면에서 유사한 참조 기호는 전체적으로 대응하는 요소들을 식별한다. 도면에서, 유사한 부재 번호는 동일하고 기능적으로 유사하며, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 일반적으로 표시한다. 추가적으로, 레퍼런스 번호의 가장 왼쪽의 숫자(들)는 일반적으로 해당 레퍼런스 번호가 등장하는 도면을 식별한다. 달리 표시되지 않는 한, 본 명세서 전체에서 제공된 도면은 척도에 맞는 도면이라고 해석되어서는 안 된다.
본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은 본 발명의 피쳐를 포함하는 하나 이상의 실시형태를 개시한다. 개시된 실시형태(들)는 예들로서 제공된다. 본 발명의 범위는 개시된 실시형태(들)로 한정되지 않는다. 청구된 특징들은 본 명세서에 첨부된 청구의 범위에 의하여 정의된다.
설명된 실시형태(들) 및 명세서에서 "일 실시형태", "실시형태", "예시적인 실시형태" 등에 대한 언급은 기술된 실시형태(들)가 특정 요소, 구조, 또는 특징을 포함할 수 있지만, 각각의 실시형태가 이러한 특정 요소, 구조, 또는 특징을 반드시 포함하지 않을 수도 있음을 뜻한다. 더욱이, 이러한 문구들은 반드시 동일한 실시형태를 지칭하는 것은 아니다. 나아가, 특정 요소, 구조, 또는 특징이 실시형태와 관련하여 기술될 때, 명시적으로 기술되든 아니든, 다른 실시형태와 관련하여 이러한 요소, 구조, 또는 특징을 구현하는 것도 당업자의 지식 범위 내에 속한다고 이해된다.
공간적인 상대적 용어, 예컨대 "밑에(beneath)," "아래(below)," "더 낮은(lower)," "위의(above)" "위(on)," "더 위(upper)" 등은 본 명세서에서 설명의 편의를 위하여 하나의 요소 또는 피쳐의 도면에 도시된 바와 같은 다른 요소(들) 또는 피쳐(들)에 대한 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다. 공간적인 상대적 용어들이 도면에 도시된 방위에 추가하여 사용 중이거나 동작 중인 디바이스의 다른 방위를 망라하는 것이 의도된다. 이러한 장치는 다르게 배향될 수도 있고(90 도 또는 다른 배향으로 회전됨), 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 기술자는 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용될 때 "약"이라는 용어는 특정한 기술에 기반하여 변동할 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기반하여, "약"이라는 용어는, 예를 들어 값의 10-30%(예를 들어, 값의 ±10%, ±20%, 또는 ±30%) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.
본 발명의 실시형태들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이것들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 본 발명의 실시형태는 또한 머신-판독가능 매체 상에 저장되는 명령으로서 구현될 수도 있고, 이들은 하나 이상의 프로세서에 의하여 판독되고 실행될 수 있다. 머신-판독가능 매체는 머신(예컨대, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 송신하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 머신-판독가능 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기적 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기적, 광학적, 음향학적이거나 다른 형태의 전파된 신호(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호, 등), 및 다른 것들을 포함할 수도 있다. 더 나아가, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 및/또는 명령은 본 명세서에서 특정 조치들을 수행하고 있는 것으로 설명될 수 있다. 그러나, 이러한 설명들이 단지 편의를 위한 것이라는 것과 이러한 조치들이 사실상 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령 등을 실행하는 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 다른 디바이스로부터 초래된다는 것이 인정되어야 한다. 용어 "비-일시적"이란 본 명세서에서 데이터, 정보, 명령 등을 저장하기 위해서 사용되는 컴퓨터 판독가능 매체를 특성화하기 위해서 사용될 수 있는데, 유일한 예외는 일시적인 전파 신호이다.
그러나, 이러한 실시형태를 좀 더 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시형태들이 구현될 수 있는 일 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
예시적인 리소그래피 시스템
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시형태들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100') 각각의 개략도를 도시한다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는: 방사선 빔(B)(예를 들어, 심자외선 또는 극자외 방사선)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)(MA)를 지지하도록 구성되고 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 및, 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 기판(W)을 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 각각 포함한다. 리소그래피 장치(100, 100')는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함함)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 더 포함한다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사형이다. 리소그래피 장치(100'), 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과형이다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하며, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절식, 반사식, 반사굴절식, 자기식, 전자기식, 정전기식 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를, 레퍼런스 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치(100 및 100') 중 적어도 하나의 디자인, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 센서를 사용함으로써, 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C) 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔(B)을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 타겟부(C) 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정 기능성 층에 대응하여 집적 회로를 형성할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과식이거나(도 1b의 리소그래피 장치(100')에서와 같음) 또는 반사식일 수 있다(도 1a의 리소그래피 장치(100)에서와 같음). 패터닝 장치(MA)의 예는 레티클, 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 또는 프로그램가능(LCD) 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에 잘 알려져 있으며, 이진, 교번 위상-천이, 또는 감쇄 위상-천이, 및 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 채용하는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 작은 미러들의 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 기판(W) 상의 침지액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 진공 환경은 EUV 또는 전자 빔 방사선에 대하여 사용될 수 있는데, 그 이유는 다른 가스들은 너무 많은 방사선 또는 전자를 흡수할 수 있기 때문이다. 그러므로, 진공 벽 또는 저압 펌프의 도움을 받아 진공 환경이 전체 빔 경로로 제공될 수도 있다.
리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블(MT)을 갖는 유형의 것일 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 기계에서, 부가적인 기판 테이블(WT)은 병렬적으로 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 기판 테이블들(WT)이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다. 일부 상황들에서, 추가적 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수도 있다.
리소그래피 장치는 또한, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 커버될 수 있는 유형일 수 있다. 침지액은 또한 예컨대 마스크 및 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 도포될 수 있다. 침지 기법은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위하여 당업계에 주지된다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사선 소스(SO)로부터 수광한다. 예를 들어, 방사선 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100, 100')는 별도의 물리적 엔티티일 수 있다. 이러한 경우에, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔(B)은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로(도 1b 참조), 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이러한 소스(SO)는 리소그래피 장치(100, 100')에 통합된 부품일 수 있다. 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD)(도 1b 참조)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 "외측-σ" 및 "내측-σ"라 함)는 조절될 수 있다. 부가적으로, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들(도 1b 참조)을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔(B)이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 의하여 패터닝된다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된다. 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크(MA)로부터 반사된 이후에, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 방사선 빔(B)을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 다른 위치 센서(IF1)가 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)를 방사선 빔(B)에 대한 경로에 대하여 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 투영 시스템은 조명 시스템 퓨필(illumination system pupil; IPU)에 대한 퓨필 공액(PPU)을 가진다. 방사선의 일부는 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포로부터 발산하고 마스크 패턴에서의 회절에 의하여 영향받지 않으면서 마스크 패턴을 횡단하여, 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포의 이미지를 생성한다.
투영 시스템(PS)은 마스크 패턴(MP)의 이미지(MP')를 투영하는데, 여기에서 이미지(MP')는 이러한 세기 분포로부터의 방사선에 의하여 마크 패턴(MP)으로부터 기판(W) 상에 코팅된 포토레지스트층 상에 생성되는 회절된 빔들에 의하여 형성된다. 예를 들어, 마스크 패턴(MP)은 라인 및 공간의 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 어레이에서의 방사선의 회절 및 0차 회절과 다른 회절은 라인에 수직인 방향으로의 방향 변경을 가지는 우회된 회절된 빔을 생성한다. 회절되지 않은 빔(즉, 소위 0차 회절된 빔)은 전파 방향에 임의의 변화가 없이 패턴을 트래버스한다. 0차 회절된 빔은 투영 시스템(PS)의 퓨필 공액(PPU)의 업스트림에서, 투영 시스템(PS)의 상부 렌즈 또는 상부 렌즈 그룹을 트래버스하여 퓨필 공액(PPU)에 도달한다. 퓨필 공액(PPU)의 평면 내의 그리고 0차 회절된 빔과 연관된 세기 분포의 부분은 조명 시스템(IL)의 조명 시스템 퓨필(IPU)의 세기 분포의 이미지이다. 애퍼쳐 디바이스(PD)는, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 퓨필 공액(PPU)을 포함하는 평면에 배치되거나 실질적으로 해당 평면에 배치된다.
투영 시스템(PS)은 렌즈 또는 렌즈 그룹(L)을 사용하여, 0차 회절된 빔뿐만 아니라, 1차 또는 1차 이상의 회절된 빔(미도시)을 캡쳐하도록 구성된다. 일부 실시형태들에서, 라인에 수직인 방향으로 연장되는 라인 패턴을 이미징하기 위한 쌍극자 조명이 활용되어 쌍극자 조명의 분해능 향상 효과를 활용할 수 있다. 예를 들어, 1차 회절된 빔은 웨이퍼(W)의 레벨에서 대응하는 0차 회절된 빔과 간섭하여 가능한 가장 높은 분해능 및 프로세스 윈도우에서 라인 패턴(MP)의 이미지를 생성한다(즉, 허용가능한 노광 선량 편차와 조합된 이용가능한 초점심도). 일부 실시형태들에서, 비점수차는 방사선 폴(미도시)을 조명 시스템 퓨필(IPU)의 마주보는 사분체들 내에 제공함으로써 감소될 수 있다. 더 나아가, 일부 실시형태들에서, 비점수차는 마주보는 사분체들 내의 방사선 폴과 연관된 투영 시스템의 퓨필 공액(PPU) 내의 0차 빔을 차단함으로써 감소될 수 있다. 이것은 2009년 3월 31일에 발행된 US 7,511,799 B2에 더 상세히 설명되고, 해당 문헌은 그 전체가 본 명세서에서 원용에 의해 통합된다.
제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1b에는 미도시)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다.
일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 제 1 위치설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너에 반대됨), 마스크 테이블(MT)은 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟부를 점유하지만, 이들은 타겟부 사이의 공간(스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버(V) 내에 있을 수 있는데, 여기에서 진공내 로봇(in-vacuum robot; IVR)이 마스크와 같은 패터닝 디바이스를 진공 챔버 안팎으로 이동시키기 위해서 사용될 수 있다. 또는, 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 밖에 있는 경우, 진공외 로봇이 진공내 로봇(IVR)과 유사한 다양한 수송 동작을 위해 사용될 수 있다. 진공내 및 진공외 로봇 양자 모두는 임의의 페이로드(예를 들어, 마스크)를 전달 스테이션의 고정된 운동 마운트로 부드럽게 전달하기 위해 조정될 필요가 있다.
리소그래피 장치(100 및 100')는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1.
스텝 모드에서는, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 본질적으로 정지 상태로 유지되는 동안, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 그러면, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2.
스캔 모드에서는, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기되어 스캐닝되는 동안, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3.
다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 홀딩하면서 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)은 실질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안에 이동되거나 스캐닝된다. 펄스형(pulsed) 방사선 소스가 채용될 수 있고, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 요구될 때, 기판 테이블(WT)의 각 이동 이후에 또는 스캔 도중의 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 업데이트된다. 동작의 이러한 모드는 프로그램가능한 미러 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
일부 실시형태들에서, 리소그래피 장치는 DUV 및/또는 EUV 방사선을 생성할 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치(100')는 DUV 소스를 사용하여 동작하도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 리소그래피 장치(100)는 극자외(EUV) 소스를 포함하는데, 이것은 EUV 리소그래피를 위한 EUV 방사선의 빔을 생성하도록 구성된다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템 내에 구성되고, 대응하는 조명 시스템은 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 조절하도록 구성된다.
도 2는 소스 콜렉터 장치(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 좀 더 상세하게 도시한다. 소스 콜렉터 장치(SO)는, 진공 환경이 소스 콜렉터 장치(SO)의 밀폐 구조(220) 내에서 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)는 방전 생성 플라즈마 소스에 의하여 형성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마(210)가 전자기 스펙트럼의 EUV 범위에서 방사선을 방출하도록 생성되는, 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의하여 EUV 방사선이 생성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 초래하는 전기적 방전에 의하여 생성된다. 예를 들어, Xe, Li, Sn 증기 또는 임의의 다른 적합한 가스 또는 증기의(10) Pa의 분압이 방사선을 효율적으로 생성하기 위하여 필요할 수 있다. 일부 실시형태에서, 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 EUV 방사선을 생성하기 위하여 제공된다.
핫 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선이 소스 챔버(211)로부터 콜렉터 챔버(212) 내로, 소스 챔버(211) 내의 애퍼쳐 내에 또는 뒤에 위치되는 선택적인 가스 베리어 또는 오염물 트랩(230)(일부 경우에는 오염물 베리어 또는 호일 트랩이라고도 불림)을 통해서 전달된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조를 포함할 수 있다. 오염물 트랩(230)은 가스 베리어 또는 가스 베리어 및 채널 구조체의 조합을 더 포함할 수 있다. 본 명세서에 표시되는 오염물 트랩 또는 오염물 베리어(230)는 채널 구조를 적어도 포함한다.
콜렉터 챔버(212)는 소위 그레이징 입사 콜렉터일 수 있는 방사선 콜렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 콜렉터(CO)는 업스트림 방사선 콜렉터측(251) 및 다운스트림 방사선 콜렉터측(252)을 가진다. 콜렉터(CO)를 횡단하는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(240)에 의하여 반사되어 가상 소스 포인트(IF)에 집광될 수 있다. 가상 소스 포인트(IF)는 일반적으로 중간 초점이라고 지칭되고, 소스 콜렉터 장치는, 중간 초점(IF)이 밀폐 구조(220) 내의 개구(219)에 또는 이에 인접하게 위치되도록 정렬된다. 가상 소스 포인트(IF)는 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 특히 적외(IR) 방사선을 억제하기 위해서 사용된다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르는데, 이것은 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(221)의 원하는 각도 분포와 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성을 제공하도록 정렬되는 다면 필드 미러 디바이스(faceted field mirror device; 222) 및 다면 퓨필 미러 디바이스(224)를 포함할 수도 있다. 지지 구조체(MT)에서의 방사선(221)의 빔의 반사 시에, 패터닝된 빔(226)이 형성되고, 패터닝된 빔(226)은 반사성 소자(228, 229)를 통하여 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의하여 홀딩되는 기판(W) 상에 투영 시스템(PS)에 의하여 이미징된다.
도시된 것보다 더 많은 요소들이 일반적으로 조명 광학기(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수도 있다. 리소그래피 장치의 타입에 따라서 선택적으로 격자 스펙트럼 필터(240)가 존재할 수도 있다. 더욱이, 도 2에 도시된 것보다 더 많은 미러가 존재할 수도 있고, 예를 들어 도 2에 도시되는 투영 시스템(PS) 내에 존재하는 것보다 한 개 내지 여섯 개의 추가적 반사형 요소가 존재할 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 콜렉터 광학기(CO)는 단지 콜렉터(또는 콜렉터 미러)의 일 예로서, 그레이징 입사 반사기(253, 254, 및 255)가 있는 네스팅된 콜렉터로서 도시된다. 그레이징 입사 반사기(253, 254 및 255)는 광축(O)에 축대칭으로 배치되고, 이러한 타입의 콜렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 DPP(discharge produced plasma) 소스라고 불리는 방전 생성 플라즈마 소스와 함께 사용된다.
예시적인 리소그래피 셀
도 3은 일부 실시형태에 따르고 가끔 리소셀 또는 클러스터라고도 불리는 리소그래피 셀(300)을 보여준다. 리소그래피 장치(100 또는 100')는 리소그래피 셀(300)의 일부를 형성할 수 있다. 리소그래피 셀(300)은 사전-노광 및 사후-노광 프로세스를 기판에 수행하기 위한 하나 이상의 장치를 더 포함할 수 있다. 통상적으로, 이러한 장치는 레지스트층을 침착시키기 위한 스핀 코터(spin coater; SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상기(DE), 냉각 플레이트(chill plate; CH), 및 베이크 플레이트(bake plate; BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 이들을 리소그래피 장치(100 또는 100')의 로딩 베이(loading bay; LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
도 4a는 일부 실시형태에 따라서 레지스트(401)의 일부 안에 나쁜 레티클 로드에 의해 생기는 문제점을 예시하는 개략도이다. 나쁜 레티클 로드는 결함있는 레티클에 의하여, 결함있는 클램프에 의하여 등에 의해 초래될 수 있다. 개략도(400)는 레티클 스테이지(RS) 척 클램핑 왜곡에 기인한 레지스트내 영향을 보여준다. 1.7 nm의 왜곡(408)이 도 4a에 도시된다. 오차 벡터가 화살표(410)에 의해 표시된다. 일부 양태들에서, 왜곡(408)과 같은 왜곡이 리소그래피 장치의 수율(예를 들어, 층들 중 1.7%)에 영향을 준다.
일부 양태들에서, 레티클의 노광측은 웨이퍼 스테이지 척에 대하여 정렬될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 노광측에서의 측정은 레티클 상의 TIS 마크가 측정되는 투과 이미지 센서(TIS)에 의해서 수행될 수 있다. 다른 이미지 센서가 TIS 대신에 채용될 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 일부 국소 레티클 클램핑 영향이 검출될 수 있다. 리소그래피 시스템 또는 장치는 레티클 왜곡(예를 들어, 비-평평도)을 정정하기 위한 레티클 형상 정정(reticle shape correction; RSC) 기능을 포함할 수 있다. 그러나, 일부 왜곡은 빈도 또는 국지화에 기인하여 RSC 기능에 의해서 정정되지 않을 수도 있다.
도 4b는 일부 실시형태에 따른, TIS로부터의 측정치들을 예시한다. 개략도(402)는 개략도(400)에 도시된 레지스트(401)와 연관된 레티클에 대해서 TIS에 의해 수행된 측정치를 보여준다.
일부 실시형태들에서, 측정이 수행된 이후에, 주요 성능 표시자(KPI)가 정렬 센서로부터의 필터링된 측정치에 기반하여 결정될 수 있다. 일부 양태들에서, KPI는 측정치들의 오프라인 처리 또는인-라인 처리를 통해서 결정될 수 있다. 이러한 TIS 측정치들을 필터링하여 KPI를 결정한다. 일부 양태들에서, KPI는 TIS 측정치들의 가중합에 의해서 결정된다. KPI는 RS 척 클램핑 왜곡 또는 임의의 다른 레티클 결함의 표시자를 식별하기 위해서 규정될 수 있다. 필터링된 측정치들이 개략도(404)에 도시된다. 오차는 레티클(406)에 걸쳐 분포된 화살표에 의해 표현된다.
일부 실시형태들에서, 다른 국소 레티클 클램핑 영향과 연관된 KPI들은 계측 측정치의 형상을 통하여, 예컨대 TIS-RSC를 통하여 캡쳐될 수 있다.
일부 실시형태들에서, KPI가 트리거링되면(즉, 레티클 왜곡의 표시자가 검출됨), 나쁜 레티클 로드(즉, KPI를 트립시킴)에 의해서 영향을 받는 기판의 노광된 층들은 추후에 재작업된다(예를 들어, 노광된 층들은 추가적으로 처리된다). 일부 양태들에서, 그러면 재작업 사이클 시간, 수율, 및 연관된 비용이 증가된다. 더 나아가, KPI를 잘못 노광된 층과 연관시키는 것이 어려울 수도 있다. 또한, 재작업된 층도 역시 오차를 가질 수 있다.
일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가가 기판을 노광시키기 이전에 프로세서에 의해서 수행될 수 있다. 예를 들어, KPI는 기판을 노광시키기 이전에 결정될 수 있다. 일부 양태들에서, 기판은 레티클 결함의 표시자가 검출되지 않을 때에 노광될 수 있다. 일부 양태들에서, KPI가 임계를 초과하면, 기판을 노광시키고 및/또는 레티클 로드 평가를 반복하기 이전에 하나 이상의 조치가 수행된다. 예를 들어, 레티클 리로드 또는 레티클 이완(예를 들어, 가스 퍼핑(gas puffing))이 기판을 노광시키기 이전에 수행될 수 있다. 따라서, 결함있는 레티클 또는 나쁜 레티클 로드에 기인하여 재작업이 요구되지 않고 스크랩이 생기지 않는다. 일부 양태들에서, 이러한 프로세스는 수율 영향을 방지할 수 있고 재작업 레이트를 최소화할 수 있다. 더 나아가, 이러한 프로세스는 리소그래피 시스템에 의해서 정정될 수 없을 수 있는 간헐적인 타입의 오차를 개선할 수 있다.
도 5는 일부 실시형태에 따른, 노광 이전의 레티클 로드 평가를 예시하는 블록도이다. 레티클 로드(502) 중에, 레티클(예를 들어, 패터닝 디바이스(MA))가 지지 구조체(MT) 상에 로딩될 수 있다. 레티클 상의 다양한 마크의 위치를 측정하여 하나 이상의 KPI를 결정하기 위해서 계측 측정(504)이 수행될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 노광측에서의 측정은 투과 이미지 센서(TIS)에 의해서 수행될 수 있다.
레티클 로드 평가(506)가 레티클에서 프로세서(520)에 의해 수행된다. 프로세서(520)는 하나 이상의 프로세서, 또는 본 명세서에서 이전에 설명된 바와 같은 다른 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)가 계측 측정(504)에 기반하여 수행될 수 있다. 하나 이상의 주요 성능 표시자(KPI)가 결정될 수 있다. KPI는 사용자에 의해 규정될 수 있다. 예를 들어, KPI는 소망되는 오버레이와 연관될 수 있다. 각각의 결함 표시자 및/또는 KPI는 레지스트 및/또는 레티클 내의 공지된 결함 또는 문제점과 연관될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)가 수락가능하면, 기판 노광(508)이 일어난다. 일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)가 수락될 수 없는 결과를 결과적으로 나타내면, 레티클 로드 평가(506)에 기반하여 복수 개의 조치 중에서 하나 이상의 조치가 선택될 수 있다. 하나 이상의 조치는 레티클 퍼프(510), 레티클 리로드(512), 레티클 거부(514), 및 다른 조치(516)를 포함할 수 있다. 다른 조치(516)는 열적 컨디셔닝, 세척 프로시저 등을 포함할 수 있다. 레티클 퍼프(510) 또는 다른 조치가 완료된 이후에, 계측 측정(504)이 반복될 수 있다.
일부 실시형태들에서는 레티클 리로드(512)가 선택되고, 레티클 로드(502)가 수행된다. 일부 실시형태들에서는 레티클 로드 평가(506)의 결과가 수락될 수 없는 결과(예를 들어, 레티클 로드 평가(506)가 임계 레티클 로드를 만족하지 않음)를 보인다는 프로세서(520)에 의한 결정에 응답하여 레티클 거부(514)가 선택될 수 있다. 레티클이 임계치를 넘게 오염되면(예를 들어, 고도로 오염되면) 레티클은 거부될 수 있다. 일부 양태들에서, 레티클은 표시자가 검출되고 하나 또는 다수의 리소그래피 장치에서 사용되는 레티클과 연관된다면 거부될 수 있다. 표시자는 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 결함(예를 들어, 레티클 오염 또는 레티클 왜곡)일 수 있다. 적어도 두 개의 리소그래피 장치에서 동일한 레티클을 사용할 경우 동일한 표시자가 검출되면, 해당 레티클은 거부될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)는 하나 이상의 파라미터를 결정하고 하나 이상의 파라미터를 임계치와 비교하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 파라미터가 임계치를 만족시키면, 레티클 로드 평가(506)는 허용가능한 결과를 나타내고, 웨이퍼가 노광된다(508). 레티클 로드 평가(506)는 하나 이상의 파라미터를 기판 층별로 하나 이상의 임계치와 비교하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)에 응답하여 프로세서(520)에 의해서 조치(예를 들어, 510-516 중 임의의 조치)를 선택하는 것은 소망되는 KPI 및/또는 레시피에 기반할 수 있다.
일부 실시형태들에서, 프로세서(520)에 의한 조치(510-516)의 선택은 하나 이상의 검출된 표시자에 기반할 수 있다. 예를 들어, 레티클 오염 또는 왜곡을 표시하는 검출된 레티클 프로파일과 같은 미리 규정된 레티클 표시자가 조치와 연관될 수 있다. 예를 들어, 제 1 표시자는 제 1 조치와 연관될 수 있다. 제 1 조치와 이완 레티클 스트레스를 이완시키기 위한 동작(예를 들어, 레티클 퍼프(510))을 포함할 수 있다. 제 2 표시자는 제 2 조치와 연관될 수 있다. 예를 들어, 제 2 조치는 레티클 리로드(512)를 포함할 수 있다. 표시자 및 조치 사이의 연관성은 해당 표시자를 해결할 수 있는 조치에 기반할 수 있다.
일부 실시형태들에서, 레티클 로드 평가(506)는 TIS 및/또는 리소그래피 장치 내의 하나 이상의 다른 센서 및/또는 외부 센서로부터 획득된 데이터(518)를 사용할 수 있다. 일부 양태들에서는 온도, 힘, 클램프 시간, 역학적 성질, 결함 측정치 및/또는 다른 데이터가 획득되고 사용될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 데이터(518)는 하나 이상의 KPI를 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 일부 양태들에서, 데이터(518)는 리소그래피 장치의 레티클 핸들러 서브시스템 및/또는 레티클 스테이지 서브시스템과 연관된 센서로부터 획득될 수 있다.
일부 양태들에서는 레티클과 연관된 온도가 검출될 수 있다. 예를 들어, 로드 이후 및/또는 로드 도중의 온도가 검출될 수 있다. 온도는 미리 설정된 온도 임계치와 비교될 수 있다. 일부 양태들에서, 온도는 이전의 노광의 온도와 비교될 수 있다. 온도의 변화(예를 들어, 허용가능한 미리 결정된 온도 변화보다 큰 온도 변화)를 검출하는 것에 응답하여, 프로세서(520)는 복수 개의 조치(510-516) 중에서 열적 컨디셔닝(thermal conditioning)을 선택할 수 있다. 열적 컨디셔닝은 레티클을 가열 또는 냉각하는 것을 포함할 수 있다. 열 센서로부터 온도가 획득될 수 있다. 열 센서는 레티클의 복수 개의 지점의 온도를 모니터링할 수 있다. 예시적인 열 센서는 2017년 11월 7일에 발행된 US 9,811,007 B2에 더 상세히 설명되고, 해당 문헌은 그 전체가 본 명세서에서 원용에 의해 통합된다.
일부 실시형태들에서는 레티클을 로딩하는 것과 연관된 힘이 검출될 수 있다. 예를 들어, 레티클을 이완시키는 것과 연관된 힘이 센서로부터 검출되고 임계 힘과 비교될 수 있다. 예시적인 센서는 2016년 5월 24일에 발행된 US 9,348,236 B2에 더 상세히 설명되고, 해당 문헌은 그 전체가 본 명세서에서 원용에 의해 통합된다. 복수 개의 조치(510-516) 중 하나 이상이 센서(예를 들어, 힘 센서)가 레티클과 연관되고 임계 힘을 초과하는 힘을 검출하는 것에 응답하여 프로세서(520)에 의해서 선택될 수 있다. 복수 개의 조치(510-516) 중에서 프로세서(520)에 의해 선택된 조치는, 임계 힘을 초과하는 힘이 한 스테이지 내에서 사용되는 여러 레티클과 연관되어 검출된다는 결정에 기반할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 복수 개의 조치(510-516) 중에서 프로세서(520)에 의해 선택된 조치는, 임계 힘을 초과하는 힘이 해당 스테이지 내에서 사용되는 여러 레티클과 연관되어 검출된다는 결정에 응답하여 달라질 수 있다. 예를 들어, 프로세서(520)에 의해 선택된 조치는 리소그래피 장치에서 수행될 수 있다. 일부 양태들에서, 검출된 힘이 임계치보다 높다면/낮다면, 레티클 퍼프(510)가 수행된다.
일부 실시형태들에서는 레티클 클램핑 시간이 검출된 압력에 기반하여 결정될 수 있다. 압력은 센서를 사용하여 측정될 수 있다. 예시적인 센서는 2016년 5월 1일에 발행된 US 9,274,439 B2에 더 상세히 설명되고, 해당 문헌은 그 전체가 본 명세서에서 원용에 의해 통합된다. 측정된 클램핑 시간이 임계 클램핑 시간보다 길다고 결정되면, 클램핑 라인 누수 및/또는 방해가 결정된다. 클램핑 시간이 임계 클램핑 시간 범위를 벗어난다는 결정(예를 들어, 프로세서(520)에 의한 결정)에 응답하여, 프로세서(520)는 레티클 리로드(512)를 선택할 수 있다. 일부 양태들에서, 결함(예를 들어, 레티클 결함 및/또는 기판 결함)이 레티클 리로드(512) 이후에 해결되지 않으면, 프로세서(520)는 레티클 거부(514)를 선택할 수 있다.
레티클 로드 평가(506)는 데이터(518) 및 계측 측정치(504)를 비교하여 결함이 레티클 또는 리소그래피 시스템 중 어느 것과 연관되는지 결정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 레티클 결함은 다수의 리소그래피 시스템과 함께 사용된 레티클과 연관된 동일한 결함을 검출하는 것에 응답하여 결정될 수 있다. 데이터(518)는 레티클 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 포함할 수 있다. 이전의 평가 테스트 결과 및 계측 측정치(504)에 기반하여 경향이 식별될 수 있다. 일부 양태들에서, 경향이 레티클 내의 결함을 표시한다면 프로세서(520)에 의해서 레티클 거부(514)가 선택된다. 일부 양태들에서, 경향은 동일한 오차를 연속적으로 검출하는 것에 응답하여 결정될 수 있다. 일부 양태들에서는, 동일한 오차가 동일한 레티클 내에서 연속적으로 검출될 경우에 프로세서(520)에 의해서 레티클 거부(514)가 선택된다. 일부 양태들에서는, 동일한 결함이 동일한 리소그래피 장치 내의 상이한 레티클에 대해서 연속적으로 검출되는 경우에 리소그래피 장치와 연관된 조치가 선택될 수 있다.
도 6은 일부 실시형태에 따른, 본 명세서에서 설명되는 기능을 포함하는 방법(600)을 수행하기 위한 방법 단계(예를 들어, 하나 이상의 프로세서를 사용함)를 도시한다. 도 6의 방법(600)은 착상가능한 임의의 순서로 수행될 수 있고, 모든 단계들이 수행될 것이 요구되는 것은 아니다. 더욱이, 전술된 도 6의 방법 단계는 단계들의 예를 단지 반영할 뿐이고, 한정되지 않는다.
방법(600)은 단계 602에 도시된 바와 같이 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 것을 포함한다. 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 것은 패터닝 디바이스의 형상 데이터, 레티클 로드 데이터, 정렬 데이터, 압력 데이터, 온도 데이터, 클램프 시간 데이터, 역학 데이터, 및/또는 오염 데이터를 포함할 수 있다. 방법(600)은 단계 604에 도시된 바와 같이 단계(602)로부터의 검출된 데이터에 기반하여 평가 테스트(예를 들어, 도 5의 프로세서(520)를 사용하여)를 수행하는 것을 더 포함한다. 일부 실시형태들에서, 평가 테스트를 수행하는 것은 도 5에 대하여 설명된 바와 같이 하나 이상의 KPI를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 평가 테스트를 수행하는 것은 도 5에 대하여 설명된 바와 같이 검출된 데이터를 하나 이상의 임계 또는 임계 범위와 비교하는 것을 포함할 수 있다. 방법(600)은 단계 606에 도시된 바와 같이 기판의 노광을 진행할지 여부 평가 테스트에 기반하여 결정하는 것을 더 포함한다. 예를 들어, 검출된 패터닝 디바이스와 연관된 데이터가 도 5에 대하여 설명된 바와 같이 임계 또는 임계 범위 안에 속하지 않는다는 결정에 응답하여, 프로세서는 기판의 노광을 진행하지 않는다고 결정할 수 있다.
방법(600)은 진행하지 않는다는 결정에 응답하여 단계 608에 도시된 바와 같이, 복수 개의 조치, 예컨대 전술된 조치(510-516) 중 하나 이상으로부터 조치를 선택하는 것을 더 포함한다. 일부 양태들에서는 다수의 조치 또는 조치들의 시퀀스가 선택된다. 방법(600)은 단계 610에 도시된 바와 같이 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 이러한 조치를 수행하는 것을 더 포함한다. 일부 실시형태들에서, 단계(602)는 단계(610)를 완료한 이후에 다시 수행될 수 있다. 다르게 말하면, 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 것은 선택된 조치가 수행된 이후에 반복될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 방법(600)은 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 방법(600)은 도 5에 대해서 논의된 바와 같이 이전의 평가 테스트 결과 및 평가 테스트에 기반하여 경향을 식별하는 것을 포함할 수 있다. 방법(600)은 이러한 경향에 기반하여 조치를 선택하는 것을 포함할 수 있다.
이러한 실시형태들은 다음 절들을 사용하여 더 기술될 수 있다:
1. 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계;
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계;
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계;
프로세서를 사용해서, 진행하지 않는다는 결정에 응답하여 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계; 및
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
2. 제 1 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함과 연관된 하나 이상의 표시자를 검출하는 것을 포함하는, 방법.
3. 제 2 절에 있어서,
상기 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계는 검출된 하나 이상의 표시자에 기반하는, 방법.
4. 제 2 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함은 레티클 로드 상태(reticle load condition)인, 방법.
5. 제 1 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는 정렬 데이터를 측정하는 것을 포함하고,
상기 평가 테스트를 수행하는 단계는 상기 정렬 데이터를 정렬 임계와 비교하는 것을 포함하며,
상기 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계는 측정된 정렬 데이터가 상기 정렬 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것을 포함하는, 방법.
6. 제 1 절에 있어서,
상기 방법은,
선택된 조치가 수행된 이후에 상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 것을 반복하는 단계를 더 포함하는, 방법.
7. 제 1 절에 있어서,
상기 복수 개의 조치는 패터닝 디바이스 퍼프(puff), 패터닝 디바이스 리로드(reload), 및 패터닝 디바이스 거부(reject) 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
8. 제 1 절에 있어서,
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계는 검출된 데이터를 임계와 비교하는 것을 포함하는, 방법.
9. 제 1 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는, 센서로부터 데이터를 검출하는 것을 포함하는, 리소그래피 장치.
10. 제 9 절에 있어서,
상기 센서로부터 검출된 데이터는 상기 패터닝 디바이스와 연관된 온도 데이터, 클램프 시간 데이터, 및/또는 압력 데이터 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
11. 제 1 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 결정하는 단계,
상기 이전의 평가 테스트 결과 및 상기 평가 테스트에 기반하여 경향을 식별하는 단계; 및
상기 경향에 기반하여 상기 조치를 선택하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
12. 제 11 절에 있어서,
상기 경향이 상기 패터닝 디바이스 내의 결함을 표시하면, 선택된 조치는 패터닝 디바이스 거부인, 방법.
13. 리소그래피 장치로서,
패터닝 디바이스의 패턴을 조명하도록 구성된 조명 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
프로세서를 포함하는 계측 시스템
을 포함하고, 상기 프로세서는,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하고,
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하며,
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하고,
진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하며,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하도록
구성된, 리소그래피 장치.
14. 제 13 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하는 것은,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함과 연관된 하나 이상의 표시자를 검출하는 것을 포함하는, 리소그래피 장치.
15. 제 14 절에 있어서,
상기 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 것은 검출된 하나 이상의 표시자에 기반하는, 리소그래피 장치.
16. 제 14 절에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함은 레티클 로드 상태인, 리소그래피 장치.
17. 제 13 절에 있어서,
상기 복수 개의 조치는 패터닝 디바이스 퍼프, 패터닝 디바이스 리로드, 및 패터닝 디바이스 거부 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치.
18. 제 13 절에 있어서,
상기 프로세서는 센서로부터 데이터를 수신하도록 더 구성되고,
상기 센서로부터 수신된 데이터는 온도 데이터, 클램프 시간 데이터, 및/또는 상기 패터닝 디바이스와 연관된 압력 데이터 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치.
19. 제 13 절에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 결정하고,
상기 이전의 평가 테스트 결과 및 상기 평가 테스트에 기반하여 경향을 식별하며,
상기 경향에 기반하여 상기 조치를 선택하도록
더 구성된, 리소그래피 장치.
20. 저장된 명령을 가진 컴퓨터-판독가능 저장 매체로서,
상기 명령이 하나 이상의 프로세서에 의해 실행되면 상기 하나 이상의 프로세서가,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하는 것;
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 것;
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 것;
진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 것; 및
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하는 것을 포함하는 동작을 수행하게 되는, 컴퓨터-판독가능 저장 매체.
비록 본문에서(IC)의 제조에서 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, LCD, 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙 유닛(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 유닛 및/또는 검사 유닛에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
비록 위에서 광 리소그래피의 콘텍스트에서 본 발명의 실시형태를 사용하는 것에 대해 특정하여 언급하였지만, 본 발명이 다른 애플리케이션, 예를 들어 임프린트 리소그래피에서 사용될 수도 있고, 콘텍스트가 허용하는 경우 광 리소그래피로 제한되는 것이 아니라는 것이 인정될 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트의 층에 프레스될 수도 있고, 그 위에서 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 적용함으로써 경화된다. 패터닝 장치는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 외부로 이동됨으로써 그 내부에 패턴을 잔류시킨다.
본 명세서에서 구문 또는 어휘는 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 본 명세서에서의 교시 내용을 고려하여 당업자(들)에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용될 때 "기판"이라는 용어는 재료 층이 그 위에 추가되는 재료를 기술한다. 일부 실시형태들에서, 기판 자체는 패터닝될 수 있고, 그 위에 추가된 재료도 역시 패터닝될 수 있거나, 패터닝이 없이 남겨질 수 있다.
비록 본 명세서에서는 본 발명에 따른 장치 및/또는 시스템을 IC를 제조하는 분야에 사용하는 것을 특별하게 참조할 수 있지만, 이러한 장치 및/또는 시스템은 그 외의 가능한 많은 애플리케이션들을 가진다는 것이 명확하게 이해돼야 한다. 예를 들어, 본 발명은 집적된 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, LCD 패널, 박막 자기 헤드 등의 제조에 채용될 수 있다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되는 것으로 이해할 것이다.
비록 본 발명의 특정한 구현형태들이 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 상세한 설명은 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.
발명의 내용 및 요약서 섹션이 아니라 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 섹션이 청구항을 해석하기 위하여 사용되도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다. 발명의 내용 및 요약서는 발명자(들)에 의하여 고찰되는 바와 같은 본 발명의 하나 이상의 그러나 전부가 아닌 예시적인 실시형태들을 진술할 수도 있으며, 따라서 어떠한 경우에도 본 발명 및 첨부된 청구항을 한정하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 특정 기능부 및 이들의 관계에 대한 구현을 예시하는 기능적 구성 블록들을 이용하여 위에서 설명되었다. 이들 기능적 구성 블록들의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서 내에서 임의적으로 정해진 것이다. 특정된 기능 및 이들의 관련성이 적절하게 수행되는 한 대안적 경계들이 정의될 수 있다.
특정 실시형태에 대한 전술한 설명은 본 발명의 전반적인 특성을 완전하게 보여주어, 당해 기술 분야에 익숙한 사람이 갖고 있는 지식을 적용함으로써 본 발명의 전반적인 개념으로부터 벗어나지 않고서도 불필요한 실험 없이 이러한 구체적인 실시형태에 대한 다양한 응용을 용이하게 수정 및/또는 적응시킬 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 수정 및 적응은 본 명세서에 제공된 교시 및 지침을 기반으로 하는 개시 실시형태의 등가물의 범위 내에 있도록 의도된다.
보호되는 청구 요지의 적용 범위 및 범위는 전술한 예시적인 실시형태의 어떠한 것에 의해서도 한정되어서는 안되며, 후속하는 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.
Claims (15)
- 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계;
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계;
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계;
프로세서를 사용해서, 진행하지 않는다는 결정에 응답하여 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계; 및
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하는 단계
를 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함과 연관된 하나 이상의 표시자를 검출하는 것을 포함하는, 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 단계는 검출된 하나 이상의 표시자에 기반하고, 및/또는
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함은 레티클 로드 상태(load condition)인, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는 정렬 데이터를 측정하는 것을 포함하고,
상기 평가 테스트를 수행하는 단계는 상기 정렬 데이터를 정렬 임계와 비교하는 것을 포함하며,
상기 기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 단계는 측정된 정렬 데이터가 상기 정렬 임계를 초과하는지 여부를 결정하는 것을 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 방법은,
선택된 조치가 수행된 이후에 상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 것을 반복하는 단계를 더 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 조치는 패터닝 디바이스 퍼프(puff), 패터닝 디바이스 리로드(reload), 및 패터닝 디바이스 거부(reject) 중 적어도 하나를 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 단계는 검출된 데이터를 임계와 비교하는 것을 포함하고,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 검출하는 단계는 센서로부터의 데이터를 검출하는 것을 포함하며,
상기 센서로부터 검출된 데이터는 상기 패터닝 디바이스와 연관된 온도 데이터, 클램프 시간 데이터, 및/또는 압력 데이터 중 적어도 하나를 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 방법은,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 결정하는 단계;
상기 이전의 평가 테스트 결과 및 상기 평가 테스트에 기반하여 경향을 식별하는 단계; 및
상기 경향에 기반하여 상기 조치를 선택하는 단계
를 더 포함하고,
상기 경향이 상기 패터닝 디바이스 내의 결함을 표시하면, 선택된 조치는 패터닝 디바이스 거부인, 방법. - 리소그래피 장치로서,
패터닝 디바이스의 패턴을 조명하도록 구성된 조명 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
프로세서를 포함하는 계측 시스템
을 포함하고, 상기 프로세서는,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하고,
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하며,
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하고,
진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하며,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 상기 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하도록
구성된, 리소그래피 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하는 것은,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함과 연관된 하나 이상의 표시자를 검출하는 것을 포함하는, 리소그래피 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 것은 검출된 하나 이상의 표시자에 기반하고, 및/또는
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치 결함은 레티클 로드 상태인, 리소그래피 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 복수 개의 조치는 패터닝 디바이스 퍼프, 패터닝 디바이스 리로드, 및 패터닝 디바이스 거부 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 프로세서는 센서로부터 데이터를 수신하도록 더 구성되고,
상기 센서로부터 수신된 데이터는 상기 패터닝 디바이스와 연관된 온도 데이터, 클램프 시간 데이터, 및/또는 압력 데이터 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 이전의 평가 테스트 결과를 결정하고,
상기 이전의 평가 테스트 결과 및 상기 평가 테스트에 기반하여 경향을 식별하며,
상기 경향에 기반하여 상기 조치를 선택하도록
더 구성된, 리소그래피 장치. - 저장된 명령을 가진 컴퓨터-판독가능 저장 매체로서,
상기 명령이 하나 이상의 프로세서에 의해 실행되면 상기 하나 이상의 프로세서가,
패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치와 연관된 데이터를 수신하는 것;
상기 데이터에 기반하여 평가 테스트를 수행하는 것;
기판의 노광을 진행할지 여부를 상기 평가 테스트에 기반하여 결정하는 것;
진행하지 않는다는 결정이 이루어지면 복수 개의 조치 중 하나의 조치를 선택하는 것; 및
상기 패터닝 디바이스 및/또는 리소그래피 장치에 상기 조치를 수행하기 위한 신호를 전송하는 것을 포함하는 동작
을 수행하게 되는, 컴퓨터-판독가능 저장 매체.
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