KR20230101679A - Gas supplying unit and apparatus for treating substrate with the unit - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판을 처리하는 장치는 상면이 개방되고, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 하우징의 개방된 상면을 밀폐하는 커버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 가스를 분사하는 노즐 부재를 포함하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은, 제1가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 제1가스를 공급하는 제1가스 공급부; 제2가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2가스 공급부; 및 제3가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 제3가스를 공급하는 제3가스 공급부를 포함하고, 상기 노즐 부재는, 상기 커버에 설치되어 상기 처리 공간의 상측에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제1노즐 부재; 및 상기 하우징의 측벽에 설치되어 상기 처리 공간의 측방에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제2노즐 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate according to an embodiment includes a housing having an open upper surface and a processing space therein; a cover sealing the open upper surface of the housing; a support unit supporting a substrate within the processing space; a gas supply unit including a nozzle member injecting gas into the processing space; and a plasma source generating plasma in the processing space, wherein the gas supply unit includes: a first gas supply unit supplying a first gas to the processing space through a first gas line; a second gas supply unit supplying a second gas different from the first gas to the processing space through a second gas line; and a third gas supply unit for supplying a third gas different from the first gas and the second gas to the processing space through a third gas line, wherein the nozzle member is installed on the cover to control the processing space. a first nozzle member supplying the gas to the processing space from an upper side; and a second nozzle member installed on a sidewall of the housing to supply the gas to the processing space from a side of the processing space.

Description

가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{GAS SUPPLYING UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE UNIT}Gas supply unit and substrate processing apparatus and substrate processing method including the same

본 발명은 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit and an apparatus for processing a substrate including the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온 주입과 같은 다양한 공정이 수행된다. 반도체 제조 공정 중 원자층 증착 공정(Atomic Layer Deposition, 이하 ALD 공정)은, 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 원자층을 증착하는 공정이다. 구체적으로, ALD 공정은 전구체(Precursor)와 반응체(Rectant)를 시분할로 처리 공간에 공급하여 기판의 표면에서 이루어지는 자기 억제 반응(또는 자기 제어 반응)을 이용을 이용하여 기판 상에 얇은 막을 증착하기 위한 방법이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among semiconductor manufacturing processes, an atomic layer deposition process (hereinafter referred to as an ALD process) is a process of depositing an atomic layer on a substrate W using plasma. Specifically, the ALD process deposits a thin film on a substrate by supplying a precursor and a reactant to the processing space in a time-division manner and using a self-inhibition reaction (or self-control reaction) on the surface of the substrate. way for

전구체와 반응체는 서로 반응하여 특정 박막을 형성하는 화학 반응(또는 물리 반응)을 일으키므로, ALD 공정에서는 처리 공간에 전구체와 반응체를 시분할로 공급해야 한다. 서로 다른 가스(예컨대, 전구체와 반응체)를 처리 공간에 공급하기 위해서는 가스를 공급하는 가스 공급 유닛의 구조가 복잡해질 수 있다. 또한, 처리 공간으로 가스를 분사하는 가스 노즐의 내부는 전구체와 반응체가 유동하는 공간이 별도로 확보되어야 한다. 전구체와 반응체를 각각 일정한 시간 간격을 두고 처리 공간에 공급하더라도, 전구체와 반응체가 가스 노즐 내부에 형성된 가스 유로를 공유하는 경우 가스 유로 내부에 잔류하는 전구체와 반응체가 서로 반응할 수 있다. 이 경우, 가스 노즐의 유지 보수 주기가 짧아지고, 가스 노즐 내부의 가스 유로가 막히는 현상이 발생할 수 있다.Since the precursor and reactant react with each other to cause a chemical reaction (or physical reaction) to form a specific thin film, the precursor and reactant must be supplied to the processing space in a time-division manner in the ALD process. In order to supply different gases (eg, precursors and reactants) to the processing space, the structure of a gas supply unit supplying gases may become complicated. In addition, a space in which the precursor and the reactant flow must be separately secured inside the gas nozzle for injecting gas into the processing space. Even if the precursor and the reactant are supplied to the processing space at regular time intervals, when the precursor and reactant share a gas passage formed inside the gas nozzle, the precursor and reactant remaining inside the gas passage may react with each other. In this case, a maintenance cycle of the gas nozzle may be shortened, and a gas passage inside the gas nozzle may be clogged.

본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of uniformly processing a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 처리 공간에 서로 다른 종류의 가스를 효율적으로 공급할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of efficiently supplying different types of gases to a processing space and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 구조적 복잡성을 최소화할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of minimizing structural complexity and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판을 처리하는 장치는 상면이 개방되고, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 하우징의 개방된 상면을 밀폐하는 커버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 가스를 분사하는 노즐 부재를 포함하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은, 제1가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 제1가스를 공급하는 제1가스 공급부; 제2가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2가스 공급부; 및 제3가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 제3가스를 공급하는 제3가스 공급부를 포함하고, 상기 노즐 부재는, 상기 커버에 설치되어 상기 처리 공간의 상측에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제1노즐 부재; 및 상기 하우징의 측벽에 설치되어 상기 처리 공간의 측방에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제2노즐 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate according to an embodiment includes a housing having an open upper surface and a processing space therein; a cover sealing the open upper surface of the housing; a support unit supporting a substrate within the processing space; a gas supply unit including a nozzle member injecting gas into the processing space; and a plasma source generating plasma in the processing space, wherein the gas supply unit includes: a first gas supply unit supplying a first gas to the processing space through a first gas line; a second gas supply unit supplying a second gas different from the first gas to the processing space through a second gas line; and a third gas supply unit for supplying a third gas different from the first gas and the second gas to the processing space through a third gas line, wherein the nozzle member is installed on the cover to control the processing space. a first nozzle member supplying the gas to the processing space from an upper side; and a second nozzle member installed on a sidewall of the housing to supply the gas to the processing space from a side of the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐 부재는, 원통 형상으로 형성되고, 제1부분, 상기 제1부분의 아래에 위치하는 제2부분, 그리고 상기 제2부분의 아래에 위치하는 제3부분을 포함하는 몸체; 및 상기 몸체 내부에서 상기 가스가 유동하는 복수 개의 가스 유로를 포함하고, 상기 유로는, 상기 몸체의 중앙 영역에 형성되어 상기 제1부분의 측부 및 상기 제1부분의 하부(lower portion)에 형성된 제1분사홀과 연결되는 중앙 유로; 및 상기 몸체의 가장자리 영역에 형성되어 상기 제2부분의 측부 및 상기 제2부분의 하부에 형성된 제2분사홀과 연결되는 가장자리 유로를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the first nozzle member is formed in a cylindrical shape, and includes a first part, a second part positioned below the first part, and a third part positioned below the second part. body containing; and a plurality of gas passages through which the gas flows inside the body, wherein the passages are formed in a central region of the body and formed in side portions and lower portions of the first portion. A central flow path connected to the first injection hole; and an edge channel formed on an edge region of the body and connected to a second spray hole formed on a side portion of the second portion and a lower portion of the second portion.

일 실시예에 의하면, 상기 제3가스 라인은 상기 제2가스 라인에 연결되고, 상기 제1가스 라인은 상기 중앙 유로에 연결되고, 상기 제2가스 라인은 상기 가장자리 유로에 연결될 수 있다.According to an embodiment, the third gas line may be connected to the second gas line, the first gas line may be connected to the central flow path, and the second gas line may be connected to the edge flow path.

일 실시예에 의하면, 상기 중앙 유로의 내부에는 상기 중앙 유로의 직경보다 작은 직경을 가지는 튜브 관이 삽입되고, 상기 튜브 관은 상기 제1부분의 하부에 형성된 상기 제1분사홀과 유체 연통할 수 있다.According to one embodiment, a tube tube having a smaller diameter than the diameter of the central channel is inserted into the central channel, and the tube tube may be in fluid communication with the first injection hole formed in the lower portion of the first portion. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스 라인은 상기 튜브 관에 연결되고, 상기 제2가스 라인 및 상기 제3가스 라인 중 어느 하나는 상기 중앙 유로에 연결되고, 상기 제2가스 라인 및 상기 제3가스 라인 중 다른 하나는 상기 가장자리 유로에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the first gas line is connected to the tube pipe, wherein any one of the second gas line and the third gas line is connected to the central flow path, the second gas line and the third gas line Another one of the gas lines may be connected to the edge passage.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐 부재는 복수 개로 구비되고, 복수 개의 상기 제2노즐 부재들은 상기 하우징의 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다.According to one embodiment, the second nozzle member may be provided in plurality, and the plurality of second nozzle members may be spaced apart from each other along a circumferential direction of the housing.

일 실시예에 의하면, 상기 제3가스 라인은 상기 제2가스 라인에 연결되고, 상기 제1가스 라인은 복수 개의 상기 제2노즐 부재들 중 어느 일부와 연결되고, 상기 제2가스 라인은 복수 개의 상기 제2노즐 부재들 중 다른 일부와 연결될 수 있다.According to one embodiment, the third gas line is connected to the second gas line, the first gas line is connected to any part of a plurality of the second nozzle members, the second gas line is a plurality of It may be connected to other parts of the second nozzle members.

일 실시예에 의하면, 상기 복수 개의 제2노즐 부재들은 상기 측벽에 복수의 열로 배치될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of second nozzle members may be disposed in a plurality of rows on the sidewall.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 상기 기판의 표면에 흡착하는 가스이고, 상기 제2가스는 상기 제1가스와 반응하거나, 상기 처리 공간에서 여기되어 상기 기판에 형성된 막을 식각하는 가스이고, 상기 제3가스는 상기 처리 공간의 내부 분위기를 퍼지하거나, 상기 처리 공간에서 상기 제2가스의 여기에 기여하는 가스일 수 있다.According to an embodiment, the first gas is a gas adsorbed on the surface of the substrate, and the second gas is a gas that reacts with the first gas or is excited in the processing space to etch a film formed on the substrate; The third gas may be a gas that purges an internal atmosphere of the processing space or contributes to excitation of the second gas in the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐 부재는, 상기 측벽으로부터 상기 처리 공간을 향하는 방향으로 돌출되고, 정면에서 바라볼 때 상기 커버와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 사이에 위치할 수 있다.According to one embodiment, the second nozzle member may protrude from the sidewall in a direction toward the processing space, and may be positioned between the cover and the substrate supported by the support unit when viewed from the front.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐 부재는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 향하는 방향으로 경사질 수 있다.According to one embodiment, the second nozzle member may be inclined in a direction toward the substrate supported by the support unit.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스 라인 및 상기 제3가스 라인 각각에는 유량을 제어하는 유량 제어기(Flow Rate Controller)가 설치될 수 있다.According to one embodiment, a flow rate controller for controlling the flow rate may be installed in each of the first gas line and the third gas line.

또한, 본 발명은 기판이 처리되는 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 제공한다. 일 실시예에 의한 가스 공급 유닛은 상기 처리 공간으로 상기 가스를 분사하는 노즐 부재; 제1가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 제1가스를 공급하는 제1가스 공급부; 제2가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2가스 공급부; 및 제3가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 제3가스를 공급하는 제3가스 공급부를 포함하되, 상기 노즐 부재는, 제1부분과, 상기 제1부분의 상측에 위치하고 상기 제1부분보다 큰 직경을 가지는 제2부분과, 상기 제2부분의 상측에 위치하고 상기 제2부분보다 큰 직경을 가지는 제3부분을 포함하는 몸체; 및 상기 몸체 내부에서 상기 가스가 유동하는 복수 개의 가스 유로를 포함하고, 상기 유로는, 상기 몸체의 중앙 영역에 형성되어 상기 제1부분의 측부 및 상기 제1부분의 하부(lower portion)에 형성된 제1분사홀과 연결되는 중앙 유로; 및 상기 몸체의 가장자리 영역에 형성되어 상기 제2부분의 측부 및 상기 제2부분의 하부에 형성된 제2분사홀과 연결되는 가장자리 유로를 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides a gas supply unit for supplying gas to a processing space where a substrate is processed. A gas supply unit according to an embodiment includes a nozzle member for injecting the gas into the processing space; a first gas supply unit supplying a first gas to the processing space through a first gas line; a second gas supply unit supplying a second gas different from the first gas to the processing space through a second gas line; and a third gas supply unit supplying a third gas different from the first gas and the second gas to the processing space through a third gas line, wherein the nozzle member includes a first portion and the first portion. A body including a second part located above the first part and having a larger diameter than the first part, and a third part located above the second part and having a larger diameter than the second part; and a plurality of gas passages through which the gas flows inside the body, wherein the passages are formed in a central region of the body and formed in side portions and lower portions of the first portion. A central flow path connected to the first injection hole; and an edge channel formed on an edge region of the body and connected to a second spray hole formed on a side portion of the second portion and a lower portion of the second portion.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 상기 중앙 유로에 공급되고, 상기 제2가스 및 상기 제3가스는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 상기 가장자리 유로에 공급될 수 있다.According to an embodiment, the first gas is supplied to the central passage among the central passage and the edge passage, and the second gas and the third gas are supplied to the edge passage among the central passage and the edge passage. can

일 실시예에 의하면, 상기 중앙 유로의 내부에는 상기 중앙 유로의 직경보다 작은 직경을 가지는 튜브 관이 삽입되고, 상기 튜브 관은 상기 제1부분의 하부에 형성된 상기 제1분사홀과 유체 연통할 수 있다.According to one embodiment, a tube tube having a smaller diameter than the diameter of the central channel is inserted into the central channel, and the tube tube may be in fluid communication with the first injection hole formed in the lower portion of the first portion. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 상기 튜브 관에 공급되고, 상기 제2가스와 상기 제3가스 중 어느 하나는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 어느 하나에 공급되고, 상기 제2가스와 상기 제3가스 중 다른 하나는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 다른 하나에 공급될 수 있다.According to one embodiment, the first gas is supplied to the tube pipe, and any one of the second gas and the third gas is supplied to any one of the central flow path and the edge flow path, and the second gas and Another one of the third gas may be supplied to the other one of the central passage and the edge passage.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스 라인 및 상기 제3가스 라인 각각에는 유량을 제어하는 유량 제어기(Flow Rate Controller)가 설치될 수 있다.According to one embodiment, a flow rate controller for controlling the flow rate may be installed in each of the first gas line and the third gas line.

일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 상기 기판의 표면에 흡착하는 가스이고, 상기 제2가스는 상기 제1가스와 반응하거나, 상기 처리 공간에서 여기되어 상기 기판에 형성된 막을 식각하는 가스이고, 상기 제3가스는 상기 처리 공간의 내부 분위기를 퍼지하거나, 상기 처리 공간에서 상기 제2가스의 여기에 기여하는 가스일 수 있다.According to an embodiment, the first gas is a gas adsorbed on the surface of the substrate, and the second gas is a gas that reacts with the first gas or is excited in the processing space to etch a film formed on the substrate; The third gas may be a gas that purges an internal atmosphere of the processing space or contributes to excitation of the second gas in the processing space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can be treated uniformly.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 공간에 서로 다른 종류의 가스를 효율적으로 공급할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, different types of gas can be efficiently supplied to the processing space.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 구조적 복잡성을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, structural complexity can be minimized.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재의 사시도이다.
도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재를 A-A 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 일 실시예에 따른 제1노즐을 아래에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1의 다른 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재의 사시도이다.
도 8은 도 7의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재를 B-B 선에 따라 절단한 단면도이다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a process chamber according to an exemplary embodiment of FIG. 1 .
3 is a perspective view of a first nozzle member according to an embodiment of FIG. 2 ;
4 is a cross-sectional view of the first nozzle member according to the embodiment of FIG. 3 taken along line AA.
5 is a view schematically showing a first nozzle according to an embodiment of FIG. 3 viewed from below.
FIG. 6 is a schematic view of a process chamber according to another embodiment of FIG. 1 .
7 is a perspective view of a first nozzle member according to an exemplary embodiment of FIG. 6 ;
8 is a cross-sectional view of the first nozzle member according to the embodiment of FIG. 7 taken along line BB.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited due to the examples described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.

이하에서는, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8 .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(10), 상압 이송 모듈(20), 진공 이송 모듈(30), 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)를 포함할 수 있다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a load port 10, an atmospheric pressure transfer module 20, a vacuum transfer module 30, a load lock chamber 40, and a process A chamber 50 may be included.

로드 포트(10)는 후술하는 상압 이송 모듈(20)의 일 측에 배치될 수 있다. 로드 포트(10)는 적어도 하나 이상 구비될 수 있다. 로드 포트(10)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 용기(F)는 로드 포트(10)에 놓일 수 있다.The load port 10 may be disposed on one side of the normal pressure transfer module 20 to be described later. At least one load port 10 may be provided. The number of load ports 10 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions. A container (F) according to an embodiment of the present invention may be placed in the load port (10).

용기(F)는 천장 이송 장치(Overhead Transfer Apparatus, OHT), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(10)에 로딩되거나 로드 포트(10)에서 언로딩 될 수 있다. 용기(F)는 수납되는 물품의 종류에 따라 다양한 종류의 용기를 포함할 수 있다. 예컨대, 용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다.The container F is transported by a transport means (not shown) such as an Overhead Transfer Apparatus (OHT), an overhead conveyor, or an Automatic Guided Vehicle, or a load port 10 by an operator. It can be loaded into or unloaded from the load port (10). The container (F) may include various types of containers according to the type of goods to be stored. For example, the container F may be an airtight container such as a front opening unified pod (FOUP).

상압 이송 모듈(20)과 진공 이송 모듈(30)은 제1방향(2)을 따라 배치될 수 있다. 이하에서는, 위에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)으로 정의한다. 또한, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함하는 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다. 예컨대, 제3방향(6)은 지면에 대해 수직한 방향을 의미할 수 있다.The normal pressure transfer module 20 and the vacuum transfer module 30 may be disposed along the first direction 2 . Hereinafter, when viewed from above, a direction perpendicular to the first direction (2) is defined as a second direction (4). In addition, a direction perpendicular to a plane including both the first direction 2 and the second direction 4 is defined as a third direction 6. For example, the third direction 6 may mean a direction perpendicular to the ground.

상압 이송 모듈(20)은 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 예컨대, 상압 이송 모듈(20)은 용기(F)로부터 기판(W)을 인출하여 로드락 챔버(40)로 반송하거나, 로드락 챔버(40)로부터 기판(W)을 인출하여 용기(F)의 내부로 반송할 수 있다.The normal pressure transfer module 20 may transfer the substrate W between the container F and the load lock chamber 40 to be described later. For example, the normal pressure transfer module 20 takes out the substrate W from the container F and transfers it to the load lock chamber 40, or takes out the substrate W from the load lock chamber 40 and transfers it to the container F. Can be returned internally.

상압 이송 모듈(20)은 반송 프레임(220)과 제1반송 로봇(240)을 포함할 수 있다. 반송 프레임(220)은 로드 포트(10)와 로드락 챔버(40) 사이에 배치될 수 있다. 반송 프레임(220)에는 로드 포트(10)가 접속될 수 있다. 반송 프레임(220)의 내부는 대기압 분위기로 유지될 수 있다.The normal pressure transfer module 20 may include a transfer frame 220 and a first transfer robot 240 . The transport frame 220 may be disposed between the load port 10 and the load lock chamber 40 . The load port 10 may be connected to the transport frame 220 . The inside of the transport frame 220 may be maintained in an atmospheric pressure atmosphere.

반송 프레임(220)에는 반송 레일(230)과 제1반송 로봇(240)이 위치한다. 반송 레일(230)의 길이 방향과 반송 프레임(220)의 길이 방향은 수평할 수 있다. 예컨대, 반송 레일(230)의 길이 방향은 제2방향(4)을 따라 형성될 수 있다. 반송 레일(230) 상에는 제1반송 로봇(240)이 위치할 수 있다.A transport rail 230 and a first transport robot 240 are positioned in the transport frame 220 . The longitudinal direction of the transport rail 230 and the longitudinal direction of the transport frame 220 may be horizontal. For example, the longitudinal direction of the transport rail 230 may be formed along the second direction 4 . A first transport robot 240 may be positioned on the transport rail 230 .

제1반송 로봇(240)은 기판(W)을 반송한다. 제1반송 로봇(240)은 로드 포트(10)에 안착된 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 반송 레일(230)을 따라 제2방향(4)으로 전진 및 후진 이동할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수직한 방향(예컨대, 제3방향(6))으로 이동할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수평면 상에서 전진, 후진, 또는 회전하는 제1반송 핸드(242)를 가진다. 제1반송 핸드(242)는 적어도 하나 이상으로 구비될 수 있다. 제1반송 핸드(242)에는 기판(W)이 놓인다. 복수 개의 제1반송 핸드(242)들은 제3방향(6)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first transport robot 240 transports the substrate W. The first transport robot 240 may transport the substrate W between the container F seated in the load port 10 and the load lock chamber 40 to be described later. The first transfer robot 240 may move forward and backward in the second direction 4 along the transfer rail 230 . The first transfer robot 240 may move in a vertical direction (eg, the third direction 6). The first transfer robot 240 has a first transfer hand 242 that moves forward, backward, or rotates on a horizontal plane. At least one first transfer hand 242 may be provided. A substrate W is placed on the first transfer hand 242 . A plurality of first transfer hands 242 may be spaced apart from each other in the third direction 6 .

진공 이송 모듈(30)은 후술하는 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 진공 이송 모듈(30)은 트랜스퍼 챔버(320)와 제2반송 로봇(340)을 포함할 수 있다.The vacuum transfer module 30 may be disposed between the load lock chamber 40 and the process chamber 50 to be described later. The vacuum transfer module 30 may include a transfer chamber 320 and a second transfer robot 340 .

트랜스퍼 챔버(320)의 내부는 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)에는 제2반송 로봇(340)이 배치된다. 일 예로, 제2반송 로봇(340)은 트랜스퍼 챔버(320)의 중앙부에 배치될 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 후술하는 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50) 간에 기판(W)을 반송한다. 또한, 제2반송 로봇(340)은 공정 챔버(50)들 간에 기판(W)을 반송한다. 제2반송 로봇(340)은 수직한 방향으로 이동할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평면 상에서 전진, 후진, 또는 회전하는 제2반송 핸드(342)를 가진다. 제2반송 핸드(342)는 적어도 하나 이상으로 구비될 수 있다. 제2반송 핸드(342)에는 기판(W)이 놓인다. 복수 개의 제2반송 핸드(342)들은 제3방향(6)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.The inside of the transfer chamber 320 may be maintained in a vacuum pressure atmosphere. A second transfer robot 340 is disposed in the transfer chamber 320 . For example, the second transfer robot 340 may be disposed in the center of the transfer chamber 320 . The second transfer robot 340 transfers the substrate W between the load lock chamber 40 and the process chamber 50 to be described later. Also, the second transfer robot 340 transfers the substrate W between the process chambers 50 . The second transfer robot 340 may move in a vertical direction. The second transfer robot 340 has a second transfer hand 342 that moves forward, backward, or rotates on a horizontal plane. At least one second transfer hand 342 may be provided. A substrate W is placed on the second transfer hand 342 . A plurality of second transfer hands 342 may be spaced apart from each other in the third direction 6 .

트랜스퍼 챔버(320)에는 후술하는 적어도 하나 이상의 공정 챔버(50)가 접속된다. 일 실시예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(320)는 다각형의 형상으로 제공될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)의 둘레에는 후술하는 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 상술한 바와 달리, 트랜스퍼 챔버(320)의 형상 및 공정 챔버(50)의 개수는 사용자의 필요에 따라 또는 공정 요구 조건에 따라 다양하게 변형될 수 있다.At least one process chamber 50 to be described below is connected to the transfer chamber 320 . According to one embodiment, the transfer chamber 320 may be provided in a polygonal shape. A load lock chamber 40 and a process chamber 50 to be described later may be disposed around the transfer chamber 320 . Unlike the above, the shape of the transfer chamber 320 and the number of process chambers 50 may be variously modified according to user needs or process requirements.

로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에서, 기판(W)이 교환되는 버퍼 공간을 가진다. 예컨대, 공정 챔버(50)에서 소정의 처리가 완료된 기판(W)은 로드락 챔버(40)에서 일시적으로 머무를 수 있다. 또한, 용기(F)로부터 인출되어 소정의 공정 처리가 예정된 기판(W)은 로드락 챔버(40)에서 일시적으로 머무를 수 있다.The load lock chamber 40 may be disposed between the transfer frame 220 and the transfer chamber 320 . The load lock chamber 40 has a buffer space in which the substrates W are exchanged between the transport frame 220 and the transfer chamber 320 . For example, the substrate W on which a predetermined process has been completed in the process chamber 50 may temporarily stay in the load lock chamber 40 . In addition, the substrate W, which is taken out from the container F and is scheduled to undergo a predetermined process, may temporarily stay in the load lock chamber 40 .

상술한 바와 같이, 반송 프레임(220)의 내부는 대기압 분위기로 유지될 수 있고, 트랜스퍼 챔버(320)의 내부는 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치되어, 그 내부 분위기가 대기압과 진공압 사이에서 전환될 수 있다.As described above, the inside of the transfer frame 220 may be maintained in an atmospheric pressure atmosphere, and the inside of the transfer chamber 320 may be maintained in a vacuum pressure atmosphere. The load lock chamber 40 is disposed between the transport frame 220 and the transfer chamber 320 so that its internal atmosphere can be switched between atmospheric pressure and vacuum pressure.

공정 챔버(50)는 복수 개 구비될 수 있다. 공정 챔버(50)는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭(Etching) 공정, 기판(W) 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 또는 드라이 클리닝 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 또한, 공정 챔버(50)는 서로 다른 종류의 가스를 번갈아서 공급하고, 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 원자층을 증착하는 원자층 증착 공정(Atomic Layer Deposition, ALD)을 수행하는 챔버일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 공정 챔버(50)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다.A plurality of process chambers 50 may be provided. The process chamber 50 may be a chamber that performs a predetermined process on the substrate (W). According to an embodiment of the present invention, the process chamber 50 may process the substrate W using plasma. For example, the process chamber 50 may be a chamber for performing an etching process of removing a thin film on the substrate W using plasma, a deposition process of forming a thin film on the substrate W, or a dry cleaning process. there is. In addition, the process chamber 50 may be a chamber for performing an atomic layer deposition (ALD) process in which different types of gases are alternately supplied and an atomic layer is deposited on the substrate W using plasma. there is. However, it is not limited thereto, and the plasma treatment process performed in the process chamber 50 may be variously modified into a known plasma treatment process.

도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 일 실시예에 의한 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 원자층을 증착하는 원자층 증착 공정과 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 형성된 특정 막을 식각(제거)하는 에칭 공정을 동시에 수행할 수 있다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a process chamber according to an exemplary embodiment of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the process chamber 50 according to an embodiment may process a substrate W using plasma. For example, the process chamber 50 may simultaneously perform an atomic layer deposition process of depositing an atomic layer on the substrate W using plasma and an etching process of etching (removing) a specific film formed on the substrate W using plasma. can

공정 챔버(50)는 하우징(500), 지지 유닛(600), 가스 공급 유닛(700), 그리고 플라즈마 소스(900)를 포함할 수 있다.The process chamber 50 may include a housing 500 , a support unit 600 , a gas supply unit 700 , and a plasma source 900 .

하우징(500)은 처리 공간(501)을 가진다. 처리 공간(501)은 기판(W)이 처리되는 공간일 수 있다. 하우징(500)은 상면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 하우징(500)은 상면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 하우징(500)의 개방된 상면은 후술하는 커버(550)에 의해 밀폐될 수 있다. 처리 공간(501)은 기판(W)을 처리하는 동안 대체로 진공 분위기로 유지될 수 있다. 하우징(500)의 재질은 알루미늄을 포함할 수 있다. 또한, 하우징(500)은 접지될 수 있다.The housing 500 has a processing space 501 . The processing space 501 may be a space in which the substrate W is processed. The housing 500 may have an open upper surface. For example, the housing 500 may have a cylindrical shape with an open upper surface. The open upper surface of the housing 500 may be sealed by a cover 550 to be described later. The processing space 501 may be maintained in a substantially vacuum atmosphere while processing the substrate W. The material of the housing 500 may include aluminum. Also, the housing 500 may be grounded.

일 실시예에 따르면, 하우징(500)의 내부에는 라이너(미도시)가 배치될 수 있다. 라이너(미도시)는 상면과 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(미도시)는 하우징(500)의 내측벽과 면접하도록 배치될 수 있다. 라이너(미도시)는 하우징(500)의 내측벽이 플라즈마에 의해 손상되는 것을 최소화할 수 있다. 상술한 예와 달리, 하우징(500)의 내부에는 라이너(미도시)가 구비되지 않을 수 있다.According to one embodiment, a liner (not shown) may be disposed inside the housing 500 . The liner (not shown) may have a cylindrical shape with open upper and lower surfaces. A liner (not shown) may be disposed to face the inner wall of the housing 500 . The liner (not shown) may minimize damage to the inner wall of the housing 500 by plasma. Unlike the above example, a liner (not shown) may not be provided inside the housing 500 .

하우징(500)의 측벽에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구(미도시)는 기판(W)이 처리 공간(501)으로 반입 또는 반출되는 공간으로 기능한다. 개구(미도시)는 도시되지 않은 도어 어셈블리에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다.An opening (not shown) is formed in the side wall of the housing 500 . The opening (not shown) functions as a space in which the substrate W is carried into or taken out of the processing space 501 . The opening (not shown) may be selectively opened and closed by a door assembly (not shown).

하우징(500)의 바닥면에는 배기 홀(510)이 형성된다. 배기 홀(510)은 배기 유닛(520)과 연결된다. 배기 유닛(520)은 처리 공간(501)의 분위기를 배기하여 처리 공간(501)의 압력을 조절할 수 있다. 또한, 배기 유닛(520)은 처리 공간(501)에 존재하는 공정 가스와 불순물(Byproduct) 등을 처리 공간(501)의 외부로 배출할 수 있다.An exhaust hole 510 is formed on the bottom surface of the housing 500 . The exhaust hole 510 is connected to the exhaust unit 520 . The exhaust unit 520 may adjust the pressure of the processing space 501 by exhausting the atmosphere of the processing space 501 . Also, the exhaust unit 520 may discharge process gas and impurities (byproduct) existing in the processing space 501 to the outside of the processing space 501 .

배기 유닛(520)은 배기 라인(522)과 감압 부재(524)를 포함한다. 배기 라인(522)의 일단은 배기 홀(510)과 연결되고, 배기 라인(522)의 타단은 감압 부재(524)와 연결된다. 감압 부재(미도시)는 처리 공간(501)에 음압을 가하는 공지된 장치일 수 있다.The exhaust unit 520 includes an exhaust line 522 and a pressure reducing member 524 . One end of the exhaust line 522 is connected to the exhaust hole 510 and the other end of the exhaust line 522 is connected to the pressure reducing member 524 . The pressure reducing member (not shown) may be a known device that applies negative pressure to the processing space 501 .

배기 홀(510)의 상측에는 처리 공간(501)에 대한 배기가 보다 균일하게 수행되도록 기능하는 배기 배플(530)이 위치할 수 있다. 배기 배플(530)은 하우징(500)의 측벽과 후술하는 지지 유닛(600) 사이에 설치될 수 있다. 또한, 하우징(500)의 내부에 라이너(미도시)가 구비되는 경우에, 배기 배플(530)은 라이너(미도시)와 지지 유닛(600) 사이에 설치될 수 있다. 배기 배플(530)은 위에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 배기 배플(530)에는 적어도 하나 이상의 배플 홀(532)이 형성될 수 있다. 배플 홀(532)은 배기 배플(530)의 상면과 하면을 관통하는 관통 홀일 수 있다. 처리 공간(501)에 존재하는 공정 가스와 불순물 등은 배플 홀(532), 배기 홀(510), 그리고 배기 라인(522)을 거쳐 배출될 수 있다.An exhaust baffle 530 may be positioned above the exhaust hole 510 to more uniformly exhaust the processing space 501 . The exhaust baffle 530 may be installed between a sidewall of the housing 500 and a support unit 600 to be described later. Also, when a liner (not shown) is provided inside the housing 500 , the exhaust baffle 530 may be installed between the liner (not shown) and the support unit 600 . When viewed from above, the exhaust baffle 530 may have a substantially ring shape. At least one baffle hole 532 may be formed in the exhaust baffle 530 . The baffle hole 532 may be a through hole penetrating the upper and lower surfaces of the exhaust baffle 530 . Process gas and impurities existing in the processing space 501 may be discharged through the baffle hole 532 , the exhaust hole 510 , and the exhaust line 522 .

절연 부재(540)는 절연 물질로 이루어질 수 있다. 절연 부재(540)는 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 절연 부재(540)는 하우징(500)의 상측에 구비될 수 있다. 절연 부재(540)는 하우징(500)과 후술하는 커버(550)의 사이에 배치될 수 있다.The insulating member 540 may be made of an insulating material. The insulating member 540 may have a substantially ring shape. The insulating member 540 may be provided on the upper side of the housing 500 . The insulating member 540 may be disposed between the housing 500 and a cover 550 to be described later.

커버(550)는 하우징(500)의 상측에 위치한다. 커버(550)는 하우징(500)의 개방된 상면을 밀폐한다. 일 실시예에 의하면, 커버(550)는 하우징(500)의 개방된 상면을 덮어, 하측의 처리 공간(501)을 정의한다. 커버(550)는 대체로 판 형상으로 형성된다. 예컨대, 커버(550)는 원판 형상으로 형성될 수 있다. 커버(550)는 유전체(Dielectric substance) 창을 포함할 수 있다. 커버(550)의 중심을 포함하는 중앙부에는 홈이 형성될 수 있다. 커버(550)에 형성된 홈은 단차지게 형성될 수 있다. 커버(550)의 중앙부에 형성된 홈은 커버(550)의 상면과 하면을 관통할 수 있다. 커버(550)의 중앙부에 형성된 홈에는 후술하는 제1노즐 부재(710)가 삽입된다.The cover 550 is located on the upper side of the housing 500 . The cover 550 seals the open upper surface of the housing 500 . According to one embodiment, the cover 550 covers the open upper surface of the housing 500 to define a lower processing space 501 . The cover 550 is generally formed in a plate shape. For example, the cover 550 may be formed in a disk shape. The cover 550 may include a dielectric substance window. A groove may be formed in a central portion including the center of the cover 550 . Grooves formed in the cover 550 may be formed stepwise. The groove formed in the central portion of the cover 550 may pass through upper and lower surfaces of the cover 550 . A first nozzle member 710 to be described later is inserted into the groove formed in the central portion of the cover 550 .

지지 유닛(600)은 처리 공간(501) 내에 위치한다. 일 실시예에 의하면, 지지 유닛(600)은 처리 공간(501)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(600)은 정전기력(Electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(ESC)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(600)은 진공 흡착 방식 또는 기계적 클램핑 방식과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하에서는, 정전 척(ESC)을 포함하는 지지 유닛(600)을 예로 들어 설명한다.The support unit 600 is located within the processing space 501 . According to one embodiment, the support unit 600 supports the substrate W in the processing space 501 . The support unit 600 may include an electrostatic chuck (ESC) that adsorbs the substrate W using electrostatic force. Alternatively, the support unit 600 may support the substrate W in various ways such as a vacuum adsorption method or a mechanical clamping method. Hereinafter, the support unit 600 including the electrostatic chuck (ESC) will be described as an example.

지지 유닛(600)은 정전 척(610)과 절연판(650)을 포함할 수 있다. 정전 척(610)은 기판(W)을 지지한다. 정전 척(610)은 유전판(620)과 베이스판(630)을 포함할 수 있다.The support unit 600 may include an electrostatic chuck 610 and an insulating plate 650 . The electrostatic chuck 610 supports the substrate W. The electrostatic chuck 610 may include a dielectric plate 620 and a base plate 630 .

유전판(620)은 지지 유닛(600)의 상부에 위치한다. 유전판(620)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 기판(W)이 유전판(620)의 상면에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(620)의 바깥에 위치할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 유전판(620)은 원판 형상으로 형성될 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(620)은 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(620)은 유전체일 수 있다.The dielectric plate 620 is positioned above the support unit 600 . A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 620 . When the substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 620 , an edge area of the substrate W may be located outside the dielectric plate 620 . According to one embodiment, the dielectric plate 620 may be formed in a disk shape. According to an example, the dielectric plate 620 may have a smaller diameter than the substrate W. According to one example, the dielectric plate 620 may be a dielectric.

유전판(620)의 내부에는 전극(622)이 위치할 수 있다. 일 예에 의하면, 전극(622)은 유전판(620)의 내부에 매설될 수 있다. 전극(622)은 제1전원(624)과 전기적으로 연결된다. 제1전원(624)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1전원(624)에는 제1스위치(626)가 설치될 수 있다. 전극(622)은 제1스위치(626)의 온(ON)/오프(OFF)에 의해 제1전원(624)과 전기적으로 연결되거나, 단절될 수 있다. 제1스위치(626)가 온 되면, 전극(622)에는 직류 전류가 흐른다. 전극(622)에 흐르는 전류에 의해 전극(622)과 기판(W) 사이에는 정전기적 힘이 작용한다. 이에 따라, 기판(W)은 정전기적 힘에 의해 유전판(620)에 흡착된다.An electrode 622 may be positioned inside the dielectric plate 620 . According to one example, the electrode 622 may be buried inside the dielectric plate 620 . The electrode 622 is electrically connected to the first power source 624 . The first power source 624 may include DC power. A first switch 626 may be installed in the first power source 624 . The electrode 622 may be electrically connected to or disconnected from the first power source 624 by turning on/off of the first switch 626 . When the first switch 626 is turned on, a direct current flows through the electrode 622 . An electrostatic force acts between the electrode 622 and the substrate W by the current flowing through the electrode 622 . Accordingly, the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 620 by the electrostatic force.

또한, 유전판(620)의 내부에는 도시되지 않은 히터가 배치될 수 있다. 유전판(620)의 내부에 배치된 히터(미도시)는 전극(622)의 하측에 위치할 수 있다. 히터(미도시)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 히터(미도시)는 유전판(620)에 열을 전달하고, 유전판(620)에 전달된 열은 기판(W)으로 전달될 수 있다. 다만, 상술한 예와 달리, 유전판(620)의 내부에는 히터(미도시)가 배치되지 않을 수 있다.In addition, a heater (not shown) may be disposed inside the dielectric plate 620 . A heater (not shown) disposed inside the dielectric plate 620 may be positioned below the electrode 622 . The heater (not shown) may include a spiral coil. A heater (not shown) transfers heat to the dielectric plate 620, and the heat transferred to the dielectric plate 620 may be transferred to the substrate W. However, unlike the above-described example, a heater (not shown) may not be disposed inside the dielectric plate 620 .

베이스판(630)은 유전판(620)의 아래에 위치한다. 일 실시예에 의하면, 베이스판(630)은 원판 형상을 가질 수 있다. 베이스판(630)의 상면은 그 중심 영역이 가장자리 영역보다 상대적으로 높게 위치하도록 단차지게 형성될 수 있다. 베이스판(630)의 상면 중심 영역은 유전판(620)의 저면과 상응하는 면적을 가질 수 있다. 베이스판(630)의 상면 중심 영역은 도시되지 않은 접착층에 의해 유전판(620)의 저면과 접착될 수 있다. 베이스판(630)의 상면 가장자리 영역의 상측에는 후술하는 링 부재(640)가 위치할 수 있다.The base plate 630 is positioned below the dielectric plate 620 . According to one embodiment, the base plate 630 may have a disk shape. The upper surface of the base plate 630 may be formed to be stepped so that the central region is located relatively higher than the edge region. A central region of the upper surface of the base plate 630 may have an area corresponding to that of the lower surface of the dielectric plate 620 . A central region of the top surface of the base plate 630 may be bonded to the bottom surface of the dielectric plate 620 by an adhesive layer (not shown). A ring member 640 to be described later may be positioned above the edge region of the upper surface of the base plate 630 .

베이스판(630)은 열 전달성 및 전기 전달성이 우수한 소재를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 베이스판(630)은 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 베이스판(630)의 전체가 금속 소재로 이루어질 수 있다. 예컨대, 베이스판(630)의 재질은 알루미늄을 포함할 수 있다.The base plate 630 may include a material having excellent heat and electrical conductivity. According to one example, the base plate 630 may include a metal plate. According to one example, the entirety of the base plate 630 may be made of a metal material. For example, the material of the base plate 630 may include aluminum.

베이스판(630)은 제2전원(630a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2전원(630a)에는 제2스위치(630b)가 설치될 수 있다. 베이스판(630)은 제2스위치(630b)의 온/오프에 의해 제2전원(630b)과 전기적으로 연결되거나 단절될 수 있다. 제2전원(630a)은 저주파 전력을 발생시키는 저주파 전원일 수 있다. 제2전원(630a)은 베이스판(630)에 저주파 전력을 인가할 수 있다. 베이스판(630)은 제2전원(630a)으로부터 저주파 전력을 인가받아 처리 공간(501)에 형성된 플라즈마의 유동성을 향상시킬 수 있다. 일 실시예에 의하면, 베이스판(630)은 저주파 전력을 인가받아 처리 공간(501)에 발생하는 플라즈마의 직진성 또는 인입(引入)성을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 베이스판(630)에 저주파 전력이 인가되면, 처리 공간(501)에 존재하는 플라즈마는 직진성을 갖고 기판(W)의 상면으로 이동할 수 있다. 다만, 상술한 예와 달리, 베이스판(630)에는 저주파 전력이 인가되지 않을 수도 있다.The base plate 630 may be electrically connected to the second power source 630a. A second switch 630b may be installed in the second power source 630a. The base plate 630 may be electrically connected to or disconnected from the second power source 630b by turning on/off the second switch 630b. The second power source 630a may be a low frequency power source that generates low frequency power. The second power source 630a may apply low-frequency power to the base plate 630 . The base plate 630 may receive low-frequency power from the second power source 630a to improve the fluidity of the plasma formed in the processing space 501 . According to an embodiment, the base plate 630 may receive low-frequency power to improve straightness or drawing-in property of plasma generated in the processing space 501 . For example, when low-frequency power is applied to the base plate 630 , the plasma present in the processing space 501 may move toward the upper surface of the substrate W with linearity. However, unlike the above-described example, low-frequency power may not be applied to the base plate 630 .

베이스판(630)의 내부에는 냉각 유로(632)가 형성될 수 있다. 냉각 유로(632)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 기능한다. 일 실시예에 의하면, 냉각 유체는 냉각수를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 냉각 유로(632)는 단일의 유로로 이루어질 수 있다. 또한, 냉각 유로(632)는 나선 형상으로 형성될 수 있다.A cooling passage 632 may be formed inside the base plate 630 . The cooling passage 632 functions as a passage through which cooling fluid circulates. According to one embodiment, the cooling fluid may include cooling water. According to one embodiment, the cooling passage 632 may be formed of a single passage. Also, the cooling passage 632 may be formed in a spiral shape.

선택적으로, 냉각 유로(632)는 복수 개의 유로로 이루어질 수 있다. 예컨대, 복수 개의 유로들은 베이스판(630)의 내부에서 베이스판(630)의 중심을 공유하되, 서로 상이한 반경을 가지는 링 형상으로 형성될 수 있다. 복수 개의 유로들은 서로 유체 연통할 수 있다. 또한, 복수 개의 유로들은 서로 동일한 높이에 위치할 수 있다.Optionally, the cooling passage 632 may include a plurality of passages. For example, the plurality of passages may be formed in a ring shape having different radii while sharing the center of the base plate 630 inside the base plate 630 . The plurality of flow passages may be in fluid communication with each other. Also, the plurality of passages may be positioned at the same height as each other.

냉각 유로(632)는 냉각 유체 공급 라인(634)을 통해 냉각 유체 저장부(636)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(363)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(636)의 내부에는 냉각기(638)가 위치할 수 있다. 냉각기(638)는 냉각 유체 저장부(636)의 내부에 저장된 냉각 유체를 소정의 온도로 냉각할 수 있다. 상술한 바와 달리, 냉각기(638)는 냉각 유체 공급 라인(634)에 설치될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로(632)를 따라 순환하며 베이스판(630)을 냉각할 수 있다. 냉각된 베이스판(630)에 의해 유전판(620)과 기판(W)이 함께 냉각될 수 있다. 이에, 기판(W)은 희망하는 온도로 유지될 수 있다.The cooling passage 632 is connected to the cooling fluid storage unit 636 through a cooling fluid supply line 634 . Cooling fluid is stored in the cooling fluid storage unit 363 . A cooler 638 may be located inside the cooling fluid storage unit 636 . The cooler 638 may cool the cooling fluid stored in the cooling fluid storage unit 636 to a predetermined temperature. Unlike the above, the cooler 638 may be installed in the cooling fluid supply line 634 . The cooling fluid may circulate along the cooling passage 632 and cool the base plate 630 . The dielectric plate 620 and the substrate W may be cooled together by the cooled base plate 630 . Thus, the substrate W can be maintained at a desired temperature.

비록 도시되지 않았으나, 베이스판(630)의 내부에는 열 전달 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 열 전달 유로(미도시)는 기판(W)의 하면으로 열 전달 매체를 공급할 수 있다. 열 전달 매체는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)의 온도 불균일성을 해소하기 위해 기판(W)의 하면으로 공급하는 유체일 수 있다. 일 예에 의하면, 열 전달 매체는 헬륨(He) 가스일 수 있다.Although not shown, a heat transfer channel (not shown) may be formed inside the base plate 630 . A heat transfer channel (not shown) may supply a heat transfer medium to the lower surface of the substrate (W). The heat transfer medium may be a fluid supplied to the lower surface of the substrate (W) in order to solve the temperature non-uniformity of the substrate (W) while the substrate (W) is processed using plasma. According to one example, the heat transfer medium may be helium (He) gas.

링 부재(640)는 정전 척(610)의 가장자리 영역에 배치된다. 링 부재(640)는 링 형상을 가진다. 링 부재(640)는 유전판(620)의 둘레를 따라 배치된다. 링 부재(640)의 상면은 외측부가 내측부보다 높도록 단차지게 형성될 수 있다. 링 부재(640)의 내측부 상면은 유전판(620)의 상면과 동일한 높이에 위치할 수 있다. 링 부재(640)의 내측부 상면은 유전판(620)의 바깥 쪽에 위치한 기판(W)의 가장자리 하면을 지지할 수 있다. 링 부재(640)의 외측부는 기판(W)의 측부를 둘러쌀 수 있다. 일 예에 의하면, 링 부재(640)는 포커스 링일 수 있다.The ring member 640 is disposed on an edge region of the electrostatic chuck 610 . The ring member 640 has a ring shape. A ring member 640 is disposed along the circumference of the dielectric plate 620 . The upper surface of the ring member 640 may be formed stepwise so that the outer portion is higher than the inner portion. A top surface of the inner portion of the ring member 640 may be positioned at the same height as a top surface of the dielectric plate 620 . An upper surface of the inner portion of the ring member 640 may support a lower edge of the substrate W positioned outside the dielectric plate 620 . An outer portion of the ring member 640 may surround a side portion of the substrate W. According to one example, the ring member 640 may be a focus ring.

베이스판(630)의 아래에는 절연판(650)이 위치한다. 절연판(650)은 절연 소재를 포함할 수 있다. 절연판(650)은 베이스판(630)과 하우징(500)을 전기적으로 절연시킨다. 절연판(650)은 위에서 바라볼 때, 원형의 판 형상으로 형성될 수 있다. 절연판(650)의 상면 및 하면은 베이스판(630)의 저면과 상응하는 면적을 가질 수 있다.An insulating plate 650 is positioned below the base plate 630 . The insulating plate 650 may include an insulating material. The insulating plate 650 electrically insulates the base plate 630 from the housing 500 . When viewed from above, the insulating plate 650 may be formed in a circular plate shape. Upper and lower surfaces of the insulating plate 650 may have areas corresponding to those of the bottom surface of the base plate 630 .

도 3은 도 2의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재의 사시도이다. 도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재를 A-A 선을 따라 절단한 단면도이다. 도 5는 도 3의 일 실시예에 따른 제1노즐을 아래에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 가스 공급 유닛(700)에 대해 상세히 설명한다.3 is a perspective view of a first nozzle member according to an embodiment of FIG. 2 ; 4 is a cross-sectional view of the first nozzle member according to the embodiment of FIG. 3 taken along line A-A. 5 is a view schematically showing a first nozzle according to an embodiment of FIG. 3 viewed from below. Hereinafter, the gas supply unit 700 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5 .

가스 공급 유닛(700)은 처리 공간(501)에 가스를 공급한다. 처리 공간(501)에 공급하는 가스는 제1가스, 제2가스, 그리고 제3가스를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의한 제1가스, 제2가스, 그리고 제3가스는 서로 다를 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.The gas supply unit 700 supplies gas to the processing space 501 . The gas supplied to the processing space 501 may include a first gas, a second gas, and a third gas. According to an embodiment, the first gas, the second gas, and the third gas may be different from each other. A detailed description of this will be given later.

가스 공급 유닛(700)은 제1노즐 부재(710), 제2노즐 부재(760), 제1가스 공급부(810), 제2가스 공급부(820), 그리고 제3가스 공급부(830)를 포함할 수 있다.The gas supply unit 700 may include a first nozzle member 710, a second nozzle member 760, a first gas supply unit 810, a second gas supply unit 820, and a third gas supply unit 830. can

제1노즐 부재(710)는 처리 공간(501)으로 가스를 분사한다. 구체적으로, 제1노즐 부재(710)는 후술하는 제1가스 공급부(810), 제2가스 공급부(820), 그리고 제3가스 공급부(830) 각각으로부터 공급받은 서로 다른 가스들을 처리 공간(501)으로 분사할 수 있다. 제1노즐 부재(710)는 커버(550)에 설치될 수 있다. 예컨대, 제1노즐 부재(710)는 커버(550)의 중앙부에 설치될 수 있다. 제1노즐 부재(710)는 커버(550)의 중앙부에 형성된 홈에 삽입될 수 있다. 이에, 제1노즐 부재(710)는 처리 공간(501)의 상측에서, 처리 공간(501)으로 서로 다른 가스들을 분사할 수 있다.The first nozzle member 710 injects gas into the processing space 501 . Specifically, the first nozzle member 710 supplies different gases supplied from each of the first gas supply unit 810, the second gas supply unit 820, and the third gas supply unit 830 to the processing space 501. can be sprayed with The first nozzle member 710 may be installed on the cover 550 . For example, the first nozzle member 710 may be installed in the central portion of the cover 550 . The first nozzle member 710 may be inserted into a groove formed in the central portion of the cover 550 . Accordingly, the first nozzle member 710 may inject different gases into the processing space 501 from the upper side of the processing space 501 .

제1노즐 부재(710)는 몸체(720)와 복수 개의 유로들을 포함할 수 있다. 몸체(720)는 대체로 원통 형상을 가질 수 있다. 몸체(720)에는 복수 개의 유로들과 후술하는 분사홀들(741, 742)이 형성될 수 있다. 몸체(720)는 서로 다른 직경을 가지는 제1부분(721), 제2부분(722), 그리고 제3부분(723)을 포함할 수 있다. 제1부분(721), 제2부분(722), 그리고 제3부분(723)은 일체로 형성될 수 있다.The first nozzle member 710 may include a body 720 and a plurality of passages. The body 720 may have a substantially cylindrical shape. A plurality of passages and spray holes 741 and 742 to be described below may be formed in the body 720 . The body 720 may include a first part 721, a second part 722, and a third part 723 having different diameters. The first part 721, the second part 722, and the third part 723 may be integrally formed.

제1부분(721)은 몸체(720)의 하부(lower portion)에 위치할 수 있다. 제1부분(721)은 대체로 원통 형상으로 형성될 수 있다. 제1부분(721)은 후술하는 제2부분(722) 및 제3부분(723)의 직경보다 작은 직경을 가질 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1부분(721)은 처리 공간(501)으로 돌출되게 위치할 수 있다.The first portion 721 may be located on a lower portion of the body 720 . The first part 721 may be formed in a substantially cylindrical shape. The first portion 721 may have a smaller diameter than the diameters of the second portion 722 and the third portion 723 described later. According to one embodiment, the first portion 721 may be positioned to protrude into the processing space 501 .

제2부분(722)은 제1부분(721)과 후술하는 제3부분(723) 사이에 위치할 수 있다. 또한, 제2부분(722)은 제1부분(721)의 상측에 위치할 수 있다. 제2부분(722)은 대체로 원통 형상으로 형성될 수 있다. 제2부분(722)은 제1부분(721)의 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 또한, 제2부분(722)은 제3부분(723)의 직경보다 작은 직경을 가질 수 있다.The second portion 722 may be positioned between the first portion 721 and a third portion 723 to be described later. Also, the second portion 722 may be positioned above the first portion 721 . The second part 722 may be formed in a substantially cylindrical shape. The second part 722 may have a larger diameter than the diameter of the first part 721 . Also, the second portion 722 may have a diameter smaller than that of the third portion 723 .

제3부분(723)은 몸체(720)의 상부(upper portion)에 위치할 수 있다. 또한, 제3부분(723)은 제2부분(722)의 상측에 위치할 수 있다. 제3부분(723)은 일정한 두께를 가지는 원판 형상으로 형성될 수 있다. 제3부분(723)은 제1부분(721) 및 제2부분(722)의 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 제3부분(723)은 커버(550)에 의해 지지될 수 있다. 구체적으로, 제3부분(723)의 하단은 커버(550)에 형성된 단차진 홈의 상단에 지지될 수 있다.The third portion 723 may be located on an upper portion of the body 720 . Also, the third portion 723 may be located above the second portion 722 . The third portion 723 may be formed in a disk shape having a constant thickness. The third portion 723 may have a larger diameter than the diameters of the first portion 721 and the second portion 722 . The third portion 723 may be supported by the cover 550 . Specifically, the lower end of the third portion 723 may be supported on the upper end of the stepped groove formed in the cover 550 .

몸체(720)에는 복수 개의 유로들이 형성될 수 있다. 복수 개의 유로들은 중앙 유로(731)와 가장자리 유로(732)를 포함할 수 있다.A plurality of flow channels may be formed in the body 720 . The plurality of passages may include a central passage 731 and an edge passage 732 .

중앙 유로(731)는 몸체(720)의 중심을 포함하는 중앙 영역에 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 중앙 유로(731)는 지면을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 중앙 유로(731)의 일단은 후술하는 제1가스 라인(814)과 연결될 수 있다. 또한, 중앙 유로(731)의 타단은 후술하는 제1분사홀(741)과 연결될 수 있다. 이에, 제1가스 라인(814)으로부터 공급되는 제1가스는 중앙 유로(731)를 통해 제1분사홀(741)로 공급될 수 있다.The central passage 731 may be formed in a central region including the center of the body 720 . According to one embodiment, the central channel 731 may have a longitudinal direction toward the ground. One end of the central flow path 731 may be connected to a first gas line 814 to be described later. In addition, the other end of the central passage 731 may be connected to a first injection hole 741 to be described later. Accordingly, the first gas supplied from the first gas line 814 may be supplied to the first injection hole 741 through the central passage 731 .

가장자리 유로(732)는 몸체(720)의 중앙 영역을 감싸는 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 가장자리 유로(732)는 위에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 가장자리 유로(732)는 지면을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 가장자리 유로(732)의 일단은 후술하는 제2가스 라인(824)과 연결될 수 있다. 또한, 가장자리 유로(732)의 타단은 후술하는 제2분사홀(742)과 연결될 수 있다.The edge passage 732 may be formed in an edge region surrounding the central region of the body 720 . According to one embodiment, the edge channel 732 may have a ring shape when viewed from above. Also, the edge channel 732 may have a longitudinal direction toward the ground. One end of the edge passage 732 may be connected to a second gas line 824 to be described later. In addition, the other end of the edge passage 732 may be connected to a second injection hole 742 to be described later.

몸체(720)에는 복수 개의 분사홀들(741, 742)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 복수 개의 분사홀들(741, 742)은 제1부분(721) 및 제2부분(722)에 형성될 수 있다. 복수 개의 분사홀들(741, 742)은 제1분사홀(741)과 제2분사홀(742)을 포함할 수 있다.A plurality of spray holes 741 and 742 may be formed in the body 720 . According to one embodiment, the plurality of injection holes 741 and 742 may be formed in the first portion 721 and the second portion 722 . The plurality of spray holes 741 and 742 may include a first spray hole 741 and a second spray hole 742 .

제1분사홀(741)은 제1부분(721)에 형성될 수 있다. 제1분사홀(741)은 복수 개 구비될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 복수 개의 제1분사홀(741)들 중 어느 일부는 제1부분(721)의 하부(lower portion)에 형성될 수 있다. 제1부분(721)의 하부에 형성된 제1분사홀(741)들은 위에서 바라볼 때, 중앙 유로(731)와 중첩되는 부분에 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 제1분사홀(741)들 중 다른 일부는 제1부분(721)의 측부에 형성될 수 있다. 제1부분(721)의 하부에 형성된 제1분사홀(741)들은 제1부분(721)의 둘레 방향을 따라 형성될 수 있다. 또한, 제1분사홀(741)들은 제1부분(721)의 둘레 방향을 따라 복수 개의 열로 배열되어 형성될 수 있다. 제1분사홀(741)은 전술한 바와 같이, 중앙 유로(731)와 연결된다. 이에, 제1분사홀(741)과 중앙 유로(731)는 유체 연통할 수 있다.The first spray hole 741 may be formed in the first portion 721 . A plurality of first injection holes 741 may be provided. According to an embodiment, some of the plurality of first injection holes 741 may be formed in a lower portion of the first portion 721 . When viewed from above, the first injection holes 741 formed in the lower portion of the first portion 721 may be formed at a portion overlapping the central passage 731 . Also, some of the plurality of first injection holes 741 may be formed on the side of the first portion 721 . The first spray holes 741 formed in the lower portion of the first portion 721 may be formed along the circumferential direction of the first portion 721 . Also, the first spray holes 741 may be arranged in a plurality of rows along the circumferential direction of the first portion 721 . As described above, the first injection hole 741 is connected to the central passage 731 . Accordingly, the first injection hole 741 and the central passage 731 may be in fluid communication.

제2분사홀(742)은 제2부분(722)에 형성될 수 있다. 제2분사홀(742)은 복수 개 구비될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 복수 개의 제2분사홀(742)들은 제2부분(722)의 하부(lower portion)에 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 제2분사홀(742)들은 제2부분(722)의 측부에 형성될 수 있다. 제2분사홀(742)들은 제2부분(722)의 둘레 방향을 따라 형성될 수 있다. 또한, 제2분사홀(742)들은 제2부분(722)의 둘레 방향을 따라 복수 개의 열로 배열되어 형성될 수 있다. 제2분사홀(742)은 상술한 바와 같이, 가장자리 유로(732)와 연결된다. 이에, 제2분사홀(742)과 가장자리 유로(732)는 유체 연통할 수 있다.The second spray hole 742 may be formed in the second part 722 . A plurality of second spray holes 742 may be provided. According to one embodiment, the plurality of second injection holes 742 may be formed in a lower portion of the second portion 722 . Also, a plurality of second injection holes 742 may be formed on the side of the second portion 722 . The second spray holes 742 may be formed along the circumferential direction of the second portion 722 . Also, the second spray holes 742 may be arranged in a plurality of rows along the circumferential direction of the second portion 722 . As described above, the second spray hole 742 is connected to the edge passage 732 . Accordingly, the second spray hole 742 and the edge passage 732 may be in fluid communication.

제2노즐 부재(760)는 처리 공간(501)으로 가스를 분사한다. 구체적으로, 제2노즐 부재(760)는 후술하는 제1가스 공급부(810), 제2가스 공급부(820), 그리고 제3가스 공급부(830) 각각으로부터 서로 다른 가스들을 공급받고, 공급받은 서로 다른 가스들을 처리 공간(501)으로 분사할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제2노즐 부재(760)는 하우징(500)의 측벽에 설치될 수 있다. 제2노즐 부재(760)는 복수 개 구비될 수 있다. 예컨대, 복수 개의 제2노즐 부재(760)들은 하우징(500)의 측벽의 둘레를 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예컨대, 제2노즐 부재(760)들은 하우징(500)의 측벽 둘레를 따라 2열 배치될 수 있다. 이에, 복수 개의 제2노즐 부재(760)들은 처리 공간(501)의 측방에서, 처리 공간(501)으로 서로 다른 가스들을 분사할 수 있다.The second nozzle member 760 injects gas into the processing space 501 . Specifically, the second nozzle member 760 receives different gases from each of the first gas supply unit 810, the second gas supply unit 820, and the third gas supply unit 830, which will be described later, and receives different gases supplied from each other. Gases may be injected into the processing space 501 . As shown in FIG. 2 , the second nozzle member 760 may be installed on a sidewall of the housing 500 . A plurality of second nozzle members 760 may be provided. For example, the plurality of second nozzle members 760 may be spaced apart from each other along the circumference of the sidewall of the housing 500 . For example, the second nozzle members 760 may be arranged in two rows along the circumference of the sidewall of the housing 500 . Accordingly, the plurality of second nozzle members 760 may inject different gases into the processing space 501 from the side of the processing space 501 .

제2노즐 부재(760)는 지지 유닛(600)에 지지된 기판(W)보다 상측에 위치할 수 있다. 제2노즐 부재(760)는 처리 공간(501)으로 돌출되게 위치할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2노즐 부재(760)는 하향 경사질 수 있다. 구체적으로, 제2노즐 부재(760)는 지지 유닛(600)에 지지된 기판(W)을 향하는 방향으로 경사질 수 있다.The second nozzle member 760 may be positioned above the substrate W supported by the support unit 600 . The second nozzle member 760 may protrude into the processing space 501 . According to one embodiment, the second nozzle member 760 may be inclined downward. Specifically, the second nozzle member 760 may be inclined in a direction toward the substrate W supported by the support unit 600 .

제1가스 공급부(810)는 제1가스를 공급한다. 제1가스 공급부(810)는 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)를 매개로 하여 처리 공간(501)에 제1가스를 공급할 수 있다. 제1가스 공급부(810)는 제1가스 소스(812), 제1가스 라인(814), 제1밸브(816), 그리고 제1유량 제어기(818)를 포함할 수 있다.The first gas supply unit 810 supplies a first gas. The first gas supply unit 810 may supply the first gas to the processing space 501 via the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 . The first gas supply unit 810 may include a first gas source 812 , a first gas line 814 , a first valve 816 , and a first flow controller 818 .

제1가스 소스(812)는 제1가스를 저장한다. 일 실시예에 의하면, 제1가스는 지지 유닛(600)에 지지된 기판(W)의 표면에 흡착(Adsorption)하는 가스일 수 있다. 예컨대, 제1가스는 원자층 증착 공정에서 사용하는 전구체(precursor) 가스일 수 있다. 즉, 제1가스는 기판(W)의 표면에 흡착하여 자기 억제 반응(Self-limited reaction)을 일으키는 가스일 수 있다.The first gas source 812 stores a first gas. According to an embodiment, the first gas may be a gas adsorbed on the surface of the substrate W supported by the support unit 600 . For example, the first gas may be a precursor gas used in an atomic layer deposition process. That is, the first gas may be a gas adsorbed on the surface of the substrate W to cause a self-limited reaction.

제1가스 라인(814, 도 2의 실선)은 제1가스 소스(812)와 연결된다. 제1가스 소스(812)와 연결된 제1가스 라인(814)은 분기되어 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)와 각각 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1가스 라인(814)은 중앙 유로(731)와 연결될 수 있다. 또한, 제1가스 라인(814)은 복수 개의 제2노즐 부재(760)들 중 어느 일부와 연결될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1가스 라인(814)은 제2노즐 부재(760)들 중 제2가스 라인(824)이 연결되지 않은 제2노즐 부재(760)들과 연결될 수 있다.The first gas line 814 (solid line in FIG. 2 ) is connected to the first gas source 812 . The first gas line 814 connected to the first gas source 812 may be branched and connected to the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 respectively. Specifically, the first gas line 814 may be connected to the central flow path 731 . Also, the first gas line 814 may be connected to any part of the plurality of second nozzle members 760 . As will be described later, the first gas line 814 may be connected to second nozzle members 760 to which the second gas line 824 is not connected among the second nozzle members 760 .

제1가스 라인(814)은 중앙 유로(731) 및 제2노즐 부재(760)로 제1가스를 공급할 수 있다. 제1가스 라인(814)을 통해 제1가스를 공급받은 제1노즐 부재(710)는 제1분사홀(741)을 통해 처리 공간(501)의 상측에서 제1가스를 분사할 수 있다. 또한, 제1가스 라인(814)을 통해 제1가스를 공급받은 제2노즐 부재(760)는 처리 공간(501)의 측방에서 제1가스를 분사할 수 있다.The first gas line 814 may supply the first gas to the central passage 731 and the second nozzle member 760 . The first nozzle member 710 receiving the first gas through the first gas line 814 may inject the first gas from the upper side of the processing space 501 through the first spray hole 741 . In addition, the second nozzle member 760 receiving the first gas through the first gas line 814 may inject the first gas from the side of the processing space 501 .

제1가스 라인(814)에는 제1밸브(816a, 816b)가 설치될 수 있다. 제1밸브(816a, 816b)는 온/오프 밸브일 수 있다. 선택적으로, 제1밸브(816a, 816b)는 유량 조절 밸브일 수 있다.First valves 816a and 816b may be installed in the first gas line 814 . The first valves 816a and 816b may be on/off valves. Optionally, the first valves 816a and 816b may be flow control valves.

제1유량 제어기(818)는 제1가스 라인(814)에 설치될 수 있다. 제1유량 제어기(818)는 제1가스 라인(814)을 유동하는 제1가스의 유량을 조절할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1유량 제어기(818)는 FRC(Flow Rate Controller)일 수 있다. 또한, 제1유량 제어기(818)는 2-Way FRC(Flow Rate Controller)일 수 있다.The first flow controller 818 may be installed in the first gas line 814 . The first flow controller 818 may adjust the flow rate of the first gas flowing through the first gas line 814 . According to one embodiment, the first flow controller 818 may be a flow rate controller (FRC). Also, the first flow controller 818 may be a 2-Way FRC (Flow Rate Controller).

제2가스 공급부(820)는 제2가스를 공급한다. 제2가스 공급부(820)는 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)를 통해 처리 공간(501)으로 제2가스를 공급할 수 있다. 제2가스 공급부(820)는 제2가스 소스(822), 제2가스 라인(824), 그리고 제2밸브(826)를 포함할 수 있다.The second gas supply unit 820 supplies a second gas. The second gas supply unit 820 may supply the second gas to the processing space 501 through the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 . The second gas supply unit 820 may include a second gas source 822 , a second gas line 824 , and a second valve 826 .

제2가스 소스(822)는 제2가스를 저장한다. 일 실시예에 의하면, 제2가스는 기판(W)의 표면에 흡착된 제1가스와 반응하는 가스일 수 있다. 예컨대, 제2가스는 기판(W)의 표면에 흡착된 제1가스와 반응하여 기판(W) 상에 박막을 증착하는 가스일 수 있다. 즉, 제2가스는 제1가스와 반응하는 가스일 수 있다. 또한, 제2가스는 처리 공간(501)에서 여기되어 기판(W)에 형성된 특정 막을 식각하는 가스일 수 있다.The second gas source 822 stores a second gas. According to an embodiment, the second gas may be a gas that reacts with the first gas adsorbed on the surface of the substrate (W). For example, the second gas may be a gas that deposits a thin film on the substrate (W) by reacting with the first gas adsorbed on the surface of the substrate (W). That is, the second gas may be a gas that reacts with the first gas. Also, the second gas may be a gas excited in the processing space 501 and etching a specific film formed on the substrate W.

제2가스 라인(824, 도 2의 일점 쇄선)은 제2가스 소스(822)와 연결된다. 제2가스 소스(822)와 연결된 제2가스 라인(824)은 분기되어 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)와 각각 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2가스 라인(824)은 가장자리 유로(732)와 연결될 수 있다. 또한, 제2가스 라인(824)은 복수 개의 제2노즐 부재(760)들 중 일부와 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 복수 개의 제2노즐 부재(760)들 중 어느 일부는 제1가스 라인(814)과 연결되고, 복수 개의 제2노즐 부재(760)들 중 다른 일부는 제2가스 라인(824)과 연결될 수 있다.The second gas line 824 (dotted line in FIG. 2 ) is connected to the second gas source 822 . The second gas line 824 connected to the second gas source 822 may be branched and connected to the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 , respectively. Specifically, the second gas line 824 may be connected to the edge passage 732 . Also, the second gas line 824 may be connected to some of the plurality of second nozzle members 760 . As described above, some of the plurality of second nozzle members 760 are connected to the first gas line 814, and some of the plurality of second nozzle members 760 are connected to the second gas line 824. ) can be associated with

제2가스 라인(824)은 가장자리 유로(732) 및 제2노즐 부재(760)로 제2가스를 공급할 수 있다. 제2가스 라인(824)을 통해 제2가스를 공급받은 제1노즐 부재(710)는 제2분사홀(742)을 통해 처리 공간(501)의 상측에서 제2가스를 분사할 수 있다. 또한, 제2가스 라인(824)을 통해 제2가스를 공급받은 제2노즐 부재(760)는 처리 공간(501)의 측방에서 제2가스를 공급할 수 있다.The second gas line 824 may supply the second gas to the edge passage 732 and the second nozzle member 760 . The first nozzle member 710 receiving the second gas through the second gas line 824 may inject the second gas from the upper side of the processing space 501 through the second spray hole 742 . In addition, the second nozzle member 760 receiving the second gas through the second gas line 824 may supply the second gas from the side of the processing space 501 .

제2가스 라인(824)에는 제2밸브(826)가 설치될 수 있다. 제2밸브(826)는 전술한 제1밸브(816)와 동일 또는 유사한 구조이므로, 이에 대한 중복되는 설명은 생략한다.A second valve 826 may be installed in the second gas line 824 . Since the second valve 826 has the same or similar structure as the first valve 816 described above, duplicate description thereof will be omitted.

제3가스 공급부(830)는 제3가스를 공급한다. 제3가스 공급부(830)는 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)를 매개로 하여 처리 공간(501)에 제3가스를 공급할 수 있다. 또한, 제3가스 공급부(830)는 제2가스 공급부(820)를 매개로 하여 처리 공간(501)에 제3가스를 공급할 수 있다. 제3가스 공급부(830)는 제3가스 소스(832), 제3가스 라인(834), 제3밸브(836), 그리고 제2유량 제어기(838)를 포함할 수 있다.The third gas supply unit 830 supplies a third gas. The third gas supply unit 830 may supply the third gas to the processing space 501 via the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 . Also, the third gas supply unit 830 may supply the third gas to the processing space 501 via the second gas supply unit 820 . The third gas supply unit 830 may include a third gas source 832 , a third gas line 834 , a third valve 836 , and a second flow controller 838 .

제3가스 소스(832)는 제3가스를 저장한다. 일 실시예에 의하면, 제3가스는 처리 공간(501)에 발생하는 플라즈마를 점화시키는 데 기여하는 가스일 수 있다. 즉, 제3가스는 처리 공간(501)에 발생한 전계에 의해 제2가스가 여기되는 것에 기여하는 가스일 수 있다. 또한, 제3가스 소스(832)는 처리 공간(501)의 퍼지를 위한 가스일 수 있다. 또한, 제3가스 소스(832)는 캐리어 가스로 기능할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제3가스 소스(832)는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 또한, 제3가스는 제2가스와 반응하지 않는 가스일 수 있다.The third gas source 832 stores a third gas. According to an embodiment, the third gas may be a gas that contributes to igniting plasma generated in the processing space 501 . That is, the third gas may be a gas that contributes to the excitation of the second gas by the electric field generated in the processing space 501 . Also, the third gas source 832 may be a gas for purging the processing space 501 . Also, the third gas source 832 may function as a carrier gas. According to one embodiment, the third gas source 832 may include an inert gas. Also, the third gas may be a gas that does not react with the second gas.

제3가스 라인(834, 도 2의 이점 쇄선)은 제3가스 소스(832)와 연결된다. 제3가스 소스(832)와 연결된 제3가스 라인(834)은 분기되어 제2가스 라인(824)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 분기된 제3가스 라인(834) 중 어느 하나는 제1노즐 부재(710)와 연결된 제2가스 라인(824)과 연결되고, 분기된 제3가스 라인(834) 중 다른 하나는 제2노즐 부재(760)와 연결된 제2가스 라인(824)에 연결될 수 있다. 이에, 제3가스 라인(834)은 제2가스 라인(824)을 통해 가장자리 유로(732) 및 제2노즐 부재(760)로 제3가스를 공급할 수 있다.The third gas line 834 (double-dashed line in FIG. 2 ) is connected to the third gas source 832 . The third gas line 834 connected to the third gas source 832 may be branched and connected to the second gas line 824 . Specifically, one of the branched third gas lines 834 is connected to the second gas line 824 connected to the first nozzle member 710, and the other of the branched third gas lines 834 is connected to the first nozzle member 710. It may be connected to the second gas line 824 connected to the two-nozzle member 760 . Accordingly, the third gas line 834 may supply the third gas to the edge passage 732 and the second nozzle member 760 through the second gas line 824 .

제3가스 라인(834) 및 제2가스 라인(824)을 순차적으로 거쳐 제3가스를 공급받은 제1노즐 부재(710)는 제2분사홀(742)을 통해 처리 공간(501)의 상측에서 제3가스를 분사할 수 있다. 또한, 제3가스 라인(834) 및 제2가스 라인(824)을 순차적으로 거쳐 제3가스를 공급받은 제2노즐 부재(760)는 처리 공간(501)의 측방에서 제3가스를 분사할 수 있다.The first nozzle member 710 receiving the third gas sequentially through the third gas line 834 and the second gas line 824 is supplied from the upper side of the processing space 501 through the second spray hole 742. A third gas can be injected. In addition, the second nozzle member 760 receiving the third gas sequentially through the third gas line 834 and the second gas line 824 may inject the third gas from the side of the processing space 501 . there is.

제3가스 라인(834)에는 제3밸브(836a, 836b)가 설치될 수 있다. 제3밸브(836a, 836b)는 온/오프 밸브일 수 있다. 선택적으로, 제3밸브(836a, 836b)는 유량 조절 밸브일 수 있다. 제2유량 제어기(838)는 제3가스 라인(834)에 설치될 수 있다. 제2유량 제어기(838)는 제3가스 라인(834)을 유동하는 제3가스의 유량을 조절할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2유량 제어기(838)는 FRC(Flow Rate Controller)일 수 있다. 또한, 제2유량 제어기(838)는 2-Way FRC(Flow Rate Controller)일 수 있다.Third valves 836a and 836b may be installed in the third gas line 834 . The third valves 836a and 836b may be on/off valves. Optionally, the third valves 836a and 836b may be flow control valves. The second flow controller 838 may be installed in the third gas line 834 . The second flow controller 838 may adjust the flow rate of the third gas flowing through the third gas line 834 . According to one embodiment, the second flow controller 838 may be a flow rate controller (FRC). Also, the second flow controller 838 may be a 2-Way FRC (Flow Rate Controller).

도 2를 참조하면, 플라즈마 소스(900)는 처리 공간(501)에 공급된 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 예컨대, 플라즈마 소스(900)는 처리 공간(501)에 공급된 제2가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 소스(900)는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)가 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 플라즈마 소스(900)는 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP), 마이크로파 플라즈마(Microwave Plasma) 등 플라즈마를 발생시킬 수 있는 다양한 장치로 변형되어 사용될 수 있다. 이하에서는, 플라즈마 소스(900)로 유도 결합형 플라즈마(ICP)가 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다.Referring to FIG. 2 , the plasma source 900 excites the gas supplied to the processing space 501 into a plasma state. For example, the plasma source 900 may excite the second gas supplied to the processing space 501 into a plasma state. The plasma source 900 according to an embodiment of the present invention may use an inductively coupled plasma (ICP). However, it is not limited thereto, and the plasma source 900 may be modified and used with various devices capable of generating plasma, such as capacitively coupled plasma (CCP) and microwave plasma. Hereinafter, a case in which inductively coupled plasma (ICP) is used as the plasma source 900 will be described as an example.

플라즈마 소스(900)는 안테나 하우징(910), 플라즈마 전원(920), 그리고 안테나(930)를 포함할 수 있다. 안테나 하우징(910)은 대체로 원통 형상으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 안테나 하우징(910)은 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 안테나 하우징(910)은 하우징(500)과 대응도는 직경을 가질 수 있다. 안테나 하우징(910)은 하우징(500)의 상측에 배치될 수 있다. 또한, 안테나 하우징(910)은 커버(550)의 상측에 배치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 안테나 하우징(910)의 하단은 커버(550)에 탈착할 수 있다. 안테나 하우징(910)은 내부 공간을 가진다. 안테나 하우징(910)의 내부 공간에는 후술하는 안테나(930)가 배치된다.The plasma source 900 may include an antenna housing 910 , a plasma power source 920 , and an antenna 930 . The antenna housing 910 may be formed in a substantially cylindrical shape. According to one embodiment, the antenna housing 910 may have a cylindrical shape with an open bottom. The antenna housing 910 may have a diameter corresponding to that of the housing 500 . The antenna housing 910 may be disposed above the housing 500 . Also, the antenna housing 910 may be disposed above the cover 550 . According to one embodiment, the lower end of the antenna housing 910 can be detached from the cover 550 . The antenna housing 910 has an inner space. An antenna 930 to be described later is disposed in the inner space of the antenna housing 910 .

플라즈마 전원(920)은 공정 챔버(50)의 외부에 위치할 수 있다. 플라즈마 전원(920)은 후술하는 안테나(930)로 고주파 전력을 인가할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 플라즈마 전원(920)은 알-에프(RF) 전원일 수 있다. 플라즈마 전원(920)이 연결된 전력 선의 끝단은 접지될 수 있다. 전력 선에는 도시되지 않은 임피던스 매쳐가 설치될 수 있다.The plasma power source 920 may be located outside the process chamber 50 . The plasma power source 920 may apply high-frequency power to an antenna 930 to be described later. According to an embodiment, the plasma power source 920 may be an RF power source. An end of the power line to which the plasma power source 920 is connected may be grounded. An impedance matcher (not shown) may be installed in the power line.

안테나(930)는 복수 회로 감긴 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 코일은 기판(W)과 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 코일은 위에서 바라볼 때, 지지 유닛(600)에 지지된 기판(W)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 코일은 플라즈마 전원(920)과 연결되어 플라즈마 전원(920)으로부터 전력을 인가받는다. 일 실시예에 의하면, 코일은 플라즈마 전원(920)으로부터 고주파 전력을 인가받아 처리 공간(501)에 시변 전기장을 유도할 수 있다. 이에 따라, 처리 공간(501)에 공급된 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다. 예컨대, 처리 공간(501)에 공급된 제2가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.The antenna 930 may include a spiral coil wound with multiple circuits. The coil may be disposed at a position facing the substrate (W). For example, when viewed from above, the coil may be disposed at a position overlapping the substrate W supported by the support unit 600 . The coil is connected to the plasma power source 920 and receives power from the plasma power source 920 . According to an embodiment, the coil may induce a time-varying electric field in the processing space 501 by receiving high-frequency power from the plasma power supply 920 . Accordingly, the gas supplied to the processing space 501 may be excited into plasma. For example, the second gas supplied to the processing space 501 may be excited into plasma.

원자층 증착 공정을 수행하는 챔버에서, 제1가스와 제2가스는 서로 반응할 수 있다. 이에, 처리 공간(501)에 제1가스와 제2가스가 공급되기 이전에, 서로 유로를 공유하는 경우 유로 내부에서 제1가스와 제2가스가 반응할 수 있다. 이 경우, 유로 내부에서 반응물이 형성되고, 형성된 반응물에 의해 유로가 폐색될 수 있다.In a chamber performing an atomic layer deposition process, the first gas and the second gas may react with each other. Accordingly, before the first gas and the second gas are supplied to the processing space 501, when the flow path is shared, the first gas and the second gas may react within the flow path. In this case, a reactant is formed inside the passage, and the passage may be blocked by the formed reactant.

이에, 상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1가스와 제2가스가 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760)에서 서로 다른 유로로 유동할 수 있으므로, 처리 공간(501)으로 공급되기 이전에 제1가스 및 제2가스가 서로 반응하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 처리 공간(501)으로 가스들을 공급하는 제1노즐 부재(710) 및 제2노즐 부재(760) 외의 별도의 가스를 분사하는 부재를 설치할 필요가 없으므로, 구조적인 복잡성을 최소화할 수 있다. 또한, 제2가스와 반응하지 않는 제3가스는 제2가스가 유동하는 유로를 공유하도록 설계함으로써, 구조의 간소화를 보다 효율적으로 실현할 수 있다.Therefore, according to the above-described embodiment of the present invention, since the first gas and the second gas can flow in different flow paths in the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760, the processing space 501 ), it is possible to block the first gas and the second gas from reacting with each other before being supplied. In addition, since there is no need to install a member for dispensing gas other than the first nozzle member 710 and the second nozzle member 760 for supplying gases into the processing space 501, structural complexity can be minimized. In addition, by designing the third gas that does not react with the second gas to share the passage through which the second gas flows, the structure can be simplified more efficiently.

또한, 제1가스 라인(814)에 2-way 유량 제어기를 설치함으로써, 원자층 증착 공정에서 자기 억제 반응을 수반하는 제1가스의 공급량을 효율적으로 조절할 수 있다. 또한, 제3가스 라인(834)에도 2-way 유량 제어기를 설치함으로써, 자기 억제 반응이 종료된 이후 처리 공간(501)의 퍼지의 양을 효율적으로 조절할 수 있다. 또한, 2-way 유량 제어기에 의해 제3가스의 양을 조절함으로써, 플라즈마의 점화 정도를 효율적으로 조절할 수 있다.In addition, by installing the 2-way flow rate controller in the first gas line 814, it is possible to efficiently control the supply amount of the first gas accompanying the self-inhibited reaction in the atomic layer deposition process. In addition, by installing the 2-way flow rate controller in the third gas line 834, the amount of purge in the processing space 501 can be efficiently adjusted after the self-inhibition reaction is completed. In addition, by adjusting the amount of the third gas by the 2-way flow controller, the ignition degree of plasma can be efficiently adjusted.

이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공정 챔버에 대해 설명한다. 이하에서 설명하는 일 실시예에 의한 공정 챔버는 추가적으로 설명하는 경우 외에는 상술한 공정 챔버와 대부분 동일 또는 유사하다.Hereinafter, a process chamber according to another embodiment of the present invention will be described. A process chamber according to an embodiment described below is substantially the same as or similar to the above-described process chamber except for additionally described cases.

도 6은 도 1의 다른 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재의 사시도이다. 도 8은 도 7의 일 실시예에 따른 제1노즐 부재를 B-B 선에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 6 is a schematic view of a process chamber according to another embodiment of FIG. 1 . 7 is a perspective view of a first nozzle member according to an exemplary embodiment of FIG. 6 ; 8 is a cross-sectional view of the first nozzle member according to the embodiment of FIG. 7 taken along line BB.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 제1노즐 부재(710)는 몸체(720), 복수 개의 유로, 그리고 튜브 관(750)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의한 몸체(720)와 복수 개의 유로는 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 구조와 대부분 동일 또는 유사하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.6 to 8 , the first nozzle member 710 according to an embodiment of the present invention may include a body 720, a plurality of flow passages, and a tube pipe 750. Since the structure of the body 720 and the plurality of passages according to an embodiment is substantially the same as or similar to the structure described with reference to FIGS. 2 to 5 , a description thereof will be omitted.

일 실시예에 의하면, 튜브 관(750)은 대체로 원형의 단면을 가지는 관일 수 있다. 튜브 관(750)은 몸체(720) 내부에 위치할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 튜브 관(750)의 직경은 중앙 유로(731)의 직경보다 작을 수 있다. 이에, 튜브 관(750)은 중앙 유로(731)의 내부에 위치할 수 있다. 즉, 튜브 관(750)은 중앙 유로(731)의 내부에 삽입될 수 있다.According to one embodiment, the tube tube 750 may be a tube having a substantially circular cross section. The tube tube 750 may be located inside the body 720 . According to one embodiment, the diameter of the tube tube 750 may be smaller than the diameter of the central flow path 731 . Accordingly, the tube tube 750 may be located inside the central flow passage 731 . That is, the tube tube 750 may be inserted into the central passage 731 .

튜브 관(750)은 위에서 바라볼 때, 제1부분(721)의 하부(lower portion)에 형성된 제1분사홀(741)들과 중첩될 수 있다. 구체적으로, 튜브 관(750)의 내부는 제1분사홀(741)과 유체 연통할 수 있다. 튜브 관(750)은 제1가스 라인(814)과 연결될 수 있다. 이에, 제1가스는 제1가스 라인(814), 튜브 관(750)을 순차적으로 거쳐 제1부분(721)의 하부에 형성된 제1분사홀(741)로 공급되고, 제1분사홀(741)로 공급된 제1가스는 처리 공간(501)으로 분사될 수 있다.When viewed from above, the tube pipe 750 may overlap the first injection holes 741 formed in the lower portion of the first portion 721 . Specifically, the inside of the tube tube 750 may be in fluid communication with the first spray hole 741 . The tube pipe 750 may be connected to the first gas line 814 . Accordingly, the first gas is supplied to the first injection hole 741 formed in the lower part of the first part 721 through the first gas line 814 and the tube tube 750 sequentially, and the first injection hole 741 The first gas supplied to ) may be injected into the processing space 501 .

중앙 유로(731)에는 제2가스 라인(824)이 연결될 수 있다. 구체적으로, 중앙 유로(731)의 전 영역 중 튜브 관(750)의 외측 영역에는 제2가스 라인(824)이 연결될 수 있다. 이에, 제2가스는 제2가스 라인(824)과 중앙 유로(731)를 순차적으로 거쳐 제1부분(721)의 측부에 형성된 제1분사홀(741)로 공급될 수 있다. 제1부분(721)의 측부에 형성된 제1분사홀(741)로 공급된 제2가스는 처리 공간(501)으로 분사될 수 있다.A second gas line 824 may be connected to the central flow path 731 . Specifically, the second gas line 824 may be connected to an outer region of the tube pipe 750 in the entire region of the central passage 731 . Accordingly, the second gas may be supplied to the first injection hole 741 formed on the side of the first portion 721 through the second gas line 824 and the central passage 731 sequentially. The second gas supplied to the first injection hole 741 formed on the side of the first portion 721 may be injected into the processing space 501 .

가장자리 유로(732)에는 제3가스 라인(834)이 연결될 수 있다. 이에, 제3가스는 제3가스 라인(834)과 가장자리 유로(732)를 순차적으로 거쳐 제2분사홀(742)로 공급될 수 있다. 제2부분(722)의 측부 및 하부에 형성된 제2분사홀(742)로 공급된 제3가스는 처리 공간(501)에 분사될 수 있다.A third gas line 834 may be connected to the edge passage 732 . Accordingly, the third gas may be supplied to the second injection hole 742 through the third gas line 834 and the edge passage 732 sequentially. The third gas supplied to the second injection hole 742 formed on the side and bottom of the second part 722 may be injected into the processing space 501 .

제2노즐 부재(760)는 복수 개 구비될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 복수 개의 제2노즐 부재(760)들은 하우징(500)의 측벽의 둘레를 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 예컨대, 제2노즐 부재(760)들은 하우징(500)의 측벽 둘레를 따라 3열 배치될 수 있다.A plurality of second nozzle members 760 may be provided. According to one embodiment, the plurality of second nozzle members 760 may be spaced apart from each other along the circumference of the sidewall of the housing 500 . For example, the second nozzle members 760 may be arranged in three rows along the circumference of the sidewall of the housing 500 .

제1가스 라인(814)은 제1노즐 부재(710) 및 후술하는 제2노즐 부재(760)들 중 어느 일부와 연결될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1가스 라인(814)은 튜브 관(750)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1가스 라인(814)의 일단은 제1가스 소스(812)와 연결되고, 타단은 분기되어 튜브 관(750) 및 제2노즐 부재(760)들 중 어느 일부와 각각 연결될 수 있다.The first gas line 814 may be connected to any part of the first nozzle member 710 and second nozzle members 760 to be described later. According to one embodiment, the first gas line 814 may be connected to the tube pipe 750. Specifically, one end of the first gas line 814 is connected to the first gas source 812, and the other end is branched and connected to any part of the tube tube 750 and the second nozzle member 760, respectively. .

제2가스 라인(824)은 제1노즐 부재(710) 및 후술하는 제2노즐 부재(760)들 중 다른 일부와 연결될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2가스 라인(824)은 중앙 유로(731)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2가스 라인(824)은 중앙 유로(731)의 전 영역 중, 튜브 관(750)이 형성된 영역의 바깥 영역과 연결될 수 있다. 또한, 제2가스 라인(824)은 제2노즐 부재(760)들 중 제1가스 라인(814)이 연결되지 않은 제2노즐 부재(760)들과 연결될 수 있다.The second gas line 824 may be connected to other parts of the first nozzle member 710 and second nozzle members 760 to be described later. According to one embodiment, the second gas line 824 may be connected to the central flow path 731 . Specifically, the second gas line 824 may be connected to an area outside the area where the tube pipe 750 is formed, among the entire area of the central passage 731 . Also, the second gas line 824 may be connected to second nozzle members 760 to which the first gas line 814 is not connected among the second nozzle members 760 .

제3가스 라인(834)은 제1노즐 부재(710) 및 후술하는 제2노즐 부재(760)들 중 또 다른 일부와 연결될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제3가스 라인(834)은 가장자리 유로(732)와 연결될 수 있다. 또한, 제3가스 라인(834)은 제2노즐 부재(760)들 중 제1가스 라인(814) 및 제2가스 라인(824)이 연결되지 않은 제2노즐 부재(760)들과 연결될 수 있다.The third gas line 834 may be connected to another part of the first nozzle member 710 and second nozzle members 760 to be described later. According to one embodiment, the third gas line 834 may be connected to the edge passage 732 . Also, the third gas line 834 may be connected to second nozzle members 760 to which the first gas line 814 and the second gas line 824 are not connected among the second nozzle members 760. .

상술한 실시예에서는, 제2가스 라인(824)이 중앙 유로(731)에 연결되고, 제3가스 라인(834)이 가장자리 유로(732)에 연결되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2가스 라인(824)은 가장자리 유로(732)에 연결되고, 제3가스 라인(834)은 중앙 유로(731)에 연결될 수 있다.In the above-described embodiment, the second gas line 824 is connected to the central flow path 731 and the third gas line 834 is connected to the edge flow path 732 as an example, but is not limited thereto. . For example, the second gas line 824 may be connected to the edge passage 732 and the third gas line 834 may be connected to the central passage 731 .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

10: 로드 포트
20: 상압 이송 모듈
30: 진공 이송 모듈
40: 로드락 챔버
50: 공정 챔버
500 : 하우징
600 : 지지 유닛
700 : 가스 공급 유닛
710 : 제1노즐 부재
720 : 몸체
721 : 제1부분
722 : 제2부분
723 : 제3부분
731 : 중앙 유로
732 : 가장자리 유로
741 : 제1분사홀
742 : 제2분사홀
750 : 튜브 관
760 : 제2노즐 부재
810 : 제1가스 공급부
820 : 제2가스 공급부
830 : 제3가스 공급부10: load port
20: normal pressure transfer module
30: vacuum transfer module
40: load lock chamber
50: process chamber
500: housing
600: support unit
700: gas supply unit
710: first nozzle member
720: body
721: first part
722: second part
723: third part
731: central euro
732: Edge Euro
741: first injection hole
742: second injection hole
750: tube tube
760: second nozzle member
810: first gas supply unit
820: second gas supply unit
830: third gas supply unit

Claims (18)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상면이 개방되고, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징;
상기 하우징의 개방된 상면을 밀폐하는 커버;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 처리 공간으로 가스를 분사하는 노즐 부재를 포함하는 가스 공급 유닛; 및
상기 처리 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
상기 가스 공급 유닛은,
제1가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 제1가스를 공급하는 제1가스 공급부;
제2가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2가스 공급부; 및
제3가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 제3가스를 공급하는 제3가스 공급부를 포함하고,
상기 노즐 부재는,
상기 커버에 설치되어 상기 처리 공간의 상측에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제1노즐 부재; 및
상기 하우징의 측벽에 설치되어 상기 처리 공간의 측방에서 상기 처리 공간으로 상기 가스를 공급하는 제2노즐 부재를 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing with an open upper surface and a processing space therein;
a cover sealing the open upper surface of the housing;
a support unit supporting a substrate within the processing space;
a gas supply unit including a nozzle member injecting gas into the processing space; and
A plasma source generating plasma in the processing space,
The gas supply unit,
a first gas supply unit supplying a first gas to the processing space through a first gas line;
a second gas supply unit supplying a second gas different from the first gas to the processing space through a second gas line; and
A third gas supply unit supplying a third gas different from the first gas and the second gas to the processing space through a third gas line;
The nozzle member,
a first nozzle member installed on the cover to supply the gas from an upper side of the processing space to the processing space; and
and a second nozzle member installed on a sidewall of the housing to supply the gas to the processing space from a side of the processing space. 제1항에 있어서,
상기 제1노즐 부재는,
원통 형상으로 형성되고, 제1부분, 상기 제1부분의 상측에 위치하는 제2부분, 그리고 상기 제2부분의 상측에 위치하는 제3부분을 포함하는 몸체; 및
상기 몸체 내부에서 상기 가스가 유동하는 복수 개의 가스 유로를 포함하고,
상기 유로는,
상기 몸체의 중앙 영역에 형성되어 상기 제1부분의 측부 및 상기 제1부분의 하부(lower portion)에 형성된 제1분사홀과 연결되는 중앙 유로; 및
상기 몸체의 가장자리 영역에 형성되어 상기 제2부분의 측부 및 상기 제2부분의 하부에 형성된 제2분사홀과 연결되는 가장자리 유로를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first nozzle member,
a body formed in a cylindrical shape and including a first part, a second part located above the first part, and a third part located above the second part; and
It includes a plurality of gas passages through which the gas flows inside the body,
The euro is
a central flow path formed in a central region of the body and connected to first injection holes formed in side portions of the first portion and in a lower portion of the first portion; and
and an edge channel formed on an edge region of the body and connected to second injection holes formed on a side portion of the second portion and a lower portion of the second portion. 제2항에 있어서,
상기 제3가스 라인은 상기 제2가스 라인에 연결되고,
상기 제1가스 라인은 상기 중앙 유로에 연결되고, 상기 제2가스 라인은 상기 가장자리 유로에 연결되는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The third gas line is connected to the second gas line,
The first gas line is connected to the central flow path, and the second gas line is connected to the edge flow path. 제2항에 있어서,
상기 중앙 유로의 내부에는 상기 중앙 유로의 직경보다 작은 직경을 가지는 튜브 관이 삽입되고,
상기 튜브 관은 상기 제1부분의 하부에 형성된 상기 제1분사홀과 유체 연통하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
A tube having a smaller diameter than the diameter of the central passage is inserted into the central passage,
The tube tube is in fluid communication with the first injection hole formed in the lower portion of the first portion. 제4항에 있어서,
상기 제1가스 라인은 상기 튜브 관에 연결되고,
상기 제2가스 라인 및 상기 제3가스 라인 중 어느 하나는 상기 중앙 유로에 연결되고,
상기 제2가스 라인 및 상기 제3가스 라인 중 다른 하나는 상기 가장자리 유로에 연결되는 기판 처리 장치.According to claim 4,
The first gas line is connected to the tube pipe,
One of the second gas line and the third gas line is connected to the central flow path,
The other one of the second gas line and the third gas line is connected to the edge passage. 제1항에 있어서,
상기 제2노즐 부재는 복수 개로 구비되고,
복수 개의 상기 제2노즐 부재들은 상기 하우징의 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The second nozzle member is provided in plurality,
A plurality of second nozzle members are disposed spaced apart from each other along a circumferential direction of the housing. 제6항에 있어서,
상기 제3가스 라인은 상기 제2가스 라인에 연결되고,
상기 제1가스 라인은 복수 개의 상기 제2노즐 부재들 중 어느 일부와 연결되고,
상기 제2가스 라인은 복수 개의 상기 제2노즐 부재들 중 다른 일부와 연결되는 기판 처리 장치.According to claim 6,
The third gas line is connected to the second gas line,
The first gas line is connected to any part of the plurality of second nozzle members,
The second gas line is connected to another part of the plurality of second nozzle members. 제7항에 있어서,
상기 복수 개의 제2노즐 부재들은 상기 측벽에 복수의 열로 배치되는 기판 처리 장치.According to claim 7,
The plurality of second nozzle members are arranged in a plurality of rows on the sidewall. 제1항에 있어서,
상기 제1가스는 상기 기판의 표면에 흡착하는 가스이고,
상기 제2가스는 상기 제1가스와 반응하거나, 상기 처리 공간에서 여기되어 상기 기판에 형성된 막을 식각하는 가스이고,
상기 제3가스는 상기 처리 공간의 내부 분위기를 퍼지하거나, 상기 처리 공간에서 상기 제2가스의 여기에 기여하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first gas is a gas adsorbed on the surface of the substrate,
The second gas is a gas that reacts with the first gas or is excited in the processing space to etch a film formed on the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the third gas is a gas that purges an internal atmosphere of the processing space or contributes to excitation of the second gas in the processing space. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2노즐 부재는,
상기 측벽으로부터 상기 처리 공간을 향하는 방향으로 돌출되고, 정면에서 바라볼 때 상기 커버와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 사이에 위치하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 9,
The second nozzle member,
A substrate processing apparatus protruding from the sidewall in a direction toward the processing space and positioned between the cover and the substrate supported by the support unit when viewed from the front. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2노즐 부재는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판을 향하는 방향으로 경사진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 9,
The second nozzle member,
A substrate processing apparatus, characterized in that inclined in a direction toward the substrate supported by the support unit. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1가스 라인 및 상기 제3가스 라인 각각에는 유량을 제어하는 유량 제어기(Flow Rate Controller)가 설치되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 9,
A substrate processing apparatus in which a flow rate controller for controlling a flow rate is installed in each of the first gas line and the third gas line. 기판이 처리되는 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛에 있어서,
상기 처리 공간으로 상기 가스를 분사하는 노즐 부재;
제1가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 제1가스를 공급하는 제1가스 공급부;
제2가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2가스 공급부; 및
제3가스 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 제3가스를 공급하는 제3가스 공급부를 포함하되,
상기 노즐 부재는,
제1부분과, 상기 제1부분의 상측에 위치하고 상기 제1부분보다 큰 직경을 가지는 제2부분과, 상기 제2부분의 상측에 위치하고 상기 제2부분보다 큰 직경을 가지는 제3부분을 포함하는 몸체; 및
상기 몸체 내부에서 상기 가스가 유동하는 복수 개의 가스 유로를 포함하고,
상기 유로는,
상기 몸체의 중앙 영역에 형성되어 상기 제1부분의 측부 및 상기 제1부분의 하부(lower portion)에 형성된 제1분사홀과 연결되는 중앙 유로; 및
상기 몸체의 가장자리 영역에 형성되어 상기 제2부분의 측부 및 상기 제2부분의 하부에 형성된 제2분사홀과 연결되는 가장자리 유로를 포함하는 가스 공급 유닛.A gas supply unit for supplying gas to a processing space in which a substrate is processed,
a nozzle member injecting the gas into the processing space;
a first gas supply unit supplying a first gas to the processing space through a first gas line;
a second gas supply unit supplying a second gas different from the first gas to the processing space through a second gas line; and
A third gas supply unit supplying a third gas different from the first gas and the second gas to the processing space through a third gas line,
The nozzle member,
A first part, a second part located above the first part and having a larger diameter than the first part, and a third part located above the second part and having a larger diameter than the second part. body; and
It includes a plurality of gas passages through which the gas flows inside the body,
The euro is
a central flow path formed in a central region of the body and connected to first injection holes formed in side portions of the first portion and in a lower portion of the first portion; and
and an edge passage formed on an edge region of the body and connected to second injection holes formed on a side portion of the second portion and a lower portion of the second portion. 제13항에 있어서,
상기 제1가스는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 상기 중앙 유로에 공급되고,
상기 제2가스 및 상기 제3가스는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 상기 가장자리 유로에 공급되는 가스 공급 유닛.According to claim 13,
The first gas is supplied to the central passage among the central passage and the edge passage,
The gas supply unit of claim 1 , wherein the second gas and the third gas are supplied to the edge passage of the central passage and the edge passage. 제13항에 있어서,
상기 중앙 유로의 내부에는 상기 중앙 유로의 직경보다 작은 직경을 가지는 튜브 관이 삽입되고,
상기 튜브 관은 상기 제1부분의 하부에 형성된 상기 제1분사홀과 유체 연통하는 가스 공급 유닛.According to claim 13,
A tube having a smaller diameter than the diameter of the central passage is inserted into the central passage,
The gas supply unit of claim 1 , wherein the tube is in fluid communication with the first injection hole formed in the lower portion of the first portion. 제15항에 있어서,
상기 제1가스는 상기 튜브 관에 공급되고,
상기 제2가스와 상기 제3가스 중 어느 하나는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 어느 하나에 공급되고,
상기 제2가스와 상기 제3가스 중 다른 하나는 상기 중앙 유로와 상기 가장자리 유로 중 다른 하나에 공급되는 가스 공급 유닛.According to claim 15,
The first gas is supplied to the tube tube,
Any one of the second gas and the third gas is supplied to any one of the central passage and the edge passage,
The other one of the second gas and the third gas is supplied to the other one of the central passage and the edge passage. 제13항에 있어서,
상기 제1가스 라인 및 상기 제3가스 라인 각각에는 유량을 제어하는 유량 제어기(Flow Rate Controller)가 설치되는 가스 공급 유닛.According to claim 13,
A gas supply unit in which a flow rate controller for controlling a flow rate is installed in each of the first gas line and the third gas line. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1가스는 상기 기판의 표면에 흡착하는 가스이고,
상기 제2가스는 상기 제1가스와 반응하거나, 상기 처리 공간에서 여기되어 상기 기판에 형성된 막을 식각하는 가스이고,
상기 제3가스는 상기 처리 공간의 내부 분위기를 퍼지하거나, 상기 처리 공간에서 상기 제2가스의 여기에 기여하는 가스인 것을 특징으로 하는 가스 공급 유닛.According to any one of claims 13 to 17,
The first gas is a gas adsorbed on the surface of the substrate,
The second gas is a gas that reacts with the first gas or is excited in the processing space to etch a film formed on the substrate;
The gas supply unit of claim 1, wherein the third gas is a gas that purges an internal atmosphere of the processing space or contributes to excitation of the second gas in the processing space.

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