KR20230082281A - 발광 표시 장치 - Google Patents

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KR20230082281A
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홍성곤
김재희
권순호
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Abstract

본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴, 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴 상에 배치된 보호층, 및 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴을 포함할 수 있다.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}
본 명세서는 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 소자층 상에 배치되는 보호층의 흐름을 제어하고, 발광 표시 장치의 외곽 영역에 형성되는 터치 배선의 감도를 향상시키는 발광 표시 장치에 관한 것이다.
다양한 정보를 표시함과 동시에 해당 정보를 시청하는 사용자와 상호 작용할 수 있는 근래의 표시 장치는 다양한 크기, 다양한 형태 및 다양한 기능들이 요구되고 있다.
이러한 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: FPD) 및 발광 표시 장치(Light Emitting Diode Display Device: LED)등이 있다.
발광 표시 장치(LED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
발광 표시 장치가 유기 발광 표시 장치인 경우, 발광 소자층은 애노드 전극(Anode), 발광층 및 캐소드(Cathode)를 포함하는 유기 발광 소자층 일 수 있다. 이외에도 발광 소자층으로 퀀텀닷(Quantum dot, QD)이 포함된 퀀텀닷 발광 소자(Quantum dot light-emitting diode, QLED) 등이 더 사용될 수도 있다. 이하에서는 발광 표시 장치가 유기 발광 표시 장치인 것으로 가정하여 설명하기로 하나, 발광 소자층의 종류는 이에 제한되지 않는다.
유기 발광 표시 장치는 발광층이 있는 발광 소자층을 포함하는 복수의 화소를 발광하여 정보를 화면에 표시하는데, 화소를 구동하는 방식에 따라 액티브 매트릭스 타입의 유기 발광 표시 장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode Display, AMOLED) 또는 패시브 매트릭스 타입의 유기 발광 표시 장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)로 나눌 수 있다.
액티브 매트릭스 타입의 유기 발광 표시 장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 혹은 “TFT”)를 이용하여 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.
액티브 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는 다양한 박막 트랜지스터를 포함할 수 있는데, 스위칭 박막 트랜지스터(Switching Thin Film Transistor), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(Driving TFT), 구동 TFT에 접속된 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
다양한 목적의 다수의 TFT를 구성하는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층 그리고 이와 연결된 많은 수의 전극 배선들이 배치되며, 박막 트랜지스터 상에 평탄화층이 존재한다.
평탄화층 상에 발광 소자층이 배치된다. 발광 소자층은 화소 전극인 애노드 전극(Anode), 발광층, 및 캐소드 전극(Cathode)을 포함할 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 발광층으로 유기물을 사용하는데, 유기물로 구성된 발광층에 두 개의 전극 (예를 들면, 애노드 전극 및 캐소드 전극)을 통해 전자와 정공을 주입하여 발광층에서 만나 재결합하는 과정에서 여기자(Excition)가 형성되고, 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광하게 된다.
전자와 정공은 화소 전극인 애노드(Anode) 전극과 공통 전극인 캐소드(Cathode) 전극을 통해 주입된다. 전자와 정공을 더욱 원활히 주입 하기 위하여 유기층은 정공 주입층(Hole injection layer), 정공 수송층(Hole transport layer), 전자 수송층(Electron transport layer), 및 전자 주입층(Electron injection layer)을 포함할 수 있으며, 이들의 다층 구조일 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 산소에 의한 전극 및 발광층의 열화, 발광층-계면 간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의한 열화가 있는 동시에 외부의 수분, 산소, 자외선과 같은 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점이 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치의 패키징(packaging) 및 인캡슐레이션(encapsulation)은 매우 중요하다.
적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함하는 보호층을 형성하여 발광 소자층을 보호할 수 있다.
보호층을 구성하는 유기 물질은 폴리머(polymer) 재질로 구성되며, 액상 형태로 기판 상에 도포된 후 경화 공정을 거쳐 형성된다. 이러한 유기 물질은 경화 공정 전까지 유동성을 갖기 때문에 유기 물질을 구성하는 액상 형태의 폴리머가 기판 외곽의 구동 회로가 형성된 영역을 침범하여 구동 불량을 일으키는 문제점이 있다.
발광 표시 장치는 사용자에게 보다 다양한 기능을 제공하기 위해, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 또는 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공하는 터치 디스플레이 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.
보호층 상에 다수의 터치 배선을 배치하여 기판에 형성된 다수의 터치 배선에 형성되는 커패시턴스(capacitance)의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.
발광 표시 장치의 외곽 영역에서 보호층 하부에 배치된 평탄화층, 절연층, 및 금속 배선이 식각되어 급격한 경사 및 단차가 형성될 수 있다. 이로 인해 보호층의 가장자리에서 보호층이 도포되지 않거나, 두께가 급격히 낮아지는 문제가 있다. 이에 의해, 발광 표시 장치의 외곽 영역의 보호층 상에 배치되는 터치 배선의 터치 감도가 낮아지는 문제점이 있다.
이에 따라, 발광 표시 장치의 보호층의 흐름을 제어하고, 발광 표시 장치의 외곽 영역의 터치 감도를 향상시키기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 명세서가 해결하고자 하는 과제는 발광 표시 장치에 포함된 제2 보호층의 흐름을 더욱 효율적으로 제어하기 위해 제1 패턴을 포함하는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 명세서가 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 표시 장치의 제2 보호층의 흐름을 제어하여 제2 보호층의 설계 마진을 최소화하여 얇은 베젤(Bezel)을 갖는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 명세서가 해결하고자 하는 다른 과제는 외곽 영역에서 보호층의 두께를 향상시켜 보호층의 상부 및 하부에 배치된 전극의 전계 간섭을 최소화하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 명세서가 해결하고자 하는 다른 과제는 보호층의 상면의 단차 및 굴곡을 최소화하여, 보호층 상에 형성되는 터치 배선을 포함하는 발광 표시 장치의 외곽 영역에 터치 감도를 향상시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴, 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴 상에 배치된 보호층, 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴을 포함한다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴, 뱅크층, 유기 발광 소자, 제1 패턴 상에 배치된 보호층, 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴, 및 보호층 상에 터치 배선을 포함한다.
본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 패턴을 구성하므로, 제1 패턴이 제2 보호층의 흐름을 제어하여, 제2 보호층이 구동 회로가 형성되는 영역으로 넘치는 것을 최소화하여 표시 품질 및 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 패턴을 구성하므로, 제2 보호층이 퍼지는(또는 흐르는) 영역을 고려한 설계 마진을 최소화하여 얇은 베젤을 가질 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 패턴을 구성하므로, 표시 영역에 인접한 비표시 영역(NA)에 배치된 보호층의 두께를 향상시켜 발광 표시 장치의 측면에서 유입되는 수분 및 산소를 효과적으로 차단할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 패턴을 구성하므로, 표시 영역에 인접한 비표시 영역의 보호층의 두께를 향상시켜 보호층의 상부 및 하부에 배치된 전극의 전계 간섭을 최소화하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 보호층의 상면의 단차 및 굴곡을 최소화하여, 터치 배선의 유실을 차단하여 발광 표시 장치의 외곽 영역에 터치 감도를 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1는 본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2은 도 1의 외곽 영역을 확대한 평면도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a는 제1 패턴이 형성되지 않은 발광 표시 장치의 제2 보호층을 도시한 단면도이다.
도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 제1 패턴이 형성된 발광 표시 장치의 제2 보호층을 도시한 단면도이다.
도 5a는 제1 패턴이 형성되지 않은 발광 표시 장치의 보호층 단면의 현미경 사진이다.
도 5b는 본 명세서의 실시예에 따른 제1 패턴이 형성된 발광 표시 장치의 제2 보호층 단면의 현미경 사진이다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 1의 카메라 영역을 확대한 평면도이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 “포함한다,” “갖는다,” “이루어진다” 등이 사용되는 경우 “만”이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 오차 범위에 대한 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, “상에,” “상부에,” “하부에,” “옆에” 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, 예를 들면, “바로” 또는 “직접”이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, “후에,” “에 이어서,” “다음에,” “전에” 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, “바로” 또는 “직접”이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 “연결” “결합” 또는 “접속”된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 간접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있는 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 “개재”될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
“적어도 하나”는 연관된 구성요소의 하나 이상의 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 예를 들면, “제1, 제2, 및 제3 구성요소의 적어도 하나”의 의미는 제1, 제2, 또는 제3 구성요소뿐만 아니라, 제1, 제2, 및 제3 구성요소의 두 개 이상의 모든 구성요소의 조합을 포함한다고 할 수 있다.
본 명세서에서 “장치”는 표시 패널과 표시 패널을 구동하기 위한 구동부를 포함하는 액정 모듈(Liquid Crystal Module; LCM), 유기발광 표시모듈(OLED Module)과 같은 표시 장치를 포함할 수 있다. 그리고, LCM, OLED 모듈 등을 포함하는 완제품(complete product 또는 final product)인 노트북 컴퓨터, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 차량용 또는 자동차용 장치(automotive apparatus) 또는 차량(vehicle)의 다른 형태 등을 포함하는 전장장치(equipment apparatus), 스마트폰 또는 전자패드 등의 모바일 전자장치(mobile electronic apparatus) 등과 같은 세트 전자 장치(set electronic apparatus) 또는 세트 장치(set device 또는 set apparatus)도 포함할 수 있다.
따라서, 본 명세서에서의 장치는 LCM, OLED 모듈 등과 같은 디스플레이 장치 자체, 및 LCM, OLED 모듈 등을 포함하는 응용제품 또는 최종소비자용 장치인 세트 장치까지 포함할 수 있다.
그리고, 몇몇 실시예에서는, 표시 패널과 구동부 등으로 구성되는 LCM, OLED 모듈을 “표시 장치”로 표현하고, LCM, OLED 모듈을 포함하는 완제품으로서의 전자장치를 “세트장치”로 구별하여 표현할 수도 있다. 예를 들면, 표시 장치는 액정(LCD) 또는 유기발광(OLED)의 표시 패널과, 표시 패널을 구동하기 위한 제어부인 소스PCB를 포함할 수 있다. 세트장치는 소스PCB에 전기적으로 연결되어 세트장치 전체를 구동하는 세트 제어부인 세트PCB를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 사용되는 표시 패널은 액정표시 패널, 유기전계발광(OLED: Organic Light Emitting Diode) 표시 패널, 및 전계발광 표시 패널(electroluinescent display panel) 등의 모든 형태의 표시 패널이 사용될 수 있으며. 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 패널은 본 명세서의 실시예에 따른 진동 장치에 의하여 진동됨으로써 음향을 발생할 수 있는 표시 패널일 수 있다. 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에 적용되는 표시 패널은 표시 패널의 형태나 크기에 한정되지 않는다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 명세서의 실시예를 살펴보면 다음과 같다. 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1는 본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 외곽 영역을 확대한 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 선 I-I'의 단면도이다. 도 1, 도 2, 및 도 3를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 발광 소자층(200), 제1 패턴(400), 및 제2 패턴(500)을 포함한다.
발광 표시 장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역(AA)내의 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들 포함할 수 있다. 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전(Electro Static Discharge: ESD) 회로 등을 포함할 수 있다. 발광 표시 장치(100)는 서브 화소(SP) 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 표시 장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 비표시 영역(NA) 또는 상기 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.
도 1, 도 2, 및 도 3를 참조하면, 기판(110)은 표시 영역(Active Area, AA) 및 비표시 영역(Non active Area, NA)을 포함할 수 있다. 기판의 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하고, 표시 영역(AA)보다 외측에 배치될 수 있다.
외곽 영역(A)은 기판(110)의 가장자리 영역일 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(AA)의 끝단(또는 일측)과 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
또한, 외곽 영역(A)은 표시 영역(AA)의 끝단(또는 일측)에 위치하는 서브 화소(SP)와 표시 영역(AA)의 외측에 배치된 비표시 영역(NA)에 배치되는 복수의 서브 화소(SP)로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동회로, 복수의 서브 화소(SP)로 신호를 공급하는 구동 회로 및 구동 회로에 연결된 신호 배선의 이상 유무를 센싱하는 센서 회로를 포함할 수 있다. 외곽 영역은 주변부일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
표시 영역(AA)은 복수의 서브 화소(SP)가 배치되어 영상이 표시되는 영역이다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 소자 및 구동 회로가 형성된다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)에는 영상을 표시하기 위한 표시 소자와 표시 소자를 구동하기 위한 회로부가 배치될 수 있다. 복수의 서브 화소(SP)는 적색 서브 화소(SP), 녹색 서브 화소(SP), 청색 서브 화소(SP) 및/또는 백색 서브 화소(SP) 등을 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
한 개의 서브 화소(SP)는 복수의 트랜지스터와 커패시터 및 복수의 배선을 포함할 수 있다. 서브 화소(SP)는, 예를 들어, 두 개의 트랜지스터와 한 개의 커패시터(2T1C)로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되지 않고 4T1C, 7T1C, 6T2C 등을 적용한 서브 픽셀로 구현될 수도 있다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 배선, 구동 회로 등이 배치되는 영역이다. 예를 들어, 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 IC 및 구동 회로 등이 배치될 수 있다. 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NA)은 영상이 표시 되지 않는 영역일 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)은 베젤 영역일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)으로부터 연장되는 영역일 수도 있다. 또는 비표시 영역(NA)은 복수의 서브 화소(SP)가 배치되지 않는 영역일 수도 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 영역(AA)은 액티브 영역으로 지칭될 수 있고, 비표시 영역(NA)은 베젤 영역(Bezel Area)으로 표현될 수도 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
도 1 에서 사각형 형태의 표시 영역(AA)을 둘러싸고 있는 것으로 도시하였으나, 표시 영역(AA)의 형태 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)의 형태 및 배치는 도 1에 도시된 예에 한정되지 않는다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 발광 표시 장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(AA)의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)은 제1 부분(P1) 및 제2 부분(P2)을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)은 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)은 비표시 영역(NA)에서 표시 영역(AA)에 인접한 부분일 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)은 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2) 사이에 배치된 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)은 비표시 영역(NA)에 평탄화층(150)이 배치된 영역일 수 있다.
비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)은 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)은 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 인접하고, 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)을 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)은 비표시 영역(NA)에 평탄화층(130)이 식각되어 평탄화층(130)이 제거된 영역일 수 있다.
비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)은 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(130)에서 연장되어 형성될 수 있다. 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)은 평탄화층(130)의 끝 지점(또는 일측)에서부터 발광 표시 장치의 끝 단(또는 일측)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 장치의 다양한 구성요소들을 지지할 수 있다. 기판(110)은 유리, 또는 유연성(flexibility)을 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다.
기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 기판(110)이 폴리이미드(Polyimide)로 이루어지는 경우, 기판(110) 하부에 유리로 이루어지는 지지 기판이 배치된 상황에서 발광 표시 장치의 제조 공정이 진행되고, 발광 표시 장치의 제조 공정이 완료된 후 지지 기판이 릴리즈(release)될 수 있다. 또한, 지지 기판이 릴리즈된 후, 기판(110)을 지지하기 위한 백 플레이트(back plate)가 기판(110) 하부에 배치될 수도 있다.
기판(110)이 폴리이미드(Polyimide)로 이루어지는 경우, 수분 성분이 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 기판(110)을 침투하여 박막 트랜지스터 또는 발광 소자층까지 투습이 진행되어 발광 표시 장치의 성능을 저하시킬 수 있다. 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 투습에 의한 표시 장치의 성능이 저하되는 것을 방지하기 위해 2개의 폴리이미드(Polyimide)로 구성할 수 있다. 그리고, 2개의 폴리이미드(Polyimide) 사이에 무기막을 형성해줌으로써, 수분 성분이 하부의 폴리이미드(Polyimide)를 침투하는 것을 차단하여 제품 성능 신뢰성을 향상시킬 수가 있다. 무기막은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다.
기판(110)은 기판(110) 상에 형성된 소자 및 기능층, 예를 들어 스위칭 소자, 스위칭 소자와 연결된 구동 소자, 구동 소자와 연결된 유기 발광 소자, 보호층 등을 포함하는 개념으로 지칭되기도 한다.
버퍼층은 기판(110)의 전체 표면 상에 배치될 수 있다. 버퍼층은 버퍼층 상에 형성되는 층들과 기판 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 다양한 종류의 결함을 차단하는 역할 등을 수행할 수 있다. 또한, 버퍼층은 기판(110)에 침투한 수분 또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다.
버퍼층은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다. 버퍼층이 다중층으로 이루어진 경우, 산화 실리콘(SiOx)과 질화 실리콘(SiNx)이 교번으로 형성될 수 있다.
버퍼층은 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 버퍼층 상에 구동 소자(120)가 더 배치될 수 있다. 구동 소자(120)는 게이트 전극(121), 반도체층(123), 소스 전극(125S), 및 드레인 전극(125D)을 포함할 수 있다.
드레인 전극(125D)은 발광 소자층(200)과 전기적으로 연결되어 전류 또는 신호를 발광 소자층(200)에 전달한다. 또한, 드레인 전극(125D)과 발광 소자층(200) 사이에 연결 전극(126)을 더 배치하여, 연결 전극(126)을 통해 박막 트랜지스터의 전류와 신호를 발광 소자층(200)에 전달할 수 있다.
본 명세서의 발광 표시 장치(100)의 구동 소자는 Bottom Gate 및 Top Gate 구조에 한정되지 않으며, a-Si, 산화물 반도체 및 LTPS 반도체 등 다양하게 구성될 수 있다.
버퍼층 상에 게이트 전극(121)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(121)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni) 및 네오디뮴(Nd), 텅스텐(W), 금(Au) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(121) 상에는 제1 절연층(122)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(122)은 게이트 전극(121)과 반도체층(123)을 절연 시킬 수 있다.
제1 절연층(122)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다.
제1 절연층(122)상에 반도체층(123)이 배치될 수 있다. 반도체층(123)은 폴리 실리콘(p-Si)으로 만들어질 수 있으며, 이 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑 될 수도 있다. 또한, 반도체층(123)은 아몰포스 실리콘(a-Si)으로도 이루어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 다른 예를 들면, 반도체층(123)은 산화물(oxide)로 이루어질 수도 있다.
반도체층(123)상에 제2 절연층(124)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(124)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 제2 절연층(124)을 선택적으로 제거하여 소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D)이 배치되는 컨택 홀(contact hole)이 형성할 수 있다.
제2 절연층(124)상에 소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D)이 배치될 수 있다.
소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D)은 도전성 금속 물질로 이루어진 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D)은 제2 절연층(124)의 컨택홀을 통해 반도체층(123)과 전기적으로 연결된다.
소스 전극(125S) 및 드레인 전극(125D) 상에 평탄화층(130)이 배치될 수 있다.
평탄화층(130)은 구동 소자(120)를 커버하도록 배치될 수 있다. 평탄화층(130)은 하부에 배치된 구동 소자를 보호하고, 다양한 layer 패턴에 의한 단차를 완화 또는 평탄화 시킬 수 있다.
평탄화층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(130)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(130)은 표시 영역에서 비표시 영역의 제1 부분까지 연장될 수 있다.
비표시 영역(NA)에서 평탄화층(130)을 식각하여 단차를 형성할 수 있다.
비표시 영역(NA)에서 평탄화층(130)이 식각 공정에 의해 제거되지 않은 부분은 제1 부분(P1)일 수 있다. 평탄화층(130)이 식각 공정에 의해 제거된 부분은 제2 부분(P2)일 수 있다.
평탄화층(130)은 단일층으로 배치될 수 있으나 전극의 배치를 고려하여 두 층 이상의 복수층으로 배치될 수 있다.
발광 표시 장치(100)가 고해상도로 진화함에 따라 각종 신호 배선이 증가하게 된 것에 기인한다. 이에 모든 배선을 최소 간격을 확보하면서 한 층에 배치하기 어려워, 추가 층을 만든 것이다. 이러한 추가 층으로 인해 배선 배치에 여유가 생겨서, 전선/전극 배치 설계가 더 용이해진다. 또한 다층으로 구성된 평탄화층(130)으로 유전물질(Dielectric Material)이 사용되면, 평탄화층(130)은 금속 층 사이에서 정전 용량(capacitance)를 형성하는 용도로 활용할 수도 있다.
평탄화층(130)이 두 개의 층으로 배치되는 경우 하부 평탄화층(140), 상부 평탄화층(150)을 포함할 수 있다.
하부 평탄화층(140) 및 상부 평탄화층(150) 사이에 연결 전극(126)이 배치 될 수 있다.
하부 평탄화층(140)에 컨택홀(contact hole)을 형성하고, 컨택홀(contact hole) 내에 연결 전극(126)을 더 배치하여, 연결 전극(126)을 통해 구동 소자(120)와 발광 소자층(200)를 전기적으로 연결할 수 있다.
예를 들면, 연결 전극(126)의 일단(또는 일부분)은 구동 소자(120)와 연결되고, 연결 전극(126)의 타단(또는 다른 부분)은 발광 소자층(200)와 연결될 수 있다.
평탄화층(130) 상에 발광 소자층(200)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(200)은 애노드 전극(210), 발광층(230) 및 캐소드 전극(240)을 포함한다. 이러한 발광 소자층(200)은 평탄화층(130) 상에 애노드 전극(210), 발광층(230) 및 캐소드 전극(240) 순으로 순차적으로 배치되어 이루어질 수 있다.
애노드 전극(210)은 평탄화층(130)을 관통하는 컨택홀 내부 또는 평탄화층(130)의 상부에 형성될 수 있다. 애노드 전극(210)은 컨택홀을 통해 드레인 전극(125D)과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 표시 장치(100)가 연결 전극(126)을 더 포함하는 경우, 애노드 전극(210)은 연결 전극을 통해 드레인 전극(125D)과 전기적으로 연결될 수 있다.
애노드 전극(210)은 발광층(230)에 정공을 공급하고, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
애노드 전극(210)이 발광 표시 장치(100)가 상부 발광 방식(Top emission)인 경우, 빛을 반사하는 반사 전극으로 불투명한 도전성 물질을 이용하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 애노드 전극(210)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
예를 들면, 애노드 전극(210)은 은(Ag)/납(Pd)/구리(Cu)의 3층 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
애노드 전극(210)이 발광 표시 장치(100)가 하부 발광 방식(Bottom emission)인 경우, 빛을 투과하는 투명한 도전성 물질을 이용하여 배치될 수 있다.
예를 들면, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO) 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)에 평탄화층(130) 또는 애노드 전극(210) 상에 뱅크층(220)이 배치될 수 있다.
뱅크층(220)은 복수의 서브 화소(SP)를 구분 지을 수 있으며, 빛 번짐 현상을 최소화 하고 다양한 시야각에서 혼색이 생기지 않도록 한다.
평탄화층(130) 또는 애노드 전극(210) 상에 발광 영역을 제외한 나머지 영역에는 뱅크층(220)이 배치될 수 있다. 뱅크층(220)은 발광 영역과 대응되는 애노드 전극(210)을 노출시키는 뱅크 홀을 가질 수 있다.
뱅크층(220)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)과 같은 무기 절연 물질 또는 BCB (BenzoCycloButene), 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
뱅크층(220) 상에 스페이서가 더 배치될 수 있다. 스페이서는 발광 소자층(200)이 형성된 기판(110)과 상부 기판 사이의 빈 공간을 완충시켜서 외부로부터의 충격으로부터 발광 표시 장치(100)가 파손되는 것을 최소화할 수 있다. 스페이서는 뱅크층(220)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 뱅크층(220)과 동시에 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 표시 장치(100)의 비표시 영역(NA)에 제1 패턴(400) 및 제2 패턴(500)이 배치될 수 있다.
제1 패턴(400) 및 제2 패턴(500)은 보호층(300) 중 제2 보호층(320)이 비표시 영역(NA)의 구동 회로가 형성된 영역으로 침범하여 발생시키는 구동 불량 등의 문제를 방지할 수 있다.
제2 보호층(320)을 구성하는 물질은 유기 물질(Polymer)로, 액상 형태로 기판(110) 상에 도포된 후 경화 공정을 거쳐 형성된다. 유기 물질은 낮은 점도를 가지고 있으므로 경화 되기 전까지 밀도가 높은 액체과 같은 상태일 수 있다. 따라서, 유기 물질은 경화 공정 전까지 유동성을 갖기 때문에 발광 표시 장치(100)의 비표시 영역에 형성의 구동 회로가 형성된 영역으로 흐르게 된다. 유기 물질이 구동 회로가 형성된 영역을 침범하면 구동 불량이나 점등 검사 불량을 유발하는 문제점이 발생한다.
이에 본 명세서의 발명자들은 제2 보호층(320)이 경화되기 전까지 유기 물질의 흐름을 줄일 수 있는 여러 실험을 진행하였다. 여러 실험을 통하여 발광 표시 장치의 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름을 최소화하고 제2 보호층(320)이 비표시 영역(NA)의 구동 회로가 형성된 영역으로 침범하여 구동 불량을 최소화할 수 있는 발광 표시 장치(100)를 발명하였다.
제1 패턴(400) 및 제2 패턴(500)은 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름성을 제어할 수 있는데, 1차로 표시 영역(AA)에 인접한 제1 패턴(400)에 의해 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름이 제어되고, 유기 물질이 제1 패턴(400)을 넘어가는 경우, 2차로 배치된 제2 패턴(500)에 의해 제2 보호층(320)의 유기 물질이 비표시 영역의 구동 회로로 퍼지는(또는 흐르는) 것을 차단할 수 있다.
제1 패턴(400)은 표시 영역(AA)의 주변부를 따라 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 패턴(400)은 표시 영역(AA)을 둘러 싸도록 배치될 수 있다.
제1 패턴(400)은 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 패턴(400)은 비표시 영역(NA) 중 표시 영역(AA)에서 연장되어 형성된 평탄화층(130) 상에 배치될 수 있다.
제1 패턴(400)은 제1 부분(P1)의 평탄화층(130) 상에 배치되므로, 제2 패턴(500)보다 높은 위치에 배치되고, 표시 영역(AA)에 더 인접하게 형성되므로, 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름을 더욱 효율적으로 제어할 수 있다.
또한, 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)에 제2 패턴(500)이 배치되더라도 비표시 영역(NA)에서 다수의 평탄화층, 절연층, 및 금속 배선을 식각하여 형성된 단차의 높이와 경사로 인해 제2 보호층(320)의 유기 물질의 이동 속도가 빨라질 수 있으므로, 제2 보호층(320)이 경화되기 전에 비표시 영역(NA)의 구동 회로로 퍼지는(또는 흐르는) 문제가 있었다.
그러나, 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 제1 패턴(400)을 배치하여 1차로 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름을 방지하거나 줄일 수 있다. 따라서 제1 패턴(400)을 넘어서 흐르는 제2 보호층(320)의 양이 적어지고, 제2 보호층(320)의 퍼지는(또는 흐르는) 속도가 줄어들 수 있으므로, 제2 보호층(320)의 퍼지는(또는 흐르는) 거리를 제어할 수 있다. 따라서, 비표시 영역(NA)에 제2 보호층(320)이 침범하여 발생시키는 구동 불량 등의 문제를 방지할 수 있다.
또한, 제2 보호층(320)의 퍼지는(또는 흐르는) 거리를 최소화하여 제2 보호층(320)의 설계 마진을 최소화 할 수 있으며, 이로 인해 얇은 베젤을 가지면서도 신뢰성이 향상된 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
제1 패턴(400)이 평탄화층(130)상에 배치되므로, 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에 배치된 제1 패턴(400) 내에 보호층(320)의 유기 물질의 흐름을 막아서 경화 후 보호층(320)의 두께가 증가할 수 있다. 증가된 두께를 가지는 보호층(300)은 발광 표시 장치(100)의 측면에서 유입되는 수분 및 산소를 효과적으로 차단할 수 있다.
제1 패턴(400)은 적어도 하나 이상의 복수로 배치될 수 있다. 도면에는 1개로 도시하였으나 이에 제한되지 않는다.
제1 패턴(400)은 적어도 하나 이상의 물질을 사용하여 다층으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 뱅크층(220)과 스페이서를 배치하는데 사용되는 물질 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2 패턴(500)은 제1 패턴(400)에서 제어되지 못한 제2 보호층(320)의 유기 물질이 비표시 영역의 구동 회로로 퍼지는(또는 흐르는) 것을 차단할 수 있다.
제2 패턴(500)은 비표시 영역(NA)의 제2 부분(P2)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 패턴(500)은 비표시 영역(NA)의 평탄화층(130)이 식각되어 제거된 영역인 제2 부분(P2) 상에 배치될 수 있다.
제2 패턴(500)은 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 형성된 제1 패턴(400)과 이격되고, 제1 패턴(400)의 주변부를 따라 배치될 수 있다.
제2 패턴(500)은 적어도 하나 이상의 복수로 배치될 수 있다. 도면에는 1개로 도시하였으나 이에 제한되지 않는다.
제2 패턴(500)은 적어도 하나 이상의 물질을 사용하여 적어도 하나 상의 층으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(130), 뱅크층(220), 및 스페이서를 배치하는데 사용되는 물질 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
애노드 전극(210) 상에 발광층(230)이 배치될 수 있다. 발광층(230)은 특정 색을 발광하기 위한 유기 물질로 구성된 층일 수 있다. 예를 들면, 발광층(230)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 청색 유기 발광층 및 백색 유기 발광층 중 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다. 발광층(230)이 백색 유기 발광층으로 구성된 경우, 발광 소자층(200) 상부에 컬러 필터가 더 배치될 수 있다.
발광층(230) 외에 정공 주입층(Hole injection layer), 정공 수송층(Hole transport layer), 전자 수송층(Electron transport layer), 및 전자 주입층(Electron injection layer)을 포함할 수 있다.
발광층(230) 상에 캐소드 전극(240)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(240)은 발광층(230)에 전자를 공급하고, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
캐소드 전극(240)이 발광 표시 장치(100)가 상부 발광 방식(Top emission)인 경우, 빛을 투과하는 투명한 도전성 물질을 이용하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO) 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 빛을 투과하는 반투명한 도전성 물질을 이용하여 배치될 수 있다. 예를 들면, LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag, LiF/Ca:Ag 와 같은 합금 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
캐소드 전극(240)이 발광 표시 장치(100)가 하부 발광 방식(Bottom emission)인 경우, 빛을 반사하는 반사 전극으로 불투명한 도전성 물질을 이용하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(240)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.
발광 소자층(200) 상에 보호층(300)이 배치될 수 있다. 보호층(300)은 발광 표시 장치(100) 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA)의 일부 영역에 배치될 수 있다.
보호층(300)은 발광 물질과 전극 물질의 산화를 방지하기 위해 외부로부터의 산소 및 수분의 침투를 막는다. 보호층(300)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 제1 보호층(310), 제2 보호층(320), 및 제3 보호층(330)을 포함할 수 있다.
제1 보호층(310), 제2 보호층(320), 및 제3 보호층(330)은 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 보호층(300)은 발광층(230)에서 발광되는 빛이 투과되도록 투명한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 보호층(310) 및 제3 보호층(330)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 적어도 하나 이상의 무기물로 이루어질 수 있다. 제1 보호층(310) 및 제3 보호층(330)은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposion; ALD) 등의 진공성막법을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 보호층(320)은 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클(Particle)을 커버할 수 있다. 또한, 제2 보호층(320)은 제1 보호층(310)의 표면을 평탄화할 수 있다. 예를 들면, 제2 보호층(320)은 파티클 커버층일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
제2 보호층(320)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOCz) 에폭시(epoxy), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 아크릴레이트(acrylate) 계열 등의 고분자(polymer)일 수 있다. 예를 들면, 제2 보호층(320)은 점도가 20 이하인 고분자 물질일 수 있다.
제2 보호층(320)은 열 또는 광에 의해 경화되는 열 경화성 물질 또는 광 경화성 물질로 이루어질 수 있다.
제2 보호층(320)은 잉크젯 코팅, 또는 슬릿 코팅 등과 같은 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 보호층(310)이 형성된 제1 기판(110) 상에 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 이용하여 액상의 유기 물질을 표시 영역(AA)에 분사 또는 드롭함으로써 상기 제1 보호층(310) 상에 제2 보호층(320)을 형성할 수 있다. 분사 노즐이 도포 영역 위를 이동하면서 (또는 노즐은 고정되고 대상물이 이동하면서) 유동 상태의 유기 물질이 도포 영역에 형성될 수 있다.
유기 물질의 분사 또는 드롭 후, 유기 물질을 건조 및 경화 공정을 진행하여 용매(solvent)와 수분을 제거함으로써 경화된 상태의 제2 유기 보호층(320)을 형성할 수 있다.
제1 기판(110) 상에 액상의 유기 물질을 표시 영역(AA)에 분사 또는 드롭할 때, 표시 영역(AA)을 둘러싼 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 형성된 제1 패턴(400)이 유기 물질의 흐름을 효과적으로 차단할 수 있다.
도 4a는 제1 패턴이 형성되지 않은 발광 표시 장치의 제2 보호층을 도시한 단면도이다.
도 4b는 본 명세서의 일 실시예에 따른 제1 패턴이 형성된 발광 표시 장치의 제2 보호층을 개략적으로 표현한 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 이용하여 액상의 유기 물질을 드롭하는 횟수에 따라 형성되는 제2 보호층(320)을 도시한 프로파일이다.
도 4a 및 도 4b의 Drop 0은 유기 물질을 드롭하지 않은 것을 도시한 것이다. Drop 1 은 유기 물질은 1회(1방울) 드롭한 것, Drop 2 는 유기 물질을 2회(2방울) 드롭한 것을 도시한 것이다. Drop 3, Drop 4, 및 Drop 5는 3회(3방울), 4회(4방울), 및 5회(5방울)을 드롭한 것을 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b의 화살표는 제2 보호층(320)의 끝 지점을 나타낸 것이다.
제1 패턴(400)이 형성된 기판 및 제1 패턴(400)이 형성되지 않은 기판을 비교하면, 제1 패턴(400)이 형성된 기판(110)의 제2 보호층(320)이 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 작게 퍼지는(또는 흐르는) 것을 확인할 수 있다.
아래 표 1은 도 4a 및 도 4b의 제2 보호층(320)이 평탄화층(130)에서부터 발광 표시 장치(100)의 외곽 방향으로 퍼진 거리를 측정한 표이다.
아래 표 1의 비교예는 제1 패턴이 형성되지 않은 기판(110)을 측정한 것이고, 실시예의 제1 패턴은 제1 패턴(400)이 형성된 기판(110)을 측정한 것이다.
Drop 수가 증가될수록 제2 보호층(320)이 퍼지는(또는 흐르는) 길이가 증가되나, 제1 패턴(400)이 형성된 기판의 제2 보호층(320)의 길이가 제1 패턴(100)이 형성되지 않은 기판(110)과 비교했을 때, 평균 27% 감소되는 것을 확인할 수 있다.
Drop 수 비교예 제1 패턴 (실시예)
1 48 ㎛ 16 ㎛
2 91.5 ㎛ 50.5 ㎛
3 124 ㎛ 89.5 ㎛
4 172 ㎛ 126 ㎛
5 215 ㎛ 157.5 ㎛
도 5a는 제1 패턴이 형성되지 않은 발광 표시 장치에 따른 보호층의 단면의 현미경 사진이다.
도 5b는 도 3에 따른제1 패턴이 형성된 발광 표시 장치에 따른 제2 보호층의 단면의 현미경 사진이다.
제2 보호층(320)을 구성하는 물질은 낮은 점도의 특성을 가지므로 경화되기 전까지 밀도가 높은 액체와 같은 상태일 수 있다. 도 5b에서 제1 패턴(400)이 표시 영역(AA)에 인접하게 둘러싸여 배치되므로, 제2 보호층(320)이 비표시 영역(NA)으로 퍼지는(또는 흐르는) 양이 최소화되는 것을 확인할 수 있다.
또한, 제2 보호층(320)의 퍼지는(또는 흐르는) 거리를 최소화하여 제2 보호층(320)의 설계 마진을 최소화될 수 있으며, 이로 인해 얇은 베젤을 가지며 신뢰성이 향상된 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 도 5a에 표시 영역(AA)과 인접한 비표시 영역(NA)에서 평탄화층(130)이 식각되어 형성된 높은 단차(a)로 인해 제2 보호층(320)의 퍼지는(또는 흐르는) 속도가 빨라서 경화되기 전에 퍼지는(또는 흐르는) 문제가 있었다.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 패턴(400)을 배치하여 제2 보호층(320)의 경사가 완만하게 형성되므로 제2 보호층(320)이 퍼지는(또는 흐르는) 속도를 늦출 수 있다.
따라서, 비표시 영역(NA)에 제2 보호층(320)이 침범하여 발생시키는 구동 불량 등의 문제를 방지할 수 있다.
이하에서는 본 명세서의 다른 실시예를 도 1, 도 2, 및 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.
도 6에 발광 표시 장치(100)는 도 3의 표시 장치와 비교하여 버퍼홀(BH)를 제외하고 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함하는 기판(110), 평탄화층(130), 보호층(300), 제1 패턴(400), 제2 패턴(500), 및 버퍼홀(BH)을 포함한다.
버퍼홀(BH)은 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 평탄화층(130) 또는 애노드 전극(210) 상에 배치될 수 있다.
버퍼홀(BH)은 표시 영역(AA)의 주변부를 따라 배치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼홀(BH)은 표시 영역(AA)과 제1 패턴(400) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼홀(BH)은 홀 또는 제1 홀 일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
버퍼홀(BH)은 표시 영역(AA)의 뱅크 홀과 동일한 공정으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
버퍼홀(BH)은 적어도 하나 이상으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼홀(BH)은 뱅크층(220)을 식각하여 홀을 형성하므로 제2 보호층(320)의 유기 물질이 제1 패턴(400)을 넘어 흘러 넘어가는 것을 막을 수 있다. 예를 들면, 버퍼홀(BH)을 구성하므로, 제1 패턴(400)을 넘어서 흐르는 제2 보호층(320)의 유기 물질의 양이 적어지고, 제2 보호층(320)의 유기 물질이 퍼지는(또는 흐르는) 거리를 더 효과적으로 제어할 수 있다. 따라서, 버퍼홀(BH)을 구성하므로, 비표시 영역(NA)에 제2 보호층(320)이 침범하여 발생시키는 구동 불량 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 제2 보호층(320)의 도포 양에 대한 편차를 고려한 버퍼 공간을 확보할 수 있으므로, 제2 보호층(320)의 설계 마진을 최소화하여 얇은 베젤을 가질 수 있는 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
이하에서는 본 명세서의 다른 실시예를 도 1, 도 2 및 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
도 7에 발광 표시 장치(100)는 도 3의 발광 표시 장치와 비교하여 터치 배선(600)을 제외하고 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 보호층(300) 상에 터치 배선(600)이 배치될 수 있다. 터치 배선(600)은 터치 배선(600) 하부에 배치되는 발광 소자층(200)으로부터 방출된 빛이 투과될 수 있도록 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO), 및 은 나노 와이어(AgNW) 중 적어도 하나 이상의 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따르면, 보호층(300)과 터치 배선(600) 사이에 터치 버퍼층이 더 포함될 수 있다.
터치 버퍼층은 보호층(300)의 손상을 방지하며, 터치 배선(600)의 구동 시 발생할 수 있는 간섭 신호를 차단할 수 있다.
터치 버퍼층은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
터치 배선(600)은 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있다.
제1 터치 전극 및 제2 터치 전극 사이에는 상호 정전 용량 (mutual capacitance; Cm)이 형성될 수 있다.
상호 정전 용량(Cm)은 제2 터치 전극에 공급되는 터치 구동 펄스에 의해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 제1 터치 전극으로 방전함으로써 터치 센서의 역할을 할 수 있다.
터치 센서를 가지는 발광 표시 장치는 디스플레이 기간 동안 발광 소자층(200)을 포함하는 다수의 서브 화소(SP)들을 통해 영상을 표시한다. 그리고, 터치 센서를 가지는 발광 표시 장치는 터치 기간 동안 사용자의 터치에 의한 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm; 터치 센서)의 변화량을 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱할 수 있다.
보호층(300) 상에 다수의 터치 배선(600)을 배치된 발광 표시 장치(100)는 발광 표시 장치(100)의 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에서 보호층(300)의 낮은 두께, 및/또는 급격한 경사 및 단차로 인해, 발광 표시 장치(100)의 외곽 영역에서 터치 감도가 낮아지는 문제점이 있다. 예를 들면, 표시 영역(AA)의 보호층(300)은 두께가 균일한 반면, 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에 형성된 보호층(300)은 보호층(300)의 하부에 배치된 평탄화층, 절연층 및 금속 배선이 식각되어 급격한 경사 및 단차가 형성될 수 있다. 이로 인해 제2 보호층(320)의 유기 물질의 이동 속도가 빨라져 제2 보호층(320)이 경화되기 전의 두께가 낮아지고, 제2 보호층(320)이 도포되지 않는 문제가 있다.
표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에 낮은 두께로 형성된 보호층(300)은 보호층(300)의 상부 및 하부에 배치된 전극 및 배선의 전계 간섭을 일으켜 표시 품질이 저하되고 터치 감도가 하락하는 문제점이 있었다.
또한, 비표시 영역(NA)에서 보호층(300)의 급격한 경사 및 단차로 터치 배선(600)의 제조 시, 터치 배선(600)이 보호층(300)의 경사 또는 단차가 형성된 영역에서 형성될 경우 터치 배선이 유실 및 단선이 되는 문제점이 있었다.
이에 본 명세서의 발명자들은 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에서 표시 품질 및 터치 감도 저하를 줄일 수 있는 여러 실험을 진행하였다. 여러 실험을 통하여 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에서 보호층(300)의 상부 및 하부에 배치된 전극의 전계 간섭을 최소화하여 표시 품질을 향상시키고, 터치 감도를 향상시킬 수 있는 여러 실험을 진행하였다.
표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 형성된 제1 패턴(400)은 제2 보호층(320)의 유기 물질의 흐름을 막아 제1 부분(P1)에 형성되는 제2 보호층(320)의 두께를 두껍게 형성할 수 있다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에서 보호층(320)은 비슷한 두께로 형성되므로, 기존에 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)에서 형성된 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 방지하고 표시 품질 향상 및 터치 센싱의 감도를 향상시킬 수 있다.
터치 배선(600)은 보호층(300) 상에서 제1 패턴(400) 및 제2 패턴(500)과 적어도 하나 이상의 일부분에서 이격되어 배치될 수 있다.
터치 배선(600)은 제1 거리(D1)로 제1 패턴(400)과 이격되어 배치될 수 있으며, 제1 거리(D1)는 10㎛ 또는 이상일 수 있다.
터치 배선(600)은 제2 거리(D2)로 제2 패턴(500)과 이격되어 배치될 수 있으며, 제2 거리(D2)는 50㎛ 또는 이상일 수 있다.
비표시 영역(NA)의 제1 부분(P1)에 평탄화층(130) 또는 애노드 전극(210) 상에 버퍼홀(BH)이 더 배치될 수 있다.
버퍼홀(BH)은 표시 영역(AA)의 주변부를 따라 배치될 수 있다. 버퍼홀(BH)은 표시 영역(AA)과 제1 패턴(400) 사이에 형성될 수 있다.
버퍼홀(BH)은 적어도 하나 이상으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼홀(BH)은 뱅크층(220)을 식각하여 형성되므로하므로 제2 보호층(320)의 유기 물질이 제1 패턴(400)을 넘어 흘러 넘어가는 것을 막을 수 있다. 예를 들면, 제1 패턴(400)을 넘어서 흐르는 제2 보호층(320)의 유기 물질의 양이 적어지고, 제2 보호층(320)의 유기 물질이 퍼지는(또는 흐르는) 거리를 더 효과적으로 제어할 수 있다. 따라서, 버퍼홀(BH)을 구성하므로, 비표시 영역(NA)에 제2 보호층(320)이 침범하여 발생시키는 구동 불량 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼홀(BH)을 구성하므로, 제2 보호층(320)의 도포 양에 대한 편차를 고려한 버퍼 공간을 확보할 수 있으므로, 제2 보호층(320)의 설계 마진을 최소화하여 얇은 베젤을 가질 수 있는 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 8은 도 1의 카메라 영역을 확대한 평면도이다.
도 8에 발광 표시 장치(100)는 도 2의 발광 표시 장치와 비교하여 표시 패널 내의 카메라 영역(CA)에 배치된 차광 부재(170)를 제외하고 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
표시 영역(AA)의 내부에 카메라 영역(CA)이 배치된다. 표시 영역(AA)에서 복수의 서브 화소(SP) 사이에 카메라 영역(CA)이 배치된다. 카메라 영역(CA)은 카메라 또는 광학 센서와 같은 광학 부품이 배치되는 영역이다. 광학 센서는 근접 센서, 적외선 센서, 자외선 센서 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 카메라 영역(CA)은 광학 부품을 배치하기 위해 발광 표시 장치(100)의 일부 구성을 관통하는 광학홀(CH)을 포함한다. 발광 표시 장치(100)를 관통하는 광학홀(CH)을 형성하여 광학 부품이 배치되는 공간을 확보할 수 있다.
광학홀(CH)은 홀 또는 제2 홀일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
복수의 서브 화소(SP)에서 발광된 광 중 일부는 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치된 카메라 영역(CA), 예를 들면, 광학홀(CH)을 향해 진행할 수 있다. 광학홀(CH)로 진행된 복수의 서브 화소(SP)로부터의 광이 카메라와 같은 광학 부품에 전달되는 경우, 노이즈가 발생하여 광학 부품의 신뢰성이 저하될 수 있다. 이에, 광학홀(CH) 내부에 복수의 서브 화소(SP)로부터 발광된 광이 전달되지 않도록 광학홀(CH)에 차광 부재(170)가 배치될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)과 카메라 영역(AA) 사이에 형성될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 카메라 영역(AA)을 둘러싸고 있는 것으로 도시하였으나, 표시 영역(AA)의 형태 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)의 형태/배치는 도 8에 도시된 예에 한정되지 않는다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 발광 표시 장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(AA)의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8의 카메라 영역(CA)에 배치된 비표시 영역(NA)은 도 3, 도 6, 및 도 7에 도시한 비표시 영역(NA)과 동일한 단면 구조를 가질 수 있으며, 동일한 효과를 가진다.
차광 부재(170)는 도전성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 차광 부재(170)는 빛샘을 방지하면서 정전기를 방전할 수 있다. 차광 부재는 불투명하고, 전기 전도성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
차광 부재(170)는 광학홀(CH) 내부로 발광 표시 장치(100)의 빛이 유입되는 것을 차단하고, 전면 부재로부터 발생한 정전기를 방전시킬 수 있다. 차광 부재(170)는 광학홀(CH)에서 노출된 기판(110)의 일부분, 비표시 영역(NA)의 측면 중 적어도 하나 이상을 덮을 수 있다.
차광 부재(170)는 도전성 잉크 또는 도전성 페이스트로 이루어질 수다. 예를 들어, 카본 블랙(carbon black)과 같은 도전성 입자 또는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))와 같은 전도성 고분자가 혼합된 도전성 잉크나 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 도전성 페이스트 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 차광 부재(170)는 정전기를 방전할 수 있도록 0 내지 106Ω의 저항을 가질 수 있다. 차광 부재(170)는 상술한 물질 외에 다양한 물질로 형성될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
차광 부재(170)는 공압 분사 코팅이나 정전 분무 코팅 등의 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 공압 분사 코팅은 공기압력을 이용해 시린지 내부의 물질을 밀어내 분사하는 방식일 수 있다. 정전 분무 코팅은 물질에 전압을 인가하여 전하를 부여한 후, 분사 노즐을 이용해 하전된 물질을 분사하는 방식일 수 있다. 차광 부재(170)를 공압 분사 코팅이나 정전 분무 코팅 방식으로 형성하는 경우, 차광 부재(170)의 점도는 약 10,000cPs 이하일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 차광 부재(170)는 이외에도 다양한 방식으로 형성될 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴, 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴 상에 배치된 보호층, 및 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 패턴은 표시 영역의 주변부를 따라 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 평탄화층은 표시 영역에서 표시 영역의 제1 부분까지 연장될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 평탄화층 상에 있는 홀을 더 포함하고,
홀은 비표시 영역의 제1 부분에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 홀은 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분 사이에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고, 제1 패턴은 뱅크층 및 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고, 제2 패턴은 평탄화층, 뱅크층, 및 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 보호층 상에 터치 배선을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 배선은 제1 패턴 및 제2 패턴의 적어도 하나 이상의 일부분과 이격될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 배선이 제1 패턴과 이격된 거리는 터치 배선이 제2 패턴과 이격된 거리보다 작을 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층, 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴, 뱅크층, 유기 발광 소자, 제1 패턴 상에 배치된 보호층, 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴, 및 보호층 상에 터치 배선을 포함할 수 있다.본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 배선은 제1 패턴 및 제2 패턴의 적어도 일부분과 이격될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 배선이 제1 패턴과 이격된 거리는 터치 배선이 제2 패턴과 이격된 거리보다 작을 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 배선은 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극 사이에는 상호 정전 용량 (mutual capacitance; Cm)의 변화량을 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 패턴은 표시 영역의 주변부를 따라 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 평탄화층은 표시 영역에서 비표시 영역의 제1 부분까지 연장될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 평탄화층 상에 있는 홀을 더 포함하고, 홀은 비표시 영역의 제1 부분에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고, 제1 패턴은 뱅크층 및 스페이서로 중 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고, 제2 패턴은 평탄화층, 뱅크층, 및 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광 표시 장치
110: 기판
200: 구동 소자
130: 평탄화층
200: 발광 소자층
300: 보호층
320: 제2 보호층
400: 제1 패턴
500: 제2 패턴
600: 터치 배선
BH: 버퍼홀

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역과, 상기 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴;
    상기 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴 상에 배치된 보호층; 및
    상기 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴을 포함하는, 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 상기 표시 영역의 주변부를 따라 배치되는, 발광 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 평탄화층은 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역의 제1 부분까지 연장된, 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 평탄화층 상에 있는 홀을 더 포함하고,
    상기 홀은 상기 비표시 영역의 제1 부분에 배치되는, 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 홀은 상기 표시 영역과 비표시 영역의 제1 부분 사이에 배치되는, 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 제1 패턴은 상기 뱅크층 및 상기 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성되는, 발광 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 제2 패턴은 상기 평탄화층, 뱅크층, 및 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성되는, 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 보호층 상에 터치 배선을 더 포함하는, 발광 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 터치 배선은 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴의 적어도 하나 이상의 일부분과 이격되어 있는, 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 터치 배선이 상기 제1 패턴과 이격된 거리는 상기 터치 배선이 상기 제2 패턴과 이격된 거리보다 작은, 발광 표시 장치.
  11. 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역과, 상기 비표시 영역의 제1 부분에 있는 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에 배치된 뱅크층, 발광 소자층, 및 제1 패턴;
    상기 뱅크층, 유기 발광 소자, 및 제1 패턴 상에 배치된 보호층;
    상기 비표시 영역의 제1 부분과 인접한 제2 부분에 배치된 제2 패턴; 및
    상기 보호층 상에 터치 배선을 포함하는, 발광 표시 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 터치 배선은 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴의 적어도 일부분과 이격되어 있는, 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 터치 배선이 상기 제1 패턴과 이격된 거리는 상기 터치 배선이 상기 제2 패턴과 이격된 거리보다 작은, 발광 표시 장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 터치 배선은 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극을 더 포함하는, 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극 사이에는 상호 정전 용량 (mutual capacitance; Cm)의 변화량을 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱하는, 발광 표시 장치.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 상기 표시 영역의 주변부를 따라 배치되는, 발광 표시 장치.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 평탄화층은 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역의 제1 부분까지 연장된, 발광 표시 장치.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 평탄화층 상에 있는 홀을 더 포함하고,
    상기 홀은 상기 비표시 영역의 제1 부분에 배치되는, 발광 표시 장치.
  19. 제11 항에 있어서,
    상기 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 제1 패턴은 상기 뱅크층 및 상기 스페이서로 중 적어도 하나 이상으로 구성되는, 발광 표시 장치.
  20. 제11 항에 있어서,
    상기 뱅크층 상에 있는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 제2 패턴은 상기 평탄화층, 뱅크층, 및 스페이서 중 적어도 하나 이상으로 구성되는, 발광 표시 장치.
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