KR20210132093A - 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 - Google Patents

액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 Download PDF

Info

Publication number
KR20210132093A
KR20210132093A KR1020217029358A KR20217029358A KR20210132093A KR 20210132093 A KR20210132093 A KR 20210132093A KR 1020217029358 A KR1020217029358 A KR 1020217029358A KR 20217029358 A KR20217029358 A KR 20217029358A KR 20210132093 A KR20210132093 A KR 20210132093A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
component
liquid epoxy
liquid
Prior art date
Application number
KR1020217029358A
Other languages
English (en)
Inventor
츠토무 마스코
후미노리 아라이
Original Assignee
나믹스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나믹스 가부시끼가이샤 filed Critical 나믹스 가부시끼가이샤
Publication of KR20210132093A publication Critical patent/KR20210132093A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)

Abstract

본 발명은, 상온에서는 저점도의 액체이며, 또한 충분한 접착 강도를 나타냄과 함께, 종래품에 비해 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타내는 경화물을 부여하는 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 등을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, (A) 제1 에폭시 수지, (B) 제2 에폭시 수지, (C) 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 경화제 및 (D) 충전제를 특정한 조성으로 포함한다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 상온에서는 저점도의 액체이며, 또한 전자 부품을 기판에 고정하는 데 충분한 접착 강도를 나타낸다. 또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물은, 종래품이 부여하는 경화물에 비해서 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하면, 보다 미세화된 배선을 포함하고, 보다 고주파의 신호를 처리하는 것에 대응할 수 있는 전자 부품을 용이하게 작성할 수 있고, 또한 이 전자 부품을, 충분한 접착 강도로써 기판에 실장할 수 있다.

Description

액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물
본 발명은, 전자 부품의 제작에 있어서 접착제 또는 밀봉재로서 바람직하게 사용할 수 있는 액상 에폭시 수지 조성물, 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 및 그 경화물을 포함하는 전자 부품에 관한 것이다.
근년, 전자 기기의 고성능화에 수반하여, 그들의 전자 기기에 포함되는 회로에 있어서, 보다 고주파의 신호를 처리하는 것이 요구되고 있다. 이에 수반하여, 신호의 전송 시에 발생하는 신호의 지연이나 전송 손실이 문제가 된다.
신호의 지연이나 전송 손실은, 전자 기기 내의 기판이나 전자 부품에 포함되는 절연체의 유전 특성을 개선하는 것, 특히 비유전율 및 유전정접을 저하시킴으로써 억제할 수 있다.
또한, 전자 부품 내의 배선이 근년 현저하게 미세화되고, 배선간이나 단자간의 간격이 매우 좁아지고 있고, 우수한 절연성의 확보가 중요한 과제가 되어 있다. 단락을 회피할 수 있는 충분한 절연을 확보하기 위해서는, 보다 비유전율이 낮은 절연체를 사용할 필요가 있게 된다.
종래부터 전자 기기에 사용되는 전자 부품, 예를 들어 반도체 칩의 밀봉이나 언더필 용도에는, 신뢰성의 보유 지지 등을 목적으로 하여, 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착제 등이 종종 사용된다. 이 때문에, 금후의 가일층의 배선의 미세화나, 또한 고주파의 신호를 처리하는 것에 대응할 수 있는, 보다 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타내는 경화물을 부여하는 에폭시 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다. 특히, 초고주파의 신호를 취급하는, 제5세대 이동 통신 시스템이나 차량 탑재용의 준밀리미터파 레이더에 적합한 밀봉재나 언더필 등의 개발은, 긴요한 과제가 되어 있다.
또한, 전자 부품용의 접착제 등은, 모세관 현상을 이용한 협소부에 대한 주입이 필요하게 되는 경우가 있다. 그 때문에, 전자 부품용의 접착제 등에 포함되는 에폭시 수지 조성물은, 충분한 접착 강도를 나타내는 것은 물론, 제조되는 온도에 있어서 저점도의 액체인 것이 필요하다.
일본 특허 공개 제2018-030981호 공보 일본 특허 공개 제2014-177530호 공보
그러나, 낮은 비유전율 및 유전정접, 충분한 접착 강도, 상온에서의 낮은 점도라고 하는 상기의 요구 모두를 충족할 수 있는 에폭시 수지 조성물은, 종래 알려져 있지 않았다. 예를 들어 특허문헌 1 및 2는 유전정접이 낮은 경화물을 초래하는 에폭시 수지 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 이들의 조성물은, 프린트 기판 등을 작성하기 위한 접착 필름의 형태로 사용하는 것이 의도되어 있으므로, 그 점도는 충분히 낮은 것은 아니다. 또한, 이들의 조성물이 부여하는 경화물에 대해서는, 유전정접의 저하는 확인되어 있지만, 비유전율의 저하는 확인되어 있지 않다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 상온에서는 저점도의 액체이며, 또한 충분한 접착 강도를 나타냄과 함께, 종래품에 비해 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타내는 경화물을 부여하는 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 문제점을 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 이하에 한정되는 것은 아니지만, 다음의 발명을 포함한다.
1. 하기 성분 (A) 내지 (D):
(A) 하기 식 (1):
Figure pct00001
[식 중,
R1은, 1개 내지 3개의 에폭시기를 포함하며, 또한 에테르 결합을 포함하고 있어도 되는 1가의 탄화수소기를 나타내고,
R1이 2개 또는 3개의 에폭시기를 포함할 때, R1은 분기한 구조를 갖고,
각각의 R2는, 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
n 및 m은, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수를 나타낸다.]
로 표시되는 구조를 갖는 제1 에폭시 수지
(B) 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 구조를 갖는 제2 에폭시 수지
(C) 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 경화제
(D) 충전제
를 포함하는 액상 에폭시 수지 조성물이며,
해당 성분 (A)의 질량이, 해당 성분 (A)와 해당 성분 (B)의 합계 질량에 대해 40% 이상, 80% 이하이고,
해당 성분 (D)의 질량이, 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 40% 이상, 65% 이하인, 액상 에폭시 수지 조성물.
2. 경화 촉진제를 더 포함하는, 전항 1에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
3. 상기 성분 (B)가 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전항 1 또는 2에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
4. 상기 성분 (C)가 산 무수물, 아민 화합물 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
5. 상기 성분 (D)가 실리카 충전제 및 알루미나 충전제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
6. 전항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는, 경화물.
7. 전항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 접착제 또는 밀봉재.
8. 전항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 필름.
9. 전항 6에 기재된 경화물, 전항 7에 기재된 접착제 또는 밀봉재의 경화물, 또는 전항 8에 기재된 필름의 경화물을 포함하는, 전자 부품.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 상온에서는 저점도의 액체이며, 또한 전자 부품을 기판에 고정하는 데 충분한 접착 강도를 나타낸다. 또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물은, 종래품이 부여하는 경화물에 비해서 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하면, 보다 미세화된 배선을 포함하고, 보다 고주파의 신호를 처리하는 것에 대응할 수 있는 전자 부품을 용이하게 작성할 수 있고, 또한 이 전자 부품을, 충분한 접착 강도로써 기판에 실장할 수 있다.
도 1은 언더필재에 의해 밀봉되어 있는, 칩이 플립 칩 접속에 의해 기판에 실장된 부위의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다.
본 발명은 하기 성분 (A) 내지 (D):
(A) 제1 에폭시 수지
(B) 제2 에폭시 수지
(C) 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 경화제
(D) 충전제
를 포함하고,
상기 성분 (A)의 질량이, 상기 성분 (A)와 상기 성분 (B)의 합계 질량에 대해 40% 이상, 80% 이하이고,
상기 성분 (D)의 질량이, 상기 성분 (A) 내지 (D)의 합계 질량에 대해 40% 이상, 80% 이하인, 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에 포함되는 상기 성분 (A) 내지 (D)에 관해, 이하에 설명한다.
[제1 에폭시 수지(성분 (A))]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 하기 식 (1):
Figure pct00002
[식 중,
R1은, 1개 내지 3개의 에폭시기를 포함하며, 또한 에테르 결합을 포함하고 있어도 되는 1가의 탄화수소기를 나타내고,
R1이 2개 또는 3개의 에폭시기를 포함할 때, R1은 분기한 구조를 갖고,
각각의 R2는, 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
n 및 m은, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수를 나타낸다.]
로 표시되는 구조를 갖는 제1 에폭시 수지를 함유한다. 이후, 이 제1 에폭시 수지를 「성분 (A)」라고 칭하는 경우가 있다. 성분 (A)는 상기 식 (1)로 표시되는, 특정한 구조를 갖는 분지상 지방족 카르복실산의 에스테르이다. 성분 (A)는 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전 특성을 향상시키는 작용을 나타내므로, 성분 (A)의 사용은 본 발명에 있어서 중요하다. 성분 (A)는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 식 (1)에 있어서의 R1은, 1가의 탄화수소기이다. 1가의 탄화수소기란, 탄화수소의 탄소 원자로부터 1개의 수소 원자를 제거함으로써 발생하는 1가의 기를 가리킨다. 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들어 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 알킬 치환 시클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알카릴기를 들 수 있다.
상기 알킬기, 알케닐기 및 알키닐기(이하, 「알킬기 등」이라고 총칭한다.) 의 탄소수에는 특별히 한정은 없다. 상기 알킬기의 탄소수는, 통상 1 내지 20, 바람직하게는 2 내지 18, 더욱 바람직하게는 3 내지 17, 보다 바람직하게는 4 내지 16, 특히 바람직하게는 5 내지 15이다. 또한, 상기 알케닐기 및 알키닐기의 탄소수는, 통상 2 내지 20, 바람직하게는 2 내지 18, 더욱 바람직하게는 3 내지 17, 보다 바람직하게는 4 내지 16, 특히 바람직하게는 5 내지 15이다. 상기 알킬기 등이 환상 구조를 포함하는 경우, 상기 알킬기 등의 탄소수는, 통상 4 내지 20, 바람직하게는 4 내지 18, 더욱 바람직하게는 5 내지 16, 보다 바람직하게는 6 내지 15이다. 상기 알킬기 등의 탄소수는, 예를 들어 LC-TOF나 핵자기 공명법(NMR법)에 의해 특정할 수 있다.
상기 알킬기 등의 구조에는 특별히 한정은 없다. 상기 알킬기 등은, 직쇄상이어도 되고, 측쇄를 갖고 있어도 된다. 상기 알킬기 등은, 쇄상 구조이어도 되고, 환상 구조(시클로알킬기, 시클로알케닐기 및 시클로알키닐기)이어도 된다. 상기 알킬기 등은, 다른 치환기를 1종 또는 2종 이상 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 상기 알킬기 등은, 치환기로서, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자를 포함하는 치환기를 갖고 있어도 된다. 또한, 상기 알킬기 등은, 쇄상 구조 중 또는 환상 구조 중에 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자를 1개 또는 2개 이상 포함하고 있어도 된다. 상기 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자로서는, 예를 들어 산소 원자 및 질소 원자의 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
상기 식 (1)에 있어서의 R1은, 1개 내지 3개의 에폭시기를 포함한다. 바람직하게는, R1은, 1개 또는 2개의 에폭시기를 포함한다. 보다 바람직하게는, R1은, 2개의 에폭시기를 포함한다.
R1이 2개 또는 3개의 에폭시기를 포함할 때, R1은 분기한 구조를 갖는다. 즉 이 경우, R1은 측쇄를 갖는다.
이 에폭시기에 추가하여, R1은, 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 알릴, 알콕시, 알킬티오, 아릴옥시, 히드록실, 니트로, 아미드, 아지드, 시아노, 아실옥시, 카르복시, 술폭시, 아크릴옥시, 실록시 또는 에스테르로 치환되어 있어도 된다. 즉 R1은, 에테르 결합을 포함하고 있어도 된다.
일 양태에 있어서, R1은 글리시딜옥시기를 1개 이상 포함한다. 다른 일 양태에 있어서, R1은 글리시딜옥시기를 1개 또는 2개 포함한다. 다른 일 양태에 있어서, R1은 글리시딜옥시기를 2개 포함한다.
상기 식 (1)에 있어서, n 및 m은, 바람직하게는 1 내지 8이며, 보다 바람직하게는 1 내지 6이며, 특히 바람직하게는 2 내지 4이다. 일 양태에 있어서, n=4, m=2이며, R2 중 2개가 메틸기이며, 다른 R2가 수소 원자이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서의 성분 (A)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물 100질량%에 대하여 바람직하게는 20 내지 40질량%이며, 더욱 바람직하게는 30 내지 40질량%이다. 성분 (A)의 함유량이 너무 적으면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전 특성이 충분히 향상되지 않는다. 한편, 성분 (A)의 함유량이 너무 많으면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 접착 강도가 불충분해진다.
성분 (A)의 상태에 특별히 제한은 없고, 본 발명의 조성물이 액상인 한, 성분 (A)는 액상이어도 되고, 고체이어도 된다. 2종 이상의 성분 (A)를 병용하는 경우, 성분 (A)의 상태는, 모든 성분 (A)를 혼합하여 얻어지는 혼합물의 상태를 말한다. 본 발명에 있어서, 바람직하게는 성분 (A)는 액상이다. 또한, 성분 (A)의 점도(25℃)는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01 내지 5Paㆍs이며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3Paㆍs이며, 특히 바람직하게는 0.1 내지 1Paㆍs이다.
또한 근년, 에폭시 수지용의 경화제로서 어느 종의 에스테르 화합물이 사용되는 경우가 있다. 이와 같은 에스테르 화합물은 통상 「활성 에스테르 화합물」이라고 칭해지고, 페놀에스테르, 티오페놀에스테르 등의, 에폭시기와의 반응성을 향상시키는 구조(예를 들어, 일본 특허 공개 소62-053327호 공보를 참조)를 갖고 있으므로, 그 명칭이 나타내는 바와 같이, 에폭시기와의 반응성이 상대적으로 높은에스테르 화합물이다.
한편, 상기 식 (1)로부터 명백한 바와 같이, 상기 성분 (A)는 특정한 구조를 갖는 분지상 지방족 카르복실산이, 에스테르 결합을 개재하여 탄화수소기 R1과 결합한 구조를 갖는 에스테르 화합물이다. 그러나 성분 (A)는 에폭시기와의 반응성을 향상시키는 구조를 갖고 있지 않고, 경화제로서의 작용을 기대할 수 있는 물질은 아니다.
성분 (A)는 시판품(예를 들어, FOLDI E101, FOLDI E201(닛산 가가꾸제) 등)으로서 입수할 수 있다.
[제2 에폭시 수지(성분 (B))]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 구조를 갖는 제2 에폭시 수지를 함유한다. 이후, 이 제2 에폭시 수지를 「성분 (B)」라고 칭하는 경우가 있다.
본 발명에 있어서는, 2종의 에폭시 수지, 즉 성분 (A) 및 (B)를 조합하여 사용한다. 상기한 바와 같이, 성분 (A)의 사용은 본 발명에 있어서 중요하지만, 에폭시 수지로서 성분 (A)만을 사용하면, 접착 강도가 불충분해진다. 그 때문에, 충분한 접착 강도를 확보하는 목적으로, 성분 (A)와 조합하여 성분 (B)를 사용한다.
성분 (B)는 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 구조를 갖는 에폭시 수지인 한 특별히 한정되지 않고, 공지된 그와 같은 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 성분 (B)는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 성분 (B)의 상태에 특별히 제한은 없고, 본 발명의 조성물이 액상인 한, 성분 (B)는 액상이어도 되고, 고체이어도 된다. 2종 이상의 성분 (B)를 병용하는 경우, 성분 (B)의 상태는, 모든 성분 (B)를 혼합하여 얻어지는 혼합물의 상태를 말한다. 본 발명에 있어서, 바람직하게는 성분 (B)는 액상이다.
성분 (B)는 지방족 에폭시 수지와 방향족 에폭시 수지로 크게 구별된다.
지방족 에폭시 수지의 예로서는,
-(폴리)프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 부탄디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르와 같은 디에폭시 수지;
-트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르와 같은 트리 에폭시 수지;
-비닐(3,4-시클로헥센)디옥시드, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)-5,1-스피로-(3,4-에폭시시클로헥실)-m-디옥산과 같은 지환식 에폭시 수지;
-테트라글리시딜비스(아미노메틸)시클로헥산과 같은 글리시딜 아민형 에폭시 수지;
-1,3-디글리시딜-5-메틸-5-에틸히단토인과 같은 히단토인형 에폭시 수지; 및
-1,3-비스(3-글리시독시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 같은 실리콘 골격을 갖는 에폭시 수지
등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
지방족 에폭시 수지는, 분자량이 150 내지 800인 것이 특히 바람직하다.
한편, 방향족 에폭시 수지는, 벤젠환 등의 방향환을 포함하는 구조를 갖는 에폭시 수지이다. 비스페놀 A형 에폭시 수지 등, 종래 빈용되고 있는 에폭시 수지에는 이러한 종류의 것이 많다.
방향족 에폭시 수지의 예로서는,
-비스페놀 A형 에폭시 수지;
-p-글리시딜옥시페닐디메틸트리스비스페놀 A 디글리시딜에테르와 같은 분지상 다관능 비스페놀 A형 에폭시 수지;
-비스페놀 F형 에폭시 수지;
-노볼락형 에폭시 수지;
-플루오렌형 에폭시 수지;
-비페닐아르알킬 에폭시 수지;
-p-tert-부틸페닐글리시딜에테르, 1,4-페닐디메탄올디글리시딜에테르와 같은 디에폭시 수지;
-3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디글리시딜옥시비페닐과 같은 비페닐형 에폭시 수지;
-디글리시딜아닐린, 디글리시딜톨루이딘, 트리글리시딜-p-아미노페놀, 테트라글리시딜-m-크실릴렌디아민과 같은 아미노페놀형 에폭시 수지; 및
-나프탈렌형 에폭시 수지
등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
방향족 에폭시 수지는, 분자량이 200 내지 400인 것이 특히 바람직하다.
일 양태에 있어서는, 성분 (B)가 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
본 발명에 있어서는, 성분 (B)가 적어도 1종의, 히드록실기를 갖고 있지 않은 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이것은, 에폭시 수지의 히드록실기 함유량이 높아지면, 그 에폭시 수지를 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전율이나 유전정접이 저하되는 경향이 있기 때문이다.
또한, 히드록실기를 갖고 있지 않은 에폭시 수지를 사용해도, 상기 경화물은 필연적으로, 경화 시의 에폭시기의 개열에 의해 발생하는 히드록실기를 포함한다. 어떤 에폭시 수지의 에폭시 당량이 클수록, 일정량의 그 에폭시 수지를 경화시켜 얻어지는 경화물에 있어서의 그와 같은 히드록실기의 함유량은 낮아진다. 단, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 너무 크면, 충분한 수의 가교가 형성되지 않고, 충분한 경화가 얻어지지 않는다. 그 때문에 본 발명에 있어서는, 성분 (B)가 적어도 1종의, 110 내지 200g/eq의 에폭시 당량을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 이 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 120 내지 180g/eq가 보다 바람직하고, 130 내지 150g/eq가 더욱 바람직하다.
다른 하나의 양태에 있어서, 성분 (B)는 경화물의 유전 특성을 저하시키지 않는 관점에서, 실질적으로 질소 원자를 포함하지 않는다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서의 성분 (B)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물 100질량%에 대하여 바람직하게는 10 내지 30질량%이다.
또한, 후술하는 성분 (E)(경화 촉진제)로서 에폭시 수지를 포함하는 성분 (E)를 사용하는 경우, 성분 (B)의 질량은, 성분 (E)에 포함되는 에폭시 수지를 포함하는 질량이다.
본 발명에 있어서, 성분 (A)의 질량은, 성분 (A)와 상기 성분 (B)의 합계 질량에 대해 40% 이상, 80% 이하이다. 40% 미만이면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전 특성이 충분히 향상되지 않는다. 한편, 80% 초과이면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 접착 강도가 불충분해진다. 성분 (A)의 질량은, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계 질량에 대해 바람직하게는 40% 이상, 80% 이하이고, 보다 바람직하게는 60% 이상, 80% 이하이다.
성분 (B)는 시판품(예를 들어, YDF8170(신닛테츠제), EXA850CRP(DIC제) 등)으로서 입수할 수 있다.
[경화제(성분 (C))]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 경화제를 함유한다. 이후, 이 경화제를 「성분 (C)」라고 칭하는 경우가 있다.
성분 (C)는 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 한 특별히 한정되지 않고, 공지된 경화제를 사용할 수 있다. 성분 (C)는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
성분 (C)의 예로서는, 페놀 수지, 산 무수물, 아민 화합물(방향족 아민 등) 및 이미다졸 유도체 등을 들 수 있다.
페놀 수지의 예로서는, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 나프톨 수식 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 수식 페놀 수지 및 p-크실렌 수식 페놀 수지를 들 수 있다.
산 무수물의 예로서는, 메틸테트라히드로프탈산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 알킬화테트라히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 메틸하이믹 무수물, 도데세닐 무수숙신산 및 메틸나드산 무수물을 들 수 있다.
아민 화합물의 예로서는, 방향족 아민, 예를 들어 메틸렌디아닐린, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐술폰 및 3,3'-디아미노디페닐술폰을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 성분 (C)가 산 무수물, 아민 화합물 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전 특성의 관점에서, 성분 (C)가 산 무수물인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물 중의 성분 (C)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 상기 성분 (A) 및 (B)의 에폭시기의 합계량에 대해 성분 (C)의 에폭시기와 반응하는 관능기(산 무수기, 아미노기, 히드록실기 등)의 합계량이 거의 당량인 것이 바람직하다. 즉, 상기 성분 (A) 및 (B) 중의 에폭시기의 합계량을 1당량으로 할 때, 상기 성분 (C)의 에폭시기와 반응하는 관능기의 합계량이, 바람직하게는 0.3 내지 1.5당량, 보다 바람직하게는 0.6 내지 1.2당량이다. 관능기의 합계량이 상기의 범위 외이면, 미반응된 관능기가 많아지므로, 가수분해성이 높아지는 등의 악영향이 있고, 또한 흡수성이 높아지는 점에서, 유전 특성의 악화를 초래한다.
성분 (C)는 시판품(예를 들어, YH306(산 무수물, 미쯔비시 가가꾸제), HDAA(아민 화합물, 닛폰 가야쿠제), MEH8005(페놀 수지, 메이와 가세이제) 등)으로서 입수할 수 있다.
[충전제(성분 (D))]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 충전제를 함유한다. 이후, 이 충전제를 「성분 (D)」라고 칭하는 경우가 있다.
성분 (D)는 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 접착제 또는 밀봉재로서 사용할 때의, 피착재에 대한 접착 강도를 향상되는 작용을 가지므로, 성분 (D)의 사용은 본 발명에 있어서 중요한 의의를 갖는다.
성분 (D)는 특별히 한정되지 않고, 공지된 충전제를 사용할 수 있다. 성분 (D)는 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 성분 (D)의 구체적인 예로서는, 실리카 충전제, 알루미나 충전제, 탈크 충전제, 탄산칼슘 충전제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 성분 (D)가 실리카 충전제 및 알루미나 충전제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
성분 (D)의 평균 입경은, 특별히 한정되지 않지만, 레이저 회절 산란식 입도 분포계에 의해 측정된 메디안 직경(D50)으로서의 평균 입경으로, 바람직하게는 0.01 내지 20㎛이며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10㎛이며, 가장 바람직하게는 0.3 내지 7㎛이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 성분 (D)의 질량은 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 40% 이상, 65% 이하이다. 40% 미만이면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 접착 강도가 불충분해진다. 한편, 65% 초과이면, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 과도하게 높아지고, 협소 갭에 대한 주입성이 불충분해진다. 성분 (D)의 질량은, 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 바람직하게는 50% 이상, 60% 이하이다.
성분 (D)는 시판품(예를 들어, SO-E5(실리카 충전제, 애드마텍스제)로서 입수할 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 필요에 따라서, 필수 성분인 상기 성분 (A) 내지 (D)에 추가하여, 임의 성분을 함유하고 있어도 된다. 이후, 그들의 임의 성분에 대해서 설명한다.
[경화 촉진제(성분 (E))]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 원한다면, 경화 촉진제를 함유해도 된다. 이후, 이 경화 촉진제를 「성분 (E)」라고 칭하는 경우가 있다. 일 양태에 있어서, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함한다.
본 발명에 있어서 사용하는 성분 (E)는 성분 (C)에 의한 에폭시 수지(상기 성분 (A) 및 (B))의 경화를 촉진할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 그와 같은 화합물, 예를 들어 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다. 성분 (E)는 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.
이미다졸 화합물의 예로서는, 1-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-페닐-4, 5-디히드록시메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-벤질-5-히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2-메틸이미다졸릴-(1))-에틸-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1)")-에틸-S-트리아진ㆍ이소시아누르산 부가물, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸-트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸-트리멜리테이트, N-(2-메틸이미다졸릴-1-에틸)-요소, N,N'-(2-메틸이미다졸릴-(1)-에틸)-아지보일디아미드 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들의 이미다졸 화합물은, 시판품(예를 들어, 2P4MZ (2-페닐-4-메틸이미다졸, 시코쿠 가세이제) 등)으로서 입수할 수 있다.
또한 성분 (E)는 잠재성 경화 촉진제이어도 된다. 잠재성 경화 촉진제란, 실온에서는 불활성의 상태에서, 가열 등에 의해 활성화되어, 경화 촉진제로서 기능하는 화합물이며, 예를 들어 상온에서 고체의 이미다졸 화합물;아민 화합물과 에폭시 화합물의 반응 생성물(아민-에폭시 어덕트계) 등의 고체 분산형 아민 어덕트계 잠재성 경화 촉진제;아민 화합물과 이소시아네이트 화합물 또는 요소 화합물의 반응 생성물(요소형 어덕트계) 등을 들 수 있다.
잠재성 경화 촉진제의 시판품의 대표적인 예로서는, 아민-에폭시 어덕트계(아민 어덕트계)로서는, 「아지큐어 PN-23」(아지노모토 파인테크노(주) 상품명), 「아지큐어 PN-40」(아지노모토 파인테크노(주) 상품명), 「아지큐어 PN-50」(아지노모토 파인테크노(주) 상품명), 「하드너 X-3661S」(ACR(주) 상품명), 「하드너 X-3670S」(ACR(주) 상품명), 「노바큐어 HX-3742」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HX-3721」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HXA9322HP」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HXA3922HP」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HXA3932HP」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HXA5945HP」(아사히 가세이(주) 상품명), 「노바큐어 HXA9382HP」(아사히 가세이(주) 상품명), 「후지큐어 FXR1121」(T&K TOKA(주) 상품명) 등을 들 수 있고, 또한, 요소형 어덕트계로서는, 「후지큐어 FXE-1000」(T&K TOKA(주) 상품명), 「후지큐어 FXR-1030」(T&K TOKA(주) 상품명) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
성분 (E)로서는, 포트 라이프, 경화성의 관점에서, 고체 분산형 아민 어덕트계의 잠재성 경화 촉진제가 바람직하다.
상기 성분 (E)를 사용함으로써, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 저온 조건 하에서도 단시간에 경화시킬 수 있다.
또한 성분 (E)에는, 에폭시 수지(상기 성분 (B))에 분산된 분산액의 형태로 제공되는 것이 있다. 그와 같은 형태의 성분 (E)를 사용하는 경우, 그것이 분산하고 있는 에폭시 수지의 양도, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서의 성분 (B)의 양에 포함되는 것에 주의해야 한다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 원한다면, 상기 성분 (E) 이외의 임의 성분, 예를 들어 단관능 에폭시 수지, 안정제, 커플링제 등을 더 함유하고 있어도 된다.
또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에는 원한다면, 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위에서, 또한 다른 첨가제, 예를 들어 카본 블랙, 티타늄 블랙, 이온 트랩제, 레벨링제, 산화 방지제, 소포제, 요변제, 점도 조정제, 난연제, 착색제, 용제 등을 첨가할 수 있다. 각 첨가제의 종류, 첨가량은 통상의 방법과 같다.
[액상 에폭시 수지 조성물]
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 제조하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 성분 (A) 내지 (D) 및 원한다면 성분 (E) 그 외의 임의 성분을, 적절한 혼합기에 동시에, 또는 따로따로 도입하고, 필요하면 가열에 의해 용융하면서 교반하여 혼합하고, 균일한 조성물로 함으로써, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 이 혼합기는 특별히 한정되지 않지만, 교반 장치 및 가열 장치를 구비한 분쇄기, 헨쉘 믹서, 3개 롤 밀, 볼 밀, 플라네터리 믹서, 비즈 밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합하여 사용해도 된다.
이와 같이 하여 얻어진 액상 에폭시 수지 조성물은 열경화성이며, 온도 140 내지 170℃의 조건 하에서는, 0.5 내지 6시간으로 경화하는 것이 바람직하고, 1 내지 2시간으로 경화하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 예를 들어 여러가지의 전자 부품을 포함하는 반도체 장치나, 전자 부품을 구성하는 부품끼리를 고정, 접합 또는 보호하기 위한, 접착제, 밀봉재, 또는 그 원료로 해서 사용할 수 있다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 전자 부품 등을 보호하거나, 기판에 고정하거나 하기 위한 언더필재로서 특히 적합하다.
전자 부품용의 접착제나 밀봉재는, 협소부에 대한 주입이 필요하게 되는 경우가 있지만, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 상온에서는 저점도의 액체이므로, 이들 용도에 적합하다. 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 특히, 전자 부품을 기판에 실장할 때, 그들 사이의 좁은 간극에 모세관 현상을 이용하여 주입되는 모세관 언더필재로서 유용하다.
협소 갭에 대한 주입성의 관점에서, E형 점도계를 사용하여 측정한 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 25℃에서의 점도는, 바람직하게는 0.1 내지 100Paㆍs, 보다 바람직하게는 0.2 내지 70Paㆍs, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 60Paㆍs이다.
또한 본 명세서에 있어서, 어떤 물질이 「액상」이라고 함은, 그 물질이 25℃에서 액체의 상태에 있는 것을 의미한다. 「액체」란, 바람직하게는 E형 점도계를 사용하여 측정한, 25℃에서의 점도 0.001 내지 1000Paㆍs인 유체를 의미한다. 상기 물질은 순물질이어도 되고, 혼합물이어도 된다. 이 혼합물은 균일계의 형태에 있는 것(용액 등)이어도 되고, 불균일계의 형태에 있는 것(유액, 현탁액 등)이어도 된다. 즉, 특별히 언급하지 않는 한, 이 혼합물이 전체로서 상기 요건을 만족하고 있으면, 이 혼합물이 상기 액체에 해당하지 않는 성분을 포함하고 있어도, 그의 혼합물은 액상이라고 간주된다.
덧붙여, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물이 부여하는 경화물은, 종래의 경화물에 비해, 비유전율, 유전정접 등의 유전 특성이 우수하다. 그 때문에, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을, 특히 고주파의 신호를 처리하는 회로를 포함하는 기판의 제작에 사용하면, 종래의 에폭시 수지 조성물을 사용하는 경우에 비해, 전송 손실 및 전파 지연 시간을 대폭으로 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서, 용어 「비유전율」 및 「유전정접」은 각각, JIS C2138 「전기 절연 재료-비유전율 및 유전정접의 측정 방법」으로 정의되어 있는 비유전율 및 유전정접을 의미한다.
이들 값은, 측정하는 주파수대에 적합한 공지된 방법, 예를 들어 공동 공진기, 유전체 공진기 등을 사용하는 방법에 의해 측정할 수 있다. 이 명세서에 있어서 특별히 언급이 없는 경우는, 비유전율 및 유전정접은 25℃에서 유전체 공진기를 사용하여 측정한 값이다.
바람직하게는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 비유전율은, 측정 주파수(10㎓)에 있어서, 바람직하게는 2.2 내지 3.8, 보다 바람직하게는 2.2 내지 3.5, 더욱 바람직하게는 2.2 내지 3.1이다. 또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전정접은, 측정 주파수 10㎓에 있어서, 바람직하게는 0.003 내지 0.015, 보다 바람직하게는 0.003 내지 0.01, 더욱 바람직하게는 0.003 내지 0.007이다.
본 발명에 있어서는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착제 또는 밀봉재도 제공된다. 본 발명의 접착제 또는 밀봉재는, 예를 들어 전자 부품 등을 보호하거나, 기판에 고정하거나 하기 위한 언더필재, 특히 모세관 언더필재로서 바람직하다. 바람직하게는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착제 또는 밀봉재는 일액형이다.
또한, 본 발명에 있어서는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물, 또는 접착제 또는 밀봉재를 경화시켜 얻어지는 경화물도 제공된다.
나아가, 본 발명에 있어서는, 본 발명의 경화물을 포함하는 전자 부품도 제공된다.
또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 필름의 구성 재료로서 사용할 수도 있다. 특히, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 배선 패턴을 보호하는 커버 레이용 필름이나, 다층 배선 기판의 층간 접착 필름에 바람직하다. 또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 필름은, 바람직하게는 전자 부품용에 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 필름도 제공된다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 필름은, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물로부터 공지된 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 용제로 희석하여 바니시라고 하고, 이를 지지체의 적어도 편면에 도포하고, 건조시킨 후, 지지체 구비의 필름, 또는, 지지체로부터 박리한 필름으로서 제공할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물도 제공된다. 또한, 본 발명에 있어서는, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착제 또는 밀봉재를 경화시켜 얻어지는 경화물 및 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 필름을 경화시켜 얻어지는 경화물도 제공된다.
나아가, 본 발명에 있어서는, 본 발명의 경화물, 본 발명의 접착제 또는 밀봉재의 경화물, 또는 본 발명의 필름의 경화물을 포함하는 전자 부품도 제공된다.
실시예
이하, 본 발명에 대해서, 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 6
표 1에 나타내는 배합에 따라서, 소정의 양의 각 성분을 혼합함으로써, 액상 에폭시 수지 조성물을 조제하였다. 표 1에 있어서, 각 성분의 양은 질량부로 표시되어 있다.
ㆍ제1 에폭시 수지(성분 (A))
실시예 및 비교예에 있어서, 성분 (A)로서 사용한 화합물은, 이하와 같다.
(A-1):이소스테아르산에스테르형 에폭시 수지(상품명:FOLDI E201, 닛산 가가꾸제, 에폭시 당량:285)
ㆍ제2 에폭시 수지(성분 (B))
실시예 및 비교예에 있어서, 성분 (B)로서 사용한 화합물은, 이하와 같다.
(B-1):비스페놀 F형 에폭시 수지(상품명:YDF-8170, 신닛테츠스미킨제, 에폭시 당량:159)
(B-2):비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명:EXA-850CRP, DIC제, 에폭시 당량:172)
ㆍ경화제(성분 (C))
실시예 및 비교예에 있어서, 성분 (C)로서 사용한 화합물은, 이하와 같다.
(C-1):YH306(산 무수물, 미쯔비시 가가꾸제)
(C-2):HDAA(아민 화합물, 닛폰 가야쿠제)
(C-3):MEH8005(페놀노볼락 수지, 메이와 가세이제)
ㆍ충전제(성분 (D))
실시예 및 비교예에 있어서, 성분 (D)로서 사용한 화합물은, 이하와 같다.
(D-1):SO-E5(실리카 충전제(입경 1.3 내지 1.7㎛), 애드마텍스제)
ㆍ경화 촉진제(성분 (E))
실시예 및 비교예에 있어서, 성분 (E)로서 사용한 화합물은, 이하와 같다.
(E-1):2P4MZ(2-페닐-4-메틸이미다졸, 시코쿠 가세이제)
실시예 및 비교예에 있어서는, 액상 에폭시 수지 조성물 및 경화물의 특성을, 이하와 같이 하여 측정하였다.
[액상 에폭시 수지 조성물의 점도]
도끼 산교사제 E형 점도계(형식 번호:TVE-22H, 로터명:1°34'×R24)(적절한 측정 레인지(H, R 또는 U)로 설정)를 사용하고, 액상 에폭시 수지 조성물의 점도(단위:Paㆍs)를 25℃에서, 로터 회전수(1rpm)로 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[전단 접착 강도]
FR-4 그레이드의 유리 클로스-에폭시 수지 기판에, 한 변이 2㎜인 정사각형의 실리콘 칩(SiN막 형성에 의해 표면을 안정화한 것)을 0.5㎎의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 접착하고, 150℃에서 2시간 경화시켜, 시료를 얻었다. 얻어진 각 시료에 관해, Bond Tester Series 4000(ARCTEC제)을 사용하여, 헤드 스피드 200.0㎛/s로 전단 접착 강도(단위:Kgf)를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[주입성]
110℃에서, 20㎛의 갭(간극)에 액상 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 주입된 액상 에폭시 수지 조성물이, 주입 위치로부터 20㎜의 위치에 도달할 때까지의 시간을 측정하였다. 이 위치에 도달할 때까지의 시간이 짧을수록, 주입성이 좋은 것을 나타내고 있다.
[비유전율(ε) 및 유전정접(Tanδ)]
이형제를 실시한 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에, 도포기를 사용하여 건조 도막이 25±5㎛의 막 두께가 되도록 액상 에폭시 수지 조성물을 도포한 후, 150℃에서 120분간 가열함으로써, 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜, 에폭시 수지 필름을 얻었다. 얻어진 에폭시 수지 필름을, PET 필름마다 130×40㎜로 재단한 후, PET 필름을 제거함으로써, 비유전율 및 유전정접 측정용 시료를 제작하였다.
스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해, 온도 25℃, 주파수 10㎓로, 상기 측정용 시료의 비유전율(ε), 유전정접(Tanδ)을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00003
(표 1에 이어짐)
Figure pct00004
(표 1에 이어짐)
Figure pct00005
(결과의 고찰)
표 1로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 유전 특성(비유전율 및 유전정접), 주입성 및 접착 강도의 모두 우수하다(실시예 1 내지 10).
성분 (A)의 질량이, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계 질량에 대해 40% 미만이면, 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전 특성이 충분히 향상되지 않는다(비교예 1 및 4).
한편, 성분 (A)의 질량이, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계 질량에 대해 80% 초과이면, 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 접착 강도가 불충분해진다(비교예 5 및 6).
또한, 성분 (D)의 질량이, 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 40% 미만이면, 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 접착 강도가 불충분해지고, 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유전정접도 과도하게 높아진다(비교예 2).
한편, 성분 (D)의 질량이, 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 65% 초과이면, 액상 에폭시 수지 조성물이 나타내는 점도가 과도하게 높아지고, 협소 갭에 대한 주입성이 불충분해진다(비교예 3).
이상으로부터 명백한 바와 같이, 액상 에폭시 수지 조성물 또는 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물이 우수한 유전 특성, 주입성 및 접착 강도를 나타내기 위해서는, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계 질량에 대한 성분 (A)의 질량의 비 및 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대한 성분 (D)의 질량의 비가, 각각 소정의 범위 내에 있는 것이 필요하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 상온에서는 저점도의 액체이며, 또한 전자 부품을 기판에 고정하는 데 충분한 접착 강도를 나타낸다. 또한, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물은, 종래품이 부여하는 경화물에 비해서 낮은 비유전율 및 유전정접을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하면, 보다 미세화된 배선을 포함하고, 보다 고주파의 신호를 처리하는 것에 대응할 수 있는 전자 부품을 용이하게 작성할 수 있고, 또한 이 전자 부품을, 충분한 접착 강도로써 기판에 실장할 수 있다.
1 : 기판
2 : 범프
3 : 칩
4 : 언더필재

Claims (9)

  1. 하기 성분 (A) 내지 (D):
    (A) 하기 식 (1):
    Figure pct00006

    [식 중,
    R1은, 1개 내지 3개의 에폭시기를 포함하며, 또한 에테르 결합을 포함하고 있어도 되는 1가의 탄화수소기를 나타내고,
    R1이 2개 또는 3개의 에폭시기를 포함할 때, R1은 분기한 구조를 갖고,
    각각의 R2는, 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
    n 및 m은, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수를 나타낸다.]
    로 표시되는 구조를 갖는 제1 에폭시 수지
    (B) 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 구조를 갖는 제2 에폭시 수지
    (C) 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 경화제
    (D) 충전제
    를 포함하는 액상 에폭시 수지 조성물이며,
    해당 성분 (A)의 질량이, 해당 성분 (A)와 해당 성분 (B)의 합계 질량에 대해 40% 이상, 80% 이하이고,
    해당 성분 (D)의 질량이, 액상 에폭시 수지 조성물의 총 질량에 대해 40% 이상, 65% 이하인, 액상 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    경화 촉진제를 더 포함하는, 액상 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 성분 (B)가 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 액상 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (C)가 산 무수물, 아민 화합물 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 액상 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (D)가 실리카 충전제 및 알루미나 충전제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 액상 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는, 경화물.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 접착제 또는 밀봉재.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 필름.
  9. 제6항에 기재된 경화물, 제7항에 기재된 접착제 또는 밀봉재의 경화물, 또는 제8항에 기재된 필름의 경화물을 포함하는, 전자 부품.
KR1020217029358A 2019-02-21 2020-02-03 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물 KR20210132093A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019029526A JP7241389B2 (ja) 2019-02-21 2019-02-21 液状エポキシ樹脂組成物及びそれを硬化させて得られる硬化物
JPJP-P-2019-029526 2019-02-21
PCT/JP2020/003854 WO2020170778A1 (ja) 2019-02-21 2020-02-03 液状エポキシ樹脂組成物及びそれを硬化させて得られる硬化物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210132093A true KR20210132093A (ko) 2021-11-03

Family

ID=72144642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217029358A KR20210132093A (ko) 2019-02-21 2020-02-03 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7241389B2 (ko)
KR (1) KR20210132093A (ko)
TW (1) TWI835988B (ko)
WO (1) WO2020170778A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009936A (ja) * 2019-07-01 2021-01-28 昭和電工マテリアルズ株式会社 アンダーフィル用樹脂組成物並びに電子部品装置及びその製造方法
JP7415536B2 (ja) * 2019-12-18 2024-01-17 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN112457808A (zh) * 2020-11-20 2021-03-09 湖北三选科技有限公司 氮化镓功率器件用低翘曲高接着力液态模封胶及制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014177530A (ja) 2013-03-14 2014-09-25 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
JP2018030981A (ja) 2016-08-26 2018-03-01 味の素株式会社 樹脂組成物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5114935B2 (ja) 2005-12-08 2013-01-09 日立化成工業株式会社 電子部品用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置
JP5246760B2 (ja) 2007-09-14 2013-07-24 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2013256547A (ja) 2010-10-05 2013-12-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物および半導体パッケージ
KR102629458B1 (ko) 2015-11-05 2024-01-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 다관능에폭시 화합물 및 이것을 포함하는 경화성 조성물
WO2017077846A1 (ja) 2015-11-05 2017-05-11 日産化学工業株式会社 エポキシ系反応性希釈剤及びそれを含むエポキシ樹脂組成物
CN112424255A (zh) * 2018-07-17 2021-02-26 引能仕株式会社 反应性稀释剂、组合物、密封材、固化物、基板、电子部件、环氧化合物、及化合物的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014177530A (ja) 2013-03-14 2014-09-25 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
JP2018030981A (ja) 2016-08-26 2018-03-01 味の素株式会社 樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP7241389B2 (ja) 2023-03-17
WO2020170778A1 (ja) 2020-08-27
TW202041593A (zh) 2020-11-16
TWI835988B (zh) 2024-03-21
JP2020132779A (ja) 2020-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU728193B2 (en) Thermosetting resin compositions useful as underfill sealants
KR20210132093A (ko) 액상 에폭시 수지 조성물 및 그것을 경화시켜 얻어지는 경화물
KR102014573B1 (ko) 액상 봉지재, 그것을 사용한 전자부품
CN108291075A (zh) 环氧树脂组合物、其制造方法及该组合物的用途
WO2012059558A1 (en) Epoxy-thiol compositions with improved stability
WO2017010401A1 (ja) エポキシ樹脂組成物、その製造方法、及び該組成物の用途
JP6343575B2 (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP5664220B2 (ja) 半導体封止材料及び半導体装置
EP0835287A1 (de) Verwendung von silicon-modifizierten expoxidharzen als vergussmasse
JP5792054B2 (ja) 硬化性組成物及びその硬化物
JP2010185051A (ja) 樹脂組成物および誘電体接着用接着剤
JP2003026766A (ja) エポキシ系反応性希釈剤及び該希釈剤を含む液状エポキシ樹脂組成物
KR101079068B1 (ko) 에폭시 수지 조성물
KR101373791B1 (ko) Ｃｏｆ 실장용 봉지제 및 이것을 사용하여 봉지한 반도체 부품
JP5668623B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR20150135459A (ko) 열경화성 수지 조성물 및 이 수지 조성물을 충전한 프린트 배선판
US20150221527A1 (en) Encapsulant composition
JP6388228B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP5664358B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料および半導体装置
JP2003055439A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
KR102289139B1 (ko) 구리 범프용 액상 봉지재 및 그것에 사용하는 수지 조성물
JP2001098049A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物
KR101221825B1 (ko) 전기적 특성이 우수한 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지 조성물
WO2024116693A1 (ja) 樹脂組成物、接着剤、封止材、ダイアタッチ剤、硬化物及び電子デバイス
KR20230080413A (ko) 에지 본드재, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법