KR20220165065A - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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KR20220165065A
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gas
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KR1020210073559A
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Inventor
이지훈
류현우
장대수
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate supporting unit for supporting at least one substrate in the chamber; a lower plate arranged above the substrate supporting unit; and an upper plate arranged above the lower plate and having a first spray hole for spraying a first gas and a second spray hole for spraying a second gas, wherein the lower plate includes a plurality of openings formed to pass the gases sprayed from the first and second spray holes, and a plurality of the first spray holes are formed at a position corresponding to each of the openings. The substrate processing apparatus has improved uniformity in substrate processing.

Description

기판처리장치{Apparatus for Processing Substrate}Substrate processing device {Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a processing process such as a deposition process and an etching process for a substrate.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.In general, in order to manufacture solar cells, semiconductor devices, flat panel displays, etc., a predetermined thin film layer, thin film circuit pattern, or optical pattern must be formed on a substrate. To this end, the substrate process, such as a deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process of forming a pattern by selectively removing the thin film of an exposed portion, etc. processing takes place. A processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.

종래 기술에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지부, 및 상기 기판지지부를 향해 가스를 분사하는 가스분사부를 포함한다. 상기 가스분사부는 가스를 분사하기 위한 복수개의 분사홀을 포함한다. 상기 분사홀들은 기판지지부의 서로 다른 부분을 향해 가스를 분사한다.A substrate processing apparatus according to the prior art includes a substrate support unit for supporting a substrate, and a gas dispensing unit for injecting gas toward the substrate support unit. The gas dispensing unit includes a plurality of dispensing holes for injecting gas. The spray holes spray gas toward different parts of the substrate support.

여기서, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 분사홀들 간에 가스의 유량, 가스의 압력 등에 편차가 발생함에 따라 기판에 대한 처리공정의 균일성이 낮은 문제가 있다.Here, the substrate processing apparatus according to the prior art has a problem in that the uniformity of the processing process for the substrate is low due to variations in gas flow rate and gas pressure between the injection holes.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the uniformity of a processing process for a substrate.

상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the problems as described above, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 상측에 배치된 하부플레이트; 및 상기 하부플레이트의 상측에 배치되고, 제1가스를 분사하는 제1분사홀과 제2가스를 분사하는 제2분사홀이 형성된 상부플레이트를 포함할 수 있다. 상기 하부플레이트는 상기 제1분사홀과 상기 제2분사홀에서 분사된 가스를 통과시키도록 형성된 복수개의 개구를 포함할 수 있다. 상기 제1분사홀은 상기 개구들 각각에 대응되는 위치에서 각각 복수개로 형성될 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber; a substrate support for supporting at least one substrate inside the chamber; a lower plate disposed above the substrate support; and an upper plate disposed above the lower plate and having a first injection hole for dispensing a first gas and a second injection hole for dispensing a second gas. The lower plate may include a plurality of openings formed to pass gas injected from the first injection hole and the second injection hole. The first spray hole may be formed in plurality at positions corresponding to each of the openings.

본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 상측에 배치되고, 복수개의 개구를 포함하는 하부플레이트; 및 상기 하부플레이트의 상측에 배치되고, 상기 챔버의 외부에서 유입된 제1가스를 분사하기 위한 제1분사홀과 상기 챔버의 외부에서 유입된 제2가스를 분사하기 위한 제2분사홀을 포함하는 상부플레이트를 포함할 수 있다. 상기 개구들 중에서 적어도 하나에 대하여, 적어도 두 개 이상의 상기 제1분사홀들은 상기 개구를 통하여 상기 기판을 바라보고 상기 제1가스를 분사하고, 적어도 하나의 상기 제2분사홀은 상기 기판을 바라보지 않고 상기 제2가스를 분사할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber; a substrate support for supporting at least one substrate inside the chamber; a lower plate disposed above the substrate support unit and including a plurality of openings; And disposed on the upper side of the lower plate, including a first injection hole for injecting a first gas introduced from the outside of the chamber and a second injection hole for injecting a second gas introduced from the outside of the chamber A top plate may be included. For at least one of the openings, at least two or more of the first injection holes face the substrate through the opening and inject the first gas, and at least one of the second injection holes does not face the substrate. The second gas may be injected without

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 가스의 유량, 압력 등을 미세하고 정확하게 조절할 수 있도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 기판에 대한 처리공정의 정확성과 균일성을 향상시킴으로써, 처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention can be implemented to finely and accurately control the flow rate and pressure of gas. Accordingly, the present invention can improve the quality of the substrate after the processing process by improving the accuracy and uniformity of the processing process for the substrate.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트와 상부플레이트의 개략적인 측단면도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트의 하측에서 바라본 모습을 기준으로 하는 도 2의 A 부분에 대한 개략적인 저면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트의 개략적인 저면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트의 하측에서 바라본 모습을 기준으로 하는 도 4의 B 부분에 대한 개략적인 저면도
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트의 하측에서 바라본 모습을 기준으로 하는 개구와 제1분사홀들의 실시예들에 대한 개략적인 저면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 하부플레이트의 하측에서 바라본 모습을 기준으로 하는 도 4의 C 부분에 대한 개략적인 저면도1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention
Figure 2 is a schematic cross-sectional side view of the lower plate and the upper plate in the substrate processing apparatus according to the present invention
Figure 3 is a schematic bottom view of part A of Figure 2 based on the view from the lower side of the lower plate in the substrate processing apparatus according to the present invention
Figure 4 is a schematic bottom view of the lower plate in the substrate processing apparatus according to the present invention
Figure 5 is a schematic bottom view of part B of Figure 4 based on the view from the lower side of the lower plate in the substrate processing apparatus according to the present invention
6 to 8 are schematic bottom views of embodiments of openings and first injection holes based on a view from the lower side of the lower plate in the substrate processing apparatus according to the present invention.
Figure 9 is a schematic bottom view of part C of Figure 4 based on the view from the lower side of the lower plate in the substrate processing apparatus according to the present invention

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 2는 도 3의 I-I 선을 기준으로 하는 측단면도일 수 있다. 도 4에는 하부플레이트에 형성된 개구들이 생략되어 있다. 도 3, 도 5 내지 도 9에는 하부플레이트, 상부플레이트, 개구, 및 제1분사홀들 간의 구분을 위해 해칭이 표시되어 있다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 2 may be a side cross-sectional view taken along line II of FIG. 3 as a reference. 4, openings formed in the lower plate are omitted. In FIGS. 3, 5 to 9, hatching is indicated to distinguish between the lower plate, the upper plate, the opening, and the first injection holes.

도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판(S)은 실리콘기판, 유리기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs a processing process on a substrate S. The substrate S may be a silicon substrate, a glass substrate, or a metal substrate. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process of depositing a thin film on the substrate S, an etching process of removing a part of the thin film deposited on the substrate S, and the like. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention will be described based on an embodiment in which the deposition process is performed, but from this, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs other processing processes such as the etching process. It will be apparent to those skilled in the art belonging to the technical field to which the present invention belongs.

본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 챔버(2), 기판지지부(3), 및 가스분사부(4)를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a chamber 2 , a substrate support unit 3 , and a gas dispensing unit 4 .

<챔버><Chamber>

도 1을 참고하면, 상기 챔버(2)는 처리공간(100)을 제공하는 것이다. 상기 처리공간(100)에서는 상기 기판(S)에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 처리공간(100)은 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 챔버(2)에는 상기 처리공간(100)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다. 상기 챔버(2)의 내부에는 상기 기판지지부(3)와 상기 가스분사부(4)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the chamber 2 provides a processing space 100 . In the processing space 100, a processing process such as a deposition process and an etching process for the substrate S may be performed. The processing space 100 may be disposed inside the chamber 2 . An exhaust port (not shown) for exhausting gas from the processing space 100 may be coupled to the chamber 2 . The substrate support part 3 and the gas injection part 4 may be disposed inside the chamber 2 .

<기판지지부><Substrate support>

도 1을 참고하면, 상기 기판지지부(3)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판지지부(3)는 하나의 기판(S)을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판(S)을 지지할 수도 있다. 상기 기판지지부(3)에 복수개의 기판(S)이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the substrate support part 3 supports the substrate S. The substrate support part 3 may support one substrate (S) or may support a plurality of substrates (S). When a plurality of substrates (S) are supported by the substrate support part (3), a processing process for a plurality of substrates (S) may be performed at one time. The substrate support part 3 may be coupled to the chamber 2 . The substrate support part 3 may be disposed inside the chamber 2 .

<가스분사부><Gas injection part>

도 1을 참고하면, 상기 가스분사부(4)는 상기 기판지지부(3)를 향해 가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(4)는 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 가스분사부(4)는 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 가스를 상기 기판지지부(3)를 향해 분사할 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 기판지지부(3)에 대향되게 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 수직방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판지지부(3)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 수직방향(Z축 방향)은 상기 가스분사부(4)와 상기 기판지지부(3)가 서로 이격된 방향에 대해 평행한 축 방향이다. 상기 가스분사부(4)와 상기 기판지지부(3)의 사이에는 상기 처리공간(100)이 배치될 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 리드(미도시)에 결합될 수 있다. 상기 리드는 상기 챔버(2)의 상부를 덮도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the gas injection unit 4 injects gas toward the substrate support unit 3 . The gas injection unit 4 may be connected to the gas storage unit 40 . In this case, the gas dispensing unit 4 may inject the gas supplied from the gas storage unit 40 toward the substrate support unit 3 . The gas injection unit 4 may be disposed inside the chamber 2 . The gas injection unit 4 may be disposed to face the substrate support unit 3 . The gas injection unit 4 may be disposed above the substrate support unit 3 based on the vertical direction (Z-axis direction). The vertical direction (Z-axis direction) is an axial direction parallel to the direction in which the gas injection part 4 and the substrate support part 3 are spaced apart from each other. The processing space 100 may be disposed between the gas injection unit 4 and the substrate support unit 3 . The gas injection unit 4 may be coupled to a lead (not shown). The lid may be coupled to the chamber 2 so as to cover an upper portion of the chamber 2 .

상기 가스분사부(4)는 제1가스유로(4a), 및 제2가스유로(4b)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 4 may include a first gas flow path 4a and a second gas flow path 4b.

상기 제1가스유로(4a)는 제1가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제1가스유로(4a)는 일측이 배관, 호스 등을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 제1가스유로(4a)는 타측이 상기 처리공간(100)에 연통될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 상기 제1가스는, 상기 제1가스유로(4a)를 따라 유동한 후에 상기 제1가스유로(4a)를 통해 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제1가스유로(4a)는 상기 제1가스가 유동하기 위한 유로로 기능함과 아울러 상기 처리공간(100)에 상기 제1가스를 분사하기 위한 분사구로 기능할 수 있다.The first gas passage 4a is for injecting the first gas. One side of the first gas flow path 4a may be connected to the gas storage unit 40 through a pipe, hose, or the like. The other side of the first gas flow path 4a may communicate with the processing space 100 . Accordingly, the first gas supplied from the gas storage unit 40 flows along the first gas flow path 4a and then is injected into the processing space 100 through the first gas flow path 4a. It can be. The first gas passage 4a may function as a passage through which the first gas flows and may also function as an injection hole through which the first gas is injected into the processing space 100 .

상기 제2가스유로(4b)는 제2가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제2가스와 상기 제1가스는 서로 다른 가스일 수 있다. 예컨대, 상기 제1가스는 소스가스와 클리닝가스(Cleaning Gas) 중에서 적어도 하나일 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스는 반응가스(Reactant Gas)일 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 일측이 배관, 호스 등을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 타측이 상기 처리공간(100)에 연통될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 상기 제2가스는, 상기 제2가스유로(4b)를 따라 유동한 후에 상기 제2가스유로(4b)를 통해 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 상기 제2가스가 유동하기 위한 유로로 기능함과 아룰러 상기 처리공간(100)에 상기 제2가스를 분사하기 위한 분사구로 기능할 수 있다.The second gas passage 4b is for injecting the second gas. The second gas and the first gas may be different gases. For example, the first gas may be at least one of a source gas and a cleaning gas. In this case, the second gas may be a reactive gas. One side of the second gas flow path 4b may be connected to the gas storage unit 40 through a pipe or hose. The other side of the second gas flow path 4b may communicate with the processing space 100 . Accordingly, the second gas supplied from the gas storage unit 40 flows along the second gas flow path 4b and then is injected into the processing space 100 through the second gas flow path 4b. It can be. The second gas flow path 4b may function as a flow path through which the second gas flows and may also function as an injection hole through which the second gas is injected into the processing space 100 .

상기 제2가스유로(4b)와 상기 제1가스유로(4a)는 서로 공간적으로 분리되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 상기 제2가스유로(4b)로 공급된 상기 제2가스는, 상기 제1가스유로(4a)를 거치지 않고 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 가스저장부(40)로부터 상기 제1가스유로(4a)로 공급된 상기 제1가스는, 상기 제2가스유로(4b)를 거치지 않고 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다.The second gas flow path 4b and the first gas flow path 4a may be disposed to be spatially separated from each other. Accordingly, the second gas supplied from the gas storage unit 40 to the second gas passage 4b may be injected into the processing space 100 without passing through the first gas passage 4a. . The first gas supplied from the gas storage unit 40 to the first gas passage 4a may be injected into the processing space 100 without passing through the second gas passage 4b.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 가스분사부(4)는 하부플레이트(41), 및 상부플레이트(42)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the gas injection unit 4 may include a lower plate 41 and an upper plate 42 .

상기 하부플레이트(41)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 배치된 것이다. 상기 하부플레이트(41)는 상기 기판지지부(3)를 향해 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 하부플레이트(41)는 상기 상부플레이트(42)의 하측에 배치될 수 있다. The lower plate 41 is disposed on the upper side of the substrate support part 3 . The lower plate 41 may inject the first gas toward the substrate support part 3 . The lower plate 41 may be disposed below the upper plate 42 .

상기 하부플레이트(41)는 개구(411)를 포함할 수 있다.The lower plate 41 may include an opening 411 .

상기 개구(411)는 가스를 통과시키기 위한 것이다. 상기 제1가스와 상기 제2가스 중에서 적어도 하나가 상기 개구(411)를 통과하여 상기 기판지지부(3)를 향해 유동할 수 있다. 이 경우, 상기 개구(411)는 상기 가스가 유동하기 위한 유로로 기능할 수 있다. 상기 제1가스와 상기 제2가스 중에서 적어도 하나는 상기 개구(411)를 통과하여 상기 기판지지부(3)를 향해 분사될 수도 있다. 이 경우, 상기 개구(411)는 상기 가스가 유동하기 위한 유로로 기능함과 아울러 상기 가스를 분사하기 위한 분사구로 기능할 수 있다. 상기 하부플레이트(41)는 상기 개구(411)를 복수개 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 개구(411)들은 서로 이격된 위치에서 상기 하부플레이트(41)를 관통하여 형성될 수 있다.The opening 411 is for passing gas. At least one of the first gas and the second gas may pass through the opening 411 and flow toward the substrate support part 3 . In this case, the opening 411 may function as a flow path for the gas to flow. At least one of the first gas and the second gas may pass through the opening 411 and be injected toward the substrate support part 3 . In this case, the opening 411 may function as a flow path through which the gas flows and also function as an injection hole through which the gas is injected. The lower plate 41 may include a plurality of openings 411 . In this case, the openings 411 may be formed through the lower plate 41 at positions spaced apart from each other.

상기 상부플레이트(42)는 상기 하부플레이트(41)의 상측에 배치된 것이다. 상기 상부플레이트(42)와 상기 하부플레이트(41)는 상기 수직방향(Z축 방향)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 상부플레이트(42)와 상기 하부플레이트(41)의 사이에는 공급공간(43)이 위치될 수 있다. 상기 공급공간(43)은 상기 개구(411)에 연결될 수 있다. 상기 상부플레이트(42)의 하면(下面)(42a, 도 2에 도시됨)은 평평하게 형성될 수 있다.The upper plate 42 is disposed above the lower plate 41 . The upper plate 42 and the lower plate 41 may be spaced apart from each other along the vertical direction (Z-axis direction). A supply space 43 may be positioned between the upper plate 42 and the lower plate 41 . The supply space 43 may be connected to the opening 411 . When the upper plate 42 (lower surface) (42a, shown in Figure 2) may be formed flat.

상기 상부플레이트(42)는 복수개의 제1분사홀(421)을 포함할 수 있다.The upper plate 42 may include a plurality of first spray holes 421 .

상기 제1분사홀(421)들은 상기 제1가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제1분사홀(421)은 상기 개구(411)들 각각에 대응되는 위치에서 각각 복수개로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)의 상측에서 상기 개구(411)를 향해 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 즉, 하나의 개구(411)에 대해 복수개의 제1분사홀(421)이 매칭되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스는 상기 제1분사홀(421)들 각각을 통해 분사되어서 하나의 개구(411)로 공급된 후에, 하나의 개구(411)를 통과하여 상기 기판지지부(3)를 향해 유동될 수 있다.The first injection holes 421 are for injecting the first gas. The first spray hole 421 may be formed in plurality at positions corresponding to each of the openings 411 . In this case, the first injection holes 421 may inject the first gas toward the opening 411 from an upper side of the opening 411 . That is, a plurality of first injection holes 421 may be arranged to match one opening 411 . Accordingly, the first gas is injected through each of the first injection holes 421 and supplied to one opening 411, then passes through one opening 411 toward the substrate support part 3. can be fluid.

따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사홀(421)들로 공급되는 상기 제1가스의 공급유량, 공급압력 등을 조절함으로써, 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)를 향해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등을 조절할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 상기 개구(411)들로 공급되는 상기 제1가스의 공급유량, 공급압력 등을 직접 조절하여 상기 개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등을 조절하는 비교예와 대비할 때, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등을 더 미세하고 더 정확하게 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 정확성을 향상시킴으로써, 상기 제1가스를 이용하여 처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 개구(411)들이 복수개 구비된 경우, 상기 개구(411)들 각각을 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention adjusts the supply flow rate and supply pressure of the first gas supplied to the first injection holes 421, so that the substrate support unit passes through the opening 411. It is implemented so that the flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing toward (3) can be adjusted. Accordingly, by directly adjusting the supply flow rate, supply pressure, etc. of the first gas supplied to the openings 411, the flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing through the openings 411 are controlled. Compared to the comparative example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can finely and more accurately control the flow rate and flow pressure of the first gas flowing through the opening 411 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate after the processing using the first gas by improving the accuracy of the processing using the first gas. In addition, when a plurality of the openings 411 are provided, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention reduces the deviation of the flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing through each of the openings 411. Therefore, it is possible to improve the uniformity of the treatment process using the first gas.

상기 제1분사홀(421)들은 버퍼공간(BS, 도 2에 도시됨)을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 버퍼공간(BS)은 상기 상부플레이트(42)의 상측에 배치된 공간일 수 있다. 상기 버퍼공간(BS)은 상기 수직방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 리드와 상기 상부플레이트(42)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1분사홀(421)과 상기 버퍼공간(BS)은 상기 제1가스유로(4a)에 속할 수 있다. 상기 제1분사홀(421)들은 상기 챔버(2)의 외부에서 유입된 상기 제1가스를 분사할 수도 있다.The first injection holes 421 may be connected to the gas storage unit 40 through a buffer space BS (shown in FIG. 2 ). The buffer space BS may be a space disposed above the upper plate 42 . The buffer space BS may be disposed between the lead and the upper plate 42 based on the vertical direction (Z-axis direction). The first spray hole 421 and the buffer space BS may belong to the first gas flow path 4a. The first injection holes 421 may inject the first gas introduced from the outside of the chamber 2 .

상기 제1분사홀(421)들 각각의 직경은 상기 개구(411)들 각각의 직경보다 더 작게 구현될 수 있다. 상기 제1분사홀(421)들 각각의 직경이 작을수록 상기 제1분사홀(421)을 통해 상기 개구(411) 쪽으로 분사되는 상기 제1가스의 분사유량, 분사압력 등이 더 미세하고 더 정확하게 조절될 수 있다. 상기 개구(411) 쪽으로 분사되는 상기 제1가스의 전체 유량은, 상기 제1분사홀(421)들의 개수에 비례하여 증가될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사홀(421)들 각각의 직경이 감소될수록 상기 제1분사홀(421)들의 개수가 늘어나도록 구현될 수 있다. 이 경우, 하나의 개구(411)에 매칭되는 상기 제1분사홀(421)들 전부가, 하나의 개구(411)에 대해 상측에 위치하도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1분사홀(421)들 전부가 하나의 개구(411) 내에 대응되는 위치에 배치될 수 있다.The diameter of each of the first spray holes 421 may be smaller than that of each of the openings 411 . As the diameter of each of the first injection holes 421 decreases, the injection flow rate and injection pressure of the first gas injected toward the opening 411 through the first injection hole 421 are finer and more accurate. can be regulated. A total flow rate of the first gas injected toward the opening 411 may increase in proportion to the number of the first injection holes 421 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the number of the first injection holes 421 increases as the diameter of each of the first injection holes 421 decreases. In this case, all of the first injection holes 421 matching one opening 411 may be arranged to be located above the one opening 411 . That is, all of the first injection holes 421 may be disposed at corresponding positions within one opening 411 .

상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)으로부터 편심된 위치에 배치될 수 있다. 상기 개구중심(411a)은 수평방향을 기준으로 하는 상기 개구(411)의 원형 단면에 있어서 해당 원형 단면에 대한 원의 중심을 의미할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 향해 직접 상기 제1가스를 분사하지 않고, 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)으로부터 이격된 부분을 향해 상기 제1가스를 분사하도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 개구(411) 내에서도 상기 제1분사홀(421)들로부터 분사된 상기 제1가스의 분사유량, 분사압력 등의 편차를 감소시킬 수 있으므로, 하나의 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3) 쪽으로 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 부분적인 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 균일성을 더 향상시킴으로써, 상기 제1가스를 이용한 처리공정이 완료된 기판의 품질을 더 향상시킬 수 있다.The first injection holes 421 may be disposed at positions eccentric from the respective opening centers 411a of the openings 411 . The opening center 411a may mean a center of a circle with respect to a corresponding circular cross section in a circular cross section of the opening 411 based on a horizontal direction. Accordingly, the first injection holes 421 do not directly inject the first gas toward the center of each of the openings 411 411a, but the center of each of the openings 411 411a. It is implemented to inject the first gas toward a part spaced apart from. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deviation of the spray flow rate and spray pressure of the first gas sprayed from the first spray holes 421 even within one opening 411. , It is possible to reduce partial deviations in flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing toward the substrate support part 3 through one opening 411 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention further improves the uniformity of the processing process using the first gas, thereby further improving the quality of the substrate after the processing process using the first gas.

상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 거리(421D, 도 3에 도시됨)로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 개구(411) 내에서 상기 제1분사홀(421)들로부터 분사된 상기 제1가스의 분사유량, 분사압력 등의 편차를 더 감소시킬 수 있으므로, 하나의 개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 부분적인 편차를 더 감소시킬 수 있다. 상기 제1분사홀(421)들이 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)으로부터 이격된 거리(421D)는 직선을 이루는 최단거리를 의미할 수 있다.The first spray holes 421 may be spaced apart from each other at the same distance (421D, shown in FIG. 3 ) based on the center of the opening 411a of each of the openings 411 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention further reduces the deviation of the injection flow rate and injection pressure of the first gas injected from the first injection holes 421 within one opening 411. Therefore, it is possible to further reduce partial deviations in flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing through one opening 411 . The distance 421D in which the first injection holes 421 are spaced apart from the center 411a of each of the openings 411 may mean the shortest distance forming a straight line.

상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A, 도 3에 도시됨)로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 개구(411) 내에서 상기 제1분사홀(421)들로부터 분사된 상기 제1가스의 분사유량, 분사압력 등의 편차를 더 감소시킬 수 있으므로, 하나의 개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 부분적인 편차를 더 감소시킬 수 있다. 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 상기 제1분사홀(421)들이 서로 이격된 각도(421A)는, 상기 제1분사홀(421)들 각각과 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 잇는 가상의 선분들 간의 끼인각(Included)을 의미할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 하나의 개구(411)에 대해 3개의 제1분사홀(421)이 배칭되게 배치된 경우, 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 상기 제1분사홀(421)들이 서로 이격된 각도(421A)는 120도일 수 있다.The first spray holes 421 may be spaced apart from each other at the same angle (421A, shown in FIG. 3) based on the center of each of the openings 411 411a. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention further reduces the deviation of the injection flow rate and injection pressure of the first gas injected from the first injection holes 421 within one opening 411. Therefore, it is possible to further reduce partial deviations in flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing through one opening 411 . The angle 421A at which the first injection holes 421 are spaced apart from each other based on the center of the opening 411a of each of the openings 411 is ) may mean an included angle between virtual line segments connecting each of the opening centers 411a. As shown in FIG. 3, when three first injection holes 421 are arranged in parallel with respect to one opening 411, the first injection hole 421 is based on the opening center 411a of each of the openings 411. An angle 421A at which the first injection holes 421 are spaced apart from each other may be 120 degrees.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 상부플레이트(42)는 제2분사홀(422)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the upper plate 42 may include a second spray hole 422 .

상기 제2분사홀(422)은 상기 제2가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제2분사홀(422)은 상기 하부플레이트(41)의 상측에서 상기 하부플레이트(41)의 상면(上面)(41a, 도 2에 도시됨)을 향해 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사홀(422)을 통해 분사된 상기 제2가스는, 상기 하부플레이트(41)의 상면(41a)을 따라 유동하여 상기 개구(411)로 공급된 후에 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)를 향해 유동될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스와 상기 제1가스 모두가 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)로 유동될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)에 대해 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2가스와 상기 제1가스는 기설정된 공정순서에 따라 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)를 향해 유동될 수 있다. 예컨대, 상기 제1가스가 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)를 향해 유동되고, 상기 제1가스의 분사가 중지된 이후에 상기 제2가스가 상기 개구(411)를 통해 상기 기판지지부(3)를 향해 유동될 수 있다.The second injection hole 422 is for injecting the second gas. The second injection hole 422 may inject the second gas from the upper side of the lower plate 41 toward an upper surface 41a (shown in FIG. 2 ) of the lower plate 41 . The second gas injected through the second injection hole 422 flows along the upper surface 41a of the lower plate 41 and is supplied to the opening 411, and then passed through the opening 411. It can flow toward the substrate support (3). In this case, both the second gas and the first gas may flow to the substrate support part 3 through the opening 411 . Accordingly, a processing process using the first gas and the second gas may be performed on the substrate S supported by the substrate support part 3 . The second gas and the first gas may flow toward the substrate support 3 through the opening 411 according to a predetermined process sequence. For example, the first gas flows toward the substrate support 3 through the opening 411, and after the injection of the first gas is stopped, the second gas passes through the opening 411 to the substrate. It can flow towards the support part 3 .

상기 수직방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 하부플레이트(41)와 상기 상부플레이트(42)가 서로 이격된 경우, 상기 제2가스는 상기 제2분사홀(422)에서 상기 공급공간(43)으로 분사된 이후에 상기 하부플레이트(41)의 상면(41a)을 따라 유동하여 상기 개구(411)로 공급될 수 있다. 상기 제1가스는 상기 제1분사홀(421)에서 분사된 이후에 상기 공급공간(43)을 거쳐 상기 개구(411)로 공급될 수 있다.When the lower plate 41 and the upper plate 42 are spaced apart from each other based on the vertical direction (Z-axis direction), the second gas is supplied from the second injection hole 422 to the supply space 43 ) After being sprayed, it may flow along the upper surface 41a of the lower plate 41 and be supplied to the opening 411. After the first gas is injected from the first injection hole 421 , it may be supplied to the opening 411 via the supply space 43 .

상기 수평방향을 기준으로 하여 상기 제2분사홀(422)은 상기 제1분사홀(421)들로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사홀(422)은 상기 개구(411)가 형성되지 않은 상기 하부플레이트(41)의 부분에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)가 형성된 상기 하부플레이트(41)의 부분에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.Based on the horizontal direction, the second injection hole 422 may be disposed at a position spaced apart from the first injection holes 421 . The second spray hole 422 may be formed at a position corresponding to a portion of the lower plate 41 where the opening 411 is not formed. In this case, the first injection holes 421 may be formed at positions corresponding to portions of the lower plate 41 where the openings 411 are formed.

상기 제2분사홀(422)은 공급홀(SH, 도 2에 도시됨)을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 공급홀(SH)은 상기 상부플레이트(42)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 공급홀(SH)은 건드릴(Gun Drill)을 이용하여 상기 상부플레이트(42)의 내부를 가공함으로써 구현될 수 있다. 상기 공급홀(SH)에는 상기 제2분사홀(422)이 복수개 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사홀(422)들은 서로 이격되어서 상기 공급홀(SH)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 상기 상부플레이트(42)에는 상기 공급홀(SH)이 복수개 형성될 수 있다. 상기 공급홀(SH)들 각각에는 상기 제2분사홀(422)이 복수개 연결될 수 있다. 상기 제2분사홀(422)과 상기 공급홀(SH)은 상기 제2가스유로(4b)에 속할 수 있다. 상기 제2분사홀(422)은 상기 챔버(2)의 외부에서 유입된 상기 제2가스를 분사할 수도 있다.The second injection hole 422 may be connected to the gas storage unit 40 through a supply hole SH (shown in FIG. 2 ). The supply hole SH may be formed inside the upper plate 42 . The supply hole SH may be implemented by processing the inside of the upper plate 42 using a gun drill. A plurality of second spray holes 422 may be connected to the supply hole SH. In this case, the second spray holes 422 may be spaced apart from each other and connected to different parts of the supply hole SH. A plurality of supply holes SH may be formed in the upper plate 42 . A plurality of second spray holes 422 may be connected to each of the supply holes SH. The second spray hole 422 and the supply hole SH may belong to the second gas flow path 4b. The second spray hole 422 may spray the second gas introduced from the outside of the chamber 2 .

여기서, 상기 개구(411)들 중에서 적어도 하나에 대하여, 적어도 두 개 이상의 상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)를 통하여 상기 기판(S)을 바라보고 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 개구(411)들 중에서 적어도 하나에 대하여, 적어도 하나의 상기 제2분사홀(422)은 상기 기판(S)을 바라보지 않고 상기 제2가스를 분사할 수 있다.Here, with respect to at least one of the openings 411, at least two or more first injection holes 421 may view the substrate S through the opening 411 and inject the first gas. have. In this case, with respect to at least one of the openings 411, at least one second spraying hole 422 may spray the second gas without looking at the substrate S.

도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 하부플레이트(41)에는 상기 개구(411)가 복수개 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 개구(411)들은 제1영역(FA), 및 상기 제1영역(FA)의 외측에 위치된 제2영역(SA)에 형성될 수 있다. 상기 제1영역(FA)은 상기 하부플레이트(41)의 중심으로부터 제1축방향(X축 방향)과 제2축방향(Y축 방향)으로 소정의 면적을 갖는 영역이다. 상기 제1축방향(X축 방향)과 상기 제2축방향(Y축 방향)은 상기 수평방향 상에서 서로 직교하는 축 방향이다. 상기 제1영역(FA)은 상기 제2영역(SA)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)에 지지된 상기 기판(S)의 중앙영역 상에 상기 제1영역(FA)이 위치되고, 상기 기판(S)의 외곽영역 상에 상기 제2영역(SA)이 위치될 수 있다. 상기 제2영역(SA)은 상기 제1영역(FA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 4에는 상기 제1영역(FA)이 직사각형 형태인 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1영역(FA)은 원형, 타원형 등 다른 형태로 구현될 수도 있다. 도 4에는 상기 하부플레이트(41)가 상기 제1영역(FA)과 상기 제2영역(SA)으로 구분된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 하부플레이트(41)는 3개 이상의 영역으로 구분될 수도 있다. 이 경우, 상기 영역들 중에서 가장 내측에 위치된 것이 상기 제1영역(FA)에 해당하고, 상기 영역들 중에서 가장 외측에 위치된 것이 상기 제2영역(SA)에 해당할 수 있다.1 to 5 , in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, a plurality of openings 411 may be formed in the lower plate 41 . For example, the openings 411 may be formed in the first area FA and the second area SA located outside the first area FA. The first area FA is an area having predetermined areas in the first axial direction (X-axis direction) and the second axial direction (Y-axis direction) from the center of the lower plate 41 . The first axial direction (X-axis direction) and the second axial direction (Y-axis direction) are axial directions orthogonal to each other in the horizontal direction. The first area FA may be disposed inside the second area SA. The first area FA is located on the central area of the substrate S supported by the substrate support part 3, and the second area SA is located on the outer area of the substrate S. can The second area SA may be disposed to surround the first area FA. Although the first area FA is illustrated as having a rectangular shape in FIG. 4 , it is not limited thereto and the first area FA may be implemented in other shapes such as a circular shape and an elliptical shape. 4 shows that the lower plate 41 is divided into the first area FA and the second area SA, but is not limited thereto, and the lower plate 41 is divided into three or more areas. It could be. In this case, the innermost area among the areas may correspond to the first area FA, and the outermost area among the areas may correspond to the second area SA.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1영역(FA, 도 4에 도시됨)에 위치된 상기 개구들(411, 411') 각각에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1분사홀들(421, 421')은 서로 동일한 형태로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1영역(FA) 상에 배치된 상기 제1분사홀들(421, 421')은 상기 제1영역(FA)에 배치된 상기 개구(411)들 각각에 대응되는 위치에서 서로 동일한 형태로 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1영역(FA)에 배치된 상기 개구들(411, 411')을 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 5, the first injection holes 421 and 421 arranged to match each of the openings 411 and 411' located in the first area FA (shown in FIG. 4) ') may be arranged in the same form as each other. That is, the first injection holes 421 and 421' disposed on the first area FA are identical to each other at positions corresponding to the respective openings 411 disposed on the first area FA. can be placed in the form Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, deviation of the flow rate, flow pressure, etc. of the first gas flowing through the openings 411 and 411' disposed in the first area FA. Since can be reduced, it is possible to further improve the uniformity of the treatment process using the first gas.

이 경우, 상기 제1분사홀(421)들은 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 거리(421D)로 이격되어 배치되고, 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A)로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1분사홀(421')들은 상기 개구(411')들 각각의 개구중심(411a')을 기준으로 하여 서로 동일한 거리(421D')로 이격되어 배치되고, 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a')을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A')로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1분사홀(421)들 각각이 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)으로부터 이격된 거리(421D) 및 상기 제1분사홀(421')들 각각이 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a')으로부터 이격된 거리(421D')는 서로 동일할 수 있다. 상기 제1분사홀(421)들 각각이 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a)을 기준으로 하여 이격된 각도(421A) 및 상기 제1분사홀(421')들 각각이 상기 개구(411)들 각각의 개구중심(411a')을 기준으로 하여 이격된 각도(421A')는 서로 동일할 수 있다.In this case, the first injection holes 421 are spaced apart from each other at the same distance 421D based on the center of the opening 411a of each of the openings 411, and each of the openings 411 Based on the center 411a, they may be spaced apart from each other at the same angle 421A. The first injection holes 421' are spaced apart from each other at the same distance 421D' with respect to the center of each of the openings 411' 411a', and each of the openings 411' Based on the center of the opening 411a', they may be spaced apart from each other at the same angle 421A'. The distance 421D of each of the first spray holes 421 from the center of the opening 411a of each of the openings 411 and the distance 421D of each of the first spray holes 421' are the openings 411 Distances 421D' apart from the respective opening centers 411a' may be equal to each other. An angle 421A at which each of the first injection holes 421 is spaced based on the center of the opening 411a of each of the openings 411 and each of the first injection holes 421 'is the opening ( 411) may have the same angles 421A' spaced apart from each other with respect to the center of the opening 411a'.

도 1 내지 도 9를 참고하면, 상기 제2영역(SA, 도 4에 도시됨)에 상기 개구(411)가 형성된 경우, 상기 상부플레이트(42)에는 상기 제2영역(SA)에 배치된 상기 개구(411)를 향해 상기 제1가스를 분사하는 상기 제1분사홀(421)들이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2영역(SA) 상에는 상기 제1분사홀(421)들이 형성될 수 있다. 이하에서는 상기 제1영역(FA)에 배치된 상기 개구(411)를 제1개구(411), 상기 제1개구(411)의 개구중심(411a)을 제1개구중심(411a), 상기 제1영역(FA) 상에 배치되어서 상기 제1개구(411)를 향해 상기 제1가스를 분사하는 상기 제1분사홀(421)들을 제1-1분사홀(421), 상기 제2영역(SA)에 배치된 상기 개구(411)를 제2개구(411), 상기 제2개구(411)의 개구중심(411a)을 제2개구중심(411a), 상기 제2영역(SA) 상에 배치되어서 상기 제2개구(411)를 향해 상기 제1가스를 분사하는 상기 제1분사홀(421)들을 제1-2분사홀(421)로 지칭하여 설명한다.1 to 9 , when the opening 411 is formed in the second area SA (shown in FIG. 4 ), the upper plate 42 has the second area SA. The first injection holes 421 may be formed to inject the first gas toward the opening 411 . That is, the first injection holes 421 may be formed on the second area SA. Hereinafter, the opening 411 disposed in the first area FA is referred to as the first opening 411, and the center of the opening 411a of the first opening 411 is referred to as the first opening center 411a. The first injection holes 421 disposed on the area FA and dispensing the first gas toward the first opening 411 are called 1-1 injection holes 421 and the second area SA. The opening 411 disposed on the second opening 411, the opening center 411a of the second opening 411 is arranged on the second opening center 411a, and the second area SA. The first injection holes 421 through which the first gas is injected toward the second opening 411 are referred to as first-second injection holes 421 and will be described.

상기 제1-1분사홀(421)들과 상기 제1-2분사홀(421)들은 서로 동일하게 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1-1분사홀(421)들 각각이 상기 제1개구중심(411a)으로부터 이격된 거리(421D) 및 상기 제1-2분사홀(421)들 각각이 상기 제2개구중심(411a)으로부터 이격된 거리(421D)는 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제1-1분사홀(421)들이 상기 제1개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 이격된 각도(421A) 및 상기 제1-2분사홀(421)들이 상기 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 이격된 각도(421A)는 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제1-1분사홀(421)들 각각의 직경 및 상기 제1-2분사홀(421)들 각각의 직경은 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제1개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-1분사홀(421)들의 개수 및 상기 제2개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들의 개수는 서로 동일할 수 있다.The 1-1 injection holes 421 and the 1-2 injection holes 421 may be implemented identically to each other. For example, a distance 421D of each of the 1-1st injection holes 421 from the first opening center 411a and a distance 421D of each of the 1-2nd injection holes 421 are the second opening center ( Distances 421D spaced apart from 411a may be equal to each other. For example, the angle 421A at which the 1-1 injection holes 421 are spaced apart from each other based on the first opening center 411a and the 1-2 injection holes 421 are the second opening center ( Angles 421A spaced apart from each other based on 411a) may be equal to each other. For example, the diameter of each of the 1-1st injection holes 421 and the diameter of each of the 1-2th injection holes 421 may be the same. For example, the number of the 1-1 injection holes 421 arranged to match the first opening 411 and the 1-2 injection holes 421 arranged to match the second opening 411 ) may be the same as each other.

여기서, 상기 제2영역(SA)이 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)의 외곽영역 상에 배치되므로, 상기 제1가스는 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제2개구(411)를 통해 상기 기판(S)의 외곽영역을 향해 유동될 수 있다. 이 경우, 상기 챔버(2)의 내부로부터 가스를 배기시키는 공정 등의 영향으로 인해 상기 기판(S)의 외곽영역은 상기 기판(S)의 중앙영역보다 더 낮은 처리율로 처리공정이 이루어질 수 있다. 예컨대, 증착공정의 경우, 상기 기판(S)의 외곽영역에는 상기 기판(S)의 중앙영역보다 더 낮은 증착률을 나타낼 수 있다. 이를 보상하기 위해, 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제1-1분사홀(421)들은 서로 상이하게 구현될 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.Here, since the second area SA is disposed on the outer area of the substrate S supported by the substrate support part 3, the first gas flows through the first and second injection holes 421 and the second area SA. It may flow toward the outer region of the substrate S through the two openings 411 . In this case, due to the influence of the process of exhausting gas from the inside of the chamber 2, the outer region of the substrate S may be processed at a lower processing rate than the central region of the substrate S. For example, in the case of a deposition process, the outer region of the substrate S may exhibit a lower deposition rate than the central region of the substrate S. To compensate for this, the 1-2 injection holes 421 and the 1-1 injection holes 421 may be implemented differently from each other. Looking at this in detail, it is as follows.

우선, 상기 제1-2분사홀(421)들 각각의 직경은 상기 제1-1분사홀(421)들 각각의 직경보다 더 크게 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제2개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유량은, 상기 제1-1분사홀(421)들과 상기 제1개구(411)를 통해 분사되는 상기 제1가스의 유량보다 더 많게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 외곽영역과 상기 기판(S)의 중앙영역 간에 처리율의 편차를 감소시킴으로써, 상기 기판(S)에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.First of all, the diameter of each of the 1-2 injection holes 421 may be larger than that of each of the 1-1 injection holes 421 . Accordingly, the flow rate of the first gas flowing through the 1-2 injection holes 421 and the second opening 411 is The flow rate of the first gas injected through 411 may be higher than the flow rate. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention reduces the deviation of the processing rate between the outer region of the substrate S and the central region of the substrate S, thereby improving the uniformity of the processing process for the substrate S. can improve

다음, 상기 제2개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들의 개수는, 상기 제1개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-1분사홀(421)들의 개수보다 더 많게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1분사홀(421)들은 상기 제1개구(411)보다 상기 제2개구(411)에 대해 더 많은 개수로 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제2개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유량은, 상기 제1-1분사홀(421)들과 상기 제1개구(411)를 통해 유동되는 상기 제1가스의 유량보다 더 많게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 외곽영역과 상기 기판(S)의 중앙영역 간에 처리율의 편차를 감소시킴으로써, 상기 기판(S)에 대한 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다. Next, the number of the 1-2 injection holes 421 arranged to match the second opening 411 is the number of the 1-1 injection holes arranged to match the first opening 411 ( 421) may be implemented. That is, the number of first injection holes 421 may be greater for the second opening 411 than for the first opening 411 . Accordingly, the flow rate of the first gas flowing through the 1-2 injection holes 421 and the second opening 411 is The flow rate of the first gas flowing through 411 may be greater than that of the flow rate. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention reduces the deviation of the processing rate between the outer region of the substrate S and the central region of the substrate S, thereby improving the uniformity of the processing process for the substrate S. can improve

예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-1분사홀(421)들의 개수가 3개인 경우, 도 6과 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제2개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들의 개수는 4개일 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들의 개수는 5개 이상일 수도 있다.For example, as shown in FIG. 3, when the number of the 1-1 injection holes 421 arranged to match the first opening 411 is three, as shown in FIGS. 6 and 7, the The number of the first-second injection holes 421 arranged to match the second opening 411 may be four. Although not shown, the number of the first and second injection holes 421 arranged to match the second opening 411 may be five or more.

이 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제1-2분사홀(421)들 전부가 상기 제2개구중심(411a)으로부터 편심된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a)으로부터 서로 동일한 거리(421D)로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A)로 이격되어 배치될 수 있다. In this case, as shown in FIG. 6 , all of the 1-2 injection holes 421 may be disposed at positions eccentric from the second opening center 411a. The first and second injection holes 421 may be spaced apart from each other at the same distance 421D from the second opening center 411a. The first and second spray holes 421 may be spaced apart from each other at the same angle 421A based on the second opening center 411a.

이 경우, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a) 상에 배치됨과 아울러 상기 제2개구중심(411a)으로부터 편심된 위치에 배치될 수도 있다. 상기 제2개구중심(411a) 상에는 하나의 제1-2분사홀(421)이 배치되고, 상기 제2개구중심(411a)으로부터 편심된 위치에 3개의 제1-2분사홀(421)이 배치될 수 있다. 상기 제2개구중심(411a)으로부터 편심된 위치에 배치된 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a)으로부터 서로 동일한 거리(421D, 도 6에 도시됨)로 이격되어 배치될 수 있고, 상기 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A, 도 6에 도시됨)로 이격되어 배치될 수 있다. In this case, as shown in FIG. 7 , the 1-2 injection holes 421 may be disposed on the second opening center 411a and at positions eccentric from the second opening center 411a. have. One 1-2 injection hole 421 is disposed on the second opening center 411a, and three 1-2 injection holes 421 are disposed at positions eccentric from the second opening center 411a. It can be. The first and second injection holes 421 disposed at eccentric positions from the second opening center 411a are spaced apart from the second opening center 411a at the same distance (421D, shown in FIG. 6). and may be spaced apart from each other at the same angle (421A, shown in FIG. 6) based on the second opening center 411a.

다음, 상기 제2개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들은, 상기 제1개구(411)에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-1분사홀(421)들과 상이한 형태로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2영역(SA) 상에 배치된 상기 제1분사홀(421)들은, 상기 제1영역(FA) 상에 배치된 상기 제1분사홀(421)들과 상이한 형태로 배치될 수 있다. 예컨대, 상술한 바와 같이 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제1-1분사홀(421)들은 직경, 개수 등이 서로 상이하게 구현됨으로써, 서로 상이한 형태로 배치될 수 있다. 상기 제1-2분사홀(421)들과 상기 제1-1분사홀(421)들은 각각 상기 제2개구중심(411a)과 상기 제1개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 이격된 각도(421A)가 상이하게 구현될 수도 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1-1분사홀(421)들은 상기 제1개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 각도(421A)로 이격된 반면, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 적어도 2개의 각도(421A)가 서로 동일함과 아울러 1개의 각도(421B)가 상이하게 구현될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제1-2분사홀(421)들은 상기 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 상이한 각도(421A)로 이격될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 외곽영역에 대응되는 상기 제2개구(411) 내에서 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 증대시킴으로써, 결과적으로 상기 기판(S)의 외곽영역과 상기 기판(S)의 중앙영역 간에 처리율의 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 기판(S)의 외곽영역에서는 부분별로 상기 챔버(2)의 내부로부터 가스를 배기시키는 공정 등의 영향력이 상이하게 미칠 수 있으므로, 이를 고려하여 상기 제2개구(411) 내에서 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 증대시키는 것이다.Next, the 1-2 injection holes 421 arranged to match the second opening 411 are arranged to match the 1-1 injection holes 421 with respect to the first opening 411 may be arranged in a different form. That is, the first injection holes 421 disposed on the second area SA may be disposed in a different form from the first injection holes 421 disposed on the first area FA. have. For example, as described above, the 1-2 injection holes 421 and the 1-1 injection holes 421 may be arranged in different shapes by implementing different diameters, numbers, and the like. The 1-2 injection holes 421 and the 1-1 injection holes 421 are spaced apart from each other at an angle with respect to the second opening center 411a and the first opening center 411a, respectively ( 421A) may be implemented differently. For example, as shown in FIG. 3, while the 1-1 injection holes 421 are spaced apart from each other at the same angle 421A with respect to the first opening center 411a, as shown in FIG. At least two angles 421A of the first and second injection holes 421 based on the second opening center 411a may be the same and one angle 421B may be different. Although not shown, the first and second injection holes 421 may be spaced apart from each other at different angles 421A with respect to the second opening center 411a. In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention increases the deviation of the flow rate, flow pressure, etc. of the first gas within the second opening 411 corresponding to the outer region of the substrate S. As a result, it is possible to reduce the deviation of the processing rate between the outer region of the substrate S and the central region of the substrate S. In the outer region of the substrate S, the process of exhausting the gas from the inside of the chamber 2 may have a different influence on each part, so in consideration of this, the first gas in the second opening 411 It is to increase the deviation of flow rate, flow pressure, etc.

여기서, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 제2개구들(411, 411') 각각에 대해 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀들(421, 421')은 서로 상이한 형태로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2영역(SA) 상에 배치된 상기 제1분사홀(421)들 간에도 서로 상이한 형태로 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)의 외곽영역에 대응되는 상기 제2개구들(411, 411')을 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 증대시킴으로써, 결과적으로 상기 기판(S)의 외곽영역과 상기 기판(S)의 중앙영역 간에 처리율의 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 기판(S)의 외곽영역에서는 부분별로 상기 챔버(2)의 내부로부터 가스를 배기시키는 공정 등의 영향력이 상이하게 미칠 수 있으므로, 이를 고려하여 상기 제2개구들(411, 411')을 통해 유동되는 상기 제1가스의 유동유량, 유동압력 등의 편차를 증대시키는 것이다.Here, as shown in FIG. 9 , the first and second injection holes 421 and 421' arranged to match each of the second openings 411 and 411' may be arranged in different shapes. . That is, the first injection holes 421 disposed on the second area SA may also be disposed in different shapes. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the flow rate and flow pressure of the first gas flowing through the second openings 411 and 411' corresponding to the outer region of the substrate S As a result, the deviation of the processing rate between the outer region of the substrate S and the central region of the substrate S can be reduced by increasing the deviation of the substrate S. Since the outer region of the substrate S may have a different influence, such as a process of exhausting gas from the inside of the chamber 2, for each part, in consideration of this, through the second openings 411 and 411' It is to increase the deviation of the flow rate, flow pressure, etc. of the flowing first gas.

예컨대, 상기 제2개구(411)에 매칭되게 상기 제1-2분사홀(421)들이 3개가 배치된 부분이 존재함과 아울러, 상기 제2개구(411')에 매칭되게 상기 제1-2분사홀(421')들이 4개가 배치된 부분이 존재할 수 있다. 이 경우, 상기 제2개구(411)에 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421)들은 제2개구중심(411a)을 기준으로 하여 서로 동일한 거리(421D)와 서로 동일한 각도(421A)로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2개구(411')에 매칭되게 배치된 상기 제1-2분사홀(421')들은 하나가 상기 제2개구중심(411a') 상에 배치고, 나머지 3개가 상기 제2개구중심(411a')을 중심으로 하여 서로 동일한 거리(421D')와 서로 동일한 각도(421A')로 이격되어 배치될 수 있다.For example, there is a portion in which three 1-2 injection holes 421 are arranged to match the second opening 411, and the 1-2 injection holes 421 to match the second opening 411'. There may be a portion where four injection holes 421' are disposed. In this case, the 1-2 injection holes 421 arranged to match the second opening 411 have the same distance 421D and the same angle 421A with respect to the center of the second opening 411a. It can be arranged spaced apart by . One of the 1-2 injection holes 421' disposed to match the second opening 411' is disposed on the second opening center 411a', and the remaining three are disposed on the second opening center ( 411a') may be spaced apart from each other at the same distance 421D' and at the same angle 421A'.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 하부플레이트(41) 또는 상기 상부플레이트(42)는 RF(Radio Frequency)전원(미도시)에 연결되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 상부플레이트(42)가 접지(Ground)됨과 아울러 상기 하부플레이트(41)에 RF전력이 인가되면, 플라즈마가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스분사부(4)는 플라즈마를 이용하여 상기 제1가스와 상기 제2가스 중에서 적어도 하나를 활성화시켜서 상기 처리공간(100)에 분사할 수 있다. 상기 상부플레이트(42)가 RF전원에 연결됨과 아울러 상기 하부플레이트(41)가 접지될 수도 있다.Meanwhile, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the lower plate 41 or the upper plate 42 may be implemented to be connected to a radio frequency (RF) power source (not shown). In this case, when the upper plate 42 is grounded and RF power is applied to the lower plate 41, plasma may be generated. Accordingly, the gas dispensing unit 4 may activate at least one of the first gas and the second gas using plasma and inject it into the processing space 100 . The upper plate 42 may be connected to an RF power source and the lower plate 41 may be grounded.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention belongs that various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have knowledge of

1 : 기판처리장치 2 : 챔버
3 : 기판지지부 4 : 가스분사부
40 : 가스저장부 4a : 제1가스유로
4b : 제2가스유로 41 : 하부플레이트
411 : 개구 411a : 개구중심
42 : 상부플레이트 421 : 제1분사홀
422 : 제2분사홀 43 : 공급공간
BS : 버퍼공간 SH : 공급홀1: substrate processing device 2: chamber
3: substrate support part 4: gas injection part
40: gas storage unit 4a: first gas flow path
4b: second gas flow path 41: lower plate
411: opening 411a: center of opening
42: upper plate 421: first injection hole
422: second injection hole 43: supply space
BS: buffer space SH: supply hole

Claims (17)

챔버;
상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부;
상기 기판지지부의 상측에 배치된 하부플레이트; 및
상기 하부플레이트의 상측에 배치되고, 제1가스를 분사하는 제1분사홀과 제2가스를 분사하는 제2분사홀이 형성된 상부플레이트를 포함하고,
상기 하부플레이트는 상기 제1분사홀과 상기 제2분사홀에서 분사된 가스를 통과시키도록 형성된 복수개의 개구를 포함하며,
상기 제1분사홀은 상기 개구들 각각에 대응되는 위치에서 각각 복수개로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
a substrate support for supporting at least one substrate inside the chamber;
a lower plate disposed above the substrate support; and
An upper plate disposed above the lower plate and having a first injection hole for injecting a first gas and a second injection hole for injecting a second gas;
The lower plate includes a plurality of openings formed to pass gas injected from the first injection hole and the second injection hole,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein a plurality of first injection holes are formed at positions corresponding to each of the openings. 제1항에 있어서,
상기 하부플레이트는 제1영역을 포함하고,
상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제1영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심으로부터 편심된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The lower plate includes a first region,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the first area are disposed eccentric from the center of each of the openings disposed on the first area. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1분사홀들 각각의 직경은 상기 개구들 각각의 직경보다 더 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, characterized in that the diameter of each of the first injection holes is smaller than the diameter of each of the openings. 제2항에 있어서,
상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제1영역에 배치된 상기 개구들 각각의 상기 개구중심을 기준으로 하여 서로 동일한 거리로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the first area are spaced apart from each other by the same distance with respect to the center of each of the openings disposed on the first area. 제2항에 있어서,
상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제1영역에 배치된 상기 개구들 각각의 상기 개구중심을 기준으로 하여 서로 동일한 각도로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the first area are spaced apart from each other at the same angle with respect to the center of each of the openings disposed on the first area. 제2항에 있어서,
상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제1영역에 배치된 상기 개구들 각각에 대응되는 위치에서 서로 동일한 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the first area are disposed in the same shape at positions corresponding to the respective openings disposed on the first area. 제2항에 있어서,
상기 하부플레이트는 상기 제1영역 외측의 제2영역을 포함하고,
상기 제2영역에는 상기 개구가 복수개 형성되며,
상기 제2영역 상에는 상기 제1분사홀이 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The lower plate includes a second region outside the first region,
A plurality of openings are formed in the second region,
A substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein a plurality of first injection holes are formed on the second region. 제7항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들 각각의 직경은, 상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들 각각의 직경보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 7,
A diameter of each of the first injection holes disposed on the second region is larger than a diameter of each of the first injection holes disposed on the first region. 제7항에 있어서,
상기 제1분사홀들은 상기 제1영역에 배치된 상기 개구보다 상기 제2영역에 배치된 상기 개구에 대해 더 많은 개수로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 7,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the number of the first injection holes is greater for the openings in the second area than for the openings in the first area. 제7항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심으로부터 편심된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 7,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the second area are disposed eccentric from the center of each of the openings disposed on the second area. 제10항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심을 기준으로 하여 서로 동일한 거리로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 10,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the second area are spaced apart from each other by the same distance based on the center of each of the openings disposed on the second area. 제10항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 일부가 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심을 기준으로 하여 서로 동일한 각도로 이격되어 배치됨과 아울러 일부가 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심을 기준으로 하여 서로 상이한 각도로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 10,
Some of the first spray holes disposed on the second area are spaced apart from each other at the same angle with respect to the center of each of the openings disposed in the second area, and some of the first injection holes are disposed in the second area. A substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the openings are spaced apart from each other at different angles based on the center of each of the openings. 제7항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심 상에 배치됨과 아울러 상기 제2영역에 배치된 상기 개구들 각각의 개구중심으로부터 편심된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 7,
The first injection holes disposed in the second area are disposed on the center of each of the openings disposed in the second area and are eccentric from the center of each of the openings disposed in the second area. A substrate processing apparatus, characterized in that disposed in the position. 제7항에 있어서,
상기 제2영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들은, 상기 제1영역 상에 배치된 상기 제1분사홀들과 상이한 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 7,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the first injection holes disposed on the second area are disposed in a different form from the first injection holes disposed on the first area. 제1항에 있어서,
상기 제2분사홀은 상기 하부플레이트의 상측에서 상기 하부플레이트의 상면을 향해 상기 제2가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The second spray hole sprays the second gas from the upper side of the lower plate toward the upper surface of the lower plate. 제1항에 있어서,
상기 하부플레이트는 RF전원에 연결되고,
상기 상부플레이트는 접지(Ground)된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The lower plate is connected to an RF power source,
The upper plate is a substrate processing apparatus, characterized in that grounded. 챔버;
상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부;
상기 기판지지부의 상측에 배치되고, 복수개의 개구를 포함하는 하부플레이트; 및
상기 하부플레이트의 상측에 배치되고, 상기 챔버의 외부에서 유입된 제1가스를 분사하기 위한 제1분사홀과 상기 챔버의 외부에서 유입된 제2가스를 분사하기 위한 제2분사홀을 포함하는 상부플레이트를 포함하고,
상기 개구들 중에서 적어도 하나에 대하여, 적어도 두 개 이상의 상기 제1분사홀들은 상기 개구를 통하여 상기 기판을 바라보고 상기 제1가스를 분사하고, 적어도 하나의 상기 제2분사홀은 상기 기판을 바라보지 않고 상기 제2가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
a substrate support for supporting at least one substrate inside the chamber;
a lower plate disposed above the substrate support unit and including a plurality of openings; and
It is disposed on the upper side of the lower plate and includes a first injection hole for injecting a first gas introduced from the outside of the chamber and a second injection hole for injecting a second gas introduced from the outside of the chamber. including a plate,
For at least one of the openings, at least two or more first injection holes face the substrate through the opening and inject the first gas, and at least one second injection hole does not face the substrate. The substrate processing apparatus characterized in that for injecting the second gas without.
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