KR20220045708A - Gas injection element for deposition equipment and deposition equipment having the same - Google Patents

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KR20220045708A KR1020200128651A KR20200128651A KR20220045708A KR 20220045708 A KR20220045708 A KR 20220045708A KR 1020200128651 A KR1020200128651 A KR 1020200128651A KR 20200128651 A KR20200128651 A KR 20200128651A KR 20220045708 A KR20220045708 A KR 20220045708A
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안범모
엄영흠
강신구
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(주)포인트엔지니어링
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Abstract

The present invention relates to a gas injection member for deposition equipment, and deposition equipment having the same. The gas injection member enables uniform thickness of a film to be formed on a substrate to be processed.

Description

증착 장비용 가스분사부재 및 이를 구비하는 증착 장비{GAS INJECTION ELEMENT FOR DEPOSITION EQUIPMENT AND DEPOSITION EQUIPMENT HAVING THE SAME}Gas injection member for deposition equipment and deposition equipment having the same

본 발명은 증착 장비용 가스분사부재 및 이를 포함하는 증착 장비에 관한 것으로서, 특히, 반도체 또는 디스플레이 제조 공정에 사용되는 증착 장비용 가스분사부재 및 이를 구비하는 증착 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injection member for deposition equipment and deposition equipment including the same, and more particularly, to a gas injection member for deposition equipment used in a semiconductor or display manufacturing process and deposition equipment having the same.

반도체 또는 디스플레이 제조 장치, 예를 들면 박막 증착 장비나, 에칭 처리 장비 등은 대상물을 제조하기 위해서, 피처리 기판에 대하여 처리 가스에 의해 박막 처리 등의 소정의 처리를 실행하기 위한 반응 용기를 가진다.A semiconductor or display manufacturing apparatus, for example, thin film deposition equipment, etching processing equipment, etc. has a reaction vessel for performing predetermined processing such as thin film processing with a processing gas on a substrate to be processed in order to manufacture an object.

일반적으로, 박막 증착 장비는 가스와 기판 간의 반응을 통해 박막을 형성하는 장비로서, 예를 들어 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 이용하여 공정을 수행한다. 이러한 박막 증착 장비는 외부로부터 유입되는 가스를 균일하게 공급하기 위하여 가스분사부재를 구비한다. 가스분사부재는 박막 증착 장비의 프로세스 챔버 내에서 기판의 상측에 대향되게 설치되고, 일정 간격으로 형성된 가스홀들을 통해서 가스를 프로세스 챔버 내로 공급하도록 한다. 증착 공정은, 진공 조건을 유지한 채 반응 용기에 RF 파워를 인가하여 히터가 매립된 지지대 위에 안착된 피처리 기판에 열을 전달하고, 플라즈마 상태를 유지한 상태에서 가스분사부재를 통해 반응 가스를 공급하여 원하는 막질을 얻는 공정으로 진행된다. 이러한 증착 공정은 300℃이상의 비교적 고온에서 이루어진다.In general, thin film deposition equipment is equipment for forming a thin film through a reaction between a gas and a substrate, and performs a process using, for example, chemical vapor deposition (CVD). Such thin film deposition equipment includes a gas injection member in order to uniformly supply a gas introduced from the outside. The gas injection member is installed opposite to the upper side of the substrate in the process chamber of the thin film deposition equipment, and supplies gas into the process chamber through gas holes formed at regular intervals. In the deposition process, RF power is applied to the reaction vessel while maintaining the vacuum condition, heat is transferred to the target substrate seated on the support in which the heater is embedded, and the reaction gas is supplied through the gas injection member while maintaining the plasma state. It proceeds to the process of obtaining the desired film quality by supplying it. This deposition process is performed at a relatively high temperature of 300°C or higher.

하지만 피처리 기판 내지 피처리 기판 주변의 온도가 균일하지 않게 되면 피처리 기판 상에 형성되는 막질의 두께가 일정하게 형성되지 않는 문제점을 야기하게 된다.However, if the temperature of the substrate to be processed or around the substrate to be processed is not uniform, the thickness of the film formed on the substrate to be processed is not uniformly formed.

한국등록특허 제10-0687530호Korean Patent Registration No. 10-0687530

본 발명은 피처리 기판 상에 피막의 두께가 일정하게 형성되도록 하는 증착 장비용 가스분사부재 및 이를 구비하는 증착 장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a gas ejection member for deposition equipment that allows a constant thickness of a film to be formed on a substrate to be processed, and deposition equipment having the same.

본 발명의 일 특징에 따른 증착 장비는, 피처리 기판의 표면에 피막을 증착하는 증착 장비에 있어서, 상기 피처리 기판을 수용하는 반응 용기; 상기 반응 용기 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지대; 및 상기 지지대의 상면에서 상기 지지대에 대향되게 구비되는 가스분사부재를 포함하고, 상기 가스분사부재의 적어도 일부에서의 방사율은 상기 가스분사부재의 적어도 다른 부분에서의 방사율과 차이가 있는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus for depositing a film on a surface of a target substrate, comprising: a reaction vessel accommodating the target substrate; a support for supporting the target substrate in the reaction vessel; and a gas injection member provided to face the support on the upper surface of the support, wherein the emissivity of at least a part of the gas injection member is different from the emissivity of at least another part of the gas injection member .

또한, 상기 가스분사부재의 표면에는 상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속을 양극산화하여 형성되는 양극산화피막을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the surface of the gas injection member is characterized in that it includes an anodization film formed by anodizing a base metal constituting the gas injection member.

또한, 상기 양극산화피막은 상기 모재 금속의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖도록 상기 양극산화피막의 표면에 기공이 형성되지 않는 배리어막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the anodized film is characterized in that it is composed of a barrier film in which pores are not formed on the surface of the anodized film to have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal.

또한, 상기 가스분사부재의 제1영역에 형성되는 제1조도 범위; 및 상기 가스분사부재의 제2영역에 형성되는 제2조도 범위;를 포함하고, 상기 제1조도 범위와 상기 제2조도 범위의 차이로 인하여 상기 제1, 2영역에서의 방사율에 차이가 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the first illuminance range formed in the first region of the gas injection member; and a second illuminance range formed in the second region of the gas injection member, wherein there is a difference in emissivity in the first and second regions due to the difference between the first illuminance range and the second illuminance range characterized.

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면 중앙에 위치하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며 상기 제2영역의 방사율이 상기 제1영역의 방사율보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first region is located in the center of the lower surface of the gas injection member, the second region is located outside the first region in a region surrounding the first region, the emissivity of the second region is the first region It is characterized in that the emissivity is greater than the

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재에 형성된 가스홀이 형성된 영역이고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며, 상기 제2영역의 방사율이 상기 제1영역의 방사율보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first region is a region in which a gas hole formed in the gas injection member is formed, and the second region is located in a region surrounding the first region from the outside of the first region, and the emissivity of the second region is It is characterized in that it is greater than the emissivity of the first region.

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면이고, 상기 제2영역은 상기 가스분사부재의 측면이며, 상기 제1영역의 방사율이 상기 제2영역의 방사율보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first region is a lower surface of the gas ejection member, the second region is a side surface of the gas ejection member, characterized in that the emissivity of the first region is greater than the emissivity of the second region.

또한, 상기 가스분사부재의 측면에는 형성되지 않고 상기 가스분사부재의 하면에만 형성되는 양극산화피막을 포함하고, 상기 가스분사부재의 측면의 방사율이 상기 가스분사부재의 하면의 방사율보다 낮은 것을 특징으로 한다.In addition, it comprises an anodized film formed only on the lower surface of the gas ejection member, not on the side surface of the gas ejection member, wherein the emissivity of the side surface of the gas ejection member is lower than the emissivity of the lower surface of the gas ejection member. do.

또한, 상기 제1조도 범위는 1.0㎛초과 1.0㎛ 이하이고, 상기 제2조도 범위는 1.0㎛ 초과 10㎛이하인 것을 특징으로 한다.In addition, the first roughness range is greater than 1.0 µm and less than or equal to 1.0 µm, and the second roughness range is greater than 1.0 µm and less than or equal to 10 µm.

본 발명의 다른 특징에 따른 증착 장비용 가스분사부재는, 피처리 기판의 표면에 피막을 증착을 하는 증착 장비용 가스분사부재에 있어서, 상기 가스분사부재의 적어도 일부에서의 방사율은 상기 가스분사부재의 적어도 다른 부분에서의 방사율과 차이가 있는 것을 특징으로 한다.A gas injection member for deposition equipment according to another aspect of the present invention is a gas injection member for deposition equipment that deposits a film on a surface of a target substrate, wherein the emissivity of at least a part of the gas injection member is the gas injection member It is characterized in that there is a difference with the emissivity in at least another part of the.

또한, 상기 가스분사부재의 표면에는 상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속을 양극 산화하여 형성되는 양극산화피막을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the surface of the gas injection member is characterized in that it includes an anodization film formed by anodizing a base metal constituting the gas injection member.

또한, 상기 양극산화피막은 상기 모재 금속의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖도록 양극산화피막 표면에 기공이 형성되지 않는 배리어막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the anodized film is characterized in that it is composed of a barrier film in which pores are not formed on the surface of the anodized film so as to have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal.

또한, 상기 가스분사부재의 제1영역에 형성되는 제1조도 범위; 및 상기 가스분사부재의 제2영역에 형성되는 제2조도 범위;를 포함하고, 상기 제1조도 범위와 상기 제2조도 범위는 서로 차이가 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the first illuminance range formed in the first region of the gas injection member; and a second illuminance range formed in the second region of the gas injection member, wherein the first illuminance range and the second illuminance range are different from each other.

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면 중앙에 위치하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역이며, 상기 제2조도 범위가 상기 제1조도 범위보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first area is located in the center of the lower surface of the gas injection member, the second area is an area surrounding the first area from the outside of the first area, the second intensity range is greater than the first intensity range characterized by a large

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재에 형성된 가스홀이 형성된 영역이고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며, 상기 제2조도 범위가 상기 제1조도 범위보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first region is a region in which a gas hole formed in the gas injection member is formed, the second region is located outside the first region and is located in a region surrounding the first region, and the second illuminance range is the Article 1 is characterized in that it is larger than the scope.

또한, 상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면이고, 상기 제2영역은 상기 가스분사부재의 측면이며, 상기 제1조도 범위가 상기 제2조도 범위보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, the first region is a lower surface of the gas injection member, the second region is a side surface of the gas injection member, it characterized in that the first intensity range is greater than the second intensity range.

본 발명의 다른 특징에 따른 증착 장비용 가스분사부재는, 피처리 기판의 표면에 피막을 증착하는 증착 장비용 가스분사부재에 있어서, 상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속; 및 상기 모재 금속 표면의 제1조도 범위를 갖는 제1영역과 제2조도 범위를 갖는 제2영역 상에 형성되되, 상기 모재 금속의 상기 제1조도 범위와 상기 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 그 표면에서 갖도록 상기 모재 금속을 양극 산화하여 형성하되 그 표면에 기공이 형성되지 않은 배리어막;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a gas injection member for deposition equipment for depositing a film on a surface of a target substrate, comprising: a base metal constituting the gas injection member; and a first area having a first roughness range and a second area having a second roughness range of the surface of the base metal, the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal It characterized in that it comprises a; barrier film formed by anodizing the base metal so as to have on the surface, but no pores are formed on the surface.

또한, 상기 배리어막 상에 형성되는 보호막을 더 포함하되, 상기 보호막은, 알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨, 에르븀, 티타늄 및 탄탈늄 중 적어도 어느 하나인 전구체 가스와, 상기 내식층을 형성할 수 있는 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성되되, 상기 모재 금속의 제1조도 범위 와 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 그 표면에서 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, further comprising a protective film formed on the barrier film, the protective film, a precursor gas of at least one of aluminum, silicon, hafnium, zirconium, yttrium, erbium, titanium and tantalum, and to form the corrosion resistance layer It is formed by alternately supplying a reactant gas that can be used, characterized in that it has the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal on its surface.

또한, 상기 배리어막 상에 형성되는 보호막을 더 포함하되, 상기 보호막은, 알루미늄 산화물층, 이트륨 산화물층, 하프늄 산화물층, 실리콘 산화물층, 에르븀 산화물층, 지르코늄 산화물층, 플루오르화층, 전이금속층, 티타늄 질화물층, 탄탈륨 질화물층 및 지르코늄 질화물층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, further comprising a protective film formed on the barrier film, the protective film, an aluminum oxide layer, a yttrium oxide layer, a hafnium oxide layer, a silicon oxide layer, an erbium oxide layer, a zirconium oxide layer, a fluoride layer, a transition metal layer, titanium It characterized in that it comprises at least one of a nitride layer, a tantalum nitride layer, and a zirconium nitride layer.

본 발명의 다른 특징에 따른 증착 장비용 가스분사부재는, 상기 가스분사부재의 하면 내측 영역에 위치하며 제1조도 범위를 가지는 제1영역; 상기 제1영역의 외측에 위치하며 제2조도 범위를 가지는 제2영역; 및 상기 제1영역과 상기 제2영역 상에 형성되는 양극산화피막;을 포함하고, 상기 제1영역과 상기 제2영역의 방사율은 차이가 있는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a gas injection member for deposition equipment, comprising: a first region located in an inner region of a lower surface of the gas injection member and having a first illuminance range; a second region located outside the first region and having a second illuminance range; and an anodized film formed on the first region and the second region, wherein the emissivity of the first region and the second region is different.

본 발명의 증착 장비는, 피처리 기판의 표면에 피막 증착 공정을 수행함에 있어서, 본 발명의 증착 장비용 가스분사부재를 이용함에 따라 피처리 기판의 표면에 형성되는 피막의 두께가 어느 부분에서 두껍게 형성되는 문제를 방지할 수 있고, 신뢰도 높은 증착 공정을 수행하여 피처리 기판의 불량 문제를 최소화하고, 제조 공정 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In the deposition equipment of the present invention, in performing the film deposition process on the surface of the substrate, the thickness of the film formed on the surface of the substrate to be processed is thickened at any part by using the gas injection member for the deposition equipment of the present invention. It is possible to prevent the formation problem, and by performing a highly reliable deposition process, there is an effect of minimizing the defect problem of the target substrate and improving the manufacturing process yield.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비를 개략적으로 도시한 도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재를 개략적으로 도시한 도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재를 개략적으로 도시한 도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재를 개략적으로 도시한 도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재를 개략적으로 도시한 도이다.1 is a diagram schematically illustrating a deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically illustrating a gas injection member for deposition equipment according to a first exemplary embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating a gas injection member for deposition equipment according to a second preferred embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically illustrating a gas injection member for deposition equipment according to a third preferred embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically illustrating a gas injection member for deposition equipment according to a fourth preferred embodiment of the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following is merely illustrative of the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can devise various devices that, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the spirit and scope of the invention. In addition, all conditional terms and examples listed herein are, in principle, explicitly intended for the purpose of understanding the inventive concept, and should be understood as not limited to the specifically enumerated embodiments and states.

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in relation to the accompanying drawings, and accordingly, those of ordinary skill in the art to which the invention pertains will be able to easily practice the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 폭 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and/or perspective views, which are ideal illustrative drawings of the present invention. The widths and thicknesses of regions shown in these drawings are exaggerated for effective description of technical content. The shape of the illustrative drawing may be modified due to manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in the form generated according to the manufacturing process.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)를 개략적으로 도시한 도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)를 구성하는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)를 개략적으로 도시한 도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)를 구성하는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)를 개략적으로 도시한 도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)를 구성하는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)를 개략적으로 도시한 도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)를 구성하는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)를 개략적으로 도시한 도이다.1 is a diagram schematically illustrating a deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a first preferred embodiment of the present invention constituting the deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention. A diagram schematically showing a gas injection member SA1 for deposition equipment according to an example, and FIG. 3 is a deposition according to a second preferred embodiment of the present invention constituting the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention. It is a view schematically showing a gas injection member SA2 for equipment, and FIG. 4 is a gas injection for deposition equipment according to a third preferred embodiment of the present invention constituting the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention. It is a view schematically showing the member SA3, and FIG. 5 is a gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention constituting the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention. is a diagram schematically showing

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는 일 예로서, 반도체 제조 공정 장비일 수 있고, 디스플레이 제조 공정 장비일 수도 있다.The deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention may be, for example, a semiconductor manufacturing process equipment or a display manufacturing process equipment.

이하에서는, 일 예로서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)가 반도체 또는 디스플레이 제조 공정에서 이용되는 CVD 장비일 수 있다.Hereinafter, as an example, the deposition equipment 100 according to a preferred embodiment of the present invention may be a CVD equipment used in a semiconductor or display manufacturing process.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 피처리 기판(103)을 수용하는 반응 용기(101), 반응 용기(101) 내에서 피처리 기판(103)을 지지하는 지지대(102), 지지대(102)의 상면에서 지지대(102)에 대향되게 구비되는 가스분사부재(SA)를 포함하여 구성될 수 있다. 일 예로서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)가 반도체 제조 공정에 이용되는 CVD 장비일 경우, 반응 용기(101)는 공정 챔버일 수 있고, 피처리 기판(103)은 웨이퍼일 수 있고, 피처리 기판(103)을 지지하는 지지대(102)는, 내부에 매립 히터가 구비되는 세라믹 히터일 수 있다.As shown in FIG. 1 , the deposition apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention includes a reaction vessel 101 accommodating a target substrate 103 , and a target substrate 103 in the reaction vessel 101 . ) may be configured to include a support 102 for supporting, a gas injection member SA provided to face the support 102 on the upper surface of the support 102 . For example, when the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention is a CVD equipment used in a semiconductor manufacturing process, the reaction vessel 101 may be a process chamber, and the target substrate 103 may be a wafer. The support 102 supporting the target substrate 103 may be a ceramic heater having a buried heater therein.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는 가스 공급부를 통해 반응 용기(101) 내부로 공급된 가스를 가스분사부재(SA)를 통해 피처리 기판(103)으로 분사하여 피처리 기판(103)의 표면에 피막을 증착하는 공정을 수행할 수 있다.The deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention injects the gas supplied into the reaction vessel 101 through the gas supply unit to the target substrate 103 through the gas injection member SA to the target substrate ( 103), a process of depositing a film on the surface may be performed.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는 표면의 영역별로 방사율의 차이가 있는 가스분사부재(SA)를 구비하여 피처리 기판(103)의 표면에 피막을 증착하는 공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는 적어도 일부에서의 방사율이 적어도 다른 부분에서의 방사율과 차이가 있는 가스분사부재(SA)를 구비하여 피처리 기판(103)상에 형성되는 피막의 두께 중 적어도 일부가 두껍게 형성되는 문제를 방지할 수 있다. The deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention includes a gas injection member SA having a difference in emissivity for each area of the surface to perform a process of depositing a film on the surface of the substrate 103 to be processed. there is. Specifically, the deposition apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention is provided with a gas injection member SA having a different emissivity from the emissivity of at least one part in at least another part on the target substrate 103 . It is possible to prevent a problem that at least a portion of the thickness of the formed film is formed thick.

일 예로서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)에 구비되는 가스분사부재(SA)는 도 2 내지 도 5에 도시되는 본 발명의 바람직한 제1실시 예 내지 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4)를 포함하고, 제1실시 예 내지 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4) 중 적어도 하나일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 본 발명의 바람직한 제1실시 예 내지 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4) 중 적어도 하나를 구비하여 피처리 기판(103)상에 피막의 두께를 균일하게 형성시킬 수 있다.As an example, the gas injection member SA provided in the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention is shown in FIGS. 2 to 5 according to the first to fourth preferred embodiments of the present invention. It may include at least one of the gas injection members SA1, SA2, SA3, SA4 for deposition equipment, and at least one of the gas injection members SA1, SA2, SA3, SA4 for deposition equipment according to the first to fourth embodiments. there is. The deposition apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention includes at least one of the gas injection members SA1, SA2, SA3, and SA4 for the deposition equipment according to the first to fourth embodiments of the present invention. Thus, the thickness of the film can be uniformly formed on the target substrate 103 .

먼저, 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)에 대해 상세히 설명한다. 도 2에서는 제1조도 범위와 제2조도 범위의 차이를 설명하기 위해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 제2영역(F2)의 표면 거칠기의 크기가 제1영역(F1)의 표면 거칠기의 크기보다 과장되게 도시된다.First, a gas injection member SA1 for deposition equipment according to a first preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 . In FIG. 2 , in order to explain the difference between the first illuminance range and the second illuminance range, the size of the surface roughness of the second region F2 of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention is shown. The size of the surface roughness of the first region F1 is shown to be exaggerated.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 복수의 가스홀(h)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2 , the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of gas holes h.

도 2에 도시된 바와 같이, 일 예로서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 가스홀(h)이 형성되는 바디부(10b)와, 바디부(10b)로부터 상측으로 연장되는 측부(10a)를 포함하여 형성될 수 있다. 측부(10a)는 일 예로서, 단부가 절곡되는 형상으로 구비될 수 있다. 다만, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 바디부(10b) 및 측부(10a)로 구성되는 형상은 일 예로서 도시되는 것이므로, 가스홀(h)을 포함하는 다른 형상으로 구비될 수도 있다.As shown in FIG. 2 , as an example, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention includes a body portion 10b in which a gas hole h is formed, and a body portion ( It may be formed to include a side portion 10a extending upwardly from 10b). As an example, the side portion 10a may be provided in a shape in which an end is bent. However, since the shape of the body portion 10b and the side portion 10a of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention is illustrated as an example, the gas hole h It may be provided in other shapes including.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 모재 금속(BM)으로 구성될 수 있다. 모재 금속(BM)은, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 및 아연과 이들의 합금 등을 포함할 수 있다.The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may be made of a base metal BM. The base metal BM may include aluminum, titanium, tungsten, zinc, and alloys thereof.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 복수의 가스홀(h)을 통해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100) 내부로 공급된 가스를 균일하게 분사할 수 있다.The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, through the plurality of gas holes h, the gas supplied into the deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention. It can be sprayed evenly.

반응 용기(101) 내부로 공급된 가스는, 플라즈마 상태의 가스로서 강한 부식성과 침식성을 갖는다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 플라즈마 가스에 노출되는 표면이 표면 처리될 수 있다.The gas supplied into the reaction vessel 101 is a gas in a plasma state and has strong corrosive and corrosive properties. Accordingly, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first exemplary embodiment of the present invention, the surface exposed to the plasma gas may be surface-treated.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 가스분사부재(SA1)를 구성하는 모재 금속(BM)을 양극 산화하여 표면에 양극산화피막(A)이 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 양극산화피막(A)에 의해 플라즈마 가스에 노출되는 표면의 부식이 방지될 수 있다.In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, an anodization film A is provided on the surface by anodizing the base metal BM constituting the gas injection member SA1. can In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, corrosion of the surface exposed to the plasma gas can be prevented by the anodization film A. As shown in FIG.

양극산화피막(A)은 모재 금속(BM)의 표면에 구비되어 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 바디부(10b) 및 측부(10a)에 포함될 수 있다.The anodization film (A) is provided on the surface of the base metal (BM) and may be included in the body portion 10b and the side portion 10a of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first embodiment of the present invention. there is.

피처리 기판(103)의 표면에 피막을 형성하는 공정을 수행할 때, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 표면에도 동일한 피막이 부착될 수 있다. 이 때, 양극산화피막(A)이 구비되지 않을 경우, 모재 금속(BM)의 표면에 피막이 직접 부착될 수 있다. 그런데, 모재 금속(BM)과 피막은 열팽창률에 차이가 있기 때문에 고온의 공정에 노출될 경우, 서로 다른 열팽창률로 인해 박리 현상이 발생할 수 있다.When the process of forming a film on the surface of the target substrate 103 is performed, the same film may be attached to the surface of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first exemplary embodiment of the present invention. At this time, when the anodized film A is not provided, the film may be directly attached to the surface of the base metal BM. However, since the base metal (BM) and the coating have different coefficients of thermal expansion, peeling may occur due to different coefficients of thermal expansion when exposed to a high-temperature process.

하지만, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 표면에 양극산화피막(A)을 구비할 수 있다. 양극산화피막(A)은, 모재 금속(BM)과 피막 사이에 구비되어 모재 금속(BM)과 피막 간의 열팽창률 차이를 완화할 수 있다. 이로 인해 고온의 공정에 노출될 경우, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)와, 그 표면에 부착되는 피막 간의 온도에 의한 박리 문제가 방지될 수 있다.However, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may have an anodization film A on its surface. The anodized film (A) is provided between the base metal (BM) and the film to alleviate the difference in the coefficient of thermal expansion between the base metal (BM) and the film. Due to this, when exposed to a high-temperature process, a problem of peeling due to temperature between the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention and the film attached to the surface thereof can be prevented.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 모재 금속(BM)의 표면에 양극산화피막(A)을 구비하기 전에, 모재 금속(BM)의 표면의 적어도 일부의 영역을 블라스팅하는 과정이 수행될 수 있다. 블라스팅 과정에 따라 모재 금속(BM)의 표면은 블라스팅 과정이 수행된 영역 및 블라스팅 과정이 수행되지 않은 영역이 서로 다른 조도 범위를 갖게 된다.Gas injection member (SA1) for deposition equipment according to a first preferred embodiment of the present invention, before the anodization film (A) is provided on the surface of the base metal (BM), at least a portion of the surface of the base metal (BM) A process of blasting an area of may be performed. According to the blasting process, the surface of the base metal BM has different roughness ranges in the area where the blasting process is performed and the area where the blasting process is not performed.

모재 금속(BM)은 표면의 블라스팅 과정 이후에 표면 세정 과정이 수행된 후, 양극산화피막(A)이 형성되는 과정이 수행될 수 있다.After the surface cleaning process is performed after the surface blasting process of the base metal BM, the process of forming the anodization film A may be performed.

양극산화피막(A)은, 모재 금속(BM)을 양극 산화하는 과정에서 가장 먼저 생성되는, 기공이 형성되지 않는 배리어막(B)으로 구성될 수 있다. 배리어막(B)은 기공이 형성되지 않는 비다공성 구조일 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 표면에 비다공성 구조의 배리어막(B)으로 구성되는 양극산화피막(A)을 구비함으로써, 표면의 기공을 통해 외부 이물질이 유입되는 문제를 방지할 수 있다. The anodized film (A) may be composed of a barrier film (B) in which pores are not formed, which is first generated in the process of anodizing the base metal (BM). The barrier layer B may have a non-porous structure in which pores are not formed. The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention has an anodized film A composed of a barrier film B having a non-porous structure on its surface, so that the outside through pores on the surface It is possible to prevent the problem of foreign substances from entering.

또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 배리어막(B)으로 구성되는 양극산화피막(A)에 의해 가스분사부재(SA1) 내부에 잔존하는 파티클이 외부로 분출되는 문제를 방지할 수 있다.In addition, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the particles remaining inside the gas injection member SA1 are prevented by the anodization film A composed of the barrier film B. It is possible to prevent the problem of ejection to the outside.

보다 상세히 설명하면, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)와는 달리, 표면에 기공이 형성되는 피막이 형성되는 가스분사부재의 경우, 표면의 기공을 통해 가스분사부재의 기공 내부에 잔존하는 파티클이 피처리 기판(103)상으로 분출될 수 있다. 이는 피처리 기판(103)의 오염 및 불량 문제를 야기하고, 제조 공정의 생산 수율을 저하시키는 문제를 발생시킬 수 있다.In more detail, in the case of a gas injection member in which a film having pores formed on the surface is formed, unlike the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the gas injection member passes through the pores on the surface. Particles remaining inside the pores of the substrate 103 may be ejected onto the target substrate 103 . This may cause problems of contamination and defects of the target substrate 103 , and may cause a problem of lowering the production yield of the manufacturing process.

하지만 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 비다공성 구조의 배리어막(B)으로 구성되는 양극산화피막(A)을 표면에 구비함으로써, 피처리 기판(103)상으로 가스분사부재(SA1) 내부의 파티클이 분출되는 문제를 방지할 수 있다. 이로 인해 피처리 기판(103)의 오염 및 불량 문제가 최소화된 고품질 생산 공정이 가능하고, 나아가 제조 공정의 생산 수율을 향상시키는 효과를 발휘할 수 있다. However, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, an anodization film A composed of a barrier film B having a non-porous structure is provided on the surface, so that the target substrate 103 ), it is possible to prevent the problem that the particles inside the gas injection member (SA1) are ejected. Accordingly, a high-quality production process in which the problem of contamination and defects of the target substrate 103 is minimized is possible, and further, it is possible to exhibit the effect of improving the production yield of the manufacturing process.

배리어막(B)은 모재 금속(BM)의 상부에 일정한 두께로 형성되되, 모재 금속(BM)의 표면을 따라서 형성될 수 있다. 따라서, 배리어막(B)으로 구성되는 양극산화피막(A)은, 모재 금속(BM)의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖도록 형성될 수 있다. 이 때, 모재 금속(BM)의 표면은 블라스팅 과정이 수행된 영역 및 블라스팅 과정이 수행되지 않은 영역에서의 조도 범위가 다를 수 있다. 따라서 양극산화피막(A)은 모재 금속(BM)의 표면의 구비되는 영역에 따라 조도 범위가 다를 수 있다.The barrier layer B is formed on the base metal BM to a predetermined thickness, and may be formed along the surface of the base metal BM. Accordingly, the anodized film A composed of the barrier film B may be formed to have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal BM. In this case, the surface of the base metal BM may have a different roughness range in the area where the blasting process is performed and the area where the blasting process is not performed. Therefore, the roughness range of the anodized film (A) may be different depending on a region provided on the surface of the base metal (BM).

일 예로서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 모재 금속(BM)의 표면 중 하면의 영역의 적어도 일부의 영역이 블라스팅 됨으로써, 표면의 조도 범위가 서로 다르게 형성될 수 있다.As an example, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first embodiment of the present invention, at least a portion of the region of the lower surface of the surface of the base metal BM is blasted, so that the roughness range of the surface is They may be formed differently.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 표면의 조도 범위가 서로 다르게 형성됨으로써 영역이 구분될 수 있다.In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, regions can be divided by having different roughness ranges of the surfaces thereof.

일 예로서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 제1영역(F1) 및 제2영역(F2)으로 구분될 수 있다. 제1영역(F1)에는 제1조도 범위가 형성될 수 있고, 제2영역(F2)에는 제2조도 범위가 형성될 수 있다. As an example, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may be divided into a first area F1 and a second area F2. A first illuminance range may be formed in the first region F1 , and a second illuminance range may be formed in the second region F2 .

제1조도 범위는, 바람직하게는, 0.1㎛ 초과 1.0㎛ 이하이고, 제2조도 범위는, 바람직하게는, 1.0㎛ 초과 10㎛이하일 수 있다.The first roughness range may be preferably greater than 0.1 µm and less than or equal to 1.0 µm, and the second roughness range may be preferably greater than 1.0 µm and less than or equal to 10 µm.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 제1조도 범위와 제2조도 범위의 차이로 인하여 제1, 2영역(F1, F2)에서의 방사율에 차이가 발생할 수 있다.The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention has a difference in emissivity in the first and second regions F1 and F2 due to the difference between the first illuminance range and the second illuminance range. can occur

일 예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 가스분사부재(SA1)에 형성된 가스홀(h)이 형성된 영역이 제1영역(F1)이고, 제1영역(F1)의 외측에서 제1영역(F1)을 감싸는 영역에 위치하는 영역이 제2영역(F2)일 수 있다.As an example, as shown in FIG. 2 , in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the region in which the gas hole h formed in the gas injection member SA1 is formed. The first area F1 may be a second area F2 that is located outside the first area F1 and surrounds the first area F1 .

제1영역(F1)은 복수의 가스홀(h)을 포함하는 영역일 수 있다. 제2영역(F2)은 복수의 가스홀(h)을 포함하는 제1영역(F1)을 외측에서 감싸는 위치에서 가스홀(h)이 형성되지 않는 가스홀 미형성 영역(NH)일 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 제1조도 범위를 갖는 제1영역(F1)이 도 2의 도면상 가스분사부재(SA1)의 하면 내측 영역에 위치할 수 있다. 제2조도 범위를 갖는 제2영역(F2)은 제1영역(F1)을 외측에서 감싸는 위치의 영역이므로, 도 2의 도면상 가스분사부재(SA1)의 하면 외측 영역에 위치할 수 있다.The first region F1 may be a region including a plurality of gas holes h. The second region F2 may be a gas hole non-forming region NH in which the gas hole h is not formed at a position surrounding the first region F1 including the plurality of gas holes h from the outside. In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the first area F1 having the first illuminance range is located in the inner area of the lower surface of the gas injection member SA1 in the drawing of FIG. 2 . can do. Since the second area F2 having the second illuminance range is an area surrounding the first area F1 from the outside, it may be located in the area outside the lower surface of the gas injection member SA1 in the drawing of FIG. 2 .

이 때, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 제1영역(F1)에서의 제1조도 범위와 제2영역(F2)에서의 제2조도 범위의 차이로 인하여 제1영역(F1) 및 제2영역(F2)에서의 방사율에 차이가 있을 수 있다. At this time, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention has a first illuminance range in the first region F1 and a second illuminance range in the second region F2. Due to the difference, there may be a difference in emissivity in the first region F1 and the second region F2 .

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 어느 일 부분에서의 조도 범위가 다른 부분에서의 조도 범위보다 크도록 영역을 설정할 수 있다. 이는 표면의 조도 범위가 영역별로 차이를 갖도록 모재 금속(BM)의 표면의 적어도 일부 영역에 블라스팅 과정을 수행함으로써 구현될 수 있다. 다시 말해, 모재 금속(BM)의 표면의 적어도 일부 영역을 블라스팅하는 과정에서, 블라스팅이 수행된 영역은, 블라스팅이 수행되지 않은 다른 영역보다 조도 범위가 크게 형성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 제조 과정에서 조도 범위를 크게 형성하려고 하는 영역을 블라스팅함으로써, 다른 부분보다 조도 범위를 크게 할 어느 일 부분을 설정할 수 있다. 이로 인해 증착 공정 수행에 있어서, 부분적으로 방사율을 크게 형성하는 것이 가능할 수 있다.The region of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may be set so that the illuminance range in one part is greater than the illuminance range in another part. This may be implemented by performing a blasting process on at least a partial area of the surface of the base metal BM so that the roughness range of the surface is different for each area. In other words, in the process of blasting at least a partial region of the surface of the base metal BM, the blasting region may have a larger roughness range than other regions in which blasting is not performed. In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, by blasting an area where the illuminance range is to be formed larger in the manufacturing process, a certain part to increase the illuminance range than other parts can be set. there is. Due to this, in performing the deposition process, it may be possible to partially increase the emissivity.

일 예로서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 모재 금속(BM)의 표면 영역 중 제2영역(F2)에 포함되는 영역에 블라스팅 과정이 수행된 상태일 수 있다. 이에 따라 제2영역(F2)에서의 제2조도 범위가 제1영역(F1)에서의 제1조도 범위보다 클 수 있다. As an example, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, a blasting process is performed in a region included in the second region F2 among the surface regions of the base metal BM. state may be Accordingly, the second illuminance range in the second region F2 may be greater than the first illuminance range in the first region F1 .

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 일 예로서, 가스분사부재(SA1)의 측부(10a)의 표면을 구성하는 모재 금속(BM)의 표면에 블라스팅 과정이 수행되지 않을 수 있다. 이 경우, 측부(10a)의 표면 조도 범위는 제1영역(F1)의 제1조도 범위와 동일할 수 있다. 이와는 달리, 측부(10a)의 표면을 구성하는 모재 금속(BM)의 표면에 블라스팅 과정이 수행될 경우, 측부(10a)의 표면 조도 범위는 제2영역(F2)의 제2조도 범위와 동일할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 측부(10a)의 표면을 구성하는 모재 금속(BM)의 표면에 대한 블라스팅 수행 여부에 따라 조도 범위가 다르게 형성될 수 있다.The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention is, for example, blasting on the surface of the base metal BM constituting the surface of the side portion 10a of the gas injection member SA1. The process may not be performed. In this case, the surface roughness range of the side portion 10a may be the same as the first roughness range of the first region F1 . On the other hand, when the blasting process is performed on the surface of the base metal BM constituting the surface of the side part 10a, the surface roughness range of the side part 10a may be the same as the second roughness range of the second area F2. can In other words, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention has a roughness range depending on whether blasting is performed on the surface of the base metal BM constituting the surface of the side portion 10a. can be formed differently.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 표면의 조도 범위의 크기에 따라 표면의 방사율이 다를 수 있다. 제2영역(F2)에서의 제2조도 범위가 제1영역(F1)에서의 제1조도 범위보다 클 경우, 제2영역(F2)의 방사율이 제1영역의 방사율보다 클 수 있다. The surface emissivity of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may be different depending on the size of the roughness range of the surface. When the second illuminance range in the second region F2 is greater than the first illuminance range in the first region F1 , the emissivity of the second region F2 may be greater than the emissivity of the first region.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 방사율은 조도에 따라 달라질 수 있는데, 조도 범위가 클수록 방사율이 커진다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 표면의 조도 범위를 다르게 형성하여 영역별로 방사율을 다르게 형성할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 에에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는 피처리 기판(103)상에 형성되는 피막의 두께를 균일하게 형성할 수 있다.The emissivity of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may vary depending on the illuminance. As the illuminance range increases, the emissivity increases. The gas ejection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention can form different emissivity for each area by forming a different roughness range of the surface. Accordingly, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the thickness of the film formed on the target substrate 103 can be uniformly formed.

피처리 기판(103)상에 형성되는 피막은 온도에 따라 두께가 다르게 형성될 수 있다. 따라서, 피막의 두께를 균일하게 형성하기 위해서는 피처리 기판(103)의 중심에서 외곽에 이르는 부분까지 균일한 온도가 형성되어야 한다. The film formed on the target substrate 103 may have a different thickness depending on the temperature. Therefore, in order to form a uniform thickness of the film, a uniform temperature must be formed from the center to the outer portion of the substrate 103 to be processed.

피처리 기판(103)의 중심과 외곽부의 온도가 균일하지 않을 경우, 피처리 기판(103)상에 형성되는 피막의 두께도 균일하지 않게 된다. 이로 인해 피처리 기판(103)상의 어느 일 부분에서의 피막의 두께가 다른 부분에서의 피막의 두께보다 두껍거나 얇게 형성되는 문제가 발생하게 된다.When the temperature of the center and the outer portion of the processing target substrate 103 is not uniform, the thickness of the film formed on the processing target substrate 103 is also non-uniform. As a result, there is a problem in that the thickness of the film on one part of the processing target substrate 103 is thicker or thinner than the thickness of the film on the other part.

피처리 기판(103)상의 온도 균일도를 위해서는, 피처리 기판(103)을 지지하는 지지대(102)의 면적을 온도 균일도가 형성되도록 피처리 기판(103)의 크기보다 상대적으로 크게 형성하고, 지지대(102) 내부에 매립된 히터를 이용하여 온도 제어를 정밀하게 하는 방법 또는 가스분사부재(SA1)의 크기를 온도 균일도가 형성되도록 피처리 기판(103)의 크기보다 상대적으로 크게 형성하는 방법을 고려해볼 수 있다. 그러나 이와 같은 방법들은 반응 용기(101)의 제한된 크기로 인하여 지지대(102) 또는 가스분사부재(SA1)의 크기를 무한정 크게 할 수 없다는 점에서 구현이 어렵다.For temperature uniformity on the processing target substrate 103, the area of the support 102 supporting the processing target substrate 103 is formed to be relatively larger than the size of the processing target substrate 103 so that the temperature uniformity is formed, and the support ( 102) A method of precisely controlling temperature using a heater embedded therein or a method of forming the size of the gas injection member SA1 relatively larger than the size of the processing target substrate 103 so as to form a uniform temperature may be considered. can However, these methods are difficult to implement in that the size of the support 102 or the gas injection member SA1 cannot be increased indefinitely due to the limited size of the reaction vessel 101.

또한, 지지대(102)의 매립 히터를 통해 지지대(102) 표면에서의 온도 균일성을 확보한다고 하더라도 피처리 기판(103)의 하부에는 지지대(102)가 구비되고, 피처리 기판(103)의 상부에는 가스분사부재(SA1)가 구비되는 위치 관계로 인하여 피처리 기판(103)의 온도의 균일성을 보장할 수 없다.In addition, even if the temperature uniformity on the surface of the support 102 is ensured through the embedded heater of the support 102 , the support 102 is provided at the lower portion of the processing target substrate 103 , and the upper portion of the processing target substrate 103 is provided. The uniformity of the temperature of the processing target substrate 103 cannot be guaranteed due to the positional relationship in which the gas injection member SA1 is provided.

하지만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)를 구비함으로써, 피처리 기판(103)과, 지지대(102) 및 가스분사부재(SA1)의 위치 관계를 고려하면서 피처리 기판(103)상의 피막의 두께를 균일하게 형성할 수 있다.However, the deposition apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention includes the gas injection member SA1 for the deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, so that the target substrate 103 and the support ( 102) and the gas injection member SA1 in consideration of the positional relationship, the thickness of the coating film on the target substrate 103 can be formed uniformly.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 영역별로 조도 범위를 다르게 형성하여 영역별로 방사율을 다르게 할 수 있다. 가스분사부재(SA1)의 방사율이 높으면 피처리 기판(103)상에 증착되는 피막이 더욱 치밀해지고, 피막이 치밀해짐에 따라 피처리 기판(103)상의 피막이 다른 영역에 비해 두껍게 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 적어도 일부 영역의 조도 범위를 크게 형성하고, 해당 영역의 방사율을 높게 형성할 수 있다. The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention may have different emissivity for each area by forming a different illuminance range for each area. When the emissivity of the gas injection member SA1 is high, the film deposited on the processing target substrate 103 becomes denser, and as the film becomes dense, the coating film on the processing target substrate 103 can be prevented from forming thicker than other regions. do. The gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention can form a large illuminance range of at least a partial area and a high emissivity of the corresponding area.

지지대(102)에 의해 열을 전달받는 피처리 기판(103)은, 피처리 기판(103)의 중심부와 외곽부에서 온도 구배가 발생할 수 있다. 피처리 기판(103)의 중심부는 상대적으로 높은 온도에 따라 피처리 기판(103)상의 피막이 치밀하게 형성될 수 있는데, 중심부에서 외곽부로 갈수록 온도가 낮아지면서 외곽부에 형성되는 피막의 치밀도가 떨어질 수 있다. 이로 인해 피처리 기판(103)의 외곽부에 형성되는 피막이 중심부에 형성되는 피막보다 두껍게 형성되는 문제가 발생할 수 있다.In the processing target substrate 103 , which receives heat by the support 102 , a temperature gradient may occur between the central portion and the outer portion of the processing target substrate 103 . In the central portion of the target substrate 103 , a film on the processing target substrate 103 may be densely formed according to a relatively high temperature. can As a result, a problem in that the film formed on the outer portion of the processing target substrate 103 is thicker than the film formed on the central portion may occur.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 가스홀(h)이 형성된 영역인 제1영역(F1)을 외측에서 감싸는 영역에 위치하는 제2영역(F2)의 제2조도 범위가 제1영역(F1)의 제1조도 범위보다 클 수 있다. 따라서, 제2영역(F2)에서의 방사율을 높일 수 있다. In the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the second region F2 is located in an area surrounding the first region F1, which is the region where the gas hole h is formed, from the outside. The second illuminance range of may be greater than the first illuminance range of the first area F1. Accordingly, the emissivity in the second region F2 may be increased.

제2영역(F2)은 가스홀(h)이 형성되는 영역의 외측을 감싸는 영역이므로, 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응되는 위치일 수 있다. 이처럼 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 비교적 피막의 두께가 두껍게 형성되는 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응되는 위치인 제2영역(F2)의 방사율을 높게 형성함으로써 피처리 기판(103)의 중심부와 온도 편차가 발생하는 외곽부의 온도를 보상할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)는, 피처리 기판(103)의 외곽부에 형성되는 피막의 두께가 피처리 기판(103)의 중심부에 형성되는 피막의 두께보다 두껍게 형성되는 문제를 방지할 수 있게 된다.Since the second region F2 is a region surrounding the outside of the region where the gas hole h is formed, it may be a position corresponding to the outer portion of the processing target substrate 103 . As such, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the second region F2 is a position corresponding to the outer portion of the processing target substrate 103 having a relatively thick film thickness. By forming a high emissivity of , it is possible to compensate for the temperature of the central portion of the target substrate 103 and the outer portion where the temperature deviation occurs. For this reason, in the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention, the thickness of the film formed on the outer portion of the processing target substrate 103 is formed at the center of the processing target substrate 103 . It is possible to prevent the problem of being formed thicker than the thickness of the film.

도 3은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)를 개략적으로 도시한 도이다. 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 제1조도 범위가 형성되는 제1영역(F1) 및 제2조도 범위가 형성되는 제2영역(F2)이 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)의 제1영역(F1) 및 제2영역(F2)과 다르게 형성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는 이를 제외한 모든 구성이 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)와 동일하므로 동일한 구성에 대한 설명은 전술한 설명을 참조하기로 하고 생략한다.3 is a diagram schematically illustrating a gas injection member SA2 for deposition equipment according to a second preferred embodiment of the present invention. In the gas injection member SA2 for deposition equipment according to a second preferred embodiment of the present invention, the first region F1 in which the first illuminance range is formed and the second region F2 in which the second illuminance range is formed are seen. It may be formed differently from the first area F1 and the second area F2 of the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention. The gas injection member SA2 for deposition equipment according to the second preferred embodiment of the present invention has the same configuration as the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first preferred embodiment of the present invention except for this. For the description, refer to the above description and will be omitted.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 가스분사부재(SA2)의 하면 중앙에 위치하는 제1영역(F1) 및 제1영역(F1)의 외측에서 제1영역(F1)을 감싸는 영역에 위치하는 제2영역(F2)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the gas injection member SA2 for deposition equipment according to the second exemplary embodiment of the present invention includes a first area F1 and a first area located in the center of the lower surface of the gas injection member SA2. A second area F2 positioned in an area surrounding the first area F1 from the outside of the area F1 may be included.

제1영역(F1)은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)의 하면 중앙에 위치하는 영역으로서, 가스분사부재(SA2)의 중앙부(M)에 형성된 복수의 가스홀(h) 및 중앙부(M)에 형성된 가스홀(h)간의 이격 거리로 인해 존재하는 모재 금속(BM)의 표면에 구비되는 양극산화피막(A)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1영역(F1)에 형성되는 제1조도 범위는, 바람직하게는, 0.1㎛ 초과 1.0㎛ 이하일 수 있다.The first area F1 is an area located at the center of the lower surface of the gas injection member SA2 for deposition equipment according to the second exemplary embodiment of the present invention, and includes a plurality of regions formed in the central portion M of the gas injection member SA2. It may include an anodized film (A) provided on the surface of the base metal (BM) existing due to the separation distance between the gas hole (h) and the gas hole (h) formed in the central portion (M). In this case, the first roughness range formed in the first region F1 may be preferably greater than 0.1 µm and less than or equal to 1.0 µm.

제2영역(F2)은 제1영역(F1)의 외측에서 제1영역(F1)을 감싸는 영역에 위치하는 영역일 수 있다. 구체적으로, 제2영역(F2)은 가스분사부재(SA2)에 형성된 복수의 가스홀(h) 중 중앙부(M)에 위치하는 가스홀(h)을 제외하고, 중앙부(M)에 위치하는 가스홀(h)을 감싸는 위치에 형성된 가스홀(h)과, 가스분사부재(SA2)에 형성된 복수의 가스홀(h)을 외측에서 감싸는 위치에서 가스홀(h)이 형성되지 않는 가스홀 미형성 영역(NH)을 포함할 수 있다. The second area F2 may be an area located outside the first area F1 and surrounding the first area F1 . Specifically, the second region F2 is a gas located in the central portion M, except for the gas hole h located in the central portion M among the plurality of gas holes h formed in the gas injection member SA2. A gas hole in which the gas hole h is not formed is not formed at a position surrounding the gas hole h formed at a position surrounding the hole h and a plurality of gas holes h formed in the gas injection member SA2 from the outside It may include a region NH.

또한, 제2영역(F2)은, 가스홀 미형성 영역(NH)에 존재하는 모재 금속(BM)의 표면에 구비된 양극산화피막(A) 및 중앙부(M)에 위치하는 가스홀(h)을 감싸는 위치에 형성된 가스홀(h)간의 이격 거리로 인해 존재하는 모재 금속(BM)의 표면에 구비된 양극산화피막(A)을 포함할 수 있다.In addition, the second region F2 includes an anodized film A provided on the surface of the base metal BM existing in the gas hole non-formation region NH and a gas hole h located in the central portion M. It may include an anodized film (A) provided on the surface of the base metal (BM) existing due to the separation distance between the gas holes (h) formed at a position surrounding the.

제2영역(F2)에 형성되는 제2조도 범위는, 바람직하게는, 1.0㎛ 초과 10㎛ 이하일 수 있다.The second roughness range formed in the second region F2 may be preferably greater than 1.0 µm and less than or equal to 10 µm.

본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 모재 금속(BM)의 표면 영역 중 블라스팅된 영역이 제2영역(F2)에 포함되어, 제1영역(F1)에서의 제1조도 범위보다 제2영역(F2)에서의 제2조도 범위가 더 클 수 있다. 이로 인해 제2영역(F2)의 방사율이 제1영역(F1)의 방사율보다 클 수 있다.In the gas injection member SA2 for deposition equipment according to a second preferred embodiment of the present invention, a blasted region among the surface regions of the base metal BM is included in the second region F2, so that the first region F1 The second illuminance range in the second area F2 may be larger than the first illuminance range in . Accordingly, the emissivity of the second region F2 may be greater than the emissivity of the first region F1 .

본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 높은 온도가 유지되는 피처리 기판(103)의 중심부와 대응되는 위치의 중앙부(M)를 외측에서 감싸는 위치에서의 방사율을 크게 할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 중앙부(M)와 가까운 주변에서부터 가스분사부재(SA2)의 외곽부에 이르는 영역의 방사율을 크게 할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2)는, 피처리 기판(103)의 중심부에서 외곽부로 갈수록 열손실이 생기면서 발생하는 중심부와 외곽부와의 온도 편차를 보다 효과적으로 보상할 수 있다.The gas ejection member SA2 for deposition equipment according to the second preferred embodiment of the present invention is at a position surrounding the central portion M at a position corresponding to the central portion of the processing target substrate 103 at which a high temperature is maintained from the outside. The emissivity can be increased. In other words, the gas injection member SA2 for deposition equipment according to the second preferred embodiment of the present invention can increase the emissivity of the region from the periphery close to the central portion M to the outer portion of the gas injection member SA2. there is. For this reason, in the gas injection member SA2 for deposition equipment according to the second preferred embodiment of the present invention, a temperature deviation between the center and the outer portion is generated as heat loss is generated from the center to the outer portion of the substrate 103 to be processed. can be compensated more effectively.

도 4는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)를 개략적으로 도시한 도이다. 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 제1영역(F1)이 가스분사부재(SA3)의 하면이고, 제2영역(F2)이 가스분사부재(SA3)의 측면이라는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2)와 차이가 있다. 이 경우, 가스분사부재(SA3)의 측면은 가스분사부재(SA3)의 측부(10a)에 포함될 수 있다. 4 is a diagram schematically illustrating a gas injection member SA3 for deposition equipment according to a third preferred embodiment of the present invention. In the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, the first area F1 is the lower surface of the gas injection member SA3, and the second area F2 is the gas injection member SA3 ) is different from the gas injection members SA1 and SA2 for deposition equipment according to the first and second preferred embodiments of the present invention in terms of the aspect. In this case, the side surface of the gas injection member SA3 may be included in the side portion 10a of the gas injection member SA3.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)의 표면 조도 범위는 0.1㎛~1.0㎛일 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 제1영역(F1) 및 제2영역(F2)의 조도 범위를 다르게 형성하지 않고, 가스분사부재(SA3)의 표면의 조도 범위가 0.1㎛~1.0㎛일 수 있다. The surface roughness range of the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention may be 0.1 μm to 1.0 μm. In other words, in the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, the illuminance range of the first region F1 and the second region F2 is not formed differently, and the gas injection member SA3 ( The roughness range of the surface of SA3) may be 0.1 μm to 1.0 μm.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 표면의 영역 중 어느 부분의 영역에는 양극산화피막(A)을 구비하고, 다른 부분의 영역에는 양극산화피막(A)을 구비하지 않는 것으로 영역별로 방사율을 다르게 형성할 수 있다.In the gas injection member SA3 for deposition equipment according to a third preferred embodiment of the present invention, an anodized film (A) is provided in any part of the surface area, and an anodized film (A) is provided in the other part of the surface area. ), so that the emissivity can be formed differently for each area.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는 가스분사부재(SA3)의 측면에서의 열손실을 줄여 가스분사부재 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응하는 가스분사부재(SA3)의 하면의 외곽부에서의 온도 저하 문제를 방지할 수 있다.The gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention reduces heat loss from the side surface of the gas injection member SA3, so that the gas corresponding to the outer portion of the substrate 103 of the gas injection member is processed. It is possible to prevent a problem of a temperature decrease in the outer portion of the lower surface of the injection member SA3.

이 때, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 측면에서의 열손실을 줄이기 위해 가스분사부재(SA3)의 하면에만 양극산화피막(A)을 구비하고, 측면에는 양극산화피막(A)을 구비하지 않을 수 있다. At this time, as shown in FIG. 4 , in the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, only the lower surface of the gas injection member SA3 is an anode in order to reduce heat loss from the side. The oxide film (A) may be provided, and the anodized film (A) may not be provided on the side surface.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 가스분사부재(SA3)의 표면 중, 측면 및 하면에 양극산화피막(A)의 구비 여부를 다르게 함으로써 가스분사부재(SA3)의 측면 및 하면에서의 방사율을 다르게 형성할 수 있다. 일 예로서, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 가스분사부재(SA3)의 하면에는 양극산화피막(A)이 구비되고, 측면에는 양극산화피막(A)이 구비되지 않으므로, 측면에서의 방사율이 하면에서의 방사율보다 작을 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)의 측면에서의 열손실이 줄어들어 가스분사부재(SA3)의 하면의 외곽부의 온도가 저하되지 않을 수 있다. The gas injection member SA3 for deposition equipment according to a third preferred embodiment of the present invention is a gas injection member by varying whether or not the anodization film A is provided on the surface, side and lower surfaces of the gas injection member SA3. The emissivity of the side and the lower surface of (SA3) can be formed differently. As an example, in the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, an anodized film A is provided on the lower surface of the gas injection member SA3, and an anodized film (A) is provided on the side surface ( Since A) is not provided, the emissivity at the side may be smaller than the emissivity at the bottom. Due to this, heat loss from the side surface of the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention is reduced, so that the temperature of the outer portion of the lower surface of the gas injection member SA3 may not decrease.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 표면 영역 중 적어도 어느 일부의 영역에만 양극산화피막(A)을 형성하는 구조에 의해 양극산화피막(A)이 형성되지 않은 영역에서의 방사율보다 해당 영역에서의 열손실을 줄일 수 있다. In the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, the anodization film A is formed by a structure in which the anodization film A is formed only on at least a part of the surface area. It is possible to reduce the heat loss in the corresponding area than the emissivity in the non-existent area.

일 예로서, 양극산화피막(A)이 형성되는 표면 영역의 적어도 일부 영역은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)의 하면이고, 양극산화피막(A)이 형성되지 않은 일부 영역은 가스분사부재(SA3)의 측면일 수 있다.As an example, at least a partial region of the surface area on which the anodization film (A) is formed is the lower surface of the gas injection member (SA3) for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention, and the anodization film (A) is The non-formed partial region may be a side surface of the gas ejection member SA3.

이처럼 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응하는 가스분사부재(SA3)의 하면의 외곽부의 온도 저하를 방지하기 위해, 가스분사부재(SA3)의 하면 및 측면에 양극산화피막(A)의 구비 여부를 달리하여, 양극산화피막(A)이 구비되지 않는 면을 통해 열손실을 줄일 수 있다.In this way, the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention is used to prevent a decrease in the temperature of the outer portion of the lower surface of the gas injection member SA3 corresponding to the outer portion of the substrate 103 to be processed. , it is possible to reduce heat loss through the surface on which the anodization film A is not provided by varying whether or not the anodization film A is provided on the lower surface and the side surface of the gas injection member SA3.

이에 따라 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA3)는, 피처리 기판(103)과 수평하게 대응되는 가스분사부재(SA3)의 하면이 상대적으로 큰 방사율을 갖도록 형성될 수 있다. 이로 인해 피처리 기판(103)의 중심부와 외곽부의 온도 편차 발생시 온도 보상 역할을 효과적으로 수행할 수 있게 된다.Accordingly, the gas injection member SA3 for deposition equipment according to the third preferred embodiment of the present invention is formed so that the lower surface of the gas injection member SA3 horizontally corresponding to the target substrate 103 has a relatively high emissivity. can be As a result, when a temperature difference between the center and the outer portion of the target substrate 103 occurs, a temperature compensation function can be effectively performed.

도 5는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)를 개략적으로 도시한 도이다. 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 배리어막(B)상에 형성되는 보호막(P)을 더 포함한다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예 내지 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3)와 차이가 있다.5 is a diagram schematically illustrating a gas injection member SA4 for deposition equipment according to a fourth preferred embodiment of the present invention. The gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention further includes a protective film P formed on the barrier film B, in that it further includes the first to second preferred embodiments of the present invention. There is a difference from the gas injection members SA1, SA2, and SA3 for deposition equipment according to the third embodiment.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 가스분사부재(SA4)를 구성하는 모재 금속(BM) 및 모재 금속(BM)의 표면의 제1조도 범위를 갖는 제1영역과 제2조도 범위를 갖는 제2영역 상에 형성되되, 모재 금속(BM)의 제1조도 범위와 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 그 표면에서 갖도록 모재 금속(BM)을 양극 산화하여 형성하되 그 표면에 기공이 형성되지 않은 배리어막(B)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 5 , the gas injection member SA4 for deposition equipment according to a fourth preferred embodiment of the present invention includes a base metal BM and a base metal BM constituting the gas injection member SA4. It is formed on the first area having the first roughness range and the second area having the second roughness range of the surface, so that the surface has the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal (BM) It is formed by anodizing the base metal BM, but may include a barrier film B having no pores formed on its surface.

본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 일 예로서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1)와 제1조도 범위를 갖는 제1영역(F1) 및 제2조도 범위를 갖는 제2영역(F2)이 동일하게 형성될 수 있다. The gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention is, as an example, the gas injection member SA1 for deposition equipment according to the first embodiment of the present invention and the first illuminance range. The first region F1 having the first region F1 and the second region F2 having the second illuminance range may be formed in the same manner.

이와는 달리, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 본 발명의 바람직한 제2실시 예 및 제3실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA2, SA3)과 제1영역(F1) 및 제2영역(F2)이 동일하게 형성될 수도 있다. 이 때, 제1조도 범위 및 제2조도 범위는 각각의 실시 예에서 제1영역(F1)에 형성되는 제1조도 범위 및 제2영역(F2)에 형성되는 제2조도 범위와 동일할 수 있다.On the contrary, the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention is the gas injection member SA2, SA3 for the deposition equipment according to the second and third preferred embodiments of the present invention. and the first region F1 and the second region F2 may be formed in the same manner. In this case, the first illuminance range and the second illuminance range may be the same as the first illuminance range formed in the first region F1 and the second illuminance range formed in the second region F2 in each embodiment. .

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 배리어막(B)상에 형성되는 보호막(P)을 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention may further include a protective film P formed on the barrier film B. As shown in FIG.

배리어막(B)은 모재 금속(BM)의 표면을 따라 형성되므로, 모재 금속(BM)의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 가질 수 있다. 모재 금속(BM)의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖는 배리어막(B)상에 보호막(P)이 형성될 수 있다.Since the barrier layer B is formed along the surface of the base metal BM, it may have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal BM. The protective layer P may be formed on the barrier layer B having the same roughness range as the surface roughness range of the base metal BM.

보호막(P)은, 알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨, 에르븀, 티타늄 및 탄탈늄 중 적어도 어느 하나인 전구체 가스와, 보호막(P)을 형성할 수 있는 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성되되, 그 표면에서 모재 금속(BM)의 제1조도 범위와 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 가질 수 있다.The protective film (P) is formed by alternately supplying a precursor gas, which is at least one of aluminum, silicon, hafnium, zirconium, yttrium, erbium, titanium, and tantalum, and a reactant gas capable of forming the protective film (P), The surface may have the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal BM.

보호막(P)은 배리어막(B)의 표면에 전구체 가스를 흡착시키고, 반응물 가스를 공급하여 전구체 가스와 반응물 가스의 화학적 치환으로 단원자층을 생성시키는 사이클(이하, '단원자층 생성 사이클'이라 함)을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다.The protective layer (P) adsorbs a precursor gas on the surface of the barrier layer (B) and supplies a reactant gas to generate a monoatomic layer by chemical substitution of the precursor gas and the reactant gas (hereinafter referred to as a 'monoatomic layer generation cycle') ) can be formed by repeatedly performing

단원자층 생성 사이클을 한 번 수행할 때 마다 얇은 두께의 한 층의 단원자층이 형성될 수 있다. 이 때, 단원자층은 배리어막(B)의 표면을 따라 형성될 수 있다. 배리어막(B)은 모재 금속(BM)의 표면에 형성되어 모재 금속(BM)의 제1조도 범위 및 제2조도 범위와 동일한 조도 범위로 형성될 수 있다. 보호막(P)은 이러한 배리어막(B)의 표면을 따라 형성되므로, 모재 금속(BM)의 제1조도 범위 및 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 가질 수 있다.A thin monoatomic layer may be formed every time the monoatomic layer generation cycle is performed once. In this case, the monoatomic layer may be formed along the surface of the barrier layer (B). The barrier layer B may be formed on the surface of the base metal BM to have the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal BM. Since the protective layer P is formed along the surface of the barrier layer B, it may have the same illuminance range as the first illuminance range and the second illuminance range of the base metal BM.

보호막(P)은 단원자층 생성 사이클을 반복 수행하여 형성됨에 따라 복수의 단원자층으로 구성될 수 있다.The passivation layer P may be formed by repeatedly performing a monoatomic layer generation cycle, and thus may be composed of a plurality of monoatomic layers.

보호막(P)은 증착 공정 중 사용되는 공정 가스에 대한 내식성을 구비할 수 있다. 공정 가스는 플라즈마 가스, 에칭 가스 또는 클리닝 가스를 포함할 수 있다.The passivation layer P may have corrosion resistance to a process gas used during a deposition process. The process gas may include a plasma gas, an etching gas, or a cleaning gas.

본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 배리어막(B)상에 보호막(P)을 형성함으로써, 가스분사부재(SA4)의 표면에서 부식 방지 기능을 수행하는 층의 두께를 비교적 크게 형성할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 보다 고내식성을 갖도록 구현될 수 있다.The gas injection member SA4 for deposition equipment according to a fourth preferred embodiment of the present invention performs a corrosion prevention function on the surface of the gas injection member SA4 by forming a protective film P on the barrier film B The thickness of the layer to be used can be formed to be relatively large. Accordingly, the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention may be implemented to have higher corrosion resistance.

배리어막(B) 및 보호막(P)은 모재 금속(BM)의 표면에 순차적으로 형성되되, 일정한 두께이나 비교적 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 모재 금속(BM)의 표면에 부식 방지 기능을 하는 피막층을 한 번에 두껍게 형성하는 구조 대비 박리 문제가 최소화될 수 있다.The barrier film B and the passivation film P are sequentially formed on the surface of the base metal BM, and may be formed to have a constant thickness or a relatively thin thickness. For this reason, in the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention, the peeling problem is minimized compared to the structure in which a coating layer having a function of preventing corrosion is formed thickly at once on the surface of the base metal BM. can be

보호막(P)은 전구체 가스와 반응물 가스를 교대로 공금함으로써 형성될 수 있다. 보호막(P)은 전구체 가스 및 반응물 가스의 구성에 따라 다른 구성으로 형성될 수 있다.The passivation layer P may be formed by alternately supplying a precursor gas and a reactant gas. The passivation layer P may be formed in a different configuration depending on the configuration of the precursor gas and the reactant gas.

보호막(P)은, 전구체 가스 및 반응물 가스의 구성에 따라 일 예로서, 알루미늄 산화물층, 이트륨 산화물층, 하프늄 산화물층, 실리콘 산화물층, 에르븀 산화물층, 지르코늄 산화물층, 플루오르화층, 전이금속층, 티타늄 질화물층, 탄탈륨 질화물층 및 지르코늄 질화물층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The protective film (P) is, as an example, according to the composition of the precursor gas and the reactant gas, an aluminum oxide layer, a yttrium oxide layer, a hafnium oxide layer, a silicon oxide layer, an erbium oxide layer, a zirconium oxide layer, a fluoride layer, a transition metal layer, titanium It may include at least one of a nitride layer, a tantalum nitride layer, and a zirconium nitride layer.

상세히 설명하면, 보호막(P)이 알루미늄 산화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스는, 알루미늄 알콕사이드(Al(T-OC4H9)3), 알루미늄 클로라이드(AlCl3), 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3), 디에틸알루미늄 에톡시드, 트리스(에틸메틸아미도)알루미늄, 알루미늄 세크-부톡시드, 알루미늄 3브롬화물, 알루미늄 3염화물, 트리에틸 알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 트리메틸알루미늄 및 트리스(디에틸아미도)알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In detail, when the protective film P is composed of an aluminum oxide layer, the precursor gas is aluminum alkoxide (Al(T-OC 4 H 9 ) 3 ), aluminum chloride (AlCl 3 ), trimethyl aluminum (TMA: Al ( CH 3 ) 3 ), diethylaluminum ethoxide, tris(ethylmethylamido)aluminum, aluminum sec-butoxide, aluminum tribromide, aluminum trichloride, triethyl aluminum, triisobutylaluminum, trimethylaluminum and tris( diethylamido) may include at least one of aluminum.

이 때, 전구체 가스로서 알루미늄 알콕사이드(Al(T-OC4H9)3), 디에틸알루미늄 에톡시드, 트리스(에틸메틸아미도)알루미늄, 알루미늄 세크-부톡시드, 알루미늄 3브롬화물, 알루미늄 3염화물, 트리에틸 알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 트리메틸알루미늄 및 트리스(디에틸아미도)알루미늄 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는 H2O가 이용될 수 있다. At this time, as a precursor gas, aluminum alkoxide (Al(T-OC 4 H 9 ) 3 ), diethylaluminum ethoxide, tris(ethylmethylamido)aluminum, aluminum sec-butoxide, aluminum tribromide, aluminum trichloride When at least one of , triethyl aluminum, triisobutyl aluminum, trimethyl aluminum, and tris (diethylamido) aluminum is used, H 2 O may be used as the reactant gas.

전구체 가스로서 알루미늄 클로라이드(AlCl3)가 이용될 경우, 반응물 가스로는 O3가 이용될 수 있다.When aluminum chloride (AlCl 3 ) is used as the precursor gas, O 3 may be used as the reactant gas.

전구체 가스로서 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)이 이용될 경우에는, 반응물 가스로서 O3 또는 H2O가 이용될 수 있다.When trimethyl aluminum (TMA: Al(CH 3 ) 3 ) is used as the precursor gas, O 3 or H 2 O may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 이트륨 산화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 염화이트륨(YCl3), Y(C5H5)3, 트리스(N,N-비스(트리메틸실릴)아미드)이트륨(III), 이트륨(III)부톡사이드, 트리스(사이클로펜타디에닐)이트륨(III), 트리스(부틸사이클로펜타디에닐)이트륨(III),트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토)이트륨(III), 트리스(사이클로펜타디에닐)이트륨(Cp3Y), 트리스(메틸사이클로펜타디에닐)이트륨((CpMe)3Y), 트리스(부틸사이클로펜타디에닐)이트륨 및 트리스(에틸사이클로펜타디에닐)이트륨 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the protective film P is composed of a yttrium oxide layer, the precursor gas PG is yttrium chloride (YCl 3 ), Y(C 5 H 5 ) 3 , tris(N,N-bis(trimethylsilyl)amide)yttrium ( III), yttrium (III) butoxide, tris (cyclopentadienyl) yttrium (III), tris (butylcyclopentadienyl) yttrium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato)yttrium(III), tris(cyclopentadienyl)yttrium (Cp3Y), tris(methylcyclopentadienyl)yttrium((CpMe)3Y), tris(butylcyclopentadienyl)yttrium and tris (ethylcyclopentadienyl)yttrium may include at least one.

이 경우, 전구체 가스로서, 염화이트륨(YCl3) 및 Y(C5H5)3 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는 O3가 이용될 수 있다.In this case, when at least one of yttrium chloride (YCl 3 ) and Y(C 5 H 5 ) 3 is used as the precursor gas, O 3 may be used as the reactant gas.

전구체 가스로서, 트리스(N,N-비스(트리메틸실릴)아미드)이트륨(III), 이트륨(III)부톡사이드, 트리스(사이클로펜타디에닐)이트륨(III), 트리스(부틸사이클로펜타디에닐)이트륨(III),트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토)이트륨(III), 트리스(사이클로펜타디에닐)이트륨(Cp3Y), 트리스(메틸사이클로펜타디에닐)이트륨((CpMe)3Y), 트리스(부틸사이클로펜타디에닐)이트륨 및 트리스(에틸사이클로펜타디에닐)이트륨 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로서, H20, O2 또는 O3 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.As precursor gas, tris(N,N-bis(trimethylsilyl)amide)yttrium(III), yttrium(III)butoxide, tris(cyclopentadienyl)yttrium(III), tris(butylcyclopentadienyl)yttrium (III), tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) yttrium (III), tris (cyclopentadienyl) yttrium (Cp Y), tris (methylcyclopentadienyl) When at least one of yttrium ((CpMe)3Y), tris(butylcyclopentadienyl)yttrium and tris(ethylcyclopentadienyl)yttrium is used, as a reactant gas, at least one of H 2 0, O 2 or O 3 One can be used.

보호막(P)이 하프늄 산화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 염화 하프늄(HfCl4), Hf(N(CH3)(C2H5))4, Hf(N(C2H5)2)4, 테트라(에틸메틸아미도)하프늄 및 펜타키스(디메틸아미도)탄탈럼 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the protective layer P is composed of a hafnium oxide layer, the precursor gas PG is hafnium chloride (HfCl 4 ), Hf(N(CH 3 )(C 2 H 5 )) 4 , Hf(N(C 2 H 5 ) ) 2 ) 4 , tetra(ethylmethylamido)hafnium, and pentakis(dimethylamido)tantalum may include at least one.

이 경우, 염화 하프늄(HfCl4), Hf(N(CH3)(C2H5))4 및 Hf(N(C2H5)2)4 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는 O3가 이용될 수 있다.In this case, when at least one of hafnium chloride (HfCl 4 ), Hf(N(CH 3 )(C 2 H 5 )) 4 and Hf(N(C 2 H 5 ) 2 ) 4 is used, the reactant gas is O 3 can be used.

전구체 가스로서, 테트라(에틸메틸아미도)하프늄 및 펜타키스(디메틸아미도)탄탈럼 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2 또는 O3 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When at least one of tetra(ethylmethylamido)hafnium and pentakis(dimethylamido)tantalum is used as the precursor gas, at least one of H 2 O, O 2 or O 3 may be used as the reactant gas. .

보호막(P)이 실리콘 산화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 Si(OC2H5)4를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 O3가 이용될 수 있다.When the passivation layer P is formed of a silicon oxide layer, the precursor gas PG may include Si(OC 2 H 5 ) 4 . In this case, O 3 may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 에르븀 산화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 트리스-메틸시클로펜타디에닐 에르븀(III)(Er(MeCp)3), 에르븀 보란아미드(Er(BA)3), Er(TMHD)3, 에르븀(III)트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트), 트리스(부틸시클로펜타디에닐)에르븀(III), 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 에르븀(Er(thd)3), Er(PrCp)3, Er(CpMe)2, Er(BuCp)3 및 Er(thd)3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the protective film P is composed of an erbium oxide layer, the precursor gas PG is tris-methylcyclopentadienyl erbium(III)(Er(MeCp) 3 ), erbium boranamide (Er(BA) 3 ), Er (TMHD) 3 , erbium(III)tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate), tris(butylcyclopentadienyl)erbium(III), tris(2,2, 6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) erbium (Er(thd) 3 ), at least one of Er(PrCp) 3 , Er(CpMe) 2 , Er(BuCp) 3 and Er(thd) 3 . may include

이 경우, 전구체 가스로서, 트리스-메틸시클로펜타디에닐 에르븀(III)(Er(MeCp)3), 에르븀 보란아미드(Er(BA)3), Er(TMHD)3, 에르븀(III)트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트) 및 트리스(부틸시클로펜타디에닐)에르븀(III) 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는, H2O, O2 또는 O3 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.In this case, as precursor gases, tris-methylcyclopentadienyl erbium(III)(Er(MeCp) 3 ), erbium boranamide (Er(BA) 3 ), Er(TMHD) 3 , erbium(III)tris(2) When at least one of ,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate) and tris(butylcyclopentadienyl)erbium(III) is used, the reactant gas may be H 2 O, O 2 or At least one of O 3 may be used.

전구체 가스로서, 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 에르븀(Er(thd)3), Er(PrCp)3, Er(CpMe)2 및 Er(BuCp)3 중 적어도 하나가 이용될 경우, 반응물 가스로는 O3가 이용될 수 있다.As precursor gases, tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) erbium (Er(thd) 3 ), Er(PrCp) 3 , Er(CpMe) 2 and Er(BuCp) When at least one of 3 is used, O 3 may be used as the reactant gas.

전구체 가스로서, Er(thd)3가 이용될 경우, 반응물 가스로는 O-라디칼이 이용될 수 있다.When Er(thd) 3 is used as the precursor gas, an O-radical may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 지르코늄 산화물로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 사염화지르코늄(ZrCl4), Zr(T-OC4H9)4, 지르코늄(IV) 브로마이드, 테트라키스(디에틸아미도)지르코늄(IV), 테트라키스(디메틸아미도)지르코늄(IV), 테트라키스(에틸메틸아미도)지르코늄(IV), 테트라키스(N,N’-디메틸-포름아미디네이트)지르코늄, 테트라(에틸메틸아미도)하프늄, 펜타키스(디메틸아미도)탄탈럼, 트리스(디메틸아미노)(사이클로펜타디에닐)지르코늄 및 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-헵탄-3,5-디오네이트)에르븀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the protective layer P is composed of zirconium oxide, the precursor gas PG is zirconium tetrachloride (ZrCl 4 ), Zr(T-OC4H9) 4 , zirconium(IV) bromide, tetrakis(diethylamido)zirconium(IV) ), tetrakis(dimethylamido)zirconium(IV), tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV), tetrakis(N,N'-dimethyl-formamidinate)zirconium, tetra(ethylmethylamido) ) in hafnium, pentakis(dimethylamido)tantalum, tris(dimethylamino)(cyclopentadienyl)zirconium and tris(2,2,6,6-tetramethyl-heptane-3,5-dionate)erbium It may include at least one.

이와 같은 구성 중 적어도 하나가 전구체 가스로 이용될 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2, O3 또는 O-라디칼 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When at least one of these components is used as the precursor gas, at least one of H 2 O, O 2 , O 3 or O-radical may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 플루오르화층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토)이트륨(III)를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2 또는 O3가 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When the passivation layer P is composed of a fluoride layer, the precursor gas PG may include tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)yttrium(III). In this case, at least one of H 2 O, O 2 or O 3 may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 전이 금속층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 탄탈륨클로라이드(TaCl5) 및 사염화티타늄(TiCl4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 H-라디칼이 이용될 수 있다. When the passivation layer P is formed of a transition metal layer, the precursor gas PG may include at least one of tantalum chloride (TaCl 5 ) and titanium tetrachloride (TiCl 4 ). In this case, an H-radical may be used as the reactant gas.

구체적으로, 전구체 가스로서 탄탈륨클로라이드(TaCl5)가 이용되고, 반응체 가스(RG)로 H-라디칼이 이용될 경우, 전이 금속층은 탄랄륨층으로 구성될 수 있다.Specifically, when tantalum chloride (TaCl 5 ) is used as the precursor gas and H-radical is used as the reactant gas (RG), the transition metal layer may be composed of a tantalum layer.

이와는 달리, 전구체 가스로서 사염화티타늄(TiCl4)이 이용되고, 반응물 가스로 H-라디칼이 이용될 경우, 전이 금속층은 티타늄층으로 구성될 수 있다.Alternatively, when titanium tetrachloride (TiCl 4 ) is used as the precursor gas and H- radical is used as the reactant gas, the transition metal layer may be formed of a titanium layer.

보호막(P)이 티타늄 질화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 비스(디에틸아미도)비스(디메틸아미도)티타늄(IV), 테트라키스(디에틸아미도)티타늄(IV), 테트라키스(디메틸아미도)티타늄(IV), 테트라키스(에틸메틸아미도)티타늄(IV), 티타늄(IV) 브롬화물, 티타늄(IV) 염화물 및 티타늄(IV) 3차-부톡사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2, O3 또는 O-라디칼 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When the protective film P is composed of a titanium nitride layer, the precursor gas PG is bis(diethylamido)bis(dimethylamido)titanium(IV), tetrakis(diethylamido)titanium(IV), At least one of tetrakis(dimethylamido)titanium(IV), tetrakis(ethylmethylamido)titanium(IV), titanium(IV) bromide, titanium(IV) chloride, and titanium(IV) tert-butoxide may include In this case, at least one of H 2 O, O 2 , O 3 or O-radical may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 탄탈륨 질화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 펜타키스(디메틸아미도)탄탈(V), 탄탈(V) 염화물, 탄탈(V) 에톡사이드 및 트리스(디에틸아미노)(3차-부틸이미도)탄탈(V) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2, O3 또는 O-라디칼 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When the protective film P is composed of a tantalum nitride layer, the precursor gas PG is pentakis (dimethylamido) tantalum (V), tantalum (V) chloride, tantalum (V) ethoxide, and tris (diethylamino) It may include at least one of (tert-butylimido) tantalum (V). In this case, at least one of H 2 O, O 2 , O 3 or O-radical may be used as the reactant gas.

보호막(P)이 지르코늄 질화물층으로 구성될 경우, 전구체 가스(PG)는 지르코늄(IV) 브롬화물, 지르코늄(IV) 염화물, 지르코늄(IV) 3차-부톡사이드, 테트라키스(디에틸아미도)지르코늄(IV), 테트라키스(디메틸아미도)지르코늄(IV) 및 테트라키스(에틸메틸아미도)지르코늄(IV)를 포함할 수 있다. 이 경우, 반응물 가스로는 H2O, O2, O3 또는 O-라디칼 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.When the protective film P is composed of a zirconium nitride layer, the precursor gas PG is zirconium (IV) bromide, zirconium (IV) chloride, zirconium (IV) tert-butoxide, tetrakis (diethylamido) zirconium(IV), tetrakis(dimethylamido)zirconium(IV) and tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV). In this case, at least one of H 2 O, O 2 , O 3 or O-radical may be used as the reactant gas.

이처럼 보호막(P)은 사용되는 전구체 가스 및 반응물 가스의 구성에 따라 따른 종류의 구성으로 형성될 수 있다.As such, the passivation layer P may be formed in a type of configuration according to the configuration of the precursor gas and the reactant gas used.

본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 배리어막(B) 및 보호막(P)이 모재 금속(BM)의 제1조도 범위 및 제2조도 범위와 동일한 조도 범위로 형성되므로 표면의 조도 범위에 따라 영역별로 방사율의 차이가 있을 수 있다.In the gas injection member SA4 for deposition equipment according to a fourth preferred embodiment of the present invention, the barrier film B and the protective film P have the same illuminance as the first illuminance range and the second illuminance range of the base metal BM. Since it is formed in a range, there may be a difference in emissivity for each area depending on the roughness range of the surface.

일 예로서, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 제1영역(F1)의 제1조도 범위보다 제2영역(F2)의 제2조도 범위가 클 수 있다. 따라서, 제1영역(F1)에서의 방사율보다 제2영역(F2)에서의 방사율이 클 수 있다. As an example, in the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, the second illuminance range of the second region F2 may be greater than the first illuminance range of the first region F1. there is. Accordingly, the emissivity in the second region F2 may be greater than the emissivity in the first region F1 .

본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는, 제1영역(F1)에서의 방사율보다 제2영역(F2)의 방사율을 크게 형성하여, 피처리 기판(103)의 중심부와 외곽부의 온도 편차에 있어서 온도를 보상할 수 있다. 일 예로서, 제2영역(F2)은 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응되는 위치일 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 피처리 기판(103)의 외곽부와 대응되는 위치의 방사율을 크게 형성하여 피처리 기판(103)의 온도가 균일하게 형성되도록 할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 피처리 기판(103)의 어느 일 부분에서의 피막의 두께가 다른 부분에서의 피막의 두께보다 두껍거나 얇게 형성되는 문제를 방지할 수 있다.In the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention, the emissivity of the second region F2 is greater than the emissivity of the first region F1, so that the processing target substrate 103 is formed. The temperature can be compensated for the temperature difference between the center and the outer part of the As an example, the second region F2 may be a position corresponding to the outer portion of the processing target substrate 103 . Accordingly, in the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention, the emissivity of the position corresponding to the outer portion of the processing target substrate 103 is formed to be large, so that the temperature of the processing target substrate 103 is increased. It can be formed uniformly. For this reason, in the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention, the thickness of the film on one part of the substrate 103 is thicker or thinner than the thickness of the film on the other part. problems can be prevented.

또한, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 부식 방지 기능을 하는 배리어막(B) 및 보호막(P)을 구비함으로써, 상대적으로 고내식성을 구비할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA4)는 부식 방지 기능에서 유리할 뿐만 아니라, 표면의 영역별로 방사율이 다름에 따라 피처리 기판(103)상의 피막의 두께를 균일하게 하는데에 효과적일 수 있다.In addition, the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention includes a barrier film (B) and a protective film (P) that function to prevent corrosion, so that it can have relatively high corrosion resistance. . For this reason, the gas injection member SA4 for deposition equipment according to the fourth preferred embodiment of the present invention is not only advantageous in corrosion prevention function, but also increases the thickness of the film on the target substrate 103 as the emissivity is different for each area of the surface. It can be effective for uniformity.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는 위와 같은 표면 영역별로 조도 범위가 다르게 형성되어 영역별 방사율의 차이가 있는 본 발명의 바람직한 제1실시 예 내지 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4)를 이용하여 증착 공정을 수행할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 피처리 기판(103)의 하부에 지지대가 구비되고, 피처리 기판(103)의 하부에 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4)가 구비되는 위치 관계를 고려한 구조에서 피처리 기판(103)상의 피막의 두께가 두껍게 형성되는 부분과 대응되는 위치의 방사율을 다른 부분보다 크게 형성할 수 있다. The deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention is for the deposition equipment according to the first to fourth embodiments of the present invention in which the emissivity is different for each region because the roughness range is formed differently for each surface area as described above. The deposition process may be performed using the gas injection members SA1, SA2, SA3, and SA4. For this reason, in the deposition apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention, a support is provided under the target substrate 103 , and the gas injection members SA1 , SA2 , SA3 , In a structure in which SA4) is provided in consideration of the positional relationship, the emissivity of the portion corresponding to the portion where the thickness of the film on the processing target substrate 103 is formed to be greater than that of other portions may be formed.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 피처리 기판(103)의 표면에 피막 증착 공정을 수행함에 있어서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예 내지 제4실시 예에 따른 증착 장비용 가스분사부재(SA1, SA2, SA3, SA4)를 이용함에 따라 피처리 기판(103)의 표면에 형성되는 피막의 두께가 어느 부분에서 두껍게 형성되는 문제가 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 증착 장비(100)는, 신뢰도 높은 증착 공정을 수행하여 피처리 기판(103)의 불량 문제를 최소화하고, 제조 공정 수율을 향상시킬 수 있다.The deposition equipment 100 according to the preferred embodiment of the present invention is for the deposition equipment according to the first to fourth preferred embodiments of the present invention in performing a film deposition process on the surface of the target substrate 103 . By using the gas injection members SA1 , SA2 , SA3 , and SA4 , the problem that the thickness of the film formed on the surface of the processing target substrate 103 is thick in any part can be prevented. Accordingly, the deposition apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention may perform a highly reliable deposition process, thereby minimizing the defect problem of the target substrate 103 and improving the manufacturing process yield.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modification.

100: 증착 장비
101: 반응 용기 102: 지지대
103: 피처리 기판 SA: 가스분사부재
A: 양극산화피막 P: 보호막100: deposition equipment
101: reaction vessel 102: support
103: target substrate SA: gas injection member
A: Anodized film P: Protective film

Claims (20)

피처리 기판의 표면에 피막을 증착하는 증착 장비에 있어서,
상기 피처리 기판을 수용하는 반응용기;
상기 반응용기 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지대; 및
상기 지지대의 상면에서 상기 지지대에 대향되게 구비되는 가스분사부재를 포함하고,
상기 가스분사부재의 적어도 일부에서의 방사율은 상기 가스분사부재의 적어도 다른 부분에서의 방사율과 차이가 있는, 증착 장비.
In the deposition equipment for depositing a film on the surface of a target substrate,
a reaction vessel accommodating the target substrate;
a support for supporting the target substrate in the reaction vessel; and
It includes a gas injection member provided to face the support on the upper surface of the support,
An emissivity in at least a portion of the gas ejection member is different from an emissivity in at least another portion of the gas ejection member.
 제1항에 있어서,
상기 가스분사부재의 표면에는 상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속을 양극 산화하여 형성되는 양극산화피막을 포함하는, 증착 장비
According to claim 1,
Deposition equipment comprising an anodization film formed by anodizing a base metal constituting the gas injection member on the surface of the gas injection member
 제2항에 있어서,
상기 양극산화피막은 상기 모재 금속의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖도록 상기 양극산화피막의 표면에 기공이 형성되지 않는 배리어막으로 구성되는, 증착 장비.
3. The method of claim 2,
The anodized film is composed of a barrier film in which pores are not formed on the surface of the anodized film so as to have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal.
 제1항에 있어서,
상기 가스분사부재의 제1영역에 형성되는 제1조도 범위; 및
상기 가스분사부재의 제2영역에 형성되는 제2조도 범위;를 포함하고,
상기 제1조도 범위 와 상기 제2조도 범위의 차이로 인하여 상기 제1,2영역에서의 방사율에 차이가 있는, 증착 장비.
According to claim 1,
a first illuminance range formed in a first region of the gas injection member; and
Including; a second intensity range formed in the second region of the gas injection member;
There is a difference in emissivity in the first and second regions due to a difference between the first illuminance range and the second illuminance range.
 제4항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면 중앙에 위치하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며
상기 제2영역의 방사율이 상기 제1영역의 방사율보다 큰, 증착 장비.
5. The method of claim 4,
The first region is located in the center of the lower surface of the gas injection member, and the second region is located in a region surrounding the first region from the outside of the first region.
The emissivity of the second region is greater than the emissivity of the first region, deposition equipment.
 제4항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재에 형성된 가스홀이 형성된 영역이고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며,
상기 제2영역의 방사율이 상기 제1영역의 방사율보다 큰, 증착 장비.
5. The method of claim 4,
The first area is an area in which a gas hole formed in the gas injection member is formed, and the second area is located outside the first area and in an area surrounding the first area,
The emissivity of the second region is greater than the emissivity of the first region, deposition equipment.
 제4항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면이고, 상기 제2영역은 상기 가스분사부재의 측면이며,
상기 제1영역의 방사율이 상기 제2영역의 방사율보다 큰, 증착 장비.
5. The method of claim 4,
The first region is a lower surface of the gas ejection member, and the second region is a side surface of the gas ejection member,
The emissivity of the first region is greater than the emissivity of the second region, deposition equipment.
 제1항에 있어서,
상기 가스분사부재의 측면에는 형성되지 않고 상기 가스분사부재의 하면에만 형성되는 양극산화피막을 포함하고,
상기 가스분사부재의 측면의 방사율이 상기 가스분사부재의 하면의 방사율보다 낮은, 증착 장비.
According to claim 1,
and an anodization film formed only on the lower surface of the gas injection member, not on the side surface of the gas injection member,
The emissivity of the side surface of the gas injection member is lower than the emissivity of the lower surface of the gas injection member, deposition equipment.
 제4항에 있어서,
상기 제1조도 범위는 0.1㎛ 초과 1.0㎛ 이하이고,
상기 제2조도 범위는 1.0㎛ 초과 10㎛이하인, 증착 장비.
5. The method of claim 4,
The first roughness range is greater than 0.1 μm and less than or equal to 1.0 μm,
The second roughness range is greater than 1.0 μm and less than or equal to 10 μm, deposition equipment.
 피처리 기판의 표면에 피막을 증착을 하는 증착 장비용 가스분사부재에 있어서,
상기 가스분사부재의 적어도 일부에서의 방사율은 상기 가스분사부재의 적어도 다른 부분에서의 방사율과 차이가 있는, 증착 장비용 가스분사부재.
In the gas injection member for deposition equipment for depositing a film on the surface of a target substrate,
The gas ejection member for deposition equipment, wherein the emissivity of at least a portion of the gas ejection member is different from the emissivity of at least another portion of the gas ejection member.
 제10항에 있어서,
상기 가스분사부재의 표면에는 상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속을 양극 산화하여 형성되는 양극산화피막을 포함하는, 증착 장비용 가스분사부재.
11. The method of claim 10,
The gas ejection member for deposition equipment, comprising an anodization film formed by anodizing a base metal constituting the gas ejection member on a surface of the gas ejection member.
 제11항에 있어서,
상기 양극산화피막은 상기 모재 금속의 표면 조도 범위와 동일한 조도 범위를 갖도록 상기 양극산화피막의 표면에 기공이 형성되지 않는 배리어막으로 구성되는, 증착 장비용 가스분사부재.
12. The method of claim 11,
The anodized film is composed of a barrier film in which pores are not formed on the surface of the anodized film so as to have the same roughness range as the surface roughness range of the base metal, the gas injection member for deposition equipment.
 제10항에 있어서,
상기 가스분사부재의 제1영역에 형성되는 제1조도 범위; 및
상기 가스분사부재의 제2영역에 형성되는 제2조도 범위;를 포함하고,
상기 제1조도 범위와 상기 제2조도 범위는 서로 차이가 있는, 증착 장비용 가스분사부재.
11. The method of claim 10,
a first illuminance range formed in a first region of the gas injection member; and
Including; a second intensity range formed in the second region of the gas injection member;
The first illuminance range and the second illuminance range are different from each other, a gas injection member for deposition equipment.
 제13항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면 중앙에 위치하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역이며,
상기 제2조도 범위가 상기 제1조도 범위보다 큰, 증착 장비용 가스분사부재.
14. The method of claim 13,
The first region is located in the center of the lower surface of the gas injection member, the second region is a region surrounding the first region from the outside of the first region,
The second illuminance range is greater than the first illuminance range, a gas ejection member for deposition equipment.
 제13항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재에 형성된 가스홀이 형성된 영역이고, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측에서 상기 제1영역을 감싸는 영역에 위치하며,
상기 제2조도 범위가 상기 제1조도 범위보다 큰, 증착 장비용 가스분사부재.
14. The method of claim 13,
The first area is an area in which a gas hole formed in the gas injection member is formed, and the second area is located outside the first area and in an area surrounding the first area,
The second illuminance range is greater than the first illuminance range, a gas ejection member for deposition equipment.
 제13항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 가스분사부재의 하면이고, 상기 제2영역은 상기 가스분사부재의 측면이며,
상기 제1조도 범위가 상기 제2조도 범위보다 큰, 증착 장비용 가스분사부재.
14. The method of claim 13,
The first region is a lower surface of the gas ejection member, and the second region is a side surface of the gas ejection member,
The first illuminance range is greater than the second illuminance range, a gas injection member for deposition equipment.
 피처리 기판의 표면에 피막을 증착을 하는 증착 장비용 가스분사부재에 있어서,
상기 가스분사부재를 구성하는 모재 금속; 및
상기 모재 금속 표면의 제1조도 범위를 갖는 제1영역과 제2조도 범위를 갖는 제2영역 상에 형성되되, 상기 모재 금속의 상기 제1조도 범위 와 상기 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 그 표면에서 갖도록 상기 모재 금속을 양극 산화하여 형성하되 그 표면에 기공이 형성되지 않은 배리어막;을 포함하는 증착 장비용 가스분사부재.
In the gas injection member for deposition equipment for depositing a film on the surface of a target substrate,
a base metal constituting the gas injection member; and
The base metal surface is formed on a first area having a first roughness range and a second area having a second roughness range, and the same roughness range as the first roughness range and the second roughness range of the base metal is obtained. A gas injection member for deposition equipment comprising a; a barrier film formed by anodizing the base metal so as to have on the surface, but having no pores formed on the surface.
 제17항에 있어서,
상기 배리어막 상에 형성되는 보호막을 더 포함하되, 상기 보호막은,
알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨, 에르븀, 티타늄 및 탄탈늄 중 적어도 어느 하나인 전구체 가스와, 상기 내식층을 형성할 수 있는 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성되되, 상기 모재 금속의 제1조도 범위 와 제2조도 범위와 동일한 조도 범위를 그 표면에서 갖는, 증착 장비용 가스분사부재.
18. The method of claim 17,
Further comprising a protective film formed on the barrier film, wherein the protective film,
It is formed by alternately supplying a precursor gas, which is at least one of aluminum, silicon, hafnium, zirconium, yttrium, erbium, titanium, and tantalum, and a reactant gas capable of forming the corrosion resistant layer, the first roughness of the base metal A gas injection member for deposition equipment, having the same roughness range as the range and the second intensity range on its surface.
 제18항에 있어서,
상기 배리어막 상에 형성되는 보호막을 더 포함하되, 상기 보호막은,
알루미늄 산화물층, 이트륨 산화물층, 하프늄 산화물층, 실리콘 산화물층, 에르븀 산화물층, 지르코늄 산화물층, 플루오르화층, 전이금속층, 티타늄 질화물층, 탄탈륨 질화물층 및 지르코늄 질화물층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 증착 장비용 가스분사부재.
19. The method of claim 18,
Further comprising a protective film formed on the barrier film, wherein the protective film,
A deposition field comprising at least one of an aluminum oxide layer, a yttrium oxide layer, a hafnium oxide layer, a silicon oxide layer, an erbium oxide layer, a zirconium oxide layer, a fluoride layer, a transition metal layer, a titanium nitride layer, a tantalum nitride layer, and a zirconium nitride layer Cost gas injection element.
 피처리 기판의 표면에 피막을 증착을 하는 증착 장비용 가스분사부재에 있어서,
상기 가스분사부재의 하면 내측 영역에 위치하며 제1조도 범위를 가지는 제1영역;
상기 제1영역의 외측에 위치하며 제2조도 범위를 가지는 제2영역; 및
상기 제1영역과 상기 제2영역 상에 형성되는 양극산화피막;을 포함하고,
상기 제1영역과 상기 제2영역의 방사율은 차이가 있는, 증착 장비용 가스분사부재.
In the gas injection member for deposition equipment for depositing a film on the surface of a target substrate,
a first region located in an inner region of a lower surface of the gas injection member and having a first illuminance range;
a second region located outside the first region and having a second illuminance range; and
Including; an anodization film formed on the first region and the second region;
The emissivity of the first region and the second region is different, the gas ejection member for deposition equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100687530B1 (en) 1999-03-18 2007-02-27 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 Plasma ??? Film-Forming Device

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