KR20230021813A - 플레이트, 이를 포함하는 전자 장치 및 플레이트를 제작하는 방법 - Google Patents

플레이트, 이를 포함하는 전자 장치 및 플레이트를 제작하는 방법 Download PDF

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KR20230021813A
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전정연
최병희
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삼성전자주식회사
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Abstract

다양한 실시 예에 따르면, 플레이트는, 제1 부분; 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부를 포함하고, 상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분은 절삭 공정에 의하여 제거되고, 상기 제1 부분의 제거에 의하여 노출되는 제2 부분의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도와 상이할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.

Description

플레이트, 이를 포함하는 전자 장치 및 플레이트를 제작하는 방법{PLATE, ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE PLATE }
본 개시의 다양한 실시 예들은 플레이트에 관한 것으로, 예를 들면, 전자 장치에 포함된 플레이트에 관한 것이다.
대형 디스플레이를 탑재한 태블릿 PC 메탈 케이스 제조방식에 있어서, 태블릿 PC 메탈 케이스의 경우 대용량 배터리가 배치되며, 배터리 안착 면은 0.6~0.65mm 두께의 별도 구조물이 없는 박막의 면으로 제작될 수 있다. 이때, 0.6~0.65mm 메탈 케이스는 알루미늄 합금 소재를 사용하며, 기계가공 방식으로 제작될 수 있다.
이와 같이 알루미늄 합금을 기계가공 방식으로 제작하게 되면, 절삭 공정에서 발생되는 잔류응력과 기계 장치의 영향으로 발생되는 물리적 외력이 작용하여 변형이 발생할 수 있다. 기계 장치의 영향으로는 고정 장치의 배치 및 안착 구조, 크램핑의 힘, CNC장비의 정밀도 등이 있을 수 있다.
절삭 공정에서 발생하는 기계적 가공 하중, 절삭 공구와 가공물의 소재 간의 소성변형 및 마찰에서 발생된 많은 양의 절삭 열은 가공 표면에 불균일한 온도 분포를 초래하며, 그에 따라, 미세 구조 변화로 인한 열 응력 발생을 유발한다. 발생된 응력은 소재를 냉각시킨 후에도 잔존하게 되며, 이러한 잔류응력이 알루미늄 합금 소재의 항복응력을 초과하게 되면 소성거동을 하게 되어 소재에 변형이 발생된다. 일반적으로 잔류응력은 알루미늄 합금의 표면으로부터 약 500um 깊이까지 발생하기 때문에 0.6~0.65mm 두께의 박막으로 소재가 가공될 경우 변형에 더욱 취약한 구조이며, 잔류응력에 의한 변형은 쉽게 제어하기 힘들다.
절삭 가공 시뮬레이션 해석 결과, 절삭 공정에서 발생하는 열은 절삭 조건 제어 및 절삭유에 의한 냉각 작용에도 순간적으로 최대 400도까지 발생된다.
다양한 실시 예들은, 플레이트에 대한 절삭 공정에서 발생되는 열을 효과적으로 냉각시키고, 상기 플레이트의 일 면에서 발생될 수 있는 열 변형을 감소시킴으로써, 내구성이 향상된 플레이트 또는 이를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 플레이트는, 상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분(411); 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분(412); 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부(413)를 포함하고, 상기 가공부(413)는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도와 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 배터리 및 상기 배터리가 안착되는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는, 상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분(411); 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분(412); 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부(413)를 포함하고, 상기 가공부(413)는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도 보다 작을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 배터리 및 상기 배터리가 안착되는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는 실질적으로 평평하게 형성된 평면부(예, 제2 부분(412))를 포함하고, 상기 평면부는, 절삭 공정에 의하여 제1 표면조도를 지니도록 형성된 제1 면(예, 제2 부분의 일면(4121)) 및 상기 제1 면의 일 부분에 위치되고 상기 제1 표면조도보다 큰 제2 표면조도를 지니도록 형성된 제2 면(예, 제2 부분 상에 형성된 홈(4131))을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 플레이트의 일 면에 대하여 먼저 홈을 형성한 후 절삭 공정을 진행함으로써, 상기 플레이트의 일 면에서 발생되는 열을 효과적을 냉각시키고 열 변형의 발생을 감소시키고, 나아가, 플레이트의 내구성을 향상시킬 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트를 제조하는 방법을 개략적으로 도시하는 흐름도이다.
도 3은 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 하우징을 이루는 플레이트의 제1 면을 나타낸 도면이다.
도 4a는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 개략적으로 도시하는 정면도이다.
도 4b는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 상세히 도시하는 사시도이다.
도 4c는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 상세히 도시하는 단면도이다.
도 4d는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 대한 화학적 에칭 공정에 의하여 가공부의 표면조도의 변화되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4e은 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되는 모습을 나타낸 도면이다.
도 4f은 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 제작이 완성된 상태를 나타낸 도면이다.
도 5a는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 형성된 가공부의 일단의 다양한 형상을 나타낸 도면이다.
도 5b는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 제작이 완성된 상태에서의 다양한 가공부의 형상을 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 대한 절상 공정의 진행 방향의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 가공부가 X축 방향으로 연장되어 형성된 예시들을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 가공부가 Y축 방향으로 연장되어 형성된 예시들을 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 가공부가 대각선 방향으로 연장되어 형성된 예시들을 나타낸 도면이다.
도 10은 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 가공부가 방사상 방향으로 연장되어 형성된 예시를 나타낸 도면이다.
이하, 실시 예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트를 제조하는 방법을 개략적으로 도시하는 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 플레이트를 제조하는 방법은 플레이트 상에 가공부를 형성하는 동작(S210), 플레이트에 대하여 화학적 에칭 공정을 수행하는 동작(S220) 및 플레이트의 일면에 대하여 절삭 공정을 수행하는 동작(S230)을 포함할 수 있다. 여기서, 플레이트란 전자 장치 (예, 도 1의 전자 장치(101))의 하우징을 이루는 구성으로서 일면을 통하여 배터리 (예, 도1의 배터리(189))를 지지할 수 있다.
일 실시 예에 따른 플레이트를 제조하는 방법은, 플레이트 상에 가공부를 형성하는 동작(S210)이 플레이트의 일면에 대하여 절삭 공정을 수행하는 동작(S230) 보다 먼저 수행할 수 있다. 다시 말하면, 플레이트를 기 설정된 두께로 제조하기 위하여 절삭 공정을 수행하기 전에 먼저 플레이트의 일면에 가공부가 먼저 형성될 수 있다. 일 예로서 가공부는 홈의 형상으로 플레이트 상에 형성될 수 있다. 플레이트 상에 홈 형상의 가공부를 미리 형성한 상태에서 절삭 가공이 진행하게 되므로, 가공부가 냉각 채널로서 기능을 수행하고 배터리가 안착되는 플레이트의 일면의 열 변형을 감소시킬 수 있다.
도 3은 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치 (예, 도 1의 전자 장치(101)의 하우징(301)을 이루는 플레이트(310)의 제1 면 (예: 내면)을 나타낸 도면이다.
종래에는 전자 장치의 하우징을 이루고 배터리를 지지하는 플레이트의 일면 상에 별도의 가공부가 형성되지 않았으나, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 하우징(301)을 이루는 플레이트(310)의 제1 면 상에는 별도의 홈 형상의 가공부(313)가 형성될 수 있다.
이하에서는 도 4a 내지 도 4f를 참조하여 다양한 실시 예들에 따른 플레이트를 상세히 설명한다.
도 4a는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 개략적으로 도시하는 정면도이며, 도 4b는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 상세히 도시하는 사시도이고, 도 4c는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 가공부가 형성된 모습을 상세히 도시하는 단면도이다. 또한, 도 4d는 다양한 실시 예들에 따른 플레이트에 대한 화학적 에칭 공정에 의하여 가공부의 표면조도의 변화되는 과정을 나타낸 도면이며, 도 4e은 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되는 모습을 나타낸 도면이고, 도 4f은 다양한 실시 예들에 따른 플레이트의 제작이 완성된 상태를 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 플레이트(410, 예, 도 3의 하우징(301)의 플레이트(310))는, 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분(411), 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분(412) 및 제1 부분과 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부(413, 예, 도 3의 가공부(313))를 포함할 수 있다. 가공부(413)는 제1 부분(411)을 관통하고 제2 부분(412)의 일 부분에 홈을 형성할 수 있다. 여기서, 복수 개의 가공부(413)의 각각은 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 도 4a에는, 가공부(413)의 구성이 플레이트 상에 6개로 구성된 것으로 도시되나, 그 개수는 이에 제한되지 않음을 밝혀 둔다.
도 4c는 도 4a의 A방향에서 플레이트를 바라본 단면도로서 이를 참조하면, 제1 부분(411)과 제2 부분(412)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 플레이트(410)의 제1 부분(411)과 제2 부분(412)은 동일한 금속 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 플레이트(410)는 알루미늄, 스테인레스 스틸, 마그네슘 및/또는 상기 재료들 중 적어도 2종류의 재료들의 조합에 의해 형성될 수 있다.
제1 부분(411)은 후술할 절삭 공정에 의하여 수행될 부분이며, 제2 부분(412)은 상기 절삭 공정 후 남아 전자 장치의 하우징을 이루는 플레이트의 부분에 해당된다. 여기서, 제2 부분(412)의 두께는 약 0.6mm 내지 약 0.65mm로 형성될 수 있다. 다만, 제2 부분(412)의 두께가 반드시 이에 한정되는 것은 아님을 밝혀 둔다.
아울러, 일 실시 예에 따른 플레이트(410)의 제1 부분(411)을 관통하여 형성된 가공부(413)의 제1 너비(W1)는 약 4mm 이상으로 형성될 수 있으며, 플레이트(410)의 제2 부분(412) 상에 형성된 홈(4131)의 제2 너비(W2)는 약 1.5mm 이상으로 형성될 수 있다. 복수 개의 가공부(413)를 형성하기 위한 가공 시간이 과도하게 증가되는 것을 방지하기 위하여 상기와 같은 수치 범위를 고려할 수 있으며, 나아가, 가공부가 효과적인 냉각 채널의 기능을 수행하기 위하여 상기 수치 범위를 고려할 수 있다.
또한, 제2 부분(412)에 형성된 가공부(413)의 홈(4131)의 깊이(D)는 제2 부분(412)의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성될 수 있다. 일 예로서, 제2 부분(412)의 두께가 0.6mm로 형성될 경우, 제2 부분(412)에 형성된 가공부(413)의 홈(4131)의 깊이(D)는 0.3mm 이하로 형성될 수 있다.
나아가, 제2 부분(412)에 형성된 가공부(413)의 엣지(Edge) 부분은 제2 부분(412)의 일면 상에 안착되는 배터리와의 물리적으로 접촉되는 부분으로서 배터리의 안정성을 보장하기 위하여, 제2 부분(412)에 형성된 가공부(413)의 엣지 부분에 접하는 접선(L1)과 제2 부분(412)의 일면에 수평한 선(L2)이 이루는 각도(α)는 약 45ㅀ이내로 형성될 수 있다. 즉, 제2 부분(412)에 형성된 가공부(413)의 엣지(Edge) 부분이 과도하게 각진 형상으로 형성되는 것을 지양할 수 있다.
도 4d를 참조하면, 도 4d의 (A)와 같이 CNC 가공을 통하여 플레이트(410) 상에 적어도 하나의 가공부(413)를 형성할 수 있다. 이와 같이, CNC 가공을 통하여 형성된 가공부(41)의 내면의 표면조도는 Ra 0.25um 내지 Ra 0.32um의 범위 내에서 형성될 수 있다. 그 후, 도 4d의 (B)와 같이 플레이트(410)에 대하여 화학적 에칭 공정을 실시할 수 있다. 일 예로서, 플레이트(410) 상에 형성된 가공부(413)의 내면에 대하여 화학적 에칭 공정을 실시할 수 있다. 그 결과, 가공부(413)의 내면의 표면조도는 Ra 2.0um 이상으로 형성될 수 있다. 일 예로서 화학적 에칭 공정은 메탈 제조 공정에 포함되어 있는 T처리 또는 TRI 공정을 이용하여 실시될 수 있으며, 화학적 에칭 공정에 의하여 형성된 가공부의 내면의 요철 형상은 CNC 가공에 의하여 형성된 가공부의 표면 대비 2배 이상의 표면적을 가지게 되므로 냉각 작용이 보다 효과적으로 수행될 수 있다.
도 4e를 참조하면, 앞서 설명한 화학적 에칭 공정이 수행된 후 절삭 공구(420)를 이용한 절삭 공정에 의하여 플레이트(410)의 제1 부분(411)은 제거될 수 있다. 여기서, 제1 부분(411)에 대한 절삭 공정의 진행 경로(S)는 가공부(413)에 대하여 기울어진 방향으로 진행될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 가공부가 연장되는 방향과 나란하지 않도록 설정될 될 수 있다. 일 예로서, 제1 부분(411)에 대한 절삭 공정의 진행 경로(S)는 가공부(413)에 대하여 직교하는 방향으로 진행될 수 있다.
이러한 과정에서, 불연속적으로 이격되어 배치되는 복수 개의 가공부(413)는 절삭 공정 시 발생되는 열을 불연속적으로 단절시킴으로써 냉각 작용을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 가공부(413)는 절삭 공정 중에 공급될 수 있는 절삭유를 담수하여 플레이트에 대한 냉각 효율을 개선시킬 수 있음은 물론이다. 그 결과, 플레이트를 가공하는 과정에서 발생되는 휨 현상을 감소시킬 수 있으며, 플레이트 가공 과정에서 수반되었던 밴딩 공정을 제거함으로써 제품 생산의 수율 상승의 효과를 도출할 수 있다.
일 예로서, 상기 절삭 공정에 의하여 플레이트의 제1 부분은 제거되며, 도 4f와 같이, 플레이트(410)의 제2 부분(412)의 일면이 노출되게 되며, 가공부(413)는 제2 부분(412) 상에 형성된 홈 형상으로 잔존하게 된다. 여기서, 노출되는 제2 부분(412)의 일면(4121)의 제1 표면조도는 제2 부분 상에 형성된 가공부(413)의 홈(4131)의 내면의 제2 표면조도와 상이할 수 있다. 일 예로서, 가공부(413)의 홈(4131)의 내면의 제2 표면조도는 노출되는 제2 부분(412)의 일면(4121)의 제1 표면조도 보다 크도록 형성될 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 플레이트(510, 예, 도 3의 플레이트(310) 또는 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410)) 상에 형성된 가공부(513, 513', 513'', 도 3의 가공부(313) 또는 도 4a 내지 도 4f의 가공부(413))의 일단의 단면의 형상은 실질적으로 원형 또는 다각형으로 형성될 수 있다. 일 예로서, 가공부(513)의 일단의 단면은 실질적으로 원형인 형상으로 형성될 수 있다. 또 다른 일 예로서, 가공부(513')의 일단의 단면은 삼각형 형상으로 형성될 수 있다. 또 다른 일 예로서, 가공부(513'')의 일단의 단면은 사각형 이상의 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 그 결과, 절삭 공정 후 잔존하는 제2 부분(512, 예, 도 4a 내지 도 4f의 제2 부분(412))에 형성된 가공부(513, 513'. 513'')의 홈(5131, 5131'. 5131'')의 단면은 실질적으로 원형 또는 다각형으로 형성될 수 있다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 전술한 플레이트의 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(610, 예, 도 3의 플레이트(310), 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410) 또는 도 5a 및 도 5b의 플레이트(510)) 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향, 대각선 방향 또는 나선형 방향으로 진행될 수 있다.
일 예로서, 도 6a와 같이 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(610) 평면 상의 X축 방향을 따라 진행될 수 있거나, 도 6b와 같이 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(610) 평면 상의 Y축 방향을 따라 진행될 수 있다. 또 다른 일 예로서, 도 6c와 같이 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(610) 평면 상의 X축 또는 Y축에 대하여 기울어진 방향을 따라 진행될 수 있거나, 도 6d와 같이 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(610) 평면 상에서 나선형 방향으로 진행될 수 있다.
다만, 도 6c의 경우 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성될 수 있는 것으로 표현되었으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성될 수 있음은 물론이다. 아울러, 도 6d의 경우 플레이트(610)의 외측으로부터 내측을 향해 나선형 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성될 수 있는 것으로 표현되었으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플레이트(610)의 내측으로부터 외측을 향해 나선형 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성될 수 있음은 물론이다.
도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 가공부(713, 예, 도 3의 가공부(313) 또는 도 4a 내지 도 4f의 가공부(413))는 플레이트(710, 예, 도 3의 플레이트(310) 또는 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410))의 평면 상에서 X축 방향으로 연장될 수 있다.
여기서, 절삭 공정의 진행 경로(S)는, 도 7a와 같이 Y축 방향으로 형성되거나, 도 7b와 같이 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성되거나, 도 7c와 같이 X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 X축 방향으로 연장된 가공부(713)와 평행한 방향으로 형성되지 않을 수 있다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 가공부(813, 예, 도 3의 가공부(313) 또는 도 4a 내지 도 4f의 가공부(413))는 플레이트(810, 예, 도 3의 플레이트(310) 또는 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410))의 평면 상에서 Y축 방향으로 연장될 수 있다.
여기서, 절삭 공정의 진행 경로(S)는, 도 8a와 같이 X축 방향으로 형성되거나, 도 8b와 같이 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 절삭 공정의 진행 경로(S)가 형성되거나, 도 8c와 같이 X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 Y축 방향으로 연장된 가공부(813)와 평행한 방향으로 형성되지 않을 수 있다.
도 9a 내지 도 9f를 참조하면, 가공부(913, 예, 도 3의 가공부(313) 또는 도 4a 내지 도 4f의 가공부(413))는 플레이트(910, 예, 도 3의 플레이트(310) 또는 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410))상의 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향 또는 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 연장될 수 있다.
일 예로서, 도 9a 내지 도 9c와 같이, 가공부(913)는 플레이트(910) 상의 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향을 따라 연장될 수 있다.
여기서, 절삭 공정의 진행 경로(S)는, 도 9a와 같이 X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 형성되거나, 도 9 b와 같이 X축 방향으로 형성되거나, 도 9 c와 같이 Y축 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(910) 상의 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향을 따라 연장된 가공부(913)와 평행한 방향으로 형성되지 않을 수 있다.
또는, 일 예로서, 도 9d 내지 도 9f와 같이, 가공부(913)는 플레이트(910) 상의 X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향을 따라 연장될 수 있다.
여기서, 절삭 공정의 진행 경로(S)는, 도 9d와 같이 X축을 기준으로 +의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향으로 형성되거나, 도 9 e와 같이 X축 방향으로 형성되거나, 도 9 f와 같이 Y축 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(910) 상의 X축을 기준으로 -의 기울기 값을 지니도록 기울어진 방향을 따라 연장된 가공부(913)와 평행한 방향으로 형성되지 않을 수 있다.
도 10을 참조하면, 가공부(1013, 예, 도 3의 가공부(313) 또는 도 4a 내지 도 4f의 가공부(413))는 플레이트(1010, 예, 도 3의 플레이트(310) 또는 도 4a 내지 도 4f의 플레이트(410))의 평면 상에서 서로 교차되어 배치될 수 있다. 일 예로서, 복수 개의 가공부(1013)의 각각은 플레이트(1010)의 평면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치될 수 있다.
여기서, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(1010) 평면 상에서 나선형 방향으로 진행될 수 있다. 즉, 절삭 공정의 진행 경로(S)는 플레이트(1010) 상에서 방사상 방향으로 배치되는 각각의 가공부(1013)에 대하여 평행한 방향으로 형성되지 않을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 플레이트(410)는, 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분(411), 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분(412) 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부(413)를 포함하고, 상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도와 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제2 표면조도는 상기 제1 표면조도 보다 클 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 서로 교차되어 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는 상기 가공부에 대하여 기울어진 방향으로 진행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는 상기 가공부에 대하여 직교하는 방향으로 진행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향, 대각선 방향 또는 나선형 방향으로 진행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 동일한 물질로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분을 관통하여 형성된 상기 가공부의 너비는 약 4mm 이상일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제2 부분에 형성된 상기 가공부의 상기 홈의 깊이는 상기 제2 부분의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 가공부의 일단의 단면의 형상은 실질적으로 원형 또는 다각형으로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 가공부의 내면은 화학적 에칭 공정에 의하여 Ra 2.0um 이상의 표면조도를 지닐 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 배터리 및 상기 배터리가 안착되는 플레이트(410)를 포함하고, 상기 플레이트는, 상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분(411), 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분(412) 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부(413)를 포함하고, 상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도 보다 작을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치되고, 복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는, 상기 가공부에 대하여 기울어진 방향으로 진행되고, 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향, 대각선 방향 또는 나선형 방향으로 진행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분을 관통하여 형성된 상기 가공부의 너비는 약 4mm 이상일 수 있으며, 상기 제2 부분에 형성된 상기 가공부의 상기 홈의 깊이는 상기 제2 부분의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 배터리 및 상기 배터리가 배치되는 플레이트(410)(예: 제2 부분(412))를 포함하고, 상기 플레이트(410)는 복수의 홈을 포함하고, 상기 플레이트(410)의 제1 표면거칠기는 상기 복수의 홈의 내면의 제2 표면거칠기 보다 작게 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 플레이트를 제작하는 방법은, 플레이트 상에 가공부를 형성하는 동작, 상기 플레이트에 대하여 화학적 에칭 공정을 수행하는 동작 및 상기 플레이트의 일면에 대하여 절삭 공정을 수행하는 동작을 포함하고, 상기 플레이트는 상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분을 포함하고, 상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며, 상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도 보다 작을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 배터리 및 상기 배터리가 안착되는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는 실질적으로 평평하게 형성된 평면부(예, 제2 부분(412))를 포함하고, 상기 평면부는, 절삭 공정에 의하여 제1 표면조도를 지니도록 형성된 제1 면(예, 제2 부분의 일면(4121)) 및 상기 제1 면의 일 부분에 위치되고 상기 제1 표면조도보다 큰 제2 표면조도를 지니도록 형성된 제2 면(예, 제2 부분 상에 형성된 홈(4131))을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 면은 평면으로 형성되고, 상기 제2 면은 상기 평면부의 내측을 향하는 방향으로 만입된 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 면은 복수 개로 형성되어, 각각의 제2 면이 상기 제1 면 상에서 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 복수 개의 제2 면의 각각은, 상기 제1 면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성되거나, 상기 제1 면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제2 면의 깊이는 상기 평면부의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성되고, 상기 제2 표면조도는 Ra 2.0um 이상일 수 있다.
플레이트: 410
제1 부분: 411
제2 부분: 412
가공부: 413

Claims (20)

  1. 플레이트에 있어서,
    상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분;
    상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분; 및
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부;
    를 포함하고,
    상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며,
    상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도와 상이한, 플레이트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면조도는 상기 제1 표면조도 보다 큰, 플레이트.
  3. 제1항에 있어서,
    복수 개의 가공부의 각각은 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치되는, 플레이트.
  4. 제3항에 있어서,
    복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성되는, 플레이트.
  5. 제1항에 있어서,
    복수 개의 가공부의 각각은 서로 교차되어 배치되는, 플레이트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는, 상기 가공부에 대하여 기울어진 방향으로 진행되거나, 상기 가공부에 대하여 직교하는 방향으로 진행되는, 플레이트.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향, 대각선 방향 또는 나선형 방향으로 진행되는, 플레이트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 동일한 물질로 형성되는, 플레이트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분을 관통하여 형성된 상기 가공부의 너비는 약 4mm 이상이며,
    상기 제2 부분에 형성된 상기 가공부의 상기 홈의 깊이는 상기 제2 부분의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성되는, 플레이트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가공부의 일단의 단면의 형상은 실질적으로 원형 또는 다각형으로 형성되는, 플레이트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 가공부의 내면은 화학적 에칭 공정에 의하여 Ra 2.0um 이상의 표면조도를 지니는, 플레이트.
  12. 전자 장치에 있어서,
    배터리; 및
    상기 배터리가 안착되는 플레이트;
    를 포함하고,
    상기 플레이트는,
    상기 플레이트의 일 부분을 형성하는 제1 부분;
    상기 제1 부분의 일측에 배치되는 제2 부분; 및
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 형성되는 적어도 하나의 가공부;
    를 포함하고,
    상기 가공부는 상기 제1 부분을 관통하고 상기 제2 부분의 일 부분에 홈을 형성하며,
    상기 제1 부분에 대하여 절삭 공정이 수행되고, 상기 절삭 공정에 의하여 노출되는 상기 플레이트의 일면의 제1 표면조도는 상기 제2 부분 상에 형성된 상기 홈의 내면의 제2 표면조도 보다 작은, 전자장치.
  13. 제12항에 있어서,
    복수 개의 가공부의 각각은 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치되고,
    복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성되는, 전자장치.
  14. 제12항에 있어서,
    복수 개의 가공부의 각각은 상기 플레이트의 평면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치되는, 전자장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 부분에 대한 절삭 공정의 진행 경로는, 상기 가공부에 대하여 기울어진 방향으로 진행되고, 상기 플레이트의 평면 상에서 X축 방향, Y축 방향, 대각선 방향 또는 나선형 방향으로 진행되는, 전자장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 부분을 관통하여 형성된 상기 가공부의 너비는 약 4mm 이상이며,
    상기 제2 부분에 형성된 상기 가공부의 상기 홈의 깊이는 상기 제2 부분의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성되는, 전자장치.
  17. 전자 장치에 있어서,
    배터리; 및
    상기 배터리가 안착되는 플레이트;
    를 포함하고,
    상기 플레이트는 실질적으로 평평하게 형성된 평면부를 포함하고,
    상기 평면부는,
    절삭 공정에 의하여 제1 표면조도를 지니도록 형성된 제1 면; 및
    상기 제1 면의 일 부분에 위치되고 상기 제1 표면조도보다 큰 제2 표면조도를 지니도록 형성된 제2 면;
    을 포함하는, 전자장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 면은 평면으로 형성되고, 상기 제2 면은 상기 평면부의 내측을 향하는 방향으로 만입된 형상으로 형성될 수 있으며,
    상기 제2 면은 복수 개로 형성되어, 각각의 제2 면이 상기 제1 면 상에서 기 설정된 거리로 서로 이격되어 배치되는, 전자장치.
  19. 제18항에 있어서,
    복수 개의 제2 면의 각각은, 상기 제1 면 상에서 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향으로 연장되어 형성되거나, 상기 제1 면의 일 지점에서 서로 교차하면서 방사상 방향으로 배치되는, 전자장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제2 면의 깊이는 상기 평면부의 두께의 약 1/2 보다 얕도록 형성되고,
    상기 제2 표면조도는 Ra 2.0um 이상인, 전자장치.
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