KR20220156703A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220156703A
KR20220156703A KR1020210064203A KR20210064203A KR20220156703A KR 20220156703 A KR20220156703 A KR 20220156703A KR 1020210064203 A KR1020210064203 A KR 1020210064203A KR 20210064203 A KR20210064203 A KR 20210064203A KR 20220156703 A KR20220156703 A KR 20220156703A
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성은진
오정석
김기서
김병진
오정택
윤상록
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Abstract

표시 장치는, 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치된 센싱 전극, 상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 센싱 전극과 이격된 전송 선로, 상기 센싱 전극 및 상기 전송 선로 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 방사 전극을 포함하고, 평면 상에서 봤을 때, 상기 전송 선로의 부분은 상기 방사 전극의 부분에 중첩할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
사용자에게 영상을 제공하는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 내비게이션, 및 스마트 텔레비전 등의 전자 기기는 영상을 표시하기 위한 표시 장치를 포함한다. 표시 장치는 영상을 생성하고, 생성된 영상을 표시 화면을 통해 사용자에게 제공한다. 표시 장치는 영상을 생성하는 복수개의 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함할 수 있다.
최근 정보화 사회가 발전함에 따라 와이 파이(Wi-Fi), 블루투스(Bluetooth) 등과 같은 무선 통신 기술이 표시 장치와 결합되어, 스마트폰과 같은 형태로 구현되고 있다. 이러한 경우, 안테나가 표시 장치에 결합되어 통신 기능이 수행될 수 있다.
안테나는 신호를 전송하기 위해 패드에 연결된 전송 선로 및 신호를 방사하는 방사 전극을 포함한다. 최근 표시 장치의 두께가 슬림화됨에 따라, 방사 전극과 표시 패널 사이의 거리가 가까워지고 있다. 이러한 경우, 방사 전극과 표시 패널 사이의 기생 용량이 커질 수 있다. 기생 용량이 커질 경우, 안테나의 방사 효율, 게인 특성, 및 주파수 대역폭이 저하될 수 있다.
본 발명의 목적은 안테나의 방사 효율, 게인 특성, 및 주파수 대역폭을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는, 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치된 센싱 전극, 상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 센싱 전극과 이격된 전송 선로, 상기 센싱 전극 및 상기 전송 선로 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 방사 전극을 포함하고, 평면 상에서 봤을 때, 상기 전송 선로의 부분은 상기 방사 전극의 부분에 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는, 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치된 센싱 전극, 상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 센싱 전극과 이격된 전송 선로, 상기 센싱 전극 및 상기 전송 선로 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 방사 전극을 포함하고, 상기 전송 선로는, 일방향으로 연장하여 상기 방사 전극에 중첩하는 제1 전송 선로 및 상기 전송 선로의 일부분으로부터 상기 일방향과 교차하는 방향으로 연장하여 상기 방사 전극 외부로 연장하는 제2 전송 선로를 포함하고, 상기 일방향을 기준으로, 상기 제1 전송 선로의 길이는 상기 방사 전극의 길이와 같을 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르며, 방사 전극과 전송 선로를 분리시키고, 방사 전극과 전송 선로 사이에 절연층을 배치함으로써, 방사 전극과 표시 패널이 보다 더 서로 이격될 수 있다. 따라서, 방사 전극과 표시 패널 사이의 기생 용량이 감소하여, 안테나의 방사 효율, 게인 특성, 및 주파수 대역폭이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 패널의 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 어느 한 화소의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 입력 센싱부의 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 서로 인접한 2개의 제1 센싱부들 및 서로 인접한 2개의 제2 센싱부들의 확대도이다.
도 8은 도 7에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 9는 도 6에 도시된 제1 영역(AA1)에 배치된 안테나 패턴의 확대도이다.
도 10은 도 9에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다.
도 11 내지 도 20은 본 발명 실시 예에 따른 안테나 패턴의 다양한 실시 예들을 도시한 도면들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(DD)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들을 갖고, 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 표시 장치(DD)는 원형 또는 다각형 등 다양한 형상들을 가질 수 있다.
이하, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 또한, 본 명세서에서, 평면상에서 봤을 때의 의미는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태로 정의된다.
표시 장치(DD)의 상면은 표시면(DS)으로 정의될 수 있으며, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 가질 수 있다. 표시면(DS)을 통해 표시 장치(DD)에서 생성된 이미지들(IM)이 사용자에게 제공될 수 있다.
표시면(DS)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하고, 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸고, 소정의 색으로 인쇄되는 표시 장치(DD)의 테두리를 정의할 수 있다.
표시 장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장치들에 사용될 수 있다. 또한, 표시 장치(DD)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 또는 카메라와 같은 중소형 전자 장치들에 사용될 수도 있다. 그러나, 이것들은 단지 예시적인 실시예로서 제시된 것이며, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기들에도 사용될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
예시적으로, 도 2에는 제1 방향(DR1)에서 바라본 표시 장치(DD)의 단면이 도시되었다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 입력 센싱부(ISP), 반사 방지층(RPL), 윈도우(WIN), 패널 보호 필름(PPF), 및 제1 내지 제3 접착층들(AL1~AL3)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 가요성 표시 패널일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 유기 발광 표시 패널 또는 퀀텀닷 발광 표시 패널일 수 있다. 유기 발광 표시 패널의 발광층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시 패널의 발광층은 퀀텀닷 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시 패널(DP)은 유기 발광 표시 패널로 설명된다.
입력 센싱부(ISP)는 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 입력 센싱부(ISP)는 정전 용량 방식으로 외부의 입력을 센싱하기 위한 복수개의 센싱부들(미 도시됨)을 포함할 수 있다. 입력 센싱부(ISP)는 표시 장치(DD)의 제조 시, 표시 패널(DP) 상에 바로 제조될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 입력 센싱부(ISP)는 표시 패널(DP)과 별도의 패널로 제조되어, 접착층에 의해 표시 패널(DP)에 부착될 수 있다.
반사 방지층(RPL)은 입력 센싱부(ISP) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(RPL)은 외광 반사 방지 필름으로 정의될 수 있다. 반사 방지층(RPL)은 표시 장치(DD) 위에서부터 표시 패널(DP)을 향해 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
표시 패널(DP)을 향해 진행된 외부광이 표시 패널(DP)에서 반사하여 외부의 사용자에게 다시 제공될 경우, 거울과 같이, 사용자가 외부광을 시인할 수 있다. 이러한 현상을 방지하기 위해, 예시적으로, 반사 방지층(RPL)은 표시 패널(DP)의 화소들과 동일한 색을 표시하는 복수개의 컬러 필터들을 포함할 수 있다.
컬러 필터들은 외부광을 화소들과 동일한 색으로 필터링할 수 있다. 이러한 경우, 외부광이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 반사 방지층(RPL)은 외부광의 반사율을 감소시키기 위해 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다.
윈도우(WIN)는 반사 방지층(RPL) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(WIN)는 외부의 스크래치 및 충격으로부터 표시 패널(DP), 입력 센싱부(ISP), 및 반사 방지층(RPL)을 보호할 수 있다.
패널 보호 필름(PPF)은 표시 패널(DP) 아래에 배치될 수 있다. 패널 보호 필름(PPF)은 표시 패널(DP)의 하부를 보호할 수 있다. 패널 보호 필름(PPF)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET)와 같은 가요성 플라스틱 물질을 포함할 수 있다.
제1 접착층(AL1)은 표시 패널(DP)과 패널 보호 필름(PPF) 사이에 배치되고, 제1 접착층(AL1)에 의해 표시 패널(DP)과 패널 보호 필름(PPF)이 서로 합착될 수 있다. 제2 접착층(AL2)은 반사 방지층(RPL)과 입력 센싱부(ISP) 사이에 배치되고, 제2 접착층(AL2)에 의해 반사 방지층(RPL)과 입력 센싱부(ISP)가 서로 합착될 수 있다. 제3 접착층(AL3)은 윈도우(WIN)와 반사 방지층(RPL) 사이에 배치되고, 제3 접착층(AL3)에 의해 윈도우(WIN)와 반사 방지층(RPL)이 서로 합착될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
예시적으로, 도 3에는 제1 방향(DR1)에서 바라본 표시 패널(DP)의 단면이 도시되었다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 및 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치된 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 글래스 또는 폴리 이미드(PI:polyimide)와 같은 가요성 플라스틱 물질을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 표시 영역(DA) 상에 배치될 수 있다.
회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 복수개의 화소들이 배치될 수 있다. 화소들 각각은 회로 소자층(DP-CL)에 배치된 트랜지스터 및 표시 소자층(DP-OLED)에 배치되어 트랜지스터에 연결된 발광 소자를 포함할 수 있다. 화소의 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED)을 덮도록 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 수분, 산소, 및 외부의 이물질로부터 화소들을 보호할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 패널의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 주사 구동부(SDV)(scan driver), 데이터 구동부(DDV)(data driver), 발광 구동부(EDV)(light emission driver), 및 복수개의 제1 패드들(PD1)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 표시 패널(DP)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수개의 화소들(PX), 복수개의 주사 라인들(SL1~SLm), 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLn), 복수개의 발광 라인들(EL1~ELm), 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1,CSL2), 제1 및 제2 전원 라인들(PL1, PL2), 및 연결 라인들(CNL)을 포함할 수 있다. m 및 n은 자연수이다.
화소들(PX)은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 주사 구동부(SDV) 및 발광 구동부(EDV)는 표시 패널(DP)의 장변들에 각각 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 표시 패널(DP)의 단변들 중 어느 하나의 단변에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 평면상에서 봤을 때, 데이터 구동부(DDV)는 표시 패널(DP)의 하단에 인접할 수 있다.
주사 라인들(SL1~SLm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 화소들(PX) 및 주사 구동부(SDV)에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 화소들(PX) 및 데이터 구동부(DDV)에 연결될 수 있다. 발광 라인들(EL1~ELm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 화소들(PX) 및 발광 구동부(EDV)에 연결될 수 있다.
제1 전원 라인(PL1)은 제1 방향(DR1)으로 연장하여 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제1 전원 라인(PL1)은 표시 영역(DA)과 발광 구동부(EDV) 사이에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 표시 영역(DA)과 주사 구동부(SDV) 사이에 배치될 수 있다.
연결 라인들(CNL)은 제2 방향(DR2)으로 연장하고 제1 방향(DR1)으로 배열되어 제1 전원 라인(PL1) 및 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 제1 전압이 서로 연결된 제1 전원 라인(PL1) 및 연결 라인들(CNL)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
제2 전원 라인(PL2)은 비표시 영역(NDA)에 배치되고, 표시 패널(DP)의 장변들 및 데이터 구동부(DDV)가 배치되지 않은 표시 패널(DP)의 다른 하나의 단변을 따라 연장할 수 있다. 제2 전원 라인(PL2)은 주사 구동부(SDV) 및 발광 구동부(EDV)보다 외곽에 배치될 수 있다.
도시하지 않았으나, 제2 전원 라인(PL2)은 표시 영역(DA)을 향해 연장되어 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 제1 전압보다 낮은 레벨을 갖는 제2 전압이 제2 전원 라인(PL2)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
제1 제어 라인(CSL1)은 주사 구동부(SDV)에 연결되고, 표시 패널(DP)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 제2 제어 라인(CSL2)은 발광 구동부(EDV)에 연결되고, 표시 패널(DP)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 제1 제어 라인(CSL1) 및 제2 제어 라인(CSL2) 사이에 배치될 수 있다.
제1 패드들(PD1)은 표시 패널(DP)의 하단에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치되고, 데이터 구동부(DDV)보다 표시 패널(DP)의 하단에 더 인접하할 수 있다. 데이터 구동부(DDV), 제1 전원 라인(PL1), 제2 전원 라인(PL2), 제1 제어 라인(CSL1), 및 제2 제어 라인(CSL2)은 제1 패드들(PD1)에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 데이터 구동부(DDV)에 연결되고, 데이터 구동부(DDV)는 데이터 라인들(DL1~DLn)에 대응하는 제1 패드들(PD1)에 연결될 수 있다.
도시하지 않았으나, 표시 장치(DD)는 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부(DDV), 및 발광 구동부(EDV)의 동작을 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러 및 제1 및 제2 전압들을 생성하기 위한 전압 생성부를 더 포함할 수 있다. 타이밍 컨트롤러 및 전압 생성부는 인쇄 회로 기판을 통해 대응하는 제1 패드들(PD1)에 연결될 수 있다.
주사 구동부(SDV)는 복수개의 주사 신호들을 생성하고, 주사 신호들은 주사 라인들(SL1~SLm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 복수개의 데이터 전압들을 생성하고, 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 발광 구동부(EDV)는 복수개의 발광 신호들을 생성하고, 발광 신호들은 발광 라인들(EL1~ELm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
화소들(PX)은 주사 신호들에 응답하여 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 화소들(PX)은 발광 신호들에 응답하여 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광하여 영상을 표시할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 어느 한 화소의 단면을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 화소(PX)는 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 제1 전극(AE)(또는 애노드), 제2 전극(CE)(또는 캐소드), 정공 제어층(HCL), 전자 제어층(ECL), 및 발광층(EML)을 포함할 수 있다.
트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)는 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 예시적으로 하나의 트랜지스터(TR)가 도시되었으나, 실질적으로, 화소(PX)는 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 복수개의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 화소들(PX) 각각에 대응하는 발광 영역(PA) 및 발광 영역(PA) 주변의 비발광 영역(NPA)을 포함할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 발광 영역(PA)에 배치될 수 있다.
기판(SUB) 상에 버퍼층(BFL)이 배치되며, 버퍼층(BFL)은 무기층일 수 있다. 버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. 반도체 패턴은 고 도핑 영역과 저 도핑 영역을 포함할 수 있다. 고 도핑 영역의 전도성은 저 도핑 영역보다 크고, 실질적으로 트랜지스터(TR)의 소스 전극 및 드레인 전극 역할을 할 수 있다. 저 도핑 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다.
트랜지스터(TR)의 소스(S), 액티브(A), 및 드레인(D)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 반도체 패턴 상에 제1 절연층(INS1)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(INS1) 상에 트랜지스터(TR)의 게이트(G)가 배치될 수 있다. 게이트(G) 상에 제2 절연층(INS2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(INS2) 상에 제3 절연층(INS3)이 배치될 수 있다.
연결 전극(CNE)은 트랜지스터(TR)와 발광 소자(OLED)를 연결하기 위해 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)을 포함할 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(INS3) 상에 배치되고, 제1 내지 제3 절연층들(INS1~INS3)에 정의된 제1 컨택홀(CH1)을 통해 드레인(D)에 연결될 수 있다.
제4 절연층(INS4)은 제1 연결 전극(CNE1) 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(INS4)상에 제5 절연층(INS5)이 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(INS5) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 및 제5 절연층들(INS4, INS5)에 정의된 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 연결될 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2) 상에 제6 절연층(INS6)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)부터 제6 절연층(INS6)까지의 층은 회로 소자층(DP-CL)으로 정의될 수 있다. 제1 절연층(INS1) 내지 제6 절연층(INS6)은 무기층 또는 유기층일 수 있다.
제6 절연층(INS6) 상에 제1 전극(AE)이 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(INS6)에 정의된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다. 제1 전극(AE) 및 제6 절연층(INS6) 상에는 제1 전극(AE)의 소정의 부분을 노출시키기 위한 개구부(PX_OP)가 정의된 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 제1 전극(AE) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 제어층(HCL) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(PX_OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 광을 생성할 수 있다.
전자 제어층(ECL)은 발광층(EML) 및 정공 제어층(HCL) 상에 배치될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)은 발광 영역(PA)과 비발광 영역(NPA)에 공통으로 배치될 수 있다.
제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 화소들(PX)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광 소자(OLED)가 배치된 층은 표시 소자층(DP-OLED)으로 정의될 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치되어 화소(PX)를 덮을 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 배치된 제1 봉지층(EN1), 제1 봉지층(EN1) 상에 배치된 제2 봉지층(EN2), 및 제2 봉지층(EN2) 상에 배치된 제3 봉지층(EN3)을 포함할 수 있다.
제1 및 제3 봉지층들(EN1, EN3)은 무기 절연층을 포함하고, 수분/산소로부터 화소(PX)를 보호할 수 있다. 제2 봉지층(EN2)은 유기 절연층을 포함하고, 먼지 입자와 같은 이물질로부터 화소(PX)를 보호할 수 있다.
제1 전압이 트랜지스터(TR)를 통해 제1 전극(AE)에 인가되고, 제2 전압이 제2 전극(CE)에 인가될 수 있다. 발광층(EML)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서, 발광 소자(OLED)가 발광할 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 입력 센싱부의 평면도이다.
도 6을 참조하면, 입력 센싱부(ISP)는 복수개의 센싱 전극들(SE1,SE2), 복수개의 배선들(SNL1,SNL2), 복수개의 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3), 및 안테나(AN)를 포함할 수 있다. 센싱 전극들(SE1,SE2), 배선들(SNL1,SNL2), 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3), 및 안테나(AN)는 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 센싱 전극들(SE1,SE2), 배선들(SNL1,SNL2), 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3), 및 안테나(AN)는 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다.
입력 센싱부(ISP)의 평면 영역은 활성 영역(AA) 및 활성 영역(AA) 주변의 비활성 영역(NAA)을 포함할 수 있다. 활성 영역(AA)은 표시 영역(DA)에 중첩하고, 비활성 영역(NAA)은 비표시 영역(NDA)에 중첩할 수 있다.
센싱 전극들(SE1,SE2)은 활성 영역(AA)에 배치되고, 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3)은 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3)은 평면 상에서 봤을 때, 입력 센싱부(ISP)의 하단에 인접할 수 있다. 평면 상에서 봤을 때, 제1 패드들(PD1)은 제2 패드들(PD2) 및 제3 패드들(PD3) 사이에 배치될 수 있다.
배선들(SNL1,SNL2)은 센싱 전극들(SE1,SE2)의 일단들에 연결되고, 비활성 영역(NAA)으로 연장하여 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3)에 연결될 수 있다. 도시하지 않았으나 입력 센싱부(ISP)를 제어하기 위한 센싱 제어부가 인쇄 회로 기판을 통해 제2 및 제3 패드들(PD2,PD3)에 연결될 수 있다.
센싱 전극들(SE1,SE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장하여 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수개의 제1 센싱 전극들(SE1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장하여 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수개의 제2 센싱 전극들(SE2)을 포함할 수 있다. 제2 센싱 전극들(SE2)은 제1 센싱 전극들(SE1)과 서로 절연되어 교차하도록 연장할 수 있다.
배선들(SNL1,SNL2)은 제1 센싱 전극들(SE1)에 연결된 복수개의 제1 신호 배선들(SNL1) 및 제2 센싱 전극들(SE2)에 연결된 복수개의 제2 신호 배선들(SNL2)을 포함할 수 있다. 제1 신호 배선들(SNL1)은 비활성 영역(NAA)으로 연장하여 제2 패드들(PD2)에 연결될 수 있다. 제2 신호 배선들(SNL2)은 비활성 영역(NAA)으로 연장하여 제3 패드들(PD3)에 연결될 수 있다.
예시적으로, 평면 상에서 봤을 때, 제1 신호 배선들(SNL1)은 활성 영역(AA)의 하측에 인접한 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 또한, 평면 상에서 봤을 때, 제2 신호 배선들(SNL2)은 활성 영역(AA)의 좌측에 인접한 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다.
제1 센싱 전극들(SE1) 각각은 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수개의 제1 센싱부들(SP1) 및 제1 센싱부들(SP1)을 연결하는 복수개의 연결 패턴들(CP)을 포함할 수 있다. 연결 패턴들(CP) 각각은 제1 방향(DR1)으로 서로 인접한 2 개의 제1 센싱부들(SP1) 사이에 배치되어 2 개의 제1 센싱부들(SP1)을 연결할 수 있다.
제2 센싱 전극들(SE2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수개의 제2 센싱부들(SP2) 및 제2 센싱부들(SP2)로부터 연장된 복수개의 연장 패턴들(EP)을 포함할 수 있다. 연장 패턴들(EP) 각각은 제2 방향(DR2)으로 서로 인접한 2 개의 제2 센싱부들(SP2) 사이에 배치되어 2 개의 제2 센싱부들(SP2)로부터 연장될 수 있다.
제1 센싱부들(SP1) 및 제2 센싱부들(SP2)은 서로 중첩하지 않고 서로 이격되어, 서로 교호적으로 배치될 수 있다. 제1 센싱부들(SP1) 및 제2 센싱부들(SP2)에 의해 정전 용량이 형성될 수 있다. 연장 패턴들(EP)은 연결 패턴들(CP)과 중첩하지 않을 수 있다.
안테나(AN)는 통신 기능을 수행할 수 있다. 안테나(AN)는 제1 및 제2 배선들(SNL1,SNL2)이 배치되지 않은 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 안테나(AN)는, 평면 상에서 봤을 때, 활성 영역(AA)의 상측에 인접한 비활성 영역(NAA) 및 활성 영역(AA)의 우측에 인접한 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 안테나(AN)는 활성 영역(AA)과 비활성 영역(NAA)의 경계에 중첩할 수 있다.
안테나(AN)는 활성 영역(AA)의 상측에 인접한 비활성 영역(NAA) 및 활성 영역(AA)의 우측에 인접한 비활성 영역(NAA)에 배치된 복수개의 안테나 패턴들(ANT)을 포함할 수 있다. 안테나 패턴들(ANT)은 입력 센싱부(ISP)의 테두리를 따라 배열될 수 있다. 안테나 패턴들(ANT)은 활성 영역(AA)과 비활성 영역(NAA)의 경계에 중첩할 수 있다.
안테나 패턴들(ANT)은 제1 및 제2 센싱 전극들(SE1,SE2)과 이격될 수 있다.안테나 패턴들(ANT)은 연성 회로 기판(미도시)을 통해 안테나 구동 IC 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나 패턴들(ANT)의 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
제1 및 제2 센싱 전극들(SE1,SE2) 및 안테나 패턴들(ANT)은 은, 금, 구리, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 크롬, 티타늄, 텅스텐, 니오븀, 탄탈륨, 바나듐, 철, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 주석, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
도 7은 도 6에 도시된 서로 인접한 2개의 제1 센싱부들 및 서로 인접한 2개의 제2 센싱부들의 확대도이다.
도 7을 참조하면, 제1 센싱부들(SP1) 및 제2 센싱부들(SP2)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 각각은, 메쉬 형상을 갖기 위해, 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장된 복수개의 제1 가지부들(BP1) 및 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장된 복수개의 제2 가지부들(BP2)을 포함할 수 있다.
제1 대각 방향(DDR1)은 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면상에서 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)과 교차하는 방향으로 정의될 수 있다. 제2 대각 방향(DDR2)은 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면상에서 제1 대각 방향(DDR1)에 교차하는 방향으로 정의될 수 있다. 예시적으로, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)은 서로 수직하게 교차하고, 제1 대각 방향(DDR1) 및 제2 대각 방향(DDR2)은 서로 수직하게 교차할 수 있다.
제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 각각의 제1 가지부들(BP1)은 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 각각의 제2 가지부들(BP2)과 교차하고 서로 일체로 형성될 수 있다. 제1 가지부들(BP1) 및 제2 가지부들(BP2)에 의해 마름모 형상의 터치 개구부들(TOP)이 정의될 수 있다.
평면 상에서 봤을 때, 발광 영역들(PA)은 터치 개구부들(TOP) 내에 배치될 수 있다. 발광 영역들(PA) 각각은 도 5에 도시된 발광 영역(PA)일 수 있다. 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2)은 비발광 영역(NPA)에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2)이 비발광 영역(NPA)에 배치되므로, 발광 영역들(PA)에서 생성된 광은 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2)의 영향을 받지 않고 정상적으로 출광될 수 있다.
연결 패턴(CP)은 연장 패턴(EP)과 중첩하지 않도록 연장하여 제1 센싱부들(SP1)을 연결할 수 있다. 연결 패턴(CP)은 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 제1 센싱부들(SP1)에 연결될 수 있다. 컨택홀들(TC-CH)의 구조는 이하 도 8에 도시될 것이다. 연결 패턴(CP)은 제2 센싱부들(SP2)에 중첩하는 영역들을 경유하여 제1 센싱부들(SP1)을 향해 연장할 수 있다.
연장 패턴(EP)은 제1 센싱부들(SP1) 사이에 배치되고 제2 센싱부들(SP2)로부터 연장될 수 있다. 제2 센싱부들(SP2)과 연장 패턴(EP)은 일체로 형성될 수 있다. 연장 패턴(EP)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 연장 패턴(EP), 제1 센싱부들(SP1), 및 제2 센싱부들(SP2)은 동일층에 배치되고, 동일한 물질로 동시에 패터닝되어 형성될 수 있다.
연결 패턴(CP)은 제1 연장부(EX1) 및 제1 연장부(EX1)와 대칭되는 형상을 갖는 제2 연장부(EX2)를 포함할 수 있다. 연장 패턴(EP)은 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 연장부(EX1)는 제2 센싱부들(SP2) 중 하나의 제2 센싱부(SP2)에 중첩하는 영역을 경유하여 연장하고, 제1 센싱부들(SP1)에 연결될 수 있다. 제2 연장부(EX2)는 제2 센싱부들(SP2) 중 다른 하나의 제2 센싱부(SP2)에 중첩하는 영역을 경유하여 연장하고, 제1 센싱부들(SP1)에 연결될 수 있다.
이하, 제1 센싱부들(SP1)은 상대적인 배치 위치에 따라 상부 제1 센싱부(SP1) 및 하부 제1 센싱부(SP1)로 정의된다. 또한, 제2 센싱부들(SP2)은 상대적인 배치 위치에 따라 좌측 제2 센싱부(SP2) 및 우측 제2 센싱부(SP2)로 정의된다
제1 및 제2 연장부들(EX1,EX2)의 일측들에 인접한 제1 및 제2 연장부들(EX1,EX2)의 소정의 부분들은 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 하부 제1 센싱부(SP1)에 연결될 수 있다. 제1 및 제2 연장부들(EX1,EX2)의 타측들에 인접한 제1 및 제2 연장부들(EX1,EX2)의 소정의 부분들은 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 상부 제1 센싱부(SP1)에 연결될 수 있다.
제1 연장부(EX1)는 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장된 제1 서브 연장부(EX1_1) 및 제2 서브 연장부(EX1_2), 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장된 제3 서브 연장부(EX1_3) 및 제4 서브 연장부(EX1_4), 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장된 제1 서브 도전 패턴(SCP1), 및 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장된 제2 서브 도전 패턴(SCP2)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 서브 연장부들(EX1_1,EX1_2)의 일측들에 인접한 제1 및 제2 서브 연장부들(EX1_1,EX1_2)의 소정의 부분들은 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 하부 제1 센싱부(SP1)에 연결될 수 있다. 제3 및 제4 서브 연장부들(EX1_3,EX1_4)의 일측들에 인접한 제3 및 제4 서브 연장부들(EX1_3,EX1_4)의 소정의 부분들은 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 상부 제1 센싱부(SP1)에 연결될 수 있다.
제1 서브 연장부(EX1_1)의 타측은 제3 서브 연장부(EX1_3)의 타측으로부터 연장되고, 제2 서브 연장부(EX1_2)의 타측은 제4 서브 연장부(EX1_4)의 타측으로부터 연장될 수 있다. 제1 서브 도전 패턴(SCP1)은 제4 서브 연장부(EX1_4)의 타측에서 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장되고, 제1 서브 연장부(EX1_1)로 연장될 수 있다. 제2 서브 도전 패턴(SCP2)은 제2 서브 연장부(EX1_2)의 타측에서 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장되고, 제3 서브 연장부(EX1_3)로 연장될 수 있다.
제1 서브 연장부(EX1_1), 제2 서브 연장부(EX1_2), 제3 서브 연장부(EX1_3), 제4 서브 연장부(EX1_4), 제1 서브 도전 패턴(SCP1), 및 제2 서브 도전 패턴(SCP2)은 일체로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 서브 연장부들(EX1_1,EX1_2)은 우측 제2 센싱부(SP2)의 제2 가지부들(BP2) 중 하부 제1 센싱부(SP1)에 인접한 소정의 개수의 제2 가지부들(BP2)과 교차하도록 연장될 수 있다. 제1 및 제2 서브 연장부들(EX1_1,EX1_2) 및 제2 서브 도전 패턴(SCP2)에 중첩하는 일부 영역에는 우측 제2 센싱부(SP2)의 제1 가지부들(BP1)이 배치되지 않을 수 있다.
제3 및 제4 서브 연장부들(EX1_3,EX1_4)은 우측 제2 센싱부(SP2)의 제1 가지부들(BP1) 중 상부 제1 센싱부(SP1)에 인접한 소정의 개수의 제1 가지부들(BP1)과 교차하도록 연장될 수 있다. 제3 및 제4 서브 연장부들(EX1_3,EX1_4) 및 제1 서브 도전 패턴(SCP1)에 중첩하는 일부 영역에는 우측 제2 센싱부(SP2)의 제2 가지부들(BP2)이 배치되지 않을 수 있다.
제2 연장부(EX2)는 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장된 제5 서브 연장부(EX2_1) 및 제6 서브 연장부(EX2_2), 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장된 제7 서브 연장부(EX2_3) 및 제8 서브 연장부(EX2_4), 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장된 제3 서브 도전 패턴(SCP3), 및 제2 대각 방향(DDR2)으로 연장된 제4 서브 도전 패턴(SCP4)을 포함할 수 있다.
좌측 제2 센싱부(SP2)는 우측 제2 센싱부(SP2)와 대칭되는 구조를 갖고, 제2 연장부(EX2)는 제1 연장부(EX1)와 대칭되는 구조를 가질 수 있다. 따라서, 이하, 제5 내지 제8 서브 연장부들(EX2_1~EX2_4) 및 제3 및 제4 서브 도전 패턴들(SCP3,SCP4)에 대한 설명은 생략한다.
도 8은 도 7에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 박막 봉지층(TFE) 상에 절연층(IOL)이 배치될 수 있다. 절연층(IOL)은 무기 절연층을 포함할 수 있다. 적어도 하나 이상의 절연층(IOL)이 박막 봉지층(TFE) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 2개의 무기 절연층들(IOL)이 박막 봉지층(TFE) 상에 순차적으로 적층될 수도 있다.
절연층(IOL) 상에 연결 패턴(CP)이 배치될 수 있다. 연결 패턴(CP) 및 절연층(IOL) 상에 제1 절연층(TC-IL1)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(TC-IL1)은 연결 패턴(CP)을 덮도록 절연층(IOL) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(TC-IL1)은 무기 절연층 또는 유기 절연층을 포함할 수 있다.
제1 절연층(TC-IL1) 상에 제1 센싱부들(SP1) 및 제2 센싱부들(SP2)이 배치될 수 있다. 제2 센싱부들(SP2)과 일체로 형성된 연장 패턴(EP) 역시 제1 절연층(TC-IL1) 상에 배치될 수 있다. 연결 패턴(CP)은 제1 절연층(TC-IL1)에 정의된 복수개의 컨택홀들(TC-CH)을 통해 제1 센싱부들(SP1)에 연결될 수 있다.
제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 및 제1 절연층(TC-IL1) 상에 제2 절연층(TC-IL2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(TC-IL2)은 제1 센싱부들(SP1) 및 제2 센싱부들(SP2)을 덮도록 제1 절연층(TC-IL1) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(TC-IL2)은 유기 절연층을 포함할 수 있다.
제2 절연층(TC-IL2) 상에 절연층(INS)이 배치될 수 있다. 절연층(INS) 상에 커버 절연층(CIN)이 배치될 수 있다. 절연층(INS) 및 커버 절연층(CIN) 각각은 무기 절연층 또는 유기 절연층을 포함할 수 있다.
도 9는 도 6에 도시된 제1 영역(AA1)에 배치된 안테나 패턴의 확대도이다.
예시적으로 도 6에 도시된 제1 영역(AA1)에 배치된 안테나 패턴(ANT)은 도 9에서 제1 방향(DR1)에 대해 역으로 도시되었다.
도 6 및 도 9를 참조하면, 안테나 패턴(ANT)은 방사 전극(RE), 전송 선로(TRL), 및 패드(PD)를 포함할 수 있다. 평면 상에서 봤을 때, 방사 전극(RE), 전송 선로(TRL), 및 패드(PD)는 제1 및 제2 센싱 전극들(SE1,SE2)과 이격될 수 있다. 방사 전극(RE)은 사각형 형상을 가질 수 있으나, 방사 전극(RE)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.
전송 선로(TRL)는 방사 전극(RE)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 예를 들어, 평면 상에서 봤을 때, 전송 선로(TRL)의 부분은 방사 전극(RE)의 부분에 중첩할 수 있고, 전송 선로(TRL)의 다른 부분은 방사 전극(RE)에 중첩하지 않도록 방사 전극(RE) 외부로 연장할 수 있다. 전송 선로(TRL)는 방사 전극(RE) 외부로 연장하여 패드(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
전송 선로(TRL)는 일방향(예를 들어, 제2 방향(DR2))으로 연장하는 제1 전송 선로(TRL1) 및 일방향과 교차하는 방향(예를 들어, 제1 방향(DR1))으로 연장하는 제2 전송 선로(TRL2)를 포함할 수 있다. 즉, 전송 선로(TRL)는 "T"자 형상을 가질 수 있다.
제1 전송 선로(TRL1)는, 평면 상에서 봤을 때, 방사 전극(RE)에 중첩할 수 있다. 방사 전극(RE)에 대한 제1 전송 선로(TRL1)의 중첩 면적을 최대화 하기 위해, 제2 방향(DR2)을 기준으로 제1 전송 선로(TRL1)의 길이는 방사 전극(RE)의 길이와 같을 수 있다.
제2 전송 선로(TRL2)는 제1 전송 선로(TRL1)의 일부분으로부터 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 제2 전송 선로(TRL2)는 제1 전송 선로(TRL1)의 중심 부분으로부터 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제2 전송 선로(TRL2)는 제1 전송 선로(TRL1)의 다양한 부분들로부터 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다.
제2 전송 선로(TRL2)는 방사 전극(RE) 외부로 연장하여 패드(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 방향(DR2)에 대한 제2 전송 선로(TRL2)의 폭은 패드(PD)를 향할수록 작아질 수 있으나, 제2 전송 선로(TRL2)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.
패드(PD)는 방사 전극(RE)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 패드(PD)는 전술한 연성 회로 기판(미도시)을 통해 안테나 구동 IC 칩과 전기적으로 연결될 수 있다.
패드(PD)는 전송 선로(TRL)에 전기적으로 연결된 신호 패드(SPD) 및 신호 패드(SPD)에 인접한 복수개의 접지 패드들(GPD)을 포함할 수 있다. 신호 패드(SPD) 및 접지 패드들(GPD)은 동일층에 배치되고 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 신호 패드(SPD) 및 접지 패드들(GPD)은 방사 전극(RE)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
신호 패드(SPD)는 접지 패드들(GPD) 사이에 배치되고, 전송 선로(TRL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전송 선로(TRL2)가 신호 패드(SPD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 패드들(GPD)은 신호 패드(SPD)와 전기적으로 절연되어 접지될 수 있다.
접지 저항은 낮을수록 좋으므로, 접지 전극은 클수록 좋을 수 있다. 따라서, 접지 패드들(GPD)은 클수록 좋으나, 배치 면적에 제한이 있으므로, 크기에 제약이 있을 수 있다. 다만, 평면 상에서 봤을 때, 접지 패드들(GPD) 각각의 면적은 신호 패드(SPD)의 면적보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 안테나 패턴(ANT) 보다 아래에 그라운드 층(미도시)이 배치될 수 있다. 표시 패널(DP)의 도전성 부재가 그라운드 층으로 제공될 수 있다. 상기 도전성 부재는, 예를 들어, 표시 패널(DP)에 포함된 트랜지스터(TR)의 게이트 전극, 주사 라인들(SL1~SLm) 또는 데이터 라인들(DL1~DLm)과 같은 각종 배선들, 및 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE)과 같은 각종 전극들을 포함할 수 있다.
신호 패드(SPD)를 통해 신호가 전송 선로(TRL)로 전송되고, 전송 선로(TRL)를 통해 신호가 방사 전극(RE)으로 전송될 수 있다. 방사 전극(RE)은 신호를 방사할 수 있다.
접지 패드들(GPD)과 신호 패드(SPD)가 수평하게 배치됨으로써, 안테나 패턴(ANT)에 의해 수평 방사가 실질적으로 구현될 수 있다. 또한, 전술한 그라운드 층이 형성된 경우, 안테나 패턴(ANT)에 의해 수직 방사도 함께 실질적으로 구현될 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다.
예시적으로 도 10에는 도 8에 도시된 단면의 일부로서, 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 및 연결 패턴(CP)이 안테나 패턴(ANT)과 함께 도시되었다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 표시 패널(DP)의 박막 봉지층(TFE) 상에 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 및 접지 패드(GPD)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 및 접지 패드(GPD)는 절연층(IOL) 상에 배치될 수 있다. 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 접지 패드(GPD), 및 연결 패턴(CP)은 동일층에 배치될 수 있다.
전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 및 접지 패드(GPD)는 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 및 연결 패턴(CP)과 이격될 수 있다. 제1 절연층(TC-IL1)은 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 및 접지 패드(GPD) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(TC-IL1)은 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 및 접지 패드(GPD)를 덮도록 절연층(IOL) 상에 배치될 수 있다.
전송 선로(TRL)는 신호 패드(SPD)를 향해 연장하여 신호 패드(SPD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 전송 선로(TRL2)가 신호 패드(SPD)를 향해 연장하여 신호 패드(SPD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전송 선로(TRL)가 신호 패드(SPD)에 전기적으로 연결되기 위해, 제2 전송 선로(TRL2)의 끝단이 신호 패드(SPD)의 측면에 접촉할 수 있다.
제1 절연층(TC-IL1) 상에 제2 절연층(TC-IL2)이 배치되고, 제2 절연층(TC-IL2) 상에 절연층(INS)이 배치될 수 있다. 절연층(INS)은 전송 선로(TRL), 신호 패드(SPD), 접지 패드(GPD), 및 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2) 상에 배치될 수 있다.
방사 전극(RE)은 전송 선로(TRL)와 분리되어 절연층(INS) 상에 배치될 수 있다. 방사 전극(RE)은 제1 및 제2 센싱부들(SP1,SP2)보다 위에 배치될 수 잇다.
절연층(INS)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 금속 산화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 또한, 절연층(INS)은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 아미드계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리올레핀계 수지, 우레탄계 수지, 또는 비닐 알코올계 수지 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
절연층(INS)은 2 마이크로미터 내지 200 마이크로미터의 두께를 갖고, 1.5 내지 12의 유전율을 가질 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 5 마이크로비터 내지 50 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다.
전송 선로(TRL)로 전송된 신호(예를 들어 소정의 주파수를 갖는 교류 신호)는 전송 선로(TRL)에서 방사 전극(RE)으로 간접 급전(indiect feeding) 방식으로 전송될 수 있다. 전송 선로(TRL)가 방사 전극(RE)에 직접 연결되지 않더라도, 신호는 서로 중첩하는 전송 선로(TRL)와 방사 전극(RE)에 의해 형성된 커패시터의 커플링 현상에 의해 전송 선로(TRL)로부터 방사 전극(RE)으로 전달될 수 있다.
방사 전극(RE)과 표시 패널(DP) 사이에 기생 용량이 형성될 수 있다. 예를 들어, 방사 전극(RE)과 표시 패널(DP) 내의 도전체들에 의해 기생 용량이 형성될 수 있다. 방사 전극(RE)이 전송 선로(TRL)와 동일층에 배치될 경우, 방사 전극(RE)이 표시 패널(DP)에 가까워지므로 기생 용량이 커질 수 있다. 기생 용량이 커질 경우, 안테나(AN)의 방사 효율 및 게인 특성이 감소될 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시 예에서, 방사 전극(RE)은 전송 선로(TRL)와 동일층에 배치되지 않고, 전송 선로(TRL)와 분리되어 절연층(INS) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 방사 전극(RE)이 표시 패널(DP)과 보다 멀어지므로, 기생 용량이 감소할 수 있다. 그 결과, 안테나(AN)의 방사 효율 및 게인 특성이 향상될 수 있다.
도 11 내지 도 20은 본 발명 실시 예에 따른 안테나 패턴의 다양한 실시 예들을 도시한 도면들이다.
이하, 도 9 및 도 10에 도시된 안테나 패턴(ANT)과 다른 구성을 위주로, 도 11 내지 도 20에 도시된 안테나 패턴들(ANT_1~ANT_10)의 구성들이 설명될 것이다.
예시적으로, 도 11 내지 도 13은 도 10에 대응하는 단면으로 도시하였으며, 도 14 내지 도 20은 도 9에 대응하는 평면으로 도시하였다.
도 11을 참조하면, 도 10에 도시된 구조와 달리, 안테나 패턴(ANT_1)의 전송 선로(TRL)는 신호 패드(SPD)와 일체로 형성될 수 있다. 전송 선로(TRL) 및 신호 패드(SPD)는 동일한 물질로 패터닝되어 일체로 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 안테나 패턴(ANT_2)의 제2 전송 선로(TRL2)의 일부분은 신호 패드(SPD)의 상면의 적어도 일부분 상에 배치되어 신호 패드(SPD)의 상면의 적어도 일부분에 접촉할 수 있다. 제2 전송 선로(TRL2)의 일부분이 신호 패드(SPD)의 상면의 적어도 일부분에 접촉함으로써, 전송 선로(TRL)가 신호 패드(SPD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13을 참조하면, 절연층(INS), 제2 절연층(TC-IL2), 및 제1 절연층(TC-IL1)에는 제1 전송 선로(TRL1)의 일부분을 노출시키는 컨택홀(CH)이 정의될 수 있다. 안테나 패턴(ANT_3)의 방사 전극(RE)이 컨택홀(CH)을 통해 제1 전송 선로(TRL1)에 접촉함으로써, 방사 전극(RE)이 전송 선로(TRL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 10에 도시된 구조와 달리, 방사 전극(RE)은 전송 선로(TRL)에 직접 연결될 수 있다. 따라서, 전송 선로(TRL)로 전송된 신호는 전송 선로(TRL)에서 방사 전극(RE)으로 직접 급전(diect feeding) 방식으로 전송될 수 있다.
도 14를 참조하면, 안테나 패턴(ANT_4)의 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 예시적으로 방사 전극(RE_1)에 중첩하는 전송 선로(TRL_1)의 테두리는 방사 전극(RE_1)과 구별하여 도시하기 위해, 점선으로 도시하였다.
메쉬 형상의 개구부들에 따라, 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)에 대한 광 투과율이 향상되어, 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)가 외부 시인에서 시인되지 않을 수 있다. 예를 들어, 다수의 개구부들을 통해 광이 투과되므로, 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)의 형상이 외부에서 시인되지 않을 수 있다.
도 15를 참조하면, 안테나 패턴(ANT_5)의 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 안테나 패턴(ANT_5)은 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1) 주변에 배치된 더미 패턴(DMP)을 더 포함할 수 있다. 더미 패턴(DMP)은 비활성 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 더미 패턴(DMP)은 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)와 동일하게 메쉬 형상을 가질 수 있다.
방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1) 주변에 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)와 유사한 메쉬 형상을 갖는 더미 패턴(DMP)이 배치될 수 있다. 이러한 경우, 서로 유사한 형상이 서로 인접하게 배치되므로, 더미 패턴(DMP)에 의해 방사 전극(RE_1) 및 전송 선로(TRL_1)의 경계가 외부에서 시인되지 않을 수 있다.
도 16을 참조하면, 안테나 패턴(ANT_6)의 방사 전극(RE_2)은 사각형 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 다각형 형상들을 가질 수 있다. 방사 전극(RE_2)에 부분적으로 중첩하는 전송 선로(TRL_2)는 일방향(예를 들어, 제1 방향(DR1))으로 연장하여 신호 패드(SPD)에 연결될 수 있다.
전송 선로(TRL_2)는 도 9와 달리 제2 방향(DR2)으로 연장하는 부분을 포함하지 않을 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 방사 전극(RE_2)에 중첩하는 전송 선로(TRL_2)의 부분의 길이(L1_1)는, 방사 전극(RE_2)의 길이(2_1)의 1/2보다 클 수 있다.
도 17을 참조하면, 안테나 패턴(ANT_7)의 방사 전극(RE_3)은 원 형상을 가질 수 있다. 방사 전극(RE_3)에 부분적으로 중첩하는 전송 선로(TRL_3)는 제1 방향(DR1)으로 연장하여 신호 패드(SPD)에 연결될 수 있다. 방사 전극(RE_3)에 중첩하는 전송 선로(TRL_3)의 일부분은 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 원 및 다각형 등 다양한 형상들을 가질 수 있다.
전송 선로(TRL_3)는 도 9와 달리 제2 방향(DR2)으로 연장하는 부분을 포함하지 않을 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 방사 전극(RE_3)에 중첩하는 전송 선로(TRL_3)의 부분의 길이(L1_2)는, 방사 전극(RE_3)의 길이(2_2)의 1/2보다 클 수 있다.
도 18을 참조하면, 안테나 패턴(ANT_8)의 방사 전극(RE_4)은 사각형 형상을 갖고, 방사 전극(RE_4)에 부분적으로 중첩하는 전송 선로(TRL_4)는 제1 방향(DR1)으로 연장하여 신호 패드(SPD)에 연결될 수 있다. 전송 선로(TRL_4)는 도 9와 달리 제2 방향(DR2)으로 연장하는 부분을 포함하지 않을 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 방사 전극(RE_4)에 중첩하는 전송 선로(TRL_4)의 부분의 길이(L1_3)는, 방사 전극(RE_4)의 길이(2_3)의 1/2보다 클 수 있다.
서로 중첩하는 방사 전극(RE_4)의 부분 및 전송 선로(TRL_4)의 부분에 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 개구부(OP)는 방사 전극(RE_4) 및 전송 선로(TRL_4)에 정의될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 방사 전극(RE_4) 및 전송 선로(TRL_4) 중 어느 하나에만 정의될 수도 있다. 개구부(OP)를 정의함으로써, 방사 전극(RE_4) 및 전송 선로(TRL_4)의 면적을 줄이고 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 19를 참조하면, 안테나 패턴(ANT_9)은 복수개의 방사 전극들(RE_5) 및 전송 선로(TRL_5)를 포함할 수 있다. 방사 전극들(RE_5)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 전송 선로(TRL_5)의 부분은 방사 전극들(RE_5)의 부분들에 중첩할 수 있다.
전송 선로(TRL_5)는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 제1 전송 선로(TRL1_5) 및 제1 전송 선로(TRL1_5)의 부분으로부터 제1 방향(DR1)으로 연장하는 제2 전송 선로(TRL2_5)를 포함할 수 있다. 제1 전송 선로(TRL1_5)는 방사 전극들(RE_5)에 중첩하고, 제2 전송 선로(TRL2_5)는 신호 패드(SPD)에 연결될 수 있다.
도 20을 참조하면, 안테나 패턴(ANT_10)은 방사 전극(RE_6) 및 복수개의 전송 선로들(TRL_6)을 포함할 수 있다. 전송 선로들(TRL_6)은 제2 방향(DR2)으로 배열되고 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 전송 선로들(TRL_6)의 부분들은 방사 전극(RE_6)의 부분에 중첩할 수 있다. 전송 선로들(TRL_6)은 복수개의 신호 패드들(SPD')에 각각 연결될 수 잇다.
아래 표 1은 도 9, 도 14, 도 16, 도 17, 도 18에 도시된 안테나 패턴들(ANT,ANT_4,ANT_6,ANT_7,ANT_8)에 대한 테스트 수치를 나타낸다.
테스트에서 공진 주파수는 28GHz 및 28GHz 근사치의 주파수에서 수행되었다. 즉, 일부 데이터들은 28GHz 전후로 다소 오차가 있는 상태에서 수행되었다. 그러나, 이러한 오차는 무시할 수준으로 판단될 수 있다.
형상 공진주파수
[GHz]
Bandwidth
[GHz]
이득
[dBi]
방사 효율(%) 방사 전극 크기
[mm]
비교 실시 예 28.00 0.95 3.00 41.1 4.8
도 9 28 1.15 5.75 63.0 3.6
도 14 28.45 1.28 4.86 54.2 3.0
도 16 28.10 0.82 5.71 61.8 3.6
도 17 27.55 1.10 5.49 60.0 3.5
도 18 28.05 0.52 4.48 48.3 2.5
표 1에서 비교 실시 예는 방사 전극과 전송 선로가 동일층에 배치된 구조를 가리킨다. 예를 들어, 비교 실시 예의 방사 전극과 전송 선로는 일체로 형성되어, 절연층(IOL) 상에 배치되고, 비교 실시 예의 방사 전극과 전송 선로 상에 제1 절연층(TC-IL1)이 배치될 수 있다. 표 1에서 "방사 전극 크기"는 방사 전극의 가로와 세로 길이 중 더 큰 것의 길이로 정의될 수 있다.
표 1 을 참조하면, 도 9, 도 14, 도 16, 도 17, 도 18에 도시된 안테나 패턴들(ANT,ANT_4,ANT_6,ANT_7,ANT_8)에서, 방사 전극들의 크기는 축소되면서 비교 실시 예보다 이득 및 방사 효율이 모두 증가하였다. 즉, 방사 전극과 전송 선로를 분리시키고, 그 사이에 절연층을 배치시킨 본 발명의 실시 예들에서, 이득 및 방사 효율이 모두 증가하여, 안테나 패턴들(ANT,ANT_4,ANT_6,ANT_7,ANT_8)의 성능이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 일부 실시 예들인 도 9, 도 14, 도 17에 도시된 안테나 패턴들(ANT,ANT_4,ANT_7)에서, 비교 실시 예보다 주파수 대역폭(Bandwidth)이 증가 하였다. 즉, 방사 전극과 전송 선로를 분리시키고, 그 사이에 절연층을 배치시킨 본 발명의 일부 실시 예들에서, 주파수 대역폭이 증가하여, 안테나 패턴들(ANT,ANT_4,ANT_7)의 성능이 향상될 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
DD: 표시 장치 DP: 표시 패널
TFE: 박막 봉지층 ISP: 입력 센싱부
SE1,SE2: 제1 및 제2 센싱 전극 SP1,SP2: 제1 및 제2 센싱부
CP: 연결 패턴 AN: 안테나
ANT: 안테나 패턴 RE: 방사 전극
TRL: 전송 선로 TRL1,TRL2: 제1 및 제2 전송 선로
PD: 패드 SPD: 신호 패드
GPD: 접지 패드 INS: 절연층

Claims (20)

  1. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치된 센싱 전극;
    상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 센싱 전극과 이격된 전송 선로;
    상기 센싱 전극 및 상기 전송 선로 상에 배치된 절연층; 및
    상기 절연층 상에 배치된 방사 전극을 포함하고,
    평면 상에서 봤을 때, 상기 전송 선로의 부분은 상기 방사 전극의 부분에 중첩하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 전극과 이격되어 상기 전송 선로와 동일층에 배치되고, 상기 전송 선로에 전기적으로 연결된 신호 패드; 및
    상기 방사 전극과 이격되어 상기 전송 선로와 동일층에 배치되고, 상기 신호 패드에 인접한 접지 패드를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    평면 상에서 봤을 때, 상기 접지 패드는 상기 신호 패드보다 큰 면적을 갖는 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 전송 선로는,
    일방향으로 연장하여 상기 방사 전극에 중첩하는 제1 전송 선로; 및
    상기 전송 선로의 일부분으로부터 상기 일방향과 교차하는 방향으로 연장하여 상기 신호 패드에 전기적으로 연결된 제2 전송 선로를 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로의 끝단은 상기 신호 패드의 측면에 접촉하는 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 전송 선로의 일부분은 상기 신호 패드의 상면의 적어도 일부분 상에 배치되어, 상기 신호 패드의 상기 상면의 적어도 일부분에 접촉하는 표시 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 전송 선로는 상기 신호 패드와 일체로 형성되는 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 전극은 상기 절연층에 정의된 컨택홀을 통해 상기 전송 선로에 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱 전극은,
    상기 표시 패널 상에 배치된 연결 패턴; 및
    상기 연결 패턴 상에서 서로 인접하게 배치되고 상기 연결 패턴을 통해 서로 연결된 센싱부들을 포함하고,
    상기 전송 선로는 상기 연결 패턴과 같은 층에 배치된 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전송 선로 및 상기 연결 패턴 상에 배치된 제1 절연층; 및
    상기 제1 절연층 상에 배치된 상기 센싱부들을 덮도록 상기 제1 절연층 상에 배치된 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 절연층은 상기 제2 절연층 상에 배치된 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함하는 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 2 마이크로미터 내지 200 마이크로미터의 두께를 갖고, 1.5 내지 12의 유전율을 갖는 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    표시 소자층; 및
    상기 표시 소자층 상에 배치된 박막 봉지층을 포함하고,
    상기 박막 봉지층은 5 마이크로미터 내지 50 마이크로미터의 두께를 갖는 표시 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 전송 선로 및 상기 방사 전극은 메쉬 형상을 갖는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 전송 선로 및 상기 방사 전극 주변에 배치되고 메쉬 형상을 갖는 더미 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 전송 선로는 일방향으로 연장하고, 상기 일방향을 기준으로, 상기 방사 전극에 중첩하는 상기 전송 선로의 부분의 길이는 상기 방사 전극의 길이의 1/2보다 큰 표시 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    서로 중첩하는 상기 방사 전극의 부분 및 상기 전송 선로의 부분에는 개구부가 정의되는 표시 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 전극은 복수개로 제공되고,
    상기 전송 선로의 부분은 상기 복수개의 방사 전극들의 부분들에 중첩하는 표시 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 전송 선로는 복수개로 제공되고,
    상기 복수개의 전송 선로들의 부분들은 상기 방사 전극의 부분에 중첩하는 표시 장치.
  20. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치된 센싱 전극;
    상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 센싱 전극과 이격된 전송 선로;
    상기 센싱 전극 및 상기 전송 선로 상에 배치된 절연층; 및
    상기 절연층 상에 배치된 방사 전극을 포함하고,
    상기 전송 선로는,
    일방향으로 연장하여 상기 방사 전극에 중첩하는 제1 전송 선로; 및
    상기 전송 선로의 일부분으로부터 상기 일방향과 교차하는 방향으로 연장하여 상기 방사 전극 외부로 연장하는 제2 전송 선로를 포함하고,
    상기 일방향을 기준으로, 상기 제1 전송 선로의 길이는 상기 방사 전극의 길이와 같은 표시 장치.
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