KR20220114083A - thick film resistance paste - Google Patents
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Abstract
본 발명은 후막 저항 페이스트를 제공한다. 여기에는 Ag 분말, Pt 분말 및 Ag-Pt 합금 분말 중 적어도 둘이 포함된다. 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말은 벌집 모양 구형, 응집형, 구형 및 유사 구형 중 적어도 하나이다. 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말에서, 적어도 90wt%의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비는 장축:단축=1~3이다. 본 발명에 따른 후막 저항 페이스트 중의 전도성 상 성분은 Pt를 채택해 Pd를 대체한다. Pt 분말로 Pd 분말을 대체한 후, 100Ω/□ 이하 시트 저항 저항기의 TCR이 낮아져, 비용을 낮추고 TCR 성능을 향상시키는 목적을 달성할 수 있다. 또한 Pt로 Pd 분말을 대체한 후, 후막 저항의 단기 과부하 성능이 변하지 않거나 더욱 우수하도록 보장한다.The present invention provides a thick film resistive paste. This includes at least two of Ag powder, Pt powder and Ag-Pt alloy powder. The Pt powder or Ag-Pt alloy powder is at least one of honeycomb spherical, agglomerated, spherical and pseudo-spherical. In the Pt powder or Ag-Pt alloy powder, at least 90wt% of the length ratio of the major axis and the minor axis of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder is major axis:short axis=1-3. The conductive phase component in the thick film resistance paste according to the present invention adopts Pt to replace Pd. After replacing the Pd powder with Pt powder, the TCR of the sheet resistance resistor of 100Ω/□ or less is lowered, so that the purpose of lowering the cost and improving the TCR performance can be achieved. It also ensures that the short-term overload performance of thick film resistor is unchanged or better after replacing Pd powder with Pt.
Description
본 발명은 도전성 페이스트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 후막 저항 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive paste, and more particularly, to a thick film resistance paste.
후막 칩 저항은 후막 저항기 전자 부품, 후막 하이브리드 회로 등에 널리 사용된다. 칩 후막 저항은 주로 조성물을 절연 기판의 표면 상에 형성된 도선 분포 패턴 또는 전극 상에 인쇄한 후, 850℃±20℃의 온도에서 인쇄물을 하소하여 후막 저항을 획득한다.Thick film chip resistors are widely used in thick film resistor electronic components, thick film hybrid circuits, etc. The chip thick film resistance is mainly obtained by printing a composition on an electrode or a conductive wire distribution pattern formed on the surface of an insulating substrate, and then calcining the print at a temperature of 850°C±20°C to obtain a thick film resistance.
후막 저항 페이스트는 전도성 성분과 무기 바인더를 유기 매질(캐리어)에 분산시켜 제조한다. 스크린 인쇄 방식을 통해 후막 저항 페이스트를 절연 기판 상에 증착한다. 후막 저항의 전기적 성능은 주로 증착층 중의 무기 바인더 및 전도성 성분의 성질에 의해 결정된다. 무기 바인더 주요 성분은 유리이다. 이는 주로 전도성 성분을 함께 접합시켜 전도성 경로를 형성하며, 후막 저항의 무결성을 유지하고 기판과의 접합 측면에서 중요한 역할을 수행한다. 유기 매질은 분산 매질이며, 주로 페이스트의 적용 특성, 특히 유변학적 특성에 영향을 미친다.The thick film resistive paste is prepared by dispersing a conductive component and an inorganic binder in an organic medium (carrier). A thick film resistive paste is deposited on an insulating substrate through a screen printing method. The electrical performance of thick film resistors is primarily determined by the nature of the inorganic binder and conductive components in the deposited layer. The main component of the inorganic binder is glass. It mainly bonds the conductive components together to form a conductive path, maintains the integrity of the thick film resistance, and plays an important role in bonding with the substrate. The organic medium is the dispersion medium and mainly affects the application properties of the paste, especially the rheological properties.
종래의 후막 저항은 시트 저항이 100Ω/□ 미만인 낮은 저항 구간에서(예를 들어, 10Ω/□, 1Ω/□, 0.1Ω/□ 저항 구간, 또는 더 낮은 저항 구간 0.01Ω/□), 채택하는 전도성 상이 Ag, Pd 및 RuO2이다. 이는 저항 온도 계수(temperature coefficient of resistance, TCR로 약칭) 성능을 향상시키려면 귀금속의 Pd의 함량을 증가시켜야 하므로 비용이 크게 증가하는 문제가 있다.Conventional thick-film resistors are used in low-resistance sections where the sheet resistance is less than 100Ω/□ (eg, 10Ω/□, 1Ω/□, 0.1Ω/□ resistance intervals, or lower resistance intervals of 0.01Ω/□), adopting conductivity The phases are Ag, Pd and RuO 2 . In order to improve the temperature coefficient of resistance (TCR, abbreviated) performance, the content of Pd in the noble metal must be increased, so that the cost is greatly increased.
종래의 낮은 저항 구간 구성에 대부분 채택되는 무기 바인더는 주로 납을 함유한 규산납 유리이다. 전도성 성분은 Ag, Pd 및 RuO2의 세 가지 전도성 상이다. 일반적으로 Ag 및 Pd를 사용해 저항값과 TCR을 제어하며, Pd 함량이 높을수록 더 낮은 TCR을 얻을 수 있으나 저항값은 낮추기 비교적 어렵다. 최근 낮은 저항 구간 후막 저항기에 대한 요구 기준이 갈수록 높아지면서, 저비용 고성능의 저항 페이스트가 요구되고 있다.Most of the inorganic binders used in the conventional low-resistance section configuration are mainly lead-containing lead silicate glass. The conductive components are three conductive phases: Ag, Pd and RuO 2 . In general, Ag and Pd are used to control the resistance value and TCR. The higher the Pd content, the lower the TCR can be obtained, but it is relatively difficult to lower the resistance value. Recently, as the requirements for a low-resistance section thick film resistor are increasing, a low-cost, high-performance resistance paste is required.
종래의 낮은 저항 구간 후막 저항은 귀금속 Pd 분말의 함량을 증가시켜 TCR을 낮춘다. Pd 분말의 함량을 증가시키면 일반적으로 저항값이 증가할 수 있으므로 Ag의 함량을 증가시켜야 하지만 TCR이 높아질 수 있으므로 다시 Pd 분말의 함량을 증가시켜야 한다. 이러한 방식으로 필요한 저항값 및 TCR 성능을 구현한다. 그러나 이러한 방법은 이처럼 번거로운 방법을 통해 요구되는 저항값 및 TCR 성능을 구현하기 어렵다는 큰 문제가 있다.The conventional low-resistance section thick film resistance increases the content of the noble metal Pd powder to lower the TCR. If the content of the Pd powder is increased, the resistance value may generally increase, so the content of Ag should be increased, but since the TCR may increase, the content of the Pd powder should be increased again. In this way, the required resistance value and TCR performance are achieved. However, this method has a big problem in that it is difficult to implement the required resistance value and TCR performance through such a cumbersome method.
본 발명의 목적은 종래 기술에 존재하는 결함을 극복하여 저항값이 비교적 낮고 TCR 성능이 더욱 우수한 후막 저항 페이스트를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thick film resistor paste having a relatively low resistance value and better TCR performance by overcoming the deficiencies existing in the prior art.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서 채택하는 기술적 해결책은 후막 저항 페이스트이다. 여기에는 Ag 분말, Pt 분말 및 Ag-Pt 합금 분말 중 적어도 둘이 포함된다. 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말은 벌집 모양 구형, 응집형, 구형 및 유사 구형 중 적어도 하나이다. 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말에서, 적어도 90wt%의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비는 장축:단축=1~3이다.In order to achieve the above object, the technical solution adopted in the present invention is a thick film resistive paste. This includes at least two of Ag powder, Pt powder and Ag-Pt alloy powder. The Pt powder or Ag-Pt alloy powder is at least one of honeycomb spherical, agglomerated, spherical and pseudo-spherical. In the Pt powder or Ag-Pt alloy powder, at least 90wt% of the length ratio of the major axis and the minor axis of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder is major axis:short axis=1-3.
종래의 구성에서는 낮은 저항 구간 특성은 시트 저항이 100Ω/□ 미만인 저항기의 TCR이 주로 귀금속 Pd의 함량과 관계가 있다. Pd에 상술한 결함이 존재하기 때문에 본 발명에서는 Pd 대신 Pt를 채택한다. 원소 주기율표에서 Pt와 Pd는 같은 주족에 속하기 때문에 이들 둘의 물리적, 화학적 성능은 순도, 희소성 및 내구성 측면에서 매우 유사하여 서로 대체될 수 있다. 순수 Pt는 고온 내산화성 및 화학적 안정성이 우수하다. 실온에서 Pt는 후막 저항 페이스트에서 안정적으로 존재할 수 있다. 또한 850℃ 소결 후 페이스트 중의 Ag와 Ag-Pt 2원 합금을 형성하며, 최종적으로 후막 저항에서 Ag-Pt 2원 합금의 결정상으로 존재할 수 있다. 또한 Pt와 Pd 분말의 가장 큰 차이점은 다음과 같다. 즉, Pd는 실온 내지 850℃에서 하나의 산화 분해의 과정을 거치며, 300 내지 400℃ 온도 범위에서 산화되기 시작해 PdO를 형성하고, 약 800℃에서는 분해되기 시작해 Pd를 형성한다. 그러나 PdO의 완전 분해 온도는 850℃보다 높으며, 850℃에서 소결 후 일부 분해되지 않은 PdO가 잔존할 수 있다. PdO의 존재는 저항값과 TCR에 비교적 큰 영향을 미치며, 미분해 PdO 함량이 많을수록 저항값이 높아지고, Pd의 함량이 상대적으로 감소하며 TCR 값이 증가할 수 있다. 반면 Pt 분말은 산화 분해 과정이 없으며, 일정 온도로 소결되면 Ag와 직접 Ag-Pt 2원 합금을 형성할 수 있다. 따라서 저항값이 비교적 낮고 TCR 성능이 우수한 후막 저항 페이스트를 획득할 수 있다.In the conventional configuration, the characteristic of the low resistance section is that the TCR of a resistor having a sheet resistance of less than 100 Ω/□ is mainly related to the content of the noble metal Pd. Since the above-described defects exist in Pd, Pt is employed in place of Pd in the present invention. Since Pt and Pd belong to the same main group in the periodic table of elements, the physical and chemical performances of these two are very similar in terms of purity, rarity and durability and can be substituted for each other. Pure Pt has excellent high temperature oxidation resistance and chemical stability. At room temperature, Pt can be stably present in the thick film resistive paste. In addition, Ag-Pt binary alloy is formed in the paste after sintering at 850°C, and finally, it may exist as a crystalline phase of Ag-Pt binary alloy in thick film resistance. Also, the biggest difference between Pt and Pd powder is as follows. That is, Pd undergoes one oxidative decomposition at room temperature to 850°C, and begins to oxidize in a temperature range of 300 to 400°C to form PdO, and at about 800°C begins to decompose to form Pd. However, the complete decomposition temperature of PdO is higher than 850 °C, and some undecomposed PdO may remain after sintering at 850 °C. The presence of PdO has a relatively large effect on the resistance value and TCR, and as the content of undecomposed PdO increases, the resistance value increases, the content of Pd relatively decreases, and the TCR value may increase. On the other hand, Pt powder does not have an oxidative decomposition process, and when sintered at a certain temperature, it can form an Ag-Pt binary alloy directly with Ag. Therefore, a thick film resistance paste having a relatively low resistance value and excellent TCR performance can be obtained.
따라서 발명자는 Pd 분말을 Pt 분말로 대체한 후, 시트 저항이 100Ω/□ 미만인 저항기의 TCR이 낮아짐을 발견하였다. 이는 Pt 분말을 사용하면 TCR 성능을 향상시킬 수 있으므로, 비용 절감 및 TCR 성능 향상의 목적을 달성할 수 있음을 의미한다. 특정 형태의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말을 사용한 후, TCR의 온도 민감도(TCR은 소결 온도의 영향을 받음) 및 TCR 치수 효과(치수 크기 영향을 받음)가 개선된다. 또한 Pd 분말을 Pt로 대체한 후, 후막 저항의 단기 과부하 성능이 변하지 않거나 더욱 향상되도록 보장된다.Therefore, the inventors have found that after replacing the Pd powder with the Pt powder, the TCR of the resistor with the sheet resistance of less than 100 Ω/□ is lowered. This means that the use of Pt powder can improve TCR performance, thereby achieving the objectives of cost reduction and TCR performance improvement. After using a specific type of Pt powder or Ag-Pt alloy powder, the temperature sensitivity of TCR (TCR is affected by the sintering temperature) and TCR dimensional effect (which is affected by dimensional size) are improved. Also, after replacing Pd powder with Pt, it is ensured that the short-term overload performance of thick film resistor does not change or is further improved.
Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 형태는 후막 저항의 전기적 성능에 비교적 큰 영향을 미친다. 벌집 모양 구형, 응집형, 구형 및 유사 구형의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말을 사용하여 다른 성분과 유기 캐리어에서 균일하게 혼합하면, 비교적 우수한 유변학적 성능이 나타날 수 있다. 또한 상술한 형태의 Pt 분말은 유리상 및 Ag 입자와 비교적 양호하게 접촉할 수 있다. 이는 소결 과정에서 Ag-Pt 합금을 형성하는 데 도움이 되며 유리상은 이에 대해 하나의 비교적 우수한 습윤 과정을 갖는다. 마찬가지로 상술한 형태의 Ag-Pt 합금 분말은 유리상과도 비교적 양호하게 접촉되어, 유리상이 이에 대해 비교적 양호한 습윤 과정을 갖도록 한다. 플레이크형 분말을 사용할 경우, Pt 분말/Ag-Pt 합금 분말이 다른 성분에 쉽게 분산되지 않아 불균일한 분산을 유발할 수 있으며, 스크린 인쇄 과정에서 스크린이 막히는 현상이 나타날 수 있다. 소결 후 열응력에 의해 후막 저항 표면에 크랙, 공동 등의 결함이 발생할 수 있다.The shape of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder has a relatively large influence on the electrical performance of the thick film resistance. When honeycomb spherical, agglomerated, spherical and similar spherical Pt powder or Ag-Pt alloy powder is uniformly mixed with other components in an organic carrier, relatively good rheological performance can be obtained. In addition, the Pt powder of the above-described type can be in relatively good contact with the glass phase and the Ag particles. This helps to form the Ag-Pt alloy during the sintering process and the glass phase has one relatively good wetting process for it. Likewise, Ag-Pt alloy powder of the type described above also has relatively good contact with the glass phase, so that the glass phase has a relatively good wetting process thereon. When the flake powder is used, the Pt powder/Ag-Pt alloy powder is not easily dispersed in other components, which may cause non-uniform dispersion, and screen clogging may occur during the screen printing process. Defects such as cracks and voids may occur on the thick film resistance surface due to thermal stress after sintering.
Pt 분말 또는 Ag-Pt 분말의 장축(a)과 단축(b)의 길이비 a/b가 3보다 크면, 그 분말의 형태는 침상 형태에 가깝다. 이러한 형태는 생산 공정 과정에서 쉽게 분산되지 않으며, 다른 도전성 상, 유리상과 유기 캐리어에서 불균일하게 분산되는 현상이 일어나기 쉬워, 후막 저항의 전기적 성능 및 기타 성능에 영향을 미친다. a/b는 1 내지 3이며, Pt 분말 또는 Ag-Pt 분말은 다른 성분과 유기 캐리어에서 균일하게 혼합될 수 있어, 비교적 우수한 유변학적 성능이 나타나며, 성능이 우수한 후막 저항을 획득할 수 있다.When the length ratio a/b of the major axis (a) and the minor axis (b) of the Pt powder or Ag-Pt powder is greater than 3, the shape of the powder is close to the needle shape. These forms are not easily dispersed during the production process, and are prone to non-uniform dispersion in different conductive phases, glass phases and organic carriers, affecting the electrical performance and other performance of thick film resistors. a/b is 1 to 3, and Pt powder or Ag-Pt powder can be uniformly mixed with other components in an organic carrier, so that relatively good rheological performance can be exhibited, and excellent thick film resistance can be obtained.
바람직하게는, 상기 Pt 분말 및 Ag-Pt 합금 분말에서, X선 회절법에 의해 측정된 Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경은 7 내지 50nm이다.Preferably, in the Pt powder and Ag-Pt alloy powder, the crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt measured by X-ray diffraction is 7 to 50 nm.
바람직하게는, 상기 Pt 분말의 입경은 10nm 내지 1μm이다. 상기 Pt 분말의 비표면적은 0.3m2/g 내지 25m2/g이다. 상기 Ag-Pt 합금 분말의 입경은 200nm 내지 1μm이다. 상기 Ag-Pt 합금 분말의 비표면적은 0.3m2/g 내지 15m2/g이다. 결정자 직경이 너무 크면 입경이 클수록 비표면적이 작아지며, 동일한 질량으로 첨가하는 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말 부피 비중이 작아지고, 전도성 상의 부피 비중은 후막 저항의 전기적 성능에 직접적인 영향을 미친다. 마찬가지로 결정자 직경이 너무 작으면 입경이 작을수록 비표면적이 커지고 공정 생산에서 응집이 일어나기 쉽다. 소결 과정에서 유리상은 응집 내부의 분말을 습윤시키지 못하여, 소결 과정에서 열응력 작용으로 인해 후막 저항 표면에 크랙 또는 공동이 발생한다. 이러한 결함은 후막 저항의 전기적 성능에 직접적인 영향을 미친다. 따라서, Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경이 7 내지 50nm일 때 성능이 우수하고 표면에 크랙이나 공동 등 결함이 없는 후막 저항을 획득할 수 있다.Preferably, the particle size of the Pt powder is 10 nm to 1 μm. The specific surface area of the Pt powder is 0.3m 2 /g to 25m 2 /g. The particle diameter of the Ag-Pt alloy powder is 200 nm to 1 μm. The specific surface area of the Ag-Pt alloy powder is 0.3m 2 /g to 15m 2 /g. If the crystallite diameter is too large, the larger the particle size, the smaller the specific surface area, the smaller the bulk specific gravity of Pt powder or Ag-Pt alloy powder added with the same mass, and the bulk specific gravity of the conductive phase directly affects the electrical performance of thick film resistance. Similarly, if the crystallite diameter is too small, the smaller the particle diameter, the larger the specific surface area and the agglomeration tends to occur in process production. During the sintering process, the glass phase does not wet the powder inside the agglomerate, so cracks or voids occur on the thick film resistance surface due to the action of thermal stress during the sintering process. These defects directly affect the electrical performance of the thick film resistor. Therefore, when the crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt is 7 to 50 nm, it is possible to obtain a thick film resistance with excellent performance and no defects such as cracks or voids on the surface.
바람직하게는, 상기 후막 저항 페이스트는 30 내지 80wt%의 고상 성분 및 20 내지 70wt%의 유기 성분을 포함한다. 고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 10 내지 70wt%, Pt 0.1 내지 60wt%, RuO2 0 내지 50wt%, 유리 성분 5 내지 60wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함한다.Preferably, the thick film resistance paste contains 30 to 80 wt% of a solid component and 20 to 70 wt% of an organic component. Based on 100 wt% of the solid component, the solid component includes 10 to 70 wt% of Ag, 0.1 to 60 wt% of Pt, 0 to 50 wt% of RuO 2 , 5 to 60 wt% of the glass component, and 0 to 5 wt% of the inorganic filler.
바람직하게는, 고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 30 내지 70wt%, Pt 5 내지 60wt%, RuO2 0 내지 20wt%, 유리 성분 5 내지 35wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함한다. 상기 고상 성분은 특히 0.1Ω/□ 저항 구간(본 출원에서 0.1Ω/□ 저항 구간이 실제로 나타내는 것은 0.08 내지 0.8Ω/□ 범위의 저항 구간임)의 후막 저항 페이스트 제조에 적용된다.Preferably, based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 30 to 70 wt% of Ag, 5 to 60 wt% of Pt, 0 to 20 wt% of RuO 2 , 5 to 35 wt% of the glass component and 0 to 5 wt% of the inorganic filler. do. The above solid phase component is particularly applied to the manufacture of thick film resistive paste of 0.1Ω/□ resistance range (in this application, the 0.1Ω/□ resistance interval actually represents a resistance range in the range of 0.08 to 0.8Ω/□).
바람직하게는, 고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 20 내지 60wt%, Pt 5 내지 50wt%, RuO2 0 내지 20wt%, 유리 성분 10 내지 40wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함한다. 상기 고상 성분은 특히 1Ω/□ 저항 구간(본 출원에서 1Ω/□ 저항 구간이 실제로 나타내는 것은 0.8 내지 10Ω/□ 범위의 저항 구간임)의 후막 저항 페이스트 제조에 적용된다.Preferably, based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 20 to 60 wt% of Ag, 5 to 50 wt% of Pt, 0 to 20 wt% of RuO 2 , 10 to 40 wt% of the glass component, and 0 to 5 wt% of the inorganic filler. do. The solid-state component is particularly applied to the manufacture of thick film resistive pastes in the 1Ω/□ resistance section (in this application, the 1Ω/□ resistance section actually represents the resistance range in the range of 0.8 to 10Ω/□).
바람직하게는, 고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 10 내지 40wt%, Pt 0.1 내지 20wt%, RuO2 20 내지 50wt%, 유리 성분 20 내지 60wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함한다. 상기 고상 성분은 특히 10Ω/□ 저항 구간(본 출원에서 10Ω/□ 저항 구간이 실제로 나타내는 것은 10 내지 30Ω/□ 범위의 저항 구간임)의 후막 저항 페이스트 제조에 적용된다.Preferably, based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 10 to 40 wt% of Ag, 0.1 to 20 wt% of Pt, 20 to 50 wt% of RuO 2 , 20 to 60 wt% of the glass component and 0 to 5 wt% of the inorganic filler. do. The solid-state component is particularly applied to the manufacture of thick film resistive pastes in the 10Ω/□ resistance section (in this application, the 10Ω/□ resistance section actually represents the resistance range in the range of 10 to 30Ω/□).
시트 저항이 100Ω/□ 미만인 저항기에 있어서, 저항 페이스트 중 Pt의 함량이 규정된 상한보다 크면, 먼저 저항이 낮은 Ag 분말의 상대 함량이 감소하고, 이의 시트 저항은 소정 요건에 모두 도달하기 어렵다. 다음으로 유리상의 상대 함량이 감소하고, 유리상이 너무 적어 비교적 많은 전도성 상을 습윤시키기에 충분하지 않다. 후막 저항 표면에는 크랙 또는 공동이 나타나 이의 전기적 성능을 저하시킬 수 있다. Pt의 함량이 규정된 하한 미만인 경우, TCR 성능, STOL 성능 및 기타 전기적 성능은 요건을 충족시키기 어렵다. 따라서 모든 성능 요건을 충족시키려면 적합한 첨가 범위를 취해야 한다.For a resistor whose sheet resistance is less than 100 Ω/□, if the content of Pt in the resistance paste is greater than the prescribed upper limit, first, the relative content of Ag powder with low resistance decreases, and its sheet resistance is difficult to all reach the predetermined requirements. The relative content of the glass phase then decreases, and the glass phase is too small to be sufficient to wet a relatively large number of conductive phases. Cracks or voids may appear on the thick film resistive surface, reducing its electrical performance. When the content of Pt is less than the prescribed lower limit, the TCR performance, STOL performance and other electrical performance are difficult to meet the requirements. Therefore, suitable addition ranges must be taken to meet all performance requirements.
바람직하게는, 상기 유리 성분은 유리 조성물 1, 유리 조성물 2, 유리 조성물 3 및 유리 조성물 4 중 적어도 하나이다.Preferably, the glass component is at least one of glass composition 1, glass composition 2, glass composition 3 and glass composition 4.
상기 유리 조성물 1은 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 10 내지 50%, SiO2 35 내지 55%, CaO 5 내지 30%, Al2O3 1 내지 20%, B2O3 1 내지 10% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함한다 상기 PbO, SiO2, CaO, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 1에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이다.The glass composition 1 is PbO 10 to 50%, SiO 2 35 to 55%, CaO 5 to 30%, Al 2 O3 1 to 20%, B 2 O 3 1 to 10%, and ZnO 0 to 10% based on the weight percentage content. and 10% of the components, wherein the PbO, SiO 2 , CaO, Al 2 O3, B 2 O 3 and ZnO sum to a weight percentage content in the glass composition 1 is at least 95%.
상기 유리 조성물 2는 중량백분율 함량을 기준으로 SiO2 40 내지 75%, BaO 0 내지 15%, SrO 0 내지 20%, Na2O 0 내지 10%, K2O 0 내지 10%, Al2O3 1 내지 15%, B2O3 1 내지 25% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함한다. 상기 SiO2, BaO, SrO, Na2O, K2O, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 2에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이다.The glass composition 2 is based on the weight percentage content of SiO 2 40 to 75%, BaO 0 to 15%, SrO 0 to 20%, Na 2 O 0 to 10%, K 2 O 0 to 10%, Al 2 O3 1 to 15%, B 2 O 3 1 to 25% and ZnO 0 to 10%. The SiO 2 , BaO, SrO, Na 2 O, K 2 O, Al 2 O 3 , B 2 O 3 and ZnO have a sum of weight percentage contents in the glass composition 2 of at least 95%.
상기 유리 조성물 3은 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 50 내지 88%, SiO2 10 내지 30%, Al2O3 1 내지 10%, B2O3 1 내지 10% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함한다. 상기 PbO, SiO2, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 3에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이다.The glass composition 3 contains 50 to 88% of PbO, 10 to 30% of SiO 2 , 1 to 10% of Al 2 O3, 1 to 10% of B 2 O 3 and 0 to 10% of ZnO based on the weight percentage content. do. The PbO, SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 and ZnO are at least 95% by weight in the glass composition 3 .
상기 유리 조성물 4는 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 60 내지 88%, SiO2 10 내지 35%, Al2O3 1 내지 10%, B2O3 1 내지 10% 및 전이금속 산화물 0 내지 20%의 성분을 포함한다. 상기 전이금속 산화물은 CuO, MnO2, Nb2O5, Ta2O5, TiO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함한다.The glass composition 4 contains PbO 60 to 88%, SiO 2 10 to 35%, Al 2 O 3 1 to 10%, B 2 O 3 1 to 10%, and transition metal oxide 0 to 20% based on the weight percentage content. contains ingredients. The transition metal oxide includes at least one of CuO, MnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , and ZrO 2 .
상기 무기 충전재는 Nb2O5, MnO2, CuO, TiO2 및 Ta2O5 중 적어도 하나이다.The inorganic filler is at least one of Nb 2 O 5 , MnO 2 , CuO, TiO 2 and Ta 2 O 5 .
바람직하게는, 상기 유기 성분은 유기 캐리어 및 유기 용매를 포함한다. 유기 캐리어는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 아크릴 수지 및 에폭시 수지 중 적어도 하나이다. 상기 유기 용매는 테르피네올, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르 및 알코올 에스테르류 중 적어도 하나이다.Preferably, the organic component comprises an organic carrier and an organic solvent. The organic carrier is at least one of ethyl cellulose, methyl cellulose, ethyl cellulose, an acrylic resin and an epoxy resin. The organic solvent is at least one of terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, diethylene glycol dibutyl ether and alcohol esters.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 후막 저항 페이스트로 제조한 저항기를 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a resistor made of the thick film resistance paste.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 즉, 본 발명은 후막 저항 페이스트를 제공한다. 본 발명에 따른 후막 저항 페이스트 중의 전도성 상 성분은 Pt로 Pd를 대체한다. 특정 형태의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말을 채택한 후, 시트 저항이 100Ω/□ 미만인 저항기의 TCR이 낮아지고, TCR의 온도 민감도(TCR은 소결 온도의 영향을 받음) 및 TCR 치수 효과(치수 크기 영향을 받음)가 개선된다. 이는 특정 형태의 Pt 분말을 사용하면 TCR 성능이 향상되어, 비용 절감 및 TCR 성능 향상의 목적을 달성할 수 있음을 설명한다. 또한 Pd 분말을 Pt로 대체한 후, 후막 저항의 단기 과부하 성능이 변하지 않거나 더욱 향상되도록 보장된다.Advantageous effects of the present invention are as follows. That is, the present invention provides a thick film resistance paste. The conductive phase component in the thick film resistive paste according to the present invention replaces Pd with Pt. After adopting a certain type of Pt powder or Ag-Pt alloy powder, the TCR of the resistor with sheet resistance less than 100Ω/□ is lowered, and the temperature sensitivity of the TCR (TCR is affected by the sintering temperature) and the TCR dimensional effect (dimension size) affected) is improved. This explains that the use of a specific type of Pt powder can improve the TCR performance, thereby achieving the objectives of cost reduction and TCR performance improvement. Also, after replacing Pd powder with Pt, it is ensured that the short-term overload performance of thick film resistor does not change or is further improved.
본 발명의 목적, 기술적 해결책 및 장점을 더욱 상세하게 설명하기 위하여, 이하에서는 구체적인 실시예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.In order to explain the objects, technical solutions and advantages of the present invention in more detail, the present invention will be described in detail below with reference to specific examples.
실시예와 비교예에서 언급한 Pt 분말의 유형은 표 1과 같다.The types of Pt powder mentioned in Examples and Comparative Examples are shown in Table 1.
비고: 표에서 Pt (111)면의 입경 및 입자의 장축과 단축의 비율은 주사전자현미경으로 테스트한 이미지 중 80% 이상의 입자 입경이 상기 Pt (111)면의 입경 및 입자의 장축과 단축의 비율 범위 내에 있는 것으로 나타낸다. 통상적으로 저항 페이스트에 사용되는 백금 분말의 1차 입경은 기본적으로 X선 회절법으로 측정한 결정자 직경과 같을 수 있다. 결정자 직경 D(nm)는 Scherrer 공식에 따라 계산하여 획득할 수 있다. 즉, D(nm) = (K·γ) / (B·cosθ)이다. 여기에서 K는 Scherrer 상수이며, 0.89를 사용한다. γ(nm)는 X선의 파장이고, B는 (111)면의 회절 피크 반치폭이며, θ는 회절각이다. 실시예에 언급된 Pt 분말의 결정자 직경은 X선 회절법에 의해 측정된 상대 강도가 가장 높은 피크값에 따라 계산하여 획득한다.실시예와 비교예에 언급된 유리 성분은 표 2와 같으며, 단위는 wt%이다.Remark: In the table, the particle diameter of the Pt (111) plane and the ratio of the major axis and the minor axis of the particle are 80% or more of the particle diameter of the image tested with a scanning electron microscope. indicated to be within the range. Typically, the primary particle diameter of the platinum powder used in the resistance paste may be basically the same as the crystallite diameter measured by the X-ray diffraction method. The crystallite diameter D (nm) can be obtained by calculating according to the Scherrer formula. That is, D(nm) = (K·γ) / (B·cosθ). Here, K is the Scherrer constant, and 0.89 is used. γ (nm) is the wavelength of X-rays, B is the diffraction peak half width of the (111) plane, and θ is the diffraction angle. The crystallite diameter of the Pt powder mentioned in Examples was obtained by calculating according to the peak value of the highest relative intensity measured by X-ray diffraction method. Glass components mentioned in Examples and Comparative Examples are shown in Table 2, The unit is wt%.
여기에서 전이금속 산화물은 CuO, MnO2, Nb2O5, Ta2O5, TiO2 및 ZrO2의 혼합물이다. 상기 CuO, MnO2, Nb2O5, Ta2O5, TiO2 및 ZrO2의 중량비는 1:1:1:1:1:1이다.Here the transition metal oxide is a mixture of CuO, MnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TiO 2 and ZrO 2 . The weight ratio of CuO, MnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta2O 5 , TiO 2 and ZrO 2 is 1:1:1:1:1:1:1.
실시예와 비교예에서 유기 성분은 중량백분율 함량 기준으로 에틸 셀룰로오스 및 테르피네올의 성분을 포함하며, 에틸 셀룰로오스와 테르피네올의 중량비는 1:4이다.In Examples and Comparative Examples, the organic component includes components of ethyl cellulose and terpineol based on weight percentage content, and the weight ratio of ethyl cellulose to terpineol is 1:4.
저항 구간이 0.1Ω/□인 후막 저항 페이스트의 구성은 표 3과 같다.Table 3 shows the composition of the thick film resistor paste with a resistance section of 0.1Ω/□.
군별ingredient
by county
저항 구간이 1Ω/□인 후막 저항 페이스트의 구성은 표 4와 같다.Table 4 shows the composition of the thick film resistor paste with a resistance section of 1Ω/□.
군별ingredient
by county
저항 구간이 10Ω/□인 후막 저항 페이스트의 구성은 표 5와 같다.Table 5 shows the composition of the thick film resistor paste with a resistance section of 10Ω/□.
군별ingredient
by county
후막 저항 페이스트를 850℃에서 소결하여 칩 저항을 제조한 후, 그 성능을 테스트하였다.After the thick film resistor paste was sintered at 850°C to prepare a chip resistor, the performance was tested.
a. 0603 규격을 인쇄하고, 전체 판 상에서 모든 칩 저항의 저항값의 표준차를 테스트: SD<4%.a. Print the 0603 specification and test the standard difference of the resistance values of all chip resistors on the entire plate: SD<4%.
b. 0.8*0.8 규격의 칩 저항의 TCR 성능을 테스트: 일반적으로 25℃를 기준으로, 125℃ 조건에서 10분간 보온한 테스트 저항값은 R125이고, -55℃ 조건에서 10분간 보온한 테스트 저항값은 R-55이며, 
c. 단기 과부하(STOL) 성능: 0.8*0.8 치수의 후막 저항에 5s의 2.5배 정격 전류(10Ω/□이하) 또는 2.5배의 정격 전압(10Ω/□)을 인가하고 30분간 방치한다. 전후 저항값의 변화를 확인하였으며 
저항 구간이 0.1Ω/□인 후막 저항 페이스트의 성능 테스트 결과는 표 6과 같다.Table 6 shows the performance test results of the thick film resistor paste with a resistance section of 0.1Ω/□.
군별Performance
by county
저항 구간이 1Ω/□인 후막 저항 페이스트의 성능 테스트 결과는 표 7과 같다.Table 7 shows the performance test results of the thick film resistor paste with a resistance section of 1Ω/□.
군별Performance
by county
저항 구간이 10Ω/□인 후막 저항 페이스트의 성능 테스트 결과는 표 8과 같다.Table 8 shows the performance test results of the thick film resistor paste with a resistance section of 10Ω/□.
군별Performance
by county
[비교예 5][Comparative Example 5]
본 비교예와 실시예 5의 차이점은, 본 비교예는 Pd를 이용해 실시예 5의 Pt를 대체하며, Pd 분말의 형태와 입경 범위는 실시예 5의 Pt 분말과 동일하다는 것이다.The difference between this comparative example and Example 5 is that this comparative example uses Pd to replace Pt of Example 5, and the shape and particle size range of the Pd powder are the same as those of the Pt powder of Example 5.
[비교예 6][Comparative Example 6]
본 비교예와 실시예 14의 차이점은, 본 비교예는 Pd를 이용해 실시예 14의 Pt를 대체하며, Pd 분말의 형태와 입경 범위는 실시예 14의 Pt 분말과 동일하다는 것이다.The difference between this comparative example and Example 14 is that this comparative example uses Pd to replace Pt of Example 14, and the shape and particle size range of the Pd powder are the same as those of the Pt powder of Example 14.
[비교예 7][Comparative Example 7]
본 비교예와 실시예 21의 차이점은, 본 비교예는 Pd를 이용해 실시예 21의 Pt를 대체하며, Pd 분말의 형태와 입경 범위는 실시예 21의 Pt 분말과 동일하다는 것이다.The difference between this comparative example and Example 21 is that this comparative example uses Pd to replace Pt of Example 21, and the shape and particle size range of the Pd powder are the same as those of the Pt powder of Example 21.
비교예 5 내지 7의 테스트 결과는 표 9와 같다.The test results of Comparative Examples 5 to 7 are shown in Table 9.
군별Performance
by county
표 6 내지 9에서 알 수 있듯이, 후막 저항의 낮은 저항 구간 1Ω/□, 0.1Ω/□, 또는 더 낮은 저항 구간, 예를 들어 0.01Ω/□에서, Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금의 형태, 비표면적 및 입경을 제어하고, 동일한 질량백분율의 Pt 분말을 이용해 Pd 분말을 교체하여, 더욱 우수한 TCR 성능을 갖는다. 10Ω/□ 동일 질량백분율의 Pt 분말을 이용해 Pd 분말을 교체하여, 더욱 우수한 TCR 온도 민감도 특성 및 비교적 작은 TCR 치수 효과를 갖는다.As can be seen from Tables 6 to 9, in the low resistance interval of 1Ω/□, 0.1Ω/□, or lower resistance interval of the thick film resistance, for example 0.01Ω/□, in the form of Pt powder or Ag-Pt alloy, the ratio By controlling the surface area and particle size, and replacing the Pd powder with a Pt powder of the same mass percentage, it has better TCR performance. By replacing Pd powder with Pt powder of the same mass percentage of 10Ω/□, it has better TCR temperature sensitivity characteristics and relatively small TCR dimension effect.
[실시예 25][Example 25]
실시예 7과의 차이점은, 본 실시예는 f형 Pt를 이용해 실시예 7의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 7 is that this example uses f-type Pt to replace Pt in Example 7.
[실시예 26][Example 26]
실시예 15과의 차이점은, 본 실시예는 g형 Pt를 이용해 실시예 15의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 15 is that this example uses g-type Pt to replace Pt of Example 15.
[실시예 27][Example 27]
실시예 10과의 차이점은, 본 실시예는 h형 Pt를 이용해 실시예 10의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 10 is that this example uses h-type Pt to replace Pt of Example 10.
[실시예 28][Example 28]
실시예 17과의 차이점은, 본 실시예는 i형 Pt를 이용해 실시예 17의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 17 is that this example uses i-type Pt to replace Pt of Example 17.
[비교예 8][Comparative Example 8]
실시예 5와의 차이점은, 본 비교예는 j형 Pt를 이용해 실시예 5의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 5 is that this comparative example uses j-type Pt to replace Pt of Example 5.
[비교예 9][Comparative Example 9]
실시예 14와의 차이점은, 본 비교예는 j형 Pt를 이용해 실시예 14의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 14 is that this comparative example uses j-type Pt to replace Pt of Example 14.
[비교예 10][Comparative Example 10]
실시예 21과의 차이점은, 본 비교예는 j형 Pt를 이용해 실시예 21의 Pt를 대체한다는 것이다.The difference from Example 21 is that this comparative example uses j-type Pt to replace Pt of Example 21.
실시예 25 내지 28 및 비교예 8 내지 10의 테스트 결과는 표 10과 같다.The test results of Examples 25 to 28 and Comparative Examples 8 to 10 are shown in Table 10.
군별Performance
by county
표 10에서 알 수 있듯이, Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경이 7 내지 50nm 범위 내에 있지 않은 경우, STOL 및 저항값 집중성은 요건을 충족시키기 어렵다. Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비가 3을 초과하는 경우(비교예 10), CTCR 및 SD는 요건을 충족시키기 어렵다.As can be seen from Table 10, when the crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt is not within the range of 7 to 50 nm, the STOL and resistance value concentration are difficult to meet the requirements. When the length ratio of the major axis to the minor axis of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder exceeds 3 (Comparative Example 10), CTCR and SD are difficult to meet the requirements.
후막 저항 페이스트를 상이한 소결 온도를 통해 칩 저항으로 제조한 후, 상술한 방법에 따라 0.8*0.8 규격의 칩 저항의 TCR 성능을 테스트하였다. 테스트 결과는 표 11 내지 15와 같다.After the thick film resistor paste was manufactured as a chip resistor through different sintering temperatures, the TCR performance of a chip resistor of 0.8*0.8 size was tested according to the above-described method. The test results are shown in Tables 11 to 15.
표 11 내지 15에서 알 수 있듯이, Pt 분말의 저항 페이스트를 사용하여 제조된 저항기는 Pd 분말을 사용한 경우보다 TCR 온도 민감도가 우수하다. 저항 페이스트에서 Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경은 7 내지 50nm 범위 내에 있고, Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비는 3 범위 내에 있다. 상술한 저항 페이스트를 사용하여 제조한 저항기는 TCR 온도 민감도가 더욱 우수하다.As can be seen from Tables 11 to 15, the resistors manufactured using the resistance paste of Pt powder have better TCR temperature sensitivity than the case of using the Pd powder. The crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt in the resistance paste is within the range of 7 to 50 nm, and the length ratio of the major axis and the minor axis of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder is within the range of 3. Resistors manufactured using the above-described resistance paste have better TCR temperature sensitivity.
후막 저항 페이스트를 850℃에서 소결하여 칩 저항으로 제조한 후, 상술한 방법에 따라 상이한 규격의 칩 저항의 TCR 성능을 테스트하였다. 테스트 결과는 표 16 내지 20과 같다.After the thick film resistor paste was sintered at 850° C. to produce a chip resistor, the TCR performance of chip resistors of different specifications was tested according to the above-described method. The test results are shown in Tables 16 to 20.
표 16 내지 20에서 알 수 있듯이, Pt 분말의 저항 페이스트를 사용하여 제조된 저항기는 Pd 분말을 사용한 경우보다 TCR 치수 효과가 우수하다. 저항 페이스트에서 Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경은 7 내지 50nm 범위 내에 있고, Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비는 3 범위 내에 있다. 상술한 저항 페이스트를 사용하여 제조한 저항기는 TCR 치수 효과가 더욱 우수하다.As can be seen from Tables 16 to 20, the resistors manufactured using the resistance paste of Pt powder have better TCR dimensional effect than the case of using the Pd powder. The crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt in the resistance paste is in the range of 7 to 50 nm, and the length ratio of the major axis to the minor axis of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder is within the range of 3. Resistors manufactured using the above-described resistance paste have better TCR dimensional effect.
마지막으로 상기 실시예는 본 발명의 기술적 해결책을 설명하기 위한 것일 뿐이며 본 발명의 보호 범위를 제한하지 않는다. 비교적 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 해결책의 실질과 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 기술적 해결책을 수정 또는 동등한 수준으로 대체할 수 있음을 이해할 수 있다.Finally, the above embodiments are only for illustrating the technical solutions of the present invention and do not limit the protection scope of the present invention. Although the present invention has been described in detail with reference to a relatively preferred embodiment, those skilled in the art to which the present invention pertains can substitute the technical solution of the present invention with modifications or equivalent levels without departing from the substance and scope of the technical solution of the present invention. It can be understood that there is
Claims (10)
Ag 분말, Pt 분말 및 Ag-Pt 합금 분말 중 적어도 둘을 포함하고, 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말은 벌집 모양 구형, 응집형, 구형 및 유사 구형 중 적어도 하나이고, 상기 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말에서, 적어도 90wt%의 Pt 분말 또는 Ag-Pt 합금 분말의 장축과 단축의 길이비는 장축:단축=1~3인 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.A thick film resistance paste comprising:
at least two of Ag powder, Pt powder and Ag-Pt alloy powder, wherein the Pt powder or Ag-Pt alloy powder is at least one of honeycomb spherical, agglomerated, spherical and pseudo-spherical, and the Pt powder or Ag- In the Pt alloy powder, at least 90wt% of the Pt powder or Ag-Pt alloy powder has a length ratio of major axis and minor axis of major axis:short axis=1-3.
상기 Pt 분말 및 Ag-Pt 합금 분말에서, X선 회절법에 의해 측정된 Pt의 (111) 결정면의 결정자 직경은 7 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.According to claim 1,
In the Pt powder and Ag-Pt alloy powder, the crystallite diameter of the (111) crystal plane of Pt measured by X-ray diffraction method is 7 to 50 nm.
상기 Pt 분말의 입경은 10nm 내지 1μm이고, 상기 Pt 분말의 비표면적은 0.3m2/g 내지 25m2/g이고, 상기 Ag-Pt 합금 분말의 입경은 200nm 내지 1μm이고, 상기 Ag-Pt 합금 분말의 비표면적은 0.3m2/g 내지 15m2/g인 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.According to claim 1,
The particle diameter of the Pt powder is 10nm to 1μm, the specific surface area of the Pt powder is 0.3m 2 /g to 25m 2 /g, the particle diameter of the Ag-Pt alloy powder is 200nm to 1μm, the Ag-Pt alloy powder has a specific surface area of 0.3 m 2 /g to 15 m 2 /g.
상기 후막 저항 페이스트는 30 내지 80wt%의 고상 성분 및 20 내지 70wt%의 유기 성분을 포함하고, 고상 성분 100wt%를 기준으로 상기 고상 성분은 Ag 10 내지 70wt%, Pt 0.1 내지 60wt%, RuO2 0 내지 50wt%, 유리 성분 5 내지 60wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The thick film resistance paste contains 30 to 80 wt % of a solid component and 20 to 70 wt % of an organic component, and the solid component is Ag 10 to 70 wt %, Pt 0.1 to 60 wt %, RuO 2 0 Based on 100 wt % of the solid component to 50 wt%, 5 to 60 wt% of a glass component, and 0 to 5 wt% of an inorganic filler.
고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 30 내지 70wt%, Pt 5 내지 60wt%, RuO2 0 내지 20wt%, 유리 성분 5 내지 35wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.5. The method of claim 4,
Based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 30 to 70 wt% of Ag, 5 to 60 wt% of Pt, 0 to 20 wt% of RuO 2 , 5 to 35 wt% of the glass component, and 0 to 5 wt% of the inorganic filler. thick film resistance paste.
고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 20 내지 60wt%, Pt 5 내지 50wt%, RuO2 0 내지 20wt%, 유리 성분 10 내지 40wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.5. The method of claim 4,
Based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 20 to 60 wt% of Ag, 5 to 50 wt% of Pt, 0 to 20 wt% of RuO 2 , 10 to 40 wt% of the glass component, and 0 to 5 wt% of the inorganic filler. thick film resistance paste.
고상 성분 100wt%를 기준으로, 상기 고상 성분은 Ag 10 내지 40wt%, Pt 0.1 내지 20wt%, RuO2 20 내지 50wt%, 유리 성분 20 내지 60wt% 및 무기 충전재 0 내지 5wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.5. The method of claim 4,
Based on 100 wt% of the solid component, the solid component comprises 10 to 40 wt% of Ag, 0.1 to 20 wt% of Pt, 20 to 50 wt% of RuO 2 , 20 to 60 wt% of the glass component, and 0 to 5 wt% of the inorganic filler thick film resistance paste.
상기 유리 성분은 유리 조성물 1, 유리 조성물 2, 유리 조성물 3 및 유리 조성물 4 중 적어도 하나이고,
상기 유리 조성물 1은 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 10 내지 50%, SiO2 35 내지 55%, CaO 5 내지 30%, Al2O3 1 내지 20%, B2O3 1 내지 10% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함하고, 상기 PbO, SiO2, CaO, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 1에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이고,
상기 유리 조성물 2는 중량백분율 함량을 기준으로 SiO2 40 내지 75%, BaO 0 내지 15%, SrO 0 내지 20%, Na2O 0 내지 10%, K2O 0 내지 10%, Al2O3 1 내지 15%, B2O3 1 내지 25% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함하고, 상기 SiO2, BaO, SrO, Na2O, K2O, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 2에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이고,
상기 유리 조성물 3은 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 50 내지 88%, SiO2 10 내지 30%, Al2O3 1 내지 10%, B2O3 1 내지 10% 및 ZnO 0 내지 10%의 성분을 포함하고, 상기 PbO, SiO2, Al2O3, B2O3 및 ZnO는 유리 조성물 3에서 중량백분율 함량의 합이 적어도 95%이고,
상기 유리 조성물 4는 중량백분율 함량을 기준으로 PbO 60 내지 88%, SiO2 10 내지 35%, Al2O3 1 내지 10%, B2O3 1 내지 10% 및 전이금속 산화물 0 내지 20%의 성분을 포함하고, 상기 전이금속 산화물은 CuO, MnO2, Nb2O5, Ta2O5, TiO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.8. The method according to any one of claims 4 to 7,
the glass component is at least one of glass composition 1, glass composition 2, glass composition 3 and glass composition 4;
The glass composition 1 is PbO 10 to 50%, SiO 2 35 to 55%, CaO 5 to 30%, Al 2 O 3 1 to 20%, B 2 O 3 1 to 10%, and ZnO 0 based on the weight percentage content. to 10% of a component, wherein the PbO, SiO 2 , CaO, Al 2 O 3 , B 2 O 3 and ZnO have a sum of weight percentage content in the glass composition 1 of at least 95%,
The glass composition 2 is based on the weight percentage content of SiO 2 40 to 75%, BaO 0 to 15%, SrO 0 to 20%, Na 2 O 0 to 10%, K 2 O 0 to 10%, Al 2 O 3 1 to 15%, B 2 O 3 1 to 25%, and ZnO 0 to 10%, the SiO 2 , BaO, SrO, Na 2 O, K 2 O, Al 2 O 3 , B 2 O 3 and ZnO has a sum of weight percentage contents in glass composition 2 of at least 95%,
The glass composition 3 contains 50 to 88% of PbO, 10 to 30% of SiO 2 , 1 to 10% of Al 2 O 3 , 1 to 10% of B 2 O 3 and 0 to 10% of ZnO based on the weight percentage content. wherein the PbO, SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 and ZnO have a sum of weight percentage contents in the glass composition 3 of at least 95%,
The glass composition 4 contains PbO 60 to 88%, SiO 2 10 to 35%, Al 2 O 3 1 to 10%, B 2 O 3 1 to 10%, and transition metal oxide 0 to 20% based on the weight percentage content. component, wherein the transition metal oxide comprises at least one of CuO, MnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TiO 2 and ZrO 2 .
상기 유기 성분은 유기 캐리어 및 유기 용매를 포함하고, 상기 유기 캐리어는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 아크릴 수지 및 에폭시 수지 중 적어도 하나이고, 상기 유기 용매는 테르피네올, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르 및 알코올 에스테르류 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 후막 저항 페이스트.5. The method of claim 4,
The organic component includes an organic carrier and an organic solvent, the organic carrier is at least one of ethyl cellulose, methyl cellulose, ethyl cellulose, an acrylic resin, and an epoxy resin, and the organic solvent is terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol. A thick film resistance paste, characterized in that it is at least one of bitol acetate, diethylene glycol dibutyl ether, and alcohol esters.
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