KR20230098469A - Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 기판을 액 처리하는 단계 및 상기 액 처리된 기판을 건조하는 단계를 포함하되, 상기 액 처리 단계는 회전하는 상기 기판의 상면에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계 및 회전하는 상기 기판의 상면에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고, 상기 제2액 공급 단계에서는 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 중심 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역까지만 유동하도록 상기 기판의 회전 속도를 조절할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. A method of treating a substrate includes liquid processing a substrate and drying the liquid processed substrate, wherein the liquid processing step includes a first liquid supply step of supplying a first liquid to an upper surface of the rotating substrate; and and a second liquid supply step of supplying a second liquid to the upper surface of the rotating substrate, wherein in the second liquid supply step, the second liquid supplied on the substrate moves from the center region of the substrate to the edge of the substrate. The rotational speed of the substrate may be adjusted so as to flow only up to the region.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for liquid processing a substrate by supplying a liquid to the substrate.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진 공정(Photo Process), 식각 공정(Etching Process), 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 그리고 증착 공정(Deposition Process) 등과 같은 다양한 공정이 수행된다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a deposition process are performed.
각각의 공정을 수행하는 과정에서 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등 다양한 이물질이 발생된다. 발생된 이물질들은 기판에 결함(defect)을 야기하고, 반도체 소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 이에, 반도체 소자의 제조 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 이물질들을 제거하는 세정 공정이 수행된다.In the process of performing each process, various foreign substances such as particles, organic contaminants, and metal impurities are generated. The generated foreign substances cause defects in the substrate and act as a factor that directly affects the performance and yield of semiconductor devices. Accordingly, a cleaning process for removing foreign substances remaining on the substrate is performed before and after manufacturing processes of the semiconductor device are performed.
세정 공정은 약액(Chemical)을 이용하여 기판 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 단계, 탈이온수(Deionized Water;DIW) 등과 같은 세정액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 약액을 제거하는 단계, 세정액보다 표면장력이 낮은 유기용제를 사용하여 기판 상에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계, 그리고 기판의 표면에 잔류하는 유기용제를 건조하는 건조 단계를 포함한다.The cleaning process includes a step of removing foreign substances remaining on the substrate using a chemical, a step of removing the chemical remaining on the substrate using a cleaning solution such as deionized water (DIW), and the surface tension of the cleaning solution. and a step of removing the cleaning solution remaining on the substrate using the low organic solvent, and a drying step of drying the organic solvent remaining on the surface of the substrate.
세정 공정을 수행하는 과정에서 사용된 다양한 액들은 유동성을 갖는다. 이에, 건조 단계를 수행하기 위해 기판을 반송하는 도중에 기판에 공급된 액이 기판으로부터 이탈되는 문제가 발생한다. 또한, 기판 상에 잔류하는 파티클을 제거하기 위해 기판 상에 액을 과량 공급하는 경우, 기판에 공급된 액이 기판으로부터 이탈된다. 기판으로부터 이탈된 액은 기판의 반송 과정, 또는 챔버에 잔류하여 후속 기판을 오염시키는 오염원으로 작용한다.Various liquids used in the process of performing the cleaning process have fluidity. Thus, a problem arises in that the liquid supplied to the substrate is separated from the substrate while the substrate is transported to perform the drying step. Also, when an excessive amount of liquid is supplied onto the substrate to remove particles remaining on the substrate, the liquid supplied to the substrate is separated from the substrate. The liquid separated from the substrate remains in the transfer process of the substrate or in the chamber to act as a contamination source contaminating subsequent substrates.
본 발명은 기판을 효율적으로 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently cleaning a substrate.
또한, 본 발명은 기판으로 공급된 액이 기판의 상면 가장자리 영역으로부터 이탈되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing the separation of liquid supplied to the substrate from the upper surface edge region of the substrate.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 기판을 액 처리하는 단계 및 상기 액 처리된 기판을 건조하는 단계를 포함하되, 상기 액 처리 단계는 회전하는 상기 기판의 상면에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계 및 회전하는 상기 기판의 상면에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고, 상기 제2액 공급 단계에서는 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 중심 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역까지만 유동하도록 상기 기판의 회전 속도를 조절할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. A method of treating a substrate includes liquid processing a substrate and drying the liquid processed substrate, wherein the liquid processing step includes a first liquid supply step of supplying a first liquid to an upper surface of the rotating substrate; and and a second liquid supply step of supplying a second liquid to the upper surface of the rotating substrate, wherein in the second liquid supply step, the second liquid supplied on the substrate moves from the center region of the substrate to the edge of the substrate. The rotational speed of the substrate may be adjusted so as to flow only up to the region.
일 실시예에 의하면, 상기 제2액 공급 단계는 상기 기판에 공급된 상기 제1액을 상기 제2액으로 치환하는 치환 단계, 상기 기판에 공급된 상기 제2액의 양을 보상하는 보상 단계 및 유도 속도 범위에서 상기 기판의 회전 속도를 변경하여 상기 기판에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 가장자리 영역까지만 유동되도록 유도하는 유도 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the supplying of the second liquid includes a substitution step of replacing the first liquid supplied to the substrate with the second liquid, a compensation step of compensating for the amount of the second liquid supplied to the substrate, and An induction step of inducing the second liquid supplied to the substrate to flow only to an edge region of the substrate by changing a rotational speed of the substrate within an induction speed range may be included.
일 실시예에 의하면, 상기 유도 단계는 제1유도 속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하는 제1유도 단계 및 상기 기판에 상기 제2액의 공급을 중단하고, 상기 기판을 회전시키는 제2유도 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the induction step is a first induction step of supplying the second liquid to the substrate rotating at a first induction speed and stopping the supply of the second liquid to the substrate, rotating the substrate A second induction step may be included.
일 실시예에 의하면, 상기 제2유도 단계에서 상기 기판의 회전 속도는 상기 제1유도 속도에서 제2유도 속도로 변경되되, 상기 제1유도 속도는 상기 제2유도 속도보다 빠를 수 있다.According to an embodiment, in the second induction step, the rotational speed of the substrate is changed from the first induction speed to the second induction speed, and the first induction speed may be higher than the second induction speed.
일 실시예에 의하면, 상기 치환 단계는 제1속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하고, 상기 보상 단계는 제2속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하되, 상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠를 수 있다.According to one embodiment, the replacing step supplies the second liquid to the substrate rotating at a first speed, and the compensating step supplies the second liquid to the substrate rotating at a second speed, The first speed may be higher than the second speed.
일 실시예에 의하면, 상기 제2속도는 상기 제1유도 속도보다 빠를 수 있다.According to one embodiment, the second speed may be faster than the first induction speed.
일 실시예에 의하면, 상기 제2속도는 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 이면으로 흐르는 것을 억제하는 속도일 수 있다.According to one embodiment, the second speed may be a speed that suppresses the flow of the second liquid supplied on the substrate to the back surface of the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 제2액 공급 단계에서 상기 제2액은 상기 기판의 상면 가장자리 영역까지만 유동할 수 있다.According to an embodiment, in the step of supplying the second liquid, the second liquid may flow only up to an edge region of the upper surface of the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 건조 단계는 초임계 유체에 의해 수행되고, 상기 제2액은 상기 제1액보다 상기 초임계 유체에 대한 용해도가 높을 수 있다.According to one embodiment, the drying step is performed using a supercritical fluid, and the second liquid may have a higher solubility in the supercritical fluid than the first liquid.
일 실시예에 의하면, 상기 건조 단계는 상기 기판의 이면 가장자리 영역이 지지된 상태에서 수행될 수 있다.According to an embodiment, the drying step may be performed in a state in which an edge region of the rear surface of the substrate is supported.
일 실시예에 의하면, 상기 액 처리 단계는 액 처리 챔버에서 수행되고, 상기 건조 단계는 건조 챔버에서 수행되되, 상기 액 처리 챔버에서 상기 액 처리가 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 상기 건조 챔버로 반송될 수 있다.According to an embodiment, the liquid processing step is performed in a liquid processing chamber, the drying step is performed in a drying chamber, and the substrate on which the liquid processing is completed in the liquid processing chamber is transferred to the drying chamber by a transfer robot. can
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판에 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 상기 기판으로부터 상기 액을 제거하는 건조 챔버, 상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛 및 상기 액 처리 챔버, 상기 건조 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 처리 챔버는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 내부 공간 내에서 상기 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛 및 상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 상면에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 액 공급 유닛은 상기 기판에 제1액을 공급하는 제1액 공급 노즐 및 상기 기판에 제2액을 공급하는 제2액 공급 노즐을 포함하고, 상기 제어기는 상기 기판에 제1액을 공급하고, 상기 제1액이 공급된 상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하도록 상기 제1액 공급 노즐과 상기 제2액 공급 노즐을 각각 제어하되, 상기 기판 상에 상기 제2액이 공급되는 동안 상기 기판의 회전 속도를 조절하여 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 엣지 영역까지만 이동되도록 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying liquid to the substrate, a drying chamber for removing the liquid from the substrate, a transfer unit for transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber, and A controller for controlling a liquid processing chamber, the drying chamber, and the transfer unit, wherein the liquid processing chamber includes a housing having an inner space, a support unit supporting and rotating the substrate in the inner space, and the support unit and a liquid supply unit supplying a liquid to the upper surface of the substrate placed thereon, the liquid supply unit supplying a first liquid supply nozzle supplying a first liquid to the substrate and a second liquid supply supplying a second liquid to the substrate and a nozzle, wherein the controller controls the first liquid supply nozzle and the second liquid supply nozzle to supply the first liquid to the substrate and to supply the second liquid to the substrate to which the first liquid has been supplied. The support unit may be controlled so that the rotation speed of the substrate is controlled while the second liquid is supplied to the substrate so that the second liquid supplied to the substrate is moved only to the edge area of the substrate. there is.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하는 동안 상기 기판의 회전 속도가 제1속도에서 상기 제1속도보다 느린 유도 속도로 변경되도록 상기 지지 유닛을 제어하되, 상기 유도 속도는 상기 기판에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 상면 엣지 영역까지만 유동되는 속도일 수 있다.According to one embodiment, the controller controls the support unit so that the rotational speed of the substrate is changed from a first speed to an induction speed slower than the first speed while supplying the second liquid on the substrate, The induction speed may be a speed at which the second liquid supplied to the substrate flows only to an upper edge area of the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 유도 속도는 제1유도 속도와 상기 제1유도 속도보다 느린 제2유도 속도를 포함하고, 상기 제어기는 순차적으로 상기 제1속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도로 상기 기판의 회전 속도가 변경되도록 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the induction speed includes a first induction speed and a second induction speed that is slower than the first induction speed, and the controller sequentially performs the first speed, the first induction speed, and the second induction speed. It is possible to control the support unit so that the rotational speed of the substrate is changed at an induced speed.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 제1속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도 중 상기 제1속도와 상기 제1유도 속도로 상기 기판이 회전하는 동안에 상기 제2액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 제2액 공급 노즐을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller controls the second liquid while the substrate rotates at the first speed and the first induction speed among the first speed, the first induction speed, and the second induction speed. The second liquid supply nozzle may be controlled to supply the second liquid to the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 제1속도와 상기 유도 속도 사이에서, 상기 제1속도보다 느리고 상기 유도 속도보다는 빠른 제2속도로 상기 기판의 회전 속도를 변경시키도록 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller controls the support unit to change the rotational speed of the substrate between the first speed and the induction speed, to a second speed that is slower than the first speed and faster than the induction speed. can
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 기판이 제2속도로 회전되는 동안 상기 기판 상에 제2액이 공급되도록 상기 제2액 공급 노즐을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller may control the second liquid supply nozzle so that the second liquid is supplied to the substrate while the substrate is rotated at the second speed.
일 실시예에 의하면, 상기 건조 챔버는 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 상기 액 처리가 완료된 기판의 이면 가장자리 영역을 지지할 수 있다.According to an embodiment, the drying chamber may include a supporter supporting the substrate, and the supporter may support an edge region of the rear surface of the liquid-processed substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 건조 챔버에서는 초임계 유체를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 제2액을 제거하고, 상기 제2액은 상기 제1액보다 상기 초임계 유체에 대한 용해도가 높을 수 있다.According to an embodiment, the second liquid may be removed from the substrate using a supercritical fluid in the drying chamber, and the second liquid may have higher solubility in the supercritical fluid than the first liquid.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 액 처리 챔버에서 기판에 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 단계, 상기 액 처리된 기판을 건조 챔버로 반송하는 단계 및 상기 건조 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 상기 액 처리된 기판에서 상기 액을 제거하는 건조 단계를 포함하되, 상기 액 처리 단계는 회전하는 상기 기판의 상면에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계 및 회전하는 상기 기판의 상면에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고, 상기 제2액 공급 단계는 상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하는 동안 상기 기판의 회전 속도를 제1속도에서 상기 제1속도보다 느린 제2속도로, 상기 제2속도에서 상기 제2속도보다 느린 제1유도 속도로, 그리고 상기 제1유도 속도에서 상기 제1유도 속도보다 느린 제2유도 속도로 변경시켜 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액을 상기 기판의 상면 가장자리 영역까지만 유동되도록 유도하고, 상기 제2액 공급 단계에서 상기 기판에 공급하는 상기 제2액은 상기 기판이 상기 제1속도, 상기 제2속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도 중 상기 제1속도, 상기 제2속도, 그리고 상기 제1유도 속도로 회전하는 동안 공급될 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. A method of processing a substrate includes a liquid processing step of liquid processing the substrate by supplying liquid to the substrate in a liquid processing chamber, transferring the liquid-processed substrate to a drying chamber, and using a supercritical fluid in the drying chamber to perform the liquid processing step. A drying step of removing the liquid from the processed substrate, wherein the liquid processing step includes a first liquid supplying step of supplying a first liquid to the upper surface of the rotating substrate and a second liquid to the upper surface of the rotating substrate. and a step of supplying a second liquid, wherein the step of supplying the second liquid changes the rotational speed of the substrate from a first speed to a second speed slower than the first speed while supplying the second liquid onto the substrate. , The second liquid supplied on the substrate by changing from the second rate to a first induction rate slower than the second rate, and from the first induction rate to a second induction rate slower than the first induction rate The second liquid supplied to the substrate is induced to flow only up to the edge region of the upper surface of the substrate, and the second liquid supplied to the substrate in the second liquid supply step causes the substrate to flow at the first speed, the second speed, the first induction speed, and the second liquid. Among the second induction speeds, it may be supplied while rotating at the first speed, the second speed, and the first induction speed.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 세정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate can be efficiently cleaned.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판으로 공급된 액이 기판의 상면 가장자리 영역으로부터 이탈되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the liquid supplied to the substrate from escaping from the edge area of the upper surface of the substrate.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 제1액 공급 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 일 실시예에 따른 제2액 공급 단계에 대한 플로우 차트이다.
도 7은 도 6의 제2액 공급 단계에서 기판의 회전 속도의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 6의 일 실시예에 따른 치환 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 6의 일 실시예에 따른 보상 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 6의 일 실시예에 따른 제1유도 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 12는 도 6의 일 실시예에 따른 제2유도 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 도 6의 제2액 공급 단계가 완료된 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 도 4의 일 실시예에 따른 반송 단계에서 기판이 반송되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 15와 도 16은 도 4의 일 실시예에 따른 건조 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 .
FIG. 3 is a schematic view of one embodiment of the drying chamber of FIG. 1 .
4 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing how a substrate is processed in the first liquid supply step according to an embodiment of FIG. 4 .
6 is a flow chart of a second liquid supplying step according to an embodiment of FIG. 4 .
FIG. 7 is a diagram showing an example of a rotational speed of a substrate in the step of supplying a second liquid in FIG. 6 .
8 is a view schematically showing how a substrate is processed in a replacement step according to an embodiment of FIG. 6 .
9 is a view schematically showing how a substrate is processed in a compensation step according to an embodiment of FIG. 6 .
FIG. 10 is a view schematically showing how a substrate is processed in a first induction step according to an embodiment of FIG. 6 .
11 and 12 are diagrams schematically illustrating processing of a substrate in the second induction step according to the embodiment of FIG. 6 .
FIG. 13 is a view schematically showing a state of the substrate after the step of supplying the second liquid of FIG. 6 is completed.
FIG. 14 is a view schematically showing how a substrate is transported in the transport step according to the embodiment of FIG. 4 .
15 and 16 are diagrams schematically showing how a substrate is processed in a drying step according to an embodiment of FIG. 4 .
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited due to the examples described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.
본 실시예에서는 기판(W) 상에 세정액 같은 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 실시예는 세정 공정에 한정되는 것은 아니고, 식각 공정, 애싱 공정, 또는 현상 공정 등과 같이 액을 사용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 공정에 적용될 수 있다.In this embodiment, a liquid treatment process of the substrate W by supplying a liquid such as a cleaning liquid to the substrate W will be described as an example. However, the present embodiment is not limited to a cleaning process, and may be applied to various processes for treating the substrate W using a liquid, such as an etching process, an ashing process, or a developing process.
이하에서는, 도 1 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 유체를 사용하여 기판(W)을 건조하는 건조 공정을 포함한 세정 공정을 수행할 수 있다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 16 . The
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10, Index Module)과 처리 모듈(20, Treating Module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(2)이라 정의한다. 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 하고, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(F)로부터 기판(W)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(F)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(4)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120)와 인덱스 프레임(140)을 가진다.The
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 용기(F)가 안착된다. 로드 포트(120)는 인덱스 프레임(140)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치한다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수의 로드 포트(120)들은 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.A container F containing a substrate W is seated in the
용기(F)에는 복수 개의 슬롯(미도시)들이 형성된다. 슬롯(미도시)들은 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납할 수 있다. 용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(120)에 놓일 수 있다.A plurality of slots (not shown) are formed in the container F. The slots (not shown) may accommodate the substrates W while being horizontally disposed on the ground. As the container F, a sealed container such as a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container F may be placed in the
인덱스 프레임(140)의 내부에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 인덱스 프레임(140) 내에서 그 길이 방향이 제2방향(4)을 따라 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 기판(W)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 모듈(10)과 후술할 버퍼 유닛(220) 사이에 기판(W)을 반송할 수 있다.An
인덱스 로봇(144)은 인덱스 핸드(146)를 포함한다. 인덱스 핸드(146)에는 기판(W)이 안착된다. 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142) 상에서 제2방향(4)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 축으로 한 회전이 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 핸드(146)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.The
제어기(30)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The
제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 후술하는 액 처리 챔버(300)에 제공되는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.The
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 반송 프레임(240), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(220)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 버퍼 공간을 제공한다. 반송 프레임(240)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송하는 반송 공간을 제공한다.The
액 처리 챔버(300)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행할 수 있다. 건조 챔버(400)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 처리를 수행할 수 있다. 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예컨대, 액 처리 챔버(300)에서는 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 및/또는 유기용제를 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예컨대, 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 처리가 수행될 수 있다.The
버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 반송 프레임(240) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 반송 프레임(240)의 일단에 위치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 복수 개 제공된다. 복수의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(6)을 따라 이격되게 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(240)과 마주보는 면일 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 전면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(244)은 후면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근할 수 있다.The
반송 프레임(240)은 그 길이 방향이 제1방향(2)을 따라 제공될 수 있다. 반송 프레임(240)의 양 측에는 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)가 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 측부에 배치될 수 있다. 반송 프레임(240)과 액 처리 챔버(300)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다. 또한, 반송 프레임(240)과 건조 챔버(400)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다.The
일 예에 의하면, 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치되고, 건조 챔버(400)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치된다. 액 처리 챔버(300)들은 건조 챔버(400)들보다 버퍼 유닛(220)에 상대적으로 가까운 위치에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 일 측에서 제1방향(2) 및 제3방향(6)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(2)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이고, B는 제3방향(6)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이다. 예컨대, 반송 프레임(240)의 일 측에 액 처리 챔버(300)가 4개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(300)들은 2 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(300)는 반송 프레임(240)의 일 측에만 제공되고, 일 측과 대향되는 타 측에는 건조 챔버(400)들만 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 일 측 및 양 측에 단층으로 제공될 수 있다.According to one example, the
반송 프레임(240)은 가이드 레일(242)과 반송 로봇(244)을 가진다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(2)으로 반송 프레임(240) 내에 제공된다. 반송 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(2)을 따라 직선 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(244)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The
반송 로봇(244)은 기판(W)이 놓이는 반송 핸드(246)를 포함한다. 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(2)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 또한, 반송 핸드(246)는 제3방향(6)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(6)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 핸드(246)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.The
액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행한다. 예컨대, 액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 부착된 공정 부산물 등을 제거하는 세정 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 액 처리 챔버(300)는 기판(W)을 처리하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 각각의 액 처리 챔버(300)들은 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.The
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(300)는 하우징(310), 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 액 공급 유닛(340)을 포함한다.FIG. 2 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the
하우징(310)은 내부 공간을 가진다. 하우징(310)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(310)의 일 측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구(미도시)는 기판(W)이 반송 로봇(244)에 의해 하우징(310)의 내부 공간으로 반입되거나, 내부 공간으로부터 반출되는 출입구로 기능한다. 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 액 공급 유닛(340)은 하우징(310)의 내부 공간에 배치된다.The
처리 용기(320)는 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 가지는 바울(Bowl)일 수 있다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간은 후술하는 지지 유닛(330)이 기판(W)을 지지 및 회전시키는 공간으로 제공된다. 처리 공간은 후술하는 액 공급 유닛(340)이 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 공간으로 제공된다.The
일 예에 의하면, 처리 용기(320)는 안내벽(321)과 복수의 회수통들(323, 325, 327)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)은 기판(W)의 처리에 사용된 액들 중 서로 상이한 액을 분리 회수한다. 회수통들(323, 325, 327)은 각각 기판(W)의 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다.According to one example, the
안내벽(321)과 회수통들(323, 325, 327)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 기판(W) 상에 액을 공급할 때, 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 액은 후술하는 각각의 회수통들(323, 325, 327)의 유입구들 회수통들(323a, 325a, 327a)을 통해 회수 공간으로 유입될 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)에는 서로 상이한 종류의 액이 유입될 수 있다.The
처리 용기(320)는 안내벽(321), 제1회수통(323), 제2회수통(325), 그리고 제3회수통(327)을 가진다. 안내벽(321)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(323)은 안내벽(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2회수통(325)은 제1회수통(323)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3회수통(327)은 제2회수통(325)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.The
안내벽(321)과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액이 유입되는 제1유입구(323a)로 기능한다. 제1회수통(323)과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액이 유입되는 제2유입구(325a)로 기능한다. 제2회수통(325)과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액이 유입되는 제3유입구(327a)로 기능한다. 제2유입구(325a)는 제1유입구(323a)보다 상부에 위치되고, 제3유입구(327a)는 제2유입구(325a)보다 상부에 위치될 수 있다. 제1유입구(323a)로 유입되는 액, 제2유입구(325a)로 유입되는 액, 그리고 제3유입구(327a)로 유입되는 액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다.A space between the
안내벽(321)의 하단과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄(Fume)과 기류가 배출되는 제1배출구(323b)로 기능한다. 제1회수통(323)의 하단과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄과 기류가 배출되는 제2배출구(325b)로 기능한다. 제2회수통(325)의 하단과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄과 기류가 배출되는 제3배출구(327b)로 기능한다. 제1배출구(323b), 제2배출구(325b), 그리고 제3배출구(327b)로부터 배출된 흄과 기류는 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 액 처리 챔버(300)의 외부로 배기된다.A space between the lower end of the
각각의 회수통들(323, 325, 327)의 저면에는 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인들(323c, 325c, 327c)이 연결된다. 각각의 회수 라인들(323c, 325c, 327c)은 각각의 회수통들(323, 325, 327)을 통해 유입된 액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛(330)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 스핀 척(331), 지지 핀(333), 척 핀(335), 회전 축(337), 그리고 구동기(339)를 가질 수 있다.The
스핀 척(331)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 척(331)의 상부면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다.When viewed from the top, the
지지 핀(333)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면에 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면 가장자리부에 일정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출되게 형성된다. 지지 핀(333)들은 서로 간의 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 갖도록 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리 영역을 지지한다.A plurality of support pins 333 are provided. The
척 핀(335)은 복수 개 제공된다. 척 핀(335)은 지지 핀(333)보다 스핀 척(331)의 중심 영역으로부터 상대적으로 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(335)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출된다. 척 핀(335)은 기판(W)이 회전될 때, 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부 영역을 지지한다. 척 핀(335)은 스핀 척(331)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하게 제공된다. 대기 위치는 반송 로봇(244)으로부터 기판(W)을 인수받거나, 반송 로봇(244)에 기판(W)을 인계할 때의 척 핀(335)의 위치로 정의된다. 지지 위치는 기판(W)에 대해 공정 수행할 때의 척 핀(336)의 위치로 정의된다. 지지 위치에서 척 핀(335)은 기판(W)의 측부와 접촉된다. 대기 위치는 지지 위치와 비교하여 상대적으로 스핀 척(331)의 중심으로부터 먼 위치로 제공된다.A plurality of chuck pins 335 are provided. The
회전 축(337)은 스핀 척(331)과 결합된다. 회전 축(337)은 스핀 척(331)의 하면과 결합한다. 회전 축(337)은 길이 방향이 제3방향(6)을 향하도록 제공될 수 있다. 회전 축(337)은 구동기(339)로부터 동력을 전달받아 회전 가능하도록 제공된다. 회전 축(337)이 구동기(339)에 의해 회전되고, 회전 축(337)을 매개로 스핀 척(331)이 회전된다. 구동기(339)는 회전 축(337)을 회전시킨다. 구동기(339)는 회전 축(337)의 회전 속도를 가변할 수 있다. 구동기(339)는 구동력을 제공하는 모터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 구동력을 제공하는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.The
액 공급 유닛(340)은 기판(W)에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)이 기판(W)에 공급하는 액은 복수의 종류로 제공된다. 일 예에 의하면, 액 공급 유닛(340)이 기판(W)에 공급하는 액은 제1액과 제2액을 포함할 수 있다. 제1액과 제2액은 기판(W)에 순차적으로 공급될 수 있다.The
액 공급 유닛(340)은 지지 로드(341), 아암(342), 구동기(343), 제1액 공급 노즐(344), 그리고 제2액 공급 노즐(345)을 포함할 수 있다.The
지지 로드(341)는 하우징(310)의 내부 공간에 위치한다. 지지 로드(341)는 내부 공간에서 처리 용기(320)의 일 측에 위치할 수 있다. 지지 로드(341)는 그 길이 방향이 제3방향(6)을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 지지 로드(341)는 후술하는 구동기(343)에 의해 회전 가능하도록 제공된다.The
아암(342)은 지지 로드(341)의 상단에 결합된다. 아암(342)은 지지 로드(341)의 길이 방향으로부터 수직하게 연장된다. 아암(342)은 제3방향(6)으로 그 길이 방향이 형성될 수 있다. 아암(342)의 끝단에는 후술하는 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345)이 고정 결합될 수 있다.The
아암(342)은 그 길이 방향을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(342)은 지지 로드(341)를 매개로, 지지 로드(341)를 회전시키는 구동기(343)에 의해 스윙 이동될 수 있다. 아암(342)의 회전에 의해 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345)도 스윙 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.The
공정 위치는 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345) 중 어느 하나가 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)과 대향하는 위치일 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345) 중 어느 하나의 중심과 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)의 중심이 대향되는 위치일 수 있다. 대기 위치는 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345) 모두가 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다.The process position may be a position where one of the first
구동기(343)는 지지 로드(341)와 결합한다. 구동기(343)는 하우징(310)의 바닥면에 배치될 수 있다. 구동기(343)는 지지 로드(341)를 회전시키는 구동력을 제공한다. 구동기(343)는 구동력을 제공하는 공지된 모터로 제공될 수 있다.The
제1액 공급 노즐(344)은 기판(W) 상에 제1액을 공급한다. 제1액 공급 노즐(344)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W) 상으로 제1액을 공급할 수 있다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 일 예에 따르면, 제1액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 염산(HCl) 등과 같이 산 또는 알칼리를 포함하는 케미칼 일 수 있다.The first
제2액 공급 노즐(345)은 기판(W) 상에 제2액을 공급한다. 제2액 공급 노즐(345)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W) 상으로 제2액을 공급한다. 일 예에 따르면, 제2액은 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 일 예에 따르면, 제2액은 공정 유체에 용이하게 용해되는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 후술하는 건조 챔버(400)에서 사용되는 초임계 유체에 용이하게 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 따르면, 제2액은 제1액에 비해 후술하는 공정 유체에 상대적으로 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 실시예에 따른 제2액은 순수(Pure Water), 이소프로필(Isopropylalcohol;IPA)과 같은 알코올 중 어느 하나로 제공될 수 있다.The second
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛(340)은 아암(342)에 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345)이 모두 결합된 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345) 각각은 독립적으로 아암, 지지 로드, 그리고 구동기를 가질 수 있고, 독립적으로 스윙 이동 및 전후진 이동하여 공정 위치와 대기 위치 간에 이동할 수 있다.The
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛(340)은 제1액 공급 노즐(344)과 제2액 공급 노즐(345)을 갖는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액 공급 유닛(340)은 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346)을 포함할 수 있다. 제1액 공급 노즐(344)에서 기판(W)으로 공급하는 제1액은 케미칼 일 수 있다. 제2액 공급 노즐(345)에서 기판(W)으로 공급하는 제2액은 순수일 수 있다. 제3액 공급 노즐(346)에서 기판(W)으로 공급하는 제3액은 이소프로필 알코올 등을 포함하는 유기용제 일 수 있다.The
승강 유닛(350)은 하우징(310)의 내부 공간에 배치된다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)와 지지 유닛(330) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)를 제3방향(6)으로 직선 이동시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 액을 회수하는 회수통들(323, 325, 327)의 높이가 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 처리 용기(320)는 고정 설치되고, 승강 유닛(350)은 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시켜 지지 유닛(330)과 처리 용기(320) 사이의 상대 높이를 변경시킬 수 있다.The elevating
기류 공급 유닛(360)은 하우징(310)의 내부 공간으로 기류를 공급한다. 기류 공급 유닛(360)은 내부 공간으로 하강 기류를 공급할 수 있다. 기류 공급 유닛(360)은 팬 필터 유닛으로 제공될 수 있다. 기류 공급 유닛(360)은 하우징(310)의 상부에 설치될 수 있다. 기류 공급 유닛(360)을 통해 하우징(310)의 내부 공간으로 공급된 기체는 내부 공간에서 하강 기류를 형성한다. 공정 진행 과정 중에 처리 공간 내에서 발생된 부산물 등은 내부 공간 및 처리 공간에 형성된 하강 기류에 의해 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 하우징(310)의 외부로 배출된다.The air
배기 유닛(370)은 처리 공간에 발생된 흄과 기체 등의 공정 부산물을 배기한다. 배기 유닛(370)에 제공된 감압 유닛(미도시)에 의해 기판(W)을 액 처리할 때 발생되는 흄과 기체 등의 공정 부산물은 배기된다. 배기 유닛(370)은 처리 용기(320)의 바닥면에 결합될 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(370)은 회전 축(337)과 처리 용기(320)의 내측벽 사이 공간에 배치될 수 있다.The
건조 챔버(400)는 공정 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거한다. 일 예에 의하면, 건조 챔버(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 제2액을 제거한다. 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체의 특성을 이용하여 초임계 공정이 수행된다. 그 대표적인 예로, 초임계 건조 공정과 초임계 식각 공정이 있다. 이하에서는 초임계 공정에 관하여 초임계 건조 공정을 기준으로 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 건조 챔버(400)는 초임계 건조 공정 이외의 다른 초임계 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 의한, 초임계 유체는 초임계 이산화탄소(scCO2; supercritical carbon dioxide)가 사용될 수 있다.The drying
도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 건조 챔버(400)는 하우징(410), 지지체(430), 유체 공급 유닛(450), 배기 라인(460), 그리고 차단 플레이트(470)을 포함할 수 있다. 하우징(410)은 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행되는 내부 공간(401)을 제공한다. 하우징(410)은 제1바디(412), 제2바디(414), 그리고 승강 부재(416)를 포함할 수 있다.FIG. 3 is a schematic view of one embodiment of the drying chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 3 , the drying
제1바디(412)와 제2바디(414)는 서로 조합되어 내부 공간(401)을 제공한다. 제1바디(412)는 제2바디(414)보다 상부에 위치할 수 있다. 제1바디(412)는 그 위치가 고정되고, 제2바디(414)는 후술하는 승강 부재(416)에 의해 승강할 수 있다.The
제2바디(414)가 하강하여 제1바디(412)로부터 이격되면 내부 공간(401)이 개방된다. 내부 공간(401)이 개방되면, 기판(W)이 내부 공간(401)으로 반입되거나, 기판(W)이 내부 공간(401)으로부터 반출될 수 있다. 내부 공간(401)으로 반입되는 기판(W)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 내부 공간(401)으로 반입되는 기판(W)에는 제2액이 잔류할 수 있다.When the
제2바디(414)가 상승 이동하여 제1바디(412)에 밀착되면 내부 공간(401)은 밀폐된다. 내부 공간(401)이 밀폐 상태가 되면, 공정 유체를 공급하여 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행될 수 있다.When the
승강 부재(416)는 제2바디(414)를 승강시킨다. 승강 부재(416)는 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)를 포함할 수 있다. 승강 실린더(417)는 제2바디(414)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(417)는 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행되는 동안 내부 공간(401)의 임계 압력 이상의 고압을 이기고, 제1바디(412)와 제2바디(414)를 밀착시켜 내부 공간(401)을 밀폐시킬 수 있다.The elevating
승강 로드(418)는 상하 방향의 승강력을 발생시킨다. 예컨대, 승강 로드(418)는 제3방향(6)으로 이동하는 힘을 발생시킬 수 있다. 승강 로드(418)는 그 길이 방향이 수직 방향으로 형성될 수 있다. 승강 로드(418)의 일단은 승강 실린더(417)에 삽입될 수 있다. 승강 로드(418)의 타단은 제1바디(412)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)의 상대적인 승강 운동에 의해 제2바디(414)는 수직 방향으로 이동될 수 있다. 제2바디(414)가 수직 방향으로 이동되는 동안 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 수평 방향으로 움직이는 것을 방지한다. 승강 로드(418)는 제2바디(414)의 수직 이동 방향을 안내한다. 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 서로 정 위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The lifting
상술한 본 발명의 일 예에 따르면, 제2바디(414)가 상하 방향으로 이동하여 내부 공간(401)을 밀폐하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1바디(412)와 제2바디(414)가 각각 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 제1바디(412)가 상하 방향으로 이동하고, 제2바디(414)는 그 위치가 고정될 수 있다.According to one example of the present invention described above, the
상술한 예와 달리, 하우징(410)의 일 측에 기판(W)이 반출입되는 개구(미도시)가 형성된 단일한 하우징(410)으로 제공될 수 있다. 하우징(410)에는 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 도어(미도시)는 상하 방향으로 이동하여 개구(미도시)를 개폐하고, 하우징(410)을 밀폐 상태로 유지할 수 있다.Unlike the above example, a
하우징(410)에는 히터(419)가 설치될 수 있다. 일 예에 따르면, 히터(419)는 제1바디(412) 및 제2바디(414) 중 적어도 어느 하나의 벽 내부에 매설되어 설치될 수 있다. 히터(419)는 내부 공간(401)에 공급된 공정 유체를 임계 온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지하거나, 또는 공정 유체가 액화된 경우 다시 초임계 유체 상으로 될 수 있도록 가열할 수 있다.A
지지체(430)는 내부 공간(401) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지체(430)는 제1바디(412)의 하면에 고정 설치될 수 있다. 지지체(430)는 고정 로드(432)와 거치대(434)를 가질 수 있다.The
고정 로드(432)는 제1바디(412)의 저면으로부터 아래로 돌출되도록 제1바디(412)에 고정 설치될 수 있다. 고정 로드(432)는 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 고정 로드(432)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 고정 로드(432)들은 서로 이격되게 위치된다. 복수의 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 복수의 고정 로드(432)들은 기판(W)과 간섭되지 않는 위치에 배치된다. 각각의 고정 로드(432)들에는 거치대(434)가 결합된다.The fixing
거치대(434)는 고정 로드(432)로부터 연장된다. 거치대(434)는 고정 로드(432)의 하단으로부터 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 거치대(434)는 기판(W)의 이면 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 따르면, 기판(W)의 이면은 패턴이 형성되지 않은 면일 수 있고, 기판(W)의 상면은 패턴이 형성된 면일 수 있다. 상술한 구조로 인해, 내부 공간(401)으로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(434) 상에 놓일 수 있다. 또한, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 내부 공간(401)으로 공급된 공정 유체에 노출될 수 있다.The
유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급한다. 일 예에 따른 공정 유체는 초임계 상태로 내부 공간(401)으로 공급될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 공정 유체는 가스 상태로 내부 공간(401)으로 공급되고, 내부 공간(401) 내에서 초임계 상태로 상 변화될 수 있다. 유체 공급 유닛(450)은 메인 공급 라인(451), 제1분기 라인(452), 그리고 제2분기 라인(454)을 가질 수 있다.The fluid supply unit 450 supplies process fluid to the inner space 401 . A process fluid according to an example may be supplied to the inner space 401 in a supercritical state. However, the present invention is not limited thereto, and the process fluid may be supplied to the inner space 401 in a gaseous state and undergo a phase change in the inner space 401 to a supercritical state. The fluid supply unit 450 may have a
메인 공급 라인(451)의 일단은 공정 유체가 저장된 공급원(미도시)과 연결된다. 메인 공급 라인(451)의 타단은 제1분기 라인(452)과 제2분기 라인(454)으로 분기된다. 제1분기 라인(452)은 하우징(410)의 상면에 연결된다. 일 예에 의하면, 제1분기 라인(452)은 제1바디(412)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제1분기 라인(452)은 제1바디(412)의 중앙에 결합될 수 있다. 제1분기 라인(452)은 지지체(430)에 놓인 기판(W)의 상부 중앙 영역에 위치할 수 있다. 제1분기 라인(452)에는 제1밸브(453)가 설치될 수 있다. 제1밸브(453)는 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 제1밸브(453)의 개폐에 따라 내부 공간(401)으로 공정 유체를 선택적으로 공급할 수 있다.One end of the
제2분기 라인(454)은 하우징(410)의 하면에 연결된다. 일 예에 의하면, 제2분기 라인(454)은 제2바디(414)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제2분기 라인(454)은 제2바디(414)의 중앙에 결합될 수 있다. 제2분기 라인(454)은 지지체(430)에 놓인 기판(W)의 중앙 영역으로부터 연직 하방에 위치할 수 있다. 제2분기 라인(454)에는 제2밸브(455)가 설치될 수 있다. 제2밸브(455)는 개폐 밸브로 제공될 수 잇다. 제2밸브(455)의 개폐에 따라 내부 공간(401)으로 공정 유체를 선택적으로 공급할 수 있다.The
배기 라인(460)은 내부 공간(401)의 분위기를 배기한다. 배기 라인(460)은 제2바디(414)에 결합될 수 있다. 일 예에 의하면, 배기 라인(460)은 상부에서 바라볼 때, 제2바디(414)의 하면 중심으로부터 어긋나게 배치될 수 있다. 내부 공간(401)을 유동하는 초임계 유체는 배기 라인(460)을 통해 하우징(410)의 외부로 배출된다.The
차단 플레이트(470, Blocking Plate)는 내부 공간(401)에 배치된다. 차단 플레이트(470)는 상부에서 바라볼 때, 제2분기 라인(454)의 토출구 및 배기 라인(460)의 유입구와 중첩되도록 제공될 수 있다. 차단 플레이트(470)는 제2분기 라인(454)을 통해 공급된 공정 유체가 기판(W)을 향해 직접적으로 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.A blocking
차단 플레이트(470)는 하우징(410)의 저면으로부터 상부로 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 예컨대, 차단 플레이트(470)는 하우징(410)의 저면으로부터 위 방향으로 이격되도록 지지대(472)에 의해 지지될 수 있다. 지지대(472)는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지대(472)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 지지대(472)들은 서로 간에 일정 거리 이격되게 배치된다.The blocking
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 반송 로봇(244), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400)에 의해 수행될 수 있다. 또한, 제어기(30)는 반송 로봇(244), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400)가 가지는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. A substrate processing method described below may be performed by the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다. 도 4를 참조하면, 일 예에 따른 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 포함한다. 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)는 순차적으로 이루어질 수 있다. 또한, 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 통칭하여 세정 공정으로 정의될 수 있다.4 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , a substrate processing method according to an example includes a liquid processing step ( S10 ), a transport step ( S20 ), and a drying step ( S30 ). The liquid treatment step (S10), the transfer step (S20), and the drying step (S30) may be sequentially performed. In addition, the liquid treatment step (S10), the transfer step (S20), and the drying step (S30) may be collectively defined as a cleaning process.
액 처리 단계(S10)는 액 처리 챔버(300)에서 수행된다. 액 처리 단계(S10)에서는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리한다. 일 예에 의하면, 액 처리 단계(S10)는 제1액 공급 단계(S12)와 제2액 공급 단계(S14)를 포함할 수 있다.The liquid processing step ( S10 ) is performed in the
제1액 공급 단계(S12)에서는 기판(W) 상에 제1액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 제1액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 염산(HCl) 등과 같이 산 또는 알칼리를 포함하는 케미칼 일 수 있다. 제2액 공급 단계(S14)에서는 기판(W) 상에 제2액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 제2액은 순수(Pure Water), 이소프로필(Isopropylalcohol;IPA)과 같은 알코올 중 어느 하나로 제공될 수 있다. 제1액과 제2액은 순차적으로 기판(W)에 공급될 수 있다.In the supplying of the first liquid ( S12 ), the substrate (W) may be treated by supplying the first liquid to the substrate (W). The first liquid may be a chemical containing acid or alkali, such as sulfuric acid (H2SO4), nitric acid (HNO3), or hydrochloric acid (HCl). In the second liquid supply step ( S14 ), the substrate (W) may be treated by supplying the second liquid to the substrate (W). The second liquid may be provided with any one of alcohol such as pure water and isopropyl alcohol (IPA). The first liquid and the second liquid may be sequentially supplied to the substrate (W).
반송 단계(S20)는 반송 로봇(244)에 의해 수행된다. 반송 단계(S20)에서 반송 로봇(244)은 액 처리 챔버(300)에서 건조 챔버(400)로 기판(W)을 반송한다. 반송 단계(S20)에서는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리 단계(S10)가 완료된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송한다.The conveying step (S20) is performed by the conveying
건조 단계(S30)는 건조 챔버(400)에서 수행된다. 반송 단계(S20)에서 반송 로봇(224)에 의해 반송된 기판(W)은 건조 챔버(400)의 내부 공간(401)으로 반입된다. 건조 단계(S30)에서는 건조 챔버(400)로 반입된 기판(W)에 대해 공정 유체를 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거한다.The drying step (S30) is performed in the drying
이하에서는, 도 5 내지 도 16을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 거쳐 기판(W)이 처리되는 과정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 5 to 16, the substrate W is processed through a liquid treatment step (S10), a transport step (S20), and a drying step (S30) according to an embodiment of the present invention. explain in detail.
도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 제1액 공급 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 제1액 공급 단계(S12)에서는 기판(W) 상에 제1액(L1)이 공급된다. 제1액 공급 단계(S12)에서는 회전하는 기판(W)의 중앙 영역과 대향되는 영역에 제1액 공급 노즐(344)이 위치하고, 제1액 공급 노즐(344)은 기판(W)의 중앙 영역에 제1액을 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 제1액 공급 단계(S12)에서는 기판(W)의 중심에 제1액을 공급할 수 있다.5 is a view schematically showing how a substrate is processed in the first liquid supply step according to an embodiment of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , in step S12 of supplying the first liquid, the first liquid L1 is supplied on the substrate W. In the first liquid supply step (S12), the first
도 6은 도 4의 일 실시예에 따른 제2액 공급 단계에 대한 플로우 차트이다. 도 7은 도 6의 제2액 공급 단계에서 기판의 회전 속도의 일 실시예를 보여주는 도면이다. 도 8 내지 도 13은 제2액 공급 단계에 포함되는 각 단계에서 기판이 처리되는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.6 is a flow chart of a second liquid supplying step according to an embodiment of FIG. 4 . FIG. 7 is a diagram showing an example of a rotational speed of a substrate in the step of supplying a second liquid in FIG. 6 . 8 to 13 are views sequentially showing how a substrate is processed in each step included in the step of supplying the second liquid.
이하에서는 도 6 내지 도 13을 참조하여, 제2액 처리 단계에서 기판(W)이 처리되는 과정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of processing the substrate W in the second liquid processing step will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 13 .
제2액 공급 단계(S14)는 기판(W) 상에 제2액(L2)이 공급된다. 제2액 공급 단계(S14)에서는 회전하는 기판(W)의 중앙 영역과 대향되는 영역에 제2액 공급 노즐(345)이 위치하고, 제2액 공급 노즐(345)은 기판(W)의 중앙 영역에 제2액(L2)을 공급한다. 일 예에 의하면, 제2액 공급 단계(S14)에서는 기판(W)의 중심에 제2액(L2)을 공급할 수 있다. 제2액 공급 단계(S14)는 기판(W)의 중심 영역에 공급된 제2액(L2)이 기판(W)의 중심 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역까지만 유동하도록 기판(W)의 회전 속도를 조절한다.In the second liquid supply step ( S14 ), the second liquid L2 is supplied on the substrate W. In the second liquid supply step (S14), the second
도 6을 참조하면, 제2액 공급 단계(S14)는 치환 단계(S141), 보상 단계(S143), 유도 단계(S145)를 포함할 수 있다. 유도 단계(S145)는 제1유도 단계(S147)와 제2유도 단계(S149)를 포함할 수 있다. 치환 단계(S141), 보상 단계(S143), 제1유도 단계(S147). 그리고 제2유도 단계(S149)는 액 처리 챔버(300)에서 순차적으로 수행될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the second liquid supply step ( S14 ) may include a substitution step ( S141 ), a compensation step ( S143 ), and an induction step ( S145 ). The induction step (S145) may include a first induction step (S147) and a second induction step (S149). Substitution step (S141), compensation step (S143), first induction step (S147). And the second induction step ( S149 ) may be sequentially performed in the
치환 단계(S141)는 회전하는 기판(W)으로 제2액(L2)을 공급한다. 일 예에 의하면, 치환 단계(S141)는 제1속도(V1)로 회전하는 기판(W)의 중심 영역으로 제2액(L2)을 공급할 수 있다. 보상 단계(S143)는 회전하는 기판(W)으로 제2액(L2)을 공급한다. 일 예에 의하면, 제2속도(V2)로 회전하는 기판(W)의 중심 영역으로 제2액(L2)을 공급할 수 있다.In the replacement step (S141), the second liquid (L2) is supplied to the rotating substrate (W). According to an example, in the replacing step (S141), the second liquid (L2) may be supplied to the central region of the substrate (W) rotating at the first speed (V1). In the compensation step (S143), the second liquid (L2) is supplied to the rotating substrate (W). According to one example, the second liquid (L2) may be supplied to the central region of the substrate (W) rotating at the second speed (V2).
유도 단계(S145)는 기판(W)의 회전 속도를 가변시켜 기판(W)에 공급된 제2액(L2)의 유동 영역을 조절할 수 있다. 일 예에 의하면, 유도 단계(S145)는 기판(W)의 회전 속도를 유도 속도 범위 내에서 가변시켜 기판(W)에 공급된 제2액(L2)이 기판(W)의 가장자리 영역까지만 유동되도록 유도할 수 있다.In the inducing step ( S145 ), the flow area of the second liquid L2 supplied to the substrate W may be adjusted by varying the rotational speed of the substrate W. According to one example, the induction step (S145) varies the rotational speed of the substrate (W) within the induction speed range so that the second liquid (L2) supplied to the substrate (W) flows only up to the edge region of the substrate (W). can induce
제1유도 단계(S147)는 회전하는 기판(W)으로 제2액(L2)을 공급한다. 일 예에 의하면, 제1유도 단계(S147)는 제1유도 속도(V3)로 회전하는 기판(W)의 중심 영역으로 제2액(L2)을 공급할 수 있다. 제2유도 단계(S149)는 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 예컨대, 제2유도 단계(S149)는 기판(W)으로 제2액(L2)의 공급을 중지하고, 기판(W)을 제2유도 속도(V4)로 회전시킬 수 있다.In the first induction step (S147), the second liquid (L2) is supplied to the rotating substrate (W). According to an example, in the first induction step ( S147 ), the second liquid (L2) may be supplied to the central region of the substrate (W) rotating at the first induction speed (V3). In the second induction step ( S149 ), the substrate W may be rotated. For example, in the second induction step (S149), the supply of the second liquid L2 to the substrate W may be stopped, and the substrate W may be rotated at the second induction speed V4.
이하에서 도 7을 참조하여 설명하는 본 발명의 일 실시예에 따른 치환 단계(S141), 보상 단계(S143), 제1유도 단계(S147), 그리고 제2유도 단계(S149)에서의 기판(W)의 회전 속도는 설명의 편의를 위해, 절대적인 수치가 아닌 상대적인 수치 관계에 근거하여 설명한다.The substrate W in the replacement step (S141), the compensation step (S143), the first induction step (S147), and the second induction step (S149) according to an embodiment of the present invention described below with reference to FIG. ) is described based on a relative numerical relationship rather than an absolute numerical value for convenience of description.
도 7을 참조하면, 치환 단계(S141)에서는 기판(W)이 제1속도(V1)로 회전할 수 있다. 보상 단계(S143)에서는 기판(W)이 제2속도(V2)로 회전할 수 있다. 제1유도 단계(S147)에서는 기판(W)이 제1 유도속도(V3)로 회전할 수 있다. 제2유도 단계(S149)에서는 기판(W)이 제2 유도 속도(V4)로 회전할 수 있다. 일 예에 의하면, 제1속도(V1)는 제2속도(V2)보다 빠를 수 있다. 또한, 제2속도(V2)는 제1유도 속도(V3)보다 빠를 수 있다. 또한, 제1유도 속도(V3)는 제2유도 속도(V4)보다 빠를 수 있다. 선택적으로, 제1유도 속도(V3)는 제2유도 속도와 같을 수 있다.Referring to FIG. 7 , in the replacement step ( S141 ), the substrate W may be rotated at a first speed V1 . In the compensation step (S143), the substrate (W) may rotate at the second speed (V2). In the first induction step (S147), the substrate (W) may rotate at the first induction speed (V3). In the second induction step S149, the substrate W may rotate at the second induction speed V4. According to an example, the first speed V1 may be faster than the second speed V2. Also, the second speed V2 may be faster than the first induction speed V3. Also, the first induction speed V3 may be faster than the second induction speed V4. Optionally, the first induction velocity V3 may be equal to the second induction velocity.
도 8을 참조하면, 치환 단계(S141)에서는 제1속도(V1)로 회전하는 기판(W)에 제2액(L2)을 공급하여 제1액 공급 단계(S12)에서 기판(W)에 기 공급된 제1액(L1)을 제2액(L2)으로 치환한다. 치환 단계(S141)에서는 기판(W)의 가장자리를 벗어나지 않는 양으로 기판(W)에 제2액(L2)이 공급될 수 있다. 일 예에 따르면, 치환 단계(S141)는 기판(W) 상에 기 공급된 제1액(L1)이 모두 제2액(L2)으로 치환될 때까지 수행될 수 있다. 치환 단계(S141)가 완료된 이후, 기판(W)의 상면에 공급된 제2액(L2)은 제1두께(D1)를 가질 수 있다.Referring to FIG. 8 , in the replacement step (S141), the second liquid (L2) is supplied to the substrate (W) rotating at the first speed (V1), and the substrate (W) in the first liquid supply step (S12). The supplied first liquid (L1) is replaced with the second liquid (L2). In the replacement step S141, the second liquid L2 may be supplied to the substrate W in an amount that does not deviate from the edge of the substrate W. According to an example, the replacing step ( S141 ) may be performed until all of the first liquid L1 previously supplied on the substrate W is replaced with the second liquid L2 . After the replacement step (S141) is completed, the second liquid (L2) supplied to the upper surface of the substrate (W) may have a first thickness (D1).
도 9를 참조하면, 보상 단계(S143)에서는 제2속도(V2)로 회전하는 기판(W)에 제2액(L2)을 공급하여 치환 단계(S141)에서 기 공급된 제2액(L2)의 양을 보상할 수 있다. 보상 단계(S143)에서는 기판(W)에 제2액(L2)을 더 공급하여 기판(W)의 상면에 기 공급된 제2액(L2)의 두께를 증가시킬 수 있다. 예컨대, 보상 단계(S143)를 완료한 이후, 기판(W)의 상면에 공급된 제2액(L2)은 제2두께(D2)를 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 보상 단계(S143)에서 기판(W)에 공급하는 제2액(L2)의 양은 치환 단계(S141)에서 기판(W)에 공급하는 제2액(L2)의 양과 비교하여 상대적으로 적을 수 있다.Referring to FIG. 9, in the compensation step (S143), the second liquid (L2) is supplied to the substrate (W) rotating at the second speed (V2), and in the replacement step (S141), the previously supplied second liquid (L2) can compensate for the amount of In the compensation step ( S143 ), the thickness of the second liquid L2 pre-supplied on the upper surface of the substrate W may be increased by further supplying the second liquid L2 to the substrate W. For example, after completing the compensation step (S143), the second liquid (L2) supplied to the upper surface of the substrate (W) may have a second thickness (D2). According to one example, the amount of the second liquid (L2) supplied to the substrate (W) in the compensation step (S143) is relative to the amount of the second liquid (L2) supplied to the substrate (W) in the replacement step (S141). can be written as
보상 단계(S143)에서 기판(W)의 상면으로 제2액(L2)을 공급하여 기판(W)에 기 공급된 제2액(L2)의 양을 증가시키되, 제2액(L2)이 기판(W)의 이면으로는 침투되지 않는 정도의 양을 가지도록 기판(W)으로 공급되는 제2액(L2)의 양을 조절할 수 있다. 또한, 보상 단계(S143)에서 기판(W)이 회전하는 제2속도(V2)는 기판(W) 상에 공급된 제2액(L2)이 기판(W)의 이면으로 유동되는 것을 억제하는 속도일 수 있다.In the compensation step (S143), the second liquid (L2) is supplied to the upper surface of the substrate (W) to increase the amount of the second liquid (L2) already supplied to the substrate (W), but the second liquid (L2) is the substrate The amount of the second liquid (L2) supplied to the substrate (W) may be adjusted so as to have an amount that does not penetrate into the back surface of the substrate (W). In addition, the second speed (V2) at which the substrate (W) rotates in the compensation step (S143) is a speed at which the flow of the second liquid (L2) supplied on the substrate (W) to the back surface of the substrate (W) is suppressed. can be
도 10을 참조하면, 제1유도 단계(S147)에서는 제1유도 속도(V3)로 회전하는 기판(W)에 제2액(L2)을 공급할 수 있다. 예컨대, 제1유도 단계(S147)는 기판(W)의 중심을 포함하는 영역에 제2액(L2)을 공급할 수 있다. 제1유도 속도(V3)는 제1속도(V1) 및 제2속도(V2)보다 느리게 제공된다. 상대적으로 느리게 회전되는 기판(W) 상에 공급된 제2액(L2)은 기판(W)의 중심을 포함하는 영역에서만 유동할 수 있다.Referring to FIG. 10 , in the first induction step (S147), the second liquid L2 may be supplied to the substrate W rotating at the first induction speed V3. For example, in the first induction step ( S147 ), the second liquid L2 may be supplied to a region including the center of the substrate W. The first induction speed V3 is provided slower than the first speed V1 and the second speed V2. The second liquid L2 supplied on the relatively slowly rotating substrate W may flow only in a region including the center of the substrate W.
도 11과 도 12를 참조하면, 제2유도 단계(S149)에서는 기판(W) 상에 제2액(L2)의 공급을 중지하고, 제2액 공급 노즐(345)을 공정 위치에서 대기 위치로 이동시킬 수 있다. 제2유도 단계(S149)에서는 기판(W)을 제2유도 속도(V4)로 회전시킬 수 있다. 제2유도 속도(V4)는 제1유도 단계(S147)에서 기판(W)에 기 공급된 제2액(L2)이 기판(W)의 이면으로 침투되는 것을 억제하는 속도일 수 있다. 즉, 제2유도 속도(V4)는 제1유도 단계(S147)에서 기판(W)의 중앙 영역에 기 공급된 제2액(L2)이 기판(W)의 상면 가장자리까지만 유동되는 속도일 수 있다. 이에, 제2유도 단계(S149)에서는 제1유도 속도(V3)와 같거나 느린 속도로 기판(W)을 회전시켜 제1유도 단계(S149)에서 기판(W)의 중앙 영역에 공급된 제2액(L2)을 기판(W)의 가장자리 영역까지 유동시킬 수 있다. 일 예로, 제2유도 단계(S149)에서는 제1유도 단계(S147)에서 기판(W)의 중심을 포함하는 영역에 토출된 제2액(L2)을 기판(W)의 상면 가장자리 영역까지만 유동시킬 수 있다. 제2유도 단계(S149)에서 기판(W)이 느린 속도로 회전하므로 원심력에 의해 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 제2액(L2)이 가장자리 영역에 형성된 제2액(L2)보다 상대적으로 두께가 두꺼운 퍼들(puddle)을 형성할 수 있다.11 and 12, in the second induction step (S149), the supply of the second liquid (L2) on the substrate (W) is stopped, and the second
도 13을 참조하면, 제2유도 단계(S149)를 진행하는 동안 기판(W)의 중앙 영역에서 유동하던 제2액(L2)은 기판(W)의 가장자리 영역으로 점차 이동한다. 제2유도 단계(S149)에서 제2유도 속도(V4)의 느린 속도로 기판(W)이 회전하므로, 기판(W)의 중앙 영역에 공급된 제2액(L2)은 기판(W)의 가장자리 영역을 이탈하지 않을 수 있다. 또한, 제2유도 단계(S149)가 진행되는 동안 기판(W)의 중심 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2액(L2)이 유동하므로, 제2유도 단계(S149)가 완료된 이후에는 기판(W)의 가장자리 영역은 기판(W)의 중심 영역보다 상대적으로 제2액(L2)의 두께가 높게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13 , during the second induction step (S149), the second liquid L2 flowing in the central region of the substrate W gradually moves to the edge region of the substrate W. Since the substrate (W) rotates at a slow speed of the second induction speed (V4) in the second induction step (S149), the second liquid (L2) supplied to the central region of the substrate (W) is applied to the edge of the substrate (W). You may not leave the area. In addition, since the second liquid L2 flows from the central region of the substrate W to the edge region of the substrate W during the second induction step S149, after the second induction step S149 is completed, The thickness of the second liquid L2 may be relatively higher in the edge region of the substrate W than in the central region of the substrate W.
도 14는 도 4의 일 실시예에 따른 반송 단계에서 기판이 반송되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 14를 참조하면, 반송 단계(S20)는 반송 로봇(244)에 의해 수행된다. 반송 단계(S20)는 액 처리 챔버(300)에서 기판(W)에 대한 액 처리가 완료된 이후, 액 처리 챔버(300)로부터 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송한다. 반송 로봇(244)에 의해 기판(W)이 반송되는 동안, 기판(W) 상에는 액이 잔류한다. 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 액 처리 단계(S10)에 따르면, 반송 로봇(244)이 기판(W)을 반송할 때, 기판(W)의 이면으로는 액이 침투되는 것을 최소화할 수 있으므로, 기판(W)의 이면에는 액이 잔류하지 않을 수 있다.FIG. 14 is a view schematically showing how a substrate is transported in the transport step according to the embodiment of FIG. 4 . Referring to FIG. 14 , the transport step (S20) is performed by a
도 15와 도 16은 도 4의 일 실시예에 따른 건조 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 15를 참조하면, 건조 단계(S30)는 기판(W)을 건조 처리한다. 건조 단계(S30)에서는 액 처리 단계(S10)가 완료된 기판(W)을 건조한다. 예컨대, 건조 단계(S30)에서는 기판(W) 상에 공급된 제2액(L2)을 제거할 수 있다. 건조 단계(S30)는 건조 챔버(400)에서 수행된다. 건조 단계(S30)에서 기판(W)은 내부 공간(401)이 개방된 상태에서 지지체(430)로 기판(W)이 반송된다. 지지체(430)로 반송된 기판(W)은 제2유도 단계(S149)가 완료된 기판(W)일 수 있다.15 and 16 are diagrams schematically showing how a substrate is processed in a drying step according to an embodiment of FIG. 4 . Referring to FIG. 15 , in the drying step ( S30 ), the substrate W is dried. In the drying step (S30), the substrate (W) on which the liquid processing step (S10) is completed is dried. For example, in the drying step S30 , the second liquid L2 supplied on the substrate W may be removed. The drying step (S30) is performed in the drying
도 16을 참조하면, 기판(W)이 지지체(430)에 안착되면 제1바디(412)와 제2바디(414)는 서로 밀착되어 내부 공간(401)이 외부로부터 밀폐된다. 예컨대, 기판(W)이 거치대(434)에 안착되어 기판(W)의 이면 가장자리 영역이 지지되면 내부 공간(401)은 밀폐 상태로 전환된다. 내부 공간(401)이 밀폐된 이후, 유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급한다. 일 예에 따르면 유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 내부 공간(401)에 공정 유체를 공급하여 기판(W)은 건조된다. 즉, 내부 공간(401)에 공정 유체를 공급함으로써, 기판(W)의 상면에 존재하는 제2액(L2)은 제거된다.Referring to FIG. 16 , when the substrate W is placed on the
내부 공간(401)이 밀폐된 이후, 제2밸브(455)를 개방하여 제2분기 라인(454)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체가 선행적으로 공급될 수 있다. 내부 공간(401)의 하부 영역으로 공정 유체가 공급된 이후, 제1밸브(453)를 개방하여 제1분기 라인(452)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급할 수 있다.After the inner space 401 is closed, the process fluid may be preemptively supplied to the inner space 401 through the
기판을 건조 처리하는 초기에 내부 공간(401)이 임계 압력에 미달된 상태에서 진행될 수 있으므로, 내부 공간(401)으로 공급되는 공정 유체가 액화될 수 있다. 기판을 건조 처리하는 초기에 제1분기 라인(452)을 통해 공정 유체가 내부 공간(401)으로 공급되는 경우, 공정 유체가 액화되어 중력에 의해 기판(W)으로 낙하되어 기판(W)을 손상시킬 우려가 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 건조 단계(S30)는 제2분기 라인(454)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체가 선행적으로 공급함으로써, 내부 공간(401)의 압력이 임계 압력에 도달한 이후, 제1분기 라인(452)에서 공정 유체의 공급을 시작하여 내부 공간(401)으로 공급되는 공정 유체가 액화되어 기판(W)을 손상시키는 것을 최소화할 수 있다.Since the inner space 401 may initially dry the substrate in a state where the critical pressure is lower than the critical pressure, the process fluid supplied to the inner space 401 may be liquefied. When the process fluid is supplied to the inner space 401 through the
건조 단계(S30)의 후기에는 내부 공간(401)의 내부 분위기가 배기 라인(460)을 통해 배기된다. 내부 공간(401)의 압력이 임계 압력 이하로 강압되면 공정 유체가 액화될 수 있다. 액화된 공정 유체는 중력에 의해 배기 라인(460)을 통해 배기될 수 있다.In the latter part of the drying step (S30), the internal atmosphere of the internal space 401 is exhausted through the
기판(W)을 액 처리할 때, 기판(W)에 공급된 액은 유동성을 갖는다. 기판(W)에 액을 공급하는 과정에서 기판(W)에 공급된 액은 기판(W)의 가장자리 영역을 벗어나 기판(W)의 이면으로 침투될 수 있다. 기판(W)의 이면으로 침투된 액이 자연적으로 건조되기 위해서는 많은 시간이 소요된다. 또한, 기판(W)에 대한 액 처리를 수행할 때 일반적으로 기판(W)은 지지체에 의해 지지된 상태이므로, 기판(W)의 이면으로 침투된 액은 인위적으로도 쉽게 제거되기 어렵다. 기판(W)의 이면으로 침투된 액은 기판의 반송 과정이나 반송 후 기타 다른 처리 공정을 수행할 때 후속 기판을 오염시키는 오염원으로 작용한다.When liquid processing the substrate W, the liquid supplied to the substrate W has fluidity. In the process of supplying the liquid to the substrate (W), the liquid supplied to the substrate (W) may escape from the edge area of the substrate (W) and penetrate into the back surface of the substrate (W). It takes a lot of time for the liquid penetrating the back side of the substrate W to dry naturally. In addition, since the substrate (W) is generally supported by a support when liquid treatment is performed on the substrate (W), it is difficult to easily remove the liquid penetrating the back surface of the substrate (W) artificially. The liquid penetrating into the back side of the substrate W acts as a contamination source contaminating a subsequent substrate during the transportation process of the substrate or other processing processes after transportation.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)에 대해 액을 공급하여 액 처리를 수행하는 동안, 기판(W)의 회전 속도를 변경시켜 기판(W)의 이면으로 액이 침투되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 이면으로 침투된 액에 의한 후속 기판의 오염을 최소화할 수 있다.According to one embodiment of the present invention described above, while the liquid is supplied to the substrate (W) to perform the liquid treatment, the rotation speed of the substrate (W) is changed to prevent the liquid from penetrating into the back surface of the substrate (W). can be minimized. Accordingly, contamination of a subsequent substrate by liquid penetrating into the back surface of the substrate W can be minimized.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 액 처리 챔버(300)에서 기판(W)에 대한 액 처리가 수행된 이후, 기판(W)에 공급된 액을 제거하기 위해 건조 처리가 수행되는 건조 챔버(400)로 반송된다. 건조 챔버(400)에서는 지지체(430)가 기판(W)의 이면 가장자리 영역을 지지한 상태에서 기판(W)에 대한 건조 처리를 수행한다. 기판(W)을 액 처리할 때 기판(W)의 이면에 액이 흐르는 것을 억제함으로써, 건조 챔버(400)에서 액이 묻지 않은 기판(W)의 이면 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이에 따라, 건조 챔버(400)에서 발생될 수 있는 후속 기판(W)을 오염시키는 오염원이 선제적으로 차단될 수 있다.In particular, according to one embodiment of the present invention, after liquid processing is performed on the substrate (W) in the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.
10 : 인덱스 모듈
20 : 처리 모듈
30 : 제어기
300 : 액 처리 챔버
344 : 제1액 공급 노즐
345 : 제2액 공급 노즐
400 : 건조 챔버
S10 : 액 처리 단계
S20 : 반송 단계
S30 : 건조 단계
S12 : 제1액 처리 단계
S14 : 제2액 처리 단계
S141 : 치환 단계
S143 : 보상 단계
S145 : 유도 단계
S147 : 제1유도 단계
S149 : 제2유도 단계
L1 : 제1액
L2 : 제2액10: index module
20: processing module
30: controller
300: liquid processing chamber
344: first liquid supply nozzle
345: second liquid supply nozzle
400: drying chamber
S10: liquid processing step
S20: Return step
S30: Drying step
S12: First liquid treatment step
S14: Second liquid treatment step
S141: substitution step
S143: Compensation step
S145: induction step
S147: first induction step
S149: Second induction step
L1: first liquid
L2: 2nd liquid
Claims (20)
기판을 액 처리하는 단계; 및
상기 액 처리된 기판을 건조하는 단계를 포함하되,
상기 액 처리 단계는,
회전하는 상기 기판의 상면에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계; 및
회전하는 상기 기판의 상면에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고,
상기 제2액 공급 단계에서는,
상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 중심 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역까지만 유동하도록 상기 기판의 회전 속도를 조절하는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
liquid treating the substrate; and
Including the step of drying the liquid-treated substrate,
The liquid processing step,
a first liquid supply step of supplying a first liquid to an upper surface of the rotating substrate; and
And a second liquid supply step of supplying a second liquid to the upper surface of the rotating substrate,
In the second liquid supply step,
The substrate processing method of controlling the rotational speed of the substrate so that the second liquid supplied on the substrate flows only from a central region of the substrate to an edge region of the substrate.
상기 제2액 공급 단계는,
상기 기판에 공급된 상기 제1액을 상기 제2액으로 치환하는 치환 단계;
상기 기판에 공급된 상기 제2액의 양을 보상하는 보상 단계; 및
유도 속도 범위에서 상기 기판의 회전 속도를 변경하여 상기 기판에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 가장자리 영역까지만 유동되도록 유도하는 유도 단계를 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
In the step of supplying the second liquid,
a substitution step of replacing the first liquid supplied to the substrate with the second liquid;
a compensation step of compensating the amount of the second liquid supplied to the substrate; and
and an induction step of inducing the second liquid supplied to the substrate to flow only to an edge region of the substrate by changing a rotational speed of the substrate within an induction speed range.
상기 유도 단계는,
제1유도 속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하는 제1유도 단계; 및
상기 기판에 상기 제2액의 공급을 중단하고, 상기 기판을 회전시키는 제2유도 단계를 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 2,
The induction step is
a first induction step of supplying the second liquid to the substrate rotating at a first induction speed; and
and a second induction step of stopping the supply of the second liquid to the substrate and rotating the substrate.
상기 제2유도 단계에서 상기 기판의 회전 속도는 상기 제1유도 속도에서 제2유도 속도로 변경되되,
상기 제1유도 속도는 상기 제2유도 속도보다 빠른 기판 처리 방법.According to claim 3,
In the second induction step, the rotational speed of the substrate is changed from the first induction speed to the second induction speed,
The first induction rate is faster than the second induction rate.
상기 치환 단계는 제1속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하고,
상기 보상 단계는 제2속도로 회전하는 상기 기판에 상기 제2액을 공급하되,
상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠른 기판 처리 방법.According to claim 4,
The displacement step supplies the second liquid to the substrate rotating at a first speed,
In the compensating step, the second liquid is supplied to the substrate rotating at a second speed,
The first speed is faster than the second speed substrate processing method.
상기 제2속도는 상기 제1유도 속도보다 빠른 기판 처리 방법.According to claim 5,
The second speed is a substrate processing method faster than the first induction speed.
상기 제2속도는 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 이면으로 흐르는 것을 억제하는 속도인 기판 처리 방법.According to claim 5,
The second speed is a speed at which the second liquid supplied on the substrate is suppressed from flowing to the back surface of the substrate.
상기 제2액 공급 단계에서 상기 제2액은 상기 기판의 상면 가장자리 영역까지만 유동하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
In the step of supplying the second liquid, the second liquid flows only up to an edge region of the upper surface of the substrate.
상기 건조 단계는 초임계 유체에 의해 수행되고,
상기 제2액은 상기 제1액보다 상기 초임계 유체에 대한 용해도가 높은 기판 처리 방법.According to claim 1,
The drying step is performed by a supercritical fluid,
The second liquid has a higher solubility in the supercritical fluid than the first liquid.
상기 건조 단계는,
상기 기판의 이면 가장자리 영역이 지지된 상태에서 수행되는 기판 처리 방법.According to claim 9,
In the drying step,
A substrate processing method performed in a state in which the backside edge region of the substrate is supported.
상기 액 처리 단계는 액 처리 챔버에서 수행되고, 상기 건조 단계는 건조 챔버에서 수행되되,
상기 액 처리 챔버에서 상기 액 처리가 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 상기 건조 챔버로 반송되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The liquid processing step is performed in a liquid processing chamber, and the drying step is performed in a drying chamber,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the substrate on which the liquid processing is completed in the liquid processing chamber is transferred to the drying chamber by a transfer robot.
기판에 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버;
상기 기판으로부터 상기 액을 제거하는 건조 챔버;
상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛; 및
상기 액 처리 챔버, 상기 건조 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 액 처리 챔버는,
내부 공간을 가지는 하우징;
상기 내부 공간 내에서 상기 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛; 및
상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 상면에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 기판에 제1액을 공급하는 제1액 공급 노즐; 및
상기 기판에 제2액을 공급하는 제2액 공급 노즐을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판에 제1액을 공급하고, 상기 제1액이 공급된 상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하도록 상기 제1액 공급 노즐과 상기 제2액 공급 노즐을 각각 제어하되,
상기 기판 상에 상기 제2액이 공급되는 동안 상기 기판의 회전 속도를 조절하여 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 엣지 영역까지만 이동되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying liquid to the substrate;
a drying chamber to remove the liquid from the substrate;
a transport unit transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber; and
A controller for controlling the liquid processing chamber, the drying chamber, and the transfer unit,
The liquid processing chamber,
a housing having an inner space;
a support unit supporting and rotating the substrate within the inner space; and
a liquid supply unit supplying liquid to the upper surface of the substrate placed on the support unit;
The liquid supply unit,
a first liquid supply nozzle supplying a first liquid to the substrate; and
A second liquid supply nozzle for supplying a second liquid to the substrate;
The controller,
Controlling the first liquid supply nozzle and the second liquid supply nozzle, respectively, to supply the first liquid to the substrate and to supply the second liquid to the substrate to which the first liquid has been supplied;
A substrate processing apparatus for controlling the support unit so that the second liquid supplied on the substrate moves only to an edge area of the substrate by adjusting a rotational speed of the substrate while the second liquid is supplied onto the substrate.
상기 제어기는,
상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하는 동안 상기 기판의 회전 속도가 제1속도에서 상기 제1속도보다 느린 유도 속도로 변경되도록 상기 지지 유닛을 제어하되,
상기 유도 속도는 상기 기판에 공급된 상기 제2액이 상기 기판의 상면 엣지 영역까지만 유동되는 속도인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 12,
The controller,
Controlling the support unit so that the rotational speed of the substrate is changed from a first speed to an induction speed slower than the first speed while supplying the second liquid on the substrate;
The induction speed is a speed at which the second liquid supplied to the substrate flows only to an upper surface edge region of the substrate.
상기 유도 속도는,
제1유도 속도와 상기 제1유도 속도보다 느린 제2유도 속도를 포함하고,
상기 제어기는,
순차적으로 상기 제1속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도로 상기 기판의 회전 속도가 변경되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 13,
The induction rate is,
Including a first induction rate and a second induction rate that is slower than the first induction rate,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the support unit so that the rotational speed of the substrate is sequentially changed to the first speed, the first induction speed, and the second induction speed.
상기 제어기는.
상기 제1속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도 중 상기 제1속도와 상기 제1유도 속도로 상기 기판이 회전하는 동안에 상기 제2액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 제2액 공급 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 14,
the controller.
The second liquid is supplied to the substrate while the substrate rotates at the first speed and the first induction speed among the first speed, the first induction speed, and the second induction speed. A substrate processing device that controls nozzles.
상기 제어기는,
상기 제1속도와 상기 유도 속도 사이에서, 상기 제1속도보다 느리고 상기 유도 속도보다는 빠른 제2속도로 상기 기판의 회전 속도를 변경시키도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 13,
The controller,
and controlling the support unit to change the rotation speed of the substrate to a second speed that is slower than the first speed and faster than the induction speed between the first speed and the induction speed.
상기 제어기는,
상기 기판이 제2속도로 회전되는 동안 상기 기판 상에 제2액이 공급되도록 상기 제2액 공급 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 16,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the second liquid supply nozzle so that the second liquid is supplied to the substrate while the substrate is rotated at a second speed.
상기 건조 챔버는 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고,
상기 지지체는,
상기 액 처리가 완료된 기판의 이면 가장자리 영역을 지지하는 기판 처리 장치.According to claim 12,
The drying chamber includes a support for supporting the substrate,
The support is
A substrate processing apparatus for supporting a rear edge region of the liquid-processed substrate.
상기 건조 챔버에서는 초임계 유체를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 제2액을 제거하고,
상기 제2액은 상기 제1액보다 상기 초임계 유체에 대한 용해도가 높은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 12 to 18,
In the drying chamber, the second liquid is removed from the substrate using a supercritical fluid;
The second liquid has a higher solubility in the supercritical fluid than the first liquid.
액 처리 챔버에서 기판에 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 단계;
상기 액 처리된 기판을 건조 챔버로 반송하는 단계; 및
상기 건조 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 상기 액 처리된 기판에서 상기 액을 제거하는 건조 단계를 포함하되,
상기 액 처리 단계는,
회전하는 상기 기판의 상면에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계; 및
회전하는 상기 기판의 상면에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고,
상기 제2액 공급 단계는,
상기 기판 상에 상기 제2액을 공급하는 동안 상기 기판의 회전 속도를 제1속도에서 상기 제1속도보다 느린 제2속도로, 상기 제2속도에서 상기 제2속도보다 느린 제1유도 속도로, 그리고 상기 제1유도 속도에서 상기 제1유도 속도보다 느린 제2유도 속도로 변경시켜 상기 기판 상에 공급된 상기 제2액을 상기 기판의 상면 가장자리 영역까지만 유동되도록 유도하고,
상기 제2액 공급 단계에서 상기 기판에 공급하는 상기 제2액은 상기 기판이 상기 제1속도, 상기 제2속도, 상기 제1유도 속도, 그리고 상기 제2유도 속도 중 상기 제1속도, 상기 제2속도, 그리고 상기 제1유도 속도로 회전하는 동안 공급되는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
a liquid processing step of liquid processing the substrate by supplying liquid to the substrate in the liquid processing chamber;
transferring the liquid-processed substrate to a drying chamber; and
A drying step of removing the liquid from the liquid-processed substrate using a supercritical fluid in the drying chamber,
The liquid processing step,
a first liquid supply step of supplying a first liquid to an upper surface of the rotating substrate; and
And a second liquid supply step of supplying a second liquid to the upper surface of the rotating substrate,
In the step of supplying the second liquid,
While supplying the second liquid on the substrate, the rotational speed of the substrate is changed from a first speed to a second speed slower than the first speed, from the second speed to a first induction speed slower than the second speed, And by changing from the first induction rate to a second induction rate that is slower than the first induction rate, the second liquid supplied on the substrate is induced to flow only up to the edge region of the upper surface of the substrate,
In the second liquid supplying step, the second liquid supplied to the substrate is the first rate, the second rate, the first rate, the second rate, and the second induction rate. 2 speed, and the substrate processing method supplied while rotating at the first induction speed.
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