KR20220143491A - Vacuum chuck and solution spraying device used therein - Google Patents

Vacuum chuck and solution spraying device used therein Download PDF

Info

Publication number
KR20220143491A
KR20220143491A KR1020210050067A KR20210050067A KR20220143491A KR 20220143491 A KR20220143491 A KR 20220143491A KR 1020210050067 A KR1020210050067 A KR 1020210050067A KR 20210050067 A KR20210050067 A KR 20210050067A KR 20220143491 A KR20220143491 A KR 20220143491A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
vacuum chuck
solution
unit
rings
Prior art date
Application number
KR1020210050067A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102528698B1 (en
Inventor
권재현
Original Assignee
에스아이콘 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스아이콘 주식회사 filed Critical 에스아이콘 주식회사
Priority to KR1020210050067A priority Critical patent/KR102528698B1/en
Publication of KR20220143491A publication Critical patent/KR20220143491A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102528698B1 publication Critical patent/KR102528698B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

The present invention relates to a vacuum chuck and a solution spray device used therein. The vacuum chuck comprises: a main body part in which a chamber connected to a power unit is formed, and when the air inside the chamber is discharged by the power unit, the inside of the chamber can be in a vacuum state; a suction part having a plurality of suction ports communicating with the chamber to suck the air when the inside of the chamber is in a vacuum state and coupled to the lower part of the main body part; and an adsorption unit including a plurality of O-rings having different diameters, capable of adsorbing a semiconductor wafer, and coupled to the lower part of the suction part. The semiconductor wafer may be adsorbed to the adsorption unit while being in contact with the plurality of O-rings. One object of the present invention is to prevent the surface of a semiconductor wafer from being damaged when the semiconductor wafer is adsorbed to a vacuum chuck.

Description

진공척 및 이에 사용되는 용액 분사 장치{VACUUM CHUCK AND SOLUTION SPRAYING DEVICE USED THEREIN}Vacuum chuck and solution spraying device used therein

본 발명은, 진공척 및 이에 사용되는 용액 분사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼를 손상 없이 흡착 가능하고, 반도체 웨이퍼의 식각 공정이 신속하고 정밀하게 수행될 수 있도록 반도체 웨이퍼를 흡착 가능한 진공척 및 이에 사용되는 용액 분사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum chuck and a solution spraying device used therein, and more particularly, to a vacuum capable of adsorbing a semiconductor wafer so that the semiconductor wafer can be adsorbed without damage and the etching process of the semiconductor wafer can be performed quickly and precisely. It relates to a chuck and a solution jetting device used therefor.

반도체 제조를 위한 각종 설비에는 반도체 웨이퍼를 흡착 가능한 진공척이 마련된다. 반도체 웨이퍼를 흡착할 수 있는 진공척은 일반적으로 진공척 하부에 형성된 구멍으로 공기의 흡인력이 발생하도록 구성되고, 이처럼 공기의 흡인력이 발생하는 진공척 하부에 반도체 웨이퍼를 접촉시킴으로써 반도체 웨이퍼를 진공척으로 흡착하게 된다.A vacuum chuck capable of adsorbing a semiconductor wafer is provided in various facilities for semiconductor manufacturing. A vacuum chuck capable of adsorbing a semiconductor wafer is generally configured to generate an air suction force through a hole formed in the lower portion of the vacuum chuck. will be adsorbed

진공척에 흡착된 반도체 웨이퍼는 진공척의 이동에 의해서 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 소정의 공정을 거치도록 이동된다. 예를 들면, 진공척에 흡착된 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼를 식각할 수 있는 용액(이하, 용액이라 한다)에 의해서 식각되도록 식각 공정이 수행되는 위치로 이동될 수 있다.The semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck is moved through a predetermined process for manufacturing the semiconductor wafer by the movement of the vacuum chuck. For example, the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck may be moved to a position where an etching process is performed so that the semiconductor wafer is etched by a solution (hereinafter, referred to as a solution) capable of etching the semiconductor wafer.

이러한 반도체 웨이퍼의 표면에는 정밀한 회로가 형성되기 때문에, 반도체 웨이퍼의 표면이 손상되면 제조된 반도체가 고장나거나 품질이 저하될 수 있다. 그러므로, 진공척에 흡착될 때 진공척 하부와 접촉하게 되는 반도체 웨이퍼의 표면이 손상되지 않도록 주의할 필요가 있다.Since a precise circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, if the surface of the semiconductor wafer is damaged, the manufactured semiconductor may fail or the quality may be deteriorated. Therefore, it is necessary to be careful not to damage the surface of the semiconductor wafer which comes into contact with the lower part of the vacuum chuck when it is adsorbed to the vacuum chuck.

그러나, 종래의 진공척은 하부가 단단한 재질로 형성되므로, 진공척의 하부와 접촉하면서 진공척에 흡착되는 반도체 웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생하는 문제가 있다.However, since the lower part of the conventional vacuum chuck is made of a hard material, there is a problem in that a scratch occurs on the surface of the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck while in contact with the lower part of the vacuum chuck.

한편, 진공척에 흡착된 반도체 웨이퍼를 식각하기 위해서 반도체 웨이퍼에 용액을 분사하는 경우, 반도체 웨이퍼의 식각이 필요한 부분 뿐만 아니라 식각이 되면 안되는 부분 또한 용액과의 접촉에 의해서 식각될 수 있다.On the other hand, when a solution is sprayed onto the semiconductor wafer to etch the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck, not only a portion of the semiconductor wafer that needs to be etched but also a portion that cannot be etched may be etched by contact with the solution.

이러한 문제를 해결하기 위해서 종래에는 반도체 웨이퍼의 식각이 되면 안되는 부분에 PTFE 테이프 등을 부착한 다음 반도체 웨이퍼에 용액을 분사하고, 나중에 PTFE 테이프 등을 반도체 웨이퍼로부터 분리하는 방법을 사용하기도 한다.In order to solve this problem, conventionally, a method of attaching a PTFE tape or the like to a portion of a semiconductor wafer that should not be etched, then spraying a solution on the semiconductor wafer, and later separating the PTFE tape from the semiconductor wafer is also used.

그러나, 이처럼 반도체 웨이퍼에 PTFE 테이프 등을 부착 및 탈착하는 공정을 수행하게 되면, 반도체 웨이퍼를 신속하게 제조할 수 없을 뿐만 아니라 반도체 웨이퍼의 제조 비용이 상승하게 되는 문제가 있다.However, when the process of attaching and detaching the PTFE tape or the like to the semiconductor wafer is performed as described above, there is a problem in that the semiconductor wafer cannot be manufactured quickly, and the manufacturing cost of the semiconductor wafer is increased.

본 발명의 일 과제는, 반도체 웨이퍼가 진공척에 흡착될 때 반도체 웨이퍼의 표면이 손상되는 것을 방지하는데 있다.One object of the present invention is to prevent the surface of the semiconductor wafer from being damaged when the semiconductor wafer is adsorbed to the vacuum chuck.

본 발명의 또 다른 과제는, 용액을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각함에 있어서, 반도체 웨이퍼에 PTFE 테이프 등을 부착 및 탈착하는 공정을 수행하지 않아도 반도체 웨이퍼의 식각이 필요한 부분만이 정밀하게 식각되도록 하는데 있다.Another object of the present invention is to accurately etch only the portion that needs to be etched of the semiconductor wafer without performing a process of attaching and detaching a PTFE tape or the like to the semiconductor wafer in etching the semiconductor wafer using a solution. .

본 발명의 또 다른 과제는, 용액을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각하는 공정이 신속하게 수행되도록 하는데 있다.Another object of the present invention is to quickly perform a process of etching a semiconductor wafer using a solution.

본 발명의 과제는 이상에서 언급된 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척은, 내부에 동력장치와 연결된 챔버가 형성되고, 상기 동력장치에 의해서 상기 챔버 내부의 공기가 배출되면 상기 챔버 내부가 진공 상태가 될 수 있는 본체부, 상기 챔버 내부가 진공 상태가 되면 공기를 흡입 가능하도록 상기 챔버와 연통되는 복수 개의 흡입구가 형성되며, 상기 본체부 하부에 결합되는 흡입부 및 직경이 서로 다른 복수 개의 오링을 포함하며, 반도체 웨이퍼를 흡착 가능하고, 상기 흡입부 하부에 결합되는 흡착부를 포함하고, 상기 반도체 웨이퍼는 복수 개의 상기 오링과 접촉되면서 상기 흡착부에 흡착 가능할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, in the vacuum chuck according to an embodiment of the present invention, a chamber connected to a power unit is formed therein, and when the air inside the chamber is discharged by the power unit, the chamber A main body in which the interior can be in a vacuum state, and a plurality of suction ports communicating with the chamber to allow air to be sucked when the inside of the chamber is in a vacuum state are formed, and the suction unit coupled to the lower body of the main body and the diameter are different from each other. It may include a plurality of O-rings, capable of adsorbing a semiconductor wafer, and include an adsorption unit coupled to a lower portion of the suction unit, wherein the semiconductor wafer is in contact with the plurality of O-rings and may be adsorbable to the suction unit.

또한, 복수 개의 상기 오링은 상기 흡입부 하부에 동심원 형상으로 배치될 수 있다.In addition, the plurality of O-rings may be arranged in a concentric circle shape under the suction unit.

또한, 상기 흡입구는 서로 인접하게 배치되는 두 개의 상기 오링 사이의 공간마다 하나 이상이 배치될 수 있다.In addition, at least one suction port may be disposed in each space between the two O-rings disposed adjacent to each other.

또한, 상기 흡입구는 복수 개의 상기 오링 중 직경이 가장 작은 내부 오링의 내부에 하나 이상이 배치될 수 있다.In addition, at least one suction port may be disposed inside an inner O-ring having the smallest diameter among the plurality of O-rings.

또한, 상기 오링은 불소고무로 형성될 수 있다.In addition, the O-ring may be formed of fluororubber.

또한, 복수 개의 상기 오링 중 직경이 가장 큰 외부 오링과 상기 반도체 웨이퍼가 접촉되는 부분의 형상이, 상기 반도체 웨이퍼가 식각되기 위한 부분을 제외한 부분의 테두리 형상과 동일해지도록, 상기 외부 오링이 형성될 수 있다.In addition, the outer O-ring may be formed so that the shape of a portion in which the outer O-ring having the largest diameter and the semiconductor wafer is in contact among the plurality of O-rings is the same as the shape of the edge of the portion except for the portion where the semiconductor wafer is to be etched. can

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 용액 분사 장치는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 진공척을 수용 가능한 수용부, 상기 진공척에 흡착된 상기 반도체 웨이퍼를 식각하기 위한 용액을 분사 가능한 용액 분사부 및 상기 반도체 웨이퍼에 분사된 상기 용액을 세척하기 위한 세척액을 분사 가능한 세척액 분사부를 포함할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, the solution spraying device according to an embodiment of the present invention is a accommodating part capable of accommodating the vacuum chuck according to any one of claims 1 to 6, in the vacuum chuck It may include a solution spraying unit capable of spraying a solution for etching the adsorbed semiconductor wafer and a cleaning liquid spraying part capable of spraying a cleaning solution for cleaning the solution sprayed onto the semiconductor wafer.

또한, 상기 용액 분사부는, 상기 진공척에 흡착된 상기 반도체 웨이퍼의 측면으로 상기 용액을 분사 가능한 복수 개의 용액 분사 노즐을 포함할 수 있다.The solution spraying unit may include a plurality of solution spraying nozzles capable of spraying the solution to a side surface of the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck.

과제를 해결하기 위한 기타 실시예들의 구체적인 사항들은 발명의 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments for solving the problem are included in the description and drawings of the invention.

전술한 본 발명의 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 진공척은, 반도체 웨이퍼가 복수 개의 유연한 재질의 오링과 접촉하면서 진공척의 흡착부에 흡착되므로, 반도체 웨이퍼가 진공척에 흡착될 때 반도체 웨이퍼의 표면이 손상되는 것이 방지되는 효과를 제공한다.According to the means for solving the problems of the present invention described above, in the vacuum chuck according to the present invention, since the semiconductor wafer is adsorbed to the adsorption part of the vacuum chuck while the semiconductor wafer is in contact with a plurality of flexible O-rings, when the semiconductor wafer is adsorbed to the vacuum chuck, the semiconductor It provides the effect that the surface of the wafer is prevented from being damaged.

또한, 반도체 웨이퍼에 용액이 분사되어도, 외부 오링이 반도체 웨이퍼와 간극 없이 접촉함에 따라 외부 오링보다 흡착부의 중심 방향에 가깝게 위치하는 반도체 웨이퍼의 상부 부분으로 용액이 침투될 수 없으므로, 신속하고 정확하게 반도체 웨이퍼의 식각이 필요한 부분만이 식각될 수 있는 효과를 제공한다.In addition, even when the solution is sprayed on the semiconductor wafer, the solution cannot penetrate into the upper part of the semiconductor wafer located closer to the center of the adsorption unit than the outer O-ring as the outer O-ring contacts the semiconductor wafer without a gap, so that the solution cannot penetrate into the semiconductor wafer quickly and accurately. It provides the effect that only the part that needs to be etched can be etched.

또한, 본 발명에 따른 진공척에 사용되는 용액 분사 장치는, 용액 분사부 및 세척액 분사부를 포함하여 구성되어 반도체 웨이퍼에 용액을 분사하고 분사된 용액을 세척하는 공정을 신속하게 수행 가능하므로, 반도체 웨이퍼를 식각하는 공정이 신속하게 수행될 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the solution spraying device used in the vacuum chuck according to the present invention is configured to include a solution spraying unit and a cleaning liquid spraying unit, so that the process of spraying the solution on the semiconductor wafer and cleaning the sprayed solution can be performed quickly, so that the semiconductor wafer It provides the effect that the process of etching can be performed quickly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I 선에 따른 진공척의 본체부의 단면도이다.
도 3은 도 1의 I-I 선에 따른 진공척의 흡입부의 단면도이다.
도 4는 복수 개의 오링으로 구성되는 진공척의 흡착부를 도시한 도면이다.
도 5는 흡착부가 결합된 흡입부의 하부를 도시한 도면이다.
도 6은 용액이 분사되어 식각되는 흡착부에 흡착된 반도체 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척에 사용되는 용액 분사 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a vacuum chuck according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the main body of the vacuum chuck taken along line II of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view of a suction part of the vacuum chuck taken along line II of FIG. 1 .
4 is a view illustrating an adsorption unit of a vacuum chuck including a plurality of O-rings.
5 is a view showing a lower portion of the suction unit to which the suction unit is coupled.
6 is a diagram illustrating a semiconductor wafer adsorbed to an adsorption unit that is etched by spraying a solution.
7 is a view showing a solution spraying device used in a vacuum chuck according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present application pertains can easily implement them. However, the present application may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a part is said to be "connected" with another part, it includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. As used throughout this specification, the terms "about," "substantially," and the like are used in a sense at or close to the numerical value when presented with manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning, and are intended to enhance the understanding of this application. To help, precise or absolute figures are used to prevent unfair use by unscrupulous infringers of the stated disclosure. The term "step of" or "step of" to the extent used throughout this specification does not mean "step for".

이하, 첨부한 도면들 및 후술되어 있는 내용을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the content to be described later. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척(1)의 구성에 관하여 설명한다.Hereinafter, the configuration of the vacuum chuck 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척을 도시한 도면이다.1 is a view showing a vacuum chuck according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하여 설명하면, 진공척(1)은 본체부(10), 흡입부(20), 흡착부(30)를 포함할 수 있으며, 흡착부(30) 하부에 반도체 웨이퍼(2)가 접촉되면 공기의 흡인력으로 반도체 웨이퍼(2)를 흡착할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the vacuum chuck 1 may include a main body 10 , a suction unit 20 , and an adsorption unit 30 , and the semiconductor wafer 2 is disposed under the suction unit 30 . When in contact, the semiconductor wafer 2 can be adsorbed by the suction force of air.

먼저, 본체부(10)에 관하여 설명한다.First, the main body 10 will be described.

도 2는 도 1의 I-I 선에 따른 진공척의 본체부의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the main body of the vacuum chuck taken along line I-I of FIG. 1 .

도 2를 참조하여 설명하면, 본체부(10)는 진공척(1)을 파지할 수 있는 외부 기구와 연결되도록 구성될 수 있으며, 내부에 외부 동력장치와 연결되며 소정의 부피를 가지는 공간인 챔버(11)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the main body 10 may be configured to be connected to an external mechanism capable of gripping the vacuum chuck 1 , and is connected to an external power device inside the chamber, which is a space having a predetermined volume. (11) can be formed.

챔버(11)와 연결된 동력장치는 챔버(11) 내부의 공기를 흡입하도록 작동될 수 있으며, 동력장치의 작동에 의해서 챔버(11) 내부 공간은 진공 상태가 될 수 있다. 한편, 동력장치는 종래의 공기 흡입 펌프 등으로 구성될 수 있다.The power unit connected to the chamber 11 may be operated to suck air inside the chamber 11 , and the inner space of the chamber 11 may be in a vacuum state by the operation of the power unit. On the other hand, the power unit may be composed of a conventional air suction pump or the like.

이어서, 흡입부(20)에 관하여 설명한다.Next, the suction unit 20 will be described.

도 3은 도 1의 I-I 선에 따른 진공척의 흡입부의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of a suction part of the vacuum chuck taken along line I-I of FIG. 1 .

도 3을 참조하여 설명하면, 흡입부(20)는 본체부(10) 하부에 결합될 수 있으며, 본체부(10)의 챔버(11)와 연통되는 복수 개의 흡입구(21)가 하부에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the suction unit 20 may be coupled to the lower portion of the main body 10 , and a plurality of suction ports 21 communicating with the chamber 11 of the main body 10 may be formed in the lower portion. can

흡입구(21)는 소정 길이의 직경을 가지는 구멍으로 형성될 수 있으며, 챔버(11) 내부가 진공 상태가 되면 챔버(11)와 연통된 흡입구를 통해서 공기가 흡입될 수 있다.The suction port 21 may be formed as a hole having a diameter of a predetermined length, and when the inside of the chamber 11 is in a vacuum state, air may be sucked through the suction port communicating with the chamber 11 .

이어서, 흡착부(30)에 관하여 설명한다.Next, the adsorption|suction part 30 is demonstrated.

도 4는 복수 개의 오링으로 구성되는 진공척의 흡착부를 도시한 도면이다.4 is a view illustrating an adsorption unit of a vacuum chuck including a plurality of O-rings.

도 4를 참조하여 설명하면, 흡착부(30)는 흡입부(20)의 하부에 결합될 수 있으며, 직경이 서로 다른 복수 개의 오링(30)으로 형성될 수 있다. 복수 개의 오링(30)은 불소 고무로 형성될 수 있으며, 직경이 가장 작은 내부 오링(31), 직경이 가장 큰 외부 오링(33), 내부 오링(31)과 외부 오링(33) 사이에 배치되는 중간 오링(32)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the adsorption unit 30 may be coupled to the lower portion of the suction unit 20 , and may be formed of a plurality of O-rings 30 having different diameters. The plurality of O-rings 30 may be formed of fluororubber, and are disposed between the inner O-ring 31 having the smallest diameter, the outer O-ring 33 having the largest diameter, and the inner O-ring 31 and the outer O-ring 33 . It may include an intermediate O-ring 32 .

흡착부(30)가 두 개의 오링(30)으로 형성되는 경우에 흡착부(30)는 내부 오링(31) 및 외부 오링(33)으로만 구성될 수 있지만, 흡착부(30)가 세 개 이상의 오링(30)으로 형성되는 경우에는 흡착부(30)는 내부 오링(31)과 외부 오링(33) 뿐만 아니라 하나 이상의 중간 오링(32)을 포함하여 구성될 수 있다.When the adsorption unit 30 is formed of two O-rings 30 , the adsorption unit 30 may consist only of the inner O-ring 31 and the outer O-ring 33 , but the adsorption unit 30 may include three or more O-rings. When the O-ring 30 is formed, the adsorption unit 30 may include an inner O-ring 31 and an outer O-ring 33 as well as one or more intermediate O-rings 32 .

이처럼 구성된 흡착부(30)는 흡입부(20)의 하부에 소정의 구조로 배치되도록 결합될 수 있다.The adsorption unit 30 configured as described above may be coupled to a lower portion of the suction unit 20 to have a predetermined structure.

도 5는 흡착부가 결합된 흡입부의 하부를 도시한 도면이다.5 is a view showing a lower portion of the suction unit to which the suction unit is coupled.

예를 들어, 도 5를 참조하여 설명하면, 흡착부(30)를 형성하는 복수 개의 오링(30)은 동심원 형상으로 배치되도록 흡입부(20)의 하부에 결합될 수 있다.For example, referring to FIG. 5 , the plurality of O-rings 30 forming the suction unit 30 may be coupled to the lower portion of the suction unit 20 to be arranged in a concentric circle shape.

그리고, 흡입부(20)의 흡입구(21)는 내부 오링(31)의 내부에 하나 이상이 배치되고, 서로 인접하게 배치되는 두 개의 오링(30) 사이의 공간마다 하나 이상이 배치될 수 있다.In addition, at least one suction port 21 of the suction unit 20 may be disposed inside the inner O-ring 31 , and at least one suction port may be disposed in each space between two O-rings 30 disposed adjacent to each other.

이처럼 흡입구(21) 및 흡착부(30)가 배치됨으로써, 반도체 웨이퍼(2)가 흡착부(30)와 접촉한 상태에서 흡입구(21)에 공기의 흡인력이 발생하면, 반도체 웨이퍼(2)는 흡착부(30)에 흡착되게 된다.By disposing the suction port 21 and the suction unit 30 as described above, when the suction force of air is generated in the suction port 21 while the semiconductor wafer 2 is in contact with the suction unit 30 , the semiconductor wafer 2 is suctioned. It is adsorbed to the part (30).

그리고, 흡착부(30)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)는 동심원 형상의 복수 개의 오링(30)에 의해서 골고루 힘을 받도록 지지되므로, 흡착부(30)에 흡착되어도 휘어져서 훼손되는 것이 방지될 수 있다.And, since the semiconductor wafer 2 adsorbed to the adsorption unit 30 is supported so as to receive a force evenly by the plurality of concentric O-rings 30 , it can be prevented from being bent and damaged even when adsorbed to the adsorption unit 30 . have.

뿐만 아니라, 흡착부(30)에 흡착되는 반도체 웨이퍼(2)는 유연한 불소 고무 재질의 복수 개의 오링(30)과 접촉하므로, 반도체 웨이퍼(2)의 상부 부분에 스크래치 등이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, since the semiconductor wafer 2 adsorbed to the adsorption unit 30 is in contact with the plurality of O-rings 30 made of flexible fluororubber material, it is possible to prevent scratches, etc. from occurring on the upper portion of the semiconductor wafer 2 . have.

한편, 흡착부(30)는 외부 오링(33)을 구비함으로써, 반도체 웨이퍼(2)를 용액을 이용하여 식각하는 공정이 보다 신속하고 정밀하게 수행되도록 할 수 있다.Meanwhile, since the adsorption unit 30 includes the external O-ring 33 , the process of etching the semiconductor wafer 2 using a solution may be performed more quickly and precisely.

도 6은 용액이 분사되어 식각되는 흡착부에 흡착된 반도체 웨이퍼를 도시한 도면이다.6 is a diagram illustrating a semiconductor wafer adsorbed to an adsorption unit that is etched by spraying a solution.

예를 들어, 도 6을 참조하여 설명하면, 진공척(1)의 흡착부(30)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)에 용액을 분사할 수 있는 노즐(3)로부터 용액이 분사될 수 있다.For example, referring to FIG. 6 , the solution may be sprayed from the nozzle 3 capable of spraying the solution onto the semiconductor wafer 2 adsorbed on the adsorption unit 30 of the vacuum chuck 1 .

이 때, 반도체 웨이퍼(2)의 상부 부분의 외주연은 외부 오링(33)과 간극 없이 접촉하고 있으므로, 반도체 웨이퍼(2)와 외부 오링(33)이 접촉되는 부분보다 흡착부(30)의 중심 방향에 가깝게 위치하는 반도체 웨이퍼(2)의 상부 부분은 용액과 접촉하지 않게 된다.At this time, since the outer periphery of the upper portion of the semiconductor wafer 2 is in contact with the outer O-ring 33 without a gap, the center of the adsorption unit 30 is higher than the portion where the semiconductor wafer 2 and the outer O-ring 33 are in contact. The upper part of the semiconductor wafer 2 located close to the direction does not come into contact with the solution.

그러므로, 반도체 웨이퍼(2)에 용액이 분사되면, 반도체 웨이퍼(2)와 외부 오링(33)이 접촉되는 부분보다 흡착부(30)의 중심 방향으로부터 멀리 위치하는 반도체 웨이퍼(2)의 상부 부분 및 반도체 웨이퍼(2)의 측면 만이 용액에 의해서 식각된다.Therefore, when the solution is sprayed onto the semiconductor wafer 2 , the upper portion of the semiconductor wafer 2 positioned farther from the center direction of the adsorption unit 30 than the portion where the semiconductor wafer 2 and the outer O-ring 33 are in contact, and Only the side of the semiconductor wafer 2 is etched by the solution.

즉, 흡착부(30)가 외부 오링(33)을 구비함으로써 반도체 웨이퍼(2)에 PTFE 테이프 등을 부착 및 탈착하는 공정을 수행하지 않아도, 흡착부(30)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)에 용액을 분사하여 신속하게 반도체 웨이퍼(2)를 식각할 수 있다.That is, since the adsorption unit 30 is provided with the external O-ring 33 , the semiconductor wafer 2 adsorbed to the adsorption unit 30 does not perform a process of attaching and detaching the PTFE tape to the semiconductor wafer 2 . The semiconductor wafer 2 can be etched quickly by spraying the solution.

또한, 외부 오링(33)을 소정의 형상으로 형성하여 반도체 웨이퍼(2)와 외부 오링(33)이 접촉되는 부분의 형상을 한정함으로써, 반도체 웨이퍼(2)의 식각이 필요한 부분만이 정밀하게 식각되도록 할 수 있다.In addition, by forming the outer O-ring 33 in a predetermined shape to limit the shape of the portion in which the semiconductor wafer 2 and the outer O-ring 33 are in contact, only the portion requiring etching of the semiconductor wafer 2 is precisely etched. can make it happen

구체적으로, 외부 오링(33)과 반도체 웨이퍼(2)가 접촉되는 부분의 형상이, 반도체 웨이퍼(2)가 식각되기 위한 부분을 제외한 부분의 테두리 형상과 동일해지도록 외부 오링(33)을 형성하고, 흡착부(30)로 반도체 웨이퍼(2)를 흡착하여 반도체 웨이퍼(2)에 용액을 분사하면 반도체 웨이퍼(2)의 식각되기 위한 부분만이 정밀하게 식각될 수 있다.Specifically, the outer O-ring 33 is formed so that the shape of the portion where the outer O-ring 33 and the semiconductor wafer 2 is in contact is the same as the shape of the edge of the portion except for the portion where the semiconductor wafer 2 is to be etched. , when the semiconductor wafer 2 is adsorbed by the adsorption unit 30 and the solution is sprayed onto the semiconductor wafer 2 , only the portion to be etched of the semiconductor wafer 2 can be precisely etched.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척(1)에 사용되는 용액 분사 장치(5)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a solution spraying device 5 used in the vacuum chuck 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척에 사용되는 용액 분사 장치를 도시한 도면이다.7 is a view showing a solution spraying device used in a vacuum chuck according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하여 설명하면, 용액 분사 장치(5)는 수용부(100), 용액 분사부(200), 세척액 분사부(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the solution spraying device 5 may include a receiving part 100 , a solution spraying part 200 , and a washing liquid spraying part 300 .

먼저, 수용부(100)에 관하여 설명한다.First, the accommodating part 100 will be described.

수용부(100)는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척(1)을 수용할 수 있도록 구성된다. 예를 들어 설명하면, 수용부(100)는 진공척(1)이 용액 분사 장치(5)의 내부에 위치할 수 있도록 비어있는 공간으로 형성될 수 있다.The accommodating part 100 is configured to accommodate the vacuum chuck 1 according to the embodiment of the present invention described above. For example, the accommodating part 100 may be formed as an empty space so that the vacuum chuck 1 can be located inside the solution spraying device 5 .

이어서, 용액 분사부(200)에 관하여 설명한다.Next, the solution spraying unit 200 will be described.

용액 분사부(200)는 반도체 웨이퍼(2)를 흡착한 진공척(1)이 수용부(100)에 수용되면, 반도체 웨이퍼(2)를 식각하기 위한 용액을 분사 가능하도록 구성될 수 있다.When the vacuum chuck 1 on which the semiconductor wafer 2 is adsorbed is accommodated in the accommodating part 100 , the solution spraying unit 200 may be configured to spray a solution for etching the semiconductor wafer 2 .

예를 들어, 도 7을 도시된 바와 같이, 용액 분사부(200)는 수용부(100)에 수용된 진공척(1)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)의 측면으로 용액을 분사 가능한 복수 개의 용액 분사 노즐(210)을 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 7 , the solution spraying unit 200 sprays a plurality of solutions capable of spraying the solution to the side of the semiconductor wafer 2 adsorbed to the vacuum chuck 1 accommodated in the receiving part 100 . A nozzle 210 may be included.

이어서, 세척액 분사부(300)에 관하여 설명한다.Next, the washing liquid spraying unit 300 will be described.

세척액 분사부(300)는 용액 분사부(200)에 의해서 진공척(1)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)에 분사된 용액을 세척하기 위한 세척액을 분사 가능하도록 구성될 수 있다.The cleaning liquid spraying unit 300 may be configured to spray a cleaning liquid for cleaning the solution sprayed onto the semiconductor wafer 2 adsorbed to the vacuum chuck 1 by the solution spraying unit 200 .

예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 세척액 분사부(300)는 수용부(100)에 수용된 진공척(1)의 상부에 위치하며, 진공척(1)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)를 향해서 세척액을 분사할 수 있는 복수 개의 노즐로 구성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7 , the cleaning liquid spraying unit 300 is positioned above the vacuum chuck 1 accommodated in the receiving unit 100 , and the semiconductor wafer 2 is adsorbed to the vacuum chuck 1 . It may be composed of a plurality of nozzles that can spray the washing liquid toward the.

이하, 본 발명의 진공척(1) 및 이에 사용되는 용액 분사 장치(5)의 작용 및 효과에 관하여 설명한다.Hereinafter, the action and effect of the vacuum chuck 1 of the present invention and the solution spraying device 5 used therein will be described.

반도체 웨이퍼(2)를 흡착하기 위해서 진공척(1)의 흡착부(30)에 반도체 웨이퍼(2)를 접촉시키고, 동력장치를 작동시킴으로써 반도체 웨이퍼(2)를 흡착부(30)에 흡착시킬 수 있다.In order to adsorb the semiconductor wafer 2 , the semiconductor wafer 2 is brought into contact with the adsorption unit 30 of the vacuum chuck 1 , and the power unit is operated to cause the semiconductor wafer 2 to be adsorbed to the adsorption unit 30 . have.

흡착부(30)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)는 동심원 형상으로 배치되며 불소 고무로 형성된 복수 개의 오링(30)에 의해서 지지되므로, 휘어지는 것이 방지되며 흡착부(30)와 접촉하는 상부 부분에 스크래치가 발생되는 것이 방지된다.Since the semiconductor wafer 2 adsorbed to the adsorption unit 30 is arranged in a concentric circle shape and supported by a plurality of O-rings 30 formed of fluororubber, it is prevented from bending and scratches on the upper portion in contact with the adsorption unit 30 . is prevented from occurring.

한편, 진공척(1)에 흡착된 반도체 웨이퍼(2)는 용액을 이용한 식각 공정을 수행하기 위해서 진공척(1)에 의해 이동될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor wafer 2 adsorbed to the vacuum chuck 1 may be moved by the vacuum chuck 1 to perform an etching process using a solution.

구체적으로, 반도체 웨이퍼(2)를 흡착한 진공척(1)은 용액 분사 장치(5)의 수용부(100)로 이동할 수 있으며, 수용부(100)에 진공척(1)이 수용되면 용액 분사 장치(5)의 용액 분사부(200)가 반도체 웨이퍼(2)의 측면으로 용액을 분사할 수 있다.Specifically, the vacuum chuck 1 adsorbing the semiconductor wafer 2 may move to the receiving part 100 of the solution jetting device 5 , and when the vacuum chuck 1 is accommodated in the receiving part 100 , the solution jetting The solution spraying unit 200 of the device 5 may spray the solution to the side of the semiconductor wafer 2 .

이 때, 반도체 웨이퍼(2)의 상부 부분 중 외부 오링(33)과 접촉되는 부분보다 흡착부(30)의 중심 방향과 가깝게 위치하는 부분은 용액에 의해서 식각되지 않으므로, PTFE 테이프 등을 부착 및 탈착하는 공정을 수행하지 않아도 반도체 웨이퍼(2)를 신속하고 정밀하게 식각할 수 있다.At this time, since the portion of the upper portion of the semiconductor wafer 2 that is located closer to the center of the adsorption unit 30 than the portion in contact with the outer O-ring 33 is not etched by the solution, the PTFE tape or the like is attached and detached. The semiconductor wafer 2 can be etched quickly and precisely without performing a process.

그리고, 용액이 분사된 반도체 웨이퍼(2)에는 세척액 분사부(300)로부터 세척액이 분사되어 용액을 세척하는 공정이 이루어지게 된다.Then, the cleaning solution is sprayed from the cleaning solution spraying unit 300 to the semiconductor wafer 2 onto which the solution has been sprayed, and a process of cleaning the solution is performed.

이처럼, 본 발명에 따른 진공척은, 반도체 웨이퍼가 복수 개의 유연한 재질의 오링과 접촉하면서 진공척의 흡착부에 흡착되므로, 반도체 웨이퍼가 진공척에 흡착될 때 반도체 웨이퍼의 표면이 손상되는 것이 방지되는 효과를 제공한다.As such, in the vacuum chuck according to the present invention, since the semiconductor wafer is adsorbed to the adsorption part of the vacuum chuck while the semiconductor wafer is in contact with a plurality of flexible O-rings, damage to the surface of the semiconductor wafer is prevented when the semiconductor wafer is adsorbed to the vacuum chuck provides

또한, 반도체 웨이퍼에 용액이 분사되어도, 외부 오링이 반도체 웨이퍼와 간극 없이 접촉함에 따라 외부 오링보다 흡착부의 중심 방향에 가깝게 위치하는 반도체 웨이퍼의 상부 부분으로 용액이 침투될 수 없으므로, 신속하고 정확하게 반도체 웨이퍼의 식각이 필요한 부분만이 식각될 수 있는 효과를 제공한다.In addition, even when the solution is sprayed on the semiconductor wafer, the solution cannot penetrate into the upper part of the semiconductor wafer located closer to the center of the adsorption unit than the outer O-ring as the outer O-ring contacts the semiconductor wafer without a gap, so that the solution cannot penetrate into the semiconductor wafer quickly and accurately. It provides the effect that only the part that needs to be etched can be etched.

또한, 본 발명에 따른 진공척에 사용되는 용액 분사 장치는, 용액 분사부 및 세척액 분사부를 포함하여 구성되어 반도체 웨이퍼에 용액을 분사하고 분사된 용액을 세척하는 공정을 신속하게 수행 가능하므로, 반도체 웨이퍼를 식각하는 공정이 신속하게 수행될 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the solution spraying device used in the vacuum chuck according to the present invention is configured to include a solution spraying unit and a cleaning liquid spraying unit, so that the process of spraying the solution on the semiconductor wafer and cleaning the sprayed solution can be performed quickly, so that the semiconductor wafer It provides the effect that the process of etching can be performed quickly.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and likewise components described as distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

1 : 진공척
2 : 반도체 웨이퍼
3 : 노즐
5 : 용액 분사 장치
10 : 본체부
11 : 챔버
20 : 흡입부
21 : 흡입구
30 : 흡착부
31 : 내부 오링
32 : 중간 오링
33 : 외부 오링
100 : 수용부
200 : 용액 분사부
210 : 용액 분사 노즐
300 : 세척액 분사부1: vacuum chuck
2: semiconductor wafer
3: Nozzle
5: solution spraying device
10: body part
11: chamber
20: suction part
21 : intake
30: adsorption unit
31 : inner O-ring
32: middle o-ring
33: outer o-ring
100: receptacle
200: solution injection unit
210: solution spray nozzle
300: washing liquid spraying part

Claims (8)

내부에 동력장치와 연결된 챔버가 형성되고, 상기 동력장치에 의해서 상기 챔버 내부의 공기가 배출되면 상기 챔버 내부가 진공 상태가 될 수 있는 본체부;
상기 챔버 내부가 진공 상태가 되면 공기를 흡입 가능하도록 상기 챔버와 연통되는 복수 개의 흡입구가 형성되며, 상기 본체부 하부에 결합되는 흡입부; 및
직경이 서로 다른 복수 개의 오링을 포함하며, 반도체 웨이퍼를 흡착 가능하고, 상기 흡입부 하부에 결합되는 흡착부를 포함하고,
상기 반도체 웨이퍼는 복수 개의 상기 오링과 접촉되면서 상기 흡착부에 흡착 가능한, 진공척.
a body part having a chamber connected to the power unit formed therein, and capable of putting the inside of the chamber into a vacuum state when the air inside the chamber is discharged by the power unit;
a plurality of suction ports communicating with the chamber are formed to suck air when the inside of the chamber is in a vacuum state, and a suction unit coupled to a lower portion of the main body; and
It includes a plurality of O-rings having different diameters, capable of adsorbing a semiconductor wafer, and includes an adsorption unit coupled to a lower portion of the suction unit,
The semiconductor wafer is in contact with the plurality of O-rings and can be adsorbed to the adsorption unit, a vacuum chuck.
 제1항에 있어서,
복수 개의 상기 오링은 상기 흡입부 하부에 동심원 형상으로 배치되는, 진공척.
According to claim 1,
A plurality of the O-rings are disposed in a concentric circle shape under the suction part, vacuum chuck.
 제2항에 있어서,
상기 흡입구는 서로 인접하게 배치되는 두 개의 상기 오링 사이의 공간마다 하나 이상이 배치되는, 진공척.
3. The method of claim 2,
At least one suction port is disposed in each space between the two O-rings disposed adjacent to each other.
 제3항에 있어서,
상기 흡입구는 복수 개의 상기 오링 중 직경이 가장 작은 내부 오링의 내부에 하나 이상이 배치되는, 진공척.
4. The method of claim 3,
At least one suction port is disposed inside an inner O-ring having the smallest diameter among the plurality of O-rings.
 제4항에 있어서,
상기 오링은 불소고무로 형성되는, 진공척.
5. The method of claim 4,
The O-ring is formed of fluororubber, vacuum chuck.
 제5항에 있어서,
복수 개의 상기 오링 중 직경이 가장 큰 외부 오링과 상기 반도체 웨이퍼가 접촉되는 부분의 형상이, 상기 반도체 웨이퍼가 식각되기 위한 부분을 제외한 부분의 테두리 형상과 동일해지도록, 상기 외부 오링이 형성되는, 진공척.
6. The method of claim 5,
The outer O-ring is formed such that the shape of a portion in which the outer O-ring having the largest diameter and the semiconductor wafer contact among the plurality of O-rings is the same as the shape of the edge of the portion except for the portion for the semiconductor wafer to be etched. chuck.
 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 진공척을 수용 가능한 수용부;
상기 진공척에 흡착된 상기 반도체 웨이퍼를 식각하기 위한 용액을 분사 가능한 용액 분사부; 및
상기 반도체 웨이퍼에 분사된 상기 용액을 세척하기 위한 세척액을 분사 가능한 세척액 분사부를 포함하는, 용액 분사 장치.
Claims 1 to 6, wherein any one of the vacuum chuck according to any one of the receiving portion capable of accommodating;
a solution spraying unit capable of spraying a solution for etching the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck; and
and a cleaning liquid spraying unit capable of spraying a cleaning liquid for cleaning the solution sprayed onto the semiconductor wafer.
 제7항에 있어서,
상기 용액 분사부는,
상기 진공척에 흡착된 상기 반도체 웨이퍼의 측면으로 상기 용액을 분사 가능한 복수 개의 용액 분사 노즐을 포함하는, 용액 분사 장치.8. The method of claim 7,
The solution spraying unit,
and a plurality of solution spray nozzles capable of spraying the solution to a side surface of the semiconductor wafer adsorbed to the vacuum chuck.
KR1020210050067A 2021-04-16 2021-04-16 Vacuum chuck and solution spraying device used therein KR102528698B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210050067A KR102528698B1 (en) 2021-04-16 2021-04-16 Vacuum chuck and solution spraying device used therein

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210050067A KR102528698B1 (en) 2021-04-16 2021-04-16 Vacuum chuck and solution spraying device used therein

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220143491A true KR20220143491A (en) 2022-10-25
KR102528698B1 KR102528698B1 (en) 2023-05-08

Family

ID=83804195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210050067A KR102528698B1 (en) 2021-04-16 2021-04-16 Vacuum chuck and solution spraying device used therein

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102528698B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116098500A (en) * 2023-02-10 2023-05-12 青岛理工大学 A face wall cleaning robot for building

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070009781A (en) * 2005-07-14 2007-01-19 삼성전자주식회사 Wafer chuck
KR20090044551A (en) * 2007-10-31 2009-05-07 주식회사 하이닉스반도체 Apparatus for manufacturing semiconductor device and method using the same
JP2015192019A (en) * 2014-03-28 2015-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス substrate processing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070009781A (en) * 2005-07-14 2007-01-19 삼성전자주식회사 Wafer chuck
KR20090044551A (en) * 2007-10-31 2009-05-07 주식회사 하이닉스반도체 Apparatus for manufacturing semiconductor device and method using the same
JP2015192019A (en) * 2014-03-28 2015-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス substrate processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116098500A (en) * 2023-02-10 2023-05-12 青岛理工大学 A face wall cleaning robot for building
CN116098500B (en) * 2023-02-10 2024-04-26 青岛理工大学 A face wall cleaning robot for building

Also Published As

Publication number Publication date
KR102528698B1 (en) 2023-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4018958B2 (en) Substrate processing equipment
US6869890B2 (en) Processing apparatus to be sealed against workpiece
US20100048022A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP6352827B2 (en) Substrate processing equipment
KR20050013484A (en) Substrate supporting apparatus and substrate detaching method
KR20220143491A (en) Vacuum chuck and solution spraying device used therein
KR102435772B1 (en) Chuck table and cleaning apparatus
JP2006196691A (en) Device for manufacturing semiconductor and manufacturing method for semiconductor device
KR20150075357A (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
KR102482598B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20110071840A (en) Nozzle unit for cleaning apparatus
JP2003045845A (en) Wafer edge etching washing treatment apparatus
KR20190143624A (en) Multi nozzle for cleaning wafer
KR101037467B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device and method using the same
KR101749930B1 (en) Suction cleaning device of nozzle for high precision dispenser
JP7504421B2 (en) Substrate Processing Equipment
JP5706981B2 (en) Substrate processing equipment
CN220825254U (en) Middle frame ion cleaning device
KR101213967B1 (en) Wafer cleaning apparatus
JPH09225768A (en) Board holding device
KR20040051201A (en) Vaccum tweezer for wafer carrying
CN110854043A (en) Wafer loading finger of pre-vacuum lock chamber
JP2006054286A (en) Vacuum chuck jig, vacuum chuck method, and manufacturing method of liquid-droplet discharging head
JPH06204198A (en) Cleaning device for semiconductor substrate
JP6563098B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right