KR20230123876A - A substrate support device - Google Patents

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KR20230123876A
KR20230123876A KR1020230005429A KR20230005429A KR20230123876A KR 20230123876 A KR20230123876 A KR 20230123876A KR 1020230005429 A KR1020230005429 A KR 1020230005429A KR 20230005429 A KR20230005429 A KR 20230005429A KR 20230123876 A KR20230123876 A KR 20230123876A
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mesh electrode
electrode
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전상진
황현상
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주식회사 테스
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Abstract

본 발명은 기판 지지 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 상부에 웨이퍼가 안착되며, 제1 메쉬 전극 및 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 제2 메쉬 전극을 포함하는 기판 지지부; 상기 제1 메쉬 전극으로 직류 전압을 인가하는 처킹(chucking) 회로부; 및 상기 제1 메쉬 전극 및 상기 제2 메쉬 전극에 관련한 동작들의 타이밍을 제어하고, RF(Radio Frequency)를 생성하는 엣지 제어 회로부를 포함하며, 상기 제2 메쉬 전극은, 복수 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할되어 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거하도록 형성될 수 있다.The present invention relates to a substrate support device.
To this end, a substrate support device according to an embodiment of the present invention includes a substrate support on which a wafer is seated, including a first mesh electrode and a second mesh electrode disposed under the first mesh electrode; a chucking circuit unit for applying a DC voltage to the first mesh electrode; and an edge control circuit for controlling timing of operations related to the first mesh electrode and the second mesh electrode and generating a radio frequency (RF), wherein the second mesh electrode comprises a plurality of second sub-mesh electrodes. It can be divided into and formed to eliminate the generation of induced electromotive force due to the closed loop.

Description

기판 지지 장치{A SUBSTRATE SUPPORT DEVICE}Substrate support device {A SUBSTRATE SUPPORT DEVICE}

본 발명은 기판 지지 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device.

기판 지지 장치는 에칭, PVD (Physical Vapor Deposition), CVD (Chemical Vapor deposition), PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), ALD (Atomic Layer Deposition), PEALD (Plasmaenhanced Atomic Layer Deposition), PDL (Pulsed Deposition Layer), PEPDL (Plasma-Enhanced Pulsed Deposition Layer), 및 레지스트 제거를 포함하는 기법들에 의해 웨이퍼를 처리하기 위해 사용된다.Substrate support devices include etching, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atomic layer deposition (ALD), plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD), pulsed deposition layer (PDL) ), Plasma-Enhanced Pulsed Deposition Layer (PEPDL), and techniques including resist removal.

기판 지지 장치는 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 반응 챔버를 포함하는 플라즈마 처리 장치이고, 무선 주파수(Radio Frequency, RF) 전력은 반응 챔버에서 웨이퍼를 증착하기 위한 플라즈마로 프로세스 가스를 여기하도록 전극들 사이에 인가된다.The substrate support device is a plasma processing device that includes a reaction chamber including an upper electrode and a lower electrode, and Radio Frequency (RF) power is applied between the electrodes to excite a process gas into a plasma for depositing a wafer in the reaction chamber. is authorized to

종래 제1 선행 문헌(한국공개특허공보 10-2020-0014881)은 반도체 프로세싱에서 사용하기 위한 정전 척에 관한 것으로서, 박막들을 증착하도록 동작 가능한 플라즈마-강화된 화학적 기상 증착 프로세싱 장치에 관한 내용을 개시하고 있다.The first prior art document (Korea Patent Publication No. 10-2020-0014881) relates to an electrostatic chuck for use in semiconductor processing, discloses a plasma-enhanced chemical vapor deposition processing apparatus operable to deposit thin films, and there is.

또한, 종래 제2 선행 문헌(일본공개특허공보 2012-089694)은 2층 RF 구조의 웨이퍼 지지체에 관한 것으로서, 서로 다른 깊이에 원형상 RF 전극과 원 환형 RF 전극이 매설되는 2층 RF 구조에 대해 개시하고 있다.In addition, the second prior art document (Japanese Laid-open Patent Publication No. 2012-089694) relates to a wafer support of a two-layer RF structure, for a two-layer RF structure in which circular RF electrodes and annular RF electrodes are buried at different depths. are starting

도 1은 종래 기판 지지 장치에서의 메쉬 구조를 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view showing a mesh structure in a conventional substrate support device.

도 1을 참조하면, 도 1의 (a)와 같이, 하나의 메쉬 전극(110)이 존재하거나, 또는 도 1의 (b)와 같이 제1 메쉬 전극(110)과 상기 제1 메쉬 전극(110)의 하부에 제2 메쉬 전극(120)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 메쉬 전극(120)은 링 타입이 아니고, 원판 타입이다. Referring to FIG. 1, as shown in (a) of FIG. 1, one mesh electrode 110 exists, or as shown in (b) of FIG. 1, the first mesh electrode 110 and the first mesh electrode 110 ) The second mesh electrode 120 may be disposed below. In this case, the second mesh electrode 120 is not a ring type, but a disk type.

또한, 도 1의 (c)와 같이, 제1 메쉬 전극은 두 개의 서브 전극들(111, 1112)로 분할되고, 두 개의 서브 전극들(111, 1112)의 하부에는 제2 메쉬 전극(130)이 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(130)은 내부에 반원 형상이 두 개 형성되어 있고, 두 개의 반원 형상은 크로스 메쉬(131)에 의해 구분된다. 그리고, 두 개의 반원 형상들 각각의 내부에는 하나의 서브 전극이 배치된다.In addition, as shown in (c) of FIG. 1, the first mesh electrode is divided into two sub-electrodes 111 and 1112, and the second mesh electrode 130 is formed under the two sub-electrodes 111 and 1112. can be placed. In addition, the second mesh electrode 130 has two semicircular shapes formed therein, and the two semicircular shapes are separated by the cross mesh 131 . Also, one sub-electrode is disposed inside each of the two semicircular shapes.

그런데, 종래 메쉬 구조에서 전류의 경로(path)는 랜덤인데, 제2 메쉬 전극의 테두리(141, 142)에는 임피던스 차이가 존재하기 때문에, 전류 경로(path)에 임의성이 발생되는 문제점이 있다.However, in the conventional mesh structure, the current path is random, but there is a problem in that randomness occurs in the current path because there is an impedance difference between the edges 141 and 142 of the second mesh electrode.

따라서, 높은 균일성 제어를 위한 새로운 메쉬 구조의 필요성이 제기된다.Therefore, there is a need for a new mesh structure for high uniformity control.

한국공개특허공보 10-2020-0014881Korean Patent Publication No. 10-2020-0014881 일본공개특허공보 2012-089694Japanese Laid-open Patent Publication 2012-089694

따라서, 본 발명은 새로운 메쉬 구조를 갖춘 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention provides a substrate support device having a novel mesh structure.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시 예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention not mentioned above can be understood by the following description and will be more clearly understood by the embodiments of the present invention. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the present invention may be realized by means of the instrumentalities and combinations indicated in the claims.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 상부에 웨이퍼가 안착되며, 제1 메쉬 전극 및 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 제2 메쉬 전극을 포함하는 기판 지지부; 상기 제1 메쉬 전극으로 직류 전압을 인가하는 처킹(chucking) 회로부; 및 상기 제1 메쉬 전극 및 상기 제2 메쉬 전극에 관련한 동작들의 타이밍을 제어하고, RF(Radio Frequency)를 생성하는 엣지 제어 회로부를 포함하며, 상기 제2 메쉬 전극은, 복수 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할되어 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거하도록 형성될 수 있다.In order to achieve this object, a substrate support device according to an embodiment of the present invention includes a substrate support having a wafer mounted thereon and including a first mesh electrode and a second mesh electrode disposed under the first mesh electrode; a chucking circuit unit for applying a DC voltage to the first mesh electrode; and an edge control circuit for controlling timing of operations related to the first mesh electrode and the second mesh electrode and generating a radio frequency (RF), wherein the second mesh electrode comprises a plurality of second sub-mesh electrodes. It can be divided into and formed to eliminate the generation of induced electromotive force due to the closed loop.

일 실시 예에 따르면, 상기 기판 지지부는, 상기 제2 메쉬 전극의 하부에 배치되어 열을 제공하는 히팅부를 포함하며, 상기 히팅부는 상기 제1 메쉬 전극의 개수에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the substrate support part may include a heating part disposed under the second mesh electrode to provide heat, and the heating part may include heating elements corresponding to the number of the first mesh electrodes. .

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 메쉬 전극은 링 형태일 수 있다.According to one embodiment, the second mesh electrode may have a ring shape.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 스포크(spoke)를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it may further include a spoke (spoke) disposed under the first mesh electrode.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극은 하나 이거나, 또는 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할할 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode may be one or divided into two first sub-mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되는 경우, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은 상기 제2 메쉬 전극의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes, the two first sub-mesh electrodes are overlapped on the inner circumferential surface of the second mesh electrode at a predetermined interval. can be placed.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하는 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 제1 스포크 및 상기 제1 스포크와 수직으로 배치되는 제2 스포크를 포함할 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, the two first sub-mesh electrodes It may include a first spoke disposed under the two first sub-mesh electrodes in a direction coincident with the spaced apart directions of the mesh electrodes, and a second spoke disposed perpendicular to the first spoke.

일 실시 예에 따르면, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하지 않는 방향으로 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.According to an embodiment, the two first sub-mesh electrodes are arranged in a direction in which the spaced apart directions of the two first sub-mesh electrodes do not match the spaced directions of the four second sub-mesh electrodes. It may be overlapped on the inner circumferential surfaces of the second sub-mesh electrodes and disposed at regular intervals.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 수직인 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함할 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into the two second sub-mesh electrodes, the two second sub-mesh electrodes Spokes may be disposed below the two first sub-mesh electrodes in a direction perpendicular to the direction in which the mesh electrodes are spaced apart.

일 실시 예에 따르면, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 상기 스포크의 방향이 이루는 각을 이등분 하는 방향으로 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.According to an embodiment, in the two first sub-mesh electrodes, the spaced direction of the two first sub-mesh electrodes forms an angle between the spaced direction of the two second sub-mesh electrodes and the direction of the spoke. It may be overlapped on the inner circumferential surfaces of the two second sub-mesh electrodes in a bisecting direction and disposed at regular intervals.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 형상과 반대의 형상으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함할 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into three second sub-mesh electrodes, the three second sub-mesh electrodes It may include spokes disposed under the two first sub-mesh electrodes in a shape opposite to the spaced apart mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극이 하나이고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치된 제1 스포크 및 제2 스포크를 포함하며, 상기 제1 스포크는 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 이루는 각을 이등분하는 방향으로 배치되며, 상기 제2 스포크는 상기 제1 스포크와 수직인 방향으로 배치될 수 있다.According to one embodiment, when the first mesh electrode is one and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, first spokes and second spokes disposed under the first mesh electrode and a spoke, wherein the first spoke is disposed in a direction that bisects an angle formed by directions in which the four second sub-mesh electrodes are spaced apart, and the second spoke is disposed in a direction perpendicular to the first spoke. there is.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 웨이퍼의 표면에 대한 증착 공정을 수행하는 기판 지지 장치는 상기 웨이퍼의 하부에 배치되며, 하나 또는 두 개로 분할되는 제1 메쉬 전극; 및 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 제2 메쉬 전극을 포함하며, 상기 제2 메쉬 전극은, 두 개, 세 개, 또는 네 개 중 어느 하나로 분할되 상기 제1 메쉬 전극과의 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거하도록 형성할 수 있다.In addition, a substrate supporting apparatus for performing a deposition process on a surface of a wafer according to another embodiment of the present invention includes a first mesh electrode disposed under the wafer and divided into one or two; and a second mesh electrode disposed under the first mesh electrode, wherein the second mesh electrode is divided into one of two, three, or four and forms a closed loop with the first mesh electrode. It can be formed to eliminate the generation of induced electromotive force due to

본 발명은 하부에 배치된 메쉬 전극을 복수 개의 서브 메쉬 전극들로 분할하여 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거할 수 있다.In the present invention, generation of induced electromotive force due to a closed loop may be eliminated by dividing the mesh electrode disposed below into a plurality of sub-mesh electrodes.

또한, 본 발명은 메쉬 전극의 전류 경로의 임의성을 제거할 수 있다.In addition, the present invention can remove the randomness of the current path of the mesh electrode.

상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the effects described above, specific effects of the present invention will be described together while explaining specific details for carrying out the present invention.

도 1은 종래 기판 지지 장치에서의 메쉬 구조를 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치의 회로 구조를 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view showing a mesh structure in a conventional substrate support device.
2 is a schematic diagram showing the circuit structure of a substrate support device according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a first embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a second embodiment of the present invention.
5 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a third embodiment of the present invention.
6 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a fourth embodiment of the present invention.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above objects, features and advantages will be described later in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the present invention belongs will be able to easily implement the technical spirit of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것으로, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 제1 구성요소는 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another component, and unless otherwise stated, the first component may be the second component, of course.

이하에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다. Hereinafter, the arrangement of an arbitrary element on the "upper (or lower)" or "upper (or lower)" of a component means that an arbitrary element is placed in contact with the upper (or lower) surface of the component. In addition, it may mean that other components may be interposed between the component and any component disposed on (or under) the component.

또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. In addition, when a component is described as "connected", "coupled" or "connected" to another component, the components may be directly connected or connected to each other, but other components may be "interposed" between each component. ", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시 예에 따른 기판 지지 장치를 설명하도록 한다.Hereinafter, a substrate support device according to some embodiments of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치의 회로 구조를 나타낸 개략도이다.2 is a schematic diagram showing the circuit structure of a substrate support device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치(200)는 웨이퍼(240)가 안착되는 기판 지지부(220), 상기 기판 지지부(220)에 포함된 메쉬 전극(예: 제1 메쉬 전극(221))으로 직류 전압을 인가하는 처킹(chucking) 회로부(250), 및 상기 기판 지지부(220) 내의 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222)에 관련한 동작들의 타이밍을 제어하고 RF(Radio Frequency)를 생성하는 엣지(edge) 제어 회로부(210)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판 지지부(220)에 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222)이 매립될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate support apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a substrate support 220 on which a wafer 240 is seated, and a mesh electrode included in the substrate support 220 (eg, a first mesh electrode). The timing of operations related to the chucking circuit 250 for applying DC voltage to the mesh electrode 221 and the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 in the substrate support 220 It may include an edge control circuit 210 that controls and generates RF (Radio Frequency). For example, the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 may be embedded in the substrate support 220 .

도 2에 도시된 기판 지지 장치(200)의 구성은 일 실시 예에 따른 것이고, 기판 지지 장치(200)의 구성 요소들이 도 2에 도시된 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 일부 구성 요소가 부가, 변경 또는 삭제될 수 있다.The configuration of the substrate support device 200 shown in FIG. 2 is according to an embodiment, and components of the substrate support device 200 are not limited to the embodiment shown in FIG. 2, and some components as needed. may be added, changed or deleted.

일 실시 예에 따르면, 기판 지지부(220)는 부도체의 특성을 갖는 세라믹으로 형성되며, 상부에 웨이퍼(240)가 안착될 수 있다. 그리고, 기판 지지부(220)는 처킹 회로부(250)로부터 직류 전압을 인가 받는 제1 메쉬 전극(221)이 상부에 배치되며, 상기 제1 메쉬 전극(221)의 하부에는 제2 메쉬 전극(222)이 배치되며, 제2 메쉬 전극(222)의 하부에는 열을 제공하는 히팅부(230)가 배치되어 있다. 상기 히팅부(230)는 제1 메쉬 전극(221)의 분할 개수에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 히팅부(230)는 히팅 전극들(231, 232)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 히팅 전극들(231, 232)은 저항을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the substrate support 220 is formed of ceramic having non-conductive properties, and the wafer 240 may be seated thereon. In addition, in the substrate support part 220, the first mesh electrode 221 receiving DC voltage from the chucking circuit part 250 is disposed on the upper part, and the second mesh electrode 222 is disposed on the lower part of the first mesh electrode 221. is disposed, and a heating unit 230 providing heat is disposed below the second mesh electrode 222 . The heating unit 230 may include heating elements corresponding to the number of divisions of the first mesh electrode 221 . For example, the heating unit 230 may include heating electrodes 231 and 232 . For example, the heating electrodes 231 and 232 may include a resistor.

그리고, 이러한 히팅 전극들(231, 232)은 전력을 공급받아 기판 지지부(220)를 공정 온도로 가열하는 기능을 수행한다. 그리고, 히팅 전극들(231, 232)은 접지(242)에 연결된다.In addition, these heating electrodes 231 and 232 receive power and perform a function of heating the substrate support 220 to a process temperature. Also, the heating electrodes 231 and 232 are connected to the ground 242 .

플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 대한 공정을 수행하는 경우, 전극은 한 쌍으로 구성된다. 하나는 웨이퍼(240) 상부에 위치한 샤워헤드 전극(미도시)이고, 다른 하나는 메쉬 전극(예: 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222))이다. 이러한 샤워헤드 전극과 메쉬 전극들은 서로 상대 전극 역할을 한다.In the case of performing a process on a wafer using plasma, a pair of electrodes is configured. One is a showerhead electrode (not shown) located on the wafer 240, and the other is a mesh electrode (eg, the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222). These showerhead electrodes and mesh electrodes serve as counter electrodes to each other.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극(221)은 하나 이거나, 또는 두 개의 서브 메쉬 전극들로 분할될 수 있다. 그리고, 분할된 두 개의 서브 메쉬 전극들은 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 제1 메쉬 전극(221)은 기판을 정전기력으로 흡착하기 위한 척킹(chucking)전극 겸 플라즈마 전극이다. 그렇기 때문에, 제1 메쉬 전극(221)에는 정전하 공급용의 직류 전원(253)과 플라즈마용 접지전극(212)이 모두 연결된다. 그리고, 제1 메쉬 전극(221)이 하나인 것은 모노 폴라(mono-polar) 타입의 ESC(electrostatic chuck)이고, 두 개인 것은 바이-폴라(bi-polar) 타입의 ESC이다.According to one embodiment, the first mesh electrode 221 may be one or divided into two sub-mesh electrodes. Also, the two divided sub-mesh electrodes may be disposed at a predetermined interval. The first mesh electrode 221 serves as both a chucking electrode and a plasma electrode for adsorbing the substrate with electrostatic force. Therefore, both the DC power source 253 for supplying static charge and the ground electrode 212 for plasma are connected to the first mesh electrode 221 . In addition, one first mesh electrode 221 is a mono-polar type electrostatic chuck (ESC), and two first mesh electrodes 221 are a bi-polar type ESC.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 메쉬 전극(221)의 하부에는 적어도 하나의 스포크(spoke)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 스포크는 제2 메쉬 전극(222)와 동일한 평면 상에 배치될 수 있다. 이러한 스포크는 제1 메쉬 전극(221)의 분할 여부, 또는 배치 구조에 따라 배치되는 형태가 다양할 수 있다. 상기 스포크는 복수의 메쉬 전극들을 기판 지지부의 중앙의 샤프트에 설치된 RF 로드에 전기적으로 연결시키는 RF 전류 통전 경로로서, 제2 메쉬 전극(222)과 같이 메쉬 전극으로 구성된다. 따라서, 제2 메쉬 전극(220)은 제1 메쉬 전극(221)보다 아래에 있으며, 스포크는 제1 메쉬 전극(221)의 하부에 배치될 수 있다.According to an embodiment, at least one spoke may be disposed under the first mesh electrode 221 . For example, the spokes may be disposed on the same plane as the second mesh electrode 222 . These spokes may have various arrangements depending on whether the first mesh electrode 221 is divided or according to the arrangement structure. The spokes are RF current conduction paths that electrically connect the plurality of mesh electrodes to the RF rod installed on the central shaft of the substrate supporter, and are composed of mesh electrodes like the second mesh electrode 222 . Accordingly, the second mesh electrode 220 is below the first mesh electrode 221 , and the spokes may be disposed below the first mesh electrode 221 .

또한, 상기 스포크는 제2 메쉬 전극(222)이 분할된 개수, 분할된 제2 서브 메쉬 전극의 배치 구조에 따라 배치되는 형태가 다양할 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(222)은 엣지 쪽에 공정 균일성이 떨어지는 것을 보완한다.In addition, the spokes may be arranged in various shapes according to the number of divided second mesh electrodes 222 and the arrangement structure of the divided second sub-mesh electrodes. And, the second mesh electrode 222 compensates for the inferior process uniformity toward the edge.

그리고, 본 발명은 스포크의 이러한 배치 형태를 제한하지 않는다.And, the present invention does not limit this arrangement of spokes.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 메쉬 전극(222)은 링(ring) 형태로 형성되며 균일한 크기를 갖는 두 개, 세 개 또는 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 메쉬 전극(222)은 폐루프로 인한 유도 기전력이 발생되는 것을 방지하도록 복수 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할될 수 있다. 유도 기전력은 아래 [수학식 1]을 통해 계산된다.According to an embodiment, the second mesh electrode 222 is formed in a ring shape and may be divided into two, three, or four second sub-mesh electrodes having a uniform size. For example, the second mesh electrode 222 may be divided into a plurality of second sub-mesh electrodes to prevent generation of induced electromotive force due to a closed loop. The induced electromotive force is calculated through [Equation 1] below.

이러한 유도 기전력은 폐루프의 코일을 통과하는 자속의 시간 변화에 따라 발생된다.This induced electromotive force is generated according to the time change of the magnetic flux passing through the closed-loop coil.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되는 경우, 분할된 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은 서로 제2 메쉬 전극의 내주면 상에 중첩(즉, 일부 영역이 오버렙되도록 제1 서브 메쉬 전극의 직경이 제2 메쉬 전극의 내주 직경 보다 큼)되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes, the two divided first sub-mesh electrodes overlap each other on the inner circumferential surface of the second mesh electrode (ie, The diameter of the first sub-mesh electrode may be larger than the inner circumferential diameter of the second mesh electrode so that a partial area overlaps) and may be arranged at regular intervals.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 제2 메쉬 전극(222)이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 제1 스포크는 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하는 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되고, 제2 스포크는 상기 제1 스포크와 수직으로 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제1 스포크 및 제2 스포크는 제2 메쉬 전극(222)와 동일한 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode 222 is divided into four second sub-mesh electrodes, the first spokes may be disposed under the two first sub-mesh electrodes in a direction coincident with the direction in which the two first sub-mesh electrodes are spaced apart, and the second spoke may be disposed perpendicular to the first spoke. Also, the first spoke and the second spoke may be disposed on the same plane as the second mesh electrode 222 .

예를 들면, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하지 않는 방향으로 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.For example, the two first sub-mesh electrodes are disposed in a direction in which the spaced directions of the two first sub-mesh electrodes do not coincide with the spaced directions of the four second sub-mesh electrodes, and the inner circumferential surfaces of the four second sub-mesh electrodes It can be overlapped on top of each other and arranged at regular intervals.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 제2 메쉬 전극(222)이 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 스포크는 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 동일한 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 스포크는 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들과 동일한 평면 상에 배치될 수 있다. According to an embodiment, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode 222 is divided into two second sub-mesh electrodes, the spokes It may be disposed below the two first sub-mesh electrodes in the same direction as the direction in which the two first sub-mesh electrodes are spaced apart. For example, the spoke may be disposed on the same plane as the two second sub-mesh electrodes.

또는, 챔버 구조상 비대칭으로 인해 웨이퍼가 틀어질 수 도 있는데, 이를 맞추기 위해 스포크(431)은 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 사선으로 배치될 수도 있다.Alternatively, the wafer may be distorted due to the asymmetry in the structure of the chamber. In order to match this, the spokes 431 may be arranged diagonally from the direction in which the first sub-mesh electrodes are spaced apart.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 제2 메쉬 전극(222)이 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 스포크는 상기 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 형상과 반대의 형상으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들면, 스포크는 스포크는 상기 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들과 동일한 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode 222 is divided into three second sub-mesh electrodes, the spokes It may be disposed below the two first sub-mesh electrodes in a shape opposite to the spaced apart shape of the three second sub-mesh electrodes. For example, spokes may be disposed on the same plane as the three second sub-mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)이 하나이고, 제2 메쉬 전극(222)이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 제1 스포크 및 제2 스포크는 상기 제1 메쉬 전극(221)의 하부에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제1 스포크는 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 이루는 각을 이등분하는 방향으로 배치되고, 상기 제2 스포크는 상기 제1 스포크와 수직인 방향으로 배치될 수 있다.According to an embodiment, when the first mesh electrode 221 is one and the second mesh electrode 222 is divided into four second sub-mesh electrodes, the first spokes and the second spokes are the first mesh It may be disposed under the electrode 221 . The first spokes may be disposed in a direction that bisects an angle formed by directions in which the four second sub-mesh electrodes are spaced apart, and the second spokes may be disposed in a direction perpendicular to the first spokes.

일 실시 예에 따르면, 처킹 회로부(250)는 두 개의 저항들(251, 252)과 직류 전원(253)을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the chucking circuit unit 250 may include two resistors 251 and 252 and a DC power supply 253.

일 실시 예에 따르면, 제1 저항(251)은 제1 메쉬 전극(221)이 분할된 적어도 두 개(예: 두 개)의 서브 메쉬 전극들 중 어느 하나의 서브 메쉬 전극에 연결되며, 제2 저항(252)은 상기 적어도 두 개의 서브 메쉬 전극들 중 다른 하나에 연결됨으로써, 직류 전원(253)으로부터의 직류 전압은 제1 메쉬 전극(221)로 공급된다.According to an embodiment, the first resistor 251 is connected to any one sub-mesh electrode among at least two (eg, two) sub-mesh electrodes in which the first mesh electrode 221 is divided, and The resistor 252 is connected to the other one of the at least two sub-mesh electrodes, so that the DC voltage from the DC power source 253 is supplied to the first mesh electrode 221 .

일 실시 예에 따르면, 처킹 회로부(250)의 저항들(251, 252)을 통한 직류 전압은 엣지 제어 회로부(210)의 커패시터들(211, 212)에 의해 도통되지 못하고, 기판 지지부(220)로 전달된다.According to an embodiment, DC voltage through the resistors 251 and 252 of the chucking circuit unit 250 is not conducted by the capacitors 211 and 212 of the edge control circuit unit 210, and flows to the substrate support unit 220. It is passed on.

일 실시 예에 따르면, 엣지 제어 회로부(210)는 제1 메쉬 전극과 전기적으로 연결된 커패시터들(211, 212)과, 제2 메쉬 전극과 전기적으로 연결된 코일(213), 및 RF를 생성하는 가변 커패시터(214)를 포함한다.According to an embodiment, the edge control circuit unit 210 includes capacitors 211 and 212 electrically connected to the first mesh electrode, a coil 213 electrically connected to the second mesh electrode, and a variable capacitor generating RF. (214).

이러한, 엣지 제어 회로부(210)는 RF 메쉬 전극에 관련한 동작들의 타이밍, 저주파수/고주파수 생성에 관련한 동작을 수행한다.The edge control circuit unit 210 performs operations related to the timing of operations related to the RF mesh electrode and low frequency/high frequency generation.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제1 메쉬 전극(221)은 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할될 수 있으며, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제2 메쉬 전극(222)의 상부에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(222)은 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324)로 분할될 수 있으며, 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제1 메쉬 전극(221)의 하부에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 3 , the first mesh electrode 221 may be divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, and each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 is constant to each other. It may be disposed above the second mesh electrode 222 at intervals. In addition, the second mesh electrode 222 may be divided into four second sub-mesh electrodes 321, 322, 323, and 324, and the four second sub-mesh electrodes 321, 322, 323, and 324 Each may be disposed under the first mesh electrode 221 at a predetermined distance from each other.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)은 제2 메쉬 전극(222)의 내주면 상에 중첩(즉, 일부 영역이 오버렙되도록 제1 메쉬 전극(221)의 둘레가 제2 메쉬 전극(222)의 내주 직경 보다 큼)되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 예를 들면, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324) 각각의 내주면에 중첩되도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 221 is overlapped on the inner circumferential surface of the second mesh electrode 222 (ie, the circumference of the first mesh electrode 221 overlaps the second mesh electrode so that a partial area overlaps) 222) may be arranged at regular intervals). For example, each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 may be disposed to overlap the inner circumferential surface of each of the four second sub-mesh electrodes 321 , 322 , 323 and 324 .

그리고, 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222) 사이에는 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연된다.And, between the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 is insulated by a non-conductive material (eg, ceramic).

일 실시 예에 따르면, 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 방향과 일치하는 방향으로 제1 스포크(331)가 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에 배치되어 있다. 그리고, 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에는 상기 제1 스포크(331)의 진행 방향과 수직인 방향으로 제2 스포크(332)가 배치되어 있다.According to an embodiment, the first spokes 331 are disposed under the first sub-mesh electrodes 311 and 312 in a direction coincident with the spaced apart directions of the first sub-mesh electrodes 311 and 312 . Further, the second spokes 332 are disposed under the first sub-mesh electrodes 311 and 312 in a direction perpendicular to the moving direction of the first spokes 331 .

상술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조는 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324)이 배치되어 있고, 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324)의 상부에는 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)이 배치되어 있다. 또한, 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에는 서로 수직 방향으로 배치된 두 개의 스포크들(331, 332)이 배치되어 있다.As described above, in the structure of the mesh electrode according to the first embodiment of the present invention, four second sub-mesh electrodes 321, 322, 323, and 324 are disposed, and the four second sub-mesh electrodes ( On top of 321, 322, 323, and 324, two first mesh electrodes 311 and 312 are disposed. In addition, two spokes 331 and 332 disposed perpendicular to each other are disposed below the two first mesh electrodes 311 and 312 .

일 실시 예에 따르면, 제2 메쉬 전극(222)의 하부에는 열을 제공하는 히팅부(230)가 배치되어 있는데, 이러한 히팅부(230)는 제1 메쉬 전극(221)의 분할 개수에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할된 경우, 상기 히팅부(230)는 두 개의 히팅 전극들(231, 232)을 포함할 수 있으며, 각각의 히팅 전극들은 해당되는 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치될 수 있다.According to one embodiment, a heating unit 230 providing heat is disposed under the second mesh electrode 222, and the heating unit 230 corresponds to the number of divisions of the first mesh electrode 221. A heating element may be included. For example, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, the heating unit 230 may include the two heating electrodes 231 and 232. and each of the heating electrodes may be disposed below the corresponding first sub-mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222) 사이에는 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연된. 또한, 스포크들(331, 332)과 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 사이에도 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연된다. 또한, 제2 서브 메쉬 전극들(321, 322, 323, 324)과 히팅부(230) 사이에도 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연된다.According to one embodiment, between the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 is insulated by a non-conductive material (eg, ceramic). In addition, insulation between the spokes 331 and 332 and the first sub-mesh electrodes 311 and 312 is also insulated by a non-conductive material (eg, ceramic). Also, between the second sub-mesh electrodes 321 , 322 , 323 , and 324 and the heating unit 230 is insulated by a non-conductive material (eg, ceramic).

본 발명은 제2 메쉬 전극(222)을 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할함으로써, 폐루프는 개방 루프로 변경되고, 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거함으로써, 제2 메쉬 전극(222)의 전류 경로(path)(341, 342)를 제어할 수 있고, 이에 따라 임의성을 제거할 수 있다.In the present invention, by dividing the second mesh electrode 222 into four second sub-mesh electrodes, the closed loop is changed to an open loop, and the generation of induced electromotive force due to the closed loop is eliminated, so that the second mesh electrode 222 ) of the current path (path) (341, 342) can be controlled, and thus randomness can be removed.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.4 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제1 메쉬 전극(221)은 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할될 수 있으며, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제2 메쉬 전극(222)의 상부에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(222)은 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422)로 분할될 수 있으며, 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제1 메쉬 전극(221)의 하부에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4 , the first mesh electrode 221 may be divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, and each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 is constant to each other. It may be disposed above the second mesh electrode 222 at intervals. In addition, the second mesh electrode 222 may be divided into two second sub-mesh electrodes 421 and 422, and each of the two second sub-mesh electrodes 421 and 422 is spaced apart from each other at a predetermined interval. 1 may be disposed under the mesh electrode 221 .

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)은 제2 메쉬 전극(222)의 내주면 상에 중첩(즉, 일부 영역이 오버렙되도록 제1 메쉬 전극(221)의 둘레가 제2 메쉬 전극(222)의 내주 직경 보다 큼)되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 예를 들면, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422) 각각의 내주면에 중첩되도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 221 is overlapped on the inner circumferential surface of the second mesh electrode 222 (ie, the circumference of the first mesh electrode 221 overlaps the second mesh electrode so that a partial area overlaps) 222) may be arranged at regular intervals). For example, each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 may be disposed to overlap the inner circumferential surface of each of the two second sub-mesh electrodes 421 and 422 .

그리고, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)과 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422)은 이격된 방향이 서로 일치되지 않도록 배치될 수 있다.In addition, the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 and the two second sub-mesh electrodes 421 and 422 may be arranged such that the spaced apart directions do not coincide with each other.

그리고, 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222)은 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연될 수 있다.Also, the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 may be insulated by a non-conductive material (eg, ceramic).

일 실시 예에 따르면, 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 간격과 일치하는 방향으로 스포크(431)가 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에 배치되어 있다. 이 경우, 제1 서브 메쉬 사이의 간격 부분의 RF 경로가 누락되는 단점을 보상할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment, the spokes 431 are disposed below the first sub-mesh electrodes 311 and 312 in a direction consistent with the spacing between the first sub-mesh electrodes 311 and 312 . In this case, there is an advantage in compensating for the disadvantage of missing the RF path of the gap between the first sub-mesh.

한편, 도시하지 않았지만 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 간격과 수직하는 방향으로 스포크(431)가 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에 배치될 수 있다. 이 경우 대칭적인 구조를 갖게 되어 RF 경로의 균일성이 좋아진다.Meanwhile, although not shown, a spoke 431 may be disposed below the first sub-mesh electrodes 311 and 312 in a direction perpendicular to the distance between the first sub-mesh electrodes 311 and 312 . In this case, the uniformity of the RF path is improved because it has a symmetrical structure.

한편, 챔버의 내부 공간은 설계에 따라 완벽하게 대칭일 수가 없다. 따라서, 도시하지 않았지만 챔버의 비대칭적인 구조에 따라 RF 경로의 균일성을 좋게 하기 위해 다양한 각도로 스포크(431)를 배치할 수 있다.Meanwhile, the inner space of the chamber cannot be perfectly symmetrical depending on the design. Therefore, although not shown, the spokes 431 may be disposed at various angles to improve the uniformity of the RF path according to the asymmetrical structure of the chamber.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조는 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422)이 배치되어 있고, 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422)의 상부에는 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)이 배치되어 있다. 또한, 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에는 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 방향과 상이한 방향으로 스포크(431)가 배치되어 있다.As described above, in the structure of the mesh electrode according to the second embodiment of the present invention, the two second sub-mesh electrodes 421 and 422 are disposed, and the two second sub-mesh electrodes 421 and 422 On top of the two first mesh electrodes 311 and 312 are disposed. In addition, spokes 431 are disposed under the two first mesh electrodes 311 and 312 in a direction different from the spaced apart direction of the two first mesh electrodes 311 and 312 .

일 실시 예에 따르면, 제2 메쉬 전극(222)의 하부에는 열을 제공하는 히팅부(230)가 배치되어 있는데, 이러한 히팅부(230)는 제1 메쉬 전극(221)의 분할 개수에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할된 경우, 상기 히팅부(230)는 두 개의 히팅 전극들(231, 232)을 포함할 수 있으며, 각각의 히팅 전극들은 해당되는 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치될 수 있다.According to one embodiment, a heating unit 230 providing heat is disposed under the second mesh electrode 222, and the heating unit 230 corresponds to the number of divisions of the first mesh electrode 221. A heating element may be included. For example, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, the heating unit 230 may include the two heating electrodes 231 and 232. and each of the heating electrodes may be disposed below the corresponding first sub-mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222)은 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연될 수 있다. 또한, 스포크(431)와 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 사이와 제2 서브 메쉬 전극들(421, 422)과 히팅부(230) 사이에도 마찬가지로 절연될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 221 and the second mesh electrode 222 may be insulated by a non-conductive material (eg, ceramic). In addition, insulation between the spoke 431 and the first sub-mesh electrodes 311 and 312 and between the second sub-mesh electrodes 421 and 422 and the heating unit 230 may be similarly insulated.

본 발명은 제2 메쉬 전극(222)을 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할함으로써, 폐루프는 개방 루프로 변경되고, 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거함으로써, 제2 메쉬 전극(222)의 전류 경로를 제어할 수 있고, 이에 따라 임의성을 제거할 수 있다.In the present invention, by dividing the second mesh electrode 222 into two second sub-mesh electrodes, the closed loop is changed to an open loop, and the generation of induced electromotive force due to the closed loop is eliminated, so that the second mesh electrode 222 ) can control the current path, thereby eliminating randomness.

도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.5 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제1 메쉬 전극(221)은 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할될 수 있으며, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제2 메쉬 전극(222)의 상부에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(222)은 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)로 분할될 수 있으며, 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제1 메쉬 전극(221)의 하부에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 5 , the first mesh electrode 221 may be divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, and each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 is constant to each other. It may be disposed above the second mesh electrode 222 at intervals. In addition, the second mesh electrode 222 may be divided into three second sub-mesh electrodes 521, 522, and 523, and each of the three second sub-mesh electrodes 521, 522, and 523 is constant to each other. It may be disposed under the first mesh electrode 221 at intervals.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)은 제2 메쉬 전극(222)의 내주면 상에 중첩(즉, 일부 영역이 오버렙되도록 제1 메쉬 전극(221)의 둘레가 제2 메쉬 전극(222)의 내주 직경 보다 큼)되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 예를 들면, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312) 각각은 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523) 각각의 내주면에 중첩되도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 221 is overlapped on the inner circumferential surface of the second mesh electrode 222 (ie, the circumference of the first mesh electrode 221 overlaps the second mesh electrode so that a partial area overlaps) 222) may be arranged at regular intervals). For example, each of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 may be disposed to overlap the inner circumferential surface of each of the three second sub-mesh electrodes 521 , 522 and 523 .

그리고, 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)과 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)은 이격된 방향의 적어도 일부가 서로 일치되지 않도록 배치될 수 있다.In addition, the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 and the three second sub-mesh electrodes 521, 522 and 523 may be disposed such that at least a part of the spaced apart directions do not coincide with each other.

예를 들면, 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)의 이격된 형상과 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 형상은 서로 상이하다.For example, the spaced shapes of the three second sub-mesh electrodes 521 , 522 , and 523 are different from the spaced shapes of the two first sub-mesh electrodes 311 and 312 .

일 실시 예에 따르면, 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 방향과 일치하지 않는 방향으로 스포크들(531, 532, 533)가 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에 배치되어 있다. According to an embodiment, the spokes 531, 532, and 533 are disposed on the lower portions of the first sub-mesh electrodes 311 and 312 in directions that do not match the spaced apart directions of the first sub-mesh electrodes 311 and 312. is placed on

예를 들면, 스포크들(531, 532, 533)의 배치 형상이 'Y' 형태인 경우, 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)에 의해 형성된 이격 방향은 스포크들(531, 532, 533)이 배치된 'Y' 형상을 180o로 회전한 형상을 갖는다.For example, when the arrangement shape of the spokes 531, 532, and 533 is a 'Y' shape, the separation direction formed by the three second sub-mesh electrodes 521, 522, and 523 is the spokes 531, 532 and 533) has a shape obtained by rotating the 'Y' shape by 180 ° .

상술한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조는 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)이 배치되어 있고, 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)의 상부에는 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)이 배치되어 있다. 또한, 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)의 하부에는 두 개의 제1 메쉬 전극들(311, 312)의 이격된 방향과 반대 방향으로 스포크들(531, 532, 533)이 배치되어 있다. 이러한, 스포크들(531, 532, 533)은 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)과 동일한 평면에 배치될 수도 있다.As described above, in the structure of the mesh electrode according to the third embodiment of the present invention, the three second sub-mesh electrodes 521, 522, and 523 are disposed, and the three second sub-mesh electrodes 521, On top of 522 and 523, two first mesh electrodes 311 and 312 are disposed. In addition, spokes 531, 532, and 533 are disposed under the two first mesh electrodes 311 and 312 in a direction opposite to the spaced apart direction of the two first mesh electrodes 311 and 312. . The spokes 531, 532, and 533 may be disposed on the same plane as the three second sub-mesh electrodes 521, 522, and 523.

일 실시 예에 따르면, 제2 메쉬 전극(222)의 하부에는 열을 제공하는 히팅부(230)가 배치되어 있는데, 이러한 히팅부(230)는 제1 메쉬 전극(221)의 분할 개수에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 메쉬 전극(221)이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312)로 분할된 경우, 상기 히팅부(230)는 두 개의 히팅 전극들(231, 232)을 포함할 수 있으며, 각각의 히팅 전극들은 해당되는 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치될 수 있다.According to one embodiment, a heating unit 230 providing heat is disposed under the second mesh electrode 222, and the heating unit 230 corresponds to the number of divisions of the first mesh electrode 221. A heating element may be included. For example, when the first mesh electrode 221 is divided into two first sub-mesh electrodes 311 and 312, the heating unit 230 may include the two heating electrodes 231 and 232. and each of the heating electrodes may be disposed below the corresponding first sub-mesh electrodes.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(221)과 제2 메쉬 전극(222), 스포크들(531, 532, 533)과 제1 서브 메쉬 전극들(311, 312), 및 제2 서브 메쉬 전극들(521, 522, 523)과 히팅부(230)는 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 221, the second mesh electrode 222, the spokes 531, 532, and 533, the first sub-mesh electrodes 311 and 312, and the second sub-mesh electrode The fields 521, 522, and 523 and the heating unit 230 may be insulated with a non-conductive material (eg, ceramic).

본 발명은 제2 메쉬 전극(222)을 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할함으로써, 폐루프는 개방 루프로 변경되고, 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거함으로써, 제2 메쉬 전극(222)의 전류 경로를 제어할 수 있고, 이에 따라 임의성을 제거할 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 바이폴라에서 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 제2 메쉬 전극이 분할되는 개수가 많을수록 높은 균일성을 갖는다.In the present invention, by dividing the second mesh electrode 222 into three second sub-mesh electrodes, the closed loop is changed to an open loop, and the generation of induced electromotive force due to the closed loop is eliminated, so that the second mesh electrode 222 ) can control the current path, thereby eliminating randomness. As such, the present invention is applicable in bipolar. In addition, the present invention has higher uniformity as the number of divided second mesh electrodes increases.

도 6은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조를 나타낸 예시도이다.6 is an exemplary view showing the structure of a mesh electrode according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제1 메쉬 전극(610)은 하나이며, 제2 메쉬 전극(222)의 상부에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메쉬 전극(222)은 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)로 분할될 수 있으며, 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624) 각각은 서로 일정 간격을 두고 제1 메쉬 전극(610)의 하부에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6 , one first mesh electrode 610 may be disposed above the second mesh electrode 222 . In addition, the second mesh electrode 222 may be divided into four second sub-mesh electrodes 621, 622, 623, and 624, and the four second sub-mesh electrodes 621, 622, 623, and 624 Each may be disposed under the first mesh electrode 610 at a predetermined distance from each other.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(610)은 제2 메쉬 전극(222)의 내주면 상에 중첩(즉, 일부 영역이 오버렙되도록 제1 메쉬 전극(610)의 둘레가 제2 메쉬 전극(222)의 내주 직경 보다 큼)되어 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 메쉬 전극(610은 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624) 각각의 내주면에 중첩되도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 610 is overlapped on the inner circumferential surface of the second mesh electrode 222 (ie, the circumference of the first mesh electrode 610 overlaps the second mesh electrode so that a partial area overlaps) 222) may be arranged at regular intervals). For example, the first mesh electrode 610 may be disposed to overlap the inner circumferential surface of each of the four second sub-mesh electrodes 621 , 622 , 623 , and 624 .

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(610)의 하부에는 제2 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)의 이격된 방향과 일치하지 않는 방향으로 스포크들(631, 632)가 배치되어 있다. 예를 들면, 스포크들(631, 632)은 2 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)과 동일한 평면에 배치될 수도 있다.According to one embodiment, the spokes 631 and 632 are disposed under the first mesh electrode 610 in a direction that does not coincide with the spaced apart directions of the second mesh electrodes 621, 622, 623, and 624. there is. For example, the spokes 631 and 632 may be disposed on the same plane as the two-mesh electrodes 621, 622, 623, and 624.

예를 들면, 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)에 의해 형성된 이격 형상이 'x'인 경우, 스포크들(631, 632)의 배치 형상은 '+' 형태일 수 있다.For example, when the spacing shape formed by the four second sub-mesh electrodes 621, 622, 623, and 624 is 'x', the arrangement shape of the spokes 631 and 632 may be '+' shape there is.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 메쉬 전극의 구조는 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)이 배치되어 있고, 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)의 상부에는 제1 메쉬 전극(610)이 배치되어 있다.As described above, in the structure of the mesh electrode according to the fourth embodiment of the present invention, four second sub-mesh electrodes 621, 622, 623, and 624 are disposed, and the four second sub-mesh electrodes ( A first mesh electrode 610 is disposed above 621 , 622 , 623 , and 624 .

일 실시 예에 따르면, 제2 메쉬 전극(222)의 하부에는 열을 제공하는 히팅부(230)가 배치되어 있는데, 이러한 히팅부(230)는 제1 메쉬 전극(610)에 대응되는 히팅 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 메쉬 전극(610)이 한 개인 경우, 상기 히팅부(230)는 한 개의 히팅 전극을 포함할 수 있다.According to one embodiment, a heating unit 230 providing heat is disposed under the second mesh electrode 222, and the heating unit 230 uses a heating element corresponding to the first mesh electrode 610. can include For example, when there is only one first mesh electrode 610, the heating unit 230 may include one heating electrode.

일 실시 예에 따르면, 제1 메쉬 전극(610)과 제2 메쉬 전극(222), 스포크들(631, 632)과 제1 메쉬 전극(610), 및제2 서브 메쉬 전극들(621, 622, 623, 624)과 히팅부(230)는 서로 간섭되지 않도록 부도체 재질의 물질(예: 세라믹)에 의해 절연될 수 있다.According to an embodiment, the first mesh electrode 610 and the second mesh electrode 222, the spokes 631 and 632 and the first mesh electrode 610, and the second sub-mesh electrodes 621, 622 and 623 , 624) and the heating unit 230 may be insulated by a non-conductive material (eg, ceramic) so as not to interfere with each other.

본 발명은 제2 메쉬 전극(222)을 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할함으로써, 폐루프는 개방 루프로 변경되고, 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거함으로써, 제2 메쉬 전극(222)의 전류 경로를 제어할 수 있고, 이에 따라 임의성을 제거할 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 바이폴라 뿐만 아니라, 모노폴라에서도 적용 가능하다.In the present invention, by dividing the second mesh electrode 222 into four second sub-mesh electrodes, the closed loop is changed to an open loop, and the generation of induced electromotive force due to the closed loop is eliminated, so that the second mesh electrode 222 ) can control the current path, thereby eliminating randomness. In this way, the present invention can be applied not only to bipolar but also to monopolar.

이상에서 상술한 각각의 순서도에서의 각 단계는 도시된 순서에 무관하게 동작될 수 있거나, 또는 동시에 수행될 수 있다. 또한, 본 발명의 적어도 하나의 구성 요소와, 상기 적어도 하나의 구성 요소에서 수행되는 적어도 하나의 동작은 하드웨어 및/또는 소프트웨어로 구현 가능할 수 있다. Each step in each of the flowcharts described above may be operated regardless of the order shown, or may be performed simultaneously. In addition, at least one component of the present invention and at least one operation performed by the at least one component may be implemented by hardware and/or software.

이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시 예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시 예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.As described above, the present invention has been described with reference to the drawings illustrated, but the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed in this specification, and various modifications are made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. It is obvious that variations can be made. In addition, although the operational effects according to the configuration of the present invention have not been explicitly described and described while describing the embodiments of the present invention, it is natural that the effects predictable by the corresponding configuration should also be recognized.

200: 기판 지지 장치 210: 엣지 제어 회로부
220: 기판 지지부 221: 제1 메쉬 전극
222: 제2 메쉬 전극 230: 히팅부
250: 처킹 회로부200: substrate support device 210: edge control circuit
220: substrate support 221: first mesh electrode
222: second mesh electrode 230: heating unit
250: chucking circuit

Claims (16)

기판 지지 장치에 있어서,
상부에 웨이퍼가 안착되며, 제1 메쉬 전극 및 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 제2 메쉬 전극을 포함하는 기판 지지부;
상기 제1 메쉬 전극으로 직류 전압을 인가하는 처킹(chucking) 회로부; 및
상기 제1 메쉬 전극 및 상기 제2 메쉬 전극에 관련한 동작들의 타이밍을 제어하고, RF(Radio Frequency)를 생성하는 엣지 제어 회로부를 포함하며,
상기 제2 메쉬 전극은,
복수 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할되어 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거하도록 형성된 기판 지지 장치.
In the substrate support device,
a substrate support on which a wafer is seated and including a first mesh electrode and a second mesh electrode disposed under the first mesh electrode;
a chucking circuit unit for applying a DC voltage to the first mesh electrode; and
An edge control circuit unit for controlling timing of operations related to the first mesh electrode and the second mesh electrode and generating a radio frequency (RF);
The second mesh electrode,
A substrate support device divided into a plurality of second sub-mesh electrodes to eliminate generation of induced electromotive force due to a closed loop.
 제1 항에 있어서,
상기 제2 메쉬 전극은 링 형태인 기판 지지 장치.
According to claim 1,
The second mesh electrode is a substrate supporting device having a ring shape.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 스포크(spoke)를 더 포함하며,
상기 스포크는 상기 제2 메쉬 전극과 동일 평면 상에 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 1,
Further comprising a spoke disposed under the first mesh electrode,
The spokes are disposed on the same plane as the second mesh electrode.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극은 하나 이거나, 또는 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되는 기판 지지 장치.
According to claim 1,
The first mesh electrode is one or divided into two first sub-mesh electrodes.
 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되는 경우, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은 상기 제2 메쉬 전극의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 4,
When the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes, the two first sub-mesh electrodes overlap on the inner circumferential surface of the second mesh electrode and are disposed at a predetermined interval.
 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하는 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 제1 스포크 및 상기 제1 스포크와 수직으로 배치되는 제2 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 4,
When the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, the directions in which the two first sub-mesh electrodes are spaced apart A substrate support device including first spokes disposed below the two first sub-mesh electrodes in a direction coincident with and second spokes disposed perpendicular to the first spokes.
 제6 항에 있어서,
상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은,
상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하지 않는 방향으로 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 6,
The two first sub-mesh electrodes,
In a direction in which the spaced apart directions of the two first sub-mesh electrodes do not coincide with the spaced directions of the four second sub-mesh electrodes, they are overlapped on the inner circumferential surfaces of the four second sub-mesh electrodes and disposed at regular intervals. Substrate support device to be.
 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 수직인 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 4,
When the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into two second sub-mesh electrodes, the directions in which the two second sub-mesh electrodes are spaced apart A substrate support device comprising a spoke disposed below the two first sub-mesh electrodes in a direction perpendicular to the first sub-mesh electrode.
 제8 항에 있어서,
상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들은,
상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 상기 스포크의 방향이 이루는 각을 이등분 하는 방향으로 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 내주면 상에 중첩되어 일정 간격을 두고 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 8,
The two first sub-mesh electrodes,
On the inner circumferential surfaces of the two second sub-mesh electrodes in a direction in which the spaced direction of the two first sub-mesh electrodes bisects the angle formed by the spaced direction of the two second sub-mesh electrodes and the direction of the spoke Substrate support devices that are overlapped and spaced apart.
 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 형상과 반대의 형상으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 4,
When the first mesh electrode is divided into the two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into three second sub-mesh electrodes, the three second sub-mesh electrodes are spaced apart in shape. A substrate support device comprising a spoke disposed under the two first sub-mesh electrodes in a shape opposite to the first sub-mesh electrode.
 제4 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 하나이고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치된 제1 스포크 및 제2 스포크를 포함하며,
상기 제1 스포크는 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 이루는 각을 이등분하는 방향으로 배치되며,
상기 제2 스포크는 상기 제1 스포크와 수직인 방향으로 배치되는 기판 지지 장치.
According to claim 4,
When the first mesh electrode is one and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, a first spoke and a second spoke disposed under the first mesh electrode are included,
The first spokes are disposed in a direction that bisects an angle formed by directions in which the four second sub-mesh electrodes are spaced apart,
The second spokes are disposed in a direction perpendicular to the first spokes.
 웨이퍼의 표면에 대한 증착 공정을 수행하는 기판 지지 장치에 있어서,
상기 웨이퍼의 하부에 배치되며, 하나 또는 두 개로 분할되는 제1 메쉬 전극; 및
상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치되는 제2 메쉬 전극을 포함하며,
상기 제2 메쉬 전극은, 두 개, 세 개, 또는 네 개 중 어느 하나로 분할되 상기 제1 메쉬 전극과의 폐루프로 인한 유도 기전력의 발생을 제거하도록 형성된 기판 지지 장치.
A substrate support device for performing a deposition process on the surface of a wafer,
a first mesh electrode disposed under the wafer and divided into one or two parts; and
And a second mesh electrode disposed under the first mesh electrode,
The second mesh electrode is divided into one of two, three, or four substrate support devices formed to eliminate generation of induced electromotive force due to a closed loop with the first mesh electrode.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 일치하는 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 제1 스포크 및 상기 제1 스포크와 수직으로 배치되는 제2 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 12,
When the first mesh electrode is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, the direction in which the two first sub-mesh electrodes are spaced apart A substrate support device including first spokes disposed below the two first sub-mesh electrodes in a matching direction and second spokes disposed perpendicular to the first spokes.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 두 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향과 수직인 방향으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 12,
When the first mesh electrode is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into two second sub-mesh electrodes, the direction in which the two second sub-mesh electrodes are separated A substrate support device comprising spokes disposed below the two first sub-mesh electrodes in a vertical direction.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들로 분할되고, 상기 제2 메쉬 전극이 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 세 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 형상과 반대의 형상으로 상기 두 개의 제1 서브 메쉬 전극들의 하부에 배치되는 스포크를 포함하는 기판 지지 장치.
According to claim 12,
When the first mesh electrode is divided into two first sub-mesh electrodes and the second mesh electrode is divided into three second sub-mesh electrodes, the spaced shapes of the three second sub-mesh electrodes and A substrate support device comprising spokes disposed under the two first sub-mesh electrodes in an opposite shape.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 메쉬 전극이 하나이고, 상기 제2 메쉬 전극이 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들로 분할된 경우, 상기 제1 메쉬 전극의 하부에 배치된 제1 스포크 및 제2 스포크를 포함하며,
상기 제1 스포크는 상기 네 개의 제2 서브 메쉬 전극들의 이격된 방향이 이루는 각을 이등분하는 방향으로 배치되며,
상기 제2 스포크는 상기 제1 스포크와 수직인 방향으로 배치되는 기판 지지 장치.According to claim 12,
When the first mesh electrode is one and the second mesh electrode is divided into four second sub-mesh electrodes, a first spoke and a second spoke disposed under the first mesh electrode are included,
The first spokes are disposed in a direction that bisects an angle formed by directions in which the four second sub-mesh electrodes are spaced apart,
The second spokes are disposed in a direction perpendicular to the first spokes.
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