KR20230018630A - 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법 - Google Patents

전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법 Download PDF

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Abstract

본 문서에 개시되는 일 실시예에 따른 전자 장치는, 적어도 하나의 신호 단자들을 포함하는 커넥터, 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 식별 회로, 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 스위칭 회로, 배터리, 메모리 및 상기 식별 회로, 상기 스위칭 회로, 상기 배터리 및 상기 메모리와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 메모리는, 실행 시, 상기 프로세서가, 상기 식별 회로를 이용하여, 외부 전자 장치가 상기 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하고, 상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전(discharge)시키고, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 상기 배터리에 기반한 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하도록 하는 인스트럭션들을 저장할 수 있다.
이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시예가 가능할 수 있다.

Description

전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법{ELECTRONIC DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법과 관련된다.
메모리 또는 전력과 같은 자원(resource)의 확장 요구가 증가함에 따라서, 둘 이상의 전자 장치들이 연결되는 경우가 증가하고 있다. 전자 장치는 다양한 외부 전자 장치들과 연결될 수 있으며, 외부 전자 장치로부터 데이터를 수신하거나, 외부 전자 장치로 데이터를 전송할 수 있다. 또한, 전자 장치는 외부 전자 장치로부터 전력을 수신하거나, 외부 전자 장치로 전력을 전송할 수 있다.
전자 장치는 외부 전자 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 전자 장치는 전자 장치로부터 수신한 전원 전압을 이용하여 고전압을 생성하고, 생성된 고전압을 전자 장치에 인가하여 전자 장치 내부의 구성요소가 소손되는 문제점이 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시예들은, 외부 전자 장치와 연결된 적어도 하나의 신호 단자들을 방전 회로에 연결한 후, 상기 적어도 하나의 신호 단자들의 전압 레벨에 기초하여 외부 전자 장치에 전원 전압의 출력 여부를 결정할 수 있는 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 적어도 하나의 신호 단자들을 포함하는 커넥터, 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 식별 회로, 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 스위칭 회로, 배터리, 메모리 및 상기 식별 회로, 상기 스위칭 회로, 상기 배터리 및 상기 메모리와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 메모리는, 실행 시, 상기 프로세서가, 상기 식별 회로를 이용하여, 외부 전자 장치가 상기 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하고, 상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전(discharge)시키고, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 상기 배터리에 기반한 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하도록 하는 인스트럭션들을 저장할 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 외부 전자 장치가 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하는 동작, 상기 커넥터에 포함된 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전시키는 동작 및 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들에 따르면, 외부 전자 장치와 연결된 적어도 하나의 신호 단자들을 방전 회로에 연결한 후, 상기 적어도 하나의 신호 단자들의 전압 레벨에 기초하여 외부 전자 장치에 전원 전압의 출력 여부를 결정할 수 있는 전자 장치를 제공할 수 있다.
이외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 블록도 및 외부 전자 장치의 블록도이다.
도 4는 다양한 실시예에 따른, 외부 전자 장치에 포함된 고전압 생성 회로를 예시적으로 도시한다.
도 5는 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
도 6은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
도 7은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
도 8은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나 와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(201)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 커넥터(210)(예: 도 1의 연결 단자(178)), 식별 회로(220), 스위칭 회로(230), 메모리(240)(예: 도 1의 메모리(130)), 프로세서(250)(예: 도 1의 프로세서(120)) 및 배터리(260)(예: 도 1의 배터리(189))를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(201)는, 전기적으로 연결된 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102))를 인식하고, 인식한 외부 전자 장치의 특성에 기초하여 전원 전압을 외부 전자 장치로 출력할지 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터(210)는, 전자 장치(201)과 외부 전자 장치를 전기적 및/또는 물리적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 커넥터(210)는 적어도 하나의 신호 단자(또는, 핀(pin))들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(201)와 외부 전자 장치가 커넥터(210)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 전자 장치(201)는, 커넥터(210)의 복수의 신호 단자(또는, 핀)들 중 적어도 하나를 통해 외부 전자 장치에 전기적인 신호(예: 전압 또는 전류)를 송신하거나 및/또는 외부 전자 장치로부터 전기적인 신호를 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(201)는, 커넥터(210)를 통해 외부 전자 장치와 연결되어 데이터를 송수신하거나 또는 전력을 송수신할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터(210)는 다양한 타입의 USB(universal serial bus) 표준을 따르는 외부 전자 장치를 전자 장치(201)에 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치는, USB-C 타입의 전자 장치이거나 또는 USB-A 타입의 메인 장치(예: 고전압 생성 회로를 포함하는 장치) 및 USB-A 타입을 USB-C 타입으로 변환하는 OTG(on the go) 젠더를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커넥터(210)는 USB-C 타입의 커넥터(또는, 리셉터클 커넥터(receptacle connector))에 대응할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 커넥터(210)는 외부 전자 장치와 연결되어 전자 장치(201)와 외부 전자 장치 사이에서 데이터 통신을 수행하거나 및/또는 전력을 송수신할 수 있다.
일 실시예에서, 커넥터(210)는 적어도 하나의 신호 단자(또는, 핀(pin))들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 신호 단자는, 전력의 공급 및/또는 수신을 위한 전원 단자(예: VBUS 단자), 외부 전자 장치를 식별하기 위한 식별 단자(예: CC 단자), 데이터의 송수신을 위한 제1 데이터 단자(예: D+ 단자) 및 제2 데이터 단자(예: D- 단자), 및 그라운드 단자(예: GND 단자)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 식별 회로(220)는 커넥터(210)의 CC 단자와 연결될 수 있다. 예를 들어, 식별 회로(220)는 CCIC(configuration channel IC)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면 식별 회로(220)는, 프로세서(250)의 제어에 기초하여, CC 단자를 통해 감지된 저항 값을 프로세서(250)에 전달할 수 있다. 다양한 예에서, 프로세서(250)는, 식별 회로(220)를 이용하여, CC 단자를 통한 저항 값을 인식할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(230)는 커넥터(210)의 데이터 단자와 연결될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 회로(230)는 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중에서 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자와 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(230)는 MUX IC(multiplexer IC)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(230)는, 프로세서(250)의 제어에 따라서, 데이터 단자를 방전 회로에 연결하여 데이터 단자 내의 전기적 에너지를 방전(discharge)시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(230)는, 프로세서(250)의 제어에 따라서, 데이터 단자에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전시키기 위하여 데이터 단자에 방전 회로를 연결할 수 있다. 예를 들어, 데이터 단자에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지는, 데이터 단자에 존재하는 커패시터 성분(예: 전하(charge))에 대응할 수 있다. 일 실시예 따르면, 스위칭 회로(230)는, 프로세서(250)의 제어에 따라서 데이터 단자를 풀다운 저항(또는, 적어도 하나의 저항(resistor))을 포함하는 회로에 전기적으로 연결할 수 있다. 데이터 단자가 풀다운 저항을 포함하는 회로에 연결되면, 데이터 단자에 존재하는 전하(또는, 커패시터(capacitor) 성분)의 적어도 일부가 방전(또는, 제거)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(230)는, 프로세서(250)의 제어에 따라서, 데이터 단자에 풀업 전원을 전기적으로 인가(또는, 공급)할 수 있다. 예를 들어, 풀업 전원은 데이터 단자(예: 제1 데이터 단자(D+) 및/또는 제2 데이터 단자(D-))의 전압 레벨을 확인하기 위해 인가되는 배터리(260)에 기반한 전원일 수 있다. 이하에서, 연결(또는, 전기적으로 연결)하는 것은, 신호 단자들을 전기적으로 연결하여, 연결된 신호 단자들 사이에 전기적 신호가 송수신(예: 전류의 흐름 또는 전압의 인가)되도록 하는 것을 의미할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 메모리(240)는, 다양한 데이터(또는, 정보)를 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리(240)는, 프로세서(250)에 의해서 실행되는 적어도 하나의 프로그램, 어플리케이션, 데이터, 또는 인스트럭션들(instructions)을 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리(240)는 도 1에 도시된 메모리(130)의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리(240)는 후술하는 전자 장치(201)의 동작의 적어도 일부가 수행되도록 하는 정보 또는 인스트럭션들을 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리(240)는 프로세서(250)에 의해서 실행되는 복수의 어플리케이션들과 관련된 인스트럭션들을 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리(240)는, 전자 장치(201)의 동작에 필요한 정보를 저장할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 배터리(260)는 전자 장치(201)의 적어도 하나의 구성 요소 또는 외부 전자 장치에 공급할 전력을 충전한 상태일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(201)의 구성 요소는 배터리(260)에 충전된 전력을 이용하여 다양한 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(260)에 충전된 전력의 적어도 일부는 전자 장치(201)의 구성 요소가 다양한 동작을 수행하기 위한 동작 전압으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 배터리(260)에 충전된 전력에 기반한 풀업 전원이 데이터의 송수신을 위한 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(260)에 충전된 전력의 적어도 일부는 외부 전자 장치로 제공될 수 있다. 예를 들어, 배터리(260)에 충전된 전력에 기반한 전원 전압이 외부 전자 장치로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)의 다른 구성들과 작동적으로 연결되고 전자 장치(201)의 다양한 동작들을 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)의 어플리케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 프로세서(250)는 메모리(240)에 저장된 하나 이상의 인스트럭션들을 실행함으로써 전자 장치(201)의 다양한 동작들을 수행할 수 있다. 이하에서, 전자 장치(201)가 수행하는 것으로 설명된 동작들은 프로세서(250)에 의하여 수행되는 것으로 참조될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)에 외부 전자 장치가 전기적으로 연결되는 경우, 외부 전자 장치의 특성을 감지(또는, 인식)하고 외부 전자 장치에 전원 전압(예: Vbus 전압)을 제공할지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)에 연결된 외부 전자 장치로 전원 전압을 출력할지 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트(short) 상태인 것으로 판단하는 경우, 외부 전자 장치를 비정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 상태는 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자)의 전압 레벨과 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자)의 전압 레벨이 동일한 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 상태는 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자)의 전압 레벨과 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자)의 전압 레벨의 차이가 임계값 미만인 상태에 대응할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(250)는, 외부 전자 장치가 비정상적인 외부 전자 장치임을 인식하면, 전원 전압을 외부 전자 장치에 제공하지 않도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 비정상적인 외부 전자 장치는, 전자 장치(201)(또는, 프로세서(250))가 전원 전압(예: Vbus 전압)을 제공하지 않는 전자 장치에 대응할 수 있다. 예를 들어, 비정상적인 외부 전자 장치는 전자 장치(201)로부터 수신한 전원 전압을 이용하여 고전압을 생성하고, 생성된 고전압을 전자 장치(201)에 인가하여 전자 장치(201)의 내부 구성요소를 전기적으로 소손시킬 수 있다. 예를 들어, 비정상적인 외부 전자 장치는 USB 킬러(killer)를 의미할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 판단하는 경우, 외부 전자 장치를 정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 상태가 아닌 상태는 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자)의 전압 레벨과 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자)의 전압 레벨이 동일하지 않은 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 상태가 아닌 상태는 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자)의 전압 레벨과 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자)의 전압 레벨의 차이가 임계값 이상인 상태에 대응할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(250)는, 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치임을 인식하면, 전원 전압을 외부 전자 장치에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 정상적인 외부 전자 장치는, 전자 장치(201)(또는, 프로세서(250))가 전원 전압(예: Vbus 전압)을 제공할 수 있는 전자 장치에 대응할 수 있다. 예를 들어, 정상적인 외부 전자 장치는, 전자 장치(201)를 소손시키지 않고 전자 장치(201)로부터 수신한 전원 전압을 이용하여 다양한 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)에 연결된 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 확인하기 위해, 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트(short) 상태인지 여부를 확인할 수 있다.
전자 장치(201)와 외부 전자 장치의 전기적인 연결 및 분리가 짧은 시간 내에 반복되는 경우, 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중 적어도 하나의 신호 단자(예: 제1 데이터 단자 및/또는 제2 데이터 단자)에 잔존하는 커패시터(capacitor) 성분(예: 잔여 전하)으로 인하여 적어도 하나의 신호 단자의 전압 레벨이 오인식 될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중 적어도 하나의 신호 단자를 방전 회로에 전기적으로 연결하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 내의 전기적 에너지를 방전시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 적어도 하나의 신호 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에, 적어도 하나의 신호 단자를 방전 회로에 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 전자 장치(201)에 연결된 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 확인하기 전에 제1 데이터 단자 및/또는 제2 데이터 단자를 방전 회로에 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 방전 회로를 통해 커패시터 성분이 제거된 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자를 통해, 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 정확하게 인식할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 방전 회로를 통해 커패시터 성분이 제거된 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자의 쇼트 상태를 확인하여 외부 전자 장치에 전원 전압을 제공할지 여부를 정확하게 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 식별 회로(220)를 통해 전자 장치(201)에 외부 전자 장치가 전기적으로 연결된 것을 식별(또는, 인식)할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 외부 전자 장치가 커넥터(210)를 통해 전자 장치(201)와 연결되면, 외부 전자 장치의 특성을 인식할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 커넥터(210)의 CC 단자와 연결된 식별 회로(220)를 통해 외부 전자 장치의 특성을 나타내는 저항 값을 감지(또는, 인식)할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 외부 전자 장치가 전자 장치(201)에 연결되면, 식별 회로(220)를 통해 CC 단자의 저항 값을 감지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 식별 회로(220)에 전기적으로 연결되는 CC 단자의 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm))을 감지하는 경우, 전자 장치(201)에 연결된 외부 전자 장치가 전자 장치(201)로부터 전력을 제공받는 장치임을 인식할 수 있다. 예를 들어, 전력을 제공받는 장치는 싱크(sink) 장치 또는 UFP(upstream facing port) 장치를 의미할 수 있으나 이에 제한되어 해석되지 않는다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 식별 회로(220)에 전기적으로 연결되는 CC 단자의 제2 저항 값(예: 풀업 저항 값(56kohm))을 감지하는 경우, 전자 장치(201)에 연결된 외부 전자 장치가 전자 장치(201)에 전력을 제공하는 장치임을 인식할 수 있다. 예를 들어, 전력을 제공하는 장치는 소스(source) 장치 또는 DFP(downstream facing port) 장치를 의미할 수 있으나 이에 제한되어 해석되지 않는다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 식별 회로(220)를 이용하여 외부 전자 장치가 전력을 제공받기 위한 장치인 것을 인식하면, 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중 일부 신호 단자를 방전 회로에 연결할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여 커넥터(210)의 복수의 신호 단자들 중에서 데이터 단자를 방전 회로에 연결할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여 커넥터(210)의 데이터 단자를 풀다운 저항을 포함하는 방전 회로에 연결하여 데이터 단자에 남아있는 전기적 에너지의 적어도 일부를 방전시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여, 커넥터(210)의 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자를 풀다운 저항을 포함하는 방전 회로에 각각 연결하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 남아있는 전기적 에너지(예: 커패시터 성분)를 방전시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여, 방전시킨 신호 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 데이터 단자에 풀업 전원을 인가하기 위하여, 스위칭 회로(230)를 이용하여 풀업 전원을 위한 전기적인 경로에 데이터 단자를 연결할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가하고, 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하여 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트(short) 상태인지 여부를 판단할 수 있다. 프로세서(250)는, 스위칭 회로(230)를 이용하여 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가하고, 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하여 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트(short) 상태인지 여부를 판단할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부에 따라서, 외부 전자 장치에 전원 전압을 제공(또는, 출력)할지 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 인식하는 경우에, 인식도를 향상시키기 위하여 방전 회로(예: 풀다운 저항을 포함하는 저항 회로)를 이용할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(250)는, 방전 회로를 통해 커패시터 성분이 적어도 일부 제거된 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 확인함으로써 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 정확하게 인식(또는, 판단)할 수 있다.
도 3은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 블록도 및 외부 전자 장치의 블록도이다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(301)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201))는, 커넥터(311)(예: 도 1의 연결 단자(178) 또는 도 2의 커넥터(210)), 식별 회로(313)(예: 도 2의 식별 회로(220)), 방전 회로(314), 스위칭 회로(315)(예: 도 2의 스위칭 회로(230)), 충전 회로(317), 배터리(318)(예: 도 1의 배터리(189) 또는 도 2의 배터리(260)) 및 프로세서(319)(예: 도 1의 프로세서(120), 또는 도 2의 프로세서(250))를 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 외부 전자 장치(302)(예: 도 1의 전자 장치(102))는 고전압 생성 회로(321) 및 OTG(on the go) 젠더(323)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(302)는 USB 표준을 따르는 전자 장치일 수 있다. 도 3을 참조하면, 외부 전자 장치(302)가 USB-A 타입을 USB-C 타입으로 변환하는 OTG 젠더(323)를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 다양한 실시예에서 외부 전자 장치(302)는 고전압 생성 회로(321)를 포함하는 USB-C 타입의 전자 장치일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터(311)는 적어도 하나의 신호 단자(또는, 핀(pin))들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 신호 단자는, 전력의 공급 및/또는 수신을 위한 전원 단자(예: VBUS 단자), 외부 전자 장치를 식별하기 위한 식별 단자(예: CC 단자), 데이터의 송수신을 위한 제1 데이터 단자(예: D+ 단자) 및 제2 데이터 단자(예: D- 단자), 및 그라운드 단자(예: GND 단자)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터(311)는 외부 전자 장치(302)와 전자 장치(301)가 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 커넥터(311)의 그라운드 단자는 외부 전자 장치(302)의 그라운드 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 커넥터(311)의 전원 단자는 외부 전자 장치(301)의 전원 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 커넥터(311)의 식별 단자는 외부 전자 장치(302)의 식별 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 커넥터(311)의 제1 데이터 단자는 외부 전자 장치(302)의 제1 데이터 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 커넥터(311)의 제2 데이터 단자는 외부 전자 장치(302)의 제2 데이터 단자와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 식별 회로(313)는, 프로세서(319)의 제어에 기초하여 식별 단자를 통해 감지된 저항 값을 프로세서(319)에 전달할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 스위칭 회로(315)는, 프로세서(319)의 제어에 기초하여, 데이터 단자(예: 제1 데이터 단자 및/또는 제2 데이터 단자)를 방전 회로에 연결하거나 또는 풀업 전원을 인가하기 위한 전기적인 경로에 데이터 단자를 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 충전 회로(317)는, 프로세서(319)의 제어에 기초하여, 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하거나 또는 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하지 않을 수 있다. 예를 들어, 충전 회로(317)는, 프로세서(319)의 지정된 명령(예: 부스트(boost))에 기초하여 배터리(318)의 전압 레벨을 승압하고, 승압된 전압 레벨(예: 5V)을 갖는 출력 전압을 외부 전자 장치(302)로 출력할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 배터리(318)는, 전자 장치(301)의 적어도 하나의 구성 요소 또는 외부 전자 장치(302)에 공급할 전력을 저장(또는, 충전)한 상태일 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)의 제어에 기초하여, 배터리(318)에 충전된 전력에 기반한 전원 전압이 외부 전자 장치(302)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)의 제어에 기초하여, 배터리(318)에 충전된 전력에 기반한 풀업 전원이 데이터의 송수신을 위한 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 인가될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 식별 회로(313)(예: CCIC(configuration channel IC))를 통해 전자 장치(301)와 연결된 외부 전자 장치(302)를 식별(또는, 인식)할 수 있다. 예를 들어, 식별 회로(313) 는, 식별 단자를 통해 감지된 저항 값을 프로세서(319)에 전달할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 커넥터(311)의 식별 단자와 전기적으로 연결된 식별 회로(313)를 통해 외부 전자 장치(302)의 특성을 나타내는 저항 값을 감지(또는, 인식)할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 식별 회로(313)를 통하여 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm))을 감지하는 경우, 전자 장치(301)에 연결된 외부 전자 장치(302)가 전자 장치(301)로부터 전력을 제공받는 장치임을 인식할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 식별 회로(313)를 통하여 식별 단자의 제2 저항 값(예: 풀업 저항 값(56kohm))을 감지하는 경우, 전자 장치(301)에 연결된 외부 전자 장치(302)가 전자 장치(301)에 전력을 제공하는 장치임을 인식할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는 식별 회로(313)를 통하여 제1 저항 값을 감지하고, 외부 전자 장치(302)가 전자 장치(301)로부터 전력을 제공받는 장치임을 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(319)는, 신호 단자(예: 제1 데이터 단자 및/또는 제2 데이터 단자)의 전압 레벨에 기초하여 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력할지 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 식별 회로(313)를 통하여 제1 저항 값을 감지한 것을 기초로, 스위칭 회로(315)를 이용하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자를 방전 회로(314)에 연결할 수 있다. 예를 들어, 방전 회로(314)는 풀다운 저항을 포함하는 전기적 회로일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자를 방전 회로(314)에 연결하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 남아있는 커패시터 성분(예: 잔여 전하)을 적어도 일부 방전시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전시키기 위하여 데이터 단자에 방전 회로를 연결할 수 있다. 예를 들어, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자 중 적어도 하나에 존재하는 커패시터 성분(예: 전하(charge))에 대응할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자를 방전 회로(314)에 연결하여 잔여 전하를 적어도 일부 제거할 수 있다. 예를 들어, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 방전 회로(314)에 연결되는 경우, 제1 데이터 단자의 전압 레벨 및 제2 데이터 단자의 전압 레벨은 각각 그라운드 전압에 대응할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 스위칭 회로(315)를 이용하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자를 방전 회로(314)에 연결한 후, 스위칭 회로(315)를 이용하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 이 후, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하여 외부 전자 장치(302)에 전원 전압을 출력할지 여부를 결정할 수 있다. 다양한 실시예에서, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자 각각에 풀업 전원이 인가되는 순서는 제한되지 않는다. 이하에서, 프로세서(319)가 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 인식하고, 이후에 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 인식하는 것을 일 예시로 설명한다. 다양한 예에서, 프로세서(319)는 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 인식하고, 이후에 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 인식할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가하고, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기(comparator)를 이용하여 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 다양한 실시예에서, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 예를 들어, 지정된 시간은 지연 시간(delay time)을 의미할 수 있다. 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 직후에는, 실질적으로는 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아님에도 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자 사이의 내부 저항으로 인하여 서로 쇼트 상태인 것으로 잘못 인식될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자 사이의 내부 저항에 의한 영향을 감소시키기 위하여 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 지정된 시간 동안 대기하여 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 쇼트 상태인지 여부를 정확하게 인식할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 경우, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)를 정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 프로세서(319)는, 외부 전자 장치(302)가 정상적인 외부 전자 장치인 것으로 인식한 것을 기초로, 충전 회로(317)를 통하여 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 경우 충전 회로(317)를 통하여 전자 장치(301)의 배터리(예: 도 1의 배터리(189))에 기반한 전원 전압을 외부 전자 장치(302)로 출력할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하도록 충전 회로(317)를 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 경우, 프로세서(319)는 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기(comparator)를 이용하여 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 다양한 실시예에서, 프로세서(319)는, 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자 사이의 내부 저항에 의한 영향을 감소시키기 위하여 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 지정된 시간 동안 대기하여 제1 데이터 단자와 제2 데이터 단자가 쇼트 상태인지 여부를 정확하게 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 경우, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)를 정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 프로세서(319)는, 외부 전자 장치(302)가 정상적인 외부 전자 장치인 것으로 인식한 것을 기초로, 충전 회로(317)를 통하여 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인한 결과, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 경우, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)를 비정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 프로세서(319)는, 외부 전자 장치(302)가 비정상적인 외부 전자 장치인 것으로 인식한 것을 기초로, 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하지 않을 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하지 않도록 충전 회로(317)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하는 것을 제한할 수 있다.
전술한 방식으로, 프로세서(319)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자의 전기적 에너지를 방전시킨 후, 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제1 확인 동작 및 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 인가한 후 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제2 확인 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(319)는, 상기 제1 확인 동작을 수행한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 것을 인식하고, 상기 제2 확인 동작을 수행한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태임을 인식할 수 있다. 이 경우, 프로세서(319)는, 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력하지 않을 수 있다. 다른 예에서, 프로세서(319)는, 상기 제1 확인 동작 및 상기 제2 확인 동작 중 어느 하나의 확인 동작에 기초하여 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아님을 인식할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(319)는 상기 제1 확인 동작을 수행한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아님을 인식할 수 있다. 또는, 프로세서(319)는 상기 제1 확인 동작을 수행한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태임을 인식하고, 상기 제2 확인 동작을 수행한 결과 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아님을 인식할 수 있다. 이 경우, 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력할 수 있다.
다양한 실시예에서, 외부 전자 장치(302)는 지정된 특성을 갖는 정상적인 외부 전자 장치일 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(302)는, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 전원이 인가되기 전까지는 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태에 있고, 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 전원이 인가된 후에는 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 지정된 특성을 갖는 정상적인 외부 전자 장치일 수 있다. 프로세서(319)는, 상기의 지정된 특성을 갖는 외부 전자 장치(302)가 전자 장치(301)에 연결된 후, 전술한 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자 내의 전기적 에너지를 방전시키고, 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제1 확인 동작을 통해 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 것을 인식하고, 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제2 확인 동작을 통해 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 것을 인식할 수 있다. 이 경우, 프로세서(319)는 상기의 지정된 특성을 갖는 외부 전자 장치(302)가 비정상적인 외부 전자 장치에 해당하는 것으로 인식할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(319)는, 상기 제1 확인 동작 및 제2 확인 동작으로 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인 것을 인식한 후에, 제1 데이터 단자에 풀업 전원을 재인가하여 제2 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제3 확인 동작 및 제2 데이터 단자에 풀업 전원을 재인가하여 제1 데이터 단자의 전압 레벨을 확인하는 제4 확인 동작을 더 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 확인 동작 및 제2 확인 동작으로 외부 전자 장치(302)의 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자에 전원(예: 풀업 전원)이 인가되면, 외부 전자 장치(302)의 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자는 서로 쇼트 상태가 아닌 상태에 대응할 수 있다. 이 후, 프로세서(319)는 제3 확인 동작 또는 제4 확인 동작 중 적어도 하나를 수행한 결과를 통해 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것을 인식하고, 외부 전자 장치(302)가 정상적인 외부 전자 장치에 대응하는 것을 인식할 수 있다.
다양한 실시예에서, 전자 장치(301)가 외부 전자 장치(302)를 비정상적인 외부 전자 장치에 대응하는 것으로 인식한 후, 다양한 이유로 전자 장치(301)가 재시작(reboot)될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(301)는, 전자 장치(301)가 재시작되기 전에 인식한, 외부 전자 장치(302)에 관한 상태 정보를 저장할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(302)의 상태 정보는, 외부 전자 장치(302)가 전력을 제공받는 장치인지 또는 전력을 제공하는 장치인지를 나타내는 제1 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(302)의 상태 정보(예: 제1 정보)는, 프로세서(319)가 식별 회로(313)를 통하여 감지한 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm)) 또는 제2 저항 값(예: 풀업 저항 값(56kohm)) 중 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(302)의 상태 정보는, 외부 전자 장치(302)의 제1 데이터 단자 및 제2 데이터 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 나타내는 제2 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(302)의 상태 정보(예: 제2 정보)는, 제1 확인 동작 및 제2 확인 동작 또는 제1 확인 동작 내지 제4 확인 동작을 수행한 결과에 기초하여 인식한 외부 전자 장치(302)가 정상적인 외부 전자 장치인지 여부를 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(319)(또는, 전자 장치(301))는 재시작된 후 전원 전압을 외부 전자 장치(302)로 출력하지 않고, 외부 전자 장치(302)에 관련된 상태 정보를 우선하여 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 외부 전자 장치(302)의 상태 정보가 제1 저항 값 및 외부 전자 장치(302)가 비정상적인 외부 전자 장치임을 나타내는 정보를 포함하는 경우, 프로세서(319) 는 외부 전자 장치(302)를 비정상적인 외부 전자 장치에 대응하는 것으로 인식하고 전원 전압을 외부 전자 장치(302)로 출력하지 않을 수 있다. 상술한 다양한 실시예를 통해, 프로세서(319)는, 외부 전자 장치(302)로 전원 전압을 출력할지 여부를 정확하게 인식할 수 있다.
도 4는 다양한 실시예에 따른, 외부 전자 장치에 포함된 고전압 생성 회로를 예시적으로 도시한다.
도 4를 참조하면, 비정상적인 외부 전자 장치(예: 도 3의 외부 전자 장치(302))에 포함된 고전압 생성 회로(410)(예: 도 3의 고전압 생성 회로(321))가 예시적으로 도시된다. 예를 들어, 비정상적인 외부 전자 장치는, 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자(D+)) 및 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자(D-))가 서로 쇼트 상태에 있고, 전기적으로 연결된 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))로부터 인가된 전원 전압(Vbus)을 이용하여 고전압(예: 약 200V)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 비정상적인 외부 전자 장치는, 전자 장치로부터 저전압(예: 5V)의 전원 전압(Vbus)이 인가되면, 플라이백 컨버터(converter)를 이용하여 고전압(예: 약 200V)를 생성하고, 펄스 생성기(pulse generator)를 이용하여 생성된 고전압을 제1 신호 단자 및 제2 신호단자에 인가할 수 있다. 이 경우, 비정상적인 외부 전자 장치는 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자를 통해 연결된 전자 장치에 생성된 고전압을 인가하여 전자 장치의 내부 구성요소를 전기적으로 소손시킬 수 있다. 전술한 실시예에 따르면, 전자 장치는, 비정상적인 외부 전자 장치와 전기적으로 연결된 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자가 전기적으로 쇼트 상태인지 여부를 향상된 인식도로 인식할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치는, 비정상적인 외부 전자 장치로 인식된 외부 전자 장치로 전원 전압(Vbus)을 출력하지 않을 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))는, 적어도 하나의 신호 단자들을 포함하는 커넥터(예: 도 1의 연결 단자(178), 도 2의 커넥터(210) 또는 도 3의 커넥터(311)), 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 식별 회로(예: 도 2의 식별 회로(220) 또는 도 3의 식별 회로(313)), 상기 커넥터와 전기적으로 연결된 스위칭 회로(예: 도 2의 스위칭 회로(230) 또는 도 3의 스위칭 회로(315)), 배터리(예: 도 1의 배터리(189), 도 2의 배터리(260) 또는 도 3의 배터리(318)), 메모리(예: 도 1의 메모리(130) 또는 도 2의 메모리(240)) 및 상기 식별 회로, 상기 스위칭 회로, 상기 배터리 및 상기 메모리와 작동적으로 연결되는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(250) 또는 도 3의 프로세서(319))를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 메모리는, 실행 시, 상기 프로세서가, 상기 식별 회로를 이용하여, 외부 전자 장치가 상기 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하고, 상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전(discharge)시키고, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 상기 배터리에 기반한 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하도록 하는 인스트럭션들을 저장할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 식별 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제3 신호 단자를 통해 제1 저항 값 또는 제2 저항 값을 인식하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 식별 회로를 이용하여 상기 제1 저항 값을 인식하는 경우 상기 외부 전자 장치가 외부로부터 전력을 제공받는 장치(sink)에 대응하는 것으로 인식하고, 상기 식별 회로를 이용하여 상기 제2 저항 값을 인식하는 경우 상기 외부 전자 장치가 외부로 전력을 제공하는 장치(source)에 대응하는 것으로 인식하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 적어도 하나의 저항(resistor)을 포함하는 방전 회로(예: 도 3의 방전 회로(314))를 더 포함하고, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 상기 방전 회로에 연결하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후, 상기 스위칭 회로를 이용하여 상기 방전시킨 신호 단자에 상기 배터리에 기반한 풀업 전원을 인가하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 방전시킨 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가한 후 지정된 시간 동안 대기하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하고, 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계값 미만인 경우, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하지 않을 것을 결정하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 상기 임계값 이상인 경우, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력할 것을 결정하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 충전 회로(예: 도 3의 충전 회로(317))를 더 포함하고, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정한 것을 기초로, 상기 충전 회로를 제어하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 각각 방전시키고, 상기 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가하고, 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 임계값 미만인 것을 인식하는 제1 확인 동작을 수행하고, 상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고, 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제2 확인 동작을 수행하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 제1 확인 동작 및 상기 제2 확인 동작에 기초하여 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 제1 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고, 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제3 확인 동작을 수행하고, 상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고, 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제4 확인 동작을 수행하고, 상기 제3 확인 동작 및 상기 제4 확인 동작에 기초하여 상기 외부 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 메모리는 상기 외부 전자 장치에 관련된 상태 정보를 저장하고, 상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가, 상기 외부 전자 장치가 상기 전자 장치와 전기적으로 연결된 상태에서 재시작(reboot)되고, 상기 외부 전자 장치에 상기 전원 전압을 출력하기 전에 상기 외부 전자 장치에 관련된 상태 정보를 확인하고, 상기 확인한 상태 정보에 기반하여, 상기 외부 전자 장치에 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자는, 상기 전자 장치와 상기 외부 전자 장치간의 데이터를 송수신하도록 구성될 수 있다.
도 5는 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
이하에서, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))가 수행하는 것으로 설명된 동작들은 (예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(250) 또는 도 3의 프로세서(319))에 의하여 수행되는 것으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 510 동작에서, 전자 장치는 커넥터(예: 도 1의 인터페이스(177), 도 2의 커넥터(210) 또는 도 3의 커넥터(311))를 통해 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 도 3의 외부 전자 장치(302))의 연결을 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 식별 회로(예: 도 2의 식별 회로(220) 또는 도 3의 식별 회로(313))를 통해 외부 전자 장치의 특성을 나타내는 저항 값을 감지(또는, 인식)할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 식별 회로를 통하여 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm))을 감지할 수 있다. 예를 들어, 식별 회로를 통해 감지된 제1 저항 값은 외부 전자 장치가 전자 장치로부터 전력을 제공받는 장치에 대응하는 것을 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따르면, 520 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자를 방전 회로에 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로(예: 도 2의 스위칭 회로(230) 또는 도 3의 스위칭 회로(315))를 이용하여 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자(D+ 단자))를 풀다운 저항 회로를 포함하는 방전 회로(예: 도 3의 방전 회로(314))에 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로를 이용하여 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자(D- 단자))를 풀다운 저항 회로를 포함하는 방전 회로에 연결할 수 있다. 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자가 풀다운 저항 회로를 포함하는 방전 회로에 연결되면, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 커패시터 성분(예: 잔여 전하)의 적어도 일부가 방전될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 530 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로를 이용하여 제1 신호 단자를 풀업 전원을 제공하기 위한 전기적인 경로에 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 540 동작에서, 전자 장치는 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기(comparator)를 이용하여 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 550 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨과 제2 신호 단자의 전압 레벨이 동일하거나 또는 두 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계 값 이내인 경우, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인 것으로 인식할 수 있다. 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인 것으로 인식되면(Yes), 전자 장치는 560 동작을 수행할 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨과 제2 신호 단자의 전압 레벨이 동일하지 않은 경우(또는 두 전압 레벨의 차이가 임계 값 이상인 경우), 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식할 수 있다. 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식되면(No), 전자 장치는 551 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 551 동작에서, 전자 장치는 외부 전자 장치를 정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 충전 회로(예: 도 3의 충전 회로(317))를 이용하여 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 560 동작에서, 전자 장치는 제2 신호 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로를 이용하여 제2 신호 단자를 풀업 전원을 제공하기 위한 전기적인 경로에 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 570 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기를 이용하여 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 580 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태이거나 또는 두 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계 값 이내인 것으로 인식되면(yes), 전자 장치는 590 동작을 수행할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식되면(No), 전자 장치는 551 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 590 동작에서, 전자 장치는 외부 전자 장치를 비정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력하지 않을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력하지 않도록 충전 회로를 제어할 수 있다.
도 6은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
이하에서, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))가 수행하는 것으로 설명된 동작들은 (예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(250) 또는 도 3의 프로세서(319))에 의하여 수행되는 것으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 610 동작에서, 전자 장치는 커넥터(예: 도 1의 인터페이스(177), 도 2의 커넥터(210) 또는 도 3의 커넥터(311))를 통해 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 도 3의 외부 전자 장치(302))의 연결을 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 식별 회로(예: 도 2의 식별 회로(220) 또는 도 3의 식별 회로(313))를 통하여 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm))을 감지한 것을 기초로 외부 전자 장치가 전자 장치로부터 전력을 제공받는 장치에 대응하는 것을 인식할 수 있다.
일 실시예에 다르면, 620 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자를 방전 회로(예: 도 3의 방전 회로(314))에 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로(예: 도 2의 스위칭 회로(230) 또는 도 3의 스위칭 회로(315))를 이용하여 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자(D+ 단자))를 풀다운 저항 회로를 포함하는 방전 회로에 연결할 수 있다. 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자가 풀다운 저항 회로를 포함하는 방전 회로에 연결되면, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 커패시터 성분의 적어도 일부가 방전될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 621 동작에서, 전자 장치는 카운트 값(count value)을 0으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 카운트 값은 전자 장치가 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인하는 횟수에 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치가 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 카운트 값은 0을 유지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 630 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로를 이용하여 제1 신호 단자를 풀업 전원을 제공하기 위한 전기적인 경로에 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 631 동작에서, 전자 장치는 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 사이의 내부 저항에 의한 영향을 감소시키기 위하여 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 640 동작에서, 전자 장치는 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기(comparator)를 이용하여 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, 631 동작의 지정된 시간 동안 대기한 후 640 동작에서 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 650 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨과 제2 신호 단자의 전압 레벨이 동일거나 또는 두 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계 값 이내인 경우, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인 것으로 인식할 수 있다. 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인 것으로 인식되면(Yes), 전자 장치는 660 동작을 수행할 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨과 제2 신호 단자의 전압 레벨이 동일하지 않거나 또는 두 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계 값 이상인 경우, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식할 수 있다. 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식되면(No), 전자 장치는 651 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 651 동작에서, 전자 장치는 외부 전자 장치를 정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 이 경우, 전자 장치는, 충전 회로(예: 도 3의 충전 회로(317))를 이용하여 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 660 동작에서, 전자 장치는 제2 신호 단자에 풀업 전원을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 스위칭 회로를 이용하여 제2 신호 단자를 풀업 전원을 제공하기 위한 전기적인 경로에 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 661 동작에서, 전자 장치는 지정된 시간 동안 대기할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 사이의 내부 저항에 의한 영향을 감소시키기 위하여 제1 신호 단자의 전압 레벨을 확인하기 전에 지정된 시간 동안 대기할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 670 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는, ADC(analog to digital converter) 또는 비교기를 이용하여 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 680 동작에서, 전자 장치는 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인 것으로 인식되면(yes), 전자 장치는 681 동작을 수행할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태가 아닌 것으로 인식되면(No), 전자 장치는 651 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 681 동작에서, 전자 장치는 카운트 값이 1인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 카운트 값은 전자 장치가 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인하는 횟수를 나타낼 수 있다.
일 실시 예에서, 카운트 값이 1이 아닌 경우(No) 전자 장치는 683 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 카운트 값이 0에 대응하는 것은 전자 장치가 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 1회씩 확인한 상태임을 의미할 수 있다. 예를 들어, 카운트 값이 0인 경우, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자에 각각 1회씩 풀업 전원이 인가된 상태임을 의미할 수 있다. 다른 실시예에서, 카운트 값이 1에 대응하는 것은, 전자 장치가 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 이미 2회씩 확인한 상태임을 의미할 수 있다. 일 실시예에서, 카운트 값이 1인 경우(Yes) 전자 장치는 690 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 카운트 값이 1인 경우, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자에 각각 2회씩 풀업 전원이 인가된 상태임을 의미할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 제2 신호 단자의 전압 레벨을 확인하는 횟수는 2 이상일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 683 동작에서, 전자 장치는 카운트 값을 1 증가시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결된 외부 전자 장치가 지정된 특성(예: 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자에 전원이 인가되기 전에는 서로 쇼트 상태를 유지하고, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자에 전원이 인가된 후에 서로 쇼트 상태가 아닌 상태를 갖는 특성)을 가질 수 있다. 이 경우, 전자 장치는 외부 전자 장치가 정상적인 외부 전자 장치임을 인식하기 위하여 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자에 풀업 전원을 재인가하여 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태인지를 재확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는, 카운트 값을 1 증가시킨 후 630 동작부터 재수행할 수 있다. 다양한 실시예에서, 전자 장치는, 카운트 값을 1 증가시킨 후 지정된 시간 동안 대기하고 630 동작부터 재수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 690 동작에서, 전자 장치는 외부 전자 장치를 비정상적인 외부 전자 장치로 인식할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 일 실시예에서, 전자 장치는, 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력하지 않을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력하지 않도록 충전 회로를 제어할 수 있다.
도 7은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
이하에서, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))가 수행하는 것으로 설명된 동작들은 (예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(250) 또는 도 3의 프로세서(319))에 의하여 수행되는 것으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 710 동작에서, 전자 장치는 재시작(reboot)될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커넥터(예: 도 1의 인터페이스(177), 도 2의 커넥터(210) 또는 도 3의 커넥터(311))를 통해 연결된 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 도 3의 외부 전자 장치(302))를 비정상적인 외부 전자 장치에 대응하는 것으로 인식한 후, 다양한 이유로 재시작될 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치는 외부 전자 장치가 비정상적인 외부 전자 장치에 대응하는 것으로 인식한 후, 외부 전자 장치가 커넥터를 통해 전자 장치에 결합된 상태에서 재시작될 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치가 재시작되는 것은 배터리(예: 도 1의 배터리(189) 또는 도 2의 배터리(260) 또는 도 3의 배터리(318))로부터 전원 공급이 계속되는 상태에서 전자 장치의 시스템이 리셋(reset)되는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 전원 공급이 중단되지 않고 유지되는 상태에서 내부 시스템이 재시작될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 720 동작에서, 전자 장치는 외부 전자 장치에 관한 상태 정보를 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는, 재시작된 후에 메모리(예: 도 1의 메모리(130) 또는 도 2의 메모리(240))에 기 저장된 외부 전자 장치에 관한 상태 정보를 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는, 재시작된 후에, 현재 전기적으로 연결(또는, 결합)된 외부 전자 장치에 전원 전압을 제공하는 것에 우선하여 상기 외부 전자 장치에 관한 상태 정보를 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면 외부 전자 장치에 관한 상태 정보는, 전자 장치가 재시작되기 전에 인식하여 메모리에 저장한 외부 전자 장치의 특성을 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치에 관한 상태 정보는, 외부 전자 장치가 전력을 제공받는 장치인지 여부를 나타내는 제1 정보 및 외부 전자 장치의 제1 신호 단자(예: 제1 데이터 단자(D+))와 제2 신호 단자(예: 제2 데이터 단자(D-))가 서로 쇼트 상태인지 여부를 나타내는 제2 정보를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 730 동작에서, 전자 장치는, 상태 정보에 기초하여, 외부 전자 장치가 비정상적인 외부 전자 장치에 대응함을 인식할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치가 재시작된 후, 전자 장치는 기 저장된, 외부 전자 장치에 관련된 상태 정보에 포함된 제1 정보 및 제2 정보를 인식할 수 있다. 예를 들어, 제1 정보는, 현재 전기적으로 결합되어 있는 외부 전자 장치가 전력을 제공받는 장치에 대응함을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제2 정보는, 현재 전기적으로 결합되어 있는 외부 전자 장치의 제1 신호 단자와 제2 신호 단자가 서로 쇼트 상태임을 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따르면, 740 동작에서, 전자 장치는, 외부 전자 장치에 관한 상태 정보를 초기화 하지 않고, 외부 전자 장치에 전원 전압을 출력하지 않도록 결정할 수 있다.
도 8은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 동작 방법의 흐름도이다.
이하에서, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))가 수행하는 것으로 설명된 동작들은 (예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(250) 또는 도 3의 프로세서(319))에 의하여 수행되는 것으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 810 동작에서, 전자 장치는, 식별 회로(예: 도 2의 식별 회로(220) 또는 도 3의 식별 회로(313))를 이용하여, 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 도 3의 외부 전자 장치(302))가 커넥터(예: 도 1의 연결 단자(178) 또는 도 2의 커넥터(210))를 통해서 전자 장치에 연결된 것을 인식할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 커넥터로부터 전기적인 신호를 감지하여 외부 전자 장치가 전기적으로 전자 장치에 결합된 것을 인식할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 식별 회로에 연결되는 커넥터의 식별 단자를 통해 제1 저항 값 또는 제2 저항 값 중 하나를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 식별 회로를 이용하여 제1 저항 값(예: 풀다운 저항 값(5.1kohm))을 식별한 것을 기초로, 외부 전자 장치가 전자 장치로부터 전력을 제공받을 수 있는 장치에 대응하는 것을 인식할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 820 동작에서, 전자 장치는, 스위칭 회로(예: 도 2의 스위칭 회로(230) 또는 도 3의 스위칭 회로(315))를 이용하여, 커넥터의 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 전기적 에너지를 방전시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 신호 단자는 제1 데이터 단자(D+)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 신호 단자는 제2 데이터 단자(D-)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커넥터의 제1 신호 단자는 외부 전자 장치의 제1 신호 라인(예: D+ 라인)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 커넥터의 제2 신호 단자는 외부 전자 장치의 제2 신호 라인(예: D- 라인)과 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는, 풀다운 저항을 포함하는 방전 회로(예: 도 3의 방전 회로(314))에 제1 신호 단자를 연결하여 제1 신호 단자의 커패시터(capacitor) 성분(예: 잔여 전하)을 적어도 일부 제거할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치는, 풀다운 저항을 포함하는 방전 회로에 제2 신호 단자를 연결하여 제2 신호 단자의 커패시터 성분을 적어도 일부 제거할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 830 동작에서, 전자 장치는, 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 외부 전자 장치에 커넥터를 통해 전원 전압을 출력할지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 없거나 또는 임계 값 미만인 경우(예: 쇼트(short) 상태)인 경우, 외부 전자 장치는 전자 장치에 고전압을 인가하는 비정상적인 외부 전자 장치일 수 있다. 이 경우, 전자 장치는 외부 전자 장치로 전원 전압을 출력하지 않도록 충전 회로(예: 도 3의 충전 회로(317))를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 신호 단자와 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 임계 값 이상인 경우(예: 쇼트 상태가 아닌 상태), 외부 전자 장치는 전자 장치에 고전압을 인가하지 않는 정상적인 외부 전자 장치일 수 있다. 이 경우, 전자 장치는 외부 전자 장치로 전원 전압을 출력하도록 충전 회로를 제어할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(201) 또는 도 3의 전자 장치(301))의 동작 방법은, 외부 전자 장치가 커넥터(예: 도 1의 연결 단자(178), 도 2의 커넥터(210) 또는 도 3의 커넥터(311))를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하는 동작, 상기 커넥터에 포함된 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전시키는 동작 및 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 인식하는 동작은, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제3 신호 단자를 통해 제1 저항 값 또는 제2 저항 값을 인식하는 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 방전시키는 동작은, 상기 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 적어도 하나의 저항(resistor)을 포함하는 방전 회로(예: 도 3의 방전 회로(314))에 연결하는 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작은, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하는 동작, 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계값 미만인 것에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하지 않을 것을 결정하는 동작 및 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 상기 임계값 이상인 것에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력할 것을 결정하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 방전시키는 동작은, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 각각 방전 회로에 연결하는 동작을 포함하고, 상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작은, 상기 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가하는 동작, 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 임계값 미만인 것을 인식하는 제1 확인 동작, 상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하는 동작 및 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제2 확인 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 제1 확인 동작 및 상기 제2 확인 동작에 기초하여 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    적어도 하나의 신호 단자들을 포함하는 커넥터;
    상기 커넥터와 전기적으로 연결된 식별 회로;
    상기 커넥터와 전기적으로 연결된 스위칭 회로;
    배터리;
    메모리; 및
    상기 식별 회로, 상기 스위칭 회로, 상기 배터리 및 상기 메모리와 작동적으로(operatively) 연결되는 프로세서를 포함하고,
    상기 메모리는, 실행 시, 상기 프로세서가,
    상기 식별 회로를 이용하여, 외부 전자 장치가 상기 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하고,
    상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전(discharge)시키고,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 상기 배터리에 기반한 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하도록 하는 인스트럭션들(instructions)을 저장하는, 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 식별 회로를 이용하여, 상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제3 신호 단자를 통해 제1 저항 값 또는 제2 저항 값을 인식하도록 하는, 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 식별 회로를 이용하여 상기 제1 저항 값을 인식하는 경우 상기 외부 전자 장치가 외부로부터 전력을 제공받는 장치(sink)에 대응하는 것으로 인식하고,
    상기 식별 회로를 이용하여 상기 제2 저항 값을 인식하는 경우 상기 외부 전자 장치가 외부로 전력을 제공하는 장치(source)에 대응하는 것으로 인식하도록 하는, 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 저항(resistor)을 포함하는 방전 회로;를 더 포함하고,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 상기 방전 회로에 연결하도록 하는, 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후, 상기 스위칭 회로를 이용하여 상기 방전시킨 신호 단자에 상기 배터리에 기반한 풀업 전원을 인가하도록 하는, 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 방전시킨 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가한 후 지정된 시간 동안 대기하도록 하는, 전자 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하고,
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계값 미만인 경우, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하지 않을 것을 결정하도록 하는, 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 상기 임계값 이상인 경우, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력할 것을 결정하도록 하는, 전자 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    충전 회로;를 더 포함하고,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정한 것을 기초로, 상기 충전 회로를 제어하도록 하는, 전자 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 스위칭 회로를 이용하여, 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 각각 방전시키고,
    상기 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가하고,
    상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 임계값 미만인 것을 인식하는 제1 확인 동작을 수행하고,
    상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고,
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제2 확인 동작을 수행하도록 하는, 전자 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 제1 확인 동작 및 상기 제2 확인 동작에 기초하여 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 하는, 전자 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 제1 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고,
    상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제3 확인 동작을 수행하고,
    상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하고,
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제4 확인 동작을 수행하고,
    상기 제3 확인 동작 및 상기 제4 확인 동작에 기초하여 상기 외부 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 하는, 전자 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 메모리는 상기 외부 전자 장치에 관련된 상태 정보를 저장하고,
    상기 인스트럭션들은, 상기 프로세서가,
    상기 외부 전자 장치가 상기 전자 장치와 전기적으로 연결된 상태에서 재시작(reboot)되고,
    상기 외부 전자 장치에 상기 전원 전압을 출력하기 전에 상기 외부 전자 장치에 관련된 상태 정보를 확인하고,
    상기 확인한 상태 정보에 기반하여, 상기 외부 전자 장치에 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하도록 하는, 전자 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자는,
    상기 전자 장치와 상기 외부 전자 장치간의 데이터를 송수신하도록 구성된, 전자 장치.
  15. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
    외부 전자 장치가 커넥터를 통해서 상기 전자 장치에 전기적으로 연결된 것을 인식하는 동작;
    상기 커넥터에 포함된 적어도 하나의 신호 단자들 중 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 커패시터 내의 에너지를 방전시키는 동작; 및
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 커넥터를 통해 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 인식하는 동작은,
    상기 적어도 하나의 신호 단자들 중 제3 신호 단자를 통해 제1 저항 값 또는 제2 저항 값을 인식하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 방전시키는 동작은,
    상기 제1 신호 단자 및 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 적어도 하나의 저항(resistor)을 포함하는 방전 회로에 연결하는 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작은,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자 중 적어도 하나를 방전시킨 후 상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하는 동작,
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 임계값 미만인 것에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하지 않을 것을 결정하는 동작, 및
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨의 차이가 상기 임계값 이상인 것에 기초하여, 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력할 것을 결정하는 동작을 더 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 방전시키는 동작은,
    상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자를 각각 방전 회로에 연결하는 동작을 포함하고,
    상기 전원 전압을 출력할지 여부를 결정하는 동작은,
    상기 제1 신호 단자에 풀업 전원을 인가하는 동작,
    상기 제2 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 임계값 미만인 것을 인식하는 제1 확인 동작,
    상기 제2 신호 단자에 상기 풀업 전원을 인가하는 동작, 및
    상기 제1 신호 단자의 전압 레벨을 인식하여 상기 제1 신호 단자 및 상기 제2 신호 단자의 전압 레벨 차이가 상기 임계값 미만인 것을 인식하는 제2 확인 동작을 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 확인 동작 및 상기 제2 확인 동작에 기초하여 상기 외부 전자 장치로 상기 전원 전압을 출력하는 것을 제한하는 동작을 더 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
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