KR20220041525A - 저노이즈 고감도의 ae센서 - Google Patents
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 3
- -1 cubic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 241001581521 Attila spadiceus Species 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- XDDAORKBJWWYJS-UHFFFAOYSA-N glyphosate Chemical compound OC(=O)CNCP(O)(O)=O XDDAORKBJWWYJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2437—Piezoelectric probes
- G01N29/2443—Quartz crystal probes
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
- G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/221—Arrangements for directing or focusing the acoustical waves
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2418—Probes using optoacoustic interaction with the material, e.g. laser radiation, photoacoustics
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2437—Piezoelectric probes
- G01N29/245—Ceramic probes, e.g. lead zirconate titanate [PZT] probes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
저노이즈 고감도의 AE센서가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 탄성파 진동을 감지하기 위한 AE센서(Acoustic Emission sensor)에 있어서, 바닥면에 웨어 플레이트가 구비되는 원통형의 하우징; 탄성파 신호를 감지하되, P파와 S파 모두를 감지할 수 있도록 반경모드(g31모드)와 두께모드(g33모드)의 혼합모드로 설정된 원추형 압전소자; 상기 압전소자에서 감지된 신호를 신호처리 후 출력시키는 프리앰프(pre-amplifier); 상기 하우징의 내부를 밀폐시키면서 상단을 덮는 덮개부재;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 저노이즈 고감도의 AE센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다양한 지점에서 발생되는 탄성파 진동을 감지하기 위하여 반경-두께 혼합모드로 설정되는 저노이즈 고감도의 AE센서에 관한 것이다.
산업설비나 기계가공 시스템 등의 고속화 및 자동화가 발달함에 따라 제품의 생산속도 향상과 원가 절감이 요구 되어지고 있다. 따라서 기기에 대한 의존성이 커지고 기기의 파손 및 고장에 따른 대형사고와 운전정지가 발생할 경우 생산 손실 또한 커지게 된다. 종래에는 숙련된 기술자에 의하여 고장진단이 이루어 졌으나 최근에는 무인화 및 자동화로 인하여 기계의 작동 중에 지속적인 기계상태를 모니터링하여 고장 전에 미리 이상을 발견할 수 있는 형태의 기술 개발이 필요하다.
현재 널리 이용되고 있는 시스템 감시에는 센서가 많이 사용되며 특히 AE(Acoustic Emission)신호는 재료나 시스템을 파괴하지 않고 기계적인 미소 신호변화를 감지할 수 있어 일반적으로 많은 진단 시스템에서 사용되고 있다.
이와 같은 AE기술에 핵심인 음향방출센서("AE센서": Acoustic Emission Sensor)는 대상물인 시험편 내부에서 일어난 음향방출에 의하여 발생된 탄성파가 시험편 자기 자신을 전단매질로 전파하여 시험편의 한 표면에 동적인 진동운동으로 도달하였을 때 이를 전압-시간의 신호로 변환시키는 기능을 한다. 이에 따라, 사후진단보다 예방진단에 활용할 수 있다는 점에서 주목을 받고 있으며, 무엇보다 결함탐지감도가 매우 높을 뿐만 아니라 대상물의 구조나 결함의 크기에 구애받지 않고 결함을 탐지할 수 있으므로 매우 유리하다.
이러한 기술로서, '피에조 방식의 압전센서(등록번호 : 10-2106367)'에서는 외부의 검사 대상 구조물(예: 배관 등)로부터 탄성파를 감지하고 감지 결과 데이터를 외부로 전송하는 피에조 방식의 압전 센서를 개시하고 있다.
한편, 감쇠가 심한 재료나 시스템 내부의 결함을 검출하기 위해서는 고출력 음파를 이용해아 하는데, 이를 위해서는 가능한 초음파 주파수가 낮은 것이 유리하다. 그러나 초음파 주파수가 낮으면 센서의 감도가 저하되기 때문에, 상술한 방법에 의하면 효율적인 결함 확인이 어려운 문제점이 있었고, 반경모드(g31모드)로 유입되는 탄성파 신호의 고감도 감지에는 한계가 있으므로, 이에 대한 새로운 기술 개발이 필요한 시점이다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다양한 지점에서 발생되는 탄성파 진동을 감지하기 위하여 반경-두께 혼합모드로 설정되는 저노이즈 고감도의 AE센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 저노이즈 고감도의 AE센서는, 바닥면에 웨어 플레이트가 구비되는 원통형의 하우징; 탄성파 신호를 감지하되, P파와 S파 모두를 감지할 수 있도록 반경모드(g31모드)와 두께모드(g33모드)의 혼합모드로 설정된 원추형 압전소자; 상기 압전소자에서 감지된 신호를 신호처리 후 출력시키는 프리앰프(pre-amplifier);
상기 하우징의 내부를 밀폐시키면서 상단을 덮는 덮개부재;를 포함하여 구성되는 것을 기술적 요지로 한다.
이러한 저노이즈 고감도의 AE센서의 상기 압전소자는, 하면의 직경 대비 상면의 직경의 비가 0.5 내지 1이고, 하면의 직경 대비 두께의 비가 0.4 내지 0.8인 것을 특징으로 한다.
이러한 저노이즈 고감도의 AE센서의 상기 웨어 플레이트는, 상기 압전소자와의 어쿠스틱 임피던스 비율이 0.96 내지 1.05의 범위에 속하는 그라스, 큐빅, 석영, 퀄츠, 시멘트, 알루미나를 포함하는 군에서 선택된 어느 하나의 세라믹으로 되는 것을 특징으로 한다.
이러한 저노이즈 고감도의 AE센서의 상기 압전소자는, 외주면에 테프론 코팅처리되는 버퍼층이 더 구비되고, 상기 하우징과 버퍼층 사이에는 에폭시로 채워지며, 상기 하우징은, 내벽에 구리필름층을 더 포함하여 구성되어, 상기 AE센서의 외부에서 발생되는 노이즈를 차단하는 것을 특징으로 한다.
이러한 저노이즈 고감도의 AE센서의 상기 덮개부재는, 액체질소에 담가 수축 시킨 후 상기 하우징 위에 덮고 상온에서 팽창시키는 것을 특징으로 한다.
상기 과제의 해결수단에 의한 본 발명은, 반경-두께 혼합모드로 설정되는 원추형 AE센서의 구조에 의하여 다양한 각도와 방향으로 유입되는 탄성파를 고감도로 감지할 수 있는 효과가 있다.
압전소자의 측면을 따라 형성되는 버퍼층과 압전소자의 상단에 배치되어 프리로드를 가해주는 배킹층에 의하여 측정대상으로 하는 대역의 주파수에 해당하는 신호를 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
AE센서에서 감지된 탄성파는 구리필름층에 의하여 외부에서 유입되는 노이즈가 차단되고, 프리앰프를 통해 공진영역 이외의 노이즈가 제거되며, 보다 명확한 신호를 획득할 수 있으므로 신호처리 및 분석이 용이한 효과가 있다.
간단한 공정으로 AE센서의 패키징 마감을 용이하게 수행할 수 있으므로 용접 또는 볼트와 너트를 이용하는 종래의 기계적인 공정에 비하여 제조공정 단계와 비용을 절약할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저노이즈 고감도의 AE센서의 구성도.
도 2는 탄성파 소스로부터 다양한 각도와 방향으로 탄성파가 압전소자로 유입된다는 것을 설명하는 도면. (도면수정)
도 3은 압전소자의 직경과 두께의 비에 따른 공진 특성을 살펴보기 위하여 atila simulator를 이용하여 시뮬레이션을 수행한 결과 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 원추형 압전소자의 형상을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 AE센서의 감도가 개선되었음을 확인할 수 있는 실험 그래프.
도 6은 도 1의 배킹층의 유무에 따른 AE센서의 공진특성을 나타내는 도면.
도 7은 배킹층의 중량에 따른 진폭 변화를 나타내는 도면.
도 8은 도 1의 덮개부재를 조립하는 방법을 나타내는 도면.
도 2는 탄성파 소스로부터 다양한 각도와 방향으로 탄성파가 압전소자로 유입된다는 것을 설명하는 도면. (도면수정)
도 3은 압전소자의 직경과 두께의 비에 따른 공진 특성을 살펴보기 위하여 atila simulator를 이용하여 시뮬레이션을 수행한 결과 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 원추형 압전소자의 형상을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 AE센서의 감도가 개선되었음을 확인할 수 있는 실험 그래프.
도 6은 도 1의 배킹층의 유무에 따른 AE센서의 공진특성을 나타내는 도면.
도 7은 배킹층의 중량에 따른 진폭 변화를 나타내는 도면.
도 8은 도 1의 덮개부재를 조립하는 방법을 나타내는 도면.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 8에 의거하여 상세히 설명한다. 한편, 도면과 상세한 설명에서 일반적인 압전효과, 증폭회로, 탄성파 감지 등으로부터 이 분야의 종사자들이 용이하게 알 수 있는 구성 및 작용에 대한 도시 및 언급은 간략히 하거나 생략하였다. 특히 도면의 도시 및 상세한 설명에 있어서 본 발명의 기술적 특징과 직접적으로 연관되지 않는 요소의 구체적인 기술적 구성 및 작용에 대한 상세한 설명 및 도시는 생략하고, 본 발명과 관련되는 기술적 구성만을 간략하게 도시하거나 설명하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 저노이즈 고감도의 AE센서(Acoustic Emission sensor)는 탄성파 진동을 감지하기 위한 센서로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 하우징(100), 압전소자(300), 프리앰프(200), 덮개부재(400), 커넥터(500)를 포함하여 구성된다.
이러한 AE센서는 압전소자(300)의 압전 효과를 이용한 센서로서, AE센서가 설치된 전력기기의 방전이나 다양한 고장이나 열화 등으로 인하여 발생되는 진동으로 발생되는 탄성파를 감지하므로, 와이어로프, 전자기기, 플랜트 설비, 다양한 기계장치 또는 구조물 등 다양한 곳에 설치되어 고장진단이 가능한 효과가 있다.
AE센서의 종류로는 공진형(resonant type) 센서와 광대역(wide band type) 센서가 있다. 공진형 센서는 특정한 주파수에서 감도가 높은 반면, 광대역센서는 감도가 낮지만 넓은 주파수 범위에서 신호탐지가 가능하다는 장점을 갖는다. 따라서 기계장치 등의 안전검사와 같은 용도로 사용하기 위해서는 특정한 주파수 대역에서 감도가 높은 공진형 센서가 더 적합하다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 50kHz 내지 150kHz 범위의 특정 주파수 대역을 대상으로 하는 공진형 센서를 살펴보기로 한다.
하우징(100)은 AE센서의 외부몸체를 이루는 구성이다. 하우징(100)의 바닥면에는 압전소자(300)가 놓여지는 웨어 플레이트(110)가 구비된다.
웨어 플레이트(110)는 외부의 탄성파 소스로부터 전달되는 탄성파를 후술할 압전소자(300)가 감지하기 위하여 탄성파가 통과하는 구성이므로, AE센서의 마찰면에서 탄성파의 손실 없이 압전소자(300)에 전달되어야 한다.
즉, 웨어 플레이트(110)와 압전소자(300)의 어쿠스틱 임피던스(Acoustic Impedance)가 동일할수록 압전소자(300)의 감도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 웨어 플레이트(110)와 압전소자(300)의 어쿠스틱 임피던스 비율은 0.96 내지 1.05의 범위에 속하는 소재로 되는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 웨어 플레이트(110)는 그라스, 큐빅, 석영, 퀄츠, 시멘트, 알루미나를 포함하는 군에서 선택된 어느 하나의 세라믹으로 되는 것이 바람직하며, 그 중에서도 알루미나로 되는 것이 가장 바람직하다.
추가로, 하우징(100)의 일측면에는 AE센서를 연결시킬 수 있는 커넥터(500)가 형성될 수 있다.
웨어 플레이트(110)의 상면에 배치되는 압전소자(300)는 외부의 탄성파 소스에서 발생되어 전달된 탄성파를 감지하는 구성이다.
외부로부터 주입되는 탄성파는 도 2에 도시된 바와 같이, 다양한 방향과 속도로 유입된다. 한편, 압전소자(300)는 측면에서 오는 탄성파를 감지하는 반경모드(g31모드)와 수직면에서 오는 탄성파를 감지하는 두께모드(g33모드)로 설정될 수 있는데, 반경모드가 두께모드에 비하여 높은 탄성파 수신 감도를 나타내므로, 압전소자(300)의 형상은 이를 충분히 고려하여 설계되어야 한다.
즉, 압전소자(300)는 P파와 S파를 모두 감지할 수 있도록 수평측 파형을 감지할 수 있는 반경모드와 수직측 파형을 감지할 수 있는 두께모드의 혼합모드로 설정될 수 있으며, 납작한 디스크형 보다는 높이가 있는 기둥형으로 설계되는 것이 바람직하다.
AE센서의 감도를 보다 향상시키기 위해서는 압전소자(300)의 직경과 두께의 비율을 적절히 선택하여 P파와 S파를 모두 높은 감도로 감지할 수 있어야 한다. 도 3은 압전소자(300)의 직경을 12mm로 고정하고, 두께를 조절하면서 압전소자(300)의 공진 특성을 살펴보기 위하여 atila simulator를 이용하여 시뮬레이션을 수행한 결과 그래프이다.
압전소자(300)의 직경이 12mm일 때, 두께를 4mm, 6mm, 9mm로 설정하여 진공 특성을 살펴보면, 직경 대비 두께 비가 약 0.3일 때 보다 직경 대비 두께 비가 0.5, 0.75일 때 50kHz 내지 150kHz의 범위에서 공진 특성이 우수함을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에서 목표하는 50kHz 내지 150kHz의 범위에서 특히 더 우수한 감도를 갖는 AE센서를 위한 압전소자(300)는 직경 대비 두께의 비가 0.4 내지 0.8 범위에 속하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 시간과 방향이 다른 측면이나 원거리로부터 도달하는 탄성파를 더욱 민감하게 감지할 수 있도록 압전소자(300)의 측면 g31 압전전압계수의 손실을 줄이기 위하여 상면 직경보다 하면 직경이 큰 원추형으로 형성될 수 있다.
이때, 원추형 압전소자(300)에서 상면 직경에 비하여 하면 직경이 너무 크면 반경모드(g31모드)보다 두께모드(g33모드)의 감도가 감소하는 문제점이 있으므로, 압전소자(300)의 하면 직경 대비 상면 직경의 비는 0.5 내지 1 범위에 속하는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 바람직한 AE센서의 압전소자(300)는 도 4와 같이 상면 직경이 d1, 하면 직경이 d2, 두께(높이)가 h인 원추형의 형상으로 되는 것이 가장 바람직하고, 이때, d1과 d2의 비는 0.5 내지 1 이하인 것으로 하며, d2와 h의 비는 0.4 내지 0.8인 것으로 한다.
이러한 압전소자(300)는 하우징(100) 내부의 웨어 플레이트(110) 상면에 구비되고, 압전소자(300)의 고정을 위하여 압전소자(300)와 하우징(100) 사이에는 에폭시(320)가 채워질 수 있다.
탄성파를 감지하여 전기신호로 변환하는 압전소자(300)에 약간의 자유도(g31에 의한 변위 폭)를 주기 위하여 압전소자(300)의 두께측면에는 버퍼층(310)을 구비할 수 있다.
버퍼층(310)은 압전소자(300)와 에폭시(320) 사이에서 압전소자(300)의 외주면에 일정 두께로 형성된다.
이러한 버퍼층(310)은 압전소자(300)의 측면을 따라 테프론 필름이나 코팅 처리될 수 있다.
이와 같이, 버퍼층(310)이 형성된 압전소자를 이용하여 탄성파를 측정하면, 도 5(a)에 도시된 바와 같이, 주파수 도메인에서 진폭이 90dB의 탄성파 감도를 나타내는 반면, 버퍼층(310)이 형성되지 않은 종래의 압전소자를 이용하여 탄성파를 측정했을 때는 80dB의 탄성파 감도를 나타내었다. 따라서, 압전소자에 버퍼층(310)이 형성됨으로써 10dB 이상 높은 탄성파 감도를 나타냄을 알 수 있다.
또한, 도 5(b)를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 AE센서가 P파와 S파 모두 감지함을 알 수 있다. 전술한 바와 같이, 수직방향으로 유입되는 탄성파와 수평방향으로 유입되는 탄성파 모두를 감지할 수 있으므로 다양한 방향과 각도로 유입되는 탄성파들을 높은 감도로 측정함을 알 수 있다.
한편, 압전소자(300)에서 감지되는 탄성파를 용이하게 분석하기 위해서는 미세한 신호를 증폭시키고 노이즈를 제거할 필요가 있는데, 이를 위하여 하우징(100)의 내부에는 압전소자(300)의 신호를 전달받아 노이즈를 제거하고 유효신호를 증폭시키는 프리앰프(200)가 구비될 수 있다.
프리앰프(200)는 일반적인 신호처리필터와 같이, 하이패스 필터 → 로우패스 필터+하이패스 필터 → 하이패스 필터+전류드라이버로 구성될 수 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 프리앰프(200)는 AE센서로 유입되어 압전소자(300)에서 감지된 탄성파 신호의 노이즈를 제거한 후 유효신호만을 증폭시킴으로써 AE센서의 감도를 향상시킬 수 있고, 원거리로 신호의 전송 및 분석이 용이하다.
추가로, 압전소자(300)에서 감지된 신호에 외부 노이즈가 유입되는 것을 차단하기 위한 방법으로는 하우징(100) 내에 구리필름층(120)이 구비될 수 있다.
하우징(100) 내 벽면에 구리필름층(120)을 구비함으로써 탄성파 소스에서 발생되는 노이즈 외에 외부에서 유입되는 노이즈도 차단할 수 있다. 실험결과 하우징(100) 내벽면에 구리필름층(120)이 구비되지 않은 AE센서의 경우에 노이즈 차단을 위한 threshold가 32dB로 측정된 반면, 하우징(100) 내벽면에 구리필름층(120)을 구비한 AE센서에서 노이즈 차단을 위한 threshold는 28dB로 다소 낮아짐을 확인할 수 있었다.
추가로, AE센서는 외부로부터 탄성파가 유입되면 작용-반작용에 의하여 압전소자(300)가 전기적 변환을 수행하므로 적절한 압전 변위를 찾아 프리로드(preload)를 가해주면 더욱 깨끗한 신호를 획득할 수 있다. 즉, AE센서의 아래에서 유입되는 탄성파는 압전소자(300)를 통과하여 손실되거나 압전소자(300)가 탄성파를 흡수할 수 있기 때문에 유입된 탄성파를 흡수 또는 손실시키지 않고, 적정 반응하도록 압전소자(300)를 고정시켜주어야 한다.
따라서 하우징(100) 내부 압전소자(300) 상단에 실리콘 몰딩을 통해 배킹 (backing)함으로써 압전소자(300)에 프리로드를 가해줄 수 있다. 도 6을 참조하면, (a)와 같이 배킹 마운트(backing mount)가 없는 경우에 비하여 (b)와 같이 실리콘을 이용한 몰딩을 통해 배킹층(130)이 형성되는 경우에 더욱 뚜렷한 신호가 측정됨을 알 수 있다. 특히, 본 발명에서 목표하는 주파수 대역인 50kHz 내지 150kHz 범위 내에서 공진 피크가 더욱 뚜렷하게 나타남을 알 수 있다.
배킹층(130)은 액상의 실리콘과 분말 형태의 텅스텐을 혼합하여 주입한 후 경화시켜 형성될 수 있다. 구체적으로는, 액상의 실리콘에 비중이 19인 텅스텐을 혼합시켜 압전소자(300) 상단에서 경화되어 몰딩을 형성함으로써 압전소자(300)에 프리로드가 가해질 수 있도록 하는 것이다. 이때, 배킹층(130)은 실리콘과 경화제의 비율이 10:1 로 되도록 하고, 액체상태로 압전소자(300)와 에폭시(320) 상단부에 유입되어 60℃에서 3시간 내외 또는 상온에서 6시간 12시간 경화시키는 공정으로 형성될 수 있다.
이렇게 형성되는 배킹층(130)의 중량은 5 내지 100g인 것이 바람직하다. 도 7을 참조하면, 50kHz와 150kHz에서의 배킹층(130) 중량에 따른 진폭 변화를 확인할 수 있다.
이와 같이 형성되는 AE센서는 외부로부터 이물질이 유입되거나 노이즈가 발생되는 것을 방지하기 위하여 마감 패키징이 필요하므로 하우징(100)의 상단을 덮개부재(400)로 마감할 수 있다.
작은 공간에 압전소자(300), 에폭시(320), 프리앰프(200), 배킹층(130)이 내장되어 있어 기계적인 2차 가공이 필요하며 이는 제조공정을 복잡하게 하거나 제조비용을 증가시키는 문제점이 있었다. 따라서, 마감 패키징 직전에 덮개부재(400)를 수축시켜 하우징(100)의 상단에 끼운 후 덮개부재(400)가 자체적으로 팽창하여 견고하게 마감되도록 한다. 자세하게는, 도 8과 같이, 덮개부재(400)를 액체질소에 3분여동안 담가 -170℃에서 약 75㎛ 내외의 직경을 수축시킨 다음, 하우징(100)의 상단에 체결하고, 상온에서 서서히 돌아오게 방치한다. 덮개부재(400)를 수축시킬 때, 하우징(100)의 상단에 100℃ 내외의 열을 가하여 팽창시키면 하우징(100)의 상단에 덮개부재(400)를 체결할 때 50 내지 100㎛ 정도의 이격이 발생하여 조립이 더욱 용이하고, 마감 패키징이 더욱 견고하게 될 수 있다.
이러한 공정으로 AE센서를 패키징하는 것은, 위험하고 복잡한 용접을 이용한 방법이나 볼트와 너트 또는 나사산과 나사홈을 이용한 결합을 위하여 하우징(100)과 덮개부재(400) 각각에 2차적인 기계공정이 필요한 종래의 방법과는 달리, 매우 간단한 공정으로 견고한 마감이 가능하므로 시간과 비용의 절약이 가능한 효과가 있다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 실시예에 따른 저노이즈 고감도의 AE센서를 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
100: 하우징
110: 웨어 플레이트
120: 구리필름층
130: 배킹층
200: 프리앰프
300: 압전소자
310: 버퍼층
320: 에폭시
400: 덮개부재
500: 커넥터
110: 웨어 플레이트
120: 구리필름층
130: 배킹층
200: 프리앰프
300: 압전소자
310: 버퍼층
320: 에폭시
400: 덮개부재
500: 커넥터
Claims (5)
- 탄성파 진동을 감지하기 위한 AE센서(Acoustic Emission sensor)에 있어서,
바닥면에 웨어 플레이트가 구비되는 원통형의 하우징;
탄성파 신호를 감지하되, P파와 S파 모두를 감지할 수 있도록 반경모드(g31모드)와 두께모드(g33모드)의 혼합모드로 설정된 원추형 압전소자;
상기 압전소자에서 감지된 신호를 신호처리 후 출력시키는 프리앰프(pre-amplifier);
상기 하우징의 내부를 밀폐시키면서 상단을 덮는 덮개부재;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 저노이즈 고감도의 AE센서. - 제1항에 있어서,
상기 압전소자는,
하면의 직경 대비 상면의 직경의 비가 0.5 내지 1이고,
하면의 직경 대비 두께의 비가 0.4 내지 0.8인 것을 특징으로 하는 저노이즈 고감도의 AE센서. - 제1항에 있어서,
상기 웨어 플레이트는,
상기 압전소자와의 어쿠스틱 임피던스 비율이 0.96 내지 1.05의 범위에 속하는 그라스, 큐빅, 석영, 퀄츠, 시멘트, 알루미나를 포함하는 군에서 선택된 어느 하나의 세라믹으로 되는 것을 특징으로 하는 저노이즈 고감도의 AE센서. - 제1항에 있어서,
상기 압전소자는,
외주면에 테프론 코팅처리되는 버퍼층이 더 구비되고,
상기 하우징과 버퍼층 사이에는 에폭시로 채워지며,
상기 하우징은,
내벽에 구리필름층을 더 포함하여 구성되어, 상기 AE센서의 외부에서 발생되는 노이즈를 차단하는 것을 특징으로 하는 저노이즈 고감도의 AE센서. - 제1항에 있어서,
상기 덮개부재는,
액체질소에 담가 수축시킨 후 상기 하우징 위에 덮고 상온에서 팽창시키는 것을 특징으로 하는 저노이즈 고감도의 AE센서.
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KR102106367B1 (ko) | 2020-01-20 | 2020-05-04 | 주식회사 아이디케이 | 피에조 방식의 압전센서 |
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- 2020-09-25 KR KR1020200124852A patent/KR20220041525A/ko unknown
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