KR20220001837A - Display Apparatus - Google Patents

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KR20220001837A
KR20220001837A KR1020200080270A KR20200080270A KR20220001837A KR 20220001837 A KR20220001837 A KR 20220001837A KR 1020200080270 A KR1020200080270 A KR 1020200080270A KR 20200080270 A KR20200080270 A KR 20200080270A KR 20220001837 A KR20220001837 A KR 20220001837A
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touch
light emitting
driving
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서상우
정범
정대욱
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

According to the present specification, embodiments provide a display device which comprises: a light emitting element installed on a substrate including a plurality of sub-pixels; a bank layer disposed so that the light emitting elements are separated from each other; an encapsulation layer disposed on the light emitting element and the bank layer; and a touch sensing layer disposed on the encapsulation layer. The light emitting element comprises: a first driving electrode disposed on a light emitting area of a sub pixel; a light emitting layer disposed on the first driving electrode; and a second driving electrode disposed on the light emitting layer and having an opening area on the bank layer.

Description

표시 장치{Display Apparatus}Display Apparatus

본 명세서는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 구동을 하는 표시 장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device, and more particularly, to a touch-driven display device.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 경량 박형으로 제조 가능한 표시 장치가 각광받고 있다. 이 표시 장치는 자발광 소자로서, 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 수 있다. 그리고, 표시 장치는 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다. 이 표시 장치는 매트릭스 형태로 배열된 복수의 부화소들을 통해 영상을 구현한다. 복수의 부화소들 각각은 발광 소자와, 그 발광 소자를 독립적으로 구동하는 복수의 트랜지스터를 포함한다.A video display device that implements various information on a screen is a key technology in the information and communication era, and is developing in the direction of thinner, lighter, portable and high-performance. Accordingly, a display device capable of being manufactured in a lightweight and thin form has been in the spotlight. The display device is a self-luminous device, and may be advantageous in terms of power consumption according to low voltage driving. In addition, the display device has excellent high-speed response speed, high luminous efficiency, viewing angle, and contrast ratio, and thus is being studied as a next-generation display. The display device implements an image through a plurality of sub-pixels arranged in a matrix form. Each of the plurality of sub-pixels includes a light emitting device and a plurality of transistors independently driving the light emitting device.

이 같은 표시장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display appratus: LCD), 퀀텀 닷 표시장치(Quantum Dot Display Appratus: QD), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display apparatus: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a quantum dot display device (QD), a field emission display device (FED), and an organic light emitting display device. (Organic Light Emitting Diode: OLED) etc. are mentioned.

이중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위한 수단으로 각광받고 있는 유기 발광 표시 장치는 스스로 발광 하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답 속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.Among them, the organic light emitting diode display, which does not require a separate light source and is spotlighted as a means for compact device and vivid color display, uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, so the response speed is fast and , Contrast Ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle are large.

이러한 유기 발광 표시 장치는 각 부화소 별로 독립적으로 구동하는 유기 발광 소자를 구비하는데, 각 유기 발광 소자는 제 1 구동전극과 제 2 구동전극 및 제 1 구동전극과 제 2 구동전극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등의 복수 개의 유기층을 구비하며, 외부의 수분 및 산소가 유기 발광 소자에 침투하여, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지하기 위해 유기 발광 소자를 덮는 유기막 또는 무기막의 여러층의 절연막으로 이루어진 봉지부를 구비한다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting device that is independently driven for each sub-pixel, and each organic light emitting device includes a first driving electrode and a second driving electrode and a hole injection layer between the first driving electrode and the second driving electrode. , an organic layer having a plurality of organic layers such as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, and covering the organic light emitting device to prevent external moisture and oxygen from penetrating into the organic light emitting device, thereby reducing the reliability of the organic light emitting display device Alternatively, an encapsulation unit made of an insulating film of several layers of inorganic film is provided.

이러한 표시장치들은 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력방식을 제공한다. 터치 기반의 입력 방식을 제공하기 위해서는, 사용자의 터치 유무를 파악하고 터치 좌표를 정확하게 검출할 수 있어야 한다. 표시장치의 표시패널 상에 복수의 터치 전극(예: 가로 방향 전극, 세로 방향 전극)을 형성하고 터치전극 간의 정전용량 또는 터치 전극과 손가락 등의 포인터 간의 정전용량의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출하는 캐패시턴스 터치 방식이 많이 채용되고 있다.These display devices provide a touch-based input method that allows a user to easily and intuitively input information or commands by breaking away from a conventional input method such as a button, a keyboard, and a mouse. In order to provide a touch-based input method, it is necessary to detect the presence of a user's touch and accurately detect the touch coordinates. A plurality of touch electrodes (eg, horizontal electrodes, vertical electrodes) are formed on the display panel of the display device, and the presence or absence of touch and touch coordinates are determined based on the change in capacitance between the touch electrodes or capacitance between the touch electrode and a pointer such as a finger. A capacitive touch method for detecting the like is widely used.

터치기반의 입력방식을 제공하는 표시장치는 터치 센싱층을 표시패널 상에 배치하여 터치되는 위치를 직관적으로 파악하고 그 위치에 따라 표시장치가 동작할 수 있도록 한다. 하지만, 봉지층 상에 터치 센싱층을 구성하는 경우, 발광 소자의 캐소드 전극과 터치 센싱층의 터치 전극 사이에서 기생 캐패시턴스가 발생한다. 기생 캐패시턴스 성분은 노이즈로 발현되어 터치 동작의 성능을 저하시키는 원인이 된다.A display device that provides a touch-based input method has a touch sensing layer disposed on a display panel to intuitively recognize a touched position and operate the display device according to the position. However, when the touch sensing layer is formed on the encapsulation layer, parasitic capacitance is generated between the cathode electrode of the light emitting device and the touch electrode of the touch sensing layer. The parasitic capacitance component is expressed as noise and causes deterioration of the performance of the touch operation.

본 명세서의 실시예들의 목적은 발광 소자와 터치 센싱층 사이의 기생 캐패시턴스를 줄이고 터치 동작의 성능이 향상 된 표시 장치를 제공하는 것이다. It is an object of the embodiments of the present specification to provide a display device in which parasitic capacitance between a light emitting element and a touch sensing layer is reduced and the performance of a touch operation is improved.

또한, 본 명세서의 실시예들의 다른 목적은 터치 센싱층에 추가의 절연층이 형성 되어 유기층과 무기층의 다중 절연막을 갖는 봉지층과 함께, 투습 등의 불량이 더욱 개선 된 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the embodiments of the present specification is to provide a display device in which an additional insulating layer is formed on the touch sensing layer to further improve defects such as moisture permeability, together with an encapsulation layer having multiple insulating layers of an organic layer and an inorganic layer. .

본 명세서의 실시예들은, 복수의 부화소를 포함하는 기판 상에 구비 된 발광 소자, 발광 소자가 서로 구분 되도록 배치 되는 뱅크층, 발광 소자와 뱅크층 상에 배치 되는 봉지층 및 봉지층 상에 배치 되는 터치 센싱층을 포함하고, 발광 소자는, 부화소의 발광 영역에 배치 된 제1 구동전극, 제1 구동전극 상에 배치 된 발광층, 발광층 상에 배치 되고, 뱅크층 상에서 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.In the embodiments of the present specification, a light emitting device provided on a substrate including a plurality of sub-pixels, a bank layer disposed to distinguish the light emitting devices from each other, an encapsulation layer disposed on the light emitting device and the bank layer, and an encapsulation layer disposed on the encapsulation layer and a touch sensing layer, wherein the light emitting device includes a first driving electrode disposed in the light emitting area of the sub-pixel, a light emitting layer disposed on the first driving electrode, and a second light emitting layer disposed on the light emitting layer and having an opening area on the bank layer. A display device including a driving electrode may be provided.

다른 일측면에서 본 명세서의 실시예들은, 발광 소자와, 발광 소자를 구분하는 뱅크층을 포함하는 표시 패널 및 표시 패널 상에 형성 되는 터치 센싱층을 포함하고, 발광 소자는, 빛을 발광하는 발광층, 발광층에 구동 전원을 인가하는 제1 구동전극, 제1 구동전극에 대향하여 발광층 상에 배치 되고, 발광층에 중첩하지 않는 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.In another aspect, the embodiments of the present specification include a light emitting device, a display panel including a bank layer separating the light emitting devices, and a touch sensing layer formed on the display panel, wherein the light emitting device includes a light emitting layer that emits light The display device may include: a first driving electrode for applying driving power to the emission layer; and a second driving electrode disposed on the emission layer to face the first driving electrode and having an opening region that does not overlap the emission layer.

위에서 언급된 본 명세서의 기술적 과제 외에도, 본 명세서의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical tasks of the present specification mentioned above, other features and advantages of the present specification will be described below, or will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which this specification belongs from the description and description.

본 명세서의 실시예들에 의하면, 발광 소자의 제2 구동전극 형상을 변경하여 터치 센싱층과 사이에 발생하는 기생 캐패시턴스를 줄임으로써 구동 시 노이즈를 저감하고, 터치 성능이 향상 된 표시 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present specification, by changing the shape of the second driving electrode of the light emitting element to reduce the parasitic capacitance generated between the touch sensing layer and the display device, it is possible to reduce noise during driving and provide a display device with improved touch performance. can

또한, 본 명세서의 실시예들에 의하면, 뱅크층 상에는 제2 구동전극이 형성되지 않으므로, 재료비가 절감 된 표시 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiments of the present specification, since the second driving electrode is not formed on the bank layer, a display device with reduced material cost can be provided.

본 명세서에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 실시예들에 따른 터치 센싱층을 나타낸 도면이다.
도 3a는 실시예들에 따른 표시 패널 및 터치 센싱층의 영역 관계를 나타낸 도면이다.
도 3b는 실시예들에 따른 터치 전극이 표시패널의 화소와 대응되는 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 화소 회로에 대한 도면다.
도 5는 실시예들에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱층이 봉지층 상에 위치하는 구조 하에서 발생하는 기생 캐패시턴스를 나타낸 도면이다.
도 6a은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 기생 캐패시턴스를 저감하도록 제2 구동전극이 변형 된 구조에 대한 단면도이다.
도 7a는 메쉬 타입으로 형성 된 터치 센싱층의 도면이다.
도 7b는 터치 센싱층이 도 7a와 같이 메쉬 타입으로 형성 될 때, 제2 구동전극과 터치 센싱층, 부화소를 중첩하여 도시한 도면이다.
도 7c는 일 실시예에 따른 제2 구동전극과 터치 센싱층이 서로 중첩하는 영역의 도면이다.
도 7d는 다른 실시예에 따른 제2 구동전극과 터치 센싱층이 서로 중첩하는 영역의 도면이다.
도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 메쉬 타입(그물망 타입)의 터치 센싱층 영역 내에서 더미 영역이 포함 된 도면이다.
도 9는 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 메쉬 타입(그물망 타입)의 터치 센싱층 영역 내에서 더미 영역이 생략 된 도면이다.
도 10은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱층에서 더미 영역이 패터닝 된 도면이다.
도 11는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 기생 캐패시턴스의 변화율을 나타내는 도면이다.1 is a system configuration diagram of a display device according to embodiments of the present specification.
2 is a diagram illustrating a touch sensing layer according to example embodiments.
3A is a diagram illustrating a region relationship between a display panel and a touch sensing layer according to example embodiments.
3B is a diagram illustrating a structure in which a touch electrode corresponds to a pixel of a display panel according to example embodiments.
4 is a diagram of a pixel circuit in a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
5 is a diagram illustrating parasitic capacitance generated under a structure in which a touch sensing layer is positioned on an encapsulation layer in a display device according to example embodiments.
6A is a cross-sectional view illustrating a structure in which a second driving electrode is modified to reduce parasitic capacitance in the display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
7A is a diagram of a touch sensing layer formed in a mesh type.
FIG. 7B is a diagram illustrating a second driving electrode, a touch sensing layer, and a sub-pixel overlapped when the touch sensing layer is formed in a mesh type as shown in FIG. 7A.
7C is a diagram of a region in which a second driving electrode and a touch sensing layer overlap each other according to an exemplary embodiment.
7D is a diagram of a region in which a second driving electrode and a touch sensing layer overlap each other according to another exemplary embodiment.
8 is a diagram in which a dummy area is included in a mesh type (mesh type) touch sensing layer area in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.
9 is a diagram in which a dummy area is omitted from a mesh type (mesh type) touch sensing layer area in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.
10 is a diagram in which a dummy area is patterned in a touch sensing layer in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.
11 is a diagram illustrating a rate of change of parasitic capacitance in a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 명세서의 일 예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present specification, and a method for achieving them will become apparent with reference to examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the examples disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only examples of the present specification allow the disclosure of the present specification to be complete, and it is common in the technical field to which the invention of the present specification belongs. It is provided to fully inform those with knowledge of the scope of the invention, and the invention of the present specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining an example of the present specification are exemplary and are not limited to the matters shown in the present specification. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing an example of the present specification, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서에서 언급된 “포함한다,” “갖는다,” “이루어진다” 등이 사용되는 경우 “만”이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When “includes,” “haves,” “consists of,” etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, “상에,” “상부에,” “하부에,” “옆에” 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, “바로” 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as “on,” “on,” “under,” “next to,” etc., “directly” or “directly” One or more other parts may be placed between the two parts unless this is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, “후에,” “에 이어서,” “다음에,” “전에” 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, when temporal precedence is described as “after,” “following,” “after,” “before”, etc., 'immediately' or 'directly' are not used. It may include a case where it is not more continuous.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present specification.

“적어도 하나”의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, “제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나”의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations of one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first, second, and third items” means 2 of the first, second, and third items as well as each of the first, second, or third items. It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 명세서의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various examples of the present specification may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each example may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. .

이하에서는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 그리고, 첨부된 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다. Hereinafter, an example of a display device according to an embodiment of the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. And, since the scales of the components shown in the accompanying drawings have different scales from the actual for convenience of description, the scales shown in the drawings are not limited thereto.

도 1은 본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of a display device according to embodiments of the present specification.

도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는 영상을 표시하기 위한 영상 표시 기능과, 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a display device 1 according to embodiments of the present specification may provide an image display function for displaying an image and a touch sensing function for sensing a user's touch.

본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는, 영상 표시를 위해, 데이터 라인들과 게이트 라인들이 배치되는 표시 패널(10)과, 표시 패널(10)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 회로(20) 등을 포함할 수 있다. The display device 1 according to the exemplary embodiments of the present specification includes a display panel 10 on which data lines and gate lines are disposed to display an image, and a display driving circuit 20 for driving the display panel 10 . ) and the like.

디스플레이 구동 회로(20)는, 기능적으로 볼 때, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 구동 회로와, 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 구동 회로와, 데이터 구동 회로 및 게이트 구동 회로를 제어하기 위한 컨트롤러 등을 포함할 수 있다. Functionally, the display driving circuit 20 includes a data driving circuit for driving data lines, a gate driving circuit for driving the gate lines, a controller for controlling the data driving circuit and the gate driving circuit, and the like. can do.

디스플레이 구동 회로(20)는, 하나 이상의 집적회로로 구현될 수 있다.The display driving circuit 20 may be implemented with one or more integrated circuits.

실시예들에 따른 표시 장치(1)는, 터치 센싱을 위해, 터치 센서(Touch Sensor)로서 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 배치되고, 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)의 전체 또는 일부와 전기적으로 연결되는 복수의 터치라인들(TL)이 배치된 터치 센싱층(270)과, 터치 센싱층(270)을 구동하여 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로(30) 등을 포함할 수 있다. In the display device 1 according to the exemplary embodiment, for touch sensing, a plurality of first and second touch electrodes TE and RE are disposed as a touch sensor, and a plurality of first and second touches are disposed. A touch sensing layer 270 on which a plurality of touch lines TL electrically connected to all or part of the electrodes TE and RE are disposed, and the touch sensing layer 270 are driven to sense the presence or absence of a touch or a touch position It may include a touch circuit 30 and the like.

터치 회로(30)는 터치 센싱층(270)을 구동하기 위하여 터치 센싱층(270)로 터치 구동 신호를 공급하고, 터치 센싱층(270)로부터 터치 센싱 신호를 검출하고, 이를 토대로, 터치유무 및/또는 터치위치(터치좌표)를 센싱한다. The touch circuit 30 supplies a touch driving signal to the touch sensing layer 270 to drive the touch sensing layer 270 , detects a touch sensing signal from the touch sensing layer 270 , and based on this, determines whether there is a touch / or the touch position (touch coordinates) is sensed.

이러한 터치 회로(30)는 터치 구동 신호를 공급하고 터치 센싱 신호를 수신하는 터치구동회로와, 터치유무 및/또는 터치위치(터치좌표)를 산출하는 터치컨트롤러 등을 포함하여 구현될 수도 있다. 여기서, 터치 구동 신호는 일정 전압 값을 갖는 DC 신호일 수도 있고, 소정의 진폭을 갖고 하이 레벨과 로우 레벨 사이에서 스윙되며 복수의 펄스들로 이루어진 AC 타입의 신호일 수도 있다.The touch circuit 30 may be implemented including a touch driving circuit that supplies a touch driving signal and receives a touch sensing signal, and a touch controller that calculates the presence or absence of a touch and/or a touch position (touch coordinates). Here, the touch driving signal may be a DC signal having a constant voltage value, or an AC-type signal having a predetermined amplitude and swinging between a high level and a low level and including a plurality of pulses.

터치 회로(30)는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적회로)으로 구현될 수 있으며, 디스플레이 구동 회로(20)와 별도로 구현될 수도 있다. The touch circuit 30 may be implemented as one or more components (eg, an integrated circuit), and may be implemented separately from the display driving circuit 20 .

또한, 터치 회로(30)의 전체 또는 일부는, 디스플레이 구동 회로(20) 또는 그 내부 회로와 통합되어 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 회로(30)의 터치구동회로는 디스플레이 구동 회로(20)의 데이터 구동 회로와 함께 집적회로로 구현될 수 있다. In addition, all or part of the touch circuit 30 may be implemented by being integrated with the display driving circuit 20 or an internal circuit thereof. For example, the touch driving circuit of the touch circuit 30 may be implemented as an integrated circuit together with the data driving circuit of the display driving circuit 20 .

한편, 실시예들에 따른 표시 장치(1)는 터치전극에 형성되는 캐패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치를 센싱할 수 있다. Meanwhile, the display device 1 according to the embodiments may sense a touch based on capacitance formed in the touch electrode.

실시예들에 따른 표시 장치(1)는 캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼-캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다. The display device 1 according to the embodiments is a capacitance-based touch sensing method, and may sense a touch using a mutual-capacitance-based touch sensing method or a self-capacitance-based touch sensing method. A touch may be sensed using a touch sensing method.

뮤추얼-캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 복수의 터치전극은 터치 구동 신호가 인가되는 제1 터치전극(TE)(구동 터치전극, 송신전극, 또는 구동라인이라고도 함)과, 터치 센싱 신호가 센싱되고 구동전극과 캐패시턴스를 형성하는 제2 터치전극(RE)(센싱 터치전극, 수신전극, 또는 센싱라인이라고도 함)으로 분류될 수 있다. In the case of a mutual-capacitance-based touch sensing method, the plurality of touch electrodes includes a first touch electrode TE (also called a driving touch electrode, a transmission electrode, or a driving line) to which a touch driving signal is applied; The touch sensing signal may be sensed and may be classified into a second touch electrode RE (also referred to as a sensing touch electrode, a receiving electrode, or a sensing line) that forms a capacitance with the driving electrode.

제1 터치전극(TE)들 중에서, 동일한 행 (또는 동일한 열)에 배치된 제1 터치전극(TE)들은 전기적으로 서로 연결되어 하나의 제1 터치전극(TE) 라인을 형성한다. Among the first touch electrodes TE, first touch electrodes TE disposed in the same row (or same column) are electrically connected to each other to form one first touch electrode TE line.

제2 터치전극(RE)들 중에서, 동일한 열 (또는 동일한 행)에 배치된 제2 터치전극(RE)들은 전기적으로 서로 연결되어 하나의 제2 터치전극(RE) 라인을 형성한다. Among the second touch electrodes RE, the second touch electrodes RE disposed in the same column (or the same row) are electrically connected to each other to form one second touch electrode RE line.

이러한 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터의 유무에 따른 제1 터치전극(TE) (제1 터치전극(TE) 라인)과 제2 터치전극(RE) (제2 터치전극(RE) 라인) 간의 캐패시턴스(뮤추얼-캐패시턴스)의 변화를 토대로 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 검출한다. In the case of such a mutual-capacitance-based touch sensing method, the first touch electrode TE (first touch electrode TE line) and the second touch electrode RE (second Based on a change in capacitance (mutual-capacitance) between the touch electrode RE lines), the presence or absence of a touch and/or touch coordinates are detected.

셀프-캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치전극은 제1 터치전극(TE)의 역할 (터치 구동 신호 인가)과 제2 터치전극(RE)의 역할(터치 센싱 신호 검출)을 모두 갖는다. In the case of the self-capacitance-based touch sensing method, each touch electrode has a role of the first touch electrode TE (applying a touch driving signal) and a role of the second touch electrode RE (detecting a touch sensing signal). ) have all of them.

즉, 각 터치전극으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치전극을 통해 터치 센싱 신호를 수신한다. 따라서, 셀프-캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식에서는, 구동전극과 센싱전극의 구분이 없다. That is, a touch driving signal is applied to each touch electrode, and a touch sensing signal is received through the touch electrode to which the touch driving signal is applied. Accordingly, in the self-capacitance-based touch sensing method, there is no distinction between the driving electrode and the sensing electrode.

이러한 셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치전극 간의 캐패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 검출한다. In the case of the self-capacitance-based touch sensing method, the presence or absence of a touch and/or touch coordinates are detected based on a change in capacitance between a pointer such as a finger or a pen and a touch electrode.

이와 같이, 실시예들에 따른 표시 장치(1)는, 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다. As such, the display device 1 according to the embodiments may sense a touch using a mutual-capacitance-based touch sensing method or may sense a touch using a self-capacitance-based touch sensing method.

다만, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식이 채택된 표시 장치(1) 및 터치 센싱층(270)를 위주로 터치감도의 향상을 위한 개선 구조 등을 설명하지만, 이러한 터치감도의 향상을 위한 개선 구조 등은 셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식이 채택된 표시 장치(1) 및 터치 센싱층(270)에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다. However, below, for convenience of explanation, an improved structure for improving touch sensitivity will be mainly described based on the display device 1 and the touch sensing layer 270 adopting the mutual-capacitance-based touch sensing method. The improved structure for improving the touch sensitivity may be equally applied to the display device 1 and the touch sensing layer 270 to which the self-capacitance-based touch sensing method is adopted.

또한, 실시예들에 따른 표시 장치(1)의 표시 패널(10)은, 유기발광다이오드 패널(OLED Panel), 액정표시패널(LCD Panel) 등의 다양한 타입일 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 유기발광다이오드 패널(OLED Panel)을 주로 예로 들어 설명한다. In addition, the display panel 10 of the display device 1 according to the embodiments may be of various types such as an organic light emitting diode panel (OLED Panel), a liquid crystal display panel (LCD panel), and the like. Hereinafter, for convenience of description, an organic light emitting diode panel (OLED Panel) will be mainly described as an example.

도 2는 실시예들에 따른 터치 센싱층을 나타낸 도면이다. 도 3a는 실시예들에 따른 표시 패널 및 터치 센싱층의 영역 관계를 나타낸 도면이다. 도 3b는 실시예들에 따른 터치 전극이 표시패널의 화소와 대응되는 구조를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a touch sensing layer according to example embodiments. 3A is a diagram illustrating a region relationship between a display panel and a touch sensing layer according to example embodiments. 3B is a diagram illustrating a structure in which a touch electrode corresponds to a pixel of a display panel according to example embodiments.

단, 도 2에 예시된 터치 센싱층(270)은 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 센싱층(270)이다. However, the touch sensing layer 270 illustrated in FIG. 2 is a touch sensing layer 270 for mutual-capacitance-based touch sensing.

도 2를 참조하면, 터치 센싱층(270)에는 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 배치되며, 이러한 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 터치 회로(30)를 전기적으로 연결해주기 위한 터치라인들(TL)이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2 , a plurality of first and second touch electrodes TE and RE are disposed on the touch sensing layer 270 , the first and second touch electrodes TE and RE and the touch circuit 30 . Touch lines TL for electrically connecting to may be disposed.

이러한 터치라인들(TL)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 중 최외곽에 배치된 터치전극과 전기적으로 연결될 수 있다. These touch lines TL may be electrically connected to an outermost touch electrode among the first and second touch electrodes TE and RE.

또한, 터치 센싱층(270)에는, 터치라인들(TL)과 터치 회로(30)를 전기적으로 연결해주기 위하여, 터치 회로(30)가 접촉하는 터치패드들이 존재할 수도 있다.Also, in the touch sensing layer 270 , touch pads contacting the touch circuit 30 may be present in order to electrically connect the touch lines TL and the touch circuit 30 .

제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 및 터치라인들(TL)은 동일한 층에 존재할 수도 있고 서로 다른 층에 존재할 수도 있다. The first and second touch electrodes TE and RE and the touch lines TL may exist on the same layer or on different layers.

한편, 전술한 표시 장치(1)가 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식을 채택하고 있는 경우, 동일한 행 (또는 동일한 열)에 배치되는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되어 하나의 제1 터치전극(TE) 라인을 형성할 수 있다. 동일한 열 (또는 동일한 행)에 배치되는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되어 하나의 제2 터치전극(RE) 라인을 형성할 수 있다. On the other hand, when the above-described display device 1 adopts the mutual-capacitance-based touch sensing method, two or more touch electrodes disposed in the same row (or same column) are electrically connected to one first touch electrode ( TE) line can be formed. Two or more touch electrodes disposed in the same column (or same row) may be electrically connected to form one second touch electrode (RE) line.

하나의 제1 터치전극(TE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되는데, 둘 이상의 터치전극이 일체화 되어 전기적으로 연결되거나 브리지 전극(BE)에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. Two or more touch electrodes forming one first touch electrode TE line are electrically connected, and two or more touch electrodes may be integrated and electrically connected or electrically connected by a bridge electrode BE.

하나의 제2 터치전극(RE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되는데, 둘 이상의 터치전극이 일체화 되어 전기적으로 연결되거나 브리지 전극(BE)에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.Two or more touch electrodes forming one second touch electrode line RE are electrically connected, and two or more touch electrodes may be integrated and electrically connected or electrically connected by a bridge electrode BE.

도 2의 예시에서는, 하나의 제1 터치전극(TE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 일체화 되어 전기적으로 연결되어 있고, 하나의 제2 터치전극(RE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 브리지 전극(BE)에 의해 전기적으로 연결되어 있다. 다만, 이에 한정 되지 않고, 하나의 제2 터치전극(RE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 일체화 되어 전기적으로 연결되어 있고, 하나의 제1 터치전극(TE) 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 브리지 전극(BE)에 의해 전기적으로 연결 될 수 있다.In the example of FIG. 2 , two or more touch electrodes forming one first touch electrode (TE) line are integrated and electrically connected, and two or more touch electrodes forming one second touch electrode (RE) line are They are electrically connected by the bridge electrode BE. However, the present invention is not limited thereto, and two or more touch electrodes forming one second touch electrode (RE) line are integrated and electrically connected, and two or more touch electrodes forming one first touch electrode (TE) line. may be electrically connected by the bridge electrode BE.

하나의 제1 터치전극(TE) 라인마다 적어도 하나의 터치라인(TL)이 연결되고, 하나의 제2 터치전극(RE) 라인마다 적어도 하나의 터치라인(TL)이 연결될 수 있다. At least one touch line TL may be connected to each first touch electrode TE line, and at least one touch line TL may be connected to each one second touch electrode RE line.

하나의 제1 터치전극(TE) 라인마다 연결되는 적어도 하나의 터치라인(TL)을 구동 터치라인(Driving TL)이라고 한다. 하나의 제2 터치전극(RE) 라인마다 연결되는 적어도 하나의 터치라인(TL)을 센싱 터치라인(Sensing TL)이라고 한다. At least one touch line TL connected to each line of the first touch electrode TE is referred to as a driving touch line TL. At least one touch line TL connected to each second touch electrode RE line is referred to as a sensing touch line TL.

하나의 터치라인(TL)마다 하나의 터치패드가 연결될 수 있다. One touch pad may be connected to each one touch line TL.

도 2를 참조하면, 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 각각은, 일 예로, 외곽의 윤곽을 볼 때, 마름모형일 수 있으며, 경우에 따라서는, 직사각형 (정사각형을 포함할 수 있음)일 수도 있으며, 이뿐만 아니라 다양한 모양으로 되어 있을 수도 있다. Referring to FIG. 2 , each of the plurality of first and second touch electrodes TE and RE may, for example, have a rhombus shape when looking at an outer outline, and in some cases, a rectangular shape (including a square shape). ), and may have various shapes as well as this.

표시 장치(1)의 디스플레이 성능 및 터치 성능을 고려하여, 터치전극의 형상을 다양하게 설계할 수 있다. In consideration of the display performance and touch performance of the display device 1 , the shape of the touch electrode may be designed in various ways.

도 2에 예시된 터치 센싱층(270)는 열 방향으로 길게 도시되어 있으나, 표시 장치(1)의 종류(예: TV, 모니터, 모바일 단말 등) 또는 디자인 등에 따라서, 행 방향으로 길게 설계될 수도 있다. Although the touch sensing layer 270 illustrated in FIG. 2 is shown to be long in the column direction, it may be designed to be long in the row direction depending on the type (eg, TV, monitor, mobile terminal, etc.) or design of the display device 1 . have.

터치 센싱층(270)은 표시 패널(10)의 외부에 존재할 수도 있지만(외장형), 표시 패널(10)의 내부에 존재할 수도 있다(내장형). The touch sensing layer 270 may exist outside the display panel 10 (external type) or inside the display panel 10 (internal type).

터치 센싱층(270)이 외장형인 경우, 터치 센싱층(270)과 표시 패널(10)은 서로 다른 패널 제작 공정을 통해 따로 만들어진 이후, 본딩될 수 있다. When the touch sensing layer 270 is an external type, the touch sensing layer 270 and the display panel 10 may be separately made through different panel manufacturing processes and then bonded.

터치 센싱층(270)이 내장형인 경우, 터치 센싱층(270)과 표시 패널(10)은 한번의 패널 제작 공정을 통해 함께 만들어질 수 있다. When the touch sensing layer 270 is a built-in type, the touch sensing layer 270 and the display panel 10 may be formed together through a single panel manufacturing process.

터치 센싱층(270)이 내장형인 경우, 터치 센싱층(270)은 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)의 집합체로 볼 수 있다. 여기서, 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 놓이는 판(Plate)은 전용 기판일 수도 있고, 표시 패널(10)에 이미 존재하는 층(예: 봉지층)일 수도 있다. When the touch sensing layer 270 is a built-in type, the touch sensing layer 270 may be viewed as an aggregate of a plurality of first and second touch electrodes TE and RE. Here, the plate on which the plurality of first and second touch electrodes TE and RE are placed may be a dedicated substrate or a layer (eg, an encapsulation layer) already present in the display panel 10 .

도 2 및 도 3a를 참조하면, 표시 패널(10)은 영상이 표시되는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 바깥 영역인 넌-액티브 영역(NAA)을 포함할 수 있다. 여기서, 액티브 영역(AA)은 표시 영역이라고도 하고, 넌-액티브 영역(NAA)은 비표시 영역이라고도 한다.2 and 3A , the display panel 10 may include an active area AA in which an image is displayed and a non-active area NAA outside the active area AA. Here, the active area AA is also referred to as a display area, and the non-active area NAA is also referred to as a non-display area.

액티브 영역(AA)에는 데이터 라인들과 게이트 라인들에 의해 정의되는 복수의 부화소들이 배열될 수 있다. A plurality of sub-pixels defined by data lines and gate lines may be arranged in the active area AA.

비표시 영역(NAA)에는 표시 영역(AA)에서의 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 각종 신호배선들을 디스플레이 구동 회로(20)와 연결시켜주기 위한 배선들 및 패드들이 존재할 수 있다. Wires and pads for connecting data lines, gate lines, and various signal lines in the display area AA to the display driving circuit 20 may be present in the non-display area NAA.

터치 센싱층(270)에는 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 및 복수의 터치라인들(TL)이 배치될 수 있다. A plurality of first and second touch electrodes TE and RE and a plurality of touch lines TL may be disposed on the touch sensing layer 270 .

복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)은 표시 패널(10)의 표시 영역(AA)에 대응되어 위치할 수 있다.The plurality of first and second touch electrodes TE and RE may be positioned to correspond to the display area AA of the display panel 10 .

복수의 터치라인들(TL)은 표시 패널(10)의 비표시 영역(NAA)에 대응되어 위치할 수 있다. The plurality of touch lines TL may be positioned to correspond to the non-display area NAA of the display panel 10 .

즉, 복수의 터치라인들(TL)은 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 배치되는 터치전극 영역(액티브 영역(AA) 또는 그 대응 영역)의 외곽에 존재한다. That is, the plurality of touch lines TL exist outside the touch electrode area (the active area AA or its corresponding area) in which the plurality of first and second touch electrodes TE and RE are disposed.

터치 센싱층(270)은 표시 패널(10)에 내장되거나 외장 될 수 있다. The touch sensing layer 270 may be built-in or external to the display panel 10 .

전술한 바와 같이, 표시 패널(10)의 액티브 영역(AA)에 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 배치되고, 표시 패널(10)의 넌-액티브 영역(NAA)에 터치라인들(TL)이 배치됨으로써, 화면 표시 상태와 매칭 되는 터치 센싱을 제공할 수 있다. As described above, the first and second touch electrodes TE and RE are disposed in the active area AA of the display panel 10 , and touch lines are disposed in the non-active area NAA of the display panel 10 . By disposing (TL), it is possible to provide touch sensing that matches the screen display state.

도 2를 참조하면, 복수의 터치라인들(TL) 각각은 터치 회로(30)와 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 2 , each of the plurality of touch lines TL is electrically connected to the touch circuit 30 .

복수의 터치라인들(TL) 중 각 구동 터치라인(Driving TL)은, 일단이 터치 회로(30)의 각 구동 채널과 전기적으로 연결되고, 타단이 해당 제1 터치전극(TE) 라인에 포함되는 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 중 최외곽에 배치된 최외곽 터치전극과 전기적으로 연결된다. Of the plurality of touch lines TL, each driving touch line TL has one end electrically connected to each driving channel of the touch circuit 30 and the other end included in the corresponding first touch electrode TE line. The first and second touch electrodes TE and RE are electrically connected to the outermost touch electrode disposed at the outermost side.

복수의 터치라인들(TL) 중 각 센싱 터치라인(Sensing TL)은 일단이 터치 회로(30)의 각 센싱 채널과 전기적으로 연결되고, 타단이 해당 제2 터치전극(RE) 라인에 포함되는 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 중 최외곽에 배치된 최외곽 터치전극과 전기적으로 연결된다.Of the plurality of touch lines TL, each sensing touch line TL has one end electrically connected to each sensing channel of the touch circuit 30 and the other end included in the corresponding second touch electrode RE line. Among the first and second touch electrodes TE and RE, it is electrically connected to the outermost touch electrode disposed at the outermost side.

도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 터치라인들(TL)은 길이가 서로 다를 수 있다. 즉, 복수의 터치라인들(TL) 중 적어도 하나는 다른 길이를 가질 수 있다. 이에 따라, 각 터치라인(TL)은 신호 전달 특성 또는 전기적 특성 등이 다를 수 있다. 2 , the plurality of touch lines TL may have different lengths. That is, at least one of the plurality of touch lines TL may have different lengths. Accordingly, each touch line TL may have different signal transmission characteristics or electrical characteristics.

도 3b를 참조하면, 제1 및 제2 터치전극은 표시 패널(10)에서 보이지 않도록 그물망 타입(메쉬 타입)으로 패터닝 되어 부화소(SP)의 발광 영역이 아닌 뱅크층(240) 상에 배치 될 수 있다.Referring to FIG. 3B , the first and second touch electrodes are patterned in a mesh type (mesh type) so as not to be seen from the display panel 10, and are disposed on the bank layer 240 rather than the light emitting area of the sub-pixel SP. can

부화소(SP)는 청색 부화소(SP), 적색 부화소(SP), 녹색 부화소(SP)를 포함 할 수 있고, 각 부화소(SP)의 크기는 컬러 별로 상이 할 수 있다. 일반적으로 청색 유기 발광 다이오드(EL)는 발광 효율이 상대적으로 낮으므로, 청색 부화소(SP)의 면적은 적색 부화소(SP) 또는 녹색 부화소(SP)의 면적보다 클 수 있다. 적색 부화소(SP)의 면적이 가장 작을 수 있다. 다만, 이에 한정 되지 않는다.The sub-pixel SP may include a blue sub-pixel SP, a red sub-pixel SP, and a green sub-pixel SP, and the size of each sub-pixel SP may be different for each color. In general, since the blue organic light emitting diode EL has relatively low luminous efficiency, the area of the blue subpixel SP may be larger than that of the red subpixel SP or the green subpixel SP. The area of the red sub-pixel SP may be the smallest. However, the present invention is not limited thereto.

각 부화소(SP)의 면적 차이에 따라, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 간 간격도 상이할 수 있다. The spacing between the first and second touch electrodes TE and RE may also be different according to a difference in the area of each sub-pixel SP.

제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 이외에 더미 전극(Dummy)이 형성 될 수 있고, 모두 동일층에 형성 될 수 있다. 다만, 이에 한정 되지 않고, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)은 서로 다른 층에 형성 될 수 있다.In addition to the first and second touch electrodes TE and RE, a dummy electrode may be formed, and all of them may be formed on the same layer. However, the present invention is not limited thereto, and the first and second touch electrodes TE and RE may be formed on different layers.

도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 화소 회로에 대한 도면다. 4 is a diagram of a pixel circuit in a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 4를 참조하면, 각 유기 발광 다이오드(EL)는 구동하기 위한 화소 회로를 갖는다.Referring to FIG. 4 , each organic light emitting diode EL has a pixel circuit for driving it.

유기 발광 다이오드(EL)는 구동 트랜지스터(D-TFT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기 발광 다이오드(EL)의 제1 구동전극(231)은 구동 트랜지스터(D-TFT)의 제2 전극에 접속되고, 제2 구동전극(233)은 고전위 전원(ELVDD)보다 낮은 저전위 전원(ELVSS)이 공급되는 제2 전원 공급 배선에 접속될 수 있다.The organic light emitting diode EL emits light according to a current supplied through the driving transistor D-TFT. The first driving electrode 231 of the organic light emitting diode EL is connected to the second electrode of the driving transistor D-TFT, and the second driving electrode 233 is a low potential power supply lower than the high potential power supply ELVDD. ELVSS) may be connected to a second power supply line to which the power supply line is supplied.

유기 발광 다이오드(EL)는 제1 구동전극(231), 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 제2 구동전극(233)을 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)는 제1 구동전극(231)과 제2 구동전극(233)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층(232)으로 이동되며, 발광층(232)에서 정공과 전자가 서로 결합하여 발광하게 된다.The organic light emitting diode EL may include a first driving electrode 231 , a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a second driving electrode 233 . can In the organic light emitting diode EL, when a voltage is applied to the first driving electrode 231 and the second driving electrode 233 , holes and electrons move to the emission layer 232 through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and the emission layer 232 ), the holes and electrons combine to emit light.

표시 장치에서 화소 회로는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 구동 트랜지스터(D-TFT), 커패시터(CST) 및 유기 발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다. 그리고 초기화전압라인(VINI)을 통해 전달되는 초기화전압을 기반으로 구동 트랜지스터(D-TFT)의 제1 노드 뿐만 아니라 유기 발광 다이오드(EL)의 제1 구동전극(231)까지 초기화하기 위해 제6 트랜지스터(T6)가 추가된다.In the display device, a pixel circuit includes a first transistor T1 , a second transistor T2 , a third transistor T3 , a fourth transistor T4 , a fifth transistor T5 , a driving transistor D-TFT, and a capacitor (CST) and organic light emitting diodes (EL). And based on the initialization voltage transmitted through the initialization voltage line VINI, the sixth transistor to initialize not only the first node of the driving transistor D-TFT but also the first driving electrode 231 of the organic light emitting diode EL (T6) is added.

제1 내지 제6 트랜지스터(T1~T6) 및 제 구동 트랜지스터(D-TFT)는 p 타입 트랜지스터(p-MOS TFT)로 이루어 질 수 있다.The first to sixth transistors T1 to T6 and the first driving transistor D-TFT may be formed of a p-type transistor (p-MOS TFT).

제1 트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])(현재 단의 스캔라인)에 게이트 전극이 연결되고, 구동 트랜지스터(D-TFT)의 타단 전극과 제4 트랜지스터(T4)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제3 노드에 일단 전극이 연결되고 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전극과 커패시터(CST)의 타단이 공통으로 연결된 제1 노드에 타단 전극이 연결된다.The first transistor T1 has a gate electrode connected to the N-th scan line SCAN[n] (the current scan line), the other end electrode of the driving transistor D-TFT, and one end of the fourth transistor T4. One end of the electrode is connected to a third node to which the electrodes are commonly connected, and the other end of the electrode is connected to a first node where the gate electrode of the driving transistor D-TFT and the other end of the capacitor CST are commonly connected.

제2 트랜지스터(T2)는 제n스캔라인(SCAN[n])에 게이트 전극이 연결되고 데이터 라인(DL)에 일단 전극이 연결되고, 구동 트랜지스터(D-TFT)의 일단 전극 및 제3 트랜지스터(T3)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제2 노드에 타단 전극이 연결된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to the n-th scan line SCAN[n], one electrode connected to the data line DL, one end electrode of the driving transistor D-TFT, and the third transistor ( T3), the other end electrode is connected to the second node to which one end electrode is commonly connected.

제3 트랜지스터(T3)는 발광신호라인(EM)에 게이트 전극이 연결되고 제2 트랜지스터(T2)의 타단 전극 및 구동 트랜지스터(D-TFT)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제2 노드에 일단 전극이 연결되고 제1 전원 공급 배선에 타단 전극이 연결된다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to the light emitting signal line EM, and one end electrode is connected to a second node to which the other end electrode of the second transistor T2 and one end electrode of the driving transistor D-TFT are commonly connected. and the other end electrode is connected to the first power supply wiring.

제4 트랜지스터(T4)는 발광신호라인(EM)에 게이트 전극이 연결되고 구동 트랜지스터(D-TFT)의 타단 전극에 일단 전극이 연결되고 유기 발광 다이오드(EL)의 제1 구동전극(231)에 타단 전극이 연결된다.The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to the light emitting signal line EM, one electrode connected to the other end electrode of the driving transistor D-TFT, and one electrode connected to the first driving electrode 231 of the organic light emitting diode EL. The other end electrode is connected.

제5 트랜지스터는 초기화전압라인(VINI)을 통해 전달되는 초기화전압을 구동 트랜지스터(D-TFT)의 제1 노드에 전달하므로, 초기화 트랜지스터 일 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 누설 전류 방지 등의 구동 안정성을 높이기 위해 하나 또는 두 개의 트랜지스터로 구성 될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 제n-1스캔라인(SCAN[n-1])(이전 단의 스캔라인)에 게이트 전극이 연결되고 커패시터(CST)의 타단 및 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전극에 일단 전극이 연결되고 초기화전압라인(VINI)에 타단 전극이 연결된다.Since the fifth transistor transfers the initialization voltage transmitted through the initialization voltage line VINI to the first node of the driving transistor D-TFT, it may be an initialization transistor. The fifth transistor T5 may be composed of one or two transistors in order to increase driving stability such as preventing leakage current. The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to the n−1th scan line SCAN[n−1] (the previous scan line), and the other end of the capacitor CST and the gate of the driving transistor D-TFT. One electrode is connected to the electrode, and the other electrode is connected to the initialization voltage line VINI.

구동 트랜지스터(D-TFT)는 제1 트랜지스터(T1)의 타단 전극, 커패시터(CST)의 타단, 제5트랜지스터(T5)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제1 노드에 게이트 전극이 연결되고 제2 트랜지스터(T2)의 타단 전극과 제3 트랜지스터(T3)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제2 노드에 일단 전극이 연결되고 제1 트랜지스터(T1)의 일단 전극과 제4 트랜지스터(T4)의 일단 전극이 공통으로 연결된 제3 노드에 타단 전극이 연결된다.The driving transistor D-TFT has a gate electrode connected to a first node to which the other end electrode of the first transistor T1, the other end of the capacitor CST, and one end electrode of the fifth transistor T5 are commonly connected, and the second transistor One end electrode is connected to a second node to which the other end electrode of T2 and one end electrode of the third transistor T3 are commonly connected, and one end electrode of the first transistor T1 and one end electrode of the fourth transistor T4 have a common connection. The other end electrode is connected to the third node connected to

커패시터(CST)는 제1 전원 공급 배선과 제3 트랜지스터(T3)의 타단 전극에 일단이 연결되고 제5트랜지스터(T5)의 일단 전극, 구동 트랜지스터(D-TFT)의 게이트 전극 및 제1 트랜지스터(T1)의 타단 전극이 공통으로 연결된 제1 노드에 타단이 연결된다.The capacitor CST has one end connected to the first power supply line and the other end electrode of the third transistor T3, and one end electrode of the fifth transistor T5, the gate electrode of the driving transistor D-TFT, and the first transistor ( The other end is connected to the first node to which the electrode of the other end of T1) is connected in common.

유기 발광 다이오드(EL)는 제4 트랜지스터(T4)의 타단 전극에 제1 구동전극(231)이 연결되고 제2 전원 공급 배선에 제2 구동전극(233)이 연결된다.In the organic light emitting diode EL, the first driving electrode 231 is connected to the other end electrode of the fourth transistor T4 and the second driving electrode 233 is connected to the second power supply wiring.

제6 트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트 전극이 연결되고 유기 발광 다이오드(EL)의 제1 구동전극(231)에 일단 전극이 연결되고 초기화전압라인(VINI)에 타단 전극이 연결된다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴온되면, 유기 발광 다이오드(EL)의 제1 구동전극(231)은 초기화전압라인(VINI)을 통해 전달되는 초기화전압에 의해 초기화된다.The sixth transistor T6 has a gate electrode connected to the N-1th scan line SCAN[n-1], one electrode connected to the first driving electrode 231 of the organic light emitting diode EL, and an initialization voltage line The other end electrode is connected to (VINI). When the sixth transistor T6 is turned on, the first driving electrode 231 of the organic light emitting diode EL is initialized by the initialization voltage transmitted through the initialization voltage line VINI.

또한, 트랜지스터(TFT)의 일단 전극은 소스 전극일 수 있고, 타단 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 일단 전극은 드레인 전극일 수 있고, 타단 전극은 소스 전극일 수 있다. 또한, 제1 구동전극(231)은 애노드 전극일 수 있고, 제2 구동전극(233)은 캐소드 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 구동전극(231)은 캐소드 전극일 수 있고, 제2 구동전극(233)은 애노드 전극일 수 있다.In addition, one end electrode of the transistor TFT may be a source electrode and the other end electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto. For example, one end electrode may be a drain electrode, and the other end electrode may be a source electrode. In addition, the first driving electrode 231 may be an anode electrode, and the second driving electrode 233 may be a cathode electrode, but is not limited thereto. For example, the first driving electrode 231 may be a cathode electrode, and the second driving electrode 233 may be an anode electrode.

유기 발광 다이오드(EL)의 제2 구동전극(233)에 터치회로가 연결될 수 있다. 터치회로는 제2 구동전극(233)을 구성하는 제1 터치전극(233T)에 터치구동신호(TDS)를 인가하고, 제2 터치전극(233R)을 통해 터치센싱신호(TSS)를 전달 받음으로써 터치여부를 감지할 수 있다. A touch circuit may be connected to the second driving electrode 233 of the organic light emitting diode EL. The touch circuit applies the touch driving signal TDS to the first touch electrode 233T constituting the second driving electrode 233 and receives the touch sensing signal TSS through the second touch electrode 233R. Touch can be detected.

화소 회로를 구성하는 트랜지스터 및 커패시터 등의 회로 소자의 종류 및 개수는, 도 3에 도시 된 형태에 한정되지 않고, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 구성할 수 있다.The type and number of circuit elements such as transistors and capacitors constituting the pixel circuit are not limited to the form shown in FIG. 3 , and may be variously configured according to a provided function and a design method.

도 5는 실시예들에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱층이 봉지층 상에 위치하는 구조 하에서 발생하는 기생 캐패시턴스를 나타낸 도면이다. 5 is a diagram illustrating parasitic capacitance generated in a structure in which a touch sensing layer is positioned on an encapsulation layer in a display device according to example embodiments.

도 5를 참조하면, 실시예들에 따른 표시 장치(1)에서, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE), 터치라인들(TL) 등을 포함하는 터치 센싱층(270)은 봉지층(260) 상에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5 , in the display device 1 according to the embodiments, the touch sensing layer 270 including the first and second touch electrodes TE and RE and the touch lines TL is an encapsulation layer. It may be formed on 260 .

이와 같이, 터치 센싱층(270)이 봉지층(260) 상에 위치하는 구조를 TOE (Touch On Encapsulation Layer) 구조라고 한다. As described above, a structure in which the touch sensing layer 270 is positioned on the encapsulation layer 260 is referred to as a Touch On Encapsulation Layer (TOE) structure.

또한, 봉지층(260)의 하부에는, 발광 소자(230)의 제2 구동전극(233)이 존재할 수 있다. In addition, the second driving electrode 233 of the light emitting device 230 may exist under the encapsulation layer 260 .

이러한 제2 구동전극(233)에는 저준위 전압(ELVSS)이 인가될 수 있다. A low level voltage ELVSS may be applied to the second driving electrode 233 .

TOE 구조를 다시 설명하면, 터치 센싱층(270)은 표시 패널(10)에 내장될 수 있으며, 터치 센싱층(270)이 내장된 표시 패널(10)은 제2 구동전극(233)와, 제2 구동전극(233) 상에 위치한 봉지층(260)을 포함할 수 있으며, 복수의 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 및 복수의 터치라인들(TL)을 포함하는 터치 센싱층(270)이 봉지층(260) 상에 위치할 수 있다. To describe the TOE structure again, the touch sensing layer 270 may be embedded in the display panel 10 , and the display panel 10 in which the touch sensing layer 270 is embedded includes the second driving electrode 233 and the second driving electrode 233 . It may include an encapsulation layer 260 positioned on the second driving electrode 233 , and a touch sensing layer including a plurality of first and second touch electrodes TE and RE and a plurality of touch lines TL. 270 may be located on the encapsulation layer 260 .

이러한 TOE 구조에 따르면, 터치 센싱층(270)을 유기발광표시패널에 해당하는 표시 패널(10)에 효과적으로 내장할 수 있다. According to this TOE structure, the touch sensing layer 270 can be effectively embedded in the display panel 10 corresponding to the organic light emitting display panel.

한편, 봉지층(260)은 유기물, 무기물 등이 여러 층이 적층 된 복합 층일 수 있다. Meanwhile, the encapsulation layer 260 may be a composite layer in which several layers of organic materials, inorganic materials, and the like are stacked.

또한, 봉지층(260)은 절연층일 수 있다. Also, the encapsulation layer 260 may be an insulating layer.

이에 따라, 터치구동신호 등에 의한 소정의 전압이 인가되는 터치 센싱층(270)과 저준위 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 구동전극(233) 사이에 존재하는 봉지층(260)은 유전체로 작용하여, 터치 센싱층(270)과 제2 구동전극(233) 사이에 기생 캐패시턴스(Cp)가 형성될 수 있다. Accordingly, the encapsulation layer 260 existing between the touch sensing layer 270 to which a predetermined voltage is applied by a touch driving signal, etc. and the second driving electrode 233 to which the low-level voltage ELVSS is applied acts as a dielectric. , a parasitic capacitance Cp may be formed between the touch sensing layer 270 and the second driving electrode 233 .

터치 센싱층(270)과 제2 구동전극(233) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스(Cp)는 터치 센싱에 필요한 캐패시턴스가 아니라, 불필요한 기생 캐패시턴스에 해당한다. The parasitic capacitance Cp formed between the touch sensing layer 270 and the second driving electrode 233 corresponds to an unnecessary parasitic capacitance, not a capacitance required for touch sensing.

따라서, 터치 센싱층(270)과 제2 구동전극(233) 사이에 기생 캐패시턴스(Cp)가 형성되는 경우, 터치 감도가 크게 떨어질 수 있다. Accordingly, when the parasitic capacitance Cp is formed between the touch sensing layer 270 and the second driving electrode 233 , the touch sensitivity may be greatly reduced.

도 6a은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 기생 캐패시턴스를 저감하도록 제2 구동전극이 변형 된 구조에 대한 단면도이다.6A is a cross-sectional view illustrating a structure in which a second driving electrode is modified to reduce parasitic capacitance in the display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 6a을 참조하면, 기판(110)은 플렉서블리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(PI)로 이루어질 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(110)이 폴리이미드(PI)로 이루어지는 경우, 기판(110) 하부에 유리로 이루어지는 지지 기판이 배치된 상황에서 표시 장치(1)의 제조 공정이 진행되고, 표시 장치(1)의 제조 공정이 완료된 후 지지 기판이 릴리즈(release)될 수 있다. 또한, 지지 기판이 릴리즈된 후, 기판(110)을 지지하기 위한 백 플레이트(back plate)가 기판(110) 하부에 배치될 수도 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라 유리로 이루어진 지지 기판을 그대로 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 6A , the substrate 110 may be made of a plastic material having flexibility. When the substrate 110 is made of a plastic material, it may be made of, for example, polyimide (PI), but is not limited thereto. When the substrate 110 is made of polyimide (PI), the manufacturing process of the display device 1 is performed in a situation in which a support substrate made of glass is disposed under the substrate 110 , and the manufacturing process of the display device 1 is performed. After this is completed, the support substrate may be released. In addition, after the support substrate is released, a back plate for supporting the substrate 110 may be disposed under the substrate 110 . However, the present invention is not limited thereto, and in some cases, a support substrate made of glass may be used as it is.

기판(110) 상에는 단층 또는 다층구조의 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 기판(110)상에 배치된 버퍼층(120)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들이 교번으로 형성된 다중층으로 이루어질 수 있다.A buffer layer 120 having a single-layer or multi-layer structure may be disposed on the substrate 110 . The buffer layer 120 disposed on the substrate 110 may be formed of a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or multiple layers formed by alternating them.

버퍼층(120)은 버퍼층(120) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막 트랜지스터(TFT)를 보호할 수 있다. 그리고, 버퍼층(120)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 버퍼층(120)은 멀티 버퍼(multi buffer) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)를 포함할 수 있다. 그리고, 버퍼층(120)은 필수적인 구성요소는 아니며, 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터(TFT)의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.The buffer layer 120 improves adhesion between the layers formed on the buffer layer 120 and the substrate 110 , and protects the thin film transistor TFT from impurities such as alkali ions leaking from the substrate 110 or the underlying layers. can In addition, the buffer layer 120 may be made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The buffer layer 120 may include a multi buffer and/or an active buffer. In addition, the buffer layer 120 is not an essential component, and may be omitted based on the type and material of the substrate 110 , the structure and type of the thin film transistor (TFT), and the like.

도 6a을 참조하면, 기판(110) 상에서 발광 소자(230)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(140A), 게이트 전극(160G), 소스 전극(180S) 및 드레인 전극(180D)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 구동 박막 트랜지스터이다. 설명의 편의를 위해, 표시 장치(1)에 포함 될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으나, 스위칭 박막 트랜지스터 등과 같은 다른 박막 트랜지스터도 표시 장치(1)에 포함될 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 설명하였으나, 스태거드(staggered) 구조 등과 같은 다른 구조로 박막 트랜지스터가 구현될 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 6A , a thin film transistor (TFT) for driving the light emitting device 230 may be disposed on the substrate 110 . The thin film transistor TFT may include a semiconductor layer 140A, a gate electrode 160G, a source electrode 180S, and a drain electrode 180D. The thin film transistor (TFT) is a driving thin film transistor. For convenience of explanation, only the driving thin film transistor is illustrated among various thin film transistors that may be included in the display device 1 , but other thin film transistors such as switching thin film transistors may also be included in the display device 1 . In addition, although the thin film transistor (TFT) has been described as having a coplanar structure in the present specification, the thin film transistor may be implemented in other structures such as a staggered structure, but is not limited thereto.

박막 트랜지스터(TFT)는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(160G)에 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 공급 배선으로부터 발광소자(230)로 공급되는 전류를 제어함으로써 발광 소자(230)의 발광량을 조절하고, 스토리지 캐패시터(미도시)에 충전된 전압에 의해 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 발광 소자(230)가 발광을 유지하게 할 수 있다. 전원 공급 배선은 데이터 라인(DL)과 나란하게 형성될 수 있다.The thin film transistor TFT controls the amount of light emitted by the light emitting element 230 by controlling a current supplied from the power supply wiring to the light emitting element 230 in response to a data signal supplied to the gate electrode 160G of the thin film transistor TFT. And, by supplying a constant current until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor (not shown), the light emitting device 230 may maintain light emission. The power supply wiring may be formed parallel to the data line DL.

박막 트랜지스터(TFT)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 절연층(130) 상에 배치되는 반도체층(140A)과, 제2 절연층(150)을 사이에 두고 반도체층(140A)과 중첩되는 게이트 전극(160G)과, 제3 절연층(170) 상에 형성되어 반도체층(140A)과 접촉하는 소스 전극(180S) 및 드레인 전극(180D)을 구비할 수 있다. 여기에서, 화소 회로의 설계에 따라서, 소스 전극(180S)이 드레인 전극이 될 수 있으며, 드레인 전극(180D)이 소스 전극이 될 수 있다.As shown in FIG. 2 , the thin film transistor TFT has a semiconductor layer 140A disposed on the first insulating layer 130 and the semiconductor layer 140A with the second insulating layer 150 interposed therebetween. It may include a gate electrode 160G, a source electrode 180S and a drain electrode 180D formed on the third insulating layer 170 and contacting the semiconductor layer 140A. Here, depending on the design of the pixel circuit, the source electrode 180S may be a drain electrode, and the drain electrode 180D may be a source electrode.

도 6a을 참조하면, 반도체층(140A)은 제1 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 반도체층(140A)은 채널 영역, 소스 영역, 및 드레인 영역을 구비할 수 있다. 채널 영역은 제1 절연층(130)을 사이에 두고 게이트 전극(160G)과 중첩되어 소스 전극(180S) 및 드레인 전극(180D) 사이의 채널 영역을 형성할 수 있다. 소스 영역은 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(180S)과 전기적으로 접속된다. 드레인 영역은 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)을 관통하는 컨택홀을 통해 드레인 전극(180D)과 전기적으로 접속될 수 있다.Referring to FIG. 6A , the semiconductor layer 140A may be formed on the first insulating layer 130 . The semiconductor layer 140A may include a channel region, a source region, and a drain region. The channel region may overlap the gate electrode 160G with the first insulating layer 130 interposed therebetween to form a channel region between the source electrode 180S and the drain electrode 180D. The source region is electrically connected to the source electrode 180S through a contact hole passing through the second insulating layer 150 and the third insulating layer 170 . The drain region may be electrically connected to the drain electrode 180D through a contact hole passing through the second insulating layer 150 and the third insulating layer 170 .

반도체층(140A)은 박막 트랜지스터(TFT) 구동 시 채널이 형성되는 영역일 수 있다. 반도체층(140A)은 산화물(oxide) 반도체로 형성될 수도 있고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 펜타센 등과 같은 다양한 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor layer 140A may be a region in which a channel is formed when the thin film transistor (TFT) is driven. The semiconductor layer 140A may be formed of an oxide semiconductor, and various organic semiconductors such as amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), or pentacene. and the like, but is not limited thereto.

반도체층(140A)은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다. 폴리 실리콘 물질은 이동도가 높아(100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로, 표시 소자용 박막 트랜지스터들을 구동하는 구동 소자용 게이트 드라이버 및/또는 멀티플렉서(MUX) 등에 적용될 수 있으며, 본 명세서의 실시 예에 따른 표시 장치(1)에서 구동 박막 트랜지스터의 반도체층(140A)으로 적용될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 표시 장치(1)의 특성에 따라 스위칭 박막 트랜지스터의 반도체층으로 적용될 수도 있다. 제1 절연층(130) 상에 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 물질을 증착하고, 탈수소화 공정 및 결정화 공정을 수행하는 방식으로 폴리 실리콘이 형성되고, 폴리 실리콘을 패터닝하여 반도체층(140A)이 형성될 수 있다. The semiconductor layer 140A may include low temperature poly-silicon (LTPS). Since the polysilicon material has high mobility (100cm2/Vs or more), low energy consumption, and excellent reliability, it can be applied to a gate driver and/or a multiplexer (MUX) for driving devices that drive thin film transistors for display devices, etc. , may be applied as the semiconductor layer 140A of the driving thin film transistor in the display device 1 according to the embodiment of the present specification, but is not limited thereto. For example, it may be applied as a semiconductor layer of a switching thin film transistor according to the characteristics of the display device 1 . Polysilicon is formed by depositing an amorphous silicon (a-Si) material on the first insulating layer 130 , a dehydrogenation process and a crystallization process are performed, and the semiconductor layer 140A is formed by patterning the polysilicon. can be

반도체층(140A)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구동 시 채널이 형성되는 채널 영역(140C)과, 채널 영역(140C) 양 측의 소스 영역(140S) 및 드레인 영역(140D)을 포함할 수 있다. 소스 영역(140S)은 소스 전극(180S)과 연결된 반도체층(140A)의 부분일 수 있으며, 드레인 영역(140D)은 드레인 전극(180D)과 연결된 반도체층(140A)의 부분일 수 있다. 소스 영역(140S) 및 드레인 영역(140D)은 반도체층(140A)의 이온 도핑, 예를 들면, 불순물 도핑에 의해 구성될 수 있다. 소스 영역(140S) 및 드레인 영역(140D)은 폴리 실리콘 물질에 이온 도핑하여 생성될 수 있으며, 채널 영역(140C)은 이온 도핑되지 않고 폴리 실리콘 물질로 남겨진 부분일 수 있다.The semiconductor layer 140A may include a channel region 140C in which a channel is formed when the thin film transistor TFT is driven, and a source region 140S and a drain region 140D on both sides of the channel region 140C. The source region 140S may be a portion of the semiconductor layer 140A connected to the source electrode 180S, and the drain region 140D may be a portion of the semiconductor layer 140A connected to the drain electrode 180D. The source region 140S and the drain region 140D may be formed by ion doping of the semiconductor layer 140A, for example, doping with impurities. The source region 140S and the drain region 140D may be formed by ion doping a polysilicon material, and the channel region 140C may be a portion that is not ion-doped and is left as a polysilicon material.

반도체층(140A)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체 물질은 실리콘 물질과 비교하여 밴드 갭이 더 큰 물질이므로 오프(Off) 상태에서 전자가 밴드 갭을 넘어가지 못하며, 이에 따라 오프-전류(Off-Current)가 낮다. 따라서, 산화물 반도체로 이루어진 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 온(On) 시간이 짧고 오프(Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 박막 트랜지스터에 적합할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 표시 장치(1)의 특성에 따라 구동 박막 트랜지스터로 적용될 수도 있다. 그리고, 오프-전류가 작아서 보조 용량의 크기가 감소될 수 있으므로, 고해상도 표시 소자에 적합하다. 예를 들면, 반도체층(140A)은 금속 산화물로 이루어지고, 예를 들어, IGZO(indium-gallium-zinc-oxide) 등과 같은 다양한 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(140A)은 다양한 금속 산화물 중 IGZO로 이루어지는 것을 가정하여 IGZO층을 기초로 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 IGZO가 아닌 IZO(indium-zinc-oxide), IGTO(indium-gallium-tin-oxide), 또는 IGO(indium-gallium-oxide) 등과 같은 다른 금속 산화물로 형성될 수도 있다. 반도체층(140A)은, 금속 산화물을 제1 절연층(130) 상에 증착하고, 안정화를 위한 열처리 공정을 수행한 후, 금속 산화물을 패터닝하여 형성될 수 있다.The semiconductor layer 140A may be formed of an oxide semiconductor. Since the oxide semiconductor material has a larger band gap compared to the silicon material, electrons do not cross the band gap in the off state, and thus the off-current is low. Accordingly, a thin film transistor including a semiconductor layer made of an oxide semiconductor may be suitable for a switching thin film transistor having a short on time and a long off time, but is not limited thereto. Depending on the characteristics of the display device 1 , it may be applied as a driving thin film transistor. And, since the off-current is small, the size of the storage capacitor can be reduced, which is suitable for a high-resolution display device. For example, the semiconductor layer 140A may be formed of a metal oxide, for example, various metal oxides such as indium-gallium-zinc-oxide (IGZO). The semiconductor layer 140A of the thin film transistor (TFT) has been described as being formed based on the IGZO layer on the assumption that it is made of IGZO among various metal oxides, but is not limited thereto and not IGZO (indium-zinc-oxide) (IZO), IGTO (indium-gallium-tin-oxide), or other metal oxides such as IGO (indium-gallium-oxide). The semiconductor layer 140A may be formed by depositing a metal oxide on the first insulating layer 130 , performing a heat treatment process for stabilization, and then patterning the metal oxide.

도 6a을 참조하면, 반도체층(140A)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(120)과, 제1 절연층(130)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다. 제1 절연층(130)은 반도체층(140A)을 보호하며, 기판(110)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단할 수 있다. Referring to FIG. 6A , a buffer layer 120 and a first insulating layer 130 may be disposed between the semiconductor layer 140A and the substrate 110 . The buffer layer 120 may delay diffusion of moisture and/or oxygen penetrating into the substrate 110 . The first insulating layer 130 may protect the semiconductor layer 140A and block various types of defects introduced from the substrate 110 .

제1 절연층(130)과 접촉하는 버퍼층(120)의 최상층은 버퍼층(120)의 나머지 층들, 제1 절연층(130), 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)과 식각 특성이 다른 재질로 형성될 수 있다. 제1 절연층(130)과 접촉하는 버퍼층(120)의 최상층은 질화 실리콘(SiNx) 및 산화 실리콘(SiOx) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)의 나머지 층들, 제1 절연층(130), 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)은 질화 실리콘(SiNx) 및 산화 실리콘(SiOx) 중 나머지 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(130)과 접촉하는 버퍼층(120)의 최상층은 질화 실리콘(SiNx)으로 형성되고, 버퍼층(120)의 나머지 층들, 제1 절연층(130), 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)은 산화 실리콘(SiOx)로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The uppermost layer of the buffer layer 120 in contact with the first insulating layer 130 is etched with the remaining layers of the buffer layer 120 , the first insulating layer 130 , the second insulating layer 150 , and the third insulating layer 170 . It may be formed of a material having different properties. The uppermost layer of the buffer layer 120 in contact with the first insulating layer 130 may be formed of any one of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx). The remaining layers of the buffer layer 120 , the first insulating layer 130 , the second insulating layer 150 , and the third insulating layer 170 may be formed of the other of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx). . For example, the uppermost layer of the buffer layer 120 in contact with the first insulating layer 130 is formed of silicon nitride (SiNx), and the remaining layers of the buffer layer 120 , the first insulating layer 130 , and the second insulating layer are made of silicon nitride (SiNx). 150 and the third insulating layer 170 may be formed of silicon oxide (SiOx), but is not limited thereto.

게이트 전극(160G)은 제2 절연층(150) 상에 형성되며, 제2 절연층(150)을 사이에 두고 반도체층(140A)의 채널 영역과 중첩될 수 있다. 게이트 전극(160G)은 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층인 제1 도전 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The gate electrode 160G is formed on the second insulating layer 150 and may overlap the channel region of the semiconductor layer 140A with the second insulating layer 150 interposed therebetween. The gate electrode 160G includes magnesium (Mg), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). ) may be formed of a first conductive material that is a single layer or a multilayer made of any one or an alloy thereof, but is not limited thereto.

소스 전극(180S)은 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)을 관통하는 컨택홀을 통해 노출된 반도체층(140A)의 소스 영역과 접속될 수 있다. 드레인 전극(180D)은 소스 전극(180S)과 마주하며, 제2 절연층(150) 및 제3 절연층(170)을 관통하는 컨택홀을 통해 반도체층(140A)의 드레인 영역과 접속될 수 있다. 이러한 소스 전극(180S) 및 드레인 전극(180D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층인 제2 도전물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The source electrode 180S may be connected to a source region of the semiconductor layer 140A exposed through a contact hole penetrating the second insulating layer 150 and the third insulating layer 170 . The drain electrode 180D may face the source electrode 180S and may be connected to the drain region of the semiconductor layer 140A through a contact hole penetrating the second insulating layer 150 and the third insulating layer 170 . . The source electrode 180S and the drain electrode 180D include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper. (Cu) may be formed of a second conductive material that is a single layer or a multi-layer made of any one or two or more alloys, but is not limited thereto.

도 6a을 참조하면, 기판(110)의 비표시 영역(NA)에서, 제3 절연층(170)상에 게이트 구동부(GIP)의 일부로 구동요소로 기능하는 제1 전극(180)이 배치될 수 있다. 제1 전극(180)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스 전극(180S) 및 드레인 전극(180D)과 동일한 층상에 배치될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 게이트 구동부(GIP)는 제1 배선(140), 제2 배선(160) 및 제1 전극(180) 등과 같은 다양한 구성요소들로 구성될 수 있다. 후술하겠지만, 제1 전극(180)은 전원 공급 배선 및 제1 구동전극(231)과 전기적으로 연결되어 제1 구동전극(231)에 전원을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 6A , in the non-display area NA of the substrate 110 , the first electrode 180 serving as a driving element as a part of the gate driver GIP may be disposed on the third insulating layer 170 . have. The first electrode 180 may be disposed on the same layer as the source electrode 180S and the drain electrode 180D of the thin film transistor TFT, and may be made of the same material. As shown in FIG. 2 , the gate driver GIP may include various components such as a first wire 140 , a second wire 160 , and a first electrode 180 . As will be described later, the first electrode 180 may be electrically connected to the power supply wiring and the first driving electrode 231 to supply power to the first driving electrode 231 .

도 6a을 참조하면, 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)에서 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(180), 및 게이트 구동부(GIP) 상에 보호층(190)이 배치될 수 있다. 보호층(190)은 박막 트랜지스터(TFT), 제1 전극(180), 및 게이트 구동부(GIP)를 커버하도록 배치될 수 있다. 보호층(190)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 표시 영역(AA)에서, 보호층(190)에는 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(180D)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 그리고, 비표시 영역(NA)에서, 보호층(190)은 제1 전극(180)을 노출하기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6A , a passivation layer 190 may be disposed on the thin film transistor TFT, the first electrode 180 , and the gate driver GIP in the display area AA and the non-display area NA. . The passivation layer 190 may be disposed to cover the thin film transistor TFT, the first electrode 180 , and the gate driver GIP. The passivation layer 190 may be formed of a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or multiple layers thereof. In the display area AA, a contact hole for exposing the drain electrode 180D of the thin film transistor TFT may be formed in the passivation layer 190 . In addition, in the non-display area NA, a contact hole for exposing the first electrode 180 may be formed in the passivation layer 190 .

도 6a을 참조하면, 제1 중간층(200)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA) 모두에 배치될 수 있다. 제1 중간층(200)은 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 구동부(GIP) 및 여러 배선 또는 전극 등을 보호하고, 기판(110) 상의 단차를 완만하게 하여 기판(110) 상부의 표면이 균일한 높이를 갖도록 하기 위한 절연층이다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)에서, 보호층(190) 상에는 표시 영역(AA)의 박막 트랜지스터(TFT) 및 비표시 영역(NA)의 게이트 구동부(GIP) 등과 중첩하도록 제1 중간층(200)이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6A , the first intermediate layer 200 may be disposed in both the display area AA and the non-display area NA. The first intermediate layer 200 protects the thin film transistor (TFT), the gate driver (GIP), and various wires or electrodes, and smoothes the step on the substrate 110 so that the upper surface of the substrate 110 has a uniform height. It is an insulating layer to have In the display area AA and the non-display area NA, the first intermediate layer is disposed on the passivation layer 190 to overlap the thin film transistor TFT of the display area AA and the gate driver GIP of the non-display area NA, etc. 200 may be disposed.

제1 중간층(200)은 박막 트랜지스터(TFT) 및 게이트 구동부(GIP)를 보호하고, 기판(110) 상의 단차를 완만하게 하여 기판(110) 상부의 표면이 균일한 높이를 갖도록 하기 위한 유기물질층일 수 있다. 예를 들면, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The first intermediate layer 200 is an organic material layer for protecting the thin film transistor (TFT) and the gate driver (GIP), and smoothing the step on the substrate 110 so that the upper surface of the substrate 110 has a uniform height. can For example, it may be formed of an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, The present invention is not limited thereto.

제 1 중간층(200)은 얇게 형성될수록 공정에 유리하나, 제 1 전극(180)과 제 2 전극(210) 사이에서 적절한 간격을 유지하고, 제 1 전극(180)의 굴곡을 메우도록 적어도 1um 내지 5um의 범위 값을 가질 수 있다.The thinner the first intermediate layer 200, the more advantageous the process, but at least 1 μm to fill the curvature of the first electrode 180 while maintaining an appropriate distance between the first electrode 180 and the second electrode 210. It can have a range value of 5 μm.

도 6a을 참조하면, 제1 중간층(200) 상에는 제2 전극(210)이 배치될 수 있다. 그리고, 제2 전극(210)은 제1 전극(180)을 노출하는 제1 중간층(200) 및 보호층(190)의 제2 전극 컨택홀(211)을 통하여 제1 전극(180)과 연결될 수 있다. 제2 전극(210)은 박막 트랜지스터(TFT)와 발광소자(230)을 전기적으로 연결하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(210)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(180D)과 발광소자(230)의 제1 구동전극(231)을 전기적으로 연결하는 역할을 할 수 있다. 제2 전극(210)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 전극(210)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(180S)및 드레인 전극(180D)과 동일한 층상에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다Referring to FIG. 6A , the second electrode 210 may be disposed on the first intermediate layer 200 . In addition, the second electrode 210 may be connected to the first electrode 180 through the second electrode contact hole 211 of the first intermediate layer 200 and the protective layer 190 exposing the first electrode 180 . have. The second electrode 210 may serve to electrically connect the thin film transistor TFT and the light emitting device 230 . For example, the second electrode 210 may serve to electrically connect the drain electrode 180D of the thin film transistor TFT and the first driving electrode 231 of the light emitting device 230 . The second electrode 210 may include any one of molybdenum (Mo), copper (Cu), titanium (Ti), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). Or it may be formed as a single layer or multiple layers made of an alloy thereof, but is not limited thereto. The second electrode 210 may be formed on the same layer as the source electrode 180S and the drain electrode 180D of the thin film transistor TFT, and may be made of the same material, but is not limited thereto.

제2 전극(210)은 제1 중간층(200) 및 제2 중간층(220) 사이에 배치될 수 있다. 제2 전극(210)은 보호층(190) 및 제1 중간층(200)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(211)을 통해 노출되어 드레인 전극(180D)과 접속될 수 있다. 제2 전극(210)은 드레인 전극(180D)과 동일하거나 유사하게 비저항이 낮은 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 210 may be disposed between the first intermediate layer 200 and the second intermediate layer 220 . The second electrode 210 may be exposed through the second electrode contact hole 211 penetrating the passivation layer 190 and the first intermediate layer 200 to be connected to the drain electrode 180D. The second electrode 210 may be made of a material having a low resistivity, which is the same as or similar to that of the drain electrode 180D, but is not limited thereto.

도 6a을 참조하면, 제2 중간층(220) 및 뱅크층(240) 상에는 발광층(232)을 포함하는 발광 소자(230)가 배치될 수 있다. 발광 소자(230)는 제1 구동전극(231)과, 제1 구동전극(231) 상에 형성되는 적어도 하나의 발광층(232)과, 발광층(232) 위에 형성된 제2 구동전극(233)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 6A , the light emitting device 230 including the light emitting layer 232 may be disposed on the second intermediate layer 220 and the bank layer 240 . The light emitting device 230 includes a first driving electrode 231 , at least one light emitting layer 232 formed on the first driving electrode 231 , and a second driving electrode 233 formed on the light emitting layer 232 . can do.

제1 구동전극(231) 은 제1 중간층(200) 상에 배치되는 제2 중간층(220)을 관통하는 컨택홀을 통해 노출된 제2 전극(210)과 전기적으로 접속될 수 있다.The first driving electrode 231 may be electrically connected to the exposed second electrode 210 through a contact hole penetrating the second intermediate layer 220 disposed on the first intermediate layer 200 .

각 부화소의 제1 구동전극(231)은 뱅크층(240)에 의해 노출되도록 형성된다. 뱅크층(240)은 인접한 부화소 간 광 간섭을 방지하도록 불투명 재질(예를 들어, 블랙)로 형성될 수도 있다. 이 경우, 뱅크층(240)는 칼라 안료, 유기 블랙 및 카본 중 적어도 어느 하나로 이루어진 차광재질을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The first driving electrode 231 of each sub-pixel is formed to be exposed by the bank layer 240 . The bank layer 240 may be formed of an opaque material (eg, black) to prevent optical interference between adjacent sub-pixels. In this case, the bank layer 240 may include a light blocking material made of at least one of a color pigment, organic black, and carbon, but is not limited thereto.

본 명세서의 실시 예에 따른 표시 장치(1)에서는 박막 트랜지스터(TFT) 상부의 층에서 발생하는 단차를 완만하게 하여 기판(110) 상부의 표면이 균일한 높이를 갖도록 하기 위한 절연층으로 표시 영역(AA)에 제1 중간층(200) 및 제2 중간층(220)을 구성할 수 있다.In the display device 1 according to the embodiment of the present specification, the display region ( The first intermediate layer 200 and the second intermediate layer 220 may be formed in AA).

도 6a을 참조하면, 제2 중간층(220)은 제2 전극(210) 및 제1 중간층(200) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(200) 상에서 제2 전극(210)을 커버하도록 제2 중간층(220)이 배치될 수 있다. 그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 중간층(220)에는 제2 전극(210)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6A , the second intermediate layer 220 may be disposed on the second electrode 210 and the first intermediate layer 200 . For example, the second intermediate layer 220 may be disposed on the first intermediate layer 200 to cover the second electrode 210 . And, as shown in FIG. 2 , a contact hole for exposing the second electrode 210 may be formed in the second intermediate layer 220 .

제1 중간층(200) 및 제2 중간층(220)이 접촉함에 따라 접착력이 향상되어 제2 전극(210)의 들뜸으로 인한 불량을 저감할 수 있다. 또한, 제2 중간층(220)은 제1 중간층(200) 상의 제2 전극(210)으로 인한 하부구조의 단차를 더욱 완화시키면서 하부 구조를 추가적으로 보호하는 유기물질층일 수 있다. 예를 들면, 제2 중간층(220)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 중간층(220)은 제1 중간층(200)과 동일한 물질로 이루어 질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.As the first intermediate layer 200 and the second intermediate layer 220 come into contact with each other, adhesion is improved, and thus defects due to the lifting of the second electrode 210 can be reduced. In addition, the second intermediate layer 220 may be an organic material layer that additionally protects the lower structure while further alleviating the step difference in the lower structure due to the second electrode 210 on the first intermediate layer 200 . For example, the second intermediate layer 220 may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, and a polyimide resin. It may be formed of an organic material, but is not limited thereto. The second intermediate layer 220 may be made of the same material as the first intermediate layer 200 , but is not limited thereto.

도 6a을 참조하면, 박막 트랜지스터(TFT) 상부의 층에서 발생하는 단차를 완만하게 하여 기판(110) 상부의 표면이 균일한 높이를 갖도록 하기 위한 절연층으로 표시 영역(AA)에서 제1 중간층(200) 및 제2 중간층(220)을 구성할 수 있다. 이에, 표시 장치(1)에서 사용되는 다양한 배선이 배치될 수 있는 추가적인 공간이 제공될 수 있다. 예를 들면, 하나의 중간층이 사용되는 경우에 비해, 제1 중간층(200)과 제2 중간층(220) 사이의 공간, 즉, 제1 중간층(200) 상면에 배선을 배치할 수 있는 추가적인 공간이 제공될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 실시 예에 따른 표시 장치(1)에서는 배선 배치에 대한 설계 자유도가 증가할 수 있다. 이에, 보다 고해상도의 표시 장치(1)가 제공될 수 있으며, 표시 장치(1)의 표시 영역(AA)에 배치된 배선의 높은 저항 때문에 발생할 수 있는 휘도 분균일 문제가 해결될 수 있다.Referring to FIG. 6A , it is an insulating layer for smoothing the step generated in the upper layer of the thin film transistor (TFT) so that the upper surface of the substrate 110 has a uniform height. In the display area AA, the first intermediate layer ( 200) and the second intermediate layer 220 may be configured. Accordingly, an additional space in which various wirings used in the display device 1 may be disposed may be provided. For example, compared to the case where one intermediate layer is used, the space between the first intermediate layer 200 and the second intermediate layer 220 , that is, an additional space for arranging the wiring on the upper surface of the first intermediate layer 200 . can be provided. Accordingly, in the display device 1 according to the exemplary embodiment of the present specification, the degree of freedom in designing wiring arrangement may be increased. Accordingly, the display device 1 having a higher resolution may be provided, and the luminance unevenness problem that may occur due to the high resistance of the wiring disposed in the display area AA of the display device 1 may be solved.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 발광소자(230)의 제1 구동전극(231)은 제2 중간층(220) 상에 배치될 수 있다. 제1 구동전극(231)은 제2 중간층(220)에 형성된 컨택홀을 통하여 제2 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 구동전극(231)은 제2 중간층(220)에 형성된 컨택홀을 통하여 제2 전극(210)과 연결됨으로써, 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.6A and 6B , the first driving electrode 231 of the light emitting device 230 may be disposed on the second intermediate layer 220 . The first driving electrode 231 may be electrically connected to the second electrode 210 through a contact hole formed in the second intermediate layer 220 . Accordingly, the first driving electrode 231 may be electrically connected to the thin film transistor TFT by being connected to the second electrode 210 through a contact hole formed in the second intermediate layer 220 .

제1 구동전극(231)은 투명 도전막 및 반사효율이 높은 불투명 도전막을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 투명 도전막으로는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)과 같은 일함수 값이 비교적 큰 재질로 이루질 수 있다. 그리고, 불투명 도전막으로는 Al, Ag, Cu, Pb, Mo, 및 Ti 또는 이들의 합금을 포함하는 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 구동전극(231)은 투명 도전막, 불투명 도전막, 및 투명 도전막이 순차적으로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 투명 도전막 및 불투명 도전막이 순차적으로 적층된 구조로도 형성될 수 있다.The first driving electrode 231 may be formed in a multilayer structure including a transparent conductive film and an opaque conductive film having high reflective efficiency. The transparent conductive layer may be made of a material having a relatively large work function value, such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). In addition, the opaque conductive layer may have a single-layer or multi-layer structure including Al, Ag, Cu, Pb, Mo, and Ti or an alloy thereof. For example, the first driving electrode 231 may be formed in a structure in which a transparent conductive layer, an opaque conductive layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked. However, the present invention is not limited thereto, and a structure in which a transparent conductive film and an opaque conductive film are sequentially stacked may also be formed.

본 명세서의 실시 예에 따른 표시 장치(1)는 상부 발광(Top Emission)방식의 표시 장치(1)일 수 있고, 또한 하부 발광(Bottom Emission) 방식의 표시 장치(1)일 수 있다. 따라서, 제2 중간층(220) 상에 배치된 제1 구동전극(231)은 캐소드 전극일 수 있고, 또한, 제1 구동전극(231)은 애노드 전극일 수 있다.The display device 1 according to the exemplary embodiment of the present specification may be a top emission type display device 1 or may be a bottom emission type display device 1 . Accordingly, the first driving electrode 231 disposed on the second intermediate layer 220 may be a cathode electrode, and the first driving electrode 231 may be an anode electrode.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 뱅크층(240)은 표시 영역(AA)에서 서로 인접하는 부화소(SP)를 구분하기 위한 구조물로서, 복수의 부화소(SP)를 정의할 수 있다. 뱅크층(240)는 유기물로 이루어질 수 있다. 제1 구동전극(231) 및 제2 중간층(220) 상에는 뱅크층(240)이 배치될 수 있다. 6A and 6B , the bank layer 240 is a structure for distinguishing adjacent sub-pixels SP in the display area AA, and may define a plurality of sub-pixels SP. The bank layer 240 may be formed of an organic material. A bank layer 240 may be disposed on the first driving electrode 231 and the second intermediate layer 220 .

표시 영역(AA)에서, 뱅크층(240)에는 제1 구동전극(231)을 노출하기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 뱅크층(240)은 표시 장치(1)의 발광영역을 정의할 수 있으므로 화소 정의막이라고 할 수도 있다. 뱅크층(240)은 제1 구동전극(231)의 양끝단을 덮도록 배치될 수 있다. In the display area AA, an opening for exposing the first driving electrode 231 may be formed in the bank layer 240 . The bank layer 240 may define a light emitting area of the display device 1 and thus may be referred to as a pixel defining layer. The bank layer 240 may be disposed to cover both ends of the first driving electrode 231 .

뱅크층(240) 상에는 스페이서(미도시)가 더 배치될 수 있다. 그리고, 비표시 영역(NA)에서, 뱅크층(240)는 제2 전극(210)을 노출하기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. A spacer (not shown) may be further disposed on the bank layer 240 . In addition, in the non-display area NA, a contact hole for exposing the second electrode 210 may be formed in the bank layer 240 .

뱅크층(240) 및 스페이서는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 뱅크층(240) 및 스페이서는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(240) 및 스페이서는 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이 클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The bank layer 240 and the spacer may be formed of the same material. In addition, the bank layer 240 and the spacer may be formed of an organic material. For example, the bank layer 240 and the spacer may be made of polyimide, acryl, or benzocyclobutene (BCB)-based resin, but is not limited thereto.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 뱅크층(240)에 의해 마련된 발광 영역의 제1 구동전극(231) 상에 적어도 하나의 발광층(232)이 형성될 수 있다. 적어도 하나의 발광층(232)은 제1 구동전극(231) 상에 정공수송층, 정공주입층, 정공저지층, 유기 발광층, 전자주입층, 전자저지층, 및 전자수송층 등을 포함하며, 발광 방향에 따라 순차 또는 역순으로 적층되어 형성될 수 있다. 이외에도 발광층(232)은 전하 생성층을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 발광 스택들을 구비할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 발광 스택 중 어느 하나의 유기 발광층은 청색 광을 생성하고, 제1 및 제2 발광 스택 중 나머지 하나의 유기 발광층은 노란색-녹색 광을 생성함으로써 제1 및 제2 발광 스택을 통해 백색 광이 생성될 수 있다. 이 발광 스택에서 생성된 백색 광은 발광층(232) 상부 또는 하부에 위치하는 컬러 필터에 입사되므로 컬러 영상을 구현할 수 있다. 다른 예로는, 별도의 컬러 필터 없이 각 발광층(232)에서 각 부화소에 해당하는 컬러 광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 예를 들면, 적색 부화소의 발광층(232)은 적색 광을, 녹색 부화소의 발광층(232)은 녹색 광을, 청색 부화소의 발광층(232)은 청색 광을 생성할 수도 있다.6A and 6B , at least one emission layer 232 may be formed on the first driving electrode 231 in the emission region provided by the bank layer 240 . The at least one light emitting layer 232 includes a hole transport layer, a hole injection layer, a hole blocking layer, an organic light emitting layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, etc. on the first driving electrode 231, and in the emission direction It may be formed by being stacked sequentially or in reverse order according to the present invention. In addition, the light emitting layer 232 may include first and second light emitting stacks facing each other with the charge generating layer interposed therebetween. In this case, an organic light emitting layer of any one of the first and second light emitting stacks generates blue light, and the organic light emitting layer of the other one of the first and second light emitting stacks generates yellow-green light, thereby generating the first and second light emission. White light may be generated through the stack. Since white light generated in the light emitting stack is incident on a color filter positioned above or below the light emitting layer 232 , a color image may be realized. As another example, a color image may be implemented by generating color light corresponding to each sub-pixel in each emission layer 232 without a separate color filter. For example, the emission layer 232 of the red subpixel may generate red light, the emission layer 232 of the green subpixel may generate green light, and the emission layer 232 of the blue subpixel may generate blue light.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제2 구동전극(233)은 발광층(232)을 사이에 두고 제1 구동전극(231)과 대향하도록 형성 될 수 있다.6A and 6B , the second driving electrode 233 may be formed to face the first driving electrode 231 with the emission layer 232 interposed therebetween.

본 명세서의 실시 예에 따른 표시 장치(1)는 상부 발광(Top Emission)방식의 표시 장치(1)일 수 있고, 또한 하부 발광(Bottom Emission) 방식의 표시 장치(1)일 수 있다. 따라서, 발광층(232) 및 뱅크층(240) 상에 배치된 제2 구동전극(233)은 캐소드 전극일 수 있고, 또한, 제1 구동전극(233)은 애노드 전극일 수 있다.The display device 1 according to the exemplary embodiment of the present specification may be a top emission type display device 1 or may be a bottom emission type display device 1 . Accordingly, the second driving electrode 233 disposed on the emission layer 232 and the bank layer 240 may be a cathode electrode, and the first driving electrode 233 may be an anode electrode.

제2 구동전극(233)은 제1 터치 전극(TE) 및 제2 터치 전극(RE)과 중첩하지 않도록 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE) 및 제2 터치 전극(RE)과 제2 구동전극(233)의 관계에 대한 보다 상세한 구조는 후술하기로 한다.The second driving electrode 233 may be formed so as not to overlap the first touch electrode TE and the second touch electrode RE. A more detailed structure of the relationship between the first touch electrode TE and the second touch electrode RE and the second driving electrode 233 will be described later.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 봉지층(260)은 발광 소자(230) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 구동전극(233) 상에는 수분 침투를 억제하는 봉지층(260)이 더 배치될 수 있다.6A and 6B , the encapsulation layer 260 may be disposed on the light emitting device 230 . For example, an encapsulation layer 260 for suppressing penetration of moisture may be further disposed on the second driving electrode 233 .

봉지층(260)은, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 봉지층(260)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막은 무기막의 표면을 균일한 높이로 만드는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하면, 단일 층일 경우에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길고 복잡하게 되어 유기발광소자까지 수분/산소가 침투하는 것이 어려워진다. 본 명세서에서는 제1 봉지층(261), 제2 봉지층(262) 및 제3 봉지층(263)이 순차적으로 적층된 봉지층(260)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.The encapsulation layer 260 prevents penetration of oxygen and moisture from the outside in order to prevent oxidation of the light emitting material and the electrode material. When the organic light emitting diode is exposed to moisture or oxygen, a pixel shrinkage phenomenon in which the light emitting area is reduced may occur or a dark spot may occur in the light emitting area. The encapsulation layer 260 may be formed of an inorganic film made of a glass, metal, aluminum oxide (AlOx) or silicon (Si)-based material, or may have a structure in which an organic film and an inorganic film are alternately stacked. The inorganic film blocks penetration of moisture or oxygen, and the organic film plays a role in making the surface of the inorganic film uniform. When the encapsulation layer is formed as a multi-layered thin film, the movement path of moisture or oxygen becomes longer and more complicated than in the case of a single layer, making it difficult for moisture/oxygen to penetrate to the organic light emitting device. In the present specification, the structure of the encapsulation layer 260 in which the first encapsulation layer 261 , the second encapsulation layer 262 , and the third encapsulation layer 263 are sequentially stacked will be described as an example.

제1 봉지층(261)은 제2 구동전극(233)이 형성된 기판(110) 상에 형성된다. 제3 봉지층(263)은 제2 봉지층(262)이 형성된 기판(110) 상에 형성되며, 제1 봉지층(261)과 함께 제2 봉지층(262)의 상부면, 하부면 및 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이러한 제1 봉지층(261) 및 제3 봉지층(263)은 외부의 수분이나 산소가 발광 소자(230)로 침투하는 것을 최소화하거나 방지할 수 있다. 제1 봉지층(261) 및 제3 봉지층(263)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제1 봉지층(261) 및 제3 봉지층(263)은 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 봉지층(261) 및 제3 봉지층(263)의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광 소자(230)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.The first encapsulation layer 261 is formed on the substrate 110 on which the second driving electrode 233 is formed. The third encapsulation layer 263 is formed on the substrate 110 on which the second encapsulation layer 262 is formed, and together with the first encapsulation layer 261 , the upper surface, the lower surface, and the side surfaces of the second encapsulation layer 262 . It may be formed to surround. The first encapsulation layer 261 and the third encapsulation layer 263 may minimize or prevent external moisture or oxygen from penetrating into the light emitting device 230 . The first encapsulation layer 261 and the third encapsulation layer 263 are made of an inorganic insulating material capable of low-temperature deposition, such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al2O3). can be formed. Since the first encapsulation layer 261 and the third encapsulation layer 263 are deposited in a low temperature atmosphere, the light emitting device 230 is vulnerable to a high temperature atmosphere during the deposition process of the first encapsulation layer 261 and the third encapsulation layer 263 . can be prevented from being damaged.

제2 봉지층(262)은 표시 장치(1)의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 각 층들 간의 단차를 평탄화 할 수 있다. 이 제2 봉지층(262)은 제1 봉지층(261)이 형성된 기판(110) 상에 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 및 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 비감광성 유기 절연 재질 또는 포토아크릴과 같은 감광성 유기 절연 재질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 봉지층(262)이 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 액상 형태의 제2 봉지층(262)이 기판(110)의 가장자리로 확산되는 것을 방지하도록 댐(미도시)이 배치될 수 있다. 댐은 제2 봉지층(262)보다 기판(110)의 가장자리에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이러한 댐에 의해, 기판(110)의 최외곽에 배치되는 도전 패드가 배치되는 패드 영역으로 제2 봉지층(262)이 확산되는 것을 방지할 수 있다.The second encapsulation layer 262 may serve as a buffer for relieving stress between layers due to bending of the display device 1 , and may planarize a step between the layers. The second encapsulation layer 262 is formed on the substrate 110 on which the first encapsulation layer 261 is formed, including acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, and polyamide resin. resin), polyimide resin, and a non-photosensitive organic insulating material such as polyethylene or silicon oxycarbon (SiOC) or a photosensitive organic insulating material such as photoacrylic, but is not limited thereto. When the second encapsulation layer 262 is formed through the inkjet method, a dam (not shown) may be disposed to prevent the liquid second encapsulation layer 262 from diffusing to the edge of the substrate 110 . The dam may be disposed closer to the edge of the substrate 110 than the second encapsulation layer 262 . Due to such a dam, it is possible to prevent the second encapsulation layer 262 from being diffused into the pad region where the conductive pad disposed at the outermost side of the substrate 110 is disposed.

댐은 제2 봉지층(262)의 확산이 방지되도록 설계되나, 공정 중에 댐의 높이를 넘도록 제2 봉지층(262)이 형성되는 경우, 유기층인 제2 봉지층(262)이 외부로 노출될 수 있으므로, 수분 등이 발광소자 내부로 침투가 용이하게 될 수 있다. 따라서, 이를 방지하도록 댐은 적어도 2개 이상으로 중복하여 형성될 수 있다. 댐은 비표시 영역(NA)의 보호층(190) 상에 배치될 수 있다. The dam is designed to prevent diffusion of the second encapsulation layer 262, but when the second encapsulation layer 262 is formed to exceed the height of the dam during the process, the second encapsulation layer 262, which is an organic layer, may be exposed to the outside. Therefore, moisture and the like may easily penetrate into the light emitting device. Accordingly, to prevent this, at least two dams may be overlapped. The dam may be disposed on the passivation layer 190 of the non-display area NA.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 봉지층(260) 상에는 터치 센싱층(270)이 형성된다. 터치 센싱층(270)은 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들 및 터치 절연층(272)을 포함한다.6A and 6B , the touch sensing layer 270 is formed on the encapsulation layer 260 . The touch sensing layer 270 includes first touch electrodes TE, second touch electrodes RE, connection electrodes BE, and a touch insulating layer 272 .

제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)들은 동일한 층에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)들은 서로 이격되어 있으며, 서로 전기적으로 절연된다. 터치 절연층(272)은 터치 무기막과 터치 유기막을 포함할 수 있다.The first and second touch electrodes TE and RE may be disposed on the same layer. The first and second touch electrodes TE and RE are spaced apart from each other and electrically insulated from each other. The touch insulating layer 272 may include a touch inorganic layer and a touch organic layer.

구체적으로, 봉지층(260) 상에는 연결 전극(BE)들이 형성될 수 있다. 연결 전극(BE)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.Specifically, connection electrodes BE may be formed on the encapsulation layer 260 . The connection electrodes BE may include any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu) or these It may be formed as a single layer or multiple layers made of an alloy of

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 봉지층(260)을 구성하는 제3 봉지층(263) 상에 버퍼막(271)은 봉지층(260)을 덮도록 형성될 수 있다. 버퍼층(271)은 무기막 또는 유기막으로 형성될 수 있다. 버퍼층(271)이 무기막으로 형성되는 경우, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼층(271)이 유기막으로 형성되는 경우, 버퍼층(271) 상에 플라즈마 처리하여 버퍼층(271)의 표면 거칠기(roughness)를 거칠게할 수 있다. 이 경우, 연결 전극(BE)들과 접촉하는 버퍼층(271)의 면적을 늘릴 수 있으므로, 버퍼층(271)과 연결 전극(BE)들의 계면 접착력을 높일 수 있다.6A and 6B , a buffer layer 271 may be formed on the third encapsulation layer 263 constituting the encapsulation layer 260 to cover the encapsulation layer 260 . The buffer layer 271 may be formed of an inorganic layer or an organic layer. When the buffer layer 271 is formed of an inorganic layer, it may be formed of a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof. When the buffer layer 271 is formed of an organic layer, the surface roughness of the buffer layer 271 may be roughened by plasma treatment on the buffer layer 271 . In this case, since the area of the buffer layer 271 in contact with the connection electrodes BE may be increased, interfacial adhesion between the buffer layer 271 and the connection electrodes BE may be increased.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 봉지층(260)과 연결 전극(BE)들 사이에 버퍼층(271)을 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 봉지층(260)을 구성하는 제3 봉지층(263) 상에 연결 전극(BE)들이 직접 접촉 할 수 있다.Referring to FIGS. 6A and 6B , although it is illustrated that the buffer layer 271 is formed between the encapsulation layer 260 and the connection electrodes BE, the present invention is not limited thereto. The connection electrodes BE may be in direct contact with the encapsulation layer 263 .

연결 전극(BE)들 상에는 터치 무기막이 형성될 수 있다. 터치 무기막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A touch inorganic layer may be formed on the connection electrodes BE. The touch inorganic layer may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof.

터치 무기막 상에는 터치 유기막이 형성될 수 있다. 터치 유기막에는 콘택홀들이 형성되므로 감광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 유기막은 감광 물질을 포함하는 포토 아크릴(photo acrylate)로 형성될 수 있다.A touch organic layer may be formed on the touch inorganic layer. Since contact holes are formed in the touch organic layer, a photosensitive material may be included. For example, the touch organic layer may be formed of photo acrylate including a photosensitive material.

터치 무기막은 연결 전극(BE)들과 터치 유기막 사이에서 터치 유기막이 들뜨는 유기막 들뜸을 방지할 수 있다. 연결 전극(BE)들과 터치 무기막 사이의 계면 접착력은 연결 전극(BE)들과 터치 유기막 사이의 계면 접착력에 비해 높기 때문에, 연결 전극(BE)들과 터치 유기막 사이에 터치 무기막을 형성하는 경우, 연결 전극(BE)들과 터치 유기막 사이에서 터치 유기막이 들뜨는 유기막 들뜸을 방지 할 수 있다. 또한, 터치 무기막은 봉지층(260)의 제1 및 제3 봉지층(261, 263)과 함께 발광층(262)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할도 한다.The touch inorganic layer may prevent the organic layer from floating between the connection electrodes BE and the touch organic layer in which the touch organic layer is lifted. Since the interfacial adhesive force between the connection electrodes BE and the touch inorganic layer is higher than the interfacial adhesive force between the connection electrodes BE and the touch organic layer, a touch inorganic layer is formed between the connection electrodes BE and the touch organic layer. In this case, it is possible to prevent the organic layer from floating between the connection electrodes BE and the touch organic layer, in which the touch organic layer is lifted. In addition, the touch inorganic layer also serves to prevent oxygen or moisture from penetrating into the light emitting layer 262 together with the first and third encapsulation layers 261 and 263 of the encapsulation layer 260 .

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 터치 절연층(272)이 터치 무기막 및 터치 유기막을 모두 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 터치 절연층(272)은 터치 무기막 및 터치 유기막 중 어느 하나를 포함할 수도 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, although it has been described that the touch insulating layer 272 includes both a touch inorganic layer and a touch organic layer, the present disclosure is not limited thereto. In another embodiment, the touch insulating layer 272 may include any one of a touch inorganic layer and a touch organic layer.

터치 유기막 상에는 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들은 터치 무기막과 터치 유기막을 관통하여 연결 전극(BE)을 노출시키는 콘택홀을 통해 연결 전극(BE)과 접속될 수 있다. 이로 인해, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들의 교차 영역들에서 연결 전극(BE)들을 이용하여 제1 터치 전극(TE)들을 연결하므로, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 서로 단락되지 않는다. 또한, 제1 및 제2 터치 전극들(TE, RE)은 부화소(SP)의 개구 영역이 줄어드는 것을 방지하기 위해 뱅크층(240)와 중첩되게 배치될 수 있다.First touch electrodes TE and second touch electrodes RE may be formed on the touch organic layer. The first touch electrodes TE may be connected to the connection electrode BE through a contact hole that penetrates the touch inorganic layer and the touch organic layer to expose the connection electrode BE. For this reason, since the first touch electrodes TE are connected using the connection electrodes BE in the intersection regions of the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE, the first touch electrode TE and the second touch electrodes RE are not shorted to each other. Also, the first and second touch electrodes TE and RE may be disposed to overlap the bank layer 240 to prevent the opening area of the sub-pixel SP from being reduced.

제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.The first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ) and copper (Cu), or may be formed of a single layer or multiple layers made of an alloy thereof.

한편, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 봉지층(260) 상에 연결 전극(BE)들이 형성되고, 연결 전극(BE)들 상에 터치 절연층(272)이 형성되며, 터치 절연층(272) 상에 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서는 봉지층(260) 상에 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성되고, 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극 (RE)들 상에 터치 절연층(272)이 형성되며, 터치 절연층(272) 상에 연결 전극(BE)들이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the connection electrodes BE are formed on the encapsulation layer 260 , the touch insulation layer 272 is formed on the connection electrodes BE, and the touch insulation layer Although the example in which the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE are formed on the 272 is not limited thereto. In another embodiment, first touch electrodes TE and second touch electrodes RE are formed on the encapsulation layer 260 , and on the first touch electrodes TE and second touch electrodes RE A touch insulating layer 272 is formed, and connection electrodes BE may be formed on the touch insulating layer 272 .

도 7a는 메쉬 타입으로 형성 된 터치 센싱층의 도면이고, 도 7b는 터치 센싱층이 도 7a와 같이 메쉬 타입으로 형성 될 때, 제2 구동전극과 터치 센싱층, 부화소를 중첩하여 도시한 도면이다. 도 7c는 일 실시예에 따른 제2 구동전극과 터치 센싱층이 서로 중첩하는 영역의 도면이고, 도 7d는 다른 실시예에 따른 제2 구동전극과 터치 센싱층이 서로 중첩하는 영역의 도면이다.7A is a view of a touch sensing layer formed in a mesh type, and FIG. 7B is a diagram illustrating a second driving electrode, a touch sensing layer, and a sub-pixel overlapped when the touch sensing layer is formed in a mesh type as shown in FIG. 7A. to be. 7C is a diagram of a region where the second driving electrode and the touch sensing layer overlap each other according to an exemplary embodiment, and FIG. 7D is a diagram of an area where the second driving electrode and the touch sensing layer overlap each other according to another embodiment.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 터치 센싱층(270)에서 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE) 각각은 그물망 타입(메쉬 타입)으로 패터닝 되어 구멍들(OA)이 존재 할 수 있다. 여기서, 구멍(OA)을 오픈 영역이라고도 한다.7A and 7B , each of the first and second touch electrodes TE and RE in the touch sensing layer 270 may be patterned in a mesh type (mesh type), so that holes OA may exist. Here, the hole OA is also referred to as an open area.

제1 및 제2 터치 전극(TE, RE) 각각이 그물망 타입(메쉬 타입)으로 패터닝 되어 형성된 터치 센싱층(270)에서, 구멍들(OA) 각각은 하나 이상의 부화소의 발광층(232)와 대응될 수 있다. In the touch sensing layer 270 formed by patterning each of the first and second touch electrodes TE and RE in a mesh type (mesh type), each of the holes OA corresponds to the emission layer 232 of one or more sub-pixels. can be

유기 발광 다이오드(EL)를 이용하는 표시 장치는 유기 발광 다이오드(EL)의 발광을 위해 제1 구동전극(231)에서 유기 발광 다이오드(EL)를 거쳐 제2 구동전극(233)으로 전류 구동 방식으로 동작 한다. A display device using an organic light emitting diode (EL) operates in a current driving method from a first driving electrode 231 to a second driving electrode 233 through the organic light emitting diode EL to emit light of the organic light emitting diode (EL). do.

이를 위해, 제2 구동전극(233)에는 저전위 전압(ELVSS)이 생성되며, 일반적으로 제2 구동전극(233)은 플레이트 형태의 구조로 형성 될 수 있다. To this end, the low potential voltage ELVSS is generated in the second driving electrode 233 , and in general, the second driving electrode 233 may be formed in a plate shape.

봉지층(26) 상에 터치 센싱층(270)이 형성되는 경우, 제2 구동전극과 메쉬 타입의 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되므로, 터치 센싱 시 노이즈 증가의 원인이 될 수 있다.When the touch sensing layer 270 is formed on the encapsulation layer 26 , parasitic capacitance is formed between the second driving electrode and the mesh-type first and second touch electrodes TE and RE, so that noise is generated during touch sensing. may cause an increase.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제2 구동전극(233)은 기생 캐패시턴스(Cp)를 줄이기 위해, 터치 센싱층(270) 내 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)과 중첩되지 않도록 패터닝 될 수 있다. 다시 말해, 제2 구동전극(233)은 개구부를 갖도록 형성 되므로, 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)과 중첩 하지 않을 수 있다.7A and 7B , the second driving electrode 233 is patterned so as not to overlap the first and second touch electrodes TE and RE in the touch sensing layer 270 to reduce the parasitic capacitance Cp. can be In other words, since the second driving electrode 233 is formed to have an opening, it may not overlap the first and second touch electrodes TE and RE.

터치 센싱층(270)의 구멍(OA) 각각은 부화소(SP)의 발광층(232)에 대응되고, 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)은 발광층(232)의 경계가 되는 뱅크층(240) 상에만 형성된다. Each hole OA of the touch sensing layer 270 corresponds to the emission layer 232 of the sub-pixel SP, and the first and second touch electrodes TE and RE are bank layers serving as boundaries of the emission layer 232 . It is formed only on (240).

따라서, 유기 발광 다이오드(EL)의 구동을 위해 발광층(232)에 대응되는 영역에만 제2 구동전극(233)을 남기고, 터치 센싱층(270)에서 메쉬 타입의 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)이 형성 된 영역의 하단은 제2 구동전극(233)을 제거한다. 다시 말해, 뱅크층(240) 상에서는 제2 구동전극(233)이 형성되지 않을 수 있다.Accordingly, the second driving electrode 233 is left only in the region corresponding to the emission layer 232 for driving the organic light emitting diode EL, and the mesh-type first and second touch electrodes TE are formed in the touch sensing layer 270 . , RE) is formed at the bottom of the second driving electrode 233 is removed. In other words, the second driving electrode 233 may not be formed on the bank layer 240 .

일반적으로 제2 구동전극(233)은 증착 공정을 통해 형성되므로, 마스크 등을 이용하여 뱅크층(240) 상에는 제2 구동전극(233)을 형성하지 않을 수 있다. 다만, 이에 한정 되지 않고, 제2 구동전극(233)을 플레이트 형태로 형성한 이후 뱅크층(240)에 해당하는 영역 만을 선택적으로 제거할 수 있다. 마스크 등을 이용하여 제2 구동전극(233)을 증착 공정으로 형성 할 경우에는 재료비를 절감하는 효과도 얻을 수 있다.In general, since the second driving electrode 233 is formed through a deposition process, the second driving electrode 233 may not be formed on the bank layer 240 using a mask or the like. However, the present invention is not limited thereto, and only a region corresponding to the bank layer 240 may be selectively removed after the second driving electrode 233 is formed in a plate shape. When the second driving electrode 233 is formed by a deposition process using a mask or the like, an effect of reducing material cost can be obtained.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 제2 구동전극(233)의 형상을 변경하여, 터치 센싱층(270과 제2 구동전극(233) 사이에 발생하는 수직 캐패시턴스를 줄임으로써 구동 시 노이즈를 저감하고, 터치 성능을 향상 시킬 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, by changing the shape of the second driving electrode 233 to reduce the vertical capacitance generated between the touch sensing layer 270 and the second driving electrode 233, noise during driving is reduced. reduced, and the touch performance can be improved.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제2 구동전극(233)은 일부가 패터닝 되어 제거 되더라도, 모든 제2 구동전극(233)의 영역은 전기적으로 연결 될 수 있다.7A and 7B , even if a part of the second driving electrode 233 is patterned and removed, all regions of the second driving electrode 233 may be electrically connected.

제2 구동전극(233)은 발광 소자(230)를 동작시키기 위한 구성 요소로서, 발광층(232)을 발광시키도록 저준위 전압(ELVSS) 또는 접지 전압(GND)으로 동작하는 공통전극의 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 제2 구동전극(233)은 부화소(SP)의 발광층(232) 영역을 완전히 덮도록 중첩하여 형성 될 수 있다. The second driving electrode 233 is a component for operating the light emitting device 230 , and serves as a common electrode operating with a low level voltage ELVSS or a ground voltage GND to emit light from the light emitting layer 232 . can Accordingly, the second driving electrode 233 may be formed to overlap the emission layer 232 region of the sub-pixel SP completely.

부화소(SP)는 뱅크층(240)에 의해 구분 될 수 있다. 따라서, 발광 소자(230)의 발광층(232)은 뱅크층(240) 상에는 형성되지 않을 수 있으며, 제2 구동전극(233)이 뱅크층(240) 상에서 형성되지 않을 수 있다.The sub-pixel SP may be divided by the bank layer 240 . Accordingly, the light emitting layer 232 of the light emitting device 230 may not be formed on the bank layer 240 , and the second driving electrode 233 may not be formed on the bank layer 240 .

다시 말해, 터치 센싱층(270) 사이에서 발생하는 기생 캐패시턴스(Cp)를 저감하도록 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 형성되는 뱅크층(240) 상에서 제2 구동전극(233)의 일부가 제거되어 패터닝 될 수 있다. In other words, the second driving electrode 233 is formed on the bank layer 240 on which the first and second touch electrodes TE and RE are formed to reduce the parasitic capacitance Cp generated between the touch sensing layers 270 . A portion may be removed and patterned.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제2 구동전극(233)과 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)는 서로 중첩되는 영역을 최소화 하도록 형성 될 수 있다. 따라서, 뱅크층(240) 상에 형성되는 제2 구동전극(233)의 너비는 부화소(SP)의 발광층(232) 상에 형성되는 제2 구동전극(233) 의 너비 보다 작을 수 있다. 7A and 7B , the second driving electrode 233 and the first and second touch electrodes TE and RE may be formed to minimize overlapping regions. Accordingly, the width of the second driving electrode 233 formed on the bank layer 240 may be smaller than the width of the second driving electrode 233 formed on the emission layer 232 of the subpixel SP.

부화소(SP) 영역의 크기는 부화소(SP)의 컬러에 따라 다를 수 있으며, 청색 부화소(SP)는 발광 효율이 낮으므로, 적색 부화소(SP) 또는 녹색 부화소(SP) 보다 발광층(232)이 더 큰 면적으로 형성 될 수 있다. The size of the sub-pixel SP region may vary depending on the color of the sub-pixel SP, and since the blue sub-pixel SP has lower luminous efficiency, the light emitting layer is larger than that of the red sub-pixel SP or the green sub-pixel SP. (232) can be formed with a larger area.

제2 구동전극(233)은 부화소(SP) 상에서 발광층(232) 영역을 모두 덮도록 중첩하여 형성되므로, 부화소(SP) 영역의 발광층(232) 상에 형성되는 제2 구동전극(233)의 면적도 다를 수 있다. 다시 말해, 청색 부화소(SP)의 발광층(232) 상에 형성되는 제2 구동전극(233)의 면적은 적색 부화소(SP) 또는 녹색 부화소(SP)의 발광층(232) 상에 형성되는 제2 구동전극(233)의 면적 보다 더 클 수 있다.Since the second driving electrode 233 is formed on the sub-pixel SP to overlap the emission layer 232 to cover the entire region, the second driving electrode 233 is formed on the emission layer 232 of the sub-pixel SP region. The area of may be different. In other words, the area of the second driving electrode 233 formed on the emission layer 232 of the blue subpixel SP is formed on the emission layer 232 of the red subpixel SP or the green subpixel SP. It may be larger than the area of the second driving electrode 233 .

도 7c 및 도 7d를 참조하면, 제2 구동전극(233)은 부화소(SP) 영역의 발광층(232) 상에 형성되는 발광부 제2 구동전극(233E)과 연결부 제2 구동전극(233C)을 포함할 수 있다. 연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 방향으로 연장되어 형성되고, 발광부 제2 구동전극(233E) 각각을 전기적으로 연결할 수 있다. Referring to FIGS. 7C and 7D , the second driving electrode 233 includes the light emitting part second driving electrode 233E and the connecting part second driving electrode 233C formed on the light emitting layer 232 of the sub-pixel SP region. may include The connection part second driving electrode 233C is formed to extend in the first direction, and may electrically connect each of the light emitting part second driving electrodes 233E.

연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장되어 형성되고, 발광부 제2 구동전극(233E) 각각을 전기적으로 연결할 수 있다. 연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 방향 또는 제2 방향 중 선택적으로 형성 될 수 있다. 다만, 이에 한정 되지 않고, 연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 방향과 제2 방향이 혼합되어 적어도 일부 영역에서 직교하도록 형성 될 수 있다.The connection part second driving electrode 233C is formed to extend in a second direction perpendicular to the first direction, and may electrically connect each of the light emitting part second driving electrodes 233E. The connecting portion second driving electrode 233C may be selectively formed in the first direction or the second direction. However, the present invention is not limited thereto, and the connection part second driving electrode 233C may be formed to be orthogonal to at least some regions by mixing the first direction and the second direction.

발광부 제2 구동전극(233E)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)는 서로 중첩되지 않으며, 연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 중첩되는 영역을 최소화 하도록 형성 될 수 있다. 따라서, 연결부 제2 구동전극(233C)은 제1 방향과 제2 방향 모두에서 형성되는 경우라도, 하나의 부화소(SP) 영역에서 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 최대 4개 지점 이상 중첩되지 않도록 형성 할 수 있다.The light emitting part second driving electrode 233E does not overlap the first and second touch electrodes TE and RE, and the connecting part second driving electrode 233C is connected to the first and second touch electrodes TE and RE. It can be formed to minimize overlapping areas. Accordingly, even when the connection part second driving electrodes 233C are formed in both the first direction and the second direction, up to four first and second touch electrodes TE and RE in one sub-pixel SP region. It can be formed so that it does not overlap more than a point.

또한, 기생 캐패시턴스(Cp)를 최소화 하도록 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 직교하여 중첩되는 지점에서는 연결부 제2 구동전극(233C)이 중첩되지 않도록 형성 할 수 있다. 다만, 이에 한정 되지 않고, 제품의 설계에 따라 변형 될 수 있다.In addition, in order to minimize the parasitic capacitance Cp, the connecting portion second driving electrode 233C may not overlap at a point where the first and second touch electrodes TE and RE orthogonally overlap each other. However, the present invention is not limited thereto, and may be modified according to the design of the product.

또한, 뱅크층(240) 상에서 일부가 제거되어, 발광부 제2 구동전극(233E)과 연결부 제2 구동전극(233C)을 포함하는 제2 구동전극(233)은 표시 영역(AA)에 배치되고, 비표시 영역(NAA)의 제2 구동전극(233)은 플레이트 형태로 형성 될 수 있다.In addition, a portion of the bank layer 240 is removed, and the second driving electrode 233 including the light emitting part second driving electrode 233E and the connecting part second driving electrode 233C is disposed in the display area AA, , the second driving electrode 233 of the non-display area NAA may be formed in a plate shape.

도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 메쉬 타입(그물망 타입)의 터치 센싱층 영역 내에서 더미 영역이 포함 된 도면이다.8 is a diagram in which a dummy area is included in a mesh type (mesh type) touch sensing layer area in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.

도 8은 도 6 및 도 7의 터치 센싱층(270)에서 더미 영역(Dummy)의 구성만이 상이하므로, 동일한 구성에 대해서는 설명하지 않고 생략하기로 한다.In FIG. 8 , only the configuration of the dummy area in the touch sensing layer 270 of FIGS. 6 and 7 is different, and thus the same configuration will not be described and will be omitted.

도 8을 참조하면, 터치 센싱층(270)의 전체 또는 일부는, 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)으로 동작하지 않는 더미 영역(Dummy)을 포함 할 수 있다.Referring to FIG. 8 , all or a part of the touch sensing layer 270 may include a dummy area that does not operate as the first touch electrode TE or the second touch electrode RE.

메쉬 형태로 터치전극이 패터닝 되고, 이후, 메쉬 형태로 패터닝 된 터치전극이 터치전극 형성을 위해 커팅 된다. 이에 따라, 터치전극이 메쉬 형태로 패터닝 되어 제1 터치전극(TE) 및 제2 터치전극(RE)이 만들어진다. A touch electrode is patterned in a mesh shape, and then, the touch electrode patterned in a mesh shape is cut to form a touch electrode. Accordingly, the touch electrode is patterned in a mesh shape to form the first touch electrode TE and the second touch electrode RE.

이후, 터치 센싱층(270) 내 메쉬 형태로 패터닝 되어 있는 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)을 각각 정해진 패턴으로 커팅하여, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 연결되지 않는 더미 전극(Dummy)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 더미 전극(Dummy)을 형성하는 경우, 더미 전극(Dummy)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)에서 전기적으로 절연된 더미 영역(Dummy)에 해당한다. Thereafter, the first touch electrodes TE or the second touch electrodes RE, which are patterned in a mesh shape in the touch sensing layer 270 , are cut in a predetermined pattern, respectively, so that the first and second touch electrodes TE and RE are formed. It is possible to form a dummy electrode not connected to the dummy electrode. In this way, when the dummy electrode dummy is formed, the dummy electrode dummy corresponds to a dummy region dummy electrically insulated from the first and second touch electrodes TE and RE.

따라서, 더미 전극(Dummy)은 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)과 전기적으로 분리 될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 더미 전극(Dummy)은 동일한 물질이고 동일한 층에 존재할 수 있다. Accordingly, the dummy electrode dummy may be electrically separated from the first touch electrode TE or the second touch electrode RE. In addition, the first and second touch electrodes TE and RE and the dummy electrode dummy may be made of the same material and may be present on the same layer.

전술한 더미 영역(Dummy)의 형성 방법에 따르면, 더미 전극(Dummy)을 보다 쉽게 형성할 수 있으며, 단일층에 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 더미 전극(Dummy)을 형성할 수 있는 이점이 있다. According to the above-described method of forming the dummy region (Dummy), the dummy electrode (Dummy) can be more easily formed, and the first and second touch electrodes (TE, RE) and the dummy electrode (Dummy) can be formed on a single layer. There are advantages that can be

더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 패터닝 되지 않을 수 있다. 다시 말해, 더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 복수 개의 부화소(SP) 영역 및 뱅크층(240) 상에서 제거 되는 부분이 없이 형성 될 수 있다. 다시 말해, 제2 구동전극(233)은 더미 영역(Dummy)에서 개구부가 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 저항을 감소하는 효과가 있다.In the dummy area dummy, the second driving electrode 233 may not be patterned. In other words, in the dummy region (Dummy), the second driving electrode 233 may be formed without a portion to be removed on the plurality of sub-pixel (SP) regions and the bank layer 240 . In other words, an opening may not be formed in the second driving electrode 233 in the dummy region. Accordingly, the resistance of the second driving electrode 233 in the dummy region dummy is reduced.

또한, 더미 전극(Dummy)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 전기적으로 연결되지 않으므로, 제2 구동전극(233)이 더미 영역(Dummy) 상에 중첩 되어 형성 되더라도, 기생 캐패시턴스(Cp)로 인한 노이즈가 발생하지 않을 수 있다.In addition, since the dummy electrode dummy is not electrically connected to the first and second touch electrodes TE and RE, even if the second driving electrode 233 is overlapped on the dummy region Dummy, the parasitic capacitance ( Cp) may not generate noise.

도 9는 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 메쉬 타입(그물망 타입)의 터치 센싱층 영역 내에서 더미 영역이 생략 된 도면이다.9 is a diagram in which a dummy area is omitted from a mesh type (mesh type) touch sensing layer area in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.

도 9는 도 6 내지 도 8의 터치 센싱층(270)에서 더미 영역(Dummy)의 구성만이 상이하므로, 동일한 구성에 대해서는 설명하지 않고 생략하기로 한다.In FIG. 9 , only the configuration of the dummy area dummy in the touch sensing layer 270 of FIGS. 6 to 8 is different, and thus the same configuration will not be described and will be omitted.

도 9을 참조하면, 더미 영역(Dummy)에서 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)으로 동작하지 않는 더미 전극(Dummy)이 제거 될 수 있다.Referring to FIG. 9 , a dummy electrode dummy that does not function as the first touch electrode TE or the second touch electrode RE may be removed from the dummy area dummy.

더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 패터닝 되지 않을 수 있다. 다시 말해, 더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 복수 개의 부화소(SP) 영역 및 뱅크층(240) 상에서 제거 되는 부분이 없이 형성 될 수 있다. 즉, 다시 말해, 제2 구동전극(233)은 더미 영역(Dummy)에서 개구부가 형성 되지 않을 수 있다. 이에 따라, 더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 저항을 감소하는 효과가 있다.In the dummy area dummy, the second driving electrode 233 may not be patterned. In other words, in the dummy region (Dummy), the second driving electrode 233 may be formed without a portion to be removed on the plurality of sub-pixel (SP) regions and the bank layer 240 . In other words, in the second driving electrode 233 , an opening may not be formed in the dummy region. Accordingly, the resistance of the second driving electrode 233 in the dummy region dummy is reduced.

또한, 더미 영역(Dummy)에서 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)으로 동작하지 않는 더미 전극이 제거되었으므로, 제2 구동전극(233)과 중첩하는 전극은 없을 수 있다. 따라서, 제2 구동전극(233)은 기생 캐패시턴스(Cp)로 인한 노이즈가 발생하지 않을 수 있다.In addition, since the dummy electrode that does not operate as the first touch electrode TE or the second touch electrode RE is removed from the dummy area dummy, there may be no electrode overlapping the second driving electrode 233 . Accordingly, noise due to the parasitic capacitance Cp may not occur in the second driving electrode 233 .

도 10은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱층에서 더미 영역이 패터닝 된 도면이다.10 is a diagram in which a dummy region is patterned in a touch sensing layer in a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.

도 10은 도 6 내지 도 9의 터치 센싱층(270)에서 더미 영역(Dummy)의 구성만이 상이하므로, 동일한 구성에 대해서는 설명하지 않고 생략하기로 한다.In FIG. 10 , only the configuration of the dummy area in the touch sensing layer 270 of FIGS. 6 to 9 is different, and thus the same configuration will not be described and will be omitted.

도 10을 참조하면, 더미 영역(Dummy)에서 제1 터치전극(TE) 또는 제2 터치전극(RE)으로 동작하지 않는 더미 전극(Dummy)이 패터닝 될 수 있다.Referring to FIG. 10 , a dummy electrode dummy that does not function as the first touch electrode TE or the second touch electrode RE may be patterned in the dummy region dummy.

더미 전극(Dummy)은 서로 분리된 된 적어도 둘 이상의 외부 더미 전극과 내부 더미 전극으로 형성 될 수 있다. 외부 더미 전극과 내부 더미 전극은 서로 전기적으로 절연 될 수 있다The dummy electrode may be formed of at least two or more external dummy electrodes and an internal dummy electrode separated from each other. The outer dummy electrode and the inner dummy electrode may be electrically insulated from each other.

제2 구동전극(233)은 더미 영역(Dummy)의 패터닝 형상에 따라 일부 영역이 패터닝 되거나 또는 패터닝 되지 않을 수 있다. 다시 말해, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 경계가 되는 외부 더미 전극과, 외부 더미 전극과 절연 된 내부 더미 전극이 배치 된 영역에서, 복수 개의 부화소(SP) 영역 및 뱅크층(240) 상에 형성 된 제2 구동전극(233) 일부가 제거 되도록 패터닝 될 수 있다.A portion of the second driving electrode 233 may or may not be patterned according to the patterning shape of the dummy region. In other words, in the region where the external dummy electrode bordering the first and second touch electrodes TE and RE and the internal dummy electrode insulated from the external dummy electrode are disposed, a plurality of sub-pixel SP regions and the bank layer A portion of the second driving electrode 233 formed on the 240 may be patterned to be removed.

또한, 외부 더미 전극과 내부 더미 전극의 사이 및 내부 더미 전극의 내측 영역에서, 복수 개의 부화소(SP) 영역 및 뱅크층(240) 상에 형성 된 제2 구동전극(233)은 제거 되는 부분이 없이 형성 될 수 있다. 이에 따라, 더미 영역(Dummy)에서 제2 구동전극(233)은 저항을 감소하는 효과가 있다.In addition, between the external dummy electrode and the internal dummy electrode and in the inner region of the internal dummy electrode, the plurality of subpixels (SP) regions and the second driving electrode 233 formed on the bank layer 240 are removed. can be formed without Accordingly, the resistance of the second driving electrode 233 in the dummy region dummy is reduced.

다시 말해, 제2 구동전극(233)은 복수 개의 부화소(SP) 영역에서 개구부를 갖도록 형성 되므로, 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)과 중첩 하지 않을 수 있고, 더미 영역(Dummy)의 일부에서 개구부를 갖도록 형성 되므로, 더미 전극(Dummy)과 중첩되지 않을 수 있다.In other words, since the second driving electrode 233 is formed to have openings in the plurality of sub-pixel areas SP, it may not overlap the first and second touch electrodes TE and RE, and may have a dummy area. Since it is formed to have an opening in a part of it, it may not overlap the dummy electrode.

또한, 더미 영역(Dummy)에서 외부 더미 전극과 내부 더미 전극을 제외한 나머지 영역의 더미 전극(Dummy)은 제거되었으며, 모든 더미 전극(Dummy)은 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 전기적으로 연결되지 않으므로, 기생 캐패시턴스(Cp)로 인한 노이즈가 발생하지 않을 수 있다.In addition, the dummy electrodes dummy in the remaining regions except for the external dummy electrode and the internal dummy electrode are removed from the dummy region dummy, and all dummy electrodes are electrically connected to the first and second touch electrodes TE and RE. is not connected to , so noise due to the parasitic capacitance Cp may not occur.

도 10에서, 터치 센싱층(270) 내 더미 전극(Dummy)은 예시된 것일 뿐, 터치 센싱층(270) 내 더미 전극(Dummy)의 크기나 모양은 다양하게 변경될 수 있다. In FIG. 10 , the dummy electrode in the touch sensing layer 270 is merely an example, and the size or shape of the dummy electrode in the touch sensing layer 270 may be variously changed.

또한, 터치 센싱층(270) 내 더미 전극(Dummy)이 있는 위치도 다양하게 변경될 수 있다. In addition, the position of the dummy electrode in the touch sensing layer 270 may be variously changed.

또한, 터치 센싱층(270)의 크기에 대하여 더미 전극(Dummy)이 차지하는 영역의 비율(더미 영역 비율)도 다양하게 변경될 수 있다. Also, the ratio of the area occupied by the dummy electrode (dummy area) to the size of the touch sensing layer 270 may be variously changed.

도 11는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 기생 캐패시턴스의 변화율을 나타내는 도면이다.11 is a diagram illustrating a rate of change of parasitic capacitance in a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 11을 참조하면, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 각각에 대한 기생 캐패시턴스(Cp1, Cp2)는 기존 대비하여 대략 9% 감소한다. 또한, 제1 터치전극(TE)과 제2 터치전극(RE) 사이에 형성 되는 뮤추얼 캐패시턴스(Cm)는 약 4% 증가한다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 기존과 대비하여 훨씬 향상된 터치 성능을 얻을 수 있다.Referring to FIG. 11 , the parasitic capacitances Cp1 and Cp2 of each of the first and second touch electrodes TE and RE are reduced by approximately 9% compared to the conventional one. In addition, the mutual capacitance Cm formed between the first touch electrode TE and the second touch electrode RE increases by about 4%. Accordingly, the display device according to the exemplary embodiment of the present specification may obtain much improved touch performance compared to the conventional one.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification may be described as follows.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 부화소를 포함하는 기판 상에 구비 된 발광 소자, 발광 소자가 서로 구분 되도록 배치 되는 뱅크층, 발광 소자와 뱅크층 상에 배치 되는 봉지층 및 봉지층 상에 배치 되는 터치 센싱층을 포함하고, 발광 소자는, 부화소의 발광 영역에 배치 된 제1 구동전극, 제1 구동전극 상에 배치 된 발광층, 발광층 상에 배치 되고, 뱅크층 상에서 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a light emitting device provided on a substrate including a plurality of sub-pixels, a bank layer disposed to distinguish the light emitting devices from each other, an encapsulation layer disposed on the light emitting device and the bank layer, and an encapsulation layer a touch sensing layer disposed on the layer; A display device including a second driving electrode having

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 부화소는 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소를 포함하고, 제1 내지 제3 부화소 발광 영역의 면적이 서로 상이 할 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, a sub-pixel may include a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, and the areas of the first to third sub-pixel light emitting regions may be different from each other.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구동전극은 제1 내지 제3 부화소 발광 영역에 대응하여 형성 될 수 있다.In the display device according to the embodiment of the present specification, the second driving electrode may be formed to correspond to the first to third sub-pixel emission regions.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제1 부화소 발광 영역의 면적이 제2 부화소 및 제3 부화소 발광 영역의 면적보다 클 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the area of the first sub-pixel emission region may be larger than that of the second sub-pixel and the third sub-pixel emission region.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구동전극은 발광부 제2 구동전극과 연결부 제2 구동전극을 포함 할 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may include a light emitting unit second driving electrode and a connection unit second driving electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 연결부 제2 구동전극은 제1 방향 및 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되어 발광부 제2 구동전극과 접속 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the connection part second driving electrode may extend in the first direction and in a second direction orthogonal to the first direction to be connected to the light emitting part second driving electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 발광부 제2 구동전극의 면적은 연결부 제2 구동전극의 면적보다 클 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the area of the second driving electrode of the light emitting part may be larger than the area of the second driving electrode of the connection part.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 연결부 제2 구동전극은 터치 전극과 중첩하고, 발광부 제2 구동전극은 터치 전극과 중첩하지 않을 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the connection part second driving electrode may overlap the touch electrode, and the light emitting part second driving electrode may not overlap the touch electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 연결부 제2 구동전극은 하나의 부화소 영역에서 터치 전극과 최대 4개 지점에서 중첩 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode of the connector may overlap the touch electrode in one sub-pixel area at up to four points.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 터치 센싱층은 제1 터치전극, 제2 터치전극, 더미 전극을 포함 할 수 있다.In the display device according to the embodiment of the present specification, the touch sensing layer may include a first touch electrode, a second touch electrode, and a dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 더미 전극이 배치된 더미 영역에서 제2 구동전극은 개구 영역을 갖지 않도록 형성 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may be formed to have no opening area in the dummy area where the dummy electrode is disposed.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구동전극은 더미 전극과 중첩하지 않을 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may not overlap the dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 더미 전극은 내부 더미 전극 및 외부 더미 전극을 포함 할 수 있다.In the display device according to the embodiment of the present specification, the dummy electrode may include an internal dummy electrode and an external dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 내부 더미 전극과 외부 더미 전극은 서로 절연 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the internal dummy electrode and the external dummy electrode may be insulated from each other.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 내부 더미 전극과 외부 더미 전극 사이에서 제2 구동전극이 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may be disposed between the internal dummy electrode and the external dummy electrode so as not to overlap the dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 내부 더미 전극의 내측에 제2 구동전극이 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may be disposed inside the internal dummy electrode so as not to overlap the dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 소자와, 발광 소자를 구분하는 뱅크층을 포함하는 표시 패널 및 표시 패널 상에 형성 되는 터치 센싱층을 포함하고, 발광 소자는, 빛을 발광하는 발광층, 발광층에 구동 전원을 인가하는 제1 구동전극, 제1 구동전극에 대향하여 발광층 상에 배치 되고, 발광층에 중첩하지 않는 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a light emitting element, a display panel including a bank layer separating the light emitting elements, and a touch sensing layer formed on the display panel, wherein the light emitting element includes a light emitting layer that emits light The display device may include: a first driving electrode for applying driving power to the emission layer; and a second driving electrode disposed on the emission layer to face the first driving electrode and having an opening region that does not overlap the emission layer.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 터치 센싱층은 제1 터치전극, 제2 터치전극, 더미 전극을 포함하고, 더미 전극은 내부 더미 전극 및 외부 더미 전극을 포함 할 수 있다.In the display device according to the embodiment of the present specification, the touch sensing layer may include a first touch electrode, a second touch electrode, and a dummy electrode, and the dummy electrode may include an internal dummy electrode and an external dummy electrode.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 내부 더미 전극과 외부 더미 전극은 서로 절연 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the internal dummy electrode and the external dummy electrode may be insulated from each other.

본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구동전극은 내부 더미 전극 및 외부 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 될 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second driving electrode may be disposed so as not to overlap the internal dummy electrode and the external dummy electrode.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 명세서의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 명세서의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical spirit of the present specification, and those of ordinary skill in the art to which this specification pertains may combine configurations within a range that does not depart from the essential characteristics of the present specification. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present specification are for explanation rather than limiting the technical spirit of the present specification, and the scope of the technical spirit of the present specification is not limited by these embodiments. The protection scope of the present specification should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present specification.

1: 터치표시장치
10: 표시패널
20: 디스플레이 구동 회로
30: 터치 회로1: Touch display device
10: display panel
20: display driving circuit
30: touch circuit

Claims (20)

복수의 부화소를 포함하는 기판 상에 구비 된 발광 소자;
상기 발광 소자가 서로 구분 되도록 배치 되는 뱅크층;
상기 발광 소자와 상기 뱅크층 상에 배치 되는 봉지층; 및
상기 봉지층 상에 배치 되는 터치 센싱층을 포함하고,
상기 발광 소자는,
상기 부화소의 발광 영역에 배치 된 제1 구동전극;
상기 제1 구동전극 상에 배치 된 발광층;
상기 발광층 상에 배치 되고, 상기 뱅크층 상에서 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는, 표시 장치.a light emitting device provided on a substrate including a plurality of sub-pixels;
a bank layer in which the light emitting devices are separated from each other;
an encapsulation layer disposed on the light emitting device and the bank layer; and
and a touch sensing layer disposed on the encapsulation layer,
The light emitting device is
a first driving electrode disposed in the light emitting region of the sub-pixel;
a light emitting layer disposed on the first driving electrode;
and a second driving electrode disposed on the light emitting layer and having an opening area on the bank layer. 제 1 항에 있어서,
상기 부화소는 제1 부화소, 제2 부화소 및 제3 부화소를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 부화소 발광 영역의 면적이 서로 상이한, 표시 장치.The method of claim 1,
The sub-pixel includes a first sub-pixel, a second sub-pixel and a third sub-pixel,
The display device of claim 1 , wherein the areas of the first to third sub-pixel light emitting regions are different from each other. 제2항에 있어서,
상기 제2 구동전극은 상기 제1 내지 제3 부화소 발광 영역에 대응하여 형성되는, 표시 장치.3. The method of claim 2,
and the second driving electrode is formed to correspond to the first to third sub-pixel emission regions. 제2항에 있어서,
상기 제1 부화소 발광 영역의 면적이 상기 제2 부화소 및 제3 부화소 발광 영역의 면적보다 큰, 표시 장치.3. The method of claim 2,
The display device of claim 1, wherein an area of the first subpixel light emitting region is larger than an area of the second subpixel and the third subpixel light emitting area. 제1항에 있어서,
상기 제2 구동전극은 발광부 제2 구동전극과 연결부 제2 구동전극을 포함하는, 표시 장치.The method of claim 1,
The second driving electrode includes a second driving electrode of a light emitting part and a second driving electrode of a connection part. 제5항에 있어서,
상기 연결부 제2 구동전극은 제1 방향 및 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되어 상기 발광부 제2 구동전극과 접속 된, 표시 장치.6. The method of claim 5,
The second driving electrode of the connection part extends in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction to be connected to the second driving electrode of the light emitting part. 제5항에 있어서,
상기 발광부 제2 구동전극의 면적은 상기 연결부 제2 구동전극의 면적보다 큰, 표시 장치.6. The method of claim 5,
An area of the second driving electrode of the light emitting part is larger than an area of the second driving electrode of the connection part. 제5항에 있어서,
상기 연결부 제2 구동전극은 터치 전극과 중첩하고, 상기 발광부 제2 구동전극은 터치 전극과 중첩하지 않는, 표시 장치.6. The method of claim 5,
The second driving electrode of the connection part overlaps the touch electrode, and the second driving electrode of the light emitting part does not overlap the touch electrode. 제5항에 있어서,
상기 연결부 제2 구동전극은 상기 하나의 부화소 영역에서 상기 터치 전극과 최대 4개 지점에서 중첩 되는, 표시 장치.6. The method of claim 5,
and the second driving electrode of the connection part overlaps the touch electrode at a maximum of four points in the one sub-pixel area. 제1항에 있어서,
상기 터치 센싱층은 제1 터치전극, 제2 터치전극, 더미 전극을 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
The touch sensing layer includes a first touch electrode, a second touch electrode, and a dummy electrode. 제10항에 있어서,
상기 더미 전극이 배치된 더미 영역에서 상기 제2 구동전극은 상기 개구 영역을 갖지 않도록 형성 되는, 표시 장치.11. The method of claim 10,
The display device of claim 1 , wherein the second driving electrode does not have the opening area in the dummy area in which the dummy electrode is disposed. 제10항에 있어서,
상기 제2 구동전극은 상기 더미 전극과 중첩하지 않는, 표시 장치.11. The method of claim 10,
and the second driving electrode does not overlap the dummy electrode. 제10항에 있어서,
상기 더미 전극은 내부 더미 전극 및 외부 더미 전극을 포함하는, 표시 장치.11. The method of claim 10,
The dummy electrode includes an internal dummy electrode and an external dummy electrode. 제13항에 있어서,
상기 내부 더미 전극과 상기 외부 더미 전극은 서로 절연된, 표시 장치.14. The method of claim 13,
and the internal dummy electrode and the external dummy electrode are insulated from each other. 제13항에 있어서,
상기 내부 더미 전극과 상기 외부 더미 전극 사이에서 상기 제2 구동전극이 상기 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 된, 표시 장치.14. The method of claim 13,
and the second driving electrode is disposed between the internal dummy electrode and the external dummy electrode so as not to overlap the dummy electrode. 제13항에 있어서,
상기 내부 더미 전극의 내측에 상기 제2 구동전극이 상기 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 된, 표시 장치.14. The method of claim 13,
and the second driving electrode is disposed inside the internal dummy electrode so as not to overlap the dummy electrode. 발광 소자와, 상기 발광 소자를 구분하는 뱅크층을 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 형성 되는 터치 센싱층;을 포함하고,
상기 발광 소자는,
빛을 발광하는 발광층;
상기 발광층에 구동 전원을 인가하는 제1 구동전극;
상기 제1 구동전극에 대향하여 상기 발광층 상에 배치 되고, 상기 발광층에 중첩하지 않는 개구 영역을 갖는 제2 구동전극을 포함하는, 표시 장치.a display panel including a light emitting device and a bank layer separating the light emitting device; and
and a touch sensing layer formed on the display panel;
The light emitting device is
a light emitting layer that emits light;
a first driving electrode for applying driving power to the light emitting layer;
and a second driving electrode disposed on the emission layer to face the first driving electrode and having an opening area that does not overlap the emission layer. 제17항에 있어서,
상기 터치 센싱층은 제1 터치전극, 제2 터치전극, 더미 전극을 포함하고,
상기 더미 전극은 내부 더미 전극 및 외부 더미 전극을 포함하는, 표시 장치.18. The method of claim 17,
The touch sensing layer includes a first touch electrode, a second touch electrode, and a dummy electrode,
The dummy electrode includes an internal dummy electrode and an external dummy electrode. 제18항에 있어서,
상기 내부 더미 전극과 상기 외부 더미 전극은 서로 절연되는, 표시 장치.19. The method of claim 18,
and the internal dummy electrode and the external dummy electrode are insulated from each other. 제18항에 있어서,
상기 제2 구동전극은 상기 내부 더미 전극 및 상기 외부 더미 전극과 중첩되지 않도록 배치 된, 표시 장치.19. The method of claim 18,
and the second driving electrode is disposed not to overlap the internal dummy electrode and the external dummy electrode.
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