KR20220162588A - Surface Acoustic Wave device - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 13
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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Abstract
Description
본 발명은 표면탄성파 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave device.
통신산업이 발달되면서, 무선통신 제품은 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되어 가고 있다. 이러한 경향에 맞추어 무선통신 제품에 사용되는 부품, 예를 들어, 필터, 듀플렉서등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있다.As the communication industry develops, wireless communication products are gradually becoming smaller, higher quality, and multifunctional. In accordance with this trend, miniaturization and multifunctionalization are required for parts used in wireless communication products, such as filters and duplexers.
이러한 부품의 일예로서, 표면탄성파 소자는 압전 단결정 베어칩인 압전기판과, 그 상부면에 빗살형태로 서로 마주하도록 형성되는 한쌍의 IDT(Inter digital transducer) 전극과, 이에 연결된 입력 전극 및 출력 전극 등으로 구성될 수 있다.As an example of such a component, a surface acoustic wave element includes a piezoelectric substrate, which is a piezoelectric single crystal bare chip, a pair of inter digital transducer (IDT) electrodes formed to face each other in the form of comb teeth on the upper surface thereof, input electrodes and output electrodes connected thereto, and the like. may consist of
표면탄성파 소자는 입력 전극을 통해 전기적인 신호를 인가하면, 서로 마주하는 IDT 전극간의 겹쳐지는 전극길이만큼 압전효과에 의한 압전왜곡이 발생되고, 상기 압전왜곡에 의하여 압전기판에 전달되는 표면탄성파가 발생되고, 이를 출력 전극을 통해 전기신호로 변환하여 출력한다.When an electrical signal is applied through the input electrode of the surface acoustic wave element, piezoelectric distortion due to the piezoelectric effect is generated as much as the overlapping electrode length between the IDT electrodes facing each other, and the surface acoustic wave transmitted to the piezoelectric substrate is generated by the piezoelectric distortion. and converts it into an electrical signal through the output electrode and outputs it.
이러한, 표면탄성파 소자는 소형이면서 신호처리가 용이하고 회로가 단순하며, 반도체 공정을 이용함으로써 대량생산이 가능한 이점을 가지고 있다. 또한, 표면탄성파 소자는 통과 대역 내의 사이드 리젝션(Side Rejection)이 높아 고품위의 정보를 주고받을 수 있는 장점이 있다.Such a surface acoustic wave device has advantages such as being small, easy to process signals, simple circuit, and capable of being mass-produced by using a semiconductor process. In addition, the surface acoustic wave device has a high side rejection within a pass band, and thus has the advantage of being able to transmit and receive high-quality information.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 메인 모드(main mode)의 손실 없이 고주파 스퓨리어스(spurious) 성분을 억제할 수 있는 표면탄성파 소자를 제공하는 데 있다.A technical problem to be achieved by the present invention is to provide a surface acoustic wave device capable of suppressing high-frequency spurious components without loss of a main mode.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 표면탄성파 소자는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 적층된 중간층; 상기 중간층 상에 적층된 압전층; 및 상기 압전층 상에 형성된 IDT 전극을 포함하고, 상기 지지기판의 오일러각은 (-45°±10°, -54°±10°, 180°±30°)이고, 상기 압전층의 오일러각은 (0°±5°, 112.5°±22.5°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -67.5°±22.5°, 0°±5°)인 것을 특징으로 한다.A surface acoustic wave device according to the present invention for solving the above technical problems includes a support substrate; an intermediate layer laminated on the support substrate; a piezoelectric layer laminated on the intermediate layer; and an IDT electrode formed on the piezoelectric layer, wherein the Euler angles of the support substrate are (-45°±10°, -54°±10°, 180°±30°), and the Euler angles of the piezoelectric layer are (0 ° ± 5 °, 112.5 ° ± 22.5 °, 0 ° ± 5 °) or (0 ° ± 5 °, -67.5 ° ± 22.5 °, 0 ° ± 5 °).
상기 지지기판은 실리콘을 포함하고, 상기 압전층은 리튬탄탈레이트를 포함할 수 있다.The support substrate may include silicon, and the piezoelectric layer may include lithium tantalate.
상기 중간층은, 상기 지지기판 상에 적층된 고음속층; 및 상기 고음속층 상에 적층된 저음속층을 포함하고, 상기 고음속층을 전파하는 벌크파의 음속은 상기 압전층을 전파하는 탄성파의 음속보다 높고, 상기 저음속층을 전파하는 벌크파의 음속은 상기 압전층을 전파하는 탄성파의 음속보다 낮을 수 있다.The intermediate layer may include a high sound velocity layer laminated on the support substrate; and a low sound speed layer stacked on the high sound speed layer, wherein the sound speed of a bulk wave propagating through the high sound speed layer is higher than the sound speed of an elastic wave propagating through the piezoelectric layer, and the sound speed of a bulk wave propagating through the low sound speed layer is greater than the sound speed of an elastic wave propagating through the piezoelectric layer. It may be less than the speed of sound of an elastic wave propagating through the layer.
상기 지지기판은 면방위 <111>의 실리콘 기판을 180° 회전시킨 기판으로 형성될 수 있다.The support substrate may be formed of a substrate obtained by rotating a silicon substrate having a plane orientation of <111> by 180°.
상기 압전층은 42° YX-컷 리튬탄탈레이트 기판으로 형성될 수 있다.The piezoelectric layer may be formed of a 42° YX-cut lithium tantalate substrate.
상기 압전층의 오일러각은 (0°±5°, 132.7° 내지 135°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -47.3° 내지 -45°, 0°±5°)일 수 있다.The Euler angle of the piezoelectric layer may be (0°±5°, 132.7° to 135°, 0°±5°) or (0°±5°, -47.3° to -45°, 0°±5°). have.
상기된 본 발명에 의하면, 메인 모드(main mode)의 손실 없이 고주파 스퓨리어스(spurious) 성분을 억제할 수 있는 표면탄성파 소자를 제공할 수 있다.According to the present invention described above, it is possible to provide a surface acoustic wave device capable of suppressing high-frequency spurious components without loss of main mode.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 단면 구조를 나타낸다.
도 2는 종래예에 따른 지지기판과 압전층의 적층 구조를 평면상으로 표시한 것을 나타낸다.
도 3은 종래예에 따른 표면탄성파 소자의 주파수 특성 그래프를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지기판과 압전층의 적층 구조를 평면상으로 표시한 것을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 주파수 특성 그래프를 나타낸다.
도 6은 도 3의 주파수 특성과 도 5의 주파수 특성을 중첩하여 표시한 그래프를 나타낸다.
도 7은 박막화된 압전층의 웨이브 모드(wave mode)들을 나타낸다.
도 8은 적층 구조에 의해 일부 웨이브 모드들이 소멸된 결과의 웨이브 모드들을 나타낸다.1 shows a cross-sectional structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
2 shows a stacked structure of a support substrate and a piezoelectric layer according to a conventional example displayed on a plane.
3 shows a frequency characteristic graph of a surface acoustic wave device according to a conventional example.
4 shows a stacked structure of a support substrate and a piezoelectric layer according to an embodiment of the present invention displayed on a plane.
5 shows a frequency characteristic graph of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 shows a graph in which the frequency characteristics of FIG. 3 and the frequency characteristics of FIG. 5 are overlapped.
7 shows wave modes of the thinned piezoelectric layer.
8 shows wave modes resulting from some wave modes being eliminated by the layered structure.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Substantially the same elements in the following description and accompanying drawings are indicated by the same reference numerals, respectively, and redundant description will be omitted. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 단면 구조를 나타낸다.1 shows a cross-sectional structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표면탄성파 소자는, 지지기판(110), 지지기판 상에 적층된 중간층(120), 중간층(120) 상에 적층된 압전층(130), 및 압전층(130) 상에 형성된 IDT 전극(140)을 포함한다. Referring to FIG. 1 , the surface acoustic wave device according to the present embodiment includes a
지지기판(110)은 실리콘(Si) 재질, 사파이어 재질 또는 다이아몬드 재질 중 적어도 하나로 구성될 수 있다. 지지기판(110)의 면방위는 예를 들면 <111>, <100>, <110> 등이거나, 이들 면방위가 혼재될 수도 있다. 지지기판(110)의 두께는 표면탄성파의 진동을 고려하여 5㎛ 이상 또는 표면탄성파 파장의 2배 이상일 수 있다.The
중간층(120)은 지지기판(110) 상에 적층된 고음속층(121) 및 고음속층(121) 상에 적층된 저음속층(122)을 포함할 수 있다. 고음속층(121)을 전파하는 벌크파의 음속은 압전층(130)을 전파하는 탄성파의 음속보다 높다. 고음속층(121)은 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, 실리콘, 폴리실리콘, 사파이어, 다이아몬드 등의 재질로 구성될 수 있다. 저음속층(122)을 전파하는 벌크파의 음속은 압전층(130)을 전파하는 탄성파의 음속보다 낮다. 저음속층(122)은 산화규소, 질화알루미늄, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 또한 산화규소에 불소나 탄소나 붕소를 첨가한 화합물 등의 재질로 구성될 수 있다. 실시예에 따라, 중간층(120)은 고음속층과 저음속층 중 어느 하나만으로 구성될 수도 있다.The
압전층(130)은 리튬탄탈레이트(LiTaO3, LT), 니오브산리튬(LiNbO3, LN) 등의 재질로 구성될 수 있고, 단결정일 수 있다. 압전층(130)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 표면탄성파 소자의 용도에 따라 적절하게 선택될 수 있다.The
IDT(Interdigital Transducer) 전극(140)은 압전층(130)의 상면에 형성되어 표면탄성파를 생성하는 전극이다. IDT 전극(140)은 싱글 빗형 전극 또는 더블 빗형 전극일 수 있다. IDT 전극(140)을 형성하는 재료는 특별히 한정되지 않지만, 가공성 및 비용 상의 관점에서는 Al, Al-Cu, Al-Si-Cu 등으로 구성될 수 있다. IDT 전극(140)은 표면 탄성파를 진동시키는 기능을 발휘할 수 있는 범위이면 어떠한 두께로 해도 무방하지만, 10∼500[㎚] 정도로 하는 것이 바람직하다. 두께를 이러한 범위로 하는 것은 IDT 전극(140)이 10[㎚] 미만인 경우에는 저항율이 높아져 손실이 증가하는 한편, 500[㎚]를 초과하는 경우에는 전극의 두께에 따른 SAW의 반사를 야기하는 질량 부가 효과가 현저히 되어, 목적으로 하는 표면탄성파 특성을 저해할 가능성이 있기 때문이다.The IDT (Interdigital Transducer)
도 2는 종래예에 따른 지지기판(110)과 압전층(130)의 적층 구조를 평면상으로 표시한 것을 나타낸다. 도 2(후술할 도 4도 마찬가지)에서는 편의상 중간층(120)은 생략하고 도시하였다. 도 2를 참조하면, 지지기판(110)은 면방위 <111>의 실리콘 기판(110_1)으로 형성되고, 압전층(130)은 42° YX-컷 리튬탄탈레이트 기판(130_1)으로 형성된다. 2 shows a stacked structure of a
도 3은 종래예에 따른 표면탄성파 소자의 주파수 특성 그래프를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 약 2550MHz 근처의 주파수 영역에서 고주파 스퓨리어스(spurious) 성분이 발생한다. 고주파 스퓨리어스는 압전층(130) 아래의 층들과 압전층(130)에서 발현되는 고속의 탄성파가 결합(coupling)되어 발생하는 것으로, 듀플렉서 필터 제작시에 상대 대역의 성능을 열화시킬 수 있다. 3 shows a frequency characteristic graph of a surface acoustic wave device according to a conventional example. Referring to FIG. 3 , a high frequency spurious component is generated in a frequency domain around 2550 MHz. The high-frequency spurious is generated when the layers under the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지기판(110)과 압전층(130)의 적층 구조를 평면상으로 표시한 것을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 지지기판(110)은 면방위 <111>의 실리콘 기판을 180° 회전시킨 기판(110_2)으로 형성되고, 압전층(130)은 42° YX-컷 리튬탄탈레이트 기판(130_1)으로 형성된다.4 shows a stacked structure of a
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 주파수 특성 그래프를 나타낸다. 도 5를 참조하면, 도 3에서 나타났던 약 2550MHz 근처의 고주파 스퓨리어스가 거의 제거된 것을 확인할 수 있다.5 shows a frequency characteristic graph of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , it can be seen that the high frequency spurs near about 2550 MHz shown in FIG. 3 are almost eliminated.
도 6은 도 3의 주파수 특성과 도 5의 주파수 특성을 중첩하여 표시한 그래프를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의하면 종래예와 비교할 때 면방위 <111>의 실리콘 기판의 180° 회전만으로 메인 모드(main mode)의 손실 없이 고주파 스퓨리어스만 억제할 수 있음을 알 수 있다.FIG. 6 shows a graph in which the frequency characteristics of FIG. 3 and the frequency characteristics of FIG. 5 are overlapped and displayed. As shown, according to the embodiment of the present invention, compared to the conventional example, it can be seen that only high-frequency spurs can be suppressed without loss of the main mode only by 180 ° rotation of the silicon substrate having a plane orientation <111>. .
지지기판(110)과 압전층(130)의 결정 배향(crystal orientation)은 오일러 각(Euler angle) (λ, μ, θ)로도 표현될 수 있다. The crystal orientation of the
본 발명의 실시예와 같이 지지기판(110)을 면방위 <111>의 실리콘 기판을 180° 회전시킨 기판(110_2)으로 형성하는 경우, 지지기판(110)의 오일러각은 (-45°±10°, -54°±10°, 180°±30°)의 범위를 가질 수 있고, 일 예로 (-45°, -54°, 180°)가 될 수 있다.When the
본 발명의 실시예와 같이 압전층(130)을 42° YX-컷 리튬탄탈레이트 기판(130_1)으로 형성하는 경우, 압전층(130)의 오일러각은 (0°±5°, 112.5°±22.5°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -67.5°±22.5°, 0°±5°)의 범위를 가질 수 있고, 일 예로 (0°, 132°, 0°) 또는 (0°, -48°, 0°)가 될 수 있다. When the
나아가, 압전층(130)의 오일러각 (λ, μ, θ)의 μ를 변화시키면서 주파수 특성을 시뮬레이션해본 결과, μ가 132.7° 내지 135°의 범위일 때 고주파 스퓨리어스가 보다 효과적으로 억제됨으로 확인할 수 있었다. 따라서 보다 바람직하게는, 압전층(130)의 오일러각은 (0°±5°, 132.7° 내지 135°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -47.3° 내지 -45°, 0°±5°)의 범위일 수 있다.Furthermore, as a result of simulating the frequency characteristics while changing μ of the Euler angles (λ, μ, θ) of the
도 7 및 도 8은 본 발명의 원리를 설명하기 위한 그래프들로서, 도 7은 박막화된 압전층의 웨이브 모드(wave mode)들을 나타내고, 도 8은 적층 구조에 의해 일부 웨이브 모드들이 소멸된 결과의 웨이브 모드들을 나타낸다. 각 웨이브 모드에 대한 설명은 다음과 같다.7 and 8 are graphs for explaining the principle of the present invention, in which FIG. 7 shows wave modes of a thinned piezoelectric layer, and FIG. indicate modes. A description of each wave mode is as follows.
도 7을 참조하면, 박막화된 LT 압전층이 공중에 떠 있는 구조에서의 FEM(Finite Element Method) 시뮬레이션 결과 도시된 바와 같은 웨이브 모드들이 존재함이 확인된다. 도 8을 참조하면, 박막화된 LT 압전층의 아래에 중간층과 지지기판이 적층된 구조의 경우 적층된 층들과 압전층에 의해 발생한 웨이브 모드들 간에 결합이 일어나기도 하고 일부 웨이브 모드들은 소멸되기도 한다. 결합된 웨이브 모드는 각 층의 기계적 특성에 의해 기존(압전층 단독)과 다른 속도와 진폭을 가지게 된다. 따라서, 적층되는 물질의 기계적 특성을 조절하여 웨이브 모드의 위치 및 진폭을 조절할 수 있다. 특히 문제가 되는 L-wave의 경우 실리콘 기판의 기계적 특성이 중요한 변수인데, 실리콘 기판의 기계적 특성은 오일러각에 의해 결정된다.Referring to FIG. 7 , as a result of Finite Element Method (FEM) simulation in a structure in which a thinned LT piezoelectric layer is suspended in the air, it is confirmed that wave modes as shown exist. Referring to FIG. 8 , in the case of a structure in which an intermediate layer and a support substrate are stacked under a thinned LT piezoelectric layer, coupling occurs between wave modes generated by the stacked layers and the piezoelectric layer, and some wave modes disappear. The combined wave mode has a different speed and amplitude than the conventional (piezoelectric layer alone) due to the mechanical properties of each layer. Therefore, the position and amplitude of the wave mode can be controlled by controlling the mechanical properties of the laminated material. In the case of the L-wave, which is particularly problematic, the mechanical properties of the silicon substrate are an important variable, and the mechanical properties of the silicon substrate are determined by Euler angles.
통상적인 면방위 <111>, <100>, <110>의 실리콘 기판의 기계적 특성을 바꾸는 방법은 전파 방향(propagation direction)을 바꾸는 것으로, 이것은 오일러각 (λ, μ, θ)의 theta(θ)를 바꾸는 효과를 가져온다. 즉, 면방위 <111>의 실리콘 기판의 전파 방향을 180° 바꾸는 것은 실리콘 기판을 180° 회전시키는 것과 같은 의미로서, 면방위 <111>의 실리콘 기판의 오일러각 (-45°, -54°, 0°)에서 실리콘 기판을 180° 회전시키면 오일러각은 (-45°, -54°, 180°)가 된다.A method of changing the mechanical properties of silicon substrates of conventional plane orientations <111>, <100>, and <110> is to change the propagation direction, which is the theta(θ) of Euler angles (λ, μ, θ) has the effect of changing That is, changing the propagation direction of the silicon substrate of the plane orientation <111> by 180° means the same as rotating the silicon substrate by 180°, and the Euler angles (-45°, -54°, If the silicon substrate is rotated 180° from 0°), the Euler angles become (-45°, -54°, 180°).
압전층과 지지기판의 탄성파 간의 결합(coupling)에 의해 고주파 스퓨리어스가 발생하게 되는데, 이러한 고주파 스퓨리어스는 지지기판의 스티프니스(stiffness)에 따라 이동 및 소멸된다. 지지기판으로 사용되는 실리콘은 오일러각에 따라 다른 스티프니스를 가지며, 압전층의 L-wave를 소멸시키는 조건의 오일러각이 존재한다. 그러나 통상적인 면방위 <111>, <100>, <110>의 실리콘 기판의 경우 고정된 오일러각을 가지고 있어 압전층의 L-wave를 억제하기 어렵다. 본 발명의 실시예에서는 면방위 <111>의 실리콘 기판의 회전(전파 방향 변경)을 통해 오일러각의 theta(θ)를 변화시켜 압전층의 L-wave를 억제할 수 있다. 게다가, 본 발명의 실시예는 통상적인 실리콘 기판과 리튬탄탈레이트 기판의 조합으로 메인 모드의 손실 없이 고주파 스퓨리어스를 억제할 수 있는 장점이 있다.High-frequency spurs are generated by coupling between the piezoelectric layer and elastic waves of the supporting substrate, and these high-frequency spurs move and disappear according to the stiffness of the supporting substrate. Silicon used as a support substrate has different stiffness depending on the Euler angle, and there is an Euler angle under the condition that the L-wave of the piezoelectric layer is eliminated. However, it is difficult to suppress the L-wave of the piezoelectric layer because silicon substrates with normal plane orientations <111>, <100>, and <110> have fixed Euler angles. In an embodiment of the present invention, the L-wave of the piezoelectric layer can be suppressed by changing the theta (θ) of the Euler angle through the rotation (change of propagation direction) of the silicon substrate in the plane orientation <111>. In addition, the embodiment of the present invention has the advantage of suppressing high-frequency spurs without loss of the main mode by using a combination of a conventional silicon substrate and a lithium tantalate substrate.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been looked at with respect to its preferred embodiments. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered from an illustrative rather than a limiting point of view. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the equivalent scope will be construed as being included in the present invention.
Claims (6)
상기 지지기판 상에 적층된 중간층;
상기 중간층 상에 적층된 압전층; 및
상기 압전층 상에 형성된 IDT 전극을 포함하고,
상기 지지기판의 오일러각은 (-45°±10°, -54°±10°, 180°±30°)이고,
상기 압전층의 오일러각은 (0°±5°, 112.5°±22.5°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -67.5°±22.5°, 0°±5°)인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.support substrate;
an intermediate layer laminated on the support substrate;
a piezoelectric layer laminated on the intermediate layer; and
Including an IDT electrode formed on the piezoelectric layer,
The Euler angles of the support substrate are (-45 ° ± 10 °, -54 ° ± 10 °, 180 ° ± 30 °),
The Euler angle of the piezoelectric layer is (0°±5°, 112.5°±22.5°, 0°±5°) or (0°±5°, -67.5°±22.5°, 0°±5°). A surface acoustic wave element to be.
상기 지지기판은 실리콘을 포함하고,
상기 압전층은 리튬탄탈레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The support substrate includes silicon,
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the piezoelectric layer contains lithium tantalate.
상기 중간층은,
상기 지지기판 상에 적층된 고음속층; 및
상기 고음속층 상에 적층된 저음속층을 포함하고,
상기 고음속층을 전파하는 벌크파의 음속은 상기 압전층을 전파하는 탄성파의 음속보다 높고,
상기 저음속층을 전파하는 벌크파의 음속은 상기 압전층을 전파하는 탄성파의 음속보다 낮은 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The middle layer,
a high sound velocity layer laminated on the support substrate; and
Including a low sound speed layer laminated on the high sound speed layer,
The sound speed of the bulk wave propagating through the high-sonic layer is higher than the sound speed of the acoustic wave propagating through the piezoelectric layer;
The surface acoustic wave device according to claim 1 , wherein the sound velocity of the bulk wave propagating through the low sound velocity layer is lower than the sound speed of the acoustic wave propagating through the piezoelectric layer.
상기 지지기판은 면방위 <111>의 실리콘 기판을 180° 회전시킨 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to any one of claims 1 to 3,
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the support substrate is formed by rotating a silicon substrate having a plane orientation of <111> by 180°.
상기 압전층은 42° YX-컷 리튬탄탈레이트 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to any one of claims 1 to 3,
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the piezoelectric layer is formed of a 42° YX-cut lithium tantalate substrate.
상기 압전층의 오일러각은 (0°±5°, 132.7° 내지 135°, 0°±5°) 또는 (0°±5°, -47.3° 내지 -45°, 0°±5°)인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to any one of claims 1 to 3,
The Euler angle of the piezoelectric layer is (0°±5°, 132.7° to 135°, 0°±5°) or (0°±5°, -47.3° to -45°, 0°±5°). Characterized by a surface acoustic wave device.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210338261.9A CN115441845A (en) | 2021-06-01 | 2022-04-01 | Surface acoustic wave device |
US17/716,733 US20220385270A1 (en) | 2021-06-01 | 2022-04-08 | Surface acoustic wave device |
EP22167574.7A EP4099565A1 (en) | 2021-06-01 | 2022-04-11 | Surface acoustic wave device |
KR1020240073985A KR20240088652A (en) | 2021-06-01 | 2024-06-05 | Surface Acoustic Wave device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20210071021 | 2021-06-01 | ||
KR1020210071021 | 2021-06-01 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240073985A Division KR20240088652A (en) | 2021-06-01 | 2024-06-05 | Surface Acoustic Wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220162588A true KR20220162588A (en) | 2022-12-08 |
Family
ID=84437163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210125931A KR20220162588A (en) | 2021-06-01 | 2021-09-23 | Surface Acoustic Wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220162588A (en) |
-
2021
- 2021-09-23 KR KR1020210125931A patent/KR20220162588A/en not_active IP Right Cessation
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