KR20220090092A - Method of fabricating display modules with arraying light emitting diodes comprising c2 symmetry using wave energy - Google Patents

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Abstract

본 발명은 파동 에너지를 이용하여 C2 대칭성 LED 소자들을 배열하고, 배열된 C2 대칭성 LED 소자들을 이용해 디스플레이용 모듈을 제작하는 내용에 관한 것이다.
본 발명에서는 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭이 가능한 소자이기 때문에 소자의 배치에 있어서 상하좌우가 구별되고 매우 정확하게 소자들을 정렬시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 C2 대칭성 LED 소자의 크기나 형상에 따라 소자들을 원하는 방향에 위치시키기 위해 적합한 주파수(frequency)를 찾아 적절한 파형의 결합을 통해 소자를 제어할 수 있는 방법을 제공하고 궁극적으로 디스플레이 모듈의 효율적인 제작에 활용할 수 있는 방식을 제공한다.The present invention relates to arranging C2 symmetric LED elements using wave energy, and manufacturing a display module using the arranged C2 symmetric LED elements.
In the present invention, since the C2 symmetric LED device is a device capable of 180 degree rotational symmetry, the vertical and horizontal verticals are distinguished in the arrangement of the devices, and the devices can be aligned very accurately.
In addition, the present invention provides a method for controlling the device through combination of appropriate waveforms by finding a suitable frequency to position the devices in a desired direction according to the size or shape of the C2 symmetric LED device, and ultimately the display module It provides a method that can be used for the efficient production of

Description

파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법 {METHOD OF FABRICATING DISPLAY MODULES WITH ARRAYING LIGHT EMITTING DIODES COMPRISING C2 SYMMETRY USING WAVE ENERGY}Method of manufacturing display module using array of C2 symmetric LED elements using wave energy {METHOD OF FABRICATING DISPLAY MODULES WITH ARRAYING LIGHT EMITTING DIODES COMPRISING C2 SYMMETRY USING WAVE ENERGY}

본 발명은 파동 에너지를 이용하여 C2 대칭성 LED 소자들을 배열하고, 배열된 C2 대칭성 LED 소자들을 이용해 디스플레이용 모듈을 제작하는 내용에 관한 것이다.The present invention relates to arranging C2 symmetric LED elements using wave energy, and manufacturing a display module using the arranged C2 symmetric LED elements.

본 명세서에서 C2 대칭이란 표현은 무기화학에서 분자구조를 그룹으로 분류할 때 사용하는 분자의 배치형태에 대한 내용을 이용한 표현으로써 구체적으로 C2 회전을 하여 대칭이 되는 배치 형태를 의미한다. C2 대칭이라고 함은 더욱 구체적으로 180도 회전 대칭을 의미하는 표현이다.In the present specification, the expression C2 symmetry is an expression using the content of the arrangement of molecules used when classifying molecular structures into groups in inorganic chemistry, and specifically refers to an arrangement in which C2 rotation becomes symmetrical. C2 symmetry is more specifically an expression meaning 180 degree rotational symmetry.

본 발명에서는 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭이 가능한 소자이기 때문에 소자의 배치에 있어서 상하좌우가 구별되고 매우 정확하게 소자들을 정렬시킬 수 있다.In the present invention, since the C2 symmetric LED device is a device capable of 180 degree rotational symmetry, the vertical and horizontal verticals are distinguished in the arrangement of the devices, and the devices can be aligned very accurately.

또한, 본 발명에서는 C2 대칭성 LED 소자의 크기나 형상에 따라 소자들을 원하는 방향에 위치시키기 위해 적합한 주파수(frequency)를 찾아 적절한 파형의 결합을 통해 소자를 제어할 수 있는 방법을 제공하고 궁극적으로 디스플레이 모듈의 효율적인 제작에 활용할 수 있는 방식을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for controlling the device through combination of appropriate waveforms by finding a suitable frequency to position the devices in a desired direction according to the size or shape of the C2 symmetric LED device, and ultimately the display module It provides a method that can be used for the efficient production of

마이크로-LED 디스플레이를 구현하기위해서는 수십 μm 크기의 다수 LED 칩을 회로가 구성되어 있는 기판위에 빠르고 정확하게 전사할 필요가 있다. 이 때 전사되는 LED칩은 매우 작아 이송판 혹은 기판과의 접촉력의 영향을 받게 되며 정전기로 인한 칩 손상을 막기 위해서 매우 조심스럽게 다루어져야 한다. In order to realize a micro-LED display, it is necessary to quickly and accurately transfer a number of LED chips with a size of several tens of μm onto the circuit board. At this time, the transferred LED chip is very small and is affected by the contact force with the transfer plate or substrate, and must be handled very carefully to prevent chip damage due to static electricity.

이러한 마이크로 칩의 전사기술로 현재 가장 많이 사용되고 방식은 Pick-and-place 방식이다. 그러나 이 방식은 칩의 크기가 수십 μm 미만으로 작아지면 제어가 되지 않으며 칩을 개별적으로 옮겨야하기 때문에 전사 속도가 매우 느리다는 단점을 가지고 있다. As the transfer technology of such a microchip, the most widely used method is the Pick-and-Place method. However, this method has the disadvantage that the transfer speed is very slow because the chip size is smaller than several tens of μm, and the control is not controlled and the chip has to be moved individually.

대안으로 찾는 방식이 Fluidic Assembly(FA) 방식이다. 그러나, 이들 FA 방식 역시 100% 전사가 용이하지 않다는 단점과 한 번 전사된 칩에서 문제가 발생할 경우 대체되어야 하는 문제가 발생하며 이 과정에서 많은 시간이 요구되는 단점이 있다. FA 방식에서는 주로 유체의 흐름을 이용하여 마이크로 칩을 움직여 원하는 위치에 고정시킨다. 보통 기판위에 마이크로 칩을 위치시킬 때 칩을 고정시키기 위해 molten lead 를 이용하여 고정시키며 많은 경우 많은 molten lead 와 칩과의 접촉은 확률에 의존한다. 궁극적으로 칩의 움직임은 자유롭게 의도적으로 조정되지 않는다는 약점이 있다.An alternative finding method is the Fluidic Assembly (FA) method. However, these FA methods also have disadvantages in that 100% transfer is not easy, and if a problem occurs in a chip that has been transferred once, a problem that needs to be replaced occurs, and a lot of time is required in this process. In the FA method, the microchip is moved and fixed at a desired position mainly using the flow of fluid. Usually, when placing the microchip on the substrate, molten lead is used to fix the chip. In many cases, the contact between the molten lead and the chip depends on the probability. Ultimately, the disadvantage is that the movement of the chip is not deliberately regulated freely.

또한, 기존 방식의 경우, 칩의 상하좌우가 구분이 되지 않아 칩이 다른 방향으로 회전하여 정렬된 경우 정확한 디스플레이의 제작이 어렵다. In addition, in the case of the conventional method, it is difficult to accurately manufacture a display when the chips are rotated and aligned in different directions because the top, bottom, left, and right of the chip are not distinguished.

본 발명에서는 배치되는 소자의 기판의 평면을 C2 대칭 형태로 패턴화화여 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 제공하고자 한다. 또한, 전극의 배치에 있어서 기판 상에 가운데에 일 도전형의 전극이 배치되도록 하고, 해당 전극을 중심으로 동일한 거리로 서로 반대 방향에 상이한 도전형의 전극이 각각 배치되게 함으로써 전극을 매칭시킬 때 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 어느 경우에나 전극 매칭이 이루어지도록 하고자 한다.An object of the present invention is to provide an LED device in which top, bottom, left, and right are distinguished by patterning the plane of the substrate of the device to be arranged in a C2 symmetrical shape. In addition, in the electrode arrangement, one conductivity type electrode is disposed on the substrate in the center, and electrodes of different conductivity type are respectively disposed in opposite directions at the same distance from the electrode when matching the electrodes 180 Even if the degree is rotated to match, it is intended that electrode matching is performed in any case.

또한, 본 발명에서는 이러한 소자를 정렬함에 있어서 소자의 움직임을 독립적으로 조정하기 위해 파동 에너지(wave energy)를 이용하고자 한다. 소자(마이크로 칩)의 방향을 잡기 위해서 파동 발생기에서 만들어진 정상파들의 합성을 통해 원하는 방향으로 마이크로 칩을 이동시키고자 한다.In addition, the present invention intends to use wave energy to independently control the movement of the elements in aligning these elements. In order to orient the device (microchip), we want to move the microchip in a desired direction through the synthesis of standing waves created by the wave generator.

본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법은, 음파를 발생시킬 수 있는 하나 이상의 파동 발생기를 포함하는 파동 발생 장치를 준비하는 단계; 상기 파동 발생 장치 상에 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구가 형성되어 있는 이송판을 준비하는 단계; 상기 이송판 위에 형성되어 있는 개구에 안착이 가능한 복수개의 C2 대칭성 LED(Light Emitting Diode) 소자들을 상기 이송판 위에 배치하는 단계; 및 상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들을 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 포함하고, 상기 C2 대칭성 LED 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며, 상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며, 상기 제 1 도전형 전극은 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되어 상기 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태이며, 상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고, 상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치한다.A method of arranging a C2 symmetric LED element using wave energy according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: preparing a wave generating device including one or more wave generators capable of generating a sound wave; preparing a transfer plate in which n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings are formed on the wave generating device; disposing a plurality of C2 symmetric Light Emitting Diode (LED) elements capable of being seated in an opening formed on the transfer plate on the transfer plate; and generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetrical LED elements in an opening formed in the transfer plate, wherein the C2 symmetrical LED element includes: a substrate; a buffer layer on the substrate; and an LED light emitting device on the buffer layer, wherein the LED light emitting device includes: a first conductivity type semiconductor layer; photoactive layer; and second conductivity type semiconductor layers are sequentially stacked, a first conductivity type electrode is disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type electrode is disposed on an upper portion of the second conductivity type semiconductor layer and the first conductivity type electrode is spaced apart from the second conductivity type electrode in a direction parallel to the plane of the substrate to surround the second conductivity type electrode, and the C2 symmetrical LED element is 180 degrees It has a rotationally symmetrical shape, and the C2 symmetrical LED element has a 180 degree rotationally symmetrical shape so that the first conductive type electrode is positioned in opposite directions from the center of the second conductive type electrode along a direction parallel to the plane of the substrate, respectively do.

상기 개구의 형상은 상기 C2 대칭성 LED 소자가 안착될 수 있도록 동일한 형상을 갖는다.The shape of the opening has the same shape so that the C2 symmetrical LED element can be seated.

상기 개구는 n x m 개의 개구가 서로 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있다.In the opening, n x m openings are regularly arranged at regular intervals from each other.

상기 개구는 관통 개구이다. 상기 개구가 관통 개구인 경우 상기 C2 대칭성 LED 소자가 상기 개구에 안착될 수 있도록 상기 이송판 아래에 필름이 배치되어 있다.The opening is a through opening. When the opening is a through opening, a film is disposed under the transfer plate so that the C2 symmetrical LED element can be seated in the opening.

상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계에서, 유체를 이용하여 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 마스크에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 수행한다.In the step of generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate, using a fluid to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the mask carry out

상기 유체는 아세톤, 알코올 및 물 중 어느 하나가 이용된다.As the fluid, any one of acetone, alcohol, and water is used.

상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계에서, 상기 파동 발생기의 주파수를 변경시키면서 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 마스크에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 수행한다.In the step of generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate, the C2 symmetric LED elements are formed in the mask while changing the frequency of the wave generator to perform the steps of being seated on the

본 발명의 추가적인 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법은, n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 전극 패턴이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계; 상기 전극 패턴이 형성된 기판 위에 C2 대칭성 LED 소자와 전극 패턴을 접착하기 위한 도전성 페이스트를 도포하는 단계; 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 파동 에너지를 이용하여 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구에 C2 대칭성 LED 소자가 배열된 이송판 위에 상기 기판을 위치시키는 단계; 상기 이송판에 배열되어 있는 C2 대칭성 LED 소자를 페이스트가 묻혀져 있는 기판으로 전사한 후 열처리하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy according to an additional embodiment of the present invention comprises: preparing a substrate on which n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) electrode patterns are formed; applying a conductive paste for bonding the C2 symmetric LED element and the electrode pattern on the substrate on which the electrode pattern is formed; Positioning the substrate on a transfer plate in which C2 symmetric LED elements are arranged in n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings using wave energy according to the method of any one of claims 1 to 8; and transferring the C2 symmetrical LED elements arranged on the transfer plate to the substrate on which the paste is applied and then performing heat treatment.

상기 기판에 형성되어 있는 전극 패턴은 픽셀 디자인이다.The electrode pattern formed on the substrate is a pixel design.

상기 이송판 위에 상기 기판을 위치시키는 단계에서, 상기 이송판의 n x m개의 개구가 상기 기판 상에 미리 형성된 n x m개의 전극 패턴에 매칭이 되도록 위치시킨다.In the step of positioning the substrate on the transfer plate, n x m openings of the transfer plate are positioned to match the n x m electrode patterns previously formed on the substrate.

본 발명에 따르면 C2 대칭성 LED 소자를 제공함으로써 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 제공하고, 이에 의해 LED 소자를 배치하여 전극을 매칭시킬 때 그대로의 형태 뿐만 아니라 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 전극 매칭이 이루어진다는 장점을 갖는다.According to the present invention, by providing a C2 symmetrical LED element, an LED element that can be distinguished from top to bottom, left and right, is provided, and by this, when an electrode is matched by arranging an LED element, not only the shape as it is, but also electrode matching even if it is rotated 180 degrees to match This has the advantage of being done.

본 발명에 따른 전사 공정을 사용할 경우 구동 기판에 전사하기 전에 불량 칩을 완전히 배제할 수 있으며 상대적으로 매우 빠르게 구동기판에 전사할 수 있다. 이러한 본 발명의 장점은 향후 미니-LED 디스플레이, 마이크로-LED 디스플레이의 상용화에 기여할 것으로 기대된다.When the transfer process according to the present invention is used, defective chips can be completely excluded before being transferred to the driving substrate, and can be transferred to the driving substrate relatively quickly. These advantages of the present invention are expected to contribute to the commercialization of mini-LED displays and micro-LED displays in the future.

도 1은 GaN 계열의 LED 소자의 단면도를 도시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 소자의 형태에 대응된 홈에 소자가 안착되는 모습의 모식도를 도시한다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
도 6은 본 발명에서 이용되는 파동 발생 장치 및 C2 대칭성 LED 소자 배열의 일 실시예의 모습을 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법의 순서도를 도시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 발생기의 개략 평면도를 도시한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송판의 평면도를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 유체를 채워 놓은 채로 파동을 발생시키는 모습의 개략도이다.
도 11은 C2 대칭성 LED 소자들이 이송판의 개구에 모두 안착된 모습의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법의 순서도를 도시한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법의 모식도를 도시한다.
다양한 실시예들이 이제 도면을 참조하여 설명되며, 전체 도면에서 걸쳐 유사한 도면번호는 유사한 엘리먼트를 나타내기 위해서 사용된다. 설명을 위해 본 명세서에서, 다양한 설명들이 본 발명의 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나 이러한 실시예들은 이러한 특정 설명 없이도 실행될 수 있음이 명백하다. 다른 예들에서, 공지된 구조 및 장치들은 실시예들의 설명을 용이하게 하기 위해서 블록 다이아그램 형태로 제시된다. 1 shows a cross-sectional view of a GaN-based LED device.
2 and 3 show a plan view of a C2 symmetric LED device according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram illustrating a state in which an element is seated in a groove corresponding to the shape of the element according to an embodiment of the present invention.
5a and 5b show top views of a C2 symmetric LED device according to a further embodiment of the present invention.
6 shows a view of one embodiment of the wave generating device and C2 symmetric LED element arrangement used in the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of arranging a C2 symmetric LED device using wave energy according to an embodiment of the present invention.
8 shows a schematic plan view of a wave generator according to an embodiment of the present invention;
9 shows a plan view of a transfer plate according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram of a state in which a wave is generated while filled with a fluid according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram of a state in which C2 symmetric LED elements are all seated in the opening of the transfer plate.
12 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy according to an embodiment of the present invention.
13 is a schematic diagram illustrating a method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy according to an embodiment of the present invention.
Various embodiments are now described with reference to the drawings, wherein like reference numerals are used to refer to like elements throughout. In this specification for purposes of explanation, various descriptions are presented to provide an understanding of the present invention. However, it will be apparent that these embodiments may be practiced without these specific descriptions. In other instances, well-known structures and devices are presented in block diagram form in order to facilitate describing the embodiments.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or steps. , it should be understood that it does not preclude the possibility of the existence or addition of an operation, a component, a part, or a combination thereof.

도 1은 GaN 계열의 LED 소자의 단면도를 도시한다. 일반적인 GaN 계열의 LED 소자는 도 1과 같이 기판(10); 버퍼층(20); n형 GaN층(30); 광활성층(40); p형 GaN층(50); n형 전극(60) 및 p형 전극(70)을 포함한다. 일반적으로 기판(10) 상에 버퍼층(20), n형 GaN 층(30), 활성층(InGaN 또는 GaN)(40) 및 p형 GaN층(50)을 순차적으로 결정 성장시킨 후, n형 금속전극(60)의 형성을 위해 일부분을 상기 n형 GaN층(30)까지 식각(etching)하고, 필요에 따라 투명 전극(15)을 형성한 다음, 전극 영역을 제외한 부분을 유전체 보호막(미도시)으로 씌우고, n형 금속전극(60) 및 p형 금속전극(70)을 증착함으로써 형성되는 것이 일반적인 공정이다.1 shows a cross-sectional view of a GaN-based LED device. A typical GaN-based LED device includes a substrate 10 as shown in FIG. 1 ; buffer layer 20; n-type GaN layer 30; photoactive layer 40; p-type GaN layer 50; It includes an n-type electrode 60 and a p-type electrode 70 . In general, a buffer layer 20, an n-type GaN layer 30, an active layer (InGaN or GaN) 40, and a p-type GaN layer 50 are sequentially crystal-grown on a substrate 10, and then an n-type metal electrode To form (60), a portion is etched up to the n-type GaN layer 30, and a transparent electrode 15 is formed as necessary. It is a general process to cover and form by depositing the n-type metal electrode 60 and the p-type metal electrode 70 .

본 발명에서는 이러한 LED 소자에서 기판의 평면을 C2 대칭 형태로 패턴화화여 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 개시한다. 이 경우 전극의 배치에 있어서 기판 상에 가운데에 일 도전형의 전극이 배치되도록 하고, 해당 전극을 중심으로 동일한 거리로 서로 반대 방향에 상이한 도전형의 전극이 각각 배치되게 함으로써 전극을 매칭시킬 때 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 어느 경우에나 전극 매칭이 이루어질 수 있다는 장점을 갖는다.The present invention discloses an LED device in which the top, bottom, left, and right are distinguished by patterning the plane of the substrate in a C2 symmetrical form in such an LED device. In this case, when electrode matching is performed by placing an electrode of one conductivity type in the center on the substrate and placing electrodes of a different conductivity type in opposite directions at the same distance from the electrode in the electrode arrangement, 180 It has the advantage that electrode matching can be made in any case even if it is rotated and matched.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태를 갖는다. 이 부분은 도 1에서 설명된 것과 동일한 적층 구조를 갖는다. 기판은 사파이어 기판이 이용될 수 있다.2 and 3 show a plan view of a C2 symmetric LED device according to an embodiment of the present invention. C2 symmetric LED device according to an embodiment of the present invention, a substrate; a buffer layer on the substrate; and an LED light emitting device on the buffer layer, wherein the LED light emitting device includes: a first conductivity type semiconductor layer; photoactive layer; and second conductivity-type semiconductor layers are sequentially stacked. This part has the same laminate structure as that described in FIG. 1 . A sapphire substrate may be used as the substrate.

제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중 어느 하나이며, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체이다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면, 제 2 도전형 반도체는 p형이다.The first conductivity type semiconductor is either an n-type or a p-type semiconductor, and the second conductivity type semiconductor is a semiconductor of a different type from the first conductivity type semiconductor. For example, if the first conductivity type semiconductor is n-type, the second conductivity type semiconductor is p-type.

제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치된다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면 제 1 도전형 전극은 n형 전극이고, 제 2 도전형 반도체가 p형이면 제 2 도전형 전극은 p형 전극이다.A first conductivity type electrode is disposed on the first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type electrode is disposed on the second conductivity type semiconductor layer. For example, if the first conductivity-type semiconductor is n-type, the first conductivity-type electrode is an n-type electrode, and if the second conductivity-type semiconductor is p-type, the second conductivity-type electrode is a p-type electrode.

한편, 제 1 도전형 전극은 제 2 도전형 전극과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되며 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태를 갖는다. 이러한 모습은 도 2의 모습에서 제 1 도전형 전극(130)이 제 2 도전형 전극(120)을 둘러싸는 형태로부터 확인할 수 있다. 한편, 도 3과 같은 형태로 제 1 도전형 전극이 기판의 형상과 동일한 형상으로 전극이 배치될 수도 있다.Meanwhile, the first conductivity-type electrode is disposed to be spaced apart from the second conductivity-type electrode in a direction parallel to the plane of the substrate and surrounds the second conductivity-type electrode. This state can be confirmed from the form in which the first conductivity-type electrode 130 surrounds the second conductivity-type electrode 120 in FIG. 2 . Meanwhile, in the form shown in FIG. 3 , the electrode may be disposed in the same shape as that of the substrate in which the first conductive type electrode is formed.

도 2 및 도 3에서 보는 것처럼 이러한 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖는다. 이러한 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다. C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다. 특히 도 2 및 도 3을 기준으로 제 2 도전형 전극(120)의 위 아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되고, 이 경우 제 2 도전형 전극으로부터 이격된 거리는 동일한 것이 바람직하다. 즉, 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는 것이 바람직하다. 이러한 배치에 의해 평행사변형 형태의 소자가 180도 회전한 형태를 갖더라도 여전히 동일하게 제 2 도전형 전극(120)을 중심으로 위아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되는 형태를 가지므로 소자가 그대로의 모습으로 배치되거나 또는 180도 회전하여 배치되거나 모두 동일하게 전극의 매칭이 이루어지도록 할 수 있다. As shown in FIGS. 2 and 3 , this C2 symmetric LED device has a 180 degree rotationally symmetric shape. This 180 degree rotationally symmetric shape is a parallelogram. Since the C2 symmetric LED device has a 180 degree rotationally symmetric shape, the first conductivity type electrode 130 is positioned in opposite directions from the center of the second conductivity type electrode 120 in a direction parallel to the plane of the substrate, respectively. In particular, based on FIGS. 2 and 3 , the first conductivity-type electrode 130 is disposed above and below the second conductivity-type electrode 120 , and in this case, the distance from the second conductivity-type electrode is preferably the same. That is, it is preferable that the first conductivity type electrodes are positioned at the same distance from the center of the second conductivity type electrode in opposite directions along a direction parallel to the plane of the substrate. Due to this arrangement, even if the parallelogram-shaped element has a 180 degree rotation, it still has a form in which the first conductivity-type electrode 130 is disposed above and below the second conductivity-type electrode 120 in the same manner. The device may be disposed as it is or rotated 180 degrees, or the electrodes may be matched in the same way.

이 부분은 특히 다수의 LED 소자를 이용해 디스플레이를 제작할 때 LED 소자를 배치시키는데 있어서 C2 대칭성 LED 소자를 이용해 배치할 때 상하좌우가 구분이 되므로 소자가 현재 모습 그대로 배치되거나 180도 회전하여 배치하더라도 모두 동일하게 전극 매칭이 이루어지므로 매우 효율적이다. 이 부분과 관련하여 디스플레이 제작시 이송판에 미리 홈이 형성되어 있고, 예를 들어 소자가 평행사변형일 경우 해당 홈 역시 평행사변형의 소자가 맞게끔 평행사변형 형태를 이룸으로써 홈에 소자가 안착했을때 무조건 전극 매칭이 이루어지도록 할 수 있게 되는 것이다. 이러한 모습은 도 4와 같이 소자의 형태에 대응된 홈에 소자가 안착되는 모습을 통해 알 수 있으며, 이에 의해 궁극적으로 소자가 안착되면 전극 매칭이 이루어지게 된다.In this part, especially when manufacturing a display using a large number of LED elements, when placing the LED elements using C2 symmetrical LED elements, the top, bottom, left, and right are separated, so it is the same even if the element is placed as it is or rotated 180 degrees It is very efficient because electrode matching is performed. In relation to this part, when a display is manufactured, a groove is formed in advance on the transfer plate. For example, if the element is a parallelogram, the groove also forms a parallelogram shape so that the element of the parallelogram fits when the element is seated in the groove. It is possible to make electrode matching unconditionally. This state can be seen through the state in which the element is seated in the groove corresponding to the shape of the element as shown in FIG. 4 , and when the element is ultimately seated, electrode matching is made.

도 5a 및 5b는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다. 도 5a 및 5b는 도 2 및 도 3의 실시예와 제 1 도전형 전극 형태가 상이한 것이며 나머지는 동일한 내용을 가지므로 중복되는 내용에 대해서는 반복 설명을 생략하도록 하겠다. 도 5a 및 5b에서 보는 것처럼 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고, 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이고, 또한 도 5b에서 처럼 전극(120, 130)도 모두 소자의 형상과 유사한 평행 사변형 형태를 가짐으로써 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다.5a and 5b show top views of a C2 symmetric LED device according to a further embodiment of the present invention. 5A and 5B are different from the embodiment of FIGS. 2 and 3 in the form of the first conductivity type electrode, and the rest have the same content, so repeated descriptions of overlapping content will be omitted. As shown in FIGS. 5A and 5B , the C2 symmetric LED device has a 180 degree rotationally symmetric shape, and the 180 degree rotationally symmetric shape is a parallelogram, and as in FIG. 5B , the electrodes 120 and 130 are both parallel to the shape of the device. By having a quadrilateral shape, the C2 symmetric LED element has a 180 degree rotationally symmetric shape, so that from the center of the second conductivity type electrode 120 to the opposite direction along a direction parallel to the plane of the substrate, respectively, the first conductivity type electrode 130 this will be located

제 1 도전형 전극(130)은 2개가 배치되며, 2개의 제 1 도전형 전극은 각각 제 2 도전형 전극(120)과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 모습은 도 5a 및 5b의 모습에서 제 1 도전형 전극(130)이 제 2 도전형 전극(120)과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치된 모습을 확인할 수 있다. 도 5에서 보는 것처럼 이러한 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖는다. 이러한 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다. C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다. 특히 도 5a 및 5b를 기준으로 제 2 도전형 전극(120)의 위 아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되고, 이 경우 제 2 도전형 전극으로부터 이격된 거리는 동일한 것이 바람직하다. 즉, 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는 것이 바람직하다.Two first conductivity-type electrodes 130 are disposed, and the two first conductivity-type electrodes are respectively spaced apart from the second conductivity-type electrode 120 in a direction parallel to the plane of the substrate. 5A and 5B , it can be seen that the first conductivity-type electrode 130 is spaced apart from the second conductivity-type electrode 120 in a direction parallel to the plane of the substrate. As shown in FIG. 5 , this C2 symmetric LED device has a 180 degree rotationally symmetric shape. This 180 degree rotationally symmetric shape is a parallelogram. Since the C2 symmetric LED device has a 180 degree rotationally symmetric shape, the first conductivity type electrode 130 is positioned in opposite directions from the center of the second conductivity type electrode 120 in a direction parallel to the plane of the substrate, respectively. In particular, based on FIGS. 5A and 5B , the first conductivity-type electrode 130 is disposed above and below the second conductivity-type electrode 120 , and in this case, the distance from the second conductivity-type electrode is preferably the same. That is, it is preferable that the first conductivity type electrodes are positioned at the same distance from the center of the second conductivity type electrode in opposite directions along a direction parallel to the plane of the substrate.

도 6은 본 발명에서 이용되는 파동 발생 장치 및 마이크로 칩 배열의 일 실시예의 모습을 도시한다. 도 6에서 보는 것처럼 본 발명에서 이용되는 파동 발생 장치는 척(chuck) 영역(100) 및 파동 생성 장치 영역(200)으로 구분된다.6 shows an embodiment of a wave generating device and a microchip arrangement used in the present invention. As shown in FIG. 6 , the wave generating device used in the present invention is divided into a chuck region 100 and a wave generating device region 200 .

척 영역(100)은 척을 조립하게 되는데 척의 조립 과정에서 이송판(300) 및 마이크로 칩들(C2 대칭성 LED 소자들)(400)을 배치하여 조립한다. 이 경우 이송판이 관통 개구일 경우에는 C2 대칭성 LED 소자들이 개구를 통해서 빠져나갈 우려가 있는 바 추가적으로 필름(500)이 배치될 수도 있다. 하지만 개구가 관통 개구가 아니거나 개구의 형상이 아래로 빠져나가지 못하도록 형성된 경우(예를 들어 밑으로 갈수록 개구의 크기가 작아져 마이크로 칩의 크기보다 작은 개구만을 형성한 경우)에는 필름(500)이 반드시 필요한 것은 아니다.The chuck region 100 is assembled with the chuck by disposing the transfer plate 300 and the microchips (C2 symmetrical LED elements) 400 during the assembly process of the chuck. In this case, when the transfer plate is a through-opening, there is a risk that the C2 symmetric LED elements may escape through the opening, so that the film 500 may be additionally disposed. However, if the opening is not a through-opening or the shape of the opening is formed to prevent it from escaping downward (for example, when only an opening smaller than the size of the microchip is formed as the size of the opening decreases toward the bottom), the film 500 is It is not necessary.

이렇게 조립된 척을 파동 생성 장치(200)에 체결하게 된다. 파동 생성 장치는 파형이 만들어지는 매질(본 발명의 경우, 기판)의 경계와 주파수의 변화를 통해 적절한 파형을 만들어 낼 수 있으며, 진폭을 조정할 수 있는 장치이다. 본 발명에서는 파형 발생장치를 4개 설치하여 독립적으로 작동시킴으로써 합성 파형을 생성할 수 있게 하였다 (610, 620, 630, 640). 이렇게 생성된 각 파형을 합성함으로써 파형을 x-축, y-축으로 이동할 수 있게 하여 궁극적으로 칩을 원하는 방향으로 움직일 수 있게 하였다. The chuck assembled in this way is fastened to the wave generating device 200 . The wave generating device is a device capable of generating an appropriate waveform by changing the boundary and frequency of the medium (in the present invention, the substrate) in which the waveform is made, and adjusting the amplitude. In the present invention, four waveform generators are installed and operated independently to generate a synthesized waveform (610, 620, 630, 640). By synthesizing each of the generated waveforms, the waveform can be moved in the x-axis and y-axis, and ultimately the chip can be moved in the desired direction.

본 발명에서는 도 6에서 설명한 파동 발생 장치를 이용해 C2 대칭성 LED 소자를 배열하게 된다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법의 순서도를 도시한다.In the present invention, C2 symmetric LED elements are arranged using the wave generator described in FIG. 6 . 7 is a flowchart illustrating a method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy according to an embodiment of the present invention.

도 7에서 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 마이크로 칩의 배열 방법은, 음파를 발생시킬 수 있는 하나 이상의 파동 발생기를 포함하는 파동 발생 장치를 준비하는 단계(S 710); 상기 파동 발생 장치 상에 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구가 형성되어 있는 이송판을 준비하는 단계(S 720); 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착이 가능한 복수개의 C2 대칭성 LED 소자를 상기 이송판 위에 배치하는 단계(S 730); 및 상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계(S 740)를 포함한다.As shown in FIG. 7 , in the method for arranging a microchip using wave energy according to an embodiment of the present invention, preparing a wave generating device including one or more wave generators capable of generating sound waves (S 710) ; Preparing a transfer plate in which n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings are formed on the wave generating device (S720); Placing a plurality of C2 symmetrical LED elements capable of being seated in the opening formed in the transfer plate on the transfer plate (S730); and generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate (S740).

S 710 단계에서는 음파를 발생시킬 수 있는 하나 이상의 파동 발생기를 포함하는 파동 발생 장치를 준비한다. 파동 발생기는 1개 이상이면 되며 복수개가 배치될 수도 있다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 발생기의 개략 평면도를 도시한다. 도 8에서와 같이 지지판(10)에 4개의 파동 발생기(20)가 배치될 수 있으며, 이 경우 두개가 한 쌍을 이루어 제어될 수 있다. 두 쌍의 파동 발생기를 제어하여 파동을 중첩시켜 사용할 수 있다.In step S710, a wave generating device including one or more wave generators capable of generating sound waves is prepared. One or more wave generators may be used, and a plurality of wave generators may be disposed. 8 shows a schematic plan view of a wave generator according to an embodiment of the present invention; As shown in FIG. 8, four wave generators 20 may be disposed on the support plate 10, and in this case, the two may be controlled as a pair. By controlling two pairs of wave generators, the waves can be superimposed.

S 720 단계에서는 파동 발생 장치 상에 이송판을 배치한다. 이러한 이송판은 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구를 포함한다. 개구의 형상은 C2 대칭성 LED 소자가 안착될 수 있도록 동일한 형상을 갖도록 형성된다. C2 대칭성 LED 소자가 평행사변형 형태인 경우 개구의 형상 역시 평행사변형 형상을 갖는다.In step S720, the transfer plate is disposed on the wave generating device. This transfer plate comprises n x m (n, m being an integer greater than or equal to 1) openings. The shape of the opening is formed to have the same shape so that the C2 symmetrical LED element can be seated. When the C2 symmetrical LED element has a parallelogram shape, the shape of the opening also has a parallelogram shape.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송판의 평면도를 도시한다. 도 9는 6x4의 개구를 포함하는 이송판의 일예를 도시한다. 도 9와 같이 개구들은 서로 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있을 수 있다. 이송판의 개구는 위에서 설명한 것처럼 관통 개구일 수 있으며 관통 개구인 경에는 C2 대칭성 LED 소자들이 개구를 통해서 빠져나갈 우려가 있는 바 추가적으로 필름이 배치될 수 있다.9 shows a plan view of a transfer plate according to an embodiment of the present invention. Fig. 9 shows an example of a transfer plate having an opening of 6x4. As shown in FIG. 9 , the openings may be regularly arranged at regular intervals from each other. The opening of the transfer plate may be a through opening as described above, and in the case of the through opening, there is a fear that the C2 symmetric LED elements may escape through the opening, and a film may be additionally disposed.

S 730 단계에서는 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착이 가능한 복수개의 C2 대칭성 LED 소자를 상기 마스크 위에 배치한다. 이러한 C2 대칭성 LED 소자는 크기가 약 5μm 내지 300μm 정도일 수 있다.In step S730, a plurality of C2 symmetric LED elements capable of being seated in the opening formed in the transfer plate are disposed on the mask. These C2 symmetric LED devices may have a size of about 5 μm to 300 μm.

S 740 단계에서는 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 C2 대칭성 LED 소자들을 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시킨다. 이용하려고 하는 C2 대칭성 LED 소자의 크기에 맞게 이송판의 개구를 형성한 후 파동 발생기를 이용해 이송판의 개구에 C2 대칭성 LED 소자를 안착시키게 된다. In step S 740, a wave is generated using a wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate. After forming the opening of the transfer plate according to the size of the C2 symmetric LED element to be used, the C2 symmetric LED element is seated in the opening of the transfer plate using a wave generator.

이 경우 유체(700)를 이용하여 C2 대칭성 LED 소자들이 이송판에 형성되어 있는 개구에 잘 안착되게 한다. 이용 가능한 유체는 아세톤, 메탄올 및 물 중 어느 하나가 이용될 수 있다. 유체(700)를 채워 놓은 채로 파동을 발생시켜 C2 대칭성 LED 소자를 이송판의 개구에 안착시키는 것이 바람직하다. In this case, using the fluid 700, the C2 symmetrical LED elements are seated well in the opening formed in the transfer plate. As the available fluid, any one of acetone, methanol, and water may be used. It is preferable to generate a wave while filling the fluid 700 to seat the C2 symmetrical LED element in the opening of the transfer plate.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 유체를 채워 놓은 채로 파동을 발생시켜 C2 대칭성 LED 소자를 이동시키는 모습의 개략도이다. 도 11은 C2 대칭성 LED 소자들이 이송판의 개구에 모두 안착된 모습의 개략도이다.10 is a schematic diagram of a state of moving a C2 symmetric LED element by generating a wave while filled with a fluid according to an embodiment of the present invention. 11 is a schematic diagram of a state in which C2 symmetric LED elements are all seated in the opening of the transfer plate.

또한, 파동 발생기의 주파수를 변경시키면서 C2 대칭성 LED 소자들이 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착되게 되는데, 파동 발생기의 주파수를 변경시킴으로써 새로운 공명 파동이 다시 형성될 수 있고, 이에 의해 C2 대칭성 LED 소자들이 이동하게 되면서 이송판의 개구에 안착될 확률이 높아지게 된다. 또한, 본 발명에서는 C2 대칭성 LED 소자를 이용하고, 이송판의 개구 역시 이에 대응하는 형상을 가지므로 소자들이 개구에 안착되는 경우 그대로의 모습으로 안착되거나 180도 회전하여 안착이 되더라도 모두 전극 매칭이 이루어지게 된다. 지속적으로 주파수를 변경시키면서 파동의 형성 모습을 변경시킴으로써 마이크로 칩들이 모두 개구에 안착되도록 하며, 이는 이용되는 C2 대칭성 LED 소자의 모양과 크기, 개구의 형태 및 칩의 개수에 따라 제어하여 수행하게 된다. In addition, while changing the frequency of the wave generator, the C2 symmetric LED elements are seated in the opening formed in the transfer plate. By changing the frequency of the wave generator, a new resonance wave can be formed again, whereby the C2 symmetric LED elements are As it moves, the probability of being seated in the opening of the transfer plate increases. In addition, in the present invention, C2 symmetrical LED element is used, and since the opening of the transfer plate also has a corresponding shape, when the elements are seated in the opening, the electrodes are matched even if they are seated as they are or rotated 180 degrees. will lose By continuously changing the frequency and changing the shape of the wave, the microchips are all seated in the opening, which is controlled according to the shape and size of the C2 symmetric LED device used, the shape of the opening and the number of chips.

지금까지 C2 대칭성 LED 소자를 이송판의 개구에 배열하는 내용에 대해 설명하였으며, 이하에서는 이렇게 배열된 C2 대칭성 LED 소자를 구동회로가 프린트 되어 있는 기판으로 전사함으로써 최종적으로 디스플레이 모듈을 제조하는 내용에 대해 설명하도록 하겠다. So far, the contents of arranging the C2 symmetrical LED element in the opening of the transfer plate have been described. Hereinafter, the content of finally manufacturing the display module by transferring the arranged C2 symmetrical LED element to the board on which the driving circuit is printed. Let me explain.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법의 순서도를 도시하고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법의 모식도를 도시한다.12 shows a flowchart of a method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy according to an embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a C2 using wave energy according to an embodiment of the present invention. It shows the schematic diagram of the manufacturing method of the display module using the arrangement of symmetrical LED elements.

도 12에서 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법은, n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 전극 패턴이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계(S 810); 전극 패턴이 형성된 기판위에 LED칩과 전극패턴을 접착하기위한 도전성 페이스트를 도포하는 단계(S 820): 파동 에너지를 이용하여 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구에 C2 대칭성 LED 소자가 배열된 이송판 위에 상기 기판을 위치시키는 단계(S 830); 이송판에 배열되어 있는 C2 대칭성 LED 소자를 페이스트가 묻혀져 있는 기판으로 전사한 후 열처리하는 단계(S 840)를 포함한다.12, in the method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy according to an embodiment of the present invention, n x m (n, m is an integer of 1 or more) electrode patterns are formed, Preparing a substrate with (S 810); Applying a conductive paste for bonding the LED chip and the electrode pattern on the substrate on which the electrode pattern is formed (S820): C2 symmetrical LED elements are arranged in n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings using wave energy positioning the substrate on the transferred plate (S 830); and transferring the C2 symmetrical LED elements arranged on the transfer plate to the substrate on which the paste is applied and then performing heat treatment (S840).

S 810 단계에서는 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 전극 패턴이 형성되어 있는 기판을 준비한다. 기판은 이송판 개구의 개수에 안착된 C2 대칭성 LED 소자의 개수와 동일하게 n x m개의 전극 패턴이 형성되어 있으며, 각각의 전극 패턴은 각각의 C2 대칭성 LED 소자에 대응되도록 형성되어 있다. 따라서, 기판에 형성되어 있는 전극 패턴은 각각의 C2 대칭성 LED 소자에 대한 픽셀 디자인이다. 즉, 하나의 픽셀에 대해 하나의 C2 대칭성 LED 소자와 대응되는 하나의 전극 패턴이 미리 기판에 형성되어 있는 것이다. 이 경우 전극 패턴 역시 C2 대칭성 LED 소자에 맞게 가운데 전극 및 가운데 전극으로부터 이격된 거리로 가운데 전극으로부터 서로 반대 방향에 전극 패턴이 준비되어 있다. 기판의 재질은 유리기판 혹은 실리콘웨이퍼, 플라스틱으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In step S810, a substrate on which n x m (n, m is an integer greater than or equal to 1) electrode patterns is formed is prepared. On the substrate, n x m electrode patterns are formed equal to the number of C2 symmetric LED elements seated in the number of openings on the transfer plate, and each electrode pattern is formed to correspond to each C2 symmetric LED element. Thus, the electrode pattern formed on the substrate is the pixel design for each C2 symmetric LED element. That is, one electrode pattern corresponding to one C2 symmetric LED element for one pixel is previously formed on the substrate. In this case, electrode patterns are also prepared in opposite directions from the center electrode at a distance from the center electrode and the center electrode to match the C2 symmetric LED device. The material of the substrate may be made of a glass substrate, a silicon wafer, or plastic, but is not limited thereto.

S 820 단계에서는 S 810 단계에서 형성된 기판 위에 LED가 접착될 전극 부분에 페이스트를 도포하는 단계이다. 각 전극이 위치할 자리에 미리 접착용 페이스트를 도포하여야 하며 본 발명에서는 섀도마스크(shadow mask)를 사용하여 간극 속으로 페이스트를 넣는 방식으로 도포하였다. 이 경우, 일반적으로 사용하는 도전성필름(ACF)를 사용하여도 좋다.In step S820, a paste is applied to the electrode portion to which the LED is to be adhered on the substrate formed in step S810. Adhesive paste should be applied in advance to the position where each electrode is to be positioned, and in the present invention, the paste was applied by inserting the paste into the gap using a shadow mask. In this case, a generally used conductive film (ACF) may be used.

S 830 단계에서는 파동 에너지를 이용하여 개구에 C2 대칭성 LED 소자가 배열된 이송판 위에 S 820에서 준비된 기판을 위치시킨다. 이 경우 마스크의 n x m개의 개구가 기판 상에 미리 형성된 n x m개의 전극 패턴에 매칭이 되도록 위치시켜 각각 픽셀을 이루도록 배치한다. In step S830, the substrate prepared in S820 is placed on the transfer plate in which the C2 symmetric LED element is arranged in the opening by using wave energy. In this case, n x m openings of the mask are positioned to match the n x m electrode patterns previously formed on the substrate to form pixels.

S 840 단계에서는 이송판 위의 C2 대칭성 LED 소자가 패턴에 맞게 전사되어 접합된 기판을 열처리함으로써 마무리하게 된다. 열처리 이후 플라스틱 기판과 이송판을 분리시킨다.In step S840, the C2 symmetrical LED element on the transfer plate is transferred according to the pattern and finished by heat-treating the bonded substrate. After heat treatment, the plastic substrate and the transfer plate are separated.

이러한 단계를 거쳐 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법에 따라 디스플레이용 모듈이 제작된다. 이 경우 상기 C2 대칭성 LED 소자는 마이크로 LED 칩일 수 있고, 이때 상기 디스플레이용 모듈은 LED 디스플레이용 모듈이다. 마이크로 칩의 크기는 5μm 내지 300μm인 것이 이용될 수 있다. 마이크로 LED가 본 발명의 방법에 따라 기판에 전사시켜 디스플레이 모듈이 완성되고 이러한 디스플레이 모듈을 이용해 최종적으로 디스플레이가 완성될 수 있다.Through these steps, a display module is manufactured according to a method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy. In this case, the C2 symmetric LED device may be a micro LED chip, wherein the display module is a LED display module. The size of the microchip may be 5 μm to 300 μm. The micro LED is transferred to the substrate according to the method of the present invention to complete the display module, and finally the display can be completed using this display module.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that you can.

Claims (12)

음파를 발생시킬 수 있는 하나 이상의 파동 발생기를 포함하는 파동 발생 장치를 준비하는 단계;
상기 파동 발생 장치 상에 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구가 형성되어 있는 이송판을 준비하는 단계;
상기 이송판 위에 형성되어 있는 개구에 안착이 가능한 복수개의 C2 대칭성 LED(Light Emitting Diode) 소자들을 상기 이송판 위에 배치하는 단계; 및
상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들을 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 포함하고,
상기 C2 대칭성 LED 소자는,
기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고,
상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며,
상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며,
상기 제 1 도전형 전극은 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되어 상기 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태이며,
상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고,
상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치하는 것을 특징으로 하는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
preparing a wave generating device comprising one or more wave generators capable of generating sound waves;
preparing a transfer plate in which nxm (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings are formed on the wave generating device;
disposing a plurality of C2 symmetric Light Emitting Diode (LED) elements capable of being seated in an opening formed on the transfer plate on the transfer plate; and
and generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetrical LED elements in an opening formed in the transfer plate,
The C2 symmetric LED device,
Board; a buffer layer on the substrate; and an LED light emitting device on the buffer layer,
The LED light emitting device includes a first conductivity type semiconductor layer; photoactive layer; and a second conductive type semiconductor layer is sequentially stacked,
A first conductivity type electrode is disposed on the first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type electrode is disposed on the second conductivity type semiconductor layer,
The first conductivity type electrode is disposed to be spaced apart from the second conductivity type electrode in a direction parallel to the plane of the substrate and surrounds the second conductivity type electrode,
The C2 symmetric LED element has a 180 degree rotationally symmetric shape,
The C2 symmetrical LED element has a 180 degree rotationally symmetrical shape so that the first conductivity type electrodes are respectively located in opposite directions from the center of the second conductivity type electrode along a direction parallel to the plane of the substrate,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 1 항에 있어서,
상기 개구의 형상은 상기 C2 대칭성 LED 소자가 안착될 수 있도록 동일한 형상을 갖는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
The method of claim 1,
The shape of the opening has the same shape so that the C2 symmetrical LED element can be seated,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 1 항에 있어서,
상기 개구는 n x m 개의 개구가 서로 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
The method of claim 1,
The openings are nxm openings are regularly arranged at regular intervals from each other,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 1 항에 있어서,
상기 개구는 관통 개구인,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
The method of claim 1,
wherein the opening is a through opening;
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 4 항에 있어서,
상기 개구가 관통 개구인 경우 상기 C2 대칭성 LED 소자가 상기 개구에 안착될 수 있도록 상기 이송판 아래에 필름이 배치되어 있는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
5. The method of claim 4,
a film is disposed under the transfer plate so that the C2 symmetrical LED element can be seated in the opening when the opening is a through opening;
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 1 항에 있어서,
상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계에서,
유체를 이용하여 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 마스크에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 수행하는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
The method of claim 1,
In the step of generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate,
Performing the step of seating the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the mask using a fluid,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 6 항에 있어서,
상기 유체는 아세톤, 알코올 및 물 중 어느 하나가 이용되는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
7. The method of claim 6,
The fluid is any one of acetone, alcohol and water is used,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 제 1 항에 있어서,
상기 파동 발생기를 이용해 파동을 발생시켜 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 이송판에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계에서,
상기 파동 발생기의 주파수를 변경시키면서 상기 C2 대칭성 LED 소자들이 상기 마스크에 형성되어 있는 개구에 안착시키는 단계를 수행하는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열 방법.
The method of claim 1,
In the step of generating a wave using the wave generator to seat the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the transfer plate,
performing the step of seating the C2 symmetric LED elements in the opening formed in the mask while changing the frequency of the wave generator,
A method of arranging C2 symmetric LED devices using wave energy.
 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 전극 패턴이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계;
상기 전극 패턴이 형성된 기판 위에 C2 대칭성 LED 소자와 전극 패턴을 접착하기 위한 도전성 페이스트를 도포하는 단계;
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 파동 에너지를 이용하여 n x m (n, m은 1 이상의 정수)개의 개구에 C2 대칭성 LED 소자가 배열된 이송판 위에 상기 기판을 위치시키는 단계;
상기 이송판에 배열되어 있는 C2 대칭성 LED 소자를 페이스트가 묻혀져 있는 기판으로 전사한 후 열처리하는 단계를 포함하는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법.
preparing a substrate on which nxm (n, m is an integer greater than or equal to 1) electrode patterns are formed;
applying a conductive paste for bonding the C2 symmetric LED element and the electrode pattern on the substrate on which the electrode pattern is formed;
Positioning the substrate on a transfer plate in which C2 symmetric LED elements are arranged in nxm (n, m is an integer greater than or equal to 1) openings using wave energy according to the method of any one of claims 1 to 8;
Comprising the step of heat-treating after transferring the C2 symmetrical LED elements arranged on the transfer plate to the substrate on which the paste is applied,
A method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy.
 제 9 항에 있어서,
상기 기판에 형성되어 있는 전극 패턴은 픽셀 디자인인,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법.
10. The method of claim 9,
The electrode pattern formed on the substrate is a pixel design,
A method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy.
 제 9 항에 있어서,
상기 이송판 위에 상기 기판을 위치시키는 단계에서,
상기 이송판의 n x m개의 개구가 상기 기판 상에 미리 형성된 n x m개의 전극 패턴에 매칭이 되도록 위치시키는,
파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법.
10. The method of claim 9,
In the step of positioning the substrate on the transfer plate,
Positioning the nxm openings of the transfer plate to match the nxm electrode patterns previously formed on the substrate,
A method of manufacturing a display module using an array of C2 symmetric LED elements using wave energy.
 제 9 항의 파동 에너지를 이용한 C2 대칭성 LED 소자의 배열을 이용한 디스플레이 모듈의 제작 방법에 따라 제작된, 디스플레이용 모듈.A display module manufactured according to the method of manufacturing a display module using the arrangement of C2 symmetric LED elements using the wave energy of claim 9.
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