KR20220043974A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 제1 색 변환층, 제1 색 변환층 상에 배치되고 저굴절 구조체들을 포함하는 저굴절층, 저굴절층 상에 배치되는 평탄화층 및 평탄화층 상에 배치되는 제1 컬러 필터층을 포함한다. 평탄화층은 저굴절 구조체들 사이에도 배치된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 효율이 개선된 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿, 노트북, 가전 기기 등 각종 전자 기기에 사용되고 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치가 발광 효율을 높이기 위한 연구가 진행되고 있다. 일 예로, 상기 표시 장치에 색 변환 물질 및 컬러 필터를 배치하여 원하는 색의 광을 방출하기 위한 연구가 진행되고 있다.
특정 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색 광)이 상기 색 변환 물질을 통과할 경우 다른 파장을 갖는 광(예를 들어, 적색 또는 녹색)으로 변환될 수 있다. 다만, 상기 색 변환 물질이 상기 특정 파장을 갖는 광을 전부 다른 파장을 갖는 광으로 변환하지 못할 수 있다. 이 경우, 변환되지 못한 광은 컬러 필터에 의해 외부로 방출되지 못하고 낭비될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치의 발광 효율이 낮아질 수 있다.
따라서, 상기 색 변환 물질을 통해 더 많은 광의 파장을 변환시키기 위한 요구가 대두되고 있다.
본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 발광 효율이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 색 변환층, 상기 제1 색 변환층 상에 배치되고, 저굴절 구조체들을 포함하는 저굴절층, 상기 저굴절층 상에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 컬러 필터층을 포함하고, 상기 평탄화층은 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 제1 색 변환층과 동일한 층에 배치되는 제2 색 변환층 및 보상층을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 상에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 및 상기 보상층 상에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 색 변환층, 제2 색 변환층 및 보상층은 각각 격벽에 의해 서로 이격될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 평탄화층 상에 배치되는 제2 컬러 필터층 및 제3 컬러 필터층을 더 포함하고, 상기 제1 컬러 필터층은 상기 제1 색 변환층과 중첩하며, 상기 제2 컬러 필터층은 상기 제2 색 변환층과 중합하고, 상기 제3 컬러 필터층은 상기 보상층과 중첩할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 굴절률이 나머지의 굴절률과 서로 상이할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 껍질의 두께와 나머지의 껍질의 두께는 서로 상이할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 실리카계 물질을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 물질을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 평탄화층은 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 색 변환층, 상기 제1 색 변환층 상에 배치되고, 저굴절 구조체들을 포함하는 저굴절층 및 상기 저굴절층 상에 배치되는 제1 컬러 필터층을 포함하고, 상기 제1 컬러 필터층은 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 제1 색 변환층과 동일한 층에 배치되는 제2 색 변환층 및 보상층을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 상에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 및 상기 보상층 상에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 색 변환층, 제2 색 변환층 및 보상층은 각각 격벽에 의해 서로 이격될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층 상에 배치되는 제2 컬러 필터층 및 제3 컬러 필터층을 더 포함하고, 상기 제1 컬러 필터층은 상기 제1 색 변환층과 중첩하며, 상기 제2 컬러 필터층은 상기 제2 색 변환층과 중합하고, 상기 제3 컬러 필터층은 상기 보상층과 중첩하며, 상기 제2 컬러 필터층 및 상기 제3 컬러 필터층은 상기 저굴절 구조체 사이에도 배치될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 굴절률이 나머지의 굴절률과 서로 상이할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 껍질의 두께와 나머지의 껍질의 두께는 서로 상이할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 실리카계 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 색 변환층 및 상기 색 변환층 상에 배치되는 저굴절층을 포함할 수 있다. 상기 저굴절층은 저굴절 구조체들을 포함할 수 있다. 상기 저굴절 구조체들은 별도의 용매와 함께 배치된 후, 상기 용매를 증발시켜 독자적으로 배치될 수 있다.
이에 따라, 상기 저굴절층은 상기 용매의 높은 굴절률로 인해 상기 저굴절층의 전체적인 굴절률이 증가하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 저굴절층은 특정 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 다시 색 변환층으로 보내 원하는 색의 광(예를 들어, 녹색 광 또는 적색 광)으로 변환할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 발광 효율이 증가할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 배치되는 화소의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 저굴절 구조체들의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 1의 표시 장치의 기판의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 표시 패널(DP), 데이터 구동부(DDV), 게이트 구동부(GDV) 및 타이밍 제어부(CON)를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 표시 패널(DP)은 일체로 형성될 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널(DP)은 복수의 서브 표시 패널들을 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(DP)은 복수의 화소들(P)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 화소들(P)은 각각 발광 소자들을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(DP)은 상기 발광 소자들을 통해 영상을 표시할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자들은 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode; OLED), 퀀텀-닷 유기 발광 다이오드(quantum-dot organic light emitting diode; QDOLED), 퀀텀-닷 나노 발광 다이오드(quantum-dot nano light emitting diode; QNED) 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는, 상기 표시 장치는 액정 표시 장치를 포함할 수 있다.
상기 타이밍 제어부(CON)는 외부로부터 제공되는 제어 신호(CTRL) 및 입력 영상 데이터(IDAT)에 기초하여 게이트 제어 신호(GCTRL), 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 출력 영상 데이터(ODAT)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어 신호(CTRL)는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 입력 데이터 인에이블 신호, 마스터 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 입력 영상 데이터(IDAT)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터 및 청색 영상 데이터를 포함하는 RGB 데이터일 수 있다. 또는, 상기 입력 영상 데이터(IDAT)는 마젠타섹 영상 데이터, 시안색 영상 데이터, 황색 영상 데이터를 포함할 수도 있다.
상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 타이밍 제어부(CON)로부터 제공되는 상기 게이트 제어 신호(GCTRL)에 기초하여 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 제어 신호(GCTRL)는 수직 개시 신호, 클록 신호 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 신호들을 순차적으로 출력할 수 있다. 상기 화소들(P) 각각은 상기 게이트 신호들 각각의 제어에 따라 데이터 전압을 제공받을 수 있다.
상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 타이밍 제어부(CON)로부터 제공되는 상기 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 상기 출력 영상 데이터(ODAT)에 기초하여 상기 데이터 전압을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 제어 신호(DCTRL)는 출력 데이터 인에이블 신호, 수평 개시 신호, 로드 신호 등을 포함할 수 있다.
상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결되며, 복수의 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 상기 화소들(P) 각각은 상기 데이터 전압들 각각에 상응하는 휘도에 대한 신호를 받아 영상을 표시할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 배치되는 화소의 실시예들을 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 복수의 화소들(P) 각각은 서브 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 화소들(P) 각각은 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)이 배치되는 주변 영역은 차광 영역(SA)으로 정의될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 차광 영역(SA)에는 격벽(SW), 차광 패턴(BM) 등이 배치될 수 있다.
도 2에서는 상기 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)이 일 방향으로 이격되어 배치되는 것으로 도시되었지만, 상기 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)의 배치는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)은 서로 지그재그 형태로 배치될 수도 있다.
상기 표시 장치는 기판(SUB), 격벽(SW), 제1 색 변환층(CCR), 제2 색 변환층(CCG), 보상층(CCB), 저굴절층(LR), 평탄화층(PL), 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB), 차광 부재(BM), 캡핑층(CP) 및 윈도우(WIN)를 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 복수의 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(SUB)은 트랜지스터 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 10을 참조하여 후술하기로 한다.
상기 기판(SUB) 상에는 격벽(SW)이 배치될 수 있다. 상기 격벽(SW)은 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 보상층(CCB)을 각각 둘러 쌀 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 보상층(CCB)은 서로 이격될 수 있다.
상기 제1 색 변환층(CCR)은 베이스 수지(CCRa), 파장 변환 입자(CCRb) 및 산란 입자(CCRc)를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 파장 변환 입자(CCRb)는 상기 파장 변환 입자(RC3)는 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 나노 결정을 갖는 반도체 물질로 정의될 수 있다. 상기 양자점은 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 갖는다. 따라서, 입사광을 흡수하여, 상기 입사광과 다른 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 양자점은 100nm 이하의 직경을 가질 수 있으며, 바람직하게 1nm 내지 20nm의 직경을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.
예를 들어, II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
예를 들어, III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
예를 들어, IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
예를 들어, IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
예를 들어, 상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어/쉘 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 코어와 상기 쉘은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 상기 베이스 수지(CCRa) 내에 분산될 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 수지(CCRa)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 카도계 수지, 이미드계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 산란체(CCRc)는 상기 제1 색 변환층(CCR)에 입사되는 광의 파장을 실질적으로 변화시키지 않으면서, 상기 입사광을 산란하여 광 경로를 증가시킬 수 있다.
상기 산란체(CCRc)는 금속 산화물 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물은 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO2) 등을 포함할 수 있고, 상기 유기 물질은 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 색 변환층(CCR)은 입사된 청색 광(L1)을 여기하여 적색 광(L2R)을 방출할 수 있다. 상기 제1 색 변환층(CCR)에 의해 여기되지 않은 청색 광(L1)은 상기 제1 컬러 필터(CFR)에서 차단될 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 광(L2R)은 약 610nm 내지 650nm의 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다.
상기 제2 색 변환층(CCG)은 베이스 수지(CCGa), 파장 변환 입자(CCGb) 및 산란 입자(CCGc)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 색 변환층(CCG)은 입사된 청색 광(L1)을 여기하여 녹색 광(L2G)을 방출할 수 있다. 상기 제2 색 변환층(CCG)에 의해 여기되지 않은 청색 광(L1)은 상기 녹색 컬러 필터(CFG)에서 차단될 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색 광(L2G)은 약 510nm 내지 550nm의 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다.
상기 보상층(CCB)은 베이스 수지(CCBa)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 수지들(CCBa, CCGa)는 상기 베이스 수지(CCRa)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보상층(CCB)은 산란체(CCBc)를 더 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 보상층(CCB)은 색 품질 향상, 색 변환 효율 증가 등을 위하여 파장 변환 물질을 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 물질은 자외선 또는 자외선에 근사한 파장 범위의 광을 여기하여 청색 광을 방출할 수 있다.
상기 격벽(SW)은 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB) 각각의 측면을 둘러쌀 수 있다. 상기 격벽(SW)은 상기 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB)을 형성하는 과정에서 잉크 조성물을 수용할 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 격벽(SW)은 평면도 상에서 그리드 형상 또는 매트릭스 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 격벽(SW)은 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 격벽(SW)은 블랙 매트릭스 역할을 하도록 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(SW)의 적어도 일부는 안료, 염료, 카본 블랙 등과 같은 차광 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 격벽(SW)은 상기 차광 영역(SA)과 중첩하게 배치될 수 있다.
상기 격벽(SW)은 단일층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(SW)은 잉크 조성물을 수용할 수 있는 격벽의 역할을 하기 위해서는 일정 이상의 두께를 갖도록 디자인될 수 있으며, 이를 위하여 다층 구조를 갖는 격벽을 형성할 수 있다.
상기 저굴절층(LR)이 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB) 상에 배치될 수 있다. 상기 저굴절층(LR)은 저굴절 구조체들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절층(LR)은 제1 저굴절 구조체(HW1) 및 제2 저굴절 구조체(HW2)를 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 실리카계 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절 구조체들은 중공 실리카를 포함할 수 있다. 상기 저굴철 구조체들은 구 형상일 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 색 변환층(CCR)에서 적색으로 변하지 못하고 전달되는 청색 광을 다시 제1 색 변환층(CCR)으로 선택적으로 반사시킬 수 있다. 상기 저굴절층(LR)은 상기 제2 색 변환층(CCG)에서 녹색으로 변하지 못하고 전달되는 청색 광을 다시 제2 색 변환층(CCG)으로 선택적으로 반사시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 저굴절 구조체(HW1) 및 상기 제2 저굴절 구조체(HW2)의 크기가 서로 상이할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 저굴절 구조체(HW1) 및 상기 제2 저굴절 구조체(HW2)의 굴절률이 서로 상이할 수 있다. 또한, 크기가 다른 저굴절 구조체들(HW1, HW2)을 사용함으로써, 빈 공간을 최소화하면서 상기 저굴절층(LR)을 배치할 수 있다.
다만, 도 3에서는 두 가지 크기의 저굴절 구조체들(HW1, HW2)이 배치되는 것으로 도시되었지만, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 세 가지 이상의 크기를 갖는 저굴절 구조체들이 배치될 수도 있다.
실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 용매에 용해된 상태에서 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB) 상에 배치될 수 있다. 통상적으로 상기 용매는 상기 저굴절 구조체보다 굴절률이 높을 수 있다. 따라서, 상기 용매가 남아있으면 상기 저굴절층의 굴절률이 높아질 수 있다.
이를 방지하기 위해, 상기 용매는 휘발성이 강한 알코올류를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 이소프로필알코올을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 저굴절 구조체들이 상기 용매에 용해된 상태에서 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB) 상에 배치된 후에 상기 용매가 쉽게 증발될 수 있다.
또한, 상기 알코올류 용매는 끓는점이 낮아 저온에서 증발시킬 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 다른 층들에 손상을 가하지 않는 범위 내에서 열을 가해 상기 알코올류 용매를 증발시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 저굴절 구조체들만을 포함하는 상기 저굴절층(LR)의 굴절률을 효과적으로 낮출 수 있다.
상기 저굴절층(LR) 상에 평탄화층(PL)이 배치될 수 있다. 상기 평탄화층(PL)은 상기 격벽(SW) 및 상기 저굴절층(LR)을 덮으며 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 평탄화층(PL)은 유기 물질을 포함하는 유기막일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 물질은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, 페놀 수지 등의 유기 물질을 포함할 수 있다.
또는, 실시예들에 있어서, 상기 평탄화층(PL)은 무기 물질을 포함하는 무기막일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 실리콘계 물질을 포함할 수 있다.
상기 저굴절층(LR)은 구형의 저굴절 구조체들만 배치되어 있어서, 상기 평탄화층(PL)은 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치될 수 있다. 다만, 실시예들에 있어서, 상기 평탄화층(PL)이 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB)까지 침투하지 않도록 상기 저굴절 구조체들이 두껍게 배치될 수 있다.
또는, 실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들의 표면에 화학 처리를 하여 상기 평탄화층(PL)이 상기 저굴절 구조체들의 표면에 흡착되도록 할 수 있다. 이에 따라, 상기 평탄화층(PL)이 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB)까지 침투하지 못할 수 있다.
상기 평탄화층(PL) 상에 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB)이 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB)은 각각 특정 색의 광을 투과할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB)는 각각 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 보상층(CCB)과 중첩할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 컬러 필터(CFR)는 적색 광을 투과할 수 있다. 이에, 상기 제1 컬러 필터(CFR)는 상기 제1 색 변환층(CCR)과 중첩할 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(CFG)는 녹색 광을 투과할 수 있다. 이에, 상기 제2 컬러 필터(CFG)는 상기 제2 색 변환층(CCG)과 중첩할 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(CFB)는 청색 광을 투과할 수 있다. 이에, 상기 제3 컬러 필터(CFB)는 상기 보상층(CCB)과 중첩할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 차광 부재(BM)가 상기 격벽(SW) 중 일부와 중첩하여 배치될 수 있다. 상기 차광 부재(BM)는 상기 제3 컬러 필터(CFB)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 차광 부재(BM)는 상기 제1 색 변환층(CCR)에서 방출되는 적색 광이 제1 컬러 필터(CFR)를 통해 상기 표시 장치의 외부로 방출 수 있도록 조절할 수 있다. 즉, 상기 차광 부재(BM)는 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접한 서브 화소들(SP2, SP3) 사이의 혼색을 방지할 수 있다. 또한, 상기 차광 부재(BM)는 상기 제2 색 변환층(CCG)에서 방출되는 녹색 광이 제2 컬러 필터(CFG)를 통해 상기 표시 장치의 외부로 방출 수 있도록 조절할 수 있다. 즉, 상기 차광 부재(BM)는 상기 제2 서브 화소(SP2)와 인접한 서브 화소들(SP1, SP3) 사이의 혼색을 방지할 수 있다.
상기 캡핑층(CP)이 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 보상층(CCB) 상에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(CP)은 불순물(예를 들어, 산소 및/또는 수분)의 침투를 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(CP)은 무기층과 유기층이 교대로 배치된 구조를 가질 수 있다.
윈도우(WIN)는 상기 캡핑층(CP) 상에 배치될 수 있다. 상기 윈도우(WIN)는 유리를 포함할 수 있고, 외부 충격으로부터 상술한 구성들을 보호할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다. 도 5는 저굴절 구조체들의 크기가 동일한 것을 제외하면 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 저굴절 구조체들의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 저굴절 구조체(HW1)는 껍질의 두께가 상이한 제1 서브 저굴절 구조체(HW1a) 및 제2 서브 저굴절 구조체(HW1b)를 포함할 수 있다. 상기 껍질의 두께가 상이하여 상기 제1 서브 저굴절 구조체(HW1a) 및 상기 제2 서브 저굴절 구조체(HW1b)의 굴절률이 서로 상이할 수 있다. 이와 같이, 크기가 동일하지만 굴절률이 상이한 구조체들을 통해 다양한 굴절률을 확보할 수 있다.
도 7은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이다. 도 7은 상기 보상층(CCB) 상에 상기 저굴절층(LR)이 배치되지 않는 것을 제외하면 도 3과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 상기 보상층(CCB)에서 방출되는 광은 청색 광일 수 있다. 따라서, 상기 청색 광이 그대로 제3 컬러 필터(CFB)를 투과하여도 낭비되는 광이 없을 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 색 변환층(CCR) 및 상기 제2 색 변환층(CCG)에서 방출되는 광은 각각 적색 및 녹색 광일 수 있다. 다만, 상기 제1 색 변환층(CCR) 및 상기 제2 색 변환층(CCG)에서 각각 적색 및 녹색 광으로 변환되지 못한 청색 광은 상기 제1 컬러 필터(CFR) 및 상기 제2 컬러 필터(CFG)에 의해 흡수될 수 있다. 이에 따라, 발광 효율이 낮아질 수 있다. 따라서, 상기 제1 색 변환층(CCR) 및 상기 제2 색 변환층(CCG) 상에만 선택적으로 상기 저굴절층(LR)이 배치될 수 있다. 다만, 이 경우 상기 평탄화층(PL)이 상기 보상층(CCB)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 보호층(CL)이 상기 평탄화층(PL) 및 상기 보상층(CCB) 사이에 배치될 수 있다.
도 8은 도 1의 표시 장치의 색 변환층, 저굴절층 및 평탄화층의 실시예들을 나타내는 단면도이다. 도 8은 상기 평탄화층(PL) 및 상기 보상층(CCB) 사이에 상기 저굴절층(LR) 대신 상기 보호층(CL)이 배치되는 것을 제외하면 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 9는 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 실시예들을 나타내는 단면도이다. 도 9는 상기 평탄화층(PL)이 제외되는 것을 제외하면 도 3과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 격벽(SW) 및 상기 저굴절층(LR) 상에 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB) 및 상기 차광 부재(BM)가 배치될 수 있다.
상기 저굴절층(LR)은 구형의 저굴절 구조체들만 배치되어 있어서, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB) 및 상기 차광 부재(BM)는 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치될 수 있다. 다만, 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB) 및 상기 차광 부재(BM)가 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB)까지 침투하지 않도록 상기 저굴절 구조체들이 두껍게 배치될 수 있다.
또는, 실시예들에 있어서, 상기 저굴절 구조체들의 표면에 화학 처리를 하여 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB) 및 상기 차광 부재(BM)가 상기 저굴절 구조체들의 표면에 흡착되도록 할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CFR, CFG, CFB) 및 상기 차광 부재(BM)가 상기 제1 색 변환층(CCR), 상기 제2 색 변환층(CCG) 및 상기 보상층(CCB)까지 침투하지 못할 수 있다.
도 10은 도 1의 표시 장치의 기판의 실시예들을 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 기판(SUB)은 베이스 기판(BS), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 트랜지스터(TFT), 화소 정의막(PDL), 유기 발광 다이오드(OLED), 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GATE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 하부 전극(PE1), 중간층(EL) 및 상부 전극(PE2)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(BS)은 유리, 석영, 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 베이스 기판(BS)은 플라스틱을 포함할 수 있고, 이에 따라 상기 표시 장치는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 베이스 기판(BS)은 적어도 하나의 유기 필름층 및 적어도 하나의 배리어층이 번갈아 가며 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 필름층은 폴리이미드와 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 상기 배리어층은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(BUF)은 상기 베이스 기판(BS) 상에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(BUF)은 상기 베이스 기판(BS)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브층(ACT)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(BUF)은 상기 액티브층(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절할 수 있고, 이에 따라, 상기 액티브층(ACT)이 균일하게 형성될 수 있다.
상기 액티브층(ACT)은 상기 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 액티브층(ACT)은 산화물계 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 산화물계 반도체 물질은 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐-갈륨 산화물(Indium Gallium Oxide; IGO), 아연-주석 산화물(ZnSnxOy) 및 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide; IGZO) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 실시예들에 있어서, 상기 액티브층(ACT)은 실리콘계 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘계 반도체 물질은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(GI)은 상기 버퍼층(BUF) 상에서 상기 액티브층(ACT)을 덮으며 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GATE)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GATE)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GATE)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GATE)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연층(ILD)은 상기 게이트 전극(GATE)을 덮으며 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연층(ILD)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 등을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 각각 콘택홀에 의해 상기 액티브층(ACT)에 연결될 수 있다.
상기 비아 절연층(VIA)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 덮으며 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 또는, 상기 비아 절연층(VIA)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)이 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리이미드(PI), 헥사메틸다이실록산(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극(PE1)이 상기 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(PE1)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(PE1)은 상기 트랜지스터(TFT)를 통해 신호를 인가받을 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 하부 전극(PE1)은 애노드 전극일 수 있다.
상기 중간층(EL)은 광을 방출할 수 있다. 상기 중간층(EL)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 중간층(EL)은 청색 광을 방출할 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 중간층(EL)은 다양한 색의 광을 방출할 수 있다.
상기 상부 전극(PE2)이 상기 중간층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 상기 상부 전극(PE2)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극(PE2)은 캐소드 전극일 수 있다.
상기 상부 전극(PE2) 상에 상기 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 상기 봉지층(TFE)은 유기막 및 무기막이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(TFE)은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 제1 유기막 및 상기 제1 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함할 수 있다. 이 외에도, 상기 봉지층(TFE)은 더 많은 유기막 및 무기막 층을 포함할 수 있다.
도 10은 상기 기판(SUB)의 일부를 도시한 것이다. 즉, 상기 기판(SUB)은 상기 트랜지스터(TFT) 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)를 더 포함할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 장치는 스마트폰, 태블릿, 노트북, 모니터, TV 등을 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
CCR: 제1 색 변환층 CCG: 제2 색 변환층
CCB: 보상층 LR: 저굴절층
HW1: 제1 저굴절 구조체 HW2: 제2 저굴절 구조체
HW1a: 제1 서브 저굴절 구조체 HW1b: 제2 서브 저굴절 구조체
PL: 평탄화층 CFR: 제1 컬러 필터
CFG: 제2 컬러 필터 CFB: 제3 컬러 필터
BM: 차광 부재 SW: 격벽
SUB: 기판 BS: 베이스 기판
L1: 청색 광 L2R: 적색 광
L2G: 녹색 광 L2B: 청색 광
WIN: 윈도우 CP: 캡핑층
TFT: 트랜지스터 OLED: 유기 발광 다이오드
TFE: 봉지층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 색 변환층;
    상기 제1 색 변환층 상에 배치되고, 저굴절 구조체들을 포함하는 저굴절층;
    상기 저굴절층 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 컬러 필터층을 포함하고,
    상기 평탄화층은 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치되는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 제1 색 변환층과 동일한 층에 배치되는 제2 색 변환층 및 보상층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 상에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 및 상기 보상층 상에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서, 상기 제1 색 변환층, 제2 색 변환층 및 보상층은 각각 격벽에 의해 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 평탄화층 상에 배치되는 제2 컬러 필터층 및 제3 컬러 필터층을 더 포함하고,
    상기 제1 컬러 필터층은 상기 제1 색 변환층과 중첩하며, 상기 제2 컬러 필터층은 상기 제2 색 변환층과 중합하고, 상기 제3 컬러 필터층은 상기 보상층과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 굴절률이 나머지의 굴절률과 서로 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 껍질의 두께와 나머지의 껍질의 두께는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 실리카계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 무기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 색 변환층;
    상기 제1 색 변환층 상에 배치되고, 저굴절 구조체들을 포함하는 저굴절층; 및
    상기 저굴절층 상에 배치되는 제1 컬러 필터층을 포함하고,
    상기 제1 컬러 필터층은 상기 저굴절 구조체들 사이에도 배치되는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 제1 색 변환층과 동일한 층에 배치되는 제2 색 변환층 및 보상층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 상에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 저굴절층은 상기 제2 색 변환층 및 상기 보상층 상에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서, 상기 제1 색 변환층, 제2 색 변환층 및 보상층은 각각 격벽에 의해 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 저굴절층 상에 배치되는 제2 컬러 필터층 및 제3 컬러 필터층을 더 포함하고,
    상기 제1 컬러 필터층은 상기 제1 색 변환층과 중첩하며, 상기 제2 컬러 필터층은 상기 제2 색 변환층과 중합하고, 상기 제3 컬러 필터층은 상기 보상층과 중첩하며,
    상기 제2 컬러 필터층 및 상기 제3 컬러 필터층은 상기 저굴절 구조체 사이에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제12 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 굴절률이 나머지의 굴절률과 서로 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제12 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들 중 적어도 일부의 껍질의 두께와 나머지의 껍질의 두께는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제12 항에 있어서, 상기 저굴절 구조체들은 실리카계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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