KR20220004536A - Electrostatic chuck - Google Patents

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KR20220004536A KR1020210012616A KR20210012616A KR20220004536A KR 20220004536 A KR20220004536 A KR 20220004536A KR 1020210012616 A KR1020210012616 A KR 1020210012616A KR 20210012616 A KR20210012616 A KR 20210012616A KR 20220004536 A KR20220004536 A KR 20220004536A
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조덕형
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Abstract

An electrostatic chuck according to the present invention includes a base plate. To provide a dielectric block under a substrate to support the substrate in a process chamber when performing a semiconductor manufacturing process through semiconductor manufacturing equipment, the base plate is positioned in a cylinder under the dielectric block and is exposed from the dielectric block. The base plate has a cooling fluid flow area from the central area of the cylinder toward the outer circumferential surface of the cylinder and has a tool fastening area along the outer circumferential surface near the outer circumferential surface of the cylinder. The cooling fluid flow area and the tool fastening area overlap along the outer circumferential surface of the base plate near the outer circumferential surface of the base plate.

Description

정전척{ELECTROSTATIC CHUCK}Electrostatic chuck

본 발명은, 반도체 제조 장비의 공정 챔버의 내부에 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트와 유전체 블럭을 구비하면서 베이스 플레이트에 냉각 유로를 포함하는 정전척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck having a base plate and a dielectric block sequentially stacked in a process chamber of a semiconductor manufacturing equipment, and including a cooling passage in the base plate.

일반적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장비는, 반도체 제조 공정을 수행하기 위해 공정 챔버(60)에 순차적으로 적층되는 정전척(40)과 기판(50)을 구비한다. 여기서, 상기 반도체 제조 공정은 식각 공정 또는 증착 공정을 포함한다. 상기 정전척(40)은 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트(10)와 유전체 블럭(30)을 갖는다. 상기 유전체 블럭(30)은 정전 전극(25)을 구비한다. In general, as shown in FIG. 1 , semiconductor manufacturing equipment includes an electrostatic chuck 40 and a substrate 50 that are sequentially stacked in a process chamber 60 to perform a semiconductor manufacturing process. Here, the semiconductor manufacturing process includes an etching process or a deposition process. The electrostatic chuck 40 has a base plate 10 and a dielectric block 30 that are sequentially stacked. The dielectric block 30 includes an electrostatic electrode 25 .

우선적으로, 상기 반도체 제조 장비의 구동 동안, 상기 공정 챔버(40)에 공정 가스를 주입후, 상기 공정 가스는 외부 전력을 인가받아 공정 챔버(40)의 내부에서 플라즈마로 변경된다. 즉, 상기 플라즈마는 공정 가스를 통해 기판(50) 상에 생성된다. 상기 정전 전극(25)은 제1 외부 전원에 전기적으로 접속되어 양 전하 또는 음전하를 가지도록 대전된다. First, after the process gas is injected into the process chamber 40 while the semiconductor manufacturing equipment is driven, the process gas is changed into plasma inside the process chamber 40 by receiving external power. That is, the plasma is generated on the substrate 50 through the process gas. The electrostatic electrode 25 is electrically connected to a first external power source and is charged to have a positive charge or a negative charge.

상기 기판(50)은 정전 전극(25)과 반대 전하로 대전되기 위해 플라즈마로부터 음 전하 또는 양 전하를 공급받는다. 상기 기판(50)과 정전 전극(25)은 기판(50)과 정전 전극(25) 사이에 정전장을 형성한다. 상기 정전장은 정전 전극 상에서 유전체 블럭(30)에 기판(50)을 고정시킨다. 이후로, 상기 베이스 플레이트(10)는 제2 외부 전원에 전기적으로 접속되어 기판(50)에 플라즈마의 반응 속도를 조절하여 기판(50)에 반도체 제조 공정을 수행한다. The substrate 50 is supplied with a negative charge or a positive charge from the plasma in order to be charged with a charge opposite to that of the electrostatic electrode 25 . The substrate 50 and the electrostatic electrode 25 form an electrostatic field between the substrate 50 and the electrostatic electrode 25 . The electrostatic field fixes the substrate 50 to the dielectric block 30 on the electrostatic electrode. Thereafter, the base plate 10 is electrically connected to a second external power source to control a reaction rate of plasma on the substrate 50 to perform a semiconductor manufacturing process on the substrate 50 .

그러나, 상기 플라즈마는 반도체 제조 공정의 수행 동안 기판(50)과 충돌하여 기판(50)에 열을 발생시켜 기판(50)의 온도 상승을 야기시킨다. 상기 기판(50)의 온도 상승은 기판(50) 상에서 영역별로 반도체 제조 공정의 수행 동안 식각률 또는 식각 균일도 또는 프로파일 또는 선폭 또는 막 두께에 악 영향을 미친다. However, the plasma collides with the substrate 50 during the semiconductor manufacturing process to generate heat in the substrate 50 , thereby causing the temperature of the substrate 50 to rise. The increase in the temperature of the substrate 50 adversely affects the etch rate or etch uniformity or profile or line width or film thickness during the execution of the semiconductor manufacturing process for each region on the substrate 50 .

상기 반도체 제조 공정의 수행 동안 기판(50)의 온도 상승을 최소화하기 위해, 베이스 플레이트(10)와 유전체 블럭(30)과 기판(50)의 절단면을 볼 때, 상기 베이스 플레이트(10)는 냉각 유체 흐름 영역(4)을 갖는다. 상기 냉각 유체 흐름 영역(4)은 냉각 유로 구조물(도면에 미 도시)을 적어도 하나로 갖는다. 상기 냉각 유로 구조물은 베이스 플레이트(10)에서 냉각 유체의 흐름을 유도한다.In order to minimize the temperature rise of the substrate 50 during the semiconductor manufacturing process, when the cut surface of the base plate 10 and the dielectric block 30 and the substrate 50 is viewed, the base plate 10 is provided with a cooling fluid. It has a flow area (4). The cooling fluid flow region 4 has at least one cooling passage structure (not shown). The cooling passage structure induces the flow of the cooling fluid in the base plate 10 .

또한, 상기 베이스 플레이트(10)와 유전체 블럭(30)과 기판(50)의 절단면을 볼 때, 상기 베이스 플레이트(10)는 냉각 유체 흐름 영역(4)의 양 측부에 공구 체결 영역(8)을 갖는다. 상기 공구 체결 영역(8)은 베이스 플레이트(10)에 포커스 링(도면에 미도시)을 고정시키는 체결공(도면에 미도시)을 갖는다. In addition, when viewing the cut surface of the base plate 10, the dielectric block 30 and the substrate 50, the base plate 10 has tool fastening regions 8 on both sides of the cooling fluid flow region 4 have The tool fastening area 8 has a fastening hole (not shown) for fixing a focus ring (not shown) to the base plate 10 .

여기서, 상기 냉각 유체 흐름 영역(4)은 공구 체결 영역(8)에 의해 둘러싸이고 유전체 블럭(30)의 점유 영역에 구속되어 기판(50)의 온도 상승을 최소화시키는데 한계를 갖는다. 왜냐하면, 상기 냉각 유체 흐름 영역(4)은 기판(50)의 중앙 영역에서 기판(50)의 온도 상승을 막지만 기판(50)의 가장자리 영역을 따라서 기판의 온도 상승을 제어하지 못한다.Here, the cooling fluid flow region 4 is surrounded by the tool fastening region 8 and constrained by the occupied region of the dielectric block 30 to minimize the temperature rise of the substrate 50 . Because the cooling fluid flow region 4 blocks the temperature rise of the substrate 50 in the central region of the substrate 50 , but does not control the temperature rise of the substrate 50 along the edge region of the substrate 50 .

한편, 상기 정전척은 한국공개특허공보 제10-2013-0094578호에도 종래기술로써 유사하게 개시되고 있다.Meanwhile, the electrostatic chuck is similarly disclosed as a prior art in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2013-0094578.

한국공개특허공보 제10-2013-0094578호Korean Patent Publication No. 10-2013-0094578

본 발명은, 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반도체 제조 장비의 공정 챔버에서, 반도체 제조 공정을 수행하는 동안, 기판 아래에 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트와 유전체 블럭을 구비하면서도, 기판과 플라즈마의 반응시 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역에서 기판의 온도 상승을 최소화하고 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역에서 기판의 온도 분포를 균일하게 하는데 적합한 정전척을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, while having a base plate and a dielectric block sequentially stacked under a substrate while performing a semiconductor manufacturing process in a process chamber of a semiconductor manufacturing equipment, a substrate and a plasma An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck suitable for minimizing the temperature rise of the substrate in the central region and the edge region of the substrate during the reaction of the substrate and to uniform the temperature distribution of the substrate in the central region and the edge region of the substrate.

본 발명에 따른 정전척은, 반도체 제조 장비를 통해 반도체 제조 공정의 수행시 공정 챔버의 내부에서 기판을 지지하도록 상기 기판 아래에 유전체 블럭을 구비하도록, 상기 유전체 블럭 아래에 원기둥으로 위치되어 상기 유전체 블럭으로부터 노출되면서, 상기 원기둥의 중앙 영역으로부터 상기 원기둥의 외주면을 향해 냉각 유체 흐름 영역을 가지며, 상기 원기둥의 상기 외주면 가까이에 상기 외주면을 따라 공구 체결 영역을 가지는 베이스 플레이트를 포함하고, 상기 냉각 유체 흐름 영역과 상기 공구 체결 영역은, 상기 베이스 플레이트의 외주면 가까이에서 상기 베이스 플레이트의 외주면을 따라 중첩하는 것을 측징으로 한다.The electrostatic chuck according to the present invention is cylindrically positioned under the dielectric block so as to provide a dielectric block under the substrate to support the substrate inside a process chamber when a semiconductor manufacturing process is performed through semiconductor manufacturing equipment. a base plate having a cooling fluid flow area from a central region of the cylinder toward an outer circumferential surface of the cylinder while exposed from, and having a tool fastening area along the outer circumferential surface near the outer circumferential surface of the cylinder, the cooling fluid flow area And the tool fastening region, and the outer peripheral surface of the base plate is to be overlapped along the outer peripheral surface of the base plate in the vicinity of the side measure.

상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때, 상기 냉각 유체 흐름 영역의 길이는, 상기 유전체 블럭의 길이보다 더 길 수 있다.A length of the cooling fluid flow region may be longer than a length of the dielectric block when the base plate, the dielectric block, and the substrate are cut.

상기 베이스 플레이트는, 상기 유전체 블럭으로부터 이격하는 하부측에서 상기 냉각 유체 흐름 영역에 제1 냉각 유로 구조물과, 상기 유전체 블럭과 접촉하는 상부측에서 상기 냉각 유체 흐름 영역에 제2 냉각 유로 구조물을 가지는 유로 베이스를 포함하고, 제1 및 제2 냉각 유로 구조물은, 나선 형으로 이루어지고, 상기 유로 베이스의 하면과 상면을 각각 개구할 수 있다.The base plate has a flow path having a first cooling flow path structure in the cooling fluid flow region at a lower side spaced apart from the dielectric block, and a second cooling flow path structure in the cooling fluid flow region at an upper side in contact with the dielectric block. It includes a base, and the first and second cooling passage structures are formed in a spiral shape, and a lower surface and an upper surface of the passage base may be opened, respectively.

제1 및 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 서로로부터 분리되어 서로로부터 고립되고, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 상기 제1 냉각 유로 구조물보다 더 큰 점유 면적을 가지고, 상기 유로 베이스에서 상기 제1 냉각 유로 구조물 대비 상대적으로 큰 밀도의 나선 형으로 권취될 수 있다.The first and second cooling flow path structures are separated from each other at the flow path base and isolated from each other, and the second cooling flow path structure has a larger occupied area than the first cooling flow path structure at the flow path base, and the In the flow passage base, the first cooling passage structure may be wound in a spiral shape having a relatively greater density than that of the first cooling passage structure.

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 순차적으로 적층되는 제1 커버 수용부와 제1 냉각 유로로 이루어지고, 상기 제1 커버 수용부는, 상기 제1 냉각 유로보다 더 큰 크기로 형성되면서 상기 제1 커버 수용부와 상기 제1 냉각 유로 사이에 걸림 턱을 가지고, 상기 제1 냉각 유로는, 냉각 가스를 흐르게 할 수 있다. The first cooling passage structure includes a first cover receiving portion and a first cooling passage that are sequentially stacked, and the first cover receiving portion is formed to have a larger size than the first cooling passage to accommodate the first cover. A locking protrusion may be provided between the unit and the first cooling passage, and the first cooling passage may allow a cooling gas to flow.

상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 유전체 블럭보다 더 큰 점유 면적을 가지며 상기 유전체 블럭 아래에서 상기 유전체 블럭의 점유 면적으로부터 벗어나는 최외각 제1 절단된 커버 수용부를 가질 수 있다.When the cut surfaces of the base plate, the dielectric block, and the substrate are viewed, the first cooling flow path structure may include a plurality of first cut cover accommodating parts in the cross section of the flow path base, and on the respective first cut cover accommodating parts. has a first cut cooling flow path in the flow path base, has a larger occupied area than the dielectric block in the cross section of the flow path base, and has an outermost first cut cover receiving portion that deviates from the occupied area of the dielectric block under the dielectric block can

상기 제2 냉각 유로 구조물은, 순차적으로 적층되는 제2 냉각 유로와 제2 커버 수용부로 이루어지고, 상기 제2 커버 수용부는, 상기 제2 냉각 유로보다 더 큰 크기로 형성되면서 상기 제2 냉각 유로와 상기 제2 커버 수용부 사이에 걸림 턱을 가지고, 상기 제2 냉각 유로는, 냉각 액체를 흐르게 할 수 있다.The second cooling passage structure includes a second cooling passage and a second cover accommodating part that are sequentially stacked, and the second cover accommodating part is formed to have a size larger than that of the second cooling passage and includes the second cooling passage and the second cooling passage. A hooking protrusion may be provided between the second cover accommodating portions, and the second cooling passage may allow a cooling liquid to flow.

상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로, 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로 상에 제2 절단된 커버 수용부를 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 유전체 블럭보다 더 큰 점유 면적을 가지며 상기 유전체 블럭으로부터 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 노출시킬 수 있다.When the cut surfaces of the base plate, the dielectric block, and the substrate are viewed, the second cooling passage structure includes a plurality of second cut cooling passages in the cross section of the passage base, and a second cooling passage on each of the second cut cooling passages. It has two cut cover receiving portions, has a larger occupied area than the dielectric block in the cross-section of the flow path base, and may expose a second outermost cut cover receiving portion from the dielectric block.

상기 베이스 플레이트는, 상기 유전체 블럭 주변에서 상기 유로 베이스의 상기 공구 체결 영역에 복수의 가스 도입구와 복수의 가스 배출구와 복수의 포커스링 체결공을 가지고, 상기 복수의 포커스링 체결공은, 상기 유로 베이스에서 상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구 대비 상기 유로 베이스의 외주면에 상대적으로 가까이 위치되고, 상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구와 상기 복수의 포커스링 체결공은 상기 유로 베이스의 상기 상면을 개구할 수 있다.The base plate has a plurality of gas inlets, a plurality of gas outlets, and a plurality of focus ring fastening holes in the tool fastening area of the channel base around the dielectric block, wherein the plurality of focus ring fastening holes include: in the plurality of gas inlets and the plurality of gas outlets are located relatively close to the outer circumferential surface of the flow path base compared to the plurality of gas inlets and the plurality of gas outlets, and the plurality of gas inlets, the plurality of gas outlets, and the plurality of focus ring fastening holes are of the flow path base. The upper surface can be opened.

상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구는, 상기 유로 베이스의 중심으로터 동일한 지름의 제1 가상원을 따라 반복적으로 위치되고, 상기 복수의 포커스링 체결공은, 상기 유로 베이스의 상기 중심으로터 동일한 지름의 제2 가상원을 따라 반복적으로 위치될 수 있다.The plurality of gas inlets and the plurality of gas outlets are repeatedly positioned along a first imaginary circle having the same diameter from the center of the channel base, and the plurality of focus ring fastening holes are positioned toward the center of the channel base. It may be repeatedly positioned along a second imaginary circle having the same diameter.

상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물이, 상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지며, 상기 제2 냉각 유로 구조물이, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로, 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로 상에 제2 절단된 커버 수용부를 가지면서, 개별 가스 도입구 또는 개별 가스 배출구는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서, 상기 단면의 일측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로 사이에 또는 상기 단면의 타측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로 사이에 위치되어 제1 절단된 냉각 유로와 연통할 수 있다.When the cut surfaces of the base plate, the dielectric block, and the substrate are viewed, the first cooling flow path structure may be formed on a plurality of first cut cover receiving units in the cross section of the flow path base, and on individual first cut cover receiving units. has a first cut cooling flow path, wherein the second cooling flow path structure accommodates a plurality of second cut cooling flow paths in the cross section of the flow path base, and a second cut cover on each second cut cooling flow path with a portion, the individual gas inlet or the individual gas outlet is located in the cross-section of the flow path base, between the two outermost second cut cooling passages located on one side of the cross-section or at the other side of the cross-section It may be located between the outermost two second cut cooling passages to be in communication with the first cut cooling passages.

상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물이, 상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지며, 상기 제2 냉각 유로 구조물이, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 복수의 제2 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제2 절단된 커버 수용부 아래에 제2 절단된 냉각 유로를 가지면서, 상기 베이스 플레이트는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부에 삽입되는 제1 커버와, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부에 삽입되는 제2 커버를 더 포함할 수 있다.When the cut surfaces of the base plate, the dielectric block, and the substrate are viewed, the first cooling flow path structure may be formed on a plurality of first cut cover receiving units in the cross section of the flow path base, and on individual first cut cover receiving units. has a first cut cooling flow path in the second cooling flow path structure, a plurality of second cut cover receiving portions in the cross section of the flow path base, and a second cut below each second cut cover receiving portion While having a cooling passage, the base plate may include a first cover inserted into the respective first cut cover receiving portion at the end face of the channel base, and receiving the separate second cut cover at the end face of the channel base. It may further include a second cover inserted into the unit.

제1 및 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치되고, 제1 커버 또는 제2 커버는, 상기 유로 베이스에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물과 동일한 형상을 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성될 수 있다.The first and second cooling flow path structures are respectively positioned at the same level in the flow path base, and the first cover or the second cover has the same shape as the first or second cooling flow path structure in the flow path base; A single line may be formed from the center of the channel base toward the outer circumferential surface of the channel base along the respective first or second cut cover receiving portions in the cross section of the channel base.

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로와 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 높은 레벨에 가지고, 상기 제1 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고, 상기 제2 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어질 수 있다.The first cooling flow path structure is positioned at the same level in the flow path base, and the second cooling flow path structure accommodates the second cut-out cooling flow path and the second cut-out outermost cover in the cross section of the flow path base. The remaining second cut cooling flow path and the remaining second cut cover receiving portion relative to the portion have a relatively high level, and the first cover is the flow path along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base. The second cover is formed in one line from the center of the base toward the outer circumferential surface of the flow path base, and the second cover includes a second outer cover that covers the second outermost cut cover receiving portion in the cross section of the flow path base, and the remaining second It may be separated into a second inner cover that covers the cut cover receiving part.

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제2 냉각 유로 구조물의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로의 높이를 상대적으로 크게 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 높은 레벨에 가지고, 상기 제1 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고, 상기 제2 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어질 수 있다.The first cooling flow path structure is positioned at the same level in the flow path base, and the second cooling flow path structure is an outermost second cut with respect to the bottom of the second cooling flow path structure in the cross section of the flow path base. The height of the remaining second cut cooling channel is relatively large compared to the height of the cooling channel, and the remaining second cut cover receiving part has a relatively high level compared to the outermost second cut cover receiving part in the cross section of the flow path base. and the first cover is formed in a line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base, and the second cover In the cross-section of the flow path base, a second outer cover covering the outermost second cut cover receiving portion and a second inner cover covering the remaining second cut cover receiving portion may be separated from each other.

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로와 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 낮은 레벨에 가지고, 상기 제1 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고, 상기 제2 커버는, 상기 유로 베이스에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부을 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어질 수 있다.The first cooling flow path structure is positioned at the same level in the flow path base, and the second cooling flow path structure accommodates the second cut-out cooling flow path and the second cut-out outermost cover in the cross section of the flow path base. The remaining second cut cooling flow path and the remaining second cut cover receiving portion are at a relatively low level compared to the portion, and the first cover includes the flow path along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base. Formed in one line from the center of the base toward the outer circumferential surface of the flow path base, the second cover includes a second outer cover that covers the second outermost cut cover receiving portion in the flow path base, and the remaining second cut cover It may be separated by a second inner cover that covers the receiving part.

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고, 상기 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제2 냉각 유로 구조물의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로의 높이를 상대적으로 작게 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 낮은 레벨에 가지고, 상기 제1 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제1 냉각 유로 구조물을 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고, 상기 제2 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어질 수 있다.The first cooling flow path structure is positioned at the same level in the flow path base, and the second cooling flow path structure is an outermost second cut with respect to the bottom of the second cooling flow path structure in the cross section of the flow path base. has a relatively small height of the remaining second cut cooling channel compared to the height of the cooling channel, and a relatively low level of the remaining second cut cover receiving part compared to the outermost second cut cover receiving part in the cross section of the flow path base and, the first cover is formed in one line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the first cooling flow path structure in the cross section of the flow path base, and the second cover includes: In the cross section of the flow path base, a second outer cover covering the outermost second cut cover receiving unit may be separated into a second inner cover covering the remaining second cut cover receiving unit.

상기 유로 베이스는, 상기 제1 냉각 유로 구조물, 그리고 상기 제1 냉각 유로 구조물 사이에 복수의 요부(凹部)를 포함하는 제1 유로 베이스, 및 상기 제1 유로 베이스 상에서, 상기 제2 냉각 유로 구조물, 그리고 상기 제2 냉각 구조물 아래에 복수의 철부(凸部)를 포함하는 제2 유로 베이스로 이루어지고, 상기 제2 유로 베이스의 개별 철부는, 상기 제1 유로 베이스의 개별 요부에 끼워지고, 제1 및 제2 냉각 유로 구조물은, 상기 유로 베이스에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치되고, 제1 커버 또는 제2 커버는, 상기 유로 베이스에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물과 동일한 형상을 가지고, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 또는 제2 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성될 수 있다.The flow path base may include the first cooling flow path structure, a first flow path base including a plurality of recesses between the first cooling flow path structure, and the second cooling flow path structure on the first flow path base; and a second flow path base including a plurality of convex portions under the second cooling structure, wherein the individual convex portions of the second flow passage base are fitted into individual recesses of the first flow passage base, and the first and the second cooling flow path structures are individually positioned at the same level in the flow path base, and the first cover or the second cover has the same shape as the first or second cooling flow path structures in the flow path base, and the flow path base may be formed in a single line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the respective first or second cover receiving portions in the cross section of the .

상기 제1 커버와 상기 제2 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 동일한 용접 깊이를 가지거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 냉각 유체 흐름 영역의 중앙 영역과 가장자리 영역에서 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 상기 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 서로 다른 용접 깊이를 가지거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 제1 커버와 상기 제2 커버에서 커버 별로 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 상기 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 서로 다른 용접 깊이를 가질 수 있다.The first cover and the second cover, when viewed from the cross-section of the flow path base, along the edges of the respective first cut-off cover receiving portion and the respective second cut-off cover receiving portion through friction stir welding, the The respective first cut-off cover receiving portion and the respective second cut-off cover receiving portion and the respective second cut cover receiving portion have the same welding depth as the flow path base, or in the central region and the edge region of the cooling fluid flow region when viewed in the cross-section of the flow path base The respective first cuts each have a different welding depth from the flow path base through the friction stir welding along the edge of the part, or in the first cover and the second cover in the cross-section of the flow path base, for each cover It may have a different welding depth from the flow path base through the friction stir welding along the edge of the cover receiving portion and the second individually cut cover receiving portion.

제1 또는 제2 커버는, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 수직 내측벽과 접촉하거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진 내측벽과 접촉하거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진후 수직을 이루는 측벽과 접촉하거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진후 수직을 이루는 일 측벽과 경사진 타측벽과 접촉하거나, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 'T' 자형의 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부를 채울 수 있다. The first or second cover may be in contact with a vertical inner wall of the respective first cut cover receiving part or the respective second cut cover receiving part in the cross section of the flow path base, or the first cut in the respective first cut out in the cross section of the flow path base In contact with the inclined inner wall of the cover receiving part or the second cut cover receiving part, or forming vertical after the inclination of the individual first cut cover receiving part or the individual second cut cover receiving part in the cross section of the flow path base In contact with the side wall, or in contact with one side wall and the other inclined side wall that are perpendicular to the first cut cover receiving part or the second cut cover receiving part individually in the cross section of the flow base, or in contact with the other side wall that is inclined after being inclined It is possible to fill either the individual first cut cover receptacles or the second discrete cover receptacles that are 'T' shaped in cross-section.

상기 유전체 블럭은, 클램프(clamp) 전극를 포함하고, 상기 클램프 전극을 직류 전원(DC power supply)에 전기적으로 접속시키고, 상기 베이스 플레이트는, 상기 유로 베이스를 고주파 전원(RF power supply)에 전기적으로 접속시킬 수 있다.The dielectric block includes a clamp electrode, electrically connecting the clamp electrode to a DC power supply, and the base plate electrically connecting the flow path base to a RF power supply. can do it

본 발명에 따른 정전척은, The electrostatic chuck according to the present invention,

반도체 제조 장비에서 반도체 제조 공정을 수행하기 위해, 기판 아래에 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트와 유전체 블럭을 구비하고, 유전체 블럭으로부터 노출되는 베이스 플레이트의 형상을 변경하면서 베이스 플레이트의 냉각 유체 흐름 영역을 확장하여 유전체 블럭 주변에 냉각 유체 흐름 영역을 위치시키므로,In order to perform a semiconductor manufacturing process in semiconductor manufacturing equipment, a base plate and a dielectric block sequentially stacked under a substrate are provided, and a cooling fluid flow area of the base plate is expanded while changing the shape of the base plate exposed from the dielectric block. By locating the cooling fluid flow area around the dielectric block,

반도체 제조 공정을 수행하는 동안, 기판 아래에 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트와 유전체 블럭을 구비하면서도, 기판과 플라즈마의 반응시 기판의 온도 상승을 최소화하고 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역에서 기판의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다.During the semiconductor manufacturing process, while the base plate and the dielectric block are sequentially stacked under the substrate, the temperature rise of the substrate is minimized when the substrate and plasma react, and the temperature distribution of the substrate in the central region and the edge region of the substrate is reduced. can be made uniform.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조 장비에서 공정 챔버 내 정전척을 보여주는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 공정 챔버에서 기판 아래에 정전척을 보여주는 개략도이다.
도 3은 도 2의 정전척에서 베이스 플레이트를 보여주는 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 베이스 플레이트에서 유로 베이스를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 정전척에서 베이스 플레이트를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 베이스 플레이트에서 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제1 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제2 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제3 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제4 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제5 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 5의 베이스 플레이트에서 유로 베이스에 제1 커버 또는 제2 커버의 마찰 교반 용접시 용접 깊이를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 5의 베이스 플레이트에서 유로 베이스와 제1 커버와 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 2의 공정 챔버에서 기판과 정전척의 위치 관계를 보여주는 사시도이다.1 is a schematic diagram showing an electrostatic chuck in a process chamber in a semiconductor manufacturing equipment according to the prior art.
2 is a schematic diagram illustrating an electrostatic chuck under a substrate in a process chamber of a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view illustrating a base plate in the electrostatic chuck of FIG. 2 .
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a flow path base in the base plate of FIG. 3 .
5 is a cross-sectional view illustrating a base plate in the electrostatic chuck of FIG. 2 .
6 is a perspective view showing a modified example of the second cover in the base plate of FIG.
7 is a cross-sectional view illustrating a first modified example of the base plate of FIG. 5 .
8 is a cross-sectional view illustrating a second modified example of the base plate of FIG. 5 .
9 is a cross-sectional view illustrating a third modified example of the base plate of FIG. 5 .
10 is a cross-sectional view illustrating a fourth modified example of the base plate of FIG. 5 .
11 is a cross-sectional view illustrating a fifth modified example of the base plate of FIG. 5 .
12 is a cross-sectional view illustrating a welding depth during friction stir welding of a first cover or a second cover to the flow path base in the base plate of FIG. 5 .
13 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the flow path base, the first cover, and the second cover in the base plate of FIG. 5 .
14 is a perspective view illustrating a positional relationship between a substrate and an electrostatic chuck in the process chamber of FIG. 2 .

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시 예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시 예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시 예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시 예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시 예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 제한적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 제한된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The detailed description of the present invention set forth below refers to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in relation to one embodiment. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those as claimed. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions in various aspects, and the length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily practice the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 공정 챔버에서 기판 아래에 정전척을 보여주는 개략도이고, 도 3은 도 2의 정전척에서 베이스 플레이트를 보여주는 분해 사시도이다.2 is a schematic diagram showing an electrostatic chuck under a substrate in a process chamber of a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing a base plate in the electrostatic chuck of FIG. 2 .

또한, 도 4는 도 3의 베이스 플레이트에서 유로 베이스를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 2의 정전척에서 베이스 플레이트를 보여주는 단면도이다.Also, FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the flow path base in the base plate of FIG. 3 , and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the base plate in the electrostatic chuck of FIG. 2 .

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 따른 정전척(520)은, 도 2와 같이, 반도체 제조 장비를 통해 반도체 제조 공정의 수행시 공정 챔버(550)의 내부에서 기판(W)을 지지하도록 기판(W) 아래에 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)을 구비하도록 구성된다. 1 to 5 , the electrostatic chuck 520 according to the present invention supports the substrate W inside the process chamber 550 when the semiconductor manufacturing process is performed using the semiconductor manufacturing equipment, as shown in FIG. 2 . It is configured to include a base plate 140 and a dielectric block 510 sequentially stacked under the substrate W to do so.

개략적으로 살펴볼 때, 상기 베이스 플레이트(140)는, 도 2 및 도 3 및 도 14를 고려해 볼 때, 유전체 블럭(510) 아래에 원기둥으로 위치되어 유전체 블럭(510)으로부터 노출되면서, 원기둥의 중앙 영역으로부터 원기둥의 외주면을 향해 냉각 유체 흐름 영역(A)을 가지며, 원기둥의 외주면 가까이에 외주면을 따라 공구 체결 영역(B)을 갖는다.When looking at schematically, the base plate 140 is positioned in a cylinder under the dielectric block 510 and exposed from the dielectric block 510 when considering FIGS. 2 and 3 and 14 , the central region of the cylinder. It has a cooling fluid flow area (A) from towards the outer circumferential surface of the cylinder, and a tool fastening area (B) along the outer circumferential surface near the outer circumferential surface of the cylinder.

상기 냉각 유체 흐름 영역(A)과 공구 체결 영역(B)은, 도 2와 같이, 베이스 플레이트(140)의 외주면 가까이에서 외주면을 따라 중첩한다. 또한, 상기 유전체 블럭(510)은, 도 2와 같이, 정전 전극(505)을 포함한다. 좀 더 상세하게 살펴볼 때, 상기 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)의 절단면을 볼 때, 상기 냉각 유체 흐름 영역(A)의 길이는, 도 2와 같이, 상기 유전체 블럭(510)의 길이보다 더 길다.The cooling fluid flow area (A) and the tool fastening area (B) overlap along the outer circumferential surface near the outer circumferential surface of the base plate 140 as shown in FIG. 2 . In addition, as shown in FIG. 2 , the dielectric block 510 includes an electrostatic electrode 505 . When looking in more detail, when looking at the cut surface of the base plate 140, the dielectric block 510, and the substrate W, the length of the cooling fluid flow region A is, as shown in FIG. 2, the dielectric block longer than the length of (510).

상기 베이스 플레이트(140)는, 도 4와 같이, 유전체 블럭(510)으로부터 이격하는 하부측에서 냉각 유체 흐름 영역(A)에 제1 냉각 유로 구조물(70)과, 유전체 블럭(510)과 접촉하는 상부측에서 냉각 유체 흐름 영역(A)에 제2 냉각 유로 구조물(100)을 가지는 유로 베이스(110)를 포함한다. 제1 및 제2 냉각 유로 구조물(70, 100)은, 도 3 및 도 4를 고려해볼 때, 나선 형으로 이루어지고, 유로 베이스(110)의 하면과 상면을 각각 개구한다.As shown in FIG. 4 , the base plate 140 has a first cooling flow path structure 70 in the cooling fluid flow region A on the lower side spaced apart from the dielectric block 510 and in contact with the dielectric block 510 . The flow path base 110 having the second cooling flow path structure 100 in the cooling fluid flow region A from the upper side is included. When considering FIGS. 3 and 4 , the first and second cooling flow path structures 70 and 100 have a spiral shape, and open the lower and upper surfaces of the flow path base 110 , respectively.

제1 및 제2 냉각 유로 구조물(70, 100)은, 도 4와 같이, 유로 베이스(110)에서 서로로부터 분리되어 서로로부터 고립된다. 상기 제2 냉각 유로 구조물(100)은, 도 3 및 도 4를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)에서 제1 냉각 유로 구조물(70)보다 더 큰 점유 면적을 가지고, 유로 베이스(110)에서 제1 냉각 유로 구조물(70) 대비 상대적으로 큰 밀도의 나선 형으로 권취된다.The first and second cooling passage structures 70 and 100 are separated from each other in the passage base 110 to be isolated from each other, as shown in FIG. 4 . The second cooling passage structure 100 has a larger occupied area than the first cooling passage structure 70 in the passage base 110 when considering FIGS. 3 and 4 , and the second cooling passage structure 100 in the passage base 110 . 1 It is wound in a spiral shape having a relatively high density compared to the cooling passage structure 70 .

상기 제1 냉각 유로 구조물은, 도 4와 같이, 순차적으로 적층되는 제1 커버 수용부(66)와 제1 냉각 유로(69)로 이루어진다. 상기 제1 커버 수용부(66)는, 도 4와 같이, 제1 냉각 유로(69)보다 더 큰 크기로 형성되면서 제1 커버 수용부(66)와 제1 냉각 유로(69) 사이에 걸림 턱(63)을 갖는다. 상기 제1 냉각 유로(69)는, 냉각 가스, 예를 들면, 헬륨(He) 가스를 흐르게 한다.The first cooling passage structure includes, as shown in FIG. 4 , a first cover receiving part 66 and a first cooling passage 69 that are sequentially stacked. The first cover accommodating part 66, as shown in FIG. 4, is formed to have a larger size than the first cooling passage 69, and is a locking protrusion between the first cover receiving part 66 and the first cooling passage 69. (63). The first cooling passage 69 flows a cooling gas, for example, a helium (He) gas.

여기서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)은, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부(66), 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부(66) 상에 제1 절단된 냉각 유로(69)를 가지고, 유로 베이스(110)의 단면에서 유전체 블럭(510)보다 더 큰 점유 면적을 가지며 유전체 블럭(110) 아래에서 유전체 블럭(510)의 점유 면적(C)으로부터 벗어나는 최외각 제1 절단된 커버 수용부(66)를 갖는다.Here, as shown in FIG. 4 , when the cut surface of the base plate 140 , the dielectric block 510 and the substrate W is viewed, the first cooling passage structure 70 is the Having a plurality of first cut cover receptacles 66 in cross section, and a first cut cooling flow path 69 on the respective first cut cover receptacles 66 , the dielectric in the cross section of the flow path base 110 . It has a larger occupied area than the block 510 and has an outermost first cut cover receptacle 66 that deviates from the occupied area C of the dielectric block 510 under the dielectric block 110 .

상기 제2 냉각 유로 구조물(100)은, 도 4와 같이, 순차적으로 적층되는 제2 냉각 유로(96)와 제2 커버 수용부(99)로 이루어진다. 상기 제2 커버 수용부(99)는, 도 4와 같이, 제2 냉각 유로(96)보다 더 큰 크기로 형성되면서 제2 냉각 유로(96)와 제2 커버 수용부(99) 사이에 걸림 턱(93)을 갖는다. 상기 제2 냉각 유로(96)는, 냉각 액체, 예를 들면, 냉각수 또는 냉각유를 흐르게 한다.The second cooling passage structure 100 includes a second cooling passage 96 and a second cover receiving part 99 that are sequentially stacked, as shown in FIG. 4 . The second cover accommodating part 99, as shown in FIG. 4, is formed to have a larger size than the second cooling flow path 96, and is a hook between the second cooling flow path 96 and the second cover receiving part 99. (93). The second cooling passage 96 allows a cooling liquid, for example, cooling water or cooling oil to flow.

여기서, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)의 절단면을 볼 때, 상기 제2 냉각 유로 구조물(100)은, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로(96), 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로(96) 상에 제2 절단된 커버 수용부(99)를 가지고, 유로 베이스(110)의 단면에서 유전체 블럭(510)보다 더 큰 점유 면적을 가지며 유전체 블럭(510)으로부터 최외각 제2 절단된 커버 수용부(99)를 노출시킨다.Here, as shown in FIGS. 2 and 4 , when the cut surface of the base plate 140 , the dielectric block 510 and the substrate W is viewed, the second cooling passage structure 100 is a passage base ( A cross section of the flow path base 110 having a plurality of second cut cooling passages 96 in the cross section of 110 , and a second cut cover receiving portion 99 on the respective second cut cooling passage 96 . has a larger occupied area than the dielectric block 510 and exposes the second outermost cover receiving portion 99 cut from the dielectric block 510 .

상기 베이스 플레이트(140)는, 도 2 내지 도 4 및 도 14를 고려해 볼 때, 유전체 블럭(510) 주변에서 유로 베이스(110)의 공구 체결 영역(B)에 복수의 가스 도입구(80(IN))와 복수의 가스 배출구(80(OUT))와 복수의 포커스링 체결공(도 14의 105)을 갖는다. 상기 복수의 포커스링 체결공(105)은, 도 4 및 도 14를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)에서 복수의 가스 도입구(80(IN))와 복수의 가스 배출구(80(OUT)) 대비 유로 베이스(110)의 외주면에 상대적으로 가까이 위치된다. The base plate 140 includes a plurality of gas inlets 80 (IN) in the tool fastening area B of the flow path base 110 around the dielectric block 510 in consideration of FIGS. 2 to 4 and 14 . )), a plurality of gas outlets 80 ( OUT ), and a plurality of focus ring fastening holes ( 105 in FIG. 14 ). The plurality of focus ring fastening holes 105 may include a plurality of gas inlets 80 (IN) and a plurality of gas outlets 80 (OUT) in the flow path base 110 in consideration of FIGS. 4 and 14 . It is located relatively close to the outer circumferential surface of the contrast flow path base 110 .

상기 복수의 가스 도입구(80(IN))와 복수의 가스 배출구(80(OUT))와 복수의 포커스링 체결공(105)은, 도 4 및 도 14를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)의 상면을 개구한다. 상기 복수의 가스 도입구(80(IN))와 복수의 가스 배출구(80(OUT))는, 도 4 및 도 14를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)의 중심으로터 동일한 지름의 제1 가상원을 따라 반복적으로 위치된다. 상기 복수의 포커스링 체결공(105)은, 도 4 및 도 14를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)의 중심으로터 동일한 지름의 제2 가상원을 따라 반복적으로 위치된다.The plurality of gas inlets 80 (IN), the plurality of gas outlets 80 (OUT), and the plurality of focus ring fastening holes 105 are provided in the flow path base 110 in consideration of FIGS. 4 and 14 . open the upper surface of The plurality of gas inlets 80 (IN) and the plurality of gas outlets 80 (OUT) have the same diameter from the center of the flow path base 110 when considering FIGS. 4 and 14 , a first virtual It is positioned repeatedly along a circle. 4 and 14 , the plurality of focus ring fastening holes 105 are repeatedly positioned along a second virtual circle having the same diameter from the center of the flow path base 110 .

여기서, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)이, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부(66), 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부(66) 상에 제1 절단된 냉각 유로(69)를 가지며, 상기 제2 냉각 유로 구조물(100)이, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로(96), 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로(96) 상에 제2 절단된 커버 수용부(99)를 가지면서, 개별 가스 도입구(80(IN)) 또는 개별 가스 배출구(80(OUT))는, 유로 베이스(110)의 단면에서, 단면의 일측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로(96) 사이에 또는 단면의 타측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로(96) 사이에 위치되어 제1 절단된 냉각 유로(69)와 연통한다.Here, as shown in FIGS. 2 and 4 , when the cut surface of the base plate 140 , the dielectric block 510 and the substrate W is viewed, the first cooling channel structure 70 is the channel base ( A plurality of first cut cover receiving portions 66 in a cross section of 110, and a first cut cooling flow path 69 on each first cut cover receiving portion 66, the second cooling flow path structure 100 has a plurality of second cut cooling passages 96 in the cross section of the flow passage base 110 , and a second cut cover receiving portion 99 on the respective second cut cooling passage 96 . While, the individual gas inlet 80 (IN) or the individual gas outlet 80 (OUT) is, in the cross section of the flow path base 110 , the outermost two second cut cooling passages located on one side of the cross section It is located between 96 or between the outermost two second cut cooling passages 96 located on the other side of the cross section and communicates with the first cut cooling passage 69 .

도 2 및 도 4 및 도 5를 고려해 볼 때, 상기 베이스 플레이트(110)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)의 절단면을 볼 때, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)이, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부(66), 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부(66) 상에 제1 절단된 냉각 유로(69)를 가지며, 상기 제2 냉각 유로 구조물(100)이, 유로 베이스(110)의 단면에서 복수의 제2 절단된 커버 수용부(99), 그리고 개별 제2 절단된 커버 수용부(99) 아래에 제2 절단된 냉각 유로(96)를 가지면서, 상기 베이스 플레이트(140)는, 유로 베이스(110)의 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부(66)에 삽입되는 제1 커버(120)와, 유로 베이스(110)의 단면에서 개별 제2 절단된 커버 수용부(99)에 삽입되는 제2 커버(130)를 더 포함한다.2, 4 and 5, when looking at the cut surface of the base plate 110, the dielectric block 510, and the substrate W, the first cooling flow path structure 70 is the flow path base ( A plurality of first cut cover receiving portions 66 in a cross section of 110, and a first cut cooling flow path 69 on each first cut cover receiving portion 66, the second cooling flow path structure (100), a plurality of second cut cover accommodating portion 99 in the cross section of the flow path base 110, and the second cut cooling passage 96 under the respective second cut cover receiving portion 99 While having the base plate 140 , the first cover 120 inserted into the first cut cover receiving part 66 in the cross section of the flow path base 110 and the first cover 120 are individually in the cross section of the flow path base 110 . It further includes a second cover 130 inserted into the second cut cover receiving portion (99).

제1 및 제2 냉각 유로 구조물(70, 100)은, 도 4 및 도 5와 같이, 유로 베이스(110)에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치된다. 제1 커버(120) 또는 제2 커버(130)는, 도 3 내지 도 5를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(70 또는 100)과 동일한 형상을 가지고, 유로 베이스(110)의 단면에서 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(66, 99)를 따라 유로 베이스(110)의 중심으로부터 유로베이스(110)의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성된다.The first and second cooling flow path structures 70 and 100 are respectively positioned at the same level in the flow path base 110 as shown in FIGS. 4 and 5 . The first cover 120 or the second cover 130 has the same shape as the first or second cooling flow path structure 70 or 100 in the flow path base 110 when considering FIGS. 3 to 5, In the cross section of the flow path base 110, along the individual first or second cut cover receiving portions 66 and 99, from the center of the flow path base 110 toward the outer circumferential surface of the flow path base 110 in one line. is formed

도 6은 도 2의 베이스 플레이트에서 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제1 변형예를 보여주는 단면도이다.6 is a perspective view illustrating a modified example of the second cover in the base plate of FIG. 2 , and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a first modified example of the base plate of FIG. 5 .

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 변형예에 따른 베이스 플레이트(195)가, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)와 유사하지만, 상기 베이스 플레이트(195)에서 유로 베이스(190)와 제2 커버(180)는, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)에서 유로 베이스(140)와 제2 커버(130)와 다른 구조를 갖는다.6 and 7, the base plate 195 according to the first modification of the present invention is similar to the base plate 140 of FIGS. 1 to 5, but in the base plate 195, the flow path base ( The structure 190 and the second cover 180 are different from those of the flow path base 140 and the second cover 130 in the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 .

좀 더 상세하게는, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)은, 도 7과 같이, 유로 베이스(190)에서 동일한 레벨에 위치된다. 상기 제2 냉각 유로 구조물(160)은, 도 7과 같이, 유로 베이스(190)의 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로(152)와 최외각 제2 절단된 커버 수용부(154) 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로(156)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(158)를 상대적으로 높은 레벨에 갖는다.In more detail, the first cooling flow path structure 70 is positioned at the same level in the flow path base 190 as shown in FIG. 7 . As shown in FIG. 7 , the second cooling channel structure 160 has the second outermost cut cooling channel 152 and the second outermost cut cover receiving part 154 in the cross section of the channel base 190 compared to the rest. The second cut cooling passage 156 and the remaining second cut cover receiving portion 158 have a relatively high level.

상기 제1 커버(120)는, 도 3 및 도 7을 고려하면, 유로 베이스(190)의 단면에서 개별 절단된 제1 커버 수용부(66)를 따라 유로 베이스(190)의 중심으로부터 유로베이스(190)의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성된다. 상기 제2 커버(180)는, 도 6 및 도 7을 고려하면, 유로 베이스(110)의 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(154)를 덮는 제2 외측 커버(174)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(158)를 덮는 제2 내측 커버(178)로 분리되어 이루어진다.The first cover 120 is, in consideration of FIGS. 3 and 7 , the flow path base ( 190) is formed in one line toward the outer peripheral surface. The second cover 180, considering FIGS. 6 and 7, includes a second outer cover 174 covering the second outermost cut cover receiving part 154 in the cross-section of the flow path base 110, and the remaining second cover. 2 It is made by being separated by a second inner cover 178 that covers the cut cover receiving portion 158 .

도 6은 도 2의 베이스 플레이트에서 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 사시도이고, 도 8은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제2 변형예를 보여주는 단면도이다.6 is a perspective view illustrating a modified example of the second cover in the base plate of FIG. 2 , and FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a second modified example of the base plate of FIG. 5 .

도 6 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 변형예에 따른 베이스 플레이트(225)가, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)와 유사하지만, 상기 베이스 플레이트(225)에서 유로 베이스(220)와 제2 커버(180)는, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)에서 유로 베이스(140)와 제2 커버(130)와 다른 구조를 갖는다.6 and 8 , a base plate 225 according to a second modified example of the present invention is similar to the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 , but in the base plate 225 , the flow path base ( 220 and the second cover 180 have different structures from the flow path base 140 and the second cover 130 in the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 .

좀 더 상세하게는, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)은, 도 8과 같이, 유로 베이스(220)에서 동일한 레벨에 위치된다. 상기 제2 냉각 유로 구조물(210)은, 도 8과 같이, 유로 베이스(220)의 단면에서 제2 냉각 유로 구조물(210)의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로(202)의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로(206)의 높이를 상대적으로 크게 가지고, 유로 베이스(220)의 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(204) 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부(208)를 상대적으로 높은 레벨에 갖는다.In more detail, the first cooling flow path structure 70 is positioned at the same level in the flow path base 220 as shown in FIG. 8 . The second cooling passage structure 210 is, as shown in FIG. 8 , the outermost second cut of the cooling passage 202 with respect to the bottom of the second cooling passage structure 210 in the cross section of the passage base 220 . Having a relatively large height of the remaining second cut cooling flow path 206 compared to the height, the second cut cover receiving part ( 208) at a relatively high level.

상기 제1 커버(120)는, 도 3 및 도 8을 고려해 볼 때, 유로 베이스(220)의 단면에서 개별 절단된 제1 커버 수용부(66)를 따라 유로 베이스(220)의 중심으로부터 유로베이스(220)의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성된다. 상기 제2 커버(180)는, 도 6 및 도 8과 같이, 유로 베이스(220)의 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(204)를 덮는 제2 외측 커버(174)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(208)를 덮는 제2 내측 커버(178)로 분리되어 이루어진다.When considering FIGS. 3 and 8 , the first cover 120 is a flow path base from the center of the flow path base 220 along the first cover receiving portion 66 that is individually cut in the cross section of the flow path base 220 . It is formed in one line toward the outer peripheral surface of 220 . The second cover 180 is, as shown in FIGS. 6 and 8 , a second outer cover 174 covering the second outermost cut cover receiving part 204 in the cross-section of the flow path base 220 and the remaining second A second inner cover 178 that covers the cut cover receiving portion 208 is separated.

도 6은 도 2의 베이스 플레이트에서 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 사시도이고, 도 9는 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제3 변형예를 보여주는 단면도이다.6 is a perspective view illustrating a modified example of the second cover in the base plate of FIG. 2 , and FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a third modified example of the base plate of FIG. 5 .

도 6 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 변형예에 따른 베이스 플레이트(255)가, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)와 유사하지만, 상기 베이스 플레이트(255)에서 유로 베이스(250)와 제2 커버(180)는, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)에서 유로 베이스(140)와 제2 커버(130)와 다른 구조를 갖는다.6 and 9, a base plate 255 according to a third modified example of the present invention is similar to the base plate 140 of FIGS. 1 to 5, but in the base plate 255, the flow path base ( 250 and the second cover 180 have different structures from the flow path base 140 and the second cover 130 in the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 .

좀 더 상세하게는, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)은, 도 9와 같이, 유로 베이스(250)에서 동일한 레벨에 위치된다. 상기 제2 냉각 유로 구조물(240)은, 도 9와 같이,유로 베이스(250)의 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로(232)와 최외각 제2 절단된 커버 수용부(234) 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로(236)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(238)를 상대적으로 낮은 레벨에 갖는다.In more detail, the first cooling flow path structure 70 is positioned at the same level in the flow path base 250 as shown in FIG. 9 . The second cooling passage structure 240 is, as shown in FIG. 9 , the second outermost cut cooling passage 232 and the second outermost cut cover receiving portion 234 in the cross section of the passage base 250 compared to the rest The second cut cooling passage 236 and the remaining second cut cover receiving portion 238 have a relatively low level.

상기 제1 커버(120)는, 도 3 및 도 9와 같이, 유로 베이스(250)의 단면에서 개별 절단된 제1 커버 수용부(66)를 따라 유로 베이스(250)의 중심으로부터 유로베이스(250)의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성된다. 상기 제2 커버(180)는, 도 6 및 도 9와 같이, 유로 베이스(250)에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(234)을 덮는 제2 외측 커버(174)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(238)를 덮는 제2 내측 커버(178)로 분리되어 이루어진다.The first cover 120 is, as shown in FIGS. 3 and 9 , the flow path base 250 from the center of the flow path base 250 along the first cover accommodating part 66 that is individually cut in the cross section of the flow path base 250 . ) is formed as one line toward the outer circumferential surface. The second cover 180 is, as shown in FIGS. 6 and 9 , a second outer cover 174 covering the second outermost cut cover receiving part 234 in the flow path base 250 and the remaining second cut A second inner cover 178 that covers the cover receiving portion 238 is separated.

도 6은 도 2의 베이스 플레이트에서 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 사시도이고, 도 10은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제4 변형예를 보여주는 단면도이다.6 is a perspective view illustrating a modified example of the second cover in the base plate of FIG. 2 , and FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a fourth modified example of the base plate of FIG. 5 .

도 6 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 변형예에 따른 베이스 플레이트(275)가, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)와 유사하지만, 상기 베이스 플레이트(275)에서 유로 베이스(270)와 제2 커버(180)는, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)에서 유로 베이스(140)와 제2 커버(130)와 다른 구조를 갖는다.6 and 10 , a base plate 275 according to a fourth modification of the present invention is similar to the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 , but in the base plate 275, the flow path base ( 270 and the second cover 180 have different structures from the flow path base 140 and the second cover 130 in the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 .

좀 더 상세하게는, 상기 제1 냉각 유로 구조물(70)은, 도 10과 같이, 유로 베이스(270)에서 동일한 레벨에 위치된다. 상기 제2 냉각 유로 구조물(260)은, 도 10과 같이, 유로 베이스(270)의 단면에서 제2 냉각 유로 구조물(260)의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로(252)의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로(256)의 높이를 상대적으로 작게 가지고, 유로 베이스(270)의 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(254) 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부(258)를 상대적으로 낮은 레벨에 갖는다.In more detail, the first cooling passage structure 70 is positioned at the same level in the passage base 270 as shown in FIG. 10 . As shown in FIG. 10 , the second cooling flow path structure 260 includes the second outermost cut cooling path 252 in the cross section of the flow path base 270 with respect to the bottom of the second cooling flow path structure 260 . Having a relatively small height of the remaining second cut cooling flow path 256 compared to the height, the second cut cover receiving portion ( 258) at a relatively low level.

상기 제1 커버(120)는, 도 3 및 도 10과 같이, 유로 베이스(270)의 단면에서 제1 냉각 유로 구조물(70)을 따라 유로 베이스(270)의 중심으로부터 유로베이스(270)의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성된다. 상기 제2 커버(180)는, 도 6 및 도 10과 같이, 유로 베이스(270)의 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부(254)를 덮는 제2 외측 커버(174)와 나머지 제2 절단된 커버 수용부(258)를 덮는 제2 내측 커버(178)로 분리되어 이루어진다.The first cover 120 is, as shown in FIGS. 3 and 10 , an outer circumferential surface of the flow path base 270 from the center of the flow path base 270 along the first cooling flow path structure 70 in the cross section of the flow path base 270 . is formed as a single line towards As shown in FIGS. 6 and 10 , the second cover 180 includes a second outer cover 174 that covers the second outermost cut cover receiving part 254 in the cross-section of the flow path base 270 and the remaining second A second inner cover 178 that covers the cut cover receiving portion 258 is separated.

도 11은 도 5의 베이스 플레이트에 대한 제5 변형예를 보여주는 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a fifth modified example of the base plate of FIG. 5 .

도 11을 참조하면, 본 발명의 제5 변형예에 따른 베이스 플레이트(325)가, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)와 유사하지만, 상기 베이스 플레이트(325)에서 유로 베이스(320)는, 도 1 내지 도 5의 베이스 플레이트(140)에서 유로 베이스(140)와 다른 구조를 갖는다.Referring to FIG. 11 , the base plate 325 according to the fifth modified example of the present invention is similar to the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 , but in the base plate 325 , the flow path base 320 is , has a structure different from that of the flow path base 140 in the base plate 140 of FIGS. 1 to 5 .

좀 더 상세하게는, 상기 유로 베이스(320)는, 제1 냉각 유로 구조물(70), 그리고 제1 냉각 유로 구조물(70) 사이에 복수의 요부(凹部; 285)를 포함하는 제1 유로 베이스(290), 및 제1 유로 베이스(310) 상에서, 제2 냉각 유로 구조물(100), 그리고 제2 냉각 구조물(100) 아래에 복수의 철부(凸部; 305)를 포함하는 제2 유로 베이스(310)로 이루어진다. 상기 제2 유로 베이스(310)의 개별 철부(305)는, 흐름선(F)를 따라 제1 유로 베이스(290)의 개별 요부(285)에 끼워진다. In more detail, the flow path base 320 includes a first cooling flow path structure 70 and a first flow path base including a plurality of recesses 285 between the first cooling flow path structures 70 ( 290 , and a second flow passage base 310 including a second cooling passage structure 100 on the first passage base 310 , and a plurality of convex portions 305 below the second cooling structure 100 . ) is made of The individual convex portions 305 of the second flow path base 310 are fitted to the individual recessed portions 285 of the first flow path base 290 along the stream line F. As shown in FIG.

제1 및 제2 냉각 유로 구조물(70, 120)은, 유로 베이스(320)에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치된다. 제1 커버(120) 또는 제2 커버(130)는, 도 3 및 도 11을 고려해 볼 때, 유로 베이스(320)에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(70 또는 100)과 동일한 형상을 가지고, 유로 베이스(320)의 단면에서 개별 제1 또는 제2 커버 수용부(66 또는 99)를 따라 유로 베이스(320)의 중심으로부터 유로베이스(320)의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성된다.The first and second cooling passage structures 70 and 120 are respectively located at the same level in the passage base 320 . The first cover 120 or the second cover 130 has the same shape as the first or second cooling flow path structure 70 or 100 in the flow path base 320 when considering FIGS. 3 and 11 , A single line is formed from the center of the flow path base 320 toward the outer peripheral surface of the flow path base 320 along the individual first or second cover receiving portions 66 or 99 in the cross section of the flow path base 320 . .

도 12는 도 5의 베이스 플레이트에서 유로 베이스에 제1 커버 또는 제2 커버의 마찰 교반 용접시 용접 깊이를 보여주는 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a welding depth during friction stir welding of the first cover or the second cover to the flow path base in the base plate of FIG. 5 .

도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 베이스 플레이트(110)에서, 상기 제1 커버(120)와 제2 커버(130)는, 유로 베이스(110)의 단면에서 볼 때, 개별 제1 절단된 커버 수용부(66)와 개별 제2 절단된 커버 수용부(99)의 가장자리를 따라 마찰 교반 용접(334 또는 338)을 통해 유로 베이스(110)와 동일한 용접 깊이(T1 또는 T2)를 갖는다. 여기서, 도 12(b)의 용접 깊이(T1)는, 도 12(c)의 용접 깊이(T2)보다 더 작다.Referring to FIG. 12 , in the base plate 110 according to the present invention, the first cover 120 and the second cover 130, when viewed from the cross-section of the flow path base 110 , the first cut cover It has the same welding depth T1 or T2 as the flow path base 110 through friction stir welding 334 or 338 along the edges of the receptacle 66 and the respective second cut cover receptacle 99 . Here, the welding depth T1 of FIG. 12(b) is smaller than the welding depth T2 of FIG. 12(c).

이와는 다르게, 상기 제1 커버(120)와 제2 커버(130)는, 유로 베이스(110)의 단면에서 볼 때, 냉각 유체 흐름 영역(도 2의 A)의 중앙 영역과 가장자리 영역에서, 개별 제1 절단된 커버 수용부(66)와 개별 제2 절단된 커버 수용부(99)의 가장자리를 따라 마찰 교반 용접(334, 338)을 통해 유로 베이스(110)와 서로 다른 용접 깊이(T1, T2)를 가질 수 있다.Unlike this, the first cover 120 and the second cover 130, when viewed from the cross-section of the flow path base 110, in the central region and the edge region of the cooling fluid flow region (FIG. 2A), 1 and the different welding depths (T1, T2) with the flow path base 110 through friction stir welding (334, 338) along the edges of the first cut cover receiving portion 66 and the second cut off cover receiving portion 99 can have

한편, 이와는 다르게, 상기 제1 커버(120)와 제2 커버(130)는, 유로 베이스(110)의 단면에서 볼 때, 제1 커버(120)와 제2 커버(130)에서 커버 별로 개별 제1 절단된 커버 수용부(66)와 개별 제2 절단된 커버 수용부(99)의 가장자리를 따라 마찰 교반 용접(334, 338)을 통해 유로 베이스(110)와 서로 다른 용접 깊이(T1, T2)를 가질 수도 있다.On the other hand, differently from this, the first cover 120 and the second cover 130 are individually manufactured for each cover in the first cover 120 and the second cover 130 when viewed from the cross-section of the flow path base 110 . 1 and the different welding depths (T1, T2) with the flow path base 110 through friction stir welding (334, 338) along the edges of the first cut cover receiving portion 66 and the second cut off cover receiving portion 99 may have

도 5는 도 2의 정전척에서 베이스 플레이트를 보여주는 단면도이고, 도 13은 도 5의 베이스 플레이트에서 유로 베이스와 제1 커버와 제2 커버에 대한 변형예를 보여주는 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a base plate of the electrostatic chuck of FIG. 2 , and FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating modifications of the flow path base, the first cover, and the second cover in the base plate of FIG. 5 .

도 5 및 도 13을 참조하면, 도 5의 유로 베이스(110)가 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(70 또는 100)에서 개별 제1 또는 제2 절단된 냉각 유로(69 또는 96) 그리고 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(66 또는 99)를 가지는 때, 제1 또는 제2 커버(120 또는 130)는, 유로 베이스(110)의 단면에서 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(66 또는 99)의 수직 내측벽과 접촉한다. 5 and 13 , the flow path base 110 of FIG. 5 includes the first or second cut cooling flow paths 69 or 96 in the first or second cooling flow path structures 70 or 100 and the individual products When having the first or second cut-off cover receptacle 66 or 99 , the first or second cover 120 or 130 has a respective first or second cut-off cover receptacle in the cross-section of the flow path base 110 . (66 or 99) is in contact with the vertical inner wall.

이와는 다르게, 도 13(a)의 유로 베이스(370)가 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(350)에서 개별 제1 또는 제2 절단된 냉각 유로(346) 그리고 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(349)를 가지는 때, 제1 또는 제2 커버(360)는, 유로 베이스(370)의 단면에서 개별 제1 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부(349)의 경사진 내측벽과 접촉할 수 있다.Alternatively, the flow path base 370 of FIG. 13 (a) is a first or second cut cooling flow path 346 and an individual first or second cut off cover in the first or second cooling flow path structure 350 . When having the receptacle 349 , the first or second cover 360 contacts the inclined inner wall of the respective first or second cut cover receptacle 349 in the cross section of the flow path base 370 . can do.

이와는 다르게, 도 13(b)의 유로 베이스(410)가 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(390)에서 개별 제1 또는 제2 절단된 냉각 유로(386) 그리고 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(389)를 가지는 때, 제1 또는 제2 커버(400)는, 유로 베이스(410)의 단면에서 개별 제1 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부(389)의 경사진후 수직을 이루는 측벽과 접촉할 수도 있다.Alternatively, the flow path base 410 of FIG. 13(b) is a first or second cut cooling flow path 386 and an individual first or second cut cover in the first or second cooling flow path structure 390 . When having the accommodating portion 389 , the first or second cover 400 has a vertical sidewall after the inclination of the respective first or second cut cover accommodating portion 389 in the cross section of the flow path base 410 . may come into contact with

이와는 다르게, 도 13(c)의 유로 베이스(450)가 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(430)에서 개별 제1 또는 제2 절단된 냉각 유로(426) 그리고 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(429)를 가지는 때, 제1 또는 제2 커버(440)는, 유로 베이스(450)의 단면에서 개별 제1 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부(429)의 경사진후 수직을 이루는 일 측벽과 경사진 타측벽과 접촉할 수도 있다.Alternatively, the flow path base 450 of FIG. 13(c) is a first or second cut cooling flow path 426 and an individual first or second cut cover in the first or second cooling flow path structure 430 . When the accommodating portion 429 is provided, the first or second cover 440 is formed perpendicular to the first or second cut cover accommodating portion 429 in the cross section of the flow path base 450 after being inclined. It may come into contact with the side wall and the other inclined side wall.

이와는 다르게, 도 13(d)의 유로 베이스(490)가 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물(470)에서 개별 제1 또는 제2 절단된 냉각 유로(466) 그리고 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부(469)를 가지는 때, 제1 또는 제2 커버(480)는, 유로 베이스(490)의 단면에서 'T' 자형의 개별 제1 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부(469)를 채울 수도 있다.Alternatively, the flow path base 490 of FIG. 13(d) is a first or second cut cooling flow path 466 and an individual first or second cut cover in the first or second cooling flow path structure 470 . When having the receptacle 469 , the first or second cover 480 fills the respective first or second cut cover receptacle 469 of a 'T' shape in the cross section of the flow path base 490 . may be

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 공정 챔버에서 기판 아래에 정전척을 보여주는 개략도이고, 도 14는 도 2의 공정 챔버에서 기판과 정전척의 위치 관계를 보여주는 사시도이다.2 is a schematic diagram illustrating an electrostatic chuck under a substrate in a process chamber of a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a perspective view illustrating a positional relationship between the substrate and the electrostatic chuck in the process chamber of FIG. 2 .

도 2 및 도 14를 참조하면, 상기 공정 챔버(550)는, 반도체 제조 공정을 수행하기 위해, 정전척(520)에서 순차적으로 적층되는 베이스 플레이트(140)와 유전체 블럭(510)과 기판(W)을 갖는다. 여기서, 상기 유전체 블럭(510)은, 도 2와 같이, 클램프(clamp) 전극(505)를 포함하고, 클램프 전극(505)을 직류 전원(DC power supply)에 전기적으로 접속시킬 수 있다. 또한, 상기 베이스 플레이트(140)는, 도 2 및 도 14를 고려해 볼 때, 유로 베이스(110)를 고주파 전원(RF power supply)에 전기적으로 접속시킨다.2 and 14 , in the process chamber 550 , the base plate 140 , the dielectric block 510 , and the substrate W are sequentially stacked in the electrostatic chuck 520 to perform a semiconductor manufacturing process. ) has Here, the dielectric block 510 may include a clamp electrode 505 as shown in FIG. 2 , and may electrically connect the clamp electrode 505 to a DC power supply. In addition, the base plate 140 electrically connects the flow path base 110 to a RF power supply when considering FIGS. 2 and 14 .

140; 베이스 플레이트, 505; 정전 전극
510; 유전체 블럭, 520; 정전척,
530; 직류 전원, 540; 고주파 전원
550; 공정 챔버, A; 냉각 유체 흐름 영역
B; 공구 체결 영역, C; 유전체 블럭의 점유 영역
W; 기판140; base plate, 505; electrostatic electrode
510; dielectric block 520; electrostatic chuck,
530; DC power, 540; high frequency power
550; process chamber, A; Cooling fluid flow area
B; tool fastening area, C; Occupied area of dielectric block
W; Board

Claims (21)

반도체 제조 장비를 통해 반도체 제조 공정의 수행시 공정 챔버의 내부에서 기판을 지지하도록 상기 기판 아래에 유전체 블럭을 구비하는 정전척에 있어서,
상기 유전체 블럭 아래에 원기둥으로 위치되어 상기 유전체 블럭으로부터 노출되면서, 상기 원기둥의 중앙 영역으로부터 상기 원기둥의 외주면을 향해 냉각 유체 흐름 영역을 가지며, 상기 원기둥의 상기 외주면 가까이에 상기 외주면을 따라 공구 체결 영역을 가지는 베이스 플레이트를 포함하고,
상기 냉각 유체 흐름 영역과 상기 공구 체결 영역은,
상기 베이스 플레이트의 외주면 가까이에서 상기 베이스 플레이트의 외주면을 따라 중첩하는, 정전척.
An electrostatic chuck comprising:
It is cylindrically located under the dielectric block and exposed from the dielectric block, and has a cooling fluid flow area from the central region of the cylinder toward the outer circumferential surface of the cylinder, and a tool fastening area along the outer circumferential surface near the outer circumferential surface of the cylinder The branch comprises a base plate,
the cooling fluid flow area and the tool fastening area,
An electrostatic chuck that overlaps along the outer circumferential surface of the base plate near the outer circumferential surface of the base plate.
 제1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때,
상기 냉각 유체 흐름 영역의 길이는,
상기 유전체 블럭의 길이보다 더 긴, 정전척.
According to claim 1,
When looking at the cut surface of the base plate, the dielectric block, and the substrate,
The length of the cooling fluid flow region is
longer than the length of the dielectric block.
 제1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는,
상기 유전체 블럭으로부터 이격하는 하부측에서 상기 냉각 유체 흐름 영역에 제1 냉각 유로 구조물과, 상기 유전체 블럭과 접촉하는 상부측에서 상기 냉각 유체 흐름 영역에 제2 냉각 유로 구조물을 가지는 유로 베이스를 포함하고,
제1 및 제2 냉각 유로 구조물은,
나선 형으로 이루어지고,
상기 유로 베이스의 하면과 상면을 각각 개구하는, 정전척.
According to claim 1,
The base plate is
a flow path base having a first cooling flow path structure in the cooling fluid flow area at a lower side spaced apart from the dielectric block, and a second cooling flow path structure in the cooling fluid flow area at an upper side in contact with the dielectric block;
The first and second cooling passage structures include:
made in a spiral,
An electrostatic chuck opening each of a lower surface and an upper surface of the flow path base.
 제3 항에 있어서,
제1 및 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 서로로부터 분리되어 서로로부터 고립되고,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 상기 제1 냉각 유로 구조물보다 더 큰 점유 면적을 가지고,
상기 유로 베이스에서 상기 제1 냉각 유로 구조물 대비 상대적으로 큰 밀도의 나선 형으로 권취되는, 정전척.
4. The method of claim 3,
The first and second cooling passage structures include:
separated from each other in the flow path base and isolated from each other,
The second cooling flow path structure,
has a larger occupied area than the first cooling flow path structure in the flow path base;
The electrostatic chuck is wound in a spiral shape having a relatively greater density than that of the first cooling passage structure in the passage base.
 제3 항에 있어서,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
순차적으로 적층되는 제1 커버 수용부와 제1 냉각 유로로 이루어지고,
상기 제1 커버 수용부는,
상기 제1 냉각 유로보다 더 큰 크기로 형성되면서 상기 제1 커버 수용부와 상기 제1 냉각 유로 사이에 걸림 턱을 가지고,
상기 제1 냉각 유로는,
냉각 가스를 흐르게 하는, 정전척.
4. The method of claim 3,
The first cooling flow path structure,
Consists of a first cover receiving portion and a first cooling passage that are sequentially stacked,
The first cover receiving portion,
It is formed in a size larger than that of the first cooling passage and has a hooking protrusion between the first cover receiving part and the first cooling passage,
The first cooling passage,
An electrostatic chuck that flows a cooling gas.
 제3 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 유전체 블럭보다 더 큰 점유 면적을 가지며 상기 유전체 블럭 아래에서 상기 유전체 블럭의 점유 면적으로부터 벗어나는 최외각 제1 절단된 커버 수용부를 가지는, 정전척.
4. The method of claim 3,
When looking at the cut surface of the base plate, the dielectric block, and the substrate,
The first cooling flow path structure,
Having a plurality of first cut cover accommodating parts in the cross section of the flow path base, and a first cut cooling flow path on the respective first cut cover accommodating parts,
An electrostatic chuck having an outermost first cut cover receiving portion that has a larger area than that of the dielectric block in the cross-section of the flow path base and that deviates from an area of the dielectric block under the dielectric block.
 제3 항에 있어서,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
순차적으로 적층되는 제2 냉각 유로와 제2 커버 수용부로 이루어지고,
상기 제2 커버 수용부는,
상기 제2 냉각 유로보다 더 큰 크기로 형성되면서 상기 제2 냉각 유로와 상기 제2 커버 수용부 사이에 걸림 턱을 가지고,
상기 제2 냉각 유로는,
냉각 액체를 흐르게 하는, 정전척.
4. The method of claim 3,
The second cooling flow path structure,
Consists of a second cooling flow path and a second cover receiving part that are sequentially stacked,
The second cover receiving portion,
It is formed in a size larger than that of the second cooling passage and has a hooking protrusion between the second cooling passage and the second cover receiving part,
The second cooling passage,
An electrostatic chuck that flows a cooling liquid.
 제3 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로, 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로 상에 제2 절단된 커버 수용부를 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 유전체 블럭보다 더 큰 점유 면적을 가지며 상기 유전체 블럭으로부터 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 노출시키는, 정전척.
4. The method of claim 3,
When looking at the cut surface of the base plate, the dielectric block, and the substrate,
The second cooling flow path structure,
A plurality of second cut cooling passages in the cross section of the flow passage base, and a second cut cover receiving portion on the respective second cut cooling passages,
An electrostatic chuck having a larger occupied area than the dielectric block in the cross section of the flow path base and exposing a second outermost cover receiving portion cut from the dielectric block.
 제3 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는,
상기 유전체 블럭 주변에서 상기 유로 베이스의 상기 공구 체결 영역에 복수의 가스 도입구와 복수의 가스 배출구와 복수의 포커스링 체결공을 가지고,
상기 복수의 포커스링 체결공은,
상기 유로 베이스에서 상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구 대비 상기 유로 베이스의 외주면에 상대적으로 가까이 위치되고,
상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구와 상기 복수의 포커스링 체결공은 상기 유로 베이스의 상기 상면을 개구하는, 정전척.
4. The method of claim 3,
The base plate is
a plurality of gas inlets, a plurality of gas outlets, and a plurality of focus ring fastening holes in the tool fastening area of the flow path base around the dielectric block;
The plurality of focus ring fastening holes,
In the flow path base, the plurality of gas inlets and the plurality of gas outlets are located relatively close to the outer circumferential surface of the flow path base,
The plurality of gas inlets, the plurality of gas outlets, and the plurality of focus ring fastening holes open the upper surface of the flow path base.
 제9 항에 있어서,
상기 복수의 가스 도입구와 상기 복수의 가스 배출구는,
상기 유로 베이스의 중심으로터 동일한 지름의 제1 가상원을 따라 반복적으로 위치되고,
상기 복수의 포커스링 체결공은,
상기 유로 베이스의 상기 중심으로터 동일한 지름의 제2 가상원을 따라 반복적으로 위치되는, 정전척.
10. The method of claim 9,
The plurality of gas inlets and the plurality of gas outlets,
It is repeatedly positioned along a first imaginary circle of the same diameter from the center of the flow path base,
The plurality of focus ring fastening holes,
The electrostatic chuck is repeatedly positioned along a second imaginary circle of the same diameter from the center of the flow path base.
 제9 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때,
상기 제1 냉각 유로 구조물이,
상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지며,
상기 제2 냉각 유로 구조물이,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 복수의 제2 절단된 냉각 유로, 그리고 개별 제2 절단된 냉각 유로 상에 제2 절단된 커버 수용부를 가지면서,
개별 가스 도입구 또는 개별 가스 배출구는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서, 상기 단면의 일측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로 사이에 또는 상기 단면의 타측부에 위치되는 최외각 두 개의 제2 절단된 냉각 유로 사이에 위치되어 제1 절단된 냉각 유로와 연통하는, 정전척.
10. The method of claim 9,
When looking at the cut surface of the base plate, the dielectric block, and the substrate,
The first cooling flow path structure,
A plurality of first cut cover accommodating parts in the cross section of the flow path base, and a first cut cooling flow path on the respective first cut cover accommodating parts,
The second cooling passage structure,
While having a plurality of second cut cooling passages in the cross section of the flow passage base, and a second cut cover receiving portion on the respective second cut cooling passages,
Individual gas inlet or individual gas outlet,
In the cross-section of the flow path base, located between the two outermost second cut cooling passages positioned on one side of the cross-section or between the two outermost second cut cooling passages positioned on the other side of the cross-section an electrostatic chuck in communication with the first cut cooling passage.
 제3 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트와 상기 유전체 블럭과 상기 기판의 절단면을 볼 때,
상기 제1 냉각 유로 구조물이,
상기 유로 베이스의 단면에서 복수의 제1 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제1 절단된 커버 수용부 상에 제1 절단된 냉각 유로를 가지며,
상기 제2 냉각 유로 구조물이,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 복수의 제2 절단된 커버 수용부, 그리고 개별 제2 절단된 커버 수용부 아래에 제2 절단된 냉각 유로를 가지면서,
상기 베이스 플레이트는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부에 삽입되는 제1 커버와, 상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부에 삽입되는 제2 커버를 더 포함하는, 정전척.
4. The method of claim 3,
When looking at the cut surface of the base plate, the dielectric block, and the substrate,
The first cooling flow path structure,
A plurality of first cut cover accommodating parts in the cross section of the flow path base, and a first cut cooling flow path on the respective first cut cover accommodating parts,
The second cooling passage structure,
Having a plurality of second cut cover accommodating parts in the cross section of the flow path base, and a second cut cooling flow path under the respective second cut cover accommodating parts,
The base plate is
Further comprising a first cover inserted into the individual first cut-off cover accommodating portion in the cross-section of the flow path base, and a second cover inserted into the individual second cut cover receiving portion in the cross-section of the flow path base , electrostatic chuck.
 제12 항에 있어서,
제1 및 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치되고,
제1 커버 또는 제2 커버는,
상기 유로 베이스에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물과 동일한 형상을 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 또는 제2 절단된 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성되는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first and second cooling passage structures include:
are individually positioned at the same level in the flow path base,
The first cover or the second cover,
It has the same shape as the first or second cooling flow path structure in the flow path base,
The electrostatic chuck is formed in one line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the respective first or second cut cover receiving portions in the cross section of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로와 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 높은 레벨에 가지고,
상기 제1 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고,
상기 제2 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어지는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first cooling flow path structure,
Located at the same level in the flow path base,
The second cooling flow path structure,
In the cross-section of the flow path base, the second cut-out cooling flow path and the remaining second cut-off cover receiving part are at a relatively high level compared to the second cut off outermost cooling channel and the second cut off outermost cover receiving part,
The first cover,
It is formed in a single line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base,
The second cover,
The electrostatic chuck is formed by being separated into a second outer cover that covers the outermost second cut-off cover accommodation portion and a second inner cover that covers the remaining second cut-off cover accommodation portion in the cross-section of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제2 냉각 유로 구조물의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로의 높이를 상대적으로 크게 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 높은 레벨에 가지고,
상기 제1 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고,
상기 제2 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어지는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first cooling flow path structure,
Located at the same level in the flow path base,
The second cooling flow path structure,
In the cross section of the flow path base, the height of the remaining second cut cooling flow path is relatively large compared to the height of the outermost second cut cooling flow path with respect to the bottom of the second cooling flow path structure,
In the cross-section of the flow path base, the remaining second cut cover receiving part is at a relatively high level compared to the outermost second cut cover receiving part,
The first cover,
It is formed in a single line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base,
The second cover,
The electrostatic chuck is formed by being separated into a second outer cover that covers the outermost second cut-off cover accommodation portion and a second inner cover that covers the remaining second cut-off cover accommodation portion in the cross-section of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 냉각 유로와 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 낮은 레벨에 가지고,
상기 제1 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 개별 절단된 제1 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고,
상기 제2 커버는,
상기 유로 베이스에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부을 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어지는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first cooling flow path structure,
Located at the same level in the flow path base,
The second cooling flow path structure,
In the cross section of the flow path base, the second cut-out cooling flow path and the remaining second cut-off cover receiving part are at a relatively low level compared to the second cut-out outermost cooling channel and the second cut-out cover receiving part,
The first cover,
It is formed in a single line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the individually cut first cover receiving portion in the cross section of the flow path base,
The second cover,
The electrostatic chuck is formed by being separated into a second outer cover covering the second outermost cut cover receiving portion in the flow path base and a second inner cover covering the remaining second cut cover receiving portion.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 동일한 레벨에 위치되고,
상기 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제2 냉각 유로 구조물의 바닥을 기준으로 하여 최외각 제2 절단된 냉각 유로의 높이 대비 나머지 제2 절단된 냉각 유로의 높이를 상대적으로 작게 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 최외각 제2 절단된 커버 수용부 대비 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 상대적으로 낮은 레벨에 가지고,
상기 제1 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 제1 냉각 유로 구조물을 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인으로 형성되고,
상기 제2 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 상기 최외각 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 외측 커버와 나머지 제2 절단된 커버 수용부를 덮는 제2 내측 커버로 분리되어 이루어지는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first cooling flow path structure,
Located at the same level in the flow path base,
The second cooling flow path structure,
In the cross section of the flow path base, the height of the remaining second cut cooling flow path is relatively small compared to the height of the outermost second cut cooling flow path with respect to the bottom of the second cooling flow path structure,
In the cross section of the flow path base, the remaining second cut cover accommodating part is at a relatively low level compared to the outermost second cut cover accommodating part,
The first cover,
A single line is formed from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the first cooling flow path structure in the cross section of the flow path base,
The second cover,
The electrostatic chuck is formed by being separated into a second outer cover that covers the outermost second cut-off cover accommodation portion and a second inner cover that covers the remaining second cut-off cover accommodation portion in the cross-section of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
상기 유로 베이스는,
상기 제1 냉각 유로 구조물, 그리고 상기 제1 냉각 유로 구조물 사이에 복수의 요부(凹部)를 포함하는 제1 유로 베이스, 및
상기 제1 유로 베이스 상에서, 상기 제2 냉각 유로 구조물, 그리고 상기 제2 냉각 구조물 아래에 복수의 철부(凸部)를 포함하는 제2 유로 베이스로 이루어지고,
상기 제2 유로 베이스의 개별 철부는,
상기 제1 유로 베이스의 개별 요부에 끼워지고,
제1 및 제2 냉각 유로 구조물은,
상기 유로 베이스에서 개별적으로 동일한 레벨에 위치되고,
제1 커버 또는 제2 커버는,
상기 유로 베이스에서 제1 또는 제2 냉각 유로 구조물과 동일한 형상을 가지고,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 또는 제2 커버 수용부를 따라 상기 유로 베이스의 중심으로부터 상기 유로베이스의 외주면을 향해 하나의 라인(line)으로 형성되는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The flow base is
a first flow passage base including a plurality of recesses between the first cooling passage structure and the first cooling passage structure; and
a second flow passage base including a plurality of convex portions on the first flow passage base, the second cooling passage structure, and a plurality of convex portions below the second cooling structure;
The individual convex portions of the second flow path base,
Fitted into individual recesses of the first flow path base,
The first and second cooling passage structures include:
are individually positioned at the same level in the flow path base,
The first cover or the second cover,
It has the same shape as the first or second cooling flow path structure in the flow path base,
The electrostatic chuck is formed in one line from the center of the flow path base toward the outer circumferential surface of the flow path base along the respective first or second cover receiving portions in the cross section of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
상기 제1 커버와 상기 제2 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 동일한 용접 깊이를 가지거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 냉각 유체 흐름 영역의 중앙 영역과 가장자리 영역에서 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 상기 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 서로 다른 용접 깊이를 가지거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 볼 때, 상기 제1 커버와 상기 제2 커버에서 커버 별로 상기 개별 제1 절단된 커버 수용부와 상기 개별 제2 절단된 커버 수용부의 상기 가장자리를 따라 상기 마찰 교반 용접을 통해 상기 유로 베이스와 서로 다른 용접 깊이를 가지는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first cover and the second cover,
When viewed from the cross-section of the flow path base, the respective first cut cover receiving part and the respective second cut cover receiving part have the same welding depth as the flow path base through friction stir welding along the edges, or
the friction stir welding along the edges of the respective first cut-off cover receptacles and the respective second cut-off cover receptacles in the central area and the edge area of the cooling fluid flow area when viewed in the cross-section of the flow path base have a different welding depth than the flow path base through, or
When viewed from the cross-section of the flow path base, in the first cover and the second cover, the friction stir welding is performed along the edges of the individual first cut cover accommodating part and the individual second cut cover accommodating part for each cover. An electrostatic chuck having a welding depth different from that of the flow path base.
 제12 항에 있어서,
제1 또는 제2 커버는,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 수직 내측벽과 접촉하거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진 내측벽과 접촉하거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진후 수직을 이루는 측벽과 접촉하거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부의 경사진후 수직을 이루는 일 측벽과 경사진 타측벽과 접촉하거나,
상기 유로 베이스의 상기 단면에서 'T' 자형의 개별 제1 절단된 커버 수용부 또는 개별 제2 절단된 커버 수용부를 채우는, 정전척.
13. The method of claim 12,
The first or second cover,
In contact with the vertical inner wall of the individual first cut cover receiving part or the second cut cover receiving part in the cross section of the flow path base, or
In contact with the inclined inner wall of the individual first cut cover receiving portion or the individual second cut cover receiving portion in the cross section of the flow path base, or
In the cross section of the flow path base, the individual first cut cover receiving part or the second cut cover receiving part is in contact with a vertical sidewall after being inclined, or
In the cross-section of the flow path base, the first cut cover receiving part or the second cut cover receiving part individually comes in contact with one side wall and the other inclined side wall that is vertical after the inclination thereof,
An electrostatic chuck that fills a 'T'-shaped individual first cut cover receiving portion or an individual second cut cover receiving portion in the cross section of the flow path base.
 제1 항에 있어서,
상기 유전체 블럭은,
클램프(clamp) 전극를 포함하고,
상기 클램프 전극을 직류 전원(DC power supply)에 전기적으로 접속시키고,
상기 베이스 플레이트는,
상기 유로 베이스를 고주파 전원(RF power supply)에 전기적으로 접속시키는, 정전척.

According to claim 1,
The dielectric block is
comprising a clamp electrode;
Electrically connecting the clamp electrode to a DC power supply,
The base plate is
An electrostatic chuck for electrically connecting the flow path base to an RF power supply.
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