KR20220100745A - 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치 - Google Patents
디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 109
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 79
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 176
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 101100198313 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RME1 gene Proteins 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 101100377798 Arabidopsis thaliana ABCD1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150020779 PXA1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 10
- 101000623895 Bos taurus Mucin-15 Proteins 0.000 description 10
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 7
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 7
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 7
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 7
- 102100030234 Homeobox protein cut-like 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000726740 Homo sapiens Homeobox protein cut-like 1 Proteins 0.000 description 6
- 101000761460 Homo sapiens Protein CASP Proteins 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100192828 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PXA2 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100030231 Homeobox protein cut-like 2 Human genes 0.000 description 5
- 101000726714 Homo sapiens Homeobox protein cut-like 2 Proteins 0.000 description 5
- 101000726742 Rattus norvegicus Homeobox protein cut-like 1 Proteins 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150036141 SPX3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150081544 Slc37a3 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100038952 Sugar phosphate exchanger 3 Human genes 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 101150056821 spx1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150091285 spx2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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Abstract
디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치가 제공된다. 디스플레이의 장치 검사 방법은 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치를 점등시키고, 상기 화소들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계, 상기 점등 이미지 정보로부터 상기 복수의 화소들 중 점등 화소와 미점등 화소가 존재하는 지 확인하는 단계, 상기 발광 정보 중 상기 미점등 화소들의 위치 정보를 획득하고, 상기 미점등 화소들로부터 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 검사 단계 및 상기 점등 이미지 정보 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발광 정보로부터 상기 미점등 화소의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 정보에 기반하여 상기 미점등 화소들을 리페어하는 리페어 단계를 포함하고, 상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 단계, 또는 상기 미점등 화소에 상기 발광 소자를 재전사하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 무기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 검사하고 이를 리페어하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 디스플레이 장치가 사용되고 있다.
디스플레이 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로서, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 발광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드, 무기물을 발광 물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.
무기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치는 무기 발광 다이오드의 전기적 연결에 따라 화소의 불량 여부가 결정될 수 있다. 복수개의 무기 발광 다이오드들이 하나의 화소에 배치되는 경우, 일부의 다이오드들에 의해 화소가 발광 불량일 수 있는데, 해당 화소에서 국부적으로 리페어 공정이 진행되면 해당 화소의 불량이 보완될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 무기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 불량 화소의 정보를 획득하고 해당 화소를 리페어할 수 있는 검사 장치, 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치를 점등시키고, 상기 화소들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계, 상기 점등 이미지 정보로부터 상기 복수의 화소들 중 점등 화소와 미점등 화소가 존재하는 지 확인하는 단계, 상기 발광 정보 중 상기 미점등 화소들의 위치 정보를 획득하고, 상기 미점등 화소들로부터 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 검사 단계 및 상기 점등 이미지 정보 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발광 정보로부터 상기 미점등 화소의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 정보에 기반하여 상기 미점등 화소들을 리페어하는 리페어 단계를 포함하고, 상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 단계, 또는 상기 미점등 화소에 상기 발광 소자를 재전사하는 단계를 포함한다.
상기 제1 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시, 상기 화소들에서 방출하는 광을 통해 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라로 수행되고, 상기 제2 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시 상기 화소들에서 발생하는 열을 통해 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라로 수행될 수 있다.
상기 발광 정보는 상기 점등 이미지 정보로부터 획득되는 발광량 정보, 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발열량 정보를 포함하고, 상기 불량 정보는 상기 미점등 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉할 수 있다.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지 정보로부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 불량 발광 소자의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지로 정보부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 상에서 발열량이 다른 부분보다 높은 지점의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 지점에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 검사 단계는 상기 미점등 화소들 중 상기 발광 소자들이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되지 않은 미점등 화소의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하고, 상기 리페어 단계는 해당 미점등 화소에 상기 발광 소자들을 재전사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하여 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소로 분류하는 단계, 상기 불량 점등 화소들의 위치 정보와 상기 불량 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하는 단계, 및 상기 발광 정보에 기반하여 상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 정상 점등 화소와 상기 불량 점등 화소를 분류하는 단계는 상기 점등 화소들 중 발광량이 기준 설정값의 범위 내에 속하는 상기 점등 화소들을 상기 정상 점등 화소로 지정하는 단계, 및 상기 정상 점등 화소와 발광량을 비교하여 상기 불량 점등 화소로 지정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 불량 점등 화소는 상기 정상 점등 화소보다 높은 발광량을 갖는 제1 점등 화소, 및 상기 정상 점등 화소보다 낮은 발광량을 갖는 제2 점등 화소를 포함할 수 있다.
상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계에서, 상기 제1 점등 화소는 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 공정이 수행되고, 상기 제2 점등 화소는 상기 발광 소자들을 재전사하는 공정이 수행될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치는 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치에 있어서, 상기 디스플레이 장치의 상기 화소들로부터 복수의 이미지 정보들을 획득하는 카메라 장치, 상기 획득된 이미지 정보들로부터 상기 화소들의 발광 정보, 및 상기 화소들의 불량 정보를 획득하는 프로세서 및 상기 프로세서에서 획득된 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소들에 리페어 공정을 수행하는 리페어 장치를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 이미지 정보로부터 점등 화소와 미점등 화소에 대한 상기 발광 정보를 획득하여 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하고, 상기 리페어 장치는 상기 미점등 화소에 대하여 상기 리페어 공정을 수행한다.
상기 이미지 정보는 상기 화소들이 점등 시에 방출되는 발광량에 기반한 점등 이미지 정보, 및 상기 화소들이 점등 시에 방생하는 발열량에 기반한 발열 이미지 정보를 포함하고, 상기 카메라 장치는 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라, 및 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라를 포함할 수 있다.
상기 발광 정보는 상기 화소의 발광량 정보, 및 상기 화소의 발열량 정보를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 발광량 정보로부터 상기 점등 화소와 상기 미점등 화소를 분류하고, 상기 발광량 정보 및 상기 발열량 정보로부터 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득할 수 있다.
상기 프로세서는 상기 점등 화소들의 상기 발광량 정보를 기준으로 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소, 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소를 구분할 수 있다.
상기 불량 정보는 상기 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하고, 상기 리페어 장치는 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 레이저 장치, 및 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 상기 발광 소자를 전사하는 재전사 장치를 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉할 수 있다.
상기 레이저 장치는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 서로 연결된 부분을 제거할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 검사 대상으로부터 복수의 이미지 정보를 획득하고, 이로부터 발광 정보 및 불량 정보를 획득하여 특정 불량 화소에 대응하는 리페어 공정을 선택하여 수행할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 방법은 디스플레이 장치의 다양한 불량 원인에 대응하여 적절한 리페어 공정을 수행할 수 있는 이점이 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Q1-Q1'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 배치된 발광 소자를 나타내는 개략도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제1 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 9 및 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 16 및 도 17은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소들의 발광 정보 획득 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 18은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Q1-Q1'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 배치된 발광 소자를 나타내는 개략도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제1 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 9 및 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 16 및 도 17은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소들의 발광 정보 획득 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 18은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(Elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(On)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 이와 마찬가지로, "하(Below)", "좌(Left)" 및 "우(Right)"로 지칭되는 것들은 다른 소자와 바로 인접하게 개재된 경우 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소재를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 디스플레이 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 디스플레이 장치(10)에 포함될 수 있다.
디스플레이 장치(10)는 화면이나 영상을 표시하는 표시 패널로서, 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 Q1-Q1'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 디스플레이 장치(10)의 디스플레이 장치(10)는 복수의 서브 화소(SXPn, n은 1 내지 3)들을 포함한 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)를 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(10)의 각 서브 화소(SPXn)들은 발광 영역(EMA) 및 비발광 영역을 포함할 수 있다. 발광 영역(EMA)은 발광 소자(ED)가 배치되어 특정 파장대의 광이 출사되는 영역이고, 비발광 영역은 발광 소자(ED)가 배치되지 않고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광들이 도달하지 않아 광이 출사되지 않는 영역일 수 있다. 또한, 각 서브 화소(SPXn)는 비발광 영역에 배치된 서브 영역(SA)을 더 포함할 수 있다. 서브 영역(SA)은 발광 영역(EMA)의 제1 방향(DR1) 일 측에 배치되어 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn)들의 발광 영역(EMA)들 사이에 배치될 수 있다.
제2 뱅크(BNL2)는 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 격자형 패턴으로 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 각 서브 화소(SPXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(SPXn)들을 구분할 수 있다. 또한, 제2 뱅크(BNL2)는 서브 화소(SPXn)마다 배치된 발광 영역(EMA)을 둘러싸도록 배치되어 이들을 구분할 수 있다.
디스플레이 장치(10)는 제1 기판(SUB), 및 제1 기판(SUB) 상에 배치되는 반도체층, 복수의 도전층, 및 복수의 절연층들을 포함할 수 있다. 상기 반도체층, 도전층 및 절연층들은 각각 디스플레이 장치(10)의 회로층(CCL)과 표시 소자층을 구성할 수 있다.
제1 기판(SUB)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(SUB)은 유리, 석영, 또는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 기판(SUB)은 리지드(Rigid) 기판일 수 있지만, 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉시블(Flexible) 기판일 수도 있다.
제1 도전층은 제1 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전층은 하부 금속층(BML)을 포함하고, 하부 금속층(BML)은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 중첩하도록 배치된다. 하부 금속층(BML)은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 트랜지스터의 액티브층(ACT1)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다.
버퍼층(BL)은 하부 금속층(BML) 및 제1 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BL)은 투습에 취약한 제1 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 화소(PX)의 트랜지스터들을 보호하기 위해 제1 기판(SUB) 상에 형성되며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
반도체층은 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 반도체층은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)을 포함할 수 있다. 액티브층(ACT1)은 후술하는 제2 도전층의 게이트 전극(G1)과 부분적으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI)은 반도체층 및 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 제1 게이트 절연층(GI)은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 절연막의 역할을 할 수 있다.
제2 도전층은 제1 게이트 절연층(GI) 상에 배치된다. 제2 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(G1)은 액티브층(ACT1)의 채널 영역과 두께 방향인 제3 방향(DR3)으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층 상에 배치된다. 제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층과 그 상에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행하며 제2 도전층을 보호할 수 있다.
제3 도전층은 제1 층간 절연층(IL1) 상에 배치된다. 제3 도전층은 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL), 및 복수의 전극 패턴(CDP1, CDP2)들을 포함할 수 있다.
제1 전압 배선(VDL)은 제1 전극(RME1)에 전달되는 고전위 전압(또는, 제1 전원 전압)이 인가되고, 제2 전압 배선(VSL)은 제2 전극(RME2)에 전달되는 저전위 전압(또는, 제2 전원 전압)이 인가될 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)은 일부분이 제1 층간 절연층(IL1)과 제1 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 접촉할 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 드레인 전극(D1)의 역할을 할 수 있다.
제1 전극 패턴(CDP1)은 제1 층간 절연층(IL1)과 제1 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 접촉할 수 있다. 또한, 제1 전극 패턴(CDP1)은 다른 컨택홀을 통해 하부 금속층(BML)과 접촉할 수 있다. 제1 전극 패턴(CDP1)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)의 역할을 할 수 있다.
제2 전극 패턴(CDP2)은 제1 전극 패턴(CDP1)을 통해 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극 패턴(CDP1)과 제2 전극 패턴(CDP2)은 직접, 또는 다른 층의 패턴을 통해 서로 연결될 수 있다. 제2 전극 패턴(CDP2)은 제1 전극(RME1)과도 연결되며, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 인가되는 제1 전원 전압을 제1 전극(RME1)으로 전달할 수 있다.
상술한 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 및 제1 층간 절연층(IL1)은 교번하여 적층된 복수의 무기층들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 및 제1 층간 절연층(IL1)은 실리콘 산화물(Silicon Oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon Nitride, SiNx), 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride, SiOxNy) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층이 적층된 이중층, 또는 이들이 교번하여 적층된 다중층으로 형성될 수 있다.
제2 도전층, 및 제3 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
비아층(VIA)은 제3 도전층 상에 배치된다. 비아층(VIA)은 유기 절연 물질, 예를 들어 폴리이미드(PI)와 같은 유기 절연 물질을 포함하여, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
비아층(VIA) 상에는 복수의 전극(RME; RME1, RME2)들과 복수의 제1 뱅크(BNL1)들 및 제2 뱅크(BNL2), 복수의 발광 소자(ED)들과 복수의 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)들이 배치된다. 또한, 비아층(VIA) 상에는 복수의 절연층(PAS1, PAS2, PAS3)들이 배치될 수 있다.
복수의 제1 뱅크(BNL1)들은 비아층(VIA) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 서로 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들이 이격된 사이에는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치될 수 있다.
제1 뱅크(BNL1)는 비아층(VIA)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제1 뱅크(BNL1) 상에 배치되는 전극(RME)에서 반사되어 비아층(VIA)의 상부 방향으로 출사될 수 있다.
복수의 전극(RME)들은 일 방향으로 연장된 형상으로 각 서브 화소(SPXn)마다 배치된다. 복수의 전극(RME)들은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 적어도 서브 화소(SPXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)에 걸쳐 배치될 수 있으며, 이들은 서로 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 발광 영역(EMA)에서 제1 방향(DR1)으로 연장되어 배치되고 제2 뱅크(BNL2)를 넘어 해당 서브 화소(SPXn) 및 제1 방향(DR1)으로 이웃한 다른 서브 화소(SPXn)의 서브 영역(SA)에 부분적으로 배치될 수 있다. 서로 다른 서브 화소(SPXn)의 제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 어느 한 서브 화소(SPXn)의 서브 영역(SA) 내에 위치한 분리부(ROP)를 기준으로 서로 이격될 수 있다.
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 각각 서로 다른 제1 뱅크(BNL1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 전극(RME)들은 적어도 제1 뱅크(BNL1)의 경사진 측면 상에 배치될 수 있다. 각 전극(RME)들은 적어도 제1 뱅크(BNL1)의 일 측면은 덮도록 배치되어 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다. 또한, 복수의 전극(RME)들이 제2 방향(DR2)으로 이격된 간격은 제1 뱅크(BNL1)들 사이의 간격보다 좁을 수 있다. 각 전극(RME)들은 적어도 일부 영역이 비아층(VIA) 상에 직접 배치되어 이들은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 각각 제1 전극 컨택홀(CTD) 및 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제3 도전층과 연결될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 그 하부의 비아층(VIA)을 관통하는 제1 전극 컨택홀(CTD)을 통해 제2 전극 패턴(CDP2)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(RME2)은 그 하부의 비아층(VIA)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제2 전압 배선(VSL)과 접촉할 수 있다.
복수의 전극(RME)들은 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 각 전극(RME)들은 후술하는 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(ED)와 연결될 수 있고, 하부의 도전층으로부터 인가되는 전기 신호를 발광 소자(ED)에 전달할 수 있다.
복수의 전극(RME)들 각각은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극(RME)은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 각 전극(RME)은 투명성 전도성 물질을 더 포함할 수 있다.
제1 절연층(PAS1)은 비아층(VIA) 및 복수의 전극(RME)들 상에 배치된다. 제1 절연층(PAS1)은 복수의 전극(RME)들을 전면적으로 덮도록 배치되며, 이들을 보호함과 동시에 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 또한, 제1 절연층(PAS1)은 그 상에 배치되는 발광 소자(ED)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수도 있다.
제2 뱅크(BNL2)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 평면도 상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 격자형 패턴으로 배치될 수 있고, 각 서브 화소(SPXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(SPXn)들을 구분할 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 일정 높이를 가질 수 있고, 몇몇 실시예에서, 제2 뱅크(BNL2)는 상면의 높이가 제1 뱅크(BNL1)보다 높을 수 있고, 그 두께는 제1 뱅크(BNL1)와 같거나 더 클 수 있다.
복수의 발광 소자(ED)들은 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(ED)들은 제1 뱅크(BNL1)들 사이에서, 제2 방향(DR2)으로 이격된 전극(RME)들 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 각 전극(RME)들이 연장된 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 서로 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 양 단부가 서로 다른 전극(RME)들 상에 놓이도록 배치되고, 각 전극(RME)들이 연장된 방향과 발광 소자(ED)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이루도록 배치될 수 있다.
발광 소자(ED)들은 연결 전극(CNE: CNE1, CNE2)들과 접촉하여 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME) 또는 비아층(VIA) 하부의 도전층들과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 절연층(PAS2)은 복수의 발광 소자(ED)들 상에 배치될 수 있다. 일 예로, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(ED)의 외면을 부분적으로 감싸도록 배치되어 발광 소자(ED)의 양 측, 또는 양 단부는 덮지 않도록 배치된다.
제2 절연층(PAS2) 상에는 복수의 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)들과 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다.
복수의 연결 전극(CNE)들은 발광 소자(ED)들 및 전극(RME) 상에 배치된다. 또한, 연결 전극(CNE)들은 부분적으로 제2 절연층(PAS2) 상에 배치되며 다른 연결 전극(CNE)과 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3)에 의해 상호 절연될 수 있다. 복수의 연결 전극(CNE)들은 각각 발광 소자(ED) 및 전극(RME)들과 접촉할 수 있다.
각 연결 전극(CNE)들은 평면도 상 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)은 서로 직접 연결되지 않도록 일정 간격 이격될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 제1 전극(RME1) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 전극(RME1) 및 발광 소자(ED)들의 제1 단부와 접촉할 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 제2 전극(RME2) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제2 전극(RME2) 및 발광 소자(ED)들의 제2 단부와 접촉할 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 전극(RME1) 또는 제2 전극(RME2)으로 인가된 전기 신호를 발광 소자(ED)의 어느 일 단부로 전달할 수 있다.
연결 전극(CNE)들은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 연결 전극(CNE)은 투명성 전도성 물질을 포함하고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 연결 전극(CNE)을 투과하여 전극(RME)들을 향해 진행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제3 절연층(PAS3)은 제2 연결 전극(CNE2)과 제2 절연층(PAS2) 상에 배치된다. 제3 절연층(PAS3)은 제2 절연층(PAS2) 상에 전면적으로 배치되어 제2 연결 전극(CNE2)을 덮도록 배치되고, 제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(PAS3) 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 연결 전극(CNE1)이 제2 연결 전극(CNE2)과 직접 접촉하지 않도록 이들을 상호 절연시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 디스플레이 장치(10)는 제3 절연층(PAS3)이 생략될 수 있다. 이에 따라, 복수의 연결 전극(CNE)들은 각각 제2 절연층(PAS2) 상에 직접 배치되어 실질적으로 서로 동일한 층에 배치될 수도 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 제3 절연층(PAS3), 및 복수의 연결 전극(CNE)들 상에는 다른 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 절연층은 제1 기판(SUB) 상에 배치된 부재들을 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다.
상술한 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3)은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 배치된 발광 소자를 나타내는 개략도이다.
도 4를 참조하면, 발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있으며, 구체적으로 발광 소자(ED)는 나노 미터(Nano-meter) 내지 마이크로 미터(Micro-meter) 단위의 크기를 가지고, 무기물로 이루어진 무기 발광 다이오드일 수 있다. 발광 소자(ED)는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 전계를 형성하면 극성이 형성되는 상기 두 전극 사이에 정렬될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 원통, 로드(Rod), 와이어(Wire), 튜브(Tube) 등의 형상을 가질 수 있다. 다만, 발광 소자(ED)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니며, 정육면체, 직육면체, 육각기둥형 등 다각기둥의 형상을 갖거나, 일 방향으로 연장되되 외면이 부분적으로 경사진 형상을 갖는 등 발광 소자(ED)는 다양한 형태를 가질 수 있다.
발광 소자(ED)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호가 전달되어 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(31), 제2 반도체층(32), 발광층(36), 전극층(37) 및 절연막(38)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(31)은 n형 반도체일 수 있다. 제1 반도체층(31)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(31)은 n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(31)에 도핑된 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다.
제2 반도체층(32)은 발광층(36)을 사이에 두고 제1 반도체층(31) 상에 배치된다. 제2 반도체층(32)은 p형 반도체일 수 있으며, 제2 반도체층(32)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체층(32)은 p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(32)에 도핑된 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다.
한편, 도면에서는 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층(36)의 물질에 따라 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(Clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다.
발광층(36)은 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32) 사이에 배치된다. 발광층(36)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(36)은 제1 반도체층(31) 및 제2 반도체층(32)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 발광층(36)은 AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다.
발광층(36)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 발광층(36)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 제한되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다.
전극층(37)은 오믹(Ohmic) 연결 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 연결 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(37)을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 하나 이상의 전극층(37)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 전극층(37)은 생략될 수도 있다.
전극층(37)은 디스플레이 장치(10)에서 발광 소자(ED)가 전극 또는 연결 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(ED)와 전극 또는 연결 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(37)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(37)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO, IZO 및 ITZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
절연막(38)은 상술한 복수의 반도체층 및 전극층의 외면을 둘러싸도록 배치된다. 예를 들어, 절연막(38)은 적어도 발광층(36)의 외면을 둘러싸도록 배치되되, 발광 소자(ED)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다.
절연막(38)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물 (SiOxNy), 질화알루미늄(AlNx), 산화알루미늄(AlOx) 등을 포함할 수 있다. 도면에서는 절연막(38)이 단일층으로 형성된 것이 예시되어 있으나 이에 제한되지 않으며, 몇몇 실시예에서 절연막(38)은 복수의 층이 적층된 다중층 구조로 형성될 수도 있다.
절연막(38)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 절연막(38)은 발광 소자(ED)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발광층(36)에 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 절연막(38)은 외면이 표면처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(ED)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(ED)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(38)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다.
디스플레이 장치(10)는 각 화소(PX)에 배치되는 복수의 발광 소자(ED)들을 포함하고, 발광 소자(ED)와 전극(RME)의 전기적 연결을 통해 광을 방출할 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들이 원활하게 광을 표시하기 위해, 발광 소자(ED)들의 불량 여부, 및 발광 소자(ED), 연결 전극(CNE) 및 전극(RME)의 전기적 연결 불량 여부 등이 확인될 필요가 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치는 발광 소자(ED)들, 또는 발광 소자(ED)들의 전기적 연결에 발생하는 문제 및 이를 통해 해당 화소를 리페어할 수 있는 장치들을 포함할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치를 나타내는 개략도이다.
도 5를 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110), 컨트롤러(120), 프로세서(130) 및 리페어 장치(150)를 포함한다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)를 이용하여 검사 대상인 디스플레이 장치(10)로부터 복수의 이미지들, 또는 디스플레이 장치(10)의 발광과 관련된 발광 정보들을 획득하고, 획득된 정보들로부터 디스플레이 장치(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(10)의 불량으로부터 해당 불량이 발생한 위치, 및 불량의 유형 등을 파악한 뒤, 리페어 장치(150)를 통해 해당 불량을 보완하거나 제거할 수 있다.
카메라 장치(110)는 검사 대상인 디스플레이 장치(10)로부터 복수의 이미지 정보들을 획득할 수 있다. 카메라 장치(110)는 다양한 종류의 카메라들을 포함하여 디스플레이 장치(10)를 검사하는 데에 필요한 다양한 종류의 이미지 정보들을 획득할 수 있다. 예를 들어, 카메라 장치(110)는 디스플레이 장치(10)가 구동할 때 화소(PX)들의 발광에 기반한 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 점등 화소와 일부의 미점등 화소가 존재할 수 있고, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들이 점등하는 동안 일부 화소들이 미점등 상태인 이미지 정보를 획득할 수 있다. 상기 이미지 정보는 프로세서(130)로 제공되고, 일 예로, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들의 점등에 관한 이미지 정보를 획득하는 카메라로서, 가시광을 촬영하는 가시광 카메라, TOF(Time-of-Flight) 카메라, 및 라이트 필드(Light Field) 카메라 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 카메라 장치(110)는 디스플레이 장치(10)가 구동할 때 화소(PX)들의 발열에 기반한 발열 이미지 정보를 획득할 수도 있다. 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)가 정상적으로 발광하는 경우와 비정상적으로 발광하는 경우, 각 화소(PX)마다 발생하는 열이 다를 수 있다. 카메라 장치(110)는 점등 여부를 확인하는 카메라와 다른 종류의 카메라를 더 포함하여, 디스플레이 장치(10)의 화소(PX)로부터 발열량 정보를 더 획득할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)가 점등 여부와 관련된 이미지 정보와, 발열과 관련된 이미지 정보를 각각 획득할 수 있다. 일 예로, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들의 발열에 관한 이미지 정보를 획득하는 카메라로서, 열화상 카메라, 또는 적외선 카메라 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
컨트롤러(120)는 카메라 장치(110)와 연결되어 디스플레이 장치(10)를 촬영하는 카메라의 종류를 결정할 수 있다. 컨트롤러(120)는 프로세서(130)로부터 입력된 명령에 따라, 카메라 장치(110)에서 디스플레이 장치(10)로부터 이미지 정보를 획득하기에 적합한 카메라를 선택할 수 있다. 후술할 바와 같이, 디스플레이 장치(10)의 검사 과정에서 각 단계에 따라 다른 종류의 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영하는데, 컨트롤러(120)는 디스플레이 장치(10)를 촬영하는 카메라의 종류, 및 촬영 대상이 되는 화소(PX)와 관련된 정보들을 프로세서(130)로부터 전달받을 수 있고, 이를 토대로 카메라 장치(110)의 촬영을 보조할 수 있다.
프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 화소(PX)들에 대한 다양한 정보를 얻기 위해, 카메라 장치(110)가 다양한 종류의 이미지 정보들을 획득하도록 명령할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(10)로부터 점등 여부와 관련된 정보를 얻고자 하는 경우, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에게 화소(PX)들의 점등 정보를 획득할 수 있는 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영할 것을 명령할 수 있다. 또는, 디스플레이 장치(10)로부터 발열에 관련된 정보를 얻고자 하는 경우, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에게 화소(PX)들의 발열 정보를 획득할 수 있는 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영할 것을 명령할 수 있다. 프로세서(130)에서 입력하는 명령은 카메라 장치(110) 또는 이에 연결된 컨트롤러(120)에 제공될 수 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 프로세서(130)는 카메라 장치(10)에서 획득된 이미지 정보들로부터 디스플레이 장치(10) 화소(PX)들의 발광 정보, 및 상기 발광 정보에 기반한 화소(PX)들의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 화소들의 정보를 기반으로 리페어 장치(150)의 동작을 명령할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에서 획득된 이미지 정보들에서 각 화소(PX)들의 발광 정보를 획득하면, 상기 발광 정보로부터 해당 화소(PX)가 불량 화소인지 여부를 결정할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 복수의 이미지 정보들을 전달 받고, 상기 이미지 정보를 분석하여 각 화소(PX)의 발광 정보를 추출할 수 있다. 추출된 발광 정보로부터 정상 화소들과 불량 화소들을 분류하고, 불량 화소들의 불량 유형에 따라 리페어 장치(150)에 리페어 공정을 명령할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(130)에서 획득할 수 있는 발광 정보는 화소(PX)들의 위치 정보, 상기 점등 이미지 정보로부터 추출 가능한 화소(PX)의 발광량 및 점등 여부에 관한 정보(이하, 발광량 정보), 및 상기 발열 이미지 정보로부터 추출 가능한 화소(PX)의 발열량 및 발열 여부에 관한 정보(이하, 발열량 정보)를 포함할 수 있다. 상기 발광량 정보와 발열량 정보는 해당 화소(PX)의 불량 화소 판정을 위해 필요한 정보들이고, 화소(PX)들의 위치 정보는 해당 화소(PX)에 리페어 공정을 수행하기 위해 필요한 정보일 수 있다.
또한, 프로세서(130)에서 획득할 수 있는 불량 정보는 불량 화소에서 불량의 원인에 대한 정보, 및 상기 불량의 원인의 위치에 대한 정보를 포함할 수 있다. 프로세서(130)에서 획득하는 불량 정보는 해당 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 선택하기 위해 필요한 정보로서, 불량 정보로부터 추출된 정보를 기반으로 이에 적합한 리페어 공정이 수행될 수 있다.
상기 발광 정보 및 불량 정보를 획득하는 알고리즘으로서, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 획득된 이미지 정보들로부터 불량 화소를 결정하는 알고리즘, 해당 불량 화소가 리페어 가능한 화소인지 판단하는 알고리즘, 해당 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘, 및 상기 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 불량 화소를 결정하는 알고리즘은 카메라 장치(110)에서 획득된 발광 정보로부터 해당 화소가 리페어가 필요한 화소(PX)인지 여부를 결정하는 알고리즘일 수 있다. 카메라 장치(110)에서 획득된 화소(PX)의 점등 이미지 정보 및 발열 이미지 정보로부터 추출된 발광 정보를 기반으로, 상기 정보들이 기준치에 미치지 못한 경우 해당 화소(PX)를 불량으로 판단하고, 그렇지 않은 경우 해당 화소(PX)를 정상으로 판단할 수 있다. 프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들이 정상 화소로 판정되기 위한 발광량 정보 및 발열량 정보의 기준 데이터가 저장되어 있을 수 있고, 상기 불량 화소를 결정하는 알고리즘에서는 획득된 정보들과 상기 기준 데이터의 비교를 통해 불량 화소를 결정할 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않는다. 프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 검사 전 기준 데이터가 입력되지 않은 상태로 이미지 정보들을 획득할 수 있고, 획득된 이미지 정보들로부터 기준 데이터를 생성할 수도 있다. 이 경우, 프로세서(130)는 이미지 정보의 획득과 동시에 복수의 이미지 정보들로부터 기준 데이터 생성을 위한 알고리즘이 실행되고, 검사 대상인 디스플레이 장치(10) 각각에 대응한 기준 데이터를 형성하므로 검사 대상들이 갖는 성능 차이에 대응하기 용이한 이점이 있다.
해당 불량 화소가 리페어 가능한 화소인지 판단하는 알고리즘은 불량 화소로 선정된 화소들의 발광 정보에 기반하여 수행될 수 있다. 불량 화소들의 발광 정보를 토대로 리페어 장치(150)에서 수행되는 공정으로 리페어가 가능한 지 여부를 결정할 수 있다. 프로세서(130)에서 리페어가 가능하다고 결정된 경우에는 그에 맞는 리페어 공정이 함께 결정될 수 있고, 그렇지 않은 경우에는 검사 대상인 디스플레이 장치(10)에 대하여 불량 판정을 결정할 수도 있다.
해당 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘은 선별된 불량 화소들의 위치, 및 해당 화소에서 불량이 발생한 지점에 대한 정보를 획득하는 알고리즘일 수 있다. 상술한 바와 같이, 검사 대상인 디스플레이 장치(10)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 화소(PX)들을 포함하고, 하나의 화소(PX) 내에서도 복수의 발광 소자(ED)들과 전극(RME)을 포함하는 복수의 서브 화소(SPXn)들로 구분될 수 있다. 상기 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘은 행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소(PX)들 중 불량 화소의 좌표값과 해당 화소(PX)에서 어느 지점에 불량이 발생하였는지 등에 관한 정보들을 획득할 수 있다.
상기 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘은 불량 화소의 불량 정보를 기반으로 이에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘일 수 있다. 프로세서(130)는 획득한 이미지 정보들로부터 불량 화소에의 불량 정보를 추출할 수 있고, 상기 불량 정보로부터 해당 화소에 발생한 불량의 종류를 확인할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(130)는 해당 화소(PX)의 발광 소자(ED)가 불량 발광 소자인 경우, 발광 소자(ED)들의 전기적 연결이 원활하지 않는 경우, 또는 발광 소자(ED)들의 개수가 다른 화소(PX)들과 차이가 있는 경우 등 다양한 종류의 불량을 결정할 수 있다. 프로세서(130)에서 결정한 불량 화소의 종류에 따라, 리페어 장치(150)에서는 그에 맞는 리페어 공정을 해당 화소(PX)에서 수행할 수 있다. 프로세서(130)에서 수행되는 복수의 알고리즘에 대한 설명은 다른 도면들을 참조하여 후술하기로 한다.
리페어 장치(150)는 프로세서(130)로부터 제공받은 명령에 따라 디스플레이 장치(10)의 불량 화소들을 리페어할 수 있다. 리페어 장치(150)는 화소(PX)의 불량 원인을 제거하는 공정과, 해당 화소(PX)가 요구되는 발광량을 갖지 못할 경우 이를 보완하는 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 해당 화소(PX)가 전기적 연결이 단락되거나 불량인 발광 소자(ED)를 포함하여 해당 발광 소자(ED)에 의해 불량 화소로 판정된 경우, 리페어 장치(150)는 해당 불량 화소에서 단락되거나 불량인 발광 소자(ED)를 제거하는 공정을 수행할 수 있다. 또는, 해당 화소(PX)가 정상 화소 대비 발광량이 부족한 경우, 해당 화소(PX)는 발광 소자(ED)의 개수가 부족한 것에 의해 불량 화소 판정이 되고, 리페어 장치(150)는 해당 불량 화소에 발광 소자(ED)들을 재전사하는 공정을 수행할 수 있다. 상술한 바와 같이, 리페어 장치(150)가 수행하는 리페어 공정은 카메라 장치(110) 및 프로세서(130)에서 획득한 정보들에 기반하여 불량 화소의 불량 원인에 따라 달라질 수 있다.
이하, 다른 도면들을 더 참조하여 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법과 검사 장치의 동작에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 카메라 장치(110)를 이용한 디스플레이 장치(10)의 제1 검사 단계(S10), 디스플레이 장치(10)에서 미점등 화소가 존재하는지 여부 확인하는 단계(S20), 및 미점등 화소에 대한 리페어 단계(S30)를 포함할 수 있다. 미점등 화소에 대한 리페어 단계(S30)는 미점등 화소의 위치 정보 획득 단계(S31), 카메라 장치(110)를 이용한 미점등 화소의 제2 검사 단계(S33) 및 리페어 장치(150)를 이용한 미점등 화소의 리페어 단계(S35)를 포함할 수 있다.
디스플레이 장치의 검사 방법은 도 5를 참조하여 상술한 디스플레이 장치의 검사 장치(100)로 수행될 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 제1 검사 단계(S10)와 미점등 화소의 제2 검사 단계(S33)는 카메라 장치(110)에 포함된 서로 다른 카메라(도 7의 '111' 및 도 9의 '113')으로 수행될 수 있다. 제1 검사 단계(S10)에서 획득된 이미지들은 미점등 화소의 존재 여부를 확인하여 디스플레이 장치(10)의 발광 불량을 확인할 수 있다. 제2 검사 단계(S33)에서 획득된 이미지들은 미점등 화소에서 불량 원인을 확인할 수 있고, 제1 검사 단계(S10) 및 제2 검사 단계(S33)에서 획득된 정보들을 통해 프로세서(130)에서는 불량 원인을 판단, 리페어 장치(150)에 리페어 공정을 수행할 것을 명령할 수 있다. 이하에서는 각 단계에서 수행되는 디스플레이 장치(10)의 검사 장치(100)의 동작 및 알고리즘에 대하여 자세히 설명하기로 한다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제1 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 방법은 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)를 이용하여 디스플레이 장치(10)의 점등 시 화소(PX)들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계(S10)를 포함한다. 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)는 각 화소(PX)에서 방출하는 광을 통해 점등 여부를 확인하는 광학적 카메라 장치일 수 있다.
디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들을 점등시켰을 때, 화소(PX)들은 정상적으로 점등된 화소인 정상 화소(PXA)와 점등이 되지 않는 미점등 화소(PXB)로 구분될 수 있다. 정상 화소(PXA)에서는 발광 소자(ED)들이 정상적인 발광층(36)을 포함하고 전극(RME1, RME2)들과 전기적으로 연결되어 각 발광 소자(ED)들이 원활하게 발광하는 화소일 수 있다. 반면, 미점등 화소(PXB)에서는 발광 소자(ED)들이 정상적이지 않거나 손상된 발광층(36)을 포함할 수 있고, 또는 전극(RME1, RME2)들과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
제1 카메라(111)는 디스플레이 장치(10)의 표시 영역(DPA)을 전면적으로 촬영하여 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)들이 존재하는 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다. 점등 이미지 정보에서는 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)가 혼재하여 위치할 수 있고, 제1 카메라(111)에서는 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)를 구분하여 촬영하지 않고 표시 영역(DPA)에 배치된 화소(PX) 전체를 한번에 촬영하여 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다.
카메라 장치(110)에서 획득한 점등 이미지 정보는 디스플레이 장치의 검사 장치(100)의 프로세서(130)로 전달된다. 프로세서(130)는 제1 검사 단계(S10)에서 획득한 점등 이미지 정보로부터 미점등 화소(PXB)가 존재하는지 여부를 확인(S20)한다. 도 7 및 도 8과 달리, 획득한 점등 이미지 정보에서 미점등 화소(PXB)가 존재하지 않는다면, 해당 디스플레이 장치(10)의 검사는 종료된다. 다만, 표시 영역(DPA)의 화소(PX)들 중 미점등 화소(PXB)가 존재하면, 해당 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)가 진행될 수 있다.
도 9 및 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
이어, 도 9 및 도 10을 참조하면, 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)에서, 복수의 화소(PX)들 중 미점등 화소(PXB)의 위치 정보를 획득(S31)한 후, 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)를 이용하여 미점등 화소(PXB)들을 검사하는 제2 검사 단계(S33)가 수행된다.
미점등 화소(PXB)의 위치 정보를 획득하는 단계(S31)는 디스플레이 장치의 검사 장치(100)에서 프로세서(130)가 수행할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 제공받은 점등 이미지 정보로부터 미점등 화소(PXB)의 발광 정보 중 하나인 위치 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 복수의 화소(PX)들이 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 표시 영역(DPA)에서, 미점등 화소(PXB)의 위치 정보는 직교 좌표계의 좌표값으로 획득될 수 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 위치 정보의 종류는 이에 제한되지 않는다.
프로세서(130)가 미점등 화소(PXB)들의 위치 정보를 획득하면, 프로세서(130)는 카메라 장치(110) 및 컨트롤러(120)에 제2 검사 단계(S33)를 수행하는 명령을 전달할 수 있다. 프로세서(130)에서 전달된 상기 명령은 컨트롤러(120)에서 수신하여 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)를 동작시킨다. 컨트롤러(120)는 프로세서(130)로부터 미점등 화소(PXB)들의 위치 정보를 함께 전달 받을 수 있고, 제2 카메라(113)는 제공받은 위치 정보에 해당하는 미점등 화소(PXB)를 촬영하여 추가 이미지 정보를 획득할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 카메라(113)를 이용한 제2 검사 단계(S33)는 미점등 화소(PXB)의 점등 시 해당 화소(PX)에서 발생하는 열을 측정한 발열 이미지 정보를 획득하는 단계일 수 있다. 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)는 미점등 화소(PXB)에서 발생하는 열을 이미지화 할 수 있는 열화상 카메라 장치일 수 있다.
디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들은 복수의 발광 소자(ED)들을 포함하고, 미점등 화소(PXB)는 발광 소자(ED) 자체가 불량이거나, 일부 발광 소자(ED)들에 의해 단락된 상태일 수 있다. 미점등 화소(PXB)를 점등시키면, 발광 소자(ED)들에서 광이 방출하지 않는 반면, 불량 원인이 되는 발광 소자(ED), 또는 단락 지점에서는 전류가 과하게 흐름에 따라 다른 부분보다 발열량이 클 수 있다. 제2 카메라(113)는 미점등 화소(PXB)에서 발생하는 열을 감지하여 전류가 과하게 흐르는 지점을 확인할 수 있는 발열 이미지 정보를 획득할 수 있다.
프로세서(130)는 제1 검사 단계(S10)에서 획득한 점등 이미지 정보, 및 제2 검사 단계(S33)에서 획득한 발열 이미지 정보에 기반하여 복수의 화소(PX)들의 발광 정보를 획득할 수 있고, 그 중에서 미점등 화소(PXB)에서는 상기 발광 정보에 기반한 불량 정보를 확인할 수 있다. 프로세서(130)는 미점등 화소(PXB)의 불량 정보로, 불량 원인의 종류, 및 불량 원인의 위치 정보를 획득할 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 미점등 화소(PXB)에서 제1 발광 소자(ED1)가 위치한 지점 대비, 제2 발광 소자(ED2)가 위치한 지점이 더 많은 열이 발생할 경우, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 제2 발광 소자(ED2) 또는 제2 발광 소자(ED2)가 배치된 지점에서 발생한 문제일 수 있다. 프로세서(130)는 발열 이미지 정보에서 불량 원인의 위치와 그로부터 불량 원인의 유형에 대한 정보를 획득할 수 있다.
프로세서(130)는 발열 이미지 정보로부터 불량 원인의 위치 및 유형에 대한 정보를 획득하면 그에 맞는 리페어 공정을 선택하고, 해당 리페어 공정을 수행하는 명령을 리페어 장치(150)에 전달할 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
이어, 도 11을 참조하면, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)로부터 전달받은 리페어 정보를 통해 미점등 화소(PXB)를 리페어하는 단계(S35)를 수행한다. 리페어 장치(150)는 미점등 화소(PXB)의 불량 원인을 물리적으로 제거하는 레이저 장치(151)를 포함할 수 있고, 미점등 화소(PXB)를 리페어하는 단계(S35)에서 레이저 장치(151)는 불량 원인의 위치에 레이저를 조사하여 해당 불량 원인을 물리적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 불량 발광 소자에 의한 불량이 원인인 경우, 레이저 장치(151)는 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하여 이를 파괴하거나 제거할 수 있다. 프로세서(130)는 불량 원인과 불량 원인의 위치 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)에서 제공되는 정보에 기반하여 미점등 화소(PXB)의 불량 원인인 불량 발광 소자와 그 위치에 레이저를 조사할 수 있다. 리페어 장치(150)가 프로세서(130)가 선택한 리페어 공정을 수행함으로써 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 제거될 수 있고, 미점등 화소(PXB)는 불량 원인의 제거에 따라 점등 화소(PXA)가 될 수 있다.
한편, 도 11에서는 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 발광 소자(ED)의 불량인 경우를 예시하면서, 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)가 불량인 제2 발광 소자(ED2)를 제거하는 공정이 도시되어 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 발광 소자(ED)가 아닌 다른 부재에 의한 것일 수 있다. 상술한 바와 같이, 디스플레이 장치(10)는 복수의 발광 소자(ED)들이 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(CNE)들은 서로 이격되어 배치되나, 공정의 오차에 의해 서로 다른 연결 전극(CNE)들이 부분적으로 연결된다면, 해당 지점은 전기적으로 단락되어 불량 원인이 될 수도 있다. 이 경우, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)에서 연결 전극(CNE)들이 전기적으로 단락된 지점에 대한 정보를 획득하고, 단락된 지점에 대한 리페어 공정이 수행될 수 있다.
도 12는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도이다. 도 13은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 제1 검사 단계(S10)에서 점등 화소(PXA)의 발광 소자(ED)들은 발광하되, 미점등 화소(PXB)의 발광 소자(ED)들은 발광하지 않을 수 있다. 점등 화소(PXA)에서는 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)이 각각 제1 전극(RME1) 및 제2 전극(RME2) 상에서 서로 직접 연결되지 않도록 배치된다. 반면, 미점등 화소(PXB)에서는 제1 연결 전극(CNE1-1)과 제2 연결 전극(CNE2-1)의 일부분이 서로 직접 맞닿아 연결됨에 따라, 제1 연결 전극(CNE1-1)과 제2 연결 전극(CNE2-1)은 전기적으로 단락될 수 있다. 제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)으로 인가되는 전기 신호는 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점을 통해서만 흐르게 되고, 발광 소자(ED)들은 발광하지 않을 수 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110) 및 프로세서(130)를 통해 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 불량에 대한 불량 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)가 상기 불량 정보로부터 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락 불량을 제거하는 리페어 공정을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락인 경우, 제2 검사 단계(S33)에서는 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에 대한 발열 이미지 정보를 획득할 수 있다. 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에서는 많은 전류가 흐르게되고, 발열량이 다른 위치보다 높을 수 있다. 프로세서(130)는 발열 이미지 정보로부터 다른 발광 소자(ED)들에서 발생하는 발열량과 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에서 발생하는 발열량을 비교하여, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락인 점과 해당 단락의 위치 정보를 획득할 수 있다.
프로세서(130)는 획득한 불량 정보로부터 그에 대응한 리페어 공정을 선택하여 리페어 장치(150)에게 명령을 전달할 수 있다. 리페어 장치(150)는 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점을 확인하고, 레이저 장치(151)를 이용하여 레이저를 조사할 수 있다. 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점이 레이저 조사에 의해 제거될 경우, 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락되지 않은 상태로 발광 소자(ED)와 연결될 수 있고, 미점등 화소(PXB)는 불량 원인이 제거될 수 있다.
도 14는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 14를 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 방법에서 수행되는 리페어 단계(S35)는 미점등 화소(PXB)에 발광 소자(ED)들을 재전사하고 이를 전극(RME)과 전기적으로 연결시키는 공정을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 리페어 장치(150)가 발광 소자(ED)들을 재전사하는 재전사 장치(153)를 더 포함할 수 있고, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인에 대응하여 발광 소자(ED)들을 재전사하는 공정이 수행될 수도 있다.
도 11 및 도 13에서 상술한 실시예는 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)를 이용하여 발광 소자(ED) 또는 연결 전극(CNE)들의 단락 지점을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 이에 제한되지 않으며, 경우에 따라 양 단부 중 어느 일 단부가 전극(RME)과 연결되지 않는 발광 소자(ED_U)들만이 배치됨에 따라, 정상 연결된 발광 소자(ED)들이 존재하지 않아 미점등될 수도 있다. 이 경우, 리페어 장치(150)는 발광 소자(ED)들의 재전사 장치(153)를 이용하여 해당 미점등 화소(PXB)에 발광 소자(ED)들을 재전사하고, 새로운 연결 전극(CNE)들을 형성하여 재전사된 발광 소자(ED_T)들을 전극(RME)과 연결시키는 공정이 수행될 수 있다. 일 예로, 발광 소자(ED)들의 재전사 장치(153)는 잉크젯 프린팅 방식, 정전헤드 전사 방식, 접합 스탬프 전사 방식, 증착 방식, 또는 픽 앤 플레이스(Pick & Place) 방식의 재전사 장치일 수 있다. 또한, 도면으로 도시되지 않았으나, 리페어 장치(150)는 연결 전극(CNE)들을 추가로 패터닝하는 장치를 포함할 수 있고, 새로이 재전사된 발광 소자(ED_T)들은 추가로 패터닝된 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)를 통해 복수의 이미지 정보들을 획득하고, 프로세서(130)가 획득한 이미지 정보로부터 불량에 대한 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)에서 획득한 불량 정보에 기반한 리페어 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 장치의 검사 방법은 디스플레이 장치의 검사 장치(100)를 이용하여 발광 소자(ED)들을 포함한 디스플레이 장치(10)의 불량 여부를 판단하고, 불량의 종류 및 해당 정보에 따라 적절한 리페어 공정을 수행할 수 있다.
도 15는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 15를 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 미점등 화소(PXB)들에 대한 리페어 단계(S30)에 더하여, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보에 기반한 불량 화소의 리페어 단계(S40)를 더 포함할 수 있다. 제1 검사 단계(S10)에서 제1 카메라(111)를 이용하여 점등 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)에 대한 점등 이미지 정보를 획득하면, 점등 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)를 구분하고 미점등 화소(PXB)에 대한 리페어 단계(S30)가 수행될 수 있다. 미점등 화소(PXB)에 대한 리페어 단계(S30)는 발광하지 않는 화소에서 불량 원인들을 제거하여 이를 발광시키는 목적으로 리페어 단계(S30)가 수행될 수 있다.
다만, 이와 달리 점등 화소(PXA)들 중에서도 일부의 화소들은 원하는 발광량을 갖지 못할 수 있고, 해당 화소들은 점등 화소(PXA)이지만 리페어 단계(S40)가 필요한 화소들이 존재할 수 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)로서, 점등 화소(PXA)들이 균일한 발광량을 갖기 위한 리페어 단계를 더 포함할 수 있다.
도 16 및 도 17은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소들의 발광 정보 획득 단계를 나타내는 개략도들이다. 도 18은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 15에 더하여 도 16 내지 도 18을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)로서, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41), 발광 정보를 통해 불량 화소 정보를 획득하는 단계(S43) 및 리페어 장치(150)를 이용하여 불량 화소들을 리페어 하는 단계(S45)를 포함할 수 있다. 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)는 점등 화소(PXA)들 중에서 일정 수준의 발광량을 갖는 점등 화소들과 그렇지 않는 점등 화소들을 구분하고, 이들의 발광량을 균일하게 조정하는 단계일 수 있다.
먼저, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)는 카메라 장치(110)를 이용하여 획득된 점등 화소(PXA)들의 점등 이미지 정보로부터 점등 화소(PXA)들의 발광 정보로서 발광량 정보를 획득하는 단계일 수 있다.
검사 대상인 디스플레이 장치(10)는 양품으로 판정되기 위해 복수의 화소(PX)들이 일정 수준의 발광량을 가질 것이 요구될 수 있다. 상기 일정 수준의 발광량은 각 화소(PX)에서 방출하는 광의 광량으로 측정되거나, 복수의 화소(PX)들에서 방출하는 광의 총 광량으로 측정될 수 있다. 다만, 각 화소(PX)에서 방출하는 광의 광량이 모두 상술한 일정 수준의 발광량을 갖는다면, 해당 디스플레이 장치(10)는 표시 영역(DPA)에서 위치에 무관하게 균일한 발광량을 가질 수 있다.
일 예로, 복수의 점등 화소(PXA)들은 발광량 정보를 기준으로 제1 점등 화소(PXA1), 제2 점등 화소(PXA2), 및 제3 점등 화소(PXA3)로 구분될 수 있다. 디스플레이 장치(10)에서 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량을 충족시키는 점등 화소(PXA)가 제2 점등 화소(PXA2)인 경우, 제1 점등 화소(PXA1)는 제2 점등 화소(PXA2)보다 발광량이 큰 점등 화소이고, 제3 점등 화소(PXA3)는 제2 점등 화소(PXA3)보다 발광량이 작은 점등 화소일 수 있다. 제2 점등 화소(PXA2)는 일정 수준의 발광량을 갖춘 정상 점등 화소이고, 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)는 상대적으로 불량 점등 화소로 분류될 수 있다. 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계에서는 각 점등 화소(PXA)들의 발광량에 관한 정보들을 획득하고, 이로부터 정상 점등 화소와 불량 점등 화소를 분류하는 단계일 수 있다.
한편, 디스플레이 장치(10)에서 정상 점등 화소(PXA)로 분류되기 위해 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량은 디스플레이 장치(10)의 제조 시에 설정된 값일 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 제조 시 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량이 설정되면, 그에 맞춰 각 화소(PX)들의 제조 공정 조건도 조절될 수 있다. 예를 들어, 각 화소(PX)에 요구되는 발광량이 정해지면 해당 화소(PX)에 필요한 발광 소자(ED)들의 개수, 및 구동 전류의 세기 등이 계산될 수 있고, 디스플레이 장치(10)의 제조 시에는 설정된 조건에 따라 제조 공정에 수행될 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 방법의 점등 화소들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)에서는 상기 설정된 값을 기준으로 정상 점등 화소(예컨대 제2 점등 화소)와 불량 점등 화소(예컨대 제1 및 제3 점등 화소)가 분류될 수 있다.
다만, 디스플레이 장치(10)에서 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량의 설정 방식이 이에 제한되지 않는다. 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소(PXA)들 중 정상 점등 화소가 되는 발광량의 기준은 이미 설정된 값에 의하지 않고 해당 디스플레이 장치(10)의 점등 화소(PXA)들이 갖는 발광 정보로부터 추출되는 설정값일 수 있다. 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)에서 정상 점등 화소가 되는 점등 화소(PXA)는 상기 발광 정보들로부터 계산된 값에 의해 결정될 수 있다.
이어, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득(S41)하고 난 후에는 발광 정보를 통해 불량 점등 화소들의 발광 정보를 획득하는 단계(S43)가 수행될 수 있다. 상술한 바와 같이, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하여 정상 점등 화소와 불량 점등 화소가 분류되면, 리페어 대상인 불량 점등 화소들에 대한 추가적인 정보를 획득하는 단계가 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 불량 점등 화소들의 정보를 획득하는 단계(S43)는 불량 점등 화소들의 발광 정보에 기반하여 불량 점등 화소들의 위치 정보 및 불량 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 점등 화소(PXA)들을 카메라 장치(110)로 검사하여 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 위치 정보를 획득한다. 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 위치 정보가 획득되면, 해당 불량 점등 화소로부터 불량의 원인 및 불량 원인의 위치에 대한 정보와 같은 불량 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 불량 점등 화소들의 불량 정보는 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)를 이용하여 획득한 점등 이미지 정보로부터 획득될 수 있다. 제1 카메라(111)를 이용하여 획득된 점등 이미지 정보는 광학적 방식으로 획득된 이미지로서, 각 점등 화소(PXA)들의 발광량 정보를 획득할 수 있다. 불량 점등 화소들의 주변에는 정상 점등 화소들이 배치될 수 있는데, 광학적 방식으로 획득된 이미지 정보에서 특정 위치의 발광량을 기준으로 발광량이 다른 지점을 쉽게 구분할 수 있다. 정상 점등 화소의 발광량을 기준으로, 주변의 다른 화소들의 발광량을 비교하여 해당 화소가 불량 점등 화소인지 여부를 파악할 수 있다.
이와 유사하게, 불량 점등 화소들의 불량 원인도 정상 점등 화소와 비교를 통해 파악될 수 있다. 예를 들어, 정상 점등 화소인 제2 점등 화소(PXA2)가 일정 개수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 원하는 발광량을 갖는 경우, 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)는 다른 개수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 원하는 수준의 발광량을 갖지 못할 수 있다. 제1 점등 화소(PXA1)는 더 많은 수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 발광량이 큰 경우이고, 제3 점등 화소(PXA3)는 더 적은 수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 발광량이 작은 경우일 수 있다. 제2 점등 화소(PXA2)와의 비교를 통해 획득된 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 불량 원인은 발광 소자(ED)들의 개수 차이일 수 있다.
다만, 도면에서는 제1 카메라(111)를 이용하여 불량 점등 화소들의 위치 정보를 얻거나 불량 원인을 획득하는 단계만이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 미점등 화소(PXB)들의 불량 원인을 파악하는 단계와 유사하게, 불량 점등 화소들의 불량 원인을 파악하는 단계에서도 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)가 활용될 수 있다.
이어, 불량 점등 화소들에 대한 불량 정보를 획득(S43)한 뒤, 상기 정보에 기반하여 리페어 장치(150)를 이용한 불량 점등 화소들을 리페어 하는 단계(S45)가 수행될 수 있다. 본 단계에서는 불량 점등 화소의 불량 원인에 대응하여 각 불량 점등 화소들에 리페어 공정이 수행될 수 있다.
미점등 화소(PXB)의 리페어 단계와 유사하게, 불량 점등 화소의 리페어 단계에서 레이저 장치(151)를 이용한 리페어 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 화소(PXA1)와 같이, 정상 점등 화소와 대비하여 더 많은 수의 발광 소자(ED)들이 배치된 경우, 일부 발광 소자(ED)들을 제거하는 공정을 통해 발광량을 낮추는 리페어 공정이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 불량 점등 화소의 리페어 단계(S45)는 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)를 이용하여 불량 점등 화소에 배치된 발광 소자(ED)들 중 일부를 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 제1 점등 화소(PXA1)에서는 레이저 장치(151)에서 조사된 레이저에 의해 일부 발광 소자(ED)들이 제거되거나 파괴되고, 나머지 발광 소자(ED)들이 발광함에 따라 발광량이 낮아지는 보정이 수행될 수 있다.
반면, 제3 점등 화소(PXA3)와 같이 정상 점등 화소와 대비하여 더 적은 수의 발광 소자(ED)들이 배치된 경우, 발광 소자(ED)들을 더 배치하는공정을 통해 발광량을 높이는 리페어 공정이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 불량 점등 화소의 리페어 단계(S45)는 리페어 장치(150)의 재전사 장치(153)를 이용하여 불량 점등 화소에 발광 소자(ED)들을 재전사하고, 이를 전극(RME)과 전기적으로 연결시키는 공정이 수행될 수 있다. 제3 점등 화소(PXA3)에서는 재전사 장치(153)를 통해 일부 발광 소자(ED)들이 전극(RME)들 상에 재전사되고, 해당 발광 소자(ED)들이 새로운 연결 전극(CNE)을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 해당 화소에서는 추가적인 발광 소자(ED)들이 배치됨에 따라 발광량이 높아지는 보정이 수행될 수 있다.
이상의 과정을 통해, 점등 화소(PXA)들 중 불량 점등 화소들의 발광량이 보정되면 디스플레이 장치(10)의 점등 화소(PXA)들은 최초 제조 상태보다 균일한 발광량을 가질 수 있고, 디스플레이 장치(10)의 발광 품질이 개선될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 디스플레이 장치의 검사 방법이 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계(S30)에 더하여 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)를 수행함에 따라, 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계(S30)가 수행되면, 추가적으로 미점등 화소(PXB)가 존재하는지 여부를 확인하는 단계(S20)가 수행될 수 있다. 미점등 화소(PXB)를 리페어 하더라도 해당 화소(PX)가 모두 정상 점등 화소가 되지 않을 수 있으므로, 리페어된 미점등 화소(PXB)들에 대하여도 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)가 수행될 수 있다. 그에 따라, 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계가 수행된 후에는 다시 미점등 화소가 존재하는지 여부를 확인하는 단계(S20)가 수행되고, 경우에 따라 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)가 수행될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 디스플레이 장치
100: 디스플레이 장치의 검사 장치
110: 카메라 장치
120: 컨트롤러
130: 프로세서
150: 리페어 장치
100: 디스플레이 장치의 검사 장치
110: 카메라 장치
120: 컨트롤러
130: 프로세서
150: 리페어 장치
Claims (20)
- 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치를 점등시키고, 상기 화소들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계;
상기 점등 이미지 정보로부터 상기 복수의 화소들 중 점등 화소와 미점등 화소가 존재하는 지 확인하는 단계;
상기 발광 정보 중 상기 미점등 화소들의 위치 정보를 획득하고, 상기 미점등 화소들로부터 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 검사 단계; 및
상기 점등 이미지 정보 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발광 정보로부터 상기 미점등 화소의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 정보에 기반하여 상기 미점등 화소들을 리페어하는 리페어 단계를 포함하고,
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 단계, 또는 상기 미점등 화소에 상기 발광 소자를 재전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시, 상기 화소들에서 방출하는 광을 통해 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라로 수행되고,
상기 제2 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시 상기 화소들에서 발생하는 열을 통해 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라로 수행되는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 발광 정보는 상기 점등 이미지 정보로부터 획득되는 발광량 정보, 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발열량 정보를 포함하고,
상기 불량 정보는 상기 미점등 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제4 항에 있어서,
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지 정보로부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 불량 발광 소자의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제4 항에 있어서,
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지로 정보부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 상에서 발열량이 다른 부분보다 높은 지점의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제7 항에 있어서,
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 지점에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제4 항에 있어서,
상기 제2 검사 단계는 상기 미점등 화소들 중 상기 발광 소자들이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되지 않은 미점등 화소의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하고,
상기 리페어 단계는 해당 미점등 화소에 상기 발광 소자들을 재전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제3 항에 있어서,
상기 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하여 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소로 분류하는 단계;
상기 불량 점등 화소들의 위치 정보와 상기 불량 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하는 단계; 및
상기 발광 정보에 기반하여 상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 정상 점등 화소와 상기 불량 점등 화소를 분류하는 단계는 상기 점등 화소들 중 발광량이 기준 설정값의 범위 내에 속하는 상기 점등 화소들을 상기 정상 점등 화소로 지정하는 단계, 및
상기 정상 점등 화소와 발광량을 비교하여 상기 불량 점등 화소로 지정하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 불량 점등 화소는 상기 정상 점등 화소보다 높은 발광량을 갖는 제1 점등 화소, 및
상기 정상 점등 화소보다 낮은 발광량을 갖는 제2 점등 화소를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계에서, 상기 제1 점등 화소는 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 공정이 수행되고,
상기 제2 점등 화소는 상기 발광 소자들을 재전사하는 공정이 수행되는 디스플레이 장치의 검사 방법. - 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치에 있어서,
상기 디스플레이 장치의 상기 화소들로부터 복수의 이미지 정보들을 획득하는 카메라 장치;
상기 획득된 이미지 정보들로부터 상기 화소들의 발광 정보, 및 상기 화소들의 불량 정보를 획득하는 프로세서; 및
상기 프로세서에서 획득된 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소들에 리페어 공정을 수행하는 리페어 장치를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 이미지 정보로부터 점등 화소와 미점등 화소에 대한 상기 발광 정보를 획득하여 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하고,
상기 리페어 장치는 상기 미점등 화소에 대하여 상기 리페어 공정을 수행하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 이미지 정보는 상기 화소들이 점등 시에 방출되는 발광량에 기반한 점등 이미지 정보, 및
상기 화소들이 점등 시에 방생하는 발열량에 기반한 발열 이미지 정보를 포함하고,
상기 카메라 장치는 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라, 및 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 발광 정보는 상기 화소의 발광량 정보, 및 상기 화소의 발열량 정보를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 발광량 정보로부터 상기 점등 화소와 상기 미점등 화소를 분류하고, 상기 발광량 정보 및 상기 발열량 정보로부터 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제16 항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 점등 화소들의 상기 발광량 정보를 기준으로 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소, 및
상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소를 구분하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 불량 정보는 상기 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하고,
상기 리페어 장치는 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 레이저 장치, 및
상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 상기 발광 소자를 전사하는 재전사 장치를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및
상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉하는 디스플레이 장치의 검사 장치. - 제19 항에 있어서,
상기 레이저 장치는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 서로 연결된 부분을 제거하는 디스플레이 장치의 검사 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210002401A KR102456972B1 (ko) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치 |
| CN202111245202.9A CN114758961A (zh) | 2021-01-08 | 2021-10-26 | 显示装置的检查方法及显示装置的检查装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210002401A KR102456972B1 (ko) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220100745A true KR20220100745A (ko) | 2022-07-18 |
| KR102456972B1 KR102456972B1 (ko) | 2022-10-20 |
Family
ID=82325008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210002401A KR102456972B1 (ko) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102456972B1 (ko) |
| CN (1) | CN114758961A (ko) |
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- 2021-01-08 KR KR1020210002401A patent/KR102456972B1/ko active IP Right Grant
- 2021-10-26 CN CN202111245202.9A patent/CN114758961A/zh active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102456972B1 (ko) | 2022-10-20 |
| CN114758961A (zh) | 2022-07-15 |
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