KR20230103857A - Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 상기 기판에 액을 공급하고, 상기 액에 공급된 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하고, 상기 기판을 촬상하는 촬상 광을 조사하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 기판의 이미지를 획득하되, 상기 레이저와 상기 촬상 광은 헤드 렌즈를 통해 상기 기판으로 조사되고, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각은 서로 매칭될 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. The method of processing a substrate includes supplying a liquid to the substrate, irradiating a laser to the substrate supplied to the liquid to heat the substrate, irradiating an imaging light for imaging the substrate, and irradiating a region where the laser is irradiated. An image of the substrate may be obtained, the laser and the imaging light may be irradiated to the substrate through a head lens, and divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light may match each other.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 가열하여 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method by heating a substrate.

웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 사진 공정은 노광 공정을 포함한다. 노광 공정은 웨이퍼 상에 부착된 반도체 집적 재료를 원하는 패턴으로 깎아 내기 위한 사전 작업이다. 노광 공정은 식각을 위한 패턴을 형성, 그리고 이온 주입을 위한 패턴의 형성 등 다양한 목적을 가질 수 있다. 노광 공정은 일종의 ‘틀’인 마스크(Mask)를 이용하여, 웨이퍼 상에 빛으로 패턴을 그려 넣는다. 웨이퍼 상의 반도체 집적 재료, 예컨대 웨이퍼 상의 레지스트에 빛이 노출되면, 빛과 마스크에 의해서 패턴에 맞게 레지스트의 화학적 성질이 변화한다. 패턴에 맞게 화학적 성질이 변화한 레지스트에 현상액이 공급되면 웨이퍼 상에는 패턴이 형성된다.A photo process for forming a pattern on a wafer includes an exposure process. The exposure process is a preliminary operation for cutting the semiconductor integrated material attached on the wafer into a desired pattern. The exposure process may have various purposes, such as forming a pattern for etching and forming a pattern for ion implantation. In the exposure process, a pattern is drawn with light on the wafer using a mask, which is a kind of ‘frame’. When a semiconductor integrated material on a wafer, for example, a resist on the wafer, is exposed to light, the chemical properties of the resist are changed according to the pattern by the light and the mask. When a developer is supplied to the resist whose chemical properties are changed according to the pattern, a pattern is formed on the wafer.

노광 공정을 정밀하게 수행하기 위해서는 마스크에 형성된 패턴이 정밀하게 제작되어야 한다. 패턴이 요구되는 공정 조건에 만족하게 형성되었는지 여부를 확인해야 한다. 하나의 마스크에는 많은 수의 패턴이 형성되어 있다. 이에, 작업자가 하나의 마스크를 검사하기 위해 많은 수의 패턴을 모두 검사하는 것은 많은 시간이 소요된다. 이에, 복수의 패턴을 포함하는 하나의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 모니터링 패턴을 마스크에 형성한다. 또한, 복수의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 앵커 패턴을 마스크에 형성한다. 작업자는 모니터링 패턴의 검사를 통해 하나의 패턴 그룹이 포함하는 패턴들의 양불을 추정할 수 있다. 또한, 작업자는 앵커 패턴의 검사를 통해 마스크에 형성된 패턴들의 양불을 추정할 수 있다.In order to precisely perform an exposure process, a pattern formed on a mask must be precisely manufactured. It is necessary to check whether the pattern is formed satisfactorily under the required process conditions. A large number of patterns are formed on one mask. Accordingly, it takes a lot of time for an operator to inspect all of a large number of patterns in order to inspect one mask. Accordingly, a monitoring pattern representing one pattern group including a plurality of patterns is formed on the mask. In addition, anchor patterns representing a plurality of pattern groups are formed on the mask. The operator can estimate the quality of the patterns included in one pattern group through inspection of the monitoring pattern. In addition, the operator can estimate the quality of the patterns formed on the mask through inspection of the anchor pattern.

또한, 마스크의 검사 정확도를 높이기 위해서는 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭이 서로 동일한 것이 바람직하다. 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정하기 위한 선폭 보정 공정이 추가로 수행된다.In addition, in order to increase mask inspection accuracy, it is preferable that the monitoring pattern and the anchor pattern have the same line width. A line width correction process for precisely correcting line widths of patterns formed on the mask is additionally performed.

도 1은 마스크 제작 공정 중 선폭 보정 공정이 수행되기 전 마스크의 모니터링 패턴의 제1선폭(CDP1) 및 앵커 패턴의 제2선폭(CDP2)에 관한 정규 분포를 보여준다. 또한, 제1선폭(CDP1) 및 제2선폭(CDP2)은 목표하는 선폭보다 작은 크기를 가진다. 선폭 보정 공정이 수행되기 전 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭(CD : Critical Dimension)에 의도적으로 편차를 둔다. 그리고, 선폭 보정 공정에서 앵커 패턴을 추가 식각 함으로써, 이 둘 패턴의 선폭을 동일하게 한다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각하는 과정에서 앵커 패턴이 모니터링 패턴보다 과식각되는 경우, 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭의 차이가 발생하여 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정할 수 없다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각할 때, 앵커 패턴에 대한 정밀한 식각이 수반되어야 한다.1 shows a normal distribution of a first line width CDP1 of a mask monitoring pattern and a second line width CDP2 of an anchor pattern before a line width correction process is performed during a mask manufacturing process. Also, the first line width CDP1 and the second line width CDP2 have sizes smaller than the target line width. Before the line width correction process is performed, the line width (CD: Critical Dimension) of the monitoring pattern and the anchor pattern is intentionally deviated. And, by additionally etching the anchor pattern in the line width correction process, the line widths of the two patterns are made the same. In the process of additionally etching the anchor pattern, when the anchor pattern is overetched than the monitoring pattern, a difference in line width between the monitoring pattern and the anchor pattern occurs, making it impossible to accurately correct the line width of the patterns formed on the mask. When the anchor pattern is additionally etched, precise etching of the anchor pattern must be accompanied.

앵커 패턴에 대한 식각을 수행하는 공정에서는 마스크에 처리액을 공급하고, 처리액이 공급된 마스크에 형성된 앵커 패턴을 레이저를 이용하여 가열한다. 앵커 패턴에 대한 정밀한 식각이 수반되기 위해서는 앵커 패턴이 형성된 특정 영역에 레이저가 정밀하게 조사되어야 한다. 처리액이 기 공급되어 액막이 형성된 마스크 상에 레이저를 조사하므로, 액막에 의해 조사되는 레이저가 굴절된다. 이에, 마스크 상에 형성된 앵커 패턴에 대응되는 정확한 조사 위치에 레이저가 조사되기 어렵다. 이는 nm 단위의 오차도 허용하지 않는 선폭 보정 공정에서 심각한 공정 불량을 발생시키는 주된 요인으로 작용한다. 또한, 마스크 상에 공급되는 처리액은 다양한 종류의 처리액이 공급되고, 각각의 처리액은 서로 다른 굴절률을 갖는다. 이는 앵커 패턴에 대한 레이저의 정밀한 조사를 더욱 어렵게 하는 문제로 귀결된다.In the process of etching the anchor pattern, a treatment liquid is supplied to a mask, and the anchor pattern formed on the mask supplied with the treatment liquid is heated by using a laser. In order to carry out precise etching of the anchor pattern, laser must be precisely irradiated to a specific area where the anchor pattern is formed. Since the processing liquid is previously supplied and the laser is irradiated on the mask on which the liquid film is formed, the laser irradiated by the liquid film is refracted. Therefore, it is difficult to irradiate the laser to an accurate irradiation position corresponding to the anchor pattern formed on the mask. This acts as a major factor in generating serious process defects in the line width correction process, which does not allow errors in nm units. In addition, various types of treatment liquids are supplied to the mask, and each treatment liquid has a different refractive index. This results in a problem that makes precise irradiation of the laser on the anchor pattern more difficult.

본 발명은 기판에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of performing precise etching on a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 특정 영역에 대한 선택적 식각을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of selectively etching a specific region of a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 촬상하는 촬상 초점을 이용하여 기판의 특정 영역에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of performing precise etching on a specific region of a substrate using an imaging focus for capturing an image of the substrate.

또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 액막의 종류와 무관하게 기판의 특정 영역에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of precisely etching a specific region of a substrate regardless of the type of liquid film formed on the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. There will be.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 상기 기판에 액을 공급하고, 상기 액에 공급된 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하고, 상기 기판을 촬상하는 촬상 광을 조사하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 기판의 이미지를 획득하되, 상기 레이저와 상기 촬상 광은 헤드 렌즈를 통해 상기 기판으로 조사되고, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각은 서로 매칭될 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. The method of processing a substrate includes supplying a liquid to the substrate, irradiating a laser to the substrate supplied to the liquid to heat the substrate, irradiating an imaging light for imaging the substrate, and irradiating a region where the laser is irradiated. An image of the substrate may be obtained, the laser and the imaging light may be irradiated to the substrate through a head lens, and divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light may match each other.

일 실시예에 의하면, 상기 기판에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고, 상기 액막이 형성된 상기 기판에 상기 레이저를 조사하되, 상기 촬상 광의 초점은 상기 기판과 상기 액막 중 상기 기판을 기준으로 조정될 수 있다.According to an embodiment, a liquid film is formed by supplying the liquid to the substrate, and the substrate on which the liquid film is formed is irradiated with the laser, and the focus of the imaging light may be adjusted based on the substrate among the substrate and the liquid film. .

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고, 상기 헤드 렌즈가 이동하여 상기 헤드 렌즈와 상기 기판의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다.According to an embodiment, the head lens is provided to be movable, and the focus of the imaging light may be adjusted by changing a distance between the head lens and the upper surface of the substrate by moving the head lens.

일 실시예에 의하면, 상기 촬상 광의 초점은 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 조정될 수 있다.According to an embodiment, the focus of the imaging light may be adjusted by changing a divergence angle of the imaging light emitted from the head lens.

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각은 익스팬더에 의해 변경되고, 변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 익스팬더에서 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시킬 수 있다.According to an embodiment, the divergence angle of the laser emitted from the head lens is changed by an expander, and the divergence angle of the laser emitted from the head lens can be changed by the expander to match the changed divergence angle of the imaging light. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, a direction of the laser irradiated from the head lens to the substrate and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the substrate may be coaxial with each other.

또한, 본 발명은 복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 상기 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 마스크에 액을 공급하고, 상기 액이 공급된 상기 마스크에 레이저를 조사하여 상기 마스크를 가열하고, 상기 마스크를 촬상하는 촬상 광을 조사하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 마스크의 이미지를 획득하되, 상기 레이저와 상기 촬상 광은 헤드 렌즈를 통해 상기 기판으로 조사되고, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각은 서로 매칭될 수 있다.In addition, the present invention provides a substrate processing method for processing a mask having a plurality of cells. A method of processing a substrate includes supplying a liquid to a mask in which a first pattern is formed in the plurality of cells and a second pattern different from the first pattern is formed outside the region where the cells are formed, and the mask to which the liquid is supplied. A laser is irradiated to heat the mask, and an imaging light for imaging the mask is irradiated to acquire an image of the mask including an area to which the laser is irradiated, the laser and the imaging light passing through the head lens. A divergence angle of the laser irradiated onto the substrate and irradiated from the head lens and the imaging light may match each other.

일 실시예에 의하면, 상기 마스크에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고, 상기 액막이 형성된 상기 마스크에 상기 레이저를 조사하되, 상기 촬상 광의 초점은 상기 마스크와 상기 액막 중 상기 마스크를 기준으로 조정될 수 있다.According to an embodiment, a liquid film is formed by supplying the liquid to the mask, and the laser is irradiated to the mask on which the liquid film is formed, and the focus of the imaging light may be adjusted based on the mask among the mask and the liquid film. .

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고, 상기 헤드 렌즈가 이동하여 상기 헤드 렌즈와 상기 마스크의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다.According to an embodiment, the head lens is provided to be movable, and the focus of the imaging light may be adjusted by moving the head lens to change a distance between the head lens and the upper surface of the mask.

일 실시예에 의하면, 상기 촬상 광의 초점은 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 조정될 수 있다.According to an embodiment, the focus of the imaging light may be adjusted by changing a divergence angle of the imaging light emitted from the head lens.

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각은 익스팬더에 의해 변경되고, 변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 익스팬더에서 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시킬 수 있다.According to an embodiment, the divergence angle of the laser emitted from the head lens is changed by an expander, and the divergence angle of the laser emitted from the head lens can be changed by the expander to match the changed divergence angle of the imaging light. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈로부터 상기 마스크로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 마스크로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, a direction of the laser irradiated from the head lens to the mask and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the mask may be coaxial with each other.

일 실시예에 의하면, 상기 레이저는 상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 조사될 수 있다.According to an embodiment, the laser may be irradiated to the second pattern of the first pattern and the second pattern.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 상기 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 헤드 렌즈를 포함하는 레이저 유닛 및 상기 레이저 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 레이저 유닛은 상기 헤드 렌즈를 통해 레이저를 조사하여 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 가열하는 조사 부재 및 상기 헤드 렌즈를 통해 촬상 광을 조사하여 상기 기판을 촬상하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 기판의 이미지를 획득하는 촬상 부재를 포함하고, 상기 제어기는 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각이 서로 매칭되도록 상기 조사 부재와 상기 촬상 부재를 제어할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate includes a support unit for supporting the substrate, a liquid supply unit for supplying liquid to the substrate supported on the support unit, a laser unit including a head lens, and a controller for controlling the laser unit, The laser unit includes an irradiation member for heating the substrate supported by the support unit by irradiating a laser beam through the head lens and an area to which the laser beam is irradiated by irradiating an imaging light through the head lens to image the substrate and an imaging member that acquires an image of the substrate, and the controller may control the irradiation member and the imaging member such that divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light match each other.

일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 상기 기판에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고, 상기 조사 부재는 상기 액막이 형성된 상기 기판에 상기 레이저를 조사하되, 상기 제어기는 상기 기판과 상기 액막 중 상기 기판을 기준으로 상기 촬상 광의 초점이 조정되도록 상기 촬상 부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the liquid supply unit supplies the liquid to the substrate to form a liquid film, and the irradiation member irradiates the laser to the substrate on which the liquid film is formed, and the controller controls the substrate and the liquid film to form a liquid film. The imaging member may be controlled to adjust the focus of the imaging light based on the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고, 상기 제어기는 상기 헤드 렌즈를 이동시켜 상기 헤드 렌즈와 상기 기판의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다.According to an embodiment, the head lens is provided to be movable, and the controller may adjust the focus of the imaging light by moving the head lens to change a distance between the head lens and the upper surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 상기 기판에 조사되는 상기 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다.According to an embodiment, the controller may adjust a focus of the imaging light radiated onto the substrate by changing a divergence angle of the imaging light emitted from the head lens.

일 실시예에 의하면, 상기 조사 부재는 상기 레이저를 출사하는 발진부 및 복수 개의 렌즈를 포함하는 익스팬더를 포함하고, 상기 제어기는 변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 복수의 렌즈 사이의 거리를 변경하여 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시킬 수 있다.According to an embodiment, the irradiation member includes an oscillation unit for emitting the laser and an expander including a plurality of lenses, and the controller changes a distance between the plurality of lenses to match the changed divergence angle of the imaging light, A divergence angle of the laser emitted from the head lens may be changed.

일 실시예에 의하면, 상기 레이저 유닛은 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the laser unit may be provided such that a direction of the laser irradiated from the head lens to the substrate and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the substrate are coaxial with each other.

일 실시예에 의하면, 상기 기판에는 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고, 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성되고, 상기 조사 부재는 상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 상기 레이저를 조사할 수 있다.According to an embodiment, a first pattern is formed in a plurality of cells on the substrate, a second pattern different from the first pattern is formed outside a region in which the cells are formed, and the irradiation member is formed with the first pattern. Among the second patterns, the second pattern may be irradiated with the laser.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to perform precise etching on a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 특정 영역에 대한 선택적 식각을 수행할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, selective etching may be performed on a specific region of a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 촬상하는 촬상 초점을 이용하여 기판의 특정 영역에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, precise etching of a specific region of a substrate can be performed using an imaging focus for capturing an image of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 형성된 액막의 종류와 무관하게 기판의 특정 영역에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, precise etching can be performed on a specific region of the substrate regardless of the type of liquid film formed on the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 모니터링 패턴의 선폭 및 앵커 패턴의 선폭에 관한 정규 분포를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 4의 일 실시예에 따른 레이저 유닛을 측면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 일 실시예에 따른 레이저 유닛을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9는 도 8의 일 실시예에 따른 액 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 8의 일 실시예에 따른 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 도 8의 일 실시예에 따른 린스 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 도 8의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 수행하는 동안 일 실시예에 따른 초점 조정 단계와 초점 매칭 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 도 12의 일 실시예에 따른 초점 조정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 일부 확대도이다.
도 16은 도 12의 다른 실시예에 따른 초점 조정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 일부 확대도이다.1 is a diagram showing a normal distribution of line widths of monitoring patterns and line widths of anchor patterns.
2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic view of a substrate being processed in the liquid processing chamber of FIG. 2 viewed from above.
FIG. 4 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 2 .
FIG. 5 is a top view of the liquid processing chamber according to the exemplary embodiment of FIG. 4 .
FIG. 6 is a view schematically showing a side view of the laser unit according to the embodiment of FIG. 4 .
FIG. 7 is a view schematically showing a view of the laser unit according to the embodiment of FIG. 6 viewed from above.
8 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a liquid processing step according to an exemplary embodiment of FIG. 8 .
FIG. 10 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a heating step according to an exemplary embodiment of FIG. 8 .
FIG. 11 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a rinsing step according to the exemplary embodiment of FIG. 8 .
FIG. 12 is a view schematically showing a section in which a focus adjusting step and a focus matching step according to an embodiment are performed while performing the substrate processing method according to the embodiment of FIG. 8 .
13 to 15 are partially enlarged views of a substrate processing apparatus performing a focus adjustment step according to an embodiment of FIG. 12 .
16 is a partially enlarged view of a substrate processing apparatus performing a focus adjustment step according to another embodiment of FIG. 12 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited due to the examples described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer explanation.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.

이하에서는, 도 2 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 16 . 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10, Index Module), 처리 모듈(20, Treating Module), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, 상부에서 바라볼 때 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus includes an index module 10 , a treating module 20 , and a controller 30 . According to one embodiment, when viewed from above, the index module 10 and the processing module 20 may be disposed along one direction.

이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)이라 정의하고, 제1방향(X) 및 제2방향(Y)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(Z)이라 정의한다.Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are disposed is defined as a first direction (X), and when viewed from above, a direction perpendicular to the first direction (X) is defined as a second direction ( Y), and a direction perpendicular to the plane including both the first direction (X) and the second direction (Y) is defined as a third direction (Z).

인덱스 모듈(10)은 기판(M)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 기판(M)이 수납된 용기(F)와 처리 모듈(20) 사이에서 기판(M)을 반송한다. 예컨대, 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 소정의 처리가 완료된 기판(M)을 용기(F)로 반송한다. 예컨대, 인덱스 모듈(20)은 처리 모듈(20)에서 소정의 처리가 예정된 기판(M)을 용기(F)에서 처리 모듈(20)로 반송한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(Y)으로 형성될 수 있다.The index module 10 conveys the substrate M. The index module 10 transports the substrate M between the processing module 20 and the container F containing the substrate M. For example, the index module 10 transfers the substrate M, which has undergone a predetermined process in the processing module 20, to the container F. For example, the index module 20 transfers a substrate M scheduled to be processed in the processing module 20 from the container F to the processing module 20 . The length direction of the index module 10 may be formed in the second direction (Y).

인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 프레임(14)을 가질 수 있다. 로드 포트(12)에는 기판(M)이 수납된 용기(F)가 안착된다. 로드 포트(12)는 인덱스 프레임(14)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치할 수 있다. 로드 포트(12)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 로드 포트(12)들은 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.The index module 10 may have a load port 12 and an index frame 14 . A container F containing a substrate M is seated in the load port 12 . The load port 12 may be located on the opposite side of the processing module 20 based on the index frame 14 . A plurality of load ports 12 may be provided. A plurality of load ports 12 may be arranged in a line along the second direction (Y). The number of load ports 12 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the processing module 20 .

용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(12)에 놓일 수 있다.As the container F, a sealed container such as a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container F may be placed in the load port 12 by an operator or a transportation means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. there is.

인덱스 프레임(14)은 기판(M)을 반송하는 반송 공간을 제공한다. 인덱스 프레임(14)의 반송 공간에는 인덱스 로봇(120)과 인덱스 레일(124)이 제공된다. 인덱스 로봇(120)은 기판(M)을 반송한다. 인덱스 로봇(120)은 인덱스 모듈(10)과 후술하는 버퍼 유닛(200) 간에 기판(M)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 인덱스 핸드(122)를 가진다.The index frame 14 provides a transport space for transporting the substrate M. An index robot 120 and an index rail 124 are provided in the transport space of the index frame 14 . The index robot 120 conveys the substrate M. The index robot 120 may transport the substrate M between the index module 10 and a buffer unit 200 to be described later. The index robot 120 has an index hand 122 .

인덱스 핸드(122)에는 기판(M)이 놓인다. 인덱스 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 수직한 방향을 축으로 한 회전, 그리고 축 방향을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 핸드(122)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(122)들 각각은 상하 방향으로 이격되게 배치될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(122)들은 서로 간에 독립적으로 전진 및 후진 이동하게 제공될 수 있다.A substrate M is placed on the index hand 122 . The index hand 122 may be provided to be capable of forward and backward movement, rotation about an axis in a vertical direction, and movement along an axial direction. A plurality of index hands 122 may be provided. Each of the plurality of index hands 122 may be spaced apart in the vertical direction. A plurality of index hands 122 may be provided to move forward and backward independently of each other.

인덱스 레일(124)은 인덱스 프레임(14)의 반송 공간에 제공된다. 인덱스 레일(124)은 그 길이 방향이 제2방향(Y)을 따라 제공된다. 인덱스 레일(124)에는 인덱스 로봇(120)이 놓이고, 인덱스 로봇(120)은 인덱스 레일(124) 상에서 직선 이동 가능하게 제공된다. 즉, 인덱스 로봇(120)은 인덱스 레일(124) 상에서 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index rail 124 is provided in the conveying space of the index frame 14 . The length direction of the index rail 124 is provided along the second direction Y. An index robot 120 is placed on the index rail 124 , and the index robot 120 is provided to be linearly movable on the index rail 124 . That is, the index robot 120 can move forward and backward on the index rail 124 .

제어기(30)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The controller 30 may control the substrate processing apparatus 1 . The controller 30 includes a process controller composed of a microprocessor (computer) for controlling the substrate processing apparatus 1, a keyboard for inputting commands and the like for an operator to manage the substrate processing apparatus 1, and substrate processing. A user interface consisting of a display or the like that visualizes and displays the operation status of the apparatus 1, a control program for executing processes executed in the substrate processing apparatus 1 under the control of a process controller, and various data and processing conditions. A storage unit in which a program for executing a process, that is, a process recipe, is stored in each constituent unit may be provided. Also, the user interface and storage may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium of the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or a DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.

제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 후술하는 액 처리 챔버(400)에 제공되는 구성들을 제어할 수 있다.The controller 30 may control components of the substrate processing apparatus 1 to perform a substrate processing method described below. For example, the controller 30 may control components provided to the liquid processing chamber 400 to be described later.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 프레임(300), 그리고 액 처리 챔버(400)를 포함할 수 있다.The processing module 20 may include a buffer unit 200 , a transport frame 300 , and a liquid processing chamber 400 .

버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(M)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(M)이 일시적으로 머무는 버퍼 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 프레임(14)과 반송 프레임(300) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 프레임(300)의 일단에 위치할 수 있다. 버퍼 유닛(200)의 내부에는 기판(M)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 상하 방향으로 이격될 수 있다.The buffer unit 200 provides a buffer space in which the substrate M carried into the processing module 20 and the substrate M transported out of the processing module 20 temporarily stay. The buffer unit 200 may be disposed between the index frame 14 and the transport frame 300 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transport frame 300 . A slot (not shown) in which the substrate M is placed is provided inside the buffer unit 200 . A plurality of slots (not shown) may be provided. A plurality of slots (not shown) may be spaced apart from each other in a vertical direction.

버퍼 유닛(200)은 전면(Front Face)과 후면(Rear Face)이 개방된다. 전면은 인덱스 프레임(14)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(300)과 마주는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The front face and rear face of the buffer unit 200 are open. The front side is a side facing the index frame 14, and the rear side is a side facing the transport frame 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 to be described later may access the buffer unit 200 through the rear side.

반송 프레임(300)은 버퍼 유닛(200)과 액 처리 챔버(400) 간에 기판(M)을 반송하는 공간을 제공한다. 반송 프레임(300)의 길이 방향은 제1방향(X)으로 제공될 수 있다. 반송 프레임(300)의 측부에는 액 처리 챔버(400)들이 배치될 수 있다. 즉, 반송 프레임(300)과 액 처리 챔버(400)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 프레임(300)의 양 측에 배치될 수 있다. 반송 프레임(300)의 일 측에 제공된 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(X) 및 제3방향(Z)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)의 배열로 제공될 수 있다.The transport frame 300 provides a space for transporting the substrate M between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 . The longitudinal direction of the transport frame 300 may be provided in the first direction (X). Liquid processing chambers 400 may be disposed on the side of the transport frame 300 . That is, the transport frame 300 and the liquid processing chamber 400 may be disposed along the second direction (Y). According to one embodiment, the liquid processing chambers 400 may be disposed on both sides of the transport frame 300 . The liquid processing chambers 400 provided on one side of the transport frame 300 are arranged in an array of A X B (where A and B are 1 or a natural number greater than 1, respectively) along the first direction (X) and the third direction (Z). can be provided.

반송 프레임(300)은 반송 로봇(320)과 반송 레일(324)을 가진다. 반송 로봇(320)은 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 버퍼 유닛(200)과 액 처리 챔버(400) 간에 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 기판(M)이 놓이는 반송 핸드(322)를 포함한다. 반송 핸드(322)에는 기판(M)이 놓일 수 있다. 반송 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 수직한 방향을 축으로 한 회전, 그리고 축 방향을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 복수 개의 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transport frame 300 has a transport robot 320 and a transport rail 324 . The transport robot 320 transports the substrate M. The transfer robot 320 transfers the substrate M between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 . The transfer robot 320 includes a transfer hand 322 on which the substrate M is placed. A substrate M may be placed on the transfer hand 322 . The transfer hand 322 may be provided to be capable of forward and backward movement, rotation in a vertical direction as an axis, and movement along an axial direction. A plurality of hands 322 are provided spaced apart in the vertical direction, and the plurality of hands 322 may move forward and backward independently of each other.

반송 레일(324)은 반송 프레임(300) 내에서 반송 프레임(300)의 길이 방향을 따라 제공될 수 있다. 예컨대, 반송 레일(324)의 길이 방향은 제1방향(X)을 따라 제공될 수 있다. 반송 레일(324)에는 반송 로봇(320)이 놓이고, 반송 로봇(320)은 반송 레일(324) 상에서 이동 가능하게 제공된다.The transport rail 324 may be provided along the length direction of the transport frame 300 within the transport frame 300 . For example, the longitudinal direction of the transport rail 324 may be provided along the first direction (X). The transport robot 320 is placed on the transport rail 324 , and the transport robot 320 is provided to be movable on the transport rail 324 .

도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하에서는, 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)에 대하여 상세히 설명한다.FIG. 3 is a schematic view of a substrate being processed in the liquid processing chamber of FIG. 2 viewed from above. Hereinafter, the substrate M processed in the liquid processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3 .

도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 피처리물은 웨이퍼, 글라스, 그리고 포토 마스크 중 어느 하나의 기판일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)은 노광 공정시 사용되는 ‘틀’인 포토 마스크(Photo Mask)일 수 있다. 예컨대, 기판(M)은 사각의 형상을 가질 수 있다. 기판(M) 상에는 기준 마크(AK), 제1패턴(P1), 그리고 제2패턴(P2)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , an object to be processed in the liquid processing chamber 400 may be a substrate of any one of a wafer, a glass, and a photo mask. The substrate M processed in the liquid processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention may be a photo mask, which is a 'frame' used during an exposure process. For example, the substrate M may have a quadrangular shape. A reference mark AK, a first pattern P1, and a second pattern P2 may be formed on the substrate M.

기준 마크(AK)는 기판(M) 상에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 예컨대, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 모서리 영역 각각에 복수 개 형성될 수 있다. 기준 마크(AK)는 소위 얼라인 키(Align Key)라 불리는 기판(M) 정렬시 사용되는 마크일 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 위치 정보를 도출하는데 이용되는 마크일 수 있다. 예컨대, 후술하는 촬상 부재(700)는 기준 마크(AK)를 촬영하여 이에 대한 이미지를 획득하고, 획득된 이미지를 제어기(30)에 전송할 수 있다. 제어기(30)는 기준 마크(AK)를 포함하는 이미지를 분석하여 기판(M)의 정확한 위치를 검출할 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M) 반송시 기판(M)의 위치를 파악하는데 사용될 수 있다.At least one reference mark AK may be formed on the substrate M. For example, a plurality of reference marks AK may be formed at each corner region of the substrate M. The reference mark AK may be a mark used when aligning the substrate M, called an alignment key. Also, the reference mark AK may be a mark used to derive positional information of the substrate M. For example, the imaging member 700 to be described later may acquire an image of the fiducial mark AK by capturing it, and may transmit the obtained image to the controller 30 . The controller 30 can detect the exact position of the substrate M by analyzing the image including the fiducial mark AK. In addition, the fiducial mark AK may be used to determine the position of the substrate M when transporting the substrate M.

기판(M) 상에는 셀(CE)이 형성될 수 있다. 셀(CE)은 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 예컨대, 셀(CE)은 복수 개 형성될 수 있다. 복수의 셀(CE)들 각각에는 복수의 패턴들이 형성될 수 있다. 각각의 셀(CE)에 형성된 패턴들은 하나의 패턴 그룹으로 정의될 수 있다. 각각의 셀(CE)에 형성되는 패턴은 노광 패턴(EP)과 제1패턴(P1)을 포함할 수 있다.A cell CE may be formed on the substrate M. At least one cell CE may be formed. For example, a plurality of cells CE may be formed. A plurality of patterns may be formed in each of the plurality of cells CE. Patterns formed in each cell CE may be defined as one pattern group. A pattern formed in each cell CE may include an exposure pattern EP and a first pattern P1.

노광 패턴(EP)은 기판(M) 상에 실제 패턴을 형성하는데 사용될 수 있다. 제1패턴(P1)은 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 셀(CE)이 복수 개 제공되는 경우, 제1패턴(P1)은 복수 개 제공될 수 있다.The exposure pattern EP may be used to form an actual pattern on the substrate M. The first pattern P1 may be a pattern representing exposure patterns EP formed in one cell CE. When a plurality of cells CE are provided, a plurality of first patterns P1 may be provided.

예컨대, 복수 개의 셀(CE)들 각각에는 제1패턴(P1)이 각각 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 셀(CE)에 복수의 제1패턴(P1)이 형성될 수도 있다.For example, a first pattern P1 may be provided in each of the plurality of cells CE. However, it is not limited thereto, and a plurality of first patterns P1 may be formed in one cell CE.

제1패턴(P1)은 각각의 노광 패턴(EP)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다. 제1패턴(P1)은 소위 모니터링 패턴이라 불릴 수 있다. 복수 개의 제1패턴(P1)들의 선폭의 평균 값은 선폭 모니터링 매크로(Critical Dimension Monitoring Macro;CDMM)라 불릴 수 있다.The first pattern P1 may have a shape in which parts of each of the exposure patterns EP are combined. The first pattern P1 may be called a so-called monitoring pattern. An average value of line widths of the plurality of first patterns P1 may be referred to as a critical dimension monitoring macro (CDMM).

작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 어느 하나의 셀(CE)에 형성된 제1패턴(P1)을 검사하는 경우, 어느 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴으로 기능할 수 있다. 상술한 예와 달리, 제1패턴(P1)은 실제 노광 공정에 참여하는 노광 패턴(EP)들 중 어느 하나의 패턴일 수 있다. 선택적으로, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴이고, 동시에 실제 노광 공정에 참여하는 패턴일 수 있다.When a worker inspects the first pattern P1 formed in any one cell CE through a scanning electron microscope (SEM), whether the shape of the exposure patterns EP formed in any one cell CE is good or bad is checked. can be estimated Accordingly, the first pattern P1 may function as a pattern for inspection. Unlike the above example, the first pattern P1 may be any one of the exposure patterns EP participating in the actual exposure process. Optionally, the first pattern P1 may be a pattern for inspection and at the same time participate in an actual exposure process.

제2패턴(P2)은 기판(M) 상에 형성된 셀(CE)들의 외부에 형성될 수 있다. 예컨대, 제2패턴(P2)은 복수의 셀(CE)들이 제공된 영역의 바깥 영역에 위치할 수 있다. 제2패턴(P2)은 기판(M)에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 적어도 하나 이상 제공될 수 있다. 예컨대, 제2패턴(P2)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 제2패턴(P2)들은 직렬 및/또는 병렬의 조합으로 배열될 수 있다. 선택적으로, 복수의 제2패턴(P2)들은 제1패턴(P1)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다.The second pattern P2 may be formed outside the cells CE formed on the substrate M. For example, the second pattern P2 may be positioned outside the region where the plurality of cells CE are provided. The second pattern P2 may be a pattern representing the exposure patterns EP formed on the substrate M. At least one second pattern P2 may be provided. For example, a plurality of second patterns P2 may be provided. The plurality of second patterns P2 may be arranged in series and/or parallel combinations. Optionally, the plurality of second patterns P2 may have a shape in which parts of the first patterns P1 are combined.

작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 제2패턴(P2)을 검사하는 경우, 하나의 기판(M)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제2패턴(P2)은 검사용 패턴으로 기능할 수 있다. 제2패턴(P2)은 실제 노광 공정에는 참여하지 않는 검사용 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 노광 장치의 공정 조건을 세팅하는 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 앵커 패턴(Anchor Pattern)이라 불릴 수 있다.When a worker examines the second pattern P2 through a scanning electron microscope (SEM), it is possible to estimate whether the shape of the exposure patterns EP formed on one substrate M is good or bad. Accordingly, the second pattern P2 may function as a pattern for inspection. The second pattern P2 may be an inspection pattern that does not participate in an actual exposure process. The second pattern P2 may be a pattern for setting process conditions of an exposure apparatus. The second pattern P2 may be called an anchor pattern.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 의한 액 처리 챔버(400)에 대해 상세히 설명한다. 또한, 이하에서는, 액 처리 챔버(400)에서 수행되는 처리 공정이 노광 공정 용 마스크 제작 과정 중 선폭 보정 공정(FCC, Fine Critical Dimension Correction)을 수행하는 것을 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the liquid processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention will be described in detail. In addition, hereinafter, the processing process performed in the liquid processing chamber 400 will be described as an example in which a fine critical dimension correction (FCC) process is performed during the manufacturing process of a mask for an exposure process.

액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)은 전 처리가 수행된 기판(M)일 수 있다. 액 처리 챔버(400)에 반입되는 기판(M) 상에 형성된 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 선폭은 서로 상이할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1패턴(P1)의 선폭은 제2패턴(P2)의 선폭보다 상대적으로 클 수 있다. 예컨대, 제1패턴(P1)의 선폭은 제1폭(예컨대, 69nm)을 가지고, 제2패턴(P2)의 선폭은 제2폭(예컨대, 68.5nm)을 가질 수 있다.The substrate M processed in the liquid processing chamber 400 may be a substrate M on which pre-processing has been performed. Line widths of the first pattern P1 and the second pattern P2 formed on the substrate M carried into the liquid processing chamber 400 may be different from each other. According to an embodiment, the line width of the first pattern P1 may be relatively larger than that of the second pattern P2. For example, the line width of the first pattern P1 may have a first width (eg, 69 nm), and the line width of the second pattern P2 may have a second width (eg, 68.5 nm).

도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다. 도 4와 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 지지 유닛(420), 처리 용기(430), 액 공급 유닛(440), 그리고 레이저 유닛(450)을 포함할 수 있다.FIG. 4 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 2 . FIG. 5 is a top view of the liquid processing chamber according to the exemplary embodiment of FIG. 4 . 4 and 5 , the liquid processing chamber 400 may include a housing 410, a support unit 420, a processing container 430, a liquid supply unit 440, and a laser unit 450. there is.

하우징(410)은 내부 공간(412)을 가진다. 내부 공간(412)에는 지지 유닛(420), 처리 용기(430), 액 공급 유닛(440), 그리고 레이저 유닛(450)이 제공된다. 하우징(410)에는 기판(M)이 반출입하는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 하우징(410)의 내벽면은 액 공급 유닛(440)이 공급하는 액에 대해 내부식성이 높은 소재로 코팅될 수 있다.Housing 410 has an interior space 412 . A support unit 420 , a processing container 430 , a liquid supply unit 440 , and a laser unit 450 are provided in the inner space 412 . An opening (not shown) through which the substrate M is carried in and out may be formed in the housing 410 . The inner wall surface of the housing 410 may be coated with a material having high corrosion resistance to the liquid supplied by the liquid supply unit 440 .

하우징(410)의 바닥면에는 배기 홀(414)이 형성된다. 배기 홀(414)은 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다. 예컨대, 감압 부재(미도시)는 펌프로 제공될 수 있다. 배기 홀(414)은 내부 공간(412)의 분위기를 배기한다. 또한, 배기 홀(414)은 내부 공간(412)에 발생되는 파티클 등의 불순물(Byproduct)을 내부 공간(412)의 외부로 배출한다.An exhaust hole 414 is formed on the bottom surface of the housing 410 . The exhaust hole 414 may be connected to a pressure reducing member (not shown). For example, a pressure reducing member (not shown) may be provided as a pump. The exhaust hole 414 exhausts the atmosphere of the inner space 412 . In addition, the exhaust hole 414 discharges byproducts such as particles generated in the inner space 412 to the outside of the inner space 412 .

지지 유닛(420) 내부 공간(412)에서 기판(M)을 지지한다. 또한, 지지 유닛(420)은 기판(M)을 회전시킨다. 지지 유닛(420)은 후술하는 처리 공간(431)에서 기판(M)을 지지하고 회전시킨다. 지지 유닛(420)은 몸체(421), 지지 핀(422), 지지 축(426), 그리고 구동기(427)를 포함할 수 있다.The support unit 420 supports the substrate M in the inner space 412 . Also, the support unit 420 rotates the substrate M. The support unit 420 supports and rotates the substrate M in a processing space 431 to be described later. The support unit 420 may include a body 421 , a support pin 422 , a support shaft 426 , and an actuator 427 .

몸체(421)는 대체로 판 형상으로 제공될 수 있다. 몸체(421)는 일정한 두께를 가지는 판 형상을 가질 수 있다. 몸체(421)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 몸체(421)의 상부면은 기판(M)보다 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다.The body 421 may be generally provided in a plate shape. The body 421 may have a plate shape having a certain thickness. When viewed from the top, the body 421 may have an upper surface provided in a substantially circular shape. An upper surface of the body 421 may have a relatively larger area than the substrate M.

지지 핀(422)은 기판(M)을 지지한다. 지지 핀(422)은 기판(M)을 지지하여 기판(M)의 하면과 몸체(421)의 상면을 서로 이격시킬 수 있다. 지지 핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원 형상을 가질 수 있다. 지지 핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 기판(M)의 모서리 영역과 대응하는 부분이 아래로 만입된 형상을 가질 수 있다.The support pin 422 supports the substrate M. The support pins 422 may support the substrate M so that the lower surface of the substrate M and the upper surface of the body 421 are spaced apart from each other. When viewed from the top, the support pin 422 may have a substantially circular shape. When viewed from above, the support pin 422 may have a shape in which a portion corresponding to a corner region of the substrate M is recessed downward.

지지 핀(422)은 제1면과 제2면을 가질 수 있다. 예컨대, 제1면은 기판(M)의 모서리 영역의 하부를 지지할 수 있다. 제2면은 기판(M)의 모서리 영역의 측부와 마주할 수 있다. 이에, 기판(M)이 회전될 때, 기판(M)은 제2면에 의해 측 방향으로의 움직임이 제한될 수 있다.The support pin 422 may have a first surface and a second surface. For example, the first surface may support a lower portion of the corner region of the substrate M. The second surface may face the side of the corner region of the substrate M. Accordingly, when the substrate M is rotated, the movement of the substrate M in the lateral direction may be restricted by the second surface.

지지 핀(422)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(422)은 사각의 형상을 가지는 기판(M)의 모서리 영역의 개수에 대응하는 수로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 핀(422)은 4개 제공될 수 있다.A plurality of support pins 422 are provided. The support pins 422 may be provided in numbers corresponding to the number of corner regions of the quadrangular substrate M. For example, four support pins 422 may be provided.

지지 축(426)은 몸체(421)와 결합한다. 지지 축(426)은 몸체(421)의 하부에 위치한다. 지지 축(426)은 구동기(427)에 의해 상하 방향으로 이동할 수 있다. 지지 축(426)은 구동기(427)에 의해 회전될 수 있다. 구동기(427)는 모터일 수 있다. 구동기(427)가 지지 축(426)을 회전시키면, 지지 축(426)에 결합된 몸체(421)는 회전될 수 있다. 기판(M)은 지지 핀(422)을 매개로 몸체(421)의 회전과 함께 회전될 수 있다.The support shaft 426 is coupled to the body 421. The support shaft 426 is located below the body 421. The support shaft 426 may be moved vertically by the driver 427 . The support shaft 426 may be rotated by an actuator 427 . The actuator 427 may be a motor. When the actuator 427 rotates the support shaft 426, the body 421 coupled to the support shaft 426 may be rotated. The substrate M may be rotated along with the rotation of the body 421 via the support pin 422 .

지지 축(426)은 중공 축일 수 있다. 또한, 구동기(427)는 중공 모터일 수 있다. 중공 축 내부에는 도시되지 않은 유체 공급 라인이 형성되어 기판(M)의 하부로 유체를 공급할 수 있다. 기판(M)의 하부로 공급되는 유체는 케미칼, 린스액, 또는 비활성 가스일 수 있다. 다만, 상술한 예와 달리, 지지 축(426)의 내부에는 유체 공급 라인(미도시)이 제공되지 않을 수도 있다.Support shaft 426 may be a hollow shaft. Also, the actuator 427 may be a hollow motor. A fluid supply line (not shown) may be formed inside the hollow shaft to supply fluid to the lower portion of the substrate M. The fluid supplied to the lower portion of the substrate M may be a chemical, a rinsing liquid, or an inert gas. However, unlike the above-described example, a fluid supply line (not shown) may not be provided inside the support shaft 426 .

처리 용기(430)는 처리 공간(431)을 가진다. 처리 용기(430)는 기판(M)이 처리되는 처리 공간(431)을 가진다. 처리 용기(430)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 기판(M)은 처리 공간 내에서 액 처리 및 가열 처리될 수 있다. 처리 용기(430)는 기판(M)으로 공급되는 액이 하우징(410), 액 공급 유닛(440), 그리고 레이저 유닛(450)으로 비산되는 것을 방지할 수 있다.The processing vessel 430 has a processing space 431 . The processing container 430 has a processing space 431 in which the substrate M is processed. The processing container 430 may have a cylindrical shape with an open top. The substrate M may be subjected to liquid treatment and heat treatment within the treatment space. The processing container 430 may prevent liquid supplied to the substrate M from scattering to the housing 410 , the liquid supply unit 440 , and the laser unit 450 .

처리 용기(430)의 바닥면에는 상부에서 바라볼 때, 지지 축(426)이 삽입되는 개구가 형성될 수 있다. 처리 용기(430)의 바닥면에는 액 공급 유닛(440)이 공급하는 액을 외부로 배출할 수 있는 배출 홀(434)이 형성될 수 있다. 처리 용기(430)의 측면은 바닥면으로부터 위 방향으로 연장될 수 있다. 처리 용기(430)의 상단은 경사지게 형성될 수 있다. 예컨대, 처리 용기(430)의 상단은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)을 향할수록 지면에 대해 상향 경사지게 연장될 수 있다.When viewed from above, an opening into which the support shaft 426 is inserted may be formed on a bottom surface of the processing container 430 . A discharge hole 434 through which the liquid supplied by the liquid supply unit 440 can be discharged to the outside may be formed on the bottom surface of the processing container 430 . A side surface of the processing container 430 may extend upward from the bottom surface. An upper end of the processing container 430 may be inclined. For example, an upper end of the processing container 430 may extend upwardly with respect to the ground toward the substrate M supported by the support unit 420 .

처리 용기(430)는 승강 부재(436)와 결합한다. 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 상하로 이동시킬 수 있다. 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 상하로 이동시킬 수 있는 구동 장치일 수 있다. 승강 부재(436)는 기판(M)에 대한 액 처리 또는 가열 처리가 수행되는 동안에 처리 용기(430)를 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 이 경우, 처리 용기(430)의 상단은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 상단보다 상대적으로 높게 위치할 수 있다. 기판(M)이 내부 공간(412)으로 반입되는 경우와 기판(M)이 내부 공간(412)으로부터 반출되는 경우에, 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 아래 방향으로 이동시킬 수 있다.The processing container 430 is coupled with the elevating member 436 . The elevating member 436 may move the processing container 430 up and down. The elevating member 436 may be a driving device capable of vertically moving the processing container 430 . The elevating member 436 may move the processing container 430 upward while liquid processing or heat processing is performed on the substrate M. In this case, an upper end of the processing container 430 may be positioned relatively higher than an upper end of the substrate M supported by the support unit 420 . When the substrate M is carried into the inner space 412 and when the substrate M is taken out of the inner space 412, the elevating member 436 may move the processing container 430 downward. .

액 공급 유닛(440)은 기판(M) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(440)은 기판(M) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액 공급 유닛(440)이 기판(M)에 공급하는 액은 처리액으로 제공될 수 있다. 예컨대, 처리액은 식각액 또는 린스액으로 제공될 수 있다. 식각액은 케미칼 일 수 있다. 식각액은 기판(M) 상에 형성된 패턴을 식각 할 수 있다. 식각액은 에천트(Etchant)로 불릴 수도 있다. 에천트는 암모니아, 물, 그리고 첨가제가 혼합된 혼합액과 과산화수소를 포함하는 액일 수 있다. 린스액은 기판(M)을 세정할 수 있다. 린스액은 공지된 약액으로 제공될 수 있다.The liquid supply unit 440 supplies liquid onto the substrate M. The liquid supply unit 440 supplies liquid on the substrate M to form a liquid film. The liquid supplied to the substrate M by the liquid supply unit 440 may be provided as a treatment liquid. For example, the treatment liquid may be provided as an etching liquid or a rinsing liquid. The etchant may be a chemical. The etchant may etch patterns formed on the substrate M. The etchant may also be called an etchant. The etchant may be a liquid containing a mixture of ammonia, water, and additives and hydrogen peroxide. The rinsing liquid may clean the substrate M. A rinse liquid may be provided as a known chemical liquid.

액 공급 유닛(440)은 노즐(441), 고정 몸체(442), 회전 축(443), 그리고 회전 구동기(444)를 포함할 수 있다.The liquid supply unit 440 may include a nozzle 441 , a fixing body 442 , a rotating shaft 443 , and a rotating actuator 444 .

노즐(441)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 액을 공급할 수 있다. 노즐(441)의 일단은 고정 몸체(442)에 결합되고, 노즐(441)의 타단은 고정 몸체(442)로부터 기판(M)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 노즐(441)의 타단은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)을 향하는 방향으로 일정 각도 절곡되어 연장될 수 있다.The nozzle 441 may supply liquid to the substrate M supported by the support unit 420 . One end of the nozzle 441 may be coupled to the fixed body 442 and the other end of the nozzle 441 may extend from the fixed body 442 in a direction toward the substrate M. The other end of the nozzle 441 may be bent at a certain angle and extended in a direction toward the substrate M supported by the support unit 420 .

도 5에 도시된 바와 같이, 노즐(441)은 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c)을 포함할 수 있다. 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c)은 서로 다른 종류의 액을 기판(M)에 공급할 수 있다. 예컨대, 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c) 중 어느 하나는 상술한 처리액 중 케미칼을 공급할 수 있다. 또한, 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c) 중 다른 하나는 상술한 처리액 중 린스액을 공급할 수 있다. 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c) 중 또 다른 하나는 제1노즐(441a), 제2노즐(441b), 그리고 제3노즐(441c) 중 어느 하나가 공급하는 케미칼과 상이한 종류의 케미칼을 공급할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the nozzle 441 may include a first nozzle 441a, a second nozzle 441b, and a third nozzle 441c. The first nozzle 441a, the second nozzle 441b, and the third nozzle 441c may supply different types of liquid to the substrate M. For example, any one of the first nozzle 441a, the second nozzle 441b, and the third nozzle 441c may supply the chemical of the above-described treatment liquid. In addition, the other one of the first nozzle 441a, the second nozzle 441b, and the third nozzle 441c may supply a rinsing liquid among the aforementioned treatment liquids. Another one of the first nozzle 441a, the second nozzle 441b, and the third nozzle 441c is any one of the first nozzle 441a, the second nozzle 441b, and the third nozzle 441c. It is possible to supply a different kind of chemical from the chemical supplied by

고정 몸체(442)는 노즐(441)을 고정 지지할 수 있다. 고정 몸체(442)는 회전 축(443)과 결합될 수 있다. 회전 축(443)의 일단은 고정 몸체(442)와 결합되고, 회전 축(443)의 타단은 회전 구동기(444)와 결합된다. 회전 구동기(444)는 회전 축(443)을 회전시킨다. 회전 축(443)은 상하 방향의 길이 방향을 가질 수 있다. 회전 축(443)은 상하 방향 축을 기준으로 회전될 수 있다. 회전 구동기(444)가 회전 축(443)을 회전시키면, 고정 몸체(442)는 상하 방향 축을 기준으로 회전될 수 있다. 이에, 노즐(441a, 441b, 441c)들의 토출구는 기판(M)으로 액을 공급하는 위치인 액 공급 위치, 그리고 기판(M)으로 액을 공급하지 않는 위치인 대기 위치 사이에서 이동될 수 있다.The fixing body 442 may fixedly support the nozzle 441 . The fixed body 442 may be coupled to the rotating shaft 443 . One end of the rotation shaft 443 is coupled to the fixed body 442, and the other end of the rotation shaft 443 is coupled to the rotation actuator 444. The rotary actuator 444 rotates the rotary shaft 443 . The rotating shaft 443 may have a vertical direction. The rotating shaft 443 may be rotated based on a vertical axis. When the rotary actuator 444 rotates the rotary shaft 443, the fixed body 442 may rotate based on the vertical axis. Accordingly, the discharge ports of the nozzles 441a, 441b, and 441c may be moved between a liquid supply position, which is a position where liquid is supplied to the substrate M, and a standby position, which is a position where liquid is not supplied to the substrate M.

도 6은 도 4의 일 실시예에 따른 레이저 유닛을 측면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 일 실시예에 따른 레이저 유닛을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 유닛에 대해 상세히 설명한다.FIG. 6 is a view schematically showing a side view of the laser unit according to the embodiment of FIG. 4 . FIG. 7 is a view schematically showing a view of the laser unit according to the embodiment of FIG. 6 viewed from above. Hereinafter, a laser unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 7 .

도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 유닛(450)은 내부 공간(412)에 위치한다. 레이저 유닛(450)은 기판(M)을 가열한다. 레이저 유닛(450)은 액이 공급된 기판(M)을 가열할 수 있다. 예컨대, 레이저 유닛(450)은 액 공급 유닛(440)에 의해 기판(M) 상에 액이 공급된 이후, 액막이 형성된 기판(M)에 광을 조사하여 기판(M)의 특정 영역을 가열할 수 있다. 예컨대, 레이저 유닛(450)은 기판(M)의 특정 영역에 형성된 제2패턴(P2)으로 광을 조사할 수 있다. 예컨대, 레이저 유닛(450)이 기판(M)에 조사하는 광은 레이저일 수 있다. 레이저가 조사된 기판(M)의 특정 영역의 온도는 상승할 수 있다. 이에, 레이저가 조사된 영역의 제2패턴(P2)에 대한 액에 의한 식각 정도는 커질 수 있다. 또한, 레이저 유닛(450)은 기판(M)에 조사되는 레이저의 이미지를 획득할 수 있다. 예컨대, 레이저 유닛(450)은 기판(M)에 레이저가 조사되는 레이저 조사 영역이 포함된 기판(M)의 이미지를 획득할 수 있다.As shown in FIG. 4 , the laser unit 450 is located in the inner space 412 . The laser unit 450 heats the substrate M. The laser unit 450 may heat the substrate M to which the liquid is supplied. For example, after the liquid is supplied on the substrate M by the liquid supply unit 440, the laser unit 450 may heat a specific region of the substrate M by irradiating light to the substrate M on which the liquid film is formed. there is. For example, the laser unit 450 may irradiate light to the second pattern P2 formed on a specific region of the substrate M. For example, the light irradiated to the substrate M by the laser unit 450 may be a laser. The temperature of a specific region of the substrate M irradiated with the laser may increase. Thus, the etching degree of the second pattern P2 of the region irradiated with the laser by the liquid may be increased. Also, the laser unit 450 may obtain an image of the laser irradiated onto the substrate M. For example, the laser unit 450 may obtain an image of the substrate M including a laser irradiation area where the laser is irradiated on the substrate M.

레이저 유닛(450)은 하우징(460), 이동 부재(470), 헤드 렌즈(480), 조사 부재(500), 하부 반사판(600), 촬상 부재(700), 조명 부재(800), 그리고 상부 반사 부재(900)를 포함할 수 있다.The laser unit 450 includes a housing 460, a moving member 470, a head lens 480, an irradiation member 500, a lower reflector 600, an imaging member 700, a lighting member 800, and an upper reflector. A member 900 may be included.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 하우징(460)은 내부에 설치 공간을 제공한다. 하우징(460)의 설치 공간은 외부로부터 밀폐된 환경을 제공할 수 있다. 하우징(460)의 설치 공간에는 헤드 렌즈(480)의 일 부분, 조사 부재(500), 촬상 부재(700), 그리고 조명 부재(800)가 위치할 수 있다. 하우징(460)의 설치 공간에 위치한 조사 부재(500), 촬상 부재(700), 그리고 조명 부재(800)는 공정 과정 중에 발생되는 불순물(Byproduct) 또는 비산되는 액으로부터 보호된다. 하우징(460)에 의해 헤드 렌즈(480), 조사 부재(500), 촬상 부재(700), 그리고 조명 부재(800)는 각각 모듈화 되어 제공될 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7 , the housing 460 provides an installation space therein. The installation space of the housing 460 may provide a sealed environment from the outside. A part of the head lens 480, the irradiation member 500, the imaging member 700, and the lighting member 800 may be positioned in the installation space of the housing 460. The irradiation member 500, the imaging member 700, and the lighting member 800 located in the installation space of the housing 460 are protected from byproducts generated during the process or splashed liquid. The head lens 480, the irradiation member 500, the imaging member 700, and the lighting member 800 may be modularized and provided by the housing 460, respectively.

하우징(460)의 하부에는 개구가 형성될 수 있다. 하우징(460)의 개구에는 후술하는 헤드 렌즈(480)가 삽입될 수 있다. 하우징(460)의 개구에 헤드 렌즈(480)가 삽입됨으로써, 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 하우징(460)의 하단으로부터 헤드 렌즈(480)의 하단부가 돌출되게 위치할 수 있다.An opening may be formed in a lower portion of the housing 460 . A head lens 480 to be described below may be inserted into the opening of the housing 460 . By inserting the head lens 480 into the opening of the housing 460, the lower end of the head lens 480 may protrude from the lower end of the housing 460, as shown in FIGS. 4 and 6 .

도 4 및 도 5를 참조하면, 이동 부재(470)는 하우징(460)과 결합한다. 이동 부재(470)는 하우징(460)을 이동시킨다. 이동 부재(470)가 하우징(460)을 이동시킴으로써, 하우징(460)에 삽입된 헤드 렌즈(480)를 이동시킬 수 있다. 이동 부재(470)는 구동기(472)와 샤프트(474)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5 , the moving member 470 is coupled to the housing 460 . The moving member 470 moves the housing 460 . When the housing 460 is moved by the moving member 470, the head lens 480 inserted into the housing 460 may be moved. The moving member 470 may include an actuator 472 and a shaft 474 .

구동기(472)는 모터일 수 있다. 구동기(472)는 샤프트(474)와 연결될 수 있다. 구동기(472)는 샤프트(474)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 구동기(472)는 샤프트(474)를 회전시킬 수 있다. 비록 도시되지 않았으나, 일 실시예에 따른 구동기(472)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 구동기 중 어느 하나는 샤프트(474)를 회전시키는 회전 모터로 제공되고, 복수의 구동기 중 다른 하나는 샤프트(474)를 상하 방향으로 이동시키는 리니어 모터로 제공될 수 있다.The actuator 472 may be a motor. The driver 472 may be connected to the shaft 474 . The actuator 472 may move the shaft 474 in a vertical direction. Also, the actuator 472 may rotate the shaft 474 . Although not shown, a plurality of actuators 472 according to an embodiment may be provided. One of the plurality of actuators may be provided as a rotary motor for rotating the shaft 474, and the other of the plurality of actuators may be provided as a linear motor for moving the shaft 474 in the vertical direction.

샤프트(474)는 하우징(460)과 결합된다. 샤프트(474)가 구동기(472)에 의해 회전함에 따라 하우징(460)도 회전된다. 이에, 후술하는 헤드 렌즈(480)도 수평면 상에서 위치가 변경될 수 있다. 또한, 샤프트(474)가 구동기(472)에 의해 상하 방향으로 이동됨에 따라 하우징(460)도 상하 방향으로 이동된다. 이에, 후술하는 헤드 렌즈(480)도 수평면 상에서 그 높이가 변경될 수 있다.Shaft 474 is coupled with housing 460 . As the shaft 474 is rotated by the actuator 472, the housing 460 is also rotated. Accordingly, the position of the head lens 480 to be described later may also be changed on the horizontal plane. In addition, as the shaft 474 is moved in the vertical direction by the actuator 472, the housing 460 is also moved in the vertical direction. Accordingly, the height of the head lens 480 to be described later may also be changed on a horizontal plane.

헤드 렌즈(480)는 대물 렌즈와 경통으로 구성될 수 있다. 후술하는 조사 부재(500)로부터 조사되는 레이저는 헤드 렌즈(480)를 통해 기판(M)으로 조사될 수 있다. 구체적으로, 헤드 렌즈(480)는 조사 부재(500)로부터 레이저를 전달받아 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 전달받은 레이저를 조사할 수 있다. 또한, 후술하는 촬상 부재(700)로부터 조사되는 촬상 광은 헤드 렌즈(480)를 통해 기판(M)으로 조사될 수 있다. 구체적으로, 헤드 렌즈(480)는 촬상 부재(700)로부터 촬상 광을 전달받고, 이를 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 조사할 수 있다. 또한, 후술하는 조명 부재(800)가 제공하는 조명은 헤드 렌즈(480)를 통해 기판(M)으로 전달될 수 있다.The head lens 480 may include an objective lens and a lens barrel. A laser irradiated from an irradiation member 500 described below may be irradiated onto the substrate M through the head lens 480 . Specifically, the head lens 480 may receive laser from the irradiation member 500 and radiate the received laser to the substrate M supported by the support unit 420 . In addition, imaging light irradiated from an imaging member 700 to be described later may be irradiated onto the substrate M through the head lens 480 . Specifically, the head lens 480 may receive imaging light from the imaging member 700 and radiate it to the substrate M supported by the support unit 420 . In addition, illumination provided by the lighting member 800 described below may be transmitted to the substrate M through the head lens 480 .

상부에서 바라볼 때, 헤드 렌즈(480)의 중심은 호(Arc)를 그리며 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 헤드 렌즈(480)의 중심은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 중심을 지나도록 이동될 수 있다. 헤드 렌즈(480)는 이동 부재(470)에 의해 조사 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.When viewed from above, the center of the head lens 480 may move while drawing an arc. When viewed from above, the center of the head lens 480 may be moved so as to pass the center of the substrate M supported by the support unit 420 . The head lens 480 may be moved between an irradiation position and a standby position by the moving member 470 .

조사 위치란, 기판(M) 상으로 레이저를 조사하여 기판(M)을 가열하는 위치일 수 있다. 일 예에 따르면, 조사 위치는 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M) 상에 형성된 제2패턴(P2)의 상부일 수 있다. 일 예에 따르면, 대기 위치는 처리 용기(430)의 바깥 영역일 수 있다. 또한, 대기 위치에는 도시되지 않은 홈 포트가 제공되고, 홈 포트(미도시)에는 레이저 유닛(450)에 포함되는 구성들에 대한 유지 보수 작업을 수행할 수 있다.The irradiation position may be a position where the substrate M is heated by irradiating a laser onto the substrate M. According to an example, the irradiation position may be an upper portion of the second pattern P2 formed on the substrate M supported by the support unit 420 . According to one example, the waiting location may be an area outside the processing container 430 . In addition, a home port (not shown) is provided at the standby position, and maintenance work on components included in the laser unit 450 can be performed at the home port (not shown).

다시 도 6과 도 7을 참조하면, 조사 부재(500)는 헤드 렌즈(480)에 레이저를 전달할 수 있다. 조사 부재(500)는 발진부(520)와 익스팬더(540)를 포함할 수 있다. 발진부(520)는 레이저를 출사한다. 발진부(520)는 익스팬더(540)를 향해 레이저를 출사할 수 있다. 발진부(520)에서 출사되는 레이저의 출력은 공정 요구 조건에 따라 변경될 수 있다.Referring back to FIGS. 6 and 7 , the irradiation member 500 may deliver a laser beam to the head lens 480 . The irradiation member 500 may include an oscillation unit 520 and an expander 540 . The oscillation unit 520 emits a laser. The oscillator 520 may emit laser toward the expander 540 . The output of the laser emitted from the oscillator 520 may be changed according to process requirements.

발진부(520)에는 틸팅 부재(522)가 설치될 수 있다. 틸팅 부재(522)는 발진부(520)에서 출사하는 레이저의 출사 방향을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 틸팅 부재(522)는 모터로 제공될 수 있다. 틸팅 부재(522)는 일 축을 기준으로 발진부(520)를 회전시킬 수 있다. 틸팅 부재(522)는 발진부(520)를 회전시켜 발진부(520)로부터 출사되는 레이저의 출사 방향을 틸팅시킬 수 있다.A tilting member 522 may be installed in the oscillating unit 520 . The tilting member 522 may change the emission direction of the laser emitted from the oscillation unit 520 . For example, the tilting member 522 may be provided by a motor. The tilting member 522 may rotate the oscillation unit 520 based on one axis. The tilting member 522 may rotate the oscillation unit 520 to tilt the emission direction of the laser emitted from the oscillation unit 520 .

익스팬더(540)는 발진부(520)에서 출사된 레이저를 전달받는다. 익스팬더(540)는 발진부(520)로부터 전달받은 레이저의 프로파일을 변경시킬 수 있다. 프로파일이란, 레이저의 세기, 레이저의 직경, 레이저의 형상, 및/또는 레이저의 초점산포 등의 레이저가 가지는 특성을 의미한다. 일 실시예에 따르면, 익스팬더(540)는 가변 BET(Beam Expander Telescope)로 제공될 수 있다.The expander 540 receives the laser emitted from the oscillation unit 520 . The expander 540 may change the profile of the laser transmitted from the oscillation unit 520 . The profile refers to characteristics of a laser such as intensity of the laser, diameter of the laser, shape of the laser, and/or focal dispersion of the laser. According to one embodiment, the expander 540 may be provided as a variable Beam Expander Telescope (BET).

익스팬더(540)는 복수 개의 렌즈들(542, 544, 546)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 익스팬더(540)는 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)를 포함할 수 있다. 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)는 발진부(520)에서 출사된 레이저의 이동 경로 상에 위치한다. 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)는 발진부(520)로부터 멀어지는 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 발진부(520)에서 출사된 레이저는 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)를 순차적으로 통과할 수 있다. 발진부(520)에서 출사된 레이저는 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)를 통과하는 과정에서 프로파일이 변경될 수 있다.The expander 540 may include a plurality of lenses 542 , 544 , and 546 . According to one embodiment, the expander 540 may include a first lens 542 , a second lens 544 , and a third lens 546 . The first lens 542 , the second lens 544 , and the third lens 546 are located on the movement path of the laser emitted from the oscillator 520 . The first lens 542 , the second lens 544 , and the third lens 546 may be sequentially disposed along a direction away from the oscillator 520 . A laser emitted from the oscillator 520 may sequentially pass through the first lens 542 , the second lens 544 , and the third lens 546 . The profile of the laser emitted from the oscillation unit 520 may be changed while passing through the first lens 542 , the second lens 544 , and the third lens 546 .

일 실시예에 의하면, 제1렌즈(542)와 제2렌즈(544)는 이동 가능하게 제공될 수 있다. 제1렌즈(542)와 제2렌즈(544)는 수평 방향으로 전진 및 후진 이동할 수 있다. 제3렌즈(546)는 그 위치가 고정되게 제공될 수 있다. 제1렌즈(542)와 제2렌즈(544)가 이동되는 경우, 후술하는 하부 반사판(600) 및 상술한 헤드 렌즈(480)로 전달되는 레이저의 직경이 변경될 수 있다. 이에, 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각이 변경될 수 있다. 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각은 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 후술하는 촬상 광의 발산각에 매칭될 수 있다. 이에 대한 상세한 메커니즘은 후술한다.According to one embodiment, the first lens 542 and the second lens 544 may be movably provided. The first lens 542 and the second lens 544 may move forward and backward in a horizontal direction. The position of the third lens 546 may be fixed. When the first lens 542 and the second lens 544 are moved, the diameter of the laser transmitted to the lower reflector 600 described below and the head lens 480 described above may be changed. Accordingly, the divergence angle of the laser emitted from the head lens 480 may be changed. A divergence angle of a laser emitted from the head lens 480 may be matched with a divergence angle of imaging light emitted from the head lens 480 to be described below. A detailed mechanism for this will be described later.

일 실시예에 의하면, 제1렌즈(542)와 제3렌즈(546)는 볼록 렌즈로 제공될 수 있다. 또한, 제2렌즈(544)는 오목 렌즈로 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546) 각각은 오목 렌즈와 볼록 렌즈 중 어느 하나로 제공될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 익스팬더(540)가 제1렌즈(542), 제2렌즈(544), 그리고 제3렌즈(546)를 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 익스팬더(540)는 4 이상의 정수 개의 렌즈를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the first lens 542 and the third lens 546 may be provided as convex lenses. Also, the second lens 544 may be provided as a concave lens. However, the present invention is not limited thereto, and each of the first lens 542, the second lens 544, and the third lens 546 may be provided with either a concave lens or a convex lens. In addition, in the above example, the expander 540 has been described as including the first lens 542, the second lens 544, and the third lens 546 as an example, but is not limited thereto. For example, the expander 540 may include an integer number of 4 or more lenses.

하부 반사판(600)은 발진부(520)에서 출사된 레이저의 이동 경로 상에 위치한다. 일 실시예에 따르면, 하부 반사판(600)은 측면에서 바라볼 때, 발진부(520) 및 익스팬더(540)와 대응되는 높이에 위치할 수 있다. 또한, 하부 반사판(600)은 상부에서 바라볼 때, 헤드 렌즈(480)와 중첩되게 위치할 수 있다.The lower reflector 600 is located on the movement path of the laser emitted from the oscillator 520 . According to one embodiment, when viewed from the side, the lower reflector 600 may be positioned at a height corresponding to that of the oscillator 520 and the expander 540 . In addition, the lower reflector 600 may be positioned to overlap the head lens 480 when viewed from above.

또한, 하부 반사판(600)은 상부에서 바라볼 때, 후술하는 상부 반사판(960)과 중첩되게 위치할 수 있다. 하부 반사판(600)은 상부 반사판(960)보다 하부에 배치될 수 있다. 하부 반사판(600)은 상부 반사판(960)과 같은 각도로 틸팅될 수 있다.Also, when viewed from above, the lower reflector 600 may be positioned to overlap an upper reflector 960 to be described later. The lower reflector 600 may be disposed lower than the upper reflector 960 . The lower reflector 600 may be tilted at the same angle as the upper reflector 960 .

하부 반사판(600)은 익스팬더(540)로부터 레이저를 전달받는다. 하부 반사판(600)은 발진부(520)로부터 출사된 레이저의 이동 경로를 변경시킬 수 있다. 하부 반사판(600)은 수평 방향으로 이동하는 레이저의 이동 경로를 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 하부 반사판(600)에 의해 수직 아래 방향으로 그 이동 경로가 변경된 레이저는 헤드 렌즈(480)에 전달될 수 있다. 예컨대, 발진부(520)로부터 출사된 레이저는 익스팬더(540), 하부 반사판(600), 헤드 렌즈(480)를 순차적으로 거쳐 기판(M) 상에 형성된 제2패턴(P2)으로 조사될 수 있다.The lower reflector 600 receives laser from the expander 540 . The lower reflector 600 may change the movement path of the laser emitted from the oscillation unit 520 . The lower reflector 600 may change a laser moving path moving in a horizontal direction to a vertical downward direction. The laser whose movement path is changed in a vertical downward direction by the lower reflector 600 may be transmitted to the head lens 480 . For example, the laser emitted from the oscillation unit 520 may sequentially pass through the expander 540, the lower reflector 600, and the head lens 480 to be irradiated to the second pattern P2 formed on the substrate M.

촬상 부재(700)는 대상 물체에 조사된 레이저를 촬상하여 이에 대한 이미지를 획득한다. 촬상 부재(700)는 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 조사된 레이저의 이미지를 획득한다. 예컨대, 촬상 부재(700)는 기판(M) 상에 레이저가 조사된 영역을 포함하는 기판(M)의 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 촬상 부재(700)는 홈 포트(미도시)에 조사된 레이저를 촬상하여 이에 대한 이미지를 획득할 수 있다.The imaging member 700 acquires an image of the target object by capturing an image of the laser beam irradiated to the target object. The imaging member 700 acquires an image of the laser irradiated onto the substrate M supported by the support unit 420 . For example, the imaging member 700 may obtain an image of the substrate M including a region on the substrate M to which laser is irradiated. In addition, the imaging member 700 may acquire an image by capturing a laser beam irradiated to a home port (not shown).

촬상 부재(700)는 카메라 모듈로 제공될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 촬상 부재(700)는 초점이 조정되는 카메라 모듈일 수 있다. 또한, 촬상 부재(700)는 가시광선 또는 원적외선을 조사하는 카메라 모듈일 수 있다. 촬상 부재(700)가 획득하는 이미지는 영상 및/또는 사진일 수 있다. 이하에서는 이해의 편의를 위해 촬상 부재(700)가 촬상을 위해 조사하는 가시광선 또는 원적외선을 촬상 광이라 정의한다. 촬상 부재(700)는 촬상 광을 후술하는 상부 반사판(960)을 향해 조사할 수 있다. 상부 반사판(960)에 전달된 촬상 광은 헤드 렌즈(480)로 전달되고, 헤드 렌즈(480)는 기판(M)을 향해 전달받은 촬상 광을 조사할 수 있다.The imaging member 700 may be provided as a camera module. According to an embodiment, the imaging member 700 may be a camera module whose focus is adjusted. Also, the imaging member 700 may be a camera module that emits visible light or far infrared rays. An image obtained by the imaging member 700 may be a video and/or a photograph. Hereinafter, for convenience of understanding, visible light or far infrared rays emitted by the imaging member 700 for imaging are defined as imaging light. The imaging member 700 may radiate imaging light toward an upper reflector 960 to be described later. The imaging light transmitted to the upper reflector 960 is transmitted to the head lens 480, and the head lens 480 may irradiate the transmitted imaging light toward the substrate M.

촬상 부재(700)는 획득한 이미지를 제어기(30)에 전송할 수 있다. 제어기(30)는 이미지를 분석하여 기판(M) 및/또는 홈 포트(미도시)에 조사된 레이저의 프로파일을 모니터링할 수 있다. 도한, 제어기(30)는 이미지를 분석하여 기판(M) 상에 공급된 액막의 형상을 모니터링할 수 있다. 또한, 제어기(30)는 촬상 기판(M)에 조사되는 촬상 광의 초점을 모니터링할 수 있다. 또한, 제어기(30)는 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다.The imaging member 700 may transmit the acquired image to the controller 30 . The controller 30 may monitor the profile of the laser irradiated to the substrate M and/or the home port (not shown) by analyzing the image. Also, the controller 30 may monitor the shape of the liquid film supplied on the substrate M by analyzing the image. Also, the controller 30 may monitor the focus of the imaging light irradiated onto the imaging substrate M. Also, the controller 30 may adjust the focus of the imaging light.

조명 부재(800)는 촬상 부재(700)가 이미지를 용이하게 획득할 수 있도록 조명을 제공한다. 조명 부재(800)가 제공한 조명은 후술하는 제1반사판(920)을 향할 수 있다. 조명 부재(800)가 제공한 조명은 제1반사판(920)과 후술하는 제2반사판(940)을 차례대로 거쳐 후술하는 상부 반사판(960)을 향할 수 있다.The lighting member 800 provides lighting so that the imaging member 700 can easily obtain an image. The light provided by the lighting member 800 may be directed to the first reflector 920 to be described later. Illumination provided by the lighting member 800 may pass through the first reflector 920 and the second reflector 940 to be described later sequentially and be directed to the upper reflector 960 to be described later.

상부 반사 부재(900)는 제1반사판(920), 제2반사판(940), 그리고 상부 반사판(960)을 포함할 수 있다.The upper reflector 900 may include a first reflector 920 , a second reflector 940 and an upper reflector 960 .

제1반사판(920)과 제2반사판(940)은 조명 부재(800)가 제공한 조명의 방향을 변경시킨다. 제1반사판(920)과 제2반사판(940)은 서로 대응되는 높이에 설치될 수 있다. 제1반사판(920)은 조명 부재(800)가 제공한 조명을 제2반사판(940)을 향하는 방향으로 반사할 수 있다. 제2반사판(940)은 제1반사판(920)에서 반사된 조명을 상부 반사판(960)을 향하는 방향으로 재차 반사시킬 수 있다. 상부 반사판(960)으로 전달된 조명은 헤드 렌즈(480)로 전달되고, 헤드 렌즈(480)는 전달받은 조명을 기판(M)을 향하는 방향으로 조사할 수 있다.The first reflector 920 and the second reflector 940 change the direction of the light provided by the lighting member 800 . The first reflector 920 and the second reflector 940 may be installed at heights corresponding to each other. The first reflector 920 may reflect light provided by the lighting member 800 in a direction toward the second reflector 940 . The second reflector 940 may reflect back the light reflected from the first reflector 920 toward the upper reflector 960 . The light transmitted to the upper reflector 960 is transmitted to the head lens 480, and the head lens 480 may radiate the received light in a direction toward the substrate M.

상부 반사판(960)과 하부 반사판(600)은 상부에서 바라볼 때, 중첩되게 배치될 수 있다. 상부 반사판(960)은 하부 반사판(600)보다 상부에 배치될 수 있다. 상부 반사판(960)과 하부 반사판(600)은 같은 각도로 틸팅될 수 있다.When viewed from above, the upper reflector 960 and the lower reflector 600 may be disposed to overlap each other. The upper reflector 960 may be disposed above the lower reflector 600 . The upper reflector 960 and the lower reflector 600 may be tilted at the same angle.

상부 반사판(960)과 하부 반사판(600)은 조사 부재(500)로부터 조사되는 레이저의 조사 방향, 촬상 부재(700)가 제공하는 촬상 광의 조사 방향, 그리고 조명 부재(800)가 제공하는 조명 방향이 서로 동 축을 가지도록 할 수 있다. 이에, 레이저는 조사 부재(500)로부터 헤드 렌즈(480)로 전달되고, 촬상 광은 촬상 부재(700)로부터 헤드 렌즈(480)로 전달되고, 조명은 조명 부재(800)로부터 헤드 렌즈(480)로 전달될 수 있다. 즉, 레이저, 촬상 광, 그리고 조명은 헤드 렌즈(480)로부터 동 축으로 조사될 수 있다.The upper reflector 960 and the lower reflector 600 are configured according to the irradiation direction of the laser emitted from the irradiation member 500, the irradiation direction of the imaging light provided by the imaging member 700, and the lighting direction provided by the lighting member 800. They can be coaxial with each other. Accordingly, the laser is transmitted from the irradiation member 500 to the head lens 480, the imaging light is transmitted from the imaging member 700 to the head lens 480, and the illumination is transmitted from the lighting member 800 to the head lens 480. can be forwarded to That is, the laser, imaging light, and illumination may be radiated coaxially from the head lens 480 .

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 액 처리 챔버(400)에서 수행될 수 있다. 또한, 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록, 액 처리 챔버(400)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. A substrate processing method described below may be performed in the liquid processing chamber 400 . Also, the controller 30 may control components of the liquid processing chamber 400 so that a substrate processing method described below may be performed.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판 반입 단계(S10), 식각 단계(S20), 그리고 기판 반출 단계(S30)를 포함할 수 있다. 기판 반입 단계(S10), 식각 단계(S20), 그리고 기판 반출 단계(S30)는 시간의 순서에 따라 순차적으로 수행된다.8 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a substrate loading step ( S10 ), an etching step ( S20 ), and a substrate unloading step ( S30 ). The substrate loading step (S10), the etching step (S20), and the substrate unloading step (S30) are sequentially performed in chronological order.

기판 반입 단계(S10)에서는 기판(M)을 하우징(410)의 내부 공간(412)으로 반입한다. 예컨대, 기판 반입 단계(S10)에서 하우징(410)에 형성된 반출입구(미도시)는 도어(미도시)에 의해 개방될 수 있다. 기판(M)은 개방된 반출입구(미도시)를 통해 하우징(410)의 내부 공간(412)으로 반입될 수 있다. 기판 반입 단계(S10)에서는 도 2에 도시된 반송 로봇(320)이 지지 유닛(420)에 기판(M)을 안착시킬 수 있다. 반송 로봇(320)이 지지 유닛(420)에 기판(M)을 안착시키기 이전에, 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 아래 방향으로 이동시킬 수 있다. 지지 유닛(420)에 기판(M)이 안착되면, 도 4에 도시된 레이저 유닛(450)이 공정 위치로 이동할 수 있다.In the substrate loading step ( S10 ), the substrate M is loaded into the inner space 412 of the housing 410 . For example, in the substrate loading step ( S10 ), a carrying inlet (not shown) formed in the housing 410 may be opened by a door (not shown). The substrate M may be carried into the inner space 412 of the housing 410 through an open carry-out port (not shown). In the substrate loading step ( S10 ), the transfer robot 320 shown in FIG. 2 may seat the substrate M on the support unit 420 . Before the transfer robot 320 places the substrate M on the support unit 420, the elevating member 436 may move the processing container 430 downward. When the substrate M is seated on the support unit 420, the laser unit 450 shown in FIG. 4 may move to a process position.

식각 단계(S20)는 기판(M) 상에 형성된 패턴에 대한 식각 공정을 수행한다. 일 실시예에 따르면, 식각 단계(S20)에서는 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 선폭의 차이를 보정하는 선폭 보정 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 식각 단계(S20)에서는 제1패턴(P1)의 선폭과 제2패턴(P2)의 선폭이 서로 일치되도록 기판(M) 상에 형성된 제2패턴(P2)에 대한 식각을 수행할 수 있다. 식각 단계(S20)는 액 처리 단계(S22), 가열 단계(S24), 그리고 린스 단계(S26)를 포함할 수 있다. 액 처리 단계(S22), 가열 단계(S24), 그리고 린스 단계(S26)는 순차적으로 수행될 수 있다.Etching step (S20) performs an etching process for the pattern formed on the substrate (M). According to an embodiment, in the etching step ( S20 ), a line width correction process of correcting a difference in line width between the first pattern P1 and the second pattern P2 may be performed. For example, in the etching step S20, the second pattern P2 formed on the substrate M may be etched so that the line width of the first pattern P1 and the line width of the second pattern P2 match each other. . The etching step ( S20 ) may include a liquid treatment step ( S22 ), a heating step ( S24 ), and a rinsing step ( S26 ). The liquid treatment step (S22), the heating step (S24), and the rinsing step (S26) may be sequentially performed.

도 9는 도 8의 일 실시예에 따른 액 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 액 처리 단계(S22)에서는 레이저 유닛(450)이 대기 위치에 위치하고, 액 공급 유닛(440)이 공정 위치에 위치할 수 있다.FIG. 9 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a liquid processing step according to an exemplary embodiment of FIG. 8 . Referring to FIG. 9 , in the liquid processing step ( S22 ), the laser unit 450 may be located at a standby position and the liquid supply unit 440 may be located at a process position.

액 처리 단계(S22)에서는 액 공급 유닛(440)이 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(440)이 공급하는 처리액은 애천트(Etchant)인 케미칼(C)일 수 있다. 액 처리 단계(S22)에서 기판(M) 상에 공급되는 케미칼(C)은 기판(M) 상에 공급된 케미칼(C)이 퍼들(Puddle)을 형성할 수 있을 양으로 공급될 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S22)에서 공급되는 케미칼(C)은 기판(M)의 상면 전체를 덮되, 케미칼(C)이 기판(M)으로부터 흘러내리지 않거나, 또는 흘러내리더라도 그 양이 크지 않을 정도로 공급될 수 있다. 필요에 따라서, 노즐(441)이 그 위치를 변경하면서 기판(M)의 상면 전체에 케미칼(C)을 공급할 수 있다.In the liquid processing step ( S22 ), the liquid supply unit 440 may supply the processing liquid to the substrate M. The treatment liquid supplied by the liquid supply unit 440 may be chemical (C) as an etchant. In the liquid processing step S22 , the chemical C supplied on the substrate M may be supplied in an amount capable of forming a puddle. For example, the chemical (C) supplied in the liquid treatment step (S22) covers the entire upper surface of the substrate (M), but the chemical (C) does not flow down from the substrate (M), or even if it flows down, the amount is not large. can be supplied. If necessary, the nozzle 441 may supply the chemical (C) to the entire upper surface of the substrate (M) while changing its position.

도 10은 도 8의 일 실시예에 따른 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 가열 단계(S24)에서는 액 공급 유닛(440)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동하고, 레이저 유닛(450)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동할 수 있다.FIG. 10 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a heating step according to an exemplary embodiment of FIG. 8 . Referring to FIG. 10 , in the heating step (S24), the liquid supply unit 440 may move from the process position to the standby position, and the laser unit 450 may move from the standby position to the process position.

가열 단계(S24)는 기판(M)으로 레이저(L)를 조사하여 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 단계(S24)에서는 조사 부재(500)가 액막(CC)이 형성된 기판(M)으로 레이저(L)를 조사하여 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 단계(S24)에서는 기판(M)의 특정 영역으로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저(L)가 조사된 특정 영역의 온도는 상승할 수 있다. 예컨대, 가열 단계(S24)에서는 기판(M) 상에 형성된 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제2패턴(P2)에 레이저(L)를 조사할 수 있다.In the heating step (S24), the substrate (M) may be heated by irradiating the laser (L) to the substrate (M). In the heating step ( S24 ), the irradiation member 500 may heat the substrate M by irradiating the laser beam L to the substrate M on which the liquid film CC is formed. In the heating step (S24), the laser (L) may be irradiated to a specific area of the substrate (M). The temperature of a specific region irradiated with the laser L may increase. For example, in the heating step (S24), the laser (L) may be irradiated to the second pattern (P2) of the first pattern (P1) and the second pattern (P2) formed on the substrate (M).

제2패턴(P2)에 레이저(L)를 조사함으로써, 제2패턴(P2)이 형성된 영역의 온도는 상승하고, 케미칼(C)에 의한 제2패턴(P2)의 식각률은 증가할 수 있다. 이에 따라, 제1패턴(P1)의 선폭은 제1폭(예컨대, 69nm)에서 목표 선폭(예컨대, 70nm)으로 변화될 수 있다. 또한, 제2패턴(P2)의 선폭은 제2폭(예컨대, 68.5nm)에서 목표 선폭(예컨대, 70nm)으로 변화될 수 있다. 즉, 가열 단계(S24)에서는 기판(M)의 일부 영역에 대한 식각 능력을 향상시켜, 기판(M) 상에 형성된 패턴의 선폭 편차를 최소화할 수 있다.By irradiating the second pattern P2 with the laser L, the temperature of the region where the second pattern P2 is formed may increase, and the etching rate of the second pattern P2 by the chemical C may increase. Accordingly, the line width of the first pattern P1 may be changed from the first width (eg, 69 nm) to a target line width (eg, 70 nm). Also, the line width of the second pattern P2 may be changed from the second width (eg, 68.5 nm) to a target line width (eg, 70 nm). That is, in the heating step (S24), the line width deviation of the pattern formed on the substrate (M) can be minimized by improving the etching ability of the partial region of the substrate (M).

도 11은 도 8의 일 실시예에 따른 린스 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 린스 단계(S26)에서는 액 공급 유닛(440)이 다시 대기 위치에서 공정 위치로 이동하고, 레이저 유닛(450)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동할 수 있다.FIG. 11 is a schematic view of a substrate processing apparatus performing a rinsing step according to the exemplary embodiment of FIG. 8 . Referring to FIG. 11 , in the rinsing step ( S26 ), the liquid supply unit 440 may move from the standby position to the process position again, and the laser unit 450 may move from the process position to the standby position.

린스 단계(S26)는 액 처리 단계(S22) 및 가열 단계(S24)에서 발생된 불순물(Byproduct)을 기판(M)으로부터 제거한다. 린스 단계(S26)에서 액 공급 유닛(440)은 회전하는 기판(M)으로 린스액(R)을 공급할 수 있다. 린스 단계(S26)에서는 기판(M)에 린스액(R)을 공급하여 기판(M) 상에 부착된 불순물을 제거할 수 있다. 또한, 필요에 따라 기판(M) 상에 잔류하는 린스액(R)을 건조시키기 위해, 지지 유닛(420)은 기판(M)을 고속으로 회전시켜 기판(M) 상에 잔류하는 린스액(R)을 제거할 수 있다.The rinsing step (S26) removes impurities (Byproduct) generated in the liquid processing step (S22) and the heating step (S24) from the substrate (M). In the rinsing step (S26), the liquid supply unit 440 may supply the rinsing liquid R to the rotating substrate M. In the rinsing step (S26), impurities attached to the substrate M may be removed by supplying the rinsing liquid R to the substrate M. In addition, in order to dry the rinsing liquid R remaining on the substrate M as needed, the support unit 420 rotates the substrate M at high speed to dry the rinsing liquid R remaining on the substrate M. ) can be removed.

도 12는 도 8의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 수행하는 동안 일 실시예에 따른 초점 조정 단계와 초점 매칭 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 초점 조정 단계(S40)와 초점 매칭 단계(S50)를 포함할 수 있다. 초점 조정 단계(S40)에서는 기판(M)을 촬상할 수 있다. 초점 조정 단계(S40)에서는 기판(M)에 형성된 패턴들을 포함하는 영역을 촬상하고, 이에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 초점 조정 단계(S40)에서는 기판(M)의 상면에 대한 촬상 광의 초점을 조정할 수 있다. 예컨대, 기판(M)의 상면에 액막이 형성된 경우, 초점 조정 단계(S40)에서는 기판(M)의 상면과 액막 중 기판의 상면에 대해 초점을 조정할 수 있다.FIG. 12 is a view schematically showing a section in which a focus adjusting step and a focus matching step according to an embodiment are performed while performing the substrate processing method according to the embodiment of FIG. 8 . Referring to FIG. 12 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a focus adjusting step ( S40 ) and a focus matching step ( S50 ). In the focus adjustment step (S40), the substrate M may be imaged. In the focus adjustment step (S40), an image of a region including patterns formed on the substrate M may be captured and an image thereof may be acquired. Also, in the focus adjustment step ( S40 ), the focus of the imaging light on the upper surface of the substrate M may be adjusted. For example, when a liquid film is formed on the upper surface of the substrate M, in the focus adjustment step (S40), the focus may be adjusted with respect to the upper surface of the substrate M and the upper surface of the liquid film.

초점 조정 단계(S40)는 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법 중 기판 반입 단계(S10), 가열 단계(S24), 그리고 기판 반출 단계(S30)가 수행되는 구간에서 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판 반입 단계(S10)의 제1시점(T1)에서 기판(M)이 지지 유닛(420)에 안착되는 경우, 초점 조정 단계(S40)는 제1시점(T1)부터 액 처리 단계(S22)가 수행되기 이전까지 수행될 수 있다. 또한, 초점 조정 단계(S40)는 가열 단계(S24)를 수행하는 전 구간에서 수행될 수 있다. 또한, 기판 반출 단계(S30)의 제2시점(T2)에서 기판(M)이 지지 유닛(420)으로부터 이격된 경우, 초점 조정 단계(S40)는 린스 단계(S26)가 완료된 이후 제2시점(T2)까지 수행될 수 있다.As shown in FIG. 12, in the focus adjustment step (S40), the substrate loading step (S10), the heating step (S24), and the substrate unloading step (S30) of the substrate processing method according to an embodiment of the present invention are performed. It can be done in intervals. According to an embodiment, when the substrate M is seated on the support unit 420 at the first time point T1 of the substrate loading step S10, the focus adjustment step S40 starts from the first time point T1. It may be performed before the processing step (S22) is performed. In addition, the focus adjustment step (S40) may be performed in all sections during which the heating step (S24) is performed. In addition, when the substrate M is separated from the support unit 420 at the second time point T2 of the substrate unloading step S30, the focus adjustment step S40 is performed at the second time point after the rinsing step S26 is completed ( T2) can be performed.

다만, 상술한 바와 달리 초점 조정 단계(S40)는 액 처리 단계(S22)와 린스 단계(S26)에서도 수행될 수 있다. 예컨대, 초점 조정 단계(S40)에서는 도 4 및 도 5에 도시된 액 공급 유닛(440)을 간섭하는 않는 범위 내에서 레이저 유닛(450)이 이동하여 기판(M)을 촬상하고, 기판(M)에 대한 초점을 조정할 수도 있다.However, unlike the above, the focus adjustment step (S40) may also be performed in the liquid treatment step (S22) and the rinsing step (S26). For example, in the focus adjustment step (S40), the laser unit 450 is moved to image the substrate M within a range that does not interfere with the liquid supply unit 440 shown in FIGS. 4 and 5, and the substrate M You can also adjust the focus on

초점 매칭 단계(S50)는 도 4 내지 도 7에 도시된 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각을 촬상 광의 발산각과 매칭시킬 수 있다. 초점 매칭 단계(S50)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법 중 가열 단계(S24)를 수행하는 동안 수행될 수 있다. 초점 매칭 단계(S50)에 대한 상세한 메커니즘은 후술한다.In the focus matching step ( S50 ), the divergence angle of the laser emitted from the head lens 480 shown in FIGS. 4 to 7 may be matched with the divergence angle of the imaging light. The focus matching step (S50) may be performed while performing the heating step (S24) of the substrate processing method according to an embodiment of the present invention. A detailed mechanism for the focus matching step (S50) will be described later.

도 13 내지 도 15는 도 12의 일 실시예에 따른 초점 조정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 일부 확대도이다. 이하에서는, 도 13 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 초점 조정 단계에 대해 상세히 설명한다.13 to 15 are partially enlarged views of a substrate processing apparatus performing a focus adjustment step according to an embodiment of FIG. 12 . Hereinafter, a focus adjustment step according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 15 .

이하에서, 도 13에 도시된 기판(M)은 도 9를 참조하여 설명한 액 처리 단계(S22)가 수행되기 이전의 기판(M)이고, 도 14에 도시된 기판(M)은 도 10을 참조하여 설명한 가열 단계(S24)에서의 특정 시점의 기판(M)이고, 도 15는 도 14의 특정 시점으로부터 일 실시예에 따른 초점 조정 단계(S40)를 수행한 직후의 기판(M)이라 정의한다.Hereinafter, the substrate M shown in FIG. 13 is the substrate M before the liquid processing step (S22) described with reference to FIG. 9 is performed, and the substrate M shown in FIG. 14 is shown in FIG. 10. It is the substrate M at a specific time in the heating step (S24) described above, and FIG. 15 is defined as the substrate M immediately after performing the focus adjustment step (S40) according to an embodiment from the specific time in FIG. .

다만, 이는 이해의 편의를 위해 정의된 것일 뿐이고, 상술한 바와 같이, 초점 조정 단계(S40) 및 기판(M)에 대한 촬상은 기판 반입 단계(S10), 가열 단계(S24), 그리고 기판 반출 단계(S30)에서 계속적으로 수행될 수 있다. 선택적으로, 초점 조정 단계(S40) 및 기판(M)에 대한 촬상은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 수행하는 전 구간에서 수행될 수 있다.However, this is only defined for convenience of understanding, and as described above, the focus adjustment step (S40) and the imaging of the substrate M are the substrate loading step (S10), the heating step (S24), and the substrate unloading step It may be performed continuously in (S30). Optionally, the focus adjustment step (S40) and imaging of the substrate (M) may be performed in all sections of performing the substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 기판(M)이 지지 유닛(420)에 안착된 이후, 그리고 액 처리 단계(S22)를 수행하기 이전에 헤드 렌즈(480)는 대기 위치에서 공정 위치로 이동할 수 있다. 전 처리가 완료된 기판(M)의 상태를 파악하기 위해, 헤드 렌즈(480)는 기판(M)을 향해 촬상 광(LL)을 조사하고, 도 6에 도시된 촬상 부재(700)는 기판(M)에 대한 이미지를 획득할 수 있다.Referring to FIG. 13 , after the substrate M is seated on the support unit 420 and before performing the liquid processing step ( S22 ), the head lens 480 may move from a standby position to a process position. In order to determine the state of the substrate M after the preprocessing, the head lens 480 irradiates the imaging light LL toward the substrate M, and the imaging member 700 shown in FIG. ) can be obtained.

헤드 렌즈(480)는 상부에서 바라볼 때, 도 3에 도시된 제2패턴(P2)이 형성된 영역과 중첩되는 위치에 위치할 수 있다. 이와 달리, 헤드 렌즈(480)는 기판(M)의 상면 전 영역을 이동하면서 촬상 광(LL)을 조사하고, 이로부터 기판(M)의 전 영역에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 획득된 이미지로부터 전 처리가 완료된 기판(M)의 상태를 모니터링할 수 있다.When viewed from above, the head lens 480 may be located at a position overlapping the region where the second pattern P2 shown in FIG. 3 is formed. Unlike this, the head lens 480 may irradiate the imaging light LL while moving the entire upper surface area of the substrate M, and acquire images of the entire area of the substrate M from this. The state of the pre-processed substrate M can be monitored from the obtained image.

일 실시예에 따르면, 촬상 광(LL)의 발산각(θ)은 제어기(30)에 저장된 값일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제어기(30)에 저장된 촬상 광(LL)의 발산각(θ)은 고정된 값일 수 있다. 즉, 헤드 렌즈(480)로부터 기판(M)으로 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각(θ)은 변경되지 않을 수 있다. 예컨대, 헤드 렌즈(480)로부터 기판(M)으로 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각(θ)은 기판 처리 방법을 수행하는 전 단계에서 고정된 값을 가질 수 있다.According to an embodiment, the divergence angle θ of the imaging light LL may be a value stored in the controller 30 . According to an embodiment, the divergence angle θ of the imaging light LL stored in the controller 30 may be a fixed value. That is, the divergence angle θ of the imaging light LL irradiated from the head lens 480 to the substrate M may not change. For example, the divergence angle θ of the imaging light LL irradiated from the head lens 480 to the substrate M may have a fixed value in all steps of performing the substrate processing method.

일 실시예에 따르면, 헤드 렌즈(480)의 저면은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 상면으로부터 제1높이(H1)에 위치할 수 있다. 헤드 렌즈(480)가 대기 위치에서 도시되지 않은 홈 포트(미도시)의 상부에 위치할 때, 제1높이(H1)에 대한 값이 세팅될 수 있다. 예컨대, 도 13의 촬상 광(LL)이 조사되는 A1 부분의 확대도와 같이, 제1높이(H1)는 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각(θ)이 고정된 상태에서, 기판(M)의 상면에 대해 촬상 광(LL)의 초점이 조정되는 높이일 수 있다. 이에, 도 6에 도시된 촬상 부재(700)는 초점이 조정된 기판(M)의 상면에 대한 선명한 이미지를 획득할 수 있다. 이에, 제어기(30)는 기판(M)의 상면에 형성된 패턴들에 대한 전 처리 상태를 효율적으로 모니터링할 수 있다.According to one embodiment, the bottom surface of the head lens 480 may be located at a first height H1 from the top surface of the substrate M supported by the support unit 420 . When the head lens 480 is positioned above a home port (not shown) in a standby position, a value for the first height H1 may be set. For example, as shown in the enlarged view of the portion A1 to which the imaging light LL is irradiated in FIG. , may be a height at which the focus of the imaging light LL is adjusted with respect to the upper surface of the substrate M. Accordingly, the imaging member 700 illustrated in FIG. 6 may acquire a clear image of the upper surface of the substrate M whose focus is adjusted. Thus, the controller 30 can efficiently monitor the pre-processing state of the patterns formed on the upper surface of the substrate M.

도 14를 참조하면, 도 10을 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 가열 단계(S24)가 수행되는 특정 시점의 기판(M)의 상면에는 액막(CC)이 형성될 수 있다. 즉, 정의된 바와 같이, 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)은 도 9를 참조하여 설명한 액 처리 단계(S22)가 완료된 이후의 기판(M)이므로, 기판(M)의 상면에는 제1두께(D1)를 가지는 액막(CC)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 14 , a liquid film CC may be formed on the upper surface of the substrate M at a specific point in time when the heating step S24 according to the embodiment described with reference to FIG. 10 is performed. That is, as defined, since the substrate M supported by the support unit 420 is the substrate M after the liquid processing step (S22) described with reference to FIG. 9 is completed, the upper surface of the substrate M is A liquid film CC having a thickness D1 of 1 may be formed.

헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)은 처리 공간(431)과 액막(CC)을 통과한다. 즉, 처리 공간(431)과 액막(CC)은 촬상 광(LL)의 이동 경로 중 일부로 제공된다. 기판(M)의 상면에 형성된 액막(CC)은 케미칼로 이루어진 것으로써, 처리 공간(431)과 액막(CC)의 매질은 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 액막(CC)은 처리 공간(431)보다 상대적으로 밀한 매질일 수 있다.The imaging light LL irradiated from the head lens 480 passes through the processing space 431 and the liquid film CC. That is, the processing space 431 and the liquid film CC are provided as part of a moving path of the imaging light LL. Since the liquid film CC formed on the upper surface of the substrate M is made of a chemical, the medium of the processing space 431 and the liquid film CC may be different from each other. For example, the liquid film CC may be a relatively dense medium than the processing space 431 .

도 13에서 설명한 바와 같이, 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성되지 않은 상태에서, 헤드 렌즈(480)의 저면이 기판(M)의 상면으로부터 제1높이(H1)에 위치할 때, 기판(M)의 상면에 대해 고정된 발산각(θ)을 가지는 촬상 광(LL)의 초점이 조정되었다. 이와 달리, 도 14과 같이, 헤드 렌즈(480)의 저면이 기판(M)의 상면으로부터 제1높이(H1)에 위치할 때, 고정된 발산각(θ)을 가지는 촬상 광(LL)은 기판(M)의 상면에 형성된 액막(CC)에 의해 굴절되어 기판(M)의 상면에 대한 초점이 조정되지 않을 수 있다. 기판(M)의 상면에 대한 촬상 광(LL)의 초점이 조정되지 않아 패턴이 형성된 영역을 포함하는 기판(M)의 이미지를 선명하게 획득하기 어렵다.As described in FIG. 13, when the bottom surface of the head lens 480 is located at the first height H1 from the top surface of the substrate M in a state where the liquid film CC is not formed on the substrate M, The focus of the imaging light LL having a fixed divergence angle θ with respect to the upper surface of the substrate M was adjusted. 14, when the lower surface of the head lens 480 is positioned at the first height H1 from the upper surface of the substrate M, the imaging light LL having a fixed divergence angle θ The focus on the upper surface of the substrate (M) may not be adjusted because it is refracted by the liquid film (CC) formed on the upper surface of (M). Since the focus of the imaging light LL on the upper surface of the substrate M is not adjusted, it is difficult to obtain a clear image of the substrate M including the region where the pattern is formed.

이에, 헤드 렌즈(480)는 기판(M)의 상면에 대한 초점이 조정되는 위치로 이동될 수 있다. 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 이동 부재(470)가 하우징(460)을 이동시키고, 하우징(460)에 삽입된 헤드 렌즈(480)가 이동할 수 있다. 예컨대, 헤드 렌즈(480)는 위 또는 아래 방향으로 이동하여 기판(M)의 상면과의 거리를 변경시킬 수 있다.Accordingly, the head lens 480 may be moved to a position where the focus of the upper surface of the substrate M is adjusted. For example, the moving member 470 shown in FIGS. 4 and 5 moves the housing 460 and the head lens 480 inserted into the housing 460 can move. For example, the head lens 480 may move upward or downward to change the distance from the upper surface of the substrate M.

도 14에서 설명한 바와 같이, 촬상 광(LL)의 이동 경로 중 일부로 제공되는 처리 공간(431)과 액막(CC)은 서로 간의 매질의 차이로 인해, 촬상 광(LL)이 처리 공간(431)에서 액막(CC)을 통과하여 기판(M)의 상면으로 조사될 때 굴절된다. 예컨대, 액막(CC)은 처리 공간(431)보다 상대적으로 밀한 매질로 제공되므로, 촬상 광(LL)의 초점이 기판(M)의 상면보다 아래로 위치한다. 이에, 도 15와 같이, 헤드 렌즈(480)의 저면은 기판(M)의 상면으로부터 제2높이(H2)만큼 떨어진 위치로 이동될 수 있다. 제2높이(H2)는 제1높이(H1)보다 상대적으로 큰 값을 가질 수 있다. 즉, 헤드 렌즈(480)의 저면은 기판(M)의 상면에 대한 촬상 광(LL)의 초점이 조정되는 위치로 이동할 수 있다.As described with reference to FIG. 14 , due to a difference in medium between the processing space 431 and the liquid film CC provided as a part of the movement path of the imaging light LL, the imaging light LL moves in the processing space 431. When irradiated to the upper surface of the substrate M through the liquid film CC, it is refracted. For example, since the liquid film CC is provided as a relatively dense medium than the processing space 431, the focus of the imaging light LL is positioned below the upper surface of the substrate M. Accordingly, as shown in FIG. 15 , the lower surface of the head lens 480 may be moved to a position separated from the upper surface of the substrate M by the second height H2. The second height H2 may have a relatively greater value than the first height H1. That is, the lower surface of the head lens 480 may move to a position where the focus of the imaging light LL with respect to the upper surface of the substrate M is adjusted.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 초점 조정 단계(S40)에서는 고정된 발산각(θ)을 가지는 촬상 광(LL)을 기판(M)으로 조사하고, 촬상 광(LL)이 조사되는 헤드 렌즈(480)의 저면과 기판(M)의 상면 사이의 거리를 변경시킴으로써 기판(M)에 대한 촬상 광(LL)의 초점을 조정할 수 있다.According to the above-described embodiment of the present invention, in the focus adjustment step (S40), the imaging light LL having a fixed divergence angle θ is radiated onto the substrate M, and the head to which the imaging light LL is irradiated The focus of the imaging light LL with respect to the substrate M may be adjusted by changing the distance between the bottom surface of the lens 480 and the top surface of the substrate M.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 초점 매칭 단계(S50)는 가열 단계(S24)가 수행되는 동안 수행될 수 있다. 또한, 초점 매칭 단계(S50)는 초점 조정 단계(S40)가 수행되는 동안 수행될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the focus matching step (S50) may be performed while the heating step (S24) is performed. Also, the focus matching step (S50) may be performed while the focus adjusting step (S40) is performed.

초점 매칭 단계(S50)는 도 6에 도시된 발진부(520)에서 출사되어 헤드 렌즈(480)로부터 기판(M)으로 조사되는 레이저의 발산각을 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각(θ)과 일치시킬 수 있다. 예컨대, 초점 매칭 단계(S50)에서는 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각(θ)에 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각을 매칭시킬 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 도 6에 도시된 복수의 렌즈들(542, 544, 546)의 상대적 거리를 조정하여 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각을 변경시켜 촬상 광(LL)의 발산각(θ)에 매칭시킬 수 있다.In the focus matching step (S50), the divergence angle of the laser emitted from the oscillation unit 520 shown in FIG. 6 and irradiated from the head lens 480 to the substrate M is adjusted to match the imaging light LL irradiated from the head lens 480. It can be matched with the divergence angle (θ) of For example, in the focus matching step ( S50 ), the divergence angle of the laser emitted from the head lens 480 may be matched to the divergence angle θ of the imaging light LL emitted from the head lens 480 . For example, the controller 30 adjusts the relative distances of the plurality of lenses 542, 544, and 546 shown in FIG. It can be matched to the divergence angle (θ).

헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)과 레이저의 발산각이 서로 동일하므로, 촬상 광(LL)의 초점을 기판(M)의 상면에 대해 조정하는 경우 레이저의 초점 또한 기판(M)의 상면에 대해 조정될 수 있다.Since the divergence angles of the imaging light LL irradiated from the head lens 480 and the laser are the same, when the focus of the imaging light LL is adjusted with respect to the upper surface of the substrate M, the focus of the laser is also the substrate M. can be adjusted relative to the upper surface of

상술한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 방법을 수행하는 동안 기판(M)에 조사되는 촬상 광(LL)의 초점은 기판(M)의 상면을 기준으로 정확히 조정될 수 있다. 또한, 기판(M)으로 조사되는 레이저의 초점은 촬상 광(LL)의 초점과 매칭되어 촬상 광(LL)의 초점을 조정하는 단일의 메커니즘을 통해 레이저의 초점 또한 기판(M)의 상면을 기준으로 정확히 조정될 수 있다. 이에, 수 nm의 오차도 허용하지 않는 선폭 보정 공정에서, 기판(M)에 형성된 특정 패턴(예컨대, 제2패턴(P2))에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.According to the above-described embodiment of the present invention, while performing the substrate processing method, the focus of the imaging light LL irradiated onto the substrate M can be precisely adjusted based on the upper surface of the substrate M. In addition, the focus of the laser irradiated to the substrate M is matched with the focus of the imaging light LL, and the focus of the laser is also based on the upper surface of the substrate M through a single mechanism for adjusting the focus of the imaging light LL. can be precisely adjusted. Accordingly, in a line width correction process that does not allow an error of several nm, it is possible to precisely etch a specific pattern (eg, the second pattern P2) formed on the substrate M.

또한, 기판(M)의 상면에 액막(CC)이 형성되어 촬상 광(LL)의 초점이 액막(CC)에 의해 굴절되는 경우라도, 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각을 고정한 상태로 헤드 렌즈(480)를 이동시킴으로써, 기판(M)의 상면에 대한 촬상 광(LL)의 초점은 정확히 조정될 수 있다.In addition, even when the liquid film CC is formed on the upper surface of the substrate M and the focus of the imaging light LL is refracted by the liquid film CC, the divergence of the imaging light LL irradiated from the head lens 480 By moving the head lens 480 with the angle fixed, the focus of the imaging light LL on the upper surface of the substrate M can be accurately adjusted.

상술한 가열 단계(S24)를 수행하는 동안 기판(M)에 조사되는 레이저에 의해 액막(CC)이 일부 증발되어 제거될 수 있다. 이에, 기판(M) 상에 형성된 액막(CC)의 두께는 가변한다. 액막(CC)의 두께가 변경되면 처리 공간(431)에서 액막(CC)으로 이동하는 촬상 광(LL)의 굴절률도 변경된다. 액막(CC)의 두께 변화로 인한 촬상 광(LL)의 굴절률 변경에 따라 촬상 광(LL)의 초점을 기판(M)의 상면에 대해 조정함으로써, 촬상 광(LL)과 그 발산각이 매칭된 레이저도 기판(M)의 상면에 대해 그 초점이 조정될 수 있다. 이에, 기판(M) 상에 형성된 액막(CC)의 두께가 변하더라도, 기판(M) 상에 형성된 특정 패턴(예컨대, 제2패턴(P2))에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.During the above-described heating step (S24), the liquid film (CC) may be partially evaporated and removed by the laser irradiated to the substrate (M). Accordingly, the thickness of the liquid film CC formed on the substrate M varies. When the thickness of the liquid film CC is changed, the refractive index of the imaging light LL moving from the processing space 431 to the liquid film CC is also changed. By adjusting the focus of the imaging light LL with respect to the upper surface of the substrate M according to the change in the refractive index of the imaging light LL due to the change in the thickness of the liquid film CC, the imaging light LL and its divergence angle are matched. The focus of the laser may also be adjusted with respect to the upper surface of the substrate (M). Accordingly, even if the thickness of the liquid film CC formed on the substrate M changes, precise etching of a specific pattern formed on the substrate M (eg, the second pattern P2 ) can be performed.

도 16은 도 12의 다른 실시예에 따른 초점 조정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 일부 확대도이다. 도 16에 도시된 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)은 도 14의 특정 시점으로부터 일 실시예에 따른 초점 조정 단계(S40)를 수행한 직후의 기판(M)일 수 있다.16 is a partially enlarged view of a substrate processing apparatus performing a focus adjustment step according to another embodiment of FIG. 12 . The substrate M supported by the support unit 420 shown in FIG. 16 may be the substrate M immediately after performing the focus adjustment step S40 according to an embodiment from a specific point in time in FIG. 14 .

초점 조정 단계(S40)에서 헤드 렌즈(480)는 제1높이(H1)에 고정되어 위치할 수 있다. 초점 조정 단계(S40)에서 헤드 렌즈(480)의 수직 위치는 변경되지 않을 수 있다. 예컨대, 초점 조정 단계(S40)에서 헤드 렌즈(480)는 수평 방향으로 이동할 수 있으나, 수직 방향으로는 이동하지 않을 수 있다.In the focus adjustment step (S40), the head lens 480 may be fixed to the first height H1. In the focus adjustment step ( S40 ), the vertical position of the head lens 480 may not be changed. For example, in the focus adjustment step ( S40 ), the head lens 480 may move in a horizontal direction, but may not move in a vertical direction.

초점 조정 단계(S40)에서 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각은 변경될 수 있다. 즉, 초점 조정 단계(S40)에서는 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각을 기판(M)의 상면을 기준으로 조정할 수 있다.In the focus adjustment step ( S40 ), the divergence angle of the imaging light LL emitted from the head lens 480 may be changed. That is, in the focus adjustment step (S40), the divergence angle of the imaging light LL irradiated from the head lens 480 may be adjusted based on the upper surface of the substrate M.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 초점 조정 단계(S40)에서는 도 13 내지 도 14를 참조하여 설명한 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성되지 않은 상태에서 기판(M)의 상면에 대해 초점이 조정된 촬상 광(LL)의 발산각(θ)보다 상대적으로 작은 발산각(θ’)을 가지도록 제공될 수 있다. 이에, 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성되었을 때, 기판(M)의 상면을 기준으로 촬상 광(LL)의 초점을 조정할 수 있다. 또한, 기판(M) 상에 형성된 액막(CC)의 두께가 변경되더라도, 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 초점을 기판(M)의 상면을 기준으로 조정할 수 있다.As shown in FIG. 15, in the focus adjustment step (S40) according to an embodiment of the present invention, in a state in which the liquid film CC is not formed on the substrate M described with reference to FIGS. It may be provided to have a divergence angle θ′ that is relatively smaller than the divergence angle θ of the imaging light LL whose focus is adjusted with respect to the upper surface of M). Accordingly, when the liquid film CC is formed on the substrate M, the focus of the imaging light LL may be adjusted based on the upper surface of the substrate M. Also, even if the thickness of the liquid film CC formed on the substrate M is changed, the focus of the imaging light LL emitted from the head lens 480 may be adjusted based on the top surface of the substrate M.

초점 매칭 단계(S50)는 도 6에 도시된 발진부(520)에서 출사되어 헤드 렌즈(480)로부터 기판(M)으로 조사되는 레이저의 발산각을 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각과 일치시킬 수 있다. 예컨대, 초점 조정 단계(S40)에서 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성되지 않은 상태에서의 촬상 광(LL)의 발산각(θ)이 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성된 상태에서의 촬상 광(LL)의 발산각(θ’)으로 변경되는 경우, 초점 매칭 단계(S50)에서는 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각이 기판(M) 상에 액막(CC)이 형성된 상태에서의 촬상 광(LL)의 발산각(θ’)과 동일하게 변경될 수 있다.In the focus matching step (S50), the divergence angle of the laser emitted from the oscillation unit 520 shown in FIG. 6 and irradiated from the head lens 480 to the substrate M is adjusted to match the imaging light LL irradiated from the head lens 480. can be matched with the divergence angle of For example, in the focus adjustment step (S40), the divergence angle θ of the imaging light LL in a state in which the liquid film CC is not formed on the substrate M is When the divergence angle θ′ of the imaging light LL in the state is changed, in the focus matching step S50, the divergence angle of the laser irradiated from the head lens 480 is changed to the liquid film CC on the substrate M may be changed to be the same as the divergence angle θ′ of the imaging light LL in the formed state.

기판(M)의 상면에 액막(CC)이 형성되어 촬상 광(LL)의 초점이 액막(CC)에 의해 굴절되는 경우라도, 헤드 렌즈(480)의 높이를 변경시키지 않은 상태에서, 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 촬상 광(LL)의 발산각을 변경시켜 기판(M)의 상면에 대한 촬상 광(LL)의 초점은 정확히 조정될 수 있다. 이후 변경된 촬상 광(LL)의 발산각에 헤드 렌즈(480)로부터 조사되는 레이저의 발산각을 매칭시킴으로써, 기판(M)의 상면을 기준으로 레이저의 초점도 조정될 수 있다. 기판 처리 방법을 수행하는 동안 기판(M)에 조사되는 촬상 광(LL)의 초점과 레이저의 초점이 기판(M)의 상면을 기준으로 정확히 조정될 수 있다. 이에, 기판(M) 상에 형성된 액막(CC)의 두께가 변하더라도, 기판(M) 상에 형성된 특정 패턴(예컨대, 제2패턴(P2))에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.Even when the liquid film CC is formed on the upper surface of the substrate M and the focus of the imaging light LL is refracted by the liquid film CC, in a state where the height of the head lens 480 is not changed, the head lens ( The focus of the imaging light LL on the upper surface of the substrate M can be precisely adjusted by changing the divergence angle of the imaging light LL irradiated from 480 . Thereafter, by matching the divergence angle of the laser emitted from the head lens 480 to the divergence angle of the imaging light LL, the laser focus may be adjusted with respect to the upper surface of the substrate M. During the substrate processing method, the focus of the imaging light LL irradiated onto the substrate M and the focus of the laser may be precisely adjusted based on the upper surface of the substrate M. Accordingly, even if the thickness of the liquid film CC formed on the substrate M changes, precise etching of a specific pattern formed on the substrate M (eg, the second pattern P2 ) can be performed.

액 처리 챔버(400)에서 수행되는 처리 공정이 노광 공정 용 마스크 제작 과정 중 선폭 보정 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 피처리물은 웨이퍼 또는 글라스로 제공될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 공정은 마스크 제작 과정 중 선폭 보정 공정을 제외한 어느 하나의 공정일 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 공정은 노광 공정 외에 세정 공정, 또는 포토 공정 등의 액을 사용하는 다양한 공정을 포함할 수 있다.Although the processing process performed in the liquid processing chamber 400 has been described as an example of performing a line width correction process during the manufacturing process of an exposure mask, it is not limited thereto. For example, an object to be processed in the liquid processing chamber 400 may be provided as a wafer or glass. Also, a process processed in the liquid processing chamber 400 may be any process except for a line width correction process among mask manufacturing processes. Also, a process processed in the liquid processing chamber 400 may include various processes using a liquid, such as a cleaning process or a photo process, in addition to an exposure process.

상술한 본 발명의 실시예에서는 노광 패턴을 모니터링 하는 모니터링 패턴인 제1패턴(P1)과 기판을 처리하는 조건 세팅용 패턴인 제2패턴(P2)을 가지는 기판(M)에서 제2패턴(P2)의 식각률을 향상시키는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이와 달리 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 기능은 상술한 본 발명의 실시예와 상이할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 하나의 패턴만 제공되고, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제공된 하나의 패턴의 식각률을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 포토 마스크 이외의 웨이퍼 또는 글라스 등의 기판에서 특정 영역의 식각률을 향상시킬 때에도 동일하게 적용될 수 있다.In the above-described embodiment of the present invention, the second pattern P2 on the substrate M having the first pattern P1, which is a monitoring pattern for monitoring the exposure pattern, and the second pattern P2, which is a pattern for setting conditions for processing the substrate. ) has been described as an example of improving the etching rate. However, unlike this, the functions of the first pattern P1 and the second pattern P2 may be different from those of the above-described embodiment of the present invention. In addition, according to the embodiment of the present invention, only one pattern of the first pattern P1 and the second pattern P2 is provided, and one of the first pattern P1 and the second pattern P2 is provided It is possible to improve the etching rate of the pattern. In addition, according to an embodiment of the present invention, the same can be applied when the etching rate of a specific region is improved in a substrate such as a wafer or glass other than a photo mask.

또한, 도 2를 참조하여 설명한 처리 모듈(20)은 건조 챔버(미도시)를 더 포함할 수 있다. 건조 챔버(미도시)는 도 2에 도시된 반송 프레임(300)의 측부에 배치될 수 있다. 건조 챔버(미도시)에서는 도 11을 참조하여 설명한 린스 단계(S26)가 완료된 기판(M)을 건조할 수 있다. 예컨대, 건조 챔버(미도시)에서는 기판(M) 상에 잔류하는 린스액(R)을 제거할 수 있다.In addition, the processing module 20 described with reference to FIG. 2 may further include a drying chamber (not shown). A drying chamber (not shown) may be disposed on the side of the transport frame 300 shown in FIG. 2 . In a drying chamber (not shown), the substrate M after the rinsing step (S26) described with reference to FIG. 11 may be dried. For example, in the drying chamber (not shown), the rinsing liquid R remaining on the substrate M may be removed.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

기판 : M
기준 마크 : AK
셀 : CE
노광 패턴 : EP
제1패턴 : P1
제2패턴 : P2
액 처리 챔버 : 400
지지 유닛 : 420
처리 용기 : 430
액 공급 유닛 : 440
레이저 유닛 : 450
헤드 부재 : 480
조사 부재 : 500
발진부 : 520
익스팬더 : 540
하부 반사판 : 600
촬상 부재 : 700
조명 부재 : 800
상부 반사 부재 : 900
촬상 광 : LL
액막 : CCSubstrate: M
Reference mark: AK
Cell: CE
Exposure pattern: EP
1st pattern: P1
2nd pattern: P2
Liquid treatment chamber: 400
Support units: 420
Processing vessel: 430
Liquid supply unit: 440
Laser units: 450
Head member: 480
Absence of investigation: 500
Occurrence part: 520
Expander: 540
Lower reflector: 600
Imaging member: 700
Absence of light: 800
Upper reflective member: 900
Imaging light: LL
Amulet: CC

Claims (20)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판에 액을 공급하고, 상기 액에 공급된 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하고, 상기 기판을 촬상하는 촬상 광을 조사하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 기판의 이미지를 획득하되,
상기 레이저와 상기 촬상 광은 헤드 렌즈를 통해 상기 기판으로 조사되고, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각은 서로 매칭되는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
supplying a liquid to the substrate, irradiating a laser to the substrate supplied to the liquid to heat the substrate, and irradiating an imaging light for capturing an image of the substrate to obtain an image of the substrate including an area to which the laser is irradiated. obtain,
The laser and the imaging light are irradiated to the substrate through a head lens, and the divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light are matched to each other. 제1항에 있어서,
상기 기판에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고, 상기 액막이 형성된 상기 기판에 상기 레이저를 조사하되,
상기 촬상 광의 초점은 상기 기판과 상기 액막 중 상기 기판을 기준으로 조정되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
supplying the liquid to the substrate to form a liquid film, and irradiating the substrate on which the liquid film is formed with the laser;
A substrate processing method in which the focus of the imaging light is adjusted based on the substrate among the substrate and the liquid film. 제2항에 있어서,
상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고,
상기 헤드 렌즈가 이동하여 상기 헤드 렌즈와 상기 기판의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정하는 기판 처리 방법.According to claim 2,
The head lens is movably provided,
The substrate processing method of claim 1 , wherein a focus of the imaging light is adjusted by moving the head lens to change a distance between the head lens and an upper surface of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 촬상 광의 초점은,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 조정되는 기판 처리 방법.According to claim 2,
The focal point of the imaging light is
A substrate processing method adjusted by changing a divergence angle of the imaging light irradiated from the head lens. 제4항에 있어서,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각은 익스팬더에 의해 변경되고,
변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 익스팬더에서 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시키는 기판 처리 방법.According to claim 4,
The divergence angle of the laser irradiated from the head lens is changed by an expander,
A substrate processing method of changing a divergence angle of the laser irradiated from the head lens in the expander to match the divergence angle of the imaging light. 제1항에 있어서,
상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
A direction of the laser irradiated from the head lens to the substrate and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the substrate are coaxial with each other. 복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 마스크에 액을 공급하고, 상기 액이 공급된 상기 마스크에 레이저를 조사하여 상기 마스크를 가열하고, 상기 마스크를 촬상하는 촬상 광을 조사하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 마스크의 이미지를 획득하되,
상기 레이저와 상기 촬상 광은 헤드 렌즈를 통해 상기 기판으로 조사되고, 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각은 서로 매칭되는 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a mask having a plurality of cells,
A liquid is supplied to a mask in which a first pattern is formed in the plurality of cells and a second pattern different from the first pattern is formed outside the region where the cells are formed, and a laser is irradiated to the mask supplied with the liquid to Acquiring an image of the mask including an area where the laser is irradiated by heating the mask and irradiating an imaging light for imaging the mask;
The laser and the imaging light are irradiated to the substrate through a head lens, and the divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light are matched to each other. 제7항에 있어서,
상기 마스크에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고, 상기 액막이 형성된 상기 마스크에 상기 레이저를 조사하되,
상기 촬상 광의 초점은 상기 마스크와 상기 액막 중 상기 마스크를 기준으로 조정되는 기판 처리 방법.According to claim 7,
The liquid is supplied to the mask to form a liquid film, and the laser is irradiated to the mask on which the liquid film is formed,
A substrate processing method in which the focus of the imaging light is adjusted based on the mask among the mask and the liquid film. 제8항에 있어서,
상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고,
상기 헤드 렌즈가 이동하여 상기 헤드 렌즈와 상기 마스크의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정하는 기판 처리 방법.According to claim 8,
The head lens is movably provided,
The substrate processing method of claim 1 , wherein a focus of the imaging light is adjusted by moving the head lens to change a distance between the head lens and the upper surface of the mask. 제8항에 있어서,
상기 촬상 광의 초점은,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 조정되는 기판 처리 방법.According to claim 8,
The focal point of the imaging light is
A substrate processing method adjusted by changing a divergence angle of the imaging light irradiated from the head lens. 제10항에 있어서,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각은 익스팬더에 의해 변경되고,
변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 익스팬더에서 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시키는 기판 처리 방법.According to claim 10,
The divergence angle of the laser irradiated from the head lens is changed by an expander,
A substrate processing method of changing a divergence angle of the laser irradiated from the head lens in the expander to match the divergence angle of the imaging light. 제7항에 있어서,
상기 헤드 렌즈로부터 상기 마스크로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 마스크로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 7,
wherein a direction of the laser irradiated from the head lens to the mask and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the mask are coaxial with each other. 제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저는 상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 조사되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 7 to 12,
The laser is irradiated to the second pattern of the first pattern and the second pattern. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
상기 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛;
헤드 렌즈를 포함하는 레이저 유닛; 및
상기 레이저 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 레이저 유닛은,
상기 헤드 렌즈를 통해 레이저를 조사하여 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 가열하는 조사 부재; 및
상기 헤드 렌즈를 통해 촬상 광을 조사하여 상기 기판을 촬상하여 상기 레이저가 조사되는 영역을 포함하는 상기 기판의 이미지를 획득하는 촬상 부재를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저와 상기 촬상 광의 발산각이 서로 매칭되도록 상기 조사 부재와 상기 촬상 부재를 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a support unit supporting the substrate;
a liquid supply unit supplying liquid to the substrate supported by the support unit;
a laser unit including a head lens; and
Including a controller for controlling the laser unit,
The laser unit,
an irradiation member for heating the substrate supported by the support unit by radiating a laser beam through the head lens; and
An imaging member configured to acquire an image of the substrate including an area to which the laser is irradiated by irradiating an imaging light through the head lens to image the substrate,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the irradiation member and the imaging member such that divergence angles of the laser irradiated from the head lens and the imaging light match each other. 제14항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은 상기 기판에 상기 액을 공급하여 액막을 형성하고,
상기 조사 부재는 상기 액막이 형성된 상기 기판에 상기 레이저를 조사하되,
상기 제어기는,
상기 기판과 상기 액막 중 상기 기판을 기준으로 상기 촬상 광의 초점이 조정되도록 상기 촬상 부재를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 14,
The liquid supply unit supplies the liquid to the substrate to form a liquid film;
The irradiation member irradiates the laser to the substrate on which the liquid film is formed,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the imaging member so that a focus of the imaging light is adjusted based on the substrate among the substrate and the liquid film. 제15항에 있어서,
상기 헤드 렌즈는 이동 가능하게 제공되고,
상기 제어기는,
상기 헤드 렌즈를 이동시켜 상기 헤드 렌즈와 상기 기판의 상면 사이의 거리를 변경시켜 상기 촬상 광의 초점을 조정하는 기판 처리 장치.According to claim 15,
The head lens is movably provided,
The controller,
A substrate processing apparatus for adjusting a focus of the imaging light by moving the head lens to change a distance between the head lens and the upper surface of the substrate. 제15항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 촬상 광의 발산각을 변경시켜 상기 기판에 조사되는 상기 촬상 광의 초점을 조정하는 기판 처리 장치.According to claim 15,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to adjust a focus of the imaging light irradiated to the substrate by changing a divergence angle of the imaging light irradiated from the head lens. 제17항에 있어서,
상기 조사 부재는,
상기 레이저를 출사하는 발진부; 및
복수 개의 렌즈를 포함하는 익스팬더를 포함하고,
상기 제어기는,
변경된 상기 촬상 광의 발산각과 일치되도록 상기 복수의 렌즈 사이의 거리를 변경하여 상기 헤드 렌즈로부터 조사되는 상기 레이저의 발산각을 변경시키는 기판 처리 장치.According to claim 17,
The irradiation member,
an oscillation unit for emitting the laser; and
Including an expander including a plurality of lenses,
The controller,
A substrate processing apparatus that changes a divergence angle of the laser irradiated from the head lens by changing a distance between the plurality of lenses to match the divergence angle of the imaging light. 제14항에 있어서,
상기 레이저 유닛은,
상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 레이저의 방향과 상기 헤드 렌즈로부터 상기 기판으로 조사되는 상기 촬상 광의 방향은 서로 동축을 가지도록 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 14,
The laser unit,
A direction of the laser irradiated from the head lens to the substrate and a direction of the imaging light irradiated from the head lens to the substrate are coaxial with each other. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판에는 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고, 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성되고,
상기 조사 부재는 상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 상기 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
According to any one of claims 14 to 19,
A first pattern is formed in a plurality of cells on the substrate, and a second pattern different from the first pattern is formed outside a region where the cells are formed,
The irradiation member irradiates the laser to the second pattern of the first pattern and the second pattern.

Images