KR20230044996A - 유기 발광 표시 패널 - Google Patents

유기 발광 표시 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20230044996A
KR20230044996A KR1020230038584A KR20230038584A KR20230044996A KR 20230044996 A KR20230044996 A KR 20230044996A KR 1020230038584 A KR1020230038584 A KR 1020230038584A KR 20230038584 A KR20230038584 A KR 20230038584A KR 20230044996 A KR20230044996 A KR 20230044996A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
display panel
inverse
electrode
spacer
Prior art date
Application number
KR1020230038584A
Other languages
English (en)
Inventor
김미성
이정우
조세준
국승희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020230038584A priority Critical patent/KR20230044996A/ko
Publication of KR20230044996A publication Critical patent/KR20230044996A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

본 실시예는 기판상에 위치하는 복수의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극이 구비된 기판상에 제 1 전극을 노출시키는 개구부가 포함된 뱅크 절연막과, 상기 뱅크 절연막 상에 위치하고, 그 수직 단면이 사다리꼴이며, 정면에서 바라보았을 때 바(Bar)형태 또는 도트 형태를 갖는 복수의 역 스페이서와, 상기 개구부를 통해 노출된 제 1 전극과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 역 스페이서의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 유기층을 포함하는 기판 전면에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 복수의 역 스페이서는 장축이 제1대각선 방향을 향하는 바 형태의 복수의 제 1 역 스페이서와 상기 제1대각선 방향과 다른 제2대각선 방향으로 배열된 바 형태의 복수의 제 2 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 표시 패널을 제공할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 패널{Organic Light Emitting Diode Display Panel}
본 발명은 유기 발광 표시 패널에 관한 것으로, 특히 바(Bar) 형태의 역 스페이서를 적용하여 유기 발광층의 박리를 방지하는 유기 발광 표시 패널에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치(OLED) 등이 각광 받고 있다. OLED는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다.
액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광(OEL) 셀과, 그 OEL 셀을 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다.
OEL 셀은 셀 구동부와 접속된 제 1 전극과, 제 1 전극을 노출시키는 개구부이 형성된 뱅크 절연막과, 제 1 전극의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과, 유기층 위에 형성된 제 2 전극으로 구성된다. 이 때 뱅크 절연막의 상부에는 스페이서가 구비된다.
셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 OEL 셀을 구동한다.
근래에는 OLED를 이용한 다양한 형태의 폴더블 디스플레이가 제안되고 있다. 그런데, 종래의 OLED의 경우 발광층을 포함하는 유기층의 점착력이 약하여, 폴딩되는 영역 부근에서의 유기층의 박리가 일어나는 문제가 발생하였다.
상기 문제점을 해결하기 위해 출원인은 스페이서의 형태를 역 사다리꼴 형태로 개선한 역 스페이서를 구비한 OLED 장치를 출원한 바 있다.
그런데, 도트 형태의 역 스페이서를 구비한 폴더블 OLED 장치의 경우, 유기층의 박리가 어느 방향으로 시작되었는지에 따라 유기층의 박리 방지 능력의 차이를 보인다. 그로 인해, 도트 형태의 역 스페이서를 구비한 폴더블 OLED 장치는 특정 방향으로 폴딩될 경우의 유기층의 박리를 방지하는 것에는 한계가 있는 문제를 갖는다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로 역 스페이서의 형태를 변경하여 어느 방향에서 유기층의 박리가 일어나더라도 그 박리의 확산을 효과적으로 방지할 수 있는 유기 발광 표시 패널을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
본 실시예는 기판상에 위치하는 복수의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극이 구비된 기판상에 제 1 전극을 노출시키는 개구부가 포함된 뱅크 절연막과, 상기 뱅크 절연막 상에 위치하고, 그 수직 단면이 사다리꼴이며, 정면에서 바라보았을 때 바(Bar)형태 또는 도트 형태를 갖는 복수의 역 스페이서와, 상기 개구부를 통해 노출된 제 1 전극과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 역 스페이서의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 유기층을 포함하는 기판 전면에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 복수의 역 스페이서는 장축이 제1대각선 방향을 향하는 바 형태의 복수의 제 1 역 스페이서와 상기 제1대각선 방향과 다른 제2대각선 방향으로 배열된 바 형태의 복수의 제 2 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 표시 패널을 제공할 수 있다.
본 실시예는 발광 표시 패널이 역 스페이서를 구비한 경우, 유기층의 접착력이 향상되며, 특히 폴더블 패널을 구현할 때 폴딩 영역에서의 유기층의 박리를 방지할 수 있다.
특히 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 의한 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 패널은, 어느 방향으로 유기층의 박리가 일어나는지와 관계없이 모든 방향으로 발생하는 유기층의 박리의 확산을 방지한다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 역 스페이서가 형성된 발광 표시 패널의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 선(Line) 형태의 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 표시 패널의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 역 스페이서를 포함하는 발광 표시 패널을 설명하기 위한 정면도이다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명에 의한 발광 표시 패널을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 1에 도시된 발광 표시 패널의 한 화소는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(T1)와, 스위치 박막 트랜지스터(T1) 및 전원 라인(PL)과 OEL 셀과 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 전원 라인(PL)과 스위치 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)와, 구동 박막 트랜지스터(T2)와 접속된 OEL 셀을 포함한다.
스위치 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극은 OEL 셀의 전극 중 어느 하나와 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL)과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 사이에 접속된다.
스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 OEL 셀로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 OEL 셀의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위치 박막 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 OEL 셀이 발광을 유지하게 한다.
도 2는 역 스페이서가 형성된 발광 표시 패널의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(100) 및 버퍼층(101)상에 형성되고, 양 측면에 소스 영역(109a) 및 드레인 영역(109b)을 포함하는 반도체층(104)과, 반도체층(104)을 덮는 게이트 절연막(106)과, 반도체층(104)에 대응되는 게이트 절연막(106)의 상부에 위치하는 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)을 포함하는 기판(100)을 덮으며, 상기 반도체층(104)의 양측면에 위치하는 소스/드레인 영역(109a, 109b)을 노출하는 콘택홀(113)들을 포함하는 제 1 보호층(112)과, 콘택홀(113)을 통해 소스/드레인 영역(109a, 109b)과 접속하는 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 포함한다.
OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터를 덮는 제 1 보호막(112) 및 제 2 보호막(114) 상에 제 1 전극(116)과, 제 1 전극(116)을 노출시키는 개구부(133)가 형성된 뱅크 절연막(124)과, 뱅크 절연막(124)상에 위치하는 역스페이서(126)와, 개구부(133)을 통해 노출된 제 1 전극(116) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(118)과, 유기층(118) 위에 형성된 제 2 전극(120)으로 구성된다.
이 때 제 1 보호막(112)은 드레인 전극(108)을 노출하는 콘택홀(122)을 포함하고, 제 1 전극(116)은 콘택홀(122)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 접속된다.
이 때 기판(100)은 플렉서블한 유리 또는 폴리머 기판으로서, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 플렉서블 디스플레이 또는 폴더블 디스플레이로서 제조될 수 있다. 이 경우 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 표시 영역 내에 적어도 하나의 폴딩 영역을 포함하며, 전체 표시 영역이 휘어질 수도 있다.
유기층(118)은 전자 주입층(Electron Injection layer;EIL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL), 발광층(206), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)으로 구분된다. 발광층은 음극으로부터의 전자와 양극으로부터의 정공이 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 특정 파장의 빛을 발광하게 된다.
이 때 제 1 전극(116)이 음극인 경우 제 2 전극(120)은 양극이며, 제 1 전극(116)이 양극인 경우 제 2 전극(120)은 음극이 된다.
역 스페이서(126)를 수직 방향으로 자른 단면은 역 사다리꼴 형태를 가진다. 또한 역 스페이서(126)의 상부에도 유기층(118) 및 제 2 전극(120)이 위치한다.
제 2 전극(120)상에는 배리어층(130)이 위치한다. 배리어층(130)은 적어도 하나의 무기막(127)과 유기막(129)이 교차되어 적층되는 구조를 가진다.
뱅크 절연막(124)상에 형성된 유기층(118)은, 역 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점에는 형성되지 않으며, 역 스페이서(126)의 측면에도 형성되지 않는다. 그에 따라 역 스페이서(126)의 상부에 형성된 유기층(118)과 개구부(133) 및 뱅크 절연막(124)에 형성된 유기층(118)은 역 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점에서 분리되어 있다.
이와 같이 역 스페이서(126)를 뱅크 절연막(124) 상에 형성할 경우, 역 스페이서(126)과 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점과 역 스페이서(126)의 측면에는 유기층(118)이 증착이 되지 않으므로, 부분적으로 유기층(118)의 연속성이 끊어진다. 그에 더하여, 유기층(118)의 연속성이 끊어지는 영역에도 배리어층(130)이 형성되며, 배리어층(130)은 역 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점과 역 스페이서(126)의 측면에 접착되는 접착력이 우수하여 유기층(118)을 고정시키는 효과를 가진다. 그에 따라서 유기층(118)의 박리가 진행되어 상기 역 스페이서(126)에 이르면 그 박리의 확산이 중단된다.
따라서, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 유기층(118)의 접착력이 향상되며, 특히 폴더블 패널을 구현할 때 폴딩 영역에서의 유기층(118)의 박리를 방지할 수 있다.
본 발명에 의한 역 스페이서(126)는 정면에서 바라보았을 때 바(Bar) 형태를 가지도록 구비된다. 이하로는, 상기 바 형태의 역 스페이서에 관하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 바 형태의 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 표시 패널의 정면도이다.
앞서 언급한 바와 같이, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널에서, 뱅크 절연막(124)에 의해 노출된 개구부(133)에는 발광층을 포함하는 유기층(118) 및 제 2 전극(120)이 형성되어 서브 픽셀의 발광 영역이 구비된다.
각각의 개구부(133)는 직사각형이 수직 방향에 대하여 약 45˚ 기울어진 다이아몬드 형태로 형성되며, 각각의 개구부(133)는 대각선 방향으로 배열된다. 즉, 세로 방향으로 인접한 두 개구부(133)는 서로에 대하여 개구부(133)의 폭만큼 쉬프트되어 배열된다. 이와 같은 다이아몬드 형태의 개구부(133) 구조를 취하는 유기 발광 표시 패널은, 고해상도의 디스플레이를 구현하는 데 유리하다.
도 3에 도시된 것과 같이, 각 개구부(133)의 크기는 각 개구부(133)가 표시하는 색상에 따라 다르게 설정될 수 있으며, 각 개구부(133)의 크기는 동일할 수도 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 의한 유기 발광 표시 패널은, 정면에서 바라보았을 때 가로 방향으로 일정 간격으로 배열되고, 상기 다이아몬드 형태의 개구부들 사이에 지그재그 형태를 가지도록 세로 방향으로 배열된 바(Bar) 형태의 복수개의 제 1 역 스페이서(126a)를 포함한다. 앞서 언급한 바와 같이 상기 제 1 역 스페이서(126a)의 수직 단면은 역 사다리꼴 형태로 형성된다.
상기 지그재그 형태의 제 1 역 스페이서(126a)는 적어도 하나의 절곡부를 포함한다. 이들 절곡부에는, 상기 제 1 역 스페이서(126a)가 연속되는 연속 영역(141a)과, 상기 제 1 역 스페이서(126a)의 연결이 끊기는 불연속 영역(141b)이 교번하여 위치한다. 본 실시예에서는 연속 영역(141a) 및 불연속 영역(141b)이 절곡부에 위치하는 경우를 예시하였지만, 이들 연속 영역(141a) 및 불연속 영역(141b)은 반드시 절곡부에 위치할 필요는 없다.
인접하는 불연속 영역(141b)이 일정 방향으로 동일 선상에 위치할 경우, 유기 발광 표시 패널이 상기 불연속 영역(141b)이 위치하는 방향과 동일한 방향으로 유기층(118)의 박리가 시작되면, 유기층(118)의 박리를 방지하는 효과가 감소한다. 따라서, 인접하는 불연속 영역(141b)은 일정 방향으로 동일 선상에 위치하지 않는 것이 바람직하다.
예를 들어 도 3에 도시된 것과 같이, 인접하는 제 1 역 스페이서(126a)들 사이에는, 가로 방향으로 동일 선상에 불연속 영역(141b)이 연속적으로 위치하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 도 3에서 각 불연속 영역(141b)은, 가로 방향으로 인접한 다른 제 1 역 스페이서의 불연속 영역에 대하여 세로 방향으로 쉬프트되도록 배치된다.
상기 불연속 영역(141b)은 기판(100)의 전면에 형성되는 제 2 전극(120)의 전류 패스로서 기능한다. 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 제 1 역 스페이서(126a)가 불연속 영역(141b)을 포함하지 않고, 유기 발광 표시 패널의 일측 에지로부터 다른 일측 에지까지 형성될 경우, 제 2 전극(120)은 유기 발광 표시 패널 내부에서 단선이 되는 문제가 발생한다. 따라서, 상기 각각의 제 1 역 스페이서(126a)에는 불연속 영역(141b)을 포함하고, 상기 불연속 영역(141b)을 통해 제 2 전극(120)이 연결되어 전류 패스가 형성된다.
한편 본 발명의 제 1 실시예에 의한 유기 발광 표시 패널은, 상기 절곡부에 위치하는 상기 불연속 영역(141b) 일부에 추가로 제 2 역 스페이서(126b)를 더 포함할 수 있다. 이 때 제 2 역 스페이서(126b)는 수직 단면이 역 사다리꼴 형태이며, 정면에서 바라보았을 때 도트 형태를 취한다.
상기 제 2 역 스페이서(126b)는 상기 불연속 영역(141b)의 일부, 예를 들어 상기 제 1 역 스페이서(126a)가 꺾이는 지점과 대응되는 지점에 형성된다. 그에 따라 상기 제 2 역 스페이서(126b)가 형성된 영역을 제외한 나머지 불연속 영역은 여전히 역 스페이서가 위치하지 않으므로, 제 2 전극(120)의 전류 패스를 형성한다. 이 때 제 2 역 스페이서(126b)는 상기 불연속 영역(141b)에서 일어날 수도 있는 유기층의 박리를 방지한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 역 스페이서를 포함하는 발광 표시 패널은, 유기층(118)의 박리가 일어나는 방향으로 제 1 또는 제 2 역 스페이서(126a, 126b)가 위치하여 상기 유기층(118)의 박리의 확산을 방지한다.
또한 제 1 역 스페이서(126)는 지그재그 형태로 형성되므로, 상기 유기층(118)의 박리가 어떤 방향에서 발생하더라도 그 방향을 유기층(118)의 박리가 진행되어 제 1 역 스페이서에 이르면 그 박리의 진행이 중단된다.
그에 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 패널은, 어느 방향으로 유기층(118)의 박리가 일어나는지와 관계없이 모든 방향으로 발생하는 유기층(118)의 박리의 확산을 방지한다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 역 스페이서를 포함하는 발광 표시 패널을 설명하기 위한 정면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 의한 발광 표시 패널은, 장축이 제 1 대각선 방향으로 배치되는 복수개의 바(Bar)형태의 제 3 역 스페이서들(126c)과, 상기 제 3 역 스페이서들(126c)과 교차하여 장축이 제 2 대각선 방향으로 배열되는 복수개의 바(Bar)형태의 제 4 역 스페이서(126d)들을 포함한다.
상기 제 3 역 스페이서(126c)와 제 4 역 스페이서(126d)가 교차하는 교차점에서도 제 2 전극(120)의 전류 패스가 형성되어야 하므로, 상기 각각의 교차점에는 불연속 영역(141c)이 구비된다. 불연속 영역(141c)에서는 상기 제 3 역 스페이서(126c) 또는 제 4 역 스페이서(126d) 중 어느 하나만 불연속되고, 다른 하나의 역 스페이서는 연속되는 것이 바람직하다. 상기와 같이 제 3 및 제 4 역 스페이서(126b, 126c) 중 어느 하나만 불연속되는 경우, 유기층(118)을 고정하여 유기층(118)의 박리를 방지하는 효과는 극대화되면서도 상기 불연속되는 영역을 통해 제 2 전극(120)의 전류 패스가 형성되는 것에는 문제가 없다.
이 때 상기 불연속 영역(141c)들은, 인접하는 불연속 영역(141c)에서 불연속되는 역 스페이서와는 다른 역 스페이서가 불연속된다.
예를 들어, 불연속 영역(141c) 중 어느 하나에서, 제 3 역 스페이서(126c)가 불연속되는 경우, 인접한 다른 불연속 영역에서는 제 4 역 스페이서(126d)가 불연속된다.
또한 불연속 영역(141c) 중 어느 하나에서, 제 4 역 스페이서(126d)가 불연속되는 경우, 인접한 다른 불연속 영역에서는 제 3 역 스페이서(126c)가 불연속된다.
상기와 같이 인접한 불연속 영역들에서 서로 다른 역 스페이서(126c)가 불연속되면, 유기층(118)의 박리가 어느 방향으로 시작되더라도, 상기 역 스페이서(126c)에 의해 차단되므로, 모든 방향에서 발생하는 유기층(118)의 박리의 확산을 방지할 수 있는 효과를 가진다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명에 의한 발광 표시 패널을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
도 5a를 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(101)이 형성되고, 그 상부에 반도체층(104)이 형성된다. 이 때 버퍼층(101) 및 반도체층(104)은 PECVD(Plasma Vapor Deposition)등의 증착 방법을 이용하여 형성된다. 그리고 반도체층(104)은 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝된다.
도 5b를 참조하면, 반도체층(104)을 포함하는 기판(100) 상에 무기 절연 물질이 PECVD 등의 증착 방법을 통해 증착됨으로써 게이트 절연막(106)이 형성된다. 그 상부에는 금속층이 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 통해 증착되고, 포토 리소그래피 및 식각 공정에 의해 패터닝되어 게이트 전극(102)이 형성된다.
상기 게이트 전극(102)을 마스크로 하고, 반도체층(104)의 양 측면에 이온 주입법(Ion Implantation)등을 통해 불순물이 주입됨으로써 소스 드레인 영역(109a, 109b)이 형성된다.
도 5c를 참조하면, 게이트 전극(102) 및 반도체층(104)을 포함하는 기판(100)상에는 PECVD 등의 증착 방법을 통해 제 1 보호막(1)이 형성된다. 제 1 보호막에는 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 소스/드레인 영역(109a,109b)을 노출하도록 콘택홀(113)이 형성된다.
도 5d를 참조하면, 스퍼터링 등의 방법을 통해 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 형성하는 금속층이 증착된다. 소스/드레인 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 텅스텐(MoW), 구리(Cu) 등으로 이용된다. 이 소스/드레인 금속층이 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 소스 전극(110), 드레인 전극(108)을 포함하는 소스/드레인 전극 패턴이 형성된다.
도 5e를 참조하면, 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 포함하는 제 1 보호막(112) 상에는 콘택홀(122)을 포함하는 제 2 보호막(114)이 증착된다. 이 때 제 2 보호막(114)은 아크릴 등과 같은 유기 절연 물질이 스핀 코팅(Spin Coating), 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 그리고 제 2 보호막(114)에는 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 드레인 전극(108)을 노출하는 콘택홀(122)이 형성된다.
도 5f를 참조하면, 제 2 보호막(114) 상에는 제 1 전극(116)이 형성된다.
구체적으로, 제 1 전극(116)은 제 2 보호막(114) 상에 알루미늄(Al)과 같은 불투명한 도전 물질 또는 ITO와 같은 투명 도전 물질이 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 형성될 수 있다. 제 1 전극(116)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 컨택홀(122)을 통해 접속된다.
도 5g를 참조하면, 제 1 전극(116) 상에는 제 1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 개구부(133)가 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된다.
구체적으로, 제 1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 감광성 유기 절연 물질이 전면 도포됨으로써 뱅크 절연막(124)이 형성된다. 이러한 뱅크 절연막(124)을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 제 1 전극(122)을 노출시키는 개구부(133)가 형성된다.
뱅크 절연막(124) 및 개구부(133) 상에는 뱅크 절연막(124)과 동일하게 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 감광성 유기 절연 물질이 전면 도포되어 스페이서를 형성하기 위한 유기 절연층이 형성된다. 상기 유기 절연층을 포토리소그래피 공정 및 패터닝 공정으로 패터닝함으로써 역 스페이서(126)을 형성한다.
상기 역 스페이서는 앞서 언급한 바와 같이, 유기 발광 표시 패널의 정면에서 바라본 경우 바(Bar)형태로서, 본 발명의 제 1 또는 제 2 실시예에서 개시한 것과 동일한 형태로 형성된다. 그에 따라 상기 역 스페이서(126)는 제 1 내지 제 4 역 스페이서(126a, 126b, 126c, 126d)를 포함할 수 있다.
이 때 역 스페이서(126)를 형성하기 위해 유기 절연층에 대하여 프리 베이킹 공정, 포토 리소그래피 및 패터닝 공정, 하드 베이킹 공정 및 식각 공정을 순차적으로 진행함으로써 상기 역 스페이서(126)의 형태가 역 사다리꼴 형태가 되도록 역스페이서(126)의 경사도(Taper)를 조절할 수 있다.
도 5h를 참조하면, 개구부(133)가 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된 기판(101) 상에 유기층(126), 제 2 전극(128)이 순차적으로 형성된다.
구체적으로, 제 1 전극(116) 상에는 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 발광층, 정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)이 포함된 유기층(118)이 열증착 방법, 스퍼터링 방법 또는 그의 조합 방법으로 형성된다.
이후, 유기층(118)이 형성된 기판(100) 상에 제 2 전극(120)이 형성된다.
제 2 전극(120)은 유기층(118)과 동일한 방법으로 투명 도전 물질이나 금속 물질을 이용하여 적어도 1층 구조로 형성되거나 투명 도전 물질 및 금속 물질을 이용하여 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 5i를 참조하면, 제 2 전극(120)의 상부에는 배리어층(130)이 형성된다. 배리어층(130)은 적어도 하나의 무기막(127)과 유기막(129)이 교차되어 적층되는 구조를 가지며, ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
배리어층(130)상부에는 상부 기판(미도시)이 더 포함될 수 있으나, 상부 기판이 구비되지 않아도 무방하다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기와 같이 형성된 본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널은 폴더블 디스플레이로 구현이 가능하며, 폴딩시에 유기층(118)의 박리를 방지하는 효과를 가진다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 101: 버퍼
102: 게이트 전극 104: 반도체층
106: 게이트 절연막 108: 드레인 전극
109a, 109b: 소스, 드레인 영역 110: 소스 전극
112: 제 1 보호막 114: 제 2 보호막

Claims (11)

  1. 기판상에 위치하는 복수의 제 1 전극과,
    상기 제 1 전극이 구비된 기판상에 제 1 전극을 노출시키는 개구부가 포함된 뱅크 절연막과,
    상기 뱅크 절연막 상에 위치하고, 그 수직 단면이 사다리꼴이며, 정면에서 바라보았을 때 바(Bar)형태 또는 도트 형태를 갖는 복수의 역 스페이서와,
    상기 개구부를 통해 노출된 제 1 전극과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 역 스페이서의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과,
    상기 뱅크 절연막 및 상기 유기층을 포함하는 기판 전면에 위치하는 제 2 전극을 포함하고,
    상기 복수의 역 스페이서는 장축이 제1대각선 방향을 향하는 바 형태의 복수의 제 1 역 스페이서와 상기 제1대각선 방향과 다른 제2대각선 방향으로 배열된 바 형태의 복수의 제 2 역 스페이서를 포함하는 유기 발광 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구부는 다이아몬드 형태를 가지며,
    세로 방향으로 인접한 개구부들은 서로에 대하여 상기 개구부의 폭만큼 쉬프트되도록 배열되는 유기 발광 표시 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 역 스페이서는
    상기 쉬프트되어 배열된 개구부들 사이에 위치하는 유기 발광 표시 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 역 스페이서 각각 또는 상기 제 2 역 스페이서 각각은
    이들의 교차점에서 불연속적으로 배치된 유기 발광 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 역 스페이서가 교차점에서 불연속적으로 형성되는 경우, 상기 제2역 스페이서는 인접한 교차점에서 불연속적으로 형성되고,
    상기 제 2 역 스페이서가 교차점에서 불연속적으로 형성되는 경우, 상기 제1역 스페이서는 인접한 교차점에서 불연속적으로 형성되는 유기 발광 표시 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 역 스페이서와 상기 제 2 역 스페이서는
    연속 영역과 상기 연속 영역에 대해 교대로 배치된 불연속 영역을 포함하는 유기 발광 표시 패널.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 각 불연속 영역의 일부 영역에 위치하며, 표시패널의 전면에서 볼 때 도트 형태를 갖는 스페이서를 더 포함하는 유기 발광 표시 패널.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 전극의 전류 패스는
    상기 불연속 영역을 통해 형성되는 유기 발광 표시 패널.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 역 스페이서들은
    적어도 하나의 절곡부를 포함하는 유기 발광 표시 패널.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층을 포함하는 유기층은
    상기 역 스페이서의 상부에 각각 형성되는 유기 발광 표시 패널.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층을 포함하는 유기층은
    상기 역 스페이서의 측면에 각각 형성되는 유기 발광 표시 패널.
KR1020230038584A 2015-12-31 2023-03-24 유기 발광 표시 패널 KR20230044996A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230038584A KR20230044996A (ko) 2015-12-31 2023-03-24 유기 발광 표시 패널

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191573A KR102515628B1 (ko) 2015-12-31 2015-12-31 유기 발광 표시 패널
KR1020230038584A KR20230044996A (ko) 2015-12-31 2023-03-24 유기 발광 표시 패널

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191573A Division KR102515628B1 (ko) 2015-12-31 2015-12-31 유기 발광 표시 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230044996A true KR20230044996A (ko) 2023-04-04

Family

ID=59069336

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191573A KR102515628B1 (ko) 2015-12-31 2015-12-31 유기 발광 표시 패널
KR1020230038584A KR20230044996A (ko) 2015-12-31 2023-03-24 유기 발광 표시 패널

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191573A KR102515628B1 (ko) 2015-12-31 2015-12-31 유기 발광 표시 패널

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9871085B2 (ko)
KR (2) KR102515628B1 (ko)
CN (2) CN106935630B (ko)
DE (1) DE102016125957B4 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11448807B2 (en) 2016-02-18 2022-09-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
US10854684B2 (en) 2016-02-18 2020-12-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device
US11747531B2 (en) 2016-02-18 2023-09-05 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
US11233096B2 (en) 2016-02-18 2022-01-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device
CN110137213A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构及其显示方法、显示基板
CN110133899A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、显示基板、显示装置
US11264430B2 (en) 2016-02-18 2022-03-01 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel arrangement structure with misaligned repeating units, display substrate, display apparatus and method of fabrication thereof
CN110134353B (zh) 2018-02-09 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 颜色补偿方法、补偿装置以及显示装置
US11574960B2 (en) 2018-02-09 2023-02-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure, display substrate, display device and mask plate group
CN115542617A (zh) 2018-02-09 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR102527231B1 (ko) * 2018-02-14 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110581145B (zh) * 2018-06-11 2022-08-16 云谷(固安)科技有限公司 显示屏及显示装置
CN109103217B (zh) * 2018-07-30 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled面板以及显示装置
KR102630570B1 (ko) * 2018-09-28 2024-01-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200051150A (ko) * 2018-11-05 2020-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102607212B1 (ko) * 2018-11-22 2023-11-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN112673475B (zh) 2019-07-31 2024-07-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110689813B (zh) * 2019-11-20 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 支撑结构及显示装置
CN111755622B (zh) * 2020-06-17 2021-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20220000605A (ko) * 2020-06-26 2022-01-04 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100191573B1 (ko) 1996-08-30 1999-06-15 정몽규 수동 변속 조작기구
JP3910864B2 (ja) * 2002-03-04 2007-04-25 ローム株式会社 有機el表示パネルおよびその製造方法
TWI272872B (en) * 2002-12-13 2007-02-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
TWI231401B (en) * 2004-02-13 2005-04-21 Young Optics Inc Projection method for display
GB0517195D0 (en) * 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
KR100770259B1 (ko) * 2006-02-28 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자
US8022621B2 (en) * 2008-07-31 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP5791514B2 (ja) * 2009-11-17 2015-10-07 ユニファイド イノヴェイティヴ テクノロジー, エルエルシー 有機elディスプレイ
DE102011053000B4 (de) * 2010-08-27 2017-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organische elektrolumineszente Vorrichtung
KR101776044B1 (ko) * 2010-11-02 2017-09-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
KR101933952B1 (ko) * 2011-07-01 2018-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
KR101415684B1 (ko) * 2011-07-07 2014-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
JP6082907B2 (ja) * 2012-02-17 2017-02-22 株式会社Joled 表示装置及び表示装置の製造方法
KR101955621B1 (ko) * 2012-09-21 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
KR20150061921A (ko) * 2013-11-28 2015-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102193091B1 (ko) * 2014-05-22 2020-12-21 엘지디스플레이 주식회사 낮은 반사율을 갖는 블랙 매트릭스를 구비한 평판 표시장치 및 그 제조 방법
KR102280162B1 (ko) * 2014-08-31 2021-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널
CN104377229B (zh) * 2014-09-30 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置
KR102414593B1 (ko) * 2015-12-30 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016125957B4 (de) 2021-02-25
DE102016125957A1 (de) 2017-07-06
CN112271194A (zh) 2021-01-26
US20170194399A1 (en) 2017-07-06
KR102515628B1 (ko) 2023-03-29
CN106935630B (zh) 2020-11-06
US9871085B2 (en) 2018-01-16
CN106935630A (zh) 2017-07-07
KR20170080249A (ko) 2017-07-10
CN112271194B (zh) 2024-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102515628B1 (ko) 유기 발광 표시 패널
KR102656232B1 (ko) 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
JP4365364B2 (ja) 有機電界発光素子およびその製造方法
KR102584253B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN100590880C (zh) 透射型有机电致发光显示器件及其制造方法
KR102623201B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR102578834B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20190047235A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20050046341A1 (en) OLED display and method for manufacturing thereof
US8963420B2 (en) Organic electro-luminescence display panel for preventing the display panel from degrading and a method for fabricating the same
KR20150075017A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 리페어 방법
CN112753064B (zh) 显示装置
JP2020080224A (ja) 表示装置、及びその製造方法
KR20110023996A (ko) 유기전계발광 표시장치
US7671530B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
KR101560233B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101352121B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR102513510B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102420487B1 (ko) 발광 표시 패널
KR102648412B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN111293141A (zh) 有机发光显示装置
KR100899158B1 (ko) 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법
KR20130031099A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
CN111312757A (zh) 有机发光显示装置
KR20070071904A (ko) 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal