KR20220064873A - Silver nanowire protection layer structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20220064873A
KR20220064873A KR1020210032690A KR20210032690A KR20220064873A KR 20220064873 A KR20220064873 A KR 20220064873A KR 1020210032690 A KR1020210032690 A KR 1020210032690A KR 20210032690 A KR20210032690 A KR 20210032690A KR 20220064873 A KR20220064873 A KR 20220064873A
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왕 예-쉔
팡 웨이-치아
추 청-훙
샤오 청-친
린 야-팅
첸 시-칭
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캄브리오스 필름 솔루션스 (샤먼) 코포레이션
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Abstract

A silver nanowire (SNW) protective layer structure includes: a substrate; an SNW layer disposed on the substrate, covering only a partial area of the surface of the substrate, and including a plurality of SNW channels; and an SNW protective layer disposed on the SNW layer, covering an area corresponding to the plurality of SNW channels, and including a light-resistant antioxidant. A manufacturing method for the SNW protective layer structure is further provided. The SNW protective layer structure and the manufacturing method thereof can be applied to a touch sensor.

Description

은 나노와이어 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법{SILVER NANOWIRE PROTECTION LAYER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}SILVER NANOWIRE PROTECTION LAYER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 개시는 은 나노와이어(silver nanowire; SNW) 보호 층 구조체에 관한 것으로서, 구체적으로는, SNW 보호 층이 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 SNW 보호 층 구조체에 관한 것이다. 본 개시는 추가로 이상의 SNW 보호 층 구조체에 대한 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a silver nanowire (SNW) protective layer structure, and more particularly, to a SNW protective layer structure in which the SNW protective layer covers only a region corresponding to a plurality of SNW channels. The present disclosure further relates to a manufacturing method for the above SNW protective layer structure.

통상적인 은 나노와이어(SNW) 보호 층 구조체(10) 및 이의 제조 방법이 도 1에 도시된다. 통상적인 은 나노와이어(SNW) 보호 층 구조체(10)에서, 패턴화된 SNW 층(12)이 기판(11) 상에 배치된 이후에, SNW 층(12) 상에 배치된 SNW 보호 층(13)이 기판(11)의 전체 영역을 커버한다.A typical silver nanowire (SNW) protective layer structure 10 and a method of making the same are shown in FIG. 1 . In the conventional silver nanowire (SNW) protective layer structure 10 , the SNW protective layer 13 is disposed on the SNW layer 12 after the patterned SNW layer 12 is disposed on the substrate 11 . ) covers the entire area of the substrate 11 .

SNW 보호 층의 주요 기능은 SNW 층을 보호하는 것이며, 그 결과 SNW 층은 열악한 전도율을 초래할 수 있는 광 산화로 인하여 비효율적으로 되지 않는다.The main function of the SNW protection layer is to protect the SNW layer, so that the SNW layer does not become ineffective due to photooxidation which can result in poor conductivity.

그러나, 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 SNW 보호 층의 컴포넌트들 내의 내광성(light-resistant) 산화 방지제는 청색 광 및 보라색 광을 흡수하고, SNW 보호 층은 기판 상의 전체 영역을 커버하며, 이는 전체적으로 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 현상을 야기한다.However, the light-resistant antioxidant in the components of the SNW protective layer of the conventional SNW protective layer structure absorbs blue light and violet light, and the SNW protective layer covers the entire area on the substrate, which as a whole is typical It causes significant yellowing of the SNW protective layer structure.

종래 기술의 전체적으로 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 문제를 개선하기 위하여, 본 개시는 신규한 은 나노와이어(SNW) 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법을 제공한다.In order to ameliorate the significant yellowing problem of the overall conventional SNW protective layer structure of the prior art, the present disclosure provides a novel silver nanowire (SNW) protective layer structure and a method of manufacturing the same.

이상의 그리고 다른 목적들을 달성하기 위하여, 본 개시는, 기판; 및 기판 상에 배치되며 오로지 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층으로서, SNW 층은 복수의 SNW 채널들을 포함하는, SNW 층; 및 SNW 층 상에 배치되며 오로지 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 SNW 보호 층으로서, SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제를 포함하는, SNW 보호 층을 포함하는 SNW 보호 층 구조체를 제공한다.In order to achieve the above and other objects, the present disclosure provides a substrate; and an SNW layer disposed on the substrate and covering only a partial region of a surface of the substrate, the SNW layer comprising a plurality of SNW channels; and an SNW protective layer disposed on the SNW layer and covering only a region corresponding to the plurality of SNW channels, the SNW protective layer comprising a light-resistant antioxidant.

전술한 SNW 보호 층 구조체에 있어서, SNW 보호 층의 커버 면적은 기판의 표면의 6% 내지 60%를 점유할 수 있다.In the above-described SNW protective layer structure, the cover area of the SNW protective layer may occupy 6% to 60% of the surface of the substrate.

전술한 SNW 보호 층 구조체에 있어서, SNW 보호 층의 폭은 2 μm 내지 1 mm 사이의 범위 내일 수 있다.In the above-described SNW protective layer structure, the width of the SNW protective layer may be in a range between 2 μm and 1 mm.

전술한 SNW 보호 층 구조체에 있어서, SNW 보호 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm의 범위 내일 수 있다.In the above-described SNW protective layer structure, the thickness of the SNW protective layer may be in a range of 10 nm to 2000 nm.

전술한 SNW 보호 층 구조체에 있어서, 복수의 SNW 채널들은 주름질 수 있다.In the SNW protective layer structure described above, the plurality of SNW channels may be corrugated.

전술한 SNW 보호 층 구조체에 있어서, SNW 층은: 복수의 SNW 채널들 사이에 배치된 복수의 SNW 더미(dummy)들을 더 포함할 수 있다.In the above-described SNW protection layer structure, the SNW layer may further include: a plurality of SNW dummy disposed between the plurality of SNW channels.

전술한 SNW 보호 층 구조체는: SNW 층과 기판 사이에 배치되는 복수의 전도성 와이어들을 더 포함할 수 있다.The above-described SNW protective layer structure may further include: a plurality of conductive wires disposed between the SNW layer and the substrate.

전술한 SNW 보호 층 구조체는: SNW 보호 층 상에 배치되는 커버 층을 더 포함할 수 있다.The SNW protective layer structure described above may further include: a cover layer disposed on the SNW protective layer.

전술한 SNW 보호 층 구조체는: SNW 보호 층 구조체 아래에 배치되는 제 2 SNW 보호 층 구조체로서, 제 2 SNW 보호 층은 제 2 기판을 포함하는, 제 2 SNW 보호 층 구조체; 제 2 기판 상에 배치되며 오로지 제 2 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 제 2 SNW 층으로서, 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 제 2 SNW 층; 제 2 SNW 층 상에 배치되며 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 제 2 SNW 보호 층으로서, 제 2 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 제 2 SNW 보호 층; 및 제 2 SNW 보호 층 상에 배치되는 제 2 커버 층을 더 포함할 수 있다.The aforementioned SNW protection layer structure includes: a second SNW protection layer structure disposed under the SNW protection layer structure, the second SNW protection layer comprising a second substrate; a second SNW layer disposed on the second substrate and covering only a partial region of a surface of the second substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels; a second SNW protective layer disposed on the second SNW layer and covering only an area corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protective layer comprising at least one of a light-resistant antioxidant or another light-resistant antioxidant , a second SNW protective layer; and a second cover layer disposed on the second SNW protective layer.

전술한 SNW 보호 층 구조체는: 기판 아래에 배치되며 오로지 기판의 제 2 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 제 2 SNW 층으로서, 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 제 2 SNW 층; 제 2 SNW 층 아래에 배치되며 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 제 2 SNW 보호 층으로서, 제 2 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 제 2 SNW 보호 층; 및 제 2 SNW 보호 층 아래에 배치되는 제 2 커버 층을 더 포함할 수 있다.The SNW protection layer structure described above includes: a second SNW layer disposed under the substrate and covering only a partial area of a second surface of the substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels floor; a second SNW protective layer disposed below the second SNW layer and covering only a region corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protective layer comprising at least one of a light-resistant antioxidant or another light-resistant antioxidant , a second SNW protective layer; and a second cover layer disposed under the second SNW protective layer.

이상의 그리고 다른 목적들을 달성하기 위하여, 본 개시는 SNW 보호 층 구조체에 대한 제조 방법을 더 제공하며, 상기 방법은: 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 SNW 층을 배치하는 단계로서, SNW 층은 오로지 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, SNW 층은 복수의 SNW 채널들을 포함하는, 단계; 및 SNW 층 상에 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, SNW 보호 층은 오로지 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제를 포함하는, 단계를 포함한다.In order to achieve the above and other objects, the present disclosure further provides a manufacturing method for a SNW protective layer structure, the method comprising: providing a substrate; disposing a SNW layer on the substrate, the SNW layer covering only a partial area of a surface of the substrate, the SNW layer comprising a plurality of SNW channels; and disposing an SNW protective layer on the SNW layer, wherein the SNW protective layer only covers an area corresponding to the plurality of SNW channels, the SNW protective layer comprising a light-resistant antioxidant.

전술한 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층의 커버 면적은 기판의 표면의 6% 내지 60%를 점유할 수 있다.In the above-described manufacturing method, the cover area of the SNW protective layer may occupy 6% to 60% of the surface of the substrate.

전술한 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층의 폭은 2 μm 내지 1 mm 사이의 범위 내일 수 있다.In the above-described manufacturing method, the width of the SNW protective layer may be in a range between 2 μm and 1 mm.

전술한 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm의 범위 내일 수 있다.In the above-described manufacturing method, the thickness of the SNW protective layer may be in the range of 10 nm to 2000 nm.

전술한 제조 방법에 있어서, 복수의 SNW 채널들은 주름질 수 있다.In the manufacturing method described above, the plurality of SNW channels may be corrugated.

전술한 제조 방법에 있어서, SNW 층은: 복수의 SNW 채널들 사이에 배치된 복수의 SNW 더미들을 더 포함할 수 있다.In the above-described manufacturing method, the SNW layer may further include: a plurality of SNW dummy disposed between the plurality of SNW channels.

전술한 제조 방법은: 기판 상에 복수의 전도성 와이어들을 배치하는 단계로서, 복수의 전도성 와이어들은 SNW 층과 기판 사이에 배치되는, 단계를 더 포함할 수 있다.The above-described manufacturing method may further include: disposing a plurality of conductive wires on a substrate, wherein the plurality of conductive wires are disposed between the SNW layer and the substrate.

전술한 제조 방법은: SNW 보호 층 상에 커버 층을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method described above may further include: disposing a cover layer on the SNW protective layer.

전술한 제조 방법은: 기판 아래에 제 2 기판을 배치하는 단계; 제 2 기판 상에 제 2 SNW 층을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 층은 기판 아래에 배치되며 오로지 제 2 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하고, 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 단계; 제 2 기판 상에 제 2 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 보호 층은 제 2 SNW 층 상에 배치되며 기판 아래에 위치되고, 제 2 SNW 보호 층은 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 제 2 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 단계; 및 제 2 SNW 보호 층 상에 제 2 커버 층을 배치하는 단계로서, 제 2 커버 층은 기판 아래에 위치되는, 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method described above includes: disposing a second substrate under the substrate; disposing a second SNW layer on a second substrate, the second SNW layer being disposed below the substrate and covering only a partial area of a surface of the second substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels comprising the steps of; disposing a second SNW protection layer on a second substrate, wherein the second SNW protection layer is disposed on the second SNW layer and is located below the substrate, the second SNW protection layer exclusively for the plurality of second SNW channels covering only a region corresponding to , wherein the second SNW protective layer comprises at least one of a light-resistant antioxidant or another light-resistant antioxidant; and disposing a second cover layer on the second SNW protection layer, wherein the second cover layer is located under the substrate.

전술한 제조 방법은: 기판 아래에 제 2 SNW 층을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 층은 오로지 기판의 제 2 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 단계; 제 2 SNW 층 아래에 제 2 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 보호 층은 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 제 2 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 단계; 및 제 2 SNW 보호 층 아래에 제 2 커버 층을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method described above comprises: disposing a second SNW layer under a substrate, the second SNW layer covering only a partial area of a second surface of the substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels comprising; disposing a second SNW protective layer under the second SNW layer, the second SNW protective layer only covering an area corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protective layer comprising: a light resistant antioxidant or other at least one of a light-resistant antioxidant; and disposing a second cover layer under the second SNW protective layer.

본 개시의 SNW 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법은 종래 기술의 전체적인 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 문제를 효율적으로 개선할 수 있다. 또한, 본 개시의 SNW 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법은 이를 적용하는 터치 센서의 광학적 성능을 향상시킬 수 있다.The SNW protective layer structure of the present disclosure and the manufacturing method thereof can effectively ameliorate the significant yellowing problem of the overall conventional SNW protective layer structure of the prior art. In addition, the SNW protective layer structure of the present disclosure and a manufacturing method thereof can improve the optical performance of a touch sensor to which the same is applied.

도 1은 종래 기술의 은 나노와이어(SNW) 보호 층 구조체이다.
도 2는 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략도이다.
도 3은 섹션 라인 A-A를 따른 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 4는 섹션 라인 B-B를 따른 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 5는 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체에 대한 제조 방법의 순서도이다.
도 6은 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략도이다.
도 7은 섹션 라인 A-A를 따른 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 8은 섹션 라인 B-B를 따른 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 9는 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 개략도이다.
도 10은 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 상부 구조체의 제조 프로세스의 개략도이다.
도 11은 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체의 하부 구조체의 제조 프로세스의 개략도이다.
도 12는 제 4 실시예의 SNW 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법의 개략도이다.1 is a prior art silver nanowire (SNW) protective layer structure.
Fig. 2 is a schematic diagram of the SNW protective layer structure of the first embodiment;
3 is a schematic cross-sectional view of the SNW protective layer structure of the first embodiment along section line AA;
4 is a schematic cross-sectional view of the SNW protective layer structure of the first embodiment along section line BB;
5 is a flowchart of a manufacturing method for the SNW protective layer structure of the first embodiment.
6 is a schematic diagram of an SNW protective layer structure of a second embodiment;
7 is a schematic cross-sectional view of the SNW protective layer structure of the second embodiment along section line AA;
8 is a schematic cross-sectional view of the SNW protective layer structure of the second embodiment along section line BB;
9 is a schematic diagram of an SNW protective layer structure of a third embodiment;
Fig. 10 is a schematic diagram of a manufacturing process of an upper structure of the SNW protective layer structure of the third embodiment;
11 is a schematic diagram of a manufacturing process of an underlying structure of the SNW protective layer structure of the third embodiment.
12 is a schematic diagram of an SNW protective layer structure and a manufacturing method thereof of the fourth embodiment.

이러한 본 개시의 목적들, 특성들, 및 효과들의 이해를 용이하게 하기 위하여, 본 개시의 상세한 설명에 대한 첨부된 도면들과 함께 실시예들이 제공된다.In order to facilitate understanding of these objects, characteristics, and effects of the present disclosure, embodiments are provided in conjunction with the accompanying drawings for the detailed description of the present disclosure.

문맥에서 달리 지정되지 않는 한, 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 "일" 및 "상기"의 단수 용어들은 복수 형태들의 의미를 커버한다.Unless the context dictates otherwise, the singular terms "a" and "the" used in the detailed description and appended claims cover the meaning of the plural forms.

문맥에서 달리 지정되지 않는 한, 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 용어 "또는"은 "및/또는"의 의미를 커버한다.Unless the context dictates otherwise, the term “or” as used in the detailed description and appended claims covers the meaning of “and/or”.

문맥에서 사용되는 용어 "피치"는 은 나노와이어(SNW)의 중심 축과 다른 SNW 채널의 중심 축 사이의 최단 거리를 지칭한다.The term “pitch” as used in the context refers to the shortest distance between the central axis of a silver nanowire (SNW) and the central axis of another SNW channel.

제 1 실시예first embodiment

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20)는: 기판(21)(도 2에 미도시); 및 기판(21) 상에 배치되며 오로지 기판(21)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층(22)으로서, SNW 층(22)은 복수의 SNW 채널들(221)을 포함하는, SNW 층; 및 SNW 층(22) 상에 배치되며 오로지 복수의 SNW 채널들(221)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는 SNW 보호 층(23)을 포함한다. 예로서 그리고 비제한적으로, 내광성 산화 방지제는 벤조트리아졸, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-테르트-부틸페닐)벤조트리아졸, 옥타벤존을 포함할 수 있다.2 to 4, the SNW protective layer structure 20 of the first embodiment includes: a substrate 21 (not shown in FIG. 2); and an SNW layer (22) disposed on the substrate (21) and covering only a partial region of a surface of the substrate (21), the SNW layer (22) comprising a plurality of SNW channels (221) ; and a SNW protective layer 23 disposed on the SNW layer 22 and covering only an area corresponding to the plurality of SNW channels 221 and comprising a light-resistant antioxidant. By way of example and not limitation, light-fast antioxidants include benzotriazole, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl) benzotriazole, octabenzone.

제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20)는 도 5에 도시된 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20)에 대한 제조 방법은: S1, 기판(21)을 제공하는 단계; S2, 기판(21) 상에 SNW 층(22)을 배치하는 단계로서, SNW 층(22)은 오로지 기판(21)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 복수의 SNW 채널들(221)을 포함하는, 단계; 및 S3, SNW 층(22) 상에 SNW 보호 층(23)을 배치하는 단계로서, SNW 보호 층(23)은 오로지 복수의 SNW 채널들(221)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는, 단계를 포함한다.The SNW protective layer structure 20 of the first embodiment can be manufactured by the manufacturing method shown in FIG. As shown in FIG. 5 , the manufacturing method for the SNW protective layer structure 20 of the first embodiment includes: S1 , providing a substrate 21 ; S2, disposing a SNW layer (22) on a substrate (21), the SNW layer (22) covering only a partial area of a surface of the substrate (21) and including a plurality of SNW channels (221) to do, step; and S3, disposing a SNW protective layer (23) on the SNW layer (22), wherein the SNW protective layer (23) covers only an area corresponding to the plurality of SNW channels (221) and includes a light-resistant antioxidant. to do, including the steps

종래 기술과 비교하면, 제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20) 및 이의 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층(23)은 오로지 복수의 SNW 채널들(221)에 대응하는 영역만을 커버하여 SNW 보호 층(23)의 커버 면적을 감소시키고, 추가로 종래 기술의 전체적인 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 문제를 효율적으로 개선하며, 동시에 열악한 전도율을 초래할 수 있는 광 산화로 인한 비효율성을 효율적을 방지한다.Compared with the prior art, in the SNW protective layer structure 20 of the first embodiment and the manufacturing method thereof, the SNW protective layer 23 covers only the area corresponding to the plurality of SNW channels 221, so that the SNW protective layer 23, and further effectively ameliorates the significant yellowing problem of the overall conventional SNW protective layer structure of the prior art, and at the same time effectively avoids inefficiencies due to photooxidation that can lead to poor conductivity. .

제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20) 및 이의 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층(23)의 커버 면적이 특별하게 정의되지 않는다. 선호되는 실시예에 있어서, SNW 보호 층(23)의 커버 면적은 기판(21)의 표면의 6% 내지 60%를 점유할 수 있다.In the SNW protective layer structure 20 and its manufacturing method of the first embodiment, the cover area of the SNW protective layer 23 is not specifically defined. In a preferred embodiment, the coverage area of the SNW protective layer 23 may occupy between 6% and 60% of the surface of the substrate 21 .

제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20) 및 이의 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층(23)의 폭이 특별하게 정의되지 않는다. 선호되는 실시예에 있어서, SNW 보호 층(23)의 폭은 2 μm 내지 1 mm 사이의 범위 내이다. 예로서, 폭이 2 μm보다 더 작은 경우, SNW 보호 층(23)이 굽혀지는 동안 갈라질 수 있으며, 폭이 1 mm보다 더 큰 경우, SNW 보호 층(23)의 가시도가 영향을 받을 수 있다(예를 들어, 400 nm 내지 700 nm의 파장을 갖는 가시 광에 노출될 때 SNW 보호 층(23)의 투명도가 지정된 임계 아래로 떨어질 수 있다). In the SNW protective layer structure 20 and its manufacturing method of the first embodiment, the width of the SNW protective layer 23 is not specifically defined. In a preferred embodiment, the width of the SNW protective layer 23 is in the range between 2 μm and 1 mm. For example, if the width is smaller than 2 μm, the SNW protective layer 23 may crack during bending, and if the width is larger than 1 mm, the visibility of the SNW protective layer 23 may be affected. (For example, the transparency of the SNW protective layer 23 may drop below a specified threshold when exposed to visible light having a wavelength of 400 nm to 700 nm).

제 1 실시예의 SNW 보호 층 구조체(20) 및 이의 제조 방법에 있어서, SNW 보호 층(23)의 두께가 특별하게 정의되지 않는다. 선호되는 실시예에 있어서, SNW 보호 층(23)의 두께는 10 nm 내지 2000 nm의 범위 내이다. 예로서, 두께가 10 nm보다 더 작은 경우, SNW 보호 층(23)은 굽혀지는 동안 갈라질 수 있으며, 두께가 2000 nm보다 더 큰 경우, 가시도가 영향을 받을 수 있다.In the SNW protective layer structure 20 and its manufacturing method of the first embodiment, the thickness of the SNW protective layer 23 is not specifically defined. In a preferred embodiment, the thickness of the SNW protective layer 23 is in the range of 10 nm to 2000 nm. For example, if the thickness is less than 10 nm, the SNW protective layer 23 may crack during bending, and if the thickness is greater than 2000 nm, the visibility may be affected.

제 2 실시예second embodiment

도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체(30)는: 기판(31)(도 6에 미도시); 기판(31) 상에 배치되며 오로지 기판(31)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층(32)으로서, SNW 층(32)은 복수의 SNW 채널들(321)을 포함하는, SNW 층; 및 SNW 층(32) 상에 배치되며 오로지 복수의 SNW 채널들(321)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는 SNW 보호 층(33)을 포함한다.6 to 8, the SNW protective layer structure 30 of the second embodiment includes: a substrate 31 (not shown in FIG. 6); an SNW layer (32) disposed on the substrate (31) and covering only a partial region of a surface of the substrate (31), the SNW layer (32) comprising a plurality of SNW channels (321); and a SNW protective layer 33 disposed on the SNW layer 32 and covering only an area corresponding to the plurality of SNW channels 321 and comprising a light-resistant antioxidant.

제 1 실시예와 비교하면, 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체(30) 내의 복수의 SNW 채널들(321)은 주름진다.Compared with the first embodiment, the plurality of SNW channels 321 in the SNW protective layer structure 30 of the second embodiment are corrugated.

제 1 실시예와 비교하면, 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체(30)는: 복수의 SNW 채널들(321) 사이에 배치된 복수의 SNW 더미들(322)을 더 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같은, 복수의 SNW 더미들(322)은, 서로 그리고 복수의 SNW 채널들(321)로부터 절연된(즉, 분리된) 복수의 SNW 채널들(321) 사이에 획정(define)된 구조체들이다. 복수의 SNW 더미들(322) 및 복수의 SNW 채널들(321)이 동일한 재료로 형성될 수 있지만, 복수의 SNW 더미들(322)은 신호를 운반하도록 의도되지 않으며, 일부 실시예들에서, SNW 보호 층 구조체(30)의 표면에 걸쳐 가시도를 자연스럽게 만들기 위하여(즉, 실질적으로 균일한 가시도를 유지하기 위하여) 사용된다.Compared with the first embodiment, the SNW protection layer structure 30 of the second embodiment further includes: a plurality of SNW dummy 322 disposed between the plurality of SNW channels 321 . As used herein, a plurality of SNW dummy 322 is defined between a plurality of SNW channels 321 insulated (ie, separated) from each other and from the plurality of SNW channels 321 . structures that have been Although the plurality of SNW dummy 322 and the plurality of SNW channels 321 may be formed of the same material, the plurality of SNW dummy 322 is not intended to carry a signal and, in some embodiments, the SNW It is used to make the visibility natural (ie, maintain substantially uniform visibility) across the surface of the protective layer structure 30 .

제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체(30)는, 복수의 주름진 SNW 채널들(321) 및 복수의 SNW 더미들(322)에 의해, SNW 보호 층(33)을 적용한 터치 센서가 모이어(Moire) 패턴을 형성하는 것을 방지하고, 터치 센서의 광학적 속성들을 추가로 향상시킬 수 있다.In the SNW protective layer structure 30 of the second embodiment, the touch sensor to which the SNW protective layer 33 is applied has a Moire pattern by means of a plurality of corrugated SNW channels 321 and a plurality of SNW dummy 322 . It is possible to prevent the formation of , and further improve the optical properties of the touch sensor.

제 3 실시예third embodiment

도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)는: 기판(41); 기판(41) 상에 배치되며 오로지 기판(41)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층(42)으로서, SNW 층(42)은 복수의 SNW 채널들(421)(도 9에 미도시) 및 복수의 SNW 채널들(421) 사이에 배치되는 복수의 SNW 더미들(422)(도 9에 미도시)을 포함하는, SNW 층; 및 SNW 층(42) 상에 배치되며 오로지 복수의 SNW 채널들(421)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는 SNW 보호 층(43)을 포함한다.9 to 11 , the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment includes: a substrate 41; As the SNW layer 42 disposed on the substrate 41 and covering only a partial area of the surface of the substrate 41 , the SNW layer 42 includes a plurality of SNW channels 421 (not shown in FIG. 9 ). and a plurality of SNW dummy 422 (not shown in FIG. 9 ) disposed between the plurality of SNW channels 421 ; and a SNW protective layer 43 disposed on the SNW layer 42 and covering only an area corresponding to the plurality of SNW channels 421 and comprising a light-resistant antioxidant.

제 2 실시예와 비교하면, 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)는: SNW 층(42)과 기판(41) 사이에 배치되는 복수의 전도성 와이어들(45)을 더 포함하지만; 그러나, 본 개시가 전술한 레이아웃에 한정되지 않는다.Compared with the second embodiment, the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment further includes: a plurality of conductive wires 45 disposed between the SNW layer 42 and the substrate 41 ; However, the present disclosure is not limited to the above layout.

제 2 실시예와 비교하면, 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)는: SNW 보호 층(43) 상에 배치되는 커버 층(46)을 더 포함하지만; 그러나, 본 개시가 전술한 레이아웃에 한정되지 않는다.Compared with the second embodiment, the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment further includes: a cover layer 46 disposed on the SNW protective layer 43 ; However, the present disclosure is not limited to the above-described layout.

제 2 실시예와 비교하면, 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)는: 기판(41) 아래에 배치되는 제 2 기판(41'); 제 2 기판(41') 상에 배치되며 기판(41) 아래에 위치되고 오로지 제 2 기판(41')의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 제 2 SNW 층(42')으로서, 제 2 SNW 층(42')은 복수의 제 2 SNW 채널들(421') 및 복수의 제 2 SNW 더미들(422')을 포함하는, 제 2 SNW 층; 제 2 SNW 층(42') 상에 배치되며 기판(41) 아래에 위치되고, 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들(421')에 대응하는 영역만을 커버하고, 내광성 산화 방지제를 포함하는 제 2 SNW 보호 층(43'); 및 제 2 SNW 층(42')과 제 2 기판(41') 사이에 배치되는 복수의 제 2 전도성 와이어들(45'); 및 제 2 SNW 보호 층(43') 상에 배치되며 기판(41) 아래에 위치되는 제 2 커버 층(46')을 더 포함한다.Compared with the second embodiment, the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment includes: a second substrate 41' disposed under the substrate 41; a second SNW layer 42' disposed on the second substrate 41' and located under the substrate 41 and covering only a partial area of the surface of the second substrate 41', the second SNW layer 42' is a second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels 421' and a plurality of second SNW dummy 422'; A second SNW disposed on the second SNW layer 42' and positioned under the substrate 41, only covering an area corresponding to the plurality of second SNW channels 421', and comprising a light-resistant antioxidant. protective layer 43'; and a plurality of second conductive wires 45' disposed between the second SNW layer 42' and the second substrate 41'; and a second cover layer 46 ′ disposed on the second SNW protection layer 43 ′ and positioned under the substrate 41 .

제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)의 제조 프로세스는 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같다. 도 10에 도시된 바와 같이, SNW 보호 층 구조체(40)의 상부 구조체는 다음의 단계들에 의해 만들어질 수 있다: 기판(41)을 제공하는 단계; 기판(41) 상에 복수의 전도성 와이어들(45)을 배치하는 단계로서, 복수의 전도성 와이어들(45)은 복수의 SNW 채널들(421)과 기판(41) 사이에 배치되는, 단계; 기판(41) 상에 SNW 층(42)을 배치하는 단계로서, SNW 층(42)은 오로지 기판(41)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, SNW 층(42)은 복수의 SNW 채널들(421) 및 복수의 SNW 채널들(421) 사이에 배치된 복수의 SNW 더미들(422)을 포함하는, 단계; 플렉소그래픽(flexographic) 프린팅 기술을 적용함으로써 SNW 층(42) 상에 SNW 보호 층(43)을 배치하는 단계로서, SNW 보호 층(43)은 오로지 복수의 SNW 채널들(421)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는, 단계; 및 SNW 보호 층(43) 상에 커버 층(46)을 배치하는 단계.The manufacturing process of the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment is as shown in FIGS. 9 to 11 . As shown in FIG. 10 , the upper structure of the SNW protective layer structure 40 can be made by the following steps: providing a substrate 41 ; disposing a plurality of conductive wires (45) on the substrate (41), the plurality of conductive wires (45) being disposed between the plurality of SNW channels (421) and the substrate (41); disposing the SNW layer 42 on the substrate 41 , the SNW layer 42 covering only a partial area of the surface of the substrate 41 , the SNW layer 42 comprising a plurality of SNW channels ( 421) and a plurality of SNW dummy (422) disposed between the plurality of SNW channels (421); disposing the SNW protective layer 43 on the SNW layer 42 by applying a flexographic printing technique, the SNW protective layer 43 only having an area corresponding to the plurality of SNW channels 421 . covering the bay and comprising a light-resistant antioxidant; and disposing a cover layer (46) over the SNW protection layer (43).

도 11에 도시된 바와 같이, SNW 보호 층 구조체(40)의 하부 구조체는 다음의 단계들에 의해 만들어질 수 있다: 제 2 기판(41')을 제공하는 단계; 제 2 기판(41') 상에 복수의 제 2 전도성 와이어들(45')을 배치하는 단계로서, 복수의 제 2 전도성 와이어들(45')은 복수의 제 2 SNW 채널들(421')과 제 2 기판(41') 사이에 배치되는, 단계; 제 2 기판(41') 상에 제 2 SNW 층(42')을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 층(42')은 오로지 제 2 기판(41')의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 제 2 SNW 층(42')은 복수의 제 2 SNW 채널들(421') 및 복수의 제 2 SNW 채널들(421') 사이에 배치된 복수의 제 2 SNW 더미들(422')을 포함하는, 단계; 플렉소그래픽 프린팅 기술을 적용함으로써 제 2 SNW 층(42') 상에 제 2 SNW 보호 층(43')을 배치하는 단계로서, 제 2 SNW 보호 층(43')은 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들(421')에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는, 단계; 및 제 2 SNW 보호 층(43') 상에 제 2 커버 층(46')을 배치하는 단계.11, the lower structure of the SNW protective layer structure 40 can be made by the following steps: providing a second substrate 41'; disposing a plurality of second conductive wires 45' on a second substrate 41', wherein the plurality of second conductive wires 45' are connected to a plurality of second SNW channels 421' and disposed between the second substrates 41'; disposing a second SNW layer (42') on a second substrate (41'), wherein the second SNW layer (42') covers only a partial area of the surface of the second substrate (41'); The second SNW layer 42' includes a plurality of second SNW channels 421' and a plurality of second SNW dummy 422' disposed between the plurality of second SNW channels 421'. , step; disposing a second SNW protective layer 43' on the second SNW layer 42' by applying a flexographic printing technique, wherein the second SNW protective layer 43' only comprises a plurality of second SNW channels covering only the area corresponding to the fields 421' and comprising a light-resistant antioxidant; and disposing a second cover layer 46' on the second SNW protection layer 43'.

마지막으로, 도 10에 도시된 SNW 보호 층 구조체(40)의 상부 구조체는 도 11에 도시된 SNW 보호 층 구조체(40)의 하부 구조체와 오버레이(overlay)되며, 따라서 제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)를 획득한다.Finally, the upper structure of the SNW protective layer structure 40 shown in FIG. 10 is overlaid with the lower structure of the SNW protective layer structure 40 shown in FIG. 11 , and thus the SNW protective layer structure of the third embodiment (40) is obtained.

제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)의 SNW 보호 층(43) 및 제 2 SNW 보호 층(43')은 플렉소그래픽 프린팅 기술에 의해 제조되지만; 그러나 본 개시가 전술한 제조 기술에 한정되지 않으며, SNW 보호 층(43) 및 제 2 SNW 보호 층(43')이 또한 그라비어(gravure) 프린팅 기술에 의해 제조될 수도 있다.The SNW protective layer 43 and the second SNW protective layer 43' of the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment are manufactured by flexographic printing technology; However, the present disclosure is not limited to the above-described manufacturing technique, and the SNW protective layer 43 and the second SNW protective layer 43' may also be manufactured by a gravure printing technique.

제 3 실시예의 SNW 보호 층 구조체(40)의 상부 구조체 및 하부 구조체 내의 SNW 채널들(421) 및 제 2 SNW 채널들(421')이 90°로 교차할 수 있으며, 그 결과 상부 구조체 및 하부 구조체는 터치 센서의 송신(Tx) 및 수신(Rx) 층으로서 역할할 수 있다.The SNW channels 421 and the second SNW channels 421' in the upper structure and the lower structure of the SNW protective layer structure 40 of the third embodiment may intersect at 90°, as a result of which the upper structure and the lower structure may serve as the transmit (Tx) and receive (Rx) layers of the touch sensor.

제 4 실시예4th embodiment

도 12에 도시된 바와 같이, 제 4 실시예의 SNW 보호 층 구조체(50)는: 기판(51); 기판(51) 상에 배치되며 오로지 기판(51)의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층(52)으로서, SNW 층(52)은 복수의 SNW 채널들(521) 및 복수의 SNW 채널들(521) 사이에 배치되는 복수의 SNW 더미들(522)을 포함하는, SNW 층; SNW 층(52) 상에 배치되며 오로지 복수의 SNW 채널들(521)에 대응하는 영역만을 커버하며 내광성 산화 방지제를 포함하는 SNW 보호 층(53); SNW 층(52)과 기판(51) 사이에 배치되는 복수의 전도성 와이어들(55); 및 SNW 보호 층(53) 상에 배치되는 커버 층(56)을 포함한다.12, the SNW protective layer structure 50 of the fourth embodiment includes: a substrate 51; As the SNW layer 52 disposed on the substrate 51 and covering only a partial area of the surface of the substrate 51 , the SNW layer 52 includes a plurality of SNW channels 521 and a plurality of SNW channels ( an SNW layer comprising a plurality of SNW dummy 522 disposed therebetween; an SNW protective layer 53 disposed on the SNW layer 52 and covering only an area corresponding to the plurality of SNW channels 521 and including a light-resistant antioxidant; a plurality of conductive wires 55 disposed between the SNW layer 52 and the substrate 51; and a cover layer 56 disposed on the SNW protection layer 53 .

제 4 실시예의 SNW 보호 층 구조체(50)는: 기판(51) 아래에 배치되며 오로지 기판(51)의 제 2 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 제 2 SNW 층(52')으로서, 제 2 SNW 층(52')은 복수의 제 2 SNW 채널들(521') 및 복수의 제 2 SNW 채널들(521') 사이에 배치되는 복수의 제 2 SNW 더미들(522')을 포함하는, 제 2 SNW 층; 제 2 SNW 층(52') 상에 배치되며 오로지 복수의 제 2 SNW 채널들(521')에 대응하는 영역만을 커버하고, 내광성 산화 방지제를 포함하는 제 2 SNW 보호 층(53'); 제 2 SNW 층(52')과 기판(51) 사이에 배치되는 복수의 제 2 전도성 와이어들(55'); 및 제 2 SNW 보호 층(53') 아래에 배치되는 제 2 커버 층(56')을 포함한다.The SNW protective layer structure 50 of the fourth embodiment is: a second SNW layer 52' disposed under the substrate 51 and covering only a partial area of the second surface of the substrate 51, the second SNW Layer 52' comprises a second plurality of SNW channels 521' and a plurality of second SNW dummy 522' disposed between the plurality of second SNW channels 521'. SNW layer; a second SNW protective layer 53' disposed on the second SNW layer 52' and covering only an area corresponding to the plurality of second SNW channels 521', and comprising a light-resistant antioxidant; a plurality of second conductive wires 55' disposed between the second SNW layer 52' and the substrate 51; and a second cover layer 56' disposed under the second SNW protection layer 53'.

제 1 비교예Comparative Example 1

제 1 비교예는, SNW 보호 층이 구비되지 않으며, 단지: 기판; 및 기판 상에 배치되며 오로지 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층으로서, SNW 층은 복수의 SNW 채널들 및 복수의 SNW 채널들 사이에 배치된 복수의 SNW 더미들을 포함하는, SNW 층만을 포함하는 SNW 구조체이다. 제 1 비교에의 기판 및 SNW 층은 제 2 실시예와 동일하며, 차이점은 단지, 제 1 비교예의 SNW 구조체가 SNW 보호 층을 포함하지 않는다는 점이다.The first comparative example is not provided with the SNW protective layer, and only includes: a substrate; and an SNW layer disposed on the substrate and covering only a partial region of a surface of the substrate, the SNW layer comprising a plurality of SNW channels and a plurality of SNW dummy disposed between the plurality of SNW channels. It is the SNW structure that contains it. The substrate and SNW layer in the first comparison are the same as in the second embodiment, with the only difference being that the SNW structure in the first comparison does not include the SNW protective layer.

제 2 비교예2nd comparative example

제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체는 대략적으로 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체와 동일하지만, 차이점은 단지, 제 1 비교예의 SNW 보호 층 구조체에 있어서, SNW 보호 층이 기판의 표면의 전체 영역을 커버한다는 점이다.The SNW protective layer structure of the second comparative example is approximately the same as the SNW protective layer structure of the second embodiment, with the only difference being that in the SNW protective layer structure of the first comparative example, the SNW protective layer covers the entire area of the surface of the substrate that it does

테스트 예test example

종래 기술의 전체적인 통상적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 문제를 개선하는 것에 대한 본 개시의 SNW 보호 층 구조체의 효과들을 이해하기 위하여, 제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들의 광학적 속성들이 테스트된다.In order to understand the effects of the SNW protective layer structure of the present disclosure on ameliorating the significant yellowing problem of the overall conventional SNW protective layer structure of the prior art, the SNW protection of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example The optical properties of the layer structures or SNW structures are tested.

제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들은 동일한 기판들 및 SNW 층들을 가지며; 차이점은 단지: 제 2 실시예의 SNW 보호 층이 오로지 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하고, 제 1 비교예는 SNW 보호 층을 포함하지 않으며, 제 2 비교예의 SNW 보호 층은 기판의 표면의 전체 영역을 커버한다는 점이다.The SNW protective layer structures or SNW structures of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example have the same substrates and SNW layers; The only differences are: the SNW protective layer of the second embodiment only covers the region corresponding to the plurality of SNW channels, the first comparative example does not include the SNW protective layer, and the SNW protective layer of the second comparative example is the surface of the substrate that it covers the entire area of

특히, 제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들에서 기판들의 치수들은 15 cm x 15 cm이다. 제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들에서 SNW 채널들의 피치는 5.26 mm이며, 폭은 0.1823 mm이고, SNW 채널들은 기판의 표면의 10.4%를 점유하며, SNW 층 내의 SNW의 농도는 0.07 wt%이다. 제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들에서 SNW 보호 층들의 두께는 90 nm이다.In particular, the dimensions of the substrates in the SNW protective layer structures or SNW structures of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example are 15 cm x 15 cm. In the SNW protective layer structures or SNW structures of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example, the pitch of the SNW channels is 5.26 mm, the width is 0.1823 mm, and the SNW channels occupy 10.4% of the surface of the substrate. , and the concentration of SNW in the SNW layer is 0.07 wt%. The thickness of the SNW protective layers in the SNW protective layer structures or SNW structures of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example is 90 nm.

제 2 실시예, 제 1 비교예, 및 제 2 비교예의 SNW 보호 층 구조체들 또는 SNW 구조체들에 대하여 2개의 반복된 테스트가 수행되며, 이의 평균 값들이 계산된다. 테스트 결과들은 아래의 표 1에 도시된 바와 같다.Two repeated tests are performed on the SNW protective layer structures or SNW structures of the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example, and average values thereof are calculated. The test results are shown in Table 1 below.

표-1Table-1

Figure pat00001
Figure pat00001

L, a*, 및 b*은 CIELAB 색 공간에서 다양한 값들을 나타낸다. L*는 흑색(0)으로부터 백색(100)까지의 밝기를 나타내며, a*는 적색-녹색 축 상에서 녹색(-)으로부터 적색(+)까지를 나타내며, b*는 황색-청색 축 상에서 청색(-)으로부터 황색(+)까지를 나타낸다. 표-1에서 값 b*는 SNW 보호 층 구조체의 황변 지수로서 역할한다. 제 2 비교예와 비교하면, 본 개시의 제 2 실시예의 SNW 보호 층 구조체는 더 낮은 b* 값을 갖는다. 본 개시의 SNW 보호 층 구조체 및 이의 제조 방법은 종래 기술의 전체적인 SNW 보호 층 구조체의 상당한 황변 문제를 효율적으로 개선할 수 있다는 것이 명백하다.L, a*, and b* represent various values in the CIELAB color space. L* represents the brightness from black (0) to white (100), a* represents green (-) to red (+) on the red-green axis, b* represents blue (-) on the yellow-blue axis ) to yellow (+). The value b* in Table-1 serves as the yellowing index of the SNW protective layer structure. Compared with the second comparative example, the SNW protective layer structure of the second embodiment of the present disclosure has a lower b* value. It is clear that the SNW protective layer structure of the present disclosure and the manufacturing method thereof can effectively ameliorate the significant yellowing problem of the overall SNW protective layer structure of the prior art.

본 개시가 특정 실시예들에 의해 설명되었지만, 청구항들에 기술되는 본 개시의 범위 및 사상으로부터 벗어나지 않고 당업자들에 의해 이에 대한 다수의 수정들 및 변형들이 이루어질 수 있다.Although the present disclosure has been described by way of specific embodiments, numerous modifications and variations can be made thereto by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the disclosure as set forth in the claims.

Claims (20)

은 나노와이어(silver nanowire; SNW) 보호 층 구조체로서,
기판;
상기 기판 상에 배치되며 오로지 상기 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 SNW 층으로서, 상기 SNW 층은 복수의 SNW 채널들을 포함하는, 상기 SNW 층; 및
상기 SNW 층 상에 배치되며 오로지 상기 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 SNW 보호 층으로서, 상기 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제를 포함하는, 상기 SNW 보호 층을 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
A silver nanowire (SNW) protective layer structure comprising:
Board;
an SNW layer disposed on the substrate and covering only a partial region of a surface of the substrate, the SNW layer comprising a plurality of SNW channels; and
an SNW protective layer disposed on the SNW layer and covering only a region corresponding to the plurality of SNW channels, the SNW protective layer comprising a light-resistant antioxidant; .
 청구항 1에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 커버 면적은 상기 기판의 상기 표면의 6% 내지 60%를 점유하는, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
and a cover area of the SNW protective layer occupies 6% to 60% of the surface of the substrate.
 청구항 1에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 폭은 2 μm 내지 1 mm 사이의 범위 내인, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
and a width of the SNW protective layer is in a range between 2 μm and 1 mm.
 청구항 1에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm의 범위 내인, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
and the thickness of the SNW protective layer is in the range of 10 nm to 2000 nm.
 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 SNW 채널들은 주름지는, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
wherein the plurality of SNW channels are corrugated.
 청구항 5에 있어서,
상기 SNW 층은,
상기 복수의 SNW 채널들 사이에 배치되는 복수의 SNW 더미(dummy)들을 더 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
6. The method of claim 5,
The SNW layer is
and a plurality of SNW dummy disposed between the plurality of SNW channels.
 청구항 1에 있어서,
상기 SNW 보호 층 구조체는,
상기 SNW 층과 상기 기판 사이에 배치되는 복수의 전도성 와이어들을 더 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
The SNW protective layer structure,
and a plurality of conductive wires disposed between the SNW layer and the substrate.
 청구항 1에 있어서,
상기 SNW 보호 층 구조체는,
상기 SNW 보호 층 상에 배치되는 커버 층을 더 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
The method according to claim 1,
The SNW protective layer structure,
and a cover layer disposed on the SNW protection layer.
 청구항 8에 있어서,
상기 SNW 보호 층 구조체는,
상기 기판 아래에 배치되는 제 2 기판;
상기 제 2 기판 상에 배치되며 상기 기판 아래에 위치되는 제 2 SNW 층으로서, 상기 제 2 SNW 층은 오로지 상기 제 2 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 상기 제 2 SNW 층;
상기 제 2 SNW 층 상에 배치되며 상기 기판 아래에 위치되는 제 2 SNW 보호 층으로서, 상기 제 2 SNW 보호 층은 오로지 상기 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 보호 층은 상기 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제 2 SNW 보호 층; 및
상기 제 2 SNW 보호 층 상에 배치되며 상기 기판 아래에 위치되는 제 2 커버 층을 더 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
9. The method of claim 8,
The SNW protective layer structure,
a second substrate disposed under the substrate;
a second SNW layer disposed on the second substrate and positioned below the substrate, the second SNW layer covering only a partial region of a surface of the second substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW layers the second SNW layer comprising 2 SNW channels;
a second SNW protection layer disposed on the second SNW layer and positioned under the substrate, the second SNW protection layer only covering an area corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protection layer the second SNW protective layer comprising at least one of the light-resistant antioxidant or another light-resistant antioxidant; and
and a second cover layer disposed on the second SNW protection layer and positioned below the substrate.
 청구항 8에 있어서,
상기 SNW 보호 층 구조체는,
상기 기판 아래에 배치되며 오로지 상기 기판의 제 2 표면의 부분적인 영역만을 커버하는 제 2 SNW 층으로서, 상기 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 상기 제 2 SNW 층;
상기 제 2 SNW 층 아래에 배치되며 오로지 상기 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하는 제 2 SNW 보호 층으로서, 상기 제 2 SNW 보호 층은 상기 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제 2 SNW 보호 층; 및
상기 제 2 SNW 보호 층 아래에 배치되는 제 2 커버 층을 더 포함하는, SNW 보호 층 구조체.
9. The method of claim 8,
The SNW protective layer structure,
a second SNW layer disposed below the substrate and covering only a partial region of a second surface of the substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels;
a second SNW protective layer disposed below the second SNW layer and covering only a region corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protective layer comprising at least one of the light-resistant antioxidant or other light-resistant antioxidant the second SNW protection layer comprising one; and
and a second cover layer disposed below the second SNW protection layer.
 은 나노와이어(silver nanowire; SNW) 보호 층 구조체에 대한 제조 방법으로서,
기판을 제공하는 단계;
상기 기판 상에 SNW 층을 배치하는 단계로서, 상기 SNW 층은 오로지 상기 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 상기 SNW 층은 복수의 SNW 채널들을 포함하는, 단계; 및
상기 SNW 층 상에 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, 상기 SNW 보호 층은 오로지 상기 복수의 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 상기 SNW 보호 층은 내광성 산화 방지제를 포함하는, 단계를 포함하는, 제조 방법.
A method for manufacturing a silver nanowire (SNW) protective layer structure, comprising:
providing a substrate;
disposing a SNW layer on the substrate, the SNW layer covering only a partial area of a surface of the substrate, the SNW layer comprising a plurality of SNW channels; and
disposing an SNW protective layer on the SNW layer, the SNW protective layer covering only an area corresponding to the plurality of SNW channels, the SNW protective layer comprising a light-resistant antioxidant; , manufacturing method.
 청구항 11에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 커버 면적은 상기 기판의 상기 표면의 6% 내지 60%를 점유하는, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
wherein the cover area of the SNW protective layer occupies 6% to 60% of the surface of the substrate.
 청구항 11에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 폭은 2 μm 내지 1 mm 사이의 범위 내인, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
and the width of the SNW protective layer is in a range between 2 μm and 1 mm.
 청구항 11에 있어서,
상기 SNW 보호 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm의 범위 내인, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The thickness of the SNW protective layer is in the range of 10 nm to 2000 nm.
 청구항 11에 있어서,
상기 복수의 SNW 채널들은 주름지는, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
wherein the plurality of SNW channels are corrugated.
 청구항 15에 있어서,
상기 SNW 층은,
상기 복수의 SNW 채널들 사이에 배치되는 복수의 SNW 더미들을 더 포함하는, 제조 방법.
16. The method of claim 15,
The SNW layer is
and a plurality of SNW dummy disposed between the plurality of SNW channels.
 청구항 11에 있어서,
상기 제조 방법은,
상기 기판 상에 복수의 전도성 와이어들을 배치하는 단계로서, 상기 복수의 전도성 와이어들은 상기 SNW 층과 상기 기판 사이에 배치되는, 단계를 더 포함하는, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The manufacturing method is
disposing a plurality of conductive wires on the substrate, wherein the plurality of conductive wires are disposed between the SNW layer and the substrate.
 청구항 11에 있어서,
상기 제조 방법은,
상기 SNW 보호 층 상에 커버 층을 배치하는 단계를 더 포함하는, 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The manufacturing method is
and disposing a cover layer on the SNW protective layer.
 청구항 18에 있어서,
상기 제조 방법은,
상기 기판 아래에 제 2 기판을 배치하는 단계;
상기 제 2 기판 상에 제 2 SNW 층을 배치하는 단계로서, 상기 제 2 SNW 층은 상기 기판 아래에 배치되고 오로지 상기 제 2 기판의 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 단계;
상기 제 2 기판 상에 제 2 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, 상기 제 2 SNW 보호 층은 상기 제 2 SNW 층 상에 배치되며 상기 기판 아래에 위치되고, 상기 제 2 SNW 보호 층은 오로지 상기 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 보호 층은 상기 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 단계; 및
상기 제 2 SNW 보호 층 상에 제 2 커버 층을 배치하는 단계로서, 상기 제 2 커버 층은 상기 기판 아래에 위치되는, 단계를 더 포함하는, 제조 방법.
19. The method of claim 18,
The manufacturing method is
disposing a second substrate under the substrate;
disposing a second SNW layer on the second substrate, the second SNW layer being disposed below the substrate and covering only a partial area of a surface of the second substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels of ;
disposing a second SNW protection layer on the second substrate, the second SNW protection layer disposed on the second SNW layer and located below the substrate, the second SNW protection layer only comprising the plurality of covering only a region corresponding to the second SNW channels of , wherein the second SNW protective layer comprises at least one of the light-resistant antioxidant or other light-resistant antioxidant; and
disposing a second cover layer on the second SNW protection layer, wherein the second cover layer is located below the substrate.
 청구항 18에 있어서,
상기 제조 방법은,
상기 기판 아래에 제 2 SNW 층을 배치하는 단계로서, 상기 제 2 SNW 층은 오로지 상기 기판의 제 2 표면의 부분적인 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 층은 복수의 제 2 SNW 채널들을 포함하는, 단계;
상기 제 2 SNW 층 아래에 제 2 SNW 보호 층을 배치하는 단계로서, 상기 제 2 SNW 보호 층은 오로지 상기 복수의 제 2 SNW 채널들에 대응하는 영역만을 커버하며, 상기 제 2 SNW 보호 층은 상기 내광성 산화 방지제 또는 다른 내광성 산화 방지제 중 적어도 하나를 포함하는, 단계; 및
상기 제 2 SNW 보호 층 아래에 제 2 커버 층을 배치하는 단계를 더 포함하는, 제조 방법.19. The method of claim 18,
The manufacturing method is
disposing a second SNW layer under the substrate, the second SNW layer covering only a partial area of a second surface of the substrate, the second SNW layer comprising a plurality of second SNW channels , step;
disposing a second SNW protection layer under the second SNW layer, the second SNW protection layer only covering an area corresponding to the plurality of second SNW channels, the second SNW protection layer comprising: at least one of a light-resistant antioxidant or another light-resistant antioxidant; and
and disposing a second cover layer under the second SNW protection layer.
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