KR20220107843A - Copper clad layer, electronic device including the same, and method of preparing the copper clad layer - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a copper clad layer, an electronic device including the same, and a method of preparing the copper clad layer. The copper clad layer includes: a basic layer; a copper layer disposed on at least one surface of the basic layer; and a primer layer between the basic layer and the copper layer. A water contact angle of the surface of the primer layer may be 45-75°. The copper clad layer can improve adhesion between the basic layer and the copper layer and prevent pattern delamination or deformation in a printed circuit process by performing adhesion between the basic layer and the copper layer at 25℃, heat treatment for two hours at 150℃, leaving at room temperature for 30 minutes two times, and an additional heat treatment for 10 minutes at 240℃. The copper clad layer does not include a separate adhesive layer of nickel or nickel chromium alloy, so it is possible to reduce the number of processes and signal loss in a high frequency circuit.

Description

동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법{Copper clad layer, electronic device including the same, and method of preparing the copper clad layer}A copper clad laminated film, an electronic device including the same, and a method of manufacturing the copper clad laminated film {Copper clad layer, electronic device including the same, and method of preparing the copper clad layer}

동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법에 관한 것이다.It relates to a copper-clad laminated film, an electronic device including the same, and a method for manufacturing the copper-clad laminated film.

최근 반도체 집적회로의 발전에 따라 전자제품은 소형화, 경량화, 박막화, 고밀도화, 및 고굴곡화를 갖는 추세가 가속화되고 있다. 이에 따라, 고집적도가 구현되는 소재에 대한 개발이 요구되고 있다.Recently, with the development of semiconductor integrated circuits, the trend of miniaturization, weight reduction, thin film reduction, high density, and high bending of electronic products is accelerating. Accordingly, there is a demand for the development of a material in which high integration is realized.

인쇄회로기판(printed circuit board; PCB)은 절연 기재필름의 상하면이 모두 동박으로 접착되어 회로를 형성한 구조이다. 상기 구조는 랜드(land, 납땜할 수 있는 곳)가 상·하면 모두에 형성될 수 있다. 이 때문에, 부품이 장착되는 경우 동일한 크기에서 부품의 밀도를 높일 수 있다. 통상적인 인쇄회로기판은 다음과 같은 세 가지의 방법으로 제조된다. 즉, 동박 위에 용융상태의 고분자 필름기재를 코팅하여 제조하는 캐스팅(casting)법, 기재필름의 일 면에 스퍼터링한 후 전해도금하는 방법, 및 동박과 열경화성 기재필름을 열압착하는 라미네이팅법이다. A printed circuit board (PCB) has a structure in which both upper and lower surfaces of an insulating base film are bonded with copper foil to form a circuit. In the above structure, a land (a place that can be soldered) may be formed on both upper and lower surfaces. For this reason, it is possible to increase the density of the parts at the same size when the parts are mounted. A typical printed circuit board is manufactured by the following three methods. That is, a casting method for manufacturing by coating a polymer film substrate in a molten state on a copper foil, a method for electrolytic plating after sputtering on one side of the substrate film, and a laminating method for thermocompression bonding the copper foil and a thermosetting substrate film.

그러나 상기 세 가지의 인쇄회로기판의 제조방법으로는 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형의 문제를 충분히 해결할 수 없다. 따라서 기재층과 구리층 간에 충분한 접착력을 가져 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형 방지가 가능한 동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법에 대한 요구가 있다.However, the above three methods of manufacturing the printed circuit board cannot sufficiently solve the problem of pattern peeling or deformation in the printed circuit process. Therefore, there is a need for a copper clad laminate film having sufficient adhesion between the base layer and the copper layer to prevent pattern peeling or deformation in a printed circuit process, an electronic device including the same, and a method for manufacturing the copper clad laminate film.

일 측면은 향상된 기재층과 구리층 간에 상온접착력 및 150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 기재층과 구리층 간에 내열접착력을 가지며, 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형 방지가 가능한 동박적층필름을 제공하는 것이다.One side has improved adhesion between the substrate layer and the copper layer and heat-resistant adhesion between the substrate layer and the copper layer after 2 hours of heat treatment at 150° C., 2 times of leaving at room temperature for 30 minutes, and additional heat treatment at 240° C. for 10 minutes, It is to provide a copper clad laminate film capable of preventing pattern peeling or deformation in a printed circuit process.

다른 일 측면은 상기 동박적층필름을 포함하는 전자소자를 제공하는 것이다. Another aspect is to provide an electronic device including the copper clad laminate.

또다른 일 측면은 상기 동박적층필름의 제조방법을 제공하는 것이다. Another aspect is to provide a method of manufacturing the copper clad laminate.

일 측면에 따라,According to one aspect,

기재층;base layer;

상기 기재층의 적어도 일 면에 배치된 구리층;및a copper layer disposed on at least one surface of the base layer; and

상기 기재층과 상기 구리층 사이에 프라이머층;을 포함하고,a primer layer between the base layer and the copper layer;

상기 프라이머층 표면의 수접촉각이 45 ~ 75°인, 동박적층필름이 제공된다.The water contact angle of the surface of the primer layer is 45 to 75 °, the copper clad laminated film is provided.

상기 프라이머층 표면의 디아이오도메탄(diiodomethane) 접촉각은 30 ~ 60°일 수 있다.The contact angle of diiodomethane on the surface of the primer layer may be 30 to 60°.

상기 프라이머층의 두께는 20 nm 이하일 수 있다.The thickness of the primer layer may be 20 nm or less.

상기 프라이머층은 아미노계 실란 화합물을 포함할 수 있다. The primer layer may include an amino-based silane compound.

상기 프라이머층은 하기 화학식 1로 표시되는 아미노계 실란 화합물을 포함할 수 있다:The primer layer may include an amino-based silane compound represented by the following Chemical Formula 1:

<화학식 1><Formula 1>

XCmH2mSi(OCnH2n)3 XC m H 2m Si(OC n H 2n ) 3

식 중,during the meal,

X는 할로겐원자, -SH, -OOC(CH2CH3), -CH=CH2, 또는 -N(R1)(R2)일 수 있고, 여기서 R1, R2는 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 헤테로아릴기일 수 있으며, X may be a halogen atom, -SH, -OOC(CH 2 CH 3 ), -CH=CH 2 , or -N(R 1 )(R 2 ), wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom. , halogen atom, substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group , a substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C6-C20 heteroaryl group,

n은 1 내지 5의 정수일 수 있으며,n may be an integer from 1 to 5,

m은 0 내지 10일 수 있다. m may be 0 to 10.

상기 프라이머층은 0.01 ~ 10 중량% 미만의 아미노계 실란 화합물이 함유된 조성물로부터 유래된 층일 수 있다.The primer layer may be a layer derived from a composition containing less than 0.01 to 10 wt% of an amino-based silane compound.

상기 기재층은 주파수 20 GHz에서 3.4 이하의 유전율(Dk) 및 0.007 이하의 유전손실률(Df)을 가질 수 있다.The base layer may have a dielectric constant (D k ) of 3.4 or less and a dielectric loss factor (D f ) of 0.007 or less at a frequency of 20 GHz.

상기 구리층은 스퍼터층일 수 있다.The copper layer may be a sputtered layer.

상기 구리층의 일 면에 금속도금층을 더 포함할 수 있다.A metal plating layer may be further included on one surface of the copper layer.

25 ℃에서 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도는 0.80 kgf/cm 이상일 수 있다.The peel strength of the copper layer with respect to the base layer measured at 25° C. may be 0.80 kgf/cm or more.

150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후, 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도는 0.45 kgf/cm 이상일 수 있다.After heat treatment at 150° C. for 2 hours, leaving it at room temperature for 30 minutes twice and additional heat treatment at 240° C. for 10 minutes, the measured peel strength of the copper layer with respect to the base layer may be 0.45 kgf/cm or more.

다른 일 측면에 따라,According to another aspect,

상술한 동박적층필름을 포함하는 전자소자가 제공된다. An electronic device including the above-described copper clad laminate is provided.

또다른 일 측면에 따라,According to another aspect,

기재층의 적어도 일 면에 프라이머층 형성용 조성물을 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계;forming a primer layer by applying a composition for forming a primer layer on at least one surface of the base layer;

상기 프라이머층 상에 스퍼터링으로 구리층을 증착시키는 단계; 및depositing a copper layer on the primer layer by sputtering; and

상기 구리층 상에 구리 전해도금층을 형성하여 상술한 동박적층필름을 제조하는 단계;를 포함하는, 동박적층필름의 제조방법이 제공된다. Forming a copper electrolytic plating layer on the copper layer to prepare the above-mentioned copper clad laminated film; comprising, a copper clad laminated film manufacturing method is provided.

상기 프라이머층을 형성하는 단계 이후 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include performing plasma treatment after forming the primer layer.

일 측면에 따른 동박적층필름은 기재층과 구리층 사이에 프라이머층을 포함하고, 상기 프라이머층 표면의 수접촉각은 45 ~ 75°이다. 상기 동박적층필름은 기재층과 구리층 간에 상온접착력 및 150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 기재층과 구리층 간에 내열접착력이 향상될 수 있다. 상기 동박적층필름은 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형 방지가 가능하다. 또한 상기 동박적층필름은 별도의 니켈 또는 니켈크롬 합금 등의 접합층을 포함하지 않아 공정수를 줄일 수 있으며, 고주파 회로에서의 신호손실을 감소시킬 수 있다.The copper clad laminated film according to one aspect includes a primer layer between the base layer and the copper layer, and the water contact angle of the surface of the primer layer is 45 to 75°. The copper clad laminated film has improved thermal adhesion between the base layer and the copper layer after heat treatment at room temperature and 150° C. for 2 hours, leaving it at room temperature for 30 minutes twice, and additional heat treatment at 240° C. for 10 minutes. can be The copper clad laminate film can prevent pattern peeling or deformation in a printed circuit process. In addition, since the copper clad laminate film does not include a separate bonding layer such as nickel or nickel-chromium alloy, the number of steps can be reduced, and signal loss in a high-frequency circuit can be reduced.

도 1은 일 구현예에 따른 동박적층필름의 단면 모식도이다.
도 2는 일 구현예에 따른 동박적층필름의 단면 모식도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a copper-clad laminated film according to an embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view of a copper clad laminated film according to an embodiment.

이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법에 관해 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, a copper-clad laminated film, an electronic device including the same, and a method of manufacturing the copper-clad laminated film will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art that these examples are only presented as examples to explain the present invention in more detail, and that the scope of the present invention is not limited by these examples. .

달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control.

본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described herein.

본 명세서에서 "포함"이라는 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, the term "included" means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본 명세서에서 "이들 조합"이라는 용어는 기재된 구성요소들 하나 이상과의 혼합 또는 조합을 의미한다. As used herein, the term “combination of these” means a mixture or combination with one or more of the described components.

본 명세서에서 "및/또는"이라는 용어는 관련 기재된 하나 이상의 항목들의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함하는 것을 의미한다. 본 명세서에서 "또는"이라는 용어는 "및/또는"을 의미한다. 본 명세서에서 구성요소들의 앞에 "적어도 1종", 또는 "하나 이상"이라는 표현은 전체 구성요소들의 목록을 수식할 수 있고 상기 기재의 개별 구성요소들을 수식할 수 있는 것을 의미하지 않는다.As used herein, the term “and/or” is meant to include any and all combinations of one or more of the related listed items. As used herein, the term “or” means “and/or”. The expression "at least one" or "one or more" in front of elements in the present specification does not mean that it can modify the entire list of elements and can modify individual elements of the description.

본 명세서에서 일 구성요소가 다른 구성요소의 "상에" 또는 "위에" 배치되어 있다고 언급되는 경우, 일 구성요소는 다른 구성요소 위에 직접 배치될 수 있거나 상기 구성요소들 사이에 개재된 구성요소들이 존재할 수 있을 수 있다. 반면에, 일 구성요소가 다른 구성요소 "상에 직접" 또는 "위에 직접" 배치되어 있다고 언급되는 경우, 개재된 구성요소들이 존재하지 않을 수 있다. In the present specification, when it is stated that an element is disposed "on" or "above" another element, one element may be disposed directly on the other element, or the elements interposed between the elements are may exist. On the other hand, when an element is referred to as being disposed "directly on" or "directly on" another element, intervening elements may not be present.

본 명세서에서 "~ 계 중합체 (수지)"또는 "~ 계 공중합체 (수지)"는 "~ 중합체 (수지)", "~ 공중합체 (수지)", 또는/및 "~ 중합체 (수지) 또는 공중합체 (수지)의 유도체"를 모두 포함하는 광의의 개념이다.As used herein, "~-based polymer (resin)" or "~-based copolymer (resin)" means "~ polymer (resin)", "~ copolymer (resin)", or/and "~ polymer (resin) or copolymer" It is a concept in a broad sense including all of "derivatives of coalescing (resin)".

통상적인 인쇄회로기판(printed circuit board; PCB)의 제조방법 중, 기재필름의 일 면에 스퍼터링한 후 전해도금하는 방법은 기재필름과 증착된 구리층과의 접착력이 낮게 된다. 기재필름과 구리층간에 접착력이 낮게 되면, 인쇄회로기판 제조시 회로패턴이 탈락되거나 변형될 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기재필름과 구리층 사이에 니켈 또는 니켈크롬 합금 등의 접합층이 배치될 수 있다. 그러나 이러한 니켈 또는 니켈크롬 합금 등의 접합층을 포함시키는 제조공정은 공정수의 증가와 유해물질의 사용으로 인한 안정성 및 환경오염의 문제가 발생한다. 고주파 신호를 사용하는 회로에서 니켈 또는 니켈크롬 합금 등의 접합층에 의한 신호손실이 발생할 수 있다. Among the typical methods of manufacturing a printed circuit board (PCB), in a method of electroplating after sputtering on one surface of the base film, the adhesion between the base film and the deposited copper layer is low. When the adhesion between the base film and the copper layer is low, the circuit pattern may be dropped or deformed during the manufacture of the printed circuit board. To solve this problem, a bonding layer such as nickel or nickel-chromium alloy may be disposed between the base film and the copper layer. However, the manufacturing process including such a bonding layer such as nickel or nickel-chromium alloy causes problems of stability and environmental pollution due to an increase in the number of processes and the use of harmful substances. In circuits using high-frequency signals, signal loss may occur due to bonding layers such as nickel or nickel-chromium alloys.

이러한 점에 착안하여 본 발명의 발명자들은 신규한 구조의 동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법을 제안하고자 한다. In view of this, the inventors of the present invention intend to propose a copper clad laminate film having a novel structure, an electronic device including the same, and a method for manufacturing the copper clad laminate film.

일 구현예에 따른 동박적층필름은 기재층; 상기 기재층의 적어도 일 면에 배치된 구리층; 및 상기 기재층과 상기 구리층 사이에 프라이머층;을 포함하고,상기 프라이머층 표면의 수접촉각은 45 ~ 75°일 수 있다. 상기 프라이머층 표면의 디아이오도메탄(diiodomethane) 접촉각은 30 ~ 60°일 수 있다.A copper clad laminated film according to an embodiment includes a base layer; a copper layer disposed on at least one surface of the base layer; and a primer layer between the base layer and the copper layer, wherein a water contact angle of the surface of the primer layer may be 45° to 75°. The contact angle of diiodomethane on the surface of the primer layer may be 30 to 60°.

상기 동박적층필름은 기재층과 구리층 간에 상온접착력 및 150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 기재층과 구리층 간에 내열접착력이 향상될 수 있다. 상기 동박적층필름은 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형 방지가 가능하다. 또한 상기 동박적층필름은 별도의 니켈 또는 니켈크롬 합금 등의 접합층을 포함하지 않아 공정수를 줄일 수 있으며, 고주파 회로에서의 신호손실을 감소시킬 수 있다.The copper clad laminated film has improved thermal adhesion between the base layer and the copper layer after heat treatment at room temperature and 150° C. for 2 hours, leaving it at room temperature for 30 minutes twice, and additional heat treatment at 240° C. for 10 minutes. can be The copper clad laminate film can prevent pattern peeling or deformation in a printed circuit process. In addition, since the copper clad laminate film does not include a separate bonding layer such as nickel or nickel-chromium alloy, the number of steps can be reduced, and signal loss in a high-frequency circuit can be reduced.

이하, 상기 동박적층필름을 구성하는 각각의 기재층, 구리층, 프라이머층 등에 관해서는 상세히 설명한다. Hereinafter, each base layer, copper layer, primer layer, etc. constituting the copper clad laminate will be described in detail.

<기재층><Base layer>

일 구현예에 따른 기재층은 필름 또는 시트일 수 있다. 예를 들어, 기재층은 필름일 수 있다. 상기 기재층은 인쇄회로기판 제조시 높은 온도를 견딜 수 있는 내열성이 우수한 필름을 사용할 수 있다 The base layer according to an embodiment may be a film or a sheet. For example, the base layer may be a film. As the base layer, a film having excellent heat resistance that can withstand high temperatures when manufacturing a printed circuit board may be used.

예를 들어, 상기 기재층은 폴리이미드, 저유전율을 갖는 폴리이미드(modified polyimide), 폴리페닐설파이드, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 또는 불소가 함유된 필름을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재층은 폴리이미드 또는 저유전율을 갖는 폴리이미드(modified polyimide) 필름을 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재층에 사용되는 폴리이미드 필름은 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산을 압출하여 필름을 만들고, 상기 폴리아믹산의 이미드화를 위하여 상기 필름을 열처리 및 건조하여 제조될 수 있다. 상기 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 건조과정을 통해 수분 및 잔류가스를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 건조는 상압 하에서 롤투롤(roll to roll) 타입의 열처리를 통해 수행되거나 또는 진공분위기 하에서 적외선(IR) 히터를 이용하여 수행될 수 있다.For example, the base layer may include a film containing polyimide, a modified polyimide having a low dielectric constant, polyphenylsulfide, polyamide, polyetherimide, polyethylene naphthalate, or a fluorine-containing film. For example, the base layer may be formed of polyimide or a modified polyimide film having a low dielectric constant. For example, the polyimide film used for the base layer may be manufactured by extruding polyamic acid, which is a polyimide precursor, to make a film, and heat-treating and drying the film for imidization of the polyamic acid. It is possible to remove moisture and residual gas through a drying process commonly used in the art. For example, the drying may be performed through a roll to roll type heat treatment under normal pressure or may be performed using an infrared (IR) heater under a vacuum atmosphere.

흡습율은 재료가 흡습하고 있는 수분량을 나타내는 비율이다. 일반적으로 흡습율이 높을 때 유전율과 유전손실률이 증가하는 것으로 알려져 있다.The moisture absorption rate is a ratio indicating the amount of moisture absorbed by the material. In general, it is known that the dielectric constant and the dielectric loss factor increase when the moisture absorption rate is high.

기재층 외에 수증기 상태로 존재하는 물은 기재층의 유전율과 유전손실률에 실질적으로 영향을 미치지 않는다. 그러나 수증기 등이 기재층에 흡습된 상태에서는 물이 액체상태로 존재하는데, 이러한 경우에 기재층의 유전율과 유전손실률은 비약적으로 증가할 수 있다. 따라서 기재층의 흡습율을 낮게하는 것은, 절연필름으로서 기재층에 매우 중요한 요소로 볼 수 있다. Water existing in the vapor state other than the base layer does not substantially affect the dielectric constant and the dielectric loss factor of the base layer. However, when water vapor or the like is absorbed into the base layer, water exists in a liquid state. In this case, the dielectric constant and the dielectric loss factor of the base layer may increase dramatically. Therefore, lowering the moisture absorption of the base layer can be seen as a very important factor for the base layer as an insulating film.

상기 기재층의 흡습율은 5 중량% 미만일 수 있다. 예를 들어, 상기 기재층의 흡습율은 4 중량% 이하이거나 3 중량% 이하이거나 2 중량% 이하일 수 있다. 상기 기재층의 흡습율이 5 중량% 이상이면 고주파 회로에서의 신호손실이 증가할 수 있다.The moisture absorption of the base layer may be less than 5% by weight. For example, the moisture absorption of the base layer may be 4 wt% or less, 3 wt% or less, or 2 wt% or less. When the moisture absorption of the base layer is 5% by weight or more, signal loss in the high-frequency circuit may increase.

상기 기재층은 주파수 20 GHz에서 3.4 이하의 유전율(Dk) 및 0.007 이하의 유전손실률(Df)을 가질 수 있다.The base layer may have a dielectric constant (D k ) of 3.4 or less and a dielectric loss factor (D f ) of 0.007 or less at a frequency of 20 GHz.

상기 기재층의 유리전이온도(Tg)는 200 ℃이상일 수 있다. 상기 기재층은 충분한 내열성을 가질 수 있어, 높은 온도범위 내에서 및 오랜시간 동안 물리-화학적인 변화가 발생하지 않을 수 있다. 상기 기재층의 유리전이온도(Tg)가 200 ℃이하인 경우에는 인쇄회로기판 제조공정에서 기재층이 녹거나 고온공정 후 기재층의 치수 변화가 발생되어 회로기판이 휘는 현상이 발생할 수 있다.The glass transition temperature (T g ) of the substrate layer may be 200 °C or higher. The base layer may have sufficient heat resistance, so that physical-chemical changes may not occur within a high temperature range and for a long time. When the glass transition temperature (T g ) of the substrate layer is 200° C. or less, the substrate layer melts in the printed circuit board manufacturing process or the dimensional change of the substrate layer occurs after the high temperature process, thereby causing the circuit board to warp.

상기 기재층의 두께는 일반적으로 5㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 외력에 의한 주름현상을 억제하고 적절한 내열성을 유지하고 취급을 용이하게 하도록 10㎛ 내지 75㎛일 수 있다.The thickness of the base layer may be generally 5 μm to 100 μm. It may be 10 μm to 75 μm to suppress wrinkles caused by external force, maintain proper heat resistance, and facilitate handling.

상기 기재층은 표면에 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 RF 플라즈마 또는 이온 빔을 사용할 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 상기 기재층의 일면 또는 양면에 수행될 수 있다. 상기 플라즈마 처리로 기재층 표면의 화학적 활성을 강화시킬 수 있을 뿐만아니라 표면조도를 개선시켜 상기 기재층과 구리층 간에 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다. The substrate layer may be subjected to plasma treatment on the surface. The plasma treatment may use RF plasma or an ion beam. The plasma treatment may be performed on one or both surfaces of the base layer. The plasma treatment can not only enhance the chemical activity of the surface of the substrate layer, but also improve the surface roughness, thereby further improving the adhesion between the substrate layer and the copper layer.

<프라이머층><Primer layer>

일 구현예에 따른 프라이머층은 아미노계 실란 화합물을 포함할 수 있다. The primer layer according to an embodiment may include an amino-based silane compound.

예를 들어, 상기 프라이머층은 하기 화학식 1로 표시되는 아미노계 실란 화합물을 포함할 수 있다:For example, the primer layer may include an amino-based silane compound represented by the following Chemical Formula 1:

<화학식 1><Formula 1>

XCmH2mSi(OCnH2n)3 XC m H 2m Si(OC n H 2n ) 3

식 중,during the meal,

X는 할로겐원자, -SH, -OOC(CH2CH3), -CH=CH2, 또는 -N(R1)(R2)이고, 여기서 R1, R2는 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 헤테로아릴기이며, X is a halogen atom, -SH, -OOC(CH 2 CH 3 ), -CH=CH 2 , or -N(R 1 )(R 2 ), wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, halogen Atom, substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group, substituted Or an unsubstituted C3-C20 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C6-C20 heteroaryl group,

n은 1 내지 5의 정수일 수 있으며,n may be an integer from 1 to 5,

m은 0 내지 10일 수 있다. m may be 0 to 10.

상기 화학식 1에서 사용되는 치환(기)의 정의에 대하여 살펴보면 다음과 같다. The definition of the substituent (group) used in Formula 1 is as follows.

상기 화학식 1에서 사용되는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기가 갖는 "치환된"에서의 "치환"은 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기(예: CCF3, CHCF2, CH2F, CCl3 등), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 C1-C10의 알킬기, C2-C10의 알케닐기, C2-C10의 알키닐기, C1-C20의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환된 것을 의미한다.“Substitution” in “substituted” of an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, aryl group, or heteroaryl group used in Formula 1 is a halogen atom or a C1-C10 alkyl group substituted with a halogen atom. (Example: CCF 3 , CHCF 2 , CH 2 F, CCl 3 etc.), hydroxy group, nitro group, cyano group, amino group, amidino group, hydrazine, hydrazone, carboxyl group or its salt, sulfonic acid group or its salt, phosphoric acid or its salt Salt or C1-C10 alkyl group, C2-C10 alkenyl group, C2-C10 alkynyl group, C1-C20 heteroalkyl group, C6-C20 aryl group, C6-C20 arylalkyl group, C6-C20 heteroaryl group group, or means substituted with a C6-C20 heteroarylalkyl group.

상기 화학식 1에서 사용되는 C1-C10의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, ter-부틸, neo-부틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the C1-C10 alkyl group used in Formula 1 include methyl, ethyl, propyl, isobutyl, sec-butyl, ter-butyl, neo-butyl, iso-amyl, and hexyl, among the alkyl groups One or more hydrogen atoms may be substituted with a substituent as defined in "substitution" above.

상기 화학식 1에서 사용되는 C2-C10의 알케닐기의 구체적인 예로는 비닐렌, 알릴렌 등을 들 수 있고, 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the C2-C10 alkenyl group used in Formula 1 include vinylene and allylene, and at least one hydrogen atom of the alkenyl group may be substituted with a substituent as defined in the above-mentioned "substitution" .

상기 화학식 1에서 사용되는 C2-C20의 알키닐기의 구체적인 예로는 아세틸렌 등을 들 수 있고, 상기 알키닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the C2-C20 alkynyl group used in Formula 1 may include acetylene, and at least one hydrogen atom of the alkynyl group may be substituted with a substituent as defined in “Substitution” above.

상기 화학식 1에서 사용되는 C3-C20의 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등을 들 수 있고, 상기 시클로알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the C3-C20 cycloalkyl group used in Formula 1 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and the like, and at least one hydrogen atom of the cycloalkyl group is as defined in the above-mentioned "substitution". It can be substituted with the same substituent.

상기 화학식 1에서 사용되는 C3-C20의 시클로알케닐기의 구체적인 예로는 시클로프로페닐, 시클로부테닐, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐 등을 들 수 있고, 상기 시클로알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the C3-C20 cycloalkenyl group used in Formula 1 include cyclopropenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, and the like, and at least one hydrogen atom of the cycloalkenyl group is It may be substituted with a substituent as defined in "substituting".

상기 화학식 1에서 사용되는 C6-C20의 아릴기는 단독 또는 조합하여 사용되어, 하나 이상의 고리를 포함하는 방향족 시스템인 것을 의미하며, 예를 들어 페닐, 나프틸 등을 들 수 있다. 또한 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.The C6-C20 aryl group used in Formula 1 is used alone or in combination to mean an aromatic system including one or more rings, and examples thereof include phenyl and naphthyl. In addition, one or more hydrogen atoms in the aryl group may be substituted with a substituent as defined in the above-mentioned "substitution".

상기 화학식 1에서 사용되는 C6-C20의 헤테로아릴기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 고리원자가 탄소인 유기 화합물인 것을 의미하며, 예를 들어 피리딜 등을 들 수 있다. 또한 상기 헤테로아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 "치환"에서 정의한 바와 같은 치환기로 치환가능하다.The C6-C20 heteroaryl group used in Formula 1 means an organic compound containing one or more heteroatoms selected from N, O, P or S, and the remaining ring atoms are carbon, for example, pyridyl, etc. can In addition, one or more hydrogen atoms in the heteroaryl group may be substituted with a substituent as defined in the above-mentioned "substitution".

상기 프라이머층은 상기 아미노계 실란 화합물을 단독 또는 2종 이상을 혼합한 조성물로부터 유래된 층일 수 있거나 상기 아미노계 실란 화합물 또는 다른 작용기, 예를 들면 비닐기 등을 갖는 실란 화합물과 혼합한 조성물로부터 유래된 층일 수 있다.The primer layer may be a layer derived from a composition in which the amino-based silane compound is used alone or in a mixture of two or more, or is derived from a composition in which the amino-based silane compound or a silane compound having another functional group, such as a vinyl group, is mixed. It may be a layered layer.

상기 프라이머층은 0.01~10 중량% 미만의 아미노계 실란 화합물이 함유된 조성물로부터 유래된 층일 수 있다. 예를 들어, 상기 프라이머층은 용액도포법을 이용하여 기재층 상에 프라이머층 형성용 조성물을 도포 및 건조하여 형성될 수 있다. The primer layer may be a layer derived from a composition containing less than 0.01 to 10% by weight of the amino-based silane compound. For example, the primer layer may be formed by applying and drying a composition for forming a primer layer on the base layer using a solution application method.

상기 프라이머층 형성용 조성물에 사용된 용매는 한정되지 않으나, 예를 들어 상기 용매는 물, 아세톤, 메탄올, 에탄올, 및 이소프로판올로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The solvent used in the composition for forming the primer layer is not limited, but, for example, the solvent may be at least one selected from water, acetone, methanol, ethanol, and isopropanol.

상기 프라이머층의 두께는 20 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 프라이머층의 두께는 18 nm 이하일 수 있거나 16 nm 이하일 수 있거나 15 nm 이하일 수 있다. 상기 프라이머층의 두께가 상기 박막인 경우에도 기재층과 구리층 간에 상온접착력 및 150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 기재층과 구리층 간에 내열접착력이 향상될 수 있다.The thickness of the primer layer may be 20 nm or less. For example, the thickness of the primer layer may be 18 nm or less, 16 nm or less, or 15 nm or less. Even when the thickness of the primer layer is the thin film, after room temperature adhesion and heat treatment at 150° C. for 2 hours between the base layer and the copper layer, the substrate layer and copper Heat-resistant adhesion between the layers may be improved.

<구리층><Copper Layer>

일 구현예에 따른 구리층은 스퍼터층일 수 있다. 상기 프라이머층의 일면 또는 양면에 10-4 내지 10-2 torr의 감압상태의 진공탱크(Tank)에서 스퍼터링으로 증착시킬 수 있다. 증착법으로는 당해 기술분야에서 사용가능한 모든 증착법을 사용할 수 있으나, 예를 들어 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 저압화학기상증착(LPCVD), 또는 진공증착 등의 방법을 이용할 수 있다.The copper layer according to an embodiment may be a sputtered layer. It may be deposited on one or both sides of the primer layer by sputtering in a vacuum tank under a reduced pressure of 10 -4 to 10 -2 torr. As the deposition method, any deposition method available in the art may be used, but for example, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), or vacuum deposition may be used. have.

상기 구리층의 두께는 50~150 nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 구리층의 두께는 50~140 nm일 수 있거나 50~130 nm일 수 있거나 50~120 nm일 수 있다. 상기 구리층이 상기 두께 범위를 갖는다면 성막시 도전성을 확보할 수 있으며 낮은 표면조도(Rz)를 갖는 동박적층필름을 제공할 수 있다.The thickness of the copper layer may be 50 to 150 nm. For example, the thickness of the copper layer may be 50-140 nm, may be 50-130 nm, or may be 50-120 nm. If the copper layer has the thickness range, conductivity can be secured during film formation and a copper clad laminate film having a low surface roughness (Rz) can be provided.

<금속도금층><Metal plating layer>

상기 구리층의 일 면에 구리도금층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구리도금층은 전해도금법을 이용하여 형성된다.A copper plating layer may be further included on one surface of the copper layer. For example, the copper plating layer is formed using an electrolytic plating method.

상기 금속은 당업자가 구현하고자 하는 금속질감에 따라 적당한 금속을 선택할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속은 금, 은, 코발트, 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 또는 구리일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속은 구리일 수 있다.As the metal, an appropriate metal may be selected by a person skilled in the art according to the metal texture to be implemented. For example, the metal may be gold, silver, cobalt, aluminum, iron, nickel, chromium, or copper. For example, the metal may be copper.

상기 전해도금은 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 방법을 통해 수행할 수 있다. 상기 전해도금은 예를 들어, 황산구리 및 황산을 기본물질로 하여 전해도금을 실시하여 상기 구리층 상에 금속도금층을 형성하는 방법으로 수행된다.The electroplating may be performed by a method commonly used in the art. The electroplating is performed by, for example, performing electroplating using copper sulfate and sulfuric acid as basic materials to form a metal plating layer on the copper layer.

상기 전해도금은 구리가 15 내지 40g/L, 예를 들어 15 내지 38g/L, 예를 들어 17 내지 36g/L 농도로 포함된 도금액을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 전해도금은 도금액의 온도가 22 내지 37℃, 예를 들어 25 내지 35℃, 예를 들어 27 내지 34℃로 유지될 수 있다. 상기 도금액의 온도범위 내에서 도금층 형성이 용이하고 우수한 생산성을 가질 수 있다. The electrolytic plating may be performed using a plating solution containing copper at a concentration of 15 to 40 g/L, for example, 15 to 38 g/L, for example, 17 to 36 g/L. In the electrolytic plating, the temperature of the plating solution may be maintained at 22 to 37°C, for example, 25 to 35°C, for example, 27 to 34°C. It is easy to form a plating layer within the temperature range of the plating solution and can have excellent productivity.

상기 도금액의 pH는 7 초과일 수 있다. 선택적으로, 1종 이상의 pH 조절제는 상기 도금액에 포함되어, 상기 도금액의 pH를 알칼리성 pH로 조절할 수 있다. 상기 pH 조절제는 유기 산, 무기 산, 유기 염기, 무기 염기, 또는 이들 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 산은 인산, 질산, 황산, 염산, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 염기는 수산화암모늄, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다.The pH of the plating solution may be greater than 7. Optionally, one or more pH adjusting agents may be included in the plating solution to adjust the pH of the plating solution to an alkaline pH. The pH adjusting agent may include an organic acid, an inorganic acid, an organic base, an inorganic base, or a mixture thereof. For example, the inorganic acid may include phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, or a combination thereof. For example, the inorganic base may include ammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, or a combination thereof.

한편, 상기 도금액에는 생산성 및 표면 균일성을 위해서 공지의 첨가제, 예를 들어, 광택제, 레벨러, 보정제, 완화제 등이 첨가될 수 있다.Meanwhile, well-known additives, for example, a brightener, a leveler, a correcting agent, a emollient, and the like, may be added to the plating solution for productivity and surface uniformity.

상기 전해도금은 전류밀도가 0.1 내지 20A/m², 예를 들어 0.1 내지 17A/m², 예를 들어 0.3 내지 15A/m²의 조건에서 수행될 수 있다. 상기 전류밀도의 범위 내에서 금속도금층 형성이 용이하고 우수한 생산성을 가질 수 있다.The electroplating may be performed under conditions of a current density of 0.1 to 20A/m², for example, 0.1 to 17A/m², for example, 0.3 to 15A/m². Within the range of the current density, it is possible to easily form a metal plating layer and have excellent productivity.

상기 금속도금층의 두께는 0.1 내지 20㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속도금층의 두께는 0.2 내지 18㎛일 수 있거나 0.7 내지 12㎛일 수 있다. 상기 금속도금층의 두께가 상기 범위 내에서 금속도금층 형성이 용이하면서 생산성이 우수하고, 기재층과 구리층 간에 상온접착력 및 내열접착력이 향상될 수 있다. The metal plating layer may have a thickness of 0.1 to 20 μm. For example, the thickness of the metal plating layer may be 0.2 to 18㎛ or 0.7 to 12㎛. When the thickness of the metal plating layer is within the above range, it is easy to form the metal plating layer, and the productivity is excellent, and the room temperature adhesion and heat resistance adhesion between the base layer and the copper layer can be improved.

<동박적층필름 및 전자소자><Copper-clad laminated film and electronic device>

도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 동박적층필름의 단면 모식도이다.1 and 2 are schematic cross-sectional views of a copper clad laminated film according to an embodiment, respectively.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 구현예에 따른 동박적층필름(100, 200)은 기재층(11)의 일면 또는 양면에 프라이머층(21, 22), 구리층(31, 32), 및 금속도금층(41, 42)이 순서대로 배치되어 있다. 1 and 2, the copper clad laminated films 100 and 200 according to an embodiment are primer layers 21 and 22, copper layers 31 and 32, and The metal plating layers 41 and 42 are sequentially arranged.

25 ℃에서 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도는 0.80 kgf/cm 이상일 수 있다.The peel strength of the copper layer with respect to the base layer measured at 25° C. may be 0.80 kgf/cm or more.

150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도는 0.45 kgf/cm 이상일 수 있다.After heat treatment at 150° C. for 2 hours, the copper layer may have a peel strength of 0.45 kgf/cm or more, measured after 2 hours of leaving at room temperature for 30 minutes and additional heat treatment at 240° C. for 10 minutes.

다른 일 구현예에 따른 전자소자는 상술한 동박적층필름을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자소자는 전자회로소자 또는 전자부품 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자회로소자는 반도체, 인쇄 회로 기판, 또는 배선 기판 등을 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 전자소자는 LCD, OLED와 같은 디스플레이 소자를 포함할 수 있다.An electronic device according to another embodiment may include the above-described copper clad laminate. For example, the electronic device may include an electronic circuit device or an electronic component. For example, the electronic circuit device may include a semiconductor, a printed circuit board, or a wiring board. For example, the electronic device may include a display device such as LCD or OLED.

<동박적층필름의 제조방법><Manufacturing method of copper clad laminated film>

또다른 일 구현예에 따른 동박적층필름의 제조방법은 기재층의 적어도 일 면에 프라이머층 형성용 조성물을 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계; 상기 프라이머층 상에 스퍼터링으로 구리층을 증착시키는 단계; 및 상기 구리층 상에 구리 전해도금층을 형성하여 상술한 동박적층필름을 제조하는 단계;를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a copper clad laminate film according to another embodiment includes the steps of: forming a primer layer by applying a composition for forming a primer layer on at least one surface of a base layer; depositing a copper layer on the primer layer by sputtering; and forming a copper electrolytic plating layer on the copper layer to prepare the above-mentioned copper clad laminated film.

상기 동박적층필름의 제조방법은 인쇄회로공정에서 패턴 박리 또는 변형을 방지할 수 있다. 상기 동박적층필름의 제조방법은 별도의 니켈 또는 니켈크롬 합금의 접합층을 형성하는 단계를 포함하지 않아 공정수를 줄일 수 있으며, 고주파 회로에서의 신호손실을 감소시킬 수 있다.The manufacturing method of the copper clad laminate film can prevent pattern peeling or deformation in the printed circuit process. The manufacturing method of the copper clad laminate film does not include the step of forming a separate bonding layer of nickel or nickel-chromium alloy, so the number of steps can be reduced, and signal loss in a high-frequency circuit can be reduced.

상기 프라이머층을 형성하는 단계 이후 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include performing plasma treatment after forming the primer layer.

이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되지 않는다는 것은 자명한 사실일 것이다.Hereinafter, the configuration of the present invention and its effects will be described in more detail through Examples and Comparative Examples. However, it will be apparent that these examples are for illustrating the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited to these examples.

[실시예] [Example]

실시예 1: 동박적층필름의 제조Example 1: Preparation of copper clad laminated film

기재필름으로서 약 50 ㎛ 두께의 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.4, Df: 0.007 @ 20 GHz)을 준비하였다. 이와 별도로, 아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 1g을 증류수 10g에 교반하였다. 상기 아미노프로필트리에톡시실란 수용액에 에탄올(대정화금) 50g 및 이소프로필알콜(대정화금) 50g에 용해시키고 1시간 동안 교반하여 프라이머층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 프라이머층 형성용 조성물을 상기 폴리이미드 기재필름의 상면에 메이어바로 도포하고 150℃에서 약 2분간 건조하여 5nm 두께의 프라이머층을 형성하였다. 상기 프라이머층의 상면에 물리기상증착법(PVD)으로 순도 99.995 %의 구리를 이용하여 1200 Å 두께로 구리시드층을 형성하였다. 상기 구리시드층 상에 전해구리도금법으로 약 12㎛ 두께의 구리도금층을 형성하여 동박적층필름을 제조하였다. 사용된 전해구리도금액은 Cu2+ 농도 28 g/L, 황산 180 g/L의 용액으로서, 추가로 광택제로서 3-N,N-디메틸아미노디티오카바모일-1-프로판술폰산 0.01 g/L와 보정제(Atotech사 제품)를 포함한 것을 이용하였다. 전해도금은 30℃에서 수행하였으며, 전류밀도 1A/m²으로 전류를 인가하여 제작하였다. About 50 μm thick as a base film A polyimide base film (D k : 3.4, D f : 0.007 @ 20 GHz) was prepared. Separately, 1 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) as an amino silane coupling agent was stirred in 10 g of distilled water. A composition for forming a primer layer was prepared by dissolving 50 g of ethanol (Daejeong Hwageum) and 50 g of isopropyl alcohol (Daejeong Hwageum) in the aminopropyltriethoxysilane aqueous solution and stirring for 1 hour. The composition for forming the primer layer was applied to the upper surface of the polyimide base film with Mayer bar and dried at 150° C. for about 2 minutes to form a primer layer with a thickness of 5 nm. A copper seed layer to a thickness of 1200 Å was formed on the upper surface of the primer layer using copper having a purity of 99.995% by physical vapor deposition (PVD). A copper clad laminate was prepared by forming a copper plating layer with a thickness of about 12 μm on the copper seed layer by an electrolytic copper plating method. The electrolytic copper plating solution used was a solution of Cu 2+ concentration of 28 g/L and sulfuric acid 180 g/L, and further as a brightening agent, 3-N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid 0.01 g/L and a correction agent (manufactured by Atotech) was used. Electrolytic plating was performed at 30°C, and was manufactured by applying a current at a current density of 1A/m².

실시예 2: 동박적층필름의 제조Example 2: Preparation of copper clad laminated film

아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 5 g을 증류수 10g에 교반하여 15nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. Copper foil in the same manner as in Example 1, except that 5 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) as an amino silane coupling agent was stirred in 10 g of distilled water to form a primer layer with a thickness of 15 nm. A laminated film was prepared.

실시예 3: 동박적층필름의 제조Example 3: Preparation of copper clad laminated film

기재필름으로서 약 50 ㎛ 두께의 저유전율 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.2, Df: 0.004 @ 20 GHz)과, 아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 3g을 증류수 10g에 교반하여 10nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. About 50 μm thick as a base film A low dielectric constant polyimide base film (D k : 3.2, D f : 0.004 @ 20 GHz) and 3 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) as an amino silane coupling agent were stirred in 10 g of distilled water. A copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that a primer layer having a thickness of 10 nm was formed.

비교예 1: 동박적층필름의 제조Comparative Example 1: Preparation of copper clad laminated film

상면에 프라이머층 형성용 조성물을 도포하지 않은 약 50 ㎛ 두께의 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.4, Df: 0.007 @ 20 GHz)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. About 50 μm thick without applying the composition for forming a primer layer on the upper surface A copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that a polyimide base film (D k : 3.4, D f : 0.007 @ 20 GHz) was used.

비교예 2: 동박적층필름의 제조Comparative Example 2: Preparation of copper clad laminated film

아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 10g을 증류수 10g에 교반하여 50nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. As an amino silane coupling agent, 10 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) was stirred in 10 g of distilled water to form a primer layer with a thickness of 50 nm. A film was prepared.

비교예 3: 동박적층필름의 제조Comparative Example 3: Preparation of copper clad laminated film

아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 20g을 증류수 10g에 교반하여 100nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. As an amino silane coupling agent, 20 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) was stirred in 10 g of distilled water to form a 100 nm thick primer layer, except for forming a 100 nm thick primer layer. A film was prepared.

비교예 4: 동박적층필름의 제조Comparative Example 4: Preparation of copper-clad laminated film

상면에 프라이머층 형성용 조성물을 도포하지 않은 약 50 ㎛ 두께의 저유전율 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.2, Df: 0.004 @ 20 GHz)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. In the same manner as in Example 1, except that a low-dielectric constant polyimide base film (D k : 3.2, D f : 0.004 @ 20 GHz) having a thickness of about 50 μm without applying a composition for forming a primer layer on the upper surface was used. A copper-clad laminated film was prepared.

비교예 5: 동박적층필름의 제조Comparative Example 5: Preparation of copper clad laminated film

기재필름으로서 약 50 ㎛ 두께의 저유전율 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.2, Df: 0.004 @ 20 GHz)을 사용하고 아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 10g을 증류수 10g에 교반하여 50nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. About 50 μm thick as a base film A low dielectric constant polyimide base film (D k : 3.2, D f : 0.004 @ 20 GHz) is used and 10 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) is stirred in 10 g of distilled water as an amino silane coupling agent. A copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that a primer layer having a thickness of 50 nm was formed.

비교예 6: 동박적층필름의 제조Comparative Example 6: Preparation of copper-clad laminated film

기재필름으로서 약 50 ㎛ 두께의 저유전율 폴리이미드 기재필름(Dk: 3.2, Df: 0.004 @ 20 GHz)을 사용하고 아미노 실란커플링제로서 아미노프로필트리에톡시실란 (aminopropyltriethoxysilane, 다우케미칼, OFS-6011) 20g을 증류수 10g에 교반하여 100nm 두께의 프라이머층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 동박적층필름을 제조하였다. About 50 μm thick as a base film A low dielectric constant polyimide base film (D k : 3.2, D f : 0.004 @ 20 GHz) is used and 20 g of aminopropyltriethoxysilane (Dow Chemical, OFS-6011) is stirred in 10 g of distilled water as an amino silane coupling agent. A copper clad laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that a primer layer having a thickness of 100 nm was formed.

평가예 1: 물성 평가Evaluation Example 1: Physical property evaluation

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름의 물성을 하기와 같이 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The physical properties of each of the copper-clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated as follows. The results are shown in Table 1 below.

(1) 유전율(Dk) 및 유전손실률(Df)(1) dielectric constant (D k ) and dielectric loss factor (D f )

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름의 기재필름에 대하여 4cm x 4cm 크기의 샘플로 만들어 네트워크 분석기(Network analyzer, Anritsu사 제조)와 20 GHz 공동공진기(cavity resonator, AET사 제조)를 이용하여 유전율(Dk) 및 유전손실률(Df)을 각각 측정하였다.For the base film of each copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, a sample having a size of 4 cm x 4 cm was made with a network analyzer (manufactured by Anritsu) and a 20 GHz cavity resonator (cavity). Resonator (manufactured by AET) was used to measure dielectric constant (D k ) and dielectric loss factor (D f ), respectively.

(2) 표면 접촉각(2) surface contact angle

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름의 프라이머층 표면에 대하여 접촉각 측정기(KYOUWA사 제조)를 이용하여 물 3uL 함량 및 디아이오도메탄 1uL 함량으로 표면 접촉각을 각각 측정하였다.With respect to the primer layer surface of each copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, using a contact angle measuring device (manufactured by KYOUWA), the surface contact angle was measured with 3 uL of water and 1 uL of diiodomethane, respectively. measured.

(3) 회로 패턴 박리 여부(3) Whether the circuit pattern is peeled off

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름에 대하여 에칭(산) 공정으로 약 4 mm 폭의 회로패턴을 형성할 때 패턴이 박리되는지 여부를 육안으로 확인하였다.For each of the copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, when a circuit pattern having a width of about 4 mm was formed by an etching (acid) process, it was visually checked whether the pattern was peeled off.

(4) 기재필름과 구리층 간에 접착력(4) Adhesion between the base film and the copper layer

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름에 대하여 약 4 mm 폭의 회로패턴이 형성된 샘플을 제조하였다. 상기 각각의 샘플에 대하여 접착력 측정기(TA.XT.plus, Texture Analyser사 제조)를 이용하여 50㎜/min의 속도로 25 ℃에서('상온접착력') 및 140 ~ 160 ℃에서 160 ~ 180 시간 동안 방치한 후에('내열접착력') 기재필름으로부터 구리층을 분리할 때의 박리강도를 각각 측정하였다. For each of the copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, a sample in which a circuit pattern having a width of about 4 mm was formed was prepared. For each of the samples, using an adhesive force meter (TA.XT.plus, manufactured by Texture Analyzer) at 25 °C at a rate of 50 mm/min ('room temperature adhesion') and 140 to 160 °C for 160 to 180 hours After standing ('heat-resistant adhesive strength'), the peel strength when separating the copper layer from the base film was measured, respectively.

(5) 프라이머층 두께(5) Primer layer thickness

실시예 1~3 및 비교예 1~6에 의해 제조된 각각의 동박적층필름의 프라이머층의 두께를 FIB(Focused Ion Beam)-TEM 장비를 이용하여 각각 측정하였다. The thickness of the primer layer of each copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6 was measured using a Focused Ion Beam (FIB)-TEM equipment.

구 분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 비교예5Comparative Example 5 비교예6Comparative Example 6 기재필름
종류base film
type 폴리이미드polyimide 폴리이미드polyimide 저유전율
폴리이미드low dielectric constant
polyimide 폴리이미드polyimide 폴리이미드polyimide 폴리이미드polyimide 저유전율
폴리이미드low dielectric constant
polyimide 저유전율
폴리이미드low dielectric constant
polyimide 저유전율
폴리이미드low dielectric constant
polyimide 기재필름
유전율 및
유전손실률
(@20 GHz)base film
permittivity and
dielectric loss factor
(@20 GHz) Dk D k 3.43.4 3.43.4 3.23.2 3.43.4 3.43.4 3.43.4 3.23.2 3.23.2 3.23.2 Df D f 0.0070.007 0.0070.007 0.0040.004 0.0070.007 0.0070.007 0.0070.007 0.0040.004 0.0040.004 0.0040.004 프라이머 두께
(㎛)Primer thickness
(μm) 55 1515 1010 00 5050 100100 00 5050 100100 표면 접촉각
(°)surface contact angle
(°) 물water 6969 4848 5353 7878 7878 8282 8383 8181 8383 디아이오도
메탄diiodo
methane 3333 5656 4848 1616 2727 2222 88 1616 1313 기재필름과 구리층 간에
상온/내열 접착력
(kgf/cm)Between the base film and the copper layer
Room temperature/heat resistance adhesion
(kgf/cm) 상온room temperature 0.810.81 0.850.85 0.900.90 0.600.60 0.670.67 0.320.32 0.420.42 0.550.55 0.290.29 내열heat resistance 0.450.45 0.600.60 0.700.70 0.310.31 0.350.35 0.130.13 0.320.32 0.400.40 0.270.27 회로 패턴
박리 여부circuit pattern
Whether peeling 없음doesn't exist 없음doesn't exist 없음doesn't exist 일부 있음in some 일부 있음in some 일부 있음in some 일부 있음in some 일부 있음in some 일부 있음in some

상기 표 1을 참조하면, 실시예 1~3에 의해 제조된 동박적층필름 표면의 수접촉각은 48~69°이고 디아이오도메탄(diiodomethane) 접촉각은 33~56°이었다. 실시예 1~3에 의해 제조된 동박적층필름의 기재필름과 구리층 간에 상온접착력은 0.80kgf/cm 이상이고 내열접착력은 0.45kgf/cm 이상이었다. 실시예 1~3에 의해 제조된 동박적층필름의 기재필름과 구리층 간에 상온접착력 및 내열접착력은 비교예 1~6에 의해 제조된 동박적층필름과 비교하여 높았다. 이로 인해, 실시예 1~3에 의해 제조된 동박적층필름에 형성된 회로패턴은 박리가 발생하지 않았다. 따라서 실시예 1~3에 의해 제조된 동박적층필름은 인쇄회로기판 제조공정에서 사용될 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, the water contact angle of the surface of the copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 3 was 48 to 69°, and the diiodomethane contact angle was 33 to 56°. The room temperature adhesive strength between the base film and the copper layer of the copper clad laminated film prepared in Examples 1 to 3 was 0.80 kgf/cm or more, and the heat-resistant adhesive strength was 0.45 kgf/cm or more. Room temperature adhesion and heat-resistance adhesion between the base film and the copper layer of the copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 were higher than those of the copper clad laminate films prepared in Comparative Examples 1 to 6. For this reason, the circuit patterns formed on the copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 did not peel off. Therefore, it can be confirmed that the copper clad laminated films prepared in Examples 1 to 3 can be used in the printed circuit board manufacturing process.

이와 비교하여, 프라이머층을 포함하지 않는 비교예 1, 4에 의해 제조된 동박적층필름은 낮은 상온접착력과 낮은 내열접착력을 나타냈다. 이로 인해, 비교예 1, 4에 의해 제조된 동박적층필름에 형성된 회로패턴은 일부 박리가 발생하였다. 저유전율 폴리이미드 기재필름을 사용한 비교예 4~6에 의해 제조된 동박적층필름은 보다 낮은 상온접착력을 나타냈다. 이는 저유전율 폴리이미드 기재필름에 의해 동박적층필름 표면에 반응성 관능기가 적어 접착력이 저하되는 것으로 여겨진다. 비교예 2, 3에 의해 제조된 동박적층필름은 두께가 두꺼운 프라이머층을 포함하여 자가반응에 의한 겔이 형성되기에, 기재필름과 구리층 간에 상온접착력 및 내열접착력이 낮았다. In comparison, the copper clad laminated films prepared according to Comparative Examples 1 and 4 not including the primer layer exhibited low room temperature adhesion and low heat resistance adhesion. For this reason, some of the circuit patterns formed on the copper clad laminated films prepared in Comparative Examples 1 and 4 were peeled off. The copper-clad laminated films prepared in Comparative Examples 4 to 6 using the low dielectric constant polyimide base film exhibited lower room temperature adhesion. It is considered that the low dielectric constant polyimide base film reduces the adhesive force due to the small amount of reactive functional groups on the surface of the copper clad laminate film. The copper clad laminated films prepared in Comparative Examples 2 and 3 had low adhesion at room temperature and heat resistance between the base film and the copper layer because a gel was formed by self-reaction including a thick primer layer.

11: 기재층, 21,22: 프라이머층, 31,32: 구리층,
41,42: 금속도금층11: base layer, 21, 22: primer layer, 31, 32: copper layer,
41, 42: metal plating layer

Claims (14)

기재층;
상기 기재층의 적어도 일 면에 배치된 구리층;및
상기 기재층과 상기 구리층 사이에 프라이머층;을 포함하고,
상기 프라이머층 표면의 수접촉각이 45 ~ 75°인, 동박적층필름.base layer;
a copper layer disposed on at least one surface of the base layer; and
a primer layer between the base layer and the copper layer;
The water contact angle of the surface of the primer layer is 45 ~ 75 °, the copper clad laminated film. 제1항에 있어서,
상기 프라이머층 표면의 디아이오도메탄(diiodomethane) 접촉각이 30 ~ 60°인, 동박적층필름.According to claim 1,
A diiodomethane contact angle of the primer layer surface is 30 to 60°, a copper clad laminated film. 제1항에 있어서,
상기 프라이머층의 두께가 20 nm 이하인, 동박적층필름.According to claim 1,
The thickness of the primer layer is 20 nm or less, the copper clad laminated film. 제 1 항에 있어서,
상기 프라이머층이 아미노계 실란 화합물을 포함하는, 동박적층필름.The method of claim 1,
The primer layer comprising an amino-based silane compound, a copper-clad laminated film. 제 1 항에 있어서,
상기 프라이머층이 하기 화학식 1로 표시되는 아미노계 실란 화합물을 포함하는, 동박적층필름:
<화학식 1>
XCmH2mSi(OCnH2n)3
식 중,
X는 할로겐원자, -SH, -OOC(CH2CH3), -CH=CH2, 또는 -N(R1)(R2)이고, 여기서 R1, R2는 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 헤테로아릴기이며,
n은 1 내지 5의 정수이며,
m은 0 내지 10이다. The method of claim 1,
A copper-clad laminated film, wherein the primer layer includes an amino-based silane compound represented by the following formula (1):
<Formula 1>
XC m H 2m Si(OC n H 2n ) 3
during the meal,
X is a halogen atom, -SH, -OOC(CH 2 CH 3 ), -CH=CH 2 , or -N(R 1 )(R 2 ), wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, halogen Atom, substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2-C10 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group, substituted Or an unsubstituted C3-C20 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C6-C20 heteroaryl group,
n is an integer from 1 to 5,
m is 0 to 10. 제1항에 있어서,
상기 프라이머층은 0.01 ~ 10 중량% 미만의 아미노계 실란 화합물이 함유된 조성물로부터 유래된 층인, 동박적층필름.According to claim 1,
The primer layer is a layer derived from a composition containing less than 0.01 to 10% by weight of an amino-based silane compound, a copper-clad laminated film. 제 1 항에 있어서,
상기 기재층은 주파수 20 GHz에서 3.4 이하의 유전율(Dk) 및 0.007 이하의 유전손실(Df)을 갖는, 동박적층필름.The method of claim 1,
The base layer has a dielectric constant (D k ) of 3.4 or less and a dielectric loss (D f ) of 0.007 or less at a frequency of 20 GHz, a copper clad laminate film. 제 1 항에 있어서,
상기 구리층은 스퍼터층인, 동박적층필름.The method of claim 1,
The copper layer is a sputtered layer, a copper clad laminated film. 제 1 항에 있어서,
상기 구리층의 일 면에 금속도금층을 더 포함하는, 동박적층필름.The method of claim 1,
A copper clad laminate film further comprising a metal plating layer on one surface of the copper layer. 제 1 항에 있어서,
25 ℃에서 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도가 0.80 kgf/cm 이상인, 동박적층필름.The method of claim 1,
A copper clad laminate film having a peel strength of 0.80 kgf / cm or more of the copper layer with respect to the base layer measured at 25 ° C. 제 1 항에 있어서,
150 ℃ 2시간 열처리 한 후, 상온 30분 방치를 2회 진행하고 240 ℃ 10분 동안 추가 열처리한 후에 측정한 상기 기재층에 대한 구리층의 박리강도가 0.45 kgf/cm 이상인, 동박적층필름.The method of claim 1,
After heat treatment at 150 ° C. for 2 hours, the copper layer has a peel strength of 0.45 kgf / cm or more with respect to the base layer, measured after two times of standing at room temperature for 30 minutes and additional heat treatment at 240 ° C for 10 minutes. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 동박적층필름을 포함하는 전자소자.An electronic device comprising the copper clad laminate according to any one of claims 1 to 11. 기재층의 적어도 일 면에 프라이머층 형성용 조성물을 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계;
상기 프라이머층 상에 스퍼터링으로 구리층을 증착시키는 단계; 및
상기 구리층 상에 구리 전해도금층을 형성하여 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 동박적층필름을 제조하는 단계;를 포함하는, 동박적층필름의 제조방법.forming a primer layer by applying a composition for forming a primer layer on at least one surface of the base layer;
depositing a copper layer on the primer layer by sputtering; and
12. A method of manufacturing a copper clad laminated film comprising a; forming a copper electrolytic plating layer on the copper layer to prepare the copper clad laminated film according to any one of claims 1 to 11. 제13항에 있어서,
상기 프라이머층을 형성하는 단계 이후 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 동박적층필름의 제조방법.14. The method of claim 13,
Further comprising the step of performing a plasma treatment after the step of forming the primer layer, a method of manufacturing a copper clad laminate.
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