KR20230127402A - 산화갈륨을 이용한 가스 센서 - Google Patents
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Abstract
전계 효과형 트랜지스터 구조를 가지는 가스 센서가 개시된다. 절연성 기판 상에 베타 산화갈륨의 채널층이 형성되고, 채널층 상부에는 촉매 게이트층이 형성된다. 채널층의 측면에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극의 폭은 촉매 전극층의 폭보다 크게 설정되고, 촉매 전극층과 소스 전극/드레인 전극 사이에는 이격공간이 형성된다. 촉매 전극층은 수소 가스를 분해하고, 촉매 전극층과 채널층 사이의 계면에는 양이온이 배치되어 드레인-소스 사이의 전류는 증가된다.
Description
본 발명은 가스 센서에 관한 것으로 더욱 상세하게는 산화 갈륨(Ga2O3)를 이용한 가스 센서에 관한 것이다.
가스 센서는 특정 가스를 감지하는 전자 소자이다. 예컨대, 가스의 농도가 일정 수준 이상이면, 가스 센서는 이를 감지하여 전기적 신호를 출력한다. 가스 센서를 포함하여 대부분의 센서는 높은 감도를 가져야 하며, 다양한 조건에서 안정적인 동작 특성을 가질 필요가 있다.
가스 센서가 감지할 수 있는 가스의 농도는 낮을수록 상용화에 유리하며, 낮은 농도부터 높은 농도 범위에 걸처 가스 센서가 선형적인 출력을 형성할 필요가 있다.
센서의 감지 대상인 가스들 중 수소는 대체 에너지원 및 에너지 운반체로 많은 관심을 받고 있다. 다만, 수소 가스는 공기 중에서 높은 가연성, 낮은 점화 에너지 및 높은 화염 속도를 가진다. 즉, 발화가 잘되고, 높은 폭발력을 가지므로 취급상 주의가 요구된다. 수소가 산업 및 자동차 분야에 안정적으로 사용되기 위해서는 수소 가스를 감지할 수 있는 가스 센서가 반드시 필요하다.
높은 감도를 가지고, 다양한 환경에서도 정상적인 동작을 수행하는 가스 센서를 제조하기 위해 다양한 시도가 이루어진다. 최근에는 가스 감응 소재로 산화갈륨(Ga2O3)이 사용된다. 산화갈륨은 4.8 내지 5.3 eV의 매우 넓은 밴드갭을 가지는 소재로 5 종류의 상(phase)들을 가진다. 이들 중 베타상에 대한 연구가 활발히 이루어진다. 베타 산화갈륨의 밴드갭은 4.8 eV로 열역학적인 안정성을 가진 소재이다.
일본등록특허 제2859601호는 선택도 및 감도가 향상된 가스 센서를 개시한다. 제조된 가스 센서는 산화갈륨을 가스 감응층으로 사용하며, 가스 감응층 상부에는 표면피막이 형성된다. 수소와 산화갈륨 사이의 반응으로 인해 산화갈륨의 저항은 변경되고, 변경된 저항은 전압 또는 전류의 형태로 나타난다.
한국등록특허 제1305556호는 투명 산화물 전극을 이용하는 가스 센서를 개시한다. 산화갈륨으로 구성된 가스 감응 물질층은 상호간에 이격된 핑거 타입으로 형성된다. 가스 감응 물질층이 수소 가스와 반응하여 산화갈륨의 저항이 변경되면, 저항의 변화는 ITO로 구성된 감지 전극에서 센싱된다.
상기 특허들은 산화갈륨의 저항변화를 이용하는 것으로 저항의 변경에 따른 전압의 변화가 감지된다. 다만, 가스의 낮은 농도 및 고온 환경에서 안정적인 동작을 확보하기 곤란하다는 문제를 가진다.
본 발명이 이루고자 하는 제1 기술적 과제는 고온 환경에서 높은 감도를 가지고 안정적으로 동작할 수 있는 가스 센서를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 제2 기술적 과제는 상기 제1 기술적 과제를 달성하기 위한 가스 센서의 제조방법을 제공하는데 있다.
상술한 제1 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 절연성 기판; 상기 절연성 기판 상에 형성되고, 베타 산화갈륨(β-Ga2O3)을 가지는 채널층; 상기 채널층 상에 형성되고, Pt를 포함하는 촉매 게이트층; 및 상기 촉매 게이트층과 이격되어 형성되고, 상기 채널층의 일부를 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 가스 센서를 제공한다.
상술한 제2 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 베타 산화갈륨 웨이퍼의 측면으로부터 산화갈륨 플레이크를 박리하는 단계; 상기 산화갈륨 플레이크를 절연성 기판 상에 전사하는 단계; 상기 절연성 기판 상의 상기 산화갈륨 플레이크를 식각하여 두께가 조절된 채널층을 형성하는 단계; 상기 촉매 게이트층이 형성된 영역 이외의 상기 채널층의 일부를 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하되, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 서로 대향하도록 배치시키는 단계; 및 상기 채널층 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격된 Pt 재질의 촉매 게이트층을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법을 제공한다.
상술한 본 발명에 따르면, 베타 산화갈륨의 (1 0 0)면을 이용하며, 이를 채널층으로 사용한다. 또한, 채널층 상부에는 촉매 게이트층이 형성된다. 촉매 게이트층에서는 수소 분해 반응이 일어나고, 채널층의 도전율은 변경된다. 이를 통해 수소 가스의 농도가 10 ppm 수준에서도 감지된다. 채널층은 베타 산화갈륨을 구성되므로 높은 밴드갭을 가진다. 따라서, 수소 가스에 대한 높은 선택도를 가질 수 있으며, 높은 밴드갭에도 불구하고 큰 이득을 가질 수 있다. 특히, 촉매 게이트층과 소스 전극 사이에 전압을 인가하고, 소신호 증폭 동작을 수행하는 경우, 낮은 농도의 수소 가스에 대해서도 뛰어난 감지 능력을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제조예에 따른 가스 센서의 이미지이다.
도 3은 본 발명의 측정예 1에 따른 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 측정예 2에 따라 대기 분위기 및 수소 분위기 하에서의 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프들이다.
도 2는 본 발명의 제조예에 따른 가스 센서의 이미지이다.
도 3은 본 발명의 측정예 1에 따른 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 측정예 2에 따라 대기 분위기 및 수소 분위기 하에서의 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 센서의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 채널층(120)이 형성된다. 채널층(120)의 양단에는 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)이 형성된다. 또한, 채널층(120)의 상부에는 촉매 게이트층(140)이 형성된다. 촉매 게이트층(140)은 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)과 반드시 이격되어야 한다. 따라서, 소스 전극(160)과 촉매 게이트층(140) 사이에 이격공간이 형성되며, 드레인 전극(180)과 촉매 게이트층(140) 사이에도 이격공간이 형성된다.
기판(100)은 절연성 재질이라면 어느 것이나 사용가능할 것이다. 예컨대, 유리, 사파이어 또는 가요성을 가진 고분자 기판도 가스 센서의 기판(100)으로 사용가능하다.
상기 기판(100) 상에는 채널층(120)이 형성된다. 상기 채널층(120)은 베타 산화갈륨(β-Ga2O3)이며, n형으로 도핑됨이 바람직하다. n형의 도전형을 가지기 위해 산화갈륨의 채널층(120)에는 실리콘 또는 주석 등의 4족 원소가 도핑될 수 있다. 또한, 채널층(120)의 두께는 10 nm 내지 100 nm임이 바람직하다. 채널층(120)의 두께가 상기 범위보다 작으면 채널층(120)의 가공이 곤란하고, 채널층(120)의 두께가 상기 범위를 상회하면 채널층 내 전류흐름의 제어가 용이하지 않다.
상기 채널층(120)은 베타 산화갈륨을 가지며, 상부 표면은 (1 0 0) 평면임이 바람직하다. 채널층(120)의 형성을 위해 베타 산화갈륨 웨이퍼의 측면에서 테이프를 이용한 박리가 수행된다. (-2 0 1) 평면이 노출된 웨이퍼의 측면에는 (1 0 0) 평면이 노출되고 결합력이 약한 (1 0 0) 면의 산화갈륨층은 웨이퍼로부터 분리된다.
이어서, 박리된 산화갈륨 플레이크(flake)는 기판(100) 상에 전사되고, 두께 조절을 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma)를 통해 식각되어 소정의 두께를 가진 채널층(120)으로 형성된다.
또한, 채널층(120) 측면과 일부 상부 영역에는 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)이 형성된다. 형성된 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)은 이격공간을 가지고 서로 대향하며, Ti/Au 재질을 가짐이 바람직하다.
채널층(120) 상부에는 촉매 게이트층(140)이 형성된다. 촉매 게이트층(140)은 Pt를 포함함이 바람직하다. 촉매 게이트층(140)은 반드시 측면의 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)과 이격되어야 한다. 따라서, 촉매 게이트층(140)이 형성되더라도 채널층(120) 표면의 일부는 노출된다.
본 실시예에서 촉매 게이트층의 형성 단계 이전에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성됨이 바람직하다. 이는 채널층과 기판 사이의 상대적으로 약한 결합력에 기인한다. 즉, 채널층의 측면의 일부를 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 먼저 형성하여 채널층이 기판 상에 견고히 고정되도록 한다. 따라서, 이후의 촉매 게이트층의 형성 시에 얼라인이 변경되는 불량이 방지된다.
다만, 실시의 형태에 따라 채널층(120) 형성, 촉매 게이트층(140)의 형성, 소스 전극(160) 및 드레인 전극(180)의 형성의 순서로 가스 센서가 제조될 수도 있다.
수소 가스 분위기에서 상기 촉매 게이트층(140)의 표면에서 수소 가스는 분해되고, 해리된 수소 원자에 의해 촉매 게이트층(140)에는 양이온이 생성된다. 채널층(120)은 n형으로 도핑된 상태이므로 촉매 게이트층(140)과 채널층(120)의 계면에 분포되는 양이온에 의해 촉매 게이트층(140) 하부의 채널층(120)에서 캐리어의 수는 증가된다. 계면에 분포된 양이온은 정전기적 인력에 의해 채널층(120)의 전도도를 향상시키고, 이에 따라 드레인 전극-소스 전극 사이의 전류 Ids는 증가된다. 이를 통해 미량의 수소 가스가 감지될 수 있으며, 고온 환경에서 Ids의 변화가 감지될 수 있다.
제조예 : 전계 효과 트랜지스터 형태의 가스 센서의 제조
EFG(Edge-Defined Film-Fed Growth) 방법으로 제조된 Tamura 사의 베타 Ga2O3 웨이퍼가 사용된다. 웨이퍼는 Sn(주석)을 도판트로 이용한 n형이며, 3×1018 cm-3의 농도로 도핑된다. 웨이퍼의 표면은 (-2 0 1) 평면이다. 베타 Ga2O3 플레이크는 웨이퍼의 측면에서 테이프를 이용한 기계적 박리를 통해 획득되고, 사파이어 기판에 전사된다.
사파이어 기판 상에 전사된 베타 Ga2O3 플레이크의 두께 조절을 위해 ICP를 이용한 식각 공정이 수행된다. ICP의 전력은 300 W이고, RF 바이어스 전력은 100 W로 설정되며, 식각용 가스는 BCl3 및 N2가 5 : 3의 유량으로 총 40 sccm으로 공급된다. 플레이크의 상부 표면은 (1 0 0)면이며, 식각 속도는 34 nm min-1이다.
상술한 과정을 통해 형성된 채널층의 두께는 68 nm이며, RMS 표면 거칠기는 0.421 nm이다. 사파이어 기판 상에 형성된 채널층은 450 ℃로 40분 동안 대기 조건에서 어닐링된다. 어닐링을 통해 건식 식각 공정을 통해 생성될 수 있는 사파이어 기판의 결함은 제거된다.
이어서 전자빔 증착에 의해 소스 전극과 드레인 전극이 형성된다. 소스 전극 및 드레인 전극은 접착층으로 Ti가 사용되고, 접착층 상에 외부 컨택층으로 Au가 사용된다. Ti/Au는 50 nm/200 nm의 두께로 형성된다.
마지막으로 노출된 채널층 상에 Pt 재질의 촉매 게이트층이 형성된다. 촉매 게이트층은 10 nm 두께로 형성된다.
도 2는 본 발명의 제조예에 따른 가스 센서의 이미지이다.
도 2를 참조하면, 트랜지스터의 촉매 게이트층의 폭은 2 um이며, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 거리는 8 um이다. 또한, 촉매 게이트층 하부에는 68 nm의 두께를 가진 채널층이 형성되고, 채널층의 폭은 소스 전극과 드레인 전극 사이의 거리보다 크게 설정된다. 따라서, 소스 전극 및 드레인 전극은 채널층의 상부의 일부와 측면을 커버하도록 형성된다. 또한, 촉매 게이트층은 측면으로 신장되어 패드와 전기적으로 연결된다.
즉, 소스 전극과 드레인 전극은 y축 방향으로 서로 이격되어 형성되며, 채널층도 y축 방향으로 신장되어 형성된다. 채널층 상부에 형성되는 촉매 게이트층은 x축 방향으로 신장되어 형성된다. 즉, 채널층과 촉매 게이트층은 상호간에 십자형 구조를 형성한다. 채널층과 촉매 게이트층이 십자형 구조를 형성함에 따라 가스 센서의 제조는 더욱 간편해진다. 즉, 채널층 상부에 촉매 게이트층이 형성될 때, 채널층과 평행한 구조를 가진다면 상부의 촉매 게이트층의 형성을 위한 얼라인에 정밀한 작업이 요구된다. 그러나, 본 실시예의 제조과정에서는 십자형 구조를 통해 보다 간단한 공정으로 가스 센서의 제조가 가능해진다.
측정예 1 : 가스 센서의 트랜지스터 특성 측정
상기 제조예에 의해 제조된 가스 센서의 트랜지스터 특성이 조사된다. 가스 센서는 대기 중 상온 조건에서 Agilent 4156 매개변수 분석기를 통해 전기적 특성이 측정된다.
도 3은 본 발명의 측정예 1에 따른 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프이다.
도 3을 참조하면, 그래프 (a)에서는 Vds(드레인-소스 전압차)의 변화에 따른 Ids(드레인-소스 전류)가 측정된다. Vgs(게이트-소스 전압차)는 0V부터 -5V까지 -1V의 step으로 변경되어 인가된다. 즉, 촉매 게이트층은 소스 전극 이하의 전압을 가진다.
Vgs가 0V일 때, Vds가 증가하면 Ids가 선형적으로 증가한다. 이는 채널층이 n형으로 도핑된 상태이므로, 트랜지스터 구조를 형성하는 가스 센서가 턴온 상태를 유지함을 의미한다.
또한, Vgs가 음의 방향으로 증가하면, Vds의 증가에 따라 Ids의 증가폭은 감소된다. 특히, Vgs가 -5V일 때, Vds가 증가하더라도 드레인-소스 사이에는 전류가 흐르지 않는다. 즉, Vgs의 영향으로 트랜지스터는 오프 상태가 유지된다.
그래프 (b)는 Vds가 5V로 고정된 상태에서 Vgs의 변화에 따른 Ids가 측정되고, 트랜스컨덕턴스 gm이 계산된다. 트랜스컨덕턴스 gm은 Vgs의 변화량에 대한 Ids 변화량의 비로 Ids-Vgs 곡선의 기울기에 해당한다. 그래프 (b)에서는 Vgs가 -4V 내지 -3V에서 트랜스컨덕턴스의 급격한 증가가 나타난다. 이를 통해 가스 센서로 제조된 트랜지스터의 문턱전압은 -4V 내지 -3V 사이에 분포됨을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 가스 센서는 트랜지스터의 구조를 가지고, 촉매 게이트층의 전압 변화에 대해 일정한 이득을 가짐을 확인할 수 있다.
측정예 2 : 수소 분위기 하에서 가스 센서의 성능 측정
본 측정예에서는 상기 제조예에 따라 제작된 가스 센서를 이용하여 수소 분위기 하에서 성능이 측정된다.
도 4는 본 발명의 측정예 2에 따라 대기 분위기 및 수소 분위기 하에서의 가스 센서의 트랜지스터 특성을 도시한 그래프들이다.
도 4의 그래프 (a)를 참조하면, 수소 가스의 농도가 500 ppm로 공급된다. 또한, 대기 분위기 및 수소 분위기에서의 특성은 상온에서 측정된다. 게이트-소스 간의 전압 Vgs는 0V로 설정되고, Vds의 변화에 따른 Ids 값이 측정된다. 특정의 수소 가스가 공급되지 않는 대기 분위기 하에서 가스 센서의 Ids 변화량은 500 ppm으로 수소 가스가 공급되는 조건에서 가스 센서의 Ids 변화량과 거의 동일하다. 즉, Vgs를 0V로 설정할 경우, 상온에서는 수소 가스의 감지능은 매우 떨어지는 것이 확인된다.
도 4의 그래프 (b)를 참조하면, 400 ℃에서 대기 분위기 및 수소 분위기에서 전기적 특성이 측정된다. 수소 가스의 농도가 500 ppm인 환경에서 Vds가 증가하면, Ids도 크게 증가한다. 즉, 본 발명의 가스 센서는 측정 환경의 온도가 상승할수록 수소 가스의 감지능이 향상됨이 확인된다.
그래프 (a)와 (b)는 수소 응답도(hydrogen responsivity)로 평가된다. 수소 응답도 R은 하기의 수학식 1로 정의된다.
상기 수학식 1에서 Ids,H2는 수소 분위기 하에서의 Ids를 나타내고, Ids,air는 대기 중에서의 Ids를 나타낸다. 그래프 (a)에서 상기 수학식 1에 따른 수소 응답도는 6.03 %이다. 반면, 그래프 (b)에서의 수소 응답도는 25.02 %로 증가하였다. 이는 온도가 증가됨에 따라 흡열 반응인 수소 분해 반응의 속도가 증가하고, 채널층과 촉매 게이트층의 계면에 양이온이 크게 증가한 것에 기인한다.
도 4의 그래프 (c)를 참조하면, Vgs가 0V이고, Vds가 1V로 고정된 상태에서 수소 가스의 농도가 변화하는 환경에서 Ids의 양이 측정된다. 온도는 400 ℃이다. 수소 가스의 농도가 10ppm에서도 Ids 전류량의 변화가 감지된다. 또한, 수소 가스의 농도가 증가할수록 Ids도 증가하는 경향을 나타낸다.
상술한 본 발명에서는 베타 산화갈륨의 (1 0 0)면을 이용하며, 이를 채널층으로 사용한다. 또한, 채널층 상부에는 촉매 게이트층이 형성된다. 촉매 게이트층에서는 수소 분해 반응이 일어나고, 채널층의 도전율은 변경된다. 이를 통해 수소 가스의 농도가 10 ppm 수준에서도 감지된다. 채널층은 베타 산화갈륨을 구성되므로 높은 밴드갭을 가진다. 따라서, 수소 가스에 대한 높은 감도를 가질 수 있으며, 높은 밴드갭에도 불구하고 큰 이득을 가질 수 있다. 특히, 촉매 게이트층과 소스 전극 사이에 전압을 인가하고, 소신호 증폭 동작을 수행하는 경우, 낮은 농도의 수소 가스에 대해서도 뛰어난 감지 능력을 가질 수 있다.
100 : 기판
120 : 채널층
140 : 촉매 게이트층 160 : 소스 전극
180 : 드레인 전극
140 : 촉매 게이트층 160 : 소스 전극
180 : 드레인 전극
Claims (12)
- 절연성 기판;
상기 절연성 기판 상에 형성되고, 베타 산화갈륨(β-Ga2O3)을 가지는 채널층;
상기 채널층 상에 형성되고, Pt를 포함하는 촉매 게이트층; 및
상기 촉매 게이트층과 이격되어 형성되고, 상기 채널층의 일부를 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 가스 센서. - 제1항에 있어서, 상기 채널층은 상부 표면이 (1 0 0)면인 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 채널층은 상기 촉매 게이트층과 십자형 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 채널층의 일부는 상기 촉매 게이트층의 측면에서 노출되는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 채널층은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 채널층은 산화갈륨 웨이퍼의 박리를 통해 추출되는 플레이크인 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제6항에 있어서, 상기 채널층의 두께는 10 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 소스 전극 또는 드레인 전극은 Ti/Au 인 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 전극층에 수소 가스가 접촉되면 발열 반응인 분해 반응이 일어나고, 상기 촉매 전극층과 상기 채널층 사이의 계면에는 양이온이 분포되는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
- 베타 산화갈륨 웨이퍼의 측면으로부터 산화갈륨 플레이크를 박리하는 단계;
상기 산화갈륨 플레이크를 절연성 기판 상에 전사하는 단계;
상기 절연성 기판 상의 상기 산화갈륨 플레이크를 식각하여 두께가 조절된 채널층을 형성하는 단계;
상기 촉매 게이트층이 형성된 영역 이외의 상기 채널층의 측면을 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하되, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 서로 대향하도록 배치시키는 단계; 및
상기 채널층 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격된 Pt 재질의 촉매 게이트층을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법. - 제10항에 있어서, 상기 박리된 산화갈륨 플레이크는 상부면이 (1 0 0)면인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 채널층은 상기 촉매 게이트층과 십자형 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법.
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| KR20140089432A (ko) * | 2012-01-13 | 2014-07-14 | 도꾜 다이가꾸 | 가스 센서 |
| KR20160031751A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 주식회사 유제이엘 | 반도체 소자 |
| JP2020529609A (ja) * | 2017-08-10 | 2020-10-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 可燃性ガス・センサ、検知装置、および可燃性ガスを検知する方法 |
| KR20200141721A (ko) * | 2019-06-11 | 2020-12-21 | 숭실대학교산학협력단 | 초음파 센서, 그 제조 방법 및 그 초음파 센서를 포함하는 트랜스듀서 |
-
2022
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