KR20230009074A - 안테나를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 다양한 실시 예들에 따르면, 하우징과; 상기 하우징 내에 수납되는 발열 부재 상에 배치되는 지지 커버와; 상기 지지 커버를 사이에 두고 상기 발열 부재와 중첩되게 배치되며, 방열 기능을 수행하는 금속 부재와; 상기 지지 커버와 금속 부재의 전기적 연결 경로를 선택적으로 형성하는 스위칭 유닛과; 상기 스위칭 유닛의 온-오프에 적어도 일부 기반하여 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며, 상기 스위칭 유닛은 상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며 수용 공간을 마련하는 수납 부재와; 상기 수용 공간 내에 수용되며, 상기 온도에 따라서 형태가 변형되는 열 변형 부재와; 상기 열 변형 부재의 변형시 승강하여 상기 금속 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재를 포함하는 전자 장치가 개시된다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

안테나를 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING ANTENNA}

본 문서에서 개시되는 실시 예들은 안테나를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

전자, 정보, 통신 기술이 발달하면서, 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 통합되고 있다. 예를 들어, 빠른 처리 속도를 가진 통신 회로나 프로세서, 더 소형화되면서도 안정되고 높은 송수신 효율을 가진 안테나, 고품질의 음향이나 화질을 제공할 수 있는 음향 모듈(예: 마이크로 폰 또는 스피커 모듈), 디스플레이 또는 광학 모듈(예: 카메라)이 전자 장치에 탑재될 수 있다.

전자 장치 내에 탑재된 음향 모듈의 고성능화로 소모 전류가 증가하고 발열 온도가 높아질 수 있다. 높아진 발열 온도로 인해 전자 장치의 전체적인 성능이 저하될 수 있다. 발열에 의한 성능 저하를 개선하기 위해, 음향 모듈이 배치된 영역까지 방열 부재가 연장되어 방열 부재와 음향 모듈이 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 음향 모듈의 인근에 배치되는 안테나 구조체와, 연장된 방열 부재와의 이격거리는 좁아져, 안테나 구조체와 방열 부재 간의 전기적 상호 간섭이 발생될 수 있다. 안테나 구조체와 방열 부재 간의 전기적 상호 간섭으로 인해 안테나 구조체의 방사 성능이 저하될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예는 방열 효과 및 안테나 성능을 동시에 확보할 수 있는 전자 장치를 제공하는 것이다.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에 수납되는 발열 부재 상에 배치되는 지지 커버와; 상기 지지 커버를 사이에 두고 상기 발열 부재와 중첩되게 배치되며, 방열 기능을 수행하는 금속 부재와; 상기 지지 커버와 금속 부재의 전기적 연결 경로를 선택적으로 형성하는 스위칭 유닛과; 상기 스위칭 유닛의 온-오프에 적어도 일부 기반하여 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며, 상기 스위칭 유닛은 상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며 수용 공간을 마련하는 수납 부재와; 상기 수용 공간 내에 수용되며, 상기 온도에 따라서 형태가 변형되는 열 변형 부재와; 상기 열 변형 부재의 변형시 승강하여 상기 금속 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재를 포함할 수 있다.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에 배치되는 스피커 모듈과; 상기 스피커 모듈 상에 배치되는 방열 부재와; 상기 스피커 모듈과 상기 방열 부재 사이에 배치되며, 제1 온도와, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 형태가 다른 열 변형 부재를 포함하는 스위칭 유닛과; 상기 스위칭 유닛과 상기 스피커 모듈 사이에 배치되며, 상기 스위칭 유닛에 의해 상기 방열 부재와 선택적으로 연결되는 지지 커버와; 상기 스위칭 유닛의 온-오프에 따라서 상기 제1 온도 및 상기 제2 온도 중 어느 하나를 감지하며, 상기 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며, 상기 스위칭 유닛은 상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며, 상기 열 변형 부재가 수용되는 수용 공간을 마련하는 수납 부재와; 상기 제2 온도에서 변형되는 상기 열 변형 부재에 의해 승강하여 상기 방열 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재를 포함할 수 있다.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치는 온도에 따라 형상이 변화는 열 변형 부재를 이용하여 온도 조건에 맞는 방열 및 안테나 성능 조건을 확보할 수 있다.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치는 온도에 상관없이 안테나 성능을 최적화된 수준으로 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 방열 성능도 확보할 수 있다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도 1은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 전면을도시한 도면이며, 도 2b는 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 도 1의 전자 장치의 후면을도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 분리 사시도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 후면 커버가 제거된 전자 장치의 내부 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에서 방열 부재 및 스위칭 유닛이 제거된 전자 장치의 내부 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 도 4에서 선"A-A'"를 따라 절취한 단면도이다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛을 나타내는 도면이다.
도 8은 다양한 실시 예에 따른 열 변형 부재가 변형되지 않을 때의 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 9는 다양한 실시 예에 따른 열 변형 부재가 변형되었을 때의 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 다양한 실시 예에 따른 스위칭 유닛과 안테나 튜너를 포함하는 전자 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 접촉 패드 및 안테나 튜너의 배치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛의 다른 실시 예를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 12에 도시된 스위칭 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛의 또 다른 실시 예를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 14에 도시된 스위칭 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 비교예의 전자 장치와, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 통신 성능에 관한 그래프이다.
도 17은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름을 도시한 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들 간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어?)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

도 2a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면 사시도이며, 도 2b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 후면 사시도이다.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 전자 장치(101)는, 제1 면(또는 전면)(210A), 제2 면(또는 후면)(210B), 및 제1 면(210A) 및 제2 면(210B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(210C)을 포함하는 하우징(210)을 포함할 수 있다.

다른 실시 예(미도시)에서, 하우징(210)은, 제1 면(210A), 제2 면(210B) 및 측면(210C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.

일 실시 예에서, 제1 면(210A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(202)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제2 면(210B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(211)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(211)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(210C)은, 전면 플레이트(202) 및 후면 플레이트(211)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(또는 "프레임 구조")(218)에 의하여 형성될 수 있다.

다른 실시 예에서, 후면 플레이트(211) 및 측면 베젤 구조(218)는 일체로 형성될 수 있고, 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.

도시된 실시 예에서, 전면 플레이트(202)는, 제1 면(210A)의 일부 영역으로부터 후면 플레이트(211) 방향으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(210D)들을 포함할 수 있다. 제1 영역(210D)들은 전면 플레이트(202)의 긴 엣지(long edge) 양단에 위치할 수 있다.

도시된 실시 예에서, 후면 플레이트(211)는, 제2 면(210B)의 일부 영역으로부터 전면 플레이트(202) 방향으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(210E)들을 포함할 수 있다. 제2 영역(210E)들은 후면 플레이트(211)의 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다.

다른 실시 예에서, 전면 플레이트(202)(또는 후면 플레이트(211))는 제1 영역(210D)들(또는 제2 영역(210E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 또한, 다른 실시 예에서, 전면 플레이트(202)(또는 후면 플레이트(211))는 제1 영역(210D)들(또는 제2 영역(210E)들) 중 일부를 포함하지 않을 수 있다.

일 실시 예에서, 측면 베젤 구조(218)는, 전자 장치(201)의 측면에서 볼 때, 상기와 같은 제1 영역(210D)들 또는 제2 영역(210E)들이 포함되지 않는 측면 방향(예: 단 변)에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(210D)들 또는 제2 영역(210E)들을 포함한 측면 방향(예: 장 변)에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)는 디스플레이(206)(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160)), 오디오 모듈(203, 207)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(미도시)(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(205, 212)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 키 입력 장치(217)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 발광 소자(미도시), 및 커넥터 홀(208)(예: 도 1의 연결 단자(178)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는, 상기 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(217) 또는 발광 소자(미도시))를 생략하거나, 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 디스플레이(206)는 전면 플레이트(202)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(206)의 적어도 일부는 상기 제1 면(210A), 및 상기 측면(210C)의 제1 영역(210D)들을 포함하는 전면 플레이트(202)를 통하여 노출될 수 있다.

일 실시 예에서, 디스플레이(206)의 모서리는 상기 전면 플레이트(202)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성될 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(206)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(206)의 외곽과 전면 플레이트(202)의 외곽 간의 간격은 대체로 동일하게 형성될 수 있다.

일 실시 예에서, 하우징(210)의 표면(또는 전면 플레이트(202))은 디스플레이(206)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화면 표시 영역은, 제1 면(210A), 및 측면의 제1 영역(210D)들을 포함할 수 있다.

다른 실시 예(미도시)에서, 화면 표시 영역(210A, 210D)은 사용자의 생체 정보를 획득하도록 구성된 센싱 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 여기서, "화면 표시 영역(210A, 210D)이 센싱 영역을 포함함"의 의미는 센싱 영역의 적어도 일부가 화면 표시 영역(210A, 210D)에 겹쳐질 수 있는 것(overlapped)으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 상기 센싱 영역(미도시)은 화면 표시 영역(210A, 210D)의 다른 영역과 마찬가지로 디스플레이(206)에 의해 시각 정보를 표시할 수 있고, 추가적으로 사용자의 생체 정보(예: 지문)를 획득할 수 있는 영역을 의미할 수 있다.

일 실시 예에서, 디스플레이(206)의 화면 표시 영역(210A, 210D)은 제1 카메라 모듈(205)(예: 펀치 홀 카메라)이 시각적으로 노출될 있는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 카메라 모듈(205)이 노출된 영역은 가장자리의 적어도 일부가 화면 표시 영역(210A, 210D)에 의해 둘러싸일 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 제1 카메라 모듈(205)은 복수의 카메라 모듈(예: 도 1의 카메라 모듈(180))들을 포함할 수 있다.

다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(206)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 오디오 모듈(203, 204, 207)은, 마이크 홀(203, 204) 및 스피커 홀(207)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 마이크 홀(203, 204)은 측면(210C)의 일부 영역에 형성된 제1 마이크 홀(203) 및 제2 면(210B)의 일부 영역에 형성된 마이크 홀(204)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(203, 204)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있다. 상기 마이크는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 면(210B)의 일부 영역에 형성된 제2 마이크 홀(204)은, 카메라 모듈(205, 212)에 인접하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 마이크 홀(204)은 카메라 모듈(205, 212) 실행 시 소리를 획득하거나, 다른 기능 실행 시 소리를 획득할 수 있다.

일 실시 예에서, 스피커 홀(207)은, 외부 스피커 홀(207) 및 통화용 리시버 홀(미도시)을 포함할 수 있다. 외부 스피커 홀(207)은 전자 장치(101)의 측면(210C)의 일부에 형성될 수 있다. 다른 실시 예에서, 외부 스피커 홀(207)은 마이크 홀(203)과 하나의 홀로 구현될 수 있다. 도시되지 않았으나, 통화용 리시버 홀(미도시)은 측면(210C)의 다른 일부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 통화용 리시버 홀(미도시)은 외부 스피커 홀(207)이 형성된 측면(210C)의 일부(예: -Y축 방향을 향하는 부분)와 마주보는 측면(210C)의 다른 일부(예: +Y축 방향을 향하는 부분)에 형성될 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)는, 스피커 홀(207)과 연통되는 스피커를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 스피커는 스피커 홀(207)이 생략된 피에조 스피커를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 센서 모듈(미도시)(예: 도 1의 센서 모듈(176))은, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈은, 근접 센서, HRM 센서, 지문 센서, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 카메라 모듈(205, 212)은, 전자 장치(101)의 제1 면(210A)으로 노출되는 제1 카메라 모듈(205)(예: 펀치 홀 카메라, 또는 UDC(under display camera)), 제2 면(210B)으로 노출되는 제2 카메라 모듈(212), 및/또는 플래시(213)를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(205)은 디스플레이(206)의 화면 표시 영역(210A, 210D)의 일부를 통해 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(205)은 디스플레이(206)의 일부에 형성된 개구(미도시)를 통해 화면 표시 영역(210A, 210D)의 일부 영역으로 노출될 수 있다.

일 실시 예에서, 제2 카메라 모듈(212)은 복수의 카메라 모듈들(예: 듀얼 카메라, 트리플 카메라 또는 쿼드 카메라)를 포함할 수 있다. 다만, 제2 카메라 모듈(212)이 반드시 복수의 카메라 모듈들을 포함하는 것으로 한정되는 것은 아니며, 하나의 카메라 모듈을 포함할 수도 있다.

제1 카메라 모듈(205) 및 제2 카메라 모듈(212)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(213)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 키 입력 장치(217)는 하우징(210)의 측면(210C))(예: 제1 영역(210D)들 및/또는 상기 제2 영역(210E)들)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 키 입력 장치(217) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고, 포함되지 않은 키 입력 장치(217)는 디스플레이(206) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다. 다른 실시 예에서, 키 입력 장치는 화면 표시 영역(210A, 210D)에 포함된 센싱 영역(미도시)을 형성하는 센서 모듈(미도시)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 커넥터 홀(208)은 커넥터를 수용할 수 있다. 커넥터 홀(208)은 하우징(210)의 측면(210C)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(208)은 오디오 모듈(예: 마이크 홀(203) 및 스피커 홀(207))의 적어도 일부와 인접하도록 측면(210C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 외부 장치와 전력 및/또는 데이터를 송/수신 하기 위한 커넥터(예: USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(208) 및/또는 외부 장치와 오디오 신호를 송/수신하기 위한 커넥터(예: 이어폰 잭)를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(미도시)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)는 발광 소자(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(미도시)는 하우징(110)의 제1 면(210A)에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(미도시)는 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 발광 소자(미도시)는 제1 카메라 모듈(205)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(미도시)는, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.

도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.

도 3을 참조하면, 전자 장치(101)는, 전면 플레이트(220)(예: 도 2a의 전면(210A) 및 제1 영역(210D)), 디스플레이(230)(예: 도 2a의 디스플레이(206)), 브라켓(240), 배터리(249), 인쇄 회로 기판(250), 지지 부재(260)(예: 리어 케이스), 및 후면 플레이트(280)(예: 도 2a의 후면(210B) 및 제2 영역(210E))를 포함할 수 있다.

다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는, 상기 구성요소들 중 적어도 하나(예: 지지 부재(260))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 2a 및 도 2b의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일 또는 유사할 수 있으며, 이하, 중복되는 설명은 생략한다.

일 실시 예에서, 전면 플레이트(220), 후면 플레이트(280), 및 브라켓(240)(예: 프레임 구조(241))의 적어도 일부는 하우징(예: 도 2a 및 도 2b의 하우징(210))을 형성할 수 있다.

일 실시 예에서, 브라켓(240)은 전자 장치(101)의 표면(예: 도 1의 측면(210C)의 일부)을 형성하는 프레임 구조(241), 및 프레임 구조(241)로부터 전자 장치(101)의 내측으로 연장되는 플레이트 구조(242)를 포함할 수 있다.

플레이트 구조(242)는, 전자 장치(101) 내부에 위치되고, 프레임 구조(241)와 연결되거나, 또는 프레임 구조(241)와 일체로 형성될 수 있다. 플레이트 구조(242)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 플레이트 구조(242)는, 일면에 디스플레이(230)가 결합되고 이면에 인쇄 회로 기판(250)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(250)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.

메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.

인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 배터리(249)는 전자 장치(101)의 구성요소 중 적어도 하나에 전력을 공급할 수 있다. 예를 들어, 배터리(249)는 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 배터리(249)의 적어도 일부는 인쇄 회로 기판(250)과 실질적으로 동일 평면상에 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 배터리(249)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치되거나, 또는 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.

일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(205)은 렌즈가 전자 장치(101)의 전면 플레이트(220)(예: 도 1의 전면(210A))의 일부 영역으로 노출되도록 브라켓(240)의 플레이트 구조(242)에 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(205)은, 렌즈의 광 축이 디스플레이(230)에 형성된 홀 또는 리세스(237)와 적어도 부분적으로 정렬되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈가 노출되는 영역은 전면 플레이트(220)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(205)은 적어도 일부가 디스플레이(230)의 배면에 형성된 홀 또는 리세스(237)의 내부에 배치되는 펀치 홀 카메라를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 추가적으로 또는 대체적으로, 제1 카메라 모듈(205)은 디스플레이(230)의 하부 공간(예: 디스플레이(230)로부터 전자 장치(101)의 내부로 향하는 공간)에 배치되는 UDC(under display camera)를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 제2 카메라 모듈(212)은 렌즈가 전자 장치(101)의 후면 플레이트(280)(예: 도 2b의 후면(210B))의 카메라 영역(284)으로 노출되도록 인쇄 회로 기판(250)에 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 카메라 영역(284)은 후면 플레이트(280)의 표면(예: 도 2b의 후면(210B))에 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 카메라 영역(284)은 제2 카메라 모듈(212)의 렌즈로 외부의 광이 입사되도록 적어도 부분적으로 투명하게 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 카메라 영역(284)의 적어도 일부는 후면 플레이트(280)의 상기 표면으로부터 소정의 높이로 돌출될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 카메라 영역(284)은 후면 플레이트(280)의 상기 표면과 실질적으로 동일한 평면을 형성할 수도 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는 바 타입, 폴더블 타입, 롤러블 타입, 슬라이딩 타입, 웨어러블 타입, 태블릿 PC 및/또는 노트북 PC와 같은 전자 장치를 포함할 수 있다. 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는 상술한 예에 한정되지 않고, 다른 다양한 전자 장치를 포함할 수 있다.

도 4는 다양한 실시 예에 따른 후면 커버가 제거된 전자 장치의 내부 구성을 도시한 도면이며, 도 5는 도 4에서 방열 부재 및 스위칭 유닛이 제거된 전자 장치의 내부 구성을 도시한 도면이며, 도 6은 도 4에서 선"A-A'"를 따라 절취한 단면도이다. 도 4 내지 도 6의 전자 장치는 도 1, 도 2a, 도 2b 또는 도 3의 전자 장치(101)와 적어도 일부 유사하거나, 전자 장치의 다른 실시예들을 더 포함할 수 있다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 전자 장치(400)는, 전면 플레이트(예: 도 3의 전면 플레이트(220)), 전면 플레이트와 반대 방향으로 향하는 후면 플레이트(예: 도 3의 후면 플레이트(280)), 및 전면 플레이트와 후면 플레이트 사이의 내부 공간(401)을 둘러싸는 측면 부재(420)를 포함하는 하우징 구조(410)를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치(400)의 내부 공간(401)에는 다양한 전자 부품들이 배치될 수 있다. 전자 장치(400)의 내부 공간(401)에는 적어도 하나의 인쇄 회로 기판(440), 스피커 모듈(470), 배터리(450) 및 방열 부재(480)(또는, 금속 부재)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 스피커 모듈(470)은 측면 부재(420)에 포함되는 일측면부(411)와 플레이트부(412)에 의해 마련된 내부 공간에 배치될 수 있다. 스피커 모듈(470)의 반대 방향(예: +Z 방향)을 향하는 플레이트부(412)의 일면에는 기능성 부재(413)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 기능성 부재(413)는 광학 시트, 광학 접착층, 가이드 필름, 보호 플레이트, 적층형 보호층 및 보호 필름 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

인쇄 회로 기판(440)은 전자 장치(400)의 내부 전자 부품들(적어도 하나의 카메라 모듈, 적어도 하나의 센서 모듈 또는 스피커 모듈)이 밀집한 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(440)은 스피커 모듈(470)을 지지하는 지지 커버(580)와 인접되게 배치될 수 있다. 배터리(450)는 인쇄 회로 기판(440)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 배터리(450)는 스피커 모듈(470)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 방열 부재(480)는 배터리(450) 및 스피커 모듈(470)과 중첩되게 배치될 수 있다. 방열 부재(480)는 배터리(450)에서 발생되는 열을 확산 또는 분산하는 역할을 할 수 있다. 방열 부재(480)는 스피커 모듈(470)에서 발생되는 열을 확산 또는 분산하는 역할을 할 수 있다. 방열 부재(480)는 열 전도율이 높은 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 방열 부재(480)는 구리, 알루미늄, 스테인레스(SUS), 또는 그라파이트(graphite) 중 적어도 하나로 형성된 층(layer) 및/또는 히트파이프를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치(400)는 측면 부재(420)의 적어도 일측면을 통해 형성된 적어도 하나의 안테나 구조체(430)를 포함할 수 있다. 안테나 구조체(430)는 측면 부재(420)의 일측면에서, 이격 배치되는 비도전성 영역들(432, 433)을 통해 전기적으로 단절된 도전성 영역(431)(예: 안테나 엘리먼트)을 포함할 수 있다. 안테나 구조체(430)는 인쇄 회로 기판(440)에 실장되는 무선 통신 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나 구조체(430)의 도전성 영역(431)은 급전 단자(441) 및 접지 단자(442)를 포함할 수 있다. 접지 단자(442)는 인쇄 회로 기판(440)에 제공된 접지부와 전기적으로 연결될 수 있다. 급전 단자(441)는 인쇄 회로 기판(440)에 제공된 급전부와 전기적으로 연결될 수 있다. 도전성 영역(431)은 급전 단자(441)와 연결된 인쇄 회로 기판(440)의 급전부를 통해 전원을 공급받아서 안테나 방사체의 적어도 일부로 동작을 할 수 있다

다양한 실시 예에 따르면, 지지 커버(580)와 방열 부재(480) 사이에는 스위칭 유닛(600)이 배치될 수 있다. 스위칭 유닛(600)은 지지 커버(580)와 방열 부재(480)의 전기적 연결 경로를 선택적으로 형성할 수 있다. 스위칭 유닛(600)은 그 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도(예: 상온)일 때 비활성화되어 스위칭 유닛(600)은 방열 부재(480)에 포함된 접촉 패드(700)와 이격 상태를 유지할 수 있다. 스위칭 유닛(600)과 이격된 접촉 패드(700)는 지지 커버(580)와 단선(open)될 수 있다. 스위칭 유닛(600)은 그 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도보다 높은 고온인 제2 온도일 때 활성화되어 스위칭 유닛(600)의 적어도 일부는 접촉 패드(700)를 향해 승강할 수 있다. 승강된 스위칭 유닛(600)을 통해 접촉 패드(700)와 지지 커버(580)는 전기적으로 연결될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(600)의 동작 여부에 따라 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)) 및 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190)) 중 적어도 어느 하나는 스위칭 유닛(600)의 주변 온도를 감지하고, 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택할 수 있다. 예를 들어, 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도일 경우, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)) 및 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190)) 중 적어도 어느 하나는 제1 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 디폴트 튜닝 코드)에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도일 경우, 프로세서 및 통신 모듈 중 적어도 어느 하나는 제2 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 보정 튜닝 코드)에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(600)의 주변에 배치되는 발열 부재인 전자 부품(예: 스피커 모듈(470) 또는 배터리(480))은 하우징(410) 내에 수납될 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 주변 온도는 발열 부재인 전자 부품의 발열 정도 또는 전자 장치(400)의 외부 환경 상태에 따라서 결정될 수 있다. 예를 들어, 스피커 모듈(470)에서 발산되는 열에 의해 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도 상태일 때, 스위칭 유닛(600)의 적어도 일부는 접촉 패드(700)와 전기적으로 연결되도록 변형될 수 있다. 다른 예를 들어, 전자 장치(400)의 외부 환경에 의해 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도 상태일 때, 스위칭 유닛(600)의 적어도 일부는 접촉 패드(700)와 전기적으로 연결되도록 변형될 수 있다.

도 7(a)는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛을 나타내는 평면도이며, 도 7(b)는 도 7(a)에서 선"B-B'"를 따라 절취한 스위칭 유닛을 나타내는 단면도다.

도 6 및 7을 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 스위칭 유닛(600)는 열 변형 부재(510), 수납 부재(520) 및 승강 부재(530)를 포함할 수 있다.

수납 부재(520)는 승강 부재(530) 및 열 변형 부재(510)를 수용할 수 있는 수용 공간을 제공할 수 있다. 수납 부재(520)는 수용 공간을 둘러싸도록 복수의 제1 측면 영역(522), 제1 후면 영역(523) 및 제1 전면 영역(521)을 포함할 수 있다. 제1 전면 영역(521)에는 방열 부재(480)를 향해 개구된 개구 영역(620)이 형성될 수 있다. 개구 영역(620)은 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)보다 큰 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전면 영역(521)은 승강 부재(530)의 제2 후면 영역(533)과 중첩되게 배치될 수 있다. 제1 전면 영역(521)은 승강 부재(530)의 승강시, 승강 부재(530)의 제2 후면 영역(533)의 적어도 일부와 접촉될 수 있다. 제1 전면 영역(521)은 승강 부재(530)의 이동을 제한하는 스토퍼 역할을 할 수 있다.

승강 부재(530)는 열 변형 부재(510)와 함께 수납 부재(520) 내에 수용될 수 있다. 승강 부재(530)는 수납 부재(520)의 개구 영역(620)을 통해 인입 및 인출이 가능하도록 열 변형 부재(510) 상에 배치될 수 있다. 승강 부재(530)는 열 변형 부재(510)의 변형여부에 따라서 승강운동을 할 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승시, 열 변형 부재(510)는 변형되어 승강 부재(530)는 상승할 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도에서 제1 온도로 하강시, 열 변형 부재(510)는 원복되어 승강 부재(530)는 하강할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 승강 부재(530)는 제2 측면 영역(532), 제2 후면 영역(533) 및 제2 전면 영역(531)을 포함할 수 있다. 승강 부재(530)의 제2 후면 영역(533)과 수납 부재(520)의 제1 후면 영역(523) 사이에는 열 변형 부재(510)가 배치될 수 있다. 승강 부재(530)의 제2 측면 영역(532)은 개구 영역(620)을 사이에 두고 수납 부재(520)의 제1 전면 영역(521)과 이격되게 배치될 수 있다. 승강 부재(530)의 승강시, 제2 측면 영역(532)과 수납 부재(520)와의 마찰을 피할 수 있다. 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)은 수납 부재(520)의 개구 영역(620)을 통해 수납 부재(520)의 내외부로 출입할 수 있다. 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)은 수납 부재(520)의 제1 전면 영역(521)보다 돌출되게 상승할 수 있다. 제1 온도시, 수납 부재의 제1 전면 영역(521)보다 돌출되는 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)의 돌출 높이(h)은 수납 부재(520)의 제1 전면 영역(521)과 방열 부재(예: 도 6의 방열 부재(480))와의 이격 거리만큼 돌출될 수 있다. 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)은 상대적으로 넓은 표면적을 가지도록 형성되어 방열 부재(480)와의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있다. 승강 부재(530)와 방열 부재(480)와의 접촉으로 스피커 모듈(480)에서 발산되는 열은 스위칭 유닛(600)을 통해 방열 부재(480)로 이동될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 열 변형 부재(510)는 제1 금속층(511) 및 제2 금속층(512)을 포함하는 바이메탈일 수 있다. 제1 금속층(511) 및 제2 금속층(512)의 열 팽창 계수는 서로 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1 금속층(511)은 제2 금속층(512)보다 열팽창계수가 클 수 있다. 제1 금속층(512)은 철 또는 철-니켈-크롬 합금을 포함할 수 있다. 제2 금속층(512)은 제1 금속층(511)보다 열 팽창 계수가 작은 금속으로써, 니켈, 크롬, 아연 또는 구리를 포함할 수 있다.

열 변형 부재(510)는 그 열 변형 부재(510)의 주변 온도가 기준 온도 이상인 경우 휘어지거나 변형될 수 있다. 제2 금속층(512) 보다 큰 열 팽창 계수를 가지는 제1 금속층(511)은 주변 온도가 상승하는 경우 제2 금속층(512)보다 더 큰 부피로 팽창될 수 있다. 열 변형 부재(510)는 온도의 영향으로 형상이 변형되더라도, 수납 부재(530) 내에 수납되어 이탈되지 않을 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 열 변형 부재(510)의 변형 정도는 제1 금속층(511)과 제2 금속층(512)의 열 팽창 계수의 차이에 비례할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제1 금속층(511)과 제2 금속층(512)의 배치에 따라, 열 변형 부재(510)의 변형 방향이 달라질 수 있다. 예를 들어, 열팽창 계수가 큰 제1 금속층(511)이 제2 금속층(512)보다 승강 부재(522)에 가깝게 배치되는 열 변형 부재(510)는 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승시, 역"U"자 형태로 승강 부재(522)를 향하는 방향으로 구부러질 수 있다. 열팽창 계수가 큰 제2 금속층(512)이 제1 금속층(511)보다 승강 부재(522)에 가깝게 배치되는 열 변형 부재(510)는 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승시, "U"자 형태로 스피커 모듈(470)를 향하는 방향으로 구부러질 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 열 변형 부재(510)는 기구적 부자재 또는 접착제 등을 이용하여 수납 부재(520) 및 승강 부재(530) 중 적어도 어느 하나와 결합될 수 있다. 예를 들어, 열 변형 부재(510)의 제2 금속층(512)은 접착제(610)를 통해 수납 부재(520)의 제1 후면 영역(523)에 부착될 수 있다. 열 변형 부재(510)의 제1 금속층(511)은 접착제(610)를 통해 승강 부재(530)의 제2 후면 영역(533)에 부착될 수 있다. 또한, 수납 부재(520)의 제1 후면 영역(523)은 접착제(610)를 통해 스피커 지지 부재(예: 도 5의 지지 커버(580))에 부착될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(600)은 전자 장치 내에서 차지하는 부피가 최소화되도록 초박형으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 유닛(600)의 전체 두께(D)는 1.0mm미만으로 형성될 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 전체 두께는 수납 부재(520), 접착 부재(610), 열 변형 부재(510) 및 승강 부재(530) 각각의 두께와, 각 부재들(510,520,530,610) 간의 이격 거리와, 승강 부재(530)의 제2 전면 영역(531)의 최소 돌출 높이(h)의 총합으로 이루어질 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 수납 부재(520)의 개구 영역(620)의 면적에 따라서 방열 부재(480) 및 승강 부재(530)와의 접촉 면적과, 승강 부재(530)와 수납 부재(520)와의 접촉 면적이 결정될 수 있다. 예를 들어, 개구 영역(620)의 면적이 상대적으로 크면, 방열 부재(480) 및 승강 부재(530)와의 접촉 면적이 증가하고, 승강 부재(530)와 수납 부재(520)와의 접촉 면적이 감소할 수 있다. 개구 영역(620)의 면적이 상대적으로 작으면, 방열 부재(480) 및 승강 부재(530)와의 접촉 면적이 감소하고, 승강 부재(530)와 수납 부재(520)와의 접촉 면적이 증가할 수 있다.

도 8은 다양한 실시 예에 따른 열 변형 부재가 변형되지 않을 때의 전자 장치(700)를 나타내는 도면이다.

도 8을 참조하면, 전자 장치의 외부 환경의 온도 또는 전자 부품의 발열 온도가 상대적으로 낮으면, 스위칭 유닛(600)의 주변 온도는 제1 온도(예, 상온)(Ta)를 유지할 수 있다. 열 변형 부재(510)는 제1 온도(예, 상온)(Ta)에서 변형되지 않고 초기 형상을 유지할 수 있다. 열 변형 부재(510)는 제1 온도(Ta)에서 변형없이 평탄도를 유지하므로, 승강 부재(530)는 수납 부재(520)와 이격 상태를 유지할 수 있다. 승강 부재(530)와 수납 부재(520)는 전기적으로 단선(open)된 상태를 유지 수 있다. 스피커 모듈(470)과 연결된 지지 커버(580)는 방열 부재(480)와 단선(open)된 상태이므로, 스피커 모듈(470) 및 방열 부재(480) 중 적어도 어느 하나는 안테나 구조체(430)의 안테나 성능에 영향을 미치지 않을 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 열 변형 부재(510)의 주변 온도가 제2 온도(Tb)에서, 제2 온도(Tb)보다 낮은 제1 온도(Ta)로 하강하게 되면, 열 변형 부재(510)는 초기 형상으로 원복될 수 있다. 원복된 열 변형 부재(510)는 평탄도를 유지하므로, 승강 부재(530)는 수납 부재(520)와 이격 상태를 유지할 수 있다. 승강 부재(530)와 수납 부재(520)는 전기적으로 단선(open)된 상태를 유지 수 있다.

도 9는 다양한 실시 예에 따른 열 변형 부재가 변형되었을 때의 전자 장치를 나타내는 도면이다.

도 9를 참조하면, 전자 장치의 외부 환경의 온도 또는 전자 부품의 발열 온도가 높아지면, 스위칭 유닛(600)의 주변 온도는 제1 온도(Ta)에서 제2 온도(Tb)로 상승할 수 있다. 열 변형 부재(510)는 제2 온도(Tb)로 주변 온도가 상승함에 따라 변형될 수 있다. 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도(Ta)에서 제2 온도(Tb)로 상승하는 경우, 수납 부재(520) 내에서 이탈되지 않고 휘어질 수 있다. 예를 들어, 열 팽창 계수가 큰 제1 금속층(511)은 주변 온도가 제1 온도(Ta)에서 제2 온도(Tb)로 상승하는 경우, 승강 부재(530)를 향하는 방향으로 구부러질 수 있다. 변형된 열 변형 부재(510)에 의해 승강 부재(530)는 방열 부재(480)를 향해 상승할 수 있다. 상승한 승강 부재(530)는 방열 부재(480)와 전기적으로 단락(short)될 수 있다. 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 통해 방열 부재(480)는 지지 커버(580)와 전기적으로 단락될 수 있다. 스피커 모듈(470), 지지 커버(580), 수납 부재(520), 승강 부재(530) 및 방열 부재(480)는 전기적으로 연결되어 방열 경로가 형성될 수 있다. 스피커 모듈(470)에서 발산된 열은 방열 부재(480)를 통해 방열될 수 있다.

도 10a 및 도 10b는 다양한 실시 예에 따른 스위칭 유닛과 안테나 튜너를 포함하는 전자 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 10a 및 도 10b에서 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 포함하는 스위칭 유닛, 지지 커버(580) 및 접촉 패드(700)는 간단한 기호로 도시화하였으나, 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 포함하는 스위칭 유닛, 지지 커버(580) 및 접촉 패드(700)는 도 6 및 도 7에 도시된 구성일 수 있다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 평탄도를 유지하는 열 변형 부재(예: 도 8의 열 변형 부재(510))에 의해 승강 부재(530)가 상승하지 않은 비활성화 상태일 때, 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 포함하는 스위칭 유닛(600)은 턴-오프될 수 있다. 도 10b에 도시된 바와 같이, 변형된 열 변형 부재(예: 도 9의 열 변형 부재(510))에 의해 승강 부재(530)가 상승하는 활성화 상태일 때, 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 포함하는 스위칭 유닛(600)은 턴-온될수 있다.

도 8, 도 9, 도 10a 및 도 10b를 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 스위칭 유닛(600), 제1 프로세서(1010), 제2 프로세서(1020) 및 안테나 튜너(1030)를 포함할 수 있다.

스위칭 유닛(600)의 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)는 지지 커버(580)와 접촉 패드(700) 사이에 배치될 수 있다. 스위칭 유닛(600)은 그 스위칭 유닛(600)의 주변온도에 따라서 턴온되거나 턴오프될 수 있다. 승강 부재(530) 및 수납 부재(520)를 포함하는 스위칭 유닛(600)은 그 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도일 때, 턴오프될 수 있다. 턴오프된 스위칭 유닛(600)에 의해, 접촉 패드(700)와 지지 커버(580)는 전기적으로 오픈(open)될 수 있다. 스위칭 유닛(600)은 그 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도일 때, 상승하는 승강 부재(530)를 통해 턴온될 수 있다. 턴온된 스위칭 유닛(600)에 의해, 접촉 패드(700)와 지지 커버(580)는 전기적으로 단락(short)될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(600)과 풀업 저항(Ru)은 제어 신호 생성 회로로 구성될 수 있다.

제1 프로세서(1010)의 입력단에는 스위칭 유닛(600)의 동작 여부에 따라서 해당하는 제어 신호가 입력될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 유닛(600)이 도 10a에 도시된 바와 같이 턴오프되면, 전원(VREF)에 접속된 풀업 저항(Ru)으로부터 제1 프로세서(1010)의 입력 단자로 하이(High) 레벨의 제어 신호가 인가될 수 있다. 스위칭 유닛(600)이 도 10b에 도시된 바와 같이 턴온되면, 전원(VREF)에 접속된 풀업 저항(Ru)으로부터 턴온된 스위칭 유닛(600)의 승강 부재(530)를 통해 그라운드(GND)로 전류가 흘러, 턴온된 스위칭 유닛(600)과 접속된 제1 프로세서(1010)의 입력단자에는 로우(Low) 레벨의 제어 신호가 인가될 수 있다

제1 프로세서(1010)는 입력되는 제어 신호에 따라서 스위칭 유닛(600)의 주변 환경 상태를 판단할 수 있다. 제1 프로세서(1010)는 하이(High) 레벨의 제어 신호가 입력되면, 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제1 온도인 것으로 판단할 수 있다. 제1 프로세서(1010)는 로우(Low) 레벨의 제어 신호가 입력되면, 스위칭 유닛(600)의 주변 온도가 제2 온도인 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 제1 프로세서(1010)는 메인 프로세서(예: 도 1의 메인 프로세서(121))인 어플리케이션 프로세서일 수 있다.

제2 프로세서(1020)는 제1 프로세서(1010)를 통해 판단된 온도에 해당하는 튜닝 코드를 안테나 튜너(1030)에 송신할 수 있다. 제2 프로세서(1020)는 제1 프로세서(1010)를 통해 제1 온도에 해당하는 제어 신호가 입력되면, 제1 온도에서 최적화된 디폴트 튜닝 코드를 선택하여 안테나 튜너(1030)로 전달할 수 있다. 제2 프로세서(1020)는 제1 프로세서(1010)를 통해 제2 온도에 해당하는 제어 신호가 입력되면, 제2 온도에서 최적화된 보정 튜닝 코드를 선택하여 안테나 튜너(1030)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제2 프로세서(1020)는 보조 프로세서(예: 도 1의 보조 프로세서(123))인 커뮤니케이션 프로세서일 수 있다.

안테나 튜너(1030)는 전자 장치(1000)에 포함된 하나 이상의 안테나 구조체(430)를 튜닝할 수 있다. 안테나 튜너(1030)는 제2 프로세서(1020)로부터 수신한 안테나 튜닝 코드 정보에 기반하여, 작동 주파수의 조절 및/또는 상기 임피던스 매칭을 수행할 수 있다. 안테나 튜닝 코드에 포함되는 디폴트 튜닝 코드 및 보정 튜닝 코드는, 안테나 튜너(1030)에 사전에 저장된 정보로써, 제2 프로세서(1020)에 의해 선택될 수 있다. 작동 주파수의 조절 및/또는 임피던스 매칭은, 온도에 따라서 안테나 구조체(430)에 대응하는 안테나 튜닝 코드를 변경하여 수행될 수 있다. 또한, 안테나 튜닝 코드의 변경에 의하여 주파수 대역별로 임피던스가 변경됨에 따라 안테나에서 방사되는 무선 신호의 전력을 조절할 수 있다. 안테나 튜닝 코드의 변경에 의하여 안테나 구조체(430)의 임피던스가 변경되면 안테나 구조체(430)의 방사효율이 변경될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 보정 튜닝 코드는 제1 온도에서의 안테나 성능과 유사해지도록 제2 온도에서의 안테나 성능을 보정할 수 있다. 예를 들어, 제2 온도에서, 디폴트 튜닝 코드보다 임피던스를 작게 하는 보상값이 적용된 보정 튜닝 코드가 사용될 수 있다. 이에 따라, 방열 부재와의 전기적 상호 간섭으로 인해 저하된 안테나 방사 성능은 디폴트 튜닝 코드를 사용할 때와 유사해지도록 보정될 수 있다. 이와 같이, 제1 온도에서 디폴트 튜닝 코드를 이용하고, 제2 온도에서 보정 튜닝 코드를 이용함으로써, 제1 온도와 제2 온도에서의 안테나 성능 편차가 최소화될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 접촉 패드(700), 제1 프로세서(1010), 제2 프로세서(1020) 및 안테나 튜너(1030)는 다양한 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input/output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되어 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다. 예를 들어, 접촉 패드(700)는 제1 프로세서(1010)와 GPIO(general purpose input/output) 방식을 통해 서로 연결될 수 있다. 제1 프로세서(1010) 및 제2 프로세서(1020)는 SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결될 수 있다. 제2 프로세서(1020)와 안테나 튜너(1030)는 SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결될 수 있다.

도 11은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 접촉 패드 및 안테나 튜너의 배치 관계를 설명하기 위한 도면이다.

도 11을 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(1100)의 안테나 튜너(1030)는 제1 인쇄 회로 기판(440) 상에 배치될 수 있다. 안테나 튜너(1030)는 제1 인쇄 회로 기판(440)을 통해 안테나 구조체(430)의 도전성 영역(431)과 전기적으로 연결될 수 있다.

접촉 패드(700)는 신호 배선(1130)을 통해 구동칩(1120)과 연결될 수 있다. 접촉 패드(700) 및 신호 배선(1130)은 방열 부재 상에 형성될 수 있다. 구동칩(1120)은 제1 인쇄 회로 기판(440)과 이격된 제2 인쇄 회로 기판(1140) 상에 형성될 수 있다. 구동칩(1120) 내에는 제1 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제1 프로세서(1010)), 제2 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제2 프로세서(1020)) 및 풀업 저항(Ru) 중 적어도 어느 하나가 내장될 수 있다.

제1 인쇄 회로 기판(440) 및 제2 인쇄 회로 기판(1140)은 연성 회로 기판(1110)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 인쇄 회로 기판(1140) 상에 형성된 제2 프로세서는 제1 인쇄 회로 기판(440) 상에 형성된 안테나 튜너(1030)와 연성 회로 기판(1110)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1100)는 평면형 안테나 코일(1150)을 포함할 수 있다. 평면형 안테나 코일(1150)은 무선 충전 모듈 및 NFC 모듈 중 적어도 어느 하나와 연결되어 무선 충전 기능과 근접 무선 통신 기능 중 적어도 어느 하나를 수행할 수 있다.

도 12는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛의 다른 실시 예를 나타내는 평면도이며, 도 13은 도 12에서 선 "C-C'"를 따라 절취한 스위칭 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.

도 12 및 도 13을 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 스위칭 유닛(1200)은 열 변형 부재(1310), 수납 부재(1220) 및 승강 부재(1230)를 포함할 수 있다.

수납 부재(1220)는 열 변형 부재(1310)를 수용할 수 있는 수용 공간을 둘러싸도록 제1 측면 영역(1222), 제1 후면 영역(1223) 및 제1 돌출 영역(1221)을 포함할 수 있다. 제1 측면 영역(1222)은 서로 마주보는 제1 서브 측면 영역(1321) 및 제2 서브 측면 영역(1322)과, 서로 마주보는 제3 서브 측면 영역(1323) 및 제4 서브 측면 영역(1324)을 포함할 수 있다. 제1 서브 측면 영역(1321) 및 제2 서브 측면 영역(1322)은 제3 서브 측면 영역(1323) 및 제4 서브 측면 영역(1324)보다 길이가 길 수 있다.

제1 서브 측면 영역(1321)의 적어도 일부 영역은 제1 후면 영역(1223)으로부터 C-클립(Clip)형태로 벤딩될 수 있다. 제1 서브 측면 영역(1321)은 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231)과 연결될 수 있다. 제1 서브 측면 영역(1321)은 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231)과 일체형으로 형성되어 승강 부재(1230)와 수납 부재(1220)가 분리되는 것을 방지할 수 있다.

제1 돌출 영역(1221)은 제2 서브 측면 영역(1322)으로부터 승강 부재의 제2 측면 영역(1232)을 향해 돌출될 수 있다. 제1 돌출 영역(1221)은 승강 부재(1230)의 승강시, 승강 부재(1230)의 제2 돌출 영역(1233)의 적어도 일부와 접촉할 수 있다.

승강 부재(1230)는 열 변형 부재(1310)의 수용 공간을 마련하도록 수납 부재(1220)와 결합될 수 있다. 승강 부재(1230)는 열 변형 부재(510)의 변형여부에 따라서 승강운동을 할 수 있다. 스위칭 유닛(1200)의 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승시, 열 변형 부재(1310)는 도 13(a)에 도시된 바와 같이 변형되어 승강 부재(1230)는 상승할 수 있다. 스위칭 유닛(1200)의 주변 온도가 제1 온도를 유지할 때, 열 변형 부재(1310)는 도 13(b)에 도시된 바와 같이 변형없이 평탄도를 유지할 수 있다. 스위칭 유닛(1200)의 주변 온도가 제2 온도에서 제1 온도로 하강시, 열 변형 부재(1310)는 원복되어 승강 부재(1230)는 하강할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 승강 부재(1230)는 제2 측면 영역(1232), 제2 돌출 영역(1233) 및 전면 영역(1231)을 포함할 수 있다. 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231) 및 제2 돌출 영역(1233) 중 적어도 어느 하나는 제1 온도에서 방열 부재에 대해 경사지게 배치된 상태를 유지하도록 형성될 수 있다. 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231) 및 제2 돌출 영역(1233) 중 적어도 어느 하나는 제1 온도에서 방열 부재(480)와 이격되게 배치될 수 있다.

승강 부재(1230)의 전면 영역(1231) 및 제2 돌출 영역(1233) 중 적어도 어느 하나는 제2 온도에서 방열 부재(480)와 평행하게 배치될 수 있다. 승강 부재(1230)에는 제1 금속층(1311) 및 제2 금속층(1312)을 포함하는 열 변형 부재(1310)의 휨동작시 열 변형 부재(1310)의 하중이 가해질 수 있다. 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231)은 제1 서브 측면 영역(1321)을 중심축으로 일정한 궤적으로 방열 부재(480)를 향해 이동할 수 있다. 이에 따라, 승강 부재(1230)의 전면 영역(1231)은 방열 부재(480)와 전기적으로 연결될 수 있다. 승강 부재(1230)의 제2 돌출 영역(1233)은 수납 부재(1220)의 제1 돌출 영역(1221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 승강 부재(1230)와 방열 부재(480)와의 접촉으로 스피커 모듈(예: 도 6의 스피커 모듈(470))에서 발산되는 열은 스위칭 유닛(1200)을 통해 방열 부재(480)로 이동될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(1200)의 동작 여부에 따라 적어도 하나의 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제1 프로세서(1010) 및 제2 프로세서(1020))는 스위칭 유닛(600)의 주변 온도를 감지하고, 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택할 수 있다. 프로세서에 의해 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜너(예: 도 10a 및 도 10b의 안테나 튜너(1030))는 안테나 튜닝을 설정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서에서 감지된 온도가 제1 온도인 경우, 프로세서는 제1 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 디폴트 튜닝 코드)를 선택하고, 안테나 튜너는 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다. 프로세서에서 감지된 온도가 제2 온도인 경우, 프로세서는 제2 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 보정 튜닝 코드)를 선택하고, 안테나 튜너는 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다.

도 14는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 스위칭 유닛의 또 다른 실시 예를 나타내는 평면도이며, 도 15는 도 14에서 선 "D-D'"를 따라 절취한 스위칭 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이다.

도 14 및 도 15를 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 스위칭 유닛(1500)은 열 변형 부재(1510), 수납 부재(1520) 및 승강 부재(1530)를 포함할 수 있다.

수납 부재(1520)는 승강 부재(1530) 및 열 변형 부재(1510)를 수용할 수 있는 수용 공간을 제공할 수 있다. 수납 부재(1520)는 수용 공간을 둘러싸도록 복수의 제1 측면 영역들(1522), 제1 후면 영역(1523) 및 제1 전면 영역(1521)을 포함할 수 있다. 전면 영역(1521)에는 개구 영역(1620)이 형성될 수 있다. 개구 영역(1620)은 승강 부재(1530)의 제2 전면 영역(1531)보다 큰 폭을 가질 수 있다. 제1 전면 영역(1521)은 승강 부재(1530)의 제2 후면 영역(1533)과 중첩되게 배치될 수 있다. 제1 전면 영역(1521)은 승강 부재(1530)의 승강시, 승강 부재(1530)의 제2 후면 영역(1533)의 적어도 일부와 접촉될 수 있다. 제1 전면 영역(1521)은 승강 부재(1530)의 이동을 제한하는 스토퍼 역할을 할 수 있다.

복수의 제1 측면 영역들(1522) 각각에는 수용 공간을 향해 볼록하게 형성되는 고정 돌기(1410)를 포함할 수 있다. 고정 돌기(1410)는 승강 부재(1530)를 향해 승강 부재(1530)의 승강 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 돌출될 수 있다. 고정 돌기(1410)와 제1 후면 영역 사이(1523)에는 열 변형 부재(1510)가 배치될 수 있다. 고정 돌기(1410)에 의해, 열 변형 부재(1510)는 수납 부재(1520)의 수용 공간 내에서 고정될 수 있다.

승강 부재(1530)의 적어도 일부는 열 변형 부재(1510)와 함께 수납 부재(1520) 내에 수용될 수 있다. 승강 부재(1530)는 수납 부재(1520)의 개구 영역(1620)을 통해 인입 및 인출이 가능하도록 열 변형 부재(1510) 상에 배치될 수 있다. 승강 부재(1530)는 열 변형 부재(1510)의 변형여부에 따라서 승강운동을 할 수 있다. 스위칭 유닛(1500)의 주변 온도가 제1 온도를 유지할 때, 열 변형 부재(510)는 도 15(a)에 도시된 바와 같이 변형없이 평탄도를 유지할 수 있다. 스위칭 유닛(1500)의 주변 온도가 제2 온도에서 제1 온도로 하강시, 열 변형 부재(1510)는 원복되어 승강 부재(1530)는 하강할 수 있다. 스위칭 유닛(1500)의 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승시, 열 변형 부재(1510)는 도 15(b)에 도시된 바와 같이 변형되어 승강 부재(1530)는 상승할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 승강 부재(1530)는 복수의 제2 측면 영역(1532), 제2 후면 영역(1533), 제2 전면 영역(1531) 및 돌출 영역(1534)을 포함할 수 있다. 승강 부재(1530)의 제2 후면 영역(1533)과 수납 부재(1520)의 제1 후면 영역(1523) 사이에는 열 변형 부재(1510)가 배치될 수 있다. 승강 부재(1530)의 제2 측면 영역(1532)은 수납 부재(1520)와 개구 영역(1620)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다. 승강 부재(530)의 승강시, 제2 측면 영역(1532)과 수납 부재(1520)와의 마찰을 피할 수 있다. 승강 부재(1530)의 제2 전면 영역(1531)은 수납 부재(1520)의 개구 영역(1620)을 통해 수납 부재(1520)의 내외부로 출입할 수 있다. 승강 부재(1530)의 제2 전면 영역(531)은 수납 부재(1520)의 제1 전면 영역(1521)보다 돌출되게 상승할 수 있다. 상승하는 승강 부재(1530)의 제2 전면 영역(1531)은 상대적으로 넓은 표면적을 가지도록 형성되어 방열 부재(예: 도 6의 방열 부재(480))와의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있다. 승강 부재(1530)와 방열 부재와의 접촉으로 스피커 모듈에서 발산되는 열은 스위칭 유닛을 통해 방열 부재로 이동될 수 있다. 승강 부재(1530)의 돌출 영역(1534)의 제2 후면 영역(1533)으로부터 수납 부재(1520)의 제1 전면 영역(1521)을 향해 돌출될 수 있다. 승강 부재(1530)의 돌출 영역(1534)은 승강 부재(1530)의 승강운동시 수납 부재(1520)의 제1 전면 영역(1521)과 접촉할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 수납 부재(1520)의 제1 측면 영역(1522)은 승강 부재(1520)의 제2 측면 영역(1532)보다 외측면의 개수가 많을 수 있다. 예를 들어, 수납 부재(1521)의 제1 측면 영역(1522)은 8개의 외측면을 포함하며, 승강 부재의 제2 측면 영역(1532)은 4개의 외측면을 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 수납 부재(1520)의 제1 측면 영역(1522)은 제1 내지 제8 외측면(1522a,1522b,1522c,1522d,1522e,1522f,1522g,1522h)을 포함할 수 있다. 승강 부재(1530)의 외측면들(1532a)과 대면하는 제1 내지 제4 외측면(1522a,1522b,1522c,1522d)은 승강 부재(1530)의 외측면들(1532a)과 나란하게 형성될 수 있다. 승강 부재(1530)의 외측면들(1532a) 사이에 배치되는 승강 부재(1530)의 모서리(1532b)와 마주보는 제5 내지 제8 외측면(1522e,1522f,1522g,1522h)은 경사면 또는 라운드 형상의 곡면으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 곡면 형태의 제5 내지 제8 외측면(1522e,1522f,1522g,1522h)은 수납 부재(1520)의 외부를 향해 오목하게 형성될 수 있다.

경사면 또는 곡면 형태인 제5 내지 제8 외측면(1522e,1522f,1522g,1522h) 각각과 승강 부재(1530)의 모서리(1532b) 간의 이격 거리는 제1 내지 제4 외측면(1522a,1522b,1522c,1522d) 각각과 승강 부재(1530)의 외측면(1532a) 간의 이격거리보다 짧을 수 있다. 수납 부재(1520)의 제5 내지 제8 외측면(1522e,1522f,1522g,1522h)에 의해, 승강 부재(1530)의 좌우 유동을 방지하면서 승강 부재(1530)의 승강 운동의 가이드 리브 역할을 할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(1500)은 적어도 하나의 탄성 부재(1421,1422)를 포함할 수 있다 스위칭 유닛(1500)은 제1 탄성 부재(1421) 및 제2 탄성 부재(1422) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 탄성 부재(1421)는 열 변형 부재(510)와 수납 부재(1520)의 제1 후면 영역(1523) 사이에는 배치될 수 있다. 제1 탄성 부재(1421)는 열 변형 부재(1510)의 표면적 및 제1 후면 영역(1523)의 표면적 중 적어도 어느 하나와 유사한 표면적을 가지도록 형성될 수 있다. 제2 탄성 부재(1422)는 승강 부재(1530)의 제2 후면 영역(1533)과 수납 부재(1520)의 제1 전면 영역(1521) 사이에 배치될 수 있다. 제2 탄성 부재(1422)는 제2 측면 영역(1532)과 돌출 영역(1534) 사이에 마련된 공간 내에서 개구 영역(1620)의 둘레를 따라서 개구 영역(120)을 감싸도록 형성될 수 있다. 제1 탄성 부재(1421) 및 제2 탄성 부재(1422) 중 적어도 하나의 압축율 및 반발력에 의해 승강 부재(1530)는 수납 부재(1520) 내에서의 위치가 고정될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 제1 탄성 부재(1421) 및 제2 탄성 부재(1422) 중 적어도 하나의 반발력은 열 변형 부재(1510)의 팽창력보다 작을 수 있다. 제1 탄성 부재(1421) 및 제2 탄성 부재(1422) 중 적어도 하나는 열 변형 부재(1510)에 의해 압축될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 열 변형 부재(1510)는 열 팽창 계수가 상이한 제1 금속층(1511) 및 제2 금속부재(1512)를 포함하는 바이메탈일 수 있다. 예를 들면, 제1 금속층(1511)은 제2 금속층(1512)보다 열팽창계수가 클 수 있다. 제2 금속층(1512) 보다 큰 열 팽창 계수를 가지는 제1 금속층(1511)은 주변 온도가 제1 온도에서 제2 온도로 상승하는 경우 제2 금속층(1512)보다 더 큰 부피로 팽창될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(1500)의 주변에 배치되는 전자 부품(예: 스피커 모듈 또는/및 배터리)의 발열 온도가 상대적으로 낮으면, 스위칭 유닛(1500)의 주변 온도는 제1 온도를 유지할 수 있다. 열 변형 부재(1510)는 도 15(a)에 도시된 바와 같이 제1 온도에서 변형되지 않고 초기 형상의 평탄도를 유지하므로, 승강 부재(1530)는 수납 부재(1520)와 이격 상태를 유지할 수 있다. 승강 부재(1530)와 수납 부재(1520)는 전기적으로 단선(open)된 상태를 유지 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(1500)의 주변에 배치되는 전자 부품(예: 스피커 모듈 또는/및 배터리)의 발열 온도가 높아지면, 스위칭 유닛(1500)의 주변 온도는 제1 온도에서 제2 온도로 상승할 수 있다. 주변 온도가 제2 온도로 상승함에 따라 열 변형 부재(1510)는 도 15(b)에 도시된 바와 같이 수납 부재(1520) 내에서 이탈되지 않고 휘어질 수 있다. 변형된 열 변형 부재(1510)에 의해 승강 부재(1530)는 열 변형 부재(1510)와 반대 방향으로 상승할 수 있다. 이 때, 열 변형 부재(1510)의 팽창력은 제2 탄성 부재(1422)의 반발력보다 크므로, 승강 부재(1530)는 제2 탄성 부재(1422)를 압축하면서 상승할 수 있다. 상승한 승강 부재(1530)의 돌출 영역(1534)은 수납 부재(1520)의 제1 전면 영역(1521)과 면접촉할 수 있다. 상승한 승강 부재(1530)의 제2 전면 영역(1531)은 방열 부재(예: 도 6의 방열 부재(480))와 전기적으로 단락(short)될 수 있다. 승강 부재(1530) 및 수납 부재(1520)를 통해 방열 부재(480)는 지지 커버(예: 도 6의 지지 커버(580))와 전기적으로 단락될 수 있다. 스피커 모듈(예: 도 6의 스피커 모듈(470)), 지지 커버, 수납 부재(1520), 승강 부재(530) 및 방열 부재는 전기적으로 연결되어 방열 경로가 형성될 수 있다. 스피커 모듈에서 발산된 열은 방열 부재를 통해 방열될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 스위칭 유닛(1500)의 동작 여부에 따라 적어도 하나의 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제1 프로세서(1010) 및 제2 프로세서(1020))는 스위칭 유닛(600)의 주변 온도를 감지하고, 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택할 수 있다. 프로세서에 의해 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜너(예: 도 10a 및 도 10b의 안테나 튜너(1030))는 안테나 튜닝을 설정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서에서 감지된 온도가 제1 온도인 경우, 프로세서는 제1 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 디폴트 튜닝 코드)를 선택하고, 안테나 튜너는 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다. 프로세서에서 감지된 온도가 제2 온도인 경우, 프로세서는 제2 온도에서 최적화된 방사 성능을 구현할 수 있는 안테나 튜닝 코드(예: 도 17의 보정 튜닝 코드)를 선택하고, 안테나 튜너는 선택된 안테나 튜닝 코드에 따라 안테나 튜닝을 설정할 수 있다.

도 16은 비교예의 전자 장치와, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 통신 성능에 관한 그래프이다.

도 16을 참조하면, '1601'는 온도에 상관없이 방열 부재(예: 도 6의 방열 부재(480))와 지지 커버(예: 도 6의 지지 커버(580))가 항상 전기적으로 연결된 비교예의 주파수 별 통신 성능을 나타내는 그래프이고, '1602'는 방열 부재와 지지 커버가 전기적으로 절연되는 제1 온도에서 디폴트 튜닝 코드로 동작하는 실시예의 주파수 별 통신 성능을 나타내는 그래프이며, '1603'은 방열 부재와 지지 커버가 전기적으로 연결되는 제2 온도에서 보정 튜닝 코드로 동작하는 실시예의 주파수 별 통신 성능을 나타내는 그래프이다. 해당 주파수 대역(예: 약 1850 MHz ~ 2000 MHz)에서, 실시 예에 따른 전자 장치의 안테나 성능은 비교예에 따른 전자 장치의 안테나 성능보다 향상됨을 알 수 있다. 예를 들어, 해당 주파수 대역에서, 비교예의 안테나 성능(TRP)은 16dBm으로, 비교예의 전자 장치는 OTA(over the air) 성능을 확보할 수 없다. 반면에, 제1 온도에서 실시예의 안테나 성능(TRP)은 18dBM이고, 제2 온도에서 실시 예의 안테나 성능(TRP)은 20dBM이므로, 실시 예의 전자 장치는 OTA 성능을 확보할 수 있다.

또한, 사용자의 스피커 사용시간의 프로파일(profile) 상으로, 제1 온도일 때의 사용 시간 비율이 제2 온도일 때의 사용 시간 비율에 비해 상대적으로 높을 수 있다. 따라서, 제2 온도에서 전자 장치 사용시, 사용자는 제1 온도일 때보다 낮아진 RF 성능에 대한 저하를 느끼지 못할 수 있다.

도 17은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 흐름을 도시한 도면이다. 도 17의 전자 장치는 전술한 스위칭 유닛들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자 장치일 수 있다.

도 17을 참조하면, 1701 동작에서, 전자 장치의 전원이 온(on)됨을 감지될 수 있다.

1702동작에서, 전자 장치의 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 수립한 상태인지를 판단할 수 있다.

1703동작에서, 통신이 수립된 상태이며, 전자 장치의 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈)은 현재 통신 중인 밴드를 확인할 수 있다.

1704동작에서, 제1 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제1 프로세서(1010))는 스위칭 유닛(예: 도 7의 스위칭 유닛(600), 도 12의 스위칭 유닛(1200) 또는 도 14의 스위칭 유닛(1500))의 활성화 여부에 따라서 스위칭 유닛의 주변 온도를 감지할 수 있다. 제1 프로세서는 스위칭 유닛의 주변 온도가 제1 온도인지, 제1 온도보다 높은 제2 온도인지를 감지할 수 있다.

1705동작에서, 제1 프로세서에서 감지된 주변 온도가 제1 온도인 경우, 제2 프로세서(예: 도 10a 및 도 10b의 제2 프로세서(1020))는 디폴트 튜닝 코드를 선택할 수 있다. 안테나 튜너(예: 도 10a 및 도 10b의 안테나 튜너(1030))는 제2 프로세서에서 선택된 디폴트 튜닝 코드에 기반하여 안테나 구조체(예: 도 4의 안테나 구조체(430))의 작동 주파수를 조절하거나, 및/또는 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.

1706에서, 제1 프로세서에서 감지된 주변 온도가 제2 온도인 경우, 제2 프로세서는 보정 튜닝 코드를 선택할 수 있다. 안테나 튜너는 제2 프로세서에서 선택된 보정 튜닝 코드에 기반하여 안테나 구조체의 작동 주파수를 조절하거나, 및/또는 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.

1707에서, 제1 프로세서는 스위칭 유닛의 활성화 여부에 따라서 감지된 스위칭 유닛의 주변 온도를 감지하고, 주변 온도의 변경 유무를 판단할 수 있다.

1708에서, 제1 프로세서에서 감지된 주변 온도가 유지될 경우, 프로세서는 지정 기능 수행을 처리할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(460)는 수신된 이벤트 종류를 확인하고, 이벤트 종류에 따라 통화 기능, 파일 재생 기능, 또는 파일 편집 기능과 같은 다양한 기능을 수행할 수 있다.

본 문서에 개시되는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에 수납되는 발열 부재(470) 상에 배치되는 지지 커버(580)와; 상기 지지 커버를 사이에 두고 상기 발열 부재와 중첩되게 배치되며, 방열 기능을 수행하는 금속 부재(480)와; 상기 지지 커버와 금속 부재의 전기적 연결 경로를 선택적으로 형성하는 스위칭 유닛(600)과; 상기 스위칭 유닛의 온-오프에 적어도 일부 기반하여 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서(1010,1020)를 포함하며, 상기 스위칭 유닛(600)은 상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며 수용 공간을 마련하는 수납 부재(520)와; 상기 수용 공간 내에 수용되며, 상기 온도에 따라서 형태가 변형되는 열 변형 부재(510)와; 상기 열 변형 부재의 변형시 승강하여 상기 금속 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재(530)를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 열 변형 부재(510)는 바이 메탈(511,512)로 형성되며, 상기 열 변형 부재(510)는 상기 온도가 제1 온도일 때, 플랫(flat)한 형태로 평탄도를 유지하며, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때, 상기 승강 부재 또는 상기 지지 커버를 향해 휘어질 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 지지 커버와 금속 부재는 상기 제1 온도에서 오프되는 상기 스위칭 유닛(600)을 통해 전기적으로 분리되며, 상기 제2 온도에서 온되는 상기 스위칭 유닛(600)을 통해 상기 지지 커버와 금속 부재는 전기적으로 연결될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 전자 장치는 상기 하우징에 포함되는 측면 부재(420)와; 상기 측면 부재의 적어도 일부에 포함되는 도전성 영역으로 형성되는 안테나 구조체(430)와; 상기 안테나 구조체와 연결된 안테나 튜너(1030)를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 프로세서는 상기 제1 온도 및 제2 온도를 감지하는 제1 프로세서(1010)와; 상기 제1 프로세서에 의해 감지된 온도에 해당하는 안테나 코드를 선택하여 상기 안테나 튜너에 전송하는 제2 프로세서(1020)를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 수납 부재(520)는 상기 금속 부재(480)를 향해 개구된 개구 영역(620)을 포함하며, 상기 승강 부재(530)는 상기 개구 영역(620)을 통해 승강 운동할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 수납 부재(520)는 상기 개구 영역을 둘러싸는 제1 전면 영역(521)과; 상기 제1 전면 영역과 이격되는 제1 후면 영역(523)을 포함하며, 상기 승강 부재(530)는 상기 승강 부재의 승강 방향을 향해 돌출되는 제2 전면 영역(531)과; 상기 제1 전면 영역과 상기 열 변형 부재 사이에 배치되며, 상기 승강 부재의 승강시 상기 제1 전면 영역과 접촉하는 제2 후면 영역(533)을 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 전자 장치는 상기 금속 부재 내에 배치되며, 상기 적어도 하나의 프로세서와 연결된 접촉 패드(700)를 더 포함하며, 상기 승강 부재(530)의 상기 제2 전면 영역(531)은 상기 승강 부재의 승강시 상기 접촉 패드(700)와 전기적으로 연결될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 승강 부재는 상기 수납 부재의 제1 전면 영역을 향해 돌출되는 돌출 영역(1534)을 더 포함하며, 상기 수납 부재는 상기 승강 부재를 향해 상기 승강 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 돌출되는 고정 돌기(1410)를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 스위칭 유닛은 상기 열 변형 부재와 상기 수납 부재 사이에 배치되는 제1 탄성 부재(1421)와; 상기 개구 영역을 감싸도록 상기 수납 부재와 상기 승강 부재 사이에 배치되는 제2 탄성 부재(1422)를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 제1 탄성 부재(1421) 및 상기 제2 탄성 부재(1422)의 반발력은 상기 열 변형 부재(1510)의 팽창력보다 클 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 수납 부재는 상기 승강 부재보다 많은 복수개의 측면 영역을 포함하며, 상기 복수개 측면 영역 중 상기 승강 부재의 모서리(1532b)와 마주보는 적어도 하나의 측면 영역(1522e,1522f,1522g,1522h)은 곡면 또는 경사면으로 형성될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 수납 부재(1220)와 상기 승강 부재(1230)는 일체형으로 형성될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 수납 부재(1220)의 적어도 일측면은 C-클립(Clip)형태로 벤딩될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 승강 부재(1230)는 상기 제1 온도에서 상기 금속 부재(480)에 대해 기울어져 경사지게 배치되며, 상기 승강 부재(1230)는 상기 제2 온도에서 상기 금속 부재(480)에 대해 평행하게 배치되어 상기 금속 부재와 접촉할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 전자 장치는 상기 발열 부재와 인접하게 배치되는 배터리(450)를 더 포함하며, 상기 발열 부재는 스피커 모듈(170)이며, 상기 금속 부재(480)는 상기 배터리 및 상기 스피커 모듈과 중첩될 수 있다.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에 배치되는 스피커 모듈(470)과; 상기 스피커 모듈 상에 배치되는 방열 부재(480)와; 상기 스피커 모듈과 상기 방열 부재 사이에 배치되며, 제1 온도와, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 형태가 다른 열 변형 부재를 포함하는 스위칭 유닛(600)과; 상기 스위칭 유닛과 상기 스피커 모듈 사이에 배치되며, 상기 스위칭 유닛에 의해 상기 방열 부재와 선택적으로 연결되는 지지 커버(480)와; 상기 스위칭 유닛의 온-오프에 따라서 상기 제1 온도 및 상기 제2 온도 중 어느 하나를 감지하며, 상기 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서(1010,1020)를 포함하며, 상기 스위칭 유닛은 상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며, 상기 열 변형 부재가 수용되는 수용 공간을 마련하는 수납 부재(520)와; 상기 제2 온도에서 변형되는 상기 열 변형 부재에 의해 승강하여 상기 방열 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재(530)를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 열 변형 부재(510)는 바이 메탈(511,512)로 형성되며, 상기 열 변형 부재(510)는 상기 온도가 제1 온도일 때, 플랫(flat)한 형태로 평탄도를 유지하며, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때, 상기 승강 부재 또는 상기 지지 커버를 향해 휘어질 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 지지 커버와 방열 부재는 상기 제1 온도에서 오프되는 상기 스위칭 유닛(600)을 통해 전기적으로 분리되며, 상기 제2 온도에서 온되는 상기 스위칭 유닛(600)을 통해 상기 지지 커버와 방열 부재는 전기적으로 연결될 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 전자 장치는 상기 하우징에 포함되는 측면 부재(420)와; 상기 측면 부재의 적어도 일부에 포함되는 도전성 영역으로 형성되는 안테나 구조체(430)와; 상기 안테나 구조체와 연결된 안테나 튜너(1030)를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 프로세서는 상기 제1 온도 및 제2 온도를 감지하는 제1 프로세서(1010)와; 상기 제1 프로세서에 의해 감지된 온도에 해당하는 안테나 코드를 선택하여 상기 안테나 튜너에 전송하는 제2 프로세서(1020)를 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에서, 상기 안테나 튜너(1030)는 상기 제2 프로세서에서 선택된 디폴트 튜닝 코드에 따라서 상기 안테나 구조체를 튜닝하고, 상기 제2 프로세서에서 선택된 보정 튜닝 코드에 따라서 상기 안테나 구조체를 튜닝할 수 있다.

Claims (20)

1. 전자 장치에 있어서,
   하우징과;
   상기 하우징 내에 수납되는 발열 부재 상에 배치되는 지지 커버와;
   상기 지지 커버를 사이에 두고 상기 발열 부재와 중첩되게 배치되며, 방열 기능을 수행하는 금속 부재와;
   상기 지지 커버와 금속 부재의 전기적 연결 경로를 선택적으로 형성하는 스위칭 유닛과;
   상기 스위칭 유닛의 온-오프에 적어도 일부 기반하여 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며,
   상기 스위칭 유닛은
   상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며 수용 공간을 마련하는 수납 부재와;
   상기 수용 공간 내에 수용되며, 온도에 따라서 형태가 변형되는 열 변형 부재와;
   상기 열 변형 부재의 변형시 승강하여 상기 금속 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재를 포함하는 전자 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 열 변형 부재는 바이 메탈로 형성되며,
   상기 열 변형 부재는
   상기 온도가 제1 온도일 때, 플랫(flat)한 형태로 평탄도를 유지하며,
   상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때, 상기 승강 부재 또는 상기 지지 커버를 향해 휘어지는 전자 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1 온도에서 오프되는 상기 스위칭 유닛을 통해 상기 지지 커버와 금속 부재는 전기적으로 분리되며,
   상기 제2 온도에서 온되는 상기 스위칭 유닛을 통해 상기 지지 커버와 금속 부재는 전기적으로 연결되는 전자 장치.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 하우징에 포함되는 측면 부재와;
   상기 측면 부재의 적어도 일부에 포함되는 도전성 영역으로 형성되는 안테나 구조체와;
   상기 안테나 구조체와 연결된 안테나 튜너를 더 포함하며,
   상기 적어도 하나의 프로세서는
   상기 제1 온도 및 제2 온도를 감지하는 제1 프로세서와;
   상기 제1 프로세서에 의해 감지된 온도에 해당하는 안테나 코드를 선택하여 상기 안테나 튜너에 전송하는 제2 프로세서를 포함하는 전자 장치.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 수납 부재는 상기 금속 부재를 향해 개구된 개구 영역을 포함하며,
   상기 승강 부재는 상기 개구 영역을 통해 승강 운동하는 전자 장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 수납 부재는
   상기 개구 영역을 둘러싸는 제1 전면 영역과;
   상기 제1 전면 영역과 이격되는 제1 후면 영역을 포함하며,
   상기 승강 부재는
   상기 승강 부재의 승강 방향을 향해 돌출되는 제2 전면 영역과;
   상기 제1 전면 영역과 상기 열 변형 부재 사이에 배치되며, 상기 승강 부재의 승강시 상기 제1 전면 영역과 접촉하는 제2 후면 영역을 포함하는 전자 장치.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 금속 부재 내에 배치되며, 상기 적어도 하나의 프로세서와 연결된 접촉 패드를 더 포함하며,
   상기 승강 부재의 상기 제2 전면 영역은 상기 승강 부재의 승강시 상기 접촉 패드와 전기적으로 연결되는 전자 장치.
8. 제 6 항에 있어서,
   상기 승강 부재는 상기 수납 부재의 제1 전면 영역을 향해 돌출되는 돌출 영역을 더 포함하며,
   상기 수납 부재는 상기 승강 부재를 향해 상기 승강 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 돌출되는 고정 돌기를 더 포함하는 전자 장치.
9. 제 5 항에 있어서,
   상기 스위칭 유닛은
   상기 열 변형 부재와 상기 수납 부재 사이에 배치되는 제1 탄성 부재와;
   상기 개구 영역을 감싸도록 상기 수납 부재와 상기 승강 부재 사이에 배치되는 제2 탄성 부재를 더 포함하는 전자 장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 탄성 부재 및 상기 제2 탄성 부재의 반발력은 상기 열 변형 부재의 팽창력보다 큰 전자 장치.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 수납 부재는 상기 승강 부재보다 많은 복수개의 측면 영역을 포함하며,
    상기 복수개 측면 영역 중 상기 승강 부재의 모서리와 마주보는 적어도 하나의 측면 영역은 곡면 또는 경사면으로 형성되는 전자 장치.
12. 제 2 항에 있어서,
    상기 수납 부재와 상기 승강 부재는 일체형으로 형성되는 전자 장치.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 수납 부재의 적어도 일측면은 C-클립(Clip)형태로 벤딩되는 전자 장치.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 승강 부재는 상기 제1 온도에서 상기 금속 부재에 대해 기울어져 경사지게 배치되며,
    상기 승강 부재는 상기 제2 온도에서 상기 금속 부재에 대해 평행하게 배치되어 상기 금속 부재와 접촉하는 전자 장치.
15. 제 1 항에 있어서,
    상기 발열 부재와 인접하게 배치되는 배터리를 더 포함하며,
    상기 발열 부재는 스피커 모듈이며,
    상기 금속 부재는 상기 배터리 및 상기 스피커 모듈과 중첩되는 전자 장치.
16. 전자 장치에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징 내에 배치되는 스피커 모듈과;
    상기 스피커 모듈 상에 배치되는 방열 부재와;
    상기 스피커 모듈과 상기 방열 부재 사이에 배치되며, 제1 온도와, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 형태가 다른 열 변형 부재를 포함하는 스위칭 유닛과;
    상기 스위칭 유닛과 상기 스피커 모듈 사이에 배치되며, 상기 스위칭 유닛에 의해 상기 방열 부재와 선택적으로 연결되는 지지 커버와;
    상기 스위칭 유닛의 온-오프에 따라서 상기 제1 온도 및 상기 제2 온도 중 어느 하나를 감지하며, 상기 감지된 온도에 해당하는 안테나 튜닝 코드를 선택하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며,
    상기 스위칭 유닛은
    상기 지지 커버와 전기적으로 연결되며, 상기 열 변형 부재가 수용되는 수용 공간을 마련하는 수납 부재와;
    상기 제2 온도에서 변형되는 상기 열 변형 부재에 의해 승강하여 상기 방열 부재와 상기 지지 커버를 전기적으로 연결하는 승강 부재를 포함하는 전자 장치.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 열 변형 부재는 바이 메탈로 형성되며,
    상기 열 변형 부재는
    상기 온도가 제1 온도일 때, 플랫(flat)한 형태로 평탄도를 유지하며,
    상기 제1 온도보다 높은 제2 온도일 때, 상기 승강 부재 또는 상기 지지 커버를 향해 휘어지는 전자 장치.
18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 온도에서 오프되는 상기 스위칭 유닛을 통해 상기 지지 커버와 방열 부재는 전기적으로 분리되며,
    상기 제2 온도에서 온되는 상기 스위칭 유닛을 통해 상기 지지 커버와 방열 부재는 전기적으로 연결되는 전자 장치.
19. 제 16 항에 있어서,
    상기 하우징에 포함되는 측면 부재와;
    상기 측면 부재의 적어도 일부에 포함되는 도전성 영역으로 형성되는 안테나 구조체와;
    상기 안테나 구조체와 연결된 안테나 튜너를 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 프로세서는
    상기 제1 온도 및 제2 온도를 감지하는 제1 프로세서와;
    상기 제1 프로세서에 의해 감지된 온도에 해당하는 안테나 코드를 선택하여 상기 안테나 튜너에 전송하는 제2 프로세서를 포함하는 전자 장치.
20. 제 19 항에 있어서,
    상기 안테나 튜너는
    상기 제2 프로세서에서 선택된 디폴트 튜닝 코드에 따라서 상기 안테나 구조체를 튜닝하고,
    상기 제2 프로세서에서 선택된 보정 튜닝 코드에 따라서 상기 안테나 구조체를 튜닝하는 전자 장치.
    

Images