KR20230026803A - 배가스 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배가스 유입부, 상기 배가스와 반응하는 반응물이 유입되는 반응물 유입부, 상기 배가스 및 반응물이 반응하는 반응부; 및 반응부에 산화제를 공급하는 산화제 공급부를 포함하는 반응기; 상기 반응기로부터 배출되는 가스에 세정액을 분사하여 가스를 세정하고, 분사된 세정액이 저장되는 세정조; 및 상기 세정조로부터 배출되는 가스가 유입되며, 세정액을 분사하여 가스를 세정하는 세정부 및 세정부에서 세정된 가스가 배출되는 가스 배출부를 구비하는 스크러버;를 포함하는 배가스 처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반도체, 디스플레이, 배터리 및 태양전지 등 다양한 전자부품 제조설비에서 배출되는 배가스 중 질소산화물을 제거하기 위해, 각각의 POU 스크러버에서 배출되는 배가스를 모아 미들 스크러버 및 대형 습식 스크러버에서 질소산화물을 처리하는 종래의 방식과 비교하여, POU 스크러버인 배가스 처리장치에서 질소산화물을 처리함으로써 POU 스크러버 이후, 미들 스크러버 및 대형 습식 스크러버의 부피, 이를 설치하기 위한 부지 등을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 투자비용 및 운전비용을 절감하여, 경제성을 확보할 수 있는 효과가 있다.

Description

배가스 처리장치 {EXHAUST GAS TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 배가스 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전자제품 제조 공정 장치의 후단에 개별적으로 설치될 수 있고, 배가스에 포함된 과불화 화합물 등의 유해가스와 질소산화물(NOx)을 효율적으로 저감할 수 있는 POU(Point of Use) 배가스 처리장치에 관한 것이다.
전자제품은 다양한 공정을 거쳐 제조되며, 예를 들어, 반도체는 회로 설계, 마스크 제작, 노광, 식각, 확산, 박막, 세정, 연마 등 다양한 제조 공정을 통해 제조된다. 반도체 제조 공정 중 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition), 식각(etching) 및 세정공정(cleaning) 등에서 사용되는 공정 가스 및 세정 가스에 의해 각 공정 장치에서는 각종 유독성, 부식성 및 산화성이 강한 유해가스와 입자상 물질을 포함하는 배가스가 생성되어 배출된다. 이와 같은 배가스는 지구 온난화에 크게 영향을 미치기 때문에 이러한 유해가스를 최대한 처리한 후 배출시킬 필요가 있다.
상기와 같이, 전자제품 제조 공정에서 발생하는 유해 가스를 처리하기 위해, 각 공정 장치의 바로 후단에 설치되는 1차 스크러버인 POU 스크러버, 각각의 상기 POU 스크러버에서 배출되는 가스를 모아서 처리하는 미들 스크러버(middle wet scrubber) 및 대형 습식 스크러버 및 전기집진장치를 건물의 옥상 등 외부에 설치하여, 상기 미들 스크러버로부터 배출되는 가스를 처리하고 있다.
도 1은 전자제품 제조 공정에서 발생하는 유해 가스를 처리하기 위해, 각 공정 장치의 바로 후단에 설치되는 1차 스크러버인 POU 스크러버를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래의 POU 스크러버는 화학기상증착, 식각 및 세정공정 등의 각 공정 장치로부터 배출되는 배가스가 배가스 유입부(10)로 유입되고, POU 스크러버의 종류에 따라 다양한 반응물이 반응물 유입부(11)를 통해 유입된다. 배가스 유입부(10)로 유입된 배가스는 반응물 유입부(11)에서 공급되는 반응물과 반응부(20)에서 반응하여, 과불화 화합물이 분해된다. 이때, 분해 생성물인 불소(F)성분이 물과 반응하여 불산(HF)이 생성되고, 질소의 일부가 산소와 반응하여 일산화질소(NO) 및 이산화질소(NO2) 등의 질소산화물(NOx)이 생성된다.
반응부(20)에서 배출되는 가스는 세정조(30)로 유입된다. 세정조의 세정액 분사부(33)에서 분사되는 세정액에 불산가스가 용해되어 1차로 제거된 후, 용해되지 않은 불산가스는 습식 스크러버(40)로 유입되어 세정액 스크러버 분사부(42)에서 분사되는 순환수에 의해 습식 컬럼부(41)에서 불산가스가 추가로 제거 된 후 가스 배출부(43)을 통해 배출된다.
상기와 같은 1차 스크러버는 고농도의 과불화합물(PFCs)등을 일차적으로 처리할 뿐, 질소산화물(NOx) 및 황산화물(SOx)를 포함하는 각종 유해가스 및 입자상 물질을 포함하는 배가스는 POU 스크러버를 통해 배출되어, 이를 정화하기 위한 별도의 시설인 미들 스크러버가 필수적으로 요구된다.
또한, 이와 같은 처리 기술은 배가스 중 질소산화물을 처리하는 미들 스크러버 및 대형 습식 스크러버의 크기가 너무 크고, 전자부품 제조설비의 각 공정장치가 추가될 경우 대형 습식 스크러버를 추가로 설치해야 하므로, 운용이 불편하며 경제적으로 불리한 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 실정을 감안하여 안출된 것으로, 반도체, 디스플레이, 배터리 및 태양전지 등 다양한 전자부품 제조설비의 각 공정장치 바로 후단에 개별적으로 설치되어, 배가스에 포함된 과불화 화합물 등의 유해가스뿐만 아니라, 질소산화물을 효율적으로 처리할 수 있는 배가스 처리장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 배가스 유입부, 상기 배가스와 반응하는 반응물이 유입되는 반응물 유입부, 상기 배가스 및 반응물이 반응하는 반응부; 및 반응부에 산화제를 공급하는 산화제 공급부를 포함하는 반응기; 상기 반응기로부터 배출되는 가스에 세정액을 분사하여 가스를 세정하고, 분사된 세정액이 저장되는 세정조; 및 상기 세정조로부터 배출되는 가스가 유입되며, 세정액을 분사하여 가스를 세정하는 세정부 및 세정부에서 세정된 가스가 배출되는 가스 배출부를 구비하는 스크러버;를 포함하는 배가스 처리장치가 제공된다.
상기 배가스는 전자제품 제조공정에서 배출되는 배가스일 수 있다.
상기 배가스는 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함할 수 있다.
상기 반응물은 LNG, 산소, 질소, 공기 및 물로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 산화제 공급부는 반응기 내부 온도가 100 내지 300℃인 위치에 구비될 수 있다.
산화제를 저장하며, 상기 산화제 공급부로 산화제를 공급하는 산화제 저장부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 산화제는 아염소산나트륨(NaClO2) 및 이산화염소(ClO2)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하는 세정액 공급 펌프, 상기 산화제와 혼합되는 세정액의 유량을 제어하는 세정액 유량제어기 및 열전대를 포함할 수 있다.
상기 산화제는 세정조의 세정액과 혼합되어 반응부로 공급될 수 있다.
상기 산화제는 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하는 라인 후단에서, 세정액과 혼합되어 반응부로 공급될 수 있다.
상기 가스 배출부로부터 배출되는 가스의 질소산화물 농도를 측정하는 질소산화물 농도 측정부; 및 상기 측정된 질소산화물 농도에 기초하여 산화제의 투입량을 제어하는 제어부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 세정액은 pH가 5이하일 수 있다.
상기 세정조는 pH 감지 센서, 수위 감지 센서 및 유량 제어밸브를 포함할 수 있다.
상기 스크러버는 복수개의 세정부를 포함할 수 있다.
상기 스크러버의 세정액은 세정조로부터 공급된 것일 수 있다.
상기 스크러버에서 사용된 세정액은 세정조로 유입되는 것일 수 있다.
상기 배가스 처리장치는 전자제품 제조 공정 장치의 후단에 배치되는 것일 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체, 디스플레이, 배터리 및 태양전지 등 다양한 전자부품 제조설비에서 배출되는 배가스 중 질소산화물을 제거하기 위해, 각각의 POU 스크러버에서 배출되는 배가스를 모아, 미들 스크러버 및 대형 습식 스크러버에서 질소산화물을 처리하는 종래의 방식과 비교하여 POU 스크러버인 배가스 처리장치에서 질소산화물을 처리함으로써, POU 스크러버 이후, 미들 스크러버 및 대형 습식 스크러버의 부피, 이를 설치하기 위한 부지 등을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 투자비용 및 운전비용을 절감하여, 경제성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 POU 스크러버를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 배가스 처리장치를 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 다양한 실시예를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 배가스 처리장치에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 배가스 처리장치를 개략적으로 나타낸 것으로, 이하 도 1을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 배가스 유입부, 상기 배가스와 반응하는 반응물이 유입되는 반응물 유입부, 상기 배가스 및 반응물이 반응하는 반응부; 및 반응부에 산화제를 공급하는 산화제 공급부를 포함하는 반응기; 상기 반응기로부터 배출되는 가스에 세정액을 분사하여 가스를 세정하고, 분사된 세정액이 저장되는 세정조; 및 상기 세정조로부터 배출되는 가스가 유입되며, 세정액을 분사하여 가스를 세정하는 세정부 및 세정부에서 세정된 가스가 배출되는 가스 배출부를 구비하는 스크러버;를 포함하는 배가스 처리장치가 제공된다.
상기 배가스는 전자제품 제조공정에서 배출되는 배가스일 수 있으며, 예를 들어, 화학기상증착, 식각공정 및 세정공정 등의 각각의 공정 장치에서 직접 배출되는 것일 수 있다.
상기 배가스에는 CF4, C2F6, C3F8, NF3, SF6, CHF3 및 CH3F 등의 과불화 화합물이 포함되어 있을 수 있으며, 이외에도 SiH4, Si(OC2H5)4, SiF4, NH3, N2O, BCl3, PH3, AsH3, TiCl4, ClF3, H2, F2, HF, BF3 및 HCl 등 다양한 조성의 가스들이 혼합되어 있을 수 있다.
반응물 유입부를 통해 유입되는 반응물은 과불화 화합물 분해 방식에 따라, LNG, 산소, 질소, 공기 및 물로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 반응부에서는 열분해 방식(heat type), 직접 또는 간접 가열 소각 방식(burn type) 또는 플라즈마 방식(plasma type)으로 배가스와 반응물의 반응을 유도하여, 배가스에 포함된 과불화 화합물의 분해가 발생할 수 있다. 이때, 과불화 화합물의 분해 생성물인 불소(F)성분이 물과 반응하여 불산(HF)이 생성되고, 질소의 일부가 산소와 반응하여 일산화질소(NO) 및 이산화질소(NO2) 등의 질소산화물(NOx)이 생성될 수 있다. 한편, 배가스와 반응물의 반응을 위해 상기에서 언급한 방식에 따라, 플라즈마 유도 장치, 버너 등이 추가로 구비될 수 있으며, 이는 통상의 기술자에게 자명한 것이므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 배가스 처리장치는 상기 반응부에 산화제를 공급하는 산화제 공급부를 포함할 수 있다. 산화제는 질소산화물과 반응하여 질소산화물을 제거할 수 있으며, 상기 산화제 공급부는 특별하게 한정되지 않으나, 예를 들어 하나 이상의 노즐 형태로 이루어져 있을 수 있다.
상기 산화제 공급부는 반응기 내부 온도가 100 내지 300℃인 위치에 구비되는 것이 바람직하다. 반응기 내부 온도가 100 내지 300℃인 위치에 산화제 공급부가 설치되는 경우, 산화제가 반응부에 분사된 후 기체로의 증발이 용이한 장점이 있다.
특별하게 한정하는 것은 아니나, 상기 산화제는 아염소산나트륨(NaClO2) 및 이산화염소(ClO2)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 산화제가 아염소산나트륨 또는 이산화염소인 경우, 예를 들어, 하기와 같은 반응에 의해 질소산화물이 제거될 수 있다.
2NO + NaClO2 → 2NO2 + NaCl
5NO + 2ClO2 + H2O → 5NO2 + 2HCl
5NO2 + ClO2 + 3H2O → 5HNO3 + HCl
본 발명에 따른 배가스 처리장치는 상기 산화제를 저장하며, 산화제 공급부로 산화제를 공급하는 산화제 저장부를 추가로 포함할 수 있다. 도 2에 예시된 바와 같이, 산화제 저장부의 산화제는 펌프 등의 수단을 통해, 산화제 공급장치와 연결된 라인(line)을 따라 이송되어 반응부로 산화제를 투입할 수 있다.
한편, 상기 산화제는 세정조의 세정액과 혼합되어 반응부로 공급될 수 있다. 바람직하게는, 산화제는 세정액 공급 펌프와 세정액 분사부 사이의 위치에서 혼합되어 분사될 수 있으며, 구체적으로는, 산화제 공급부로부터 공급되는 산화제는 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하는 라인 후단에서 세정액과 혼합되어 반응부로 공급될 수 있다. 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하는 라인 후단에서 상기 산화제와 세정액이 혼합되는 경우, 상대적으로 세정액의 양이 적어져, 산화제의 농도가 높아지므로, 질소산화물 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
한편, 산화제와 세정액의 혼합비율은 특별하게 한정되지 않는다. 산화제의 비율이 높을수록 산화력이 높아지는 반면, 운전비용이 증가하는 문제가 있으므로, 배가스의 종류 등에 따라, 적절한 혼합비율로 운전될 수 있다. 다만, 예를 들어, 적절한 혼합비율을 도출하기 위해, 산화환원전위 계측기(Oxidation-Reduction Potential(ORP) meter)에 의하여 산화력을 측정하고, 설정된 값에 맞추어 산화제와 세정액의 혼합비율을 제어하는 방식으로 운전될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 배가스 처리장치는 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하기 위한 수단으로 세정액 공급 펌프를 포함할 수 있으며, 세정액은 산화제 공급부와 세정조를 연결하는 라인을 통하여, 산화제 공급부로 공급될 수 있다.
한편, 산화제와 혼합되는 세정액의 유량을 제어하기 위해 열전대를 추가로 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 산화제 공급부로 공급되는 세정액의 유량은 산화제 공급부의 하부에 설치된 열전대에서 측정된 온도가 설정된 온도로 유지되도록, 세정액 유량제어장치에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 열전대의 온도가 낮으면, 세정액의 유량을 줄이고 열전대의 온도가 높으면, 세정액의 유량을 높일 수 있는데, 세정액의 유량은 세정액 공급펌프의 RPM 조절에 의한 유량제어 및 세정액 유량제어기의 개도율 등을 조정하여 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 배가스 처리장치는 상기 스크러버의 가스 배출부로부터 배출되는 가스의 질소산화물 농도를 측정하는 질소산화물 농도 측정부; 및 상기 측정된 질소산화물 농도에 기초하여 산화제의 투입량을 제어하는 제어부를 추가로 포함할 수 있다. 이와 같이, 스크러버의 가스 배출부로부터 배출되는 가스의 질소산화물 농도를 측정하고 이를 기초로 산화제의 투입량을 제어함으로써, 약품의 적절한 투입량을 결정하여, 질소산화물 제거 효율을 향상시키고, 불필요한 약품의 낭비를 방지할 수 있는 효과가 있다.
세정조는 반응기로부터 배출되는 가스에 세정액을 분사하여 가스를 세정하고, 분사된 세정액을 저장하는 역할을 수행할 수 있다. 세정액의 분사 방식은 특별하게 한정되지 않으며, 예를 들어, 세정조 상부에 설치된 하나 이상의 노즐을 통해 분사될 수 있다. 이와 같이 노즐에서 분사되는 세정액에 불산가스가 용해되어 제거되며, 용해되지 않고 존재하는 불산가스는 후속하는 스크러버로 유입되어, 추가로 불산가스가 제거될 수 있다.
한편, 세정액으로는 특별하게 한정하는 것은 아니나, 예를 들어, 물이 사용될 수 있으며, 본 발명에서는 세정액의 순환으로 인해, 상기 세정액이 물, 불산 및 산화제를 포함할 수 있다.
세정조 내부에는 분사된 세정액이 수용되어 있으며, 상기 세정액은 상술한 바와 같이, 산화제 유입부로 공급되어 산화제와 혼합 후, 반응부에 투입될 수 있고, 후술하는 것과 같이, 스크러버의 세정부로 공급되어, 세정조에서 배출되는 가스를 추가로 세정할 수 있다.
한편, 상기 세정액은 pH가 5이하인 것이 바람직하다. 세정액의 pH가 5를초과하는 경우, 질소산화물의 제거효율이 열위해질 수 있다. 세정액의 pH를 5이하로 유지하기 위해, 상기 세정조는 pH 감지 센서, 수위 감지 센서 및 유량 제어밸브를 포함할 수 있으며, 이들의 상호 작용을 통해, 세정액의 pH를 5이하로 제어할 수 있다.
상기 세정조에서 배출되는 가스에 포함된 불화수소는 세정액을 분사하여 가스를 세정하는 세정부 및 세정부에서 세정된 가스가 배출되는 가스 배출부를 구비하는 스크러버로 유입되며, 세정부에서 추가로 세정되어 불화수소가 제거된 후, 가스 배출부를 통해 배출될 수 있다.
상기 세정부는 특별하게 한정하는 것은 아니나, 도 2에 도시된 바와 같이, 노즐 및 컬럼을 포함할 수 있으며, 상기 노즐 및 컬럼을 포함하는 세정부가 복수개 형성되어 있을 수 있다.
상기 스크러버의 세정액은 세정조로부터 공급된 것일 수 있으며, 또한, 상기 스크러버에서 사용된 세정액은 다시 세정조로 유입될 수 있다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 세정액의 재순환이 가능하므로, 배가스 처리장치 운전 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
한편, 본 발명에 따른 배가스 처리장치는 전자제품 제조 공정 장치의 후단에 배치되는 것일 수 있다. 보다 상세하게는, 전자제품 제조 공정 장치의 후단에 직접 연결되어 배가스를 처리할 수 있다. 질소산화물 제거를 위해 별도의 설비가 수반되는 종래 기술과는 달리, 본 발명에 따른 배가스 처리장치는 과불화 화합물뿐만 아니라, 질소산화물 또한, 동시에 제거할 수 있으므로, 투자비용 및 운전비용을 현저하게 저감할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10: 배가스 유입부 11: 반응물 유입부
20: 반응부 30: 세정조
31: 세정액 32: 세정액 배출부
33: 세정액 분사노즐 34: 세정액 공급 펌프
35: 세정액 유량제어기 41: 습식 컬럼
42: 스크러버 세정액 분사노즐 43: 가스 배출부
50: 산화제 저장조 51: 산화제
52: 산화제 공급펌프 53: 산화제 공급부
60: 질소산화물 농도 측정부 61: 열전대
62: pH 감지 센서 63: 수위 감지 센서
64: 세정액 배출유량 제어밸브 100: 반응기
200: 세정조 300: 스크러버
1000: 배가스 처리장치

Claims (17)

  1. 배가스 유입부, 상기 배가스와 반응하는 반응물이 유입되는 반응물 유입부, 상기 배가스 및 반응물이 반응하는 반응부; 및 반응부에 산화제를 공급하는 산화제 공급부를 포함하는 반응기;
    상기 반응기로부터 배출되는 가스에 세정액을 분사하여 가스를 세정하고, 분사된 세정액이 저장되는 세정조; 및
    상기 세정조로부터 배출되는 가스가 유입되며, 세정액을 분사하여 가스를 세정하는 세정부 및 세정부에서 세정된 가스가 배출되는 가스 배출부를 구비하는 스크러버;를 포함하는 배가스 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배가스는 전자제품 제조공정에서 배출되는 배가스인, 배가스 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배가스는 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함하는, 배가스 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반응물은 LNG, 산소, 질소, 공기 및 물로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 배가스 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화제 공급부는 반응기 내부 온도가 100 내지 300℃인 위치에 구비되는, 배가스 처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    산화제를 저장하며, 상기 산화제 공급부로 산화제를 공급하는 산화제 저장부를 추가로 포함하는, 배가스 처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 산화제는 아염소산나트륨(NaClO2) 및 이산화염소(ClO2)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 배가스 처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하기 위한 세정액 공급 펌프, 상기 산화제와 혼합되는 세정액의 유량을 제어하는 세정액 유량제어기 및 열전대를 포함하는, 배가스 처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 산화제는 세정조의 세정액과 혼합되어 반응부로 공급되는, 배가스 처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 산화제는 세정조의 세정액을 산화제 공급부로 이송하는 라인 후단에서, 세정액과 혼합되어 반응부로 공급되는, 배가스 처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 가스 배출부로부터 배출되는 가스의 질소산화물 농도를 측정하는 질소산화물 농도 측정부; 및 상기 측정된 질소산화물 농도에 기초하여 산화제의 투입량을 제어하는 제어부를 추가로 포함하는, 배가스 처리장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 세정액은 pH가 5이하인, 배가스 처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 세정조는 pH 감지 센서, 수위 감지 센서 및 유량 제어밸브를 포함하는, 배가스 처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 스크러버는 복수개의 세정부를 포함하는, 배가스 처리장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 스크러버의 세정액은 세정조로부터 공급되는, 배가스 처리장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 스크러버에서 사용된 세정액은 세정조로 유입되는, 배가스 처리장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 배가스 처리장치는 전자제품 제조 공정 장치의 후단에 배치되는, 배가스 처리장치.

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