KR20220154020A - 평가 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제조 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

평가 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제조 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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KR20220154020A
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마사미 요네카와
히사노부 아즈마
도시히로 이후쿠
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 평가 방법을 제공하며, 평가 방법은 장치 내부에 대전된 상태의 플레이트를 배치하고 기판을 처리하는 동작과는 상이한 더미 동작을 행함으로써 플레이트에 부착된 파티클의 개수를 취득하는 단계, 및 대전된 상태의 플레이트에 부착된 파티클의 개수에 대한 대전되지 않은 상태의 플레이트에 대해 더미 동작을 행함으로써 플레이트에 부착된 파티클의 개수의 비를 나타내는 계수, 및 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 파티클의 개수에 기초하여 장치 내의 상태를 평가하는 단계를 포함한다.

Description

평가 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제조 방법 및 물품의 제조 방법{EVALUATION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 평가 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제조 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 등의 미세가공의 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술뿐만 아니라 임프린트 기술도 크게 주목받고 있다. 임프린트 기술은, 기판 상의 임프린트재를 몰드를 사용하여 성형하고 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세가공 기술이다. 임프린트 기술에 따르면, 기판 상에 수 나노미터 정도의 미세한 구조체를 형성할 수 있다.
임프린트 기술에는, 임프린트재 경화법의 하나로서 광경화법이 사용된다. 광경화법은, 기판 상에 공급(배치)된 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 자외선 등의 광을 임프린트재에 조사해서 임프린트재를 경화시키고 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리하는 것으로 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 방법이다.
또한, 임프린트 기술을 반도체 프로세스에서 기판을 평탄화하기 위해 적용하는 기술도 개발되고 있다. 예를 들어, 몰드의, 임프린트재에 접촉되는 표면을 평탄면으로서 형성하며, 기판과 몰드의 평탄면 사이의 간극에 기판 상의 임프린트재를 충전시킴으로써 기판을 평탄화한다.
이러한 임프린트 기술이 적용된 임프린트 장치에서는, 패턴 형성 또는 평탄화를 행하기 위해서, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 직접 접촉시키고 이들을 서로 분리하는 동작이 필요하다. 이러한 동작은 몰드의 수명에 크게 영향을 미친다. 예를 들어, 몰드의 수명에 영향을 미치는 요인 중 하나는 기판 또는 원판에 부착되는 파티클(이물)이다. 기판 또는 원판에 파티클이 부착된 상태에서 패턴 형성 또는 평탄화를 행하면, 몰드의 패턴(미세 구조)이 파손되거나, 몰드의 평탄면이 불균일해진다. 이는 물품으로서 제조되는 반도체 디바이스의 불량으로 연결된다.
임프린트 장치에서는, 장치 동작, 즉, 스테이지, 반송 로봇, 다양한 종류의 액추에이터 등의 동작(미끄럼 이동 및 마찰)에 의해 파티클이 발생되는 것이 상정된다. 기판에 임프린트재를 공급하는 방식이 잉크젯 방식인 경우에는, 임프린트재의 액적이 토출될 때, 임프린트재가 미스트로서 부유하고, 건조되고, 고화되어 파티클로 변화될 수 있다. 또한, 임프린트 장치를 조립할 때에 부재 및 유닛의 표면에 부착된 파티클이 장치 동작 후의 약간의 상태 변화로 인해 표면으로부터 분리되는 것도 생각된다. 임프린트 장치의 유지보수를 실행하는 때에는, 유지보수 작업원(인체)으로부터 파티클이 발생하거나, 또는 클린 룸의 분위기로부터 파티클이 유입할 수 있다. 이들 파티클은 임프린트 장치 내에서 기류가 정체하는 지점에 부유해서 부착된다.
임프린트 장치에서는, 장치를 동작시킬 때에, 장치 내에 존재하는 파티클을 미리결정된 레벨(청정도) 이하로 저감시킬 필요가 있다. 이를 위해, 임프린트 장치는 장시간 동안 더미 동작을 행하게 되고, 이에 의해 장치 내의 파티클이 미리결정된 레벨 이하, 예를 들어 미리결정된 개수 밀도 이하로 저감되는 것을 보증한다. 그러나, 이는 다운타임이 길어지게 하고 장치가 동작가능해질 때까지 장시간을 필요로 한다. 따라서, 장치 내에 존재하는 파티클을 능동적으로 제거(클리닝)하는 기술, 예를 들어 대전된 기판을 장치 내로 기판을 반입하고, 정전기력에 의한 인력에 의해 기판이 파티클을 흡착하게 하는 기술이 일본 특허 공개 공보 제2000-260671호 또는 제2015-126092호에 제공된다.
일본 특허 공개 공보 제2000-260671호에 개시된 기술에서는, 코로나 방전 방식 대전 유닛을 사용하여, 절연막이 표면에 형성된 분진(파티클) 흡착 웨이퍼를 대전시키고, 웨이퍼를 반도체 제조 장치 내에서 반송하며, 장치 내에 존재하는 분진을 웨이퍼에 의해 흡착한다. 일본 특허 공개 공보 제2015-126092호에 개시된 기술에서는, 코로나 방전 방식 대전 유닛을 사용하여, 절연 재료로 구성된 클리닝 기판을 기판 처리 장치에 반송하기 전에 대전시키고, 기판을 장치 내에 반송하며, 장치 내에 존재하는 분진을 기판에 의해 흡착한다. 상술한 바와 같이, 일본 특허 공개 공보 제2000-260671호 및 제2015-126092호는, 대전된 기판을 장치 내에서 사용함으로써 정전기력에 의한 인력에 의해 기판이 파티클을 흡착(흡인)하게 하는 클리닝 기술을 각각 개시한다.
그러나, 일본 특허 공개 공보 제2000-260671호 및 제2015-126092호는, 장치내를 클리닝한 후에, 장치 내에 존재하는 파티클이 미리결정된 레벨 이하로 저감되어 있는 것을 확인(보증)하는 개념 및 방법을 개시하지 않는다.
일반적으로, 장치 내에 존재하는 파티클(발생 상태)을 모니터링하는 방법은 2개의 방법에 크게 분류된다. 첫번째 방법은 파티클 카운터를 사용하여 장치 내에 부유하는 파티클을 흡인해서 카운트하는 방법이다. 이 방법은, 장치 내에 존재하는 파티클을 용이하게 실시간으로 모니터링할 수 있지만, 파티클을 카운트하기 위해서는 장치 내의 지점을 흡인하는 것이 필요하다. 이 때문에, 흡인 지점의 근방에 파티클이 존재(발생)하고 있는 경우에는, 파티클을 카운트할 수 있지만, 흡인 지점로부터 이격된 지점에 존재하는 파티클을 카운트할 수는 없다. 따라서, 파티클 카운터를 사용하는 방법은, 파티클이 존재하는 지점(파티클 발생 지점)이 예측될 수 있는 경우에는 유효한다. 그러나, 파티클이 존재하는 지점이 예측될 수 없는 경우에는, 상기 방법은 유효하게 기능하지 않는다.
두번째 방법은 장치 내로 베어 웨이퍼(bare wafer)를 반입하고 베어 웨이퍼에 부착되는 파티클(의 개수)을 카운트하는 방법이다. 이 방법은, 장치 내에 반입된 베어 웨이퍼에 직접 부착된 파티클을 카운트할 수 있으며, 실제의 장치 동작에 가까운 상태에서 장치 내에 존재하는 파티클을 모니터링할 수 있다. 그러나, 장치 내에 존재하는 파티클이 미리결정된 레벨 정도에 유지되는 장치에서는, 장치 내에는 얼마 안되는 파티클만이 존재하며, 베어 웨이퍼의 근방의 공기는 층류를 유지하도록 설계되어 있다. 따라서, 장치 내에 존재하는 파티클이 베어 웨이퍼에 부착될 가능성은 매우 낮고, 예를 들어 본 발명자의 실험에 따르면, 발생된 파티클의 약 1%만이 베어 웨이퍼에 부착된다.
따라서, 종래 기술에서는, 장치 내에 존재하는 파티클을 정확하게 모니터링하는 것은 매우 어렵다.
본 발명은 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 단시간에 평가하는 데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 평가 방법으로서, 상기 장치 내부에 대전된 상태의 플레이트를 배치하고, 상기 기판을 처리하는 동작과는 상이한 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 파티클의 개수를 취득하는 단계, 및 상기 대전된 상태의 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수에 대한 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트에 대해 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수의 비를 나타내는 계수와, 상기 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 상기 파티클의 개수에 기초하여 상기 장치 내의 상기 상태를 평가하는 단계를 포함하는 평가 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 가속 계수를 취득하는 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 평가 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 플레이트의 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 대전 유닛의 구성을 도시하는 도면이다.
도 6은 플레이트가 플러스로 대전되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 7은 임프린트 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 가속 PAT 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 기판 반송 용기의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 10은 플레이트의 단면을 도시하는 도면이다.
도 11a 내지 도 11f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 한정하려는 것은 아니라는 것에 유의한다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이러한 특징 모두를 필요로 하는 발명으로 한정되지 않으며, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서는, 동일 또는 유사한 구성에 동일한 참조 번호가 부여되며, 그에 대한 중복하는 설명은 생략된다.
<제1 실시형태>
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 기판을 처리하는 기판 처리 장치이다. 임프린트 장치(1)는, 예를 들어 물품으로서의 반도체 소자, 액정 표시 소자, 또는 자기 저장 매체 등의 디바이스의 제조 단계인 리소그래피 단계에 채용되어 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치로서 구현된다. 임프린트 장치(1)는, 기판 상에 공급(배치)된 미경화 임프린트재와 몰드를 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써, 몰드의 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지를 받는 것에 의해 경화되는 재료(경화성 조성물)이 사용된다. 사용되는 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이다. 전자기파로서는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등이 사용된다.
경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트재는 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 도포될 수 있다. 임프린트재는 액체 분사 헤드를 사용하여 액적 형상으로 또는 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 도포될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)이다.
기판으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 기판의 표면에 기판과는 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성될 수 있다. 더 구체적으로는, 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등을 포함한다.
임프린트 장치(1)는, 임프린트재의 경화법으로서, 광(자외선)의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광경화법을 채용한다. 도면에서, 몰드에 대한 광의 조사 축에 평행한 방향을 XYZ 좌표계에서의 Z 방향으로 규정하고, Z축에 수직한 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향으로 규정한다는 점에 유의한다.
도 1을 참조하여, 임프린트 장치(1)의 유닛 대해서 설명한다. 임프린트 장치(1)는, 조사 유닛(115), 몰드 구동 유닛(116), 몰드 보유지지 유닛(117), 기판 척(118), 기판 스테이지(119), 공급 유닛(122), 얼라인먼트 스코프(도시되지 않음), 및 기체 공급 유닛(도시되지 않음)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 기판 반송 용기(106)에 수용되어 있는 기판(101) 또는 테스트 기판으로서의 플레이트(102)를 반송하도록 구성되는 기판 반송 로봇(112a 및 112b), 이오나이저(113a 및 113b), 및 처리 스테이션(114)을 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 몰드 반송 용기(105)에 수용되어 있는 몰드(100)를 반송하도록 구성되는 몰드 반송 로봇(109a 및 109b), 이오나이저(110), 스토커(111), 대전 유닛(108), 및 제어 유닛(CU)를 포함한다.
몰드(100)는, 직사각형 외주 형상을 갖고, 기판(101)에 대면하는 표면에, 3차원적으로 형성된 패턴(회로 패턴 등의 기판(101)에 전사될 요철 패턴)을 포함하는 패턴 영역을 포함한다. 몰드(100)는, 광을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어 석영으로 구성된다.
몰드 보유지지 유닛(117)은, 진공 흡인력이나 정전기력에 의해 몰드(100)를 흡착하여 보유지지하는 몰드 척을 포함한다. 몰드 구동 유닛(116)은, 몰드 보유지지 유닛(117)을 보유지지 해서 구동함으로써, 몰드 보유지지 유닛(117)에 의해 보유지지된 몰드(100)를 이동시킨다. 몰드 구동 유닛(116)은, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(100)의 가압과 기판 상의 임프린트재로부터의 몰드(100)의 분리(이형)를 선택적으로 행하도록 몰드 보유지지 유닛(117)(몰드(100))을 Z 방향으로 구동한다. 몰드 구동 유닛(116)에 적용가능한 액추에이터는, 예를 들어 리니어 모터 및 공기 실린더를 포함한다. 몰드 구동 유닛(116)은, 몰드(100)를 정밀하게 위치결정하기 위해서, 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 등의 복수의 구동 시스템에 의해 형성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 유닛(116)은, Z 방향뿐만 아니라 X 방향이나 Y 방향으로도 몰드(100)를 이동시키도록 구성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 유닛(116)은, 몰드(100)의 θ(Z축 둘레의 회전) 방향의 위치나 몰드(100)의 기울기를 조정하는 틸트 기능을 갖도록 구성될 수 있다.
조사 유닛(115)은, 임프린트 처리에서, 몰드(100)를 통해서 기판 상의 임프린트재에 광, 예를 들어 자외선을 조사한다. 조사 유닛(115)은, 광원과, 광원으로부터의 광의 상태(강도 분포, 조사 영역 등)를 임프린트 처리에 적절한 상태로 조정하도록 구성되는 광학 부재(렌즈, 미러, 차광판 등)를 포함한다. 본 실시형태에서는, 광경화법을 채용하고 있기 때문에, 임프린트 장치(1)는 조사 유닛(115)을 포함한다. 열경화법을 채용하는 경우에는, 임프린트 장치(1)는 조사 유닛(115)을 대신하여 열경화성 임프린트재를 경화시키도록 구성되는 열원 유닛을 포함한다.
얼라인먼트 스코프는, 몰드(100)에 제공된 얼라인먼트 마크와 기판(101)에 제공된 얼라인먼트 마크를 검출하고, 얼라인먼트 마크 사이의 X 방향 및 Y 방향의 위치 편차를 계측한다.
공급 유닛(122)은, 미리설정된 드롭 레시피(drop recipe)에 기초하여, 기판(101)에 임프린트재의 액적을 토출함으로써, 기판 상에 임프린트재를 공급(배치)한다. 공급 유닛(122)으로부터 토출되는 임프린트재의 액적의 기판 상의 공급 위치 및 공급량은, 예를 들어 기판(101)에 형성될 임프린트재의 패턴의 두께(잔막 두께), 임프린트재의 패턴의 밀도 등에 따라 드롭 레시피로서 설정된다.
기체 공급 유닛은, 임프린트 장치(1)의 내부(장치 내)에서 발생한 파티클이 몰드(100) 및 기판(101)의 주변에 진입하는 것을 방지하기 위해서 기체를 공급한다.
기판 척(118)은, 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 기판(101) 또는 플레이트(102)를 흡착하여 보유지지한다. 이와 같이, 기판 척(118)은 기판(101)과 플레이트(102)를 보유지지하도록 구성된다. 기판 척(118)에는, 후술하는 바와 같이, 플레이트(102)의 이면으로부터 플레이트에 전압을 인가해서 플레이트(102)를 대전시킬 수 있는 대전 유닛(108)이 제공된다. 기판 척(118)은, 기판 스테이지(119)에 의해 지지되고, 기판 스테이지(119)를 통해서 X-Y 평면 내에서 구동된다. 몰드(100)를 기판 상의 임프린트재에 접촉시킬 때, 기판 스테이지(119)의 위치를 조정함으로써, 몰드(100)의 위치와 기판(101)의 위치를 서로 정합시킨다(얼라인먼트한다). 기판 스테이지(119)에 적용가능한 액추에이터는, 예를 들어 리니어 모터 및 공기 실린더를 포함한다. 또한, 기판 스테이지(119)는 X 방향이나 Y 방향뿐만 아니라 Z 방향으로도 기판(101)을 이동시키도록 구성될 수 있다.
본 실시형태에서, 몰드(100)를 가압 및 분리하는 동작은, 상술한 바와 같이, 몰드(100)를 보유지지하고 있는 몰드 보유지지 유닛(117)을 Z 방향으로 구동함으로써 실현된다. 그러나, 몰드(100)를 가압 및 분리하는 동작은, 기판(101)을 보유지지하고 있는 기판 척(118)을 Z 방향으로 구동함으로써 또는 몰드 보유지지 유닛(117) 및 기판 척(118)을 상대적으로 Z 방향으로 구동함으로써 실현될 수 있다.
기판 반송 용기(106)는, 미니-인바이런먼트 방식(mini-environment method)에 의해, 기판(101)이나 플레이트(102) 등의 기판을 반송 및 관리하는 FOUP(Front Opening Unified Pod)이다. 플레이트(102)는, 후술하는 바와 같이, 표면을 대전시킬 수 있고 표면에 파티클을 부착시킬 수 있는 기판이다. 기판 반송 용기(106)는 기판(101)이나 플레이트(102) 등의 기판을 수용한다.
기판 반송 로봇(112a 및 112b)은 기판(101)이나 플레이트(102)를 반송하도록 구성되는 로봇이다. 기판 반송 로봇(112a)은, 기판 반송 용기(106)에 수용된 기판을 취출하고 기판을 처리 스테이션(114)에 반송한다. 처리 스테이션(114)은 기판 반송 용기(106)로부터 반송된 기판의 거친 위치결정(프리얼라인먼트) 및 온도 조절을 행한다. 기판 반송 로봇(112b)은, 처리 스테이션(114)으로부터 기판을 취출하고 기판을 기판 척(118)에 반송한다.
기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이에서 반송되는 기판은, 다양한 종류의 부재에 흡인되거나 다양한 종류의 부재로부터 분리되며, 따라서 다양한 종류의 부재에 대한 마찰로 인해 대전되기 쉽다. 따라서, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로에는 이오나이저(113a 및 113b)가 배치된다. 이오나이저(113a 및 113b)에 의해 생성된 이온은, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로에 공급됨으로써, 기판이 필요 이상으로 대전되는 것을 방지한다.
몰드 반송 용기(105)는, 미니-인바이런먼트 방식에 의해, 몰드(100)를 반송 및 수용하는 SMIF(Standard Mechanical Interface) 포드이다. 몰드 반송 용기(105)에는 몰드(100)가 수용되어 있다.
몰드 반송 로봇(109a 및 109b)은 몰드(100)를 반송하도록 구성되는 로봇이다. 몰드 반송 로봇(109a)은, 몰드 반송 용기(105)에 수용된 몰드(100)를 취출하고, 몰드(100)를 몰드를 일시적으로 수용해서 몰드 교환을 가능하게 하는 스토커(111)에 반송한다. 몰드 반송 로봇(109b)은, 스토커(111)로부터 몰드(100)를 취출하고 몰드(100)를 몰드 보유지지 유닛(117)에 반송한다.
몰드 반송 용기(105)와 몰드 보유지지 유닛(117) 사이에서 반송되는 몰드(100)는, 다양한 종류의 부재에 흡인되거나 다양한 종류의 부재로부터 분리되며, 따라서 다양한 종류의 부재에 대한 마찰로 인해 대전되기 쉽다. 따라서, 몰드 반송 용기(105)와 몰드 보유지지 유닛(117) 사이의 반송 경로에는 이오나이저(110)가 배치된다. 이오나이저(110)에 의해 생성된 이온은, 몰드 반송 용기(105)와 몰드 보유지지 유닛(117) 사이의 반송 경로에 공급됨으로써, 몰드(100)가 필요 이상으로 대전되는 것을 방지한다.
제어 유닛(CU)은, 예를 들어 CPU 및 메모리를 포함하는 컴퓨터(정보 처리 장치)에 의해 형성되며, 저장 유닛 등에 저장된 프로그램에 따라서 임프린트 장치(1)의 유닛을 통괄적으로 제어한다. 제어 유닛(CU)은, 임프린트 장치(1)의 유닛의 동작 및 조정을 제어함으로써, 몰드(100)를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 제어한다. 또한, 제어 유닛(CU)은, 임프린트 장치(1)의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태, 더 구체적으로는 청정도를 평가(모니터링)하는 평가 처리도 제어한다. 제어 유닛(CU)은, 임프린트 장치(1)의 나머지 부분과 일체로(공통 하우징 내에) 형성될 수 있거나, 또는 임프린트 장치(1)의 나머지 부분과는 별개로(다른 하우징 내에) 형성될 수 있다.
본 실시형태에서는, 임프린트 장치(1)의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태(청정도)를 단시간에 평가하기 위해서, 플레이트(102)에의 파티클의 부착의 빈도(이하, "파티클 부착 빈도"라고 칭함)을 향상시킨다. 본 발명자는 파티클 부착 빈도를 다음과 같이 정의한다.
[파티클 부착 빈도] = [분진 발생 빈도] × [수송 효율] × [부착 확률]
여기서, "분진 발생 빈도"는 장치 내의 분진 발생부(파티클 발생 지점)로부터의 분진 발생 빈도를 의미한다. 통상, 장치 내의 분진 발생부를 특정(파악)하는 것은 어렵기 때문에, "분진 발생 빈도"를 제어하는 것은 현실적이지 않다. 또한, "수송 효율"은, 파티클을 장치 내의 분진 발생부로부터 플레이트(102)까지 수송(이동)할 때의 효율(수송의 쉬움)을 의미한다. 통상, "수송 효율"은 장치의 설계 및 구조에 의해 결정되기 때문에, 장치를 조립한 후에 수송 효율을 제어하는 것은 어렵다. 따라서, "파티클 부착 빈도"를 향상시키기 위해서는, "부착 확률"을 향상시킬 필요가 있다.
본 실시형태에서는, "부착 확률"을 향상시키기 위해서, 플레이트(102)를 대전시킴으로써 플레이트(102)에서 발생하는 정전기력을 사용하여 플레이트(102)에의 파티클의 부착을 가속시킨다. 예를 들어, 통상의 임프린트 처리에 관한 임프린트 동작을 모의하는 장치 동작, 즉, 기판을 처리하는 동작과는 상이한 더미 동작을 반복하는 때에, 플레이트(102)에 전하가 부여되어 표면을 대전시킨다. 이에 의해, 장치 내에 존재하는 파티클의 플레이트(102)에의 부착 확률을 향상시킨다. 표면을 대전시킨 플레이트(102)에 부착된 파티클을 검사, 예를 들어 파티클의 개수를 카운트함으로써, 파티클에 관한 장치 내의 상태(청정도)를 단시간에 평가할 수 있다.
더 구체적으로는, 본 실시형태에서는, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하기 전에, 다음의 3개의 단계를 실시해서 가속 계수를 취득한다. 여기서, 가속 계수란, 후술하는 바와 같이, 장치 내에서 더미 동작을 행함으로써, 대전된 상태의 플레이트(102)에 부착되는 파티클의 개수에 대한 대전되지 않은 상태의 플레이트(102)에 부착되는 파티클의 개수의 비를 나타내는 계수이다.
도 2를 참조하여, 가속 계수를 취득하는 처리(제3 단계)에 대해서 설명한다. 이러한 처리는, 본 실시형태에서는, 제어 유닛(CU)이 임프린트 장치(1)의 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 행해진다는 것에 유의한다.
단계 S102에서는, Particle Adder Test(PAT)를 실시한다. 더 구체적으로는, 기판 반송 용기(106)에 수용되어 있는 플레이트(102)를 기판 반송 로봇(112a 및 112b)를 통해서 기판 척(118) 및 기판 스테이지(119)에 의해 형성되는 기판 보유지지 유닛에 반송하고, 기판 척(118)이 플레이트(102)를 보유지지하게 한다. 이어서, 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)에 대하여 더미 동작을 미리결정된 횟수 반복한다. 더미 동작이란, 상술한 바와 같이, 통상의 임프린트 처리에 관한 임프린트 동작을 모의하는 장치 동작이다. 본 실시형태에서는, 임프린트재의 공급과 몰드(100)의 가압 및 분리가 행해지지 않고 나머지 동작이 통상의 임프린트 처리시(디바이스 제조시)에서와 같이 행해지는 장치 동작을 더미 동작으로서 정의한다. 더미 동작을 행함으로써 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 카운트(검사)함으로써, 1 동작당의 파티클의 부착수(N0[개수/동작])를 구한다. 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 계측하기 위해서, 파티클의 개수를 계측할 수 있는 외부 계측 장치(검사 장치)를 사용한다는 것에 유의한다. 상술한 바와 같이, 단계 S102에서는, 임프린트 장치(1)의 내부에 대전되지 않은 상태의 플레이트(102)를 배치하고, 더미 동작을 행함으로써 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수(제1 개수)를 취득한다.
단계 S104에서는, 가속 Particle Adder Test(가속 PAT)를 실시한다. 더 구체적으로는, 먼저, 기판 반송 용기(106)에 수용되어 있는 플레이트(102)를, 기판 반송 로봇(112a 및 112b)을 통해서 기판 척(118) 및 기판 스테이지(119)에 의해 형성되는 기판 보유지지 유닛에 반송하고, 기판 척(118)이 플레이트(102)를 보유지지하게 한다. 가속 PAT에서 사용되는 플레이트(102)는 PAT(단계 S102)에서 사용되는 플레이트(102)일 수 있다는 것에 유의한다. 그러나, 이 경우에는, PAT를 실시함으로써 플레이트(102)에 부착된 파티클을 제거(클리닝)할 필요가 있다. 이어서, 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)를 대전시키고, 대전된 상태의 플레이트(102)에 대하여 더미 동작을 미리결정된 횟수 반복한다. 더미 동작을 행함으로써 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 계측함으로써, 1 동작당의 파티클의 부착수(N1[개수/동작])를 구한다. 가속 PAT에서는, 플레이트(102)에 대한 파티클의 부착 확률이 향상된다. 따라서, 부착수(N1) > 부착수(N0)의 관계가 된다. 상술한 바와 같이, 단계 S104에서는, 임프린트 장치(1)의 내부에 대전된 상태의 플레이트(102)를 배치하고, 더미 동작을 행해서 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수(제2 개수)를 취득한다. 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)를 대전시키기 위해서는, 예를 들어 기판 척(118)에 제공된 대전 유닛(108)을 사용한다는 것에 유의한다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 척(118)에 의해 보유지지되는, 대전되지 않은 상태의 플레이트(102)를 대전시키는 예를 설명했다. 그러나, 대전된 상태의 플레이트(102)를 반입해서 기판 척(118)에 의해 보유지지할 수 있다.
단계 S106에서는, 단계 S102에서 구해진 부착수(N0(제1 개수)) 및 단계 S104에서 구해진 부착수(N1(제2 개수))로부터 가속 계수(K)를 산출한다. 더 구체적으로는, 가속 계수(K)는 K=N1/N0에 의해 산출된다. 가속 계수(K)는, PAT에 대하여, 가속 PAT에 의해, 플레이트(102)에의 파티클의 부착이 얼마나 가속될지를 나타내는 지표이다. 단계 S106에서 산출된 가속 계수(K)는, 예를 들어 임프린트 장치(1)에 제공된 저장 유닛에 저장된다는 것에 유의한다.
이와 같이 하여 가속 계수(K)를 취득함으로써, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가할 때에 가속 PAT를 실시해도, 가속 계수(K)를 고려해서 파티클에 관한 장치 내의 상태를 추정할 수 있다. 따라서, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 단시간에 평가하는 것이 가능하게 된다.
가속 계수(K)를 취득하는 처리는, 임프린트 장치(1)를 출하하고, 유저의 공장 등에서 임프린트 장치(1)의 부재를 조립할 때, 즉, 소위 임프린트 장치(1)의 조립 시에 행해진다는 것에 유의한다. 가속 계수(K)가 시간이 흐르면서 변화하는 경우에는, 정기적으로 또는 임프린트 장치(1)의 유지보수 시에, 가속 계수(K)를 취득하는 처리를 행한다.
도 3을 참조하여, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 평가 처리에 대해서 설명한다. 평가 처리는, 예를 들어 임프린트 장치(1)의 조립 또는 유지보수 후에 행해진다. 이것은, 임프린트 장치(1)를 조립하는 작업이나 유지보수를 행하는 작업이 완료되면, 임프린트 장치(1)의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 확인할 필요가 있기 때문이다.
단계 S302에서는, 가속 PAT를 실시한다. 가속 PAT는 도 2를 참조하여 설명한 단계 S104와 동일하기 때문에, 여기서는 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 가속 PAT를 실시함으로써, 1 동작당의 파티클의 부착수(M1[개수/동작])가 취득된다. 상술한 바와 같이, 단계 S302(제1 단계)에서는, 임프린트 장치(1)의 내부에 대전된 상태의 플레이트(102)를 배치하고, 더미 동작을 행해서 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 취득한다.
단계 S304에서는, 가속 계수(K)와 단계 S302에서 구해진 부착수(M1)에 기초하여, 파티클에 관한 장치 내의 상태가 만족스러운지 여부를 판정한다. 예를 들어, PAT의 사양 값으로서, 1 동작당의 파티클의 부착수가 M0[개수/동작]로서 규정되는 것으로 한다. M0은, 장치 내에 존재하는 파티클의 개수가 사양 값을 충족하고 있을 때에, 더미 동작을 행함으로써 대전되지 않은 상태의 플레이트(102)에 부착되는 파티클의 개수라고 말할 수 있다는 것에 유의한다. 이 경우, M1/K≤M0이 충족되지 않는 경우, 파티클에 관한 장치 내의 상태가 만족스럽지 않다(불량하다)라고 판정(평가)하고, 공정은 단계 S306으로 이행한다. 한편, M1/K≤M0이 충족되는 경우, 파티클에 관한 장치 내의 상태가 만족스럽다고 판정하고, 공정은 단계 S308로 이행한다. 상술한 바와 같이, 단계 S304(제2 단계)에서는, 가속 계수(K)와 단계 S302에서 구해진 부착수(M1)에 기초하여, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가한다.
단계 S306에서는, 장치 내의 클리닝이 행해지고(즉, 장치 내에 존재하는 파티클을 제거하고), 공정은 단계 S302로 복귀한다. 장치 내의 클리닝에는, 당업계에서 주지된 어떠한 기술도 적용될 수 있다.
단계 S308에서는, 파티클에 관한 장치 내의 만족스러운 상태의 확인(보증)에 응답하여, 임프린트 장치(1)를 릴리즈(release)한다. 여기서, 임프린트 장치(1)의 릴리스는, 예를 들어 임프린트 장치(1)가 동작가능한 것을 유저에게 통지하는 것 및 임프린트 장치(1)의 동작 모드를 디바이스 제조의 동작 모드로 전환하는 것을 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 가속 계수(K)를 사용함으로써, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가할 때에 가속 PAT를 실시할 수 있다. 따라서, 임프린트 장치(1)의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 단시간에 평가할 수 있다. 또한, 가속 PAT를 충분히 실시하는 시간을 확보할 수 있을 경우에는, 플레이트(102)에의 파티클의 부착이 가속되며, 이는 장치 내의 클리닝(파티클의 제거)에 사용될 수 있다.
가속 계수(K)는 각각의 임프린트 장치에 대하여 취득하는 것이 바람직하다는 것에 유의한다. 그러나, 복수의 임프린트 장치 사이의 기계 차이가 적은 경우에는, 하나의 임프린트 장치로부터 취득된 가속 계수(K)를 복수의 임프린트 장치에 공통적으로 사용할 수 있다.
이어서, 가속 PAT를 실시하기 위한 구체적인 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 가속 PAT에서 사용되는 플레이트(102)의 구성을 도시하는 도면이다. 플레이트(102)는 표면을 대전시키고 표면에 파티클을 부착시키도록 구성된다. 예를 들어, 플레이트(102)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(102a)과 실리콘 기판(102a)에 형성된 절연층(102b)에 의해 형성된다.
플레이트(102)의 표면은, 일반적으로, 반도체 제조에서 일반적으로 사용되는 검사 장치에 의해 검사될 수 있는 청정도 및 평활도를 갖는다. 더 구체적으로는, 플레이트(102)의 표면은 베어 실리콘 표면 또는 금속 표면으로 형성되고, 최상위 표면에 나노미터 정도의 두께를 갖는 자연 산화막이 형성된다.
플레이트(102)의 하면에는 절연층(102b)이 형성된다. 절연층(102b)은, 본 실시형태에서는, 플레이트(102)의 하면의 일부분, 즉, 기판 척(118)에 의해 보유지지되는 측의 표면의 일부분(실리콘 기판(102a))이 노출되도록, 플레이트(102)의 하면에 형성된다. 절연층(102b)은, 전기적인 절연이 충분히 확보되어 있는 막, 예를 들어 1 μm 이상의 두께를 갖는 실리콘 열산화막, 반도체 재료에서 일반적으로 사용되는 폴리이미드 수지, 또는 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 또는 폴리아미드 수지에 의해 형성된다.
도 5는 플레이트(102)를 대전시키는 대전 유닛(108)의 구성을 도시하는 도면이다. 본 실시형태에서는, 대전 유닛(108)은 기판 스테이지(119)의 기판 척(118)에 제공된다. 기판 척(118)은, 도 5에 도시되는 바와 같이, 진공 척에 의해 형성되고, 기판(101) 및 플레이트(102)를 포함하는 기판에 대한 접촉 면적을 감소시키기 위해서 핀 형상을 각각 갖는 접촉부를 포함한다.
대전 유닛(108)은, 플레이트(102)에 접촉하는 프로브(200), 프로브(200)를 통해서 플레이트(102)에 전압을 인가하는 전원 유닛(201), 및 플레이트(102)를 대전시키는 극성을 전환하는 전환 유닛(210)을 포함한다.
프로브(200)는, 기판 척(118)을 통해 연장되는 관통 구멍(TH) 내에 삽입되고, 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)의 하면, 더 구체적으로는 플레이트(102)의 하면의, 절연층(102b)이 제공되어 있지 않은 노출 부분에 직접 접촉하는 접촉자이다. 따라서, 프로브(200)는, 도전성을 확보하고 분진 발생을 최대한 저감시키기 위해서, 예를 들어 구형의 선단 부분을 갖고, 마모가 적고 산화되기 어려운 금속 재료로 구성된다.
전원 유닛(201)은, 플레이트(102)를 대전시키는 극성을 변경하도록 구성되며, 예를 들어 복수 종류의 전원을 포함한다. 더 구체적으로는, 전원 유닛(201)은, 마이너스 전극이 접지되고 플러스 전극이 전환 유닛(210)을 통해서 프로브(200)에 접속된 전원(201a), 및 플러스 전극이 접지되고 마이너스 전극이 전환 유닛(210)을 통해서 프로브(200)에 접속된 전원(201b)을 포함한다.
전환 유닛(210)은, 플레이트(102)를 제1 극성 또는 제2 극성으로 선택적으로 대전시키기 위해서, 프로브(200)에 전기적으로 접속되는 전원을 전원(201a) 또는 전원(201b)으로 전환하는 스위치로서 형성된다. 제1 극성과 제2 극성은 서로 반대의 극성이며, 이중 하나는 플러스이고 다른 것은 마이너스라는 것에 유의한다. 예를 들어, 전환 유닛(210)은, 플레이트(102)를 플러스로 대전시키기 위해서, 전원(201a)을 프로브(200)에 접속한다. 플레이트(102)를 마이너스로 대전시키기 위해서는, 전환 유닛(210)은 전원(201b)을 프로브(200)에 접속한다. 전환 유닛(210)은, 프로브(200)에의 전압 인가의 ON/OFF를 전환하는 스위치로서도 기능한다는 것에 유의한다.
본 실시형태에서는, 플레이트(102)가 기판 척(118)에 의해 보유지지(진공-흡인)되면, 프로브(200)는 플레이트(102)의 하면에 자동적으로 접촉해서 도전상태(conduction)를 형성한다. 이때, 프로브(200)는, 상술한 바와 같이, 플레이트(102)의 하면의, 절연층(102b)이 제공되어 있지 않은 노출 부분에 접촉하기 때문에, 만족스러운 도전상태가 확보된다. 플레이트(102)의 하면 전체에 절연층(102b)이 제공되어 있을 경우에는, 프로브(200)는 절연층(102b)을 통해 연장되어 플레이트(102)의 하면(실리콘 기판(102a))에 접촉하도록 구성되어 전기적인 도전상태를 가능하게 하도록 구성될 수 있다는 것에 유의한다. 대안적으로, 플레이트(102)의 표면에 제공되는 금속층은 하면까지 둘러싸여서 전기적인 도전상태를 용이하게 할 수 있다. 또한, 플레이트(102)의 측면에 프로브(200)가 접촉할 수 있다.
이렇게 구성된 대전 유닛(108)은, 프로브(200)를 플레이트(102)의 하면에 접촉시키고, 전원 유닛(201)(전원(201a) 또는 전원(201b))으로부터 프로브(200)를 통해서 플레이트(102)에 전압을 인가하며, 플레이트(102)에 전하를 공급한다. 미리결정된 수의 전하가 플레이트(102)에 축적되면, 프로브(200)와 전원 유닛(201)이 접속하는 상태에서 프로브(200)를 플레이트(102)로부터 이격시킨다. 이에 의해, 플레이트(102)를 대전시키고 플레이트(102)의 대전된 상태를 유지할 수 있다. 도 6은 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)가 플러스로 대전되어 있는 상태를 도시하는 도면이다. 플레이트(102)는 도전성을 갖고 있기 때문에, 플레이트(102)에 공급된 전하는 균일하게 분포된다. 또한, 플레이트(102)와 기판 척(118)은 절연층(102b)을 통해서 접촉하고 있기 때문에, 플레이트(102)에 전압이 인가되어도 전류가 흐르지 않는다.
본 실시형태에서는, 진공 척에 의해 형성된 기판 척(118)에 대전 유닛(108)을 제공하는 예를 설명했다. 그러나, 기판 척(118)은 정전 척에 의해 형성될 수 있다. 이 경우, 정전 척 내부의 전극에 인가되는 전압을 제어함으로써 플레이트(102)를 대전시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판 척(118)이 정전 척일 경우에는, 정전 척 내부의 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 유닛을 플레이트(102)를 대전시키는 대전 유닛(108)으로서 사용할 수 있다. 상술한 바와 같이, 기판 척(118)의 종류에 관계없이, 기판 척(118) 및 기판 스테이지(119)로 형성되는 기판 보유지지 유닛에 의해 플레이트(102)를 대전 시킬 수 있으면 된다.
임프린트 장치(1)에는, 상술한 바와 같이, 이오나이저(113a 및 113b)가 제공된다. 따라서, 이오나이저(113a 및 113b)가 동작하고 있으면, 이오나이저(113a 및 113b)에 의해 생성된 이온이 기판 척(118)을 향해 흘러, 대전 유닛(108)에 의해 대전된 플레이트(102)를 제전한다. 따라서, 가속 PAT를 실시할 때에는, 이오나이저(113a 및 113b)의 동작을 정지할 필요가 있다. 따라서, 가속 PAT의 실시 동안, 플레이트(102)는 대전 유닛(108)으로부터 전압이 인가됨으로써 항상 미리결정된 대전 상태를 유지할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여, 디바이스 제조에서의 통상의 임프린트 처리에 관한 임프린트 동작과 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하기 위한 가속 PAT에 관한 가속 PAT 동작 사이의 차이를 설명한다. 도 7은 임프린트 동작을 설명하기 위한 흐름도이며, 도 8은 가속 PAT 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7에 나타내는 임프린트 동작에 대해서 설명한다. 단계 S702에서는, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로에 배치된 이오나이저(113a 및 113b)를 동작시킨다. 이에 의해, 기판 반송 용기(106)로부터 기판 척(118)에 반송되는 기판(101)의 전하를 제거하는 것이 가능하게 된다.
단계 S704에서는, 기판 반송 로봇(112a)을 통해서 임프린트 처리의 대상으로서의 기판(101)을, 기판 반송 용기(106)로부터 처리 스테이션(114)에 반송(반입)한다.
단계 S706에서는, 처리 스테이션(114)에 반송된 기판(101)에 대하여 프리얼라인먼트 및 온도 조절을 행한다. 예를 들어, 기판(101)에 제공된 노치를 검출해서 기판(101)을 낮은 정밀도로 위치결정하며, 기판(101)의 온도를 장치 내의 온도로 조절한다.
단계 S708에서는, 기판 반송 로봇(112b)을 통해서 프리얼라인먼트 및 온도 조절이 행해진 기판(101)을 처리 스테이션(114)으로부터 기판 척(118)에 반송하고, 기판(101)을 기판 척(118)에 의해 보유지지한다. 이때, 기판 척(118)에 의해 보유지지되는 기판(101)에 대해 통상의 임프린트 처리가 행해진다. 따라서, 기판 척(118)에 제공된 대전 유닛(108)은 기판(101)의 하면에 프로브(200)를 접촉시키기만 한다. 기판(101)에는 전압이 인가되지 않고, 기판(101)은 접지 전위(0V)를 갖는다.
단계 S710에서는, 다양한 종류의 캘리브레이션을 행한다. 다양한 종류의 캘리브레이션은, 예를 들어 기판 스테이지(119)의 캘리브레이션, 몰드 구동 유닛(116)의 캘리브레이션 등에 추가하여 다양한 종류의 사전계측도 포함한다.
단계 S712에서는, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재를 공급한다. 더 구체적으로는, 기판 척(118)에 의해 보유지지된 기판(101)의 대상 샷 영역이 공급 유닛(122) 아래에 위치되도록 기판 스테이지(119)를 구동하고, 공급 유닛(122)으로부터 기판(101)에 임프린트재의 액적을 토출한다. 이에 의해, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급된다.
단계 S714에서는, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한다. 더 구체적으로는, 임프린트재가 공급된 기판 상의 대상 샷 영역이 몰드(100) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(119)를 구동하고, 몰드 구동 유닛(116)을 통해서 몰드(100)와 기판 상의 임프린트재를 접촉시킨다. 이어서, 몰드(100)와 기판 상의 임프린트재를 접촉시킨 상태에서, 조사 유닛(115)이 광을 조사해서 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 몰드 구동 유닛(116)을 통해서 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리한다. 이에 의해, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성된다.
단계 S716에서는, 미리결정된 개수의 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되어 있는지의 여부를 판정한다. 미리결정된 개수의 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되어 있지 않은 경우에는, 임프린트재의 패턴이 형성되어 있지 않은 샷 영역을 대상 샷 영역으로 설정하고, 공정은 단계 S712로 복귀한다. 한편, 미리결정된 개수의 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되어 있는 경우에는, 공정은 단계 S718로 이행한다.
단계 S718에서는, 기판 반송 로봇(112a 및 112b)을 통해서 임프린트재의 패턴이 형성된 기판(101)을 기판 척(118)으로부터 기판 반송 용기(106)에 반송(반출)한다.
단계 S720에서는, 미리결정된 개수의 기판에 대한 임프린트 처리가 완료되어 있는지 여부를 판정한다. 미리결정된 개수의 기판에 대한 임프린트 처리가 완료되지 않은 경우에는, 공정은 새로운 기판에 대한 임프린트 처리를 행하기 위해서 단계 S704로 복귀한다. 한편, 미리결정된 개수의 기판에 대한 임프린트 처리가 완료된 경우에는, 임프린트 동작을 종료한다.
도 8에 나타내는 가속 PAT 동작에 대해서 설명한다. 단계 S802에서는, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로에 배치된 이오나이저(113a 및 113b)의 동작을 정지한다. 이것은, 기판 척(118)에 제공된 대전 유닛(108)이 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)를 대전시키게 한다.
단계 S804에서는, 플레이트(102)는 기판 반송 로봇(112a)을 통해서 기판 반송 용기(106)로부터 처리 스테이션(114)에 반송(반입)된다.
단계 S806에서는, 처리 스테이션(114)에 반송된 플레이트(102)에 대하여, 프리얼라인먼트 및 온도 조절을 행한다. 예를 들어, 플레이트(102)에 제공된 노치를 검출해서 플레이트(102)를 낮은 정밀도로 위치결정하고, 플레이트(102)의 온도를 장치 내의 온도로 조정한다.
단계 S808에서는, 기판 반송 로봇(112b)을 통해서 프리얼라인먼트 및 온도 조절이 행해진 플레이트(102)를 처리 스테이션(114)으로부터 기판 척(118)에 반송하고, 플레이트(102)를 기판 척(118)에 의해 보유지지한다. 이때, 기판 척(118)에 제공된 대전 유닛(108)은, 기판 척(118)에 보유지지된 플레이트(102)의 하면에 프로브(200)를 접촉시키고, 프로브(200)를 통해서 전원 유닛(201)으로부터 플레이트(102)에 전압을 인가한다. 이에 의해, 플레이트(102)는 균일하게 대전되고 미리결정된 전위를 유지한다.
단계 S810에서는, 다양한 종류의 캘리브레이션을 행한다. 다양한 종류의 캘리브레이션은, 예를 들어 기판 스테이지(119)의 캘리브레이션, 몰드 구동 유닛(116)의 캘리브레이션 등에 추가하여 다양한 종류의 사전계측도 포함한다.
단계 S812에서는, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재를 공급하는 동작을 모의하는 더미 공급 동작을 행한다. 더 구체적으로는, 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)의 대상 영역이 공급 유닛(122) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(119)를 구동한다. 그러나, 공급 유닛(122)은 플레이트(102)에 임프린트재의 액적을 토출하지 않고, 플레이트(102) 상의 대상 영역에 임프린트재는 공급되지 않는다. 플레이트(102) 상의 대상 영역은 기판 상의 대상 샷 영역에 대응한다는 것에 유의한다.
단계 S814에서는, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 동작을 모의하는 더미 형성 동작을 행한다. 더 구체적으로는, 플레이트 상의 대상 영역이 몰드(100) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(119)를 구동하고, 몰드 구동 유닛(116)을 통해서 몰드(100)와 플레이트(102)가 접촉하지 않는 범위로 몰드(100)와 플레이트(102)를 근접시킨다. 그리고, 몰드 구동 유닛(116)을 통해서 몰드(100)와 플레이트(102)를 멀리 떨어지게 한다.
단계 S816에서는, 미리결정된 개수의 영역에 대한 더미 형성 동작이 완료되었는지 여부를 판정한다. 미리결정된 개수의 영역에 대한 더미 형성 동작이 완료되지 않은 경우에는, 공정은 단계 S812로 복귀한다. 미리결정된 개수의 영역에 대한 더미 형성 동작이 완료된 경우에는, 공정은 단계 S818로 이행한다.
단계 S818에서는, 기판 반송 로봇(112a 및 112b)을 통해서 기판 척(118)에 의해 보유지지 되어 있는 플레이트(102)를 기판 척(118)으로부터 기판 반송 용기(106)에 반송(반출)한다.
단계 S820에서는, 플레이트(102)에 대하여 미리결정된 수의 루프의 더미 형성 동작이 완료되었는지 여부를 판정한다. 미리결정된 수의 루프의 더미 형성 동작이 완료되지 않은 경우에는, 공정은 단계 S804로 복귀한다. 한편, 미리결정된 수의 루프의 더미 형성 동작이 완료된 경우, 가속 PAT 동작을 종료한다.
가속 PAT 동작이 행해진 플레이트(102)(즉, 단계 S818에서 기판 반송 용기(106)에 반송된 플레이트(102))는 외부의 계측 장치(검사 장치)에 반송된다는 것에 유의한다. 외부 계측 장치는 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 계측하고, 1 동작당의 파티클의 부착수(N1[개수/동작])가 취득된다.
PAT에 관한 PAT 동작은, 단계 S808에서 플레이트(102)를 대전시키지 않고 전위가 0V로 유지되는 것을 제외하고 가속 PAT 동작과 동일하다. 또한, PAT 동작이 행해진 플레이트(102)는 외부 계측 장치(검사 장치)에 반송된다. 외부 계측 장치는 플레이트(102)에 부착된 파티클의 개수를 계측하고, 1 동작당의 파티클의 부착수(N0[개수/동작])가 취득된다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, PAT로부터 취득되는 부착수(N0) 및 가속 PAT로부터 취득되는 부착수(N1)로부터 가속 계수(K)를 구한다. 가속 계수(K)가 구해지면, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가할 때에 가속 PAT를 실시하고, 가속 계수(K)를 고려해서 파티클에 관한 장치 내의 상태(장치 내에 존재하는 파티클의 개수)를 추정한다. 따라서, 파티클에 관한 장치 내의 상태를 단시간에, 더 구체적으로는, PAT를 실시하는 경우와 비교해서 1/K의 시간에 평가하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 기판(101)과 플레이트(102)를 다른 기판으로서 설명했다. 그러나, 기판(101)에 절연층이 제공되는 경우에는, 기판(101)은 플레이트(102)로서 사용될 수 있다.
<제2 실시형태>
제1 실시형태에서는, 기판 척(118) 및 기판 스테이지(119)(기판 보유지지 유닛)에 대전 유닛(108)을 제공하여 기판 척(118)에 의해 보유지지된 플레이트(102)를 대전시키는 경우에 대해서 설명했다. 제2 실시형태에서는, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로에서 플레이트(102)를 대전시키는 경우에 대해서 설명한다.
본 실시형태에서는, 대전 유닛(108A)이 도 9에 나타내는 바와 같이 기판 반송 용기(106)에 제공되고, 기판 반송 용기(106) 내부에서 플레이트(102)를 대전시킨다. 기판 반송 용기(106)는, 상술한 바와 같이, 기판의 반송 및 관리에 표준적으로 사용되는 FOUP에 의해 형성되며, FOUP에 간단한 개조를 추가함으로써 대전 유닛(108A)을 제공할 수 있다. 도 9는 기판 반송 용기(106)의 구성을 도시하는 개략도이다.
FOUP을 사용함으로써 이하에 설명하는 이점이 얻어질 수 있다. 임프린트 장치(1)의 EFEM(Equipment Front End Module)의 로드 포트에 FOUP를 탑재할 수 있다. 또한, 파티클이 부착된 플레이트(102)를 FOUP에 수용한 상태에서, FOUP를 임프린트 장치(1)로부터 외부 검사 장치에 반송하여 플레이트(102)에 부착된 파티클을 검사할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)의 본체부(임프린트 처리를 행하는 처리 유닛)의 외부에서 플레이트(102)를 대전시키기 때문에, 상술한 바와 같이, FOUP에 간단한 개조를 추가하면 되고, 임프린트 장치(1)의 본체부를 개조할 필요가 없다.
기판 반송 용기(106)에 제공된 대전 유닛(108A)은, 플레이트(102)에 접촉하는 프로브(200A), 프로브(200A)를 통해서 플레이트(102)에 전압을 인가하는 전원 유닛(201A), 및 플레이트(102)를 대전시키는 극성을 전환하는 전환 유닛(210A)을 포함한다.
프로브(200A)는, 본 실시형태에서는, 플레이트(102)의 표면에 직접 접촉하는 접촉자이다. 프로브(200A)는, 도전성을 확보하고 분진 발생을 최대한 저감시키기 위해서, 예를 들어 구형 선단 부분을 갖고, 마모가 적으며 산화되기 어려운 금속 재료로 구성된다. 플레이트(102)에 프로브(200A)를 접촉시키는 것에 의해 야기되는 분진 발생이 표면을 둘러싸는 것을 방지하기 위해서, 프로브(200A)를 플레이트(102)의 표면이 아니고 플레이트(102)의 측면에 접촉시킬 수 있다는 것에 유의한다.
전원 유닛(201A)은, 플레이트(102)를 대전시키는 극성을 변경하도록 구성되며, 예를 들어 복수 종류의 전원을 포함한다. 더 구체적으로는, 전원 유닛(201A)은, 마이너스 전극이 접지되고 플러스 전극이 전환 유닛(210A)를 통해서 프로브(200A)에 접속된 전원(201Aa), 및 플러스 전극이 접지되고 마이너스 전극이 전환 유닛(210A)를 통해서 프로브(200A)에 접속된 전원(201Ab)을 포함한다.
전환 유닛(210A)은, 플레이트(102)를 제1 극성 또는 제2 극성으로 선택적으로 대전시키기 위해서, 프로브(200A)에 전기적으로 접속되는 전원을, 전원(201Aa) 또는 전원(201Ab)으로 전환하는 스위치로서 형성된다. 제1 극성과 제2 극성은 서로 반대의 극성이며, 이중 하나는 플러스이고 다른 것은 마이너스라는 것에 유의한다. 예를 들어, 전환 유닛(210A)은, 플레이트(102)를 플러스로 대전시키기 위해, 전원(201Aa)을 프로브(200A)에 접속한다. 전환 유닛(210A)은, 플레이트(102)를 마이너스로 대전시키기 위해, 전원(201Ab)을 프로브(200A)에 접속한다. 전환 유닛(210A)은 프로브(200A)에의 전압 인가의 ON/OFF를 전환하는 스위치로서도 기능한다는 것에 유의한다.
이렇게 구성된 대전 유닛(108A)은, 프로브(200A)를 플레이트(102)에 접촉시키고, 전원 유닛(201A)(전원(201Aa) 또는 전원(201Ab))으로부터 프로브(200A)를 통해서 플레이트(102)에 전압을 인가하며, 플레이트(102)에 전하를 공급한다. 미리결정된 수의 전하가 플레이트(102)에 축적되면, 프로브(200A)와 전원 유닛(201A)이 접속된 상태에서 프로브(200A)는 플레이트(102)로부터 이격된다. 이에 의해, 플레이트(102)를 대전시키고 플레이트(102)의 대전된 상태를 유지할 수 있다. 플레이트(102)는 도전성을 갖고 있기 때문에, 플레이트(102)에서의 전하 분포를 균일하게 할 수 있다. 또한, 플레이트(102)의 표면 전위를 제어하기 쉽고, 재현성도 확보할 수 있다.
기판 반송 용기(106)(FOUP)의 내부에서는, 플레이트(102)에 접촉하는 부재로부터 플레이트(102)에 축적된 전하가 탈출하는 것을 방지할 필요가 있다. 예를 들어, 기판 반송 용기(106)에는, 플레이트(102) 또는 기판(101)을 적재하는 홈형 플레이트 부품(121)(Teeth)이 제공된다. 홈형 플레이트 부품(121)은, 플레이트(102)와 접촉하는 부재이며 따라서 절연 재료로 구성된다. 상술한 바와 같이, 기판 반송 용기(106)에서, 플레이트(102)와 접촉하는 부재는 절연 재료로 구성된다. 한편, 플레이트(102)와 접촉하지 않는 부재, 예를 들어 용기 본체(123)는, 도전성을 갖는 재료로 구성되며, 접지와 동일 전위로 설정된다.
본 실시형태에서, 가속 PAT를 실시할 때에는, 플레이트(102)는 (대전 유닛(108A)에 의해) 기판 척(118)에서 대전될 필요는 없다. 따라서, 도 8에 나타내는 단계 S808에서는, 기판 척(118)에 의해 플레이트(102)를 보유지지하면 충분하고, 플레이트(102)에 전압을 인가할 필요는 없다. 나머지 동작은 도 8에 나타내는 가속 PAT 동작과 동일하다는 것에 유의한다. 또한, PAT를 실시할 때에, 플레이트(102)는 (대전 유닛(108A)에 의해) 기판 반송 용기(106)에서 대전될 필요가 없다.
본 실시형태에서는, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로 중 하나인 기판 반송 용기(106)(의 내부)에서 플레이트(102)를 대전시키는 예에 대해서 설명했다. 그러나, 플레이트(102)를 대전시키는 지점은, 기판 반송 용기(106)로 한정되는 것이 아니라, 기판 반송 용기(106)와 기판 척(118) 사이의 반송 경로의 임의의 지점이 설정될 수 있다. 예를 들어, 프리얼라인먼트 및 온도 조절을 행하는 처리 스테이션(114)에서 플레이트(102)를 대전시킬 수 있다. 이 경우, 제1 실시형태와 마찬가지로, 대전 유닛(108A)이 처리 스테이션(114)에 제공되어 플레이트(102)를 대전시킨다.
<제3 실시형태>
제2 실시형태에서는, 대전 유닛(108A)이 기판 반송 용기(106)(FOUP)에 제공되어 플레이트(102)를 대전시키는 경우에 대해서 설명했다. 플레이트(102)의 하면은 절연되어 있기 때문에, 대전된 상태의 플레이트(102)를 기판 척(118) 및 기판 스테이지(119)(기판 보유지지 유닛)에 반송할 때에, 플레이트(102)에 축적한 전하는 결코 탈출하지 않는다는 것에 유의한다. 그러나, 플레이트(102)의 대전 전압은 플레이트(102)의 반송 경로에 의존해서 변동할 수 있다. 본 실시형태에서는, 플레이트(102)의 대전 전압의 변동을 억제하기 위한 방법에 대해서 설명한다.
기판 반송 용기(106)에서 플레이트(102)에 미리결정된 전압을 인가하면, 플레이트(102)의 대전 전압은 접지에 접속되고 있는 용기 본체(123)와 플레이트(102) 사이에 형성되는 커패시터의 용량에 의존해서 결정된다. 일반적으로, 평행판 커패시터의 정전 용량(C)은 C=εS/d에 의해 정의되며, 여기서 ε은 유전율이고, S는 표면적이며, d는 평행판의 간극 거리이다. 따라서, 평행판 커패시터의 정전 용량(C)은 평행판의 간극 거리에 반비례한다. 한편, 평행판에 축적되는 전하(Q)는, 대전 전압을 V로 하면, Q=CV로서 표현될 수 있다. 따라서, 대전 전압(V)은 정전 용량(C)에 의존한다. 이들을 고려하면, 플레이트(102)의 대전 전압은, 장치 내의 반송 경로 지점 사이의 정전 용량의 차이로 인해 변동할 수 있다.
본 실시형태에서는, 플레이트(102)의 대전 전압의 변동을 억제하기 위해서, 플레이트(102)에 대하여 커패시터 구조를 제공한다. 더 구체적으로는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(102e)의 표면에, SiO2 절연층(102d) 및 실리콘층(102c)을 순차적으로 형성한다. 도 10은 커패시터 구조를 갖는 플레이트(102)의 단면을 도시하는 도면이다. 도 10에 나타내는 구성은 일반적으로 SOI(Silicon on Insulator) 웨이퍼라고 불린다. 본 실시형태에서는, SOI 웨이퍼와 마찬가지로 플레이트(102)에 커패시터 구조를 제공하고, 커패시터 구조에 전하를 저장한다. 이 경우, 플레이트(102)에 제공된 커패시터 구조의 정전 용량은 변동하지 않기 때문에, 플레이트(102)를 장치 내에서 반송해도, 플레이트(102)의 대전 전압의 변동을 억제할 수 있다. 본 실시형태의 주요 요지는 플레이트(102)에 커패시터 구조를 제공하는 것이기 때문에, 예를 들어 실리콘층(102c)을 금속층에 치환할 수 있다는 것에 유의한다.
본 실시형태에서, 가속 PAT를 실시하는 때에는, 도 8에 나타내는 단계 S808에서는, 제2 실시형태와 마찬가지로, 플레이트(102)를 기판 척(118)에 제공된 대전 유닛(108A)에 의해 대전시킬 필요는 없고, 플레이트(102)를 기판 척(118)으로 보유지지하면 충분하다. 나머지 동작은 도 8에 나타내는 가속 PAT 동작과 동일하다는 것에 유의한다. 또한, PAT를 실시할 때에, 플레이트(102)는 (대전 유닛(108A)에 의해) 기판 반송 용기(106)에서 대전될 필요가 없다.
<제4 실시형태>
임프린트 장치(1)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 다양한 종류의 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 다양한 종류의 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 등의 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 11a에 나타내는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 준비한다. 계속해서, 잉크젯 방식 등에 의해 피가공재의 표면에 임프린트재를 도포한다. 여기에서는, 임프린트재가 복수의 액적으로서 기판 상에 도포된 상태를 나타내고 있다.
도 11b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용 몰드의, 돌출부 및 홈 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재에 대면시킨다. 도 11c에 나타내는 바와 같이, 임프린트재가 도포된 기판을 몰드와 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재는 몰드와 피가공재 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화 에너지로서 광을 몰드를 통해서 임프린트재에 조사하면, 임프린트재는 경화된다.
도 11d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재가 경화된 후, 몰드를 기판으로부터 분리한다. 따라서, 기판 상에 임프린트재의 경화물 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 홈은 경화물의 돌출부에 대응하며, 몰드의 돌출부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 임프린트재에 몰드(4z)의 돌출부 및 홈 패턴이 전사된다.
도 11e에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용해서 에칭을 행하면, 피가공재의 표면 중, 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈을 형성한다. 도 11f에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는, 경화물의 패턴을 제거하지만, 가공 후에 제거되지 않은 상태로 패턴이 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
또한, 도 3에 나타내는 평가 처리를 포함하는 임프린트 장치(1)의 제조 방법은 본 발명의 일 양태를 형성한다. 상기 제조 방법은, 임프린트 장치(1)의 부재를 조립하는 단계와, 도 3에 나타내는 평가 처리를 사용하여, 부재를 조립함으로써 형성된 임프린트 장치(1)의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 단계를 포함한다. 또한, 제조 방법을 사용하여 임프린트 장치(1)를 제조하는 단계와 임프린트 장치(1)를 사용하여 도 11a 내지 도 11f에 나타내는 동작을 행하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법도 본 발명의 일 양태를 형성한다.
상기 실시형태에서는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판 상의 임프린트재를 몰드를 사용해서 성형해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 예로서 설명했다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판 처리 장치는, 평탄한 표면을 갖는 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 평탄화하는 평탄화 장치 및 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치를 포함한다. 리소그래피 장치로서는, 원판을 통해서 기판을 노광해서 원판의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치, 또는 하전 입자빔(전자빔 또는 이온빔)을 사용해서 기판 상에 패턴을 묘화하는 묘화 장치가 존재한다. 또한, 기판 처리 장치는, 감광 매체를 기판 상에 도포하는 도포 장치, 및 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 현상 장치 등의 리소그래피 단계 이외의 단계에 사용되는 장치도 포함한다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클에 관한 장치 내의 상태를 평가하는 평가 방법이며,
    상기 장치 내부에 대전된 상태의 플레이트를 배치하는 단계와, 상기 기판을 처리하는 동작과는 상이한 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 파티클의 개수를 취득하는 단계; 및
    상기 대전된 상태의 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수에 대한 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트에 대해 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수의 비를 나타내는 계수와, 상기 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 상기 파티클의 개수에 기초하여 상기 장치 내의 상기 상태를 평가하는 단계를 포함하는 평가 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상태를 평가하는 단계에서는, 상기 계수 및 상기 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 상기 파티클의 개수에 기초하여 내부에 존재하는 파티클의 개수가 추정되고, 이에 의해 상기 장치 내의 상기 상태를 평가하는 평가 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 계수를 K로 하고, 상기 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 상기 파티클의 개수를 M1으로 하며, 상기 내부에 존재하는 파티클의 개수가 사양 값을 충족하고 있을 때에 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수를 M0으로 하면, 상기 상태를 평가하는 단계에서는, M1/K≤M0가 충족되는 경우에, 상기 장치 내의 상기 상태는 만족스럽다고 평가되는 평가 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트를 배치하는 단계 전에, 상기 계수를 취득하는 단계를 더 포함하고,
    상기 계수를 취득하는 단계에서는,
    상기 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트가 내부에 배치되고, 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수를 나타내는 제1 개수가 취득되고,
    상기 대전된 상태의 상기 플레이트가 내부에 배치되고, 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수를 나타내는 제2 개수가 취득되며,
    상기 계수는 상기 제1 개수 및 상기 제2 개수로부터 산출되는 평가 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 계수를 취득하는 단계는, 상기 기판 처리 장치를 조립할 때 또는 상기 기판 처리 장치의 유지보수를 행할 때에 행해지는 평가 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트를 배치하는 단계에서는, 상기 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트가 내부에 반입되며, 상기 플레이트는 내부에서 대전되는 평가 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트를 배치하는 단계에서는, 상기 대전된 상태의 상기 플레이트가 내부에 반입되는 평가 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 장치 내의 상기 상태는 상기 장치 내의 청정도를 포함하는 평가 방법.
  9. 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 보유지지 유닛; 및
    상기 보유지지 유닛에 제공된 대전 유닛을 포함하고,
    상기 보유지지 유닛은, 상기 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클을 부착시키기 위해 사용되는 플레이트를 보유지지하도록 구성되고,
    상기 대전 유닛은,
    상기 보유지지 유닛을 통해 연장되는 관통 구멍 내에 삽입되고 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 플레이트에 접촉하는 접촉자를 포함하며,
    상기 플레이트에 접촉되는 상기 접촉자에 전압을 인가하고, 상기 접촉자에 상기 전압이 인가되는 상태에서 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 이격시킴으로써 상기 플레이트를 대전시키는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플레이트는, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지되는 측의 표면에, 상기 표면의 일부분이 노출되도록 제공된 절연층을 포함하며,
    상기 접촉자는, 상기 절연층이 제공되어 있지 않은 상기 표면의 상기 일부분에 접촉하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 제조 방법이며,
    상기 기판 처리 장치를 구성하는 부재를 조립하는 단계; 및
    상기 부재를 조립함으로써 구성된 상기 기판 처리 장치의 내부에 존재하는 파티클에 관한 상기 장치 내의 상태를 평가하는 단계를 포함하고,
    상기 장치 내의 상기 상태를 평가하는 단계는,
    상기 장치 내부에 대전된 상태의 플레이트를 배치하고, 상기 기판을 처리하는 동작과는 상이한 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 파티클의 개수를 취득하는 단계; 및
    상기 대전된 상태의 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수에 대한 대전되지 않은 상태의 상기 플레이트에 대해 상기 더미 동작을 행함으로써 상기 플레이트에 부착된 상기 파티클의 개수의 비를 나타내는 계수와, 상기 플레이트를 배치하는 단계에서 취득된 상기 파티클의 개수에 기초하여 상기 장치 내의 상기 상태를 평가하는 단계를 포함하는 제조 방법.
  12. 물품 제조 방법이며,
    제1항에서 규정된 평가 방법에 의해 평가된 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 단계;
    처리된 상기 기판을 가공하는 단계; 및
    가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법.
  13. 물품 제조 방법이며,
    제9항에서 규정된 기판 처리 장치를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
    상기 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법.
  14. 물품 제조 방법이며,
    제11항에서 규정된 제조 방법을 사용해서 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제조하는 단계;
    상기 기판 처리 장치를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
    상기 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법.
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