KR20230084041A - Processing liquid supply apparatus and processing liquid discharge method - Google Patents

Processing liquid supply apparatus and processing liquid discharge method Download PDF

Info

Publication number
KR20230084041A
KR20230084041A KR1020220158988A KR20220158988A KR20230084041A KR 20230084041 A KR20230084041 A KR 20230084041A KR 1020220158988 A KR1020220158988 A KR 1020220158988A KR 20220158988 A KR20220158988 A KR 20220158988A KR 20230084041 A KR20230084041 A KR 20230084041A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tank
conduit
treatment liquid
liquid
valve
Prior art date
Application number
KR1020220158988A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
도모키 나카무라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20230084041A publication Critical patent/KR20230084041A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/085—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to flow or pressure of liquid or other fluent material to be discharged
    • B05B12/087—Flow or presssure regulators, i.e. non-electric unitary devices comprising a sensing element, e.g. a piston or a membrane, and a controlling element, e.g. a valve
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/40—Filters located upstream of the spraying outlets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
    • B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
    • B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Maintenance of a treatment liquid supply device can be performed efficiently. The present invention relates to a treatment liquid supply device for supplying treatment liquid to a discharge unit for discharging treatment liquid to a substrate, comprising: a first tank containing treatment liquid from a treatment liquid supply source; a first pipe guiding the treatment liquid from the treatment liquid supply source to the first tank; a second pipe guiding the treatment liquid from the first tank to the discharge unit; a pump provided in the second pipe; a filter provided between the first tank and the pump in the second pipe; a drainage pipe connected to the filter; a first opening/closing valve provided in the first pipe; a second opening/closing valve provided between the first tank and the filter in the second pipe; a third opening valve provided between the filter and the pump in the second pipe; a fourth opening/closing valve provided in the drainage pipe; a first gas supply path connected between the second opening/closing valve and the filter in the second pipe and supplying gas; a fifth opening/closing valve provided in the first gas supply path; and a control unit. The control unit is configured to perform both a first control for controlling the first opening/closing valve and the second opening/closing valve so that the treatment liquid fills the first tank, and a second control for controlling the third opening/closing valve, the fourth opening/closing valve, and the fifth opening/closing valve so that the treatment liquid in the second pipe is discharged by the gas from the first gas supply path.

Description

처리액 공급 장치 및 처리액 배출 방법{PROCESSING LIQUID SUPPLY APPARATUS AND PROCESSING LIQUID DISCHARGE METHOD}Treatment liquid supply device and treatment liquid discharge method {PROCESSING LIQUID SUPPLY APPARATUS AND PROCESSING LIQUID DISCHARGE METHOD}

본 개시는, 처리액 공급 장치 및 처리액 배출 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a treatment liquid supply device and a treatment liquid discharge method.

특허문헌 1에는, 처리액을 토출하는 노즐과, 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 컨트롤러를 구비한 도포·현상 장치가 개시되어 있다. 상기 처리액 공급부는, 탱크로부터 노즐로 처리액을 유도하는 송액관과, 송액관에 마련된 펌프와, 송액관에 있어서 탱크와 펌프 사이에 마련되며, 탱크측의 제1 공간, 펌프측의 제2 공간, 및 여과재를 포함하는 필터를 갖는다. 상기 컨트롤러는, 펌프에 의해, 여과재를 거쳐 제1 공간측으로부터 제2 공간측에 처리액을 흘리도록 처리액 공급부를 제어하는 제1 제어와, 제1 제어 후, 펌프에 의해, 여과재를 거쳐 제2 공간측으로부터 제1 공간측에 처리액을 흘리도록 처리액 공급부를 제어하는 제2 제어를 실행하도록 구성되어 있다.Patent Literature 1 discloses a coating/developing device including a nozzle for discharging a processing liquid, a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the nozzle, and a controller. The treatment liquid supply unit is provided between a liquid feed pipe for guiding a treatment liquid from a tank to a nozzle, a pump provided in the liquid feed pipe, and a first space on the tank side and a second space on the pump side in the liquid feed pipe. It has a filter comprising a space, and a filter medium. The controller includes first control for controlling the treatment liquid supply unit so that the treatment liquid flows from the first space side to the second space side through the filter medium by means of a pump, and after the first control, the pump through the filter medium and the control It is configured to execute second control for controlling the processing liquid supply unit so that the processing liquid flows from the side of the second space to the side of the first space.

일본 특허 공개 제2018-32688호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-32688

본 개시에 관한 기술은, 처리액 공급 장치의 메인터넌스를 효율적으로 행한다.The technique according to the present disclosure efficiently performs maintenance of a processing liquid supply device.

본 개시의 일 양태는, 기판에 처리액을 토출하는 토출부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치이며, 처리액 공급원으로부터의 처리액을 수용하는 제1 탱크와, 상기 처리액 공급원으로부터 상기 제1 탱크로 처리액을 유도하는 제1 관로와, 상기 제1 탱크로부터 상기 토출부로 처리액을 유도하는 제2 관로와, 상기 제2 관로에 마련된 펌프와, 상기 제2 관로에 있어서의 상기 제1 탱크와 상기 펌프 사이에 마련된 필터와, 상기 필터에 접속된 배액 관로와, 상기 제1 관로에 마련된 제1 개폐 밸브와, 상기 제2 관로에 있어서의 상기 제1 탱크와 상기 필터 사이에 마련된 제2 개폐 밸브와, 상기 제2 관로에 있어서의 상기 필터와 상기 펌프 사이에 마련된 제3 개폐 밸브와, 상기 배액 관로에 마련된 제4 개폐 밸브와, 상기 제2 관로에 있어서의 상기 제2 개폐 밸브와 상기 필터 사이에 접속되며, 기체를 공급하는 제1 기체 공급로와, 상기 제1 기체 공급로에 마련된 제5 개폐 밸브와, 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 처리액이 상기 제1 탱크에 충전되도록, 상기 제1 개폐 밸브 및 상기 제2 개폐 밸브를 제어하는 제1 제어와, 상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의해 상기 제2 관로 내의 처리액이 배출되도록, 상기 제3 개폐 밸브, 상기 제4 개폐 밸브 및 상기 제5 개폐 밸브를 제어하는 제2 제어를 병행하여 실행하도록 구성되어 있다.One aspect of the present disclosure is a treatment liquid supply device for supplying a treatment liquid to a discharge unit for discharging the treatment liquid to a substrate, comprising: a first tank accommodating a treatment liquid from a treatment liquid supply source; A first conduit for guiding the treatment liquid to one tank, a second conduit for guiding the treatment liquid from the first tank to the discharge unit, a pump provided in the second conduit, and the first conduit in the second conduit. A filter provided between the tank and the pump, a drain pipe connected to the filter, a first opening/closing valve provided in the first pipe, and a second pipe provided between the first tank and the filter in the second pipe. An on-off valve, a third on-off valve provided between the filter and the pump in the second pipe, a fourth on-off valve provided on the drain pipe, and the second on-off valve and the A first gas supply passage connected between filters and supplying gas, a fifth on-off valve provided in the first gas supply passage, and a control unit, the control unit configured to fill the first tank with a treatment liquid; The first control for controlling the first on-off valve and the second on-off valve, and the third on-off valve, the fourth on-off valve, the fourth on-off valve, so that the treatment liquid in the second conduit is discharged by gas from the first gas supply passage. It is comprised so that 2nd control which controls an on-off valve and the said 5th on-off valve may be executed in parallel.

본 개시에 의하면, 처리액 공급 장치의 메인터넌스를 효율적으로 행할 수 있다.According to the present disclosure, maintenance of the processing liquid supply device can be efficiently performed.

도 1은 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 액 공급 장치의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다.
도 4는 토출 동작 시의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 5는 펌프에 레지스트액을 보충할 때의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 6은 제1 탱크 내의 레지스트액을 배출할 때의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7은 제2 관로 내로부터 레지스트액을 발취할 때의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 8은 제2 관로 내로부터 레지스트액을 발취할 때의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 9는 제2 관로를 레지스트액으로 충전할 때의 액 공급 장치의 상태를 도시하는 도면이다.
도 10은 제1 기체 공급로의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 11은 본 실시 형태에 관한 액 공급 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 설명도이다.Fig. 1 is a longitudinal sectional view schematically illustrating the configuration of a resist coating apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a resist coating device.
3 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the liquid supply device according to the present embodiment.
4 is a diagram showing the state of the liquid supply device during a discharge operation.
Fig. 5 is a diagram showing the state of the liquid supply device when replenishing the pump with a resist liquid.
Fig. 6 is a diagram showing the state of the liquid supply device when the resist liquid in the first tank is discharged.
Fig. 7 is a view showing the state of the liquid supply device when extracting the resist liquid from the inside of the second conduit.
Fig. 8 is a diagram showing the state of the liquid supply device when extracting the resist liquid from the inside of the second conduit.
9 is a diagram showing the state of the liquid supply device when the second conduit is filled with resist liquid.
10 is a diagram showing another example of a first gas supply path.
11 is an explanatory view showing another example of the configuration of the liquid supply device according to the present embodiment.

반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 함) 등의 기판 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위해 일련의 처리가 행해진다. 상기 일련의 처리에는, 예를 들어 기판 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 등이 포함된다.BACKGROUND OF THE INVENTION In a photolithography step in a manufacturing process of semiconductor devices or the like, a series of processes are performed to form a predetermined resist pattern on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer"). The series of processing includes, for example, a resist coating process in which a resist film is supplied on a substrate to form a resist film, an exposure process in which the resist film is exposed, and a development process in which a developer is supplied to the exposed resist film and developed.

레지스트액이나 현상액 등의 처리액의 기판으로의 토출은 토출 노즐을 통해 행해진다. 또한, 토출 노즐로의 처리액의 공급은 처리액 공급 장치에 의해 행해진다. 처리액 공급 장치는, 처리액 공급원으로부터의 처리액을 수용하는 탱크와, 탱크로부터 토출 노즐로 처리액을 유도하는 송액 관로를 갖고 있다. 또한, 송액 관로에는 펌프나 필터가 마련되어 있다.A processing liquid such as a resist liquid or a developing liquid is discharged to the substrate through a discharge nozzle. In addition, the supply of the processing liquid to the ejection nozzle is performed by a processing liquid supply device. The treatment liquid supply device has a tank for accommodating the treatment liquid from a treatment liquid supply source, and a liquid feeding line for guiding the treatment liquid from the tank to a discharge nozzle. In addition, a pump and a filter are provided in the liquid feeding line.

그런데, 처리액 공급 장치의 메인터넌스 시(구체적으로는 펌프를 교체할 때나 처리액의 종류를 변경할 때)에는, 송액 관로로부터 처리액을 배출하여 송액 관로 내를 빈 상태로 하는 것이 행해지고 있다. 종래, 탱크에 기체를 송입하여, 탱크 내의 처리액으로 송액 관로 내의 처리액을 압출하고, 탱크가 비워진 후에도 기체의 송입을 계속함으로써, 송액 관로를 빈 상태로 하였다.By the way, during maintenance of the processing liquid supply device (specifically, when replacing a pump or changing the type of processing liquid), the processing liquid is discharged from the liquid feeding pipe and the inside of the liquid feeding pipe is left empty. Conventionally, gas is fed into the tank, the treatment liquid in the tank is extruded with the treatment liquid in the liquid feed pipe, and the feed pipe is left empty by continuing to feed the gas even after the tank is empty.

그러나, 이 방법은, 송액 관로 내를 처리액으로 재충전하기 위해서는, 탱크로의 처리액의 보충이, 송액 관로를 빈 상태로 한 후에 필요로 되는 것 등으로부터, 효율의 점에서 개선의 여지가 있다.However, this method has room for improvement in terms of efficiency, for example, in order to refill the inside of the liquid feed pipe with the treatment liquid, replenishment of the treatment liquid into the tank is required after leaving the liquid feed pipe in an empty state. .

그래서, 본 개시에 관한 기술은, 처리액 공급 장치의 메인터넌스를 효율적으로 행한다.Therefore, the technique according to the present disclosure efficiently performs maintenance of the processing liquid supply device.

이하, 본 실시 형태에 관한 처리액 공급 장치 및 처리액 배출 방법을, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.Hereinafter, a treatment liquid supply device and a treatment liquid discharge method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. Note that, in this specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.

<레지스트 도포 장치><Resist coating device>

도 1 및 도 2를 사용하여, 본 실시 형태에 관한 처리액 공급 장치가 처리액을 공급하는 토출부를 갖는, 기판 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2는 각각, 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도 및 횡단면도이다.A resist coating device as a substrate processing device, in which the processing liquid supply device according to the present embodiment has a discharge unit for supplying a processing liquid, will be described with reference to FIGS. 1 and 2 . 1 and 2 are a longitudinal cross-sectional view and a transverse cross-sectional view respectively showing an outline of the configuration of the resist coating device.

레지스트 도포 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(10)를 갖고 있다. 처리 용기(10)의 측면에는, 기판으로서의 웨이퍼 W의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 반입출구에는, 개폐 셔터(도시하지 않음)가 마련되어 있다.As shown in FIG. 1 , the resist coating device 1 has a processing container 10 that can be closed inside. A loading/unloading port (not shown) of a wafer W as a substrate is formed on a side surface of the processing container 10 , and an opening/closing shutter (not shown) is provided at the loading/unloading port.

처리 용기(10) 내의 중앙부에는, 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(20)이 마련되어 있다. 스핀 척(20)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼 W를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼 W를 스핀 척(20) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.A spin chuck 20 for holding and rotating the wafer W is provided at the center of the processing container 10 . The spin chuck 20 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. The wafer W can be suction-held on the spin chuck 20 by suction from the suction port.

스핀 척(20)은, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동 기구(21)를 갖고, 그 척 구동 기구(21)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(21)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 마련되어 있어, 스핀 척(20)은 상하 이동 가능하다.The spin chuck 20 has, for example, a chuck driving mechanism 21 equipped with a motor or the like, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving mechanism 21 . In addition, the chuck drive mechanism 21 is provided with an elevation driving source such as a cylinder, so that the spin chuck 20 can move up and down.

스핀 척(20)의 주위에는, 웨이퍼 W로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수하는 컵(30)이 마련되어 있다. 컵(30)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(31)과, 컵(30) 내의 분위기를 배기하는 배기관(32)이 접속되어 있다.Around the spin chuck 20, a cup 30 is provided to catch and collect liquid splashing or falling from the wafer W. A discharge pipe 31 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 32 for exhausting the atmosphere inside the cup 30 are connected to the lower surface of the cup 30 .

도 2에 도시한 바와 같이, 컵(30)의 X 방향 부방향(도 2의 하방향)측에는, Y 방향(도 2의 좌우 방향)을 따라서 연신하는 레일(40)이 형성되어 있다. 레일(40)은, 예를 들어 컵(30)의 Y 방향 부방향(도 2의 좌방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 2의 우방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(40)에는, 암(41)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 2 , a rail 40 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 2 ) is formed on the side of the cup 30 in the negative direction in the X direction (downward direction in FIG. 2 ). The rail 40 is formed, for example, from the outer side of the Y-direction negative direction (left direction in FIG. 2) side of the cup 30 to the outer side of the Y-direction positive direction (right direction in FIG. 2) side. An arm 41 is attached to the rail 40 .

암(41)에는, 처리액으로서의 레지스트액을 토출하는 토출부로서의 토출 노즐(42)이 지지되어 있다. 암(41)은, 노즐 구동부(43)에 의해, 레일(40) 상에서 이동 가능하다. 이에 의해, 토출 노즐(42)은, 컵(30)의 Y 방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(44)로부터 컵(30) 내의 웨이퍼 W의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼 W의 표면 상에서 웨이퍼 W의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(41)은, 노즐 구동부(43)에 의해 승강 가능하여, 토출 노즐(42)의 높이를 조절할 수 있다. 토출 노즐(42)은, 도 1에 도시한 바와 같이 레지스트액을 공급하는 처리액 공급 장치로서의 액 공급 장치(100)에 접속되어 있다.A discharge nozzle 42 serving as a discharge portion for discharging a resist liquid as a processing liquid is supported on the arm 41 . The arm 41 is movable on the rail 40 by the nozzle driving part 43 . As a result, the discharge nozzle 42 can move from the standby portion 44 provided on the outer side of the cup 30 on the positive Y-direction side to the upper portion of the central portion of the wafer W in the cup 30, and furthermore, the surface of the wafer W. It can move in the radial direction of the wafer W on the top. In addition, the arm 41 can be raised and lowered by the nozzle drive unit 43, so that the height of the discharge nozzle 42 can be adjusted. As shown in FIG. 1 , the discharge nozzle 42 is connected to a liquid supply device 100 serving as a processing liquid supply device for supplying a resist liquid.

<액 공급 장치(100)><liquid supply device 100>

계속해서, 도 3을 사용하여, 액 공급 장치(100)의 구성의 일례를 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 관한 액 공급 장치(100)의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다.Subsequently, an example of the configuration of the liquid supply device 100 will be described using FIG. 3 . 3 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the liquid supply device 100 according to the present embodiment.

액 공급 장치(100)는, 토출 노즐(42)에 레지스트액을 공급하는 것이며, 제1 탱크(101)를 갖는다. 제1 탱크(101)는, 처리액 공급원으로서의 제2 탱크(102)로부터의 처리액을 수용한다. 제2 탱크(102)는, 레지스트액을 저류하는 것이며, 교체 가능한 것이다.The liquid supply device 100 supplies a resist liquid to the ejection nozzle 42 and has a first tank 101 . The first tank 101 contains the processing liquid from the second tank 102 as a processing liquid supply source. The second tank 102 stores the resist liquid and is replaceable.

제1 탱크(101)와 제2 탱크(102)는, 제2 탱크(102)로부터 제1 탱크(101)로 레지스트액을 유도하는 제1 관로(111)에 의해 접속되어 있다. 제1 관로(111)에는, 당해 제1 관로(111)를 개폐하는 제1 개폐 밸브 V1이 마련되어 있다.The first tank 101 and the second tank 102 are connected by a first conduit 111 that guides the resist liquid from the second tank 102 to the first tank 101 . The first duct 111 is provided with a first on-off valve V1 that opens and closes the first duct 111 .

또한, 제1 탱크(101)는, 제2 관로(112)가 접속되어 있다. 제2 관로(112)는, 제1 탱크(101)로부터 토출 노즐(42)로 레지스트액을 유도하는 유로이다. 즉, 제2 관로(112)는, 제1 탱크(101)와 토출 노즐(42)을 접속하는 유로이다.In addition, the second duct 112 is connected to the first tank 101 . The second conduit 112 is a conduit for guiding the resist liquid from the first tank 101 to the ejection nozzle 42 . That is, the second conduit 112 is a conduit connecting the first tank 101 and the discharge nozzle 42 .

제2 관로(112)에는, 펌프(120)와, 필터(121)와, 제2 개폐 밸브 V2와, 제3 개폐 밸브 V3, 공급 제어 밸브 V10이 마련되어 있다.The second conduit 112 is provided with a pump 120, a filter 121, a second on-off valve V2, a third on-off valve V3, and a supply control valve V10.

펌프(120)는, 토출 노즐(42)에 레지스트액을 송출하는 것이며, 예를 들어 튜브프램 펌프로 이루어진다. 펌프(120)가 송출하는 레지스트액은, 펌프(120)의 저장실(도시하지 않음)에 저류되어 있다.The pump 120 supplies the resist liquid to the discharge nozzle 42, and is constituted by, for example, a tube pram pump. The resist liquid supplied by the pump 120 is stored in a storage chamber (not shown) of the pump 120 .

필터(121)는, 레지스트액 중의 이물을 포집하여 제거하는 것이다. 필터(121)는, 제2 관로(112)에 있어서의 제1 탱크(101)와 펌프(120) 사이에 마련되어 있다.The filter 121 collects and removes foreign substances in the resist liquid. The filter 121 is provided between the first tank 101 and the pump 120 in the second duct 112 .

제2 개폐 밸브 V2는, 제2 관로(112)를 개폐하는 것이며, 제2 관로(112)에 있어서의 제1 탱크(101)와 필터(121) 사이에 마련되어 있다.The second on-off valve V2 opens and closes the second duct 112 and is provided between the first tank 101 and the filter 121 in the second duct 112 .

제3 개폐 밸브 V3은, 제2 관로(112)를 개폐하는 것이며, 제2 관로(112)에 있어서의 필터(121)와 펌프(120) 사이에 마련되어 있다.The 3rd on-off valve V3 opens and closes the 2nd duct 112, and is provided between the filter 121 and the pump 120 in the 2nd duct 112.

공급 제어 밸브 V10은, 토출 노즐(42)로부터 토출하는 레지스트액의 유량의 조정이나, 제2 관로(112)의 개폐 등을 행하는 것이며, 펌프(120)와 토출 노즐(42) 사이에 마련되어 있다. 일 실시 형태에 있어서, 공급 제어 밸브 V10은, 토출 노즐(42)로부터 토출하는 레지스트액의 유량을 조정하는 밸브와, 제2 관로(112)를 개폐하는 밸브를 개별로 포함한다.The supply control valve V10 adjusts the flow rate of the resist liquid discharged from the discharge nozzle 42 and opens and closes the second conduit 112 and is provided between the pump 120 and the discharge nozzle 42 . In one embodiment, the supply control valve V10 includes a valve that adjusts the flow rate of the resist liquid discharged from the discharge nozzle 42 and a valve that opens and closes the second conduit 112 .

또한, 필터(121)의 상부에는, 제1 드레인 관로(131)가 접속되어 있다. 제1 드레인 관로(131)는, 필터(121)의 레지스트액 중에 발생한 기체(기포)를 배출하는 배기 관로나, 필터(121) 내의 레지스트액을 배출하는 배액 관로로서 기능한다.Further, a first drain pipe 131 is connected to the top of the filter 121 . The first drain pipe 131 functions as an exhaust pipe for discharging gas (bubbles) generated in the resist liquid of the filter 121 and a drain pipe for discharging the resist liquid in the filter 121 .

제1 드레인 관로(131)에는, 당해 제1 드레인 관로(131)를 개폐하는 제4 개폐 밸브 V4가 마련되어 있다.The 1st drain pipe line 131 is provided with the 4th on-off valve V4 which opens and closes the said 1st drain pipe line 131.

또한, 액 공급 장치(100)는, 제1 기체 공급로(141)를 갖는다.In addition, the liquid supply device 100 has a first gas supply passage 141 .

제1 기체 공급로(141)는, 제2 관로(112)에 있어서의 제2 개폐 밸브 V2와 필터(121) 사이에 접속되고, 제2 관로(112)에 불활성 가스(예를 들어 질소 가스) 등의 기체를 공급한다.The first gas supply passage 141 is connected between the second on-off valve V2 and the filter 121 in the second conduit 112, and an inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied to the second conduit 112. supply gas, etc.

제1 기체 공급로(141)에 있어서의 제2 관로(112)측에는, 당해 제1 기체 공급로(141)를 개폐하는 제5 개폐 밸브 V5가 마련되어 있다.On the side of the second conduit 112 in the first gas supply passage 141, a fifth on-off valve V5 for opening and closing the first gas supply passage 141 is provided.

또한, 액 공급 장치(100)는, 제2 드레인 관로(132), 제2 기체 공급로(142) 및 제3 기체 공급로(143)를 갖는다.In addition, the liquid supply device 100 includes a second drain pipe 132 , a second gas supply pipe 142 and a third gas supply pipe 143 .

제2 드레인 관로(132)는, 제1 탱크(101)에 접속되어 있고, 제1 탱크(101) 내의 기체를 배출하는 배기 관로나, 제1 탱크(101) 내의 레지스트액을 배출하는 배액 관로로서 기능한다.The second drain pipe 132 is connected to the first tank 101 and serves as an exhaust pipe for discharging gas in the first tank 101 or a drain pipe for discharging the resist liquid in the first tank 101. function

제2 드레인 관로(132)에는, 당해 제2 드레인 관로(132)를 개폐하는 제6 개폐 밸브 V6이 마련되어 있다.The 6th on-off valve V6 which opens and closes the said 2nd drain pipe 132 is provided in the 2nd drain pipe line 132.

제2 기체 공급로(142)는, 제1 탱크(101)에 접속되며, 당해 제1 탱크(101)에 불활성 가스 등의 기체를 공급한다.The second gas supply passage 142 is connected to the first tank 101 and supplies gas such as an inert gas to the first tank 101 .

제2 기체 공급로(142)는, 기체의 공급원(150)과 제1 탱크(101)를 접속하고 있고, 당해 제2 기체 공급로(142)를 개폐하는 제7 개폐 밸브 V7이 마련되어 있다. 제2 기체 공급로(142)에 있어서의 제7 개폐 밸브 V7의 상류측에는 압력 조정용의 전공 레귤레이터(도시하지 않음)가 마련되어 있다.The 2nd gas supply path 142 connects the gas supply source 150 and the 1st tank 101, and the 7th on-off valve V7 which opens and closes the said 2nd gas supply path 142 is provided. On the upstream side of the seventh on-off valve V7 in the second gas supply passage 142, an electro-pneumatic regulator (not shown) for pressure adjustment is provided.

제3 기체 공급로(143)는, 제2 탱크(102)에 접속되며, 당해 제2 탱크(102)에 불활성 가스 등의 기체를 공급한다.The 3rd gas supply path 143 is connected to the 2nd tank 102, and supplies gas, such as an inert gas, to the said 2nd tank 102.

제3 기체 공급로(143)는, 기체의 공급원(151)과 제2 탱크(102)를 접속하고 있고, 당해 제3 기체 공급로(143)를 개폐하는 제8 개폐 밸브 V8이 마련되어 있다. 제3 기체 공급로(143)에 있어서의 제8 개폐 밸브 V8의 상류측에는 압력 조정용의 전공 레귤레이터(152)가 마련되어 있다.The 3rd gas supply path 143 connects the gas supply source 151 and the 2nd tank 102, and the 8th on-off valve V8 which opens and closes the said 3rd gas supply path 143 is provided. On the upstream side of the eighth on-off valve V8 in the third gas supply passage 143, an electro-pneumatic regulator 152 for pressure adjustment is provided.

전술한 제1 기체 공급로(141)는, 제3 기체 공급로(143)로부터 분기되어 있다. 제1 기체 공급로(141)의 하류측 단부는, 제3 기체 공급로(143)에 있어서의 전공 레귤레이터(152)와 제8 개폐 밸브 V8 사이에 접속되어 있다.The first gas supply passage 141 described above is branched off from the third gas supply passage 143 . The downstream end of the first gas supply passage 141 is connected between the electro-pneumatic regulator 152 and the eighth on-off valve V8 in the third gas supply passage 143 .

또한, 제2 기체 공급로(142)와 제3 기체 공급로(143)는 합류하고 있지 않아, 제2 기체 공급로(142)를 통해 제1 탱크(101)에 공급하는 기체의 압력과, 제3 기체 공급로(143)를 통해 제2 탱크(102)에 공급하는 기체의 압력은, 독립적으로 제어 가능하다.In addition, since the second gas supply passage 142 and the third gas supply passage 143 do not merge, the pressure of the gas supplied to the first tank 101 through the second gas supply passage 142 and the The pressure of the gas supplied to the 2nd tank 102 through the 3 gas supply path 143 is independently controllable.

또한, 액 공급 장치(100)는, 제어부 M을 구비한다. 제어부 M은, 예를 들어 CPU 등의 프로세서나 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 액 공급 장치(100)에 있어서의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체 H에 기록되어 있던 것이며, 당해 기억 매체 H로부터 제어부 M에 인스톨된 것이어도 된다. 기억 매체 H는, 일시적인 것이어도 비일시적인 것이어도 된다. 또한, 프로그램의 일부 또는 모두는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현해도 된다.In addition, the liquid supply device 100 includes a control unit M. The control unit M is, for example, a computer equipped with a processor such as a CPU or a memory, and has a program storage unit (not shown). A program for controlling processing in the liquid supply device 100 is stored in the program storage unit. In addition, the program may have been recorded on a computer-readable storage medium H, and may have been installed in the control unit M from the storage medium H. The storage medium H may be temporary or non-temporary. In addition, part or all of the program may be implemented with dedicated hardware (circuit board).

또한, 액 공급 장치(100)에 마련된 각 밸브에는, 제어부 M에 의해 제어 가능한 전자 밸브나 공기 작동 밸브가 사용되고, 각 밸브와 제어부 M은 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 제어부 M은, 펌프(120)와 전기적으로 접속되어 있다. 이 구성에 의해, 액 공급 장치(100)에 있어서의 일련의 처리는 제어부 M의 제어 하에서, 자동으로 행하는 것이 가능하게 되어 있다.In addition, for each valve provided in the liquid supply device 100, an electromagnetic valve or an air operated valve controllable by the control unit M is used, and each valve and the control unit M are electrically connected. Also, the control unit M is electrically connected to the pump 120 . With this configuration, a series of processes in the liquid supply device 100 can be automatically performed under the control of the control unit M.

제어부 M은 또한 각 유량계에 접속되어 있다. 따라서, 제어부 M은 유량계에 의한 측정 결과에 기초하여 제어를 행할 수 있다.The controller M is also connected to each flow meter. Therefore, the control unit M can perform control based on the measurement result by the flow meter.

<액 공급 장치(100)의 동작><Operation of liquid supply device 100>

다음에, 도 4 및 도 5에 기초하여, 액 공급 장치(100)의 통상 시의 동작의 일례에 대하여 설명한다. 도 4는 토출 동작 시의 액 공급 장치(100)의 상태를 도시하는 도면이다. 도 5는 펌프(120)에 레지스트액을 보충할 때의 액 공급 장치(100)의 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 4, 도 5 및 후술하는 도 6 내지 도 9에서는, 개방 상태의 밸브를 백색으로, 폐쇄 상태의 밸브를 흑색으로, 레지스트액 또는 불활성 가스가 유통되고 있는 관을 굵은 선으로 나타냄으로써, 그 밖의 밸브의 개폐 상태에 대해서는 설명을 적절히 생략한다. 또한, 이하의 설명에서는, 제n 개폐 밸브 Vn(n은 1 내지 8의 정수)을 각각 개폐 밸브 Vn으로 적절히 생략하여 기재한다.Next, based on FIGS. 4 and 5 , an example of operation of the liquid supply device 100 during normal operation will be described. 4 is a diagram showing the state of the liquid supply device 100 during a discharge operation. FIG. 5 is a diagram showing the state of the liquid supply device 100 when the pump 120 is replenished with the resist liquid. In Figs. 4, 5 and Figs. 6 to 9 described later, a valve in an open state is shown in white, a valve in a closed state is shown in black, and a pipe through which a resist liquid or an inert gas flows is indicated by a thick line, Descriptions of the open/closed states of other valves are appropriately omitted. In addition, in the following description, the nth on-off valve Vn (n is an integer of 1 to 8) is appropriately abbreviated as an on-off valve Vn for description.

<토출><discharge>

토출 노즐(42)로부터의 레지스트액의 토출 시에는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V1 내지 V8이 폐쇄 상태로 되고 또한 공급 제어 밸브 V10이 개방 상태로 되어, 펌프(120)가 구동된다. 이에 의해, 레지스트액이 토출 노즐(42)로부터 소정 유량으로 토출된다.When the resist liquid is discharged from the discharge nozzle 42, as shown in FIG. 4, for example, the on-off valves V1 to V8 are closed and the supply control valve V10 is opened, so that the pump 120 is driven As a result, the resist liquid is discharged from the discharge nozzle 42 at a predetermined flow rate.

<펌프(120)로의 보충><Supplement to Pump 120>

펌프(120)로의 레지스트액의 보충 시에는, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V2, V3이 개방 상태로 되어, 펌프(120)가 구동된다. 이에 의해, 제1 탱크(101) 내의 레지스트액이 펌프(120)에 보충된다.When replenishing the resist liquid to the pump 120, as shown in FIG. 5, for example, the on-off valves V2 and V3 are opened, and the pump 120 is driven. As a result, the resist liquid in the first tank 101 is replenished to the pump 120 .

계속해서, 도 6 내지 도 9에 기초하여, 액 공급 장치(100)의 메인터넌스 시의 동작의 일례에 대하여 설명한다. 도 6은 제1 탱크(101) 내의 레지스트액을 배출할 때의 액 공급 장치(100)의 상태를 도시하는 도면이다. 도 7 및 도 8은 제2 관로(112) 내로부터 레지스트액을 배출할 때의 액 공급 장치(100)의 상태를 도시하는 도면이다. 도 9는 제2 관로(112)를 레지스트액으로 충전할 때의 액 공급 장치(100)의 상태를 도시하는 도면이다. 메인터넌스 시란, 예를 들어 펌프(120)를 교환할 때나 토출 노즐(42)에 공급하는 레지스트액을 변경할 때이다.Subsequently, based on FIGS. 6 to 9 , an example of operation at the time of maintenance of the liquid supply device 100 will be described. FIG. 6 is a diagram showing the state of the liquid supply device 100 when the resist liquid in the first tank 101 is discharged. 7 and 8 are diagrams showing the state of the liquid supply device 100 when the resist liquid is discharged from the inside of the second conduit 112 . 9 is a diagram showing the state of the liquid supply device 100 when the second conduit 112 is filled with resist liquid. The maintenance time is, for example, when the pump 120 is replaced or when the resist liquid supplied to the discharge nozzle 42 is changed.

<스텝 S1: 제1 탱크(101)로부터의 레지스트액의 배출><Step S1: Discharge of resist liquid from first tank 101>

메인터넌스 시에는 예를 들어 먼저 제1 탱크(101) 내의 레지스트액이 배출된다. 이때, 예를 들어 도 6에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V1, V3, V5, V6 등이 폐쇄 상태로 되고 또한 개폐 밸브 V2, V4, V7 등이 개방 상태로 되어, 제2 기체 공급로(142)를 통해, 공급원(150)으로부터의 불활성 가스가 제1 탱크(101)에 공급된다. 이에 의해, 제1 탱크(101) 내의 레지스트액이 제2 관로(112)로 압출되고, 제2 관로(112) 내의 레지스트액이 제1 드레인 관로(131)를 통해 레지스트액이 배출된다. 제2 기체 공급로(142)를 통한 제1 탱크(101)로의 불활성 가스의 공급은, 제1 탱크(101) 내가 비워질 때까지 행해진다.During maintenance, for example, the resist liquid in the first tank 101 is discharged first. At this time, for example, as shown in FIG. 6, the on-off valves V1, V3, V5, V6, etc. are closed, and the on-off valves V2, V4, V7, etc. are open, so that the second gas supply passage 142 ), the inert gas from the supply source 150 is supplied to the first tank 101. Accordingly, the resist liquid in the first tank 101 is extruded through the second conduit 112, and the resist liquid in the second conduit 112 is discharged through the first drain conduit 131. Supply of the inert gas to the first tank 101 through the second gas supply passage 142 is performed until the inside of the first tank 101 becomes empty.

<스텝 S2: 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 배출><Step S2: Discharge of resist liquid from inside of second conduit 112>

계속해서, 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 즉 배출이 행해진다. 본 실시 형태에서는, 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취와 제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충이 병행하여 행해진다.Subsequently, extraction of the resist liquid from the inside of the second conduit 112, that is, discharge is performed. In this embodiment, extraction of the resist liquid from the inside of the second conduit 112 and replenishment of the resist liquid into the first tank 101 are performed in parallel.

제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취는, 제1 드레인 관로(131)를 통한 것과, 토출 노즐(42)을 통한 것이 있다.Extraction of the resist liquid from the inside of the second conduit 112 includes one through the first drain conduit 131 and the other through the ejection nozzle 42 .

제1 드레인 관로(131)를 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 시에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V2, V3 등이 폐쇄 상태로 되고 또한 개폐 밸브 V4, V5가 개방 상태로 되어, 제1 기체 공급로(141)를 통해, 공급원(151)으로부터의 불활성 가스가 제2 관로(112)에 공급된다. 이에 의해, 제2 관로(112)에 있어서의 필터(121)를 포함하는 부분이 비워질 때까지, 당해 부분 내의 레지스트액이, 제1 드레인 관로(131)를 통해, 배출된다. 즉, 제2 관로(112)에 있어서의 필터(121)를 포함하는 부분 내의 레지스트액이, 제1 드레인 관로(131)를 통해, 발취된다.When the resist liquid is extracted from the inside of the second conduit 112 through the first drain conduit 131, as shown in FIG. 7, the on-off valves V2 and V3 are closed, and the on-off valves V4 and V5 is in an open state, and the inert gas from the supply source 151 is supplied to the second conduit 112 through the first gas supply passage 141 . In this way, the resist liquid in the second conduit 112 is discharged through the first drain conduit 131 until the portion including the filter 121 is emptied. That is, the resist liquid in the portion of the second conduit 112 including the filter 121 is extracted through the first drain conduit 131 .

한편, 토출 노즐(42)을 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 시에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V2, V4 등이 폐쇄 상태로 되고 또한 개폐 밸브 V3, V5, 공급 제어 밸브 V10이 개방 상태로 되어, 제1 기체 공급로(141)를 통해, 공급원(151)으로부터의 불활성 가스가 제2 관로(112)에 공급된다. 이에 의해, 제2 관로(112)에 있어서의 펌프(120)를 포함하는 부분이 비워질 때까지, 당해 부분 내의 레지스트액이, 토출 노즐(42)을 통해, 배출된다. 즉, 제2 관로(112)에 있어서의 펌프(120)를 포함하는 부분 내의 레지스트액이, 토출 노즐(42)을 통해, 발취된다. 또한, 토출 노즐(42)을 통한 발취 시, 펌프(120)는 구동되지 않는다.On the other hand, when the resist liquid is extracted from the inside of the second conduit 112 through the discharge nozzle 42, as shown in FIG. 8, the on-off valves V2 and V4 are closed, and the on-off valves V3 and V5 , the supply control valve V10 is in an open state, and the inert gas from the supply source 151 is supplied to the second conduit 112 via the first gas supply conduit 141 . In this way, the resist liquid in the second conduit 112 is discharged through the ejection nozzle 42 until the portion including the pump 120 is emptied. That is, the resist liquid in the portion of the second conduit 112 including the pump 120 is extracted through the ejection nozzle 42 . In addition, when extracting through the discharge nozzle 42, the pump 120 is not driven.

일 실시 형태에 있어서, 제1 드레인 관로(131)를 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 후에, 토출 노즐(42)을 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취가 행해진다. 단, 이 순번은 반대여도 된다.In one embodiment, after extracting the resist liquid from the inside of the second conduit 112 through the first drain conduit 131, extracting the resist liquid from the inside of the second conduit 112 through the discharge nozzle 42 is done However, this order may be reversed.

본 실시 형태에서는, 제1 드레인 관로(131)를 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 또는 토출 노즐(42)을 통한 제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 중 적어도 어느 한쪽과 병행하여, 제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충이 병행하여 행해진다.In this embodiment, at least of the extraction of the resist liquid from the inside of the second conduit 112 through the first drain conduit 131 or the extraction of the resist liquid from the inside of the second conduit 112 through the discharge nozzle 42 In parallel with either one, replenishment of the resist liquid into the first tank 101 is performed in parallel.

일 실시 형태에 있어서, 상술한 2종류의 발취의 양쪽이 행해지는 동안, 제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충은 계속된다. 즉, 일 실시 형태에 있어서, 상술한 2종류의 발취 각각과 병행하여, 제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충이 행해진다.In one embodiment, replenishment of the resist liquid into the first tank 101 continues while both of the above two types of extraction are performed. That is, in one embodiment, replenishment of the resist liquid into the first tank 101 is performed in parallel with each of the above two types of extraction.

제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충 시에는, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V7이 폐쇄 상태로 되고 또한 개폐 밸브 V1, V6, V8이 개방 상태로 되어, 공급원(151)으로부터의 불활성 가스에 의해, 제2 탱크(102) 내의 레지스트액이, 제1 관로(111)를 통해, 제1 탱크(101)에 공급된다.When replenishing the resist liquid into the first tank 101, as shown in Figs. The resist liquid in the second tank 102 is supplied to the first tank 101 through the first conduit 111 by the inert gas from 151).

<스텝 S3: 제2 관로(112) 내의 레지스트액으로의 충전><Step S3: Filling with resist liquid in the second conduit 112>

제2 관로(112) 내로부터의 레지스트액의 발취 및 제1 탱크(101) 내로의 레지스트액의 보충의 완료 후, 제2 관로(112) 내가 레지스트액으로 충전된다.After completion of extracting the resist liquid from the inside of the second conduit 112 and replenishing the resist liquid into the first tank 101, the inside of the second conduit 112 is filled with the resist liquid.

제2 관로(112) 내를 레지스트액으로 충전할 때는, 예를 들어 먼저, 스텝 S1의 제1 탱크(101)로부터의 레지스트액의 배출 시와 마찬가지로, 도 6에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V1, V3, V5 등이 폐쇄 상태로 되고 또한 개폐 밸브 V2, V4, V7 등이 개방 상태로 된다. 이에 의해, 제2 기체 공급로(142)를 통해, 공급원(150)으로부터의 불활성 가스가 제1 탱크(101)에 공급되고, 그 결과, 제1 탱크(101) 내의 레지스트액이, 제2 관로(112)로 압출되어, 제2 관로(112)의 필터(121)보다 하류측의 부분(필터(121)를 포함함)이 레지스트액으로 충전된다.When filling the inside of the second conduit 112 with the resist liquid, first, as in the case of discharging the resist liquid from the first tank 101 in step S1, as shown in FIG. 6, the opening/closing valve V1 , V3, V5, etc. are closed, and on-off valves V2, V4, V7, etc. are opened. In this way, the inert gas from the supply source 150 is supplied to the first tank 101 through the second gas supply passage 142, and as a result, the resist liquid in the first tank 101 flows through the second conduit. It is extruded through 112, and the part (including filter 121) on the downstream side of filter 121 of second conduit 112 is filled with resist liquid.

계속해서, 도 9에 도시한 바와 같이, 개폐 밸브 V4가 폐쇄 상태로 전환되고, 개폐 밸브 V3, 공급 제어 밸브 V10이 개방 상태로 전환된다. 이에 의해, 제2 기체 공급로(142)를 통해, 공급원(150)으로부터의 불활성 가스가 제1 탱크(101)에 공급되고, 그 결과, 제1 탱크(101) 내의 레지스트액이, 제2 관로(112)로 압출되어, 펌프(120)를 포함하는 제2 관로(112) 전체가 레지스트액으로 충전된다. 또한, 이때, 펌프(120)는 구동되지 않는다.Subsequently, as shown in FIG. 9, the on-off valve V4 switches to the closed state, and the on-off valve V3 and the supply control valve V10 switch to the open state. In this way, the inert gas from the supply source 150 is supplied to the first tank 101 through the second gas supply passage 142, and as a result, the resist liquid in the first tank 101 flows through the second conduit. It is extruded through 112, and the entire second conduit 112 including the pump 120 is filled with the resist liquid. Also, at this time, the pump 120 is not driven.

일 실시 형태에 있어서, 상술한 스텝 S1 내지 S3의 사이클은 복수회 행해진다. 이에 의해, 예를 들어 교환 후의 펌프(120)의 청정도를 높이는 것이나, 레지스트 액종을 변경한 경우에 변경 전의 액종의 레지스트액이 제2 관로(112) 내에 남는 것을 억제할 수 있다.In one embodiment, the cycle of steps S1 to S3 described above is performed a plurality of times. This makes it possible, for example, to increase the cleanliness of the pump 120 after replacement, and to suppress remaining in the second conduit 112 of the resist liquid of the previous liquid type when the resist liquid type is changed.

<주된 효과><Main effect>

이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 액 공급 장치(100)가, 제2 관로(112)에 있어서의 제2 개폐 밸브 V2와 필터(121) 사이에 접속되어, 기체를 공급하는 제1 기체 공급로(141)를 갖고 있다. 또한, 제어부 M이, 이하의 제1 제어와 제2 제어를 병행하여 실행하도록 구성되어 있다. 제1 제어에서는, 레지스트액이 제1 탱크(101)에 충전되도록, 제1 개폐 밸브 V1 및 제2 개폐 밸브 V2 등을 제어한다. 제2 제어에서는, 제1 기체 공급로(141)로부터의 기체에 의해 제2 관로(112) 내의 처리액이 제1 드레인 관로(131) 또는 토출 노즐(42) 중 적어도 어느 한쪽을 통해 배출되도록(즉 발취되도록), 제3 개폐 밸브 V3, 제4 개폐 밸브 V4 및 제5 개폐 밸브 V5 등을 제어한다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충과 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취를 병행하여 행하고 있다. 그 때문에, 본 실시 형태에 따르면, 상기 발취와 상기 보충을 수반하는 액 공급 장치(100)의 메인터넌스를, 상기 발취 후에 상기 보충을 행하는 종래의 방법에 비해, 단시간에 행할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 액 공급 장치(100)의 메인터넌스를 효율적으로 행할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the liquid supply device 100 is connected between the second on-off valve V2 and the filter 121 in the second conduit 112, and the first gas supply passage for supplying gas. (141). Further, the control unit M is configured to execute the following first control and second control in parallel. In the first control, the first on-off valve V1 and the second on-off valve V2 and the like are controlled so that the first tank 101 is filled with the resist liquid. In the second control, the processing liquid in the second conduit 112 is discharged through at least one of the first drain conduit 131 and the discharge nozzle 42 by the gas from the first gas supply conduit 141 ( That is, to be extracted), the third on-off valve V3, the fourth on-off valve V4 and the fifth on-off valve V5 are controlled. In this way, in the present embodiment, the replenishment of the resist liquid into the first tank 101 and the extraction of the resist liquid from the second conduit 112 are performed in parallel. Therefore, according to the present embodiment, maintenance of the liquid supply device 100 accompanied by the extraction and the replenishment can be performed in a shorter time compared to the conventional method of performing the replenishment after the extraction. That is, according to this embodiment, maintenance of the liquid supply device 100 can be performed efficiently.

특히, 메인터넌스 시에, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충과 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취를 각각 복수회 실행할 필요가 있는 경우, 시간 단축의 효과가 크다.In particular, when it is necessary to replenish the resist liquid into the first tank 101 and extract the resist liquid from the second conduit 112 a plurality of times during maintenance, the time reduction effect is great.

<변형예><Example of modification>

이상의 예에서는, 제1 기체 공급로(141)는, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충에 사용되는 제3 기체 공급로(143)에 접속되고, 즉 제3 기체 공급로(143)로부터 분기되어 있었다.In the above example, the first gas supply passage 141 is connected to the third gas supply passage 143 used to replenish the resist liquid into the first tank 101, that is, from the third gas supply passage 143 had diverged.

이것 대신에, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 기체 공급로(141)는, 제3 기체 공급로(143)에는 접속되지 않고, 제1 탱크(101) 내로부터의 레지스트액의 압송에 사용되는 제2 기체 공급로(142)에 접속되고, 즉 제2 기체 공급로(142)로부터 분기되어 있어도 된다.Instead of this, as shown in FIG. 10 , the first gas supply passage 141 is not connected to the third gas supply passage 143 and is used for pressurizing the resist liquid from the inside of the first tank 101 It may be connected to the second gas supply passage 142 that becomes, that is, may be branched from the second gas supply passage 142.

제1 기체 공급로(141)가 제3 기체 공급로(143)로부터 분기되어 있는 경우, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충에 사용되는 기체의 압력과, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취에 사용되는 기체의 압력은, 서로 영향을 받는다.When the first gas supply passage 141 is branched from the third gas supply passage 143, the pressure of the gas used to replenish the resist liquid into the first tank 101 and the The pressure of the gas used for extracting the resist liquid is influenced by each other.

그것에 반해, 제1 기체 공급로(141)가 제2 기체 공급로(142)로부터 분기되어 있는 경우, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충에 사용되는 기체의 압력과, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취에 사용되는 기체의 압력은, 서로 영향을 받지 않는다. 따라서, 제2 기체 공급로(142)로부터 분기되어 있는 경우, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충에 사용되는 기체의 압력과, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취에 사용되는 기체의 압력을 원하는 값으로 할 수 있다. 따라서, 원하는 속도로, 제1 탱크(101)로의 레지스트액의 보충과, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취를 행할 수 있다.In contrast, when the first gas supply passage 141 is branched from the second gas supply passage 142, the pressure of the gas used to replenish the resist liquid into the first tank 101 and the second conduit 112 ), the pressure of the gas used for extraction of the resist liquid is not affected by each other. Therefore, when branched off from the second gas supply passage 142, the pressure of the gas used to replenish the resist liquid into the first tank 101 and the pressure used to extract the resist liquid from the second conduit 112 The gas pressure can be set to a desired value. Accordingly, it is possible to replenish the resist liquid into the first tank 101 and extract the resist liquid from the second conduit 112 at a desired speed.

또한, 도 11에 도시한 바와 같이, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취 시에 있어서의, 레지스트액의 배출 유량을 조정하기 위해 유량 조정 밸브 V20을 마련해도 된다.Further, as shown in FIG. 11 , a flow control valve V20 may be provided to adjust the discharge flow rate of the resist liquid when the resist liquid is extracted from the second conduit 112 .

이와 같이 유량 조정 밸브 V20을 마련함으로써, 제어부 M의 제어 하에서, 제2 관로(112)로부터의 레지스트액의 발취 시에 있어서의, 레지스트액의 배출 유량 즉 배출압력을 원하는 값으로 일정하게 할 수 있다.By providing the flow rate regulating valve V20 in this way, under the control of the control unit M, the discharge flow rate of the resist liquid when the resist liquid is extracted from the second conduit 112, that is, the discharge pressure can be kept constant at a desired value. .

유량 조정 밸브 V20은, 예를 들어 제1 드레인 관로(131)에 마련되지만, 다른 위치에 마련되어도 된다. 단, 제1 드레인 관로(131)에 마련함으로써, 유량 조정 밸브 V20으로부터 발생한 파티클이, 토출 노즐(42)로부터 제품 웨이퍼 W에 토출되는 레지스트액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.Although the flow control valve V20 is provided in the 1st drain pipe line 131, for example, it may be provided in another position. However, by providing the first drain pipe 131, it is possible to suppress particles generated from the flow control valve V20 from being mixed into the resist liquid discharged from the discharge nozzle 42 to the product wafer W.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.Embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and it should be thought that it is not restrictive. The above embodiment may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the appended claims and their main points.

Claims (10)

기판에 처리액을 토출하는 토출부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치이며,
처리액 공급원으로부터의 처리액을 수용하는 제1 탱크와,
상기 처리액 공급원으로부터 상기 제1 탱크로 처리액을 유도하는 제1 관로와,
상기 제1 탱크로부터 상기 토출부로 처리액을 유도하는 제2 관로와,
상기 제2 관로에 마련된 펌프와,
상기 제2 관로에 있어서의 상기 제1 탱크와 상기 펌프 사이에 마련된 필터와,
상기 필터에 접속된 배액 관로와,
상기 제1 관로에 마련된 제1 개폐 밸브와,
상기 제2 관로에 있어서의 상기 제1 탱크와 상기 필터 사이에 마련된 제2 개폐 밸브와,
상기 제2 관로에 있어서의 상기 필터와 상기 펌프 사이에 마련된 제3 개폐 밸브와,
상기 배액 관로에 마련된 제4 개폐 밸브와,
상기 제2 관로에 있어서의 상기 제2 개폐 밸브와 상기 필터 사이에 접속되며, 기체를 공급하는 제1 기체 공급로와,
상기 제1 기체 공급로에 마련된 제5 개폐 밸브와,
제어부를 갖고,
상기 제어부는,
처리액이 상기 제1 탱크에 충전되도록, 상기 제1 개폐 밸브 및 상기 제2 개폐 밸브를 제어하는 제1 제어와,
상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의해 상기 제2 관로 내의 처리액이 배출되도록, 상기 제3 개폐 밸브, 상기 제4 개폐 밸브 및 상기 제5 개폐 밸브를 제어하는 제2 제어를 병행하여 실행하도록 구성되어 있는, 처리액 공급 장치.A processing liquid supply device for supplying a processing liquid to a discharge unit for discharging the processing liquid to a substrate;
A first tank accommodating a treatment liquid from a treatment liquid supply source;
A first conduit for inducing the treatment liquid from the treatment liquid supply source to the first tank;
A second conduit for inducing the treatment liquid from the first tank to the discharge unit;
A pump provided in the second conduit;
a filter provided between the first tank and the pump in the second conduit;
a drainage pipe connected to the filter;
A first on-off valve provided in the first conduit;
a second on-off valve provided between the first tank and the filter in the second conduit;
A third on-off valve provided between the filter and the pump in the second conduit;
A fourth on-off valve provided in the drain pipe;
a first gas supply passage connected between the second on-off valve and the filter in the second conduit and supplying gas;
A fifth on-off valve provided in the first gas supply passage;
have a controller,
The control unit,
A first control for controlling the first on-off valve and the second on-off valve so that the treatment liquid is filled in the first tank;
Execute a second control for controlling the third on-off valve, the fourth on-off valve, and the fifth on-off valve in parallel so that the treatment liquid in the second conduit is discharged by gas from the first gas supply passage. configured, the treatment liquid supply device. 제1항에 있어서,
상기 처리액 공급원은, 처리액을 저류하는 제2 탱크인, 처리액 공급 장치.According to claim 1,
The processing liquid supply source is a second tank for storing the processing liquid. 제2항에 있어서,
상기 제1 탱크에 접속되며, 당해 제1 탱크에 기체를 공급하는 제2 기체 공급로와,
상기 제2 탱크에 접속되며, 당해 제2 탱크에 기체를 공급하는 제3 기체 공급로를 더 갖는, 처리액 공급 장치.According to claim 2,
a second gas supply passage connected to the first tank and supplying gas to the first tank;
and a third gas supply passage connected to the second tank and supplying gas to the second tank. 제3항에 있어서,
상기 제1 기체 공급로는, 상기 제3 기체 공급로에 접속되지 않고, 상기 제2 기체 공급로에 접속되어 있는, 처리액 공급 장치.According to claim 3,
The treatment liquid supply device, wherein the first gas supply passage is connected to the second gas supply passage without being connected to the third gas supply passage. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 제어로서,
상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의해 상기 제2 관로 내의 처리액이 상기 배액 관로를 통해 배출되도록, 상기 제3 개폐 밸브, 상기 제4 개폐 밸브 및 상기 제5 개폐 밸브를 제어하는 제어와, 상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의해 상기 제2 관로 내의 처리액이 상기 토출부를 통해 배출되도록, 상기 제3 개폐 밸브, 상기 제4 개폐 밸브 및 상기 제5 개폐 밸브를 제어하는 제어의 양쪽을 실행하는 동안, 상기 제1 제어의 실행을 계속하도록 구성되어 있는, 처리액 공급 장치.According to claim 1,
The control unit, as the second control,
control for controlling the third on-off valve, the fourth on-off valve, and the fifth on-off valve so that the treatment liquid in the second pipe is discharged through the drain pipe by gas from the first gas supply pipe; Both of the controls for controlling the third on-off valve, the fourth on-off valve, and the fifth on-off valve are performed so that the treatment liquid in the second conduit is discharged through the discharge part by the gas from the first gas supply passage. The processing liquid supply device is configured to continue executing the first control while executing. 기판에 처리액을 토출하는 토출부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치로부터의 처리액의 배출 방법이며,
상기 처리액 공급 장치는,
처리액 공급원으로부터의 처리액을 수용하는 제1 탱크와,
상기 처리액 공급원으로부터 상기 제1 탱크로 처리액을 유도하는 제1 관로와,
상기 제1 탱크로부터 상기 토출부로 처리액을 유도하는 제2 관로와,
상기 제2 관로에 마련된 펌프와,
상기 제2 관로에 있어서의 상기 제1 탱크와 상기 펌프 사이에 마련된 필터와,
상기 필터에 접속된 배액 관로와,
상기 제1 관로에 마련된 제1 개폐 밸브와,
상기 제2 관로에 접속되며, 기체를 공급하는 제1 기체 공급로와,
상기 제1 기체 공급로에 마련된 제5 개폐 밸브를 갖고,
상기 제1 탱크로의 처리액의 충전과, 상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의한 상기 제2 관로 내의 처리액의 배출을 병행하여 행하는, 처리액 배출 방법.A method of discharging a processing liquid from a processing liquid supply device for supplying the processing liquid to a discharge unit that discharges the processing liquid to a substrate;
The treatment liquid supply device,
A first tank accommodating a treatment liquid from a treatment liquid supply source;
A first conduit for inducing the treatment liquid from the treatment liquid supply source to the first tank;
A second conduit for inducing the treatment liquid from the first tank to the discharge unit;
A pump provided in the second conduit;
a filter provided between the first tank and the pump in the second conduit;
a drainage pipe connected to the filter;
A first on-off valve provided in the first conduit;
A first gas supply passage connected to the second conduit and supplying gas;
A fifth on-off valve provided in the first gas supply passage,
The processing liquid discharge method comprising: filling the processing liquid into the first tank and discharging the processing liquid from the second conduit with gas from the first gas supply passage in parallel. 제6항에 있어서,
상기 처리액 공급원은, 처리액을 저류하는 제2 탱크인, 처리액 배출 방법.According to claim 6,
The treatment liquid discharge method according to claim 1 , wherein the treatment liquid supply source is a second tank storing the treatment liquid. 제7항에 있어서,
상기 제1 탱크에 접속되며, 당해 제1 탱크에 기체를 공급하는 제2 기체 공급로와,
상기 제2 탱크 내에 기체를 공급하는 제3 기체 공급로를 더 갖는, 처리액 배출 방법.According to claim 7,
a second gas supply passage connected to the first tank and supplying gas to the first tank;
and a third gas supply passage for supplying gas into the second tank. 제8항에 있어서,
상기 제1 기체 공급로는, 상기 제3 기체 공급로에 접속되지 않고, 상기 제2 기체 공급로에 접속되어 있는, 처리액 배출 방법.According to claim 8,
The treatment liquid discharge method according to claim 1 , wherein the first gas supply passage is connected to the second gas supply passage without being connected to the third gas supply passage. 제6항에 있어서,
상기 제1 탱크로의 처리액의 충전을 계속하면서,
상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의한 상기 제2 관로 내의 처리액의 상기 배액 관로를 통한 배출과, 상기 제1 기체 공급로로부터의 기체에 의한 상기 제2 관로 내의 처리액의 상기 토출부를 통한 배출의 양쪽을 행하는, 처리액 배출 방법.According to claim 6,
While continuing to fill the treatment liquid into the first tank,
Discharge of the treatment liquid in the second conduit by gas from the first gas supply passage through the discharge conduit, and gas from the first gas supply passage through the discharge part of the treatment liquid in the second conduit. A treatment liquid discharge method in which both discharges are performed.
KR1020220158988A 2021-12-03 2022-11-24 Processing liquid supply apparatus and processing liquid discharge method KR20230084041A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021197328A JP2023083140A (en) 2021-12-03 2021-12-03 Processing liquid supply device and processing liquid discharge method
JPJP-P-2021-197328 2021-12-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230084041A true KR20230084041A (en) 2023-06-12

Family

ID=86581279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220158988A KR20230084041A (en) 2021-12-03 2022-11-24 Processing liquid supply apparatus and processing liquid discharge method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023083140A (en)
KR (1) KR20230084041A (en)
CN (1) CN116224730A (en)
TW (1) TW202332512A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018032688A (en) 2016-08-23 2018-03-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018032688A (en) 2016-08-23 2018-03-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023083140A (en) 2023-06-15
TW202332512A (en) 2023-08-16
CN116224730A (en) 2023-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4879253B2 (en) Treatment liquid supply device
CN106024579B (en) Processing liquid supply method and processing liquid supply device
JP6607820B2 (en) Filter startup device, treatment liquid supply device, jig unit, and filter startup method
KR102408661B1 (en) Apparatus for supplying treatment liquid
CN111540694B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102649900B1 (en) Liquid supply device and liquid supply method
KR102508816B1 (en) Apparatus for supplying treatment liquid
KR101991159B1 (en) Pumping apparatus and substrate treating apparatus
JP7101036B2 (en) Treatment liquid supply device and treatment liquid supply method
JP3321540B2 (en) Deaeration mechanism, processing apparatus using the same, and deaeration method
KR102254186B1 (en) Substrate drying apparatus
KR20160086280A (en) Process liquid filtration apparatus, chemical supply apparatus and process liquid filtration method and storage medium
KR20230084041A (en) Processing liquid supply apparatus and processing liquid discharge method
JP6895818B2 (en) Treatment liquid supply device and treatment liquid supply method
KR102254187B1 (en) Substrate drying apparatus
JP7161955B2 (en) FILTER WETTING METHOD AND PROCESS LIQUID SUPPLY DEVICE
JP2023130803A (en) Processing liquid supply device and processing liquid supply method
KR20230094987A (en) Substrate processing apparatus, processing liquid supply method and computer-readable recording medium
WO2022014329A1 (en) Liquid treatment device, liquid supply mechanism, liquid treatment method, and computer storage medium
US20240152052A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2022109794A (en) Process liquid supply device and process liquid discharge method
KR20220165196A (en) Processing liquid supply device, processing liquid supply method and recording medium
JP2000031038A (en) Solution supplying device
KR20220054201A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20050102883A (en) Semiconductor manufacturing equipment