KR20230094635A - LED measuring device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 LED 측정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 크기가 매우 작은 마이크로 LED 칩에 대한 컨택 및 EL 측정을 간편하게 할 수 있는 LED 측정장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 LED 측정장치는 엘라스토머 소재를 적용하여 탄력이 있는 컨택 장치를 통해 마이크로 LED 칩의 사이즈에 관계없이 컨택이 가능하고, 웨이퍼의 휘어짐 현상(보잉)에도 확실하게 모든 마이크로 LED 칩에 대한 접촉 및 EL 측정이 가능함과 동시에, 대량의 마이크로 LED 칩에 대한 EL 측정이 가능한 장점이 있다.The present invention relates to an LED measuring device, and more particularly, to an LED measuring device capable of conveniently measuring contact and EL for a micro LED chip having a very small size.
The LED measuring device according to the present invention uses an elastomer material to make contact regardless of the size of the micro LED chip through an elastic contact device, and to ensure contact to all micro LED chips even in the case of warping (bowing) of the wafer. And EL measurement is possible, and at the same time, there is an advantage of being able to measure EL for a large amount of micro LED chips.
Description
본 발명은 LED 측정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 크기가 매우 작은 마이크로 LED 칩에 대한 컨택 및 EL 측정을 간편하게 할 수 있는 LED 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an LED measuring device, and more particularly, to an LED measuring device capable of conveniently measuring contact and EL for a micro LED chip having a very small size.
차세대 디스플레이로 주목받는 마이크로 LED 디스플레이는 100 μm 이하 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이로서, 기존의 OLED와 LCD 대비 전력효율성, 명암비, 반응속도, 시야각, 밝기, 한계 해상도, 수명 등에서 모두 월등한 스펙을 가진다. 이러한 장점으로 인해 마이크로 LED를 다양한 형태의 디스플레이 장치에 적용하기 위한 연구들이 진행 중에 있다.Micro LED display, which is attracting attention as a next-generation display, is a display that uses LED chips in units of 100 μm or less as light emitting materials. It has excellent specs. Due to these advantages, studies are underway to apply micro LEDs to various types of display devices.
이때, 마이크로 LED 칩은 반도체 웨이퍼 상에 에피 소재를 성장시켜 제조될 수 있는데, 이러한 마이크로 LED 칩은 인터포저 및 전사 등의 제조 공정을 거쳐 디스플레이 장치에 적용 가능한 형태로 마련될 수 있다.At this time, the micro LED chip may be manufactured by growing an epitaxial material on a semiconductor wafer, and the micro LED chip may be prepared in a form applicable to a display device through manufacturing processes such as interposer and transfer.
한편, 제조중이거나 출하 전인 디스플레이는 해당 디스플레이를 구성하는 소자의 품질을 검사하는 전수검사 공정이 필수적으로 수반되어야 한다. 참고로, 본 발명에서는 반도체 웨이퍼 상에 칩 단위의 마이크로 LED가 구성되어 있는 형태의 검사 대상체에 대한 전수검사 공정에 한하여 언급하고자 한다.On the other hand, a display that is being manufactured or before shipment must necessarily be accompanied by a total inspection process for inspecting the quality of elements constituting the display. For reference, in the present invention, only mention will be made of a total inspection process for an inspection target in which chip-unit micro LEDs are configured on a semiconductor wafer.
마이크로 LED뿐 아니라 기존 LED에 대한 전수검사 공정에는 대표적으로 전기적 특성 검사와 광학적 특성 검사가 포함될 수 있다. 이때, 전기적 특성 검사는 LED에 구비된 +, -전극에 복수의 프로브 핀을 접촉시켜, LED에 전기적인 신호를 인가하고, LED를 통하여 흐르는 전류 및 전압 등의 전기적 특성을 측정하는 것이며, 광학적 특성 검사는 LED에 구비된 +, -전극에 복수의 프로브 핀을 접촉시켜, LED에 전기적인 신호를 인가할 때, 발광하는 LED의 광량, 광 스펙트럼 등의 광학적 특성을 측정하는 것이다. 이와 같은 검사공정을 통해 LED의 정상 동작여부 및 양품 판단이 이루어질 수 있는 것이다. A total inspection process for existing LEDs as well as micro LEDs may typically include electrical property inspections and optical property inspections. At this time, the electrical characteristics test is to apply a plurality of probe pins to the + and - electrodes provided in the LED, apply an electrical signal to the LED, and measure electrical characteristics such as current and voltage flowing through the LED, and optical characteristics Inspection is to measure optical properties such as light quantity and light spectrum of the LED emitted when an electric signal is applied to the LED by bringing a plurality of probe pins into contact with the + and - electrodes provided in the LED. Through this inspection process, it is possible to determine whether the LED operates normally and to determine whether the LED is good or not.
그러나, 마이크로 LED의 경우, 하나의 마이크로 LED 칩 크기가 수십 μm에 이르고, 이웃한 마이크로 LED 칩들 상호간 간격이 매우 협소하여, 단일의 반도체 웨이퍼 상에 실장된 전체적인 마이크로 LED에 대한 전수검사 공정을 수행하는데 오랜 시간이 소요될 수밖에 없고, 마이크로 LED가 아닌 기존 LED에 특화된 검사 장비가 해당 공정에 적용되기에는 어려움이 존재한다.However, in the case of micro LED, the size of one micro LED chip reaches several tens of μm, and the distance between neighboring micro LED chips is very narrow, so it is difficult to perform a total inspection process for the entire micro LED mounted on a single semiconductor wafer. It will inevitably take a long time, and there are difficulties in applying inspection equipment specialized for existing LEDs, not micro LEDs, to the process.
좀더 구체적인 예시를 들자면, 반도체 웨이퍼 내에 수 십만개 이상의 마이크로 LED가 구성될 수 있는데, 전수검사 시 하나의 단위 LED를 검사한 후 다른 단위 LED에 프로브 핀을 이동 접속시켜 가며 반도체 웨이퍼 내모든 마이크로 LED에 대한 전수검사를 순차적으로 수행하게 되므로 검사시간이 많이 소요될 수밖에 없는 문제가 있다.To take a more specific example, hundreds of thousands of micro LEDs can be configured in a semiconductor wafer. During total inspection, one unit LED is inspected, and then probe pins are moved and connected to other unit LEDs, and all micro LEDs in the semiconductor wafer are inspected. There is a problem in that a lot of inspection time is required because the entire inspection is performed sequentially.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 엘라스토머 소재를 적용하여 탄력이 있는 컨택 장치를 통해 마이크로 LED 칩의 사이즈에 관계없이 컨택이 가능하여 마이크로 LED 칩에 대한 EL 측정이 가능함과 동시에, 대량의 마이크로 LED 칩에 대한 EL 측정이 가능한 LED 측정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above conventional problems, and it is possible to measure the EL of the micro LED chip by making contact regardless of the size of the micro LED chip through an elastic contact device by applying an elastomeric material. , The purpose is to provide an LED measuring device capable of measuring EL for a large amount of micro LED chips.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 LED 측정장치는 마이크로 LED 칩을 EL 방식으로 검사하기 위한 것으로서, 기판에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩 각각의 양전극에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제1리드가 연결되는 제1 라인컨택부와; 기판에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩 각각의 음전극에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제2리드가 연결되는 제2 라인컨택부;를 포함하고, 상기 제1 라인컨택부 및 상기 제2 라인컨택부 각각은 상기 마이크로 LED 칩들의 배열 길이와 대응되는 길이를 가지도록 연장되고 상하방향으로 일정 두께를 가지도록 연장되며 탄성을 가지도록 엘라스토머 소재로 형성된 지지층과, 상기 지지층의 하면에 형성되고, 전기전도성을 가지도록 메탈소재로 형성된 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The LED measuring device according to the present invention for achieving the above object is for inspecting micro LED chips by EL method, and is connected in parallel to the positive electrode of each of a plurality of micro LED chips arranged in a line on a board, and supplies power. a first line contact unit to which a first supply lead is connected; A second line contact unit connected in parallel to the negative electrode of each of the plurality of micro LED chips arranged in a line on a substrate and to which a second lead supplying power is connected, wherein the first line contact unit and the second line contact unit are connected. Each of the line contact units extends to have a length corresponding to the array length of the micro LED chips, extends to have a certain thickness in the vertical direction, and is formed on a lower surface of the support layer formed of an elastomeric material to have elasticity, It is characterized in that it includes a contact layer formed of a metal material to have electrical conductivity.
상기 컨택층은 상기 마이크로 LED 칩의 전극에 접촉되는 저면이 평탄하게 형성된 것을 특징으로 한다.The contact layer is characterized in that the bottom surface contacting the electrode of the micro LED chip is formed flat.
상기 컨택층은 상기 마이크로 LED 칩의 전극에 접촉되는 하부에 상기 컨택층의 길이방향을 따라 돌기부와 인입홈이 반복되는 요철부가 형성된 것을 특징으로 한다.The contact layer is characterized in that a concavo-convex portion in which protrusions and lead-in grooves are repeated is formed on a lower portion contacting the electrode of the micro LED chip along the longitudinal direction of the contact layer.
상기 요철부는 삼각파형 또는 구형파형 또는 정현파형을 이루도록 형성된 것을 특징으로 한다.The concavo-convex portion is characterized in that it is formed to form a triangular waveform, a rectangular waveform, or a sinusoidal waveform.
상기 돌기부들 사이의 간격은 일 측 마이크로 LED 칩의 전극과 타 측 마이크로 LED 칩의 전극 사이의 간격보다 작게 설정된 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the distance between the protrusions is set smaller than the distance between the electrode of the micro LED chip on one side and the electrode of the micro LED chip on the other side.
본 발명에 따른 LED 측정장치는 엘라스토머 소재를 적용하여 탄력이 있는 컨택 장치를 통해 마이크로 LED 칩의 사이즈에 관계없이 컨택이 가능하고, 웨이퍼의 휘어짐 현상(보잉)에도 확실하게 모든 마이크로 LED 칩에 대한 접촉 및 EL 측정이 가능함과 동시에, 대량의 마이크로 LED 칩에 대한 EL 측정이 가능한 장점이 있다.The LED measuring device according to the present invention uses an elastomer material to make contact regardless of the size of the micro LED chip through an elastic contact device, and to ensure contact to all micro LED chips even in the case of warping (bowing) of the wafer. And EL measurement is possible, and at the same time, there is an advantage of being able to measure EL for a large amount of micro LED chips.
도 1은 본 발명에 따른 LED 측정장치를 나타낸 측면도.
도 2는 본 발명에 따른 LED 측정장치를 나타낸 정면도.
도 3은 본 발명에 따른 LED 측정장치를 나타낸 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 LED 측정장치의 다른 실시 예에 따른 컨택층을 나타낸 측면도.
도 5는 본 발명에 따른 LED 측정장치의 또 다른 실시 예에 따른 컨택층을 나타낸 측면도.1 is a side view showing an LED measuring device according to the present invention.
Figure 2 is a front view showing an LED measuring device according to the present invention.
Figure 3 is a perspective view showing an LED measuring device according to the present invention.
Figure 4 is a side view showing a contact layer according to another embodiment of the LED measuring device according to the present invention.
5 is a side view showing a contact layer according to another embodiment of the LED measuring device according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 LED 측정장치에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, an LED measuring device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 5에는 본 발명에 따른 LED 측정장치(100)가 도시되어 있다. 도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 LED 측정장치(100)는 마이크로 LED 칩(20)을 EL 방식으로 검사하기 위한 것으로서, 기판(10)에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩(20) 각각의 양전극(21)에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제1리드가 연결되는 제1 라인컨택부(110)와; 기판(10)에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩(20) 각각의 음전극(22)에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제2리드가 연결되는 제2 라인컨택부(140);를 포함하고, 상기 제1 라인컨택부(140) 및 상기 제2 라인컨택부(140) 각각은 상기 마이크로 LED 칩(20)들의 배열 길이와 대응되는 길이를 가지도록 연장되고 상하방향으로 일정 두께를 가지도록 연장되며 탄성을 가지도록 엘라스토머 소재로 형성된 지지층(120, 150)과, 상기 지지층(120, 150)의 하면에 형성되고, 전기전도성을 가지도록 메탈소재로 형성된 컨택층(130, 160)을 포함한다.1 to 5 show an
본 발명에 따른 LED 측정장치(100)의 상기 컨택층(130, 160)은 상기 마이크로 LED 칩(20)의 전극(21, 22)에 접촉되는 저면이 평탄하게 형성된다.The bottom surfaces of the
본 발명에 따른 LED 측정장치(100)의 상기 컨택층(130, 160)은 상기 마이크로 LED 칩(20)의 전극(21, 22)에 접촉되는 하부에 상기 컨택층(130, 160)의 길이방향을 따라 돌기부와 인입홈이 반복되는 요철부가 형성된다.The
본 발명에 따른 LED 측정장치(100)의 상기 요철부는 도 4에 도시된 바와 같이 삼각파형의 돌기부(131) 및 인입홈(132)으로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 4 , the concavo-convex portion of the
또한, 본 발명에 따른 LED 측정장치(100)의 상기 요철부는 도 5에 도시된 바와 같이 구형파형의 돌기부(133) 및 인입홈(134)으로 구성될 수 있다.In addition, the concave-convex portion of the
또한, 본 발명에 따른 LED 측정장치(100)의 상기 요철부는 정현파형의 돌기부 및 인입홈으로 구성될 수도 있다.In addition, the concave-convex portion of the
본 발명에 따른 LED 측정장치의 상기 돌기부(131)들 사이의 간격은 일 측 마이크로 LED 칩(20)의 전극(21, 22)과 타 측 마이크로 LED 칩(21, 22)의 전극 사이의 간격보다 작게 형성된다.The distance between the protrusions 131 of the LED measuring device according to the present invention is greater than the distance between the
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 LED 측정장치는 엘라스토머 소재를 적용하여 탄력이 있는 컨택 장치를 통해 마이크로 LED 칩의 사이즈에 관계없이 컨택이 가능하고, 웨이퍼의 휘어짐 현상(보잉)에도 확실하게 모든 마이크로 LED 칩에 대한 접촉 및 EL 측정이 가능함과 동시에, 대량의 마이크로 LED 칩에 대한 EL 측정이 가능한 장점이 있다.As described above, the LED measuring device according to the present invention applies an elastomeric material to enable contact regardless of the size of the micro LED chip through a flexible contact device, and can be reliably applied to all micro LEDs even against warping (bowing) of the wafer. There is an advantage in that it is possible to measure contact and EL on a chip, and at the same time measure EL on a large amount of micro LED chips.
이상에서 설명한 본 발명에 따른 LED 측정장치는 첨부된 도면을 참조로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The LED measuring device according to the present invention described above has been described with reference to the accompanying drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other embodiments therefrom. will understand
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호의 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해서만 정해져야 할 것이다.Therefore, the scope of true technical protection of the present invention should be determined only by the technical spirit of the appended claims.
10 : 기판
20 : 마이크로 LED 칩
21 : 양전극
22 : 음전극
100 : LED 측정장치
110 : 제1 라인컨택부
120, 150 : 지지층
130, 160 : 컨택층
140 : 제2 라인컨택부10: Substrate
20: micro LED chip
21: positive electrode
22: negative electrode
100: LED measuring device
110: first line contact unit
120, 150: support layer
130, 160: contact layer
140: second line contact unit
Claims (5)
기판에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩 각각의 양전극에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제1리드가 연결되는 제1 라인컨택부와;
기판에 라인상으로 배열된 복수의 마이크로 LED 칩 각각의 음전극에 병렬 접속되고, 전원을 공급하는 제2리드가 연결되는 제2 라인컨택부;를 포함하고,
상기 제1 라인컨택부 및 상기 제2 라인컨택부 각각은 상기 마이크로 LED 칩들의 배열 길이와 대응되는 길이를 가지도록 연장되고 상하방향으로 일정 두께를 가지도록 연장되며 탄성을 가지도록 엘라스토머 소재로 형성된 지지층과, 상기 지지층의 하면에 형성되고, 전기전도성을 가지도록 메탈소재로 형성된 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 측정장치.In the LED measuring device for inspecting the micro LED chip by the EL method,
a first line contact unit connected in parallel to the positive electrode of each of the plurality of micro LED chips arranged in a line on the substrate and to which a first lead supplying power is connected;
A second line contact unit connected in parallel to the negative electrode of each of the plurality of micro LED chips arranged in a line on the substrate and to which a second lead supplying power is connected;
Each of the first line contact part and the second line contact part extends to have a length corresponding to the array length of the micro LED chips, extends to have a certain thickness in the vertical direction, and has a support layer formed of an elastomeric material to have elasticity. and a contact layer formed on a lower surface of the support layer and made of a metal material to have electrical conductivity.
상기 컨택층은 상기 마이크로 LED 칩의 전극에 접촉되는 저면이 평탄하게 형성된 것을 특징으로 하는 LED 측정장치.According to claim 1,
The contact layer is an LED measuring device, characterized in that the bottom surface in contact with the electrode of the micro LED chip is formed flat.
상기 컨택층은 상기 마이크로 LED 칩의 전극에 접촉되는 하부에 상기 컨택층의 길이방향을 따라 돌기부와 인입홈이 반복되는 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 LED 측정장치.According to claim 1,
The contact layer is an LED measuring device, characterized in that a concavo-convex portion in which protrusions and inlet grooves are repeated along the longitudinal direction of the contact layer is formed at a lower portion in contact with the electrode of the micro LED chip.
상기 요철부는 삼각파형 또는 구형파형 또는 정현파형을 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 LED 측정장치.According to claim 3,
LED measuring device, characterized in that the concave-convex portion is formed to form a triangular waveform, a rectangular waveform or a sinusoidal waveform.
상기 돌기부들 사이의 간격은 일 측 마이크로 LED 칩의 전극과 타 측 마이크로 LED 칩의 전극 사이의 간격보다 작게 설정된 것을 특징으로 하는 LED 측정장치.
According to claim 3 or 4,
The distance between the protrusions is set smaller than the distance between the electrode of the micro LED chip on one side and the electrode of the micro LED chip on the other side.
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