KR20230057623A - A cleaning method for wafer - Google Patents

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KR20230057623A
KR20230057623A KR1020210141590A KR20210141590A KR20230057623A KR 20230057623 A KR20230057623 A KR 20230057623A KR 1020210141590 A KR1020210141590 A KR 1020210141590A KR 20210141590 A KR20210141590 A KR 20210141590A KR 20230057623 A KR20230057623 A KR 20230057623A
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wafer
cleaning
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polishing
carbon dioxide
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강동현
최은석
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에스케이실트론 주식회사
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Abstract

The present invention suggests a wafer cleaning method for simplifying a cleaning process, preventing re-contamination after cleaning, and preventing bulk metal contamination caused by wet cleaning by cleaning a wafer surface after a polishing process using carbon dioxide gas and ozonated water. The wafer cleaning method is performed according to a preset program in one cleaning chamber or in two cleaning chambers. Processing by-products remaining on the surface of a wafer after polishing are removes and polished. And then, a film that protects the surface of the wafer is generated.

Description

웨이퍼 세정방법 {A cleaning method for wafer} Wafer cleaning method {A cleaning method for wafer}

본 발명은 웨이퍼의 연마 후의 세정장치에 관한 것으로, 특히, DIW(De Ionized Water)가 아닌 고체입자의 이산화탄소, 고압의 건조 가스 및 이온수를 이용하여 연마 후의 웨이퍼에 잔류하는 가공 부산물의 제거나 표면을 보호할 수 있는 막을 생성하는 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning device after polishing a wafer, and in particular, removes processing by-products remaining on a wafer after polishing or removes surface by using solid carbon dioxide, high-pressure dry gas, and ionized water instead of DIW (De Ionized Water). It relates to a wafer cleaning method for creating a protective film.

반도체 제조공정 중 웨이퍼의 평탄도를 얻기 위해서 웨이퍼의 표면에 화학적 기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한다. 화학적 연마 공정은 연마 대상물의 슬러리에 의한 화학반응과 연마 패드에 의한 기계적 가공을 통해 소정의 두께만큼 제거하는 것이므로, 웨이퍼 연마 후 웨이퍼의 표면에는 연마 부산물 및 슬러리 등의 이물질(particle)이 잔류한다. 연마된 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질은 제조 수율에 미치는 영향이 매우 크므로, 웨이퍼 연마 후에는 반드시 웨이퍼 표면을 세정(cleaning)을 수행하여야 한다. In order to obtain flatness of a wafer during a semiconductor manufacturing process, a chemical mechanical polishing process is performed on the surface of the wafer. Since the chemical polishing process removes a predetermined thickness through a chemical reaction by the slurry of the object to be polished and mechanical processing by a polishing pad, particles such as polishing by-products and slurry remain on the surface of the wafer after polishing the wafer. Since the foreign matter remaining on the polished wafer surface has a very large effect on the manufacturing yield, the wafer surface must be cleaned after polishing the wafer.

도 1은 종래의 웨이퍼 연마 및 세정 과정의 일 예이다. 1 is an example of a conventional wafer polishing and cleaning process.

도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 연마 및 세정 과정(100)은 웨이퍼의 연마(가공, 110)를 수행한 후 DIW(De Ionized Water)를 웨이퍼에 분사한 후 이를 건조하는 과정을 통해 웨이퍼 표면의 연마 부산물을 제거하는 1차 세정(120)을 수행하고, 웨이퍼의 가공의 정확성을 측정한 후(130), 웨이퍼의 연마(110) 중 식각을 통한 잔존 오염물을 제거하는 2차 세정(140)을 수행하고, 2차 세정 후의 식각 정도를 측정한다(150). Referring to FIG. 1, in the conventional wafer polishing and cleaning process 100, after polishing (processing) 110 of the wafer, spraying DIW (De Ionized Water) on the wafer and then drying it, the surface of the wafer is After performing primary cleaning (120) to remove polishing by-products, measuring the accuracy of processing of the wafer (130), secondary cleaning (140) to remove residual contaminants through etching during the polishing (110) of the wafer and the degree of etching after the second cleaning is measured (150).

도 1에 도시된 종래의 습식 세정은, 작업자에게 유해한 화학물질을 사용함에 따라 작업자 본인에게 직접적으로 위해 할 수 있는 문제와 함께 작업 후 폐기물이 발생하는 환경 오명에 관한 문제도 발생하게 되므로, 화학물질을 최소한으로 사용해야 하며, 폐기물의 처리도 완벽하게 이루어져야 한다. In the conventional wet cleaning shown in FIG. 1, since the use of chemicals harmful to workers causes problems that can directly harm the worker himself, as well as problems related to environmental stigma that waste is generated after work, chemicals should be used to a minimum, and the disposal of waste should be complete.

그러나 무엇보다 2차 세정에서 배치(batch)의 세정기를 사용함에 따른 DIW 및 화학물질의 사용량이 많고 화학물질의 세정 시 벌크 메탈 오염이 발생할 수 있는 단점이 있다. However, above all, there is a disadvantage in that the amount of DIW and chemicals used is large due to the use of a batch cleaner in the secondary cleaning, and bulk metal contamination may occur during chemical cleaning.

대한민국 공개특허: 10-2016-0097501호(2016년08월18일)Republic of Korea Patent Publication: 10-2016-0097501 (August 18, 2016)

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 연마 공정 후의 웨이퍼 표면을 이산화탄소 가스 및 오존수를 이용하여 세정함으로써, 한편으로는 세정 공정을 간소화하고 세정 후 재오염을 방지할 수 있도록 하고, 습식 세정으로 인한 벌크 메탈 오염을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것에 있다. The technical problem to be solved by the present invention is to clean the surface of the wafer after the polishing process using carbon dioxide gas and ozone water, on the one hand, to simplify the cleaning process and prevent recontamination after cleaning, and to clean the bulk due to wet cleaning. It is to provide a wafer cleaning method capable of preventing metal contamination.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 면(one aspect)에 따른 웨이퍼 세정방법은, 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며, 상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 회전하는 웨이퍼 척에 안착한 연마 후 웨이퍼에 동시에 분사하는 단계를 수행한다. A wafer cleaning method according to one aspect of the present invention for achieving the above technical problem is performed according to a program set in advance in one cleaning chamber, and carbon dioxide is used by using a first spray nozzle installed in the cleaning chamber. A step of simultaneously spraying solid particles and high-pressure dry gas onto the wafer after polishing the ozone water seated on the rotating wafer chuck using a second spray nozzle installed in the cleaning chamber.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 면(another aspect)에 따른 웨이퍼 세정방법은, 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며, 상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 연마 후 웨이퍼에 1차 분사하고 이어서 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 상기 연마 후 웨이퍼에 2차 분사하는 단계를 수행한다. A wafer cleaning method according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is performed according to a preset program in one cleaning chamber, using a first spray nozzle installed in the cleaning chamber. Carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas are firstly sprayed onto the wafer after polishing, and then ozone water is sprayed secondarily onto the wafer after polishing using a second spray nozzle installed in the cleaning chamber.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 면(still another aspect)에 따른 웨이퍼 세정방법은, 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며, 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 연마 후 웨이퍼에 1차 분사하고 이어서 상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자와 고압의 건조가스를 상기 연마 후 웨이퍼에 2차 분사하는 단계를 수행한다. A wafer cleaning method according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is performed according to a preset program in one cleaning chamber, and a second spray nozzle installed in the cleaning chamber After polishing, ozone water is firstly sprayed onto the wafer, and then carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas are sprayed secondarily onto the polished wafer using a first spray nozzle installed in the cleaning chamber.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 면(still another aspect)에 따른 웨이퍼 세정방법은, 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며, 상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스의 분사와 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수의 분사를 번갈아 가면서 수행하는 단계를 수행한다. A wafer cleaning method according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is performed according to a preset program in one cleaning chamber, and a first spray nozzle installed in the cleaning chamber A step of alternately spraying carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas and spraying ozone water using a second spray nozzle installed in the cleaning chamber is performed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 면(still another aspect)에 따른 웨이퍼 세정방법은, 2개의 세정 챔버 내에서 수행되며, 상기 2개의 세정 챔버 중 하나의 챔버에서는 상기 하나의 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 회전하는 웨이퍼 척에 안착한 연마 후 웨이퍼에 분사하는 제1 세정 단계 및 상기 하나의 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 상기 연마 후 웨이퍼에 오존 수를 분사하는 제2 세정 단계 중 하나의 세정 단계를 수행하고, 상기 2개의 세정 챔버 중 다른 하나의 챔버에서는 상기 하나의 챔버에서 수행한 세정 단계를 거친 상기 연마 후 웨이퍼에 상기 하나의 챔버에서 수행하지 않는 다른 하나의 세정 단계를 수행한다. A wafer cleaning method according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is performed in two cleaning chambers, and in one of the two cleaning chambers, in the one chamber. A first cleaning step in which carbon dioxide solid particles and high-pressure drying gas are seated on a rotating wafer chuck and then sprayed onto the wafer using a first spray nozzle installed therein, and after the polishing step using a second spray nozzle installed in the one chamber One of the second cleaning steps of spraying ozone water on the wafer is performed, and in the other of the two cleaning chambers, the wafer after the polishing after the cleaning step performed in the one chamber is One other cleaning step not performed in the chamber is performed.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below. You will be able to.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은, 종래의 공정을 하나로 통합함으로써 공정의 간소화를 달성하였고, 종래의 습식 세정으로 인해 한편으로는 벌크 메탈의 오염을 방지할 수 있으며 다른 한편으로는 작업자의 유해 환경을 최소로 하고, 세정에 필요한 용수의 절약 및 폐기물을 감소시킬 수 있는 장점이 있다. As described above, the wafer cleaning method according to the present invention achieves process simplification by integrating conventional processes into one, and due to conventional wet cleaning, on the one hand, contamination of bulk metal can be prevented, and on the other hand, It has the advantage of minimizing the harmful environment for workers, saving water required for cleaning, and reducing waste.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The effects obtainable in the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below. will be.

도 1은 종래의 웨이퍼 연마 및 세정 과정의 일 예이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 나타낸다.
도 3은 이산화탄소 고체입자를 이용하여 세정하는 방법의 개념을 설명한다.
도 4는 이산화탄소 고체입자를 이용하여 세정하는 방법을 적용한 예를 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 일 실시 예이다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 다른 일 실시 예이다.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 또 다른 일 실시 예이다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 일 실시 예이다.
도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 다른 일 실시 예이다. 1 is an example of a conventional wafer polishing and cleaning process.
2 shows a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
3 illustrates the concept of a cleaning method using carbon dioxide solid particles.
4 illustrates an example in which a cleaning method using carbon dioxide solid particles is applied.
5 is an embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
6 is another embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
7 is another embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
8 is an embodiment of a wafer cleaning method according to the present invention.
9 is another embodiment of a wafer cleaning method according to the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. In order to fully understand the present invention and the advantages in operation of the present invention and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings describing exemplary embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in each figure indicate like elements.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치를 나타낸다. 2 shows a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치(200)는, 이산화탄소 고체입자, 고압의 건조공기 및 오존 수를 이용하여 연마(가공) 후(201)의 웨이퍼에 잔류하는 오염물질을 제거한다. 도 1을 참조하면, 종래에는 DIW나 화학물질을 사용하였는데, 본 발명에서는 이산화탄소 고체입자 및 오존 수를 이용하여 세정하는 장치를 제안한다. 세정 후(200)에는 세정의 정도를 측정(202)하는 과정을 수행해야 함은 물론이다. Referring to FIG. 2, the wafer cleaning apparatus 200 according to the present invention removes contaminants remaining on the wafer after polishing (processing) 201 using carbon dioxide solid particles, high-pressure dry air, and ozone water. . Referring to FIG. 1, DIW or chemicals have been conventionally used, but the present invention proposes a cleaning device using carbon dioxide solid particles and ozone water. Of course, after cleaning (200), a process of measuring the degree of cleaning (202) should be performed.

본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치(200)의 구성을 설명하기에 앞서, 본 발명에서 사용하고자 하는 이산화탄소 고체입자를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 원리에 대해 설명한다. Prior to explaining the configuration of the wafer cleaning apparatus 200 according to the present invention, the principle of cleaning a wafer using carbon dioxide solid particles to be used in the present invention will be described.

도 3은 이산화탄소 고체입자를 이용하여 세정하는 방법의 개념을 설명한다.3 illustrates the concept of a cleaning method using carbon dioxide solid particles.

도 3을 참조하면, 이산화탄소 고체입자를 이용하는 세정 방법은, 이산화탄소(CO2) 고체입자인 드라이아이스(Dry-ice)의 물리적 충격력(Physical Blasting), 열충격(Thermal Shock) 및 부피 팽창(Sublimation Expansion) 과정을 이용한다.Referring to FIG. 3, the cleaning method using carbon dioxide solid particles includes physical blasting, thermal shock, and sublimation expansion of dry-ice, which is carbon dioxide (CO 2 ) solid particles. use the process

이산화탄소의 고체입자인 드라이아이스(Dry-Ice)가 고속의 건조 압축공기(CDA, Clean Dry Air, 이하 고압의 건조공기)와 함께 분사되어, 물체(Various Substrate)의 표면에 위치하는 오염 물질(Various Contaminants)에 물리적인 충격을 가하도록 한다. 이때, 드라이아이스는 경도가 약하므로 오염물질에 충돌한 후에는 기체로 승화한다. Dry-Ice, which is a solid particle of carbon dioxide, is sprayed with high-speed dry compressed air (CDA, Clean Dry Air, hereinafter referred to as high-pressure dry air) to remove contaminants located on the surface of various substrates. Contaminants) to be physically shocked. At this time, since dry ice is weak in hardness, it sublimes into a gas after colliding with contaminants.

오염물질과 충돌한 후 승화되는 과정에서 이산화탄소 고체입자는 승화열을 발생시키고, 승화열로 인한 초저온 기류가 오염물질을 급속히 냉각시키고 수축시킴으로써 오염물질에 균열을 발생시킨다. In the process of sublimation after colliding with contaminants, carbon dioxide solid particles generate heat of sublimation, and cryogenic airflow caused by sublimation heat rapidly cools and contracts the contaminants, causing cracks in the contaminants.

또한, 드라이아이스가 승화되면서 고체일 때의 부피의 약 800배로 팽창하면서 물체의 표면으로부터 오염물질을 박리시킨다. In addition, as dry ice sublimes, it expands to about 800 times its volume when it is solid, exfoliating contaminants from the surface of the object.

도 4는 이산화탄소 고체입자를 이용하여 세정하는 방법을 적용한 예를 설명한다. 4 illustrates an example in which a cleaning method using carbon dioxide solid particles is applied.

도 4a로부터 도 4d는 반도체 웨이퍼, LCD, OLED 및 LED 기판에 부착된 오염물(좌측)이 제거된 상태(우측)를 나타낸다. 4A to 4D show a state (right) in which contaminants (left) adhering to semiconductor wafers, LCDs, OLEDs, and LED substrates are removed.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 DIW 대신 이산화탄소의 고체입자인 드라이아이스와 고속의 압축공기를 이용하여 세정할 것을 제안한다. As described above, the present invention proposes cleaning using dry ice, which is a solid particle of carbon dioxide, and high-speed compressed air instead of DIW.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마 후 세정장치는 하나의 세정 챔버로 구현하거나, 2개의 세정 챔버로 구현하는 것이 가능하다. 먼저, 하나의 세정 챔버로 구현한 실시 예를 설명하고, 이어서 2개의 세정 챔버로 구현한 실시 예에 대해 설명한다.The cleaning apparatus after wafer polishing according to the present invention can be implemented with one cleaning chamber or two cleaning chambers. First, an embodiment implemented with one cleaning chamber will be described, followed by an embodiment implemented with two cleaning chambers.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 일 실시 예이다. 5 is an embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 5를 참조하면, 컨베이어(Conveyor, 501) 상에서 이동하는 웨이퍼(미도시)를 웨이퍼 세정장치(500)가 세정하며, 웨이퍼 세정장치(500)는 하나의 챔버 바디(510)로 구현하며, 챔버 바디(510)의 내부에는 드라이아이스 및 고압의 건조공기의 분사 노즐(520, 이하 이산화탄소 분사 노즐), 오존 수 분사 노즐(530), 웨이퍼 척(540), 통로(550), 배기 수단(560) 및 드레인(570)을 포함한다. 도 5를 참조하면, 이산화탄소 분사 노즐(520) 및 오존 수 분사 노즐(530)은 웨이퍼(미도시)를 기준으로 상부 및 하부에 각각 하나씩 설치하는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 5, a wafer (not shown) moving on a conveyor 501 is cleaned by a wafer cleaning device 500, and the wafer cleaning device 500 is implemented as one chamber body 510, and the chamber Inside the body 510, a dry ice and high-pressure dry air injection nozzle 520 (hereinafter referred to as a carbon dioxide injection nozzle), an ozone water injection nozzle 530, a wafer chuck 540, a passage 550, and an exhaust unit 560 are provided. and drain 570 . Referring to FIG. 5 , it is preferable to install one carbon dioxide injection nozzle 520 and one ozone water injection nozzle 530 on the top and bottom of the wafer (not shown), respectively.

챔버 바디(510)의 마주보는 2개의 측면에는 웨이퍼가 출입하는 2개의 통로(550-1, 550-2)가 설치되어 있다. 2개의 통로(550-1, 550-2)의 상부에는 2개의 통로(550-1, 550-2)의 상부에서 하부 방향으로 진행하는 에어 커튼을 생성하여 챔버 바디(510) 내부의 가스가 챔버 바디(510) 외부로 유출되지 않도록 하는 에어 커튼 분사수단(미도시)을 설치하거나, 2개의 통로(550-1, 550-2)를 개폐하는 2개의 도어(미도시)를 설치할 수 있다. Two passages 550-1 and 550-2 through which wafers enter and exit are installed on two facing sides of the chamber body 510. An air curtain is created at the upper part of the two passages 550-1 and 550-2 and proceeds downward from the upper part of the two passages 550-1 and 550-2 so that the gas inside the chamber body 510 flows into the chamber. An air curtain spraying unit (not shown) may be installed to prevent leakage to the outside of the body 510, or two doors (not shown) may be installed to open and close the two passages 550-1 and 550-2.

웨이퍼 척(540)은 상부에 고정되는 웨이퍼(미도시)를 회전시킨다. The wafer chuck 540 rotates a wafer (not shown) fixed thereon.

이산화탄소 분사 노즐(520)은 웨이퍼 척(540)과 함께 회전하는 웨이퍼의 표면에 드라이아이스 및 고압의 공기를 분사한다. 이산화탄소 분사 노즐(520)에서 분사되는 드라이아이스 및 고압의 공기가 웨이퍼 전체를 한 번에 커버하지 못하는 작은 형태를 가질 경우, 효과적인 세정을 위해 이산화탄소 분사 노즐(520)을 웨이퍼의 좌우 또는 상하 방향으로 왕복 이동하도록 하는 실시 예가 가능하다. The carbon dioxide injection nozzle 520 injects dry ice and high-pressure air onto the surface of the wafer rotating together with the wafer chuck 540 . When the dry ice and high-pressure air injected from the carbon dioxide injection nozzle 520 have a small shape that cannot cover the entire wafer at once, the carbon dioxide injection nozzle 520 reciprocates in the left-right or up-down direction of the wafer for effective cleaning. An embodiment to move is possible.

이산화탄소 분사 노즐(520)로부터 분사되는 드라이아이스 및 고압의 공기의 기능은 상술한 바와 같이, 오염물질을 물체로부터 박리시키는 것이다. As described above, the function of the dry ice and high-pressure air injected from the carbon dioxide injection nozzle 520 is to separate contaminants from the object.

오존 수 분사 노즐(530)은 오존 수(O3)를 회전하는 웨이퍼(미도시)의 표면에 분사함으로써, 웨이퍼의 표면에서 오존 수와 웨이퍼를 구성하는 실리콘 원자가 반응하여 일종의 절연막(Passivation)을 형성하도록 하여, 세정 작업이 완료된 웨이퍼 표면의 재오염을 방지하도록 한다. 실시 예에 따라서, 오존 수 분사 노즐(530)에서는 액체 상태의 오존이 아니라 가스 상태의 오존을 분사하는 것도 가능하다.The ozone water injection nozzle 530 sprays ozone water (O 3 ) onto the surface of a rotating wafer (not shown), so that ozone water and silicon atoms constituting the wafer react on the surface of the wafer to form a kind of passivation. In this way, re-contamination of the wafer surface after the cleaning operation is completed is prevented. Depending on the embodiment, the ozone water injection nozzle 530 may spray gaseous ozone instead of liquid ozone.

오존 수 분사 노즐(530)에서 분사되는 오존 수 또는 오존 가스가 웨이퍼 전체를 한 번에 커버하지 못하는 작은 형태를 가질 경우, 효과적인 세정을 위해 오존 수 분사 노즐(530)을 웨이퍼의 좌우 또는 상하 방향으로 왕복 이동하도록 하는 실시 예가 가능하다는 것은 이산화탄소 분사 노즐(520)의 경우와 동일하다. When the ozone water or ozone gas sprayed from the ozone water spray nozzle 530 has a small shape that cannot cover the entire wafer at once, the ozone water spray nozzle 530 is directed in the left-right or up-down direction of the wafer for effective cleaning. It is the same as the case of the carbon dioxide injection nozzle 520 that an embodiment of reciprocating movement is possible.

드라이아이스와 함께 분사되는 고압의 건조공기는 한편으로는 오염물질을 물체로부터 박리시키고 다른 한편으로는 습식 세정 과정 즉 오존 수를 웨이퍼의 표면에서 제거하는 건조 기능도 수행하게 된다. The high-pressure dry air sprayed with dry ice removes contaminants from the object on the one hand, and on the other hand, it also performs a wet cleaning process, that is, a drying function that removes ozone water from the surface of the wafer.

드라이아이스, 고압의 건조공기 및 오존 수(또는 오존 가스)의 분사는 동시에 이루어질 수도 있지만, 이들 중 2개가 결합하여 서로 다른 시간에 분사되거나, 이들 모두가 서로 배타적으로 서로 다른 시간에 분사되도록 하는 실시가 가능하다.The spraying of dry ice, high-pressure dry air, and ozonated water (or ozone gas) may be simultaneous, but a practice in which two of them are combined and sprayed at different times, or both are sprayed exclusively at different times. is possible

배기 수단(560)은 세정이 완료된 챔버 바디(510)의 내부에 포함된 승화된 드라이아이스 및 압축 공기를 외부로 배출하며, 드레인(570)을 통해 챔버 바디(510) 내부의 오존 수가 외부로 배출될 것이다. The exhaust unit 560 discharges the sublimated dry ice and compressed air contained in the cleaned chamber body 510 to the outside, and the ozone water inside the chamber body 510 is discharged to the outside through the drain 570. It will be.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 다른 일 실시 예이다. 6 is another embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 6을 참조하면, 웨이퍼 세정장치(600)는 내부에서 오존 수를 이용하여 1차 세정하는 제1 세정 챔버(610) 및 드라이아이스 및 고압의 건조공기를 이용하여 2차 세정하는 제2 세정 챔버(620)를 포함한다. Referring to FIG. 6 , the wafer cleaning apparatus 600 includes a first cleaning chamber 610 for primary cleaning using ozone water and a second cleaning chamber for secondary cleaning using dry ice and high-pressure dry air. (620).

제1 세정 챔버(610)는 외부와 밀폐하는 제1 챔버 바디(611)의 내부에 설치되는, 오존 수 분사 노즐(613), 웨이퍼 척(614), 통로(615), 배기 수단(616) 및 드레인(617)을 포함한다. The first cleaning chamber 610 includes an ozone spray nozzle 613, a wafer chuck 614, a passage 615, an exhaust unit 616, and Drain 617 is included.

제2 세정 챔버(620)는 외부와 밀폐하는 제2 챔버 바디(621)의 내부에 설치되는, 드라이아이스 및 고압의 건조공기의 분사 노즐(622, 이하 이산화탄소 분사 노즐), 웨이퍼 척(624), 통로(625) 및 배기 수단(626)을 포함하며, 필요에 따라서는 드레인(627)을 추가하는 것이 가능하다. The second cleaning chamber 620 includes a spray nozzle 622 (hereinafter referred to as a carbon dioxide spray nozzle) of dry ice and high-pressure dry air installed inside the second chamber body 621 that is sealed from the outside, a wafer chuck 624, A passage 625 and an exhaust unit 626 are included, and a drain 627 may be added if necessary.

오존 수 분사 노즐(613)에서 분사되는 오존 수와 이산화탄소 분사 노즐(622)에서 분사되는 드라이아이스 및 고압의 건조공기가 웨이퍼 전체를 한 번에 커버하지 못하는 작은 형태를 가질 경우, 효과적인 세정을 위해 오존 수 분사 노즐(613) 및 이산화탄소 분사 노즐(622)을 웨이퍼의 좌우 또는 상하 방향으로 왕복 이동하도록 하는 실시 예가 가능하다. When ozone water sprayed from the ozone water spray nozzle 613, dry ice sprayed from the carbon dioxide spray nozzle 622, and high-pressure dry air have a small shape that cannot cover the entire wafer at once, ozone is effectively cleaned. An embodiment in which the water injection nozzle 613 and the carbon dioxide injection nozzle 622 are reciprocally moved in the left and right or up and down directions of the wafer is possible.

도 6에서는 오존 수 분사 노즐(613) 및 이산화탄소 분사 노즐(622)의 형태가 바(bar)의 형태를 가지고 있으며, 길이 방향으로는 최소한 웨이퍼의 지름이상의 길이를 커버한다고 가정할 때, 웨이퍼 척(614)과 함께 웨이퍼(미도시)가 회전하고 있으므로, 오존 수 분사 노즐(613) 및 이산화탄소 분사 노즐(622)은 움직이지 않고 고정하는 것이 가능하다. 고정되는 위치는 회전하는 웨이퍼 전체를 커버 할 수 있는 곳이어야 하는 것은 당연하다. In FIG. 6, assuming that the ozone water injection nozzle 613 and the carbon dioxide injection nozzle 622 have a bar shape and cover a length at least equal to or longer than the diameter of the wafer in the longitudinal direction, the wafer chuck ( Since the wafer (not shown) rotates together with 614, it is possible to fix the ozone water spray nozzle 613 and the carbon dioxide spray nozzle 622 without moving. It is natural that the fixed location should be a location that can cover the entire rotating wafer.

상기의 설명에서는 1차 세정을 제1 세정 챔버(610)에서 수행하고 2차 세정을 제2 세정 챔버(620)에서 수행하는 것으로 기재하였지만, 1차 세정을 제2 세정 챔버(620)에서 수행한 후 이어서 2차 세정을 제1 세정 챔버(610)에서 수행하는 실시 예도 가능하다. In the above description, it has been described that the first cleaning is performed in the first cleaning chamber 610 and the second cleaning is performed in the second cleaning chamber 620, but the first cleaning is performed in the second cleaning chamber 620. An embodiment in which secondary cleaning is performed in the first cleaning chamber 610 is also possible.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 또 다른 일 실시 예이다. 7 is another embodiment of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 7을 참조하면, 웨이퍼 세정장치(700)는 내부에서 드라이아이스 및 고압의 건조공기를 이용하여 1차 세정하는 제1 세정 챔버(710) 및 오존 가스를 이용하여 2차 세정하는 제2 세정 챔버(720)를 포함한다. Referring to FIG. 7 , the wafer cleaning apparatus 700 includes a first cleaning chamber 710 for primary cleaning using dry ice and high-pressure dry air and a second cleaning chamber for secondary cleaning using ozone gas. Includes (720).

도 6에 도시된 제1 세정 챔버(610)가 오존 수를 이용하는 반면에, 도 7에 도시된 제2 세정 챔버(720)는 오존 가스를 이용한다는 점에서 차이가 있고, 따라서, 도 7에 도시된 실시 예에서 2개의 세정 챔버(710, 720)에는 도 6에 도시된 실시 예에서 사용하는 드레인(617, 627)이 설치되지 않아도 된다는 점에서 차이가 있다.While the first cleaning chamber 610 shown in FIG. 6 uses ozone water, the difference is that the second cleaning chamber 720 shown in FIG. 7 uses ozone gas, and therefore, shown in FIG. There is a difference in that the drains 617 and 627 used in the embodiment shown in FIG. 6 do not need to be installed in the two cleaning chambers 710 and 720 in the present embodiment.

이러한 차이점 외에는, 도 6에 도시된 실시 예와 도 7에 도시된 실시 예는 동일하므로, 여기서는 설명을 생략한다. Except for these differences, since the embodiment shown in FIG. 6 and the embodiment shown in FIG. 7 are the same, a description thereof is omitted here.

도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 일 실시 예이다. 8 is an embodiment of a wafer cleaning method according to the present invention.

도 8을 참조하면, 웨이퍼 세정방법(800)은 도 5에 도시된 세정 챔버(500)를 이용하여 수행하는 것으로, 드라이아이스(A), 고압의 건조공기(B) 및 오존 수(C, 또는 오존 가스)를 세정하고자 하는 웨이퍼에 동시에 또는 서로 다른 시간에 순차적으로 분사하거나, A 및 B의 분사와 C의 분사를 번갈아 가면서 수행함으로써 웨이퍼의 세정을 수행하며, 이를 위해, 동시 분사 여부 판단단계(810), 노즐 이동 여부 판단단계(820, 850), 노즐 이동 단계(830, 860), A, B 및 C의 동시 분사 단계(840) 및 A & B의 분사 및 C의 분사를 순차적으로 또는 번갈아 가면서 분사하는 단계(870)를 포함한다. Referring to FIG. 8, the wafer cleaning method 800 is performed using the cleaning chamber 500 shown in FIG. 5, using dry ice (A), high-pressure dry air (B) and ozone water (C, or ozone gas) is sprayed on the wafer to be cleaned simultaneously or sequentially at different times, or by alternately performing the spraying of A and B and the spraying of C to perform cleaning of the wafer. To this end, simultaneous spraying determination step ( 810), nozzle movement determination step (820, 850), nozzle movement step (830, 860), simultaneous injection step of A, B and C (840), and injection of A & B and injection of C sequentially or alternately It includes a step 870 of spraying while going.

상술한 바와 같이, 이산화탄소 분사 노즐(520) 및 오존 수 분사 노즐(530)에서 분사되는 드라이아이스, 고압의 건조가스 및 오존 수(또는 오존 가스)가 웨이퍼 전체를 한 번에 커버하지 못하는 작은 형태를 가질 경우, 효과적인 세정을 위해 이산화탄소 분사 노즐(520) 및 오존 수 분사 노즐(530)을 웨이퍼의 좌우 또는 상하 방향으로 왕복 이동하도록 함으로써 웨이퍼 전체의 세정을 수행할 수 있도록 하는 것이다. As described above, the carbon dioxide injection nozzle 520 and When the dry ice, high-pressure dry gas, and ozone water (or ozone gas) sprayed from the ozone water spray nozzle 530 have a small shape that cannot cover the entire wafer at once, the carbon dioxide spray nozzle 520 ) and the ozone spray nozzle 530 to reciprocate in the left and right or up and down directions of the wafer, so that the entire wafer can be cleaned.

도 5를 설명하는 내용을 참조하면, 도 8에 도시된 과정은 쉽게 이해될 수 있으므로, 여기서는 자세하게 설명하지 않는다. Referring to the description of FIG. 5, since the process shown in FIG. 8 can be easily understood, it is not described in detail here.

도 8 및 이하의 도 9에서 수행하는 웨이퍼 세정방법은, 도 5 ~ 도 7에 도시된 세정장치를 통해 수행하며, 수행되는 과정은 미리 설정한 프로그램에 따라 진행될 것이 바람직하다. The wafer cleaning method performed in FIG. 8 and FIG. 9 below is performed using the cleaning device shown in FIGS. 5 to 7, and the process is preferably performed according to a preset program.

도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 다른 일 실시 예이다. 9 is another embodiment of a wafer cleaning method according to the present invention.

도 9를 참조하면, 웨이퍼 세정방법(900)은 도 6 및 도 7에 도시된 2개의 세정 챔버(610, 620, 710, 720)를 이용하여 수행하는 것으로, 드라이아이스(A) 및 고압의 건조공기(B)를 합한 것과 오존 수(C, 또는 오존 가스)를 세정하고자 하는 웨이퍼에 서로 다른 시간에 순차적으로 분사하는 기술에 대한 것이다. Referring to FIG. 9, the wafer cleaning method 900 is performed using the two cleaning chambers 610, 620, 710, and 720 shown in FIGS. 6 and 7, using dry ice (A) and high-pressure drying. It relates to a technique of sequentially spraying air (B) and ozone water (C, or ozone gas) to a wafer to be cleaned at different times.

따라서, 제1 세정 단계(910)는 제1 세정 챔버(610, 710)에서 수행되며, 드라이아이스(A) 및 고압의 건조공기(B)를 합한 것과 오존 수 또는 오존 가스(C) 중 하나를 선택하여 웨이퍼에 분사한다. Therefore, the first cleaning step 910 is performed in the first cleaning chambers 610 and 710, and the combination of dry ice (A) and high-pressure dry air (B) and either ozone water or ozone gas (C) are mixed. Select and spray on the wafer.

제2 세정 단계(930)는, 제1 세정 단계(910)를 수행한 웨이퍼를 제2 세정 챔버(620, 720)에서 수행되며, 드라이아이스(A) 및 고압의 건조공기(B)를 합한 것과 오존 수 또는 오존 가스(C) 중 제1 세정 단계(910)에서 분사하지 않고 남은 것을 웨이퍼에 분사한다. 즉, 제1 세정 단계(910)에서 드라이아이스(A) 및 고압의 건조공기(B)를 합한 것을 웨이퍼에 분사하였다면, 제2 세정 단계(930)에서는 오존 수 또는 오존 가스(C)를 웨이퍼에 분사한다. In the second cleaning step 930, the wafer after the first cleaning step 910 is performed in the second cleaning chambers 620 and 720, and dry ice (A) and high-pressure dry air (B) are combined. The remaining ozone water or ozone gas (C) not sprayed in the first cleaning step 910 is sprayed onto the wafer. That is, if a combination of dry ice (A) and high-pressure dry air (B) is sprayed onto the wafer in the first cleaning step (910), ozone water or ozone gas (C) is sprayed onto the wafer in the second cleaning step (930). spray

제2 세정 단계(930)를 수행한 후에는 웨이퍼의 세정 정도를 검사한다(950).After the second cleaning step (930) is performed, the degree of cleaning of the wafer is inspected (950).

제1 세정 단계(910)는 제1 세정 챔버(610, 710)에서 수행되고, 제2 세정 단계(930)는 제2 세정 챔버(620, 720)에서 수행되므로, 제1 세정 단계(910)를 수행한 후 제1 세정 챔버(610) 내의 웨이퍼를 제2 세정 챔버(620)로 이동시키는 단계(920)가 수행되어야 하며, 제2 세정 단계(930)를 완료한 제2 세정 챔버(620, 720)의 웽퍼로 웨이퍼 검사장치(미도시)로 이송(940)이 이루어져야 할 것이다. Since the first cleaning step 910 is performed in the first cleaning chambers 610 and 710 and the second cleaning step 930 is performed in the second cleaning chambers 620 and 720, the first cleaning step 910 After performing the step 920 of moving the wafer in the first cleaning chamber 610 to the second cleaning chamber 620, the second cleaning chamber 620, 720 having completed the second cleaning step 930 ) will have to be transferred 940 to a wafer inspection device (not shown).

전술한 본 발명은, 프로그램이 기록된 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체는, 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체의 예로는, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Disk), SDD(Silicon Disk Drive), ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장 장치 등이 있다. The above-described present invention can be implemented as computer readable code on a medium on which a program is recorded. The computer-readable medium includes all types of recording devices in which data that can be read by a computer system is stored. Examples of computer-readable media include Hard Disk Drive (HDD), Solid State Disk (SSD), Silicon Disk Drive (SDD), ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disk, optical data storage device, etc. there is

이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다. In the above, the technical idea of the present invention has been described together with the accompanying drawings, but this is an illustrative example of a preferred embodiment of the present invention, but does not limit the present invention. In addition, it is obvious that anyone skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

510: 챔버 바디
520: 드라이아이스 및 고압의 건조공기의 분사 노즐
530: 오존 수 분사 노즐
540: 웨이퍼 척
550: 통로
560: 배기 수단
570: 드레인 510: chamber body
520: spray nozzle of dry ice and high-pressure dry air
530: ozone water spray nozzle
540: wafer chuck
550 passage
560 exhaust means
570: drain

Claims (12)

하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며,
상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 회전하는 웨이퍼 척에 안착한 연마 후 웨이퍼에 동시에 분사하는 단계를 수행하는 웨이퍼 세정방법. It is performed according to a preset program within one cleaning chamber,
Using a first spray nozzle installed in the cleaning chamber, carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas are simultaneously sprayed onto a wafer after polishing mounted on a rotating wafer chuck with ozone water using a second spray nozzle installed in the cleaning chamber. Wafer cleaning method to perform. 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며,
상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 연마 후 웨이퍼에 1차 분사하고 이어서 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 상기 연마 후 웨이퍼에 2차 분사하는 단계를 수행하는 웨이퍼 세정 방법. It is performed according to a preset program within one cleaning chamber,
Carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas are first sprayed onto the wafer after polishing using the first spray nozzle installed in the cleaning chamber, and then ozone water is sprayed onto the wafer after polishing using the second spray nozzle installed in the cleaning chamber. A wafer cleaning method that performs a second spraying step. 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며,
상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수를 연마 후 웨이퍼에 1차 분사하고 이어서 상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자와 고압의 건조가스를 상기 연마 후 웨이퍼에 2차 분사하는 단계를 수행하는 웨이퍼 세정방법. It is performed according to a preset program within one cleaning chamber,
Ozone water is first sprayed onto the wafer after polishing using the second spray nozzle installed in the cleaning chamber, and then carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas are sprayed onto the wafer after polishing using the first spray nozzle installed in the cleaning chamber. A wafer cleaning method that performs a second spraying step. 하나의 세정 챔버 내에서 미리 설정된 프로그램에 따라 수행되며,
상기 세정 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스의 분사와 상기 세정 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 오존 수의 분사를 번갈아 가면서 수행하는 단계를 수행하는 웨이퍼 세정방법. It is performed according to a preset program within one cleaning chamber,
Wafer cleaning by performing a step of alternately spraying carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas using a first spray nozzle installed in the cleaning chamber and spraying ozone water using a second spray nozzle installed in the cleaning chamber method. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에서,
상기 이산화탄소 고체입자는 드라이아이스인 웨이퍼 세정방법. In any one of claims 1 to 4,
The carbon dioxide solid particles are dry ice wafer cleaning method. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에서,
상기 오존 수는 액체 상태 또는 가스 상태인 웨이퍼 세정방법. In any one of claims 1 to 4,
The ozone water is a liquid or gaseous wafer cleaning method. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에서,
상기 제1 분사 노즐 및 상기 제2 분사 노즐 중 적어도 하나는,
상기 연마 후 웨이퍼의 세정 작업 시, 상기 웨이퍼의 표면을 어느 일 방향으로 왕복 운동하는 웨이퍼 세정방법. In any one of claims 1 to 4,
At least one of the first injection nozzle and the second injection nozzle,
Wafer cleaning method of reciprocating the surface of the wafer in one direction during the cleaning operation of the wafer after the polishing. 2개의 세정 챔버 내에서 수행되며,
상기 2개의 세정 챔버 중 하나의 챔버에서는 상기 하나의 챔버 내에 설치된 제1 분사 노즐을 이용하여 이산화탄소 고체입자 및 고압의 건조가스를 회전하는 웨이퍼 척에 안착한 연마 후 웨이퍼에 분사하는 제1 세정 단계 및 상기 하나의 챔버 내에 설치된 제2 분사 노즐을 이용하여 상기 연마 후 웨이퍼에 오존 수를 분사하는 제2 세정 단계 중 하나의 세정 단계를 수행하고,
상기 2개의 세정 챔버 중 다른 하나의 챔버에서는 상기 하나의 챔버에서 수행한 세정 단계를 거친 상기 연마 후 웨이퍼에 상기 하나의 챔버에서 수행하지 않는 다른 하나의 세정 단계를 수행하는 웨이퍼 세정방법. carried out in two cleaning chambers,
In one of the two cleaning chambers, a first cleaning step of spraying carbon dioxide solid particles and high-pressure dry gas onto a wafer after polishing seated on a rotating wafer chuck using a first spray nozzle installed in the one chamber; and Performing one of the second cleaning steps of spraying ozone water on the wafer after polishing using a second spray nozzle installed in one chamber;
In another one of the two cleaning chambers, another cleaning step not performed in the one chamber is performed on the wafer after the polishing after the cleaning step performed in the one chamber. 제8항에서,
상기 이산화탄소 고체입자는 드라이아이스인 웨이퍼 세정방법. In paragraph 8,
The carbon dioxide solid particles are dry ice wafer cleaning method. 제8항에서,
상기 오존 수는 액체 상태 또는 가스 상태인 웨이퍼 세정방법. In paragraph 8,
The ozone water is a liquid or gaseous wafer cleaning method. 제8항에서,
상기 제1 분사 노즐 및 상기 제2 분사 노즐 중 적어도 하나는,
상기 연마 후 웨이퍼의 세정 작업 시, 상기 연마 후 웨이퍼의 표면을 어느 일 방향으로 왕복 운동하는 웨이퍼 세정방법. In paragraph 8,
At least one of the first injection nozzle and the second injection nozzle,
In the cleaning operation of the wafer after the polishing, the wafer cleaning method of reciprocating the surface of the wafer in one direction after the polishing. 제1항 내지 제4항 및 제8항 중 하나에 기재된 상기 웨이퍼 세정방법을 실행하기 위한 프로그램. A program for executing the wafer cleaning method according to any one of claims 1 to 4 and 8.
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