KR20220051065A - 표시 장치 - Google Patents

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이형섭
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성우용
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Abstract

표시 장치는 정면 영역 및 상기 정면 영역의 코너에 위치하는 코너 영역을 포함하는 기판, 상기 정면 영역에 위치하는 메인 댐, 그리고 상기 코너 영역에 위치하는 코너 댐을 포함한다. 상기 코너 영역은 복수의 스트라이프 영역을 포함한다. 상기 코너 댐은 상기 메인 댐으로부터 연장하고 상기 복수의 스트라이프 영역의 가장자리를 따라 위치한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 곡면 영역을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
스마트폰, 휴대폰, 멀티미디어 단말기 같은 전자 장치에는 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 같은 표시 장치가 적용된다. 표시 장치, 특히 표시 장치의 화면은 전자 장치에서 외부로 드러나는 부분이므로, 표시 장치는 전자 장치의 디자인에서 핵심적인 요소이다.
음극선관 같은 표시 장치를 제외하고는, 통상적으로 사용되는 표시 장치는 평판으로 형성되고, 화면 또한 평면으로 형성되어 있다. 최근에는 플렉서블(flexible) 표시 장치가 개발됨으로써 화면이 평면으로 제한되지 않고, 곡면으로 형성될 수 있다. 특히, 표시 장치의 가장자리를 곡면으로 형성하면 표시 장치의 화면 비율(screen-to-body ratio)을 증가시킬 수 있다. 화면 비율은 표시 장치의 기술 수준을 반영함과 동시에, 소비자가 제품을 선택하는 데 있어서 중요하게 작용할 수 있다.
실시예들은 증가한 화면 비율을 가지면서 신뢰성 및 시인성이 개선된 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치는 정면 영역 및 상기 정면 영역의 코너에 위치하는 코너 영역을 포함하는 기판, 상기 정면 영역에 위치하는 메인 댐, 그리고 상기 코너 영역에 위치하는 코너 댐을 포함한다. 상기 코너 영역은 복수의 스트라이프 영역을 포함한다. 상기 코너 댐은 상기 메인 댐으로부터 연장하고 상기 복수의 스트라이프 영역의 가장자리를 따라 위치한다.
상기 복수의 스트라이프 영역은 서로 분리되어 있을 수 있다.
상기 정면 영역은 평면일 수 있고, 상기 코너 영역은 복곡면일 수 있다. 상기 복수의 스트라이프 영역은 조합하여 상기 코너 영역의 복곡면을 형성할 수 있다.
상기 복수의 스트라이프 영역 각각에 위치하는 상기 코너 댐의 부분들이 상기 메인 댐에 의해 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 정면 영역 및 상기 복수의 스트라이프 영역에 위치하는 복수의 발광 다이오드, 그리고 상기 복수의 발광 다이오드를 덮는 봉지층을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지층은 유기층을 포함할 수 있고, 상기 유기층은 상기 정면 영역과 상기 복수의 스트라이프 영역에 걸쳐 연속적으로 위치할 수 있다.
상기 기판의 상면을 기준으로 상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역에서보다 상기 코너 영역에서 낮을 수 있다.
상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역과 상기 코너 영역의 경계 영역에서 변할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하며, 이웃하는 스트라이프 영역 사이의 절개부와 정렬되게 위치하는 적어도 하나의 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 스페이서의 높이가 상기 메인 댐의 높이보다 높을 수 있다.
상기 스페이서는 상기 유기층에 의해 덮여 있을 수 있다.
상기 스페이서는 다각형, 원형, 또는 반원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 스페이서는 상기 메인 댐으로부터 떨어져 있거나, 상기 메인 댐과 접할 수 있다.
상기 메인 댐 및 상기 코너 댐은 각각 순차적으로 적층된 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함할 수 있다. 상기 제1 층 및 상기 제3 층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 층은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 층은 상기 제1 층의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 정면 영역 및 상기 정면 영역의 코너에 위치하는 코너 영역을 포함하는 기판, 상기 정면 영역 및 상기 코너 영역에 위치하는 복수의 발광 다이오드, 상기 복수의 발광 다이오드를 덮으며 유기층 및 무기층을 포함하는 봉지층을 포함한다. 상기 기판의 상면을 기준으로 상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역에서보다 상기 코너 영역에서 낮다.
상기 유기층은 상기 정면 영역과 상기 코너 영역에 걸쳐 연속적으로 위치할 수 있다.
상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역과 상기 코너 영역의 경계 영역에서 점진적으로 변할 수 있다.
상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하는 제1 발광 다이오드와 상기 코너 영역에서 상기 제1 발광 다이오드에 인접하게 위치하는 제2 발광 다이오드 간의 간격이 상기 정면 영역에서 인접하게 위치하는 발광 다이오들 간의 간격과 동일할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 정면 영역에 위치하는 메인 댐, 그리고 상기 코너 영역에 위치하는 코너 댐을 더 포함할 수 있다. 상기 코너 영역은 복수의 절개부에 의해 분리된 복수의 스트라이프 영역을 포함할 수 있다. 상기 메인 댐과 상기 코너 댐은 연속적으로 형성되어 있을 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하며, 상기 메인 댐보다 높은 스페이서를 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면 증가한 화면 비율을 가지면서 신뢰성 및 시인성이 개선된 표시 장치를 제공할 수 있고, 표시 장치의 제조를 위한 공정 능력을 개선할 수 있다. 또한, 실시예들에 따르면 명세서 전반에 걸쳐 인식될 수 있는 유리한 효과가 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치가 적용된 전자 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A'선을 따라 취한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널에서 한 코너 영역의 일부와 이에 인접하는 정면 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3에서 B-B'선을 따라 취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 3에서 C-C'선을 따라 취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 3에서 D-D'선을 따라 취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7은 비교예에 따른 표시 패널에서 한 코너 영역의 일부와 이에 인접하는 정면 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7에서 E-E'선을 따라 취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 비교예에 다른 표시 패널에서 경계 영역과 그 부근의 투과 전자 현미경 사진이다.
도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16 및 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다.
도 18, 도 19, 도 20, 도 21 및 도 22는 각각 일 실시예에 따른 표시 패널에서 한 코너 영역의 일부와 이에 인접하는 정면 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 23, 도 24 및 도 25는 각각 일 실시예에 따른 표시 패널에서 경계 영역 부근의 개략적인 단면도이다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 패널의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
첨부한 도면을 참고하여 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 구성이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 구성이 다른 구성 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 구성이 없는 것을 뜻한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, "연결"된다는 둘 이상의 구성요소가 직접적으로 연결되는 경우만을 의미하는 것이 아니고, 둘 이상의 구성요소가 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 연결되는 경우, 물리적으로 연결되는 경우나 전기적으로 연결되는 경우뿐만 아니라, 위치나 기능에 따라 상이한 명칭으로 지칭되었으나 실질적으로 일체인 각 부분이 서로 연결되는 경우를 포함할 수 있다.
명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, 방향을 나타내는데 부호 "x", "y" 및 "z"가 사용되고, 여기서 "x"는 제1 방향이고, "y"는 제1 방향과 수직인 제2 방향이고, "z"는 제1 방향 및 제2 방향과 수직인 제3 방향이다. 제1 방향(x), 제2 방향(y) 및 제3 방향(z)은 각각 표시 장치의 가로 방향, 세로 방향 및 두께 방향에 대응할 수 있다.
명세서에서 특별한 언급이 없으면 "중첩"은 평면도에서 중첩을 의미하고, 제3 방향(z)으로 중첩을 의미한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치가 적용된 전자 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에서 A-A'선을 따라 취한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 스마트폰, 휴대폰, 태블릿, 멀티미디어 플레이어, 게임기 같은 전자 장치에 적용될 수 있다. 전자 장치는 표시 장치(100) 및 하우징(housing)(200)을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)는 전자 장치에서 영상이 표시되는 화면을 제공할 수 있다. 하우징(200)은 세트 프레임(set frame)으로 불릴 수 있으며, 표시 장치(100)를 고정할 수 있다. 표시 장치(100)와 하우징(200)에 의해 한정되는 내부 공간에는 전자 장치를 구성하는 여러 부품이 위치할 수 있다. 예컨대, 프로세서, 메모리, 배터리, 구동 장치, 카메라, 스피커, 마이크로폰, 리시버, 통신 모듈, 각종 센서 등이 전자 장치의 내부에 위치할 수 있다.
전자 장치의 정면은 전체가 화면에 해당할 수 있고, 측면의 적어도 일부분도 화면에 해당할 수 있다. 화면은 표시 장치(100)의 표시 영역(display area)에 대응할 수 있다. 표시 장치는 정면에 위치하는 정면 영역(front area)(A1), 정면 영역(A1)의 측면에 위치하는 측면 영역들(side areas)(A2), 그리고 정면 영역(A1)의 코너에 위치하는 코너 영역들(corner areas)(A3)을 포함할 수 있다.
정면 영역(A1)은 표시 장치(100)에서 중앙에 위치하고, 화면의 대부분을 차지할 수 있다. 측면 영역들(A2)과 코너 영역들(A3)은 정면 영역(A1)을 둘러 위치할 수 있다. 정면 영역(A1)은 정면 표시 영역을 구성할 수 있다. 측면 영역들(A2)의 대부분은 측면 표시 영역을 구성할 수 있고, 코너 영역들(A3)의 대부분은 코너 표시 영역을 구성할 수 있다. 정면 영역(A1)은 평면일 수 있고, 측면 영역들(A2)과 코너 영역들(A3)은 곡면일 수 있다. 측면 영역들(A2)의 가장자리 부분과 코너 영역들(A3)의 가장자리 부분은 비표시 영역(non-display area)일 수 있다. 정면 영역(A1), 측면 영역(A2) 및 코너 영역(A3)은 각각 표시 장치(100)의 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역일 수 있다.
정면 영역(A1)은 표시 영역 전체에서 가장 넓은 면적을 차지할 수 있으며, 실질적으로 평탄한 화면을 형성할 수 있다. 평면도에서 정면 영역(A1)은 전체적으로 네 개의 변을 가지는 직사각형일 수 있다. 정면 영역(A1)의 모서리는 도시된 바와 같이 둥글 수 있지만, 뾰족할 수도 있다. 정면 영역(A1)의 네 변은 각각 제1 방향(x) 또는 제2 방향(y)에 나란할 수 있다.
측면 영역들(A2)은 정면 영역(A1)의 네 변에 각각 연접할 수 있다. 각각의 측면 영역(A2)의 화면은 곡면을 이루며, 곡면의 위치에 따라 곡률이 일정할 수도 있고 다를 수도 있다. 각각의 측면 영역(A2)은 대체로 타원 기둥 또는 원기둥과 같은 곡면 기둥의 측면의 일부(예컨대 1/4)와 유사한 형태를 가질 수 있다.
코너 영역들(A3)은 표시 장치(100)의 네 코너에 위치할 수 있다. 각각의 코너 영역(A3)은 인접하는 두 측면 영역(A2) 사이에 위치할 수 있다. 각각의 코너 영역(A3)의 화면은 곡면을 이루며, 곡면의 위치에 따라 곡률이 일정할 수도 있고 다를 수도 있다. 코너 영역(A3)의 곡면의 형태는 측면 영역(A2)의 곡면 형태와 다를 수 있다. 예컨대, 각각의 코너 영역(A3)은 대체로 구 또는 타원형구와 같은 곡면체의 일부(예컨대 1/8)와 유사한 형태를 가질 수 있다.
전자 장치를 정면에서 볼 때, 정면 영역(A1) 전체와 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)이 조합하여, 전체적으로 코너가 둥근 직사각형의 화면으로 인식될 수 있다. 하우징(200)은 보이지 않거나 거의 보이지 않을 수 있고, 화면 비율이 1 또는 거의 1인, 실질적으로 베젤리스 전자 장치를 구현할 수 있다.
도 2를 참고하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(10), 윈도우(20), 그리고 점착층(30)을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)에서 영상은 표시 패널(10)에 의해 표시될 수 있고, 윈도우(20)는 표시 패널(10)을 덮으면서 표시 패널(10)에 표시되는 영상을 투과시킬 수 있다. 따라서 표시 장치(100)의 정면 영역(A1), 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)은 표시 패널(10)의 정면 영역(A1), 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)과 동일 개념으로 설명될 수 있다.
표시 패널(10)은 적어도 일부분이 플렉서블할 수 있다. 표시 패널(10)에는 기판 위에 화소들이 배열되어 있고, 화소들의 조합에 의해 영상을 표시할 수 있다. 정면 영역(A1)은 물론 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)에는 예컨대 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함하는 화소들이 배열되어 있다. 화소들은 정면 영역(A1) 전체와 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)의 대부분의 영역에 배치될 수 있다. 따라서 정면 영역(A1) 전체와 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)의 대부분의 영역은 표시 영역일 수 있다. 측면 영역들(A2)의 가장자리 부분과 코너 영역들(A3)의 가장자리 부분은 비표시 영역(즉, 화소들이 배치되지 않은 영역)일 수 있다. 비표시 영역에는 표시 영역을 둘러싸는 댐(dam)이 위치할 수 있다.
표시 패널(10)에는 화소들을 구동하기 위한 화소 회로들 및 신호선들이 배치되어 있다. 표시 패널(10)은 발광 소자들을 포함하는 발광 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(10)은 터치를 감지할 수 있는 터치 센서층을 포함할 수 있다.
윈도우(20)는 표시 패널(10)을 외부 충격 등으로부터 보호하는 일종의 커버이다. 윈도우(20)는 표시 패널(10)의 곡면 상태를 유지시키는 지지체 같은 역할을 할 수 있다. 윈도우(20)는 표시 패널(10)의 화면에 표시되는 영상을 사용자가 볼 수 있도록, 유리 또는 플라스틱 같이 투명하고 단단한 재료로 형성될 있다.
표시 패널(10)은 OCA(optically clear adhesive), OCR(optically clear resin), PSA(pressure sensitive adhesive) 같은 점착제에 의해 형성된 점착층(30)에 의해 윈도우(20)에 부착될 수 있다. 표시 장치(100)는 정면 영역(A1)에서 평평할 수 있고, 측면 영역들(A2)과 코너 영역들(A3)에서는 소정의 곡률 반경으로 휘어져 곡면을 이룰 수 있다. 곡률 반경은 위치에 따라 일정할 수도 있고 변할 수도 있다. 측면 영역들(A2)은 단곡면일 수 있고, 코너 영역들(A3)은 복곡면일 수 있다.
도 1에서 부분 확대 도면은 표시 패널(10)의 코너 영역(A3)과 이에 인접하는 정면 영역(A1) 및 측면 영역들(A2)을 나타낸다. 코너 영역(A3)의 복곡면 구현을 위해, 코너 영역(A3)은 복수의 영역으로 절개될 수 있고, 복수의 절개부를 포함할 수 있다. 코너 영역(A3)의 절개부는 표시 패널(10)의 두께 방향으로 완전히 절개될 수 있다. 즉, 코너 영역(A3)은 절개부에 의해 서로 분리되어 있는 스트라이프 영역들(stripe areas)(SA)을 포함할 수 있다. 각각의 스트라이프 영역(SA)은 정면 영역(A1)의 가장자리로부터 대략 방사상으로 연장할 수 있다. 각각의 스트라이프 영역(SA)에는 화소들이 스트라이프 영역(SA)의 길이 방향을 따라 1열 이상 배열될 수 있다. 스트라이프 영역들(SA)은 조합하여 코너 영역(A3)의 복곡면을 형성할 수 있다. 스트라이프 영역들(SA)의 가장자리들은 코너 영역(A3)의 가장자리를 한정할 수 있다. 스트라이프 영역들(SA)은 스트레쳐블(stretchable) 할 수 있다.
정면 영역(A1)과 측면 영역(A2)은 물리적으로 연속적인 하나의 기판 및 그 위의 적층된 층들을 포함할 수 있다. 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)은 물리적으로 연속적인 하나의 기판 및 그 위에 적층된 층들을 포함할 수 있다. 측면 영역(A2)과 코너 영역(A3) 간에는 기판이 물리적으로 불연속적일 수 있고, 연속적일 수도 있다. 인접하는 스트라이프 영역(SA) 간에는 기판이 물리적으로 불연속적일 수 있고, 연속적일 수도 있다. 표시 패널(10)은 도 2에 도시된 바와 같이 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 경계 부근인 경계 영역(BA)을 포함할 수 있다. 경계 영역(BA)에는 코너 영역(A3)의 복곡면 또는 곡면의 시작 선이 위치할 수 있다. 경계 영역(BA)의 폭은 대략 인접하는 정면 영역(A1)의 발광 다이오드(LED)와 코너 영역(A3)의 발광 다이오드(LED)의 간격에 대응할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널(10)에서 한 코너 영역(A3)의 일부와 이에 인접하는 정면 영역(A1)을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 3에서 B-B'선을 따라 취한 표시 패널(10)의 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 3에서 C-C'선을 따라 취한 표시 패널(10)의 개략적인 단면도이고, 도 6은 도 3에서 D-D'선을 따라 취한 표시 패널(10)의 개략적인 단면도이다.
도 3을 참고하면, 코너 영역(A3)을 구성하는 스트라이프 영역들(SA) 중 2개의 이웃하는 스트라이프 영역(SA)이 도시된다. 스트라이프 영역들(SA)은 정면 영역(A1)으로부터 대략 방사상으로 돌출할 수 있다.
표시 패널(10)은 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 대략 경계에 위치하는 메인 댐(main dam)(MD)과 스트라이프 영역들(SA)의 가장자리에 위치하는 코너 댐(corner dam)(CD)을 포함할 수 있다.
도시되지 않았지만, 메인 댐(MD)은 측면 영역(A2)의 가장자리를 따라 위치할 수 있다. 메인 댐(MD)은 정면 영역(A1)과 측면 영역(A2)을 함께 둘러쌀 수 있다. 즉, 메인 댐(MD)은 코너 영역(A3)을 제외한 영역에서 표시 패널(10)의 가장자리를 따라 위치할 수 있고, 정면 영역(A1)과 측면 영역(A2) 사이에는 댐이 위치하지 않을 수 있다.
정면 영역(A1)과 측면 영역(A2) 사이에는 댐이 위치하지 않고, 코너 댐(CD)은 정면 영역(A1)으로부터 돌출하는 스트라이프 영역(SA)의 부분을 둘러쌀 수 있다. 코너 댐(CD)은 메인 댐(MD)과 연결될 수 있다. 코너 댐(CD)은 메인 댐(MD)으로부터 연장할 수 있다. 각각의 스트라이프 영역(SA)에 위치하는 코너 댐(CD)의 부분들은 메인 댐(MD)에 의해 연결될 수 있다. 정면 영역(A1)과 스트라이프 영역(SA) 사이에는 메인 댐(MD)이나 코너 댐(CD)이 위치하지 않을 수 있다. 즉, 스트라이프 영역(SA)은 정면 영역(A1)과 메인 댐(MD)이나 코너 댐(CD) 같은 댐에 의해 분리되지 않을 수 있다. 코너 영역(A3) 및 경계 영역(BA)에서 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)은 조합하여 요철 형상을 이룰 수 있다. 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)은 표시 영역을 둘러쌀 수 있다.
정면 영역(A1)에서 코너 영역(A3)에 인접하게 스페이서(SP)가 위치할 수 있다. 스페이서(SP)는 두 스트라이프 영역(SA)의 사이의 절개부와 정렬되게 위치할 수 있다. 즉, 스페이서(SP)는 이웃하는 스트라이프 영역들(SA) 사이의 공간과 스트라이프 영역(SA)의 길이 방향으로 나란할 수 있다.
표시 패널(10)의 단면 구조를 설명하면서, 메인 댐(MD), 코너 댐(CD) 및 스페이서(SP)에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
도 3, 도 4, 도 5 및 도 6을 참고하면, 표시 패널(10)은 기판(SB) 및 기판(SB) 위에 위치하는 여러 층, 소자를 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 정면 영역(A1), 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)은 기판(SB)의 정면 영역(A1), 측면 영역들(A2) 및 코너 영역들(A3)과 동일 개념으로 설명될 수 있다.
기판(SB)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블 기판일 수 있다. 기판(SB)은 제1 베이스층(BL1), 무기층(IL) 및 제2 베이스층(BL2)을 포함하는 다중층일 수 있다. 제1 및 제2 베이스층(BL1, BL2)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 등의 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(SB)은 코너 영역(A3)에서 각각의 스트라이프 영역(SA)에 대응하게 절개되고 분리되어 있을 수 있다.
기판(SB) 위에는 배리어층(BR)이 위치할 수 있고, 배리어층(BR) 위에는 버퍼층(BF)이 위치할 수 있다. 배리어층(BR) 및 버퍼층(BF)은 규소 질화물(SiNx), 규소 산화물(SiOx), 규소 질산화물(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(BF) 위에는 회로 소자층(CEL)이 위치할 수 있다. 회로 소자층(CEL)은 화소들을 구동하기 위한 화소 회로들 및 신호선들을 포함할 수 있다. 회로 소자층은 반도체층, 제1 게이트 도전층, 제2 게이트 도전층 및 제1 데이터 도전층과 이들 사이의 절연층들을 포함할 수 있다. 회로 소자층(CEL)의 좀 더 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
회로 소자층(CEL) 위에는 제1 평탄화층(VIA1)이 위치할 수 있다. 제1 평탄화층(VIA1)은 유기 절연층일 수 있다. 예컨대, 제1 평탄화층(VIA1)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene) 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 실록산계 고분자 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 평탄화층(VIA1) 위에는 전압선(VL), 연결선(CL) 등을 포함할 수 있는 제2 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 제2 데이터 도전층은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 포함할 수 있다.
제2 데이터 도전층 위에는 제1 패시베이션층(passivation layer)(PAS1)이 위치할 수 있다. 제1 패시베이션층(PAS1)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 데이터 도전층 위에는 제2 평탄화층(VIA2)이 위치할 수 있다. 제2 평탄화층(VIA2)의 대부분은 제1 패시베이션층(PAS1)과 중첩하지 않을 수 있다. 제2 평탄화층(VIA2)은 제1 패시베이션층(PAS1)의 가장자리를 덮을 수 있다. 제2 평탄화층(VIA2)은 유기 절연층일 수 있다. 예컨대, 제2 평탄화층(VIA2)은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 실록산계 고분자 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 평탄화층(VIA2)은 메인 댐(MD)의 제1 층(ML1), 코너 댐(CD)의 제1 층(CL1), 그리고 스페이서(SP)의 제1 층(SL1)을 구성할 수 있다. 즉, 메인 댐(MD)의 제1 층(ML1), 코너 댐(CD)의 제1 층(CL1), 그리고 스페이서(SP)의 제1 층(SL1)은 제2 평탄화층(VIA2)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
제2 평탄화층(VIA2) 위에는 제2 패시베이션층(PAS2)이 위치할 수 있다. 제2 패시베이션층(PAS2)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 패시베이션층(PAS2)의 대부분은 제1 패시베이션층(PAS1)과 중첩하지 않을 수 있다. 다만, 제2 패시베이션층(PAS2)의 가장자리 부분이 제1 패시베이션층(PAS1)의 가장자리 부분과 중첩할 수 있다.
제2 패시베이션층(PAS2)은 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2), 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2), 그리고 스페이서(SP)의 제2 층(SL2)을 구성할 수 있다. 즉, 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2), 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2), 그리고 스페이서(SP)의 제2 층(SL2)은 제2 패시베이션층(PAS2)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2)은 제1 층(ML1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다. 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2)은 제1 층(CL1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다. 스페이서(SP)의 제2 층(SL2)은 제1 층(SL1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다.
제2 패시베이션층(PAS2) 위에는 발광 다이오드(LED)의 제1 전극(E1)이 위치할 수 있다. 제2 패시베이션층(PAS2) 위에는 화소 정의층(PDL)이 위치할 수 있다. 화소 정의층(PDL)은 제1 전극(E1)의 가장자리를 덮을 수 있다. 화소 정의층(PDL)은 제1 전극(E1)과 중첩하는 개구(opening)를 가질 수 있다. 화소 정의층(PDL)은 유기 절연층일 수 있다. 예컨대, 화소 정의층(PDL)은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 실록산계 고분자 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의층(PDL)은 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3), 코너 댐(CD)의 제3 층(CL3), 그리고 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)을 구성할 수 있다. 즉, 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3), 코너 댐(CD)의 제3 층(CL3), 그리고 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)은 화소 정의층(PDL)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
제1 전극(E1) 위에는 발광 다이오드(LED)의 발광층(EL)이 위치할 수 있다.
발광층(EL) 위에는 발광 다이오드(LED)의 제2 전극(E2)이 위치할 수 있다. 제2 전극(E2)은 복수의 발광 다이오드(LED)에 걸쳐 연속적으로 위치할 수 있다. 제2 전극(E2)은 메인 댐(MD)의 외측과 코너 댐(CD)의 외측에는 위치하지 않을 수 있다. 제2 전극(E2)은 제2 전극(E2)은 제2 평탄화층(VIA2)의 측면에는 위치하지 않을 수 있다. 하나의 발광 다이오드(LED)는 하나의 화소에 대응할 수 있다.
제2 전극(E2) 위에는 굴절률을 조절하기 위한 캐핑층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다.
제2 전극(E2) 위에는 표시 영역을 전체적으로 덮는 봉지층(encapsulation layer)(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)은 표시 영역, 특히 발광 다이오드들(LED)을 밀봉하여 표시 패널(10) 내부로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(EN)의 가장자리는 표시 패널(10)의 가장자리와 표시 영역 사이에 위치할 수 있다.
봉지층(EN)은 제1 무기층(EIL1), 유기층(EOL) 및 제2 무기층(EIL2)이 차례로 적층된 박막 봉지층일 수 있다. 제1 및 제2 무기층들(EIL1, EIL2)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물, 알루미늄 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기층(EOL)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다.
제1 무기층(EIL1)과 제2 무기층(EIL2)은 유기층(EOL)보다 넓은 영역에 걸쳐 형성될 수 있다. 봉지층(EN)의 가장자리 영역에서 제1 무기층(EIL1)과 제2 무기층(EIL2)은 접촉할 수 있다. 제1 무기층(EIL1)의 가장자리와 제2 무기층(EIL2)의 가장자리는 대략 일치할 수 있다. 제1 및 제2 무기층들(EIL1, EIL2)을 넓게 형성함으로써, 표시 패널(10)의 측면으로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있고, 수분이나 산소의 침투 경로를 길고 복잡하게 하여 침투를 지연시킬 수 있다.
봉지층(EN)은 정면 영역(A1)에서 코너 영역(A3)으로 연속적으로 위치할 수 있다. 제1 및 제2 무기층(EIL1, EIL2)은 물론, 유기층(EOL)은 정면 영역(A1)과 스트라이프 영역들(SA)에 걸쳐 연속적으로 위치할 수 있다. 봉지층(EN), 특히 유기층(EOL)의 두께는 정면 영역(A1)보다 코너 영역(A3)에서 얇을 수 있다. 즉, 기판(SB)의 상면을 기준으로 유기층(EOL)의 높이는 정면 영역(A1)보다 코너 영역(A3)에서 낮을 수 있다.
유기층(EOL)은 모노머 같은 유기 물질(이하, 유기층 형성 물질이라고도 함)을 잉크젯 공정 등을 통해 도포한 후 경화시켜 형성될 수 있다. 코너 영역(A3)의 스트라이프 영역(SA)의 폭(w)이 좁으면 (예컨대, 약 200㎛ 이하), 코너 영역(A3)에서 유기층(EOL)의 형성 시 유기 물질이 넘칠 수 있기 때문에, 코너 영역(A3)에서 유기층(EOL)을 두껍게 형성하기 어려울 수 있다. 발광층(EL)과 중첩하는 영역을 기준으로, 정면 영역(A1)에서 유기층(EOL)의 제1 두께(d1)는 약 6㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있고, 코너 영역(A3)에서 유기층(EOL)의 제2 두께(d2)는 약 2㎛ 내지 약 6㎛일 수 있다. 예컨대. 제1 두께(d1)는 약 8㎛이고, 제2 두께(d2)는 약 4㎛일 수 있다. 하지만, 스트라이프 영역(SA)의 폭(w), 공정 능력, 유기층 형성 물질의 특성 등에 따라, 유기층(EOL)의 두께가 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)에 걸쳐 실질적으로 균일할 수도 있다.
정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 경계가 시인되는 것을 최소화하기 위해서, 유기층(EOL)의 두께가 변하는 부분이 경계 영역(BA)에 위치할 수 있다. 즉, 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3) 사이의 경계 영역(BA)에서 유기층(EOL)의 제3 두께(d3)는 제1 두께(d1)과 제2 두께(d2) 사이에서 점진적으로 변할 수 있다. 경계 영역(BA)은 표시 패널(10)이 평면에서 곡면으로 변하는 영역이므로, 유기층(EOL)의 두께 변화로 인한 휘도 차를 인지하기 어려울 수 있다. 정면 영역(A1) 및 코너 영역(A3)에 걸쳐 발광 다이오드(LED) 간의 간격은 실질적으로 동일할 수 있다. 발광 다이오드들(LED)의 간격을 일정하게 함으로써 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3) 간의 휘도 차를 최소화할 수 있고, 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 경계가 시인되는 것을 최소화할 수 있다.
메인 댐(MD)은 순차적으로 적층된 제1 층(ML1), 제2 층(ML2) 및 제3 층(ML3)을 포함할 수 있다. 코너 댐(CD)은 순차적으로 적층된 제1 층(CL1), 제2 층(CL2) 및 제3 층(CL3)을 포함할 수 있다. 스페이서(SP)는 순차적으로 적층된 제1 층(SL1), 제2 층(SL2) 및 제3 층(SL3)을 포함할 수 있다. 메인 댐(MD)에서 제2 층(ML2)의 폭은 제3 층(ML3)의 폭보다 넓을 수 있다. 코너 댐(CD)에서 제2 층(CL2)의 폭은 제3 층(CL3)의 폭보다 넓을 수 있다. 스페이서(SP)에서 제2 층(SL2)의 폭은 제3 층(SL3)의 폭보다 넓을 수 있다. 메인 댐(MD)에서 제2 층(ML2)은 제1 층(ML1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다. 코너 댐(CD)에서 제2 층(CL2)은 제1 층(CL1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다. 스페이서(SP)에서 제2 층(SL2)은 제1 층(SL1)의 상단부의 양측으로 돌출될 수 있다. 메인 댐(MD), 코너 댐(CD) 및/또는 스페이서(SP)는 도시된 것보다 적거나 많은 수의 층을 포함할 수도 있다.
메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)은 표시 영역을 둘러쌀 수 있다. 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)은 봉지층(EN)의 유기층(EOL)을 형성할 때 모노머 같은 유기 물질이 표시 패널(10)의 외곽으로 넘치는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 유기층(EOL)의 가장자리는 적어도 메인 댐(MD) 및 코너 댐(CD)보다 내측, 즉 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)에 의해 한정되는 영역 내에 위치할 수 있다. 봉지층(EN)의 제1 및 제2 무기층들(EIL1, EIL2)은 메인 댐(MD) 및 코너 댐(CD) 위에 위치할 수 있고, 메인 댐(MD) 및 코너 댐(CD)의 외측까지 연장하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기층(EIL1)과 제2 무기층(EIL2)의 접촉 면적이 증가하여 제1 무기층(EIL1)과 제2 무기층(EIL2) 간의 부착력이 증가할 수 있다.
스페이서(SP)는 메인 댐(MD)보다 높게 형성될 수 있다. 스페이서(SP)는 발광층(EL)의 형성 시 사용되는 마스크(예컨대, 파인 메탈 마스크(fine metal mask))를 지지할 수 있다. 스페이서(SP)가 마스크에 의해 찍힐 경우 스페이서(SP)의 찍힌 부위나 이물질로 인해 제2 무기층(EIL2)에서 불량이 발생할 수 있고, 제2 무기층(EIL2)의 불량부를 통해 수분, 산소 등이 침투할 수 있다. 하지만, 스페이서(SP)가 유기층(EOL)에 의해 덮여 있으므로, 스페이서(SP)의 찍힘 등으로 인해 신뢰성이 저하되지 않을 수 있다.
스페이서(SP)는 또한 봉지층(EN)의 유기층(EOL) 형성을 위한 유기 물질의 유동을 제어할 수 있다. 즉, 정면 영역(A1)의 유기 물질이 메인 댐(MD)을 넘치지 않고 코너 영역(A3)의 스트라이프 영역들(SA)로 흐르도록 유도할 수 있다. 코너 댐(CD)이 메인 댐(MD)과 연결되어 있고, 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3) 사이를 댐이 가로막고 있지 않으므로, 유기 물질은 정면 영역(A1)으로부터 코너 영역(A3)으로 유동할 수 있다. 또한, 유기 물질을 스트라이프 영역들(SA)에 직접 도포하지 않거나 얇게 도포해도 되므로, 스트라이프 영역들(SA)에서 유기 물질이 넘치는 것을 방지할 수 있고, 유기층(EOL)의 형성을 위한 공정 능력을 확보할 수 있다. 결국, 실시예와 같은 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)의 연결 구조, 그리고 스페이서(SP)의 포지셔닝(positioning)에 의해 표시 패널(10)의 신뢰성 및 공정 능력을 개선할 수 있다.
도 7은 비교예에 따른 표시 패널(10')에서 한 코너 영역의 일부와 이에 인접하는 정면 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 8는 도 7에서 E-E'선을 따라 취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 전술한 실시예와 같이, 정면 영역(A1)의 코너에 위치하는 코너 영역(A3)은 서로 분리되어 있는 스트라이프 영역들(SA)을 포함할 수 있다. 하지만, 전술한 실시예와 달리, 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)이 분리되어 있다. 코너 영역(A3)에 위치하는 코너 댐(CD)은 각각의 스트라이프 영역(SA)에서 표시 영역을 개별적으로 둘러싸도록 형성되어 있다.
봉지층(EN)의 제1 및 제2 무기층(EIL1, EIL2)은 정면 영역(A1)과 스트라이프 영역들(SA)에 걸쳐 연속적으로 위치할 수 있다. 봉지층(EN)의 유기층(EOL)이 메인 댐(MD)에 의해 둘러싸인 영역과 코너 댐(CD)에 의해 둘러싸인 영역 내에 위치할 수 있다. 즉, 유기층(EOL)은 경계 영역(BA)에서 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD) 사이에 위치하지 않을 수 있다.
메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)은 경계 영역(BA)에서 마스크에 의한 찍힘이 발생할 수 있다. 하지만, 그러한 찍힘이 발생한 부분들이 유기층(EOL)에 의해 덮여 있지 않으므로 제2 무기층(EIL2)에서 불량(예컨대, 균열, 박리, 뜯김 등)이나 부분적 미형성)이 발생할 수 있고, 제2 무기층(EIL2)의 불량부를 통해 수분, 산소 등이 침투할 수 있다.
메인 댐(MD)과 코너 댐(CD) 사이에 유기층(EOL)이 위치하지 않고, 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)에서 유기층(EOL)의 두께 차에 의한 휘도 차가 발생할 수 있다. 또한, 경계 영역(BA)에 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)이 배치되므로, 경계 영역(BA) 양측의 발광 다이오드들(LED) 간의 간격이 정면 영역(A1)이나 코너 영역(A3)의 발광 다이오드들(LED) 간의 간격보다 넓을 수 있다. 이로 인해, 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 경계나 경계 영역(BA)이 시인될 수 있다. 또한, 스트라이프 영역(SA)에 유기층(EOL)의 형성을 위한 유기 물질의 도포 시, 스트라이프 영역(SA)의 좁은 폭으로 인해 유기 물질이 코너 댐(CD)을 넘칠 수도 있다.
전술한 실시예에서는 앞서 설명한 바와 같이 비교예에서 발생할 수 있는 문제들이 방지될 수 있고, 유기층(EOL)의 형성을 위한 공정 능력이 개선될 수 있다.
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 비교예에 따른 표시 패널(10')에서 경계 영역(BA) 및 그 부근의 투과 전자 현미경 사진이다.
도 9a에서 영역(R1)은 코너 댐(CD)이 위치하는 영역의 일부이고, 영역(R2)은 메인 댐(MD)이 위치하는 영역의 일부이다. 도 9b는 영역(R1)의 단면을 나타내고, 도 9c는 영역(R2)의 단면을 나타낸다. 도 9b를 참고하면, 스트라이프 영역(SA)에서 봉지층(EN)의 유기층(EOL)을 형성하기 위한 유기 물질이 코너 댐(CD)을 넘쳐서, 유기층(EOL)의 일부가 코너 댐(CD)의 좌상측에 위치하고 있다. 도 9c를 참고하면, 스트라이프 영역(SA)에서 봉지층(EN)의 유기층(EOL)을 형성하기 위한 유기 물질이 코너 댐(CD)을 넘쳐서, 유기층(EOL)의 메인 댐(MD)의 우상측에 위치하고 있다.
이와 같이, 스트라이프 영역(SA)을 둘러싸는 코너 댐(CD)을 메인 댐(MD)과 분리되어 있는 구조에서는 유기층(EOL)을 형성하기 위한 유기 물질의 유동 제어가 어렵고, 잉크젯 공정으로 유기층(EOL)을 형성하기가 어렵다. 하지만, 전술한 실시예에 따르면, 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD)이 연결되어 있어, 메인 댐(MD)과 코너 댐(CD) 간에 유기층(EOL)의 형성을 위한 유기 물질이 유동할 수 있으므로, 유기 물질이 코너 댐(CD)을 넘치는 것을 방지하거나 억제할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16 및 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다.
도 10을 참고하면, 기판(SB) 위에 배리어층(BR), 버퍼층(BF), 회로 소자층(CEL) 및 제1 평탄화층(VIA1)을 순차적으로 형성할 수 있다. 그 다음, 제1 평탄화층(VIA1) 위에 도전층을 형성하고 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 패터닝하여, 전압선(VL)과 연결선(CL)을 포함하는 제2 데이터 도전층을 형성할 수 있다.
도 11을 참고하면, 제1 평탄화층(VIA1) 위에 무기 절연 물질을 증착한 후 패터닝하여 제1 패시베이션층(PAS1)을 형성할 수 있다. 제1 패시베이션층(PAS1)은 메인 댐(MD)과 기판(SB)의 가장자리 사이, 메인 댐(MD)과 스페이서(SP) 사이, 스페이서(SP)와 발광 다이오드(LED) 사이, 코너 댐(CD)과 기판(SB)의 가장자리 사이, 코너 댐(CD)과 발광 다이오드(LED) 사이 등에 형성될 수 있다.
도 12를 참고하면, 제1 패시베이션층(PAS1) 위에 유기 절연 물질을 도포하여 제2 평탄화층(VIA2)을 형성할 수 있다.
도 13을 참고하면, 제2 평탄화층(VIA2) 위에 무기 절연 물질을 증착한 후 패터닝하여 제2 패시베이션층(PAS2), 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2), 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2) 및 스페이서(SP)의 제2 층(SL2)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 제2 패시베이션층(PAS2), 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2), 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2) 및 스페이서(SP)의 제2 층(SL2)은 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 그 다음, 제2 패시베이션층(PAS2) 위에 발광 다이오드(LED)의 제1 전극(E1)을 형성할 수 있다.
도 14를 참고하면, 유기 절연 물질을 도포한 후 패터닝하여, 화소 정의층(PDL), 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3), 코너 댐(CD)의 제3 층(CL3) 및 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)을 형성할 수 있다. 이때, 하프톤 마스크(half-tone mask)를 사용하여, 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)을 화소 정의층(PDL) 및/또는 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3)보다 두껍게 형성할 수 있다. 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)이 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3) 및 코너 댐(CD)의 제3 층(CL3)보다 두껍게 형성됨으로써, 스페이서(SP)는 메인 댐(MD) 및 코너 댐(CD)보다 높게 형성될 수 있다. 이와 같이, 화소 정의층(PDL), 메인 댐(MD)의 제3 층(ML3), 코너 댐(CD)의 제3 층(CL3) 및 스페이서(SP)의 제3 층(SL3)은 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 그 다음, 파인 메탈 마스크를 이용하여, 화소 정의층(PDL)의 개구 내에 발광층(EL)을 형성할 수 있다.
도 15를 참고하면, 무기 절연 물질을 증착한 후 패터닝하여, 하드 마스크층(HML)을 형성할 수 있다. 하드 마스크층(HML)은 화소 정의층(PDL), 발광층(EL), 메인 댐(MD)의 제2 층(ML2) 및 제3 층(ML3), 코너 댐(CD)의 제2 층(CL2) 및 제3 층(CL3), 그리고 스페이서(SP)의 제2 층(SL2) 및 제3 층(SL3)과 중첩하게 형성될 수 있다.
도 16을 참고하면, 하드 마스크층(HML)을 마스크로 이용하여 제2 평탄화층(VIA2)의 일부를 식각(예컨대, 건식 식각)할 수 있다. 이때, 제1 패시베이션층(PAS1)은 에치 스토퍼(etch stopper)로서 기능할 수 있다. 즉, 제1 패시베이션층(PAS1)은 제2 평탄화층(VIA2)만 식각되고, 그 아래의 제1 평탄화층(VIA1)은 식각되지 않게 막아줄 수 있다. 제2 평탄화층(VIA2)에서 발광 다이오드(LED) 사이에 위치하는 부분은 도시된 것과 같이 식각될 수 있고, 식각되지 않을 수도 있다. 제2 평탄화층(VIA2)의 부분적 식각에 의해, 메인 댐(MD)의 제1 층(ML1), 코너 댐(CD)의 제1 층(CL1) 및 스페이서(SP)의 제1 층(SL1)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 평탄화층(VIA2), 메인 댐(MD)의 제1 층(ML1), 코너 댐(CD)의 제1 층(CL1) 및 스페이서(SP)의 제1 층(SL1)은 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
도 17을 참고하면, 메인 댐(MD), 코너 댐(CD), 스페이서(SP), 화소 정의층(PDL) 및 제1 전극(E1) 위에 위치하는 하드 마스크층(HML)을 건식 식각 등의 방법으로 제거할 수 있다. 이후, 제2 전극(E2)을 형성하고, 봉지층(EN)의 제1 무기층(EIL1), 유기층(EOL) 및 제2 무기층(EIL2)을 순차적으로 형성하여, 도 3 내지 도 6에 도시된 것과 같은 표시 패널(10)을 제조할 수 있다. 이와 같이 제조된 표시 패널(10)을 점착층(30)에 의해 윈도우(20)에 부착함으로써 도 2에 도시된 것과 같은 표시 장치(100)를 제조할 수 있다.
도 18, 도 19, 도 20, 도 21 및 도 22는 각각 일 실시예에 따른 표시 패널에서 한 코너 영역의 일부와 이에 인접하는 정면 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
정면 영역(A1)에서 코너 영역(A3)에 인접하게 위치할 수 있는 스페이서(SP)의 개수, 형상, 위치 등은 다양하게 변경될 수 있다.
예컨대, 도 18을 참고하면, 스페이서(SP)는 두 스트라이프 영역(SA)의 사이에 2개 또는 그 이상 위치할 수 있다. 스트라이프 영역들(SA)의 폭이나 간격에 따라 유기층 형성 물질의 흐름을 제어하는데 유리하도록 스페이서(SP)의 개수는 변경될 수 있다.
도 19, 도 20 및 도 21을 참고하면, 스페이서(SP)는 반원형이거나, 원형이거나, 삼각형일 수 있다. 이와 같은 스페이서(SP)의 형상은 유기층 형성 물질을 정면 영역(A1)에서 스트라이프 영역들(SA)로 흐름을 유도하는데 유리할 수 있다.
도 22를 참고하면, 스페이서(SP)는 메인 댐(MD)과 접하여 위치할 수 있다. 평면도에서 스페이서(SP)는 메인 댐(MD)으로부터 정면 영역(A1) 쪽으로 돌출될 수 있다. 스페이서(SP)는 메인 댐(MD)보다 높게 형성될 수 있고, 발광층(EL)의 형성 시 사용되는 마스크를 지지하여 메인 댐(MD)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이와 같은 스페이서(SP)의 배치는 공정 산포 등의 이유로 스페이서(SP)를 메인 댐(MD)과 떨어지게 형성하는 것이 곤란할 경우일 수 있다.
도 23, 도 24 및 도 25는 각각 일 실시예에 따른 표시 패널(10)에서 경계 영역(BA) 부근의 개략적인 단면도이다. 봉지층(EN)의 유기층(EOL)에서 두께 변화 부분(VR)의 폭은 다양하게 변경될 수 있다. 도 23을 참고하면, 유기층(EOL)의 두께 변화 부분(VR)이 경계 영역(BA)과 동일하거나 거의 동일할 수 있다. 도 24를 참고하면, 유기층(EOL)의 두께 변화 부분(VR)이 경계 영역(BA) 내에 경계 영역보다 좁게 위치할 수 있다. 도 25를 참고하면, 유기층(EOL)의 두께 변화 부분(VR)이 경계 영역(BA)보다 넓게 위치할 수 있다. 어느 경우든, 유기층(EOL)의 두께 변화 부분(VR)이 경계 영역(BA)에 위치함으로써 정면 영역(A1)과 코너 영역(A3)의 경계가 시인되는 것을 최소화할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치가 포함할 수 있는 표시 패널(10)의 구성에 대해 정면 영역(A1)을 중심으로 설명한다. 다만, 정면 영역(A1)에서 코너 영역(A3)에 인접한 영역의 구조는 도 3 내지 도 5를 참고하여 전술한 바와 같을 수 있다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 패널의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 26에 도시된 단면은 대략 하나의 화소 영역에 대응할 수 있다.
표시 패널(10)은 기본적으로 기판(SB), 기판(SB) 위에 형성된 트랜지스터(TR), 그리고 트랜지스터(TR)에 연결되어 있는 발광 다이오드(LED)를 포함한다. 발광 다이오드(LED)는 화소에 대응할 수 있다.
기판(SB)은 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 고분자를 포함하는 플렉서블 기판일 수 있다.
기판(SB) 위에는 수분, 산소 등이 침투하는 것을 방지하는 배리어층(BR)이 위치할 수 있다. 배리어층(BR)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
배리어층(BR) 위에는 버퍼층(BF)이 위치할 수 있다. 버퍼층(BF)은 반도체층의 형성 시 기판(SB)으로부터 불순물을 차단하여 반도체층의 특성을 향상시키고, 기판(SB)의 표면을 평탄화하여 반도체층의 응력을 완화할 수 있다. 버퍼층(BF)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다. 버퍼층(BF)은 비정질 규소(Si)를 포함할 수도 있다.
버퍼층(BF) 위에는 트랜지스터(TR)의 반도체층(AL)이 위치할 수 있다. 반도체층(AL)은 제1 영역, 제2 영역 및 이들 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(AL)은 비정질 규소, 다결정 규소 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 반도체층(AL)은 저온다결정규소(LTPS)를 포함하거나, 아연(Zn),　인듐(In), 갈륨(Ga) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 반도체층(AL)은 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
반도체층(AL) 위에는 제1 게이트 절연층(GI1)이 위치할 수 있다. 제1 게이트 절연층(GI1)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI1) 위에는 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(GE), 게이트선(GL), 커패시터(CS)의 제1 전극(C1) 등을 포함할 수 있는 제1 게이트 도전층이 위치할 수 있다. 제1 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제1 게이트 도전층 위에는 제2 게이트 절연층(GI2)이 위치할 수 있다. 제2 게이트 절연층(GI2)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제2 게이트 절연층(GI2) 위에는 커패시터(CS)의 제2 전극(C2) 등을 포함할 수 있는 제2 게이트 도전층이 위치할 수 있다. 제2 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제2 게이트 절연층(GI2) 및 제2 게이트 도전층 위에는 층간 절연층(ILD)이 위치할 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
층간 절연층(ILD) 위에는 트랜지스터(TR)의 제1 전극(SE) 및 제2 전극(DE), 데이터선(DL) 등을 포함할 수 있는 제1 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 제1 전극(SE) 및 제2 전극(DE)은 절연층들(GI1, GI2, ILD)의 접촉 구멍들을 통해 반도체층(AL)의 제1 영역 및 제2 영역에 각각 연결될 수 있다. 제1 전극(SE) 및 제2 전극(DE) 중 하나는 소스 전극이고 다른 하나는 드레인 전극을 수 있다. 제1 데이터 도전층은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제1 데이터 도전층 위에는 유기 절연층일 수 있는 제1 평탄화층(VIA1)이 위치할 수 있다. 제1 평탄화층(VIA1) 위에는 전압선(VL), 연결선(CL) 등을 포함할 수 있는 제2 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 전압선(VL)은 구동 전압, 공통 전압, 초기화 전압, 기준 전압 등의 전압을 달할 수 있다. 연결선(CL)은 제1 평탄화층(VIA1)의 접촉 구멍을 통해 트랜지스터(TR)의 제2 전극(DE)에 연결될 수 있다. 제2 데이터 도전층은 금속을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제2 데이터 도전층 위에는 유기 절연층일 수 있는 제2 평탄화층(VIA2)이 위치할 수 있다.
제2 평탄화층(VIA2) 위에는 발광 다이오드(LED)의 제1 전극(E1)이 위치할 수 있다. 제1 전극(E1)은 화소 전극으로 불릴 수 있다. 제1 전극(E1)은 제2 평탄화층(VIA2)의 접촉 구멍을 통해 연결선(CL)과 연결될 수 있다. 따라서 제1 전극(E1)은 트랜지스터(TR)의 제2 전극(DE)과 전기적으로 연결되어 발광 다이오드의 휘도를 제어하는 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 제1 전극(E1)이 연결되는 트랜지스터(TR)는 구동 트랜지스터(driving transistor)이거나 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 트랜지스터일 수 있다. 제1 전극(E1)은 반사성 도전 물질 또는 반투과성 도전 물질로 형성될 수 있고, 투명한 도전 물질로 형성될 수도 있다. 제1 전극(E1)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극(E1)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au) 같은 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.
전술한 회로 소자층(CEL)은 버퍼층(BF)과 제1 평탄화층(VIA1) 사이에 위치하는 층들을 포함할 수 있고, 특히 트랜지스터(TR) 및 커패시터(CS)를 포함할 수 있다. 전술한 제1 패시베이션층(PAS1) 및/또는 제2 패시베이션층(PAS2)은 표시 패널(10)의 정면 영역(A1) 중 코너 영역(A3)에 인접한 영역 외에는 위치하지 않을 수 있다.
제2 평탄화층(VIA2) 위에는 유기 절연층일 수 있는 화소 정의층(PDL)이 위치할 수 있다. 화소 정의층(PDL)은 격벽으로 불릴 수 있고, 제1 전극(E1)과 중첩하는 개구를 가질 수 있다.
제1 전극(E1) 위에는 발광 다이오드(LED)의 발광층(EL)이 위치할 수 있다. 제1 전극(E1) 위에는 발광층(EL) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나가 위치할 수 있다.
발광층(EL) 위에는 발광 다이오드(LED)의 제2 전극(E2)이 위치할 수 있다. 제2 전극(E2)은 공통 전극으로 불릴 수 있다. 제2 전극(E2)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 일함수가 낮은 금속 또는 금속 합금으로 얇게 층을 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 제2 전극(E2)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
각 화소의 제1 전극(E1), 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)은 유기 발광 다이오드 같은 발광 다이오드(LED)를 이룬다. 제1 전극(E1)은 발광 다이오드의 애노드(anode)일 수 있고, 제2 전극(E2)은 발광 다이오드의 캐소드(cathode)일 수 있다.
제2 전극(E2) 위에는 캐핑층(CPL)이 위치할 수 있다. 캐핑층(CPL)은 굴절률 조정을 통해 광 효율을 향상시킬 수 있다. 캐핑층(CPL)은 제2 전극(E2)을 전체적으로 덮도록 위치할 수 있다. 캐핑층(CPL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있고, 무기 절연 물질을 포함할 수도 있다.
캐핑층(CPL) 위에는 봉지층(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)은 발광 다이오드(LED)를 봉지하여 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(EN)은 하나 이상의 무기층(EIL1, EIL2)과 하나 이상의 유기층(EOL)을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다.
봉지층(EN) 위에는 터치 전극들을 포함하는 터치 센서층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 터치 센서층 위에는 외광 반사를 줄이기 위한 반사 방지층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다.
기판(SB) 아래에는 표시 패널(10)을 보호하기 위한 보호 필름(protection film)(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 보호 필름 아래에는 쿠션층, 방열 시트, 차광 시트, 방수 테이프, 전자기 차단층 중 적어도 하나를 포함하는 기능성 시트(functional sheet)(도시되지 않음)가 위치할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 표시 장치 10: 표시 패널
20: 윈도우 30: 점착층
A1: 정면 영역 A2: 측면 영역
A3: 코너 영역 BA: 경계 영역
CD: 코너 댐 CL1: 코너 댐의 제1 층
CL2: 코너 댐의 제2 층 CL3: 코너 댐의 제3 층
E1: 발광 다이오드의 제1 전극 E2: 발광 다이오드의 제2 전극
EL: 발광 다이오드의 발광층 EIL1: 봉지층의 제1 무기층
EIL2: 봉지층의 제2 무기층 EN: 봉지층
EOL: 봉지층의 유기층 LED: 발광 다이오드
MD: 메인 댐 ML1: 메인 댐의 제1 층
ML2: 메인 댐의 제2 층 ML3: 메인 댐의 제3 층
PAS1: 제1 패시베이션층 PAS2: 제2 패시베이션층
PDL: 화소 정의층 SA: 스트라이프 영역
SB: 기판 SP: 스페이서
SL1: 스페이서의 제1 층 SL2: 스페이서의 제2 층
SL3: 스페이서의 제3 층 VIA1: 제1 평탄화층
VIA2: 제2 평탄화층

Claims (20)

  1. 정면 영역 및 상기 정면 영역의 코너에 위치하는 코너 영역을 포함하는 기판,
    상기 정면 영역에 위치하는 메인 댐, 그리고
    상기 코너 영역에 위치하는 코너 댐
    을 포함하며,
    상기 코너 영역은 복수의 스트라이프 영역을 포함하고,
    상기 코너 댐은 상기 메인 댐으로부터 연장하고 상기 복수의 스트라이프 영역의 가장자리를 따라 위치하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 복수의 스트라이프 영역은 서로 분리되어 있는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 정면 영역은 평면이고, 상기 코너 영역은 복곡면이며,
    상기 복수의 스트라이프 영역은 조합하여 상기 코너 영역의 복곡면을 형성하는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 복수의 스트라이프 영역 각각에 위치하는 상기 코너 댐의 부분들이 상기 메인 댐에 의해 연결되어 있는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 정면 영역 및 상기 복수의 스트라이프 영역에 위치하는 복수의 발광 다이오드, 그리고
    상기 복수의 발광 다이오드를 덮는 봉지층
    을 더 포함하며,
    상기 봉지층은 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 정면 영역과 상기 복수의 스트라이프 영역에 걸쳐 연속적으로 위치하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 기판의 상면을 기준으로 상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역에서보다 상기 코너 영역에서 낮은 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역과 상기 코너 영역의 경계 영역에서 변하는 표시 장치.
  8. 제5항에서,
    상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하며, 이웃하는 스트라이프 영역 사이의 절개부와 정렬되게 위치하는 적어도 하나의 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 스페이서의 높이가 상기 메인 댐의 높이보다 높은 표시 장치.
  10. 제8항에서,
    상기 스페이서는 상기 유기층에 의해 덮여 있는 표시 장치.
  11. 제8항에서,
    상기 스페이서는 다각형, 원형, 또는 반원형의 평면 형상을 가지는 표시 장치.
  12. 제8항에서,
    상기 스페이서는 상기 메인 댐으로부터 떨어져 있거나, 상기 메인 댐과 접하는 표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 메인 댐 및 상기 코너 댐은 각각 순차적으로 적층된 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함하고, 상기 제1 층 및 상기 제3 층은 유기 절연 물질을 포함하고, 상기 제2 층은 무기 절연 물질을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제2 층은 상기 제1 층의 상단부의 양측으로 돌출되어 있는 표시 장치.
  15. 정면 영역 및 상기 정면 영역의 코너에 위치하는 코너 영역을 포함하는 기판,
    상기 정면 영역 및 상기 코너 영역에 위치하는 복수의 발광 다이오드,
    상기 복수의 발광 다이오드를 덮으며 유기층 및 무기층을 포함하는 봉지층
    을 포함하며,
    상기 기판의 상면을 기준으로 상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역에서보다 상기 코너 영역에서 낮은 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 유기층은 상기 정면 영역과 상기 코너 영역에 걸쳐 연속적으로 위치하는 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 유기층의 높이가 상기 정면 영역과 상기 코너 영역의 경계 영역에서 점진적으로 변하는 표시 장치.
  18. 제15항에서,
    상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하는 제1 발광 다이오드와 상기 코너 영역에서 상기 제1 발광 다이오드에 인접하게 위치하는 제2 발광 다이오드 간의 간격이 상기 정면 영역에서 인접하게 위치하는 발광 다이오들 간의 간격과 동일한 표시 장치.
  19. 제15항에서,
    상기 정면 영역에 위치하는 메인 댐, 그리고
    상기 코너 영역에 위치하는 코너 댐
    을 더 포함하며,
    상기 코너 영역은 복수의 절개부에 의해 분리된 복수의 스트라이프 영역을 포함하고,
    상기 메인 댐과 상기 코너 댐은 연속적으로 형성되어 있는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 정면 영역에서 상기 코너 영역에 인접하게 위치하며, 상기 메인 댐보다 높은 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
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