KR20220011938A - Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same - Google Patents

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220011938A
KR20220011938A KR1020200090807A KR20200090807A KR20220011938A KR 20220011938 A KR20220011938 A KR 20220011938A KR 1020200090807 A KR1020200090807 A KR 1020200090807A KR 20200090807 A KR20200090807 A KR 20200090807A KR 20220011938 A KR20220011938 A KR 20220011938A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
resin
formula
parts
semiconductor circuit
Prior art date
Application number
KR1020200090807A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
변아영
정민수
김정학
남승희
조은별
김영삼
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020200090807A priority Critical patent/KR20220011938A/en
Publication of KR20220011938A publication Critical patent/KR20220011938A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1515—Three-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

The present invention relates to an adhesive composition for semiconductor circuit connection and an adhesive film for semiconductor circuit connection, comprising the same, and more specifically, to an adhesive composition for semiconductor circuit connection, which comprises an epoxy compound having a three-dimensional structure and a silicone-based epoxy resin to minimize deformation due to heat, improve dimensional stability, and at the same time prevent the increase in the brittleness of the film.

Description

반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름{ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT CONNECTION AND ADHESIVE FILM CONTAINING THE SAME}Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film for semiconductor circuit connection including the same

본 발명은 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름에 관한 것으로, 구체적으로 3차원 구조를 갖는 에폭시 화합물과 실리콘계 에폭시 수지를 포함함으로써, 열에 따른 변형을 최소화, 즉 치수안정성을 향상시키는 동시에 필름의 취성이 증가하는 것을 방지하는 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive composition for semiconductor circuit connection and an adhesive film for semiconductor circuit connection including the same, and specifically, by including an epoxy compound having a three-dimensional structure and a silicone-based epoxy resin, minimize deformation due to heat, that is, improve dimensional stability It relates to an adhesive composition for semiconductor circuit connection that prevents the increase in brittleness of the film at the same time, and an adhesive film for semiconductor circuit connection including the same.

최근 휴대기기를 비롯한 전자기기의 소형화 및 박형화되고 있으며, 이에 맞추어 반도체 산업 역시 고용량화, 초고속화되면서 극소형화, 박형화되는 추세로 발전해 나가고 있다. 상기와 같은 반도체 산업에 요구되는 니즈를 충족시키기 위해 차세대 IC 기판(substrate), 인쇄회로기판(PCB), 플렉서블 디스플레이 기판(Flexible display substrate)등에 있어 반도체 장치의 고집적화, 고미세화, 고성능화를 위한 방법들이 연구 및 개발 개발되고 있다.Recently, electronic devices including portable devices are becoming smaller and thinner, and in accordance with this, the semiconductor industry is also developing in the trend of miniaturization and thinness as high-capacity and ultra-high speed. In order to meet the needs required in the semiconductor industry as described above, methods for high integration, high miniaturization, and high performance of semiconductor devices in next-generation IC substrates, printed circuit boards (PCBs), flexible display substrates, etc. It is being researched and developed.

반도체 장치의 고집적화, 고미세화, 고성능화를 위한 것으로 반도체를 다단으로 집적하는 방법이 널리 사용되고 있다. 반도체를 다단 구조로 형성하기 위해서 반도체 공정용 접착 필름이 얇어지거나 와이어 본딩 또는 컨트롤러 등을 한번에 매립하여 접착 필름을 구현하는 방법으로 개발이 지속되어 왔다. A method of integrating semiconductors in multiple stages is widely used for high integration, high miniaturization, and high performance of semiconductor devices. In order to form a semiconductor in a multi-stage structure, development has continued as a method of implementing an adhesive film by thinning an adhesive film for a semiconductor process or embedding a wire bonding or controller at once.

최근 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 반도체 개발이 진행되면서 범프(Bump) 접합을 통한 신호 전달을 구현하기 위하여 TSV 층 사이를 충진할 충진제가 필요하게 되었다.Recently, as semiconductor development using TSV (Through Silicon Via) is progressing, a filler to fill between TSV layers is needed to realize signal transmission through bump junctions.

이를 위하여 종래에는 페이스트 형태의 NCP(non-cinductive paste)가 이용되었지만, 범프의 피치가 좁아지면서 상기 피치 사이를 충진하는 것이 점점 어려워지는 문제가 있었다.For this purpose, conventionally, non-cinductive paste (NCP) in the form of a paste has been used, but as the pitch of the bumps becomes narrow, it becomes increasingly difficult to fill the gaps between the pitches.

이를 해결하기 위하여 필름 형태인 NCF(non-cinductive film)을 개발하고 있지만, 플럭스 기능, 속경화 특성, 범프 접합성 및 신뢰성 등의 다양한 특성을 추가적으로 요구하고 있어 개발에 어려움이 있는 것이 현실이다.In order to solve this problem, a non-cinductive film (NCF) in the form of a film is being developed, but the reality is that it is difficult to develop because it additionally requires various properties such as flux function, fast curing property, bump bonding property and reliability.

그 중에서 속경화 특성과 함께 내열성 및 치수안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 회로 접속용 접착 필름에 대한 개발이 시급한 실정이었다.Among them, the development of an adhesive film for semiconductor circuit connection capable of improving heat resistance and dimensional stability as well as rapid curing characteristics was urgently needed.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 3차원 구조를 갖는 에폭시 화합물과 실리콘계 에폭시 수지를 포함함으로써, 열팽창계수를 감소시키고 치수안정성을 향상시키며, 필름의 취성 증가를 방지하는 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to include an epoxy compound having a three-dimensional structure and a silicone-based epoxy resin, thereby reducing the coefficient of thermal expansion, improving dimensional stability, and preventing an increase in brittleness of the film, and an adhesive composition for connecting a semiconductor circuit including the same An adhesive film for semiconductor circuit connection is provided.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는 열경화성 수지; 열가소성 수지; 경화제; 하기의 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 1-3 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 에폭시 화합물; 및 하기 화학식 2인 에폭시 수지를 포함하는 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention is a thermosetting resin; thermoplastic resin; hardener; an epoxy compound selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 1-1, 1-2, 1-3, and combinations thereof; And it provides an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising an epoxy resin represented by the following formula (2).

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 R1, R6 및 R7 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이고,Each of R 1 , R 6 and R 7 has 1 to 5 carbon atoms, is a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group,

상기 R2 내지 R5 및 R8 내지 R13 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이거나 단일결합이다.Each of R 2 to R 5 and R 8 to R 13 has 1 to 5 carbon atoms, is substituted or unsubstituted, and is a linear or branched alkylene group or a single bond.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 R14는 각각 독립적으로 하나 이상의 에폭시기를 갖는 1가의 관능기이고, n은 1 내지 30의 정수이다.Each of R 14 is independently a monovalent functional group having one or more epoxy groups, and n is an integer of 1 to 30.

본 발명의 일 실시상태는 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides an adhesive film for semiconductor circuit connection including the adhesive composition for semiconductor circuit connection.

본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 열에 의하여 발생하는 접착 필름의 변형을 최소화할 수 있다.The adhesive composition for semiconductor circuit connection according to an exemplary embodiment of the present invention can minimize deformation of the adhesive film caused by heat.

본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 회로 접속용 접착 필름은 취성이 증가하는 것을 방지하여 고온의 공정에서 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The adhesive film for semiconductor circuit connection according to an exemplary embodiment of the present invention can improve reliability in a high-temperature process by preventing an increase in brittleness.

본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and accompanying drawings.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.Throughout this specification, the unit "part by weight" may mean a ratio of weight between each component.

본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.Throughout this specification, "(meth)acrylate" is used in the collective sense of acrylate and methacrylate.

본원 명세서 전체에서, 어떤 화합물의 “중량평균분자량” 및 “수평균분자량”은 그 화합물의 분자량과 분자량 분포를 이용하여 계산될 수 있다. 구체적으로, 1 ml의 유리병에 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF)와 화합물을 넣어 화합물의 농도가 1 wt%인 샘플 시료를 준비하고, 표준 시료(폴리스티렌, polystryere)와 샘플 시료를 필터(포어 크기가 0.45㎛)를 통해 여과시킨 후, GPC 인젝터(injector)에 주입하여, 샘플 시료의 용리(elution) 시간을 표준 시료의 캘리브레이션(calibration) 곡선과 비교하여 화합물의 분자량 및 분자량 분포를 얻을 수 있다. 이 때, 측정 기기로 Infinity II 1260(Agilient 社)를 이용할 수 있고, 유속은 1.00 mL/min, 컬럼 온도는 40.0 ℃로 설정할 수 있다.Throughout this specification, the "weight average molecular weight" and "number average molecular weight" of a compound may be calculated using the molecular weight and molecular weight distribution of the compound. Specifically, a sample sample having a concentration of 1 wt% of the compound is prepared by putting tetrahydrofuran (THF) and a compound in a 1 ml glass bottle, and the standard sample (polystyrene, polystryere) and the sample sample are filtered (pore size). After filtration through 0.45 μm), it is injected into a GPC injector, and the molecular weight and molecular weight distribution of the compound can be obtained by comparing the elution time of the sample sample with the calibration curve of the standard sample. In this case, Infinity II 1260 (Agilient Co.) can be used as a measuring device, the flow rate can be set to 1.00 mL/min, and the column temperature can be set to 40.0 °C.

본원 명세서 전체에서, “유리전이온도(Glass Temperature, Tg)”는 시차주사열계량법(Differnetial Scanning Analysis, DSC)을 이용하여 측정할 수 있으며, 구체적으로 DSC(Differential Scanning Calorimeter, DSC-STAR3, METTLER TOLEDO社)를 이용하여, 시료를 -60 ℃ 내지 150 ℃ 의 온도 범위에서 가열속도 5 ℃/min으로 승온하며, 상기 구간에서 2 회(cycle)의 실험을 진행하여 열변화량이 있는 지점으로 작성된 DSC 곡선의 중간점을 측정하여 유리전이도를 구할 수 있다.Throughout this specification, "Glass Temperature (Tg)" can be measured using Differential Scanning Analysis (DSC), specifically DSC (Differential Scanning Calorimeter, DSC-STAR3, METTLER TOLEDO) company), the sample is heated at a heating rate of 5 °C/min in a temperature range of -60 °C to 150 °C, and two cycles (cycle) of the experiment are conducted in the above section, and a DSC curve written as a point with an amount of thermal change The glass transition degree can be obtained by measuring the midpoint of

본원 명세서 전체에서, 화합물의 점도는 25 ℃의 온도에서 브룩필드 점도계로 측정한 값일 수 있다.Throughout this specification, the viscosity of the compound may be a value measured with a Brookfield viscometer at a temperature of 25 °C.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는 열경화성 수지; 열가소성 수지; 경화제; 하기의 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 1-3 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 에폭시 화합물; 및 하기 화학식 2인 에폭시 수지를 포함하는 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention is a thermosetting resin; thermoplastic resin; hardener; an epoxy compound selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 1-1, 1-2, 1-3, and combinations thereof; And it provides an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising an epoxy resin represented by the following formula (2).

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 R1, R6 및 R7 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이고, 상기 R2 내지 R5 및 R8 내지 R13 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이거나 단일결합이다.Each of R 1 , R 6 and R 7 has 1 to 5 carbon atoms, is a substituted or unsubstituted, linear or branched alkylene group, and R 2 to R 5 and R 8 to R 13 each has 1 to 5 carbon atoms. and is a substituted or unsubstituted, linear or branched alkylene group or a single bond.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 R14는 각각 독립적으로 하나 이상의 에폭시기를 갖는 1가의 관능기이고, n은 1 내지 30의 정수이다.Each of R 14 is independently a monovalent functional group having one or more epoxy groups, and n is an integer of 1 to 30.

본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 열에 의하여 발생하는 접착 필름의 변형을 최소화할 수 있다.The adhesive composition for semiconductor circuit connection according to an exemplary embodiment of the present invention can minimize deformation of the adhesive film caused by heat.

본 발명의 일 실시상태에 따르며, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 하기의 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 1-3 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 에폭시 화합물을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection includes an epoxy compound selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 1-1, 1-2, and 1-3 and combinations thereof.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 R1, R6 및 R7 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이고, 상기 R2 내지 R5 및 R8 내지 R13 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되며, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이거나 단일결합이다.Each of R 1 , R 6 and R 7 has 1 to 5 carbon atoms, is a substituted or unsubstituted, linear or branched alkylene group, and R 2 to R 5 and R 8 to R 13 each has 1 to 5 carbon atoms. and is a substituted or unsubstituted, linear or branched alkylene group or a single bond.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 화합물은 하기의 화학식 1-1-1 내지 1-1-4, 화학식 1-2-1 내지 1-2-4, 화학식 1-3-1 내지 1-3-8 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 에폭시 화합물은 하기의 화학식 1-1-1, 화학식 1-2-1, 화학식 1-3-6 인 것이 바람직하다. 상술한 것으로부터 상기 에폭시 화합물을 선택함으로써, 반도체 회로 접속용 접착 필름의 TCT(Thermal cycle test)에서의 변형을 최소화할 수 있으며, 열팽창계수를 감소시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the epoxy compound is the following Formulas 1-1-1 to 1-1-4, 1-2-1 to 1-2-4, and Formulas 1-3-1 to 1- It may include one selected from the group consisting of 3-8 and combinations thereof. More specifically, the epoxy compound is preferably represented by the following Chemical Formulas 1-1-1, 1-2-1, and 1-3-6. By selecting the epoxy compound from the above, it is possible to minimize the deformation in the TCT (thermal cycle test) of the adhesive film for semiconductor circuit connection, it is possible to reduce the coefficient of thermal expansion.

[화학식 1-1-1] [Formula 1-1-1]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 1-1-2][Formula 1-1-2]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 1-1-3][Formula 1-1-3]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 1-1-4][Formula 1-1-4]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 1-2-1][Formula 1-2-1]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 1-2-2][Formula 1-2-2]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 1-2-3][Formula 1-2-3]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 1-2-4][Formula 1-2-4]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 1-3-1][Formula 1-3-1]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 1-3-2][Formula 1-3-2]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 1-3-3][Formula 1-3-3]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 1-3-4][Formula 1-3-4]

Figure pat00023
Figure pat00023

[화학식 1-3-5][Formula 1-3-5]

Figure pat00024
Figure pat00024

[화학식 1-3-6][Formula 1-3-6]

Figure pat00025
Figure pat00025

[화학식 1-3-7][Formula 1-3-7]

Figure pat00026
Figure pat00026

[화학식 1-3-8][Formula 1-3-8]

Figure pat00027
Figure pat00027

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 화합물의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 기준으로 25 중량부 이상 90 중량부 이하, 30 중량부 이상 95 중량부 이하, 35 중량부 이상 90 중량부 이하, 40 중량부 이상 85 중량부 이하, 45 중량부 이상 80 중량부 이하 또는 50 중량부 이상 75 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 에폭시 화합물의 함량을 조절함으로써, 경화진행시 흡습성을 낮추며 열팽창계수를 일정하게 유지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the epoxy compound is 25 parts by weight or more and 90 parts by weight or less, 30 parts by weight or more and 95 parts by weight or less, 35 parts by weight or more and 90 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermoplastic resin; 40 parts by weight or more and 85 parts by weight or less, 45 parts by weight or more and 80 parts by weight or less, or 50 parts by weight or more and 75 parts by weight or less. By adjusting the content of the epoxy compound in the above range, it is possible to lower the hygroscopicity during curing and maintain a constant coefficient of thermal expansion.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 하기 화학식 2인 에폭시 수지를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection includes an epoxy resin represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00028
Figure pat00028

상기 R14는 각각 독립적으로 하나 이상의 에폭시기를 갖는 1가의 관능기이고, n은 1 내지 30의 정수이다.Each of R 14 is independently a monovalent functional group having one or more epoxy groups, and n is an integer of 1 to 30.

구체적으로 상기 에폭시 수지의 상기 화학식 2의 R14는 각각 독립적으로 하기의 화학식 2-1 내지 화학식 2-7에서 선택된 하나의 관능기일 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 에폭시 수지를 선택함으로써, 반도체 회로 접속용 접착 필름의 취성 증가에 따른 문제점을 방지할 수 있으며, TCT(Thermal cycle test)에서의 안정성을 향상시킬 수 있다. Specifically, R 14 in Formula 2 of the epoxy resin may each independently be one functional group selected from Formulas 2-1 to 2-7 below. By selecting the epoxy resin as described above, it is possible to prevent problems due to increased brittleness of the adhesive film for semiconductor circuit connection, and to improve stability in a thermal cycle test (TCT).

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00029
Figure pat00029

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00030
Figure pat00030

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00031
Figure pat00031

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00032
Figure pat00032

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00033
Figure pat00033

[화학식 2-6][Formula 2-6]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 2-7][Formula 2-7]

Figure pat00035
Figure pat00035

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 평균 에폭시 당량은 50 g/eq. 이상 300 g/eq. 이하일 수 있다. 구체적으로 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 평균 에폭시 당량은 60 g/eq. 이상 290 g/eq. 이하, 70 g/eq. 이상 280 g/eq. 이하, 80 g/eq. 이상 270 g/eq. 이하, 90 g/eq. 이상 260 g/eq. 이하, 100 g/eq. 이상 250 g/eq. 이하, 110 g/eq. 이상 240 g/eq. 이하, 120 g/eq. 이상 230 g/eq. 이하, 130 g/eq. 이상 220 g/eq. 이하, 140 g/eq. 이상 210 g/eq. 이하, 150 g/eq. 이상 200 g/eq. 이하 또는 160 g/eq. 이상 190 g/eq. 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 평균 에폭시 당량을 조절함으로써, 에폭시 수지의 첨가효과를 구현할 수 있으며, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 물성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 화학식 2인 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량에 기초하여 계산되는 값이다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the average epoxy equivalent of the epoxy resin of Formula 2 is 50 g/eq. more than 300 g/eq. may be below. Specifically, the average epoxy equivalent of the epoxy resin represented by Formula 2 is 60 g/eq. more than 290 g/eq. Hereinafter, 70 g/eq. more than 280 g/eq. Below, 80 g/eq. more than 270 g/eq. Below, 90 g/eq. more than 260 g/eq. Hereinafter, 100 g/eq. more than 250 g/eq. Hereinafter, 110 g/eq. more than 240 g/eq. hereinafter, 120 g/eq. more than 230 g/eq. hereinafter, 130 g/eq. more than 220 g/eq. hereinafter, 140 g/eq. more than 210 g/eq. Below, 150 g/eq. more than 200 g/eq. or less or 160 g/eq. more than 190 g/eq. may be below. By adjusting the average epoxy equivalent weight of the epoxy resin represented by Formula 2 in the above range, the effect of adding the epoxy resin can be realized, and the physical properties of the adhesive composition for semiconductor circuit connection can be prevented from being deteriorated. The average epoxy equivalent is a value calculated based on the weight ratio and the epoxy equivalent of each epoxy resin included in the epoxy resin represented by Formula 2 above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 점도는 0.1 Pa·s 이상 10000 Pa·s 이하일 수 있다. 구체적으로 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 25 ℃에서 측정된 점도는 1 Pa·s 이상 9000 Pa·s 이하, 10 Pa·s 이상 8000 Pa·s 이하, 100 Pa·s 이상 8000 Pa·s 이하, 200 Pa·s 이상 7000 Pa·s 이하, 300 Pa·s 이상 6000 Pa·s 이하 또는 400 Pa·s 이상 5000 Pa·s 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 화학식 2인 에폭시 수지의 점도를 조절함으로써, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 작업성을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the viscosity of the epoxy resin represented by Formula 2 may be 0.1 Pa·s or more and 10000 Pa·s or less. Specifically, the viscosity measured at 25° C. of the epoxy resin of Formula 2 is 1 Pa·s or more and 9000 Pa·s or less, 10 Pa·s or more and 8000 Pa·s or less, 100 Pa·s or more and 8000 Pa·s or less, 200 It may be Pa·s or more and 7000 Pa·s or less, 300 Pa·s or more and 6000 Pa·s or less, or 400 Pa·s or more and 5000 Pa·s or less. By adjusting the viscosity of the epoxy resin represented by Chemical Formula 2 in the above range, workability of the adhesive composition for semiconductor circuit connection can be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 기준으로 25 중량부 이상 100 중량부 이하, 30 중량부 이상 95 중량부 이하, 35 중량부 이상 90 중량부 이하, 40 중량부 이상 85 중량부 이하, 45 중량부 이상 80 중량부 이하 또는 50 중량부 이상 75 중량부 이하 일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 에폭시 수지의 함량을 조절함으로써, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 접착력을 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the epoxy resin is 25 parts by weight or more and 100 parts by weight or less, 30 parts by weight or more and 95 parts by weight or less, 35 parts by weight or more and 90 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermoplastic resin; 40 parts by weight or more and 85 parts by weight or less, 45 parts by weight or more and 80 parts by weight or less, or 50 parts by weight or more and 75 parts by weight or less. By adjusting the content of the epoxy resin in the above-described range, it is possible to control the adhesive strength of the adhesive composition for semiconductor circuit connection.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 열경화성 수지를 포함한다. 구체적으로 상기 열경화성 수지는 상기 화학식 2인 에폭시 수지와 다른 유기계 에폭시 수지일 수 있다. 보다 구체적으로 상기 유기계 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록실페닐메탄계 에폭시 수지, 테트라페닐메탄계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection includes a thermosetting resin. Specifically, the thermosetting resin may be an organic epoxy resin different from the epoxy resin represented by Chemical Formula 2 above. More specifically, the organic epoxy resin is a bisphenol-based epoxy resin, a biphenyl-based epoxy resin, a naphthalene-based epoxy resin, a fluorene-based epoxy resin, a phenol novolak-based epoxy resin, a cresol novolac-based epoxy resin, and a trishydroxylphenylmethane-based epoxy resin. It may be at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a tetraphenylmethane-based epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, and a dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the bisphenol-based epoxy resin may be a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a bisphenol S-type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin, or a bisphenol AF-type epoxy resin. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 수지는 고상 에폭시 수지, 액상 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로 상기 열경화성 수지인 유기계 에폭시 수지는 고상 에폭시 수지, 액상 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로 상기 유기계 에폭시 수지로 2 종의 에폭시 수지가 적용되는 경우, 10 내지 35 ℃ 하에서 액상인 에폭시 수지와 10 내지 35 ℃하에서 고상인 에폭시 수지를 1: 0.1 내지 1: 5.0의 중량비로 혼합하여 사용될 수 있다. 상술한 범위 내에서 상기 액상인 에폭시 수지와 상기 고상인 에폭시 수지의 중량비를 조절함으로써, 다이 어태치 공정시 수지가 과다하게 흘러나와 오염되는 것을 방지하며, 접착층의 끈적임을 조절하여 픽업 특성을 향상시킬 수 있고 열가소성 수지와의 상용성을 향상시킬 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermosetting resin may include one selected from the group consisting of a solid epoxy resin, a liquid epoxy resin, and combinations thereof. More specifically, the organic-based epoxy resin, which is the thermosetting resin, may include one selected from the group consisting of a solid epoxy resin, a liquid epoxy resin, and a combination thereof. Specifically, when two types of epoxy resins are applied as the organic epoxy resin, a liquid epoxy resin at 10 to 35 ° C and a solid epoxy resin at 10 to 35 ° C are mixed in a weight ratio of 1: 0.1 to 1: 5.0 to be used. can By adjusting the weight ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within the above range, the resin prevents excessive flow and contamination during the die attach process, and improves the pickup characteristics by controlling the stickiness of the adhesive layer. and compatibility with the thermoplastic resin can be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기계 에폭시 수지는 50 ℃내지 100 ℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지와 함께 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the organic-based epoxy resin is a cresol novolak-type epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C together with a biphenyl-based epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C, and 50°C to 100°C. It may further include one or more epoxy resins selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resins having a softening point of °C.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기계 에폭시 수지는 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지 대비 상기 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 0.25 내지 1.25, 또는 0.3 내지 1.1의 중량비로 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the organic-based epoxy resin is a cresol novolac-type epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C compared to a biphenyl-based epoxy resin having a softening point of 50°C to 100°C, and 50°C to 100°C. One or more epoxy resins selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resins having a softening point of °C may be included in a weight ratio of 0.25 to 1.25, or 0.3 to 1.1.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기계 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the organic-based epoxy resin may have an average epoxy equivalent weight of 100 to 1,000. The average epoxy equivalent can be obtained based on the weight ratio and the epoxy equivalent of each epoxy resin contained in the epoxy resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 수지의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 200 중량부 이상 400 중량부 이하, 210 중량부 이상 390 중량부 이하, 220 중량부 이상 380 중량부 이하, 230 중량부 이상 370 중량부 이하, 240 중량부 이상 360 중량부 이하, 250 중량부 이상 350 중량부 이하 또는 260 중량부 이상 340 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 열경화성 수지의 함량을 조절함으로써, 접착층의 끈적임을 조절하여 픽업 특성을 향상시킬 수 있고 열가소성 수지와의 상용성을 향상시킬 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the thermosetting resin is 200 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, 210 parts by weight or more and 390 parts by weight or less, 220 parts by weight or more and 380 parts by weight or less, 230 compared to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. The amount may be at least 370 parts by weight, at least 240 parts by weight and not more than 360 parts by weight, at least 250 parts by weight and not more than 350 parts by weight, or at least 260 parts by weight and not more than 340 parts by weight. By adjusting the content of the thermosetting resin in the above-described range, it is possible to control the stickiness of the adhesive layer to improve pickup properties and to improve compatibility with the thermoplastic resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 열가소성 수지를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection includes a thermoplastic resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 폴리이미드 수지, 폴리에테르 이미드 수지, 폴리에스테르 이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르 술폰 수지, 폴리에테르 케톤 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리염화비닐 수지, 페녹시 수지, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메트)아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermoplastic resin is a polyimide resin, a polyether imide resin, a polyester imide resin, a polyamide resin, a polyether sulfone resin, a polyether ketone resin, a polyolefin resin, and a polyvinyl chloride resin. , a phenoxy resin, a reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber, a (meth)acrylate-based resin, and combinations thereof may be included.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 -10 ℃ 내지 30 ℃의 유리전이온도 및 200,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지가 적용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, as the thermoplastic resin, a (meth)acrylate-based resin having a glass transition temperature of -10°C to 30°C and a weight average molecular weight of 200,000 g/mol to 1,000,000 g/mol may be applied. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아크릴계 수지는 에폭시기 함유 아크릴 공중합체로서, 전체 중량 중 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트를 1 중량% 내지 25 중량%, 2 중량% 내지 20 중량% 또는 2.5 중량% 내지 15 중량%로 포함할 수 있다. 상술한 범위에서 (메타)아크릴레이트계 수지 내 에폭시기 함량을 조절함으로써, 에폭시 수지와의 상용성과 접착력을 향상시키며, 경화에 의한 점도 상승 속도를 적절하게 유지함으로써 반도체 소자의 열압착 공정에서 솔더 범프의 접합 및 매립을 충분히 이룰 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the acrylic resin is an epoxy group-containing acrylic copolymer, and contains 1 wt% to 25 wt%, 2 wt% to 20 wt% of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate based on the total weight % or 2.5% to 15% by weight. By controlling the content of the epoxy group in the (meth)acrylate-based resin in the above range, compatibility and adhesion with the epoxy resin are improved, and the viscosity increase rate due to curing is appropriately maintained, thereby preventing solder bumps in the thermocompression bonding process of semiconductor devices. Bonding and embedding can be sufficiently achieved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 무기필러, 경화촉매 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함하는 것일 수 있다. 상술한 것과 같이 무기필러, 경화촉매 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함함으로써, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 경화속도 및 물성을 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may further include one selected from the group consisting of inorganic fillers, curing catalysts, and combinations thereof. As described above, by further including one selected from the group consisting of inorganic fillers, curing catalysts, and combinations thereof, the curing rate and physical properties of the adhesive composition for semiconductor circuit connection can be adjusted.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 경화제를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로 경화제는 노볼락계 페놀 수지인 것이 바람직하다. 상술한 것으로부터 경화제를 선택함으로써, 상기 노볼락계 페놀 수지는 반응성 작용기 사이에 고리가 위치하는 화학 구조를 갖는 특성으로 인하여, 상기 노볼락계 페놀 수지는 상기 접착제 조성물의 흡습성을 보다 낮출 수 있으며, 고온의 IR 리플로우 공정에서 안정성을 보다 높일 수 있어서, 접착 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include a curing agent. Specifically, the curing agent may include one selected from the group consisting of an amine-based curing agent, a phenol-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, and combinations thereof. More specifically, the curing agent is preferably a novolak-based phenol resin. By selecting a curing agent from the above, the novolac-based phenolic resin has a chemical structure in which a ring is positioned between reactive functional groups, so that the novolac-based phenolic resin can lower the hygroscopicity of the adhesive composition, In the high-temperature IR reflow process, stability can be further improved, and thus, it can serve to prevent peeling of the adhesive film or reflow cracking.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 노볼락계 페놀 수지는 노볼락 페놀 수지, 자일록 노볼락 페놀 수지, 크레졸 노볼락 페놀 수지, 바이페닐 노볼락 페놀 수지, 비스페놀A 노볼락 페놀 수지 및 비스페놀F 노볼락 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종을 들 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the novolak-based phenol resin is a novolak phenol resin, a xylok novolak phenol resin, a cresol novolac phenol resin, a biphenyl novolac phenol resin, a bisphenol A novolac phenol resin, and a bisphenol F 1 type selected from the group which consists of novolak phenol resins is mentioned.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 노볼락계 페놀 수지는 60 ℃ 이상, 또는 60 ℃ 내지 150 ℃ 또는 105 ℃ 내지 150 ℃ 또는 70 ℃ 내지 120 ℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하다. 상술한 범위에서 노볼락계 페놀 수지의 연화점을 조절함으로써, 접착제 조성물의 경화 후 내열성, 강도 및 접착성을 향상시키며, 상기 접착제 조성물의 유동성이 낮아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간(void)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시키는 것을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the novolak-based phenolic resin preferably has a softening point of 60 °C or higher, or 60 °C to 150 °C or 105 °C to 150 °C or 70 °C to 120 °C. By controlling the softening point of the novolac-based phenolic resin in the above range, heat resistance, strength and adhesiveness after curing of the adhesive composition are improved, and the fluidity of the adhesive composition is lowered, so that voids inside the adhesive in the actual semiconductor manufacturing process It can be prevented from being generated and significantly lowering the reliability or quality of the final product.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 노볼락계 페놀 수지는 80 g/eq. 내지 300 g/eq.의 수산기 당량 및 60℃ 내지 150℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the novolak-based phenolic resin is 80 g / eq. It is preferred to have a hydroxyl equivalent weight of from to 300 g/eq. and a softening point from 60° C. to 150° C.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제는 상기 열경화성 수지 100 중량부를 기준으로 75 중량부 이상 150 중량부 이하, 80 중량부 이상 140 중량부 이하, 90 중량부 이상 130 중량부 이하 또는 100 중량부 이상 120 중량부 이하 또는 105 중량부 이상 115 중량부 이하로 사용될 수 있다. 상술한 범위에서 상기 경화제의 함량을 조절함으로써, 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing agent is 75 parts by weight or more and 150 parts by weight or less, 80 parts by weight or more and 140 parts by weight or less, 90 parts by weight or more and 130 parts by weight or less, or 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. It may be used in an amount of 120 parts by weight or more or 105 parts by weight or more and 115 parts by weight or less. By controlling the content of the curing agent in the above-described range, the physical properties of the finally manufactured adhesive film can be adjusted.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 무기필러를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include an inorganic filler.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화마그네슘, 탄산마그네슘, 규산마그네슘, 산화마그네슘, 규산칼슘, 탄산칼슘, 산화칼슘, 수산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the inorganic filler is alumina, silica, barium sulfate, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, aluminum borate and It may include one selected from the group consisting of combinations thereof.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러는 이온성 불순물을 흡착하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이온 흡착제일 수 있다. 구체적으로 상기 이온 흡착제로는 수산화마그네슘, 탄산마그네슘, 규산마그네슘, 산화마그네슘 같은 마그네슘계, 규산 칼슘, 탄산칼슘, 산화칼슘, 알루미나, 수산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 지르코늄계 무기물 및 안티몬 비스무트계 무기물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기 입자가 적용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the inorganic filler may be an ion adsorbent capable of improving reliability by adsorbing ionic impurities. Specifically, the ion adsorbent includes magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide such as magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, alumina, aluminum hydroxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, zirconium-based inorganic material, and antimony bismuth-based material. One or more inorganic particles selected from the group consisting of inorganic materials may be applied.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러의 입경(최장 외경 기준)은 0.01 ㎛ 내지 10 ㎛, 0.02 ㎛ 내지 5.0 ㎛ 또는 0.03 ㎛ 내지 2.0 ㎛일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 무기필러의 입경을 조절함으로써, 상기 접착제 조성물의 과도한 응집을 방지하며, 무기필러에 의한 반도체 회로의 손상 및 접착 필름의 접착성 저하를 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the particle diameter (based on the longest outer diameter) of the inorganic filler may be 0.01 μm to 10 μm, 0.02 μm to 5.0 μm, or 0.03 μm to 2.0 μm. By controlling the particle size of the inorganic filler in the above range, excessive aggregation of the adhesive composition can be prevented, and damage to the semiconductor circuit due to the inorganic filler and deterioration of the adhesion of the adhesive film can be prevented.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러의 함량은 상기 열경화성 수지 100 중량부 기준으로 600 중량부 이상 900 중량부 이하, 650 중량부 이상 850 중량부 이하, 700 중량부 이상 800 중량부 이하 또는 750 중량부 이상 800 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 무기필러의 함량을 조절함으로써, 상기 접착제 조성물의 과도한 응집을 방지하며, 무기필러에 의한 반도체 회로의 손상 및 접착 필름의 접착성 저하를 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the inorganic filler is 600 parts by weight or more and 900 parts by weight or less, 650 parts by weight or more and 850 parts by weight or less, 700 parts by weight or more and 800 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. It may be 750 parts by weight or more and 800 parts by weight or less. By controlling the content of the inorganic filler in the above range, excessive aggregation of the adhesive composition can be prevented, and damage to the semiconductor circuit and deterioration of the adhesiveness of the adhesive film due to the inorganic filler can be prevented.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 경화촉매를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include a curing catalyst.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다. 상술한 것으로부터 경화촉매를 선택함으로써, 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing catalyst may include one selected from the group consisting of a phosphorus-based compound, a boron-based compound, a phosphorus-boron-based compound, an imidazole-based compound, and combinations thereof. By selecting a curing catalyst from the above, the action of the curing agent and curing of the resin composition for semiconductor adhesion can be accelerated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화촉매의 함량은 10 중량부 이상 20 중량부 이하, 11 중량부 이상 19 중량부 이하, 12 중량부 이상 18 중량부 이하, 13 중량부 이상 17 중량부 이하 또는 14 중량부 이상 16 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 경화촉매의 함량을 조절함으로써 경화속도를 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the curing catalyst is 10 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, 11 parts by weight or more and 19 parts by weight or less, 12 parts by weight or more and 18 parts by weight or less, 13 parts by weight or more and 17 parts by weight or less. Or 14 parts by weight or more and 16 parts by weight or less. The curing rate can be controlled by adjusting the content of the curing catalyst within the above-described range.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 커플링제를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include a coupling agent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 커플링제는 2-(3,4 에폭시사이클로헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리 메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸-디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필-트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필-트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란이 바람직하게 적용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the coupling agent is 2-(3,4 epoxycyclohexyl)-ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl-die Toxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyl-trimethoxysilane, N-2 (Aminoethyl) 3-Aminopropyltriethoxysilane, 3-Aminopropyl-trimethoxysilane, 3-Aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxyly-N-(1,3 Dimethyl-butylidene ) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane containing mercapto, and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane may be preferably applied.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 유기 용매를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 상기 열경화성 수지 및 열가소성 수지, 그리고 무기 충전재의 총 합 100 중량부를 기준으로 10 중량부 이상 90 중량부 이하의 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 접착제 조성물 및 최종적으로 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정을 고려하여 결정될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include an organic solvent. In addition, the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include 10 parts by weight or more and 90 parts by weight or less of an organic solvent based on 100 parts by weight of the total of the thermosetting resin, the thermoplastic resin, and the inorganic filler. The content of the organic solvent may be determined in consideration of the physical properties or manufacturing process of the adhesive composition and the finally manufactured adhesive film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 용매는 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화수소류 및 설폭사이드류로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 화합물일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the organic solvent may be at least one compound selected from the group consisting of esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons and sulfoxides.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에스터류 용매는 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 감마-뷰티로락톤, 엡실론-카프로락톤, 델타-발레로락톤, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로 피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the ester solvent is ethyl acetate, -n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, Butyrate butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, gamma-butyrolactone, epsilon-caprolactone, delta-valerolactone, alkyl oxyacetate (e.g., methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (e.g., methyl oxyacetate) methyl oxypropionate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-oxypropionic acid alkyl esters (eg, methyl 3-oxypropionate, ethyl 3-oxypropionate, etc.) For example, 3-methoxypropionate, 3-methoxypropionate ethyl, 3-ethoxypropionate, 3-ethoxypropionate ethyl, etc.), 2-oxypropionic acid alkyl esters (eg 2-oxypropionate methyl) , 2-oxypropionate ethyl, 2-oxypropionate propyl, etc. (eg, 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate propyl, 2-ethoxypropionate methyl, 2-ethoxy ethyl propionate)), 2-oxy-2-methylpropionate methyl and 2-oxy-2-methylpropionate ethyl (eg, 2-methoxy-2-methylpropionate, 2-ethoxy-2-methyl ethyl propionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, and ethyl 2-oxobutanoate.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에터류 용매는 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글 라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the ether solvent is diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve. Acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol Col monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, may be propylene glycol monopropyl ether acetate.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 케톤류 용매는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the ketone solvent may be methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, or N-methyl-2-pyrrolidone.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족 탄화수소류 용매는 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the aromatic hydrocarbon solvent may be toluene, xylene, anisole, limonene, or the like.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 설폭사이드류 용매는 다이메틸설폭사이드일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the sulfoxide solvent may be dimethyl sulfoxide.

본 발명의 일 실시상태는 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름을 제공한다. An exemplary embodiment of the present invention provides an adhesive film for semiconductor circuit connection including the adhesive composition for semiconductor circuit connection.

본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 회로 접속용 접착 필름은 취성이 증가하는 것을 방지하여 고온의 공정에서 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 열압착 본딩시에는 고온 하에서 단시간 내에 경화 가능한 특성을 나타낼 수 있다.The adhesive film for semiconductor circuit connection according to an exemplary embodiment of the present invention can improve reliability in a high-temperature process by preventing an increase in brittleness. Furthermore, during thermocompression bonding, it can exhibit a property that can be cured in a short time under high temperature.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착 필름을 지지하기 위한 지지 기재로는, 내열성이나 내약품성이 우수한 수지 필름; 상기 수지 필름을 구성하는 수지를 가교 처리한 가교 필름; 또는 상기 수지 필름의 표면에 실리콘 수지 등을 도포하여 박리 처리한 필름 등이 이용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, as a supporting substrate for supporting the adhesive film for semiconductor circuit connection, a resin film excellent in heat resistance or chemical resistance; a crosslinked film obtained by crosslinking a resin constituting the resin film; Alternatively, a film in which a silicone resin or the like is applied to the surface of the resin film to be peeled off may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 수지 필름을 구성하는 수지로는 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔과 같은 폴리올레핀, 염화비닐, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리우레탄 등을 적용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, as the resin constituting the resin film, polyester, polyethylene, polypropylene, polybutene, polyolefin such as polybutadiene, vinyl chloride, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene vinyl acetate copolymer Copolymer, polyester, polyimide, polyethylene terephthalate, polyamide, polyurethane, etc. can be applied.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지지 기재의 두께는 3 ㎛ 내지 400 ㎛, 5 ㎛ 내지 200 ㎛ 또는 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the supporting substrate may be 3 μm to 400 μm, 5 μm to 200 μm, or 10 μm to 150 μm.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층은 상술한 접착제 조성물로 이루어진다. 상기 접착제 조성물에 관한 내용은 상술한 바와 같다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive layer is made of the above-described adhesive composition. Details regarding the adhesive composition are the same as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지지 기재와 상기 접착층 사이에는 상기 점착층이 개재될 수 있다. 상기 점착층으로는 이 분야에 공지된 것이 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive layer may be interposed between the supporting substrate and the adhesive layer. As the adhesive layer, those known in the art may be applied without particular limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 보호 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에 공지된 플라스틱 필름이 적용될 수 있다. 상기 보호 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 등의 수지를 포함하는 플라스틱 필름일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the type of the protective film is not particularly limited, and a plastic film known in this field may be applied. The protective film is low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene (polymethylpentene), ethylene-vinyl acetate A plastic film containing a resin such as a copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polybutene, or styrene copolymer can

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 회로 접속용 접착 필름은, 상기 접착제 조성물의 구성 성분을 혼합한 후, 이를 지지 기재 상에 소정의 두께로 코팅하여 접착층을 형성하고, 상기 접착층을 건조하는 방법으로 제조될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive film for semiconductor circuit connection, after mixing the components of the adhesive composition, is coated on a support substrate to a predetermined thickness to form an adhesive layer, and drying the adhesive layer method can be prepared.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 필름은 상기 지지 기재 상에 접착층을 형성한 후 상기 접착층 상에 보호 필름을 적층하는 방법으로 제조될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive film may be manufactured by forming an adhesive layer on the support substrate and then laminating a protective film on the adhesive layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 필름은 상기 지지 기재 상에 점착층을 형성한 후 상기 점착층 상에 접착층 및 보호 필름을 순차로 적층하는 방법으로 제조될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive film may be manufactured by forming an adhesive layer on the support substrate and then sequentially laminating an adhesive layer and a protective film on the adhesive layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지지 기재 상에 접착층을 형성하는 방법은, 상기 접착제 조성물을 그대로 혹은 적절한 유기 용매에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등 공지의 수단으로 상기 지지 기재 또는 이형 필름 상에 도포한 후, 60 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 10 초 내지 30 분 동안 건조시키는 방법이 이용될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the method of forming the adhesive layer on the support substrate, the adhesive composition is diluted in an appropriate organic solvent as it is or by known means such as a comma coater, a gravure coater, a die coater, and a reverse coater. After application on the support substrate or the release film, a method of drying at a temperature of 60° C. to 200° C. for 10 seconds to 30 minutes may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an aging process to proceed with a sufficient crosslinking reaction of the adhesive layer may be additionally performed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 또는 혹은 5 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위에서 적절히 조절될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the adhesive layer may be appropriately adjusted in the range of 1 μm to 500 μm, 5 μm to 100 μm, or 5 μm to 50 μm.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to describe the present invention in detail, examples will be described in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

제조예production example (열가소성 (thermoplastic 아크릴레이트acrylate 수지의 제조) production of resin)

톨루엔 100g에 부틸 아크릴레이트 40g, 에틸 아크릴레이트 30g, 아크릴로니트릴 30g 및 글리시딜 메타크릴레이트 10g을 혼합하여 80 ℃에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트계 수지(중량평균분자량 500,000 g/mol, 유리전이온도 17 ℃)를 합성하였다.40 g of butyl acrylate, 30 g of ethyl acrylate, 30 g of acrylonitrile, and 10 g of glycidyl methacrylate were mixed with 100 g of toluene and reacted at 80 ° C. for about 12 hours. An acrylate-based resin in which a glycidyl group was introduced as a branched chain. (weight average molecular weight of 500,000 g/mol, glass transition temperature of 17 °C) was synthesized.

실시예Example 1 One

(1) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 제조(1) Preparation of adhesive composition for semiconductor circuit connection

에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 (GPH-651160, 일본화학 社 제품, 수산기 당량 198 g/eq, 연화점: 65 ℃) 25g; 열경화성 수지인 유기계 액상 에폭시 수지(KDS-8170, 국도화학 제품, 비스페놀 F 에폭시 수지, 에폭시 당량 157 g/eq, 점도[25℃]: 1,500 mPa·s) 15g; 열경화성 수지인 유기계 고상 에폭시 수지 (EOCN-104S, 일본 화약 제품, 에폭시 당량 218 g/eq) 30g; 열경화성 수지인 유기계 고상 에폭시 수지 (NC-3000, 일본화약, 에폭시 당량 265~285 g/eq, 연화점: 53~65℃) 20g; 하기 화학식 1-2-1인 에폭시 화합물 10g; 상기 화학식 2인 에폭시 수지(EP0408, 에폭시 당량 177 g/eq, 에폭시시클로헥실 POSS, 하이브리드 플라스틱스) 10g; 상기 제조예에서 얻어진 열가소성 아크릴레이트 수지 20g; 무기필러(YA050C, 아드마텍, 구상 실리카, 평균입경 약 50 nm) 150g; 및 경화 촉매(2MZA, 제조사: Shikoku Chemicals 社) 3g을 메틸에틸케톤에 혼합하여, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물(고형분 40 중량%)을 얻었다.25 g of phenol resin (GPH-651160, manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent 198 g/eq, softening point: 65° C.) as an epoxy resin curing agent; 15 g of thermosetting organic liquid epoxy resin (KDS-8170, Kukdo Chemical Co., Ltd., bisphenol F epoxy resin, epoxy equivalent 157 g/eq, viscosity [25° C.]: 1,500 mPa·s); 30 g of an organic solid epoxy resin, which is a thermosetting resin (EOCN-104S, manufactured by Nippon Kayaku, epoxy equivalent 218 g/eq); 20 g of thermosetting organic solid epoxy resin (NC-3000, Nippon Chemicals, epoxy equivalent 265-285 g/eq, softening point: 53-65° C.); 10 g of an epoxy compound represented by the following Chemical Formula 1-2-1; 10 g of the epoxy resin of Formula 2 (EP0408, epoxy equivalent 177 g/eq, epoxycyclohexyl POSS, hybrid plastics); 20 g of the thermoplastic acrylate resin obtained in Preparation Example; 150 g of inorganic filler (YA050C, Admatec, spherical silica, average particle diameter of about 50 nm); and 3 g of a curing catalyst (2MZA, manufactured by Shikoku Chemicals) were mixed with methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition for semiconductor circuit connection (solid content: 40 wt%).

[화학식 1-2-1][Formula 1-2-1]

Figure pat00036
Figure pat00036

(2) 반도체 회로 접속용 접착 필름의 제조(2) Production of adhesive film for semiconductor circuit connection

콤마 코터를 이용하여 상기 접착제 조성물을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110℃에서 3분간 건조하여 약 20㎛ 두께의 접착층이 형성된 접착 필름을 얻었다.The adhesive composition was applied on a release-treated polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm) using a comma coater, and then dried at 110° C. for 3 minutes to obtain an adhesive film having an adhesive layer having a thickness of about 20 μm.

(3) 반도체 장치의 제조(3) Manufacturing of semiconductor devices

높이 10㎛ 및 피치 40㎛의 구리 필러에 무연 솔더가 9㎛ 높이로 형성되어 있는 반도체 소자인 범프칩(10.1mm X 6.6mm)을 포함하는 웨이퍼를 준비하였다.A wafer including a bump chip (10.1 mm X 6.6 mm), which is a semiconductor device, in which lead-free solder is formed to a height of 9 μm on copper pillars having a height of 10 μm and a pitch of 40 μm was prepared.

상기 웨이퍼의 범프 면에 상기 접착 필름의 접착층이 위치하도록 하여 50℃에서 진공라미네이션을 진행한 후, 각의 칩으로 개별화 하였다.After vacuum lamination was performed at 50° C. so that the adhesive layer of the adhesive film was positioned on the bump surface of the wafer, each chip was individualized.

개별화된 범프칩은 열압착 본더를 이용하여 40㎛ 피치 접속 패드를 가지고 있는 12.1mm x 8.1mm 기재 칩에 열압착 본딩을 진행하였다. 그 때의 조건은, 헤드온도 120℃에서 2초간 100N으로 가접하고, 헤드 온도를 순간 260℃로 올려 5초간 200N으로 열압착 본딩을 진행하였다.The individualized bump chips were subjected to thermocompression bonding on a 12.1mm x 8.1mm base chip having a 40㎛ pitch connection pad using a thermocompression bonding bonder. The conditions at that time were, at a head temperature of 120°C, for 2 seconds at 100N, and the head temperature was instantly raised to 260°C, followed by thermocompression bonding at 200N for 5 seconds.

실시예Example 2 내지 3 및 2-3 and 비교예comparative example 1 내지 2 1 to 2

하기 표 1에 기재된 성분 및 함량을 적용한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 각각 준비하였다.An adhesive composition for semiconductor circuit connection was prepared in the same manner as in Example 1, except that the components and contents described in Table 1 were applied.

그리고 상기 접착제 조성물을 사용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 접착 필름을 제조하였고, 이를 사용하여 반도체 장치를 제조하였다.And an adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1 using the adhesive composition, and a semiconductor device was manufactured using this.

실시예Example 1 One 실시예Example 2 2 실시예Example 3 3 비교예comparative example 1 One 비교예comparative example 2 2 열경화성 수지thermosetting resin
(g)(g) 유기계organic 고상 에폭시 수지 solid epoxy resin NC-2000LNC-2000L -- 3030 -- -- -- EOCN-104SEOCN-104S 3030 -- 3030 3030 3030 NC-3000NC-3000 2020 2020 2020 2020 2020 유기계organic 액상 에폭시 수지 liquid epoxy resin KDS-8170KDS-8170 1515 -- -- -- -- RE-310SRE-310S -- 1515 1515 1515 1515 화학식 2인 Formula 2
에폭시 수지epoxy resin
(g)(g) EP0408EP0408 1010 -- -- -- -- EP0409EP0409 -- 1010 -- -- -- KHE-8000HKHE-8000H -- -- 1010 1010 -- 에폭시 경화제Epoxy Hardener
(g)(g) GPH-65GPH-65 2525 -- -- -- -- KH-6021KH-6021 -- 2525 -- 2525 2525 KA-1160KA-1160 -- -- 2525 -- -- 무기입자inorganic particles
(g)(g) YA050CYA050C 150150 7575 100100 150150 7575 YC100CYC100C -- 7575 -- -- 7575 SC2050SC2050 -- -- 5050 -- -- 경화촉매curing catalyst
(g)(g) 2MZA2MZA 33 -- -- -- -- 2PZ2PZ -- 33 33 33 33 에폭시 화합물epoxy compound
(g)(g) 화합물
1-2-1compound
1-2-1 1010 -- -- -- 2020 화합물
1-1-1
compound
1-1-1
 -- 1010 -- -- -- 화합물1-3-6compound 1-3-6 -- -- 1010 -- --

* NC-2000L: 고상 에폭시 수지(일본 화약社 제품, 에폭시 당량, 237 g/eq.)* NC-2000L: solid epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent, 237 g/eq.)

* EOCN-104S: 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (일본 화약社 제품, 에폭시 당량 214 g/eq., 연화점: 92 ℃)* EOCN-104S: cresol novolac type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 214 g/eq., softening point: 92 ℃)

* NC-3000: 에폭시 수지 (일본 화약社 제품, 에폭시 당량 265~285 g/eq., 연화점: 53~65℃)* NC-3000: Epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 265~285 g/eq., softening point: 53~65℃)

* KDS-8170: 액상 에폭시 수지 (국도 화학社 제품, 비스페놀 F 에폭시 수지, 에폭시 당량 157 g/eq, 점도[25℃]: 1,500 mPa·s)* KDS-8170: liquid epoxy resin (manufactured by Kukdo Chemical, bisphenol F epoxy resin, epoxy equivalent 157 g/eq, viscosity [25℃]: 1,500 mPa s)

* RE-310S: 에폭시 수지 (일본 화약社 제품, 에폭시 당량 180 g/eq)* RE-310S: Epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 180 g/eq)

* EP0408: 에폭시 수지(Hybrid Plastics 社 제품)* EP0408: Epoxy resin (Product of Hybrid Plastics)

* EP0409: 에폭시 수지(Hybrid Plastics 社 제품)* EP0409: Epoxy resin (product of Hybrid Plastics)

* KHE-8000H: 에폭시 수지(일본 화학社 제품): 하기 화학식의 반복단위를 갖는 유-무기계 하이브리드 에폭시 수지(에폭시 당량 174 g/eq., yellow liquid(colorless ~ pale), 점도[25℃]: 1.9 Pa·s, 상기 화학식 2의 n=1일 때 분자량 696 g/mol이고, R14의 분자량은 122g/mol)* KHE-8000H: Epoxy resin (manufactured by Nippon Chemicals): Organic-inorganic hybrid epoxy resin having a repeating unit of the following formula (epoxy equivalent 174 g/eq., yellow liquid (colorless ~ pale), viscosity [25°C]: 1.9 Pa·s, when n = 1 of Formula 2, the molecular weight is 696 g/mol, and the molecular weight of R 14 is 122 g/mol)

* GPH-65: 에폭시 경화제 (일본화학 社 제품, 수산기 당량 198 g/eq, 연화점: 65 ℃)* GPH-65: Epoxy curing agent (Nippon Chemical Company, hydroxyl equivalent 198 g/eq, softening point: 65 ℃)

* KH-6021: 페놀 수지 (DIC, 수산기 당량: 121 g/eq, 연화점 133 ℃)* KH-6021: phenolic resin (DIC, hydroxyl equivalent: 121 g/eq, softening point 133 ° C)

* KA-1160: 페놀 수지 (DIC, 수산기 당량: 117 g/eq, 연화점 86 ℃)* KA-1160: phenolic resin (DIC, hydroxyl equivalent: 117 g/eq, softening point 86 ℃)

* YA050C: 충전재, 평균입경 50nm (C-MJE, Admatechs)* YA050C: Filler, average particle diameter 50nm (C-MJE, Admatechs)

* YC100C: 충전재(아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 100㎚)* YC100C: filler (Admatech, spherical silica, average particle diameter of about 100 nm)

* SC-2050: 충전재 (아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚)* SC-2050: filler (Admatech, spherical silica, average particle diameter of about 400 nm)

* 2MZ-A: 이미다졸 경화 촉진제(SHIKOKU)* 2MZ-A: imidazole curing accelerator (SHIKOKU)

* 2PZ: 이미다졸 경화 촉진제 (Curezol 2PZ, SHIKOKU)* 2PZ: imidazole curing accelerator (Curezol 2PZ, SHIKOKU)

[[ 실험예Experimental example : 물성 평가]: Evaluation of properties]

실험예Experimental example 1: 용융점도 측정 1: Measurement of melt viscosity

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착층을 두께 320㎛가 될 때까지 중첩하여 적층한 후 60℃의 롤 라미네이터를 이용하여 라미네이트하였다. 이후, 각 시편을 지름 8 ㎜의 원형으로 성형한 이후, Anton Parr 장비를 이용하여 10 Hz 의 전단 속도에서 10℃/분의 승온 속도를 적용하여 측정값의 가장 낮은 수치의 점도 값을 용융점도로 판단하였다.The adhesive layers obtained in Examples and Comparative Examples were laminated by overlapping until they became 320 µm in thickness, and then laminated using a roll laminator at 60°C. Then, after each specimen was molded into a circle with a diameter of 8 mm, the viscosity value of the lowest value of the measured value was judged as the melt viscosity by applying a temperature increase rate of 10 °C/min at a shear rate of 10 Hz using Anton Parr equipment. did

실험예Experimental example 2: 2: 필렛fillet 평가 evaluation

실시예 및 비교예에 따라 반도체 장치를 제조한 후 반도체 장치의 주변으로 퍼져 나온 접착 조성물 중 가장 긴 길이를 측정하였다. 그 결과, 그 길이가 300 ㎛ 이하이면 필렛 특성 양호("O"), 그리고 그 길이가 300 ㎛ 초과이면 필렛 특성 불량("X")으로 평가하였다.After manufacturing a semiconductor device according to Examples and Comparative Examples, the longest length of the adhesive composition spread out to the periphery of the semiconductor device was measured. As a result, when the length was 300 μm or less, the fillet properties were evaluated as good (“O”), and when the length was more than 300 μm, the fillet properties were evaluated as poor (“X”).

실험예Experimental example 3: 3: 보이드void 평가 evaluation

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 Scanning Acousitic Tomography([0142] SAT)를 통하여 범프칩과 기재칩 사이에 보이드가 차지하는 면적이 1％ 이하가 되는 것을 합격(O)으로, 그리고 1％ 초과하는 것을 불합격 (X)으로 평가하였다.For the semiconductor devices obtained in each of Examples and Comparative Examples, through Scanning Acousitic Tomography (SAT), the area occupied by voids between the bump chip and the base chip was 1% or less as pass (O), and 1% Anything exceeding it was evaluated as fail (X).

실험예Experimental example 4: 도통 평가 4: Continuity evaluation

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 데이지 체인 접속을 확인할 수 있었던 것을 합격(O)으로, 그리고 데이지 체인 접속을 확인할 수 없었던 것을 불합격(X)으로 평가하였다.For the semiconductor devices obtained in each of Examples and Comparative Examples, those in which daisy chain connection could be confirmed were evaluated as pass (O), and those in which daisy chain connection could not be confirmed were evaluated as fail (X).

실험예Experimental example 5: 접속 상태 평가 5: Assess the connection state

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 접속부를 단면 연마하여 노출시키고 광학 현미경으로 관찰하였다. 접속부에 접착 조성물 트랩핑이 보이지 않고 땜납이 배선에 충분히 젖어 있는 것을 합격(O)으로, 그리고 그 이외의 것을 불합격(X)으로 평가하였다.For each of the semiconductor devices obtained in Examples and Comparative Examples, the connecting portions were exposed by cross-section polishing and observed with an optical microscope. A case in which trapping of the adhesive composition was not observed in the connection portion and the solder was sufficiently wetted on the wiring was evaluated as pass (O), and those other than that were evaluated as fail (X).

실험예Experimental example 6: 웨이퍼 휨 평가 6: Wafer warpage evaluation

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 두께 20 ㎛ 접착층을 지름 8 인치 및 두께 150 ㎛의 미러 웨이퍼에 라미네이션을 진행하고 240 ℃ 오븐에서 1 시간 경화한 후 상온에서 가장자리의 높이를 측정하였다. 그 높이가 2 mm 이내이면 합격(O)으로, 2 mm를 초과하면 불합격(X)로 평가하였다. The 20 μm-thick adhesive layer obtained in Examples and Comparative Examples was laminated on a mirror wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 150 μm, cured in an oven at 240° C. for 1 hour, and then the height of the edge was measured at room temperature. If the height was within 2 mm, it was evaluated as pass (O), and if it exceeded 2 mm, it was evaluated as fail (X).

실험예Experimental example 7: 신뢰성( 7: Reliability ( TCTTCT ) 평가) evaluation

실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치를 175 ℃ 하에서 2 시간 동안 추가로 경화하였다. 상기 반도체 장치를 85℃ 및 85%RH의 조건에서 48시간 노출한 후 IP reflow 과정을 3회 실시하였다. 그리고, 육안과 Scanning Acousitic Tomography(SAT)를 이용하여 반도체 기판과 접착 필름 간의 박리 정도를 관찰하여 박리되지 않으면 O로 평가하고, 박리된 경우 X로 평가하였다.The semiconductor devices each obtained in Examples and Comparative Examples were further cured at 175° C. for 2 hours. After exposing the semiconductor device at 85° C. and 85% RH for 48 hours, the IP reflow process was performed three times. Then, by observing the degree of peeling between the semiconductor substrate and the adhesive film using the naked eye and Scanning Acousitic Tomography (SAT), if it did not peel, it was evaluated as O, and if it was peeled, it was evaluated as X.

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2 의 실험예 1 내지 7에 따른 결과를 하기 표2에 정리하였다.The results according to Experimental Examples 1 to 7 of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 are summarized in Table 2 below.

실시예Example 1 One 실시예Example 2 2 실시예Example 3 3 비교예comparative example 1 One 비교예comparative example 2 2 용융점도(melt viscosity ( PaPa ·s)s) 600600 700700 900900 10001000 500500 필렛fillet OO OO OO XX XX 보이드void OO OO OO XX XX 도통continuity OO OO OO XX XX 접속 상태connection status OO OO OO XX XX 웨이퍼 휨Wafer Warp OO OO OO XX OO 신뢰성(reliability( TCTTCT )) OO OO OO XX XX

상기 표 2를 참고하며, 에폭시 화합물의 구조 및 함량을 조절함으로써, 용융점도가 적정 수준으로 구현되며, 필렛 평가, 평가보이드 평가, 도통 평가, 접속 상태 평가, 웨이퍼 휨 평가 및 신뢰성 평가를 모두 만족하는 것을 확인하였다.Referring to Table 2, by adjusting the structure and content of the epoxy compound, melt viscosity is realized at an appropriate level, and it satisfies all of fillet evaluation, evaluation void evaluation, continuity evaluation, connection state evaluation, wafer warpage evaluation and reliability evaluation. confirmed that.

이에 대하여 비교예 1은 본 발명의 특정한 구조의 에폭시 화합물을 포함하지 않음으로써, 용융 점도가 과도하고 필렛 평가, 평가보이드 평가, 도통 평가, 접속 상태 평가, 웨이퍼 휨 평가 및 신뢰성을 만족하지 못하는 것을 확인하였다. 나아가, 비교예 2는 본 발명의 특정한 구조의 에폭시 화합물을 과도하게 포함함으로써, 용융점도가 급격히 저하되는 동시에 필렛 평가, 평가보이드 평가, 도통 평가, 접속 상태 평가 및 신뢰성 평가를 만족하지 못하는 것을 확인하였다.In contrast, Comparative Example 1 does not contain the epoxy compound of a specific structure of the present invention, so that the melt viscosity is excessive and does not satisfy fillet evaluation, evaluation void evaluation, continuity evaluation, connection state evaluation, wafer warpage evaluation and reliability. did. Furthermore, it was confirmed that Comparative Example 2 did not satisfy the fillet evaluation, the evaluation void evaluation, the continuity evaluation, the connection state evaluation and the reliability evaluation at the same time while the melt viscosity was rapidly decreased by including the epoxy compound of the specific structure of the present invention excessively. .

본 발명은 특정한 구조를 갖는 에폭시 화합물의 함량을 조절함으로써, 열팽창계수를 감소시키고 치수안정성을 향상시키며, 필름의 취성 증가를 방지할 수 있다.The present invention can reduce the coefficient of thermal expansion, improve dimensional stability, and prevent the increase in brittleness of the film by controlling the content of the epoxy compound having a specific structure.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.In the above, although the present invention has been described by way of limited examples, the present invention is not limited thereto, and the technical idea of the present invention and claims to be described below by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains Of course, various modifications and variations are possible within the equivalent range of the range.

Claims (12)

열경화성 수지; 열가소성 수지; 경화제; 하기의 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 1-3 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 에폭시 화합물; 및 하기 화학식 2인 에폭시 수지를 포함하는 반도체 회로 접속용 접착제 조성물:
[화학식 1-1]
Figure pat00037

[화학식 1-2]
Figure pat00038

[화학식 1-3]
Figure pat00039

상기 R1, R6 및 R7 각각은 탄소수 1 내지 5이고, 치환 또는 비치환되고, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이고,
상기 R2 내지 R5 및 R8 내지 R13 각각은 탄소수 1 내지 5 이고, 치환 또는 비치환되고, 직쇄 또는 분지쇄인 알킬렌기이거나 단일결합이다;
[화학식 2]
Figure pat00040

상기 R14는 각각 독립적으로 하나 이상의 에폭시기를 갖는 1가의 관능기이고, n은 1 내지 30의 정수이다.
thermosetting resins; thermoplastic resin; hardener; an epoxy compound selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 1-1, 1-2, 1-3, and combinations thereof; And an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising an epoxy resin represented by Formula 2:
[Formula 1-1]
Figure pat00037

[Formula 1-2]
Figure pat00038

[Formula 1-3]
Figure pat00039

Each of R 1 , R 6 and R 7 has 1 to 5 carbon atoms and is a substituted or unsubstituted, linear or branched alkylene group,
Each of R 2 to R 5 and R 8 to R 13 has 1 to 5 carbon atoms, and is a substituted or unsubstituted, straight or branched alkylene group or a single bond;
[Formula 2]
Figure pat00040

Each of R 14 is independently a monovalent functional group having one or more epoxy groups, and n is an integer of 1 to 30.
 청구항 1에서,
상기 에폭시 수지의 상기 화학식 2의 R14는 각각 독립적으로 하기의 화학식 2-1 내지 2-7에서 선택된 하나의 관능기인 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물:
[화학식 2-1]
Figure pat00041

[화학식 2-2]
Figure pat00042

[화학식 2-3]
Figure pat00043

[화학식 2-4]
Figure pat00044

[화학식 2-5]
Figure pat00045

[화학식 2-6]
Figure pat00046

[화학식 2-7]
Figure pat00047
.In claim 1,
R 14 of Formula 2 of the epoxy resin is each independently one functional group selected from the following Formulas 2-1 to 2-7 Adhesive composition for semiconductor circuit connection:
[Formula 2-1]
Figure pat00041

[Formula 2-2]
Figure pat00042

[Formula 2-3]
Figure pat00043

[Formula 2-4]
Figure pat00044

[Formula 2-5]
Figure pat00045

[Formula 2-6]
Figure pat00046

[Formula 2-7]
Figure pat00047
. 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 2인 에폭시 수지의 평균 에폭시 당량은 50 g/eq. 이상 300 g/eq. 이하인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The average epoxy equivalent of the epoxy resin of Formula 2 is 50 g/eq. more than 300 g/eq. The following adhesive composition for semiconductor circuit connection. 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 2인 에폭시 수지의 점도는 0.1 Pa·s 이상 10000 Pa·s 이하인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The viscosity of the epoxy resin represented by Formula 2 is 0.1 Pa·s or more and 10000 Pa·s or less, an adhesive composition for semiconductor circuit connection. 청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 수지는 고상 에폭시 수지, 액상 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The thermosetting resin is an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising one selected from the group consisting of a solid epoxy resin, a liquid epoxy resin, and combinations thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 열가소성 수지는 폴리이미드 수지, 폴리에테르 이미드 수지, 폴리에스테르 이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르 술폰 수지, 폴리에테르 케톤 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리염화비닐 수지, 페녹시 수지, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메타)아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The thermoplastic resin is polyimide resin, polyether imide resin, polyester imide resin, polyamide resin, polyether sulfone resin, polyether ketone resin, polyolefin resin, polyvinyl chloride resin, phenoxy resin, reactive butadiene acrylo. Adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising one selected from the group consisting of nitrile copolymer rubber, (meth)acrylate-based resin, and combinations thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 무기필러, 경화촉매 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The adhesive composition for semiconductor circuit connection further comprises one selected from the group consisting of inorganic fillers, curing catalysts, and combinations thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.The method according to claim 1,
The curing agent is an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising one selected from the group consisting of an amine-based curing agent, a phenol-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, and combinations thereof. 청구항 7에 있어서,
상기 무기필러는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화마그네슘, 탄산마그네슘, 규산마그네슘, 산화마그네슘, 규산칼슘, 탄산칼슘, 산화칼슘, 수산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.8. The method of claim 7,
The inorganic filler is one selected from the group consisting of alumina, silica, barium sulfate, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, aluminum borate, and combinations thereof An adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising a. 청구항 7에 있어서,
상기 경화촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.8. The method of claim 7,
The curing catalyst is an adhesive composition for semiconductor circuit connection comprising one selected from the group consisting of a phosphorus-based compound, a boron-based compound, a phosphorus-boron-based compound, an imidazole-based compound, and combinations thereof. 청구항 7에 있어서,
상기 열가소성 수지 100 중량부를 기준으로,
상기 열경화성 수지의 함량은 200 중량부 이상 400 중량부 이하이고,
상기 에폭시 화합물의 함량은 25 중량부 이상 90 중량부 이하이며,
상기 에폭시 수지의 함량은 25 중량부 이상 100 중량부 이하이고,
상기 경화제의 함량은 75 중량부 이상 150 중량부 이하이며,
상기 무기필러의 함량은 600 중량부 이상 900 중량부 이하이고,
상기 경화촉매의 함량은 10 중량부 이상 20 중량부 이하인 것인 반도체 회로 접속용 접착제 조성물.
8. The method of claim 7,
Based on 100 parts by weight of the thermoplastic resin,
The content of the thermosetting resin is 200 parts by weight or more and 400 parts by weight or less,
The content of the epoxy compound is 25 parts by weight or more and 90 parts by weight or less,
The content of the epoxy resin is 25 parts by weight or more and 100 parts by weight or less,
The content of the curing agent is 75 parts by weight or more and 150 parts by weight or less,
The content of the inorganic filler is 600 parts by weight or more and 900 parts by weight or less,
The content of the curing catalyst is 10 parts by weight or more and 20 parts by weight or less of the adhesive composition for semiconductor circuit connection.
 청구항 1의 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름.The adhesive film for semiconductor circuit connection containing the adhesive composition for semiconductor circuit connection of Claim 1.
KR1020200090807A 2020-07-22 2020-07-22 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same KR20220011938A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200090807A KR20220011938A (en) 2020-07-22 2020-07-22 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200090807A KR20220011938A (en) 2020-07-22 2020-07-22 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220011938A true KR20220011938A (en) 2022-02-03

Family

ID=80268724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200090807A KR20220011938A (en) 2020-07-22 2020-07-22 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220011938A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202035631A (en) Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP4417122B2 (en) Resin composition for sheet-like semiconductor encapsulation
TWI804569B (en) Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
CN112424307B (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection, adhesive film for semiconductor using the same, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package
KR102228539B1 (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
KR20220011938A (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
KR102204964B1 (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
JP2023505277A (en) Semiconductor package underfill film and semiconductor package manufacturing method using the same
KR102186521B1 (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film, containing the same
KR20220015197A (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
KR20210046177A (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film comprising cured product of the same
US11527503B2 (en) Method for manufacturing semiconductor package
KR102679244B1 (en) Resin composition for semiconductor adhesion, adhesive film, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package using the same
EP3780094A1 (en) Method for manufacturing semiconductor package
KR20210043120A (en) Resin composition for semiconductor adhesion, adhesive film, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package using the same
WO2019203572A1 (en) Adhesive composition for semiconductor circuit connection, and adhesive film comprising same
KR20210012504A (en) Fod adhesive film and semiconductor package comprising thereof
KR20210046338A (en) Adhesive composition for semiconductor package and adhesive film containing the same