KR20230136282A - Baand rejection filter for the mobile communications service quality improvement - Google Patents

Abstract

본 발명은 대역저지필터에 관한 것으로, 특히 이동통신 등의 공진기를 이용한 고주파 필터에 적용되는 대역저지필터에 있어서, 인턱턴스에 세라믹 유전체를 구비시켜 높은 임피던스를 구현함으로써 우수한 특성을 가지도록 함은 물론 저가격으로 구현할 수 있도록 한 대역저지필터에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 격벽에 의해 복수의 캐비티가 형성되고, 그 일단의 캐비티과 타단의 캐비티에 입력 및 출력 포트가 연결되는 하우징; 상기 캐비티의 바닥으로 입설되는 세라믹 유전체; 상기 유전체의 상측부위에 위치하고, 상기 하우징의 상측을 덮는 덮개에 거치되어 공진 주파수를 조절하는 튜너;를 포함하여 로 구성된다.The present invention relates to a band-stop filter, and in particular, in a band-stop filter applied to a high-frequency filter using a resonator for mobile communication, etc., a ceramic dielectric is provided in the inductance to realize high impedance, so as to have excellent characteristics. This is about a band-stop filter that can be implemented at low cost.
For this purpose, the present invention includes a housing in which a plurality of cavities are formed by partition walls, and input and output ports are connected to one end of the cavity and the other end of the cavity; a ceramic dielectric positioned at the bottom of the cavity; A tuner is located on the upper side of the dielectric and mounted on a cover covering the upper side of the housing to adjust the resonance frequency.

Description

이동통신 서비스 품질 개선용 대역저지필터{Baand rejection filter for the mobile communications service quality improvement}Band rejection filter for the mobile communications service quality improvement}

본 발명은 대역저지필터에 관한 것으로, 특히 이동통신 등의 공진기를 이용한 고주파 필터에 적용되는 대역저지필터에 있어서, 인턱턴스에 세라믹 유전체를 구비시켜 높은 임피던스를 구현함으로써 우수한 특성을 가지도록 함은 물론 저가격으로 구현할 수 있도록 한 대역저지필터에 관한 것이다.The present invention relates to a band-stop filter, and in particular, in a band-stop filter applied to a high-frequency filter using a resonator for mobile communication, etc., a ceramic dielectric is provided in the inductance to realize high impedance, so as to have excellent characteristics. This is about a band-stop filter that can be implemented at low cost.

공진기를 이용한 고주파 필터(DR 필터, 캐비티 필터, 웨이브 가이드 필터 등)는 통상 고주파, 특히 초고주파를 공진하기 위한 일종의 회로통의 구조를 가진다. 일반적인 코일과 콘덴서에 의한 공진회로는 복사손실이 커서 초고주파를 형성하는데 적합지 않다. High-frequency filters using resonators (DR filters, cavity filters, wave guide filters, etc.) usually have a type of circuit structure for resonating high frequencies, especially ultra-high frequencies. Resonant circuits using general coils and condensers have large radiation losses and are not suitable for forming ultra-high frequencies.

이에 RF 필터는 다수의 공진기로 구성되는 각 공진기는 도체로 둘러싸인 금속성 원통 또는 직육면체 등의 수용공간(cavity)을 형성하며 그 내부에서 유전체 공진 소자(DR: Dielectric Resonance element) 또는 금속 공진봉으로 구성된 공진 소자를 구비시켜, 고유 주파수의 전자기장만이 존재하게 함으로써, 초고주파의 공진이 가능하게 하는 구조를 가진다.Accordingly, the RF filter is composed of a plurality of resonators, each resonator forming a cavity such as a metallic cylinder or rectangular parallelepiped surrounded by a conductor, and inside the cavity is a dielectric resonance element (DR: Dielectric Resonance element) or a resonance rod composed of a metal resonance rod. It has a structure that enables ultra-high frequency resonance by providing an element so that only electromagnetic fields of natural frequencies exist.

이와 같이, 공진기를 이용한 고주파 필터는 그 주파수 대역의 필터링 특성에 따라서 크게 대역통과필터(BPF: Band Pass Filter) 및 대역저지필터(BRF : Band Rejection Filter)로 크게 구분할 수 있다. In this way, high-frequency filters using resonators can be broadly divided into band pass filters (BPF) and band rejection filters (BRF) depending on the filtering characteristics of the frequency band.

여기서, 대역저지필터는 대역차단필터 또는 대역스탑필터(band stop tilter) 등으로도 불린다.Here, the band stop filter is also called a band cut filter or a band stop filter (band stop tilter).

이러한 대역저지필터의 일예로서, 등록특허 제10-0992089호(대역 저지 필터)에서는 도1에 도시된 바와같이, As an example of such a band stop filter, in Patent No. 10-0992089 (band stop filter), as shown in Figure 1,

공진봉(30)과, Gong Jin-bong (30),

내부에 상기 공진봉(30)이 위치되는 수용공간(14)을 형성하며, 상기 수용공간(14)의 형성시 상기 수용공간(14)의 내부 폭에서 상단부의 적어도 일부가 하단부보다 더 좁은 다단의 형태로 구성하는 하우징(10)과,It forms an accommodating space 14 inside which the resonant rod 30 is located, and when forming the accommodating space 14, at least a portion of the upper end of the internal width of the accommodating space 14 is narrower than the lower end. A housing (10) composed of a shape,

상기 공진봉(30)을 장착하며 상기 하우징(10)의 하부와 결합하며, 상기 하우징(10)과 결합시에 상기 공진봉(30)이 상기 수용공간(14) 내부에 삽입되는 형태로 조립되며, 상기 수용공간(14)의 바닥면을 형성하는 하부 커버(20)와,The resonant rod 30 is mounted and combined with the lower part of the housing 10, and when combined with the housing 10, the resonant rod 30 is assembled in such a way that it is inserted into the receiving space 14. , a lower cover 20 forming the bottom surface of the receiving space 14,

상기 수용공간(14) 및 상기 수용공간 내부의 상기 공진봉(30)에 의해 형성되는 공진기와 커플링되게 상기 하우징에 미리 설정된 홈 내에 설치되어, 상기 대역 저지 필터의 신호 입력단 및 출력단 사이에 연결되는 전송선로(50)와,It is installed in a groove preset in the housing to be coupled to a resonator formed by the accommodation space 14 and the resonance rod 30 inside the accommodation space, and is connected between the signal input and output terminals of the band stop filter. A transmission line 50,

상기 전송선로(50)가 설치되는 상기 하우징(10)의 홈을 밀폐하기 위한 밀폐 커버(20)로 구성된 대역저지필터를 제안하였다.A band-stop filter consisting of a sealing cover 20 to seal the groove of the housing 10 where the transmission line 50 is installed was proposed.

이러한 종래기술에 의한 대역저지필터는 LC 공진에 의해 차단 주파수를 설계하는데, 상기 공진봉(30)의 길이는 인덕턴스(L)에 주로 영향을 주며, 공진봉(30)과 수용공간(14) 사이에 형성되는 간격은 커패시턴스(C)에 밀접한 영향을 준다.The band-stop filter according to the prior art designs the cutoff frequency based on LC resonance. The length of the resonant rod 30 mainly affects the inductance (L), and the length of the resonant rod 30 mainly affects the inductance (L), and the The gap formed in has a close influence on the capacitance (C).

공진기에서 요구되는 메인공진모드(TEM) 외에 기생공진모드(TE,TM)의 발생을 억제하기 위해서는 커패시턴스를 높이고 인덕턴스를 줄이는 방향으로 설계하여야 하고, 또한 수용공간(14) 자체에서 발생하는 기생공진모드를 억제하기 위해서는 수용공간(14)의 크기를 가급적 작게 설계하여야 한다.In order to suppress the occurrence of parasitic resonance modes (TE, TM) in addition to the main resonance mode (TEM) required for the resonator, it must be designed to increase capacitance and reduce inductance, and also to suppress the parasitic resonance mode that occurs in the receiving space (14) itself. In order to suppress, the size of the accommodation space 14 must be designed as small as possible.

그런데, 이러한 하우징(10)에 캐비티(cavity) 형태로 인덕턴스와 커패시턴스를 구성하는 경우에 전체적인 부피가 커질 수 밖에 없어서 설치의 불편함은 물론 설치공간을 많이 차지하는 문제점이 있고, 아울러 제조비용 및 설치비용이 증가하는 단점이 있다.However, when the inductance and capacitance are configured in the form of a cavity in the housing 10, the overall volume inevitably increases, which causes installation inconvenience and takes up a lot of installation space, and also increases manufacturing and installation costs. There is an increasing disadvantage.

또한, 수용공간(14) 자체에서 발생하는 기생공진모드을 억제하기 위하여 수용공간(14)의 크기를 가급적 작게 설계하지만, 이로 인하여 임피던스가 낮아지게 되어 특성이 매우 저하되는 단점이 있다.In addition, the size of the accommodation space 14 is designed to be as small as possible in order to suppress the parasitic resonance mode occurring in the accommodation space 14 itself, but this has the disadvantage of lowering the impedance and greatly deteriorating the characteristics.

즉, 인턱턴스와 커패시턴스를 구현하는 것을 기초로 높은 임피던스와 낮은 임피던스의 수용공간을 가지는 구조로 구현되어 있고, 임피던스의 차가 클수록 또한 수용공간을 많이 가질수록 특성이 향상되지만, 기생공진모드를 억제하기 위하여 수용공간(14)의 크기를 작게하는 경우에 임피던스까지 작아지게 되어 특성이 매우 저하되는 단점을 가지게 되는 것이다..In other words, based on implementing inductance and capacitance, it is implemented as a structure with accommodating spaces of high impedance and low impedance. The larger the impedance difference, the more the accommodating space, the better the characteristics, but the parasitic resonance mode is suppressed. For this reason, when the size of the receiving space 14 is reduced, the impedance also becomes smaller, which has the disadvantage of greatly deteriorating the characteristics.

<선행기술문헌><Prior art literature>

1. 대한민국 등록특허 제10-0992089호1. Republic of Korea Patent No. 10-0992089

(대역 저지 필터) (Bandstop filter)

본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 인덕턴스와 커패시터 턴스의 임피던스 차이를 크게 하면서도 수용공간의 크기를 줄여서 특성의 향상 및 소형화를 이루도록 하는데, 이를 위해서 인덕턴스에 세라믹 유전체를 추가함으로써 세라믹의 유전율에 의해 커패시턴스와 임피던스를 높여 특성을 향상시킴은 물론 이러한 특성을 저가격으로 구현할 수 있도록 하는 대역저지필터를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve these conventional problems, the present invention increases the impedance difference between the inductance and the capacitor while reducing the size of the accommodation space to improve characteristics and miniaturize. To this end, by adding a ceramic dielectric to the inductance, the dielectric constant of the ceramic is improved. The purpose is to provide a band-stop filter that not only improves characteristics by increasing capacitance and impedance, but also enables these characteristics to be implemented at a low price.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 대역저지필터는, The band stop filter according to the present invention to achieve the above purpose,

대역저지필터에 있어서,In the band stop filter,

격벽에 의해 복수의 캐비티가 형성되고, 그 일단의 캐비티과 타단의 캐비티에 입력 및 출력 포트가 연결되는 하우징;A housing in which a plurality of cavities are formed by partition walls, and input and output ports are connected to one end of the cavity and the other end of the cavity;

상기 캐비티의 바닥으로 입설되는 세라믹 유전체;a ceramic dielectric positioned at the bottom of the cavity;

상기 유전체의 상측부위에 위치하고, 상기 하우징의 상측을 덮는 덮개에 거치되어 공진 주파수를 조절하는 튜너;를 포함하여 로 구성된 것을 특징으로 한다,A tuner located on the upper part of the dielectric and mounted on a cover covering the upper side of the housing to adjust the resonance frequency; characterized in that it consists of a, including,

또한, 상기 세라믹 유전체의 상단부위는 평평하게 형성되어 있고, 상기 튜너의 하단부위도 상기 세라믹 유전체의 상단부위와 서로 대향하도록 평평하게 형성되어, 세라믹 유전체의 상단부위와 튜너의 하단 부위의 간격을 조절함으로써 커플링 양을 조절하도록 구성된다.In addition, the upper part of the ceramic dielectric is formed flat, and the lower part of the tuner is also formed flat to face the upper part of the ceramic dielectric, so that the gap between the upper part of the ceramic dielectric and the lower part of the tuner is adjusted. It is configured to adjust the coupling amount by doing so.

또한, 상기 세라믹 유전체의 외측표면 일부분은 금속으로 도금된다.Additionally, a portion of the outer surface of the ceramic dielectric is plated with metal.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 대역저지필터는, 인턱턴스에 세라믹 유전체를 구비시켜 높은 임피던스를 구현함으로써 우수한 특성을 가지도록 함은 물론 더욱 소형화될 수 있어 저가격으로 구현이 가능한 장점이 있다.The band-stop filter according to the present invention configured in this way has the advantage of having excellent characteristics by implementing a high impedance by providing a ceramic dielectric in the inductance, and can be further miniaturized, so that it can be implemented at a low price.

도1은 종래기술에 의한 대역저지필터의 구조를 보인 도.
도2는 본 발명에 적용되는 하우징의 구조를 보인 도.
도3은 세라믹 유전체의 단면 구조를 보인 도.
도4는 튜너의 구조를 보인 도.
도5는 세라믹 유전체가 캐비티에 장착된 상태를 보인 평면 사진.
도6은 캐비티내에 장착된 세라믹 필터의 단면 구조를 보인 도.
도7은 세라믹 필터의 상측에 튜너가 위치한 상태를 보인 도.
도8은 세라믹 필터와 튜너가 위치한 상태의 단면도.
도9는 하우징을 덮는 덮개에 튜너가 회전가능하도록 거치된 상태를 보인 도.
도10은 본 발명의 단면 구조도.
도11 및 도12는 본 발명에 의한 주파수의 특성을 보인 파형도.
도13 및 도14는 대역저지필터가 적용되기 전 및 적용된 후의 입력신호 파형도.
도15 및 도16은 대역저지필터가 적용된 후의 출력신호 파형도.
도17은 본 발명의 대역저지필터의 적용에 의해 40dB의 대역저지가 이루어진 상태의 파형도.Figure 1 is a diagram showing the structure of a band stop filter according to the prior art.
Figure 2 shows the structure of a housing applied to the present invention.
Figure 3 shows the cross-sectional structure of a ceramic dielectric.
Figure 4 shows the structure of the tuner.
Figure 5 is a plan view showing the ceramic dielectric mounted in the cavity.
Figure 6 is a diagram showing the cross-sectional structure of a ceramic filter mounted in the cavity.
Figure 7 is a diagram showing the tuner located on the upper side of the ceramic filter.
Figure 8 is a cross-sectional view with the ceramic filter and tuner located.
Figure 9 is a diagram showing the tuner rotatably mounted on the cover covering the housing.
Figure 10 is a cross-sectional structural diagram of the present invention.
Figures 11 and 12 are waveform diagrams showing frequency characteristics according to the present invention.
13 and 14 are input signal waveform diagrams before and after a band stop filter is applied.
15 and 16 are waveform diagrams of the output signal after a band stop filter is applied.
Figure 17 is a waveform diagram showing a state in which 40 dB of band blocking is achieved by applying the band stopping filter of the present invention.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. The above-mentioned objects, features, and advantages will be described in detail later with reference to the attached drawings, so that those skilled in the art will be able to easily implement the technical idea of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of known technologies related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. The terms used in the present invention are general terms that are currently widely used as much as possible while considering the function in the present invention, but this may vary depending on the intention or precedent of a person working in the art, the emergence of new technology, etc.

또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. In addition, in certain cases, there are terms arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the description of the relevant invention.

따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.Therefore, the terms used in the present invention should be defined based on the meaning of the term and the overall content of the present invention, rather than simply the name of the term.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. However, the embodiments of the present invention illustrated below may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments detailed below.

본 발명의 실시 예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도2는 본 발명에서 적용된 대역저지필터의 하우징(100) 구조를 보인 도로서, 내부가 소정의 간격으로 격벽(110)에 의해 구획되어 일정 형상의 캐비티(120)가 형성되고, 이러한 캐비티(120)는 순차적으로 연이어 형성되면서 복수개가 형성되며, 상기 격벽(110)은 도체로 이루어져 있다.Figure 2 is a diagram showing the structure of the housing 100 of the band-stop filter applied in the present invention. The interior is partitioned by partitions 110 at predetermined intervals to form a cavity 120 of a certain shape, and this cavity 120 ) are formed sequentially in succession, and the partition wall 110 is made of a conductor.

상기 하우징(100)의 양측에는 캐비티(120)들의 내측으로 각각 급전루프를 형성하여 일정 주파수를 입력 및 유도된 전계를 출력하는 입력 및 출력포트(140,150)가 구비되어 있다.On both sides of the housing 100, input and output ports 140 and 150 are provided to form power supply loops inside each of the cavities 120 to input a certain frequency and output an induced electric field.

즉, 입력포트(140)는 외부로부터 주파수를 입력하기 위해 일단의 캐비티(120)와 전기적으로 연결되고, 출력포는(150)는 타단의 캐비티에 전기적으로 연결되어 내부에서 필터링된 주파수를 출력하게 된다.That is, the input port 140 is electrically connected to one cavity 120 to input a frequency from the outside, and the output port 150 is electrically connected to the cavity at the other end to output the internally filtered frequency. do.

또한, 상기 입력 및 출력포트(140)(150)는 각각 급전루프와 접속되며, 입력급전루프는 입력 포트(140)로부터 들어오는 신호를 첫 번째 세라믹 유전체(200)에 전달하고, 출력급전루프는 마지막 세라믹 유전체(200)로부터 캐비티(120)를 통과하여 필터링된 신호를 수신하여 출력 포트(150)를 통해 외부로 전달한다.In addition, the input and output ports 140 and 150 are each connected to a feed loop, and the input feed loop transfers the signal coming from the input port 140 to the first ceramic dielectric 200, and the output feed loop transmits the signal coming from the input port 140 to the first ceramic dielectric 200. A filtered signal is received from the ceramic dielectric 200 through the cavity 120 and transmitted to the outside through the output port 150.

즉, 급전루프는 하우징의 캐비티(120) 내에서 입력 및 출력포트(140)(150)와 각각 연결되며, 원하는 대역의 신호만 저지하도록 입출력되는 전자파를 유도하는 것이다.In other words, the feed loop is connected to the input and output ports 140 and 150 respectively within the cavity 120 of the housing, and induces input and output electromagnetic waves to block only signals in the desired band.

여기서, 캐비티(120)의 형상은 정사각형 공동이나 원형 공동과 같이 등대칭성을 갖는 육면체나 원기둥 형태로 형성될 수 있으며, 내부는 전기적 성능을 안정화하고 전도성을 최대화하기 위해 은도금 처리할 수 있다.Here, the shape of the cavity 120 may be formed in the form of a hexahedron or cylinder with isosymmetry, such as a square cavity or a circular cavity, and the interior may be silver-plated to stabilize electrical performance and maximize conductivity.

또한, 하우징(100)은 그 상측부위를 개폐하는 덮개(130)를 갖는다.Additionally, the housing 100 has a cover 130 that opens and closes the upper portion.

이 경우 하우징(100)과 그 덮개(130)는 상호 대응하는 위치에 다수의 나사구멍을 형성하여 나사 결합방식으로 결합할 수 있고, 혹은 용접이나 납땜, 접착제 등의 방법으로 고정할 수도 있다.In this case, the housing 100 and its cover 130 can be joined by screwing by forming a plurality of screw holes at corresponding positions, or can be fixed by methods such as welding, soldering, or adhesive.

세라믹 유전체(200)는 저면이 캐비티(120) 바닥면에 각각 부착되며, 원기둥형의 사방 외주연에 캐비티(120)들 간의 모드 결합을 유도하는 자계가 형성된다.The bottom surfaces of the ceramic dielectrics 200 are attached to the bottom surfaces of the cavities 120, and a magnetic field that induces mode coupling between the cavities 120 is formed on the outer periphery of the cylindrical shape.

즉, 세라믹 유전체(200)는 도6에서와 E-field와 H-field가 x축, y축에 동일한 패턴으로 형성된다. x축에 생긴 모드를 x축모드, y축에 생긴 모드를 y축 모드라 하면 두 모드는 90도의 각도를 유지하므로 독립적 모드(Orthogonal mode)가 된다.That is, the ceramic dielectric 200 is formed with the same pattern of E-field and H-field on the x-axis and y-axis as in FIG. 6. If the mode created on the x-axis is called the x-axis mode, and the mode created on the y-axis is called the y-axis mode, the two modes maintain an angle of 90 degrees, so they become independent modes (orthogonal modes).

여기서, 세라믹 유전체(200)가 x축 및 y축으로 대칭구조를 갖게 하면 두 모드 사이 결합이 생기지 않는다. 세라믹 유전체 공진기(200)의 x축과 y축의 대칭성 파괴(Perturbation)를 만들면 세라믹 유전체(200) 내에서 공진하는 x축모드와 y축 모드는 서로 결합이 일어난다.Here, if the ceramic dielectric 200 has a symmetrical structure along the x-axis and y-axis, coupling between the two modes does not occur. When perturbation of the x-axis and y-axis of the ceramic dielectric resonator 200 is created, the x-axis mode and y-axis mode resonating within the ceramic dielectric resonator 200 are coupled to each other.

세라믹 유전체 공진기(200)의 외측표면 일부에는 금 등의 금속에 의해 도금되어 있게 되고, 이러한 금속 도금에 의해 노치(notch)가 발생하게 되어 대역저지특성이 매우 우수하게 된다.A portion of the outer surface of the ceramic dielectric resonator 200 is plated with a metal such as gold, and this metal plating creates a notch, resulting in excellent band blocking characteristics.

그리고, 도3에서와 같이 세라믹 유전체(200)의 중심축 상에는 홀(230)이 형성될 수 있고, 이 경우 지지부(210)를 캐비티(120)의 바닥에 먼저 일체로 형성시킨 다음, 지지부(210)보다 구경이 큰 헤드(220)를 볼트 등에 의해 지지부(210)에 고정시킬 수 있을 것이며, 이러한 경우 불필요한 다른 스퓨리어스 모드를 제거할 수 있을 뿐만 아니라 입출력 단에서의 결합계수를 증대시킬 수 있고, 아울러 x, y 축 모드의 공진 주파수에서 공진할 때 Q(Quality factor) 값을 증가시킬 수 있다.And, as shown in FIG. 3, a hole 230 may be formed on the central axis of the ceramic dielectric 200. In this case, the support portion 210 is first integrally formed at the bottom of the cavity 120, and then the support portion 210 ) can be fixed to the support part 210 with a bolt or the like. In this case, not only can other unnecessary spurious modes be removed, but the coupling coefficient at the input/output stage can be increased. When resonating at the resonance frequency of the x and y axis modes, the Q (Quality factor) value can be increased.

상기 헤드(220)는 지지부(210) 보다 직경이 크고, 상부면이 평평하며, 튜너(300)의 디스크(310)의 직경과 동일하게 형성된다.The head 220 has a larger diameter than the support part 210, has a flat upper surface, and is formed to be the same as the diameter of the disk 310 of the tuner 300.

도4에 도시한 바와같이, 상기 튜너(300)는 크게 디스크(310)와 볼트부(320)로 구성된다.As shown in Figure 4, the tuner 300 largely consists of a disk 310 and a bolt portion 320.

상기 볼트부(320)는 합성수지재로 형성되는데, 외측에 나사산이 형성되고, 상단부위에는 렌치를 삽입하여 볼트부(320)를 회전시키기 위한 홈부(330)가 형성되어 있게 된다.The bolt portion 320 is made of a synthetic resin material, has a screw thread formed on the outside, and has a groove portion 330 formed at the upper end for inserting a wrench to rotate the bolt portion 320.

커패시터 도체로 된 디스크(310)는 원반형태의 몸체를 가지게 되는데, 저면부위는 평평하게 형성되어 있다.The disk 310 made of a capacitor conductor has a disk-shaped body, and the bottom portion is formed to be flat.

따라서, 상기 튜너(300)는 도7에서와 같이 디스크(310)가 하측을 향하여 상기 세라믹 유전체(200)의 상측에 위치하게 되며, 도8에서와 같이 디스크(310)가 세라믹 유전체(200)의 헤드(220)의 상부면에 접촉하거나 또는 거리를 형성하면서 이격되며, 이러한 튜너(300)의 볼트부(320)는 도9에서와 같이 덮개(130)를 관통하여 덮개(130)에 거치됨으로써 회전에 의해 헤드(220)의 간격이 조절된다.Accordingly, the tuner 300 is located on the upper side of the ceramic dielectric 200 with the disk 310 facing downward, as shown in Figure 7, and the disk 310 is positioned on the ceramic dielectric 200 as shown in Figure 8. They contact the upper surface of the head 220 or are spaced apart while forming a distance, and the bolt portion 320 of the tuner 300 penetrates the cover 130 and rotates by being mounted on the cover 130 as shown in FIG. 9. The spacing of the head 220 is adjusted by.

이러한 간격 조절에 의해 임피던스와 커패시턴스의 조절이 가능하게 되는 것이다.By adjusting this gap, it is possible to control impedance and capacitance.

즉, 세라믹 유전체(200)에 의해 커패시턴스가 증가함은 물론 임피던스도 크게 증가함으로써 특성이 향상되고, 또한 한정된 공간에서의 커패시턴스도 증가시킬 수 있는 것이다. In other words, the ceramic dielectric 200 not only increases the capacitance but also greatly increases the impedance, thereby improving the characteristics and also increasing the capacitance in a limited space.

도10은 튜너(300)의 볼트부(320)가 덮개(130)에 지지되면서 상측으로 관통되어 노출된 상태와, 세라믹 유전체(200)의 상측부위에 위치하게 된다.10 shows a state in which the bolt portion 320 of the tuner 300 is supported by the cover 130 and penetrates upward and is exposed, and is located on the upper side of the ceramic dielectric 200.

따라서, 입력 포트(140)를 통해 입력된 신호는 급전 루프로 인가된 다음 첫 번째 세라믹 유전체(200)에 전위와 전류 흐름을 발생시켜 캐비티(120) 사이에 전계(Electric Field)와 자계(Magnetic Field)를 형성하며, 이 전자계 성분은 다음 세라믹 유전체로 전달되고, 이러한 과정을 거쳐 출력 포트(150)를 통해 출력된다.Therefore, the signal input through the input port 140 is applied to the power supply loop and then generates a potential and current flow in the first ceramic dielectric 200, creating an electric field and a magnetic field between the cavities 120. ) is formed, and this electromagnetic field component is transferred to the next ceramic dielectric and, through this process, is output through the output port 150.

이때, 각 세라믹 유전체(200)를 통과하는 신호 주파수는 캐비티(120)와 세라믹 유전체(200), 그리고 튜너(300)의 간격과 길이에 의해 인턱턴스와 커패시턴스(capacitance) 값에 따라 결정되어 주파수 저지대역이 결정되며, 또한 세라믹 유전체(200)에 의해 임피던스가 증가하게 된다.At this time, the signal frequency passing through each ceramic dielectric 200 is determined according to the inductance and capacitance values by the spacing and length of the cavity 120, the ceramic dielectric 200, and the tuner 300, thereby blocking the frequency. The band is determined, and the impedance is increased by the ceramic dielectric 200.

도11 및 도12는 본 발명의 대역저지필터에 의해 입력 및 출력 주파수의 특성을 보인 도로서, 도11에서와 같이 수신 신호에 대해 세라믹 유전체(200)에 의한 임피던스의 증가로 인덕턴스 구간에서 매우 높은 임피던스를 구현함으로써 급격한 기울기를 가져서 특성이 매우 향상된 상태를 보여준다.Figures 11 and 12 show the characteristics of the input and output frequencies by the band-stop filter of the present invention. As shown in Figure 11, the impedance increased by the ceramic dielectric 200 for the received signal is very high in the inductance section. By implementing impedance, it has a steep slope, showing greatly improved characteristics.

마판가지로 도12에서와 같이 전송 신호에 대해서도 급격한 기울기에 의해 그 특성이 매우 향상되며, 아울러 수신 신호와 입력 신호에는 세라믹 유전체(200)의 표면에 도금된 금속막에 의해 노치(Notch)가 형성되어 더욱 우수한 감쇄특성을 보여준다.Likewise, as shown in Figure 12, the characteristics of the transmission signal are greatly improved by the steep slope, and a notch is formed on the reception signal and the input signal by the metal film plated on the surface of the ceramic dielectric 200. It shows more excellent attenuation characteristics.

여기서 세라믹 유전체(200)의 유전율이 높을 수록 더 작은 크기에서 더욱 우수한 감쇄특성을 가지게 되며, 세라믹 유전체(200)의 유전율과 금속막의 크기 및 형태는 구현하려는 근접 감쇄특성에 따라 결정된다.Here, the higher the dielectric constant of the ceramic dielectric 200, the better the attenuation characteristics at a smaller size, and the dielectric constant of the ceramic dielectric 200 and the size and shape of the metal film are determined according to the proximity attenuation characteristics to be implemented.

도13은 본 발명의 대역저지필터를 적용하지 않은 상태에서의 중계기의 입력 특성파형도이고, 도14는 본 발명의 대역저지필터가 적용된 상태의 중계기의 입력 특성파형도로서, 대역저지필터를 적용하지 않은 상태에서 이동통신 중계기로의 2.1GHz 입력주파수에 불협화신호가 포함되어 있지만, 대역저지필터를 적용한 상태에서는 블협화신호가 억제된 상태를 보여준다.Figure 13 is an input characteristic waveform diagram of the repeater without applying the band stop filter of the present invention, and Figure 14 is an input characteristic waveform diagram of the repeater with the band stop filter of the present invention applied. In the unused state, the 2.1 GHz input frequency to the mobile communication repeater contains a discordant signal, but when a band stop filter is applied, the discordant signal is suppressed.

즉, WCDMA 대역인 2165~2170MHz의 신호만 입력되고, LTE 대역인 2150~2165MHz)에 대한 신호를 억제하게 된다.In other words, only signals in the WCDMA band (2165~2170MHz) are input, and signals in the LTE band (2150~2165MHz) are suppressed.

또한, 도15는 본 발명의 대역저지필터를 적용하지 않은 상태에서의 중계기의 출력 특성파형도이고, 도16은 본 발명의 대역저지필터가 적용된 상태의 중계기의 출력 특성파형도로서, 이도 마찬가지로 대역저지필터를 적용하지 않은 상태에서 이동통신 중계기로의 2.1GHz 입력주파수에 불협화신호가 포함되어 있지만, 대역저지필터를 적용한 상태에서는 블협화신호가 억제된 상태를 보여준다.In addition, Figure 15 is an output characteristic waveform diagram of the repeater without applying the band stop filter of the present invention, and Figure 16 is an output characteristic waveform diagram of the repeater with the band stop filter of the present invention applied. When a stop filter is not applied, the 2.1 GHz input frequency to the mobile communication repeater contains a discordant signal, but when a band stop filter is applied, the discordant signal is suppressed.

이로 인하여 원할한 이동통신 서비스의 품질이 개선됨을 알 수 있다.As a result, it can be seen that the quality of mobile communication service is improved.

아울러 도17(a)는 LTE 1.8GHz의 이동통신 신호에 대해 본 발명의 대역저지필터를 적용하기 전의 신호 특성을 보인 파형도이고, 도17(b)는 대역저지필터를 적용한 상태에서의 신호 특성을 보인 파형도로서, 본 발명의 대역거지필터를 적용한 경우에는 양쪽 통과밴드에 최소 40dB 정도의 안정적인 대역저지효과를 가지게 된 것을 보여준다.In addition, Figure 17(a) is a waveform diagram showing the signal characteristics before applying the band stop filter of the present invention to an LTE 1.8GHz mobile communication signal, and Figure 17(b) is a waveform diagram showing the signal characteristics with the band stop filter applied. This waveform diagram shows that when the band-stop filter of the present invention is applied, a stable band-stop effect of at least 40 dB is achieved in both pass bands.

이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 예일뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. As the specific parts of the present invention have been described in detail above, it is clear to those skilled in the art that these specific techniques are merely preferred embodiments and do not limit the scope of the present invention. something to do.

따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.Accordingly, the substantial scope of the present invention will be defined by the appended claims and their equivalents.

100 : 하우징
110 : 격벽
120 : 캐비티
130 : 덮개
140 : 입력포트
150 : 출력포트
200 : 세라믹 유전체
210 : 지지부
220 : 헤드
230 : 홀
300 : 튜너
310 : 디스크
320 : 볼트부100: housing
110: bulkhead
120: Cavity
130: cover
140: input port
150: output port
200: Ceramic dielectric
210: support part
220: head
230: Hall
300: Tuner
310: disk
320: bolt part

Claims (3)

대역저지필터에 있어서,
격벽에 의해 복수의 캐비티가 형성되고, 그 일단의 캐비티과 타단의 캐비티에 입력 및 출력 포트가 연결되는 하우징;
상기 캐비티의 바닥으로 입설되는 세라믹 유전체;
상기 유전체의 상측부위에 위치하고, 상기 하우징의 상측을 덮는 덮개에 거치되어 공진 주파수를 조절하는 튜너;를 포함하여 로 구성된 것을 특징으로 하는 대역저지필터.
In the band stop filter,
A housing in which a plurality of cavities are formed by partition walls, and input and output ports are connected to one end of the cavity and the other end of the cavity;
a ceramic dielectric positioned at the bottom of the cavity;
A tuner located on an upper part of the dielectric and mounted on a cover covering the upper side of the housing to adjust the resonance frequency. A band stop filter comprising a.
제1항에 있어서, 상기 세라믹 유전체의 상단부위는 평평하게 형성되어 있고, 상기 튜너의 하단부위도 상기 세라믹 유전체의 상단부위와 서로 대향하도록 평평하게 형성되어, 세라믹 유전체의 상단부위와 튜너의 하단 부위의 간격을 조절함으로써 커플링 양을 조절하도록 구성된 것을 특징으로 하는 대역저지필터.
The method of claim 1, wherein the upper portion of the ceramic dielectric is formed flat, and the lower portion of the tuner is also formed flat to face the upper portion of the ceramic dielectric, so that the upper portion of the ceramic dielectric and the lower portion of the tuner are formed. A band stop filter characterized in that it is configured to adjust the amount of coupling by adjusting the spacing.
제2항에 있어서, 상기 세라믹 유전체의 외측표면 일부분은 금속으로 도금된 것을 특징으로 하는 대역저지필터.The band stop filter according to claim 2, wherein a portion of the outer surface of the ceramic dielectric is plated with metal.