KR20220080093A - 점착 시트 - Google Patents

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KR20220080093A
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adhesive sheet
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다다토모 야마다
겐 다카노
신야 다큐
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

기재 (10) 와 점착제층 (20) 을 갖는 점착 시트 (1) 로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하여, 제 1 시험편의 길이 방향의 양단을 파지구 (101, 102) 로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과, 세로 치수가 45 ㎜, 가로 치수가 35 ㎜, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 (CP1) 및 제 2 반도체 칩 (CP2) 중, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 제 1 반도체 칩 (CP1) 을 첩착하고, 당해 길이 방향의 타단측에 제 2 반도체 칩 (CP2) 을 첩착하여 제 2 시험편을 제조하여, 제 2 시험편의 길이 방향의 양단을 파지구 (101, 102) 로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
Figure pct00032

Description

점착 시트
본 발명은, 점착 시트에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 경량화, 및 고기능화가 진행되고 있다. 전자 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 소형화, 박형화, 및 고밀도화가 요구되고 있다. 반도체 칩은, 그 사이즈에 가까운 패키지에 실장되는 경우가 있다. 이와 같은 패키지는, 칩 스케일 패키지 (Chip Scale Package ; CSP) 라고 칭해지는 경우도 있다. CSP 의 하나로서, 웨이퍼 레벨 패키지 (Wafer Level Package ; WLP) 를 들 수 있다. WLP 에 있어서는, 다이싱에 의해 개편화하기 전에, 웨이퍼에 외부 전극 등을 형성하고, 최종적으로는 웨이퍼를 다이싱하여 개편화한다. WLP 로는, 팬 인 (Fan-In) 형과 팬 아웃 (Fan-Out) 형을 들 수 있다. 팬 아웃형의 WLP (이하,「FO-WLP」라고 약기하는 경우가 있다) 에 있어서는, 반도체 칩을, 칩 사이즈보다 큰 영역이 되도록 봉지 부재로 덮어 반도체 칩 봉지체를 형성하고, 재배선층이나 외부 전극을, 반도체 칩의 회로면뿐만 아니라 봉지 부재의 표면 영역에 있어서도 형성한다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 반도체 웨이퍼로부터 개편화된 복수의 반도체 칩에 대해, 그 회로 형성면을 남기고, 몰드 부재를 사용하여 주위를 둘러싸 확장 웨이퍼를 형성하고, 반도체 칩 외의 영역에 재배선 패턴을 연장시켜 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 제조 방법에 있어서, 개편화된 복수의 반도체 칩을 몰드 부재로 둘러싸기 전에, 익스팬드용의 웨이퍼 마운트 테이프로 바꾸어 붙이고, 웨이퍼 마운트 테이프를 전연 (展延) 시켜 복수의 반도체 칩 사이의 거리를 확대시키고 있다.
국제 공개 제2010/058646호
익스팬드 공정에 있어서는, 복수의 반도체 칩이 첩착되어 있는 테이프 또는 시트를 전연시켜, 반도체 칩끼리의 간격을 확대시킨다. 시트를 인장하여 전연시킬 때에, 시트면 내에서 연신량이 상이하면, 반도체 칩끼리의 간격도 균등하게 확대시키기 어렵다.
본 발명의 목적은, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖고,
상기 점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제조하여, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족한다.
Figure pct00001
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖고,
상기 점착 시트로부터 폭 15 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
세로 치수가 35 ㎜ 이고, 가로 치수가 25 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.350 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 35 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제조하여, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족한다.
Figure pct00002
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 인장 강도 FA1 과, 상기 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1B) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
Figure pct00003
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 상기 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
Figure pct00004
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 점착제층은, 아크릴계 점착제를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 기재는, 우레탄계 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트를 제공할 수 있다.
도 1 은, 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 단면 개략도이다.
도 2 는, 제 1 시험편을 인장 시험기의 파지구로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 제 2 시험편을 인장 시험기의 파지구로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 4 는, 실시예에서 사용한 2 축 연신 익스팬드 장치를 설명하는 평면도이다.
〔제 1 실시형태〕
이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해 설명한다.
[점착 시트]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖는다. 점착 시트의 형상은, 예를 들어, 테이프상 (장척의 형태), 및 라벨상 (매엽의 형태) 등, 모든 형상을 취할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 일례의 단면 개략도이다. 도 1 에는, 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 갖는 점착 시트 (1) 가 기재되어 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 당해 점착 시트로부터 제조한 제 1 시험편 및 제 2 시험편을, 인장 시험기로 측정한 인장 강도의 비가 소정의 범위를 만족한다.
(제 1 시험편)
제 1 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트로부터 제조된다. 제 1 시험편의 폭은 25 ㎜ 이다. 제 1 시험편의 길이는, 특별히 한정되지 않지만, 제 1 시험편을 인장 시험기의 1 쌍의 파지구로 파지할 때에 당해 파지구 사이의 거리를 50 ㎜ 로 설정할 수 있는 정도의 길이이면 된다.
도 2 는, 제 1 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 인장 시험기의 제 1 파지구 (101) 로 파지하고, 제 1 시험편의 타단측에 있어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 인장 시험기의 제 2 파지구 (102) 로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
(제 2 시험편)
제 2 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트로부터 제조된 제 1 시험편에 2 개의 반도체 칩을 첩착함으로써 제조된다. 본 실시형태에 있어서는, 이 2 개의 반도체 칩은, 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩이다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩은, 모두 세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.625 ㎜ 이다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하여 첩착한다.
제 1 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 첩착된다. 제 2 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측에 첩착된다. 제 1 시험편에 첩착된 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 한다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩은, 실리콘 웨이퍼를 전술한 치수로 다이싱한 칩이어도 되고, 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼를 전술한 치수로 다이싱한 칩이어도 된다.
도 3 은, 제 2 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 및 제 1 반도체 칩 (CP1) 을 인장 시험기의 제 1 파지구 (101) 로 파지하고, 제 2 시험편의 타단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 및 제 2 반도체 칩 (CP2) 을 인장 시험기의 제 2 파지구 (102) 로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
(인장 강도)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 인장 강도가, 하기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족한다.
Figure pct00005
상기 수식 (수 1A) 에 있어서, 인장 강도 FA1 은, 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재 및 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
상기 수식 (수 1A) 에 있어서, 인장 강도 FB1 은, 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재, 점착제층 및 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
본 실시형태에 있어서, 인장 시험기를 사용하여 인장 강도를 측정할 때의 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 파지하는 파지구 사이의 거리는, 50 ㎜ 인 것이 바람직하다. 파지구 사이의 거리란, 인장 시험 개시 전의 초기의 거리이다.
본 실시형태에 있어서, 인장 시험기를 사용하여 인장 강도를 측정할 때의 인장 속도는, 50 ㎜/분인 것이 바람직하다.
본 발명자들은, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위에서, 익스팬드 (전연) 했을 때에, 점착 시트의 연신 방식의 거동이 상이한 것을 알아냈다. 또, 본 발명자들은, 종래의 점착 시트에 있어서는, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도가 크게 상이하고, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확대시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차가 큰 것도 알아냈다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, FB1/FA1 이 30 이하이고, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 비 FB1/FA1 이 작다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차가 작아져, 확장성이 우수하고, 반도체 칩 사이의 거리의 편차를 작게 할 수 있다.
또한, 인장 강도 FA1 및 FB1 을 측정할 때의 0.5 ㎜ 라는 인장량은, 익스팬드 공정에 있어서의 인장량의 하나의 기준이다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 0.5 ㎜ 보다 작은 인장량의 익스팬드 공정에서 사용해도 되고, 0.5 ㎜ 보다 큰 인장량의 익스팬드 공정에서 사용해도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, 0.5 ㎜ 인장시의 FB1/FA1 이 30 이하이므로, 0.5 ㎜ 보다 크게 연신시키는 익스팬드 공정에 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용했을 때에, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 연신량의 차가 과도하게 커지는 것도 억제할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, FB1/FA1 이 1 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편의 인장 강도 FA1 및 제 2 시험편의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1B) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
Figure pct00006
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편의 인장 강도 FA1 및 제 2 시험편의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1C) 의 관계를 만족하는 것도 바람직하다.
Figure pct00007
FB1/FA1 의 값을 상기 수식 (수 1A), 수식 (수 1B) 또는 수식 (수 1C) 의 범위 내로 조정하는 방법으로는, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. FB1/FA1 의 값은, 예를 들어, 점착제층 (20) 에 사용하는 점착제 조성물의 조성을 변경하는 것, 점착제층의 두께를 변경하는 것, 기재의 재질을 변경하는 것, 그리고 기재의 두께를 변경하는 것 등 중 1 개 또는 2 개 이상을 조합함으로써, 상기 수식 (수 1A), 수식 (수 1B) 또는 수식 (수 1C) 의 범위 내로 조정할 수 있다.
(영률)
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
Figure pct00008
상기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족함으로써, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 영률과, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 영률의 비 YB1/YA1 이 작다. 그 때문에, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차를 작게 하기 쉽다. 또, 상기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족함으로써, 인장량이 0.5 ㎜ 보다 큰 익스팬드 공정에서 점착 시트를 사용해도, YB1/YA1 의 값이 과도하게 커지는 것을 억제할 수 있다.
점착 시트의 영률은, 후술하는 실시예에 기재된 측정 방법에 따라 측정할 수 있다.
(기재)
상기 기재는, 제 1 기재면과, 제 1 기재면과는 반대측의 제 2 기재면을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (1) 의 기재 (10) 는, 제 1 기재면 (11) 과, 제 1 기재면 (11) 과는 반대측의 제 2 기재면 (12) 을 갖는다.
본 실시형태의 점착 시트에 있어서, 본 실시형태에 관련된 점착제층이, 제 1 기재면 및 제 2 기재면의 일방의 면에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
기재의 재료는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료인 것이 바람직하고, 열가소성 엘라스토머인 것이 보다 바람직하다.
열가소성 엘라스토머로는, 우레탄계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화비닐계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머, 및 아미드계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 열가소성 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 열가소성 엘라스토머로는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 우레탄계 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 기재는, 우레탄계 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다.
기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름이 복수 적층된 적층 필름이어도 된다. 또, 기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름과, 그 밖의 필름이 적층된 적층 필름이어도 된다.
기재는, 상기의 수지계 재료를 주재료로 하는 필름 내에 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
첨가제로는, 예를 들어, 안료, 염료, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 및 필러 등을 들 수 있다. 안료로는, 예를 들어, 이산화티탄, 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또, 필러로는, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 흄드 실리카와 같은 무기계 재료, 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘할 수 있는 범위에 두는 것이 바람직하다.
기재는, 제 1 기재면 및 제 2 기재면 중 적어도 어느 것에 적층되는 점착제층과의 밀착성을 향상시킬 목적에서, 원하는 바에 따라 편면 또는 양면에 표면 처리, 또는 프라이머 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로는, 산화법, 및 요철화법 등을 들 수 있다. 프라이머 처리로는, 기재 표면에 프라이머층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 산화법으로는, 예를 들어, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬 산화 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존 처리, 및 자외선 조사 처리 등을 들 수 있다. 요철화법으로는, 예를 들어, 샌드 블라스트법, 및 용사 처리법 등을 들 수 있다.
점착제층이 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 경우, 기재는, 에너지선에 대한 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 기재는, 자외선에 대해 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 기재는, 전자선의 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재의 두께는, 점착 시트가 원하는 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 한정되지 않는다. 기재의 두께는, 20 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 40 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 기재의 두께는, 250 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 200 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 기재의 제 1 기재면 또는 제 2 기재면의 면 내 방향에 있어서 2 ㎝ 간격으로 복수 지점의 두께를 측정했을 때의, 기재의 두께의 표준 편차는, 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 당해 표준 편차가 2 ㎛ 이하임으로써, 점착 시트는, 정밀도가 높은 두께를 갖고 있어, 점착 시트를 균일하게 연신하는 것이 가능해진다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 인장 탄성률이, 각각 10 ㎫ 이상, 350 ㎫ 이하이고, 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 100 ％ 응력이, 각각 3 ㎫ 이상, 20 ㎫ 이하인 것이 바람직하다.
인장 탄성률 및 100 ％ 응력이 상기 범위임으로써, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 100 ％ 응력은, 다음과 같이 하여 얻어지는 값이다. 100 ㎜ (길이 방향) × 15 ㎜ (폭 방향) 의 크기의 시험편을 기재로부터 잘라낸다. 잘라낸 시험편의 길이 방향의 양단을, 파지구 사이의 길이가 50 ㎜ 가 되도록 파지구로 잡는다. 파지구로 시험편을 잡은 후, 속도 200 ㎜/min 으로 길이 방향으로 인장하고, 파지구 사이의 길이가 100 ㎜ 가 됐을 때의 인장력의 측정값을 판독한다. 기재의 100 ％ 응력은, 판독한 인장력의 측정값을, 기재의 단면적으로 제산함으로써 얻어지는 값이다. 기재의 단면적은, 폭 방향 길이 15 ㎜ × 기재 (시험편) 의 두께로 산출된다. 당해 잘라냄은, 기재의 제조시에 있어서의 흐름 방향 (MD 방향) 또는 MD 방향에 직교하는 방향 (CD 방향) 과, 시험편의 길이 방향이 일치하도록 실시한다. 또한, 이 인장 시험에 있어서, 시험편의 두께는 특별히 제한되지 않고, 시험의 대상으로 하는 기재의 두께와 동일해도 된다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가, 각각 100 ％ 이상인 것이 바람직하다.
기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가, 각각 100 ％ 이상임으로써, 파단이 발생하지 않고, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 인장 탄성률 (㎫) 및 기재의 파단 신도 (％) 는, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 기재를 15 ㎜ × 140 ㎜ 로 재단하여 시험편을 얻는다. 당해 시험편에 대해, JIS K7161 : 2014 및 JIS K7127 : 1999 에 준거하여, 23 ℃ 에 있어서의 파단 신도 및 인장 탄성률을 측정한다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조, 제품명「오토 그래프 AG-IS 500N」) 로, 척 사이 거리 100 ㎜ 로 설정한 후, 200 ㎜/min 의 속도로 인장 시험을 실시하여, 파단 신도 (％) 및 인장 탄성률 (㎫) 을 측정한다. 또한, 측정은, 기재의 제조시의 흐름 방향 (MD) 및 이것에 직각인 방향 (CD) 의 쌍방에서 실시한다.
(점착제층)
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 전술한 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 전술한 수식 (수 1A) 의 관계의 범위를 만족하도록, 점착제층을 구성하는 재료를, 예를 들어, 이하에 설명하는 재료 중에서 적절히 선택하여 배합할 수 있다.
예를 들어, 점착제층에 사용하는 점착제로는, 예를 들어, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제 및 우레탄계 점착제를 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 아크릴계 점착제를 함유하는 것이 바람직하다.
·에너지선 경화성 수지 (a1)
점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 분자 내에 에너지선 경화성의 이중 결합을 갖는다.
에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제층은, 에너지선 조사에 의해 경화되어 점착력이 저하된다. 피착체와 점착 시트를 분리하고자 하는 경우, 에너지선을 점착제층에 조사함으로써 용이하게 분리할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, (메트)아크릴계 수지인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 자외선 경화성 수지인 것이 바람직하고, 자외선 경화성의 (메트)아크릴계 수지인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화되는 수지이다. 에너지선으로는, 예를 들어, 자외선, 및 전자선 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 예로는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능의 모노머, 다관능의 모노머, 단관능의 올리고머, 및 다관능의 올리고머) 을 들 수 있다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 것도 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00009
(상기 일반식 (11) 중, m 은, 1 이상이다)
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 m 은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
상기 일반식 (11) 중의 m 은, 2 이상인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 유연한 폴리에틸렌글리콜 사슬을 가짐으로써, 경화 전의 점착제층이 변형되기 쉬워지고, 경화 후의 점착제층의 가교 밀도가 적당히 저하되어, 점착제층이 파단되기 어려워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 3 이상인 것이 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 바람직하다.
또, 일 실시형태에 있어서는, 에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 10 이상인 것도 바람직하고, 30 이상인 것도 보다 바람직하고, 50 이상인 것도 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 100 이하인 것이 바람직하고, 90 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80 이하인 것이 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 3 이상 갖는 것이 바람직하고, 4 이상 갖는 것이 보다 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 이 갖는 에너지선 경화성의 관능기의 수가 3 이상이면, 풀 잔존을 더욱 억제하기 쉬워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위와 에너지선 경화성의 관능기가 직접 결합한 기를 갖는 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (11A) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 함유하는 기를 1 이상 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00010
(상기 일반식 (11A) 중, m 은, 1 이상이고, R 은, 수소 원자 또는 메틸기이다)
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기를 갖는 경우, 1 분자 중의 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수는, 3 이상인 것이 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자 중에 갖는 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수가 3 이상이면, 풀 잔존을 더욱 억제하기 쉬워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기를 갖는 경우, 1 분자 중의 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수는, 10 이하인 것이 바람직하고, 9 이하인 것이 보다 바람직하고, 8 이하인 것이 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에틸렌글리콜 단위와, 추가로, 글리세린 골격을 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에틸렌글리콜 단위와, 폴리글리세린 골격을 갖는 것도 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이, 포화 탄화 수소 골격과 같은 탄소-탄소 결합계보다 에테르 결합을 다수 갖고, 또한 다관능화할 수 있는 글리세린 골격을 가짐으로써, 점착제층이 더욱 변형되기 쉬워지고, 동시에 양호한 경화성을 실현할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (12) 로 나타내는 것도 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00011
(상기 일반식 (12) 중,
n 은, 1 이상이고,
R1, R2 및 R3 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 원자, 또는 기이고,
R1, R2 및 R3 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다)
n 이 1 일 때, 상기 일반식 (12) 는, 하기 일반식 (12-1) 로 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pct00012
(상기 일반식 (12-1) 에 있어서, R1, R2 및 R3 은, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R1, R2 및 R3 과 동일한 의미이다)
n 이 4 일 때, 상기 일반식 (12) 는, 하기 일반식 (12-4) 로 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pct00013
(상기 일반식 (12-4) 에 있어서,
R1A, R1B, R1C 및 R1D 는, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이고,
R2 및 R3 은, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R2 및 R3 과 동일한 의미이다)
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, R1, R2 및 R3 에 있어서의 에틸렌글리콜 단위의 수는, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R1, R2 및 R3 중 적어도 1 개가 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하다.
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖고, 또한, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.
예를 들어, 상기 일반식 (12-4) 로 나타내는 에너지선 경화성 수지 (a1) 에 있어서, R1A, R1B, R1C, R1D, R2 및 R3 이 에너지선 경화성의 관능기를 1 개씩 갖는 경우, 당해 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에너지선 경화성의 관능기를 6 개 갖는 것에 상당한다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pct00014
(상기 일반식 (13) 중,
n 은, 1 이상이고,
R11, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m1, m2 및 m3 은, 각각 독립적으로, 1 이상이다)
상기 일반식 (13) 에 있어서, n 이 2 이상인 경우, 2 이상의 m1 은, 서로 동일하거나 또는 상이하고, 2 이상의 R11 은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R11, R12 및 R13 중 적어도 1 개가 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, R11, R12 및 R13 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (14) 로 나타내는 것도 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00015
(상기 일반식 (14) 중,
R21, R22, R23 및 R24 는, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
R21, R22, R23 및 R24 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다)
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, R21, R22, R23 및 R24 에 있어서의 에틸렌글리콜 단위의 수는, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R21, R22, R23 및 R24 중 적어도 1 개가 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하다.
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖고, 또한, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (15) 로 나타내는 것도 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00016
(상기 일반식 (15) 중,
R25, R26, R27 및 R28 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m21, m22, m23 및 m24 는, 각각 독립적으로, 1 이상이다)
R25, R26, R27 및 R28 중 적어도 1 개가 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, R25, R26, R27 및 R28 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량은, 통상적으로, 100 이상 30000 이하이고, 300 이상 10000 이하 정도인 것이 바람직하다.
·(메트)아크릴계 공중합체 (b1)
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 추가로 포함하고 있는 것이 바람직하다. (메트)아크릴계 공중합체는, 전술한 에너지선 경화성 수지 (a1) 과는 상이하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 과, 에너지선 경화성의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 함유하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대해, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 10 질량부 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 20 질량부 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량부 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대해, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 80 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 70 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 60 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법 (GPC 법) 에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 측사슬에 에너지선 경화성을 갖는 관능기 (에너지선 경화성기) 가 도입된 (메트)아크릴산에스테르 중합체 (b2) (이하「에너지선 경화성 중합체 (b2)」라고 하는 경우가 있다) 인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 과, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 를 반응시켜 얻어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어도 동일하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, (메트)아크릴산에스테르 모노머, 또는 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과, 관능기를 분자 내에 갖는 모노머인 것이 바람직하다. 관능기는, 하이드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 및 에폭시기 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 관능기인 것이 바람직하다.
하이드록시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 및 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 하이드록시기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 및 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복실산을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아미노에틸(메트)아크릴레이트, 및 n-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 을 구성하는 (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상 20 이하인 알킬(메트)아크릴레이트 외에, 예를 들어, 분자 내에 지환식 구조를 갖는 모노머 (지환식 구조 함유 모노머) 가 바람직하게 사용된다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상 18 이하인 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등이 보다 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
지환식 구조 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산디시클로펜타닐, (메트)아크릴산아다만틸, (메트)아크릴산이소보르닐, (메트)아크릴산디시클로펜테닐, 및 (메트)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸 등이 바람직하게 사용된다. 지환식 구조 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 1 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 10 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 35 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 30 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 50 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 60 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 70 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 99 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 95 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기와 같은 관능기 함유 모노머와, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 통상적인 방법으로 공중합시킴으로써 얻어진다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 서술한 모노머 외에도, 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 및 스티렌 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 을, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 와 반응시킴으로써, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 하이드록시기, 아미노기 또는 치환 아미노기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 에폭시기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 아미노기, 카르복시기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을, 1 분자 중에 적어도 1 개 포함하고, 1 개 이상 6 개 이하 포함하는 것이 바람직하고, 1 개 이상 4 개 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 로는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트), 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 글리시딜(메트)아크릴레이트 ; (메트)아크릴산, 2-(1-아지리디닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머의 몰수에 대해, 50 몰％ 이상의 비율 (부가율) 로 사용되는 것이 바람직하고, 60 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 70 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
또, 불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머 몰수에 대해, 95 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 93 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 90 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 과 불포화기 함유 화합물 (b22) 의 반응에 있어서는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기의 조합에 따라, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 및 촉매의 종류를 적절히 선택할 수 있다. 이로써, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기가 반응하고, 불포화기가 아크릴계 공중합체 (b21) 의 측사슬에 도입되어, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
·광중합 개시제 (C)
점착제층이 자외선 경화성의 화합물 (예를 들어, 자외선 경화성 수지) 을 함유하는 경우, 점착제층은, 광중합 개시제 (C) 를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제층이 광중합 개시제 (C) 를 함유함으로써, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광중합 개시제 (C) 로는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오크산톤, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-하이드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로파논}, 및 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제 (C) 는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대해 0.1 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
또, 광중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대해 10 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 6 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
점착제층은, 상기 성분 이외에도, 적절히 다른 성분을 배합해도 된다. 다른 성분으로는, 예를 들어, 가교제 (E) 등을 들 수 있다.
·가교제 (E)
가교제 (E) 로는, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 및 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대해, 0.01 질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.03 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.04 질량부 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대해, 8 질량부 이하인 것이 바람직하고, 5 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.5 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 점착제층의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착제층의 두께는, 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
(박리 시트)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 그 점착면을 피착체 (예를 들어, 반도체 칩 등) 에 첩부할 때까지의 동안, 점착면을 보호할 목적에서, 점착면에 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이다. 박리 시트의 예로는, 박리제 등에 의해 박리 처리한 플라스틱 필름이 예시된다.
플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에스테르 필름, 및 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 폴리에스테르 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 필름을 들 수 있다. 폴리올레핀 필름으로는, 예를 들어, 폴리프로필렌, 또는 폴리에틸렌 등의 필름을 들 수 있다.
박리제로는, 실리콘계, 불소계, 및 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있다. 이들 박리제 중에서, 저렴하고 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다.
박리 시트의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 박리 시트의 두께는, 통상적으로 20 ㎛ 이상, 250 ㎛ 이하이다.
(점착 시트의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 종래의 점착 시트와 동일하게 제조할 수 있다.
점착 시트의 제조 방법은, 전술한 점착제층을 기재의 하나의 면에 적층할 수 있으면, 특히 상세하게는 한정되지 않는다.
점착 시트의 제조 방법의 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 점착제층을 구성하는 점착성 조성물, 및 원하는 바에 따라 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제한다. 다음으로, 도공액을, 기재의 하나의 면 상에 도포 수단에 의해 도포하여 도막을 형성한다. 도포 수단으로는, 예를 들어, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 및 나이프 코터 등을 들 수 있다. 다음으로, 당해 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 실시하는 것이 가능하면, 그 성상은 특별히 한정되지 않는다. 도공액은, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 분산질로서 함유하는 경우도 있다.
또, 점착 시트의 제조 방법의 다른 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 전술한 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 도막을 건조시켜 점착제층과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성한다. 다음으로, 이 적층체의 점착제층에 있어서의 박리 시트측의 면과 반대측의 면에 기재를 첩부하여, 점착 시트와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는, 공정 재료로서 박리해도 되고, 점착제층에 피착체 (예를 들어, 반도체 칩, 및 반도체 웨이퍼 등) 가 첩부될 때까지, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.
도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 도막의 건조의 조건 (예를 들어, 온도, 및 시간 등) 을 바꿈으로써, 또는 가열 처리를 별도 실시함으로써, 도막 내의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 과 가교제의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해, 상기 서술한 방법 등에 의해 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 점착 시트를, 예를 들어, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 환경에 수일간 정치 (靜置) 한다는 양생을 실시해도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트의 두께는, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착 시트의 두께는, 400 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 300 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
[점착 시트의 사용 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 다양한 피착체에 첩착할 수 있기 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 적용할 수 있는 피착체는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 피착체로는, 반도체 칩, 및 반도체 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 예를 들어, 반도체 가공용으로 사용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에 사용되는 것이 바람직하다.
복수의 반도체 칩은, 점착 시트의 중앙부에 첩착되어 있는 것이 바람직하다.
또, 복수의 반도체 칩은, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻은 반도체 칩인 것이 바람직하다. 예를 들어, 다이싱 시트에 첩착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 복수의 반도체 칩으로 분할하고, 분할하여 얻은 복수의 반도체 칩을 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 직접 전사해도 되고, 다른 점착 시트에 전사하고 나서, 당해 다른 점착 시트로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 전사해도 된다.
복수의 반도체 칩의 확장 간격은, 반도체 칩의 사이즈에 의존하기 때문에, 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 점착 시트의 편면에 첩착된 복수의 반도체 칩에 있어서의, 이웃하는 반도체 칩의 상호의 간격을, 200 ㎛ 이상 넓히기 위해 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 반도체 칩의 상호의 간격의 상한은, 특별히 제한되지 않는다. 당해 반도체 칩의 상호의 간격의 상한은, 예를 들어, 6000 ㎛ 여도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 적어도 2 축 연신에 의해, 점착 시트의 편면에 적층된 복수의 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우에도 사용할 수 있다. 이 경우, 점착 시트는, 예를 들어, 서로 직교하는 X 축 및 Y 축에 있어서의, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하여 늘어지고, 보다 구체적으로는, 기재에 있어서의 MD 방향 및 CD 방향으로 각각 늘어진다.
상기와 같은 2 축 연신은, 예를 들어, X 축 방향, 및 Y 축 방향으로 장력을 부여하는 이간 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 여기서, X 축 및 Y 축은 직교하는 것으로 하고, X 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋X 축 방향, 당해 ＋X 축 방향에 반대인 방향을 －X 축 방향, Y 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋Y 축 방향, 당해 ＋Y 축 방향에 반대인 방향을 －Y 축 방향으로 한다.
상기 이간 장치는, 점착 시트에 대해, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하고, 이 4 방향의 각각에 대해, 복수의 유지 수단과, 그들에 대응하는 복수의 장력 부여 수단을 구비하는 것이 바람직하다. 각 방향에 있어서의, 유지 수단 및 장력 부여 수단의 수는, 점착 시트의 크기에 따라 다르기도 하지만, 예를 들어, 3 개 이상, 10 개 이하 정도여도 된다.
여기서, 예를 들어 ＋X 축 방향으로 장력을 부여하기 위해 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 군에 있어서, 각각의 유지 수단은, 점착 시트를 유지하는 유지 부재를 구비하고, 각각의 장력 부여 수단은, 당해 장력 부여 수단에 대응한 유지 부재를 ＋X 축 방향으로 이동시켜 점착 시트에 장력을 부여하는 것이 바람직하다. 그리고, 복수의 장력 부여 수단은, 각각 독립적으로, 유지 수단을 ＋X 축 방향으로 이동시키도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향으로 각각 장력을 부여하기 위해 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 3 개의 군에 있어서도, 동일한 구성을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 이간 장치는, 각 방향에 직교하는 방향의 영역마다, 점착 시트에 대해 상이한 크기의 장력을 부여할 수 있다.
일반적으로, 4 개의 유지 부재를 사용하여 점착 시트를, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향의 4 방향으로부터 각각 유지하고, 당해 4 방향으로 연신하는 경우, 점착 시트에는 이들 4 방향에 더하여, 이들의 합성 방향 (예를 들어, ＋X 축 방향과 ＋Y 축 방향의 합성 방향, ＋Y 축 방향과 －X 축 방향의 합성 방향, －X 축 방향과 －Y 축 방향의 합성 방향 및 －Y 축 방향과 ＋X 축 방향의 합성 방향) 으로도 장력이 부여된다. 그 결과, 점착 시트의 내측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격과 외측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격에 차이가 발생하는 경우가 있다.
그러나, 상기 서술한 이간 장치에서는, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향의 각각의 방향에 있어서, 복수의 장력 부여 수단이 각각 독립적으로 점착 시트에 장력을 부여할 수 있기 때문에, 상기 서술한 바와 같은 점착 시트의 내측과 외측의 간격의 차이가 해소되도록, 점착 시트를 연신할 수 있다.
그 결과, 반도체 칩의 간격을 정확하게 조정할 수 있다.
상기 이간 장치는, 반도체 칩의 상호 간격을 측정하는 측정 수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 여기에 있어서, 상기 장력 부여 수단은, 측정 수단의 측정 결과를 기초로, 복수의 유지 부재를 개별적으로 이동 가능하게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 이간 장치가 측정 수단을 구비함으로써, 상기 측정 수단에 의한 반도체 칩의 간격의 측정 결과에 기초하여, 당해 간격을 더욱 조정하는 것이 가능해지는 결과, 반도체 칩의 간격을 보다 정확하게 조정하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 척 수단, 및 감압 수단을 들 수 있다. 척 수단으로는, 예를 들어, 메카니컬 척, 및 척 실린더 등을 들 수 있다. 감압 수단으로는, 예를 들어, 감압 펌프, 및 진공 이젝터 등을 들 수 있다. 또, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 접착제, 혹은 자력 등으로 점착 시트를 지지하는 구성이어도 된다. 또, 척 수단에 있어서의 유지 부재로는, 예를 들어, 점착 시트를 아래로부터 지지하는 하측 지지 부재와, 하측 지지 부재에 지지된 구동 기기와, 구동 기기의 출력축에 지지되고, 구동 기기가 구동됨으로써 점착 시트를 위에서부터 누르는 것이 가능한 상측 지지 부재를 구비한 구성을 갖는 유지 부재를 사용할 수 있다. 당해 구동 기기로는, 예를 들어, 전동 기기, 및 액추에이터 등을 들 수 있다. 전동 기기로는, 예를 들어, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 및 다관절 로봇 등을 들 수 있다. 액추에이터로는, 예를 들어, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더, 및 로터리 실린더 등을 들 수 있다.
또, 상기 이간 장치에 있어서, 장력 부여 수단은, 구동 기기를 구비하고, 당해 구동 기기에 의해 유지 부재를 이동시켜도 된다. 장력 부여 수단이 구비하는 구동 기기로는, 상기 서술한 유지 부재가 구비하는 구동 기기와 동일한 구동 기기를 사용할 수 있다. 예를 들어, 장력 부여 수단은, 구동 기기로서의 직동 모터와, 직동 모터와 유지 부재 사이에 개재되는 출력축을 구비하고, 구동된 직동 모터가 출력축을 통하여 유지 부재를 이동시키는 구성이어도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용하여 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우, 반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓혀도 되고, 혹은, 반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 더욱 그 간격을 넓혀도 된다.
반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓히는 경우로는, 예를 들어, 다이싱 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할함으로써 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 다이싱 시트로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 복수의 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수 있다. 혹은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수도 있다.
반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 더욱 그 간격을 넓히는 경우로는, 그 밖의 점착 시트, 바람직하게는 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 를 사용하여 반도체 칩끼리의 간격을 소정의 간격까지 넓힌 후, 당해 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 에 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 를 연신함으로써, 반도체 칩의 간격을 더욱 넓힐 수 있다. 또한, 이와 같은 반도체 칩의 전사와 점착 시트의 연신은, 반도체 칩의 간격이 원하는 거리가 될 때까지 복수회 반복해도 된다.
〔제 2 실시형태〕
제 2 실시형태는, 점착 시트의 인장 강도 FA1 과 인장 강도 FB1 의 측정에 있어서의 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 조건을 하기와 같이 변경한 것 이외에는, 제 1 실시형태와 공통된다. 그 때문에, 제 2 실시형태의 설명에 있어서, 제 1 실시형태와 공통되는 사항은 생략 또는 간략화한다.
제 2 실시형태에 있어서는, 점착 시트로부터 폭 15 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조한다. 제 1 시험편의 길이는, 특별히 한정되지 않지만, 제 1 시험편을 인장 시험기의 1 쌍의 파지구로 파지할 때에 당해 파지구 사이의 거리를 30 ㎜ 로 설정할 수 있는 정도의 길이이면 된다. 또, 제 2 실시형태에 있어서는, 세로 치수가 35 ㎜ 이고, 가로 치수가 25 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.350 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 사용한다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 35 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제조한다.
제 2 실시형태에 관련된 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 인장 강도는, 상기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하고, FB1/FA1 이 1 이상인 것이 바람직하고, 상기 수식 (수 1B) 의 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 또, FB1/FA1 이 상기 수식 (수 1C) 의 관계를 만족하는 것도 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 인장 시험기를 사용하여 인장 강도를 측정할 때의 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 파지하는 파지구 사이의 거리는, 30 ㎜ 인 것이 바람직하다. 여기서, 파지구 사이의 거리란, 인장 시험 개시 전의 초기의 거리이다.
본 실시형태에 있어서, 인장 시험기를 사용하여 인장 강도를 측정할 때의 인장 속도는, 20 ㎜/분인 것이 바람직하다.
제 2 실시형태에 관련된 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 영률은, 상기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
제 2 실시형태에 관련된 점착 시트에 의해서도, 제 1 실시형태에 관련된 점착 시트와 동일한 효과를 발휘한다.
[실시형태의 변형]
본 발명은, 상기 서술한 실시형태에 전혀 한정되지 않는다. 본 발명은, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서, 상기 서술한 실시형태를 변형한 양태 등을 포함한다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 전혀 한정되지 않는다.
(점착 시트의 제조)
[실시예 1]
부틸아크릴레이트 (BA) 62 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 10 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합시켜 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대해, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 A) 의 용액 (점착제 주제, 고형분 35.0 질량％) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대해, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 80 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 A) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 8 만이었다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 Mw 를 구하였다.
이 아크릴 A 를 점착제 주제로 하고, 이것에, UV 경화성 수지 A (10 관능 우레탄아크릴레이트, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 제품명「UV-5806」, Mw = 1740, 광중합 개시제를 수지의 고형분 100 질량％ 에 대해 3 질량％ 포함한다), 및 가교제로서의 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조, 제품명「콜로네이트 L」) 를 첨가하였다. 점착제 주제 중의 고형분 100 질량부에 대해, UV 경화성 수지 A 를 50 질량부 첨가하고, 가교제를 0.2 질량부 첨가하였다. 첨가 후, 30 분간 교반하여, 점착제 조성물 A1 을 조제하였다.
이어서, 조제한 점착제 조성물 A1 의 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 계 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명「SP-PET381031」, 두께 38 ㎛) 에 도포하여 건조시켜, 두께 40 ㎛ 의 점착제층을 박리 필름 상에 형성하였다.
당해 점착제층에, 기재로서의 폴리에스테르계 폴리우레탄 엘라스토머 시트 (시덤 주식회사 제조, 제품명「하이그레스 DUS202」, 두께 100 ㎛) 를 첩합한 후, 폭 방향에 있어서의 단부의 불요 부분을 재단 제거하여 점착 시트 SA1 을 제조하였다.
[비교예 1]
점착제 주제를 하기로 변경하고, 점착제 조성물 B1 을 조제한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 비교예 1 의 점착 시트를 제조하였다.
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 20 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합시켜 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대해, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 B) 의 용액 (점착제 주제, 고형분 35.0 질량％) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대해, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 90 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 B) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 60 만이었다. 비교예 1 에 관련된 수지 (아크릴 B) 의 중량 평균 분자량 Mw 는, 실시예 1 과 동일하게 하여 구하였다.
[실시예 2]
점착제 조성물 B1 을 대신하여, 점착제 조성물 B2 를 조제한 것 이외에는 비교예 1 과 동일하게 하여 실시예 2 의 점착 시트를 제조하였다.
비교예 1 에서 조제한 아크릴 B 를 점착제 주제로 하고, 이것에, UV 경화성 수지 B (사카모토 약품 공업 주식회사 제조, 제품명「SA-TE60」), 광중합 개시제 (IGM Resins B.V. 제조, 제품명「Omnirad127D」) 및 가교제 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조, 제품명「콜로네이트 L」) 를 다음에 나타내는 비율로 첨가하고, 추가로 아세트산에틸을 첨가한 후, 30 분간 교반하여, 고형분 35.0 질량％ 의 점착제 조성물 B2 를 조제하였다.
점착제 주제 : 고형분 100 질량부
UV 경화성 수지 B : 고형분 51.4 질량부
광중합 개시제 : 고형분 3.7 질량부
가교제 : 고형분 0.2 질량부
[실시예 3]
실시예 2 에 관련된 점착 시트의 제조에 있어서의 UV 경화성 수지 B (「SA-TE60」) 의 첨가량의 1/2 을, UV 경화성 수지 A (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 제품명「UV-5806」) 로 바꾸고, 아세트산에틸을 첨가하여 고형분 35.0 질량％ 의 점착제 조성물 B3 을 조제한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 실시예 3 에 관련된 점착 시트를 제조하였다.
점착제 주제 : 고형분 100 질량부
UV 경화성 수지 A : 고형분 25.7 질량부
UV 경화성 수지 B : 고형분 25.7 질량부
광중합 개시제 : 고형분 3.7 질량부
가교제 : 고형분 0.2 질량부
＜측정 방법＞
(인장 강도의 측정 방법)
인장 강도를 측정하기 위한 인장 시험기로는, 주식회사 시마즈 제작소 제조의 오토 그래프 AG-IS 를 사용하였다.
·제 1 인장 시험
점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하였다.
제 1 시험편에 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 첩착하여, 제 2 시험편을 제조하였다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩으로서, 모두 세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 반도체 칩을 사용하였다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따라 첩착하였다.
제 1 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 첩착하였다. 제 2 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측에 첩착하였다. 제 1 시험편에 첩착된 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하였다.
제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재 및 점착제층을 파지구 (척) 로 파지하여 인장 시험기로 인장 강도를 측정하였다. 제 1 시험편의 0.5 ㎜ 인장시 (인장 거리가 0.5 ㎜ 일 때) 의 인장 강도 FA1 을 표 1 에 나타낸다.
제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재, 점착제층 및 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기로 인장 강도를 측정하였다. 제 2 시험편의 0.5 ㎜ 인장시 (인장 거리가 0.5 ㎜ 일 때) 의 인장 강도 FB1 을 표 1 에 나타낸다.
인장 강도의 단위는, N 이다.
인장 시험시의 그 밖의 조건은, 이하와 같다.
파지구 사이의 거리 : 50 ㎜
인장 속도 : 50 ㎜/분
·제 2 인장 시험
제 2 인장 시험은, 하기 표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 칩 사이즈, 점착 시트의 폭, 파지구 사이의 거리 및 인장 속도의 측정 조건을 변경한 것 이외에, 제 1 인장 시험과 동일하게 하여 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00017
표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 실시예 3 에 관련된 점착 시트는, FB1/FA1 이 30 이하이고, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 비 FB1/FA1 이, 비교예 1 보다 작았다. 그 때문에, 실시예 1 ∼ 실시예 3 에 관련된 점착 시트에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면 내 방향에서의 연신량의 차가 작아져, 확장성이 우수하고, 반도체 칩 사이의 거리의 편차를 작게 할 수 있다.
Figure pct00018
(영률의 측정 방법)
JIS K7161 및 JIS K7127 에 준거하여, 만능 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조「오토 그래프 AG-IS 500N」) 를 사용하여 인장 시험을 실시하였다. 인장 시험에 있어서, 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 고정시키고, 인장 속도 50 ㎜/분으로 인장 시험을 실시하였다. 그리고, 이 때의 응력 변형 곡선을 작성하여, 시험 초기의 응력 변형 곡선의 기울기로부터 영률을 산출하였다. 제 1 인장 시험 및 제 2 인장 시험에서 제조한 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 사용하여, 영률을 산출하였다.
실시예 1 ∼ 실시예 3 및 비교예 1 에 관련된 점착 시트의 영률의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
본 발명에서는, 익스팬드 시험을 실시하지 않아도, 인장 시험에 의해, 점착 시트에 있어서의 확장성 및 편차에 관한 성능을 측정할 수 있다.
본 발명자들은, 각종 측정 파라미터를 변경 및 검증함으로써, 확장성과 편차의 성능과 상관을 보기 위한 인장 시험의 측정 조건을 알아냈다.
인장 시험의 측정 조건은, 다음과 같이 검증하였다. 먼저, 이 검증에는, 실시예 2 에 관련된 점착 시트 및 비교예 1 에 관련된 점착 시트를 사용하였다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩으로서, 모두 세로 치수가 35 ㎜ 이고, 가로 치수가 25 ㎜ 이고, 두께 치수가 350 ㎛ 인 반도체 칩 (제 2 인장 시험에서 사용한 칩과 동일한 사이즈의 반도체 칩) 을 사용하였다. 점착 시트의 폭, 파지구 사이의 거리 및 인장 속도의 3 개의 조건 중, 어느 하나의 조건에 대해 단계적으로 변경하고, 그 밖의 점은, 전술한 (인장 강도의 측정 방법) 과 동일하게 인장 강도를 측정하고, 및 전술한 (영률의 측정 방법) 과 동일하게 영률을 측정하였다.
제 1 검증에서는, 파지구 사이의 거리를 30 ㎜, 및 인장 속도를 50 ㎜/분으로 일정하게 하고, 점착 시트의 폭을 표 3 및 표 4 에 나타내는 바와 같이 단계적으로 변경하여, 인장 강도 및 영률을 측정하였다.
제 2 검증에서는, 점착 시트의 폭을 15 ㎜, 및 인장 속도를 50 ㎜/분으로 일정하게 하고, 파지구 사이의 거리를 표 5 및 표 6 에 나타내는 바와 같이 단계적으로 변경하여, 인장 강도 및 영률을 측정하였다.
제 3 검증에서는, 점착 시트의 폭을 15 ㎜, 및 파지구 사이의 거리를 30 ㎜ 로 일정하게 하고, 인장 속도를 표 7 및 표 8 에 나타내는 바와 같이 단계적으로 변경하여, 인장 강도 및 영률을 측정하였다.
표 3 ∼ 표 8 중, 실시예 2F 란, 실시예 2 에 관련된 점착 시트를 사용하여 인장 강도를 측정한 것을 의미하고, 실시예 2Y 란, 실시예 2 에 관련된 점착 시트를 사용하여 영률을 측정한 것을 의미하고, 비교예 1F 란, 비교예 1 에 관련된 점착 시트를 사용하여 인장 강도를 측정한 것을 의미하고, 비교예 1Y 란, 비교예 1 에 관련된 점착 시트를 사용하여 영률을 측정한 것을 의미한다.
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
이들 검증의 결과, 본 발명자들은, 점착 시트에 대해 특정한 측정 조건에서 인장 시험을 실시함으로써, 익스팬드 시험을 실시하지 않아도,「확장성 등의 유무」와「인장 물성」의 상관을 확인 가능한 것을 알아냈다.
표 2 에 나타내는 제 1 인장 시험 또는 제 2 인장 시험의 측정 조건에서 인장 시험을 실시하여 얻은 인장 강도의 관계가 상기 실시형태에서 설명한 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하는 점착 시트는, 하기의 확장성 및 편차의 평가에 있어서, 우수한 결과를 나타냈다.
(확장성 및 편차의 평가 방법)
실시예 1 ∼ 3 그리고 비교예 1 에서 제조한 점착 시트를 210 ㎜ × 210 ㎜ 로 절단하여 시험용 점착 시트를 얻었다. 이 때, 재단 후의 시트의 각 변이, 점착 시트에 있어서의 기재의 MD 방향과 평행 또는 수직이 되도록 재단하였다.
실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 3 ㎜ × 3 ㎜ 의 사이즈의 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열이 되도록, 합계 49 개의 칩을 잘라냈다.
시험용 점착 시트의 박리 필름을 박리하고, 노출된 점착제층의 중심부에, 상기 서술한 바와 같이 잘라낸 합계 49 개의 칩을 첩부하였다. 이 때, 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열로 나열되어 있고, 칩 사이의 거리는, X 축 방향 및 Y 축 방향 모두 35 ㎛ 였다.
다음으로, 칩이 첩부된 시험용 점착 시트를, 2 축 연신 가능한 익스팬드 장치 (이간 장치) 에 설치하였다. 도 4 에는, 당해 익스팬드 장치 (100) 를 설명하는 평면도가 나타난다. 도 4 중, X 축 및 Y 축은, 서로 직교하는 관계에 있고, 당해 X 축의 정의 방향을 ＋X 축 방향, 당해 X 축의 부의 방향을 －X 축 방향, 당해 Y 축의 정의 방향을 ＋Y 축 방향, 당해 Y 축의 부의 방향을 －Y 축 방향으로 한다. 시험용 점착 시트 (200) 는, 각 변이 X 축 또는 Y 축과 평행이 되도록, 익스팬드 장치 (100) 에 설치하였다. 그 결과, 시험용 점착 시트 (200) 에 있어서의 기재의 MD 방향은, X 축 또는 Y 축과 평행이 된다. 또한, 도 4 중, 칩은 생략되어 있다.
도 4 에 나타나는 바와 같이, 익스팬드 장치 (100) 는, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향의 각각에 5 개의 유지 수단 (110) (합계 20 개의 유지 수단 (110)) 을 구비한다. 각 방향에 있어서의 5 개의 유지 수단 (110) 중, 유지 수단 (110A) 은, 양단에 위치하고, 유지 수단 (110C) 은, 중앙에 위치하고, 유지 수단 (110B) 은, 유지 수단 (110A) 과 유지 수단 (110C) 사이에 위치한다. 시험용 점착 시트 (200) 의 각 변을, 이들 유지 수단 (110) 에 의해 파지시켰다.
여기서, 도 4 에 나타나는 바와 같이, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변은 210 ㎜ 이다. 또, 각 변에 있어서의 유지 수단 (110) 끼리의 간격은 40 ㎜ 이다. 또, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변에 있어서의 단부 (시트의 정점) 와, 당해 변에 존재하고, 당해 단부에 가장 가까운 유지 수단 (110A) 의 간격은 25 ㎜ 이다.
·제 1 익스팬드 시험
계속해서, 유지 수단 (110) 의 각각에 대응하는, 도시되어 있지 않은 복수의 장력 부여 수단을 구동시켜, 유지 수단 (110) 을 각각 독립적으로 이동시켰다. 시험용 점착 시트의 네 변을 파지 지그로 고정시키고, X 축 방향, 및 Y 축 방향으로 각각 5 ㎜/s 의 속도로, 200 ㎜ 의 확장량으로 시험용 점착 시트를 익스팬드하였다. 익스팬드 후의 시험용 점착 시트 (200) 의 네 변의 길이는, 모두 410 ㎜ 였다. 제 1 익스팬드 시험의 결과, 시험용 점착 시트의 면적은, 익스팬드 전에 비해 381 ％ 로 확장되었다. 본 실시예에 있어서는, 이 확장량 200 ㎜ 의 익스팬드 시험을, 제 1 익스팬드 시험이라고 칭하는 경우가 있다. 점착 시트의 확장성을 평가하기 위해, 제 1 익스팬드 시험에 의해 점착 시트의 기재 및 점착제층의 파단의 유무를 확인하였다. 확장성의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 를 합격으로 판정하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다.
·확장성의 평가 기준
평가 A : 기재 및 점착제층이 파단되지 않았다.
평가 C : 기재 및 점착제층이 파단되었다.
제 1 익스팬드 시험 후에 있어서, 실시예 1 ∼ 3 에 관련된 점착 시트의 기재 및 점착제층은 파단되지 않았지만, 비교예 1 에 관련된 점착 시트의 기재 및 점착제층은 파단되었다.
제 1 익스팬드 시험에 의해 시험용 점착 시트를 확장한 후, 링 프레임에 의해 시험용 점착 시트 (200) 의 확장 상태를 유지하였다.
확장 상태를 유지한 상태에서, 칩끼리의 위치 관계에 기초하여 칩 사이 거리의 표준 편차를 산출함으로써, 편차를 평가하였다. 구체적으로는, 각 칩의 모서리로부터, 칩의 중심을 구하고, 이웃하는 칩의 중심간 거리를 측정하였다. 그 중심간 거리로부터, 칩의 변의 길이인 3 ㎜ 를 빼고, 칩 사이 거리로 하였다. 시험용 점착 시트 상의 칩의 위치는, CNC 화상 측정기 (주식회사 미츠토요 제조, 제품명「Vision ACCEL」) 를 사용하여 측정하였다. 표준 편차는, JMP 사 제조의 데이터 분석 소프트웨어 JMP13 를 사용하여 산출하였다. 편차의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 또는 평가 B 를 합격으로 판정하였다. 결과를 표 9 에 나타낸다.
·편차의 평가 기준
평가 A : 표준 편차가 100 ㎛ 이하
평가 B : 표준 편차가 200 ㎛ 이하
평가 C : 표준 편차가 201 ㎛ 이상
＜UV 조사 후의 점착제층의 기재에 대한 밀착성＞
[풀 날림]
제조한 점착 시트를 재단하여 롤에 권취할 때, 그 재단부를 걸치도록 LED-UV 유닛을, 재단 1 개 지점당 2 등 설치하였다. 점착 시트와의 거리는 10 ㎜ 로 하였다. 슬릿의 속도는 10 m/min 로 하고, LED-UV 유닛의 2 등 모두 출력 50 ％ 로 UV 조사하여, 점착제층에 경화부를 형성하면서 당해 경화부에 슬릿을 넣어 재단하고, 재단 후의 점착 시트를 롤에 권취하였다. UV 조사의 조도는 2200 ㎽/㎠ 이고, 적산 광량은 80 mJ/㎠ 였다.
사용한 LED-UV 유닛의 설명은 이하와 같다.
·LED-UV 유닛
HOYA CANDEO OPTRONICS 사 제조
제어부 = H-1 VC II
발광부 = H-1 VH4
렌즈 = HO-03L
롤에 감겨진 경화부를 포함하는 점착 시트로부터, 당해 경화부와 미경화부를 포함하도록 폭 25 ㎜ × 길이 150 ㎜ 의 크기의 시험편으로 잘라냈다. 이 시험편은, 길이 방향 전역에 경화부를 갖는다. 이 시험편으로부터 박리 필름을 박리하고, 척 (파지구) 사이 거리가 100 ㎜ 가 되도록 설정한 인장 시험기의 척에, 당해 시험편을 고정시키고, 속도 50 ㎜/sec 로, 파지구 사이 거리가 200 ㎜ 가 될 때까지 신장시켰다 (100 ％ 신장시켰다). 인장 시험기로는, 주식회사 시마즈 제작소 제조의 오토 그래프 AG-IS 를 사용하였다. 신장 후의 시험편을 인장 시험기로부터 제거하고, 비인장 상태에서 점착제층의 균열의 최대 길이를 측정하였다.
균열의 최대 길이가 0.5 ㎜ 이하를 평가 A, 0.5 ㎜ 보다 큰 경우를 평가 B 로 하였다. 평가 A 를 합격으로 하였다.
Figure pct00025
1 : 점착 시트
10 : 기재
20 : 점착제층
CP1 : 제 1 반도체 칩
CP2 : 제 2 반도체 칩

Claims (9)

  1. 점착 시트로서,
    기재와, 점착제층을 갖고,
    상기 점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
    세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제조하여, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00026
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인장 강도 FA1 과, 상기 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1B) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00027
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 상기 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00028
  4. 점착 시트로서,
    기재와, 점착제층을 갖고,
    상기 점착 시트로부터 폭 15 ㎜ 의 제 1 시험편을 제조하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
    세로 치수가 35 ㎜ 이고, 가로 치수가 25 ㎜ 이고, 두께 치수가 0.350 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 35 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제조하여, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00029
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 인장 강도 FA1 과, 상기 인장 강도 FB1 이, 하기 수식 (수 1B) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00030
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 상기 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수식 (수 2A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    Figure pct00031
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층은, 아크릴계 점착제를 함유하는, 점착 시트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재는, 우레탄계 엘라스토머를 함유하는, 점착 시트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에 사용되는, 점착 시트.
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