KR20210154971A - 보론 타입 첨가제를 포함한 50 nm 이하의 라인-간격 치수를 갖는 패터닝된 재료의 처리시 패턴 붕괴를 회피하는 조성물 - Google Patents
보론 타입 첨가제를 포함한 50 nm 이하의 라인-간격 치수를 갖는 패터닝된 재료의 처리시 패턴 붕괴를 회피하는 조성물 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하기를 포함하는 비수성 조성물에 관한 것이다:
(a) 유기 용매, 및
(b) 식 (I) 의 적어도 하나의 첨가제:
식에서 R1, R2, R3, 및 R4 는 독립적으로 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C11 알킬카르보닐, C6 내지 C12 아릴, C7 내지 C14 알킬아릴, 및 C7 내지 C14 아릴알킬로부터 선택되고; 그리고 n 은 0 또는 1 이다.
(a) 유기 용매, 및
(b) 식 (I) 의 적어도 하나의 첨가제:
식에서 R1, R2, R3, 및 R4 는 독립적으로 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C11 알킬카르보닐, C6 내지 C12 아릴, C7 내지 C14 알킬아릴, 및 C7 내지 C14 아릴알킬로부터 선택되고; 그리고 n 은 0 또는 1 이다.
Description
본 발명은 패턴 붕괴-방지 처리용 조성물, 집적 회로 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계적 정밀 디바이스에 대한 용도 및 제조 방법에 관한 것이다.
LSI, VLSI 및 ULSI 를 갖는 IC 를 제조하는 프로세스에서, 패터닝된 포토레지스트 층과 같은 패터닝된 재료 층, 티타늄 질화물, 탄탈륨 또는 탄탈륨 질화물을 포함하거나 이들로 구성되는 패터닝된 배리어 재료 층, 예를 들어, 폴리실리콘 및 실리콘 디옥사이드를 교번시킨 스택들을 포함하거나 이들로 구성되는 패터닝된 멀티-스택 재료 층들 또는 실리콘 질화물 층, 및 실리콘 이산화물 또는 저-k (low-k) 또는 초저-k (ultra-low-k) 유전체 재료를 포함하거나 이들로 구성되는 패터닝된 유전체 재료 층은 포토리소그래픽 기법에 의해 제조된다. 오늘날, 이러한 패터닝된 재료 층은 높은 애스펙트 비를 가진 심지어 22 nm 미만의 치수 구조를 포함한다.
그러나, 노광 기술에 관계 없이 작은 패턴의 습식 화학 프로세싱은 많은 문제를 수반한다. 기술이 발전하고 치수 요구 사항이 점점 더 엄격해짐에 따라, 기판 상에 상대적으로 얇고 높은 구조 또는 디바이스 구조의 특징부 (feature), 즉 높은 애스펙트 비를 갖는 특징부를 포함하는 패턴이 필요하다. 이러한 구조는 화학적 린스 및 스핀 건조 프로세스에서 남아 있고 인접한 패턴 구조 사이에 배치되는 린싱 액체 탈 이온수의 액체 또는 용액의 과도한 모세관 힘으로 인해, 특히 스핀 건조 프로세스 동안 벤딩되거나 및/또는 붕괴될 수도 있다.
치수의 수축으로 인해, 결함 없는 패터닝된 구조를 달성하기 위해 입자 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거도 중요한 요인이 된다. 이것은 포토레지스트 패턴뿐만 아니라 광학 디바이스, 마이크로 머신 및 기계 정밀 디바이스의 제조 중에 생성되는 다른 패터닝된 재료 층에도 적용된다.
WO 2012/027667 A2 는 고 애스펙트 비 특징부의 표면을 첨가제 조성물과 접촉시켜 개질된 표면을 생성함으로써 고 애스펙트 비 특징부의 표면을 개질하는 방법을 개시하고, 여기서 린스 용액이 개질된 표면과 접촉할 때 고 애스펙트 비 특징부에 작용하는 힘은 적어도 린스 용액의 제거 동안 또는 적어도 고 애스펙트 비 특징부의 건조 동안 고 애스펙트 비 특징부의 벤딩 또는 붕괴를 방지하기 위해 충분히 최소화된다.
WO 2019/086374 는 실록산-타입 패턴붕괴 방지 첨가제를 포함하는 비수성 조성물을 개시한다. 미공개된 유럽 특허 출원 번호 18190173.7 은 포스폰산 타입 첨가제를 포함하는 비수성 조성물을 개시한다. 미공개된 유럽 특허 출원 번호 19168153.5 는 암모니아-활성화된 H-실란-타입 첨가제를 포함하는 비수성 조성물을 개시한다.
그러나, 서브 50 nm 구조체의 패턴 붕괴를 효과적으로 방지하는 조성물이 여전히 필요하다.
본 발명의 목적은 50 nm 이하의 노드, 특히 32 nm 이하의 노드, 특히 22 nm 이하의 노드에 대한 집적 회로의 제조 방법으로서, 상기 방법은 종래 기술의 제조 방법의 단점들을 더 이상 나타내지 않는, 그러한 제조 방법을 제공하는 것이다.
특히, 본 발명에 따른 화합물은, 패턴 붕괴를 일으키지 않고서, 높은 애스펙트 비 및 50 nm 이하, 특히 32 nm 이하, 특히 22 nm 이하의 라인 간격 치수를 갖는 패턴을 포함하는 패터닝된 재료 층의 화학적 린스를 허용해야 한다.
본 발명은 본원에 기재된 바와 같은 보론-타입 비이온성 첨가제와 조합하여 유기 용매를 포함하는 비수성 조성물을 사용하는 것에 의해 종래 기술의 모든 단점을 완전히 회피한다.
본 발명의 제 1 실시형태는 비수성 조성물이며, 비수성 조성물은:
(a) 유기 용매, 및
(b) 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 첨가제:
식에서 R1, R2, R3, 및 R4 는 독립적으로 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C11 알킬카르보닐, C6 내지 C12 아릴, C7 내지 C14 알킬아릴, 및 C7 내지 C14 아릴알킬로부터 선택되고; 그리고 n 은 0 또는 1 이다.
본 발명의 다른 실시형태는 50 nm 이하의 라인-간격 (line-space) 치수, 4 이상의 애스펙트 비, 또는 이들의 조합을 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 처리하기 위한 본원에 설명된 조성물의 용도이다.
본 발명의 또 다른 실시형태는 집적 회로 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계 정밀 디바이스의 제조 방법이며, 상기 방법은 하기 단계:
(1) 50 nm 이하의 라인-간격 치수, 4 이상의 애스펙트 비, 또는 이들의 조합을 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 제공하는 단계,
(2) 기판을 본원에 설명된 비수성 조성물과 적어도 한 번 접촉하는 단계, 및
(3) 기판과의 접촉으로부터 비수성 조성물을 제거하는 단계를 포함한다.
유기 용매, 바람직하게는 조합으로 알코올, 및 보론-타입 첨가제를 포함하는 조성물은 50 nm 이하, 특히 32 nm 이하, 그리고 가장 특히 22 nm 이하의 라인-간격 치수를 갖는 패턴을 포함하는 기판의 패턴 붕괴 방지 처리에 유용하다. 또한, 본 발명에 따른 조성물은 패턴 붕괴를 일으키지 않고 4 이상의 애스펙트 비에 특히 유용하다. 마지막으로, 양성자성 유기 용매, 특히 알코올을 용매로 사용하면, 폴리비닐 염화물을 포함하는 기판과 우수한 양립성을 갖는다.
보론 타입 첨가제와 조합하여 극성 용매를 포함하는 클리닝 또는 린싱 용액은 일반적으로 높은 애스펙트 비 스택들 (HARS) 을 갖는 비-포토레지스트 패턴 뿐만 아니라 포토레지스트 구조체, 특히 폴리실리콘 및 실리콘 이산화물 또는 실리콘 질화물 층을 포함하거나 이들로 구성되는 패터닝된 멀티-스택 재료 층의 패턴 붕괴를 회피하는데 유용하다.
본 발명은 집적 회로 (IC) 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계적 정밀 디바이스, 특히 IC 디바이스와 같은 서브 50 nm 크기의 특징부를 포함하는 패터닝된 재료를 제조하는 데에 특히 적합한 조성물에 관한 것이다.
IC 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계적 정밀 디바이스를 제조하는 데에 사용되는 임의의 관례적이고 알려진 기판이 본 발명의 방법에 사용될 수 있다. 바람직하게는, 기판은 반도체 기판, 보다 바람직하게는 실리콘 웨이퍼이고, 상기 웨이퍼는 관례적으로 IC 디바이스, 특히 LSI, VLSI 및 ULSI 를 갖는 IC 를 포함하는 IC 디바이스를 제조하는 데에 사용된다.
이 조성물은 50 nm 이하, 특히 32 nm 이하, 그리고 특히 22 nm 이하의 라인 간격 치수를 갖는 패터닝된 재료 층, 즉 서브-22 nm 기술 노드를 위한 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 처리하는 데에 특히 적합하다. 패터닝된 재료 층은 바람직하게는 4 초과, 바람직하게는 5 초과, 더 바람직하게는 6 초과, 더욱 더 바람직하게는 8 초과, 더욱 더 바람직하게는 10 초과, 더욱 더 바람직하게는 12 초과, 더욱 더 바람직하게는 15 초과, 더욱 더 바람직하게는 20 초과의 애스펙트 비를 갖는다. 라인 간격 치수가 작아지고 애스펙트 비가 높아질수록 본 명세서에 기재된 조성물의 사용이 더 유리하다.
본 발명에 따른 조성물은 구조가 기하학적 구조로 인해 붕괴되는 경향이 있는 한, 어떤 패터닝된 재료의 기판에도 적용될 수 있다.
예를 들어, 패터닝된 재료 층은 다음과 같을 수도 있다:
(a) 패터닝된 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 코팅된 Si 층,
(b) 루테늄, 코발트, 티타늄 질화물, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물을 포함하거나 이들로 구성되는 패터닝된 배리어 재료 층,
(c) 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 이산화물, 저-k 및 초저-k 재료, 고-k 재료, 실리콘 및 폴리실리콘을 제외한 반도체, 및 금속으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 2 개의 상이한 재료의 층을 포함하거나 이로 이루어지는 패터닝된 다중 스택 재료 층, 및
d) 실리콘 이산화물 또는 저-k 또는 초저-k 유전체 재료를 포함하거나 이로 이루어지는 패터닝된 유전체 재료 층.
유기 용매
패턴 붕괴 방지 조성물은 유기 용매, 바람직하게는 극성 양성자성 유기 용매를 포함한다.
놀랍게도, 심지어 소량의 물이 대상의 조성물의 패턴 붕괴 방지 능력의 성능에 영향을 줄 수도 있음을 알아냈다. 따라서, 조성물, 특히 본 발명에 따른 조성물에 존재하는 유기 용매(들)은 비수성인 것이 중요하다. 그 흡습성에 기인하여, 이소프로판올과 같은 극성 양성자성 유기 용매는 통상적으로 건조에 의해 제거되지 않으면 다소 많은 양의 잔류수를 갖는다.
본원에 사용된 "비수성" 은 조성물이 오직 약 1 중량 % 이하로 적은 양의 물을 함유할 수 있음을 의미한다. 바람직하게는 비수성 조성물은 0.5 중량 % 미만, 보다 바람직하게는 0.2 중량 % 미만, 더욱더 바람직하게는 0.1 중량 % 미만, 더욱 더 바람직하게는 0.05 중량 % 미만, 더욱 더 바람직하게는 0.02 중량 % 미만, 훨씬 더 바람직하게는 0.01 중량 % 미만, 훨씬 더 바람직하게는 0.001 중량 % 미만의 물을 포함한다. 가장 바람직하게는, 본질적으로 조성물에 물이 존재하지 않는다. 여기서 "본질적으로"는 조성물에 존재하는 물이 처리될 기판의 패턴 붕괴에 대하여 비수성 용액에 첨가제의 성능에 대하여 상당한 영향을 주지 않는 것을 의미한다.
유기 용매는 조성물로 처리된 기판에 부정적인 영향을 주지 않고 가열에 의해 제거될 충분히 낮은 비등점을 가질 필요가 있다. 통상적인 기판의 경우, 유기 용매의 비등점은 150 ℃ 이하, 바람직하게는 100 ℃ 이하여야 한다.
용매는 본질적으로 하나 이상의 유기 용매로 구성되고 이는 양성자성 또는 비양성자성 유기 용매일 수도 있는 것이 바람직하다. 하나 이상의 극성 양성자성 유기 용매가 바람직하고, 가장 바람직한 것은 단일 극성 양성자성 유기 용매이다.
본원에 사용된 "극성 비양성자성 유기 용매" 는 산성 수소를 갖지 않고 (즉, 수소 이온을 포함하지 않거나 공여할 수 없고) 1.7 이상의 쌍극자 모멘트를 갖는 유기 용매이다.
통상적인 극성 비양성자성 유기 용매는 (a) 제한없이, 케톤, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만, 아세톤, (b) 락톤, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만, γ-부티로락톤, (c) 락탐, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 N-메틸-2-피롤리돈, (d) 니트릴, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만, 아세토니트릴, (e) 니트로 화합물, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 니트로메탄, (f) 3차 카르복실산 아미드, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 디메틸포름아미드, (g) 우레아 유도체, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 테트라메틸 우레아 또는 디메틸프로필렌 우레아 (DMPU), (h) 설폭사이드, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 디메틸설폭사이드 (DMSO), (i) 설폰, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 설포란, (h) 탄산 에스테르, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 디메틸카보네이트 또는 에틸렌카보네이트이다.
본원에 사용된 "극성 양성자성 유기 용매"는 (즉, 수소 이온을 공여할 수 있는) 산성 수소를 포함하는 유기 용매이다.
통상적인 극성 양성자성 유기 용매는, 제한없이, (a) C1 내지 C10 알코올, (b) 1 차 또는 2 차 아민, 카르복실산, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 포름산 또는 아세트산, 또는 (c) 1 차 또는 2 차 아미드, 이를 테면, 이에 제한되지 않지만 포름아미드이다.
바람직한 유기 용매는 선형, 분지형 또는 환형 지방족 알코올, 특히 선형 또는 분지형 알칸올이고 이는 적어도 하나의 히드록시 기를 포함한다. 바람직한 알칸올은 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올 (이소프로판올) 또는 부탄올이다. 가장 바람직한 것은 2-프로판이다.
식 I 의 첨가제
본 발명에 따른 보론산 에스테르 첨가제 (또한, 첨가제 또는 보다 구체적으로 보론 알콕시레이트 또는 보론 아록시레이트로도 지칭된다) 는 하기 식 I 으로부터 선택될 수도 있다:
식에서 R1, R2, R3, 및 R4 는 독립적으로 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C11 알킬카르보닐, C6 내지 C12 아릴, C7 내지 C14 알킬아릴, 및 C7 내지 C14 아릴알킬로부터 선택될 수도 있다. 바람직하게 R1, R2, R3, 및 R4 는 C1 내지 C8 알킬, C1 내지 C9 알킬카르보닐, C6 내지 C10 아릴, C7 내지 C12 알킬아릴, 및 C7 내지 C12 아릴알킬로부터 선택될 수도 있다. 보다 바람직하게 R1, R2, R3, 및 R4 는 C1 내지 C6 알킬, C1 내지 C7 알킬카르보닐, 페닐, C7 내지 C10 알킬아릴, 및 C7 내지 C10 아릴알킬로부터 선택될 수도 있다. 더욱 더 바람직하게는 R1, R2, R3, 및 R4 는 C1 내지 C4 알킬, C1 내지 C5 알킬카르보닐, 페닐, C7 내지 C8 알킬아릴, 및 C7 내지 C8 아릴알킬로부터 선택될 수도 있다. 가장 바람직한 기 R1, R2, R3, 및 R4 는 메틸, 에틸, 1-프로필, 2-프로필, 아세틸, 페닐로부터 선택될 수도 있다.
n 은 0 또는 1 일 수도 있고, 바람직하게는 0 이다.
특히 바람직한 실시형태에서, 첨가제는 보론 트리아세테이트, 트리벤질 보레이트, 트리메톡시 보레이트, 트리에톡시 보레이트, 및 트리-2-프로폭시 보레이트로부터 선택된다.
농도는 패턴 붕괴를 적절하게 방지하기 위해 충분히 높아야 하지만 경제적 이유로 가능한 낮아야 한다. 비수성 용액에서 식 I, II, III 및 IV 의 첨가제의 농도는 일반적으로 약 0.00005 내지 약 3 중량% 의 범위에 있을 수도 있다. 바람직하게, 첨가제의 농도는 약 0.00005 내지 약 1.0 중량%, 보다 바람직하게 약 0.0005 내지 약 0.5 중량%, 더욱 더 바람직하게 0.0005 내지 0.1 중량% 훨씬 더 바람직하게 0.001 내지 0.1 중량%, 및 가장 바람직하게 0.002 내지 0.1 중량% 이며, 중량 백분율은 조성물의 전체 중량을 기준으로 한다.
조성물에는 하나 이상의 첨가제가 있을 수도 있지만, 그러나, 식 I 의 하나의 첨가제만을 사용하는 것이 바람직하다.
추가의 첨가제
추가의 첨가제는 본 발명에 따른 클리닝 용액에 존재할 수도 있다. 이러한 첨가제는 다음과 같을 수도 있다:
(I) pH 조정을 위한 완충 성분들, 이를 테면, 이에 제한되는 것은 아닌 (NH4)2CO3/NH4OH, Na2CO3/NaHCO3, tris-히드록시메틸-아미노메탄/HCl, Na2HPO4/NaH2PO4, 또는 아세트산 등과 같은 유기 산, 메탄술폰산,
(II) 표면 장력 및 혼합물의 가용성을 개선하기 위한 비이온성, 또는 아니온성의 하나 이상의 추가의 첨가제, 또는
(III) 오염물의 제거된 입자 또는 폴리머의 표면 재부착을 방지하기 위한 분산제.
바람직하게, 비수성 조성물은 유기 용매, 바람직하게, 극성 양성자성 유기 용매 및 식 I 의 적어도 하나의 첨가제로 본질적으로 구성된다.
적용
본원에 설명된 조성물은 50 nm 이하의 라인-간격 치수 및 4 이상의 애스펙트 비, 또는 이들의 조합을 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 처리하는데 사용될 수도 있다.
본원에 설명된 조성물은 집적 회로 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계 정밀 디바이스를 제조하기 위한 방법에 사용될 수도 있으며, 본 방법은 하기 단계:
(1) 50 nm 이하의 라인 간격 치수 및 4 이상의 애스펙트 비를 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 제공하는 단계,
(2) 본원에 설명된 바와 같은 적어도 보론산 에스테르 첨가제를 포함하는 비수성 용액과 적어도 한 번 기판을 접촉시키는 단계, 및
(3) 기판과의 접촉으로부터 비수성 용액을 제거하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 기판은 하기 단계를 포함하는 포토리소그래피 프로세스에 의해 제공된다.
(i) 기판에 침지 포토레지스트 (immersion photoresist), EUV 포토레지스트 또는 eBeam 포토레지스트 층을 제공하는 단계,
(ii) 침지액을 이용하거나 또는 이용하지 않고서 마스크를 통해 포토레지스트 층을 화학 방사선에 노광시키는 단계,
(iii) 노광된 포토레지스트 층을 현상제 용액으로 현상하여 32 nm 이하의 라인 간격 치수 및 10 이상의 애스펙트 비를 갖는 패턴을 얻는 단계,
(iv) 본원에 기재된 비수성 조성물을 현상된 패터닝된 포토레지스트 층에 도포하는 단계, 및
(v) 비수성 조성물의 도포 후 반도체 기판을 스핀 건조하는 단계.
임의의 관례적이고 알려진 침지 포토레지스트, EUV 포토레지스트 또는 eBeam 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 침지 포토레지스트는 첨가제들 또는 이의 조합 중 적어도 하나를 이미 함유할 수도 있다. 또한, 침지 포토레지스트는 다른 비이온성 첨가제를 함유할 수도 있다. 적합한 비이온성 첨가제는 예를 들어 US 2008/0299487 A1, 6 페이지, 단락 [0078] 에 설명되어 있다. 가장 바람직하게는, 침지 포토레지스트는 포지티브 레지스트이다.
약 13.5 nm 의 e-Beam 노광 또는 극 자외선 방사선 이외에, 바람직하게는 193 nm 파장의 UV 방사선이 화학 방사선으로 사용된다.
침지 리소그래피의 경우 바람직하게, 초순수를 침지액으로 사용한다.
노광된 포토레지스트 층을 현상하기 위해 관례적이고 알려진 현상제 용액을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 테트라메틸암모늄 히드록사이드 (TMAH) 를 함유하는 수성 현상제 용액이 사용된다.
바람직하게는, 화학적 린스 용액은 퍼들 (puddle) 로서 노광되고 현상된 포토레지스트 층에 도포된다.
방법의 제3 단계에서, 비수용 용액은 기판과의 접촉으로부터 제거된다. 고체 표면으로부터 액체를 제거하기 위해 관례적으로 사용되는 임의의 공지된 방법이 사용될 수 있다.
본 발명의 방법에 따른 포토리소그래픽 프로세스에 대하여 화학적 린스 용액은 실록산 첨가제 중 적어도 하나를 포함하는 것이 본질적이다.
반도체 산업에서 관례적으로 사용되는 관례적이고 공지된 장비는 본 발명의 방법에 따른 포토리소그래피 프로세스를 수행하기 위해 사용될 수 있다.
실시예
원형 나노 필러 (pillar) 패턴으로 패터닝된 실리콘 웨이퍼를 사용하여 건조 동안 포뮬레이션 (formulation) 의 패턴 붕괴 성능을 결정했다. 테스트에 사용된 (애스펙트 비) AR 20 필러는 600 nm이고 직경은 30 nm 이다. 피치 크기는 90 nm 이다. 1x1 cm 웨이퍼 피스들이 다음 시퀀스로 도중에 건조 없이 처리되었다:
■ 30 초 희석 불화수소산 (DHF) 0.9 % 침액,
■ 60 초 초순수 (UPW) 침액,
■ 60 초 이소프로판올 (IPA) 침액,
■ 실온에서 용매의 각각의 첨가제의 용액의 60 초 침액,
■ 60 초 IPA 침액,
■ N2 블로우 건조.
용매의 물의 함량은 0.01 중량% 미만이였다.
표 1 의 조성물이 실시예에 사용되었다.
실시예 1 및 2 에 대한 탑다운 SEM 및 붕괴 통계로 분석되었던 건조된 실리콘 웨이퍼가 표 2 에 도시된다.
패턴 붕괴 클러스터 크기 분포는 SEM 이미지들로부터 결정되었다. 클러스터 크기는 각각의 클러스터가 구성하는 붕괴되지 않은 필러의 수에 대응한다. 예를 들어, 처리전 웨이퍼가 4 x 4 필러를 포함하고 8 개가 붕괴되지 않은 상태로 남고, 4 개가 2 개의 필러를 포함하는 두 개의 클러스터로 붕괴되고 4 개의 필러가 4 개의 필러를 포함하는 하나의 클러스터로 붕괴되는 경우, 그 비는 8/11 단일 클러스터, 2/11 개의 이중 클러스터 및 4 개의 필러가 있는 1/11 클러스터이다.
표 2 는 첨가제가, 어떠한 첨가제도 없는 용액에 비해 패턴 붕괴의 정도에 유리한 영향을 주는 것을 보여준다.
Claims (13)
- 비수성 조성물로서,
(a) 유기 용매, 및
(b) 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 첨가제를 포함하고:
식에서 R1, R2, R3, 및 R4 는 독립적으로 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C11 알킬카르보닐, C6 내지 C12 아릴, C7 내지 C14 알킬아릴, 및 C7 내지 C14 아릴알킬로부터 선택되고; 그리고 n 은 0 또는 1 인, 비수성 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 용매는 극성 양성자성 유기 용매인, 비수성 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 용매는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알칸올인, 비수성 조성물. - -
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비수성 조성물 중 물의 함량은 0.1 중량% 미만인, 비수성 조성물. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비수성 조성물은 본질적으로 상기 유기 용매 및 식 I 의 적어도 하나의 첨가제로 구성되는, 비수성 조성물. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
R1, R2, R3, 및 R4 는 C1 내지 C6 알킬, C1 내지 C7 알킬카르보닐, 페닐, C7 내지 C10 알킬아릴, 및 C7 내지 C10 아릴알킬로부터 선택되는, 비수성 조성물. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
n 은 0 인, 비수성 조성물. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 첨가제는 보론 트리아세테이트, 트리벤질 보레이트, 트리메톡시 보레이트, 트리에톡시 보레이트, 및 트리-2-프로폭시 보레이트로부터 선택되는, 비수성 조성물. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 조성물의 용도로서,
50 nm 이하의 라인-간격 (line-space) 치수, 4 이상의 애스펙트 비, 또는 이들의 조합을 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 처리하기 위한, 조성물의 용도. - 집적 회로 디바이스, 광학 디바이스, 마이크로머신 및 기계 정밀 디바이스를 제조하는 방법으로서,
상기 방법은 하기 단계:
(1) 50 nm 이하의 라인-간격 치수, 4 이상의 애스펙트 비, 또는 이들의 조합을 갖는 패터닝된 재료 층을 갖는 기판을 제공하는 단계,
(2) 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 조성물과 기판을 적어도 한 번 접촉시키는 단계, 및
(3) 상기 기판과의 접촉으로부터 비수성 조성물을 제거하는 단계를 포함하는, 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 패터닝된 재료 층은 32 nm 이하의 라인-간격 치수 및 10 이상의 애스펙트 비를 갖는, 방법. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 패터닝된 재료 층은 패터닝된 현상된 포토레지스트 층, 패터닝된 배리어 재료 층, 패터닝된 멀티-스택 재료 층 및 패턴 유전체 재료 층으로 구성된 군으로부터 선택되는, 방법.
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