KR20220134367A - 핵생성 억제 형성용 물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 - Google Patents

핵생성 억제 형성용 물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 Download PDF

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KR20220134367A
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Abstract

유기 전계 발광 소자의 실질적인 음극을 패턴화 하는 유기 화합물를 제공한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 배치된 정공 유기물층; 상기 정공 유기물층 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 전자 유기물층; 상기 전자 유기물층 상에 배치되고 제2 전극의 발광층 패턴과 겹치지 않도록 배치된 핵생성억제층; 및 상기 제2 전극의 발광층 패턴과 겹치도록 배치된 전도성 증착층;을 포함하며, 상기 핵생성억제층은 하기 화학식 1로 표시되는 유기 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00436

(상기 화학식 1에서 각 치환기들은 발명의 상세한 설명에서 정의한 바와 같다.)

Description

핵생성 억제 형성용 물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자{Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and organic electroluminescent device including the same}
본 발명은 일반적으로 표면 상에 전기 전도성 증착막을 선택적으로 증착하는데 사용하기 위한 핵생성 억제 형성용 물질, 또한 이러한 물질을 포함한 핵생성 억제 증착막 및 전도성 증착막을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
디스플레이 산업에서 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 작은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있다. LCD(Liquid Crystal Display)는 시야각이 제한되고, 자체 발광형이 아니므로 별도의 광원이 필요하다는 단점을 가지고 있다. 이러한 이유로 자기 발광 현상을 이용한 디스플레이로서 OLED(유기발광다이오드, Organic Light Emitting Diodes)가 주목받고 있다.
OLED에 있어, 1963년 Pope 등에 의하여 안트라센(Anthracene) 방향족 탄화수소의 단결정을 이용한 캐리어 주입형 전계발광(Electroluminescence; EL)의 연구가 최초로 시도되었다. 이러한 연구로부터 유기물에서 전하주입, 재결합, 여기자 생성, 발광 등의 기초적 메커니즘과 전기발광 특성 등이 이해되고 연구되어 왔다.
특히 발광 효율을 높이기 위해 소자의 구조 변화 및 물질 개발 등 다양한 접근이 이루어지고 있다[Sun, S., Forrest, S. R., Appl. Phys. Lett. 91, 263503 (2007)/Ken-Tsung Wong, Org. Lett., 7, 2005, 5361-5364].
OLED 디스플레이의 기본적 구조는, 일반적으로 양극(Anode), 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층 (Emission Layer, EML), 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL), 그리고 음극(Cathode)의 다층 구조로 구성되며, 전자 유기 다층막이 두 전극 사이에 형성된 샌드위치 구조로 되어 있다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다.
이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면, 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높게 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발현하기 위해, 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 개발되었고, 이로 인해 상용화된 제품들에 의해 유기 발광 소자의 성능을 인정받고 있다.
OLED 장치는 통상적으로 장치로부터 빛이 방출되는 상대적인 방향에 따라 "배면 발광(bottom-emission)"또는 "전면 발광(top-emission)"장치로 분류될 수 있다. 배면 발광 장치에서는 방사 재결합 과정의 결과로 발생된 빛이 장치의 베이스 기판 쪽의 방향으로 방출되는 반면, 전면 발광 장치에서는 빛이 베이스 기판에서 멀어지는 방향으로 방출된다. 따라서, 베이스 기판에 근접한 전극은 일반적으로 배면 발광 장치에서 광 투과성(예를 들어, 실질적으로 투명 또는 반투명)으로 만들어지는 반면, 전면 발광 장치에서는 베이스 기판에서 원위에 있는 전극은 일반적으로 빛의 감쇠를 줄이기 위해 빛을 투과하도록 만들어 진다. 특정 장치 구조에 따라 애노드 또는 캐소드가 전면 발광 및 배면 발광 장치에서 투과형 전극으로 작용할 수 있다.
상기 장치 구성에 더하여, 투명 또는 반투명 OLED 장치도 구현될 수 있으며, 여기서 상기 장치는 상기 장치를 통해 외부 광이 투과될 수 있도록 하는 투명한 부분을 포함한다. 예를 들어, 투명 OLED 디스플레이 장치에서, 이웃하는 각 픽셀 사이의 비 발광 영역에 투명한 부분이 제공될 수 있다. 다른 예에서, 투명 OLED 조명 패널은 패널의 발광 영역 사이에 복수개의 투명 영역을 제공함으로써 형성될 수 있다. 투명 또는 반투명 OLED 장치는 배면 발광, 전면 발광 또는 양면 발광 장치일 수 있다.
캐소드 또는 애노드가 투과형 전극으로 선택될 수 있지만 통상적인 전면 발광 장치는 광 투과형 캐소드를 포함한다. 투과형 캐소드를 형성하는 데 통상적으로 사용되는 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 부피로 약 1:9 내지 약 9:1의 범위의 조성을 갖는 마그네슘 은(Mg:Ag) 합금 및 이테르븀 은(Yb:Ag)와 같은 다양한 금속 합금의 얇은 층을 증착함으로써 형성된 것과 같은 박막뿐만 아니라 인듐 주석 산화물(ITO) 및 아연 산화물(ZnO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO: transparent conducting oxide)을 포함한다. 2개 이상의 TCO 층 및/또는 금속 박막을 포함하는 다층 캐소드도 사용될 수 있다. 특히 박막의 경우, 최대 약 수십 나노 미터의 상대적으로 얇은 층 두께는 OLED에 사용하기 위한 향상된 투명성과 유리한 광학적 특성(예컨대, 감소된 미세공동 효과)에 기여한다. 그러나 투과형 전극의 두께가 감소하면 면저항 증가가 수반된다. 면저항이 높은 전극은 일반적으로 OLED에 사용하기에 바람직하지 않은데, 이는 장치를 사용할 때 큰 전류-저항(IR) 강하가 발생하여 OLED의 성능과 효율에 해를 끼치기 때문이다. IR 강하는 전원 공급 레벨을 높여 어느 정도 보상될 수 있다. 그러나 한 픽셀에 대한 전원 공급 레벨을 증가시키면 장치의 정상적인 동작을 유지하기 위해 다른 성분에 공급되는 전압도 높아져 바람직하지 않다.
전면 발광 OLED 장치에 대한 전원 공급 사양을 줄이기 위해 장치에 버스바(busbar) 구조 또는 보조 전극을 형성하는 솔루션이 제안되었다. 예를 들어, 이러한 보조 전극은 OLED 장치의 투과형 전극과 전기적으로 소통하는 전도성 증착막을 증착함으로써 형성될 수 있다. 이러한 보조 전극은 면저항 및 투과성 전극의 관련 IR 강하를 낮춤으로써 전류가 장치의 다양한 영역에 보다 효과적으로 전달되도록 할 수 있다.
음극표면을 패턴화하는 방법중 하나로 음극을 전체를 코팅한 후, 레이저를 사용하여 음극을 부분적으로 제거하여 음극을 패턴화하는 방법이 있다. 그러나 이 방법은 레이저로 음극을 제거하는데 있어 레이저로 제거한 부분에서 불순물이 발생해 이후 다른 공정에 큰 문제점을 야기할 수 있어 대량 생산에 문제가 생길 수 있다.
음극 표면을 패턴화하는 방법중 하나로 전기 전도성 증착막을 선택적으로 증착하기 위하여 핵생성 억제 형성용 물질, 또는 이러한 물질을 포함한 핵생성 억제 증착막을 통하여 음극 표면을 선택적으로 증착하는 방법이 있다. 이러한 방법은 핵생성 억제 형성용 물질을 증착하는 공정의 추가 및 신규 핵생성 억제 형성용 물질의 개발 등의 개선이 되어야 할 부분이 문제점으로 남아 있다.
이러한 문제점을 극복하게 된다면 전면 발광 OLED 장치에 있어 음극을 패턴화를 통하여 면저항의 감소, 투과성 전극을 통한 IR 강하를 낮춤, 및 UDC(Under Display Camera)를 이룰수 있을 것으로 예상되어진다.
대한민국 공개특허공보 제2019-0141239호(발명의 명칭: 표면의 증착을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 증착을 포함하는 장치) 대한민국 공개특허공보 제2018-0075589호(발명의 명칭: 표면 상에 증착을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 증착을 포함하는 디바이스) 대한민국 공개특허공보 제2019-0086756호(발명의 명칭: 방출 영역 위에 배치된 전도성 증착을 포함하는 디바이스 및 이를 위한 방법)
본 발명의 과제는 전면을 패턴화된 음극으로 증착하는 것이다.
또한, CPM(Cathode Patterning Material)을 이용하여 음극을 패턴화하는 것이다.
또한, 음극을 패턴화를 통하여 면저항의 감소, 투과성 전극을 통한 IR 강하를 낮춤, 및 UDC(Under Display Camera)를 이룰 수 있도록 하는 것이다.
본 발명은 일반적으로 표면 상에 전기 전도성 증착막을 선택적으로 증착하는데 사용하기 위한 핵생성 억제 형성용 물질 및 이러한 물질을 포함한 핵생성 억제 증착막 및 전도성 증착막을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
L1, L2 및 L3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기;이며,
Ar1, Ar2 및 Ar3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 알킬기; 또는 아릴기; 또는 헤테로아릴기;이고,
p, q 및 r은 0 내지 3의 정수이다.
본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 금속증착 핵생성 억제층의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 음극에 사용되는 금속에 대한 친화도 또는 초기 부착 확률을 상대적으로 낮추고, 핵생성 억제 증착막을 형성하는 특성을 나타내어 외부 광원에 의한 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 플루오로기가 도입됨으로써 음극에 사용되는 금속에 대한 상대적으로 낮은 친화도 또는 초기 부착 확률을 나타내는 특성으로 인해 특정 응용 분야에서 마그네슘 증착 또는 은/마그네슘 증착의 선택적 증착 및 패턴화를 달성하는 재료로 이용할 수 있다.
도 1은 기판위에 증착되는 핵생성억제층과 금속층의 증착 순서를 보여주는 개략적인 도면이다.
도 2a는 증착공정 상 기판에 패터닝을 위해 마스크가 정렬된 상태를 보여주는 개략적인 도면이다.
도 2b은 마스크가 정렬된 상태에서 핵생성억제층의 증착을 보여주는 대략적인 도면이다.
도 2c는 마스크를 분리하여 핵생성억제층이 형성된 기판 상에 금속층을 전면적으로 증착하는 상태를 보여주는 대략적인 도면이다.
도 2d는 기판상에 패터닝된 금속층의 상태를 보여주는 대략적인 도면이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 핵생성억제층이 증착된 기판 상에 금속을 증착할 경우의 단면을 보여주는 사진이다.
도 3b는 일반유기재료의 핵생성억제층이 증착된 기판 상에 금속을 증착할 경우의 단면을 보여주는 사진이다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 핵생성억제층에 의해 금속층의 증착이 억제된 소자의 샘플을 보여주는 사진이다.
도 4b는 일반유기재료의 핵생성억제층에 의해 핵생성억제가 되지 못하고 금속층이 증착된 소자의 샘플을 보여주는 사진이다.
도 5는 도 4a와 4b의 소자의 투과율 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 6은 핵생성억제층(2400)과 제2전극(2300)이 포함된 전면발광 유기발광소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 7은 핵생성억제층(2400)과 제2전극(2300)이 포함된 전면발광 유기발광소자의 단면을 나타낸 도면이다.
이하 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서, “치환 또는 비치환된”은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 히드록시기, 실릴기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아릴기, 헤테로 아릴기 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 탄화수소 고리기는 고리 형성 탄소수 5 이상 20 이하의 포화 탄화수소 고리기일 수 있다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 페릴렌일기, 나프타세닐기, 파이레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다. N 및 S 원자는 경우에 따라 산화될 수 있고, N 원자(들)은 경우에 따라 4차화될 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하 또는 2 이상 20 이하이다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기 또는 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 다환식 헤테로아릴기는 예를 들어, 2환 또는 3환 구조를 갖는 것일 수 있다.
헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 피라졸릴기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 테트라진기, 트리아졸기, 테트라졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 신놀리기, 인돌기, 이소인돌기, 인다졸기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 벤조티오펜기, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 페난트리딘기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 이소티아졸기, 이속사졸기, 페노티아진기, 벤조디옥솔기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기, 이소벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 또한, 상기 단환식 헤테로 아릴기 또는 다환식 헤테로 아릴기에 상응하는 N-옥사이드 아릴기, 예를 들어, 피리딜 N-옥사이드기, 퀴놀릴 N-옥사이드기 등의 4차 염 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로알릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로 고리기일 수 있고, 다환식 헤테로 고리기일 수 있다. 상기 2이상의 헤테로 고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로 고리기, 다환식 헤테로 고리기, 또는 단환식 헤테로 고리기와 다환식 헤테로 고리기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로 고리기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에서, “인접하는 기”는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 “인접하는 기”로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentene)에서 2개의 에틸기는 서로 “인접하는 기”로 해석될 수 있다.
이하에서는 상기 핵생성억제층에 사용되는 유기 화합물에 대해 설명한다.
본 발명의 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
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상기 화학식 1에서,
L1, L2 및 L3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기;이며,
Ar1, Ar2 및 Ar3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 알킬기; 또는 아릴기; 또는 헤테로아릴기;이고,
p, q 및 r은 0 내지 3의 정수이다.
이때 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 화합물은,
상기 화학식 1에서,
L1, L2 및 L3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 탄소수 1~20의 알킬기 및 탄소수 1~20의 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 페닐렌기; 또는 나프탈렌기; 또는 피리딘기; 또는 벤즈옥사졸기; 또는 벤즈티아졸기;이며,
Ar1, Ar2 및 Ar3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 탄소수 1~20의 알킬기; 페닐기; 피리딘기; 나프틸기; 페난트렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 벤즈옥사졸기; 벤즈티아졸기; 벤조이미다졸기; 및 카바졸기; 중에서 선택되며,
p, q 및 r은 0 내지 3의 정수인 것을 특징으로 하는, 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 유기 화합물은 하기 화학식 2 및 화학식 3의 화합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 하기 화합물들은 추가로 치환될 수 있다
[화학식 2]
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[화학식 3]
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이하 하기 도 1 내지 7을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 핵생성억제층을 갖는 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 핵생성억제층을 갖는 소자는 기판(100)위에 핵생성억제층(110)과 금속층(120)을 순차적으로 적층하여 제작됨을 알 수 있다.
도 1은 핵생성억제층(110)위에 금속층(120)을 증착하여 소자를 제작한다는 것을 보여주는 증착순서를 나타내는 예시이며, 실제 소자는 핵생성억제층이 금속층의 증착을 억제하므로 핵성성억제층 위에 위치될 수 없거나 일부만을 포함할 수 있다.
도 2a부터 도 2d는 일 실시예에 따른 기판의 표면상에 금속층을 증착시키기 위한 공정을 나타낸 단면도이다.
도 2에서 도시된 내용들은 모두 열증착장비(Themal evaporation system)의 증착챔버 내에서 이루어지는 일련의 과정들이다. 구체적으로 증착챔버 내부는 기판을 이송하고 정렬할 수 있는 기구부, 증착을 직접적으로 조절하는 게이트부, 증착상태를 모니터링 할 수 있는 센서부, 열을 가하여 재료의 증착을 발생시키는 소스부 등으로 세분화되어 있지만 도 2에서는 본 발명의 내용과 직접적으로 연관이 있는 부분들만 도시하여 나타내었다.
그러나 핵생성억제층(110)과 금속층(120)을 성막하고 증착하는 방법에는 스핀코팅, 딥 코팅, 프린팅, 스프레이 코팅, CVD, PVD 등과 이들의 조합을 포함하는 증착 및 코팅기술이 사용될 수 있으며, 각 층의 증착방법 및 막의 생성 방법은 이에 제한되지 않는다.
도 2a는 기판(100)상에 패터닝 된 마스크(300)를 위치시킨 상태를 나타내는 도시이다. 도 2a에서 기판이 마스크 아래에 위치하지만 상이라 표현하는 것은, 열증착공정의 방법에서 재료가 충진되는 도가니(50)가 챔버 바닥면에 위치하며, 재료에 열을 가하여 기화하므로 아래에서 위로 증착되는 특성을 지니기 때문에, 기판(100) 하면이 증착방향이 되므로 증착방향에 위치된 마스크를 기판상이라 표현하였으나, 상기 언급된 대로 증착 및 코팅 기술은 제한하지 않으므로 증착방향 상 마스크가 위치된다.
도 2b는 도 2a에서, 핵생성억제층(110)이 증착된 상태를 나타낸는 도시이다. 기판 상에는 패턴된 마스크가 위치해 있으므로, 기판상의 마스크의 빈 영역으로 핵생성억제층(110)이 형성된다. 이때 도가니(50)는 유기재료가 충진되어 있는 도가니이며, 재료에 따라 도가니의 재질은 알루미나, 석영, 티타늄 등 다양한 재질로 만들어 질 수 있다.
도가니(50)에 핵생성억제층 재료를 충진 후 증착하고, 증착완료 후 마스크를 기판과 분리시키면 기판에 핵생성억제층이 패턴화 된다.
도 2c는 마스크(300)와 분리된 기판(100)에 금속 재료를 충진한 도가니(60) 혹은 증착원을 통하여 금속재료를 증착하는 공정을 나타낸 도시이다.
핵생성억제층(110)은 금속 증착시 기판표면 혹은 최상위층 표면에서 발생하는 금속의 핵형성을 억제하므로 핵생성억제층 상에는 금속층(200)이 형성되기 어렵다.
도 2d는 최종적으로 금속층(200)이 패턴된 상태의 소자를 나타내는 도시이다. 최종적으로 금속층(200)은 마스크의 패턴형태로 형성된다. 이를 응용하면 다양한 분야에 적용할 수 있다. 최근 차세대 모바일 디스플레이 패널 형태인 UDC(Under Display Camera), 보조전극 패터닝, 반도체 건식 패터닝 등에 적용할 수 있을 것이다.
도 3a와 도 3b는 기판(600) 상에 증착된 소자의 단면을 주사전자현미경으로 측정한 이미지를 나타내는 도시이다.
도 3a는 기판(600) 상에 20nm 정도 두께의 핵생성억제층(610)을 증착한 후 금속을 500nm 정도의 두께로 증착하였지만, 핵생성억제층(610) 상에 증착되지 못한 상태를 나타낸다.
이는, 핵생성억제층(610)이 금속이 증착될 때 생성되는 핵을 효과적으로 억제하여 클러스터화를 막아 금속막이 안정하게 생성되는 것을 잘 막는 다는 것을 나타낸다.
도 3b는 핵생성억제 재료가 아닌 일반유기재료(620)를 증착하고 난 후, 금속을 증착하였을 때 금속층(700)이 잘 형성된 상태를 나타낸다. 일반유기재료(620)는 44nm의 두께로 형성되었고, 해당재료는 금속 증착 중 생성되는 핵을 억제하는 능력이 약하므로, 핵을 형성하고 핵이 성장하여 인접 핵과 클러스터를 형성하여 정상적으로 금속층이 형성되었음을 나타낸다.
도 4a와 도 4b는 핵생성이 억제된 실제 소자의 이미지이다.
도 4a는 기판(800)상에 증착된 핵생성억제층(810)과 핵생성억제층(810) 상에 추가로 증착된 금속층(900)을 찍은 이미지이다. 핵생성억제층(810)은 이미지상 거의 투명하여 점선과 점으로 나타낸 선으로 실제 증착된 영역을 나타내었다. 핵생성 억제가 되지 않은 경우 금속층(900)이 훨씬 긴 형태로 증착되어야 하나 핵생성억제층(810) 패턴 안쪽으로 증착되지 못하고 핵생성억제층(810) 영역 밖으로 제한되어 증착된 것이 나타났다.
도 4b는 기판(800) 상에 증착된 일반유기재료(820)가 금속의 증착을 억제하지 못하여 일반유기재료(820) 상에 증착된 소자의 이미지이다.
도 4a와 도 4b 소자의 차이점은 핵생성억제층(810) 재료와 일반유기재료(820) 상에 동일한 금속이 증착되었을 때, 증착여부의 차이점을 보인다. 이 점을 이용하여 용액 혹은 건식 박리가 필요없이 편하게 금속을 패터닝할 수 있다는 장점을 지니고 있으며, 핵생성억제층(810) 재료의 광학특성 또한 가시광 영역에서 투명에 가까운 특성을 보이기 때문에 공정상 알맞은 어플리케이션에 적용 시 높은 공정효율을 보일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 화합물과 일반유기재료를 핵생성억제층에 적용한 소자의 투과율 스펙트럼 그래프이다.
도 5의 검정색 실선(1000)과 검정색 점선(1010)은 각 각 핵생성억제층을 이용한 소자의 핵생성억제층의 투과율과 핵생성억제층과 금속층이 적층되어 있는 위치의 투과율이다.
검정색 실선(1000)과 검정색 점선(1010)의 투과율이 같다는 것은 핵생성억제층이 증착되어 있는 위치 상면에는 금속층이 증착되어 있지 않다는 것을 보여준다.
도 5의 녹색 실선(1020)과 녹색 점선(1030)은 각 각 일반유기재료를 이용한 소자의 일반유기재료의 투과율과 일반유기재료와 금속층이 적층되어 있는 위치의 투과율이다.
녹색 실선(1020)의 투과율은 검정색 실선(1000)과 큰 차이가 없지만 녹색 점선(1030)은 투과율이 0으로 일반유기재료 상에 금속이 두껍게 증착되어 빛이 통과하지 못하는 것을 보여준다.
도 6은 핵생성억제층(2400)과 제2금속층(2300)이 포함된 전면발광 유기발광소자의 단면을 나타낸 도시이다. 도 6에 도시된 전면발광 유기발광소자는 반투과형 제2금속층(2300)에 의한 소자 전체의 투과도 저하를 개선하기 위해 투과영역 확보를 위한 개선된 전면발광 유기발광소자를 간략히 나타내었다.
기판(2000) 상에 반사형 전극역할의 제1금속층(2100)을 스퍼터, 열증착 등으로 증착하여 형성한다. 풀컬러 디스플레이를 위한 적색발광층(2203), 녹색발광층(2202), 청색발광층(2201)을 제1금속층(2100)상에 형성한다. 전자주입층, 전자수송층 등 기능층을 각 발광층의 최적화된 재료와 두께로 증착한 공통층을 각 발광층에 이를 포함한다.
발광층 상에 전자수송과 주입 역할을 하는 유기공통층(2250)을 형성한다. 유기공통층(2250) 상에 핵생성억제층(2400)을 적색발광층(2203), 녹색발광층(2202), 청색발광층(2201) 패턴과 겹치지 않도록 형성한다. 반투과전극 역할을 하는 제2금속층(2300)을 패터닝된 핵생성억제층(2400) 상에 증착하면 적색발광층(2203), 녹색발광층(2202), 청색발광층(2201)과 겹치는 영역에 정확히 제2금속층(2300)을 형성할 수 있다. 핵생성억제층(2400)은 투명에 가깝기 때문에 핵생성억제층(2400)이 증착되어 있는 영역은 빛이 그대로 통과할 수 있기 때문에 기판 방향에 카메라, IR센서, 안면인식 TOF 등을 형성하여도 성능의 큰 저하 없이 구동을 가능하게 한다.
도 7은 핵생성억제층(2400)과 제2금속층(2300)이 포함된 전면발광 유기발광소자의 단면을 나타낸 도시이다. 도 6과 다른점은 도 6은 광투과율을 높이기 위한 패턴이지만, 도 7은 대면적 유기발광소자에서 나타나는 IR드롭 현상을 개선하기 위한 보조전극(2500)을 포함하는 유기발광소자의 단면을 나타낸 도시이다.
전면발광 유기발광소자는 제2금속층(2300)의 투과도를 위하여 금속 두께가 얇은 것이 특징이다. 이 점은 제2금속층(2300)의 면저항을 높게 만든다. 면저항이 높게되면 디스플레이의 면적이 커질수록 높은 저항값 때문에 전압강하 현상이 발생하게 되며, 회로에서 설계된 전압값을 화면 중앙으로 갈수록 유지할 수 없게 되면서 전류주입이 원활히 일어날 수 없게 되어 패널 전체의 휘도의 불균형을 초래한다.
적색발광층(2203), 녹색발광층(2202), 청색발광층(2201)과 겹치지 않는 영역에 보조전극(2500)을 형성하여 전압강하 현상을 막고 화면 전체의 휘도균일성을 높일 수 있다. 도 6에서 나타낸 바와 같이 패턴된 핵생성억제층(2400)을 형성하고 보조전극(2500)을 전압강하가 일어나지 않는 두꺼운 두께로 증착한다. 보조전극(2500)이 형성된 유기발광소자는 대면적이어도 전압강하현상을 최소화할 수 있고 대면적 휘도 균일성을 우수하게 유지할 수 있다.
한편, 본 발명에서 제시되는 핵생성억제층(2400)은 제2 전극(120)위에 증착되는 기능층으로써, 본 발명의 화학식 1에 따른 유기물을 포함한다.
이하 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[제조예]
중간체 합성예 1: 중간체(2)의 합성
Figure pat00196
(중간체(1)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 1-브로모-4-아이오도벤젠(1-bromo-4-iodobenzene) 15.0 g(53.0 mmol), 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(3,5-bis(trifluoromethyl)phenylbononic acid) 13.7 g(53.0 mmol), Pd(PPh3)4 1.8 g(1.6 mmol), Toluene 160 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 80 mL, K2CO3 11.0 g(79.5 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 중간체(1) 10.4 g(수율: 53.1%)을 얻었다.
(중간체(2)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(1) 10.4 g(28.2 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 5.6 g(31.0 mmol), Pd(dba)2 0.8 g(1.4 mmol), BINAP 3.5 g(5.6 mmol), tert-부톡시나트륨 10.8 g(112.7 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 노란색 고체의 화합물(중간체(2)) 4.7 g(수율: 54.7%)을 얻었다.
중간체 합성예 2: 중간체(4)의 합성
Figure pat00197
(중간체(3)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 1-브로모-4-아이오도벤젠(1-bromo-4-iodobenzene) 15.0 g(53.0 mmol), (퍼플루오로페닐)보론산((perfluorophenyl)boronic acid)) 12.4 g(58.3 mmol), Pd(PPh3)4 3.1 g(2.7 mmol), Toluene 160 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 80 mL, K2CO3 11.0 g(79.5 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 중간체(3) 11.7 g(수율: 68.3%)을 얻었다.
(중간체(4)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(3) 11.7 g(36.2 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 7.2 g(39.8 mmol), Pd(dba)2 1.0 g(1.8 mmol), BINAP 4.5 g(7.2 mmol), tert-부톡시나트륨 13.9 g(144.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 노란색 고체의 화합물(중간체(4)) 4.8 g(수율: 51.1%)을 얻었다.
중간체 합성예 3: 중간체(5)의 합성
Figure pat00198
(중간체(5)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 1-브로모-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠(1-bromo-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene) 15.0 g(51.2 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 10.2 g(56.3 mmol), Pd(dba)2 1.5 g(2.6 mmol), BINAP 6.4 g(10.2 mmol), tert-부톡시나트륨 19.7 g(204.8 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 노란색 고체의 화합물(중간체(5)) 5.1 g(수율: 43.5%)을 얻었다.
중간체 합성예 4: 중간체(7)의 합성
Figure pat00199
(중간체(6)의 합성)
4-((3r,5r,7r)-아다만탄-1닐)페놀(4-((3r,5r,7r)-adamantan-1-yl)phenol) 86.7 g (380 mmol)을 DCM 900 mL에 넣은 후, 피리딘 61.2 mL (759 mmol)을 넣고 4~10℃로 냉각하였다. 4~10℃에서 Tf2O 79.2 mL (570 mmol)를 적가한 후, 실온에서 교반하였다. 증류수를 첨가하여 반응을 종결한 후, 추출하고 MgSO4로 건조하였다. 여과하고 농축한 후, 메탄올로 고체화하여 흰색의 고체의 화합물 중간체(6) 122 g (수율: 89.2%)을 얻었다
(중간체(7)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(6) 10.0 g(27.8 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 5.5 g(30.5 mmol), Pd(dba)2 0.8 g(1.4 mmol), BINAP 3.5 g(5.6 mmol), tert-부톡시나트륨 10.7 g(111.0 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(7)) 2.9 g(수율: 46.0%)을 얻었다.
중간체 합성예 5: 중간체(8)의 합성
Figure pat00200
(중간체(8)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(6) 10.0 g(27.8 mmol), (4-브로모페닐)보론산((4-bromophenyl)boronic acid) 6.1 g(30.5 mmol), Pd(PPh3)4 1.6 g(1.4 mmol), Toluene 160 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 80 mL, K2CO3 15.3 g(111.0 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 중간체(8) 4.7 g(수율: 46.1%)을 얻었다.
중간체 합성예 6: 중간체(9)의 합성
Figure pat00201
(중간체(9)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 비스(4-브로모페닐)아민(bis(4-bromophenyl)amine) 4.0 g(12.2 mmol), (3,5-트리플루오로메틸페닐)보론산((3,5-trifluoromethylphenyl)boronic acid) 6.9 g(26.9 mmol), Pd(PPh3)4 0.7 g(0.6 mmol), Toluene 160 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 80 mL, K2CO3 5.1 g(36.7 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 중간체(9) 3.7 g(수율: 51.0%)을 얻었다.
중간체 합성예 7: 중간체(11)의 합성
Figure pat00202
(중간체(10)의 합성)
(4-(트리플루오로메틸)페닐)보론산((4-(trifluoromethyl)phenyl)boronic acid) 10.0 g(52.7 mmol), 5-브로모-2-클로로피리딘(5-bromo-2-chloropyridine) 11.2 g(57.9 mmol), Pd(PPh3)4 1.8 g(1.6 mmol), Toluene 320 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 160 mL, K2CO3 21.8 g(158.0 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 중간체(10) 5.6 g(수율: 41.3%)을 얻었다
(중간체(11)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(10) 5.6 g(21.7 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 4.3 g(23.9 mmol), Pd(dba)2 0.6 g(1.1 mmol), BINAP 2.7 g(4.4 mmol), tert-부톡시나트륨 8.4 g(86.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(11)) 2.5 g(수율: 48.3%)을 얻었다.
중간체 합성예 8: 중간체(12)의 합성
Figure pat00203
(중간체(12)의 합성)
4-브로모다이벤조[b,d]퓨란(4-bromodibenzo[b,d]furan) 10.0 g(40.5 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 8.1 g(44.5 mmol), Pd(dba)2 1.2 g(2.0 mmol), BINAP 5.0 g(8.1 mmol), tert-부톡시나트륨 15.6 g(161.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(12)) 3.2 g(수율: 43.2%)을 얻었다.
중간체 합성예 9: 중간체(13)의 합성
Figure pat00204
(중간체(13)의 합성)
2-브로모다이벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 10.0 g(40.5 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 8.1 g(44.5 mmol), Pd(dba)2 1.2 g(2.0 mmol), BINAP 5.0 g(8.1 mmol), tert-부톡시나트륨 15.6 g(161.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(13)) 3.3 g(수율: 44.5%)을 얻었다.
중간체 합성예 10: 중간체(14)의 합성
Figure pat00205
(중간체(14)의 합성)
3-브로모다이벤조[b,d]티오펜(3-bromodibenzo[b,d]thiophene) 10.0 g(38.0 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 7.6 g(41.8 mmol), Pd(dba)2 1.1 g(1.9 mmol), BINAP 4.7 g(7.6 mmol), tert-부톡시나트륨 14.6 g(152.0 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(14)) 2.9 g(수율: 38.3%)을 얻었다.
중간체 합성예 11: 중간체(15)의 합성
Figure pat00206
(중간체(15)의 합성)
2-(4-브로모페닐)벤조[d]옥사졸(2-(4-bromophenyl)benzo[d]oxazole) 10.0 g(36.5 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 7.2 g(40.1 mmol), Pd(dba)2 1.1 g(1.8 mmol), BINAP 4.5 g(7.3 mmol), tert-부톡시나트륨 14.0 g(145.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(15)) 4.2 g(수율: 54.8%)을 얻었다.
중간체 합성예 12: 중간체(16)의 합성
Figure pat00207
(중간체(16)의 합성)
2-(4-브로모페닐)벤조[d]티아졸(2-(4-bromophenyl)benzo[d]thiazole) 10.0 g(34.5 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 6.9 g(37.9 mmol), Pd(dba)2 1.0 g(1.7 mmol), BINAP 4.3 g(6.9 mmol), tert-부톡시나트륨 13.3 g(137.5 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(16)) 3.9 g(수율: 50.0%)을 얻었다.
중간체 합성예 13: 중간체(19)의 합성
Figure pat00208
(중간체(17)의 합성)
4-브로모-2-요오드아닐린(4-Bromo-2-iodoaniline) 40.0 g(134.26 mmol), 벤조일 클로라이드(Benzoyl chloride) 18.9 g(134.26 mmol) 및 THF 360 mL를 상온에서 3시간 교반하였다. 반응이 종결된 후 용매를 감압 증류하였다. 디아이소프로필 에테르(IPE)로 고체화하여 흰색의 고체 화합물(중간체(17)) 52.3 g(수율: 96.8 %)을 얻었다.
(중간체(18)의 합성)
1구 1 L 플라스크에서 중간체(17) 52.3 g(130.09 mmol), CuI 1.24 g(6.50 mmol), 1,10-Phenanthroline 2.34 g(13.01 mmol), Cs2CO3 84.7 g(260.18 mmol) 및 디메톡시에탄(DME) 180 mL를 90℃에서 하루 종일 교반한다. 반응이 종결된 후 DCM으로 셀라이트 패드에 통과시켰다. 용매 제거 후 고체를 클로로포름에 녹인 후 컬럼 크로마토그래피(CHCl3)를 이용하여 정제하였다. 메탄올로 고체화하여 흰색의 고체 화합물(중간체(18)) 23.6 g(수율: 71.1 %)을 얻었다.
(중간체(19)의 합성)
중간체(18) 10.0 g(36.5 mmol), 벤조페논 이민(Benzophenone imine) 7.3 g(40.1 mmol), Pd(dba)2 1.1 g(1.8 mmol), BINAP 4.5 g(7.3 mmol), tert-부톡시나트륨 14.0 g(145.9 mmol) 및 톨루엔 250 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응혼합물을 상온으로 냉각 후, 클로로포름으로 용해하였다. 반응용액을 셀라이트 패드에 통과시킨 후, 감압 농축하였다. 얻어진 화합물을 테트라하이드로퓨란에 부유시킨 후, 진한 염산을 천천히 첨가하여 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 침전을 감압 여과한 후, 클로로포름으로 세척하였다. 여과한 습체를 물에 부유시키고, 포화 탄산나트륨 용액으로 pH를 8 이상으로 조정한 후, 클로로포름으로 추출하여 층분리하였다. 분리한 클로로포름층을 무수황산나트륨으로 건조, 여과하고 감압 농축하였다. 농축 잔류물을 디클로로메탄과 노말헥산으로 슬러리화하여 흰색 고체의 화합물(중간체(19)) 3.2 g(수율: 41.7%)을 얻었다.
중간체 합성예 14: 중간체(20)의 합성
Figure pat00209
(중간체(20)의 합성)
1구 500 mL 플라스크에서 1-브로모-4-아이오도벤젠(1-bromo-4-iodobenzene) 15.0 g(53.0 mmol), (4-(트리플루오로메틸)페닐)보론산((4-(trifluoromethyl)phenyl)boronic acid) 10.1 g(53.0 mmol), Pd(PPh3)4 1.8 g(1.6 mmol), Toluene 160 mL를 혼합 교반한 후, EtOH 80 mL, K2CO3 11.0 g(79.5 mmol), H2O 80mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거하고 물을 첨가 후, DCM으로 work-up하고 유기상을 Anhydrous MgSO4로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 중간체(20) 10.8 g(수율: 67.7%)을 얻었다.
상기 합성된 중간체 화합물을 이용하여 이하와 같이 다양한 유기화합물을 합성하였다.
제조예 1: 화합물 2-3(LT20-30-122)의 합성
Figure pat00210
1구 250 mL 플라스크에서 아닐린(aniline) 1.0 g(10.7 mmol), 중간체(1) 8.7 g(23.6 mmol), NaOtBu 4.1 g(43.0 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.4 g(0.6 mmol), P(t-Bu)3 0.2 ml(0.9 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-3(LT20-30-122) 3.0 g(수율: 41.7%)을 얻었다.
제조예 2: 화합물 2-5(LT20-35-551)의 합성
Figure pat00211
1구 250 mL 플라스크에서 아닐린(aniline) 1.0 g(10.7 mmol), 중간체(3) 7.6 g(23.6 mmol), NaOtBu 4.1 g(43.0 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-5(LT20-35-551) 2.8 g(수율: 45.2%)을 얻었다.
제조예 3: 화합물 2-31(LT20-35-525)의 합성
Figure pat00212
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(5) 2.0 g(8.7 mmol), 중간체(1) 7.1 g(19.2 mmol), NaOtBu 3.4 g(35.0 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-31(LT20-35-525) 3.2 g(수율: 45.5%)을 얻었다.
제조예 4: 화합물 2-185(LT20-35-556)의 합성
Figure pat00213
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(7) 2.0 g(8.8 mmol), 중간체(1) 7.1 g(19.4 mmol), NaOtBu 3.4 g(35.2 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-185(LT20-35-556) 2.9 g(수율: 41.0%)을 얻었다.
제조예 5: 화합물 2-187(LT20-35-545)의 합성
Figure pat00214
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(7) 2.0 g(8.8 mmol), 중간체(3) 6.2 g(19.4 mmol), NaOtBu 3.4 g(35.2 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-187(LT20-35-545) 2.4 g(수율: 38.3%)을 얻었다.
제조예 6: 화합물 2-197(LT19-30-435)의 합성
Figure pat00215
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 5.5 g(11.4 mmol), 페닐보론산(phenylboronic acid) 7.0 g(57.1 mmol), Pd(PPh3)4 1.3 g(1.1 mmol), 톨루엔 80 mL를 혼합 교반한 후 에탄올 40 mL, K2CO3 7.9 g(57.1 mmol), 증류수 40 mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응 종결한 후, 상온으로 냉각하고 용매를 제거한 후, 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(Hex:CHCl3)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-197(LT19-30-435) 3.0 g(수율: 55.5%)을 얻었다.
제조예 7: 화합물 2-199(LT20-30-590)의 합성
Figure pat00216
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(9) 2.8 g(4.7 mmol), 4-브로모바이페닐(4-bromobiphenyl) 1.6 g(7.1 mmol), NaOtBu 0.9 g(9.4 mmol), 자일렌 100 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.1 g(0.2 mmol), Xanphos 0.2 g(0.4 mmol)을 첨가하고 가열 환류하에 4시간동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거한 후, 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:CHCl3)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-199(LT20-30-590) 2.2 g(수율: 62.6%)을 얻었다.
제조예 8: 화합물 2-212(LT19-30-403)의 합성
Figure pat00217
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 4.5 g(9.3 mmol), 4-(트리플루오로메틸)페닐보론산(4-(trifluoromethyl)phenylboronic acid) 8.9 g(46.7 mmol), Pd(PPh3)4 1.1 g(0.9 mmol), 톨루엔 80 mL를 혼합 교반한 후, 에탄올 40 mL, K2CO3 6.5 g(46.7 mmol), 물 40 mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 용매를 제거한 후, 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:EA)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 2-212(LT19-30-403) 2.4 g(수율: 38.0%)을 얻었다.
제조예 9: 화합물 2-227(LT19-30-128)의 합성
Figure pat00218
트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 3.0 g(6.22 mmol), (3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐)보론산((3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl)boronic acid) 5.30 g(20.5 mmol), Pd(PPh3)4 0.43 g(0.37 mmol), 2M K2CO3 18 mL(36 mmol), 톨루엔 23 mL 및 에탄올 9 mL의 혼합물을 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 후, 생성된 침전을 감압 여과하고 톨루엔, 메탄올, 물, 메탄올로 세척하였다. 여과된 침전을 클로로포름에 용해한 후, 불용성 침전을 celite 패드에 여과하여 제거하고, 클로로포름으로 세척하였다. 여과액에 메탄올을 가한 후, 3시간 동안 정치하였다. 생성된 침전을 여과하고 메탄올로 세척, 감압건조하여 흰색 고체 화합물 2-227(LT19-30-128) 3.5 g(수율 30.0 %)을 얻었다.
제조예 10: 화합물 2-225(LT20-30-572)의 합성
Figure pat00219
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(2) 4.0 g(13.1 mmol), 4-브로모-1,1'-바이페닐(4-bromo-1,1'-biphenyl) 6.7 g(28.8 mmol), NaOtBu 5.0 g(52.4 mmol), Xylene 250 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.4 g(0.7 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가하고 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응 종결한 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 celite를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-225(LT20-30-572) 3.2 g(수율: 40.1%)을 얻었다.
제조예 11: 화합물 2-238(LT20-35-528)의 합성
Figure pat00220
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(2) 2.0 g(6.6 mmol), 중간체(8) 5.3 g(14.4 mmol), NaOtBu 2.5 g(26.2 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.2 g(0.3 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.4 mmol)를 첨가하고 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응 종결한 후, 상온으로 냉각하고 용매를 제거한 후, CHCl3로 celite를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-238(LT20-35-528) 2.3 g(수율: 40.0%)을 얻었다.
제조예 12: 화합물 2-242(LT19-30-424)의 합성
Figure pat00221
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 6.0 g(12.5 mmol), (4-플루오로페닐)보론산((4-fluorophenyl)boronic acid) 6.1 g(43.6 mmol), Pd(PPh3)4 0.7 g(0.6 mmol), 톨루엔 240 mL를 혼합 교반한 후, 에탄올 120 mL, K2CO3 6.9 g(49.8 mmol), 물 60 mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응 종결한 후, 상온으로 냉각하고 용매를 제거한 후, 클로로포름으로 셀라이트 필터하고, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:EA)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-242(LT19-30-424) 2.7 g(수율: 41.1%)을 얻었다.
제조예 13: 화합물 2-255(LT20-35-541)의 합성
Figure pat00222
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(4) 2.0 g(7.7 mmol), 중간체(1) 6.3 g(17.0 mmol), NaOtBu 3.0 g(30.9 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.4 mmol)를 첨가하고 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결된 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-255(LT20-35-541) 2.5 g(수율: 38.8%)을 얻었다.
제조예 14: 화합물 2-369(LT19-30-339)의 합성
Figure pat00223
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 4.0 g(8.3 mmol), 2-나프탈렌보론산(2-naphthaleneboronic acid) 7.1 g(41.5 mmol), Pd(PPh3)4 1.0 g(0.8 mmol), 톨루엔 80 mL를 혼합 교반한 후, 에탄올 40 mL, K2CO3 5.7 g(41.5 mmol), 물 40 mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결된 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:EA)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 2-369(LT19-30-339) 2.5 g(수율: 58.0%)을 얻었다.
제조예 15: 화합물 2-370(LT19-30-337)의 합성
Figure pat00224
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 4.1 g(8.5 mmol), 1-나프탈렌보론산(1-naphthaleneboronic acid) 7.3 g(42.5 mmol), Pd(PPh3)4 1.0 g(0.9 mmol), 톨루엔 80 mL를 혼합 교반한 후, 에탄올 40 mL, K2CO3 5.9 g(42.5 mmol), 물 40mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결된 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:EA)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 2-370(LT19-30-337) 3.0 g(수율: 56.6%)을 얻었다.
제조예 16: 화합물 2-382(LT20-30-591)의 합성
Figure pat00225
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(32) 2.0 g(3.4 mmol), 2-(4-브로모페닐)나프탈렌(2-(4-bromophenyl)naphthalene) 1.4 g(5.1 mmol), NaOtBu 0.6 g(6.7 mmol), 자일렌 100 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.1 g(0.1 mmol), Xanphos 0.2 g(0.3 mmol)를 첨가하고 가열 환류하에 4시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고, 클로로포름으로 셀라이트를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex :CHCl3)로 정제하여 노란색 고체의 화합물 2-382(LT20-30-591) 1.5 g(수율: 55.9%)을 얻었다.
제조예 17: 화합물 2-393(LT20-30-634)의 합성
Figure pat00226
2구 250 mL 플라스크에서 4-(터트-부틸)아닐린(4-(tert-butyl)aniline) 2.0 g(13.4 mmol), 중간체(6) 12.1 g(33.5 mmol), Pd2(dba)3 1.2 g(1.3 mmol), S-Phos 1.6 g(4.0 mmol), K3PO4 3.9 g(40.2 mmol) 및 자일렌 125 mL를 혼합한 후, 가열하여 하루 동안 교반하였다. 반응이 종료된 후, 실온으로 냉각하고 생성된 고체를 여과하여 얻어진 반응 혼합물을 MCB에 용해시켜 실리카겔에 여과하였다. 여액을 감압 농축한 후, 클로로포름, 아이소프로필알콜로 고체화하여 흰색 고체의 화합물 2-393(LT20-30-634) 4.4 g(수율: 57.4%)을 얻었다.
제조예 18: 화합물 2-398(LT20-30-627)의 합성
Figure pat00227
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(7) 3.0 g(13.2 mmol), 중간체(6) 11.9 g(33.0 mmol), Pd2(dba)3 1.2 g(1.3 mmol), S-Phos 1.1 g(2.6 mmol), NaOtBu 6.3 g(65.9 mmol) 및 자일렌 70 mL를 혼합한 후, 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종결된 후 고체를 여과하고 물과 에탄올로 씻어서 건조하였다. 건조한 고체를 모노클로로벤젠에 녹인 후, 실리카겔에 여과하고 감압 농축하여 흰색 고체의 화합물 2-398(LT20-30-627) 5.2 g(수율: 61.2%)을 얻었다.
제조예 19: 화합물 2-410(LT20-35-621)의 합성
Figure pat00228
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(7) 2.0 g(8.8 mmol), 1-브로모-3,5-다이-터트-부틸벤젠(1-bromo-3,5-di-tert-butylbenzene) 5.2 g(19.4 mmol), NaOtBu 3.4 g(35.2 mmol), Xylene 180 mL를 혼합 교반한 후, Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가하고 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응이 종결된 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 셀라이트에 여과시킨 후, 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-410(LT20-35-621) 2.1 g(수율: 39.5%)을 얻었다.
제조예 20: 화합물 2-412(LT20-30-637)의 합성
Figure pat00229
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(7) 2.5 g(11.0 mmol), 1-브로모-4-사이클로헥실벤젠(1-bromo-4-cyclohexylbenzene) 6.6 g(27.5 mmol), Pd2(dba)3 1.0 g(1.1 mmol), S-Phos 0.9 g(2.2 mmol), NaOtBu 5.3 g(55.0 mmol) 및 자일렌 55 mL를 혼합한 후, 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종결된 후 물을 첨가하고 클로로포름으로 추출한 후, 감압 하에 용매를 제거하였다. 얻어진 반응 혼합물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(Hex:CHCl3)로 정제하고, 혼합용매(DCM/MeOH)로 고체화하여, 흰색 고체의 화합물 2-412(LT20-30-637) 4.4 g(수율: 75.6%)을 얻었다.
제조예 21: 화합물 2-413(LT19-30-444)의 합성
Figure pat00230
1구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 4.2 g(8.7 mmol), (4-트리메틸실릴)페닐보론산((4-trimethylsilyl)phenylboronic acid) 8.5 g(43.6 mmol), Pd(PPh3)4 1.0 g(0.9 mmol), 톨루엔 80 mL를 혼합 교반한 후, 에탄올 40 mL, K2CO3 6.0 g(43.6 mmol), 물 40 mL를 첨가하고, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응을 종결한 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고, 클로로포름로 셀라이트 패드를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼 크로마토그래피(Hex:EA)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-413(LT19-30-444) 3.0 g(수율: 50.0%)을 얻었다.
제조예 22: 화합물 2-414(LT19-30-505)의 합성
Figure pat00231
2구 250 mL 플라스크에서 트리스(4-브로모페닐)아민(tris(4-bromophenyl)amine) 5.0 g(0.0145 mmol), (4-(터트-부틸)페닐)보론산((4-(tert-butyl)phenyl)boronic acid) 8.53 g(0.0479 mmol), K3PO4 21.0 g, 톨루엔 70 mL, H2O 35 mL, 에탄올 35 mL를 혼합 교반한 후, Pd(PPh3)4 0.837 g(0.72 μmol)를 첨가하고 가열 환류 하에 2시간 동안 교반 하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 감압 증류장치를 이용하여 농축 후, 헵탄에 용해시켰다. 혼합용액을 실리카겔 패드에 여과하였다. 메탄올로 세척하여 건조하여 노란색 고체의 화합물 2-414(LT19-30-505) 6.1 g(수율: 65.6%)을 얻었다.
제조예 23: 화합물 2-429(LT20-35-601)의 합성
Figure pat00232
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(11) 2.0 g(8.4 mmol), 중간체(1) 6.8 g(18.5 mmol), NaOtBu 3.2 g(33.6 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.2 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 2-429(LT20-35-601) 2.8 g(수율: 40.9%)을 얻었다.
제조예 24: 화합물 3-3(LT20-35-621)의 합성
Figure pat00233
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(12) 2.0 g(10.9 mmol), 중간체(1) 8.9 g(24.0 mmol), NaOtBu 4.2 g(43.7 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-3(LT20-35-621) 3.8 g(수율: 45.8%)을 얻었다.
제조예 25: 화합물 3-18(LT20-35-617)의 합성
Figure pat00234
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(13) 2.0 g(10.9 mmol), 중간체(20) 7.2 g(24.0 mmol), NaOtBu 4.2 g(43.7 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-18(LT20-35-617) 3.2 g(수율: 47.0%)을 얻었다.
제조예 26: 화합물 3-83(LT20-35-604)의 합성
Figure pat00235
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(14) 2.0 g(10.0 mmol), 중간체(1) 8.2 g(22.1 mmol), NaOtBu 3.9 g(40.2 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-83(LT20-35-604) 3.5 g(수율: 45.0%)을 얻었다.
제조예 27: 화합물 3-99(LT20-35-616)의 합성
Figure pat00236
1구 500 mL 플라스크에서 중간체(9) 5.0 g(8.4 mmol), 2-클로로벤조[d]옥사졸(2-chlorobenzo[d]oxazole) 1.4 g(9.3 mmol), Pd2(dba)3 0.8 g(0.8 mmol), S-Phos 0.7 g(1.7 mmol), NaOtBu 4.1 g(42.1 mmol) 및 톨루엔 200 mL를 혼합한 후, 하루동안 환류 교반하였다. 반응이 종료된 후, 상온으로 냉각하고, 메탄올을 첨가하였다. 생성된 고체를 디클로로벤젠에 환류하여 녹인 후, 실리카 여과하여 디클로로벤젠으로 세척하였다. 용매를 제거한 후, 반응물은 혼합용액(Chloroform:Hexanes)으로 고체화하여 흰색 고체의 화합물 3-99(LT20-35-616) 2.3 g(수율: 38.4%)을 얻었다.
제조예 28: 화합물 3-131(LT20-35-608)의 합성
Figure pat00237
1구 250 mL 플라스크에서 4-(다이벤조[b,d]퓨란-4-닐)아닐린(4-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)aniline) 2.0 g(7.7 mmol), 중간체(1) 6.3 g(17.0 mmol), NaOtBu 3.0 g(30.9 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.2 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.4 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-131(LT20-35-608) 2.7 g(수율: 41.9%)을 얻었다.
제조예 29: 화합물 3-251(LT20-35-619)의 합성
Figure pat00238
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(15) 2.0 g(9.5 mmol), 중간체(1) 7.7 g(20.9 mmol), NaOtBu 3.7 g(38.1 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-251(LT20-35-619) 3.0 g(수율: 40.1%)을 얻었다.
제조예 30: 화합물 3-271(LT20-35-614)의 합성
Figure pat00239
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(16) 2.0 g(8.8 mmol), 중간체(1) 7.2 g(19.4 mmol), NaOtBu 3.4 g(35.4 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.4 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.4 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-271(LT20-35-614) 2.8 g(수율: 39.5%)을 얻었다.
제조예 31: 화합물 3-289(LT20-35-612)의 합성
Figure pat00240
1구 250 mL 플라스크에서 중간체(19) 2.0 g(9.5 mmol), 중간체(20) 6.3 g(20.9 mmol), NaOtBu 3.7 g(38.1 mmol), Xylene 150 mL를 혼합 교반한 후 Pd(dba)2 0.3 g(0.5 mmol), P(t-Bu)3 0.1 ml(0.5 mmol)를 첨가한 후, 가열 환류하에 하루동안 교반하였다. 반응종결 후, 상온으로 냉각하여 용매를 제거하고 CHCl3로 Celite를 통과시킨 후, 감압 증류를 이용해 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피(DCM:Hex)로 정제하여 흰색 고체의 화합물 3-289(LT20-35-612) 2.5 g(수율: 40.4%)을 얻었다.
<시험예>
본 발명의 화합물에 대하여 Filmetrics社 F20 기기를 이용하여 투과율(Transmittance)를 측정하였다.
핵생성억제층 위로 쌓이는 마그네슘의 증착 억제력을 비교하기 위해, 핵생성억제층의 종류에 따른 광학적인 특성변화를 분석하기 위한 샘플들을 준비하였다.
금속의 전기, 광학적 특성은 전자의 움직임에 의해 발생한다. 금속은 전자기파의 주파수에 따라 금속표면에 집중하여 전자가 반응하는 표피효과(skin effect)가 발생한다. 이 때 표피효과를 일으키는 두께를 표피 깊이(skin depth)라 하며 이 표피 깊이 보다 얇아지면 금속 고유의 전기 광학적인 특성을 잃는다. 특히, 광학적인 특징으로 표피 깊이 이하의 두께의 금속은 두께가 더 얇아질수록 더 투명한 특징을 가지므로, 금속 증착 억제 여부 및 정도를 금속의 투과율 스펙트럼을 분석하여 판단할 수 있다. 이를 이용하여 금속 증착 억제력을 분석하기 위해 유리기판/REF01(50nm)(핵생성억제층)/Mg(500nm) 순서로 증착하여 샘플을 제작하였다.
핵 생성 억제 특성 평가용 단막 제작:
유기물인 REF01를 증착하기 전에 유리기판은 2×10- 2Torr에서 100W로 1분간 산소와 질소 혼합 플라즈마 처리를 하였다. 유기물은 9×10- 7Torr 이하의 진공도에서 증착하였으며, REF01는 1Å/sec, Mg은 2Å/sec로 증착하였다.
샘플 제작이 끝난 후 소자의 공기 및 수분의 접촉을 막기 위하여 질소 기체로 채워져 있는 글러브 박스 안에서 샘플내부에 흡습 테이프를 부착하고 커버글래스에 나가세社 UV 레진으로 도포한 후 UV를 노광시켜 봉지를 하였다.
유리기판 위에 증착 된 핵생성억제층은 자체적인 투과율 특성을 가지므로 실제 핵생성억제층 위에 증착된 금속의 투과율을 얻기 위해서는 도1과 같이 유리기판/핵생성억제층 부분의 투과율A를 얻고 유리기판/핵생성억제층/마그네슘으로 구성된 부분의 투과율B를 얻는다. 최종 마그네슘에 의한 투과율C는 투과율B/투과율A로 얻을 수 있다.
상기 핵 생성 억제 특성 평가용 단막 제작에서 핵생성억제층의 화합물로 하기의 REF01를 사용하였다.
Figure pat00241
<시험예 1 내지 31>
상기 핵 생성 억제 특성 평가용 단막 제작 시험예에서, 비교시험예는 핵생성억제층으로 상기 REF01를 사용하였고, 시험예 1 내지 31는 핵생성억제층으로 하기 표1에 나타낸 각각의 화합물을 사용하였다.
상기 비교시험예 및 시험예 1 내지 31에 의한 화합물의 광학 특성을 하기 표1에 나타내었다.
구분 화합물 투과율A
(＠550nm)		 투과율B
(＠550nm)		 투과율C
(＠550nm)
비교시험예 REF01 80% 6% 7.5%
시험예 1 2-3
(LT20-30-122)		 80% 80% 100.0%
시험예 2 2-5
(LT20-35-551)		 80% 75% 93.8%
시험예 3 2-31
(LT20-35-525)		 80% 72% 90.0%
시험예 4 2-185
(LT20-35-556)		 80% 73% 91.3%
시험예 5 2-187
(LT20-35-545)		 80% 76% 95.0%
시험예 6 2-197
(LT19-30-435)		 80% 52% 65.0%
시험예 7 2-199
(LT20-30-590)		 80% 69% 86.3%
시험예 8 2-212
(LT19-30-403)		 80% 80% 100.0%
시험예 9 2-227
(LT19-30-128)		 80% 80% 100.0%
시험예 10 2-225
(LT20-30-572)		 80% 63% 78.8%
시험예 11 2-238
(LT20-35-528)		 80% 61% 76.3%
시험예 12 2-242
(LT19-30-424)		 80% 72% 90.0%
시험예 13 2-255
(LT20-35-541)		 80% 75% 93.8%
시험예 14 2-369
(LT19-30-339)		 80% 62% 77.5%
시험예 15 2-370
(LT19-30-337)		 80% 63% 78.8%
시험예 16 2-382
(LT20-30-591)		 80% 71% 88.8%
시험예 17 2-393
(LT20-30-634)		 80% 69% 86.3%
시험예 18 2-398
(LT20-30-627)		 80% 55% 68.8%
시험예 19 2-410
(LT20-35-621)		 80% 59% 73.8%
시험예 20 2-412
(LT20-30-637)		 80% 62% 77.5%
시험예 21 2-413
(LT19-30-444)		 80% 63% 78.8%
시험예 22 2-414
(LT19-30-505)		 80% 72% 90.0%
시험예 23 2-429
(LT20-35-601)		 80% 78% 97.5%
시험예 24 3-3
(LT20-35-621)		 80% 73% 91.3%
시험예 25 3-18
(LT20-35-617)		 80% 80% 100.0%
시험예 26 3-83
(LT20-35-604)		 80% 73% 91.3%
시험예 27 3-99
(LT20-35-616)		 80% 70% 87.5%
시험예 28 3-131
(LT20-35-608)		 80% 69% 86.3%
시험예 29 3-251
(LT20-35-619)		 80% 65% 81.3%
시험예 30 3-271
(LT20-35-614)		 80% 80% 100.0%
시험예 31 3-289
(LT20-35-612)		 80% 77% 96.3%
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있듯이, 비교시험예(REF01)의 투과율C는 가시광선 전 영역에서 투과율이 7.5%를 얻을 수 있었다. 이는 REF01가 마그네슘 증착 억제에 효과가 크지 않다는 것을 알 수 있는 결과이다.
한편, 시험예에서 투과율C를 100%로 얻을 수 있어서 이에 해당하는 화합물은 마그네슘 핵 생성 억제에 완전히 효과적이라는 것을 알 수 있으며, 투과율C가 80% 이상되는 화합물은 마그네슘 핵 생성 억제에 부분적으로 효과적이라는 것을 알 수 있다.
100 : 기판, 110 : 핵생성억제층, 120 : 금속층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는, 유기전계발광소자의 음극의 패턴화를 위한 핵생성 억제 형성용 물질.
    [화학식 1]
    Figure pat00242

    상기 화학식 1에서,
    L1, L2 및 L3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기;이며,
    Ar1, Ar2 및 Ar3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 알킬기; 또는 아릴기; 또는 헤테로아릴기;이고,
    p, q 및 r은 0 내지 3의 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은,
    L1, L2 및 L3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 탄소수 1~20의 알킬기 및 탄소수 1~20의 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 페닐렌기; 나프탈렌기; 피리딘기; 벤즈옥사졸기; 및 벤즈티아졸기; 중에서 선택되며,
    Ar1 , Ar2 및 Ar3은, 각각 독립적으로 F, CF3, TMS, 알킬기 및 시클로알킬기 중 적어도 어느 하나로 치환 또는 비치환된, 탄소수 1~20의 알킬기; 페닐기; 피리딘기; 나프틸기; 페난트렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 벤즈옥사졸기; 벤즈티아졸기; 벤조이미다졸기; 및 카바졸기; 중에서 선택되며,
    p, q 및 r은 0 내지 3의 정수인 것을 특징으로 하는,
    유기전계발광소자의 음극의 패턴화를 위한 핵생성 억제 형성용 물질.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2 및 화학식 3의 화합물 중에서 선택되는 유기전계발광소자의 음극의 패턴화를 위한 핵생성 억제 형성용 물질.
    [화학식 2]
    Figure pat00243

    Figure pat00244

    Figure pat00245

    Figure pat00246

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    [화학식 3]
    Figure pat00360

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  4. 제1 전극;
    상기 제1 전극 위에 배치된 정공 유기물층;
    상기 정공 유기물층 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 전자 유기물층;
    상기 전자 유기물층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극의 발광층 패턴과 겹치지 않도록 배치된 핵생성억제층; 및
    상기 제2 전극의 발광층 패턴과 겹치도록 배치된 전도성 증착막;을 포함하며,
    상기 핵생성억제층은 상기 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 유기 화합물을 포함하는 유기전계발광소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 전극은 보조전극을 포함하고, 상기 전도성 증착막은 상기 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 유기 화합물을 포함하는 유기전계발광소자.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 핵생성억제층은 3nm 내지 100nm의 두께를 갖는 유기전계발광소자.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 전도성 증착막은 마그네슘을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 핵생성억제층이 작용 가능한 제2 전극은 Mg, Ag, Yb 및 이 금속의 일정비율로 혼합된 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 핵생성억제층이 작용 가능한 제2 전극은 0.5nm 내지 100nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117586131A (zh) * 2023-11-30 2024-02-23 浙江华显光电科技有限公司 一种低折射率有机化合物、具有该化合物的oled和有机发光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180075589A (ko) 2015-10-26 2018-07-04 오티아이 루미오닉스 인크. 표면 상에 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 디바이스
KR20190086756A (ko) 2016-12-02 2019-07-23 오티아이 루미오닉스 인크. 방출 영역 위에 배치된 전도성 코팅을 포함하는 디바이스 및 이를 위한 방법
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6208424B2 (ja) * 2012-12-05 2017-10-04 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フッ素置換されたアリール基を有するアミン誘導体、それを含む有機ｅｌ材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子
KR101389527B1 (ko) * 2013-09-17 2014-04-25 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20150098181A (ko) * 2014-02-17 2015-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR20220017918A (ko) * 2019-05-08 2022-02-14 오티아이 루미오닉스 인크. 핵 생성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 디바이스

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180075589A (ko) 2015-10-26 2018-07-04 오티아이 루미오닉스 인크. 표면 상에 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 디바이스
KR20190086756A (ko) 2016-12-02 2019-07-23 오티아이 루미오닉스 인크. 방출 영역 위에 배치된 전도성 코팅을 포함하는 디바이스 및 이를 위한 방법
KR20190141239A (ko) 2017-04-26 2019-12-23 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치

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